JP2001239395A - Thermosetting flux, soldering method, and substrate with electronic part - Google Patents

Thermosetting flux, soldering method, and substrate with electronic part

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JP2001239395A JP2000053724A JP2000053724A JP2001239395A JP 2001239395 A JP2001239395 A JP 2001239395A JP 2000053724 A JP2000053724 A JP 2000053724A JP 2000053724 A JP2000053724 A JP 2000053724A JP 2001239395 A JP2001239395 A JP 2001239395A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide thermosetting flux, soldering method, and a substrate with electronic parts which has an ability to improve joint strength between electronic parts and the substrate even after soldering. SOLUTION: The soldering method uses thermosetting flux provided for soldering, which includes (A) a compound which has one more shadow carboxyl group in a molecule and (B) a compound which has two more reacting sensory groups able to be chemically bonded with carboxyl groups by heating in a molecule.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、実装基板等に部品
を装着する際のはんだ付け用の熱硬化性フラックスに関
し、さらに詳しく言えば、本発明の熱硬化性フラックス
は良好な化学性能、物理性能、特に接着性を有すると共
に、さらには、潜在化カルボキシル基を有する化合物に
由来する優れた貯蔵安定性を併せ持つことを特徴とす
る。さらには、このような熱硬化性フラックスを用いた
はんだ付け方法や、こうしたはんだ付け方法によって得
られた電子部品搭載基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermosetting flux for soldering when components are mounted on a mounting board or the like. More specifically, the thermosetting flux of the present invention has good chemical performance and physical properties. It is characterized by having performance, especially adhesiveness, and also having excellent storage stability derived from a compound having a latent carboxyl group. Furthermore, the present invention relates to a soldering method using such a thermosetting flux, and an electronic component mounting board obtained by such a soldering method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、チップ部品等の電子部品を電子回
路基板に実装する際の実装方法としては、例えば、ソル
ダリング技術((株)トリケップス 1987年8月26日発
行)のP.225〜P.228に記載されている方法が、一般的に
知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a mounting method for mounting an electronic component such as a chip component on an electronic circuit board, for example, a soldering technology (Tripps Co., Ltd., published on August 26, 1987), pp. 225- The method described on page 228 is generally known.

【0003】この方法を簡単に説明すると、次のような
工程で行われる。 (1)はんだマスクを用いて、はんだクリーム(クリーム
状のはんだ)を電子回路基板上(チップ部品の搭載用電
極上)に印刷する工程。 (2)印刷されたはんだクリーム上に、搭載するチップ部
品をマウンター等で装着する工程。 (3)チップ部品が装着された電子回路基板をはんだリフ
ロー炉に通し、前記チップ部品を電子回路基板にはんだ
付けする工程。
[0003] Briefly, this method is performed in the following steps. (1) A process of printing a solder cream (cream-like solder) on an electronic circuit board (on a chip component mounting electrode) using a solder mask. (2) A step of mounting a chip component to be mounted on the printed solder cream with a mounter or the like. (3) a step of passing the electronic circuit board on which the chip component is mounted through a solder reflow furnace and soldering the chip component to the electronic circuit board;

【0004】また、電子回路基板の両面にチップ部品等
を搭載する場合には、接着剤により搭載するチップ部品
等を固定することも行われている。
Further, when chip components and the like are mounted on both sides of an electronic circuit board, the chip components and the like to be mounted are fixed by an adhesive.

【0005】このようなはんだ付けに際して、フラック
スが用いられるが、従来、フラックスは基板金属表面と
装着する部品端子電極表面の酸化膜除去が主目的であ
る。しかし、フラックスは基板と接合する部品表面の酸
化膜を除去し、はんだの濡れ性を向上させる目的のほ
か、部品をはんだ付けするまでの仮止め剤としての機能
をもたせたものもある。
[0005] Flux is used for such soldering. Conventionally, the main purpose of the flux is to remove an oxide film from the surface of the substrate metal and the surface of the component terminal electrode to be mounted. However, some fluxes have a function as a temporary fixing agent before soldering the component, in addition to the purpose of removing the oxide film on the surface of the component to be joined to the substrate to improve the wettability of the solder.

【0006】基板の酸化膜除去を目的とするフラックス
の主成分はロジンであり、アビエチン酸等の有機酸で構
成されている。また、印刷性や仮止め強度を得るために
溶剤、可塑剤、流動調整剤(チキソ剤)が配合されるも
のもある。
The main component of the flux for removing the oxide film from the substrate is rosin, which is composed of an organic acid such as abietic acid. In some cases, a solvent, a plasticizer, and a flow control agent (thixotropic agent) are blended to obtain printability and temporary fixing strength.

【0007】フラックスはミル規格で制定されているR
MA(ハロゲンフリー)が主流で使用されており、リフ
ロー後、フラックス等の洗浄工程が削減されている。
[0007] The flux is R, which is specified in the mill standard.
MA (halogen-free) is mainly used, and the number of washing steps for flux and the like after reflow is reduced.

【0008】無洗浄タイプのフラックスは実装後基板上
に残渣として残るが、はんだ付け後機能することはほと
んどない。
[0008] The non-cleaning type flux remains as a residue on the substrate after mounting, but hardly functions after soldering.

【0009】部品と基板の接合強度は、はんだ接合面積
に依存し、部品の小型化が進むにつれ接合強度は低下す
る方向にある。高密度実装が進むにつれ、部品の小型
化、部品間隔の狭ピッチ化が主流となり、これに伴いは
んだの接合面積は減少するため、基板と部品の接合強度
は低下する方向にあった。
The bonding strength between the component and the board depends on the solder bonding area, and the bonding strength tends to decrease as the size of the component is reduced. As high-density mounting has progressed, miniaturization of components and narrowing of the pitch between components have become mainstream, and with this, the bonding area of the solder has been reduced, and the bonding strength between the substrate and the component has tended to decrease.

【0010】従来、接合強度は、はんだのフィレット層
などを形成し、部品端子と基板ランドのはんだ接合面積
をより確保することで得ていたが、高密度実装基板の実
施においては、はんだフィレット部分の接合面積も低減
する必要があり、部品と基板の接合強度は低下する方向
となってしまう。
Conventionally, the bonding strength has been obtained by forming a solder fillet layer or the like to secure a larger solder bonding area between the component terminals and the board lands. It is also necessary to reduce the bonding area, and the bonding strength between the component and the substrate tends to decrease.

【0011】一方、Pbフリーはんだが今後主流となる
中で高温はんだ(例えばPbリッチのはんだ、など)に
変わる組成が見出せていない。モジュール製品など、基
板上に部品を搭載する製品においては、従来のはんだを
使用すると、モジュール製品をベース基板上に実装する
際、搭載部品のシフティングや脱落等の問題が発生する
などの不具合が生じる。
On the other hand, while Pb-free solder has become the mainstream in the future, no composition has been found that will replace high-temperature solder (eg, Pb-rich solder). For products that mount components on a board, such as module products, if conventional solder is used, when mounting the module product on the base board, problems such as shifting or falling off of the mounted components will occur. Occurs.

【0012】このような最近の高密度実装化に対処する
技術として、特開昭62−134194号公報には、粉
末状はんだを粘度の高いフラックスに混ぜ合わせてクリ
ーム状にしたクリームはんだが開示されており、これを
塗布した印刷配線板に部品を装着してリフローはんだ工
程に送ることにより、端子位置のずれを防止できること
が記載されている。
As a technique for coping with such recent high-density mounting, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-134194 discloses a cream solder in which a powdery solder is mixed with a high-viscosity flux to form a cream. It is described that a component can be mounted on a printed wiring board to which this has been applied and sent to a reflow soldering process to prevent a shift in terminal position.

【0013】また、特開平11−121915号公報に
は、電子回路基板と電子部品とを仮固定することができ
る粘性を有し、ロジンを主成分とし、アルコールで粘性
を調整した電子部品実装用フラックスが開示されてい
る。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-121915 discloses an electronic component mounting device having a viscosity capable of temporarily fixing an electronic circuit board and an electronic component, comprising rosin as a main component and adjusting the viscosity with alcohol. A flux is disclosed.

【0014】しかし、それでもなお、高密度実装および
部品の小型化などの最近の傾向に対応するものとしては
不十分であり、このような傾向にあって、基板と部品の
接合強度を高め、搭載部品のシフティングや脱落等の問
題が生じないような技術が望まれている。
However, it is still insufficient to respond to recent trends such as high-density mounting and miniaturization of components. In such a tendency, the bonding strength between the substrate and the components is increased, and There is a demand for a technique that does not cause problems such as shifting or falling off of parts.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、はん
だ濡れ性を向上させ、はんだ付け工程に至るまでの電子
部品と基板との接合強度を確保できるとともに、はんだ
付け後においても、電子部品と基板との接合強度を向上
させる機能を有し、電子部品のシフティングや脱落など
が生じない熱硬化性フラックスを提供することであり、
さらにはこれを用いたはんだ付け方法、および電子部品
搭載基板を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to improve the solder wettability, to secure the bonding strength between an electronic component and a substrate before a soldering step, and to maintain the electronic component even after soldering. The purpose of the present invention is to provide a thermosetting flux that has a function of improving the bonding strength between the substrate and the substrate and does not cause shifting or falling off of electronic components.
Another object of the present invention is to provide a soldering method and an electronic component mounting board using the same.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の好
ましい性質を有するはんだ付け用の熱硬化性フラックス
を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、下記の本発明のは
んだ付け用の熱硬化性フラックスにより、その目的を達
成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を完
成させるに至った。すなわち、本発明は下記のとおりで
ある。 (1) (A)1分子中に潜在化されたカルボキシル基を
1個以上有する化合物と、(B)1分子中にカルボキシル
基と加熱により化学結合を形成しうる反応性官能基を2
個以上有する化合物とを含有するはんだ付け用の熱硬化
性フラックス。 (2) (A)成分の1分子中に潜在化されたカルボキシ
ル基を1個以上有する化合物が、1分子中に潜在化され
たカルボキシル基を2個以上有する、式(1)で表わされ
る構造単位を有するポリヘミアセタールエステル樹脂で
ある上記(1)のはんだ付け用の熱硬化性フラックス。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to develop a thermosetting flux for soldering having the above-mentioned preferable properties. It has been found that the object can be achieved by the curable flux, and the present invention has been completed based on this finding. That is, the present invention is as follows. (1) (A) a compound having one or more latent carboxyl groups in one molecule; and (B) a reactive functional group capable of forming a chemical bond with a carboxyl group in one molecule by heating.
A thermosetting flux for soldering, comprising a compound having at least one compound. (2) The structure represented by the formula (1), wherein the compound having one or more latent carboxyl groups in one molecule of the component (A) has two or more latent carboxyl groups in one molecule. The thermosetting flux for soldering according to the above (1), which is a polyhemiacetal ester resin having units.

