JP2001262088A - Pressure-sensitive adhesive tape for protecting antireflection film, antireflection film with protective film, and method for producing antireflection film with transparent conductive thin-film circuit pattern - Google Patents

Pressure-sensitive adhesive tape for protecting antireflection film, antireflection film with protective film, and method for producing antireflection film with transparent conductive thin-film circuit pattern

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JP2001262088A
JP2001262088A JP2000072157A JP2000072157A JP2001262088A JP 2001262088 A JP2001262088 A JP 2001262088A JP 2000072157 A JP2000072157 A JP 2000072157A JP 2000072157 A JP2000072157 A JP 2000072157A JP 2001262088 A JP2001262088 A JP 2001262088A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing an antireflection film with a transparent conductive thin-film pattern at cost reduced by mass production and to provide a pressure-sensitive adhesive tape for an antireflection film, excellent in heat resistance and chemical resistance required in protecting an antireflection film in the above method and excellent in, especially, chemical resistance on exposure to a treating solution used for the development peel of a photoresist in a photoetching process and on exposure to a treating solution used for etching a transparent conductive thin-film. SOLUTION: An antireflection film 21 is protected with a pressure-sensitive film 1 prepared by forming a pressure-sensitive adhesive layer 11 having excellent chemical resistance and formed by curing an acrylic copolymer comprising essentially consisting of a (meth)acrylic ester monomer with a 1-12C alkyl and a functional-group-containing monomer with a curing agent on a support 12, and a circuit pattern is formed on the back transparent conductive thin-film 23.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性薄膜を
有する反射防止フィルムの製造方法に関し、特に透明導
電性薄膜の回路パターンを形成する工程で反射防止膜を
保護する方法、及びその保護に適した粘着フィルムに関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an antireflection film having a transparent conductive thin film, and more particularly to a method for protecting an antireflection film in a step of forming a circuit pattern of the transparent conductive thin film, and a method for protecting the same. It relates to a suitable adhesive film.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、画像表示装置として液晶表示素子
が注目され、その用途の一つとして、携帯用の電子手
帳、情報端末などへの応用が期待されている。これら携
帯用の電子手帳、情報端末などの画面入力装置として
は、液晶表示素子の上に透明なタッチパネルを載せたも
の、特に価格などの点から抵抗膜方式のタッチパネルを
組合せたものが一般に用いられている。
2. Description of the Related Art In recent years, a liquid crystal display element has attracted attention as an image display device, and one of its uses is expected to be applied to a portable electronic notebook, an information terminal, and the like. Screen input devices such as these portable electronic notebooks and information terminals are generally used in which a transparent touch panel is mounted on a liquid crystal display element, particularly in combination with a resistive touch panel in terms of price and the like. ing.

【0003】このような抵抗膜方式タッチパネルの入力
表面に用いられるフィルムとしては、透明高分子フィル
ムの一方の面に耐擦傷性に優れるハードコート層を設
け、他方の面に透明導電性薄膜の回路パターンを設けた
フィルムが一般に用いられている。
As a film used on the input surface of such a resistive touch panel, a hard coat layer having excellent scratch resistance is provided on one surface of a transparent polymer film, and a transparent conductive thin film circuit is provided on the other surface. A film provided with a pattern is generally used.

【0004】一方、画面入力装置を伴わない液晶表示装
置においては、表面反射による視認性の低下を改善する
方法として、表示装置の最表面に反射防止処理を施すこ
とが行われている。
On the other hand, in a liquid crystal display device without a screen input device, an anti-reflection treatment is performed on the outermost surface of the display device as a method of improving a decrease in visibility due to surface reflection.

【0005】しかし、これら反射防止処理をタッチパネ
ルのフィルム表面に施すと、反射防止膜が設けられた表
面の耐擦傷性が低下して実用上耐え得るものが得られな
いという理由から、タッチパネルのフィルム表面には施
されていないのが実情である。
However, when these antireflection treatments are applied to the film surface of the touch panel, the scratch resistance of the surface provided with the antireflection film is reduced, and a film which can be practically used cannot be obtained. The fact is that it is not applied to the surface.

【0006】そこで近年、反射防止膜の耐擦傷性の改良
が試みられ、一部高級機種においては反射防止膜を最終
工程で表面処理する方法も行われているが、極めてコス
ト高になるという理由で現実には余り普及していない。
In recent years, attempts have been made to improve the abrasion resistance of the anti-reflection film, and some high-end models have performed a surface treatment of the anti-reflection film in the final step. In reality, it is not very popular.

【0007】また、このような反射防止膜を生産工程の
初期段階において連続的に表面処理することで大量生産
を可能にし、反射防止処理の低価格化を実現しようとす
る試みも近年行われている。
In recent years, attempts have been made in recent years to mass-produce such an anti-reflection film by continuously performing surface treatment in an initial stage of a production process, thereby realizing a low price of the anti-reflection treatment. I have.

【0008】しかし、このような反射防止膜も、やはり
耐擦傷性や耐薬品性が十分ではなく、上記のような透明
導電性薄膜の回路パターンを形成する工程で、その性能
を維持することができないものであった。
However, such an antireflection film also has insufficient scratch resistance and chemical resistance, and its performance can be maintained in the step of forming a circuit pattern of the transparent conductive thin film as described above. It was impossible.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、上記課題を解決し、透明導電性薄膜回路パターン付
き反射防止フィルムの大量生産による低コスト化を可能
とする方法を提供すると共に、当該方法において反射防
止膜を保護する際に要求される耐熱性及び耐薬品性、特
にフォトエッチング法におけるフォトレジストの現像剥
離のために用いる処理液及び透明導電性薄膜のエッチン
グのために用いる処理液に対する耐薬品性に優れる反射
防止膜保護用粘着フィルムを提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a method capable of reducing the cost by mass-producing an antireflection film with a transparent conductive thin film circuit pattern, and Heat treatment and chemical resistance required for protecting the anti-reflection film in the method, in particular, a treatment liquid used for developing and removing a photoresist in a photoetching method and a treatment liquid used for etching a transparent conductive thin film An object of the present invention is to provide an adhesive film for protecting an anti-reflection film having excellent chemical resistance to the film.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成する本
発明の反射防止膜保護用粘着フィルムは、基材上にフォ
トレジストの現像剥離のために用いる処理液及び透明導
電性薄膜のエッチングのために用いる処理液に対しての
耐性を有する粘着剤層を設けたことを特徴とするもので
ある。
The pressure-sensitive adhesive film for protecting an anti-reflection film of the present invention which achieves the above object is provided with a processing solution used for developing and removing a photoresist on a substrate and for etching a transparent conductive thin film. Characterized in that a pressure-sensitive adhesive layer having resistance to the processing liquid used for the above is provided.

【0011】また、本発明の反射防止膜保護用粘着フィ
ルムは、粘着剤層が少なくともアクリル系共重合体を硬
化剤で硬化させた粘着剤層であって、前記アクリル系共
重合体が少なくともアルキル基の炭素数が1〜12であ
る(メタ)アクリル酸エステルモノマーと官能基含有モ
ノマーとからなるものであることを特徴とするものであ
る。
Further, in the pressure-sensitive adhesive film for protecting an antireflection film of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive layer obtained by curing at least an acrylic copolymer with a curing agent, and the acrylic copolymer is at least an alkyl compound. It is characterized by comprising a (meth) acrylate monomer having 1 to 12 carbon atoms and a functional group-containing monomer.

【0012】また、本発明の反射防止膜保護用粘着フィ
ルムは、アクリル系共重合体を構成する(メタ)アクリ
ル酸エステルモノマーと官能基含有モノマーとの重合割
合が、(メタ)アクリル酸エステルモノマー100重量
部に対して、官能基含有モノマーが1〜30重量部であ
ることを特徴とするものである。
The pressure-sensitive adhesive film for protecting an antireflection film of the present invention is characterized in that the polymerization ratio of the (meth) acrylate monomer and the functional group-containing monomer constituting the acrylic copolymer is (meth) acrylate monomer. The functional group-containing monomer is used in an amount of 1 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight.

【0013】また、本発明の反射防止膜保護用粘着フィ
ルムは、アクリル系共重合体に共重合する他のモノマー
としてマクロモノマーを共重合したことを特徴とするも
のである。
Further, the pressure-sensitive adhesive film for protecting an antireflection film of the present invention is characterized in that a macromonomer is copolymerized as another monomer copolymerized with the acrylic copolymer.

【0014】また、本発明の反射防止膜保護用粘着フィ
ルムは、マクロモノマーが末端の重合性官能基としてモ
ノエチレン性不飽和基を有し、高分子量の骨格成分とし
てポリジメチルシロキサンを有するポリジメチルシロキ
サンメタクリレートであることを特徴とするものであ
る。
In the pressure-sensitive adhesive film for protecting an antireflection film according to the present invention, the macromonomer has a monoethylenically unsaturated group as a terminal polymerizable functional group and a polydimethylsiloxane having a polydimethylsiloxane as a high molecular weight skeleton component. It is characterized by being siloxane methacrylate.

