JP2001240992A - Method for recovering indium by electrolytic refining - Google Patents
Method for recovering indium by electrolytic refiningInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、電解精製時の樹
枝状電着物（デンドライト）の生成を防止し、電着時の
ショートによる電流効率の低下を防止する電解精製によ
るインジウムの回収方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for recovering indium by electrolytic refining, which prevents the formation of dendrites (dendrites) during electrolytic refining and prevents a decrease in current efficiency due to short-circuit during electrodeposition.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、酸化インジウム−酸化錫（ＩＴ
Ｏ）は液晶表示装置の透明導電性薄膜やガスセンサーな
どに広く使用されているが、多くの場合スパッタリング
法による薄膜形成手段を用いて基板等の上に薄膜が形成
されている。このスパッタリング法は薄膜形成手段とし
て優れた方法であるが、スパッタリングターゲットを用
いて、例えば透明導電性薄膜を製造する場合には、該タ
ーゲットの消耗が均一に消耗するわけではない。このタ
ーゲットの一部の特に消耗が激しい部分を一般にエロー
ジョン部と呼んでいるが、このエロージョン部の消耗が
進行し、ターゲットを支持するバッキングプレートが剥
き出しになる直前までスパッタリング操作を続行する
が、その後は新らしいターゲットと交換している。した
がって、使用済みのスパッタリングターゲットには多く
の非エロージョン部、すなわち未使用のターゲット部分
が残存することになり、これらは全てスクラップとな
る。2. Description of the Related Art In recent years, indium oxide-tin oxide (IT)
O) is widely used for a transparent conductive thin film of a liquid crystal display device, a gas sensor, and the like. In many cases, a thin film is formed on a substrate or the like using a thin film forming means by a sputtering method. Although this sputtering method is an excellent method for forming a thin film, when a sputtering target is used to produce a transparent conductive thin film, for example, the target is not consumed uniformly. The part of the target that is particularly depleted is generally called an erosion part, but the erosion part is consumed, and the sputtering operation is continued until just before the backing plate supporting the target is exposed, but thereafter. Has exchanged for a new target. Therefore, many non-erosion portions, that is, unused target portions remain in the used sputtering target, and all of them become scrap.
【０００３】酸化インジウム−酸化錫（ＩＴＯ）材料に
は高純度材が使用されており、価格も高いので、一般に
このスクラップ材からインジウムを回収することが行わ
れている。このインジウム回収方法として、従来酸溶解
法、イオン交換法、溶媒抽出法などの湿式精製を組み合
わせた方法が用いられている。例えば、ＩＴＯスクラッ
プを洗浄及び粉砕後、硝酸に溶解し、溶解液に硫化水素
を通して、錫、鉛、銅などの不純物を硫化物として沈殿
除去した後、これにアンモニアを加えて中和し、水酸化
インジウムとして回収する方法である。しかし、この方
法によって得られた水酸化インジウムはろ過性が悪く操
作に長時間を要し、Ｓｉ、Ａｌ等の不純物が多く、また
生成する水酸化インジウムはその中和条件及び熟成条件
等により、粒径や粒度分布が変動するため、その後ＩＴ
Ｏターゲットを製造する際に、ＩＴＯターゲットの特性
を安定して維持できないという問題があった。A high-purity material is used for the indium oxide-tin oxide (ITO) material and the price is high, so that indium is generally recovered from the scrap material. As this indium recovery method, a method combining wet purification such as an acid dissolution method, an ion exchange method, and a solvent extraction method has been conventionally used. For example, an ITO scrap is washed and pulverized, dissolved in nitric acid, hydrogen sulfide is passed through the solution to precipitate and remove impurities such as tin, lead, and copper as sulfides, and then neutralized by adding ammonia to the water. This is a method of recovering as indium oxide. However, indium hydroxide obtained by this method has poor filterability and requires a long time for operation, has many impurities such as Si and Al, and indium hydroxide to be generated depends on its neutralizing conditions and aging conditions. Since the particle size and particle size distribution fluctuate,
When manufacturing an O target, there was a problem that the characteristics of the ITO target could not be stably maintained.
