JP2001261933A - Epoxy resin for sealing optical semiconductor element and optical semiconductor device - Google Patents

Epoxy resin for sealing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Info

Publication number
JP2001261933A
JP2001261933A JP2000071482A JP2000071482A JP2001261933A JP 2001261933 A JP2001261933 A JP 2001261933A JP 2000071482 A JP2000071482 A JP 2000071482A JP 2000071482 A JP2000071482 A JP 2000071482A JP 2001261933 A JP2001261933 A JP 2001261933A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
optical semiconductor
glass powder
semiconductor element
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000071482A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsumi Shimada
Junko Yamada
純子 山田
克実 嶋田
Original Assignee
Nitto Denko Corp
日東電工株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp, 日東電工株式会社 filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2000071482A priority Critical patent/JP2001261933A/en
Publication of JP2001261933A publication Critical patent/JP2001261933A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epoxy resin composition for sealing optical semiconductor elements that has a small internal stress and can retain good light permeability all over the wavelength, and provide optical semiconductor devices that are produced by sealing optical semi-conductor elements with this epoxy resin composition.
SOLUTION: The objective epoxy resin composition for sealing optical semiconductor elements comprises an epoxy resin, a curing agent and a glass powder wherein the difference between the Abbe's numbers of the cured resin of the components other than the glass powder and that of the glass powder are adjusted to ≤5.0.
COPYRIGHT: (C)2001,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体素子を封止するために用いられる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、および、その光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物によって光半導体素子が封止された光半導体装置に関する。 The present invention relates to an optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition used for encapsulating optical semiconductor element, and an optical semiconductor element by the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition There an optical semiconductor device encapsulated.

【0002】 [0002]

【従来の技術】LED(発光ダイオード)等の光半導体素子を封止するために用いられる光半導体素子封止用樹脂組成物としては、その硬化体の透明性が要求されることから、一般に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂と、酸無水物等の硬化剤とを用いて得られるエポキシ樹脂組成物が汎用されている。 2. Description of the Related Art As LED (light emitting diode) for optical semiconductor element encapsulation resin composition used for encapsulating optical semiconductor elements such as, since the transparency of the cured product is required, in general, and epoxy resins such as bisphenol a type epoxy resin, epoxy resin composition obtained by using a curing agent such as an acid anhydride is generally used.

【0003】しかし、このようなエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止すると、エポキシ樹脂と光半導体素子との線膨張係数の差に起因する歪みにより内部応力が発生する。 However, when sealing the optical semiconductor element using such an epoxy resin composition, internal stress is generated by distortion due to a difference in linear expansion coefficient between the epoxy resin and the optical semiconductor element. その結果、光半導体素子が劣化し、例えば、光半導体素子がLEDの場合には、その輝度が低下したり、あるいは、LEDに接続されている配線が断線するという問題を生じる。 As a result, the optical semiconductor device is degraded, for example, when the optical semiconductor element is a LED is lowered its brightness, or wire connected to the LED results in a problem that disconnection.

【0004】そのため、従来より、このような内部応力を低減させる方法として、シリカ粉末、ガラス粉末等の線膨張係数の小さい無機粉末を、エポキシ樹脂組成物に配合して、エポキシ樹脂組成物の線膨張係数を小さくして、光半導体素子のそれに近似させる方法が提案されている。 [0004] Therefore, conventionally, as a method to reduce such internal stresses, silica powder, a small inorganic powder linear expansion coefficient of the glass powder and the like, by blending the epoxy resin composition, a line of epoxy resin composition the expansion coefficient was small, a method to approximate to that of the optical semiconductor device has been proposed.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の方法では、エポキシ樹脂組成物の光透過率が著しく低下するという、光半導体素子封止用樹脂組成物としては致命的な欠点を有している。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the above method, that the light transmittance of the epoxy resin composition is remarkably reduced, has a fatal drawback as an optical semiconductor element encapsulation resin composition . これに対し、上記の欠点を解決するために、樹脂成分と無機粉末との屈折率の差を小さくする方法が提案されている。 In contrast, in order to solve the above drawbacks, a method to reduce the difference in refractive index between the resin component and the inorganic powder have been proposed.

【0006】しかし、一般に、物質の屈折率は、光の波長により変化するので、ある特定の波長において、樹脂成分と無機粉末との屈折率を小さくしただけでは、全波長において、良好な光透過率が得られるとは限らない。 However, in general, the refractive index of the material, since the change in the wavelength of light in a specific wavelength, only has a small refractive index between the resin component and the inorganic powder, at all wavelengths, good light transmission not necessarily the rate can be obtained.
すなわち、仮に、ある特定の波長において、樹脂成分と無機粉末との屈折率の差が、実質的に0であったとしても、それと異なる波長では、屈折率に差が生じるようになる。 That is, if, in certain wavelengths, the difference in refractive index between the resin component and the inorganic powder, even though substantially 0, in which the different wavelengths, so that a difference in refractive index occurs. このような波長による光透過率の変動は、光半導体装置の機能を低下させる原因となる。 Variation of light transmittance due to such wavelength, causes a decrease in function of the optical semiconductor device.

【0007】本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、その目的とするところは、内部応力が小さく、 [0007] The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a small internal stress,
しかも、全波長において良好な光透過率を得ることのできる、光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、および、その光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物によって光半導体素子が封止された光半導体装置を提供することにある。 Moreover, capable of obtaining a good light transmittance in the entire wavelength, the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition, and the light optical semiconductor element is sealed by the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition to provide a semiconductor device.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため、本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤およびガラス粉末を含有し、 Means for Solving the Problems] To achieve the above object, an optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention, epoxy resin, curing agent and containing a glass powder,
上記光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の上記ガラス粉末以外の成分を硬化して得られる硬化体のアッべ数と、上記ガラス粉末のアッべ数との差が、5.0以下であることを特徴としている。 And Abbe number of the cured product obtained by curing the components other than the glass powder of the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition, the difference between the Abbe number of the glass powder, is 5.0 or less it is characterized in that.

【0009】また、本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤およびガラス粉末を含有し、上記光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の上記ガラス粉末以外の成分を硬化して得られる硬化体のアッべ数と、上記ガラス粉末のアッべ数との差が、5.0以下であり、かつ、上記光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の上記ガラス粉末以外の成分を硬化して得られる硬化体の屈折率と、上記ガラス粉末の屈折率との関係が、下記式(1)で表わされる、光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を含むものである。 Further, the present invention is an epoxy resin, curing agent and containing a glass powder, Abbe of the cured product obtained by curing the components other than the glass powder of the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition the number and the difference between the Abbe number of the glass powder is 5.0 or less, and the cured product obtained by curing the components other than the glass powder of the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition the refractive index of the relationship between the refractive index of the glass powder is represented by the following formula (1), it is intended to include optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition.