【0015】また、本発明の保護フィルム付き反射防止
フィルムは、反射防止膜保護用粘着フィルムによって反
射防止膜が保護されていることを特徴とするものであ
る。
Further, the antireflection film with a protective film of the present invention is characterized in that the antireflection film is protected by an adhesive film for protecting the antireflection film.

【0016】また、本発明の保護フィルム付き反射防止
フィルムは、反射防止膜の最外層が酸化珪素系薄膜であ
ることを特徴とするものである。
Further, the antireflection film with a protective film of the present invention is characterized in that the outermost layer of the antireflection film is a silicon oxide-based thin film.

【0017】また、本発明の保護フィルム付き反射防止
フィルムは、反射防止膜が透明高分子フィルム上に設け
られたものであることを特徴とするものである。
Further, the antireflection film with a protective film of the present invention is characterized in that the antireflection film is provided on a transparent polymer film.

【0018】また、本発明の保護フィルム付き反射防止
フィルムは、透明高分子フィルムの反射防止膜が設けら
れた面の裏面に、透明導電性薄膜が設けられたものであ
ることを特徴とするものである。
The antireflection film with a protective film of the present invention is characterized in that a transparent conductive thin film is provided on the back surface of the surface of the transparent polymer film on which the antireflection film is provided. It is.

【0019】また、本発明の保護フィルム付き反射防止
フィルムは、透明導電性薄膜が酸化インジウム、酸化錫
又は酸化インジウム錫のいずれかが主成分であることを
特徴とするものである。
Further, the antireflection film with a protective film of the present invention is characterized in that the transparent conductive thin film is mainly composed of indium oxide, tin oxide or indium tin oxide.

【0020】また、本発明の保護フィルム付き反射防止
フィルムは、透明導電性薄膜が、不要部分をフォトエッ
チング法によりエッチング除去して透明導電性薄膜回路
パターンを形成したものであることを特徴とするもので
ある。
Further, the antireflection film with a protective film of the present invention is characterized in that the transparent conductive thin film is formed by removing unnecessary portions by photoetching to form a transparent conductive thin film circuit pattern. Things.

【0021】また、本発明の透明導電性薄膜回路パター
ン付き反射防止フィルムの製造方法は、透明高分子フィ
ルムの一方の面に反射防止膜を有する反射防止フィルム
の当該反射防止膜上に、反射防止膜保護用粘着フィルム
を貼付した後、透明高分子フィルムの反射防止膜が設け
られた面の裏面に、透明導電性薄膜を設け、次いで透明
導電性薄膜の不要部分をフォトエッチング法によりエッ
チング除去して透明導電性薄膜に回路パターンを形成す
ることを特徴とするものである。
Further, the method for producing an antireflection film with a transparent conductive thin film circuit pattern according to the present invention comprises the steps of: providing an antireflection film having an antireflection film on one surface of a transparent polymer film; After affixing the adhesive film for film protection, a transparent conductive thin film is provided on the back surface of the transparent polymer film on which the antireflection film is provided, and then unnecessary portions of the transparent conductive thin film are removed by etching using a photoetching method. And forming a circuit pattern on the transparent conductive thin film.

【0022】また、本発明の透明導電性薄膜回路パター
ン付き反射防止フィルムの製造方法は、透明高分子フィ
ルムの一方の面に反射防止膜を有し、他方の面に透明導
電性薄膜を有する反射防止フィルムの当該反射防止膜上
に、反射防止膜保護用粘着フィルムを貼付した後、透明
導電性薄膜の不要部分をフォトエッチング法によりエッ
チング除去して透明導電性薄膜に回路パターンを形成す
ることを特徴とするものである。
Further, the method for producing an antireflection film with a transparent conductive thin film circuit pattern according to the present invention is directed to a reflection method in which a transparent polymer film has an antireflection film on one surface and a transparent conductive thin film on the other surface. After sticking an adhesive film for protecting the anti-reflection film on the anti-reflection film of the anti-reflection film, an unnecessary portion of the transparent conductive thin film is removed by etching using a photo-etching method to form a circuit pattern on the transparent conductive thin film. It is a feature.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】まず、本発明の反射防止膜保護用
粘着フィルム1について、図1を用いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, an adhesive film 1 for protecting an antireflection film according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0024】本発明の反射防止膜保護用粘着フィルム1
は、基材12上にフォトレジストの現像剥離のために用
いる処理液及び透明導電性薄膜のエッチングのために用
いる処理液に対しての耐性を有する粘着剤層11を設
け、必要に応じて支持体を粘着剤層11上に剥離可能に
設けたものである。
The pressure-sensitive adhesive film 1 for protecting an antireflection film of the present invention.
Is provided with a pressure-sensitive adhesive layer 11 having a resistance to a processing liquid used for developing and peeling a photoresist and a processing liquid used for etching a transparent conductive thin film on a base material 12 and supporting the pressure-sensitive adhesive layer if necessary. The body is provided on the adhesive layer 11 so as to be peelable.

【0025】従って、本発明の反射防止膜保護用粘着フ
ィルム1の具体的な態様としては、少なくともアクリル
系共重合体を硬化剤で硬化させた粘着剤層11を基材1
2上に設けた保護用粘着フィルム1であって、前記アク
リル系共重合体が、少なくともアルキル基の炭素数が1
〜12である(メタ)アクリル酸エステルモノマーと官
能基含有モノマーとからなるものである。このように少
なくともアルキル基の炭素数が1〜12である(メタ)
アクリル酸エステルモノマーと官能基含有モノマーから
なるアクリル系共重合体を硬化剤によって硬化させるこ
とにより、粘着剤層11に優れた耐熱性及び耐薬品性が
得られるようになると共に、透明導電性薄膜回路パター
ンの形成工程後でも、良好な再剥離性を維持させること
ができるようになる。
Therefore, as a specific embodiment of the pressure-sensitive adhesive film 1 for protecting an antireflection film of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer 11 obtained by curing at least an acrylic copolymer with a curing agent is used as the base material 1.
2. The protective adhesive film 1 provided on 2 above, wherein the acrylic copolymer has at least one alkyl group having 1 carbon atom.
(Meth) acrylic acid ester monomers having a molecular weight of 12 and a functional group-containing monomer. Thus, at least the alkyl group has 1 to 12 carbon atoms (meth)
By curing an acrylic copolymer composed of an acrylate monomer and a functional group-containing monomer with a curing agent, the adhesive layer 11 can have excellent heat resistance and chemical resistance, and can have a transparent conductive thin film. Good removability can be maintained even after the circuit pattern formation step.

【0026】ここでフォトレジストとは、光照射により
耐エッチング性の薄膜を形成させて金属などの部分的な
エッチングを行うための感光性樹脂をいい、透明導電性
薄膜とは後述する透明導電性物質を薄膜状に形成したも
のをいう。従って、フォトレジストの現像剥離のために
用いる処理液とは、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム
等のアルカリを指し、透明導電性薄膜のエッチングのた
めに用いる処理液とは、塩酸などの酸を指し示す。
Here, the photoresist is a photosensitive resin for forming an etching-resistant thin film by light irradiation to partially etch a metal or the like. The transparent conductive thin film is a transparent conductive thin film described later. A substance formed into a thin film. Therefore, the treatment liquid used for developing and removing the photoresist refers to an alkali such as sodium carbonate and sodium hydroxide, and the treatment liquid used for etching the transparent conductive thin film refers to an acid such as hydrochloric acid.

【0027】ここで基材12に粘着剤層11を設ける方
法としては、アクリル系共重合体と硬化剤とを混合した
ものに適宜有機溶媒等を加えて塗布液を調整し、当該塗
布液を基材12上に塗布し、加熱乾燥硬化することによ
り得る方法等が採用できる。
Here, as a method of providing the pressure-sensitive adhesive layer 11 on the base material 12, a coating solution is prepared by appropriately adding an organic solvent or the like to a mixture of an acrylic copolymer and a curing agent. A method obtained by applying the composition on the base material 12 and curing by heating and drying can be adopted.

【0028】ここで少なくともアクリル系共重合体を硬
化剤で硬化させた粘着剤層11を設ける基材12として
は、耐熱性、耐薬品性等に優れるものであれば、特に限
定されるものではないが、好ましくは機械的強度等に優
れる二軸延伸されたポリエチレンテレフタレートフィル
ム等の透明高分子フィルムが望ましい。
Here, the substrate 12 on which the pressure-sensitive adhesive layer 11 obtained by curing at least the acrylic copolymer with a curing agent is not particularly limited as long as it has excellent heat resistance, chemical resistance and the like. However, a transparent polymer film such as a biaxially stretched polyethylene terephthalate film which is excellent in mechanical strength and the like is preferable.