【０００４】このようなことから、本発明者は先に、Ｉ
ＴＯスクラップ等の酸化インジウムを含有する物質を、
予め７５０〜１２００°Ｃで還元性ガスにより還元して
金属インジウムとした後、該インジウムを電解精製する
インジウムの回収方法を提案した（特開平７−１４５４
３２号公報）。これによれば、高純度のインジウムを効
率良く安定して回収することが可能となった。しかし、
電解精製時に若干の問題が発生した。それは電着の進行
とともに、場合により電極間がショートし、電流効率が
低下することである。このような電流効率が低下の問題
点を調査したところ、その原因は電着物が樹枝状に析出
し、それが電極間をショートさせていることをつきとめ
た。[0004] In view of the above, the present inventor has previously described I
A substance containing indium oxide, such as TO scrap,
A method for recovering indium has been proposed in which metal indium is previously reduced at 750 to 1200 ° C. with a reducing gas to electrolytically purify the indium (JP-A-7-1454).
No. 32). According to this, high-purity indium can be efficiently and stably recovered. But,
Some problems occurred during electrolytic refining. That is, as the electrodeposition proceeds, the electrodes may be short-circuited in some cases, and the current efficiency is reduced. When the problem of such a decrease in the current efficiency was investigated, it was found that the cause was that the electrodeposits were deposited in a dendritic manner, which caused a short circuit between the electrodes.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決するために、ショートの原因となる樹枝状の析出
（電着物の生成）を防止できるように電解液の条件を調
整し、それによって電流効率の低下を防止し、かつ電解
精製により効率よくインジウムを回収する方法を提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention adjusts the conditions of an electrolytic solution so as to prevent dendritic deposition (formation of electrodeposits) which causes short-circuiting. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for preventing a reduction in current efficiency and efficiently recovering indium by electrolytic purification.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、 １ インジウム水溶液を用いるインジウムの電解精製に
おいて、電解精製液中の塩素イオン濃度を１０〜４０ｇ
／Ｌに調整し、樹枝状電着物の生成を防止することを特
徴とする電解精製によるインジウムの回収方法 ２ 電解精製液中の塩素イオン濃度を２０〜３５ｇ／Ｌ
に調整することを特徴とする上記１に記載する電解精製
によるインジウムの回収方法 ３ 塩素イオン源として、塩酸又は塩化ナトリウム、塩
化カリウム等のアルカリ金属塩化物及び塩化インジウム
を使用することを特徴とする上記１又は２に記載する電
解精製によるインジウムの回収方法 ４ 酸化インジウム−酸化錫等の酸化インジウムを含有
する物質を予め還元して金属インジウムとした後、電解
精製を行うことを特徴とする上記１〜３のそれぞれに記
載する電解精製によるインジウムの回収方法 ５ 電解液中のインジウム濃度を３０〜１２０ｇ／Ｌに
調整することを特徴とする上記１〜４のそれぞれに記載
する電解精製によるインジウムの回収方法 ６ 電解液中のインジウム濃度を４０〜８０ｇ／Ｌに調
整することを特徴とする上記１〜４のそれぞれに記載す
る電解精製によるインジウムの回収方法 ７ にかわ、ゼラチン、ＰＥＧ等の界面活性剤を添加す
ることを特徴とする上記上記１〜６のそれぞれに記載す
る電解精製によるインジウムの回収方法 ８ 電解液のＰＨを０．５〜２．５に調整することを特
徴とする上記１〜７のそれぞれに記載する電解精製によ
るインジウムの回収方法 ９ 電解液のＰＨを１．０〜２．０に調整することを特
徴とする上記１〜７のそれぞれに記載する電解精製によ
るインジウムの回収方法 １０ 電流密度を０．１〜２．０Ａ／ｄｍ２に調整する
ことを特徴とする上記１〜９のそれぞれに記載する電解
精製によるインジウムの回収方法 １１ 電解温度を１０〜７５°Ｃに調整することを特徴
とする上記１〜１０のそれぞれに記載する電解精製によ
るインジウムの回収方法 １２ 電解温度を２５〜５０°Ｃに調整することを特徴
とする上記１〜１０のそれぞれに記載する電解精製によ
るインジウムの回収方法、を提供する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to the following: (1) In the electrolytic refining of indium using an indium aqueous solution, the concentration of chlorine ions in the electrolytic purified solution is 10 to 40 g
/ L to prevent the formation of dendritic electrodeposits, a method for recovering indium by electrolytic refining 2 The concentration of chloride ions in the electrolytic refining solution is 20 to 35 g / L.
