JP2001261151A - Treatment apparatus - Google Patents

Treatment apparatus

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JP2001261151A
JP2001261151A JP2000084026A JP2000084026A JP2001261151A JP 2001261151 A JP2001261151 A JP 2001261151A JP 2000084026 A JP2000084026 A JP 2000084026A JP 2000084026 A JP2000084026 A JP 2000084026A JP 2001261151 A JP2001261151 A JP 2001261151A
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辰雄 片岡
Tetsushi Oishi
哲士 大石
Masashi Omori
雅司 大森
Izumi Oya
泉 大家
Seiji Noda
清治 野田
Makoto Miyamoto
誠 宮本
Masaki Kuzumoto
昌樹 葛本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent outward leak of a treatment gas when carrying a substrate into an internal space of a treatment chamber where the substrate, i.e., treated object, is treated, or when carrying the substrate out of the treatment chamber. SOLUTION: In this treatment apparatus, the treatment gas is filled in the treatment chamber, and the treated object is treated by the treatment gas. The treatment apparatus includes a shutoff means having a liquid shutting off the inside of the treatment chamber from the outside of the treatment chamber.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、処理装置に関し、
さらに詳細には、例えば、半導体ウエハや磁気ディスク
など扁平な形状をした各種の電子部品基板や、各種の電
子装置に搭載される各種の電子部品などのような、各種
の被処理物に対して処理気体による処理を行うための処
理装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a processing apparatus,
More specifically, for example, various kinds of workpieces such as various electronic component substrates having a flat shape such as a semiconductor wafer and a magnetic disk, and various electronic components mounted on various electronic devices. The present invention relates to a processing apparatus for performing processing using a processing gas.

【0002】なお、本明細書においては、「被処理物の
処理気体により処理される面(処理面)」を、単に「表
面」と称することとし、また、「処理気体による被処理
物の処理」を単に「処理」と適宜称することとする。
[0002] In this specification, the "surface to be processed by a processing gas (processed surface)" is simply referred to as a "surface". Is simply referred to as “processing” as appropriate.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来より、半導体ウエハや磁気ディスク
などのように扁平な型状に形成された基板などの処理を
行うための処理装置として、例えば、図1に示すような
処理装置が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, a processing apparatus as shown in FIG. 1 has been known as a processing apparatus for processing a flat-shaped substrate such as a semiconductor wafer or a magnetic disk. ing.

【0004】図1には従来の処理装置の一部を破断して
示した概略構成説明図が示されており、この従来の処理
装置は、内部空間110aを備えた処理室110と、処
理室110の内部空間110aに固定的に配設された被
処理物支持部材116と、被処理物支持部材116に支
持された被処理物たる基板100と対向するようにして
配設され後述する処理気体を噴射する処理気体供給ノズ
ル118と、後述する置換用のガスを噴射する置換ガス
供給ノズル113とを有して構成されている。
FIG. 1 is a schematic structural explanatory view showing a part of a conventional processing apparatus in a cutaway manner. This conventional processing apparatus includes a processing chamber 110 having an internal space 110a, and a processing chamber 110. The processing object support member 116 fixedly disposed in the internal space 110a of the substrate 110, and the processing gas described later, which is disposed so as to face the substrate 100 as the processing object supported by the processing object support member 116. And a replacement gas supply nozzle 113 that injects a replacement gas described later.

【0005】ここで、処理室110の底部110dに
は、排気口114を備えた排気ダクト116が配設され
ており、排気口114には吸引装置(図示せず)が接続
され、処理室110の内部空間110aに充填されたガ
ス(気体)などが、排気ダクト116を介して吸引装置
により処理室110の外部へ吸引されるようになされて
いる。
Here, an exhaust duct 116 having an exhaust port 114 is provided at the bottom 110 d of the processing chamber 110, and a suction device (not shown) is connected to the exhaust port 114, and The gas (gas) or the like filled in the internal space 110a is sucked out of the processing chamber 110 by the suction device via the exhaust duct 116.

【0006】また、処理室110の側壁部110bには
搬入出口110cが穿設されており、当該搬入出口11
0cにはシール・パッキンを介して開閉扉112が配設
されている。この開閉扉112を開けることによって処
理室110の内部空間110aと処理室110の外部と
が連通し、この開閉扉112を閉めることによって処理
室110の内部空間110aと処理室110の外部とが
遮断され、処理室110の内部空間110aが密閉され
ることになる。
Further, a loading / unloading port 110c is formed in the side wall portion 110b of the processing chamber 110, and
An opening / closing door 112 is provided at 0c via a seal / packing. By opening the opening / closing door 112, the internal space 110a of the processing chamber 110 communicates with the outside of the processing chamber 110, and by closing the opening / closing door 112, the internal space 110a of the processing chamber 110 and the outside of the processing chamber 110 are shut off. As a result, the internal space 110a of the processing chamber 110 is sealed.

【0007】そして、処理気体供給ノズル118には、
基板処理に用いられる不活性ガスなどのガス(気体)を
充填したガス・タンク(図示せず)から処理気体が供給
され、当該処理気体が噴射されることになるまた、置換
ガス供給ノズル113には、処理気体とは異なる種類の
ガス(気体)を充填したガス・タンク(図示せず)から
置換用のガスが供給され、当該置換用のガスが処理室1
10の内部空間110aに噴射されることになる。
The processing gas supply nozzle 118 includes:
A processing gas is supplied from a gas tank (not shown) filled with a gas (gas) such as an inert gas used for substrate processing, and the processing gas is injected. Is supplied with a replacement gas from a gas tank (not shown) filled with a gas (gas) of a type different from the processing gas, and the replacement gas is supplied to the processing chamber 1.
10 will be injected into the internal space 110a.

【0008】そして、上記した従来の処理装置を用いて
被処理物たる基板100の処理を行うには、基板100
の処理が必要な所定の工程において、まず、開閉扉11
2を開けて搬入出口110cから基板100を処理室1
10の内部空間110aに搬入し、被処理物支持部材1
16によって基板100の表面100aが処理気体供給
ノズル118と対向するようにして基板100を処理室
110の内部空間110aに配設する。
In order to process the substrate 100 as an object to be processed using the above-described conventional processing apparatus, the substrate 100
First, in a predetermined process that requires the processing of
2 to open the processing chamber 1 from the loading / unloading port 110c.
10 into the internal space 110a, and the workpiece support member 1
The substrate 100 is disposed in the internal space 110 a of the processing chamber 110 such that the surface 100 a of the substrate 100 faces the processing gas supply nozzle 118 by 16.

【0009】それから、開閉扉112を閉めて処理室1
10の内部空間110aが密閉された状態において、処
理気体供給ノズル118から処理気体を噴射する。この
ようにして、当該噴射された処理気体が充填された処理
室110の内部空間110aにおいて、基板100の表
面100aの処理が行われる。
Then, the opening / closing door 112 is closed and the processing chamber 1 is closed.
The processing gas is injected from the processing gas supply nozzle 118 in a state in which the internal space 110a of 10 is closed. Thus, the processing of the surface 100a of the substrate 100 is performed in the internal space 110a of the processing chamber 110 filled with the injected processing gas.

【0010】そして、上記した処理を終了すると、開閉
扉112を開けて、処理が行われた基板100を搬入出
口110cから処理装置の外部に搬出する。
When the above processing is completed, the door 112 is opened, and the processed substrate 100 is carried out of the processing apparatus from the loading / unloading port 110c.

【0011】ところで、処理室110の内部空間110
aに処理気体供給ノズル118によって噴射される処理
気体としては、人体に対しては有害なものが用いられた
り、あるいは処理装置の構成部品などを腐食するような
ものが用いられたりすることがある。
The internal space 110 of the processing chamber 110
The processing gas injected into the a by the processing gas supply nozzle 118 may be harmful to the human body, or may be one that corrodes components of the processing apparatus. .

【0012】そして、上記したような人体や処理装置の
構成部品に悪影響を及ぼすような処理気体を用いた場合
には、基板100の処理が終了した後に開閉扉112を
開けて基板100を処理室110の内部空間110aか
ら搬出する際に、処理室110の内部空間110aに充
填されている処理気体が搬入出口110cから処理室1
10の外部に漏れ出すと、当該漏れ出した処理気体が人
体あるいは処理装置の構成部品などに悪影響を及ぼす恐
れがあった。
When a processing gas that has a bad effect on the human body or the components of the processing apparatus is used, the opening and closing door 112 is opened after the processing of the substrate 100 is completed, and the substrate 100 is moved to the processing chamber. At the time of unloading from the internal space 110a of the processing chamber 110, the processing gas filled in the internal space 110a of the processing chamber 110 is transferred from the processing chamber 1 through the loading / unloading port 110c.
If the processing gas leaks out of the apparatus 10, the leaked processing gas may adversely affect a human body or a component of the processing apparatus.

【0013】このため、従来の処理装置においては、基
板100の処理が終了した後に、開閉扉112を開けて
基板100を処理室110の内部空間110aから搬出
する前に、置換ガス供給ノズル113から処理室110
の内部空間110aに置換用のガス(人体あるいは処理
装置の構成部品などに悪影響を及ぼす恐れのないガス)
を噴射して、基板100の処理が終了したときに処理室
110の内部空間110aに充填されている処理気体供
給ノズル118によって噴射された処理気体を、当該置
換ガス供給ノズル113によって噴射された置換用のガ
スにより置換するようになされている。
For this reason, in the conventional processing apparatus, after the processing of the substrate 100 is completed, before the opening and closing door 112 is opened and the substrate 100 is carried out from the internal space 110 a of the processing chamber 110, the replacement gas supply nozzle 113 is used. Processing room 110
For replacement (gas that does not have a bad effect on the human body or components of the processing apparatus) in the internal space 110a
To replace the processing gas injected by the processing gas supply nozzle 118 filled in the internal space 110a of the processing chamber 110 when the processing of the substrate 100 is completed. It is replaced by a gas for use.

【0014】こうすることにより、基板100の処理が
終了した後の処理室110の内部空間110aには、処
理気体ではなく置換ガス供給ノズル113によって噴射
された置換用のガスが充填されることになるので、開閉
扉112を開けて基板100を処理室110の内部空間
110aから搬出する際に、処理気体が搬入出口110
cから処理室110の外部に漏れ出すことが回避され
る。
By doing so, the internal space 110a of the processing chamber 110 after the processing of the substrate 100 is completed is filled not with the processing gas but with the replacement gas injected by the replacement gas supply nozzle 113. Therefore, when the opening / closing door 112 is opened and the substrate 100 is carried out from the internal space 110a of the processing chamber 110, the processing gas flows into and out of the loading / unloading port 110.
Leakage from c to the outside of the processing chamber 110 is avoided.

【0015】しかしながら、従来の処理装置において、
処理室110の内部空間110aに充填された処理気体
を置換ガス供給ノズル113から噴射される置換用のガ
スに置換するには、当該置換処理に時間が費やされて、
処理装置における基板100の搬入出を効率よく行なう
ことができなくなり、基板100の処理の処理効率が低
下するという問題点があった。
However, in the conventional processing apparatus,
In order to replace the processing gas filled in the internal space 110a of the processing chamber 110 with the replacement gas ejected from the replacement gas supply nozzle 113, time is spent in the replacement process,
There has been a problem that the loading and unloading of the substrate 100 in the processing apparatus cannot be performed efficiently, and the processing efficiency of the processing of the substrate 100 decreases.

【0016】さらにまた、従来の処理装置において、上
記したようにして処理室110の内部空間110aに充
填された処理気体を置換ガス供給ノズル113から噴射
される置換用のガスに置換した後に、再びこの処理装置
において基板100の処理を行なう場合には、処理室1
10の内部空間110aに処理気体を再び充填する必要
があるので、消費される処理気体が膨大な量になるとい
う問題点があった。
Furthermore, in the conventional processing apparatus, after the processing gas filled in the internal space 110a of the processing chamber 110 is replaced with the replacement gas injected from the replacement gas supply nozzle 113 as described above, When processing the substrate 100 in this processing apparatus, the processing chamber 1
Since it is necessary to refill the internal space 110a with the processing gas, there is a problem that the amount of the processing gas consumed becomes enormous.

【0017】加えて、従来の処理装置においては、開閉
扉112が搬入出口110cにシール・パッキンを介し
て配設されているので、当該シール・パッキンが劣化し
てしまうと、開閉扉112を閉めたときにおいても処理
室110の内部空間110aの密閉状態が保持されなく
なり、処理室110の内部空間110aに充填されてい
る処理気体が搬入出口10cから処理室110の外部に
漏れ出す恐れがあるという問題点があった。
In addition, in the conventional processing apparatus, since the door 112 is provided at the loading / unloading port 110c via a seal packing, if the seal packing is deteriorated, the door 112 is closed. The sealed state of the internal space 110a of the processing chamber 110 is no longer maintained, and the processing gas filled in the internal space 110a of the processing chamber 110 may leak out of the processing chamber 110 from the loading / unloading port 10c. There was a problem.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記したよ
うな従来の技術の有する種々の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、被処理物たる基
板の処理が行われる処理室の内部空間へ基板を搬入する
際や、当該処理室の外部へ基板を搬出する際に、処理気
体が外部に漏れ出すことを防止できるようにした処理装
置を提供しようとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned various problems of the prior art, and has as its object to process substrates to be processed. An object of the present invention is to provide a processing apparatus capable of preventing a processing gas from leaking outside when a substrate is carried into an internal space of a processing chamber to be performed or when a substrate is carried out of the processing chamber. It is.

【0019】また、本発明の目的とするところは、処理
装置における被処理物たる基板の搬入出を効率よく行な
うようにして、処理装置における基板の処理の処理効率
を向上することができるようにした処理装置を提供しよ
うとするものである。
It is another object of the present invention to improve the processing efficiency of processing a substrate in a processing apparatus by efficiently loading and unloading a substrate as an object to be processed in the processing apparatus. It is an object of the present invention to provide a processing apparatus having the above configuration.

【0020】さらに、本発明の目的とすることろは、処
理装置において消費される処理気体の量が膨大な量にな
ることを回避できるようにした処理装置を提供しようと
するものである。
A further object of the present invention is to provide a processing apparatus capable of avoiding an enormous amount of processing gas consumed in the processing apparatus.