【0029】また、粘着剤層11上に剥離可能に設けら
れる支持体としては、粘着剤層11の性能を阻害せずに
剥離できるものであれば、特に限定させるものではない
が、好ましくは前記透明高分子フィルム等の表面にシリ
コーン系離型剤等の離系処理を施したものが使用でき
る。
The support provided on the pressure-sensitive adhesive layer 11 in a releasable manner is not particularly limited as long as it can be peeled off without impairing the performance of the pressure-sensitive adhesive layer 11, but is preferably not limited to the above. Those obtained by subjecting the surface of a transparent polymer film or the like to a release treatment such as a silicone release agent can be used.

【0030】また、アクリル系共重合体を共重合するモ
ノマーとしては、少なくともアルキル基の炭素数が1〜
12である(メタ)アクリル酸エステルモノマーと官能
基含有モノマーとからなり、更に好ましくは他のモノマ
ーを共重合することが望ましく、中でもマクロマーを共
重合したものが好適である。このようにアルキル基の炭
素数が1〜12である(メタ)アクリル酸エステルモノ
マーによって基本的なアクリル系粘着剤としての性能を
維持し、官能基含有モノマーを有することにより硬化剤
によって架橋硬化することができ、粘着剤層11に耐熱
性及び耐薬品性が得られることになる。また、マクロモ
ノマー等の他のモノマーを有するものは粘着剤層11に
耐熱性及び耐薬品性をより向上させることが容易とな
る。
The monomer for copolymerizing the acrylic copolymer has at least an alkyl group having 1 to 1 carbon atom.
It is preferable that the copolymer is composed of a (meth) acrylic acid ester monomer and a monomer having a functional group of 12, and it is more preferable to copolymerize another monomer, and it is particularly preferable to copolymerize a macromer. As described above, the performance as a basic acrylic pressure-sensitive adhesive is maintained by the (meth) acrylate monomer having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and the functional group-containing monomer is crosslinked and cured by the curing agent. Thus, heat resistance and chemical resistance can be obtained in the pressure-sensitive adhesive layer 11. Further, those having another monomer such as a macromonomer can easily improve the heat resistance and the chemical resistance of the pressure-sensitive adhesive layer 11.

【0031】ここでアルキル基の炭素数が1〜12であ
る(メタ)アクリル酸エステルモノマーとしては、アク
リル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピ
ル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸
2−エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸
シクロヘキシル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸エ
ステルや、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸2−エチ
ルへキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル
酸ベンジル等のメタクリル酸エステルが挙げられ、これ
らのものは1種又は2種以上を混合して用いることがで
きる。
The (meth) acrylate monomer having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms includes methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate, and 2- (meth) acrylate. Ethyl hexyl, octyl acrylate, cyclohexyl acrylate, acrylates such as benzyl acrylate, and methacrylates such as butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

【0032】また、官能基含有モノマーとしては、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン
酸、フマル酸、イタコン酸等のカルボキシル基含有モノ
マー、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メ
タ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アク
リル酸4−ヒドロキシブチル、N−メチロールアクリル
アミド、アリルアルコール等のヒドロキシ含有モノマ
ー、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチル、(メ
タ)アクリル酸ジエチルアミノプロピル等の三級アミノ
基含有モノマー、アクリルアミド、メタクリルアミド等
のアミド基含有モノマー、N−メチル(メタ)アクリル
アミド、N−エチル(メタ)アクリルアミド、N−メト
シキメチル(メタ)アクリルアミド、N−エトシキメチ
ル(メタ)アクリルアミド、N−t−ブチルアクリルア
ミド、N−オクチルアクリルアミド等のN−置換アミド
基含有モノマーが挙げられる。
Examples of the functional group-containing monomer include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid. ) 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, N-methylolacrylamide, hydroxy-containing monomers such as allyl alcohol, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, and diethylaminopropyl (meth) acrylate. Amino-group-containing monomers, amide group-containing monomers such as acrylamide and methacrylamide, N-methyl (meth) acrylamide, N-ethyl (meth) acrylamide, N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N-ethoxymethyl (meth) acrylia De, N-t-butyl acrylamide, N- substituted amide group-containing monomers such as N- octyl acrylamide.

【0033】これらアクリル系共重合体を構成する(メ
タ)アクリル酸エステルモノマーと官能基含有モノマー
との重合割合は、(メタ)アクリル酸エステルモノマー
100重量部に対して、官能基含有モノマーが1〜30
重量部、好ましくは5〜15重量部であることが望まし
い。1重量部未満となると耐熱性が損なわれる恐れがあ
り、30重量部を越えると耐薬品性に劣る恐れがある。
The polymerization ratio of the (meth) acrylate monomer and the functional group-containing monomer constituting these acrylic copolymers is such that the functional group-containing monomer is 1 to 100 parts by weight of the (meth) acrylate monomer. ~ 30
It is desirable that the amount be 5 parts by weight, preferably 5 to 15 parts by weight. If it is less than 1 part by weight, heat resistance may be impaired, and if it exceeds 30 parts by weight, chemical resistance may be poor.

【0034】このアクリル系共重合体は、重量平均分子
量が20万〜300万であり、30万〜200万が好ま
しい。重量平均分子量を20万以上とすることにより凝
集力の低下を防止し、300万以下とすることにより十
分な初期粘着力を得ることができるようになる。
The acrylic copolymer has a weight average molecular weight of 200,000 to 3,000,000, preferably 300,000 to 2,000,000. When the weight average molecular weight is 200,000 or more, a decrease in cohesive strength can be prevented, and when the weight average molecular weight is 3,000,000 or less, a sufficient initial adhesive strength can be obtained.

【0035】共重合する他のモノマーとしては、酢酸ビ
ニル、プロピオン酸ビニル、ビニルエーテル、スチレ
ン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等が挙げら
れるが、好適には末端に重合性官能基を有する高分子量
モノマーであるマクロモノマーを挙げることができる。
Other monomers to be copolymerized include vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl ether, styrene, acrylonitrile, methacrylonitrile and the like, and preferably high molecular weight monomers having a polymerizable functional group at the terminal. Macromonomers can be mentioned.

【0036】また、ここで末端の重合性官能基として
は、モノエチレン性不飽和基が挙げられ、高分子量の骨
格成分としては、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレ
ン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、ポリメタク
リル酸ブチル、ポリメタクリル酸イソブチル、メタクリ
ル酸メチル−メタクリル酸ヒドロキシメチル共重合体、
メタクリル酸2−エチルへキシル−メタクリル酸ヒドロ
キシエチル共重合体、ポリジメチルシロキサン等が挙げ
られ、これら末端の重合性官能基であるモノエチレン性
不飽和基と高分子量の骨格成分は自由に組合わせること
ができる。
The terminal polymerizable functional group includes a monoethylenically unsaturated group, and the high molecular weight skeleton component includes polymethyl methacrylate, polystyrene, styrene-acrylonitrile copolymer, and polymethacrylic. Butyl acrylate, polyisobutyl methacrylate, methyl methacrylate-hydroxymethyl methacrylate copolymer,
Examples include 2-ethylhexyl methacrylate-hydroxyethyl methacrylate copolymer, polydimethylsiloxane, and the like. The monoethylenically unsaturated group, which is a polymerizable functional group at the terminal, and a high molecular weight skeleton component can be freely combined. be able to.

【0037】ここで、特に本発明の反射防止膜保護用粘
着フィルムとして好適なものとしては、末端の重合性官
能基としてモノエチレン性不飽和基を有し、高分子量の
骨格成分としてポリジメチルシロキサンを有するポリジ
メチルシロキサンメタクリレートが挙げられる。このよ
うにポリジメチルシロキサンメタクリレートを他のモノ
マー成分として共重合したアクリル系共重合体を硬化剤
によって硬化させた粘着剤層11は、粘着剤層11自体
の撥水性を高くすることができるようになり、これを設
けた反射防止膜保護用粘着フィルムを用いて反射防止膜
21を保護することにより、反射防止膜21が設けられ
た面の裏面の透明導電性薄膜に回路パターンを形成する
工程におけるフォトレジストの現像剥離のために用いら
れるアルカリや透明導電性薄膜のエッチングのために用
いられる酸等の処理液から更に効果的に反射防止膜21
を保護することができるようになる。
Here, particularly suitable as the pressure-sensitive adhesive film for protecting the antireflection film of the present invention are those having a monoethylenically unsaturated group as a terminal polymerizable functional group and a polydimethylsiloxane as a high molecular weight skeleton component. And polydimethylsiloxane methacrylate having the formula: Thus, the pressure-sensitive adhesive layer 11 obtained by curing the acrylic copolymer obtained by copolymerizing polydimethylsiloxane methacrylate as another monomer component with a curing agent can enhance the water repellency of the pressure-sensitive adhesive layer 11 itself. In the step of forming a circuit pattern on the transparent conductive thin film on the back surface of the surface provided with the anti-reflection film 21 by protecting the anti-reflection film 21 using the adhesive film for protecting the anti-reflection film provided with the same. An anti-reflection film 21 can be more effectively removed from a processing solution such as an alkali used for developing and removing a photoresist and an acid used for etching a transparent conductive thin film.
Can be protected.