【0010】 −0.005≦n 2 −n 1 ≦0.005 ・・・(1) n 1 :上記ガラス粉末以外の成分を硬化して得られる硬化体の波長589.3nmにおける屈折率 n 2 :上記ガラス粉末の波長589.3nmにおける屈折率 また、この光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物において、上記ガラス粉末は、球状ガラス粉末であることが好ましい。 [0010] -0.005 ≦ n 2 -n 1 ≦ 0.005 ··· (1) n 1: refractive index at the wavelength 589.3nm of the cured product obtained by curing the components other than the glass powder n 2 refractive index at a wavelength of 589.3nm of the glass powder addition, in the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition, the glass powder is preferably spherical glass powder.

【0011】さらに、本発明は、この光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、光半導体素子を封止することによって得られる光半導体装置をも含むものである。 Furthermore, the present invention uses the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition, an optical semiconductor element but also includes an optical semiconductor device obtained by sealing.

【0012】 [0012]

【発明の実施の形態】本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤およびガラス粉末を含有している。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention contains the epoxy resin, curing agent and glass powder.

【0013】上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、ヒダントインエポキシ樹脂等の含窒素環エポキシ樹脂、水添加ビスフェノールA型エポキシ樹脂、 [0013] Examples of the epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resins, phenol novolak type epoxy resin and cresol novolak type novolak epoxy resin having an epoxy resin, alicyclic epoxy resins, triglycidyl isocyanurate isocyanurate, nitrogen-containing cyclic epoxy resins such as hydantoin epoxy resin, hydrogenated bisphenol a type epoxy resin,
脂肪族系エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、低吸水率硬化体タイプの主流であるビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。 Aliphatic epoxy resins, glycidyl ether type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, low water absorption cured product type mainstream is biphenyl type epoxy resin, dicyclo ring type epoxy resin, naphthalene type epoxy resins and the like. これらは単独で使用してもよく、あるいは、併用してもよい。 These may be used alone, or may be used in combination. これらエポキシ樹脂の中では、透明性および耐変色性に優れる、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートを用いることが好ましい。 Among these epoxy resins, excellent transparency and discoloration resistance, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, novolak type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, the use of triglycidyl isocyanurate preferred.

【0014】上記エポキシ樹脂は、常温で固形でも液状でもよいが、一般に、使用するエポキシ樹脂の平均エポキシ当量が、90〜1000のものが好ましく、また、 [0014] The epoxy resin may be solid or liquid at normal temperature, generally, the average epoxy equivalent of the epoxy resin to be used is preferably a 90 to 1000, also
固形の場合には、軟化点が、160℃以下のものが好ましい。 In the case of the solid, the softening point, preferably from 160 ° C. or less. エポキシ当量が90より小さい場合には、光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の硬化体が脆くなる場合がある。 If the epoxy equivalent is less than 90 may cured product of the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition becomes brittle. また、エポキシ当量が1000を超える場合には、その硬化体のガラス転移温度(Tg)が低くなる場合がある。 Further, if the epoxy equivalent exceeds 1000, there is a case where the glass transition temperature (Tg) of the cured product becomes low.

【0015】上記硬化剤としては、例えば、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤が挙げられる。 [0015] As the curing agent, for example, an acid anhydride curing agent, a phenolic curing agent. 酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、 The acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyl nadic anhydride, nadic acid, glutaric anhydride acid,
メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。 Methylhexahydrophthalic anhydride, and the like methyl tetrahydrophthalic anhydride. これらは単独で使用してもよく、あるいは、併用してもよい。 These may be used alone, or may be used in combination. これら酸無水物系硬化剤の中では、無水フタル酸、へキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸を用いることが好ましい。 Among these acid anhydride curing agent, phthalic anhydride, to Kisahidoro phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, it is preferable to use a methylhexahydrophthalic anhydride. 酸無水物系硬化剤は、その分子量が、140〜200程度のものが好ましく、また、無色ないし淡黄色の酸無水物が好ましい。 Acid anhydride curing agent has a molecular weight, preferably of about 140 to 200, also anhydride colorless or pale yellow is preferred.

【0016】また、フェノール系硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂系硬化剤などが挙げられる。 [0016] As the phenolic curing agent include, for example, phenol novolak resin curing agent.

【0017】エポキシ樹脂と、硬化剤との配合割合は、 [0017] an epoxy resin, mixing ratio of the curing agent,
エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、硬化剤におけるエポキシ基と反応可能な活性基(酸無水基または水酸基)が0.5〜1.5当量、さらには、0.7〜 The epoxy group 1 equivalent of the epoxy resin, capable of reacting active group and an epoxy group in the curing agent (acid anhydride group or a hydroxyl group) is 0.5 to 1.5 equivalents, and more, 0.7
1.2当量となるような割合であることが好ましい。 It is preferably a proportion of about 1.2 equivalents. 活性基が0.5当量未満の場合には、光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、その硬化体のガラス転移温度が低くなる場合があり、一方、1.5当量を超える場合には、耐湿性が低下する場合がある。 If the active group is less than 0.5 equivalent, with cure speed of the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition becomes slow, there is a case where the glass transition temperature of the cured product is lowered, whereas, 1.5 when it exceeds equivalents may moisture resistance is lowered.

【0018】また、上記硬化剤としては、その目的および用途によっては、酸無水物系硬化剤およびフェノール系硬化剤以外に、従来から公知のエポキシ樹脂の硬化剤、例えば、アミン系硬化剤、上記酸無水物系硬化剤をアルコールで部分エステル化したもの、または、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボン酸の硬化剤を、単独、もしくは、酸無水物系硬化剤およびフェノール系硬化剤と併用して用いてもよい。 [0018] The curing agent, depending on the purposes and applications, in addition to the acid anhydride curing agent and a phenolic curing agent, curing agent conventionally known epoxy resins, for example, amine curing agents, the the acid anhydride curing agent that partially esterified with an alcohol, or, hexahydrophthalic acid, tetrahydrophthalic acid, a curing agent of a carboxylic acid such as methyl hexahydrophthalic acid, either alone or, acid anhydride curing agent and it may be used in combination with phenolic curing agent. 例えば、カルボン酸の硬化剤を併用した場合には、硬化速度を速めることができ、生産性を向上させることができる。 For example, when used in combination with curing agent of a carboxylic acid may accelerate the curing rate, it is possible to improve the productivity. なお、これらの硬化剤を用いる場合においても、その配合割合は、酸無水物系硬化剤およびフェノール系硬化剤を用いた場合の配合割合(当量比)に準じればよい。 Also in the case of using these curing agents, the blending ratio may be Junjire the proportion in the case of using an acid anhydride curing agent and a phenolic curing agent (equivalent ratio).

