JP2001242486A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2001242486A
JP2001242486A JP2000051947A JP2000051947A JP2001242486A JP 2001242486 A JP2001242486 A JP 2001242486A JP 2000051947 A JP2000051947 A JP 2000051947A JP 2000051947 A JP2000051947 A JP 2000051947A JP 2001242486 A JP2001242486 A JP 2001242486A
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal display
display device
pattern
signal supply
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Application number
JP2000051947A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Yonekura
広顕 米倉
Mitsuhiro Uno
光宏 宇野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device, in which the uniformity of images is enhanced by preventing degradation of characteristics of TFTs, while preventing UV (ultraviolet) light from being irradiated directly on semiconductor layers of the TFTs, at hardening of sealing agents of a liquid crystal pouring port. SOLUTION: Switching elements, consisting of thin-film transistors including respectively semiconductor layers 4, are arranged on one substrate of substrates holding a liquid crystal layer there-between, in response to plural pixel electrodes 10 and a video signal is supplied from video signal supplying wirings 5 to the plural pixel electrodes via the switching elements. A first pattern 7 which is formed with the same layer as that of scanning signal supplying wirings and a second pattern 8 which is formed with the same layer as that of the semiconductor layers 4 are arranged, so that an overlapped part of them exists in the vertical direction at the outer side of the switching elements along the substrate edge of a side, at which the switching elements become to be at an outer side with respect to the video signal supplying wirings.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
ックス方式の液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶を応用した表示装置は、低電力、軽
量さと従来のディスプレイにない特徴をもち、中でも画
素毎にスイッチング素子をもつ薄膜トランジスタ(以下
TFTと略す)を用いたアクティブマトリクス方式の液
晶表示装置は、クロストークの少ない鮮明な画像表示が
得られることから、ノートパソコンやカーナビゲーショ
ンのディスプレイ等に使用され、さらに近年では大型デ
ィスプレイモニターとして急速に利用されるようになっ
てきた。
2. Description of the Related Art A display device to which liquid crystal is applied has low power, light weight, and features not available in a conventional display. The display device is used for a notebook personal computer, a car navigation display, and the like since a clear image display with less crosstalk can be obtained, and has recently been rapidly used as a large display monitor.

【0003】以下、従来のアクティブマトリックス方式
の液晶表示装置の一例について、図面を用いて説明す
る。図2は従来のアクティブマトリックス方式の液晶表
示装置のTFTを有するアレー部分の概略図である。1
0は画素電極であり、複数個がマトリックス状に配列さ
れている。この画素電極10に対応してTFTが配列さ
れている。2は走査信号供給配線であり、マトリックス
状に配列されたTFTのゲート電極を兼ね、そのTFT
のゲート電極に走査信号を供給する。4はアモルファス
シリコン半導体層であり、TFTのチャンネル領域を形
成する。5は映像信号供給配線であり、TFTのアモル
ファスシリコン半導体層4に接続したソース電極を兼
ね、ドレイン電極9を介し画素電極10に映像信号を供
給する。
Hereinafter, an example of a conventional active matrix type liquid crystal display device will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic view of an array portion having a TFT of a conventional active matrix type liquid crystal display device. 1
Reference numeral 0 denotes a pixel electrode, and a plurality of pixels are arranged in a matrix. TFTs are arranged corresponding to the pixel electrodes 10. Reference numeral 2 denotes a scanning signal supply line, which also functions as a gate electrode of the TFTs arranged in a matrix,
The scanning signal is supplied to the gate electrode of the. Reference numeral 4 denotes an amorphous silicon semiconductor layer, which forms a channel region of the TFT. Reference numeral 5 denotes a video signal supply wiring, which also serves as a source electrode connected to the amorphous silicon semiconductor layer 4 of the TFT, and supplies a video signal to the pixel electrode 10 via the drain electrode 9.

【0004】図4は図2におけるA−A’断面図であ
る。走査信号供給配線2はガラス基板1上に形成され、
その上に第1の絶縁体層3が積層され、TFTのゲート
絶縁膜を構成する。6は保護膜としてのパッシベーショ
ン絶縁膜である。
FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA 'in FIG. The scanning signal supply wiring 2 is formed on the glass substrate 1,
The first insulator layer 3 is stacked thereon to form a gate insulating film of the TFT. Reference numeral 6 denotes a passivation insulating film as a protective film.