【0038】そしてこれらアクリル系共重合体に共重合
される他のモノマーの重合割合は、(メタ)アクリル酸
エステルモノマーと官能基含有モノマーとの合計100
重量部に対して0〜30重量部、好ましくは1〜15重
量部であることが望ましい。30重量部を超えると粘着
力の制御が困難になる恐れがある。
The polymerization ratio of the other monomer copolymerized with the acrylic copolymer is a total of 100% of the (meth) acrylate monomer and the functional group-containing monomer.
It is desirable that the amount is 0 to 30 parts by weight, preferably 1 to 15 parts by weight based on parts by weight. If it exceeds 30 parts by weight, it may be difficult to control the adhesive strength.

【0039】また、粘着剤層11に含まれる硬化剤とし
ては、イソシアネート系化合物、エポキシ系化合物、金
属キレート化合物、金属塩、アミン化合物、ヒドラジン
化合物、アルデヒド系化合物等の適宜のものを、アクリ
ル系共重合体に共重合される官能基含有モノマーの種類
に応じて使用でき、これによってアクリル系共重合体が
硬化され、耐熱性及び耐薬品性に優れたものとなる。
As the curing agent contained in the pressure-sensitive adhesive layer 11, an appropriate one such as an isocyanate compound, an epoxy compound, a metal chelate compound, a metal salt, an amine compound, a hydrazine compound and an aldehyde compound is used. It can be used in accordance with the type of the functional group-containing monomer to be copolymerized with the copolymer, whereby the acrylic copolymer is cured and becomes excellent in heat resistance and chemical resistance.

【0040】粘着剤層11、基材12の厚みに関して
は、特に限定させるものではないが、基材12の厚みと
しては、4〜250μm、好ましくは25〜200μm
であり、粘着剤層11の厚みとしては、1〜30μm、
好ましくは5〜15μmである。
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 11 and the substrate 12 is not particularly limited, but the thickness of the substrate 12 is 4 to 250 μm, preferably 25 to 200 μm.
And the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 11 is 1 to 30 μm,
Preferably it is 5 to 15 μm.

【0041】次に本発明の保護フィルム付き反射防止フ
ィルム2について、図2及び図3を用いて説明する。
Next, the antireflection film 2 with a protective film of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0042】本発明の保護フィルム付き反射防止フィル
ム2は、本発明の反射防止膜保護用粘着フィルム1によ
って反射防止膜21が保護されているものである。これ
によって反射防止膜21は、反射防止膜21が設けられ
た面の裏面に設けられる透明導電性薄膜回路パターンの
形成工程で、フォトレジストの現像剥離のために用いら
れるアルカリや透明導電性薄膜23のエッチングのため
に用いられる酸等の処理液から好適に保護されるように
なる。
The antireflection film 2 with a protective film of the present invention is one in which the antireflection film 21 is protected by the antireflection film protecting adhesive film 1 of the present invention. As a result, the anti-reflection film 21 is made of an alkali or transparent conductive thin film 23 used for developing and removing the photoresist in the step of forming a transparent conductive thin film circuit pattern provided on the back surface of the surface on which the anti-reflection film 21 is provided. Is suitably protected from a processing solution such as an acid used for etching.

【0043】本発明の反射防止膜21は、透明高分子フ
ィルム22上に設けられたものであり、可視光域におい
て透明性を有し、且つ層界面による光の干渉作用を利用
して反射光を打ち消し合う性能を有する層である。ここ
で、透明高分子フィルム22としては、透明性に優れる
ものであれば特に限定されず、前記した二軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフィルムが好適に使用され、適
宜、反射防止膜21の耐擦傷性を向上させるためにハー
ドコート層を設けたものや、反射防止膜21との接着性
を向上させるために下引き層を設けたもの等を使用でき
る。
The anti-reflection film 21 of the present invention is provided on the transparent polymer film 22, has transparency in the visible light range, and reflects light by utilizing the interference of light at the layer interface. Is a layer having the ability to cancel out. Here, the transparent polymer film 22 is not particularly limited as long as it has excellent transparency, and the above-described biaxially stretched polyethylene terephthalate film is suitably used, and appropriately improves the scratch resistance of the antireflection film 21. A material provided with a hard coat layer for the purpose, a material provided with an undercoat layer for improving the adhesiveness to the antireflection film 21, and the like can be used.

【0044】このような反射防止膜21としては、透明
性の高い低屈折率層を、特定波長(反射防止を目的とす
る主波長)に対して波長の1/4の光学膜厚を設ける単
層反射防止膜の他、この低屈折率層に特定波長に基づい
た光学膜厚の高屈折率層、中屈折率層、低屈折率層を適
宜一層以上積層した多層反射防止膜を採用することがで
きる。ここでいう光学膜厚とは、膜の屈折率nと機械的
な膜厚dとの積ndによって求められる膜厚のことであ
る。
As such an anti-reflection film 21, a low-refractive-index layer having high transparency is formed by simply providing an optical film thickness of 1 / of the wavelength with respect to a specific wavelength (a main wavelength for anti-reflection). In addition to the layer anti-reflection film, a multi-layer anti-reflection film in which a high refractive index layer, a medium refractive index layer, and a low refractive index layer having an optical thickness based on a specific wavelength are appropriately laminated on the low refractive index layer. Can be. Here, the optical film thickness is a film thickness determined by a product nd of a refractive index n of the film and a mechanical film thickness d.

【0045】これら反射防止膜21を形成する方法とし
ては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法などの真空製膜法や、ブレードコータ法、ロッ
ドコータ法、グラビアコータ法などの塗布法等により設
ける方法が採用できる。
Examples of the method for forming the antireflection film 21 include a vacuum film forming method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method, and a coating method such as a blade coater method, a rod coater method, and a gravure coater method. Can be adopted.

【0046】ここで真空製膜法において、低屈折率層を
構成する材料としては、Siの酸化物やLi、Na、M
g、Al、Ca等のフッ化物が挙げられ、高屈折率層を
構成する材料としては、Ti、Cr、Zr、Ni、Mo
等の単体やTi、Zn、Y、Zr、In、Sn、Sb、
Hf、Ta、Ce、Pr、Nd等の酸化物が挙げられ、
中屈折率層を構成する材料としては、La、Nd、Pb
等のフッ化物が挙げられる。
Here, in the vacuum film forming method, as a material constituting the low refractive index layer, oxides of Si, Li, Na, M
g, Al, Ca and other fluorides. Examples of the material constituting the high refractive index layer include Ti, Cr, Zr, Ni, and Mo.
Alone, Ti, Zn, Y, Zr, In, Sn, Sb,
Oxides such as Hf, Ta, Ce, Pr, and Nd;
Materials constituting the middle refractive index layer include La, Nd, and Pb.
And the like.

【0047】また塗布法において、低屈折率層を構成す
る材料としては、フッ素原子が導入された樹脂や、有機
珪素化合物や、フッ化マグネシウムやシリカ等の低屈折
率微粒子を分散した樹脂や、珪素アルコキシドを加水分
解して調整した酸化珪素ゾル等が挙げられ、高屈折率層
を構成する材料としては、フッ素以外のハロゲン、硫
黄、窒素、燐等の原子又は芳香族環等が導入された樹脂
や、金属酸化物等からなる高屈折率微粒子を分散した樹
脂や、珪素以外の金属アルコキシドを加水分解して調整
した金属酸化物ゾル等が挙げられ、中屈折率層を構成す
る材料としてはこれらの材料の中間の屈折率となる適宜
の材料を採用することができる。
In the coating method, as a material constituting the low refractive index layer, a resin into which a fluorine atom is introduced, an organic silicon compound, a resin in which low refractive index fine particles such as magnesium fluoride and silica are dispersed, and the like. Examples include silicon oxide sol prepared by hydrolyzing silicon alkoxide, and as a material constituting the high refractive index layer, an atom such as halogen other than fluorine, sulfur, nitrogen, phosphorus, or an aromatic ring is introduced. Resin, a resin in which high refractive index fine particles composed of a metal oxide or the like are dispersed, a metal oxide sol prepared by hydrolyzing a metal alkoxide other than silicon, and the like, and examples of a material constituting the middle refractive index layer include An appropriate material having an intermediate refractive index between these materials can be employed.

【0048】特に本発明の反射防止膜保護用粘着フィル
ム1によって反射防止膜21を保護する効果は、反射防
止膜の最外層が、Siの酸化物を真空製膜法によって設
けたものや、珪素アルコキシドを加水分解して調整した
酸化珪素ゾル等の材料を塗布法によって設けたもの等
の、酸化珪素系薄膜であるときに発揮される。
In particular, the effect of protecting the anti-reflection film 21 with the anti-reflection film protective pressure-sensitive adhesive film 1 of the present invention is as follows: the outermost layer of the anti-reflection film is provided with an oxide of Si by a vacuum film forming method; This is exerted when a silicon oxide-based thin film such as one provided with a material such as a silicon oxide sol prepared by hydrolyzing an alkoxide by a coating method.