【0019】また、本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物には、後で詳述するガラス粉末以外に、必要に応じて、従来から用いられている、例えば、硬化促進剤、劣化防止剤、変性剤、シランカップリング剤、脱泡剤、レべリング剤、離型剤、染料、顔料などの、公知の各種の添加剤を適宜配合してもよい。 Further, the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention, in addition to the glass powder which will be described later, if necessary, conventionally used, for example, curing accelerators, deterioration agents, denaturing agents, silane coupling agents, defoamers, leveling agents, release agents, dyes, such as a pigment may be appropriately added known various additives.

【0020】上記硬化促進剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリエチレンジアミン、トリ−2,4,6−ジメチルアミノメチルフェノール等の3級アミン類、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート等のリン化合物、4級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体等が挙げられる。 [0020] The curing accelerator is not particularly limited, for example, 1,8-diaza - bicyclo (5,4,0) undecene-7, triethylenediamine, tri-2,4,6-dimethyl tertiary amines such as aminomethyl phenol, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-imidazoles such as methylimidazole, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetra -n- butyl phosphonium -o, o- phosphorus compounds such as diethyl phosphorodithioate, quaternary ammonium salts, organometallic salts, and derivatives thereof. これらは単独で使用してもよく、あるいは、併用してもよい。 These may be used alone, or may be used in combination. これら硬化促進剤の中では、3級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。 Among these curing accelerators, tertiary amines, imidazoles, it is preferable to use a phosphorus compound. その中でも、着色度が少なく、 Among them, the degree of coloration is small,
透明で強靭な硬化体を得るためには、リン化合物を用いることが特に好ましい。 To obtain a transparent and tough cured product, it is particularly preferable to use a phosphorus compound.

【0021】上記硬化促進剤の含有率は、上記エポキシ樹脂に対して、0.01〜8.0重量%であることが好ましく、より好ましくは、0.1〜3.0重量%である。 The content of the curing accelerator for the epoxy resin is preferably from 0.01 to 8.0 wt%, more preferably 0.1 to 3.0 wt%. 硬化促進剤の含有率が、0.01重量%未満では、 The content of the curing accelerator is less than 0.01 wt%,
充分な硬化促進効果を得られない場合があり、また、 May not obtain a sufficient curing accelerating effect, also,
8.0重量%を超えると、得られる硬化体に変色が見られる場合がある。 When it exceeds 8.0% by weight, the discoloration is observed in the obtained cured product.

【0022】上記劣化防止剤としては、例えば、フェノール系化合物、アミン系化合物、有機硫黄系化合物、ホスフィン系化合物などの、従来から公知の劣化防止剤が挙げられる。 [0022] As the deterioration preventing agent, for example, phenol compounds, amine compounds, organic sulfur compounds, such as phosphine compounds, known anti-degradation agents conventionally. 上記変性剤としては、例えば、グリコール類、シリコーン類、アルコール類などの、従来から公知の変性剤が挙げられる。 Examples of the modifier include glycols, silicones, such as alcohols, known modified agents conventionally. 上記シランカップリング剤としては、例えば、シラン系、チタネート系などの、従来から公知のシランカップリング剤が挙げられる。 As the silane coupling agent, for example, silane-based, such as titanate, known silane coupling agents conventionally. 上記脱泡剤としては、例えば、シリコーン系などの、従来から公知の脱泡剤が挙げられる。 As the defoaming agent, for example, such as silicone, known defoaming agents conventionally.

【0023】そして、本発明では、後で詳述するガラス粉末以外のこれらの成分(以下、樹脂成分という。)、 [0023] In the present invention, later these components other than the glass powder which will be described (hereinafter, referred to as the resin component.)
すなわち、エポキシ樹脂、硬化剤、および、必要により配合される添加剤を硬化して得られる硬化体のアッべ数が、例えば、20〜65、好ましくは、25〜60であり、また、ナトリウムD線における屈折率(n D )が、 That is, epoxy resin, curing agent, and, the Abbe number of the cured product obtained by curing the additives to be blended as required, for example, 20 to 65, preferably a 25 to 60, Sodium D refractive index at line (n D) is,
1.40〜1.65、さらには、1.45〜1.60であることが好ましい。 From 1.40 to 1.65, more preferably a 1.45 to 1.60.

【0024】このようなアッべ数および屈折率を得るための、エポキシ樹脂および硬化剤の好ましい組み合わせとしては、例えば、エポキシ樹脂がビスフェノールA型エポキシ樹脂およびトリグリシジルイソシアヌレートで、硬化剤が酸無水物系硬化剤である組み合わせや、エポキシ樹脂がビスフェノールA型エポキシ樹脂およびノボラック型エポキシ樹脂で、硬化剤がフェノール系硬化剤である組み合わせが挙げられる。 [0024] in order to obtain such Abbe number and refractive index, as the preferred combination of the epoxy resin and curing agent, for example, epoxy resin is bisphenol A type epoxy resins and triglycidyl isocyanurate, a curing agent is an acid anhydride combinations and as an object-based curing agent, the epoxy resin is bisphenol a type epoxy resins and novolac type epoxy resins, curing agents a combination of a phenolic curing agent.

【0025】上記ガラス粉末としては、SiO 2 、もしくは、SiO 2およびB 23を主成分とするものが挙げられ、ガラス粉末のアッベ数を調整するために、亜鉛、チタン、セリウム、ビスマス、鉛、セレンから選ばれる1種または2種以上の成分が適宜配合されていることが好ましい。 [0025] As the glass powder, SiO 2, or, as a main component SiO 2 and B 2 O 3 and the like, in order to adjust the Abbe number of the glass powder, zinc, titanium, cerium, bismuth, lead, it is preferable that one or more components selected from selenium are appropriately blended. 特に、樹脂成分を硬化して得られる硬化体のアッべ数に、ガラス粉末のアッベ数を近づけるためには、亜鉛、チタンが配合されていることが好ましい。 In particular, the Abbe number of the cured product obtained by curing the resin component, in order to approximate the Abbe number of the glass powder, zinc, it is preferable that titanium is blended.
亜鉛が配合される場合には、通常、ZnOとして配合され、その含有率が、ガラス粉末に対して、1〜10重量%とされていることが好ましい。 If the zinc is incorporated is typically formulated as ZnO, the content, the glass powder, it may preferably be 1 to 10 wt%. また、チタンが配合される場合には、通常、TiO 2として配合され、その含有率が、ガラス粉末に対して、1〜10重量%とされていることが好ましい。 Further, when the titanium is blended is usually formulated as TiO 2, its content, the glass powder, may preferably be 1 to 10 wt%.

【0026】また、ガラス粉末の屈折率を調整するためには、必要に応じて、Na 2 O、Al 23 、CaO、 Further, in order to adjust the refractive index of the glass powder, optionally, Na 2 O, Al 2 O 3, CaO,
BaO等が適宜配合されていることが好ましい。 It is preferred that BaO or the like is appropriately added.