【0021】さらにまた、本発明の目的とすることろ
は、処理室の内部空間を密閉するための部材の劣化に伴
って処理室の内部空間に充填されている処理気体が外部
に漏れ出すことを回避できるようにした処理装置を提供
しようとするものである。
Still another object of the present invention is to prevent the processing gas filled in the internal space of the processing chamber from leaking to the outside due to deterioration of a member for sealing the internal space of the processing chamber. It is an object of the present invention to provide a processing apparatus which can avoid the above.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のうち請求項1に記載の発明は、処理室内に
処理気体を充填して当該処理気体により被処理物の処理
を行う処理装置において、上記処理室の内部と上記処理
室の外部とを遮断する液体を備えた遮断手段を有するよ
うにしたものである。
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a processing chamber is filled with a processing gas and the processing target is processed with the processing gas. In the processing apparatus, there is provided a shut-off means including a liquid for shutting off the inside of the processing chamber and the outside of the processing chamber.

【0023】従って、本発明のうち請求項1に記載の発
明によれば、処理室の内部と上記処理室の外部とが液体
を備えた遮断手段により遮断されるので、被処理物の処
理が行われる処理室の内部空間へ被処理物を搬入する際
や、当該処理室の外部へ被処理物を搬出する際に、処理
気体が外部に漏れ出すことを防止することができる。
Therefore, according to the first aspect of the present invention, since the inside of the processing chamber and the outside of the processing chamber are shut off by the shut-off means provided with the liquid, the processing of the object to be processed can be performed. It is possible to prevent the processing gas from leaking to the outside when the processing object is carried into the internal space of the processing chamber or when the processing object is carried out to the outside of the processing chamber.

【0024】また、処理気体を置換用のガスに置換する
ことがないので、処理装置において消費される処理気体
の量が膨大な量になることが回避できるとともに、処理
室の内部空間を密閉するための部材を配設する必要がな
いので、当該処理室の内部空間を密閉するための部材の
劣化に起因して処理室の内部空間に充填されている処理
気体が外部に漏れ出すことを回避できる。
Further, since the processing gas is not replaced with the replacement gas, the amount of the processing gas consumed in the processing apparatus can be prevented from becoming enormous, and the internal space of the processing chamber is sealed. It is not necessary to dispose a member for processing, so that the processing gas filled in the internal space of the processing chamber is prevented from leaking to the outside due to deterioration of the member for sealing the internal space of the processing chamber. it can.

【0025】また、本発明のうち請求項2に記載の発明
のように、請求項1に記載の発明において、上記処理室
に上記被処理物を搬入するとき、または、上記処理室か
ら上記被処理物を搬出するときに、上記遮断手段の液体
中を搬送するようにしてもよい。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, when the object to be processed is carried into the processing chamber, or when the object to be processed is transferred from the processing chamber. When unloading the processing object, the processing object may be conveyed through the liquid in the blocking unit.

【0026】このようにすると、処理装置における被処
理物の搬入出の際には、開閉扉を開閉することなく、単
に被処理物を遮断手段の液体中において搬入出させれば
よいので、搬入出を効率よく行なうことができ、被処理
物の処理効率を向上することができる。
In this way, when the processing object is carried in and out of the processing apparatus, the processing object can be simply carried in and out of the liquid of the shut-off means without opening and closing the opening / closing door. The discharge can be performed efficiently, and the processing efficiency of the object to be processed can be improved.

【0027】また、本発明のうち請求項3に記載の発明
のように、請求項2に記載の発明において、上記遮断手
段は、上記処理室に上記被処理物を搬入するときに上記
被処理物が搬送される液体と上記処理室から上記被処理
物を搬出するときに上記被処理物が搬送される液体とを
分離するようにしてもよい。
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, the shut-off means is provided when the workpiece is carried into the processing chamber. The liquid carrying the object and the liquid carrying the object when the object is carried out of the processing chamber may be separated from each other.

【0028】また、本発明のうち請求項4に記載の発明
のように、請求項1、請求項2または請求項3のいずれ
か1項に記載の発明において、キャリアに収納された少
なくとも1つの上記被処理物を上記キャリアごと搬送す
るようにしてもよく、このようにすると、同時に複数の
被処理物を処理室において処理することが可能となり、
処理装置における基板処理の処理効率を向上することが
できる。
According to a fourth aspect of the present invention, as in the fourth aspect of the present invention, at least one of the first, second, and third cartridges housed in a carrier is provided. You may make it convey the said to-be-processed object with the said carrier, and in this way, it becomes possible to process several to-be-processed objects simultaneously in a processing chamber,
The processing efficiency of the substrate processing in the processing apparatus can be improved.

【0029】また、本発明のうち請求項5に記載の発明
のように、請求項1、請求項2または請求項3のいずれ
か1項に記載の発明において、上記被処理物を1つずつ
順次搬送するようにしてもよく、このようにすると、被
処理物をひとつずつに処理することができるようにな
り、効果的な処理を行うことができるようになる。
In the invention according to any one of the first, second and third aspects of the present invention, as in the fifth aspect of the present invention, the objects to be processed are each one. The objects may be sequentially transported. In this case, the objects to be processed can be processed one by one, so that effective processing can be performed.

【0030】また、本発明のうち請求項6に記載の発明
のように、請求項1、請求項2、請求項3、請求項4ま
たは請求項5のいずれか1項に記載の発明において、上
記遮断手段を、液体を噴射するシャワー・カーテンとし
てもよい。
According to the present invention as described in claim 6, in the invention according to any one of claims 1, 2, 3, 4 and 5, The blocking means may be a shower curtain for injecting a liquid.

【0031】また、本発明のうち請求項7に記載の発明
のように、請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、
請求項5または請求項6のいずれか1項に記載の発明に
おいて、上記遮断手段を少なくとも1以上配設するよう
にしてもよく、このようにすると、複数の遮断手段を配
設することにより、ただ1つの遮断手段が配設される場
合に比べて、処理室の内部空間が外部から遮断される機
会が増えて一層確実に処理室の内部空間を密閉すること
ができる。
Also, as in the invention according to claim 7 of the present invention, claim 1, claim 2, claim 3, claim 4,
In the invention described in any one of claims 5 and 6, at least one or more of the blocking means may be provided. In this case, by providing a plurality of blocking means, As compared with the case where only one blocking means is provided, the chance that the internal space of the processing chamber is shielded from the outside increases, and the internal space of the processing chamber can be more securely sealed.

【0032】また、本発明のうち請求項8に記載の発明
のように、請求項7に記載の発明において、上記遮断手
段のうちの少なくとも1つの液体は、上記処理室内に充
填された処理気体を分解するものとしてもよく、このよ
うにすると、液面が処理室の外部に位置する遮断手段を
処理気体の分解効果を有するものにすると、例えば、処
理気体が有害なものである場合などには、当該有害な処
理気体は当該遮断手段において分解されることなり、処
理室の内部空間に充填されている処理気体が外部に漏れ
出すことを一層確実に防止することができ、安全性を向
上することができる。
[0032] In the invention according to the seventh aspect of the present invention, at least one of the liquids of the shut-off means is a processing gas filled in the processing chamber. In this case, if the shutoff means having a liquid level positioned outside the processing chamber has a processing gas decomposition effect, for example, when the processing gas is harmful, Means that the harmful processing gas is decomposed in the shutoff means, and the processing gas filled in the internal space of the processing chamber can be more reliably prevented from leaking to the outside, improving safety. can do.

【0033】また、本発明のうち請求項9に記載の発明
のように、請求項7に記載の発明ににおいて、上記遮断
手段のうちの少なくとも1つは、上記被処理物を洗浄す
る洗浄手段を有するようにしてもよく、このようにする
と、当該洗浄手段によって遮断手段の液体中における被
処理物の搬送時に、被処理物を洗浄することができるよ
うになる。
According to a ninth aspect of the present invention, as in the ninth aspect of the present invention, at least one of the blocking means is a cleaning means for cleaning the object. In this case, the object to be processed can be cleaned by the cleaning means when the object to be processed is transported in the liquid of the shut-off means.

【0034】また、本発明のうち請求項10に記載の発
明のように、請求項7に記載の発明において、上記遮断
手段のうちの少なくとも1つの液体は、上記処理気体が
溶解しない液体としてもよい。
According to a tenth aspect of the present invention, as in the tenth aspect of the present invention, at least one of the liquids of the shut-off means may be a liquid in which the processing gas is not dissolved. Good.

【0035】また、本発明のうち請求項11に記載の発
明のように、請求項7に記載の発明において、上記遮断
手段のうちの少なくとも1つの液体は、上記処理気体を
溶解させた液体としてもよい。
[0035] In the invention according to the seventh aspect of the present invention, at least one liquid of the shutoff means is a liquid in which the processing gas is dissolved. Is also good.

【0036】また、本発明のうち請求項12に記載の発
明のように、請求項1、請求項2、請求項3、請求項
4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項
9、請求項10または請求項11のいずれか1項に記載
の発明において、さらに、上記遮断手段の温度を制御す
る温度制御手段を有するようにしてもよく、このように
すると、当該温度制御手段によって遮断手段の温度を制
御することによって、遮断手段の温度を高温に保持した
場合には、被処理物の引き上げ乾燥を行うことができ、
また、遮断手段の液体中を搬送される被処理物の温度を
制御して、処理室における被処理物の処理を一層効果的
に行うことができるようにもなる。
Also, as in the twelfth aspect of the present invention, the first, the second, the third, the fourth, the fifth, the sixth, the seventh and the seventh aspect of the present invention. In the invention according to any one of the eighth, ninth, tenth, and eleventh aspects, a temperature control means for controlling a temperature of the shutoff means may be further provided. By controlling the temperature of the shut-off means by the temperature control means, when the temperature of the shut-off means is maintained at a high temperature, it is possible to pull up and dry the object to be processed,
Further, by controlling the temperature of the object to be conveyed in the liquid of the shutoff means, the object to be processed in the processing chamber can be more effectively processed.

【0037】また、本発明のうち請求項13に記載の発
明のように、請求項1、請求項2、請求項3、請求項
4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項
9、請求項10、請求項11または請求項12のいずれ
か1項に記載の発明において、上記処理気体はオゾン含
有ガスとしてもよい。
Also, as in the invention of the thirteenth aspect of the present invention, the first, second, third, fourth, fifth, sixth, seventh, and seventh aspects of the present invention. In the invention according to any one of the eighth, ninth, tenth, tenth, and eleventh aspects, the processing gas may be an ozone-containing gas.

【0038】また、本発明のうち請求項14に記載の発
明のように、請求項13に記載の発明において、上記オ
ゾン含有ガスを湿潤する手段を有するようにしてもよ
い。
Further, as in the invention of the fourteenth aspect of the present invention, in the invention of the thirteenth aspect, means for wetting the ozone-containing gas may be provided.

【0039】また、本発明のうち請求項15に記載の発
明のように、請求項13に記載の発明において、上記オ
ゾン含有ガスに霧状液体を混合する手段を有するように
してもよい。
Further, like the invention according to claim 15 of the present invention, in the invention according to claim 13, a means for mixing a mist liquid with the ozone-containing gas may be provided.

【0040】[0040]

【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基づいて、本
発明による処理装置の実施の形態の一例を詳細に説明す
るものとする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an example of an embodiment of a processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0041】図2には、本発明による処理装置の第1の
実施の形態の一部を破断して示した概略構成説明図が示
されており、図2において、図1と同一あるいは相当す
る構成に関しては、図1において用いた符号と同一の符
号を用いて示すことにより、その詳細な構成および作用
の説明は省略する。
FIG. 2 is a schematic structural explanatory view of the processing apparatus according to the first embodiment of the present invention, in which a part of the first embodiment is cut away, and FIG. 2 is the same as or equivalent to FIG. Regarding the configuration, the same reference numerals as those used in FIG. 1 are used and the detailed description of the configuration and operation is omitted.

【0042】ここで、本発明による処理装置(以下に詳
述する第1の実施の形態乃至第5の実施の形態の処理装
置101、102、103、104、105)と「従来
の技術」の項で説明した従来の処理装置とを比較する
と、従来の処理装置は、処理室110の側壁部110b
に配設された開閉扉112を閉めることにより、処理室
110の内部空間110aが外部から遮断されて密閉さ
れた状態となるのに対して、本発明による処理装置10
1、102、103、104、105は、後述する遮断
槽14、30、32、34に貯留された遮断液200、
搬入側遮断室54、搬出側遮断室64に貯留された遮断
液200あるいはシャワー・カーテン用ノズル70、7
2、74、76から噴射された遮断液200という液体
により、処理室10の内部空間10aが外部から遮断さ
れて密閉された状態となる点において、従来の処理装置
と異なっている。
Here, the processing apparatus according to the present invention (the processing apparatuses 101, 102, 103, 104, and 105 of the first to fifth embodiments described in detail below) and the "prior art" In comparison with the conventional processing apparatus described in the section, the conventional processing apparatus is different from the conventional processing apparatus.
By closing the opening / closing door 112 provided in the processing chamber 110, the internal space 110a of the processing chamber 110 is shut off from the outside and is sealed, whereas the processing apparatus 10 according to the present invention is closed.
1, 102, 103, 104, and 105 include a blocking liquid 200 stored in blocking tanks 14, 30, 32, and 34 described below,
The shut-off liquid 200 or the shower curtain nozzles 70 and 7 stored in the carry-in shut-off chamber 54 and the carry-out shut-off chamber 64.
This is different from the conventional processing apparatus in that the internal space 10a of the processing chamber 10 is shut off from the outside by the liquid called the shut-off liquid 200 injected from 2, 74, and 76 and is sealed.