【0049】また、本発明の保護フィルム付き反射防止
フィルム2は、図3のように、透明高分子フィルム22
の反射防止膜21が設けられた面の裏面に、透明導電性
薄膜23が設けられたものである。
As shown in FIG. 3, the antireflection film 2 with a protective film of the present invention
The transparent conductive thin film 23 is provided on the back surface of the surface on which the antireflection film 21 is provided.

【0050】このような透明導電性薄膜23は、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム錫、金、銀、パラジ
ウム等に代表される透明導電性物質を真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法、溶液塗布法等
により形成したものが用いられ、特に透明性、導電性に
優れつつ比較的低コストに得られる酸化インジウム、酸
化錫又は酸化インジウム錫のいずれかが主成分であるも
のが好適に使用される。そして、この透明導電性薄膜2
3には、不要部分をフォトエッチング法によりエッチン
グ除去して透明導電性薄膜回路パターンを形成したもの
も含まれる。
The transparent conductive thin film 23 is made of a transparent conductive material typified by indium oxide, tin oxide, indium tin oxide, gold, silver, palladium, etc. by a vacuum evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, or the like. A material formed by a solution coating method or the like is used, and in particular, a material mainly containing any of indium oxide, tin oxide, and indium tin oxide, which is excellent in transparency and conductivity and obtained at a relatively low cost, is preferably used. Is done. And this transparent conductive thin film 2
3 includes those in which unnecessary portions are removed by etching using a photoetching method to form a transparent conductive thin film circuit pattern.

【0051】ここで、フォトエッチング法とは、図4の
ように、透明導電性薄膜23上にフォトレジスト層4を
溶液塗布法やドライフィルムラミネート法等によって設
け、該フォトレジスト層4を露光して回路パターンを焼
き付け、炭酸ナトリウム等の弱アルカリを用いてフォト
レジスト層4を現像してエッチングレジストを形成し、
次いで塩酸等の酸を用いて透明導電性薄膜23をエッチ
ング除去し、更に水酸化ナトリウム等の強アルカリを用
いてフォトレジスト層4を剥離し、透明導電性薄膜回路
パターンを形成する方法のことをいう。
Here, the photo-etching method is to provide a photoresist layer 4 on a transparent conductive thin film 23 by a solution coating method or a dry film laminating method as shown in FIG. Baking the circuit pattern, developing the photoresist layer 4 using a weak alkali such as sodium carbonate to form an etching resist,
Then, the transparent conductive thin film 23 is etched off using an acid such as hydrochloric acid, and the photoresist layer 4 is peeled off using a strong alkali such as sodium hydroxide to form a transparent conductive thin film circuit pattern. Say.

【0052】次いで、本発明の透明導電性薄膜回路パタ
ーン付き反射防止フィルム3の製造方法について説明す
る。
Next, a method for producing the antireflection film 3 with a transparent conductive thin film circuit pattern of the present invention will be described.

【0053】本発明の透明導電性薄膜回路パターン付き
反射防止フィルム3の製造方法は、透明高分子フィルム
22の一方の面に反射防止膜21を有する反射防止フィ
ルムの当該反射防止膜21上に、反射防止膜保護用粘着
フィルム1を貼付した後、透明高分子フィルム22の反
射防止膜21が設けられた面の裏面に、透明導電性薄膜
23を設け、次いで透明導電性薄膜23の不要部分をフ
ォトエッチング法によりエッチング除去して透明導電性
薄膜23に回路パターンを形成するものである。若しく
は、透明高分子フィルム22の一方の面に反射防止膜2
1を有し、他方の面に透明導電性薄膜23を有する反射
防止フィルムの当該反射防止膜21上に、反射防止膜保
護用粘着フィルム1を貼付した後、透明導電性薄膜23
の不要部分をフォトエッチング法によりエッチング除去
して透明導電性薄膜23に回路パターンを形成するもの
である。
The method for producing the antireflection film 3 with a transparent conductive thin film circuit pattern according to the present invention comprises the steps of: forming an antireflection film 21 having an antireflection film 21 on one surface of a transparent polymer film 22; After the adhesive film 1 for protecting an anti-reflection film is attached, a transparent conductive thin film 23 is provided on the back surface of the transparent polymer film 22 on which the anti-reflection film 21 is provided, and then unnecessary portions of the transparent conductive thin film 23 are removed. The circuit pattern is formed on the transparent conductive thin film 23 by etching and removing by a photoetching method. Alternatively, the antireflection film 2 is formed on one surface of the transparent polymer film 22.
After the adhesive film 1 for protecting the anti-reflection film is adhered on the anti-reflection film 21 of the anti-reflection film having the transparent conductive thin film 23 on the other surface, the transparent conductive thin film 23
The unnecessary portions are removed by etching using a photoetching method to form a circuit pattern on the transparent conductive thin film 23.

【0054】以上のようにして透明導電性薄膜23に回
路パターンを形成することにより、反射防止膜21が、
裏面の透明導電性薄膜23に回路パターンを形成する工
程において、フォトレジスト層4の現像剥離のために用
いられるアルカリや透明導電性薄膜23のエッチングの
ために用いられる酸等の処理液や傷から保護される結果
となり、その後に反射防止膜保護用粘着フィルム1を反
射防止膜21から剥離することで、優れた性能を維持す
る反射防止膜21を有する透明導電性薄膜回路パターン
付き反射防止フィルム3を得ることができる。
By forming a circuit pattern on the transparent conductive thin film 23 as described above, the anti-reflection film 21
In the step of forming a circuit pattern on the transparent conductive thin film 23 on the back surface, a treatment liquid such as an alkali used for development and peeling of the photoresist layer 4 and an acid used for etching the transparent conductive thin film 23 and scratches. As a result, the adhesive film 1 for protecting the anti-reflection film 1 is peeled off from the anti-reflection film 21 so that the anti-reflection film 3 with the transparent conductive thin-film circuit pattern having the anti-reflection film 21 maintaining excellent performance can be obtained. Can be obtained.

【0055】[0055]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
尚、「部」「%」は特記しない限り、重量基準である。
Embodiments of the present invention will be described below.
The “parts” and “%” are based on weight unless otherwise specified.

【0056】1.アクリル系共重合体の合成 [合成例1]攪拌機、コンデンサー、温度計及び窒素導
入管を備えた反応容器に、酢酸ブチル15.0g、トル
エン15.0gを入れ、窒素を通じて攪拌しながら80
℃に加熱した。別の容器でアクリル酸2−エチルへキシ
ルモノマー90.0g、メタクリル酸2−ヒドロキシエ
チルモノマー6.0g、アクリル酸モノマー4.0g、
α、α’−アゾビス(イソブチロニトリル)0.13
g、酸酸ブチル15.0g及びトルエン15.0gを混
合したものを、反応容器に1時間30分かけて滴下し
た。その後、反応溶液を80℃に保ちつつ攪拌しながら
6時間30分かけて反応を完結させ、アクリル系共重合
体を合成した。この反応溶液に酢酸ブチル20.0g、
トルエン20.0gを加えて固形分50%のアクリル系
共重合体溶液Aを調整した。
1. Synthesis of Acrylic Copolymer [Synthesis Example 1] 15.0 g of butyl acetate and 15.0 g of toluene were placed in a reaction vessel equipped with a stirrer, a condenser, a thermometer, and a nitrogen inlet tube, and stirred while passing through nitrogen.
Heated to ° C. In a separate container, 90.0 g of 2-ethylhexyl acrylate monomer, 6.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate monomer, 4.0 g of acrylic acid monomer,
α, α'-azobis (isobutyronitrile) 0.13
g, 15.0 g of butyl acid acid and 15.0 g of toluene were added dropwise to the reaction vessel over 1 hour and 30 minutes. Thereafter, the reaction was completed over a period of 6 hours and 30 minutes while stirring the reaction solution at 80 ° C. to synthesize an acrylic copolymer. 20.0 g of butyl acetate was added to this reaction solution,
Acrylic copolymer solution A having a solid content of 50% was prepared by adding 20.0 g of toluene.

【0057】[合成例2]合成例1の別の容器に混合す
るモノマーとして、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル
モノマー6.0gを5.0gに、アクリル酸モノマー
4.0gを3.0gに変更し、別途ポリジメチルシロキ
サンメタクリレートマクロモノマー(AK−32:東亞
合成社)を2.0g加えた以外、合成例1と同様にして
アクリル系共重合体を合成し、アクリル系共重合体溶液
Bを調整した。
[Synthesis Example 2] As monomers to be mixed in another container of Synthesis Example 1, 6.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate monomer was changed to 5.0 g, and 4.0 g of acrylic acid monomer was changed to 3.0 g. An acrylic copolymer was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 2.0 g of polydimethylsiloxane methacrylate macromonomer (AK-32: Toagosei Co., Ltd.) was separately added to prepare an acrylic copolymer solution B. did.