【0027】そして、このガラス粉末は、例えば、上記した各原料成分を溶融し、急冷して得たガラスフリットを、ボールミルなどを用いて粉砕することによって、得ることができる。 [0027] Then, this glass powder, for example, by melting the respective ingredients described above, the glass frit obtained by rapid cooling, by milling by using a ball mill, it can be obtained. 得られた粉砕状ガラス粉末は、そのまま用いてもよいが、例えば、その表面をフレーム処理して球状化した球状ガラス粉末を用いることが好ましい。 Milling shaped glass powder obtained, may be used as it is, for example, it is preferable to use spherical glass powder spheroidization its surface and framing.
球状ガラス粉末は、表面の泡やクラック等がないので、 Spherical glass powder, because there is no bubbles or cracks in the surface,
樹脂成分とガラス粉末の界面での光散乱が少なく、得られた硬化体の光透過率を向上させることができる。 Less light scattering at the interface of the resin component and the glass powder, it is possible to improve the light transmittance of the obtained cured body. また、このガラス粉末は、得られたガラス粉末を、例えば、篩などによって所定の粒子径のものとして得ることが好ましく、ガラス粉末の粒子径としては、ガラス粉末混入時の樹脂成分の粘度や成形時のゲートづまりなどの成形性を考慮すると、平均粒子径が5〜100μmであることが好ましい。 Further, the glass powder, the glass powder obtained, for example, is preferably such as by sieving obtained as that of the given particle size, as the particle size of the glass powder, and the viscosity of the resin components during mixing glass powder molding considering the moldability such as the gate jams time, it is preferable that the average particle size of 5 to 100 [mu] m. また、ガラス粉末の含有率は、線膨張係数の低減と透明性および成形性を考慮すると、光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物全量に対して、10 The content of the glass powder, considering the reduction and transparency and moldability of the linear expansion coefficient, the epoxy resin composition the total amount for an optical semiconductor element encapsulation, 10
〜90重量%であることが好ましい。 It is preferably 90% by weight.

【0028】そして、本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物では、上記した樹脂成分の硬化体のアッべ数と、上記ガラス粉末のアッべ数との差が、5.0以下、好ましくは、3.0以下とされている。 [0028] In the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention, the number Abbe of the cured product of the resin components described above, the difference between the Abbe number of the glass powder, 5.0 or less, preferably, there is a 3.0 or less.

【0029】なお、アッベ数とは、いわゆる逆分散能を指称するものであって、本発明において、アッベ数は、 [0029] Note that the Abbe's number, there is referred fingers so-called inverse dispersion ability, in the present invention, the Abbe number,
下記式(2)で表わされる。 Represented by the following formula (2).

【0030】 アッベ数=([589.3nmにおける屈折率]−1)/([450nmにお ける屈折率]−[650nmにおける屈折率]) ・・・(2) 上記した樹脂成分の硬化体のアッべ数と、上記ガラス粉末のアッべ数との差が、5.0を超えると、各波長における良好な光透過率を得ることができない。 The Abbe number = (Refractive index at 589.3 nm] -1) / ([Contact Keru refractive index to 450 nm] - [refractive index in 650nm]) ··· (2) of the cured product of the resin component and Abbe number, the difference between the Abbe number of the glass powder is more than 5.0, it is impossible to obtain good light transmittance at each wavelength. なお、樹脂成分の硬化体のアッべ数と、ガラス粉末のアッべ数とは、どちらの値が大きくても、または、どちらの値が小さくてもよい。 Note that the Abbe number of the cured product of the resin component, and the Abbe number of the glass powder, whichever value is larger, or, both values ​​may be smaller.

【0031】さらに、本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物では、上記した樹脂成分の硬化体の屈折率と、上記ガラス粉末の屈折率との関係が、下記式(1)を満足する関係にあることが好ましい。 Furthermore, in the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention, the refractive index of the cured resin components described above, the relationship between the refractive index of the glass powder, satisfies the following expression (1) it is preferred that the relationship to be.

【0032】 −0.005≦n 2 −n 1 ≦0.005 ・・・(1) n 1 :樹脂成分を硬化して得られる硬化体の波長58 [0032] -0.005 ≦ n 2 -n 1 ≦ 0.005 ··· (1) n 1: wavelength of the cured product obtained by curing the resin component 58
9.3nmにおける屈折率 n 2 :ガラス粉末の波長589.3nmにおける屈折率 上記した樹脂成分の硬化体の屈折率と、上記ガラス粉末の屈折率との関係が、上記式(1)を満足する関係にあれば、各波長における光透過率の向上を図ることができる。 Refractive index n 2 at 9.3 nm: and the refractive index of the cured resin component and a refractive index above at a wavelength of 589.3nm of glass powder, the relationship between the refractive index of the glass powder, satisfy the above formula (1) if the relationship, it is possible to improve the light transmittance at each wavelength.

【0033】なお、上記した樹脂成分の硬化体の屈折率と、上記ガラス粉末の屈折率との関係が、下記式(3) [0033] Note that the refractive index of the cured resin components described above, the relationship between the refractive index of the glass powder, the following formula (3)
を満足する関係にあることが、さらに好ましい。 It is further preferable that the relation satisfies.

【0034】 −0.003≦n 2 −n 1 ≦0.003 ・・・(3) n 1およびn 2は、上記式(1)と同じ。 [0034] -0.003 ≦ n 2 -n 1 ≦ 0.003 ··· (3) n 1 and n 2, the formula (1) and the same.

【0035】このように、上記した樹脂成分の硬化体と、上記ガラス粉末との、アッベ数および屈折率を、上記したような関係とするには、例えば、樹脂成分の硬化体のアッベ数および屈折率を調整する方法(例えば、エポキシ樹脂の種類の選択、エポキシ樹脂の2種類以上の併用、硬化剤の種類の選択、硬化剤の2種類以上の併用等)、ガラス粉末のアッベ数および屈折率を調整する方法(例えば、原料組成の選択、配合割合の調整等)、および、これら2つの方法を併用する方法が挙げられる。 [0035] Thus, the cured product of the resin components described above, with the glass powder, the Abbe number and refractive index, to a relationship as described above, for example, an Abbe number of the cured product of the resin component and method of adjusting the refractive index (e.g., selection of the type of epoxy resin, two or more combination of epoxy resins, the selection of the type of curing agent, two or more combinations of a curing agent), Abbe number and refractive glass powder how to adjust the rate (e.g., selection of the raw material composition, adjustment of the mixing ratio), and a method of combining these two methods.
通常は、ガラス粉末のアッベ数および屈折率を、ある程度、樹脂成分の硬化体のそれに近づけてから、さらに樹脂成分の硬化体のアッベ数および屈折率を調整することにより、樹脂成分の硬化体とガラス粉末との、アッべ数および屈折率の差をさらに小さく調整する。 Typically, the Abbe number and the refractive index of the glass powder, to some extent, from close to that of the cured product of the resin component, by further adjusting the Abbe number and the refractive index of the cured resin component, a curing body of the resin component the glass powder further decreased to adjust the difference in the Abbe number and refractive index.