【0017】[0017]

【化2】 Embedded image

【0018】[式(1)中、R1およびR2はそれぞれ2価の
有機基であり、Yは酸素原子またはイオウ原子であ
る。] (3) (B)成分のカルボキシル基と加熱により化学結
合を形成しうる反応性官能基がエポキシ基であり、さら
に、必要に応じて酸触媒、流動調整剤または溶剤を含有
する上記(1)または(2)のはんだ付け用の熱硬化性
フラックス。 (4) (A)成分および(B)成分の合計含有量を100質
量%としたとき、(A)成分が10〜90質量%であり、
(A)成分および(B)成分の総固形分に対し、酸触媒を0〜
10質量%、溶剤を0〜50質量%、流動調整剤を0〜
50質量%含有する上記(1)〜(3)のいずれかのは
んだ付け用の熱硬化性フラックス。 (5) さらに、はんだ粉末を含有する上記(1)〜
(4)のいずれかのはんだ付け用の熱硬化性フラック
ス。 (6) はんだ粉末が、Sn、Cu、Zn、Ag、Sb、Pb、In、
BiおよびGeから選択された少なくとも一種を含むはんだ
粉末である上記(5)のはんだ付け用の熱硬化性フラッ
クス。 (7) 液状、ペースト状またはシート状である上記
(1)〜(6)のいずれかのはんだ付け用の熱硬化性フ
ラックス。 (8) 上記(1)〜(7)のいずれかの熱硬化性フラ
ックスを用いてはんだ付けするはんだ付け方法。 (9) 電子部品搭載用基板の上に電子部品を搭載する
際に行う上記(8)のはんだ付け方法。 (10) 上記(9)のはんだ付け方法により電子部品
搭載用基板の上に電子部品を搭載して得られた電子部品
搭載基板。
[In the formula (1), R 1 and R 2 are each a divalent organic group, and Y is an oxygen atom or a sulfur atom. (3) The reactive functional group capable of forming a chemical bond with the carboxyl group of the component (B) by heating is an epoxy group, and further contains an acid catalyst, a flow regulator or a solvent, if necessary. ) Or (2) a thermosetting flux for soldering. (4) When the total content of the component (A) and the component (B) is 100% by mass, the component (A) is 10 to 90% by mass,
The acid catalyst is added in an amount of 0 to the total solid content of the components (A) and (B).
10% by mass, 0 to 50% by mass of the solvent, 0 to
The thermosetting flux for soldering according to any one of the above (1) to (3), containing 50% by mass. (5) Furthermore, the above (1) to-containing solder powder
The thermosetting flux for soldering according to any of (4). (6) When the solder powder is Sn, Cu, Zn, Ag, Sb, Pb, In,
The thermosetting flux for soldering according to the above (5), which is a solder powder containing at least one selected from Bi and Ge. (7) The thermosetting flux for soldering according to any one of the above (1) to (6), which is in a liquid, paste or sheet form. (8) A soldering method using the thermosetting flux according to any one of (1) to (7). (9) The soldering method according to the above (8), which is performed when the electronic component is mounted on the electronic component mounting board. (10) An electronic component mounting board obtained by mounting an electronic component on the electronic component mounting substrate by the soldering method of (9).

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の熱硬化性フラックスは、(A)成分の1分子中に
潜在化されたカルボキシル基を1個以上、好ましくは2
個以上有する化合物と、(B)成分の1分子中にカルボキ
シル基と加熱により化学結合を形成しうる反応性官能基
を2個以上有する化合物、さらに、場合により用いられ
る酸触媒、流動調整剤(チキソ剤)、溶剤を含有するも
のである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The thermosetting flux of the present invention comprises one or more, preferably two or more latent carboxyl groups in one molecule of the component (A).
And a compound having two or more reactive functional groups capable of forming a chemical bond with a carboxyl group in one molecule of the component (B), and optionally an acid catalyst and a flow regulator ( Thixotropic agent) and a solvent.

【0020】これによれば、従来のフラックスとは異な
り、はんだ付け後において、接着性をもつため、基板と
電子部品との接合強度が向上する。このため、高密度実
装に適したものとなり、Pbフリーのはんだを用いて実
装した場合においても、電子部品のシフティングや脱落
などが生じない。また、両面実装する場合においても、
接着性に優れるので、一方の面に電子部品を実装してか
ら他方の面に電子部品を実装する場合、実装済みの電子
部品の剥落を防止する目的で、別途、接着剤を用いるな
どの特段の措置を講ずる必要がない。 また、従来のフ
ラックスと同様に、はんだ付けに供される電子部品の酸
化膜を除去する機能をもち、さらには、常温(15℃程
度の温度)〜約220℃の温度範囲まで低粘性を示すた
め、はんだ付けするまでに、基板と電子部品とを仮固定
することが可能になるとともに、はんだ付けに際して
は、溶解したはんだの表面張力により電子部品の搭載態
勢を是正するセルフアライメント効果がある。
According to this, unlike the conventional flux, since it has adhesiveness after soldering, the bonding strength between the substrate and the electronic component is improved. For this reason, it is suitable for high-density mounting, and even when mounting is performed using Pb-free solder, shifting or falling off of the electronic component does not occur. Also, when mounting on both sides,
Since it has excellent adhesiveness, when mounting an electronic component on one side and then mounting an electronic component on the other side, special measures such as using an adhesive separately to prevent the mounted electronic component from peeling off There is no need to take measures. In addition, like a conventional flux, it has a function of removing an oxide film of an electronic component to be soldered, and has a low viscosity in a temperature range from room temperature (about 15 ° C.) to about 220 ° C. Therefore, it is possible to temporarily fix the substrate and the electronic component before soldering, and at the time of soldering, there is a self-alignment effect of correcting the mounting state of the electronic component by the surface tension of the melted solder.

【0021】また、(A)成分と(B)成分とを適宜選択する
ことにより、接着温度等の調整が可能になり、使用目的
に応じてその組合せを選択することができる。
Further, by appropriately selecting the component (A) and the component (B), it becomes possible to adjust the bonding temperature and the like, and the combination can be selected according to the purpose of use.

【0022】このように、本発明の熱硬化性フラックス
は、従来の汎用されているロジン系フラックスと異な
り、基板上へ熱(リフロー)により電子部品を搭載後、
フラックスが実装基板と電子部品を固定する接着剤とし
ての機能を有するところに特徴がある。
As described above, the thermosetting flux of the present invention differs from the conventional rosin-based flux which is generally used, after mounting electronic components on a substrate by heat (reflow).
It is characterized in that the flux has a function as an adhesive for fixing the mounting board and the electronic component.

【0023】本発明の熱硬化性フラックスの必須成分で
ある(A)成分は、1分子中に潜在化されたカルボキシ基
を1個以上、好ましくは2個以上含有する化合物であ
る。このような化合物を用いることにより、本発明の熱
硬化性フラックスは貯蔵安定性に優れたものとなる。
The component (A), which is an essential component of the thermosetting flux of the present invention, is a compound containing one or more, preferably two or more latent carboxy groups in one molecule. By using such a compound, the thermosetting flux of the present invention has excellent storage stability.

【0024】そのような潜在化カルボキシル基として
は、ターシャリーブチルエステル基、トリアルキルシリ
ルエステル基、ヘミアセタールエステル基が挙げられ
る。これらの中でも、ターシャリーブチルエステル基は
脱離基としてガス状のイソブテンを副成し、また、トリ
アルキルシリルエステル基は水分に対して過敏であるこ
とから、ヘミアセタールエステル基が好ましく、(A)成
分の化合物は、このような基を少なくとも1個有するも
のであればよく、なかでも下記式(1)で表わされる構造
単位を少なくとも1個有するポリヘミアセタールエステ
ル樹脂が好ましい。特に好ましくは、下記式(1)で表わ
される繰り返し単位を有するポリヘミアセタールエステ
ル樹脂である。
Examples of such a latent carboxyl group include a tertiary butyl ester group, a trialkylsilyl ester group, and a hemiacetal ester group. Among them, a tertiary butyl ester group by-produces gaseous isobutene as a leaving group, and a trialkylsilyl ester group is sensitive to moisture, and thus a hemiacetal ester group is preferable. The compound of component) may be any compound having at least one such group, and among them, a polyhemiacetal ester resin having at least one structural unit represented by the following formula (1) is preferable. Particularly preferred is a polyhemiacetal ester resin having a repeating unit represented by the following formula (1).

【0025】[0025]

【化3】 Embedded image

【0026】式(1)中、R1およびR2はそれぞれ2価の有
機基であり、Yは酸素原子またはイオウ原子である。
In the formula (1), R 1 and R 2 are each a divalent organic group, and Y is an oxygen atom or a sulfur atom.

【0027】式(1)中のR1、R2で表わされる2価の有機
基はそれぞれ同じでもよいし、異なってもよい。
The divalent organic groups represented by R 1 and R 2 in the formula (1) may be the same or different.

【0028】R1、R2で表わされる有機基としては、例
えばトリメチレンなどのアルキレン基、シクロヘキサン
から2つの水素原子を取り除いたシクロヘキサン残基
(シクロヘキシレン)などのシクロアルキレン基、ビニ
レンなどのアルケニレン基、ポリオキシエチレン、ポリ
オキシプロピレン等のポリオキシアルキレン基、シクロ
ヘキセンから2つの水素原子を取り除いたシクロヘキセ
ン残基などのシクロアルケニレン基、フェニレン、ビフ
ェニレン、ナフチレンなどの2価の芳香族残基、ポリア
ルキンオキシド残基、下記式(2)
Examples of the organic groups represented by R 1 and R 2 include an alkylene group such as trimethylene, a cycloalkylene group such as a cyclohexane residue (cyclohexylene) obtained by removing two hydrogen atoms from cyclohexane, and an alkenylene group such as vinylene. Polyoxyalkylene groups such as polyoxyethylene and polyoxypropylene, cycloalkenylene groups such as cyclohexene residues obtained by removing two hydrogen atoms from cyclohexene, divalent aromatic residues such as phenylene, biphenylene, and naphthylene, and polyalkynes Oxide residue, the following formula (2)

【0029】[0029]

【化4】 Embedded image

【0030】(式中のR3およびR4は、式中の総炭素数
が1〜30となる2価の有機基である。)の有機基などが挙
げられる。なお、式(2)については後述する。
(Wherein R 3 and R 4 in the formula are divalent organic groups having 1 to 30 carbon atoms in the formula). Expression (2) will be described later.

【0031】R1、R2で表わされる有機基の総炭素数は
2〜30が好ましく、さらには6〜25が好ましい。
The total carbon number of the organic group represented by R 1 and R 2 is
It is preferably from 2 to 30, and more preferably from 6 to 25.

【0032】これらの有機基は、塩素、臭素、ヨウ素な
どのハロゲン原子やその他の置換基で置換されてもよ
い。
These organic groups may be substituted with halogen atoms such as chlorine, bromine and iodine and other substituents.

【0033】これらの有機基のうち好ましいものは、ア
ルキレン基、シクロヘキサン残基などのシクロアルキレ
ン基、2価の芳香族残基および式(2)の有機基である。
Preferred among these organic groups are an alkylene group, a cycloalkylene group such as a cyclohexane residue, a divalent aromatic residue and an organic group of the formula (2).

【0034】アルキレン基は、直鎖状または分岐状の2
価の炭化水素基であり、好ましくは炭素数1〜10のアル
キレン基であり、具体的にはメチレン、エチレン、トリ
メチレン、メチルメチレン、エチルメチレン、メチルエ
チレン、エチルエチレン、2−メチルトリメチレン、テ
トラメチレン、1−メチルトリメチレン、ペンタメチレ
ン、2,2−ジメチルトリメチレン、1−メチルペンタメチ
レン、2−メチルペンタメチレン、3−メチルペンタメチ
レン、ヘキサメチレン、ヘプタメチレン、オクタメチレ
ン、ノナメチレン、デカメチレンなどが挙げられる。
The alkylene group may be a linear or branched 2
A hydrocarbon group, preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, specifically, methylene, ethylene, trimethylene, methylmethylene, ethylmethylene, methylethylene, ethylethylene, 2-methyltrimethylene, tetramethyl Methylene, 1-methyltrimethylene, pentamethylene, 2,2-dimethyltrimethylene, 1-methylpentamethylene, 2-methylpentamethylene, 3-methylpentamethylene, hexamethylene, heptamethylene, octamethylene, nonamethylene, decamethylene, etc. Is mentioned.