【0005】以上のように構成された液晶表示装置につ
いてその動作を説明する。
The operation of the liquid crystal display device configured as described above will be described.

【0006】まず、走査信号供給配線2に電圧が印加さ
れ、TFTのアモルファスシリコン半導体層4にTFT
のチャンネルが形成される。それにより、映像信号供給
配線5からの映像信号がTFTのチャンネルを通過して
ドレイン電極9に流れ込み、画素電極10に伝わる。そ
の結果、その画素電極10と平行に対向するカラーフィ
ルタ部分に設けられた対向電極との間の電界により、画
素電極10と対向電極の間に注入された液晶の配向を任
意に可変し、光透過率を調整することによって所望の画
像が作り出される。
First, a voltage is applied to the scanning signal supply wiring 2 and the TFT is applied to the amorphous silicon semiconductor layer 4 of the TFT.
Channels are formed. Thereby, the video signal from the video signal supply wiring 5 passes through the channel of the TFT, flows into the drain electrode 9, and is transmitted to the pixel electrode 10. As a result, the orientation of the liquid crystal injected between the pixel electrode 10 and the counter electrode is arbitrarily changed by an electric field between the pixel electrode 10 and the counter electrode provided in the color filter portion facing the pixel electrode 10 in parallel. By adjusting the transmittance, a desired image is created.

【0007】一般に、液晶の注入は以下の手順で行われ
る。アレー部分を有するアレー基板と対向電極とカラー
フィルタを有するカラーフィルタ基板をシール剤により
貼り合わせる。あらかじめシール剤を一部塗らずにおい
ておき、ここを液晶注入口とする。この状態で貼り合わ
せたパネルを真空状態にした後、この注入口に液晶を浸
しそのまま大気圧まで戻すことによりパネル内へ液晶を
注入する。その後、注入口に封口剤を塗布し、この封口
剤に紫外線(UV光)をパネルと平行な方向から照射し
てこれを硬化させる。
In general, liquid crystal is injected according to the following procedure. An array substrate having an array portion and a color filter substrate having a counter electrode and a color filter are bonded together with a sealant. A part of the sealant is not applied beforehand, and this is used as a liquid crystal injection port. After the panels bonded in this state are evacuated, the liquid crystal is immersed in the injection port and returned to the atmospheric pressure as it is to inject the liquid crystal into the panel. Thereafter, a sealing agent is applied to the injection port, and the sealing agent is irradiated with ultraviolet rays (UV light) from a direction parallel to the panel to be cured.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の液晶表示装置における構成は、液晶注入口
の封口剤をUV光照射硬化する工程において、特に映像
信号最終ラインの半導体層にUV光が照射されそのTF
T特性を劣化させて、液晶表示装置の画像不良を引き起
こすおそれがある。
However, the structure of the above-mentioned conventional liquid crystal display device is particularly difficult in the step of irradiating and curing the sealing agent of the liquid crystal injection port with the UV light, particularly when the UV light is applied to the semiconductor layer of the video signal final line. Is irradiated and its TF
There is a possibility that the T characteristic may be degraded to cause an image defect of the liquid crystal display device.

【0009】本発明は、上記問題を解決するもので、上
記のようにUV光が直接TFT半導体層に照射され、T
FT特性が劣化することにより引き起こされる画像不良
を低減し、画像の均一性を向上することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problem. As described above, UV light is directly applied to the TFT semiconductor layer,
It is an object to reduce image defects caused by deterioration of FT characteristics and improve image uniformity.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題を解
決するもので、最終映像信号ラインより外側に、UV光
が直接TFT半導体層に照射しないようなガードパタン
を配備することによって、液晶注入口の封口剤をUV光
照射硬化する工程においてUV光が直接TFT半導体層
に照射する事を抑制し、これによりTFT特性劣化を防
止する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned problems, and a liquid crystal is provided by disposing a guard pattern outside a final video signal line so that UV light is not directly radiated to a TFT semiconductor layer. In the step of irradiating and curing the sealing agent of the injection port with the UV light, the UV light is prevented from directly irradiating the TFT semiconductor layer, thereby preventing the TFT characteristics from deteriorating.