【0036】より具体的には、例えば、上記した樹脂成分において、エポキシ樹脂および硬化剤の好ましい組み合わせとして例示した、エポキシ樹脂がビスフェノールA型エポキシ樹脂およびトリグリシジルイソシアヌレートで、硬化剤が酸無水物系硬化剤である組み合わせの場合においては、ガラス粉末の組成を、SiO 2 −B 2 More specifically [0036], for example, the resin components described above, exemplified as preferred combinations of epoxy resins and curing agents, epoxy resin with bisphenol A type epoxy resins and triglycidyl isocyanurate, a curing agent is an acid anhydride in the case of combination is a system curing agent, the composition of the glass powder, SiO 2 -B 2 O
3 −ZnO−Al 23 −CaOとして、その組成において、各成分が、SiO 2が45〜55重量%、B 2 As 3 -ZnO-Al 2 O 3 -CaO , in its composition, each component, SiO 2 is 45 to 55 wt%, B 2 O
3が10〜25重量%、ZnOが1〜6重量%、Al 2 3 is 10 to 25 wt%, ZnO is 1-6 wt%, Al 2
3が10〜18重量%、CaOが7〜20重量%の割合で、それぞれ配合されるように調整することが好ましい。 O 3 is 10 to 18 wt%, CaO is in an amount of 7-20 wt%, it is preferable to adjust so as to be respectively compounded.

【0037】また、エポキシ樹脂がビスフェノールA型エポキシ樹脂およびノボラック型エポキシ樹脂で、硬化剤がフェノール系硬化剤である組み合わせの場合には、 Further, in the epoxy resin is a bisphenol A type epoxy resins and novolac type epoxy resin, in the case of combined curing agent is a phenolic curing agent,
ガラス粉末の組成を、SiO 2 −B 23 −TiO 2 The composition of the glass powder, SiO 2 -B 2 O 3 -TiO 2 -
Al 23 −CaO−BaO、もしくは、SiO 2 −T Al 2 O 3 -CaO-BaO, or, SiO 2 -T
iO 2 −Al 23 −CaO−BaOとして、その組成において、各成分が、SiO 2が40〜55重量%、B iO as 2 -Al 2 O 3 -CaO-BaO , in its composition, each component, SiO 2 is 40 to 55 wt%, B
23が0〜2重量%、TiO 2が1〜7重量%、Al 2 O 3 is 0-2 wt%, TiO 2 is 1-7 wt%, Al
23が12〜17重量%、CaOが25〜35重量%、BaOが5〜10重量%の割合で、それぞれ配合されるように調整することが好ましい。 2 O 3 is 12 to 17% by weight, CaO 25 to 35 wt%, at a ratio of BaO is 5 to 10 wt%, it is preferable to adjust so that each is blended.

【0038】そして、本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、次のようにして製造することによって、液状、粉末状、もしくは、その粉末を打錠したタブレット状として得ることができる。 [0038] The optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention, for example, by prepared as follows, liquid, powder, or, to obtain the powder as tableting was tableted can. すなわち、 That is,
液状の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を得るには、例えば、上記した各成分、すなわち、エポキシ樹脂、硬化剤、ガラス粉末、および、必要により配合される添加剤を、適宜配合すればよい。 To obtain an optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the liquid, for example, the above-described components, i.e., an epoxy resin, a curing agent, glass powder, and an additive to be blended if necessary, be appropriately blended good. また、粉末状、もしくは、その粉末を打錠したタブレット状として得るには、例えば、上記した各成分を適宜配合し、予備混合した後、混練機を用いて混練して溶融混合し、次いで、これを室温まで冷却した後、公知の手段によって、粉砕し、必要に応じて打錠すればよい。 Furthermore, powder, or, to obtain the powder as tableting and tablet-like, for example, appropriately blending the above-described components, were preliminarily mixed, melt-mixed and kneaded with a kneader, then after cooling to room temperature, by means known, milled, it may be tableted as needed.

【0039】このようにして得られた本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物は、LED、CCDなどの光半導体素子の封止用として用いられる。 The optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention obtained in this way, LED, is used for the sealing of an optical semiconductor element such as a CCD. すなわち、 That is,
本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、光半導体素子を封止するには、特に制限されることはなく、通常のトランスファー成形や注型などの公知のモールド方法により行なうことができる。 By using the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention, an optical semiconductor element sealed it is not limited in particular, carried out by a known molding method such as conventional transfer molding and casting be able to. なお、本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物が液状である場合には、少なくともエポキシ樹脂と硬化剤とそれぞれ別々に保管しておき、使用する直前に混合する、いわゆる2液タイプとして用いればよい。 Note that when the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention is a liquid, store them separately at least epoxy resin and curing agent, respectively, are mixed immediately prior to use, as a so-called two-liquid type it may be used. また、本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物が粉末状、もしくは、タブレット状である場合には、上記した各成分を溶融混合する時に、B−ステージとしておき、これを使用時に加熱溶融すればよい。 Further, the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention is powder or, in the case of a tablet form, when melt-mixing the components cited above, leave a B- stage, heated at use it is sufficient to melt.

【0040】そして、本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物によって、光半導体素子を封止すれば、 [0040] Then, the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention, when sealing the optical semiconductor element,
内部応力が小さく、光半導体素子の劣化を有効に防止することができるとともに、全波長において良好な光透過率を得ることができる。 Internal stress is small, with the degradation of the optical semiconductor element can be effectively prevented, it is possible to obtain an excellent light transmittance at all wavelengths. そのため、本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物によって光半導体素子が封止された、本発明の光半導体装置は、信頼性および透明性に優れ、各波長における光透過率の変動が少なく、その機能を充分に発揮することができる。 Therefore, the optical semiconductor element is sealed by the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention, the optical semiconductor device of the present invention is excellent in reliability and transparency, the variation of the light transmittance at each wavelength less, it is possible to sufficiently perform its function.

【0041】 [0041]

【実施例】表1に示す各成分を、表1に示す割合(重量部)において配合することにより、実施例1〜8および比較例1〜4の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を調製した。 EXAMPLES The components shown in Table 1, by blending in a ratio shown in Table 1 (parts by weight), an optical semiconductor element encapsulation epoxy resin compositions of Examples 1-8 and Comparative Examples 1-4 It was prepared.

【0042】 [0042]

【表1】 [Table 1]

【0043】なお、表1中の表記は、以下の通りである。 [0043] It should be noted that the notation in Table 1 are as follows.