【0043】本発明による処理装置の第1の実施の形態
においては、処理装置101は、内部空間10aを備え
た処理室10と、処理室10の底部10dの略中央から
立設された支柱12と、支柱12の上端部に固定的に配
設された被処理物支持部材16と、被処理物支持部材1
6に載置された被処理物たる基板100と対向するよう
にして配設され処理気体を噴射する処理気体供給ノズル
18と、処理室10の底部10dの縁部10eから延設
された遮断槽14と、処理室10の側壁部10bに配設
され排気スクラバー22に至る排気用配管24とを有し
て構成されている。
In the first embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the processing apparatus 101 comprises a processing chamber 10 having an internal space 10a, and a column 12 standing upright from substantially the center of a bottom 10d of the processing chamber 10. A workpiece support member 16 fixedly disposed at the upper end of the support 12; and a workpiece support member 1
A processing gas supply nozzle 18 that is disposed so as to face the substrate 100 serving as a processing target placed on the processing chamber 6 and injects a processing gas; and a shutoff tank that extends from an edge 10 e of a bottom 10 d of the processing chamber 10. 14, and an exhaust pipe 24 that is disposed on the side wall 10 b of the processing chamber 10 and that reaches the exhaust scrubber 22.

【0044】ここで、支柱12は、モーター(図示せ
ず)の駆動によって矢印A方向(図2参照)において任
意の回転速度で回転可能に構成されており、当該支柱1
2の回転に伴って、支柱12の上端部に固定的に配設さ
れた被処理物支持部材16ならびに被処理物支持部材1
6に載置された基板100が矢印A方向(図2参照)に
回転することとなる。
Here, the column 12 is configured to be rotatable at an arbitrary rotational speed in the direction of arrow A (see FIG. 2) by driving a motor (not shown).
The workpiece support member 16 and the workpiece support member 1 fixedly disposed on the upper end of the column 12 with the rotation of the workpiece 2
The substrate 100 placed on 6 rotates in the direction of arrow A (see FIG. 2).

【0045】処理気体供給ノズル18には、処理気体を
充填したガス・タンク(図示せず)から処理気体供給配
管26を介して処理気体が供給され、当処理気体が噴射
されることになる。
The processing gas is supplied from the gas tank (not shown) filled with the processing gas to the processing gas supply nozzle 18 through the processing gas supply pipe 26, and the processing gas is injected.

【0046】遮断槽14は、処理室10の底部10dの
縁部10eから延設されており、当該遮断槽14の内部
14aには、例えば、純水などの液体である遮断液20
0が貯留され、当該遮断液200は、遮断槽14内にお
いてオーバー・フローさせることにより、常に新しい遮
断液200に交換可能となされているものである。
The shutoff tank 14 extends from an edge 10 e of the bottom 10 d of the processing chamber 10. The shutoff tank 20, which is a liquid such as pure water, is provided in the inside 14 a of the shutoff tank 14.
0 is stored, and the blocking liquid 200 is always replaceable with a new blocking liquid 200 by overflowing in the blocking tank 14.

【0047】そして、当該遮断槽14の内部14aに処
理室10の側壁部10bの下方端部10fが位置してお
り、当該処理室10の側壁部10bの下方端部10fよ
り上方に液面200a、200bが位置するように、所
定量の遮断液200が遮断槽14の内部14aに満たさ
れるものとする。
The lower end 10f of the side wall 10b of the processing chamber 10 is located in the interior 14a of the shutoff tank 14, and the liquid level 200a is higher than the lower end 10f of the side wall 10b of the processing chamber 10. , 200b are positioned so that a predetermined amount of the blocking liquid 200 fills the inside 14a of the blocking tank 14.

【0048】この際、処理室10の側壁部10bの外側
10kの遮断液200の液面200aが処理室10の外
部に位置するとともに、処理室10の側壁部10bの内
側10mの遮断液200の液面200bが処理室10の
内部空間10aに位置している。
At this time, the liquid level 200a of the blocking liquid 200 on the outer side 10k of the side wall 10b of the processing chamber 10 is located outside the processing chamber 10, and the liquid level 200 of the blocking liquid 200 on the inner side 10m of the side wall 10b of the processing chamber 10 is formed. The liquid level 200b is located in the internal space 10a of the processing chamber 10.

【0049】このように、遮断槽14の内部14aに所
定量の遮断液200が貯留されると、当該貯留された遮
断液200の液中に処理室10の側壁部10bの下方端
部10fが位置するようになるので、処理室10の内部
空間10aと外部とが直接に連通するようなことはな
い。
As described above, when a predetermined amount of the blocking liquid 200 is stored in the inside 14a of the blocking tank 14, the lower end 10f of the side wall 10b of the processing chamber 10 is immersed in the stored blocking liquid 200. Since it is located, the internal space 10a of the processing chamber 10 does not directly communicate with the outside.

【0050】なお、当該遮断液200としては、処理気
体供給ノズル18から噴射される処理気体が溶解しない
ような組成の液体、または、溶解するとしてもごく少量
の処理気体しか溶解しないような組成の液体を用いるこ
とができ、例えば、処理気体がオゾン含有ガスである場
合には温水を遮断液200とすればよい。
The blocking liquid 200 is a liquid having a composition such that the processing gas injected from the processing gas supply nozzle 18 does not dissolve, or a composition having a composition in which only a small amount of the processing gas is dissolved, if at all. A liquid can be used. For example, when the processing gas is an ozone-containing gas, hot water may be used as the blocking liquid 200.

【0051】排気用配管24は、処理室10の側壁部1
0b側に配設されており、排気用配管24には排気スク
ラバー22が接続され、処理室10の内部空間10aに
充填された処理気体などが、排気スクラバー22の吸引
力により排気用配管24を介して処理室10の外部へ吸
引されるようになされている。
The exhaust pipe 24 is connected to the side wall 1 of the processing chamber 10.
The exhaust gas scrubber 22 is connected to the exhaust pipe 24, and the processing gas or the like filled in the internal space 10 a of the processing chamber 10 is supplied to the exhaust pipe 24 by the suction force of the exhaust scrubber 22. The air is sucked to the outside of the processing chamber 10 through the processing chamber 10.

【0052】そして、処理気体は排気スクラバー22に
よって処理室10の外部に排気されると、排気用配管2
4を介してこの処理装置101の外部に排気されること
になる。
When the processing gas is exhausted to the outside of the processing chamber 10 by the exhaust scrubber 22, the exhaust pipe 2
4, the air is exhausted to the outside of the processing apparatus 101.

【0053】以上の構成において、被処理物たる基板1
00の処理が必要な所定の工程において、この処理装置
101を用いて基板100の処理を行う場合について説
明する。
In the above configuration, the substrate 1 to be processed is
A case where the processing of the substrate 100 is performed using the processing apparatus 101 in a predetermined process requiring the processing of 00 will be described.

【0054】まず、基板100の表面100aが処理気
体供給ノズル18と対向するようにして、基板100を
被処理物支持部材16に載置する。
First, the substrate 100 is placed on the workpiece support member 16 such that the surface 100 a of the substrate 100 faces the processing gas supply nozzle 18.

【0055】それから、処理気体供給ノズル18から基
板100の表面100aに処理気体が噴射され、当該噴
射された処理気体が充填された処理室10の内部空間1
0aにおいて、図示しないモーターの駆動に応じて支柱
12が矢印A方向(図2参照)に回転するのに伴って被
処理物支持部材16が回転する。
Then, the processing gas is injected from the processing gas supply nozzle 18 to the surface 100a of the substrate 100, and the internal space 1 of the processing chamber 10 filled with the injected processing gas.
At 0a, the workpiece support member 16 rotates as the column 12 rotates in the direction of arrow A (see FIG. 2) in response to the driving of a motor (not shown).

【0056】この際、処理気体によって、回転している
被処理物支持部材16上に載置されている基板100の
表面100aの処理が行われる。
At this time, the surface 100a of the substrate 100 placed on the rotating workpiece support member 16 is processed by the processing gas.

【0057】そして、上記した処理が終了すると、処理
室10の内部空間10aに充填されている処理気体は、
排気スクラバー22の吸引力によって排気用配管24を
介して処理室10の外部へと吸引され、当該排気スクラ
バー22における処理が行われた後、この処理装置10
1の外部に排気される。
When the above-mentioned processing is completed, the processing gas filled in the internal space 10a of the processing chamber 10 becomes:
After being suctioned to the outside of the processing chamber 10 through the exhaust pipe 24 by the suction force of the exhaust scrubber 22 and the processing in the exhaust scrubber 22 is performed, the processing apparatus 10
1 is exhausted to the outside.

【0058】上記したようにして、本発明による処理装
置の第1の実施の形態においては、遮断槽14に貯留さ
れた所定量の遮断液200により、処理室10の内部空
間10aが外部から遮断されて密閉された状態となるの
で、シール・パッキンを配設する必要はなく、当該シー
ル・パッキンの劣化に伴って処理室10の内部空間10
aに充填されている処理気体が外部に漏れ出すことを回
避することができる。
As described above, in the first embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the internal space 10a of the processing chamber 10 is shut off from the outside by the predetermined amount of the shut-off liquid 200 stored in the shut-off tank 14. It is not necessary to provide a seal and packing, and the interior space of the processing chamber 10 is deteriorated due to the deterioration of the seal and packing.
It is possible to prevent the processing gas filled in a from leaking to the outside.

【0059】次に、図3は、本発明による処理装置の第
2の実施の形態の一部を破断して示した概略構成説明図
が示されており、図3において、図1乃至図2と同一あ
るいは相当する構成に関しては、図1乃至図2において
用いた符号と同一の符号を用いて示すことにより、その
詳細な構成および作用の説明は省略する。
Next, FIG. 3 is a schematic structural explanatory view showing a part of a second embodiment of the processing apparatus according to the present invention in a cutaway manner. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals as those used in FIGS. 1 and 2, and detailed description of the configuration and operation is omitted.

【0060】ここで、本発明の第2の実施の形態の処理
装置102と上記した本発明の第1の実施の形態の処理
装置101とを比較すると、本発明の第1の実施の形態
の処理装置101においては、1つの遮断槽14が配設
されているのに対して、本発明の第2の実施の形態の処
理装置においては、複数の遮断槽14、30、32が配
設されている点において、本発明の第1の実施の形態の
処理装置101と異なっている。
Here, comparing the processing apparatus 102 according to the second embodiment of the present invention with the processing apparatus 101 according to the above-described first embodiment of the present invention, In the processing apparatus 101, one blocking tank 14 is provided, whereas in the processing apparatus of the second embodiment of the present invention, a plurality of blocking tanks 14, 30, 32 are provided. This is different from the processing apparatus 101 according to the first embodiment of the present invention.

【0061】即ち、本発明による処理装置の第2の実施
の形態においては、処理装置102は、遮断槽14に隣
接して配設された遮断槽30と、遮断槽30に隣接して
配設された遮断槽32と、処理室10の側壁部10bか
ら突設され下方端部10hが遮断槽30の内部30aに
位置する側壁部10gと、処理室10の側壁部10bか
ら突設され下方端部10jが遮断槽32の内部32aに
位置する側壁部10iとを有して構成されている。
That is, in the second embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the processing apparatus 102 includes the shutoff tank 30 disposed adjacent to the shutoff tank 14 and the shutoff tank 30 disposed adjacent to the shutoff tank 30. And a lower end 10h projecting from the side wall 10b of the processing chamber 10 and projecting from the side wall 10b of the processing chamber 10, and a lower end 10h projecting from the side wall 10b of the processing chamber 10. The part 10j has a side wall part 10i located in the inside 32a of the shutoff tank 32.

【0062】遮断槽30、32は、遮断槽14に隣接し
て配設されており、遮断槽14と同様にして遮断槽3
0、32の内部30a、32aには、例えば、純水など
の液体である遮断液200が貯留され、当該遮断液20
0は、遮断槽30、32内においてオーバー・フローさ
せることにより、常に新しい遮断液200に交換可能と
なされているものである。
The shut-off tanks 30 and 32 are disposed adjacent to the shut-off tank 14, and the shut-off tanks 3
In the insides 30a and 32a of the 0 and 32, for example, a blocking liquid 200 which is a liquid such as pure water is stored.
Numeral 0 indicates that the liquid can always be replaced with a new one by overflowing in the shutoff tanks 30 and 32.

【0063】そして、当該遮断槽30、32の内部30
a、32aにそれぞれ処理室10の側壁部10g、10
iの下方端部10h、10jが位置しており、当該処理
室10の側壁部10g、10iの下方端部10h、10
jより上方に液面200cが位置するような所定量の遮
断液200が遮断槽30、32の内部に満たされてい
る。
Then, the inside 30 of the shutoff tanks 30 and 32 is
a and 32a are the side walls 10g and 10g of the processing chamber 10, respectively.
i are located at the lower ends 10h, 10j, and the lower ends 10h, 10j of the side walls 10g, 10i of the processing chamber 10.
A predetermined amount of the blocking liquid 200 such that the liquid level 200c is located above j is filled in the blocking tanks 30 and 32.

【0064】この際、処理室10の側壁部10iの外側
10qの遮断液200の液面200aが処理室10の外
部に位置するとともに、処理室10の側壁部10bの内
側10mの遮断液200の液面200bが処理室10の
内部空間10aに位置している。
At this time, the liquid level 200a of the blocking liquid 200 on the outer side 10q of the side wall 10i of the processing chamber 10 is located outside the processing chamber 10, and the level of the blocking liquid 200 on the inner side 10m of the side wall 10b of the processing chamber 10 is increased. The liquid level 200b is located in the internal space 10a of the processing chamber 10.

【0065】このように、遮断槽14、30、32の内
部14a、30a、32aに所定量の遮断液200が貯
留されると、当該貯留された遮断液200の液中に処理
室10の側壁部10b、10g、10iの下方端部10
f、10h、10jが位置するようになるので、処理室
10の内部空間10aと外部とが直接び連通するような
ことはない。
As described above, when a predetermined amount of the blocking liquid 200 is stored in the insides 14a, 30a, 32a of the blocking tanks 14, 30, 32, the side wall of the processing chamber 10 is contained in the stored blocking liquid 200. Lower end 10 of parts 10b, 10g, 10i
Since f, 10h, and 10j are located, there is no direct communication between the internal space 10a of the processing chamber 10 and the outside.