3. A method for recovering indium by electrolytic refining as described in 1 above, characterized by using: hydrochloric acid or an alkali metal chloride such as sodium chloride or potassium chloride and indium chloride as a chloride ion source. 4. The method for recovering indium by electrolytic refining described in 1 or 2 above. 4. The method according to 1 above, wherein a substance containing indium oxide such as indium oxide-tin oxide is previously reduced to metal indium, and then electrolytic refining is performed. 5. Method for recovering indium by electrolytic refining described in each of 5 to 3 5 Recovery of indium by electrolytic refining described in each of the above 1 to 4 wherein the indium concentration in the electrolytic solution is adjusted to 30 to 120 g / L. Method 6 wherein the indium concentration in the electrolyte is adjusted to 40 to 80 g / L. The indium recovery method by electrolytic purification described in each item 7 The method for recovery of indium by electrolytic purification described in each of the above items 1 to 6, wherein a surfactant such as glue, gelatin, or PEG is added. The method for recovering indium by electrolytic refining as described in each of the above items 1 to 7, wherein the pH of the electrolytic solution is adjusted to 0.5 to 2.5. The method for recovering indium by electrolytic refining described in each of the above items 1 to 7, wherein the current density is adjusted to 0.1 to 2.0 A / dm 2. The method for recovering indium by electrolytic refining as described in the paragraph 11 The method for controlling the indium by electrolytic refining as described in each of the above 1 to 10, wherein the electrolysis temperature is adjusted to 10 to 75 ° C Method for recovering indium according electrorefining that according to each of the 1 to 10, wherein adjusting the recovery process 12 electrolysis temperature of um to 25 to 50 ° C, to provide.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】本発明は、インジウム水溶液を用
いるインジウムの電解精製の際に、電解精製液中の塩素
イオン濃度を１０〜４０ｇ／Ｌに調整することにより、
好ましくは該塩素イオン濃度を２０〜３５ｇ／Ｌに調整
することにより、樹枝状電着物（デンドライト）の生成
を防止し、この結果電極間のショートを抑制して、電解
精製によるインジウムの回収における電流効率の低下を
効果的に防止することが可能となった。塩素イオン濃度
が３５ｇ／Ｌでも樹枝状に成長することがあるが、その
量はまだ少ないので使用に耐え得る。しかし、塩素イオ
ン濃度が４０ｇ／Ｌを超えると樹枝状物の析出量が増大
するので、４０ｇ／Ｌ以下に抑える必要がある。しか
し、塩素イオン濃度が１０ｇ／Ｌ未満では、電解液の導
電性が悪くなり、電解精製能率が低下するので１０ｇ／
Ｌ以上に調整することが必要である。特に塩素イオン濃
度２０ｇ／Ｌ以上が望ましい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention provides a method for adjusting the concentration of chloride ions in an electrolytically purified solution to 10 to 40 g / L during electrolytic purification of indium using an indium aqueous solution.
Preferably, the chlorine ion concentration is adjusted to 20 to 35 g / L to prevent the formation of dendritic electrodeposits (dendrites), thereby suppressing the short circuit between the electrodes, and reducing the current in the recovery of indium by electrolytic purification. It has become possible to effectively prevent a decrease in efficiency. Even when the chloride ion concentration is 35 g / L, it may grow like a dendrite, but its amount is still small, so that it can be used. However, when the chloride ion concentration exceeds 40 g / L, the amount of dendrites deposited increases, so it is necessary to suppress the concentration to 40 g / L or less. However, when the chloride ion concentration is less than 10 g / L, the conductivity of the electrolytic solution deteriorates, and the electrolytic refining efficiency decreases.