【0044】ビスフェノールA型エポキシ樹脂A:エポキシ当量475 ビスフェノールA型エポキシ樹脂B:エポキシ当量65 [0044] Bisphenol A type epoxy resin A: an epoxy equivalent of 475 bisphenol A type epoxy resin B: epoxy equivalent 65
0 ノボラック型エポキシ樹脂:エポキシ当量195 酸無水物系硬化剤:4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物 フェノールノボラック樹脂系硬化剤:水酸基当量105 ガラス粉末A:SiO 2 −B 23 −ZnO−Al 2 0 novolak epoxy resin: epoxy equivalent 195 acid anhydride curing agent: a mixture of 4-methylhexahydrophthalic anhydride and hexahydrophthalic anhydride phenol novolak resin curing agent: hydroxyl group equivalent 105 glass powder A: SiO 2 -B 2 O 3 -ZnO-Al 2 O
3 −CaOの組成を有し、フレーム処理により得られた球状ガラス粉末 (SiO 2 50.0重量%、B 23 10.0重量%、 3 has a composition of -CaO, spherical glass powder obtained by the frame processing (SiO 2 50.0 wt%, B 2 O 3 10.0 wt%,
ZnO1.0重量%、Al 23 10.0重量%、Ca ZnO1.0 wt%, Al 2 O 3 10.0 wt%, Ca
O19.0重量%) ガラス粉末B:SiO 2 −B 23 −Al 23 −Ca O19.0 wt%) Glass powder B: SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -Ca
Oの組成を有しフレーム処理により得られた球状ガラス粉末 (SiO 2 52.0重量%、B 23 13.0重量%、 O spherical glass powder obtained by the frame processing has the composition (SiO 2 52.0 wt%, B 2 O 3 13.0 wt%,
Al 23 17.0重量%、CaO18.0重量%) ガラス粉末C:SiO 2 −B 23 −Al 23 −Ca Al 2 O 3 17.0 wt%, CaO18.0 wt%) Glass powder C: SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -Ca
Oの組成を有しフレーム処理により得られた球状ガラス粉末 (SiO 2 54.0重量%、B 23 20.0重量%、 O spherical glass powder obtained by the frame processing has the composition (SiO 2 54.0 wt%, B 2 O 3 20.0 wt%,
Al 23 13.0重量%、CaO13.0重量%) ガラス粉末D:SiO 2 −B 23 −ZnO−Al 2 Al 2 O 3 13.0 wt%, CaO13.0 wt%) Glass powder D: SiO 2 -B 2 O 3 -ZnO-Al 2 O
3 −CaOの組成を有しフレーム処理されていない粉砕状ガラス粉末 (SiO 2 50.0重量%、B 23 10.0重量%、 3 Milling shaped glass powder which has not been framing has the composition -CaO (SiO 2 50.0 wt%, B 2 O 3 10.0 wt%,
ZnO1.0重量%、Al 23 10.0重量%、Ca ZnO1.0 wt%, Al 2 O 3 10.0 wt%, Ca
O19.0重量%) ガラス粉末E:SiO 2 −TiO 2 −Al 23 −Ca O19.0 wt%) Glass powder E: SiO 2 -TiO 2 -Al 2 O 3 -Ca
O−BaOの組成を有しフレーム処理されていない粉砕状ガラス粉末 (SiO 2 43.0重量%、TiO 2 7.0重量%、A Having a composition of O-BaO not framing crushed like glass powder (SiO 2 43.0 wt%, TiO 2 7.0 wt%, A
23 15.0重量%、CaO30重量%、BaO5 l 2 O 3 15.0 wt%, CaO30 wt%, BaO5
重量%) 次いで、実施例1〜8および比較例1〜4で得られた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、LED Wt%) Next, using the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin compositions obtained in Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 4, LED
をトランスファー成形(150℃×3分)により封止し、さらに、150℃で3時間硬化させることにより、 Sealed by transfer molding (0.99 ° C. × 3 minutes), further, by curing for 3 hours at 0.99 ° C.,
光半導体装置を作製した。 To prepare an optical semiconductor device. そして、1サイクルが、−2 Then, one cycle, -2
5℃×30分/125℃×30分という、熱サイクル条件で、200サイクル後におけるワイヤーオープン率(不良率%)を調べた。 That 5 ° C. × 30 minutes / 125 ° C. × 30 minutes, a thermal cycling conditions, was examined wire open rate after 200 cycles (defect rate%). なお、各光半導体装置のサンプル数(n数)は、24個とした。 Incidentally, the number of samples of each of the optical semiconductor device (n number) was set to 24.

【0045】また、表1における実施例1〜8および比較例1〜4の各成分について、ガラス粉末を除いて配合することにより、エポキシ樹脂組成物を調製し、トランスファー成形(150℃×3分)後、さらに、150℃ Further, the respective components of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 4 in Table 1, by blending with the exception of the glass powder, the epoxy resin compositions were prepared, transfer molding (0.99 ° C. × 3 min ) after, further, 150 ℃
で3時間硬化させることにより、ガラス粉末以外の成分を硬化して得られる硬化体を作製した。 In by curing for 3 hours to prepare a cured product obtained by curing the components other than the glass powder.

【0046】そして、各光半導体装置および各硬化体のアッべ数、屈折率、光透過率および線膨張係数を測定した。 [0046] Then, Abbe number of the optical semiconductor device and each cured product, the refractive index was measured light transmittance and coefficient of linear expansion.

【0047】アッベ数:アタゴ(株)製、アッベ屈折率計T2を使用して、波長450nm、589.3nm、 [0047] Abbe number: Atago Co., Ltd., using the Abbe refractometer T2, wavelength 450nm, 589.3nm,
650nmの屈折率を測定し、上記式(2)から算出した。 Measuring the refractive index of the 650 nm, calculated from the equation (2).

【0048】屈折率:アタゴ(株)製、アッベ屈折率計T2を使用して、波長589.3nmの屈折率を測定した。 [0048] refractive index: Atago Co., Ltd., using the Abbe refractometer T2, to measure the refractive index of the wavelength 589.3nm.

【0049】光透過率:島津製作所製、分光光度計UV [0049] The light transmittance: manufactured by Shimadzu Corporation, a spectrophotometer UV
3101を使用して、試料厚み1mmで、波長450n 3101 using, in sample thickness 1 mm, wavelength 450n
m、589.3nm、650nmの光透過率を測定した。 m, 589.3 nm, the light transmittance of 650nm was measured.

【0050】線膨張係数:熱分析装置(TMA)により、2℃/分の昇温速度で、ガラス転移点より低い温度での線膨張係数(α 1 )を測定した。 The linear expansion coefficient: By a thermal analyzer (TMA), at a heating rate of 2 ° C. / min, to measure the linear expansion coefficient at a temperature lower than the glass transition point (alpha 1).

【0051】これらの結果を表2にまとめて示す。 [0051] These results are summarized in Table 2.

【0052】 [0052]

【表2】 [Table 2]

【0053】表2から明らかなように、実施例1〜8 [0053] As is clear from Table 2, Examples 1 to 8
は、アッべ数の差が5.0より小さいので、アッベ数の差が5.0より大きい比較例1〜4に比較して、波長による光透過率の変動が小さいことがわかる。 Is the difference in Abbe number is smaller than 5.0, the difference in the Abbe number is compared to more than 5.0 Comparative Example 1-4, it is found that variation of the light transmittance due to wavelength is small.