【0035】シクロアルキレン基としては、例えばシク
ロペンタン残基、シクロヘキサン残基、シクロヘプタン
残基、これらの残基の結合手の1つまたは2つにさらにメ
チレン基、エチレン基などの上記アルキレン基が結合し
たものおよびこれらのアルキル置換体が挙げられ、好ま
しくはシクロヘキサン残基、シクロヘプタン残基、およ
びこれらのアルキル置換体が挙げられる。総炭素数は5
〜18であることが好ましい。
As the cycloalkylene group, for example, a cyclopentane residue, a cyclohexane residue, a cycloheptane residue, and one or two bonds of these residues further include the above-mentioned alkylene groups such as a methylene group and an ethylene group. Bonded compounds and their alkyl-substituted compounds are preferred, and preferred are cyclohexane residues, cycloheptane residues, and their alkyl-substituted products. Total carbon number is 5
1818 is preferred.

【0036】アルケニレン基は、直鎖状または分岐状の
2価の炭化水素基であり、好ましくは炭素数1〜10のアル
ケニレン基であり、具体的にはcis−ビニレン、trans−
ビニレン、プロペニレン、2−ブテニレン、1−メチルプ
ロペニレン、3−メチル−2−ブテニレン、3,3−ジメチ
ルプロペニレン、2−ペンテニレン、3−メチル−2−ブ
テニレン、3−メチル−3−ブテニレン、2−ヘキサニレ
ン、3−ヘプテニレン、4−オクテニレン、3−ノネニレ
ン、3−デセニレンなどが挙げられる。
Alkenylene groups are straight-chain or branched
A divalent hydrocarbon group, preferably an alkenylene group having 1 to 10 carbon atoms, specifically cis-vinylene, trans-
Vinylene, propenylene, 2-butenylene, 1-methylpropenylene, 3-methyl-2-butenylene, 3,3-dimethylpropenylene, 2-pentenylene, 3-methyl-2-butenylene, 3-methyl-3-butenylene, 2-hexenylene, 3-heptenylene, 4-octenylene, 3-nonenylene, 3-decenylene and the like can be mentioned.

【0037】ポリオキシアルキレン基としては、例えば
ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリオキ
シブチレンなどが挙げられる。総炭素数は4〜30である
ことが好ましい。
Examples of the polyoxyalkylene group include polyoxyethylene, polyoxypropylene and polyoxybutylene. The total carbon number is preferably 4 to 30.

【0038】シクロアルケニレン基としては、例えばシ
クロペンテン残基、シクロヘキセン残基、シクロヘプテ
ン残基、これらの残基の結合手の1つまたは2つにさらに
メチレン基、エチレン基などの上記アルキレン基が結合
したものおよびこれらのアルキル置換体が挙げられ、好
ましくはシクロペンテン残基、シクロヘキセン残基が挙
げられる。総炭素数は5〜18であることが好ましい。
As the cycloalkenylene group, for example, a cyclopentene residue, a cyclohexene residue, a cycloheptene residue, and one or two bonds of these residues further bonded with the above-mentioned alkylene group such as a methylene group or an ethylene group And the alkyl-substituted products thereof, preferably a cyclopentene residue and a cyclohexene residue. Preferably, the total carbon number is 5-18.

【0039】2価の芳香族残基としては、芳香族化合物
から2つの水素原子を取り除いた残基であり、適当な具
体例としては、例えばフェニレン、ビフェニレン、ナフ
チレン、オキソナフチレン、2価のアントラセン残基、2
価のアントラキノン残基、アルカンジフェニレン、カル
ボニルジフェニレン、スルホニルジフェニレンおよびこ
れらのアルキル置換体、これらの残基の結合手の1つま
たは2つにさらにメチレン基、エチレン基などの上記ア
ルキレン基が結合したもの、さらには塩素、臭素、ヨウ
素などのハロゲン原子による置換体などが挙げられる。
The divalent aromatic residue is a residue obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic compound, and specific examples thereof include, for example, phenylene, biphenylene, naphthylene, oxonaphthylene, and divalent anthracene residue. Group, 2
Divalent anthraquinone residue, alkane diphenylene, carbonyl diphenylene, sulfonyl diphenylene and their alkyl substituents, and one or two bonds of these residues further have the above alkylene group such as a methylene group or an ethylene group. Examples thereof include those bonded and substituted with a halogen atom such as chlorine, bromine and iodine.

【0040】これらの芳書族残基の好ましいものとして
は、フェニレン、ナフチレン、アルカンジフェニレン、
オキソナフチレン残基およびこれらのアルキル置換体が
挙げられる。総炭素数は6〜20であることが好ましい。
Preferred of these aromatic residues are phenylene, naphthylene, alkanediphenylene,
Oxonaphthylene residues and their alkyl substituents. The total carbon number is preferably 6-20.

【0041】シクロアルキル環、シクロアルケニル環ま
たは芳香族環に置換するアルキル基としては、例えばメ
チル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチ
ル、イソブチル、tert−ブチル、n−ペンチル、イソペ
ンチル、ネオペンチル、tert−ペンチル、2−メチルブ
チル、n−ヘキシル、イソヘキシル、3−メチルペンチ
ル、エチルブチル、n−ヘプチル、2−メチルヘキシ
ル、n−オクチル、3−メチルヘプチル、n−ノニル、
メチルオクチル、エチルヘプチル、n−デシル、n−ウ
ンデシル、n−ドデシル、n−テトラデシル、n−ヘプ
タデシル、n−オクタデシル、シクロヘキシルなどが挙
げられ、好ましくは炭素数1〜8のアルキル基であり、具
体的には、例えばメチル、エチル、n−プロピル、n−
オクチルなどである。これらのシクロアルキル環、シク
ロアルケニル環または芳香族環に置換するアルキル基
は、1つでもよいし、2つ以上でもよい。
Examples of the alkyl group substituted on the cycloalkyl ring, cycloalkenyl ring or aromatic ring include, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl Tert-pentyl, 2-methylbutyl, n-hexyl, isohexyl, 3-methylpentyl, ethylbutyl, n-heptyl, 2-methylhexyl, n-octyl, 3-methylheptyl, n-nonyl,
Methyl octyl, ethyl heptyl, n-decyl, n-undecyl, n-dodecyl, n-tetradecyl, n-heptadecyl, n-octadecyl, cyclohexyl and the like, preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, Specifically, for example, methyl, ethyl, n-propyl, n-
Octyl and the like. The number of the alkyl groups substituted on the cycloalkyl ring, cycloalkenyl ring or aromatic ring may be one, or two or more.

【0042】上記フェニレンおよびそのアルキル置換体
としては、例えばo−フェニレン、m−フェニレン、p
−フェニレン、4−メチル−o−フェニレン、5−メチル
−m−フェニレン、5−メチル−p−フェニレンなどの
トリレンの各異性体、3,4−ジメチル−o−フェニレ
ン、4,5−ジメチル−m−フェニレン、2,5−ジメチル
−p−フェニレンなどのキシリレンの各異性体、4−エ
チル−o−フェニレン、4−エチル−m−フェニレン、2
−エチル−p−フェニレンなどのエチルフェニレンの各
異性体、n−プロピルフェニレンの各異性体、イソプロ
ピルフェニレンの各異性体、n−ブチルフェニレンの各
異性体、t−ブチルフェニレンの各異性体、アミルフェ
ニレンの各異性体、ヘキシルフェニレンの各異性体、ノ
ニルフェニレンの各異性体などが挙げられ、好ましいも
のとしては、o−フェニレン、m−フェニレン、p−フ
ェニレン、4−メチル−o−フェニレン、5−メチル−m
−フェニレン、5−メチル−p−フェニレンが挙げられ
る。
The phenylene and its alkyl-substituted product include, for example, o-phenylene, m-phenylene, p-
Isomers of tolylene such as -phenylene, 4-methyl-o-phenylene, 5-methyl-m-phenylene, 5-methyl-p-phenylene, 3,4-dimethyl-o-phenylene, 4,5-dimethyl- Each isomer of xylylene such as m-phenylene, 2,5-dimethyl-p-phenylene, 4-ethyl-o-phenylene, 4-ethyl-m-phenylene, 2
-Ethylphenylene isomers such as -ethyl-p-phenylene, n-propylphenylene isomers, isopropylphenylene isomers, n-butylphenylene isomers, t-butylphenylene isomers, amyl Each isomer of phenylene, each isomer of hexylphenylene, each isomer of nonylphenylene, and the like, with preferable ones being o-phenylene, m-phenylene, p-phenylene, 4-methyl-o-phenylene, 5 -Methyl-m
-Phenylene, 5-methyl-p-phenylene.

【0043】ナフチレンおよびそのアルキル置換体とし
ては、例えば1,2−ナフチレン、1,3−ナフチレン、1,4
−ナフチレン、1,5−ナフチレン、1,6−ナフチレン、1,
7−ナフチレン、1,8−ナフチレン、2,3−ナフチレン、
2,6−ナフチレン、2,7−ナフチレンおよびこれらのメチ
ル置換体の各異性体、ジメチル置換体の各異性体、エチ
ル置換体の各異性体、イソプロピル置換体の各異性体、
n−ブチル置換体の各異性体などが挙げられ、好ましい
ものとしては1,2−ナフチレン、1,3−ナフチレン、1,4
−ナフチレン、1,5−ナフチレン、1,6−ナフチレン、1,
7−ナフチレン、1,8−ナフチレン、2,3−ナフチレン、
2,6−ナフチレン、2,7−ナフチレンが挙げられる。
Examples of naphthylene and its alkyl-substituted product include 1,2-naphthylene, 1,3-naphthylene, 1,4
-Naphthylene, 1,5-naphthylene, 1,6-naphthylene, 1,
7-naphthylene, 1,8-naphthylene, 2,3-naphthylene,
2,6-naphthylene, 2,7-naphthylene and their methyl-substituted isomers, dimethyl-substituted isomers, ethyl-substituted isomers, isopropyl-substituted isomers,
Examples include isomers of n-butyl substituents, and preferred are 1,2-naphthylene, 1,3-naphthylene, 1,4
-Naphthylene, 1,5-naphthylene, 1,6-naphthylene, 1,
7-naphthylene, 1,8-naphthylene, 2,3-naphthylene,
Examples include 2,6-naphthylene and 2,7-naphthylene.

【0044】オキソナフチレンおよびそのアルキル置換
体としては、例えば1,2−ナフトキノン−5,8位残基、1,
4−ナフトキノン−5,8位残基、2,6−ナフトキノン−5,8
位残基およびこれらのメチル置換体の各異性体、エチル
置換体の各異性体、イソプロピル置換体の各異性体、n
−ブチル置換体の各異性体などが挙げられ、好ましくは
1,2−ナフトキノン−5,8位残基、1,4−ナフトキノン−
5,8位残基、2,6−ナフトキノン−5,8位残基が挙げられ
る。
Oxonaphthylene and its alkyl-substituted product include, for example, 1,2-naphthoquinone-5,8-position residue,
4-naphthoquinone-5,8-position residue, 2,6-naphthoquinone-5,8
Residue and their methyl-substituted isomers, ethyl-substituted isomers, isopropyl-substituted isomers, n
Each isomer of -butyl substituent, and the like, preferably
1,2-naphthoquinone-5,8-position residue, 1,4-naphthoquinone-
Residues at 5,8 and 2,6-naphthoquinone-5,8 are listed.