【0058】2.反射防止膜保護用粘着フィルムの作製 [実施例1]厚み50μmのポリエチレンテレフタレー
トフィルム12(ダイヤホイルT-600E:三菱化学ポリエ
ステルフィルム社)の一方の面に、以下の組成の粘着剤
層用塗布液を塗布し、110℃5分間乾燥することによ
り乾燥塗膜厚7μmの粘着剤層11を形成し、図1の反
射防止膜保護用粘着フィルム1を作製した。 <粘着剤層用塗布液> ・アクリル系共重合体溶液A 20部 ・イソシアネート系硬化剤(タケネートD110N<固形分7 5%>:武田薬品工業社) 0.46部 ・酢酸エチル 30部 ・トルエン 30部
2. Example 1 Preparation of a pressure-sensitive adhesive film for protecting an anti-reflection film [Example 1] A coating solution for a pressure-sensitive adhesive layer having the following composition on one surface of a polyethylene terephthalate film 12 (diafoil T-600E: Mitsubishi Chemical Polyester Film Co., Ltd.) having a thickness of 50 µm. Was applied and dried at 110 ° C. for 5 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer 11 having a dry film thickness of 7 μm, thereby producing the pressure-sensitive adhesive film 1 for protecting the antireflection film shown in FIG. <Coating solution for adhesive layer> ・ Acrylic copolymer solution A 20 parts ・ Isocyanate curing agent (Takenate D110N <solid content 75%>: Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) 0.46 parts ・ Ethyl acetate 30 parts ・ Toluene 30 copies

【0059】[実施例2]実施例1で用いた粘着剤層用
塗布液の代わりに以下の組成の粘着剤層用塗布液を用い
た以外、実施例1と同様にして図1の反射防止膜保護用
粘着フィルム1を作製した。 <粘着剤層用塗布液> ・アクリル系共重合体溶液B 20部 ・イソシアネート系硬化剤(タケネートD110N<固形分7 5%>:武田薬品工業社) 0.37部 ・酢酸エチル 30部 ・トルエン 30部
Example 2 The antireflection coating of FIG. 1 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid for an adhesive layer having the following composition was used instead of the coating liquid for an adhesive layer used in Example 1. An adhesive film 1 for film protection was produced. <Coating solution for pressure-sensitive adhesive layer>-Acrylic copolymer solution B 20 parts-Isocyanate-based curing agent (Takenate D110N <solid content 75%>: Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) 0.37 parts-Ethyl acetate 30 parts-Toluene 30 copies

【0060】3.保護フィルム付き反射防止フィルムの
作製 [実施例3]一方の面に最外層の厚みが85nmのSi
2膜(屈折率1.46)である反射防止膜21を有す
るポリエチレンテレフタレートフィルム22(コスモシ
ャインA4300:東洋紡績社)の当該反射防止膜21
上に、実施例1で得られた反射防止膜保護用粘着フィル
ム1を、粘着剤層11を介して貼付し、本発明の反射防
止膜保護用粘着フィルム1によって反射防止膜21が保
護された図2の保護フィルム付き反射防止フィルム2を
作製した。
3. Production of Antireflection Film with Protective Film [Example 3] On one surface, the outermost layer was made of Si having a thickness of 85 nm.
The anti-reflection film 21 of the polyethylene terephthalate film 22 (Cosmo Shine A4300: Toyobo Co., Ltd.) having the anti-reflection film 21 which is an O 2 film (refractive index: 1.46)
The anti-reflection film-protecting pressure-sensitive adhesive film 1 obtained in Example 1 was adhered thereon via the pressure-sensitive adhesive layer 11, and the anti-reflection film-protecting pressure-sensitive adhesive film 1 of the present invention protected the anti-reflection film 21. The antireflection film 2 with a protective film of FIG. 2 was produced.

【0061】[実施例4]実施例3の保護フィルム付き
反射防止フィルム2の反射防止膜21が設けられている
面とは反対のポリエチレンテレフタレートフィルム22
面に、スパッタリング法を用いて表面抵抗値が500Ω
/□である酸化インジウム錫(ITO)の透明導電性薄
膜23を設け、図3の保護フィルム付き反射防止フィル
ム2を作製した。
Example 4 A polyethylene terephthalate film 22 opposite to the surface on which the antireflection film 21 of the antireflection film 2 with a protective film of Example 3 was provided.
The surface has a surface resistance of 500Ω using a sputtering method.
A transparent conductive thin film 23 of indium tin oxide (ITO) was provided to prepare the antireflection film 2 with a protective film in FIG.

【0062】[実施例5]一方の面に表面抵抗値が50
0Ω/□である酸化インジウム錫(ITO)の透明導電
性薄膜23を有し、もう一方の面に最外層の厚みが85
nmのSiO2膜(屈折率1.46)である反射防止膜
21を有するポリエチレンテレフタレートフィルム22
(コスモシャインA4300:東洋紡績社)の当該反射
防止膜21上に、実施例2で得られた反射防止膜保護用
粘着フィルム1を、粘着剤層11を介して貼付し、本発
明の反射防止膜保護用粘着フィルム1によって反射防止
膜21が保護された図3の保護フィルム付き反射防止フ
ィルム2を作製した。
Example 5 One surface had a surface resistance of 50.
It has a transparent conductive thin film 23 of indium tin oxide (ITO) of 0 Ω / □, and the outermost layer has a thickness of 85 on the other surface.
polyethylene terephthalate film 22 having an antireflection film 21 which is a SiO 2 film (refractive index: 1.46)
(Cosmo Shine A4300: Toyobo Co., Ltd.), the anti-reflection film protecting pressure-sensitive adhesive film 1 obtained in Example 2 was adhered via the pressure-sensitive adhesive layer 11 on the anti-reflection film 21 to prevent the anti-reflection of the present invention. The antireflection film 2 with the protective film of FIG. 3 in which the antireflection film 21 was protected by the film protecting adhesive film 1 was produced.

【0063】4.透明導電性薄膜回路パターン付き反射
防止フィルムの製造 [実施例6]実施例3と同様にして反射防止膜21上に
反射防止膜保護用粘着フィルム1を貼付した後、実施例
4と同様にして透明導電性薄膜23を設けた。次いで図
4のように、透明導電性薄膜23の不要部分を以下のよ
うなフォトエッチング法によりエッチング除去して透明
導電性薄膜23に回路パターンを形成して、本発明の透
明導電性薄膜回路パターン付き反射防止フィルム3を作
製した。 =フォトエッチング法= I.導電性薄膜23上にドライフィルム4(ALPHO601Y3
3:日本合成化学工業社)をラミネートしてから回路パ
ターンを露光し〈図4(a)〉、II.次に30℃の炭酸
ナトリウム1.0%溶液で保護フィルム付き反射防止フ
ィルム2を30秒間スプレー処理してドライフィルム4
にレジストを形成し〈図4(b)〉、III.次に塩酸1
0%溶液でスプレー処理して透明導電性薄膜23をエッ
チング除去し〈図4(c)〉、IV.更に水酸化ナトリウ
ム3.0%溶液でスプレー処理してドライフィルム4の
レジストを剥離する〈図4(d)〉。
4. Production of antireflection film with transparent conductive thin film circuit pattern [Example 6] After sticking the antireflection film protective adhesive film 1 on the antireflection film 21 in the same manner as in Example 3, the same procedure as in Example 4 was performed. A transparent conductive thin film 23 was provided. Next, as shown in FIG. 4, an unnecessary portion of the transparent conductive thin film 23 is removed by etching using a photoetching method as described below to form a circuit pattern on the transparent conductive thin film 23. The anti-reflection film 3 was produced. = Photo-etching method = I. Dry film 4 (ALPHO601Y3) on conductive thin film 23
3: Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.) and then expose the circuit pattern (FIG. 4 (a)), II. Next, the antireflection film 2 with a protective film is spray-treated with a 1.0% sodium carbonate solution at 30 ° C. for 30 seconds to dry the film 4.
(FIG. 4 (b)) and III. Then add hydrochloric acid 1
The transparent conductive thin film 23 was removed by etching by spraying with a 0% solution (FIG. 4C), and IV. Further, the resist of the dry film 4 is removed by spraying with a 3.0% sodium hydroxide solution (FIG. 4D).

【0064】[実施例7]実施例5と同様にして反射防
止膜21上に反射防止膜保護用粘着フィルム1を貼付し
た後、透明導電性薄膜23の不要部分をフォトエッチン
グ法(実施例6と同じ方法)によりエッチング除去して
透明導電性薄膜23に回路パターンを形成し、本発明の
透明導電性薄膜回路パターン付き反射防止フィルム3を
作製した。
Example 7 After the adhesive film 1 for protecting an anti-reflection film was pasted on the anti-reflection film 21 in the same manner as in Example 5, unnecessary portions of the transparent conductive thin film 23 were subjected to a photo-etching method (Example 6). A circuit pattern was formed on the transparent conductive thin film 23 by etching in the same manner as described above, thereby producing an antireflection film 3 with a transparent conductive thin film circuit pattern of the present invention.