【0066】ここで、遮断槽14ならびに遮断槽30に
貯留される遮断液200としては、処理気体供給ノズル
18から噴射される処理気体が溶解しないような組成の
液体を用いることとし、また、遮断槽32に貯留される
遮断液200としては、処理気体供給ノズル18から噴
射される処理気体の分解効果を有する組成の液体を用い
ることとする。
Here, as the shut-off liquid 200 stored in the shut-off tank 14 and the shut-off tank 30, a liquid having a composition that does not dissolve the processing gas injected from the processing gas supply nozzle 18 is used. As the blocking liquid 200 stored in the tank 32, a liquid having a composition having a decomposition effect of the processing gas injected from the processing gas supply nozzle 18 is used.

【0067】以上の構成において、本発明による第2の
実施の形態の処理装置102を用いて被処理物たる基板
100の処理を行う際の動作の説明は、上記した本発明
による第1の実施の形態の処理装置101を用いて基板
100の処理を行う際の動作の説明と同様であるので、
当該説明を援用することにより詳細な説明を省略する。
In the above configuration, the description of the operation when processing the substrate 100 as an object to be processed by using the processing apparatus 102 according to the second embodiment of the present invention is described in the first embodiment according to the present invention. Is the same as the description of the operation when processing the substrate 100 using the processing apparatus 101 of the embodiment.
The detailed description is omitted by using the description.

【0068】上記したようにして、本発明による処理装
置の第2の実施の形態においては、遮断槽14、30、
32に貯留された所定量の遮断液200により、処理室
10の内部空間10aが外部から遮断されて密閉された
状態となるので、シール・パッキンを配設する必要はな
く、当該シール・パッキンの劣化に伴って処理室10の
内部空間10aに充填されている処理気体が外部に漏れ
出すことを回避することができる。
As described above, in the second embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the shutoff tanks 14, 30,
The internal space 10a of the processing chamber 10 is shut off from the outside by the predetermined amount of the shut-off liquid 200 stored in 32, and becomes a sealed state. Therefore, it is not necessary to provide a seal packing, and the seal packing is not required. It is possible to prevent the processing gas filled in the internal space 10a of the processing chamber 10 from leaking outside due to the deterioration.

【0069】また、本発明による処理装置の第2の実施
の形態においては、所定量の遮断液200を貯留した複
数の遮断槽14、30、32により、処理室10の内部
空間10aが外部から遮断されて密閉された状態となる
ので、ただ1つの遮断槽が配設される場合に比べて(例
えば、図2遮断槽14参照)、処理室10の内部空間1
0aが外部から遮断される機会が増えて一層確実に処理
室10の内部空間10aを密閉することができる。
In the second embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the internal space 10a of the processing chamber 10 is externally provided by a plurality of shutoff tanks 14, 30, 32 storing a predetermined amount of shutoff liquid 200. Since it is shut off and becomes a closed state, the internal space 1 of the processing chamber 10 is smaller than when only one shutoff tank is provided (for example, see the shutoff tank 14 in FIG. 2).
The number of opportunities for blocking Oa from the outside increases, and the internal space 10a of the processing chamber 10 can be more securely sealed.

【0070】さらに、本発明による処理装置の第2の実
施の形態においては、液面200が処理室10の外部に
位置する遮断槽32に、処理気体の分解効果を有する組
成の遮断液200を貯留するようにしたので、例えば、
処理気体が有害なものである場合などには、当該有害な
処理気体は遮断槽32に貯留されている遮断液200に
よって分解されることなり、処理室10の内部空間10
aに充填されている処理気体が外部に漏れ出すことを一
層確実に防止することができ、安全性を向上することが
できる。
Further, in the second embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the shut-off liquid 200 having a composition having the effect of decomposing the processing gas is placed in the shut-off tank 32 whose liquid level 200 is located outside the processing chamber 10. Because we have to store, for example,
When the processing gas is harmful, for example, the harmful processing gas is decomposed by the shut-off liquid 200 stored in the shut-off tank 32, and the internal space 10 of the processing chamber 10
It is possible to more reliably prevent the processing gas filled in a from leaking to the outside, and it is possible to improve safety.

【0071】次に、図4(a)には、基板100が後述
するバッファ室42内に配設された状態における本発明
による第3の実施の形態の処理装置103の一部を破断
して示した概略構成説明図が示されており、図4(b)
には、基板100が後述する処理室10内に配設された
状態における本発明による第3の実施の形態の処理装置
103の一部を破断して示した概略構成説明図が示され
ている。
Next, FIG. 4 (a) shows a state in which a part of the processing apparatus 103 according to the third embodiment of the present invention in a state where the substrate 100 is disposed in a buffer chamber 42 described later is cut away. FIG. 4 (b) is a schematic configuration explanatory diagram shown.
FIG. 2 is a schematic configuration explanatory view showing a part of a processing apparatus 103 according to a third embodiment of the present invention in a state where a substrate 100 is disposed in a processing chamber 10 described later. .

【0072】図4(a)(b)において、図1乃至図3
と同一あるいは相当する構成に関しては、図1乃至図3
において用いた符号と同一の符号を用いて示すことによ
り、その詳細な構成および作用の説明は省略する。
In FIGS. 4A and 4B, FIGS.
1 to 3 are the same as or equivalent to FIG.
By using the same reference numerals as those used in, the detailed description of the configuration and operation will be omitted.

【0073】ここで、本発明の第3の実施の形態の処理
装置103と上記した本発明の第1の実施の形態の処理
装置101とを比較すると、本発明の第1の実施の形態
の処理装置101においては、基板100は処理が開始
される前から処理室10に配設されるのに対して、本発
明の第3の実施の形態の処理装置103においては、基
板100は処理が開始される前にはバッファ室42に配
設され、処理に際し遮断槽34に貯留された遮断液20
0中を搬送されて(図4(a)破線矢印参照)処理室1
0に配設され、処理が終了すると処理室10から遮断槽
34に貯留された遮断液200中を搬送されて(図4
(b)破線矢印参照)バッファ室42に配設されるよう
になる点において、本発明の第1の実施の形態の処理装
置101と異なっている。
Here, a comparison between the processing apparatus 103 according to the third embodiment of the present invention and the processing apparatus 101 according to the first embodiment of the present invention will be described. In the processing apparatus 101, the substrate 100 is disposed in the processing chamber 10 before the processing is started, whereas in the processing apparatus 103 according to the third embodiment of the present invention, the substrate 100 is not processed. Before the start, the shut-off liquid 20 which is disposed in the buffer chamber 42 and stored in the shut-off tank 34 during processing is provided.
0 (see the broken arrow in FIG. 4A).
0, and when the processing is completed, the processing liquid is transported from the processing chamber 10 through the blocking liquid 200 stored in the blocking tank 34 (FIG. 4).
(Refer to (b) dashed arrow) The processing apparatus 101 is different from the processing apparatus 101 according to the first embodiment of the present invention in that it is disposed in the buffer chamber 42.

【0074】即ち、本発明による処理装置の第3の実施
の形態においては、処理装置103は、内部が中空な略
凹型状の本体部40を備え、この本体部40の上方にお
いて中央凹部40aの片側に位置する処理室10と、本
体部40の上方において中央凹部40aの処理室10と
は反対側の位置するとともに搬入出口42cが穿設され
たバッファ室42と、本体部40の下方に位置し処理室
10とバッファ室42とを連通させる遮断槽34と、処
理室10内、バッファ室34内ならびに遮断槽34内を
可動自在に配設された被処理物支持部材16と、処理室
10に配設され処理気体を噴射する処理気体供給ノズル
18と、処理室10の側壁部10bに配設され排気スク
ラバー22に至る排気用配管24と、バッファ室42に
配設され後述する乾燥ガスを噴射する乾燥ガス吹き付け
ノズル44とを有して構成されている。
That is, in the third embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the processing apparatus 103 includes a substantially concave-shaped main body 40 having a hollow inside, and a central concave portion 40a above the main body 40. A processing chamber 10 located on one side, a buffer chamber 42 located above the main body 40 on the opposite side of the processing chamber 10 of the central recess 40a and having a carry-in / out port 42c formed therein, and a buffer chamber 42 located below the main body 40. A blocking tank 34 for communicating the processing chamber 10 with the buffer chamber 42, a workpiece support member 16 movably disposed in the processing chamber 10, the buffer chamber 34 and the blocking tank 34, , A processing gas supply nozzle 18 that injects a processing gas, an exhaust pipe 24 that is disposed on the side wall 10 b of the processing chamber 10 and that reaches the exhaust scrubber 22, and that is disposed in the buffer chamber 42 and will be described later. It is configured to include a drying gas blowing nozzle 44 for injecting 燥 gas.

【0075】ここで、被処理物支持部材16上には被処
理物たる基板100を収納するためのキャリア46が載
置される。当該キャリア46は、複数枚の基板100を
垂直にして所定の間隔で整列させ収納するものである。
Here, a carrier 46 for accommodating the substrate 100 to be processed is placed on the workpiece support member 16. The carrier 46 accommodates a plurality of substrates 100 aligned vertically at predetermined intervals.

【0076】そして、被処理物支持部材16はキャリア
46を載置した状態で、モーター(図示せず)の駆動に
よってバッファ室42から遮断槽34の内部34aを通
って処理室10に移動する(図4(a)破線矢印参照)
とともに、処理室10から遮断槽34の内部34aを通
ってバッファ室42に移動する(図4(b)破線矢印参
照)ことが可能なものである。
Then, the workpiece support member 16 moves from the buffer chamber 42 to the processing chamber 10 through the inside 34a of the shut-off tank 34 by driving a motor (not shown) while the carrier 46 is placed thereon ( (See FIG. 4 (a) dashed arrow)
At the same time, it is possible to move from the processing chamber 10 to the buffer chamber 42 through the inside 34a of the shut-off tank 34 (see the dashed arrow in FIG. 4B).

【0077】遮断槽34は、本体部40の下方に位置し
処理室10とバッファ室42とを連通させており、当該
遮断槽34の内部34aには、例えば、純水などの液体
である遮断液200が貯留され、当該遮断液200は、
遮断槽34内においてオーバー・フローさせることによ
り、常に新しい遮断液200に交換可能となされている
ものである。
The shut-off tank 34 is located below the main body 40 and communicates the processing chamber 10 with the buffer chamber 42. The shut-off tank 34 has an internal portion 34a, for example, a shut-off liquid such as pure water. The liquid 200 is stored, and the blocking liquid 200 is
By causing overflow in the shut-off tank 34, a new shut-off liquid 200 can always be exchanged.

【0078】そして、本体部40の中央凹部40aの底
面40bより上方に液面200が位置するような所定量
の遮断液200が遮断槽34の内部34aに満たされて
いる。
A predetermined amount of the blocking liquid 200 such that the liquid level 200 is located above the bottom surface 40b of the central concave portion 40a of the main body 40 is filled in the inside 34a of the blocking tank 34.

【0079】この際、中央凹部40aの側面40c側の
遮断液200の液面200dが処理室10の外部(バッ
ファ室42内)に位置するとともに、中央凹部40aの
側面40dの遮断液200の液面200eが処理室10
の内部空間10aに位置している。
At this time, the liquid level 200 d of the blocking liquid 200 on the side surface 40 c side of the central concave portion 40 a is located outside the processing chamber 10 (inside the buffer chamber 42), and the liquid level of the blocking liquid 200 on the side surface 40 d of the central concave portion 40 a is set. The surface 200e is the processing chamber 10
Is located in the internal space 10a.

【0080】このように、遮断槽34の内部34aに所
定量の遮断液200が貯留されると、当該貯留された遮
断液200の液中に本体部40の中央凹部40aの底面
40bが位置するようになるので、処理室10とバッフ
ァ室42、即ち、処理室10と当該バッファ室42の搬
入出口42cを介して連通する外部とが直接に連通する
ようなことはない。
As described above, when a predetermined amount of the blocking liquid 200 is stored in the inside 34a of the blocking tank 34, the bottom surface 40b of the central concave portion 40a of the main body 40 is located in the stored blocking liquid 200. Therefore, there is no direct communication between the processing chamber 10 and the buffer chamber 42, that is, the processing chamber 10 and the outside that communicates with the buffer chamber 42 via the loading / unloading port 42 c.

【0081】乾燥ガス吹き付けノズル44には、基板1
00の乾燥に用いられる乾燥ガスを充填したガス・タン
ク(図示せず)から乾燥ガス供給配管48を介して当該
乾燥ガスが供給され、当該乾燥ガスが基板100の表面
100aに対して噴射されることになる。
The drying gas spray nozzle 44 has the substrate 1
The dry gas is supplied from a gas tank (not shown) filled with a dry gas used for drying of the substrate 100 through a dry gas supply pipe 48, and the dry gas is jetted onto the surface 100 a of the substrate 100. Will be.

【0082】以上の構成において、被処理物たる基板1
00の処理が必要な所定の工程において、この処理装置
103を用いて基板100の処理を行う場合について説
明する。
In the above configuration, the substrate 1 as an object to be processed is
A case where the processing of the substrate 100 is performed using the processing apparatus 103 in a predetermined process requiring the processing of 00 will be described.

【0083】まず、バッファ室42の搬入出口42cか
らキャリア46に収納されている基板100をバッファ
室42内に搬入し、被処理物支持部材16上にキャリア
46を載置する(図4(a)に示す状態)。
First, the substrate 100 stored in the carrier 46 is loaded into the buffer chamber 42 from the loading / unloading port 42c of the buffer chamber 42, and the carrier 46 is placed on the workpiece support member 16 (FIG. 4 (a)). ))).

【0084】それから、キャリア46が載置された被処
理物支持部材16が図示しないモーターの駆動に応じて
移動し、キャリア46に収納された基板100はバッフ
ァ室42から遮断槽34に貯留された遮断液200中を
搬送されて処理室10に移送される(図4(a)破線矢
印参照)。
Then, the workpiece support member 16 on which the carrier 46 is mounted moves in response to the driving of a motor (not shown), and the substrate 100 stored in the carrier 46 is stored in the blocking tank 34 from the buffer chamber 42. The liquid is conveyed through the blocking liquid 200 and transferred to the processing chamber 10 (see the dotted arrow in FIG. 4A).