【0011】具体的な構成として、本発明の液晶表示装
置は、絶縁性の透明基板と、前記透明基板上にマトリッ
クス状に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素
電極に対応して各々配列されドレイン電極が前記画素電
極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング
素子のゲート電極を構成するとともに前記スイッチング
素子に走査信号を供給する走査信号供給配線と、前記ス
イッチング素子のソース電極を構成し前記スイッチング
素子を介して前記複数の画素電極に映像信号を供給する
映像信号供給配線と、前記複数の走査信号供給配線上に
積層されて前記スイッチング素子のゲート絶縁膜となる
絶縁体層と、前記各スイッチング素子における、前記絶
縁体層の上に積層され、前記ソース電極及びドレイン極
を電気的に接続するように配置された半導体層とを備え
た薄膜トランジスタアレー基板を一方の基板として構成
される。そして前記映像信号供給配線に対して前記スイ
ッチング素子が外側となる側の基板端に沿って、前記ス
イッチング素子の外側に、前記走査信号供給配線と同一
レイヤで形成された第1のパタンと、前記半導体層と同
一レイヤで形成された第2のパタンとを、上下方向に重
なり部が存在するように配置する。
As a specific configuration, a liquid crystal display device of the present invention includes an insulating transparent substrate, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the transparent substrate, and a plurality of pixel electrodes corresponding to the plurality of pixel electrodes. A switching element each of which is arranged and a drain electrode is connected to the pixel electrode; a scanning signal supply line that forms a gate electrode of the switching element and supplies a scanning signal to the switching element; and a source electrode of the switching element. A video signal supply line that supplies a video signal to the plurality of pixel electrodes via the switching element; and an insulator layer that is stacked on the plurality of scanning signal supply lines and serves as a gate insulating film of the switching element. In each of the switching elements, the switching element is stacked on the insulator layer and electrically connects the source electrode and the drain electrode. It arranged comprised a thin film transistor array substrate and a semiconductor layer as one of the substrates so. A first pattern formed on the same layer as the scanning signal supply wiring, outside the switching element, along a substrate edge on a side where the switching element is on the outside with respect to the video signal supply wiring; The semiconductor layer and the second pattern formed on the same layer are arranged so that an overlapping portion exists in the vertical direction.

【0012】この構成により、UV光が直接TFT半導
体層に照射されることを抑制できる。
With this configuration, it is possible to prevent the UV light from being directly irradiated on the TFT semiconductor layer.

【0013】上記構成において、前記第1のパタン及び
第2のパタンの重なり部の長さが、前記重なり部に隣接
する前記映像信号供給配線に接続されたスイッチング素
子群が配置された範囲の長さよりも長くなる構成とす
る。それにより、UV光の遮蔽がより完全になる。
In the above configuration, the length of the overlapping portion of the first pattern and the second pattern is equal to the length of the range in which the switching element group connected to the video signal supply wiring adjacent to the overlapping portion is arranged. It is configured to be longer than this. Thereby, the UV light shielding is more complete.

【0014】また、前記第1のパタンを前記走査信号供
給配線と同一レイヤで形成し、前記第2のパタンを前記
映像信号供給配線と同一レイヤで形成することができ
る。
Further, the first pattern can be formed on the same layer as the scanning signal supply wiring, and the second pattern can be formed on the same layer as the video signal supply wiring.

【0015】上記構成の液晶表示装置を製造する方法に
おいては、前記第1のパタンの形成を、前記走査信号供
給配線を形成する工程と同じ工程で行うことができる。
それにより、製造工程を複雑化することなく、UV光遮
蔽のための要素を付加することができる。
In the method for manufacturing a liquid crystal display device having the above-described structure, the first pattern can be formed in the same step as the step of forming the scanning signal supply wiring.
Thereby, an element for blocking UV light can be added without complicating the manufacturing process.

【0016】また、前記第2のパタンの形成を、前記半
導体層を形成する工程と同じ工程で行うこともできる。
あるいは、前記第2のパタンの形成を、前記映像信号供
給配線を形成する工程と同じ工程で行うことができる。
Further, the formation of the second pattern can be performed in the same step as the step of forming the semiconductor layer.
Alternatively, the formation of the second pattern can be performed in the same step as the step of forming the video signal supply wiring.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0018】図1は、本発明の実施の形態におけるアク
ティブマトリックス方式の液晶表示装置の概略図であ
り、図3は図1におけるA−A’の断面図である。従来
例を示す図2、図4と同じ部分については同じ符号を付
す。
FIG. 1 is a schematic diagram of an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a sectional view taken along line AA 'in FIG. 2 and 4 showing the conventional example are denoted by the same reference numerals.