It is necessary to adjust to L or more. In particular, a chlorine ion concentration of 20 g / L or more is desirable.
【０００８】電解液中の上記塩素イオン源として、塩酸
又は塩化ナトリウム、塩化カリウム等のアルカリ金属塩
化物及び塩化インジウムを使用することができる。酸化
インジウム−酸化錫（ＩＴＯスクラップ）等の酸化イン
ジウムを含有する物質については、これを予め還元して
金属インジウムとした後、電解精製を行う。電解に際し
ては、電解液中のインジウム濃度を３０〜１２０ｇ／Ｌ
に調整して行う。３０ｇ／Ｌ未満では電流効率が悪くな
り、水素の発生が多くなるので好ましくない。また、１
２０ｇ／Ｌを超えると電着状態が悪くなり、カソード板
からインジウムが脱落するという事故が発生し、収率が
低下するので好ましくない。より好ましく電解液中のイ
ンジウム濃度範囲は４０〜８０ｇ／Ｌである。As the chlorine ion source in the electrolyte, hydrochloric acid or an alkali metal chloride such as sodium chloride or potassium chloride and indium chloride can be used. A substance containing indium oxide such as indium oxide-tin oxide (ITO scrap) is reduced in advance to metal indium, and then subjected to electrolytic purification. At the time of electrolysis, the indium concentration in the electrolytic solution is 30 to 120 g / L.
Adjust to perform. If it is less than 30 g / L, the current efficiency becomes poor and the generation of hydrogen increases, which is not preferable. Also, 1
If it exceeds 20 g / L, the electrodeposition state deteriorates, an accident occurs that indium drops off from the cathode plate, and the yield is undesirably reduced. More preferably, the indium concentration range in the electrolyte is 40 to 80 g / L.
【０００９】電解装置として特別なものは必要としな
い。例えば精製するインジウムをアノードとし、カソー
ド母板としてチタン板等を用いて電解すれば良い。アノ
ード中の不純物の内インジウムより貴なもの、例えば錫
などはスライムとなって沈殿し、インジウムより卑なも
のは電解液中に溶解し、カソードには析出してこない。
この場合、析出物へのスライムの混入を避けるためアノ
ードとカソードの間に隔膜を設けるのが望ましい。電解
液中に、にかわ、ゼラチン、ＰＥＧ等の界面活性剤を添
加して、さらに樹枝状析出物の量を低下させることがで
きる。電解液のＰＨは０．５〜２．５に調整するのが良
い。ＰＨが０．５未満であると水素の発生が多くなり、
電流効率が低下するため好ましくない。また、ＰＨが
２．５を超えるとインジウムが水酸化物を作り沈殿する
ので好ましくない。より好適な範囲はＰＨ１．０〜２．
０である。No special electrolytic device is required. For example, electrolysis may be performed using indium to be purified as an anode and a titanium plate or the like as a cathode mother plate. Of the impurities in the anode, those noble than indium, such as tin, precipitate as slime, and those nobler than indium dissolve in the electrolytic solution and do not precipitate at the cathode.
In this case, it is desirable to provide a diaphragm between the anode and the cathode in order to avoid mixing of slime into the precipitate. Surfactants such as glue, gelatin, and PEG can be added to the electrolyte to further reduce the amount of dendritic precipitates. The pH of the electrolyte is preferably adjusted to 0.5 to 2.5. If the pH is less than 0.5, the generation of hydrogen increases,
It is not preferable because the current efficiency decreases. On the other hand, if the pH exceeds 2.5, indium forms hydroxide and precipitates, which is not preferable. A more preferred range is PH 1.0 to 2.0.
0.