【0085】こうしてキャリア46が載置された被処理
物支持部材16が処理室10の内部空間10aに配設さ
れると(図4(b)に示す状態)、処理気体供給ノズル
18から処理気体が噴射され、当該噴射された処理気体
が充填された処理室10の内部空間10aにおいて、キ
ャリア46に収納されている基板100の表面100a
の処理が行われる。
When the workpiece supporting member 16 on which the carrier 46 is placed is disposed in the internal space 10a of the processing chamber 10 (the state shown in FIG. 4B), the processing gas supply nozzle 18 supplies the processing gas. Is injected, and in the internal space 10a of the processing chamber 10 filled with the injected processing gas, the surface 100a of the substrate 100 stored in the carrier 46
Is performed.

【0086】そして、上記した処理が終了すると、キャ
リア46が載置された被処理物支持部材16が図示しな
いモーターの駆動に応じて移動し、キャリア46に収納
された基板100は処理室10から遮断槽34に貯留さ
れた遮断液200中を搬送されてバッファ室42に移送
される(図4(b)破線矢印参照)。
When the above-described processing is completed, the workpiece supporting member 16 on which the carrier 46 is placed moves in response to the driving of a motor (not shown), and the substrate 100 stored in the carrier 46 is removed from the processing chamber 10. The liquid is conveyed in the blocking liquid 200 stored in the blocking tank 34 and transferred to the buffer chamber 42 (see the broken arrow in FIG. 4B).

【0087】こうして処理が行われた基板100が収納
されたキャリア46がバッファ室42内に配設されると
(図4(a)に示す状態)、乾燥ガス吹き付けノズル4
4から乾燥ガスが噴射され、当該噴射された乾燥ガスに
よりキャリア46に収納されている基板100の表面1
00aに残留する遮断液200が除去されて乾燥が行わ
れる。
When the carrier 46 containing the substrate 100 thus processed is placed in the buffer chamber 42 (the state shown in FIG. 4A), the drying gas spray nozzle 4
4, a dry gas is ejected from the surface 4 of the substrate 100 stored in the carrier 46 by the injected dry gas.
The barrier liquid 200 remaining at 00a is removed and drying is performed.

【0088】そして、当該キャリア46に収納されてい
る処理ならびに乾燥が行われた基板100を搬入出口4
2cから処理装置103の外部に搬出する。
Then, the substrate 100 stored in the carrier 46 and subjected to the drying and drying is transferred to the loading / unloading port 4.
2c is carried out of the processing device 103.

【0089】一方、処理室10の内部空間10aに充填
されている処理気体は、排気スクラバー22の吸引力に
よって排気用配管24を介して処理室10の外部へと吸
引され、当該排気スクラバー22における処理が行われ
た後、この処理装置103の外部に排気される。
On the other hand, the processing gas filled in the internal space 10 a of the processing chamber 10 is sucked to the outside of the processing chamber 10 through the exhaust pipe 24 by the suction force of the exhaust scrubber 22, and After the processing is performed, the air is exhausted outside the processing apparatus 103.

【0090】上記したようにして、本発明による処理装
置の第3の実施の形態においては、処理装置103内へ
の基板100の搬入あるいは処理装置103外への基板
100の搬出はバッファ室42において行われ、処理室
10の内部空間10aは遮断槽34に貯留された遮断液
200により外部から遮断されて密閉された状態とな
り、当該遮断槽34に貯留された遮断液200中を基板
100が搬送されるので、処理室10における基板10
0の搬入あるいは搬出に際して、処理室10に充填され
た処理気体が処理室10の外部に漏れ出すことを回避す
ることができる。
As described above, in the third embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the loading of the substrate 100 into or out of the processing apparatus 103 is performed in the buffer chamber 42. Then, the internal space 10a of the processing chamber 10 is shut off from the outside by the shut-off liquid 200 stored in the shut-off tank 34 to be in a sealed state, and the substrate 100 is transported in the shut-off liquid 200 stored in the shut-off tank 34. The substrate 10 in the processing chamber 10
When loading or unloading 0, the processing gas filled in the processing chamber 10 can be prevented from leaking out of the processing chamber 10.

【0091】また、本発明による処理装置の第3の実施
の形態においては、処理室10の内部空間10aに充填
された処理気体を置換用のガスに置換する置換処理の必
要がなく、さらに、処理装置103における基板100
の搬入出の際には、開閉扉を開閉することなく、単に基
板100を遮断液200中において搬入出させればよい
ので、搬入出を効率よく行なうことができ、加えて、キ
ャリア46には複数枚の基板100を収納することがで
きるので、同時に複数枚の基板100を処理室10にお
いて処理することが可能となり、処理装置103におけ
る基板処理の処理効率を向上することができる。
Further, in the third embodiment of the processing apparatus according to the present invention, there is no need to perform a replacement process for replacing the processing gas filled in the internal space 10a of the processing chamber 10 with a replacement gas. Substrate 100 in processing apparatus 103
When loading and unloading, the substrate 100 can be simply loaded and unloaded in the shut-off liquid 200 without opening and closing the opening / closing door, so that loading and unloading can be performed efficiently. Since a plurality of substrates 100 can be accommodated, a plurality of substrates 100 can be simultaneously processed in the processing chamber 10, and the processing efficiency of the substrate processing in the processing apparatus 103 can be improved.

【0092】さらにまた、本発明による処理装置の第3
の実施の形態においては、処理室10の内部空間10a
に充填された処理気体を置換用のガスに置換する置換処
理の必要がないので、処理装置において消費される処理
気体の量が膨大な量になることを回避することができ
る。
Further, the third embodiment of the processing apparatus according to the present invention
In the embodiment, the internal space 10a of the processing chamber 10 is
There is no need for a replacement process for replacing the processing gas filled in the processing gas with a replacement gas, so that the amount of the processing gas consumed in the processing apparatus can be prevented from becoming enormous.

【0093】そして、本発明による処理装置の第3の実
施の形態においては、遮断槽34に貯留された所定量の
遮断液200により、処理室10の内部空間10aが外
部から遮断されて密閉された状態となるので、シール・
パッキンを配設する必要はなく、当該シール・パッキン
の劣化に伴って処理室10の内部空間10aに充填され
ている処理気体が外部に漏れ出すことを回避することが
できる。
In the third embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the internal space 10a of the processing chamber 10 is sealed off from the outside by a predetermined amount of the blocking liquid 200 stored in the blocking tank 34. In a sealed state.
There is no need to provide a packing, and it is possible to prevent the processing gas filled in the internal space 10a of the processing chamber 10 from leaking out due to the deterioration of the seal / packing.

【0094】なお、上記した本発明による処理装置の第
3の実施の形態において、遮断槽34に貯留される遮断
液200の温度を制御する温度制御手段として、例え
ば、液加熱器や液加熱用ヒーターなどを配設するように
してもよい。
In the above-described third embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the temperature control means for controlling the temperature of the shut-off liquid 200 stored in the shut-off tank 34 includes, for example, a liquid heater or a liquid heater. A heater or the like may be provided.

【0095】当該温度制御手段により遮断槽34に貯留
される遮断液200の温度が高温に保持されるようにす
ると、処理室10における処理が行われた基板100を
処理室10から高温の遮断液200中を搬送し、当該高
温の遮断液200中から引き上げてバッファ室42に配
設する際に、基板100が引き上げ乾燥されることとな
る。
When the temperature of the shut-off liquid 200 stored in the shut-off tank 34 is maintained at a high temperature by the temperature control means, the substrate 100 processed in the processing chamber 10 is removed from the processing chamber 10 by the high-temperature shut-off liquid. The substrate 100 is pulled up and dried when it is transported through the inside 200 and is pulled up from the high-temperature blocking liquid 200 and placed in the buffer chamber 42.

【0096】そして、このような基板100の引き上げ
乾燥の後、基板100に残留する遮断液200の少量の
水滴は、バッファ室42において乾燥ガス吹き付けノズ
ル44から噴射された乾燥ガスにより除去されるので、
処理装置103における基板100の乾燥を一層確実に
行うことができるとともに基板100乾燥の処理効率を
向上することができる。
After the substrate 100 is pulled up and dried, a small amount of water droplets of the blocking liquid 200 remaining on the substrate 100 is removed in the buffer chamber 42 by the dry gas sprayed from the dry gas spray nozzle 44. ,
Drying of the substrate 100 in the processing apparatus 103 can be performed more reliably, and the processing efficiency of drying the substrate 100 can be improved.

【0097】また、上記した本発明による処理装置の第
3の実施の形態において、遮断槽34に貯留される遮断
液200中に噴流ノズルを配設するようにしてもよい。
In the above-described third embodiment of the processing apparatus according to the present invention, a jet nozzle may be provided in the blocking liquid 200 stored in the blocking tank 34.

【0098】当該噴流ノズルにより遮断液200に貯留
されている遮断液200中に水流を生ぜしめ、こうして
水流が生じている遮断液200中を基板100を搬送す
ると、遮断液200中における基板100の搬送時に、
基板100を洗浄することができるようになる。
The jet nozzle generates a water flow in the shut-off liquid 200 stored in the shut-off liquid 200. When the substrate 100 is transported in the shut-off liquid 200 in which the water flow is generated, the substrate 100 in the shut-off liquid 200 is removed. During transport,
The substrate 100 can be cleaned.

【0099】次に、図5は、本発明による処理装置の第
4の実施の形態の一部を破断して示した概略構成説明図
が示されており、図5において、図1乃至図4と同一あ
るいは相当する構成に関しては、図1乃至図4において
用いた符号と同一の符号を用いて示すことにより、その
詳細な構成および作用の説明は省略する。
Next, FIG. 5 is a schematic structural explanatory view showing a part of a fourth embodiment of a processing apparatus according to the present invention, which is cut away, and FIG. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals as those used in FIGS. 1 to 4, and detailed description of the configuration and operation is omitted.

【0100】ここで、本発明の第4の実施の形態の処理
装置104と上記した本発明の第1の実施の形態の処理
装置101とを比較すると、本発明の第1の実施の形態
の処理装置101においては、遮断槽14に貯留された
遮断液200により処理室10の内部空間10aが外部
から遮断されて密閉された状態となるのに対して、本発
明の第4の実施の形態の処理装置104においては、搬
入側遮断室54ならびに搬出側遮断室64に貯留された
遮断液200により処理室10の内部空間10aが外部
から遮断されて密閉された状態となる点において、本発
明の第1の実施の形態の処理装置101と異なってい
る。
Here, a comparison between the processing apparatus 104 according to the fourth embodiment of the present invention and the processing apparatus 101 according to the first embodiment of the present invention will be described. In the processing apparatus 101, the internal space 10a of the processing chamber 10 is shut off from the outside by the shut-off liquid 200 stored in the shut-off tank 14 and is sealed, whereas the fourth embodiment of the present invention The processing apparatus 104 of the present invention is characterized in that the internal space 10a of the processing chamber 10 is sealed off from the outside by the shut-off liquid 200 stored in the loading-side shut-off chamber 54 and the unloading-side shut-off chamber 64, and is sealed. Is different from the processing apparatus 101 of the first embodiment.

【0101】即ち、本発明による処理装置の第4の実施
の形態104においては、列状に連なって配設された搬
送ローラー50と、搬送ローラー50の列に沿って順次
配設された搬入側バッファ室52と、搬入側遮断室54
と、処理室10と、搬出側遮断室64と、搬出側バッフ
ァ室62とを有して構成されている。
That is, in the fourth embodiment 104 of the processing apparatus according to the present invention, the transport rollers 50 arranged in a row and the loading side sequentially arranged along the rows of the transport rollers 50 are arranged. Buffer room 52 and carry-in side shut-off room 54
, The processing chamber 10, the unloading-side shut-off chamber 64, and the unloading-side buffer chamber 62.

【0102】そして、列状に連なる搬送ローラー50
は、当該搬送ローラー50の回転によって被処理物たる
基板100を搬送するものであり、搬送ローラー50に
よって搬送される基板100は順次、搬入側バッファ室
52の側壁部52aに穿設された搬入口52bより搬入
側バッファ室52に移送され、搬入側遮断室54の側壁
部54aに穿設された遮断室搬入口54bより搬入側遮
断室54に移送され、処理室10の側壁部10bに穿設
された処理室搬入口10nより処理室10に移送され、
処理室10の側壁部10bに穿設された処理室搬出口1
0pより搬出側遮断室64に移送され、搬出側遮断室6
4の側壁部64aに穿設された遮断室搬出口64bより
搬出側バッファ室62に移送され、搬出側バッファ室6
2の側壁部62aに穿設された搬出口62bより処理装
置104の外部に搬出されることになる。
Then, the transport rollers 50 which are arranged in a row
Transports the substrate 100 as an object to be processed by the rotation of the transport roller 50, and the substrates 100 transported by the transport roller 50 are sequentially transferred to the loading port formed in the side wall 52 a of the loading buffer chamber 52. The transfer chamber 52 is transferred to the load-side buffer chamber 52, the transfer chamber 52 is transferred to the transfer-side cut-off chamber 54 through the cut-off chamber transfer port 54b formed in the side wall 54a of the transfer-side cut-off chamber 54, and is formed in the side wall 10b of the processing chamber 10. Transferred to the processing chamber 10 from the processing chamber loading port 10n
Processing chamber carry-out port 1 pierced in side wall 10b of processing chamber 10
0p to the unloading-side shut-off chamber 64,
4 is transferred to the unloading-side buffer chamber 62 from the shut-off chamber unloading port 64b formed in the side wall 64a of the unloading-side buffer chamber 6.
It is carried out of the processing apparatus 104 from the carry-out port 62b formed in the second side wall 62a.

【0103】ここで、処理室10には、搬送ローラー5
0に載置された基板100と対向するようにして配設さ
れ処理気体を噴射する処理気体供給ノズル18が配設さ
れており、また、搬出側バッファ室62には基板100
の乾燥に用いられるエアー・ナイフ60が配設されてい
る。
Here, the transport roller 5 is provided in the processing chamber 10.
The processing gas supply nozzle 18 which is disposed so as to face the substrate 100 mounted on the substrate 0 and injects the processing gas is disposed.
An air knife 60 used for drying is provided.