【0054】また、実施例5と実施例7とは、アッベ数の差がほぼ同じであるが、屈折率の差(式(1)のn 2 [0054] Further, the Example 5 and Example 7, although the difference in the Abbe number is almost the same, n 2 of the difference in refractive index (formula (1)
−n 1 )が−0.005以上0.005以下の範囲にある実施例5は、屈折率の差(式(1)のn 2 −n 1 )が−0.005より小さい実施例7に比べて、光透過率がどの波長においても高いことがわかる。 -N 1) is in the range of 0.005 or less than -0.005 Example 5, the n 2 -n 1) is -0.005 less Example 7 of the difference in refractive index (formula (1) compared to the light transmittance it is understood to be higher at any wavelength.

【0055】また、実施例3と実施例6とは、アッベ数の差がほぼ同じであるが、球状ガラス粉末が配合される実施例3は、破砕状ガラス粉末が配合される実施例6に比べて、光透過率が向上していることがわかる。 [0055] Further, the Examples 3 and 6, although the difference in the Abbe number is approximately the same, in Example 3 the spherical glass powder is blended is in Example 6 of crushed glass powder is blended compared to, it can be seen that the light transmittance is improved.

【0056】また、ガラス粉末を配合することにより、 [0056] Further, by blending glass powder,
線膨張係数が小さくなり、内部応力が低減されるので、 Coefficient of linear expansion is small, because the internal stress is reduced,
ガラス粉末が配合される実施例1〜8は、ガラス粉末が配合されていない比較例1よりも、オープン不良率が小さいことがわかる。 EXAMPLE glass powder is blended 1-8 than Comparative Example 1 in which the glass powder is not blended, it can be seen that the open failure rate is low.

【0057】 [0057]

【発明の効果】本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物によって、光半導体素子を封止すれば、内部応力が小さいため、光半導体素子の劣化を有効に防止することができるとともに、全波長において良好な光透過率を得ることができる。 The optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention, when sealing the optical semiconductor device, since the internal stress is small, it is possible to effectively prevent deterioration of the optical semiconductor element, it is possible to obtain an excellent light transmittance at all wavelengths.

【0058】そのため、本発明の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物によって光半導体素子が封止されている、本発明の光半導体装置は、信頼性および透明性に優れ、各波長における光透過率の変動が少なく、その機能を充分に発揮することができる。 [0058] Therefore, the optical semiconductor element is sealed by the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition of the present invention, the optical semiconductor device of the present invention is excellent in reliability and transparency, the light transmittance at each wavelength less variation rate is, it is possible to sufficiently exhibit its function.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 33/00 Fターム(参考) 4J002 CC032 CD011 CD021 CD051 CD061 CD111 CD131 CD141 DL007 EL136 FD030 FD090 FD140 FD142 FD146 FD150 FD160 FD200 GJ02 GQ05 4M109 EA02 EB02 EB03 EB04 EB06 EB08 EB09 EB12 EB16 EC04 EC11 EC15 GA01 5F041 AA25 AA40 AA43 AA44 DA44 DA47 DA58 5F088 BA10 JA06 JA20 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) H01L 33/00 F-term (reference) 4J002 CC032 CD011 CD021 CD051 CD061 CD111 CD131 CD141 DL007 EL136 FD030 FD090 FD140 FD142 FD146 FD150 FD160 FD200 GJ02 GQ05 4M109 EA02 EB02 EB03 EB04 EB06 EB08 EB09 EB12 EB16 EC04 EC11 EC15 GA01 5F041 AA25 AA40 AA43 AA44 DA44 DA47 DA58 5F088 BA10 JA06 JA20

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 エポキシ樹脂、硬化剤およびガラス粉末を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物であって、 上記光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の上記ガラス粉末以外の成分を硬化して得られる硬化体のアッべ数と、上記ガラス粉末のアッべ数との差が、5.0以下であることを特徴とする、光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。 1. A epoxy resin, curing agent and an optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition containing a glass powder, curing components other than the glass powder of the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition and Abbe number of the cured product obtained by the difference between the Abbe number of the glass powder, characterized in that it is 5.0 or less, an optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition.
  2. 【請求項2】 エポキシ樹脂、硬化剤およびガラス粉末を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物であって、 上記光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の上記ガラス粉末以外の成分を硬化して得られる硬化体のアッべ数と、上記ガラス粉末のアッべ数との差が、5.0以下であり、 かつ、上記光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の上記ガラス粉末以外の成分を硬化して得られる硬化体の屈折率と、上記ガラス粉末の屈折率との関係が、下記式(1)で表わされることを特徴とする、光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。 2. A epoxy resin, curing agent and an optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition containing a glass powder, curing components other than the glass powder of the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition and Abbe number of the cured product obtained by the difference between the Abbe number of the glass powder is 5.0 or less, and, other than the glass powder of the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition and the refractive index of the cured product obtained by curing the component, the relationship between the refractive index of the glass powder, characterized in that it is represented by the following formula (1), an optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition. −0.005≦n 2 −n 1 ≦0.005 ・・・(1) n 1 :上記ガラス粉末以外の成分を硬化して得られる硬化体の波長589.3nmにおける屈折率 n 2 :上記ガラス粉末の波長589.3nmにおける屈折率 -0.005 ≦ n 2 -n 1 ≦ 0.005 ··· (1) n 1: refractive index at the wavelength 589.3nm of the cured product obtained by curing the components other than the glass powder n 2: The glass refractive index in the powder wavelength 589.3nm
  3. 【請求項3】 上記ガラス粉末が、球状ガラス粉末であることを特徴とする、請求項1または2に記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。 Wherein the glass powder is characterized in that it is a spherical glass powder according to claim 1 or 2 for optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition according to.
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、光半導体素子を封止することによって得られることを特徴とする、 4. Using the optical semiconductor element encapsulation epoxy resin composition according to claim 1, characterized in that it is obtained by sealing an optical semiconductor element,
    光半導体装置。 Optical semiconductor device.
JP2000071482A 2000-03-15 2000-03-15 Epoxy resin for sealing optical semiconductor element and optical semiconductor device Pending JP2001261933A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000071482A JP2001261933A (en) 2000-03-15 2000-03-15 Epoxy resin for sealing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000071482A JP2001261933A (en) 2000-03-15 2000-03-15 Epoxy resin for sealing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001261933A true JP2001261933A (en) 2001-09-26