【0045】2価のアントラセン残基は、アントラセン
から2個の水素原子を取り除いた残基であり、アントラ
セン残基およびそのアルキル置換体の具体例としては、
例えば1,2−アントラセン残基、1,3−アントラセン残
基、1,4−アントラセン残基、1,5−アントラセン残基、
1,6−アントラセン残基、1,7−アントラセン残基、1,8
−アントラセン残基、2,3−アントラセン残基、2,6−ア
ントラセン残基、2,7−アントラセン残基、およびこれ
らのメチル置換体の各異性体、エチル置換体の各異性
体、イソプロピル置換体の各異性体、n−ブチル置換体
の各異性体などが挙げられ、好ましくは1,2−アントラ
セン残基、1,3−アントラセン残基、1,4−アントラセン
残基、1,5−アントラセン残基、1,6−アントラセン残
基、1,7−アントラセン残基、1,8−アントラセン残基、
2,3−アントラセン残基、2,6−アントラセン残基、2,7
−アントラセン残基が挙げられる。
The divalent anthracene residue is a residue obtained by removing two hydrogen atoms from anthracene, and specific examples of the anthracene residue and its alkyl-substituted product include:
For example, 1,2-anthracene residue, 1,3-anthracene residue, 1,4-anthracene residue, 1,5-anthracene residue,
1,6-anthracene residue, 1,7-anthracene residue, 1,8
-Anthracene residue, 2,3-anthracene residue, 2,6-anthracene residue, 2,7-anthracene residue, and their methyl-substituted isomers, ethyl-substituted isomers, and isopropyl substitution Isomers, n-butyl-substituted isomers and the like, and preferably 1,2-anthracene residue, 1,3-anthracene residue, 1,4-anthracene residue, 1,5- Anthracene residue, 1,6-anthracene residue, 1,7-anthracene residue, 1,8-anthracene residue,
2,3-anthracene residue, 2,6-anthracene residue, 2,7
-Anthracene residues.

【0046】2価のアントラキノン残基は、アントラキ
ノンから2個の水素原子を取り除いた残基であり、アン
トラキノン残基およびそのアルキル置換体の具体例とし
ては、例えば9,10−アントラキノン−5,8位残基、9,10
−アントラキノン−1,5位残基、1,2−アントラキノン−
6,9位残基、1,4−アントラキノン−6,9位残基およびこ
れらのメチル置換体の各異性体、エチル置換体の各異性
体、イソプロピル置換体の各異性体、n−ブチル置換体
の各異性体などが挙げられ、好ましくは9,10−アントラ
キノン−5,8位残基、9,10−アントラキノン−1,5位残
基、1,2−アントラキノン−6,9位残基、1,4−アントラ
キノン−6,9位残基が挙げられる。
The divalent anthraquinone residue is a residue obtained by removing two hydrogen atoms from anthraquinone, and specific examples of the anthraquinone residue and its alkyl-substituted product include, for example, 9,10-anthraquinone-5,8 Residue, 9,10
-Anthraquinone-1,5-position residue, 1,2-anthraquinone-
6,9-position residue, 1,4-anthraquinone-6,9-position residue and their methyl-substituted isomers, ethyl-substituted isomers, isopropyl-substituted isomers, n-butyl substitution And the like, preferably 9,10-anthraquinone-5,8-position residue, 9,10-anthraquinone-1,5-position residue, 1,2-anthraquinone-6,9-position residue , 1,4-anthraquinone-6,9-position residues.

【0047】アルカンジフェニレンおよびそのアルキル
置換体としては、例えばプロパン−2,2−ジフェニレ
ン、2−メチルプロパン−3,3−ジフェニレン、メチル
シクロヘキシルメタン−ジフェニレンおよびこれらのメ
チル置換体の各異性体、エチル置換体の各異性体、イソ
プロピル置換体の各異性体、n−ブチル置換体の各異性
体などが挙げられ、好ましくはプロパン−2,2−ジフェ
ニレンが挙げられる。
The alkanediphenylene and its alkyl-substituted product include, for example, propane-2,2-diphenylene, 2-methylpropane-3,3-diphenylene, methylcyclohexylmethane-diphenylene, and isomers of these methyl-substituted products. Examples include ethyl-substituted isomers, isopropyl-substituted isomers, and n-butyl-substituted isomers, and preferred is propane-2,2-diphenylene.

【0048】スルホニルジフェニレンおよびそのアルキ
ル置換体としては、例えばスルホニルジフェニレン、お
よびこれらのメチル置換体の各異性体、エチル置換体の
各異性体、イソプロピル置換体の各異性体、n−ブチル
置換体の各異性体などが挙げられ、好ましくはスルホニ
ルジフェニレンが挙げられる。
Examples of the sulfonyldiphenylene and its alkyl-substituted product include sulfonyldiphenylene and their methyl-substituted isomers, ethyl-substituted isomers, isopropyl-substituted isomers, n-butyl-substituted isomers. Each isomer of the compound is preferable, and sulfonyl diphenylene is preferable.

【0049】Yは酸素原子または硫黄原子を表すが、好
ましくは酸素原子である。
Y represents an oxygen atom or a sulfur atom, preferably an oxygen atom.

【0050】また、式(2)中のR3およびR4は、それぞ
れ2価の有機基である。式中の左右のR3およびR4は、
それぞれ同じでもよいし、異なってもよい。R3および
4の具体例としては、前記したR1およびR2のうち式
(2)の有機基以外の有機基と同様なものが挙げられる。
R 3 and R 4 in the formula (2) are each a divalent organic group. R 3 and R 4 on the left and right in the formula are
Each may be the same or different. Specific examples of R 3 and R 4 include, among the above R 1 and R 2 ,
The same organic groups as the organic groups other than the organic group of (2) can be mentioned.

【0051】本発明の必須成分として好ましいとされる
ポリヘミアセタールエステル樹脂は、上記式(1)で表わ
される繰り返し単位を有するものであるが、式(1)で表
わされる繰り返し単位の1種のみを有するものでもよい
し、2種以上を有するものでもよく、また上記式(1)で表
わされる繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでもよ
い。
The polyhemiacetal ester resin which is preferred as an essential component of the present invention has a repeating unit represented by the above formula (1), but only one of the repeating units represented by the formula (1) Or may have two or more kinds, and may include a repeating unit other than the repeating unit represented by the above formula (1).

【0052】本発明で使用されるポリヘミアセタールエ
ステル樹脂に含有されるその他の繰り返し単位として
は、例えばポリエステル樹脂を横成する繰り返し単位、
ウレタン樹脂を横成する繰り返し単位などが挙げられ
る。
The other repeating unit contained in the polyhemiacetal ester resin used in the present invention includes, for example, a repeating unit that forms a polyester resin,
Examples of the repeating unit include a urethane resin.

【0053】当該ポリヘミアセタールエステル樹脂の重
量平均分子量は、特に制限されるものではないが、通常
500〜100,000の範囲のものであり、好ましくは800〜20,
000の範囲のものである。
The weight-average molecular weight of the polyhemiacetal ester resin is not particularly limited, but is usually
In the range of 500-100,000, preferably 800-20,
000 range.

【0054】本発明で使用される式(1)で表わされる繰
り返し単位を有するポリヘミアセタールエステル樹脂
は、式(3)
The polyhemiacetal ester resin having a repeating unit represented by the formula (1) used in the present invention is represented by the formula (3)

【0055】[0055]

【化5】 Embedded image

【0056】(式中のR1は、2価の有機基である。)で
表わされるジカルボン酸化合物と、式(4)
(Wherein R 1 is a divalent organic group) and a dicarboxylic acid compound represented by the formula (4):

【0057】[0057]

【化6】 Embedded image

【0058】(式中のR2は、2価の有機基であり、Yは
酸素原子または硫黄原子である。)で表わされるジビニ
ルエーテル化合物、あるいはジビニルチオエーテル化合
物との付加反応により容易に得ることができる。なお、
式(3)、(4)中のR1、R2は式(1)中のものと同義のもの
である。
(Wherein R 2 is a divalent organic group and Y is an oxygen atom or a sulfur atom), which can be easily obtained by an addition reaction with a divinyl ether compound or a divinyl thioether compound. Can be. In addition,
R 1 and R 2 in the formulas (3) and (4) have the same meanings as those in the formula (1).

【0059】本発明で使用されるポリヘミアセタールエ
ステル樹脂の製造に使用される前記式(3)で表わされる
ジカルボン酸化合物としては、例えばマレイン酸、フマ
ル酸、メサコン酸、シトラコン酸、イタコン酸、塩素化
マレイン酸、ヘット酸、コハク酸、アジピン酸、アゼラ
イン酸、セバシン酸、デカメチレンジカルボン酸などの
炭素数2〜30の脂肪族ジカルボン酸、フタル酸、イソフ
タル酸、テレフタル酸、ジクロロフタル酸、ジクロロイ
ソフタル酸、テトラクロロフタル酸、テトラクロロイソ
フタル酸、テトラクロロテレフタル酸などの芳香族ジカ
ルボン酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル
酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、ヘキサヒドロイソフ
タル酸、ヘキサヒドロテレフタル酸などの脂環式ジカル
ボン酸、および前述の2価の有機基であるR1およびR2
の2価残基にカルボキシル基を導入したジカルボン酸な
どが挙げられる。
The dicarboxylic acid compound represented by the formula (3) used in the production of the polyhemiacetal ester resin used in the present invention includes, for example, maleic acid, fumaric acid, mesaconic acid, citraconic acid, itaconic acid, Chlorinated maleic acid, heptic acid, succinic acid, adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, aliphatic dicarboxylic acids having 2 to 30 carbon atoms such as decamethylenedicarboxylic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, dichlorophthalic acid Aromatic dicarboxylic acids such as dichloroisophthalic acid, tetrachlorophthalic acid, tetrachloroisophthalic acid, tetrachloroterephthalic acid, tetrahydrophthalic acid, hexahydrophthalic acid, methylhexahydrophthalic acid, hexahydroisophthalic acid, hexahydroterephthalic acid, etc. An alicyclic dicarboxylic acid, and 2 R 1 and R 2 which are organic groups
And a dicarboxylic acid in which a carboxyl group has been introduced into the divalent residue.

【0060】また、このジカルボン酸の代わりに1モル
のジオールと2モルの酸無水物との付加反応によって得
られるジカルボン酸のハーフエステル体を使用すること
ができる。そのようなジオールとしては、例えばエチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、1,2−および1,3
−プロピレングリコール、1,3−ブタンジオール、1,4−
ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,6−ヘキサン
ジオール、ペンタンジオール、ジメチルブタンジオー
ル、水添ビスフェノールA、ビスフェノールA、ネオペン
チルグリコール、1,8−オクタンジオール、1,4−シクロ
ヘキサンジオール、1,4−シクロヘキサンジメタノー
ル、2−メチル−1,3−プロパンジオールなどが挙げられ
る。ハーフエステル体に使用される酸無水物としては、
例えばコハク酸、グルタル酸、フタル酸、マレイン酸、
ジクロロフタル酸、テトラクロロフタル酸、テトラヒド
ロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸メチルヘキサヒドロ
フタル酸などのジカルボン酸の酸無水物が挙げられる。
その他、ポリエステル構造、ポリブタジエン構造を持つ
末端ジカルボン酸など、ジカルボン酸構造を有するもの
であればいかなる化合物も使用し得る。
In place of this dicarboxylic acid, a half-ester of dicarboxylic acid obtained by an addition reaction of 1 mol of diol and 2 mol of acid anhydride can be used. Such diols include, for example, ethylene glycol, diethylene glycol, 1,2- and 1,3
-Propylene glycol, 1,3-butanediol, 1,4-
Butanediol, 2,3-butanediol, 1,6-hexanediol, pentanediol, dimethylbutanediol, hydrogenated bisphenol A, bisphenol A, neopentyl glycol, 1,8-octanediol, 1,4-cyclohexanediol, Examples thereof include 1,4-cyclohexanedimethanol and 2-methyl-1,3-propanediol. As the acid anhydride used for the half ester compound,
For example, succinic, glutaric, phthalic, maleic,
Acid anhydrides of dicarboxylic acids such as dichlorophthalic acid, tetrachlorophthalic acid, tetrahydrophthalic acid, methyl hexahydrophthalate and hexahydrophthalic acid.
In addition, any compound having a dicarboxylic acid structure, such as a terminal dicarboxylic acid having a polyester structure or a polybutadiene structure, can be used.