【0104】そして、搬入側遮断室54ならびに搬出側
遮断室64にはそれぞれ、遮断液供給口56、66が配
設されており、当該遮断液供給口56、66は所定の流
量で遮断液200を供給するものである。
The carry-in shut-off chamber 54 and the carry-out shut-off chamber 64 are provided with shut-off liquid supply ports 56, 66, respectively. Is to supply.

【0105】この際、図5において破線矢印で示すよう
に、遮断液供給口56により搬入側遮断室54に供給さ
れた遮断液200は、遮断室搬入口54bから搬入側バ
ッファ室52に流入するとともに処理室搬入口10nか
ら処理室10に流入し、また、遮断液供給口66により
搬出側遮断室64に供給された遮断液200は、遮断室
搬出口64bから搬出側バッファ室62に流入するとと
もに処理室搬入出口10pから処理室10に流入する。
At this time, as indicated by the dashed arrow in FIG. 5, the shut-off liquid 200 supplied to the load-side shut-off chamber 54 through the shut-off liquid supply port 56 flows into the load-side buffer chamber 52 from the shut-off chamber transfer inlet 54b. At the same time, the shut-off liquid 200 supplied to the discharge side shut-off chamber 64 through the shut-off liquid supply port 66 flows into the discharge side buffer chamber 62 from the shut-off chamber discharge port 64b. At the same time, it flows into the processing chamber 10 from the processing chamber loading / unloading port 10p.

【0106】そして、処理室10、搬入側バッファ室5
2ならびに搬出側バッファ室62に流入した遮断液20
0はそれぞれ、図示しない排水口より処理装置104の
外部に排水され、搬入側遮断室54ならびに搬出側遮断
室64に貯留される遮断液200は常に新しい遮断液2
00に交換されているものである。
The processing chamber 10 and the loading-side buffer chamber 5
2 and the shut-off liquid 20 flowing into the unloading side buffer chamber 62
0 is drained to the outside of the processing device 104 from a drain port (not shown), and the shut-off liquid 200 stored in the carry-in shut-off chamber 54 and the carry-out shut-off chamber 64 is always a new shut-off liquid 2.
00 has been exchanged.

【0107】その結果、遮断液200は遮断液供給口5
6、66から所定の流量で供給されているので、搬入側
遮断室54において遮断液200の液面200fは処理
室搬入口10nより上方に位置し、搬出側遮断室64に
おいて遮断液200の液面200gは処理室搬出口10
pより上方に位置するとともに、搬入側バッファ室52
において遮断液200の液面200hは搬入口52bよ
り下方に位置し、処理室10において遮断液200の液
面200iは処理室搬入口10nと処理室搬出口10p
の下方に位置し、搬出側バッファ室62において遮断液
200の液面200jは搬出口62bより下方に位置す
るものである。
As a result, the blocking liquid 200 is supplied to the blocking liquid supply port 5
6 and 66, the liquid level 200f of the shut-off liquid 200 is located above the processing chamber carry-in port 10n in the carry-in side shut-off chamber 54, and the liquid level of the shut-off liquid 200 is The surface 200g is the processing chamber exit 10
p, and the loading-side buffer chamber 52
, The liquid level 200h of the shut-off liquid 200 is located below the carry-in port 52b, and the liquid level 200i of the shut-off liquid 200 in the process chamber 10 is changed to the process chamber carry-in port 10n and the process chamber carry-out port 10p.
, The liquid level 200j of the shut-off liquid 200 in the discharge-side buffer chamber 62 is positioned lower than the discharge port 62b.

【0108】このようにして、搬入側バッファ室52
と、搬入側遮断室54と、処理室10と、搬出側遮断室
64ならびに搬出側バッファ室62とにそれぞれ遮断液
200が貯留されると、処理室10の内部空間10aと
外部とが、処理室搬入口10n、遮断室搬入口54bな
らびに搬入口52bを介して、あるいは処理室搬出口1
0p、遮断室搬出口64bならびに搬出口62bを介し
て直接に連通することはない。
In this way, the loading buffer room 52
When the shut-off liquid 200 is stored in the carry-in shut-off chamber 54, the processing chamber 10, the discharge-side shut-off chamber 64, and the discharge-side buffer chamber 62, respectively, the internal space 10a and the outside of the process chamber 10 Through the chamber entrance 10n, the shut-off room entrance 54b and the entrance 52b, or the treatment room exit 1
0p, there is no direct communication through the shut-off port 64b and the outlet 62b.

【0109】以上の構成において、被処理物たる基板1
00の処理が必要な所定の工程において、この処理装置
104を用いて基板100の処理を行う場合について説
明する。
In the above configuration, the substrate 1 to be processed is
A case where the processing of the substrate 100 is performed using the processing apparatus 104 in a predetermined process requiring the processing of 00 will be described.

【0110】まず、遮断液供給口56、66から所定の
流量で遮断液200が供給され、搬入側遮断室54なら
びに搬出側遮断室64に遮断液200が貯留される一
方、基板100は、搬送ローラー50によって搬入口5
2bから搬入側バッファ室52に移送され、さらに、遮
断室搬入口54bから搬入側遮断室54に移送される。
First, the shut-off liquid 200 is supplied at a predetermined flow rate from the shut-off liquid supply ports 56 and 66, and the shut-off liquid 200 is stored in the loading-side shut-off chamber 54 and the discharge-side shut-off chamber 64, while the substrate 100 is transferred. Loading entrance 5 by roller 50
2b, it is transferred to the loading-side buffer chamber 52, and further transferred to the loading-side blocking chamber 54 from the blocking chamber loading port 54b.

【0111】そして、基板100は搬入側遮断室54に
おいて当該搬入側遮断室54に貯留された遮断液200
中を搬送されて、処理室搬入口10nから処理室10に
移送される。
Then, the substrate 100 is filled with the shut-off liquid 200 stored in the load-side shut-off chamber 54 in the load-side shut-off chamber 54.
It is conveyed inside and transferred to the processing chamber 10 from the processing chamber entrance 10n.

【0112】こうして基板100が処理室10の内部空
間10aに配設されると、処理気体供給ノズル18から
処理気体が噴射され、当該噴射された処理気体が充填さ
れた処理室10の内部空間10aにおいて、搬送ローラ
ー50に載置されている基板100の表面100aの処
理が行われる。
When the substrate 100 is disposed in the internal space 10a of the processing chamber 10, the processing gas is injected from the processing gas supply nozzle 18, and the internal space 10a of the processing chamber 10 filled with the injected processing gas is injected. In, processing of the surface 100a of the substrate 100 placed on the transport roller 50 is performed.

【0113】そして、上記した処理が終了すると、処理
が行われた基板100は搬送ローラー50によって処理
室搬出口10pから搬出側遮断室64に移送され、当該
搬出側遮断室64に貯留された遮断液200中を搬送さ
れて、遮断室搬出口64bから搬出側バッファ室62に
移送される。
When the above-described processing is completed, the processed substrate 100 is transferred from the processing chamber carry-out port 10p to the carry-out side shut-off chamber 64 by the transfer roller 50, and is stored in the carry-out side shut-off chamber 64. It is conveyed in the liquid 200 and is transferred from the shut-off chamber discharge port 64b to the discharge buffer chamber 62.

【0114】こうして処理が行われた基板100が搬出
側バッファ室62内に配設されると、エアー・ナイフ6
0により基板100の表面100aに残留する遮断液2
00が除去されて乾燥が行われ、当該処理ならびに乾燥
が行われた基板100は搬送ローラー50によって搬出
口62bから処理装置104の外部に搬出される。
When the substrate 100 thus processed is placed in the unloading buffer chamber 62, the air knife 6
0, the blocking liquid 2 remaining on the surface 100a of the substrate 100
00 is removed and drying is performed, and the substrate 100 on which the processing and the drying are performed is carried out of the processing device 104 from the carry-out port 62b by the transport roller 50.

【0115】上記したようにして、本発明による処理装
置の第4の実施の形態においては、処理装置104内へ
の基板100の搬入は搬入側バッファ室52において行
われるとともに処理装置104外への基板100の搬出
は搬出側バッファ室62において行われ、処理室10の
内部空間10aは搬入側遮断室54ならびに搬出側遮断
室64に貯留された遮断液200により外部から遮断さ
れて密閉された状態となり、当該搬入側遮断室54なら
びに搬出側遮断室64に貯留された遮断液200中を基
板100が搬送されるので、処理室10における基板1
00の搬入あるいは搬出に際して、処理室10に充填さ
れた処理気体が処理室10の外部に漏れ出すことを回避
することができる。
As described above, in the fourth embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the loading of the substrate 100 into the processing apparatus 104 is performed in the loading-side buffer chamber 52 and at the same time, the processing is performed outside the processing apparatus 104. The unloading of the substrate 100 is performed in the unloading-side buffer chamber 62, and the internal space 10 a of the processing chamber 10 is sealed off from the outside by the shut-off liquid 200 stored in the unloading-side shut-off chamber 54 and the unloading-side shut-off chamber 64 and is sealed. Since the substrate 100 is transported in the shut-off liquid 200 stored in the load-side shut-off chamber 54 and the discharge-side shut-off chamber 64, the substrate 1 in the processing chamber 10
When loading or unloading 00, the processing gas filled in the processing chamber 10 can be prevented from leaking out of the processing chamber 10.

【0116】また、本発明による処理装置の第4の実施
の形態においては、処理室10の内部空間10aに充填
された処理気体を置換用のガスに置換する置換処理の必
要がないとともに、処理装置104における基板100
の搬入出の際には、開閉扉を開閉することなく、単に基
板100を遮断液200中において搬入出させればよい
ので、搬入出を効率よく行なうことができるようにな
り、処理装置104における基板処理の処理効率を向上
することができるともに、処理装置において消費される
処理気体の量が膨大な量になることを回避することがで
きる。
Further, in the fourth embodiment of the processing apparatus according to the present invention, there is no need for the replacement process for replacing the processing gas filled in the internal space 10a of the processing chamber 10 with the replacement gas, and the processing is not performed. Substrate 100 in device 104
When loading and unloading, the substrate 100 may be simply loaded and unloaded in the shut-off liquid 200 without opening and closing the opening / closing door, so that loading and unloading can be performed efficiently. The processing efficiency of the substrate processing can be improved, and the amount of processing gas consumed in the processing apparatus can be prevented from becoming enormous.

【0117】さらに、本発明による処理装置の第4の実
施の形態においては、搬入側遮断室54ならびに搬出側
遮断室64に貯留された所定量の遮断液200により、
処理室10の内部空間10aが外部から遮断されて密閉
された状態となるので、シール・パッキンを配設する必
要はなく、当該シール・パッキンの劣化に伴って処理室
10の内部空間10aに充填されている処理気体が外部
に漏れ出すことを回避することができる。
Furthermore, in the fourth embodiment of the processing apparatus according to the present invention, a predetermined amount of the shut-off liquid 200 stored in the carry-in shut-off chamber 54 and the carry-out shut-off chamber 64 is used.
Since the internal space 10a of the processing chamber 10 is shut off from the outside and becomes a sealed state, there is no need to provide a seal and packing, and the internal space 10a of the processing chamber 10 is filled with the deterioration of the seal and packing. It is possible to prevent the processed gas from leaking to the outside.

【0118】さらにまた、本発明による処理装置の第4
の実施の形態においては、搬送ローラー50によって1
枚ずつ順次基板100が搬送されるので、基板100を
枚葉毎に処理することができるようになり、効果的な処
理を行うことができるようになる。
Furthermore, the fourth embodiment of the processing apparatus according to the present invention
In the embodiment, the transport roller 50
Since the substrates 100 are sequentially transported one by one, the substrates 100 can be processed for each sheet, and effective processing can be performed.

【0119】なお、上記した第3の実施の形態の処理装
置103(図4参照)においては、基板100の処理室
10への搬入と搬出が同一の遮断槽34に貯留された遮
断液200中において行われるのに対して、上記した本
発明による処理装置の第4の実施の形態においては、基
板100の処理室10への搬入と搬出が異なる搬入側遮
断室54、搬出側遮断室64に貯留された遮断液200
中において行われ、当該搬入側遮断室54に貯留される
遮断液200の温度を制御する温度制御手段として、例
えば、液加熱器や液加熱用ヒーターなどを配設するよう
にしてもよい。
In the processing apparatus 103 of the third embodiment (see FIG. 4), the loading and unloading of the substrate 100 into and from the processing chamber 10 is performed in the shut-off liquid 200 stored in the same shut-off tank 34. In the above-described fourth embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the loading and unloading chambers 54 and 64 for loading and unloading the substrate 100 into and from the processing chamber 10 are different. Stored barrier fluid 200
For example, a liquid heater or a heater for liquid heating may be provided as temperature control means for controlling the temperature of the shut-off liquid 200 stored in the carry-in side shut-off chamber 54.

【0120】当該温度制御手段によって搬入側遮断室5
4に貯留される遮断液200の温度を制御することによ
り、当該遮断液200中を搬送される基板100の温度
を制御することができるので、処理室10に搬入される
基板100の温度を処理において最適な温度とすること
により、処理装置104における基板100の処理を一
層効果的に行うことができるようになる。
By the temperature control means, the carry-in side shut-off chamber 5
By controlling the temperature of the blocking liquid 200 stored in the processing liquid 4, the temperature of the substrate 100 transported in the blocking liquid 200 can be controlled. By setting the temperature at the optimum temperature, the processing of the substrate 100 in the processing apparatus 104 can be performed more effectively.

【0121】次に、図6は、本発明による処理装置の第
5の実施の形態の一部を破断して示した概略構成説明図
が示されており、図6において、図1乃至図5と同一あ
るいは相当する構成に関しては、図1乃至図5において
用いた符号と同一の符号を用いて示すことにより、その
詳細な構成および作用の説明は省略する。
FIG. 6 is a schematic structural explanatory view of a processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention, which is partially cut away, and FIG. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals as those used in FIGS. 1 to 5, and detailed description of the configuration and operation is omitted.