【0019】図1において、10は画素電極であり、複
数個がマトリックス状に配列されている。この画素電極
10に対応してTFTが配列されている。2は走査信号
供給配線であり、マトリックス状に配列されたTFTの
ゲート電極を兼ね、そのTFTのゲート電極に走査信号
を供給する。4はアモルファスシリコン半導体層であ
り、TFTのチャンネル領域を形成する。5は映像信号
供給配線であり、TFTのアモルファスシリコン半導体
層4に接続したソース電極を兼ね、ドレイン電極9を介
し画素電極10に映像信号を供給する。
In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a pixel electrode, a plurality of which are arranged in a matrix. TFTs are arranged corresponding to the pixel electrodes 10. Reference numeral 2 denotes a scanning signal supply line, which also serves as a gate electrode of the TFTs arranged in a matrix, and supplies a scanning signal to the gate electrode of the TFT. Reference numeral 4 denotes an amorphous silicon semiconductor layer, which forms a channel region of the TFT. Reference numeral 5 denotes a video signal supply wiring, which also serves as a source electrode connected to the amorphous silicon semiconductor layer 4 of the TFT, and supplies a video signal to the pixel electrode 10 via the drain electrode 9.

【0020】図3の断面図に示すように、走査信号供給
配線2はガラス基板1上に形成され、その上に第1の絶
縁体層3が積層され、TFTのゲート絶縁膜を構成す
る。6は保護膜としてのパッシベーション絶縁膜であ
り、例えばSiNx、SiO2、アクリル樹脂、ポリイ
ミド、ポリアミド、ポリカーボネートまたはこれらの積
層膜からなる。
As shown in the sectional view of FIG. 3, the scanning signal supply wiring 2 is formed on a glass substrate 1 and a first insulator layer 3 is laminated thereon to form a gate insulating film of a TFT. Reference numeral 6 denotes a passivation insulating film as a protective film, which is made of, for example, SiNx, SiO2, acrylic resin, polyimide, polyamide, polycarbonate, or a laminated film thereof.

【0021】以上に説明した構成は図2、図4に示した
従来例と同じであり、図1、図3に示す本実施の形態の
構成が、図2、図4の構成と異なるところは以下の通り
である。すなわち、ガラス基板1の上に、積層されたU
Vシールドゲートレイヤパターン7、およびUVシール
ドアモルファスシリコンレイヤパターン8が設けられて
いる。両パターン7、8は、映像信号供給配線5に対し
てTFTが外側となる側の基板端に沿って、TFTの外
側に配置されている。UVシールドゲートレイヤパター
ン7は、走査信号供給配線2と同一レイヤで形成され
る。UVシールドアモルファスシリコンレイヤパターン
8は、半導体層4と同一レイヤで形成される。両パター
ン7、8は、上下方向に重なり部が存在するように配置
される。更に両パターン7、8は、そのパターンの重な
り部分が、両パターン7、8の存在する辺側の、最も基
板端側に配置された映像信号供給配線5に接続されたT
FTが配置されている部分より長くなるように構成され
ている。これにより、液晶注入口の封口剤をUV光照射
硬化する工程において、UV光が直接TFT半導体層に
照射する事を抑制し、TFT特性劣化を防止することが
できる。
The configuration described above is the same as the conventional example shown in FIGS. 2 and 4, and the configuration of the present embodiment shown in FIGS. 1 and 3 is different from the configuration of FIGS. It is as follows. That is, U laminated on the glass substrate 1
A V shield gate layer pattern 7 and a UV shield amorphous silicon layer pattern 8 are provided. Both patterns 7 and 8 are arranged outside the TFT along the substrate edge on the side where the TFT is outside the video signal supply wiring 5. The UV shield gate layer pattern 7 is formed on the same layer as the scanning signal supply wiring 2. The UV shield amorphous silicon layer pattern 8 is formed in the same layer as the semiconductor layer 4. Both patterns 7 and 8 are arranged so that an overlapping portion exists in the vertical direction. Further, in the two patterns 7 and 8, the overlapping part of the patterns is connected to the video signal supply wiring 5 arranged on the side of the side where the two patterns 7 and 8 exist and the end of the substrate.
It is configured to be longer than the portion where the FT is arranged. Thus, in the step of irradiating and curing the sealing agent of the liquid crystal injection port with the UV light, it is possible to suppress the UV light from directly irradiating the TFT semiconductor layer and prevent the TFT characteristics from deteriorating.