【0065】[比較例1]一方の面に表面抵抗値が50
0Ω/□である酸化インジウム錫(ITO)の透明導電
性薄膜23を有し、もう一方の面に最外層の厚みが85
nmのSiO2膜(屈折率1.46)である反射防止膜
21を有するポリエチレンテレフタレートフィルム22
(コスモシャインA4300:東洋紡績社)の当該反射
防止膜21上に、保護フィルムを貼付せずに、透明導電
性薄膜23の不要部分をフォトエッチング法(実施例6
と同じ方法)によりエッチング除去して透明導電性薄膜
23に回路パターンを形成して、比較例1の透明導電性
薄膜回路パターン付き反射防止フィルム3を作製した。
[Comparative Example 1] The surface resistance of one surface was 50
It has a transparent conductive thin film 23 of indium tin oxide (ITO) of 0 Ω / □, and the outermost layer has a thickness of 85 on the other surface.
polyethylene terephthalate film 22 having an antireflection film 21 which is a SiO 2 film (refractive index: 1.46)
(Cosmo Shine A4300: Toyobo Co., Ltd.) An unnecessary portion of the transparent conductive thin film 23 is photo-etched on the antireflection film 21 without attaching a protective film (Example 6).
A circuit pattern was formed on the transparent conductive thin film 23 by etching in the same manner as described above) to produce the antireflection film 3 with a transparent conductive thin film circuit pattern of Comparative Example 1.

【0066】[比較例2]実施例5において反射防止膜
21を保護する反射防止膜保護用粘着フィルム1として
実施例2の反射防止膜保護用粘着フィルム1に替えて特
殊ポリエチレンに合成ゴム系粘着が積層された保護フィ
ルム(サニテクトMS14:サンエー化研社)を用いた以
外、実施例5と同様にして、反射防止膜21上に当該保
護フィルムを貼付した後、透明導電性薄膜23の不要部
分をフォトエッチング法(実施例6と同じ方法)により
エッチング除去して透明導電性薄膜23に回路パターン
を形成し、比較例2の透明導電性薄膜回路パターン付き
反射防止フィルム3を作製した。
[Comparative Example 2] In Example 5, the adhesive film 1 for protecting the anti-reflection film 21 for protecting the anti-reflection film 21 was replaced with a special polyethylene instead of the adhesive film 1 for protecting the anti-reflection film of Example 2, and a synthetic rubber-based adhesive was used. Was applied on the antireflection film 21 in the same manner as in Example 5 except that a protective film (Sanyect MS14: San-A Kaken Co., Ltd.) was used, and the unnecessary portions of the transparent conductive thin film 23 were removed. Was removed by etching using a photoetching method (same method as in Example 6) to form a circuit pattern on the transparent conductive thin film 23, and an antireflection film 3 with a transparent conductive thin film circuit pattern of Comparative Example 2 was produced.

【0067】以上のようにして得られた実施例6及び7
並びに比較例1及び2の透明導電性薄膜回路パターン付
き反射防止フィルム3の反射防止膜21について評価し
たところ(保護フィルムが貼付されているものについて
は保護フィルムを剥離した後に)、実施例6及び7のも
のは反射防止膜21の性能を全く阻害していなかった
が、比較例1のものは反射防止膜21の最外層のSiO
2膜を完全に消失させてしまい、比較例2のものも保護
フィルムを貼付した端部から処理液が進入してSiO2
膜を侵食してしまい、反射防止膜21の性能を維持して
いなかった。
Examples 6 and 7 obtained as described above
When the antireflection film 21 of the antireflection film 3 with the transparent conductive thin film circuit pattern of Comparative Examples 1 and 2 was evaluated (for those having a protective film attached, after the protective film was peeled off), Examples 6 and 7 did not hinder the performance of the anti-reflection film 21 at all, whereas the one of Comparative Example 1
2 The film completely disappeared, and in the case of Comparative Example 2 as well, the treatment liquid entered from the end where the protective film was attached, and SiO 2
The film eroded, and the performance of the antireflection film 21 was not maintained.

【0068】[0068]

【発明の効果】本発明の透明導電性薄膜回路パターン付
き反射防止フィルムの製造方法によれば、透明導電性薄
膜回路パターン付き反射防止フィルムの大量生産による
低コスト化を可能とする方法を提供することができ、ま
た、本発明の反射防止膜保護用粘着フィルムによれば、
当該方法において反射防止膜を保護する際に要求される
耐熱性及び耐薬品性、特にフォトエッチング法における
フォトレジストの現像剥離のために用いる処理液及び透
明導電性薄膜のエッチングのために用いる処理液に対す
る耐薬品性に優れる反射防止膜保護用粘着フィルムを提
供することができる。
According to the method for producing an antireflection film with a transparent conductive thin film circuit pattern of the present invention, there is provided a method capable of reducing the cost by mass production of an antireflection film with a transparent conductive thin film circuit pattern. According to the adhesive film for protecting the antireflection film of the present invention,
Heat treatment and chemical resistance required for protecting the anti-reflection film in the method, particularly a treatment liquid used for developing and removing a photoresist in a photo-etching method and a treatment liquid used for etching a transparent conductive thin film It is possible to provide an adhesive film for protecting an antireflection film, which is excellent in chemical resistance to the film.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の反射防止膜保護用粘着フィルムの一
実施例を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the pressure-sensitive adhesive film for protecting an antireflection film of the present invention.

【図2】 本発明の保護フィルム付き反射防止フィルム
の一実施例を示す断面図。
FIG. 2 is a sectional view showing an embodiment of the antireflection film with a protective film of the present invention.

【図3】 本発明の保護フィルム付き反射防止フィルム
の他の実施例を示す断面図。
FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the antireflection film with a protective film of the present invention.

【図4】 フォトエッチング法を説明する工程の断面
図。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a step illustrating a photoetching method.

【符号の説明】 1・・・・反射防止膜保護用粘着フィルム 11・・・粘着剤層 12・・・基材 2・・・・保護フィルム付き反射防止フィルム 21・・・反射防止膜 22・・・透明高分子フィルム 23・・・透明導電性薄膜 3・・・・透明導電性薄膜回路パターン付き反射防止フ
ィルム 4・・・・フォトレジスト層 5・・・・回路パターンの原稿 6・・・・光
[Description of Signs] 1 ... Adhesive film for protecting anti-reflective film 11 ... Adhesive layer 12 ... Base material 2 ... Anti-reflective film with protective film 21 ... Anti-reflective film 22- ..Transparent polymer film 23 ... Transparent conductive thin film 3 ... Transparent conductive thin film Antireflection film with circuit pattern 4 ... Photoresist layer 5 ... Document of circuit pattern 6 ... ·light

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01B 13/00 503 H01B 17/56 A 5G333 17/56 17/60 A 5G435 17/60 G02B 1/10 A Fターム(参考) 2K009 AA02 CC03 CC06 CC14 CC24 DD02 DD03 DD04 DD07 EE03 4F100 AA20C AA28D AA33D AK01E AK25B AK25J AK42A AK42E AK52B AK52J AL01B AL06B AR00B AR00D AT00A BA02 BA04 BA05 BA07 BA10A BA10D BA10E EH462 EH662 EJ08B EJ152 EJ302 GB41 HB08 JB01 JB20B JG01D JJ03 JL02 JL13B JM02C JM02D JN01D JN01E JN06 JN06C 4J004 AA10 AA11 AB01 CC02 FA04 FA05 5G307 FA02 FB01 FC06 FC08 FC10 5G323 CA01 5G333 AA03 AB13 AB22 BA03 CC09 CC20 DA03 DA21 DB02 DC02 FB01 FB02 FB11 FB21 5G435 BB12 BB16 CC09 EE12 HH12 KK05 KK07 LL07 LL08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01B 13/00 503 H01B 17/56 A 5G333 17/56 17/60 A 5G435 17/60 G02B 1/10 A F term (reference) 2K009 AA02 CC03 CC06 CC14 CC24 DD02 DD03 DD04 DD07 EE03 4F100 AA20C AA28D AA33D AK01E AK25B AK25J AK42A AK42E AK52B AK52J AL01B AL06B AR00B AR00D AT00ABABAE12 BA05 BA08 BA01 BA08 BA01 BA08 BA08 BA01 BA08 BA08 BA01 BA08 BA01 BA08 JL02 JL13B JM02C JM02D JN01D JN01E JN06 JN06C 4J004 AA10 AA11 AB01 CC02 FA04 FA05 5G307 FA02 FB01 FC06 FC08 FC10 5G323 CA01 5G333 AA03 AB13 AB22 BA03 CC09 CC20 DA03 DA21 DB02 DC02 FB01 FB02 FB01 FB02 FB01 FB02 FB01 FB02 FB01 FB02 FB01 FB02