【0122】ここで、本発明の第5の実施の形態の処理
装置105と上記した本発明の第1の実施の形態の処理
装置101とを比較すると、本発明の第1の実施の形態
の処理装置101においては、遮断槽14に貯留された
遮断液200により処理室10の内部空間10aが外部
から遮断されて密閉された状態となるのに対して、本発
明の第5の実施の形態の処理装置105においては、シ
ャワー・カーテン用ノズル70、72、74、76から
噴射された遮断液200により処理室10の内部空間1
0aが外部から遮断されて密閉された状態となる点にお
いて、本発明の第1の実施の形態の処理装置101と異
なっている。
Here, a comparison between the processing apparatus 105 according to the fifth embodiment of the present invention and the processing apparatus 101 according to the first embodiment of the present invention will be described. In the processing apparatus 101, the internal space 10a of the processing chamber 10 is shut off from the outside by the shut-off liquid 200 stored in the shut-off tank 14 and becomes hermetically closed. In the processing apparatus 105, the inner space 1 of the processing chamber 10 is controlled by the shut-off liquid 200 sprayed from the shower / curtain nozzles 70, 72, 74, 76.
The processing apparatus 101 according to the first embodiment of the present invention is different from the processing apparatus 101 according to the first embodiment in that Oa is shut off from the outside and becomes a sealed state.

【0123】なお、上記した第4の実施の形態の処理装
置104と、第5の実施の形態の処理装置105とを比
較すると、第5の実施の形態の処理装置105において
は、搬入側遮断室54ならびに搬出側遮断室64それぞ
れには遮断液供給口56、66は配設されておらず、搬
入側バッファ室52における遮断室搬入口54b近傍に
シャワー・カーテン用ノズル70が配設され、搬入側遮
断室54における処理室搬入口10n近傍にシャワー・
カーテン用ノズル72が配設され、搬出側遮断室64に
おける処理室搬出口10p近傍にシャワー・カーテン用
ノズル74が配設され、搬出側バッファ室62における
遮断室搬出口64b近傍にシャワー・カーテン用ノズル
76が配設されている点において、上記した第4の実施
の形態の処理装置104と異なっている。
When the processing device 104 according to the fourth embodiment is compared with the processing device 105 according to the fifth embodiment, the processing device 105 according to the fifth embodiment has a loading-side shutoff. The shut-off liquid supply ports 56 and 66 are not provided in the chamber 54 and the discharge-side shut-off chamber 64, respectively. A shower / curtain nozzle 70 is disposed near the shut-off chamber transfer port 54b in the load-side buffer chamber 52. A shower is provided in the vicinity of the processing chamber entrance 10n in the entrance-side shut-off chamber 54.
A curtain nozzle 72 is provided, and a shower / curtain nozzle 74 is provided near the processing chamber outlet 10p in the unloading side shut-off chamber 64. A shower curtain nozzle is provided near the shut-off chamber outlet 64b in the unloading side buffer chamber 62. The point that the nozzle 76 is provided is different from the processing apparatus 104 of the above-described fourth embodiment.

【0124】ここで、シャワー・カーテン用ノズル7
0、72、74、76はそれぞれ、遮断室搬入口54
b、処理室搬入口10n、処理室搬出口10pならびに
遮断室搬出口64bの近傍に配設され、当該シャワー・
カーテン用ノズル70、72、74、76から遮断液2
00を噴射して遮断液200のシャワー・カーテンを形
成し、当該シャワー・カーテンにより遮断室搬入口54
b、処理室搬入口10n、処理室搬出口10pならびに
遮断室搬出口64bをそれぞれ遮断するものである。
Here, the shower / curtain nozzle 7
0, 72, 74, and 76 respectively indicate the shut-in
b, the processing chamber carry-in port 10n, the processing chamber carry-out port 10p, and the shut-off room carry-out port 64b
Cut-off liquid 2 from curtain nozzles 70, 72, 74, 76
00 to form a shower curtain of the shut-off liquid 200, and the shower curtain causes the shut-off room entrance 54.
b, the processing chamber carry-in port 10n, the processing chamber carry-out port 10p, and the shut-off chamber carry-out port 64b.

【0125】以上の構成において、被処理物たる基板1
00の処理が必要な所定の工程において、この処理装置
105を用いて基板100の処理を行う場合について説
明する。
In the above configuration, the substrate 1 to be processed is
A case where the processing of the substrate 100 is performed using the processing apparatus 105 in a predetermined process requiring the processing of 00 will be described.

【0126】まず、シャワー・カーテン用ノズル70、
72、74、76から遮断液200が噴射され、遮断液
200のシャワー・カーテンにより遮断室搬入口54
b、処理室搬入口10n、処理室搬出口10pならびに
遮断室搬出口64bがそれぞれ遮断される一方、基板1
00は搬送ローラー50によって搬入口52bから搬入
側バッファ室52に移送される。
First, the shower / curtain nozzle 70,
The shut-off liquid 200 is injected from 72, 74, and 76, and the shut-off chamber carrying-in port 54 is formed by the shower curtain of the shut-off liquid 200.
b, the processing chamber carry-in port 10n, the processing chamber carry-out port 10p, and the shut-off chamber carry-out port 64b are shut off, respectively.
00 is transferred from the carry-in entrance 52b to the carry-in side buffer chamber 52 by the carry roller 50.

【0127】そして、搬入側バッファ室52に配設され
た基板100は、シャワー・カーテン用ノズル70によ
って形成される遮断液200のシャワー・カーテンを通
り抜けて、遮断室搬入口54bから搬入側遮断室54に
移送され、さらに、シャワー・カーテン用ノズル72に
よって形成される遮断液200のシャワー・カーテンを
通り抜けて、処理室搬入口10nから処理室10に移送
される。
Then, the substrate 100 disposed in the loading-side buffer chamber 52 passes through the shower curtain of the blocking liquid 200 formed by the shower-curtain nozzle 70, and passes through the blocking-room loading port 54b to the loading-side blocking chamber. The transfer liquid passes through the shower curtain of the blocking liquid 200 formed by the shower curtain nozzle 72 and is transferred to the processing chamber 10 from the processing chamber carrying-in port 10n.

【0128】こうして基板100が処理室10の内部空
間10aに配設されると、処理気体供給ノズル18から
処理気体が噴射され、当該噴射された処理気体が充填さ
れた処理室10の内部空間10aにおいて、搬送ローラ
ー50に載置されている基板100の表面100aの処
理が行われる。
When the substrate 100 is disposed in the internal space 10a of the processing chamber 10, the processing gas is injected from the processing gas supply nozzle 18 and the internal space 10a of the processing chamber 10 filled with the injected processing gas. In, processing of the surface 100a of the substrate 100 placed on the transport roller 50 is performed.

【0129】そして、上記した処理が終了すると、処理
が行われた基板100は搬送ローラー50によって、シ
ャワー・カーテン用ノズル74によって形成される遮断
液200のシャワー・カーテンを通り抜けて、処理室搬
出口10pから搬出側遮断室64に移送され、さらに、
シャワー・カーテン用ノズル76によって形成される遮
断液200のシャワー・カーテンを通り抜けて、遮断室
搬出口64bから搬出側バッファ室62に移送される。
When the above-described processing is completed, the processed substrate 100 passes through the shower curtain of the shut-off liquid 200 formed by the shower curtain nozzle 74 by the transport roller 50 and is taken out of the processing chamber. From 10p, it is transferred to the unloading side shut-off chamber 64,
After passing through the shower curtain of the blocking liquid 200 formed by the shower curtain nozzle 76, it is transferred from the blocking chamber discharge port 64 b to the discharge buffer chamber 62.

【0130】こうして処理が行われた基板100が搬出
側バッファ室62内に配設されると、エアー・ナイフ6
0により基板100の表面100aに残留する遮断液2
00が除去されて乾燥が行われ、当該処理ならびに乾燥
が行われた基板100は搬送ローラー50によって搬出
口62bから処理装置105の外部に搬出される。
When the substrate 100 thus processed is placed in the unloading buffer chamber 62, the air knife 6
0, the blocking liquid 2 remaining on the surface 100a of the substrate 100
00 is removed and drying is performed, and the substrate 100 on which the processing and the drying have been performed is carried out of the processing apparatus 105 from the carry-out port 62b by the transport roller 50.

【0131】上記したようにして、本発明による処理装
置の第5の実施の形態においては、処理装置105内へ
の基板100の搬入は搬入側バッファ室52において行
われるとともに処理装置104外への基板100の搬出
は搬出側バッファ室62において行われ、処理室10の
内部空間10aはシャワー・カーテン用ノズル70、7
2、74、76によって形成される遮断液200のシャ
ワー・カーテンにより外部から遮断されて密閉された状
態となり、当該シャワー・カーテン用ノズル70、7
2、74、76によって形成される遮断液200のシャ
ワー・カーテンを通り抜けて基板100が搬送されるの
で、処理室10における基板100の搬入あるいは搬出
に際して、処理気体が処理室10の外部に漏れ出すこと
を回避することができる。
As described above, in the fifth embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the loading of the substrate 100 into the processing apparatus 105 is performed in the loading-side buffer chamber 52 and the processing apparatus 104 is loaded outside the processing apparatus 104. The unloading of the substrate 100 is performed in the unloading buffer chamber 62, and the inner space 10a of the processing chamber 10 is provided with the nozzles 70, 7
The shower / curtain nozzles 70 and 7 are shut off from the outside by the shower / curtain of the shut-off liquid 200 formed by 2, 74 and 76 and become sealed.
Since the substrate 100 is transported through the shower curtain of the blocking liquid 200 formed by 2, 74, and 76, the processing gas leaks out of the processing chamber 10 when the substrate 100 is loaded or unloaded in the processing chamber 10. That can be avoided.

【0132】また、本発明による処理装置の第5の実施
の形態においては、処理室10の内部空間10aに充填
された処理気体を置換用のガスに置換する置換処理の必
要がないので、処理装置104における基板処理の処理
効率を向上することができるともに、処理装置において
消費される処理気体の量が膨大な量になることを回避す
ることができる。
In the fifth embodiment of the processing apparatus according to the present invention, there is no need to perform a replacement process for replacing the processing gas filled in the internal space 10a of the processing chamber 10 with a replacement gas. The processing efficiency of the substrate processing in the apparatus 104 can be improved, and the amount of processing gas consumed in the processing apparatus can be prevented from becoming enormous.

【0133】さらに、本発明による処理装置の第5の実
施の形態においては、シャワー・カーテン用ノズル7
0、72、74、76によって形成される遮断液200
によるシャワー・カーテンにより、処理室10の内部空
間10aが外部から遮断されて密閉された状態となるの
で、シール・パッキンを配設する必要はなく、当該シー
ル・パッキンの劣化に伴って処理室10の内部空間10
aに充填されている処理気体が外部に漏れ出すことを回
避することができる。
Further, in the fifth embodiment of the processing apparatus according to the present invention, the shower curtain nozzle 7
Blocking liquid 200 formed by 0, 72, 74, 76
, The interior space 10a of the processing chamber 10 is shielded from the outside and becomes a hermetically closed state, so that it is not necessary to provide a seal packing, and the processing chamber 10 is deteriorated due to the deterioration of the seal packing. Interior space 10
It is possible to prevent the processing gas filled in a from leaking to the outside.

【0134】さらにまた、本発明による処理装置の第5
の実施の形態においては、搬送ローラー50によって順
次1枚ずつ基板100が搬送されるので、基板100を
枚葉毎に処理することができるようになり、効果的な処
理を行うことができるようになる。
Furthermore, the fifth embodiment of the processing apparatus according to the present invention
In the embodiment, the substrates 100 are sequentially transported one by one by the transport roller 50, so that the substrates 100 can be processed for each sheet, so that effective processing can be performed. Become.

【0135】なお、上記した実施の形態においては、被
処理物として基板100を用いるようにしたが、これに
限られるものではないことは勿論であり、電子部品など
を被処理物として用いるようにしてもよく、その際に
は、当該被処理物の形状等に対応した被処理物支持部材
16やキャリア46を用いるとよい。
In the above-described embodiment, the substrate 100 is used as an object to be processed. However, the present invention is not limited to this, and electronic components and the like may be used as an object to be processed. In that case, it is preferable to use the workpiece support member 16 and the carrier 46 corresponding to the shape of the workpiece.

【0136】また、上記した実施の形態においては、被
処理物たる基板100の表面100aが処理気体により
処理されて表面処理が行われるようにしたが、当該表面
処理に限られるものではなく、被処理物が処理気体によ
り処理されるようにすればよい。
In the above embodiment, the surface 100a of the substrate 100 to be processed is processed by the processing gas to perform the surface processing. However, the present invention is not limited to the surface processing. What is necessary is just to make it to process a processed material with a processing gas.

【0137】なお、上記した実施の形態においては、遮
断液200としては処理気体供給ノズル18から噴射さ
れる処理気体が溶解しないような組成の液体、または、
溶解するとしてもごく少量の処理気体しか溶解しないよ
うな組成の液体を用いるようにしたが、これに限られる
ものではないことは勿論であり、処理気体供給ノズル1
8から噴射される処理気体が溶解し易い組成の液体を遮
断液として用いるようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the shut-off liquid 200 is a liquid having a composition such that the processing gas injected from the processing gas supply nozzle 18 does not dissolve, or
Although a liquid having a composition in which only a small amount of the processing gas is dissolved is used, it is needless to say that the processing gas supply nozzle 1 is not limited to this.
A liquid having a composition in which the processing gas injected from 8 is easily dissolved may be used as the blocking liquid.

【0138】この際、処理気体が溶解し易い組成の液体
を遮断液として用いる場合には、当該遮断液に予め処理
気体を溶解して飽和溶液とし、当該処理気体の飽和溶液
たる遮断液を用いるようにすると、処理気体が遮断液に
溶解してしまって処理室10の内部空間10aに充填さ
れている処理気体の濃度が低下することを防止できる。
At this time, when a liquid having a composition in which the processing gas is easily dissolved is used as the blocking liquid, the processing gas is dissolved in the blocking liquid in advance to make a saturated solution, and a blocking solution that is a saturated solution of the processing gas is used. By doing so, it is possible to prevent the concentration of the processing gas filled in the internal space 10a of the processing chamber 10 from decreasing due to the processing gas being dissolved in the blocking liquid.