【００１０】電流密度は０．１〜２．０Ａ／ｄｍ２に調
整することが望ましい。電流密度が０．１Ａ／ｄｍ２未
満であると、生産効率が落ちる。また、逆に電流密度が
２．０Ａ／ｄｍ２を超えると、水素ガス発生が多くなり
電着せず好ましくない。また、電解温度は１０〜７５°
Ｃに調整して電解することが望ましい。電解温度１０°
Ｃ未満であると電流効率が低下し好ましくない。逆に電
解温度が７５°Ｃを超えると電解液の蒸発が多くなり、
電解液中のインジウム濃度が変動するため好ましくな
い。また、液温が低い方が樹枝状の析出物を抑制できる
傾向がある。より好ましい電解温度は２５〜５０°Ｃで
ある。以上の電解条件により、ショートの原因となる樹
枝状の析出を防止することができ、それによって電流効
率の低下を防止し、かつ電解精製により効率よくインジ
ウムを回収することが可能となる。It is desirable to adjust the current density to 0.1 to 2.0 A / dm 2 . If the current density is less than 0.1 A / dm 2 , the production efficiency decreases. On the other hand, when the current density exceeds 2.0 A / dm 2 , the generation of hydrogen gas increases, and electrodeposition is not performed, which is not preferable. The electrolysis temperature is 10 to 75 °.
It is desirable to perform electrolysis while adjusting to C. Electrolysis temperature 10 °
If it is less than C, the current efficiency decreases, which is not preferable. Conversely, when the electrolysis temperature exceeds 75 ° C, the evaporation of the electrolyte increases,
It is not preferable because the indium concentration in the electrolytic solution fluctuates. In addition, a lower liquid temperature tends to suppress dendritic precipitates. A more preferred electrolysis temperature is 25 to 50 ° C. Under the above electrolysis conditions, dendritic precipitation that causes a short circuit can be prevented, whereby a reduction in current efficiency can be prevented, and indium can be efficiently recovered by electrolytic purification.
【００１１】[0011]
【実施例】次に、実施例について説明する。なお、本実
施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこ
れらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本
発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むもの
である。電解精製の試料として、酸化インジウム−酸化
錫（ＩＴＯスクラップ）を使用し、この材料を予め１０
００°Ｃで還元したものである。この材料の中には、不
純物として錫１２％、Ｆｅ１９ｐｐｍ、酸素１ｐｐｍ含
有した。この試料を使用し、電解液及び条件を、インジ
ウム濃度５５ｇ／Ｌ、ＰＨ１．５〜２．５、電流密度
１．２Ａ／ｄｍ２、液温２５〜４０°Ｃ、塩素イオン量
２４〜５１ｇ／Ｌ、にかわ０〜４ｍｇ／Ｌ、極間を４０
〜６０ｍｍに調整して、ショートの原因となる樹枝状析
出物（デンドライト）の発生を観察した。この結果を表
１にまとめて示す。なお、比較例として塩素イオン量が
本発明の範囲を外れる４３ｇ／Ｌと５１ｇ／Ｌの２種の
試料を用い、同様に表１に掲載した。Next, an embodiment will be described. It should be noted that the present embodiment is merely an example of the present invention, and the present invention is not limited to these embodiments. That is, it includes other aspects and modifications included in the technical idea of the present invention. Indium oxide-tin oxide (ITO scrap) was used as a sample for electrolytic refining.
It was reduced at 00 ° C. This material contained 12% tin, 19 ppm Fe, and 1 ppm oxygen as impurities. Using this sample, the electrolyte and the conditions were set as follows: indium concentration 55 g / L, PH 1.5 to 2.5, current density 1.2 A / dm 2 , liquid temperature 25 to 40 ° C., chloride ion amount 24 to 51 g / L, glue 0-4mg / L, gap 40
After adjusting to ６０60 mm, the generation of dendritic precipitates (dendrites) that caused short-circuiting was observed. The results are summarized in Table 1. As a comparative example, two kinds of samples of 43 g / L and 51 g / L whose chlorine ion amounts were out of the range of the present invention were used, and similarly listed in Table 1.