【0061】また、本発明で使用されるポリヘミアセタ
ールエステル樹脂の製造に使用される前記式(4)で表わ
されるジビニルエーテル化合物の具体例としては、例え
ばトリメチレングリコールジビニルエーテル、1,4−ビ
スビニルオキシメチルシクロヘキセン、エチレングリコ
ールジビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニ
ルエーテル、ブタンジオールジビニルエーテル、ペンタ
ンジオールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニ
ルエーテル、1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニ
ルエーテル、1,4−ベンゼンジビニルエーテル、ビスフ
ェノールAジビニルエーテル、ビスフェノールFジビニル
エーテル、およびこれらの対応するジビニルチオエーテ
ル、ならびに2,2-ビス(ビニルチオ)プロパン、および
前述の2価の有機基であるR1およびR2の2価残基にビニ
ルエーテル基あるいはビニルチオエーテル基を導入した
ジビニルエーテル類やジビニルチオエーテル類などが挙
げられる。
Specific examples of the divinyl ether compound represented by the above formula (4) used for producing the polyhemiacetal ester resin used in the present invention include, for example, trimethylene glycol divinyl ether, 1,4- Bisvinyloxymethyl cyclohexene, ethylene glycol divinyl ether, polyethylene glycol divinyl ether, butanediol divinyl ether, pentanediol divinyl ether, hexanediol divinyl ether, 1,4-cyclohexanedimethanol divinyl ether, 1,4-benzenedivinyl ether, bisphenol a divinyl ether, R 1 is a bisphenol F divinyl ether, and divinyl thioethers, and 2,2-bis (vinylthio) propane, and divalent organic group described above their corresponding Etc. and divinyl ethers to introduce a vinyl ether group or vinyl thioether group divalent residue of R 2 or divinyl thioethers and the like.

【0062】本発明で使用されるポリヘミアセタールエ
ステル樹脂においては、前記式(3)で表わされるジカル
ボン酸化合物またはハーフエステル体および前記式(4)
で表わされるジビニルエーテル化合物を各々複数種用い
てもよい。また、分子量、塗膜物性の調整のため前記ジ
カルボン酸化合物またはハーフエステルの他に1官能性
のカルボン酸化合物またはフェノール類あるいはモノア
ルコールを併用してもよい。そのような化合物として
は、例えば炭素数1〜20の合成樹脂酸、炭素数10〜32の
天然脂肪酸、ロジン、炭素数1〜25のフェノール類、ア
ルコール類などが挙げられる。
In the polyhemiacetal ester resin used in the present invention, the dicarboxylic acid compound represented by the formula (3) or the half ester compound and the compound represented by the formula (4)
Or a plurality of divinyl ether compounds represented by In addition, a monofunctional carboxylic acid compound, a phenol or a monoalcohol may be used in addition to the dicarboxylic acid compound or the half ester in order to adjust the molecular weight and physical properties of the coating film. Examples of such compounds include synthetic resin acids having 1 to 20 carbon atoms, natural fatty acids having 10 to 32 carbon atoms, rosin, phenols having 1 to 25 carbon atoms, alcohols and the like.

【0063】前述のジカルボン酸化合物またはハーフエ
ステル体とジビニルエーテル化合物との反応は、通常無
溶媒または適当な溶媒中で室温(20℃程度の温度)な
いし200℃の範囲の温度において行われる。
The reaction between the above-mentioned dicarboxylic acid compound or half-ester and the divinyl ether compound is usually carried out without a solvent or in a suitable solvent at a temperature in the range of room temperature (about 20 ° C.) to 200 ° C.

【0064】本発明の熱硬化性組成物において使用され
る(B)成分は、(A)成分を加熱することにより再生した遊
離カルボキシル基と反応して化学結合を形成し得る反応
性官能基を1分子中に2個以上、好ましくは2〜50個有す
る化合物である。
The component (B) used in the thermosetting composition of the present invention has a reactive functional group capable of forming a chemical bond by reacting with a free carboxyl group regenerated by heating the component (A). A compound having two or more, preferably 2 to 50 in one molecule.

【0065】そのような反応性官能基としては、例えば
エポキシ基、オキサゾリン残基、シラノール残基、アル
コキシシラン残基、ヒドロキシル基、アミノ基、イミノ
基、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、シ
クロカーボネート基、ビニルエーテル基、ビニルチオエ
ーテル基、アミノメチロール基、アルキル化アミノメチ
ロール基、アセタール残基、ケタール残基などが挙げら
れる。
Examples of such a reactive functional group include an epoxy group, an oxazoline residue, a silanol residue, an alkoxysilane residue, a hydroxyl group, an amino group, an imino group, an isocyanate group, a blocked isocyanate group, a cyclocarbonate group, Examples include a vinyl ether group, a vinyl thioether group, an aminomethylol group, an alkylated aminomethylol group, an acetal residue, and a ketal residue.

【0066】これらの中でもエポキシ基は、(A)成分で
あるポリヘミアセタールエステル樹脂の熱分解で生成す
るカルボキシル基と付加反応を起こし、強固なβ−ヒド
ロキシエチルエステル結合を形成すること、および、上
述のポリヘミアセタールエステル樹脂の熱分解反応で副
成するジビニルエーテルが、β−ヒドロキシエチルエス
テルの水酸基とさらに反応、アセタール結合を形成し、
硬化物の物性向上に有利であることから、特に好まし
い。
Of these, the epoxy group undergoes an addition reaction with a carboxyl group generated by thermal decomposition of the polyhemiacetal ester resin as the component (A) to form a strong β-hydroxyethyl ester bond, and Divinyl ether by-produced by the thermal decomposition reaction of the above-mentioned polyhemiacetal ester resin further reacts with the hydroxyl group of β-hydroxyethyl ester to form an acetal bond,
It is particularly preferable because it is advantageous for improving the physical properties of the cured product.

【0067】そのような(B)成分の化合物の具体例とし
ては、ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、フェノールクレゾール型エポキ
シ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、シクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルア
クリレート、グリシジルメタクリレート、3,4−エポキ
シシクロヘキシルメチルアクリレート、3,4−エポキシ
シクロヘキシルメチルメタクリレートなどの単独重合体
または共重合体、グリシジルアリルエーテルとフッ化ビ
ニリデンおよびビニルエーテルから成る共重合体、ポリ
カルボン酸あるいはポリオールとエピクロルヒドリンと
の反応により得られるポリグリシジル化合物およびエポ
キシ基含有シリコーンオイル、例えばエピコート828、8
72、1001、1004(いずれも商品名、油化シェルエポキシ
(株)社製)などのエポキシ樹脂や、KF−101、KF−10
3、KF−105、X−22−169AS(いずれも商品名、信越化学
工業(株)製)などのエポキシ基含有化合物が挙げられ
る。
Specific examples of the compound of the component (B) include bisphenol type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, phenol cresol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, cyclopentadiene type epoxy resin, alicyclic epoxy type Resin, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, homopolymer or copolymer such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, a copolymer of glycidyl allyl ether and vinylidene fluoride and vinyl ether, Polyglycidyl compound obtained by reacting polycarboxylic acid or polyol with epichlorohydrin and silicone oil containing epoxy group, for example, Epicoat 828, 8
Epoxy resins such as 72, 1001, 1004 (all trade names, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), KF-101, KF-10
3, epoxy group-containing compounds such as KF-105 and X-22-169AS (all trade names, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

【0068】本発明の熱硬化性組成物においては、前記
(A)成分および(B)成分の含有割合は、(A)成分の潜在化
されたカルボキシル基と(B)成分のエポキシ基の当量比
で0.2:1.0〜1.0:0.2の割合になるように各成分を含有
させることが望ましい。(A)成分のポリヘミアセタール
エステル樹脂は、単に加熱することにより、元の遊離カ
ルボキシル基を再生することができるが、ここに酸触媒
が存在することにより速くカルボキシル基を再生するこ
とができる。
In the thermosetting composition of the present invention,
The content ratio of the component (A) and the component (B) is such that the equivalent ratio of the latent carboxyl group of the component (A) to the epoxy group of the component (B) is 0.2: 1.0 to 1.0: 0.2. It is desirable to include each component. The polyhemiacetal ester resin of the component (A) can regenerate the original free carboxyl group simply by heating, but the carboxyl group can be rapidly regenerated by the presence of the acid catalyst.

【0069】そのような酸触媒としては、ブレンステッ
ド酸あるいはルイス酸を使用できるが、一液型熱硬化性
組成物を最終目的とする場合、加熱時に初めて活性を示
す熱潜在性酸触媒成分、および/または光の照射により
酸を発生する化合物が好ましい。加熱時に初めて活性を
示す熱潜在性酸触媒成分としては、ブレンステッド酸あ
るいはルイス酸をルイス塩基で中和した化合物、ルイス
酸とトリアルキルホスフェートの混合物、スルホン酸エ
ステル類、リン酸エステル類、オニウム化合物類、およ
び(i)エポキシ基を有する化合物、(ii)含イオウ化
合物および(iii)ルイス酸を必須成分とし、場合によ
り(iv)カルボン酸化合物および/または無水カルボン
酸化合物から成る化合物が好ましく挙げられる。
As such an acid catalyst, a Bronsted acid or a Lewis acid can be used. When a one-part type thermosetting composition is intended for the final purpose, a heat-latent acid catalyst component which becomes active only when heated, And / or compounds that generate an acid upon irradiation with light are preferred. Examples of the heat-latent acid catalyst component exhibiting activity for the first time upon heating include a compound obtained by neutralizing a Bronsted acid or a Lewis acid with a Lewis base, a mixture of a Lewis acid and a trialkyl phosphate, a sulfonate, a phosphate, and an onium. Compounds, and (i) a compound having an epoxy group, (ii) a sulfur-containing compound and (iii) a Lewis acid as essential components, and optionally a compound comprising (iv) a carboxylic acid compound and / or a carboxylic anhydride compound are preferred. No.

【0070】上記酸触媒は、1種単独で用いてもよい
し、2種以上を組合せて用いてもよい。
The above acid catalysts may be used alone or in combination of two or more.

【0071】前記熱潜在性酸触媒成分の使用量について
は特に制限ないが、通常本発明のポリヘミアセタールエ
ステル樹脂を含有する熱硬化性組成物の総固形分に対
し、0〜10質量%、さらには0.1〜10質量%の範囲
にあるのが好ましい。
The amount of the heat-latent acid catalyst component is not particularly limited, but is usually 0 to 10% by mass relative to the total solid content of the thermosetting composition containing the polyhemiacetal ester resin of the present invention. More preferably, it is in the range of 0.1 to 10% by mass.

【0072】また、本発明で場合により用いられる流動
調整剤(チキソ剤)としては、無機シリカ粉末および有
機ポリアミド、シリコーン、フェノールなどの樹脂粉末
が望ましい。配合量は熱硬化性組成物の総固形分に対
し、0〜50質量%、さらには0.1〜50質量%の範囲
が効果的である。
As the flow regulator (thixo agent) optionally used in the present invention, inorganic silica powder and resin powder of organic polyamide, silicone, phenol and the like are desirable. The compounding amount is effectively in the range of 0 to 50% by mass, and more preferably 0.1 to 50% by mass, based on the total solid content of the thermosetting composition.

【0073】また、本発明で場合により用いられる溶剤
としては、特に制限はないが、芳香族系、エステル系、
エーテル系、ケトン系、アミド系、スルフォキシド系、
リン酸エステル系溶剤等が好ましい。溶剤は、熱硬化性
組成物の総固形分に対し、0〜50質量%の範囲にある
のが好ましい。
The solvent optionally used in the present invention is not particularly limited, but may be an aromatic solvent, an ester solvent,
Ether type, ketone type, amide type, sulfoxide type,
Phosphate-based solvents are preferred. The solvent is preferably in the range of 0 to 50% by mass based on the total solid content of the thermosetting composition.