【0139】また、上記した実施の形態において、処理
気体供給ノズル18から噴射される処理気体がオゾン含
有ガスである場合には、当該オゾン含有ガスを湿潤させ
る手段として、例えば、バブリングや、あるいは当該オ
ゾン含有ガスに霧状液体を混合させる手段として、例え
ば、噴霧器や2流体ノズルを配設するようにしてもよ
く、湿潤したオゾン含有ガスや霧状液体が混合したオゾ
ン含有ガスが処理気体供給ノズル18から噴射されるよ
うにしてもよい。
In the above-described embodiment, when the processing gas injected from the processing gas supply nozzle 18 is an ozone-containing gas, as a means for wetting the ozone-containing gas, for example, bubbling or the ozone-containing gas may be used. As means for mixing the atomized liquid with the ozone-containing gas, for example, a sprayer or a two-fluid nozzle may be provided, and the wet ozone-containing gas or the ozone-containing gas mixed with the atomized liquid is supplied to the processing gas supply nozzle. It may be made to be injected from 18.

【0140】[0140]

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、被処理物たる基板の処理が行われる処理室
の内部空間へ基板を搬入する際や、当該処理室の外部へ
基板を搬出する際に、処理気体が外部に漏れ出すことを
防止できるようになるという優れた効果を奏する。
Since the present invention is configured as described above, the present invention is applicable when a substrate is carried into an internal space of a processing chamber in which a substrate to be processed is processed, or when the substrate is moved outside the processing chamber. This has an excellent effect that it is possible to prevent the processing gas from leaking to the outside when carrying out.

【0141】また、本発明は、処理装置における被処理
物たる基板の搬入出を効率よく行なうようにして、処理
装置における基板の処理の処理効率を向上することがで
きるようになるという優れた効果を奏する。
Further, the present invention has an excellent effect that the processing efficiency of the substrate processing in the processing apparatus can be improved by efficiently loading and unloading the substrate as the processing object in the processing apparatus. To play.

【0142】さらに、本発明は、処理装置において消費
される処理気体の量が膨大な量になることを回避できる
ようになるという優れた効果を奏する。
Further, the present invention has an excellent effect that it is possible to avoid an enormous amount of processing gas consumed in the processing apparatus.

【0143】さらにまた、本発明は、処理室の内部空間
を密閉するための部材の劣化に伴って処理室の内部空間
に充填されている処理気体が外部に漏れ出すことを回避
できるようになるという優れた効果を奏する。
Further, according to the present invention, it is possible to prevent the processing gas filled in the internal space of the processing chamber from leaking outside due to deterioration of the member for sealing the internal space of the processing chamber. It has an excellent effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の処理装置の一部を破断して示した概略構
成説明図である。
FIG. 1 is a schematic configuration explanatory view showing a part of a conventional processing apparatus in a cutaway manner.

【図2】本発明による処理装置の第1の実施の形態の一
部を破断して示した概略構成説明図である。
FIG. 2 is a schematic configuration explanatory view showing a part of the first embodiment of the processing apparatus according to the present invention, which is cut away.

【図3】本発明による処理装置の第2の実施の形態の一
部を破断して示した概略構成説明図である。
FIG. 3 is a schematic configuration explanatory view showing a part of a second embodiment of a processing apparatus according to the present invention in a cutaway manner.

【図4】(a)は、基板がバッファ室内に位置している
状態における本発明による第3の実施の形態の処理装置
の一部を破断して示した概略構成説明図であり、(b)
は、基板が処理室内に位置している状態における本発明
による第3の実施の形態の処理装置である。
FIG. 4A is a schematic configuration explanatory view showing a part of a processing apparatus according to a third embodiment of the present invention in a state in which a substrate is located in a buffer chamber, and FIG. )
Is a processing apparatus according to a third embodiment of the present invention in a state where a substrate is located in a processing chamber.

【図5】本発明による処理装置の第4の実施の形態の一
部を破断して示した概略構成説明図である。
FIG. 5 is a schematic configuration explanatory view showing a part of a fourth embodiment of a processing apparatus according to the present invention in a cutaway manner.

【図6】本発明による処理装置の第5の実施の形態の一
部を破断して示した概略構成説明図である。
FIG. 6 is a schematic configuration explanatory view showing a part of a fifth embodiment of a processing apparatus according to the present invention, which is cut away.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、110 処理室 10a、110a 内部空間10a 10b、10g、10i、110b 側壁部 10c、42c、110c 搬入出口 10d、110d 底部 10e 縁部 10f、10h、10j 下方端部 10k、10q 外側 10m 内側 10n 処理室搬入口 10p 処理室搬出口 12 支柱 12a 上端部 14、30、32、34 遮断槽 14a、30a、32a、34a 内部 16、116 被処理物支持部材 18、118 処理気体供給ノズル 22 排気スクラバー 24 排気用配管 26 処理気体供給配管 40 本体部 40a 中央凹部 40b 底面 40c、40d 側面 42 バッファ室 44 乾燥ガス吹き付けノズル 46 キャリア 48 乾燥ガス供給配管 50 搬送ローラー 52 搬入側バッファ室 52a、54a、62a、64a 側壁部 52b 搬入口 54 搬入側遮断室 54b 遮断室搬入口 56、66 遮断液供給口 60 エアー・ナイフ 62 搬出側バッファ室 62b 搬出口 64 搬出側遮断室 64b 遮断室搬出口 70、72、74、76 シャワー・カーテン用ノズ
ル 100 基板 100a 表面 101、102、103、104、105 処理装置 112 開閉扉 113 置換ガス供給ノズル 114 排気口 116 排気ダクト 200 遮断液
10, 110 Processing chamber 10a, 110a Internal space 10a 10b, 10g, 10i, 110b Side wall 10c, 42c, 110c Loading / unloading port 10d, 110d Bottom 10e Edge 10f, 10h, 10j Lower end 10k, 10q Outer 10m Inner 10n Room carry-in port 10p Processing chamber carry-out port 12 Column 12a Upper end portion 14, 30, 32, 34 Shut-off tank 14a, 30a, 32a, 34a Inside 16, 116 Workpiece support member 18, 118 Process gas supply nozzle 22 Exhaust scrubber 24 Exhaust Piping 26 Process gas supply pipe 40 Main body 40a Central recess 40b Bottom surface 40c, 40d Side 42 Buffer chamber 44 Dry gas spray nozzle 46 Carrier 48 Dry gas supply pipe 50 Transport roller 52 Loading buffer chamber 52a, 54a, 62a, 64a side Wall 52b Carry-in port 54 Carry-in side shut-off chamber 54b Shut-off room carry-in port 56, 66 Shut-off liquid supply port 60 Air knife 62 Outlet-side buffer room 62b Outlet 64 Outlet-side shut-off room 64b Shut-off room carry-out port 70, 72, 74, 76 Nozzle for shower / curtain 100 Substrate 100a Surface 101, 102, 103, 104, 105 Processing device 112 Opening / closing door 113 Replacement gas supply nozzle 114 Exhaust port 116 Exhaust duct 200 Blocking liquid

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/205 H01L 21/205 21/68 21/68 A (72)発明者 大石 哲士 静岡県島田市阿知ヶ谷25番地 島田理化工 業株式会社島田製作所内 (72)発明者 大森 雅司 静岡県島田市阿知ヶ谷25番地 島田理化工 業株式会社島田製作所内 (72)発明者 大家 泉 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 野田 清治 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 宮本 誠 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 葛本 昌樹 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 4G075 AA22 AA30 BA06 BD03 BD14 CA62 DA02 EB01 EE40 FC13 4K057 DA01 DB06 DE20 DM36 DM40 DN01 WN01 5F031 CA02 DA08 FA01 FA07 FA12 GA53 MA28 NA08 5F045 BB20 DP23 DQ15 EB08 EB10 EG08 EN04 HA25 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/205 H01L 21/205 21/68 21/68 A (72) Inventor Tetsushi Oishi Achi Shimada-shi, Shizuoka 25, Kagaya, Shimada Rika Kogyo Co., Ltd. 2-3-2, Mitsui Electric Co., Ltd. (72) Inventor Seiji Noda 2-3-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 2-3-2 Mitsui Electric Inc. 2-3 No.3 Mitsubishi Electric Corporation (72) Inventor Masaki Kuzumoto 2-3-3 Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo F-term (reference) 4 G075 AA22 AA30 BA06 BD03 BD14 CA62 DA02 EB01 EE40 FC13 4K057 DA01 DB06 DE20 DM36 DM40 DN01 WN01 5F031 CA02 DA08 FA01 FA07 FA12 GA53 MA28 NA08 5F045 BB20 DP23 DQ15 EB08 EB10 EG08 EN04 HA25

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理室内に処理気体を充填して該処理気
体により被処理物の処理を行う処理装置において、 前記処理室の内部と前記処理室の外部とを遮断する液体
を備えた遮断手段を有するものである処理装置。
1. A processing apparatus that fills a processing chamber with a processing gas and performs processing of an object to be processed with the processing gas, wherein a shutoff unit including a liquid that shuts off the inside of the processing chamber and the outside of the processing chamber. A processing device having:
【請求項2】 請求項1に記載の処理装置において、 前記処理室に前記被処理物を搬入するとき、または、前
記処理室から前記被処理物を搬出するときに、前記遮断
手段の液体中を搬送するものである処理装置。
2. The processing apparatus according to claim 1, wherein when the object to be processed is carried into the processing chamber or when the object is carried out of the processing chamber, the liquid in the shut-off means is in the liquid. Processing equipment that transports
【請求項3】 請求項2に記載の処理装置において、 前記遮断手段は、前記処理室に前記被処理物を搬入する
ときに前記被処理物が搬送される液体と前記処理室から
前記被処理物を搬出するときに前記被処理物が搬送され
る液体とが分離されているものである処理装置。
3. The processing apparatus according to claim 2, wherein the shut-off unit is configured to transfer the object to be processed when the object to be processed is carried into the processing chamber and the processing object to be processed from the processing chamber. A processing apparatus in which the object is separated from the liquid to be conveyed when the object is carried out.
【請求項4】 請求項1、請求項2または請求項3のい
ずれか1項に記載の処理装置において、 キャリアに収納された少なくとも1つの前記被処理物を
前記キャリアごと搬送するものである処理装置。
4. The processing apparatus according to claim 1, wherein at least one of the objects to be processed stored in a carrier is transported together with the carrier. apparatus.
【請求項5】 請求項1、請求項2または請求項3のい
ずれか1項に記載の処理装置において、 前記被処理物を1つずつ順次搬送するものである処理装
置。
5. The processing apparatus according to claim 1, wherein the processing objects are sequentially conveyed one by one.
【請求項6】 請求項1、請求項2、請求項3、請求項
4または請求項5のいずれか1項に記載の処理装置にお
いて、 前記遮断手段は、液体を噴射するシャワー・カーテンで
あるものである処理装置。
6. The processing apparatus according to claim 1, wherein said shut-off means is a shower curtain for jetting liquid. A processing device.
【請求項7】 請求項1、請求項2、請求項3、請求項
4、請求項5または請求項6のいずれか1項に記載の処
理装置において、 前記遮断手段は、少なくとも1以上配設されたものであ
る処理装置。
7. The processing apparatus according to claim 1, wherein at least one or more of said blocking means are provided. Processing device.
【請求項8】 請求項7に記載の処理装置において、 前記遮断手段のうちの少なくとも1つの液体は、前記処
理室内に充填された処理気体を分解するものである処理
装置。
8. The processing apparatus according to claim 7, wherein at least one liquid in the shut-off means decomposes a processing gas filled in the processing chamber.
【請求項9】 請求項7に記載の処理装置において、 前記遮断手段のうちの少なくとも1つは、前記被処理物
を洗浄する洗浄手段を有するものである処理装置。
9. The processing apparatus according to claim 7, wherein at least one of the blocking units has a cleaning unit that cleans the workpiece.
【請求項10】 請求項7に記載の処理装置において、 前記遮断手段のうちの少なくとも1つの液体は、前記処
理気体が溶解しない液体であるものである処理装置。
10. The processing apparatus according to claim 7, wherein at least one liquid of said blocking means is a liquid in which said processing gas is not dissolved.
【請求項11】 請求項7に記載の処理装置において、 前記遮断手段のうちの少なくとも1つの液体は、前記処
理気体を溶解させた液体であるものである処理装置。
11. The processing apparatus according to claim 7, wherein at least one liquid of the shutoff means is a liquid in which the processing gas is dissolved.
【請求項12】 請求項1、請求項2、請求項3、請求
項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求
項9、請求項10または請求項11のいずれか1項に記
載の処理装置において、さらに、 前記遮断手段の温度を制御する温度制御手段を有するも
のである処理装置。
12. The method of claim 1, claim 2, claim 3, claim 4, claim 5, claim 6, claim 7, claim 8, claim 9, claim 10, or claim 11. The processing apparatus according to claim 1, further comprising a temperature control unit that controls a temperature of the blocking unit.
【請求項13】 請求項1、請求項2、請求項3、請求
項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求
項9、請求項10、請求項11または請求項12のいず
れか1項に記載の処理装置において、 前記処理気体はオゾン含有ガスであるものである処理装
置。
13. The claim 1, claim 2, claim 3, claim 4, claim 5, claim 6, claim 7, claim 8, claim 9, claim 10, claim 11, or claim Item 13. The processing apparatus according to any one of Items 12, wherein the processing gas is an ozone-containing gas.
【請求項14】 請求項13に記載の処理装置におい
て、 前記オゾン含有ガスを湿潤する手段を有するものである
処理装置。
14. The processing apparatus according to claim 13, further comprising means for wetting the ozone-containing gas.
【請求項15】 請求項13に記載の処理装置におい
て、 前記オゾン含有ガスに霧状液体を混合する手段を有する
ものである処理装置。
15. The processing apparatus according to claim 13, further comprising means for mixing a mist liquid with the ozone-containing gas.
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