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基材上に、フォトレジストの現像剥離のた
めに用いる処理液及び透明導電性薄膜のエッチングのた
めに用いる処理液に対しての耐性を有する粘着剤層を設
けたことを特徴とする反射防止膜保護用粘着フィルム。
An adhesive layer having a resistance to a processing liquid used for developing and removing a photoresist and a processing liquid used for etching a transparent conductive thin film is provided on a base material. An adhesive film for protecting an antireflection film.
【請求項2】前記粘着剤層が、少なくともアクリル系共
重合体を硬化剤で硬化させた粘着剤層であって、前記ア
クリル系共重合体が、少なくともアルキル基の炭素数が
1〜12である(メタ)アクリル酸エステルモノマーと
官能基含有モノマーとからなるものであることを特徴と
する請求項1記載の反射防止膜保護用粘着フィルム。
2. The pressure-sensitive adhesive layer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive layer obtained by curing at least an acrylic copolymer with a curing agent, wherein the acrylic copolymer has at least 1 to 12 carbon atoms in an alkyl group. The pressure-sensitive adhesive film for protecting an antireflection film according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive film is composed of a certain (meth) acrylate monomer and a functional group-containing monomer.
【請求項3】前記アクリル系共重合体を構成する前記
(メタ)アクリル酸エステルモノマーと前記官能基含有
モノマーとの重合割合は、前記(メタ)アクリル酸エス
テルモノマー100重量部に対して、前記官能基含有モ
ノマーが1〜30重量部であることを特徴とする請求項
2記載の反射防止膜保護用粘着フィルム。
3. The polymerization ratio of the (meth) acrylate monomer and the functional group-containing monomer constituting the acrylic copolymer is 100 parts by weight of the (meth) acrylate monomer. 3. The pressure-sensitive adhesive film for protecting an antireflection film according to claim 2, wherein the amount of the functional group-containing monomer is 1 to 30 parts by weight.
【請求項4】前記アクリル系共重合体に共重合する他の
モノマーとして、マクロモノマーを共重合したことを特
徴とする請求項2記載の反射防止膜保護用粘着フィル
ム。
4. The pressure-sensitive adhesive film according to claim 2, wherein a macromonomer is copolymerized as another monomer copolymerized with the acrylic copolymer.
【請求項5】前記マクロモノマーが、末端の重合性官能
基としてモノエチレン性不飽和基を有し、高分子量の骨
格成分としてポリジメチルシロキサンを有するポリジメ
チルシロキサンメタクリレートであることを特徴とする
請求項4記載の反射防止膜保護用粘着フィルム。
5. The macromonomer is a polydimethylsiloxane methacrylate having a monoethylenically unsaturated group as a terminal polymerizable functional group and having polydimethylsiloxane as a high molecular weight skeletal component. Item 6. An adhesive film for protecting an antireflection film according to Item 4.
【請求項6】請求項1記載の反射防止膜保護用粘着フィ
ルムによって反射防止膜が保護されていることを特徴と
する保護フィルム付き反射防止フィルム。
6. An anti-reflection film with a protective film, wherein the anti-reflection film is protected by the adhesive film for protecting an anti-reflection film according to claim 1.
【請求項7】前記反射防止膜の最外層が酸化珪素系薄膜
であることを特徴とする請求項6記載の保護フィルム付
き反射防止フィルム。
7. The anti-reflection film with a protective film according to claim 6, wherein the outermost layer of the anti-reflection film is a silicon oxide-based thin film.
【請求項8】前記反射防止膜が透明高分子フィルム上に
設けられたものであることを特徴とする請求項6記載の
保護フィルム付き反射防止フィルム。
8. The anti-reflection film with a protective film according to claim 6, wherein said anti-reflection film is provided on a transparent polymer film.
【請求項9】前記透明高分子フィルムの前記反射防止膜
が設けられた面の裏面に、透明導電性薄膜が設けられた
ものであることを特徴とする請求項8記載の保護フィル
ム付き反射防止フィルム。
9. The anti-reflection film with a protective film according to claim 8, wherein a transparent conductive thin film is provided on the back surface of the transparent polymer film on the surface on which the anti-reflection film is provided. the film.
【請求項10】前記透明導電性薄膜が、酸化インジウ
ム、酸化錫又は酸化インジウム錫のいずれかが主成分で
あることを特徴とする請求項9記載の保護フィルム付き
反射防止フィルム。
10. The antireflection film with a protective film according to claim 9, wherein the transparent conductive thin film is mainly composed of indium oxide, tin oxide or indium tin oxide.
【請求項11】前記透明導電性薄膜が、不要部分をフォ
トエッチング法によりエッチング除去して透明導電性薄
膜回路パターンを形成したものであることを特徴とする
請求項9記載の保護フィルム付き反射防止フィルム。
11. The antireflection with a protective film according to claim 9, wherein said transparent conductive thin film is formed by removing unnecessary portions by photoetching to form a transparent conductive thin film circuit pattern. the film.
【請求項12】透明高分子フィルムの一方の面に反射防
止膜を有する反射防止フィルムの当該反射防止膜上に、
請求項1記載の反射防止膜保護用粘着フィルムを貼付し
た後、前記透明高分子フィルムの前記反射防止膜が設け
られた面の裏面に、透明導電性薄膜を設け、次いで当該
透明導電性薄膜の不要部分をフォトエッチング法により
エッチング除去して前記透明導電性薄膜に回路パターン
を形成することを特徴とする透明導電性薄膜回路パター
ン付き反射防止フィルムの製造方法。
12. An anti-reflection film having an anti-reflection film on one surface of a transparent polymer film,
After adhering the pressure-sensitive adhesive film for protecting the anti-reflection film according to claim 1, a transparent conductive thin film is provided on the back surface of the surface of the transparent polymer film on which the anti-reflection film is provided, and then the transparent conductive thin film is formed. A method for producing an antireflection film with a transparent conductive thin film circuit pattern, wherein an unnecessary portion is etched away by a photoetching method to form a circuit pattern on the transparent conductive thin film.
【請求項13】透明高分子フィルムの一方の面に反射防
止膜を有し、他方の面に透明導電性薄膜を有する反射防
止フィルムの当該反射防止膜上に、請求項1記載の反射
防止膜保護用粘着フィルムを貼付した後、前記透明導電
性薄膜の不要部分をフォトエッチング法によりエッチン
グ除去して前記透明導電性薄膜に回路パターンを形成す
ることを特徴とする透明導電性薄膜回路パターン付き反
射防止フィルムの製造方法。
13. An anti-reflection film according to claim 1, wherein the anti-reflection film has an anti-reflection film on one surface of the transparent polymer film and a transparent conductive thin film on the other surface. After attaching a protective adhesive film, unnecessary portions of the transparent conductive thin film are etched and removed by a photoetching method to form a circuit pattern on the transparent conductive thin film. Production method of the prevention film.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003205567A (en) 2002-01-11 2003-07-22 Nitto Denko Corp Surface protecting film for transparent conductive film, and transparent conductive film
JP2005319632A (en) * 2004-05-07 2005-11-17 Toppan Printing Co Ltd Laminate, its manufacturing method and display medium
JP2010180405A (en) * 2010-02-15 2010-08-19 Nitto Denko Corp Protective film
JP2012053289A (en) * 2010-09-01 2012-03-15 Three M Innovative Properties Co Manufacturing method of image display device and manufacturing apparatus of image display device
JP2016531167A (en) * 2013-11-21 2016-10-06 エルジー・ケム・リミテッド Protective film
KR20190087768A (en) * 2018-01-17 2019-07-25 주식회사 엘지화학 Low reflection adhesive composition, adhesive film comprising the cured product thereof, and optical member comprising thereof
CN113755121A (en) * 2021-03-05 2021-12-07 住华科技股份有限公司 Optical adhesive, optical adhesive layer and forming method thereof, and optical laminate

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003205567A (en) 2002-01-11 2003-07-22 Nitto Denko Corp Surface protecting film for transparent conductive film, and transparent conductive film
JP2005319632A (en) * 2004-05-07 2005-11-17 Toppan Printing Co Ltd Laminate, its manufacturing method and display medium
JP2010180405A (en) * 2010-02-15 2010-08-19 Nitto Denko Corp Protective film
JP2012053289A (en) * 2010-09-01 2012-03-15 Three M Innovative Properties Co Manufacturing method of image display device and manufacturing apparatus of image display device
JP2016531167A (en) * 2013-11-21 2016-10-06 エルジー・ケム・リミテッド Protective film
US9890257B2 (en) 2013-11-21 2018-02-13 Lg Chem, Ltd. Protective film
KR20190087768A (en) * 2018-01-17 2019-07-25 주식회사 엘지화학 Low reflection adhesive composition, adhesive film comprising the cured product thereof, and optical member comprising thereof
KR102289244B1 (en) 2018-01-17 2021-08-12 주식회사 엘지화학 Low reflection adhesive composition, adhesive film comprising the cured product thereof, and optical member comprising thereof
CN113755121A (en) * 2021-03-05 2021-12-07 住华科技股份有限公司 Optical adhesive, optical adhesive layer and forming method thereof, and optical laminate

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