【0074】本発明に使用されるはんだ金属粉末の種類
としては、Sn、Pb、Cu、Zn、Ag、Sb、In、Bi、Geを少な
くとも1元素以上含む組成であって、溶融するはんだ温
度、目標とする接合強度を得るため、その金属配合比率
は任意に設定できる。はんだ金属粉末は、通常、樹脂固
形分に対し、20〜100質量%の範囲で用いられる。はん
だ粉末の粒径に特に制限はないが、平均粒径が10〜30μ
m 程度であることが好ましい。
The type of the solder metal powder used in the present invention includes a composition containing at least one element of Sn, Pb, Cu, Zn, Ag, Sb, In, Bi, and Ge, and a melting solder temperature, In order to obtain the target bonding strength, the metal compounding ratio can be set arbitrarily. The solder metal powder is usually used in a range of 20 to 100% by mass based on the resin solid content. There is no particular limitation on the particle size of the solder powder, but the average particle size is 10 to 30μ
m.

【0075】本発明のポリヘミアセタールエステル樹脂
を含有する熱硬化性組成物の硬化に要する温度および時
間については、前記式(1)で表わされるポリヘミアセタ
ールエステル樹脂から遊離カルボキシル基を再生する温
度、反応性官能基の種類、酸触媒の有無、種類などによ
り異なるが、はんだリフロー工程(通常230℃〜270℃程
度の温度)において十分に硬化するように設計するのが
好ましい。
The temperature and the time required for curing the thermosetting composition containing the polyhemiacetal ester resin of the present invention are determined by the temperature at which free carboxyl groups are regenerated from the polyhemiacetal ester resin represented by the above formula (1). Although it depends on the type of the reactive functional group, the presence or absence of the acid catalyst, the type, and the like, it is preferable to design so as to sufficiently cure in the solder reflow step (normally at a temperature of about 230 ° C. to 270 ° C.).

【0076】本発明の熱硬化性フラックスの形態として
は、溶剤で希釈された溶剤添加の液状型、溶剤を添加し
ない100%有効成分の無溶剤で用いられる無溶剤液状型
(はんだ粉末が添加されていないもの)、およびこれら
にはんだ粉末を添加しペースト状としたペースト状型な
どがあり、いずれの形態も可能である。また、上記の熱
硬化性組成物をシート状に加工したシート状型の形態を
とることも可能である。
The form of the thermosetting flux of the present invention includes a solvent-added liquid type diluted with a solvent, and a solvent-free liquid type (solder powder is added), which is used without solvent and contains 100% active ingredient without solvent. ) And a paste-like mold obtained by adding a solder powder to these pastes, and any form is possible. Further, it is also possible to take the form of a sheet-shaped mold obtained by processing the above-mentioned thermosetting composition into a sheet.

【0077】本発明の熱硬化性フラックスについてまと
めると、既述のものも含め、以下のようになる。
The thermosetting flux of the present invention is summarized as follows, including those already described.

【0078】a-1)本発明の熱硬化性フラックスは、従
来のフラックスに接着剤としての機能を付与し、はんだ
付け後のフラックスに基板と部品を固定する接着性を持
たせ、衝撃や熱ストレスに対し部品の落下を防ぎ、はん
だ接合界面の信頼性を向上させる作用を有する、熱硬化
性樹脂と硬化剤とを含有する無洗浄フラックスである。
A-1) The thermosetting flux of the present invention imparts a function as an adhesive to the conventional flux, and gives the flux after soldering an adhesive property for fixing the substrate and the component, and provides an impact or heat. A non-cleaning flux containing a thermosetting resin and a curing agent, which has an effect of preventing components from falling due to stress and improving reliability of a solder joint interface.

【0079】a-2)実装基板上で搭載部品の実装密度を
向上させる手法として、基板ランドのパターンを部品形
状より小型化する方策もあるが、部品搭載時にはんだと
部品端子接合面にフィレットが形成されないことから部
品の固着強度が得られず採用されていなかった。しか
し、上記熱硬化性フラックスを使用するとフィレットが
なくても固着強度は十分確保でき、搭載部品の実装密度
も向上させることが可能となる。
A-2) As a method of increasing the mounting density of the mounted components on the mounting board, there is a method of making the pattern of the substrate land smaller than the component shape. Since it was not formed, the fixing strength of the component could not be obtained and it was not employed. However, when the above-mentioned thermosetting flux is used, a sufficient fixing strength can be ensured even without a fillet, and the mounting density of mounted components can be improved.

【0080】上記熱硬化性フラックスは、常温〜約220
℃の温度範囲まで低粘性を示すため、接合不具合を起こ
さず、従来工法同様の接合性、セルフアライメント性を
有する。
The above-mentioned thermosetting flux is from room temperature to about 220
Since it exhibits low viscosity up to the temperature range of ° C., it does not cause joining defects and has the same joining properties and self-alignment properties as those of the conventional method.

【0081】a-3)現在、Pbフリーはんだ組成の開発
が盛んに行われているが、Pbレスでの高温はんだの開
発は困難になっている。高温はんだの一般的な組成は、
Pb配合量や、Cu、Sbの添加量で決定している。上記組
成における状態図上の半固相温度は220℃〜235℃前後と
なる。
A-3) Pb-free solder compositions have been actively developed at present, but it has become difficult to develop Pb-free solders at high temperatures. The general composition of high temperature solder is
It is determined by the amount of Pb and the amounts of Cu and Sb added. The semi-solid temperature on the phase diagram in the above composition is about 220 ° C to 235 ° C.

【0082】現在開発されているPbフリーはんだは、
融点が220℃前後と共晶はんだに比較し約40℃も向上
し、実用上のリフロー温度は240℃〜260℃といわれてお
り、高温はんだの半固相温度域に達してしまう。
The Pb-free solders currently being developed are:
The melting point is around 220 ° C, about 40 ° C higher than that of eutectic solder, and the practical reflow temperature is said to be 240 ° C to 260 ° C, which reaches the semi-solid temperature range of high-temperature solder.

【0083】従来の高温はんだの用途は、モジュール基
板部品などの搭載部品接合用として用いられてきた。モ
ジュール基板部品は、再度セット基板に搭載する際、リ
フロー炉を通炉され、搭載部品がシフティングしないよ
うに再溶融(半固相温度)しない高温はんだを用いる。
但しPbフリーはんだが導入されるとリフロー温度が上
昇し、高温はんだも再溶融する可能性があり、モジュー
ル基板上の搭載部品が基板ランドより外れる可能性が出
てくる。対策として、熱硬化性フラックスで搭載部品を
固定しておくと、はんだが再溶融してもフラックスが部
品を固定しているため、外れなどの不具合は生じない。
The conventional application of high-temperature solder has been used for mounting components such as module substrate components. When the module substrate component is mounted on the set substrate again, a high-temperature solder that does not re-melt (semi-solid temperature) through a reflow furnace and does not shift the mounted component is used.
However, when the Pb-free solder is introduced, the reflow temperature rises, and the high-temperature solder may be re-melted, and the components mounted on the module substrate may come off the substrate land. As a countermeasure, if the mounted component is fixed with a thermosetting flux, since the flux fixes the component even if the solder is re-melted, no problem such as detachment occurs.

【0084】a-4)両面実装基板の場合、1面目に搭載し
た部品が2面目のリフロー時に脱落しないように、部品
を仮止めするかあるいは、高温はんだを1面目のはんだ
として使用するケースが一般的である。上記両面実装基
板においても熱硬化性フラックスが部品を固定するた
め、1、2面目のはんだぺ一スト融点を変更することな
く、仮止め剤を使用せず1、2面目共に同条件で部品を実
装することが可能となる。
A-4) In the case of a double-sided mounting board, there are cases where components are temporarily fixed or high-temperature solder is used as the first surface solder so that the components mounted on the first surface do not fall off during reflow of the second surface. General. In the above double-sided mounting board, since the thermosetting flux fixes the component, the solder on the first and second surfaces is not changed, and the components are not changed on the first and second surfaces under the same conditions on both the first and second surfaces without using a temporary fixing agent. It can be implemented.

【0085】b)熱硬化性フラックスは、熱硬化性エポ
キシ樹脂に還元作用を示す有機酸や溶剤等を混合し、有
機酸や溶剤は従来のフラックス同様に酸化膜の除去を行
い、熱硬化性の樹脂は熱(リフロー)通炉後、接着作用
をもたらす働きをさせる。各々は、はんだ付け工程にお
いて別々の機能を有する。フラックス中の硬化剤は、好
ましくはポリヘミアセタールエステル樹脂を用い、フラ
ックスの作用と熱硬化性樹脂の硬化とを併用させる。硬
化剤を封入したマイクロカプセルを混合し、各々作用さ
せる方法もある。
B) The thermosetting flux is prepared by mixing a thermosetting epoxy resin with an organic acid or solvent having a reducing action, and removing the oxide film from the organic acid or solvent in the same manner as the conventional flux. After heat (reflow) is passed through the resin, the resin functions to provide an adhesive action. Each has a separate function in the soldering process. As the curing agent in the flux, a polyhemiacetal ester resin is preferably used, and the action of the flux and the curing of the thermosetting resin are used in combination. There is also a method in which microcapsules containing a curing agent are mixed and allowed to act.

【0086】接着性を付与する樹脂系は、好ましくは熱
硬化性エポキシ樹脂で、接着性を得たい温度域により任
意に配合ができる。また、硬化剤ポリヘミアセタールエ
ステル樹脂の構成成分であるジカルボン酸化合物または
ジビニルエーテル化合物を変更することでも作業温度の
変更は可能となる。
The resin system for imparting adhesiveness is preferably a thermosetting epoxy resin, and can be arbitrarily mixed depending on the temperature range in which adhesiveness is desired. The working temperature can also be changed by changing the dicarboxylic acid compound or divinyl ether compound which is a component of the curing agent polyhemiacetal ester resin.

【0087】本発明のはんだ付け方法は、上記の熱硬化
性フラックスを用いて実施されるものであり、好ましく
は、電子部品搭載用基板上に電子部品を搭載する際に実
施される。電子部品および基板は種々のものを用いるこ
とができる。また、はんだ付けの具体的方法については
通常のとおりである。例えば、電子部品および/または
基板の電極にはんだをプリコートする方法などがある。
The soldering method of the present invention is carried out by using the above-mentioned thermosetting flux, and is preferably carried out when an electronic component is mounted on an electronic component mounting substrate. Various electronic components and substrates can be used. The specific method of soldering is as usual. For example, there is a method of pre-coating solder on an electrode of an electronic component and / or a substrate.

【0088】このようにして得られる本発明の電子部品
搭載基板(電子部品実装基板)は、高密度実装に対応す
るものであり、部品と基板との接合強度が十分であり、
搭載部品のシフティングや脱落などの問題が生じない。
The electronic component mounting board (electronic component mounting board) of the present invention thus obtained is compatible with high-density mounting, and has a sufficient bonding strength between the component and the board.
There is no problem such as shifting or dropping of mounted components.

【0089】なお、具体的な実装方法としては実施例に
示すものが挙げられる。
As a specific mounting method, there is a method shown in the embodiment.

【0090】[0090]

【実施例】次に、実施例によって本発明をさらに詳細に
説明する。まず、合成中間体と(A)成分のポリヘミアセ
タールエステル樹脂の製造例を示す。
Next, the present invention will be described in more detail by way of examples. First, a production example of a synthetic intermediate and a polyhemiacetal ester resin of the component (A) will be described.