【００１２】[0012]
【表１】 [Table 1]
【００１３】表１において、◎印は樹枝状析出物（デン
ドライト）の発生が全くないもの、○印は樹枝状析出物
の発生がやや存在したもの、×は樹枝状析出物の発生が
顕著に発生したものを示す。表１から明らかなように、
塩素イオン量が本発明の範囲を外れる比較例１及び２で
は、樹枝状析出物（デンドライト）の発生があり、好ま
しくない結果となった。本実施例の範囲にある実施例１
〜１１はいずれも樹枝状析出物（デンドライト）の発生
がないか又は少量であり、ショートの原因となるもので
はなかった。ＰＨ、電流密度、液温、極間については、
本発明の範囲にある限り、樹枝状析出物に特に影響を与
えるものではなく、良好であった。しかし、にかわが存
在するものとしないものでは、樹枝状析出物の量に影響
を与え、にかわの量が本発明の範囲内では、多いほど樹
枝状析出物の発生量が少なくなるという結果が得られ
た。In Table 1, ◎ indicates that no dendritic precipitates (dendrites) were generated, ○ indicates that some dendrites were present, and X indicates that dendrites were notably generated. Indicates what occurred. As is clear from Table 1,
In Comparative Examples 1 and 2 in which the amount of chlorine ions was out of the range of the present invention, dendrites were generated, which was not preferable. Example 1 within the scope of this example
All of Nos. 11 to 11 had no or a small amount of dendritic precipitates (dendrites) and did not cause short circuit. For PH, current density, liquid temperature, and gap,
As long as it was within the scope of the present invention, it did not particularly affect the dendritic precipitate and was good. However, the presence or absence of glue affects the amount of dendritic precipitates, and the amount of glue within the scope of the present invention results in a smaller amount of dendritic precipitates being obtained. Was done.
【００１４】[0014]
【発明の効果】本発明は、インジウム水溶液を用いるイ
ンジウムの電解精製において、電解精製液中の塩素イオ
ン濃度を１０〜４０ｇ／Ｌに調整することにより、樹枝
状電着物の生成を効果的に防止することが可能となり、
それによってショートの原因を無くし電流効率の低下を
抑制して、電解精製により効率よくインジウムを回収す
ることができるという優れた効果を有する。According to the present invention, in the electrolytic refining of indium using an indium aqueous solution, the formation of dendritic electrodeposits is effectively prevented by adjusting the chloride ion concentration in the electrolytically purified solution to 10 to 40 g / L. It is possible to
As a result, there is an excellent effect that the cause of the short circuit is eliminated, the decrease in the current efficiency is suppressed, and indium can be efficiently recovered by electrolytic purification.
フロントページの続き (72)発明者 木名瀬 隆 茨城県北茨城市華川町臼場187番地４ 株 式会社日鉱マテリアルズ磯原工場内 Ｆターム(参考） 4K001 AA15 DB21 DB23 GB11 KA00 4K058 AA04 AA11 AA23 BA07 BB03 CA05 CA08 CA11 CA13 CA17 CA22 EB16 Continued on the front page (72) Inventor Takashi Kinase 187-4, Usaba, Hanakawa-cho, Kitaibaraki-shi, Ibaraki F-term in Nikko Materials Isohara Plant (reference) 4K001 AA15 DB21 DB23 GB11 KA00 4K058 AA04 AA11 AA23 BA07 BB03 CA05 CA08 CA11 CA13 CA17 CA22 EB16
Claims (12)
電解精製において、電解精製液中の塩素イオン濃度を１
０〜４０ｇ／Ｌに調整し、樹枝状電着物の生成を防止す
ることを特徴とする電解精製によるインジウムの回収方
法。In an electrolytic refining of indium using an aqueous solution of indium, the concentration of chlorine ions in the electrolytically purified solution is reduced to 1 or more.
A method for recovering indium by electrolytic refining, which is adjusted to 0 to 40 g / L to prevent formation of dendritic electrodeposits.