Family

ID=18590062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000071482A Pending JP2001261933A (en) 2000-03-15 2000-03-15 Epoxy resin for sealing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001261933A (en)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004000945A1 (en) * 2002-06-20 2003-12-31 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Transparent composite composition
JP2004243762A (en) * 2003-01-23 2004-09-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd Optical sheet
JP2005298701A (en) * 2004-04-13 2005-10-27 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for optical semiconductor element sealing and optical semiconductor apparatus using the same
JP2006156964A (en) * 2004-10-14 2006-06-15 Yazaki Corp Filled epoxy resin composition and its manufacturing method
JP2006193570A (en) * 2005-01-12 2006-07-27 Stanley Electric Co Ltd Thermosetting resin composition, light-transmitting cured product prepared by thermally curing the composition, and light-emitting diode sealed with the cured product
JP2007091960A (en) * 2005-09-30 2007-04-12 National Institute For Materials Science Resin composition for sealing optical semiconductor element and optical semiconductor device obtained by using the same
JP2007149905A (en) * 2005-11-28 2007-06-14 Sony Corp Photoelectric conversion element package and manufacturing method thereof
JP2007154064A (en) * 2005-12-06 2007-06-21 Nitto Denko Corp Method for producing resin composition for sealing photosemiconductor element, resin composition for sealing photosemiconductor element obtained thereby and photosemiconductor device
US7307286B2 (en) 2003-10-16 2007-12-11 Nitto Denko Corporation Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same
US7311972B2 (en) 2004-10-14 2007-12-25 Yazaki Corporation Filled epoxy resin compositions
JP2008024789A (en) * 2006-07-19 2008-02-07 Matsushita Electric Works Ltd Epoxy resin composition for sealing optical semiconductor and method for producing the same
US7381359B2 (en) 2004-10-14 2008-06-03 Yazaki Corporation Method for making filled epoxy resin compositions
JP2008222741A (en) * 2007-03-08 2008-09-25 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for sealing photosemiconductor element and photosemiconductor device by using the same
JP2011057896A (en) * 2009-09-11 2011-03-24 Asahi Kasei Corp Composite material
WO2011152413A1 (en) * 2010-05-31 2011-12-08 日立化成工業株式会社 Prepreg, metal-clad laminate, and printed circuit board
US10329428B2 (en) * 2014-11-12 2019-06-25 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Resin composition for three-dimensional modeling, method for manufacturing three-dimensional modeled object, and inorganic filler particles

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1315950C (en) * 2002-06-20 2007-05-16 住友电木株式会社 Transparent composite composition
WO2004000945A1 (en) * 2002-06-20 2003-12-31 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Transparent composite composition
JP4613492B2 (en) * 2003-01-23 2011-01-19 住友ベークライト株式会社 Optical sheet
JP2004243762A (en) * 2003-01-23 2004-09-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd Optical sheet
US7307286B2 (en) 2003-10-16 2007-12-11 Nitto Denko Corporation Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same
JP2005298701A (en) * 2004-04-13 2005-10-27 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for optical semiconductor element sealing and optical semiconductor apparatus using the same
JP2006156964A (en) * 2004-10-14 2006-06-15 Yazaki Corp Filled epoxy resin composition and its manufacturing method
JP4570547B2 (en) * 2004-10-14 2010-10-27 矢崎総業株式会社 Filled epoxy resin composition and method for producing the same
US7381359B2 (en) 2004-10-14 2008-06-03 Yazaki Corporation Method for making filled epoxy resin compositions
US7311972B2 (en) 2004-10-14 2007-12-25 Yazaki Corporation Filled epoxy resin compositions
JP2006193570A (en) * 2005-01-12 2006-07-27 Stanley Electric Co Ltd Thermosetting resin composition, light-transmitting cured product prepared by thermally curing the composition, and light-emitting diode sealed with the cured product
WO2007040107A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-12 Nitto Denko Corporation Resin composition for optical semiconductor device encapsulation and optical semiconductor device produced by using same
JP2007091960A (en) * 2005-09-30 2007-04-12 National Institute For Materials Science Resin composition for sealing optical semiconductor element and optical semiconductor device obtained by using the same
JP2007149905A (en) * 2005-11-28 2007-06-14 Sony Corp Photoelectric conversion element package and manufacturing method thereof
JP4722686B2 (en) * 2005-12-06 2011-07-13 日東電工株式会社 Manufacturing method of resin composition for encapsulating optical semiconductor element, resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device obtained thereby
JP2007154064A (en) * 2005-12-06 2007-06-21 Nitto Denko Corp Method for producing resin composition for sealing photosemiconductor element, resin composition for sealing photosemiconductor element obtained thereby and photosemiconductor device
JP2008024789A (en) * 2006-07-19 2008-02-07 Matsushita Electric Works Ltd Epoxy resin composition for sealing optical semiconductor and method for producing the same
JP2008222741A (en) * 2007-03-08 2008-09-25 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for sealing photosemiconductor element and photosemiconductor device by using the same
JP2011057896A (en) * 2009-09-11 2011-03-24 Asahi Kasei Corp Composite material
WO2011152413A1 (en) * 2010-05-31 2011-12-08 日立化成工業株式会社 Prepreg, metal-clad laminate, and printed circuit board
US8980424B2 (en) 2010-05-31 2015-03-17 Hitachi Chemical Company, Ltd. Prepreg, metal-clad laminate, and printed circuit board
US10329428B2 (en) * 2014-11-12 2019-06-25 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Resin composition for three-dimensional modeling, method for manufacturing three-dimensional modeled object, and inorganic filler particles

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2100908B1 (en) Heat curable resin composition for light reflection
US20110140289A1 (en) Resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device
EP2289998A1 (en) White heat-curable silicone/epoxy hybrid resin composition for optoelectronic use, making method, premolded package, and LED device
KR20150140868A (en) Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate
KR100830776B1 (en) Cured product of epoxy resin composition and method for producing the same, and photosemiconductor device using the same
EP0955675B1 (en) Epoxy resin compositions and semiconductor devices encapsulated therewith
TWI385209B (en) A thermosetting epoxy resin composition and a semiconductor device
KR101126416B1 (en) Molding Compositions Containing Quaternary Organophosphonium Salts
US6936646B2 (en) Flame-retardant molding compositions
KR100585566B1 (en) Epoxy resin composition for encapsulating photosemiconductor element and photosemiconductor device
KR100697937B1 (en) Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith
US20090272995A1 (en) Resin composition for optical semiconductor element encapsulation, and optical semiconductor device produced by using the same
US6518332B2 (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions, and semiconductor devices encapsulated therewith
CN1769364A (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
KR20070017046A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
CN100509987C (en) Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same
EP2141201B1 (en) Heat-curable silicone resin-epoxy resin composition, and premolded package molded from same
KR930004634B1 (en) Epoxy resin sealing composition
JP3891554B2 (en) Epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation and optical semiconductor device
CN100441633C (en) Epoxy resin composition for sealing and packing optical semiconductor element and optical semiconductor element using the said composition
JPH0725987A (en) Epoxy resin composition for sealing optical semiconductor
JP2004238589A (en) Sealing resin for light-emitting diode and surface-mounting type light-emitting diode using the same
US8133957B2 (en) Resin composition for encapsulating optical semiconductor element
JPH09208805A (en) Epoxy resin composition for sealing optical semiconductor device
US7291684B2 (en) Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090507

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090701

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090730