【0091】製造例1 ジカルボン酸化合物ハーフエステル体αの製造 温度計、還流冷却器、撹拌機を備えた4つ口フラスコ
に、それぞれ表1記載の組成の混合物を仕込み、温度を
120℃から140℃に保ちながら撹拝した。混合物の反応率
が98%となったところで反応を終了した。キシレンで洗
浄した後、減圧下において乾燥し、ジオールと酸無水物
のハーフエステル化合物であるジカルボン酸ハーフエス
テル体αを得た。
Production Example 1 Production of Dicarboxylic Acid Compound Half-Ester Form α In a four-necked flask equipped with a thermometer, a reflux condenser, and a stirrer, a mixture having the composition shown in Table 1 was charged, and the temperature was adjusted.
The mixture was stirred while being kept at 120 to 140 ° C. The reaction was terminated when the reaction rate of the mixture reached 98%. After washing with xylene, it was dried under reduced pressure to obtain a dicarboxylic acid half ester α, which is a half ester compound of a diol and an acid anhydride.

【0092】[0092]

【表1】 [Table 1]

【0093】製造例2〜4 ポリヘミアセタールエステル樹脂A〜Cの製造 温度計、環流冷却器、撹拌機を備えた4つ口フラスコ
に、それぞれ表2記載の組成の単量体を仕込み、温度を
100℃から120℃に保ちながら撹拌した。酸価が5以下あ
るいは水酸基に起因する3543cm-1の赤外吸収スペクトル
が消失した時点を反応の終点とし、それぞれ表2記載の
特性値を持つポリヘミアセタールエステル樹脂のA〜C
溶液を得た。
Production Examples 2 to 4 Production of Polyhemiacetal Ester Resins A to C A monomer having the composition shown in Table 2 was charged into a four-necked flask equipped with a thermometer, a reflux condenser, and a stirrer. To
The mixture was stirred while keeping the temperature at 100 ° C to 120 ° C. The point at which the infrared absorption spectrum at 3543 cm -1 due to the hydroxyl value is 5 or less or the disappearance of the infrared absorption spectrum attributable to the hydroxyl group is regarded as the end point of the reaction.
A solution was obtained.

【0094】[0094]

【表2】 [Table 2]

【0095】実施例1 (1)熱硬化性組成物の作成 表3記載の熱硬化性エポキシ樹脂と硬化剤ポリヘミアセ
タールエステル樹脂を用いて、各々の配合比率における
熱硬化性組成物を作成し、硬化被膜物性の予備評価を行
った。
Example 1 (1) Preparation of a thermosetting composition Using the thermosetting epoxy resin and the curing agent polyhemiacetal ester resin shown in Table 3, a thermosetting composition was prepared at each mixing ratio. A preliminary evaluation of the physical properties of the cured film was performed.

【0096】(2)試験サンプルの評価 試料2gをCu板上に塗布し、熱(リフロー炉)通炉後
の被膜を観察した。リフロー温度は、主に電子部品の実
装に用いられるに230℃〜270℃の範囲とした。
(2) Evaluation of test sample 2 g of the sample was applied on a Cu plate, and the film after passing through a heat (reflow furnace) was observed. The reflow temperature was in the range of 230 ° C to 270 ° C mainly used for mounting electronic components.

【0097】なお、評価基準は、未硬化被膜を×、ゲル
状被膜を△、硬化後弾性のある被膜を●、硬化後硬い被
膜を○とした。結果を表3に示す。
The evaluation criteria were x for an uncured film, Δ for a gel-like film, ● for an elastic film after curing, and を for a hard film after curing. Table 3 shows the results.

【0098】[0098]

【表3】 [Table 3]

【0099】230℃〜270℃のリフロー温度範囲において
は、ほぼ硬化被膜が形成できている。熱硬化性樹脂の配
合比率により、硬い膜から弾性膜まで膜物性を容易に調
整できた。
In the reflow temperature range of 230 ° C. to 270 ° C., almost a cured film was formed. The physical properties of the film, from a hard film to an elastic film, could be easily adjusted by the mixing ratio of the thermosetting resin.

【0100】また、硬化被膜特性の評価として、260℃
の一定温度における被膜硬化時間の比較も行った。結果
を表4に示す。
The evaluation of the properties of the cured film was made at 260 ° C.
The film hardening time at a constant temperature was also compared. Table 4 shows the results.

【0101】[0101]

【表4】 [Table 4]

【0102】熱硬化性樹脂被膜の硬化速度は樹脂の配合
比率および硬化剤の分子量に依存していることが分か
る。この配合比率を任意に設定することにより、目標と
する温度領域で硬化被膜を形成することが可能である。
It can be seen that the curing speed of the thermosetting resin film depends on the compounding ratio of the resin and the molecular weight of the curing agent. By setting this mixing ratio arbitrarily, a cured film can be formed in a target temperature range.

【0103】実施例2 実施例1で作成した熱硬化性フラックスに65質量%のは
んだ粉末(Sn-3.5Ag-0.7Cu:数値は質量比:平均粒径1
5μm)を分散させ、はんだぺ−ストを作成した。熱硬
化性フラックスの接着(部品固着性)効果を確認するた
め、試作したはんだぺ−ストと従来より使用されている
ロジンをフラックスとしたはんだぺ一ストを用い、1005
形状チップ部品(1005チップコンデンサ)の基板実装後
の横押し強度値を比較した。熱硬化性樹脂配合比との関
係として、結果を図1に示す。ここでは、はんだ入り熱
硬化性フラックスを便宜上、はんだペーストという(以
下同)。なお、実装方法を図2に示す。
Example 2 In the thermosetting flux prepared in Example 1, 65% by mass of solder powder (Sn-3.5Ag-0.7Cu: numerical value is mass ratio: average particle diameter 1)
5 μm) to form a solder paste. In order to confirm the bonding effect (adhesion of parts) of the thermosetting flux, we used a prototype solder paste and a conventional solder paste with rosin flux.
Lateral pressing strength values after mounting the chip component (1005 chip capacitor) on the board were compared. The results are shown in FIG. 1 in relation to the thermosetting resin compounding ratio. Here, the thermosetting flux containing solder is referred to as a solder paste for convenience. FIG. 2 shows a mounting method.

【0104】図2に示すように、電子部品搭載用基板1
は、予め電子部品搭載ランド2にはんだが形成されたも
のを用いた[図2(a)]。このランド2上にはんだペ
ースト3を塗布し[図2(b)]、この上に、電子部品
として、1005チップコンデンサ4をランド2上に基
板接合用端子電極41、42が載置されるように搭載し
[図2(c)]、リフロー炉に通した。リフロー温度は
230℃〜270℃とした。このようにして、電子部品
搭載基板を得た。なお、チップコンデンサ4の接合用端
子電極41、42に、さらに、はんだをプリコートして
もよい。
As shown in FIG. 2, the electronic component mounting substrate 1
Was used in which solder was previously formed on the electronic component mounting land 2 [FIG. 2 (a)]. A solder paste 3 is applied on the land 2 [FIG. 2 (b)], and a 1005 chip capacitor 4 as an electronic component is placed on the land 2 so that the terminal electrodes 41 and 42 for board bonding are mounted on the land 2. [FIG. 2 (c)] and passed through a reflow furnace. The reflow temperature was 230 ° C to 270 ° C. Thus, an electronic component mounting board was obtained. The joining terminal electrodes 41 and 42 of the chip capacitor 4 may be further pre-coated with solder.

【0105】また、横押し強度の試験方法については、
図3に示すように、搭載された1005チップコンデン
サ4の正面側から加重をかけ、搭載された1005チッ
プコンデンサ4の端子電極41、42が基板1から剥離
する時点の強度値、すなわちチップ部品と実装基板間の
せん断破壊値を測定し、その平均値(g)を求めた。
As for the test method of the lateral pressing strength,
As shown in FIG. 3, a weight is applied from the front side of the mounted 1005 chip capacitor 4, and the strength value at the time when the terminal electrodes 41 and 42 of the mounted 1005 chip capacitor 4 are separated from the substrate 1, that is, the chip component and The shear fracture value between the mounting substrates was measured, and the average value (g) was obtained.

【0106】すべての配合組成において、従来のロジン
系フラックスにより実装した横押し強度値(平均値Ave
=500g)よりも、強度が向上している。樹脂の配合
組成における強度変化は、熱硬化性樹脂1001、1004(エ
ピコート1001:油化シェルエポキシ(株)社製、ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂の略称、以下1001と略す。エ
ピコート1004:油化シェルエポキシ(株)社製、ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂の略称、以下1004と略す。)
の配合比が15〜50質量%に対して、現行ロジンはんだ入
りぺ−ストの2.5倍の部品横押し強度が得られた。な
お、図1では、熱硬化性樹脂配合比は、熱硬化性樹脂87
2(エピコート872:油化シェルエポキシ(株)社製ダイ
マー酸変性エポキシ樹脂の略称、以下872と略す。)の
熱硬化性樹脂全体(872と1001または872と1004:872と1
001/1004で表す。)に対する配合比率(質量%)で示し
ている。実施例1のほか1004単独の場合も示している。
In all of the compounding compositions, the lateral pressing strength value (average value Ave) mounted with a conventional rosin-based flux was used.
= 500 g). The change in strength in the composition of the resin is represented by the thermosetting resins 1001 and 1004 (Epicoat 1001: an abbreviated name of bisphenol A type epoxy resin manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., hereinafter abbreviated as 1001. (Abbreviated name of bisphenol A type epoxy resin manufactured by the company, hereinafter abbreviated as 1004.)
With respect to the compounding ratio of 15 to 50% by mass, the component lateral pressing strength 2.5 times that of the current rosin solder-containing paste was obtained. In FIG. 1, the mixing ratio of the thermosetting resin is as follows.
2 (Epicoat 872: Abbreviation of dimer acid-modified epoxy resin manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd .; hereinafter abbreviated as 872); the entire thermosetting resin (872 and 1001 or 872 and 1004: 872 and 1
Expressed as 001/1004. ) Is shown by the mixing ratio (% by mass). In addition to Example 1, the case of 1004 alone is also shown.

【0107】実施例3 実施例1で作成した熱硬化性フラックスに65質量%のは
んだ粉末(Sn-3.5Ag-0.7Cu:数値は質量比:平均粒径15
μm )を分散させ、はんだぺ一ストを作成した。試作し
たはんだぺ−ストを用い、1005チップコンデンサを実装
基板上に熱(リフロー)により搭載し、チップ部品端子
と実装基板との接合性を不良品の発生数(個)により比
較した。結果を図4に示す。
Example 3 In the thermosetting flux prepared in Example 1, 65% by mass of solder powder (Sn-3.5Ag-0.7Cu: numerical value is mass ratio: average particle size 15)
μm) was dispersed to prepare a solder paste. Using the prototype solder paste, a 1005 chip capacitor was mounted on the mounting board by heat (reflow), and the bonding properties between the chip component terminals and the mounting board were compared based on the number of defective products (pieces). FIG. 4 shows the results.

【0108】872と1001の組み合わせにおいては、1001
の配合比率が高くなると良好な接合性を示している。熱
硬化性樹脂872と1004の組み合わせにおいては、1004の
配合比が25質量%で曲小値をとる。接合不具合を低減す
るため、実施例1の配合サンプルNo.10に後添加で溶
剤シクロヘキサノンをはんだペーストに対し20質量%添
加したところ、接合不具合は発生しなかった。接合界面
の信頼性を得るには、溶剤で熱硬化性樹脂の粘度を下げ
て行くと接合性は改善される。これは樹脂の絶対粘度が
低減し、良好な流動性を示し、はんだ中の接着性樹脂を
はんだ周辺へ押し出す作用があると思われる。結果を併
せて図4に示す。
In the combination of 872 and 1001, 1001
When the compounding ratio of is high, good bonding properties are shown. In the combination of the thermosetting resins 872 and 1004, the blending ratio of 1004 takes a small value at 25% by mass. When the solvent cyclohexanone was added by 20% by mass to the solder paste as a post-addition to the blending sample No. 10 of Example 1 in order to reduce the joining defect, no joining defect occurred. In order to obtain the reliability of the bonding interface, the bonding property is improved by lowering the viscosity of the thermosetting resin with a solvent. This is considered to have the effect of reducing the absolute viscosity of the resin, exhibiting good fluidity, and extruding the adhesive resin in the solder to the periphery of the solder. The results are also shown in FIG.