【0022】このような構成の液晶表示装置のアレー基
板を作成するにはまず、ガラス基板1上に走査信号供給
配線2を形成する膜をスパッタリング成膜法にて堆積
し、フォトリソ工程、エッチング工程にて走査信号供給
配線2のパターニングを行う。このような薄膜堆積、フ
ォトリソ工程、エッチング工程のパターニングを繰り返
して、アモルファスシリコン半導体層4、映像信号供給
配線5、ドレイン電極9、及び画素電極10を形成す
る。
In order to form an array substrate of a liquid crystal display device having such a configuration, first, a film for forming the scanning signal supply wiring 2 is deposited on a glass substrate 1 by a sputtering film forming method, followed by a photolithography step and an etching step. The patterning of the scanning signal supply wiring 2 is performed. By repeating the patterning of the thin film deposition, the photolithography process, and the etching process, the amorphous silicon semiconductor layer 4, the video signal supply wiring 5, the drain electrode 9, and the pixel electrode 10 are formed.

【0023】なお、本実施の形態においては、重なり部
分を構成する上部のパタンとして半導体層を用いた場合
について説明したが、半導体層の替わりに映像信号供給
配線を用いても同様の効果がもたらされることは言うま
でもない。
In this embodiment, the case where the semiconductor layer is used as the upper pattern constituting the overlapping portion has been described. However, the same effect can be obtained by using the video signal supply wiring instead of the semiconductor layer. Needless to say,

【0024】[0024]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、液晶注入
口の封口剤をUV光照射硬化する工程においてUV光が
直接TFT半導体層に照射する事を抑制し、これにより
TFT特性劣化により引き起こされる最終映像信号ライ
ンに発生する画像不良を減少し画像の均一性を向上する
ことができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to prevent the UV light from directly irradiating the TFT semiconductor layer in the step of irradiating and curing the sealing agent for the liquid crystal injection port with the UV light. It is possible to reduce image defects caused in the final video signal line and improve image uniformity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態における液晶表示装置の一
部を示す概略平面図
FIG. 1 is a schematic plan view showing a part of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来の実施の形態における液晶表示装置の一部
を示す概略平面図
FIG. 2 is a schematic plan view showing a part of a liquid crystal display device according to a conventional embodiment.

【図3】本発明の液晶表示装置における液晶表示装置の
一部を示す断面図
FIG. 3 is a sectional view showing a part of the liquid crystal display device in the liquid crystal display device of the present invention.

【図4】従来の液晶表示装置における液晶表示装置の一
部を示す断面図
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a part of a liquid crystal display device in a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 走査信号供給配線 3 ゲート絶縁膜 4 半導体層 5 映像信号供給配線 6 パシベーション保護膜 7 UVシールドゲートレイヤパターン 8 UVシールドアモルファスシリコンレイヤパターン 9 ドレイン電極 10 画素電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Scan signal supply wiring 3 Gate insulating film 4 Semiconductor layer 5 Video signal supply wiring 6 Passivation protection film 7 UV shield gate layer pattern 8 UV shield amorphous silicon layer pattern 9 Drain electrode 10 Pixel electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 GA31 GA33 GA34 JA24 JA34 JB24 JB33 JB54 KA05 KA07 KA12 NA17 NA24 PA04 PA09 5C094 AA03 AA42 AA43 BA03 BA45 CA19 EA04 EB02 GB10 HA08 5F110 AA21 AA26 BB01 CC07 DD02 GG02 GG15 NN03 NN23 NN24 NN27 NN80 QQ30  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H092 GA31 GA33 GA34 JA24 JA34 JB24 JB33 JB54 KA05 KA07 KA12 NA17 NA24 PA04 PA09 5C094 AA03 AA42 AA43 BA03 BA45 CA19 EA04 EB02 GB10 HA08 5F110 AA21 AA26 NN02NN03 NN27 NN80 QQ30