３５ｇ／Ｌに調整することを特徴とする請求項１に記載
する電解精製によるインジウムの回収方法。2. The concentration of chlorine ions in the electrolytically purified solution is 20 to
The method for recovering indium by electrolytic refining according to claim 1, wherein the amount is adjusted to 35 g / L.
リウム、塩化カリウム等のアルカリ金属塩化物及び塩化
インジウムを使用することを特徴とする請求項１又は２
に記載する電解精製によるインジウムの回収方法。3. The method according to claim 1, wherein hydrochloric acid or an alkali metal chloride such as sodium chloride or potassium chloride and indium chloride are used as the chlorine ion source.
2. A method for recovering indium by electrolytic refining described in 1.
ウムを含有する物質を予め還元して金属インジウムとし
た後、電解精製を行うことを特徴とする請求項１〜３の
それぞれに記載する電解精製によるインジウムの回収方
法。4. The electrolytic refining according to claim 1, wherein a substance containing indium oxide, such as indium oxide-tin oxide, is reduced in advance to metal indium and then subjected to electrolytic refining. Method of recovering indium by using.
０ｇ／Ｌに調整することを特徴とする請求項１〜４のそ
れぞれに記載する電解精製によるインジウムの回収方
法。5. An indium concentration in an electrolytic solution of 30 to 12
The method for recovering indium by electrolytic refining according to any one of claims 1 to 4, wherein the method is adjusted to 0 g / L.
ｇ／Ｌに調整することを特徴とする請求項１〜４のそれ
ぞれに記載する電解精製によるインジウムの回収方法。6. An electrolyte having an indium concentration of 40 to 80.
The method for recovering indium by electrolytic refining according to any one of claims 1 to 4, wherein the method is adjusted to g / L.
剤を添加することを特徴とする請求項１〜６のそれぞれ
に記載する電解精製によるインジウムの回収方法。7. The method for recovering indium by electrolytic purification according to claim 1, wherein a surfactant such as glue, gelatin or PEG is added.
ることを特徴とする請求項１〜７のそれぞれに記載する
電解精製によるインジウムの回収方法。8. The method for recovering indium by electrolytic refining according to claim 1, wherein the pH of the electrolytic solution is adjusted to 0.5 to 2.5.
ることを特徴とする請求項１〜７のそれぞれに記載する
電解精製によるインジウムの回収方法。9. The method for recovering indium by electrolytic refining according to claim 1, wherein the pH of the electrolytic solution is adjusted to 1.0 to 2.0.
に調整することを特徴とする請求項１〜９のそれぞれに
記載する電解精製によるインジウムの回収方法。10. A current density of 0.1 to 2.0 A / dm 2
The method for recovering indium by electrolytic refining according to any one of claims 1 to 9, wherein the indium is adjusted to:
ことを特徴とする請求項１〜１０のそれぞれに記載する
電解精製によるインジウムの回収方法。11. The method for recovering indium by electrolytic refining according to claim 1, wherein the electrolysis temperature is adjusted to 10 to 75 ° C.
ことを特徴とする請求項１〜１０のそれぞれに記載する
電解精製によるインジウムの回収方法。12. The method according to claim 1, wherein the electrolysis temperature is adjusted to 25 to 50 ° C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000027578A JP2001240992A (en) | 1999-12-24 | 2000-02-04 | Method for recovering indium by electrolytic refining |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-366301 | 1999-12-24 | ||
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|---|---|---|---|
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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-
2000
- 2000-02-04 JP JP2000027578A patent/JP2001240992A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010007133A (en) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Daiso Co Ltd | Method and device for producing metal indium |
| KR101730143B1 (en) * | 2016-04-18 | 2017-04-25 | (주)한청알에프 | Method for preparing ITO powder capable of controlling particle shapes from ITO scrap |
| WO2017183849A1 (en) * | 2016-04-18 | 2017-10-26 | (주)한청알에프 | Method for producing, from ito scrap, ito powder particle shape of which can be changed |
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