【0109】実施例4 図5に示すように、熱硬化性フラックス12(すなわ
ち、実施例1にて配合した接着性フラックスのサンプル
No.7)を、離型シート11上にスキージ13を用い、
ドクターブレード法にて50μm の膜厚で形成した[図5
(a)、(b)、(c)]。後に乾燥器にて80℃30分間乾燥し、
離型シート11上から熱硬化性フラックス12を剥離
し、シート状の熱硬化性フラックス12を作成した[図
5(d)]。
Example 4 As shown in FIG. 5, a sample of the thermosetting flux 12 (that is, a sample of the adhesive flux blended in Example 1)
No. 7), using a squeegee 13 on the release sheet 11,
It was formed to a thickness of 50 μm by the doctor blade method [Fig.
(a), (b), (c)]. After drying in a dryer at 80 ° C for 30 minutes,
The thermosetting flux 12 was peeled off from the release sheet 11 to form a sheet-shaped thermosetting flux 12 (FIG. 5D).

【0110】このシート状の熱硬化性フラックス12を
用いた実装方法を図6に示す。図6に示すように、予め
電子部品搭載ランド2にはんだを形成した電子部品搭載
用基板1に上記シート状の熱硬化性フラックス12を貼
り付け[図6(a)、(b)、(c)]、その上に電子部品4(1
005チップコンデンサ)をランド2上に端子電極41、
42が載置されるように搭載し[図6(d)、(e)]、熱
(リフロー)を通炉した[図6(f)]。
FIG. 6 shows a mounting method using the sheet-like thermosetting flux 12. As shown in FIG. 6, the sheet-like thermosetting flux 12 is attached to the electronic component mounting substrate 1 in which the solder is formed on the electronic component mounting lands 2 in advance [FIGS. 6 (a), (b), (c). )] And an electronic component 4 (1
005 chip capacitor) on the land 2 with the terminal electrode 41,
42 (see FIGS. 6 (d) and 6 (e)) and passed through heat (reflow) [FIG. 6 (f)].

【0111】通炉後の基板と電子部品の接合状態は熱硬
化性のフラックスを介し良好に接合されていた。
The bonding state between the substrate and the electronic components after the furnace was well bonded via the thermosetting flux.

【0112】[0112]

【発明の効果】フラックスに部品と基板を確実に接着さ
せる機能を付与することにより、フィレット層が形成で
きない実装基板パットにおいても、部品の固着強度を向
上または維持することができる。さらに熱硬化性フラッ
クスを用いたはんだぺ−ストを使用することで同様な効
果が得られる。熱硬化性フラックスの硬化温度を任意に
変更することにより、共晶組成からPbフリーのはんだ
組成および融点範囲までの設計が可能となる。はんだぺ
−ストの配合比率において、フラックスの含有量を従来
の10質量%前後から最大45質量%の範囲で、はんだ付着
量を低減でき、かつ、フラックスが部品を固定すること
ができる。フラックスの含有量を上げることにより、高
密度実装部品の搭載時における印刷条件の検討要素を著
しく削減できる。また、接着性フラックスを用いること
により、両面実装基板においても、接着性フラックスが
部品を固定するため、部品立ち、シフティングなどの不
具合を発生しない。
By imparting the function of securely bonding the component and the substrate to the flux, the fixing strength of the component can be improved or maintained even in a mounting board pad on which a fillet layer cannot be formed. Further, the same effect can be obtained by using a solder paste using a thermosetting flux. By arbitrarily changing the curing temperature of the thermosetting flux, designing from a eutectic composition to a Pb-free solder composition and a melting point range becomes possible. With respect to the mixing ratio of the solder paste, the amount of solder can be reduced, and the flux can fix the component, with the flux content ranging from about 10% by mass to the maximum of 45% by mass. By increasing the content of the flux, the factors for studying the printing conditions when mounting high-density components can be significantly reduced. Further, by using the adhesive flux, the adhesive flux fixes the components even on the double-sided mounting board, so that problems such as component standing and shifting do not occur.

【0113】以上説明したように、本発明は、従来のロ
ジン系フラックスよりも接着力を有し搭載部品を固着で
きる熱硬化性フラックスを用いることを特徴とする。使
用用途としては、フラックス単独使用法または上記フラ
ックスをはんだぺ−スト状で使用する方法、またはチッ
プサイズパッケージ(CSP)等のアンダーフィル代替剤と
して使用できる。
As described above, the present invention is characterized by using a thermosetting flux which has more adhesive strength than a conventional rosin flux and can fix a mounted component. It can be used as a flux alone, a method of using the flux in a solder paste form, or as an underfill substitute for a chip size package (CSP).

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】はんだ入りフラックスの組成に対する横押し強
度の関係を示すグラフである。
FIG. 1 is a graph showing the relationship between the composition of a flux containing solder and the lateral pressing strength.

【図2】電子部品を基板に搭載する実装方法を示す模式
図である。
FIG. 2 is a schematic view illustrating a mounting method for mounting an electronic component on a substrate.

【図3】横押し強度の試験方法を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a test method of a lateral pressing strength.

【図4】はんだ入りフラックスの組成に対する不良数の
関係を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the composition of a solder-containing flux and the number of defects.

【図5】シート状の熱硬化性フラックスの作成方法を示
す模式図である。
FIG. 5 is a schematic view showing a method for producing a sheet-like thermosetting flux.

【図6】電子部品を基板に搭載する実装方法を示す模式
図である。
FIG. 6 is a schematic view illustrating a mounting method for mounting an electronic component on a substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 搭載ランド 3 はんだペースト 4 1005チップコンデンサ 11 雛形シート 12 熱硬化性フラックス 13 スキージ REFERENCE SIGNS LIST 1 board 2 mounting land 3 solder paste 4 1005 chip capacitor 11 template sheet 12 thermosetting flux 13 squeegee

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08L 67/00 C08L 67/00 101/08 101/08 H05K 3/34 503 H05K 3/34 503A 504 504B 507 507C (72)発明者 佐藤 篤 神奈川県横浜市戸塚区下倉田町447−1 (72)発明者 斎藤 俊 神奈川県横浜市戸塚区下倉田町473 Fターム(参考) 4J002 CC033 CD02X CD05X CD06X CD19X CF00W CK03W CL003 CN01W CP033 DA108 DA118 DJ017 EW066 EW176 FD206 FD207 GQ05 4J036 AB07 AD07 AD08 AF06 AK01 AK11 FA02 FA05 FB13 FB16 GA19 GA20 GA22 JA10 5E319 AA03 AB05 AC01 BB05 BB08 CC36 CC61 CD15 CD21 CD26 GG09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08L 67/00 C08L 67/00 101/08 101/08 H05K 3/34 503 H05K 3/34 503A 504 504B 507 507C (72) Inventor Atsushi Sato 447-1 Shimokuratacho, Totsuka-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture (72) Inventor Shun 473 Shimokuratacho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa F term (reference) 4J002 CC033 CD02X CD05X CD06X CD19X CF00W CK03W CL003 CN01W CP033 DA108 DA118 DJ017 EW066 EW176 FD206 FD207 GQ05 4J036 AB07 AD07 AD08 AF06 AK01 AK11 FA02 FA05 FB13 FB16 GA19 GA20 GA22 JA10 5E319 AA03 AB05 AC01 BB05 BB08 CC36 CC61 CD15 CD21 CD26 GG09

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)1分子中に潜在化されたカルボキシ
ル基を1個以上有する化合物と、(B)1分子中にカルボ
キシル基と加熱により化学結合を形成しうる反応性官能
基を2個以上有する化合物とを含有するはんだ付け用の
熱硬化性フラックス。
(A) a compound having one or more latent carboxyl groups in one molecule; and (B) a reactive functional group capable of forming a chemical bond with a carboxyl group in one molecule by heating. A thermosetting flux for soldering, comprising a compound having at least one compound.
【請求項2】 (A)成分の1分子中に潜在化されたカル
ボキシル基を1個以上有する化合物が、1分子中に潜在
化されたカルボキシル基を2個以上有する、式(1)で表
わされる構造単位を有するポリヘミアセタールエステル
樹脂である請求項1のはんだ付け用の熱硬化性フラック
ス。 【化1】 [式(1)中、R1およびR2はそれぞれ2価の有機基であ
り、Yは酸素原子またはイオウ原子である。]
2. The compound represented by the formula (1) wherein the compound having one or more latent carboxyl groups in one molecule of the component (A) has two or more latent carboxyl groups in one molecule. The thermosetting flux for soldering according to claim 1, wherein the flux is a polyhemiacetal ester resin having a structural unit. Embedded image [In the formula (1), R 1 and R 2 are each a divalent organic group, and Y is an oxygen atom or a sulfur atom. ]
【請求項3】 (B)成分のカルボキシル基と加熱により
化学結合を形成しうる反応性官能基がエポキシ基であ
り、さらに、必要に応じて酸触媒、流動調整剤または溶
剤を含有する請求項1または2のはんだ付け用の熱硬化
性フラックス。
3. The reactive functional group capable of forming a chemical bond with the carboxyl group of the component (B) by heating is an epoxy group, and further contains an acid catalyst, a flow regulator or a solvent as required. 1 or 2 thermosetting flux for soldering.
【請求項4】 (A)成分および(B)成分の合計含有量を1
00質量%としたとき、(A)成分が10〜90質量%で
あり、(A)成分および(B)成分の総固形分に対し、酸触媒
を0〜10質量%、溶剤を0〜50質量%、流動調整剤
を0〜50質量%含有する請求項1〜3のいずれかのは
んだ付け用の熱硬化性フラックス。
4. The total content of component (A) and component (B) is 1
When the amount is 00% by mass, the component (A) is 10 to 90% by mass, the acid catalyst is 0 to 10% by mass, and the solvent is 0 to 50% by mass based on the total solid content of the components (A) and (B). The thermosetting flux for soldering according to any one of claims 1 to 3, wherein the flux contains 0 to 50% by mass of a flow modifier.
【請求項5】 さらに、はんだ粉末を含有する請求項1
〜4のいずれかのはんだ付け用の熱硬化性フラックス。
5. The method according to claim 1, further comprising a solder powder.
4. A thermosetting flux for soldering according to any one of (1) to (4).
【請求項6】 はんだ粉末が、Sn、Cu、Zn、Ag、Sb、P
b、In、BiおよびGeから選択された少なくとも一種を含
むはんだ粉末である請求項5のはんだ付け用の熱硬化性
フラックス。
6. The solder powder is composed of Sn, Cu, Zn, Ag, Sb, P
The thermosetting flux for soldering according to claim 5, which is a solder powder containing at least one selected from b, In, Bi, and Ge.
【請求項7】 液状、ペースト状またはシート状である
請求項1〜6のいずれかのはんだ付け用の熱硬化性フラ
ックス。
7. The thermosetting flux for soldering according to claim 1, which is in a liquid, paste or sheet form.
【請求項8】 請求項1〜7のいずれかの熱硬化性フラ
ックスを用いてはんだ付けするはんだ付け方法。
8. A soldering method using the thermosetting flux according to claim 1.
【請求項9】 電子部品搭載用基板の上に電子部品を搭
載する際に行う請求項8のはんだ付け方法。
9. The soldering method according to claim 8, which is performed when mounting an electronic component on an electronic component mounting board.
【請求項10】 請求項9のはんだ付け方法により電子
部品搭載用基板の上に電子部品を搭載して得られた電子
部品搭載基板。
10. An electronic component mounting board obtained by mounting an electronic component on an electronic component mounting board by the soldering method according to claim 9.
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