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性の透明基板と、前記透明基板上に
マトリックス状に配列された複数の画素電極と、前記複
数の画素電極に対応して各々配列されドレイン電極が前
記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイ
ッチング素子のゲート電極を構成するとともに前記スイ
ッチング素子に走査信号を供給する走査信号供給配線
と、前記スイッチング素子のソース電極を構成し前記ス
イッチング素子を介して前記複数の画素電極に映像信号
を供給する映像信号供給配線と、前記複数の走査信号供
給配線上に積層されて前記スイッチング素子のゲート絶
縁膜となる絶縁体層と、前記各スイッチング素子におけ
る、前記絶縁体層の上に積層され、前記ソース電極及び
ドレイン極を電気的に接続するように配置された半導体
層とを備えた薄膜トランジスタアレー基板を一方の基板
として構成された液晶表示装置において、 前記映像信号供給配線に対して前記スイッチング素子が
外側となる側の基板端に沿って、前記スイッチング素子
の外側に、前記走査信号供給配線と同一レイヤで形成さ
れた第1のパタンと、前記半導体層と同一レイヤで形成
された第2のパタンとを、上下方向に重なり部が存在す
るように配置したことを特徴とする液晶表示装置。
1. An insulating transparent substrate, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the transparent substrate, and a drain electrode arranged corresponding to each of the plurality of pixel electrodes, a drain electrode connected to the pixel electrode. A switching element, a scanning signal supply line that forms a gate electrode of the switching element and supplies a scanning signal to the switching element, and a plurality of pixel electrodes that form a source electrode of the switching element and pass through the switching element. A video signal supply line for supplying a video signal to the plurality of scanning signal supply lines, an insulator layer laminated on the plurality of scan signal supply lines to serve as a gate insulating film of the switching element, and an insulating layer on each of the switching elements. And a semiconductor layer disposed so as to electrically connect the source electrode and the drain electrode. A liquid crystal display device having a transistor array substrate as one of the substrates, wherein the scanning signal is supplied to the outside of the switching element along an edge of the substrate on the side where the switching element is on the outside with respect to the video signal supply wiring. A liquid crystal display wherein a first pattern formed on the same layer as the wiring and a second pattern formed on the same layer as the semiconductor layer are arranged so as to have an overlap in the vertical direction. apparatus.
【請求項2】 前記第1のパタン及び第2のパタンの重
なり部の長さが、前記重なり部に隣接する前記映像信号
供給配線に接続されたスイッチング素子群が配置された
範囲の長さよりも長いことを特徴とする請求項1記載の
液晶表示装置。
2. A length of an overlapping portion of the first pattern and the second pattern is longer than a length of a range in which a switching element group connected to the video signal supply wiring adjacent to the overlapping portion is arranged. 2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is long.
【請求項3】 前記第1のパタンを前記走査信号供給配
線と同一レイヤで形成し、前記第2のパタンを前記映像
信号供給配線と同一レイヤで形成したことを特徴とする
請求項1または2記載の液晶表示装置。
3. The apparatus according to claim 1, wherein the first pattern is formed on the same layer as the scanning signal supply wiring, and the second pattern is formed on the same layer as the video signal supply wiring. The liquid crystal display device according to the above.
【請求項4】 請求項1から3のいずれか1項に記載の
液晶表示装置を製造する方法であって、前記第1のパタ
ンの形成が、前記走査信号供給配線を形成する工程と同
じ工程で行われることを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。
4. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the formation of the first pattern is the same as the step of forming the scanning signal supply wiring. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising:
【請求項5】 請求項1または2のいずれかに記載の液
晶表示装置を製造する方法であって、前記第2のパタン
の形成が、前記半導体層を形成する工程と同じ工程で行
われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
5. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the formation of the second pattern is performed in the same step as the step of forming the semiconductor layer. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising:
【請求項6】 請求項3に記載の液晶表示装置を製造す
る方法であって、前記第2のパタンの形成が、前記映像
信号供給配線を形成する工程と同じ工程で行われること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
6. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 3, wherein the formation of the second pattern is performed in the same step as the step of forming the video signal supply wiring. Of manufacturing a liquid crystal display device.
【請求項7】 請求項1から3のいずれか1項に記載の
液晶表示装置を備えたことを特徴とする画像表示応用装
置。
7. An image display application device comprising the liquid crystal display device according to claim 1. Description:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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