JP2001238323A - 同軸ケーブル、並びに形成方法及び装置 - Google Patents
同軸ケーブル、並びに形成方法及び装置Info
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- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R24/00—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure
- H01R24/38—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts
- H01R24/40—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency
- H01R24/42—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency comprising impedance matching means or electrical components, e.g. filters or switches
- H01R24/44—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency comprising impedance matching means or electrical components, e.g. filters or switches comprising impedance matching means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
- H01R43/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for wire processing before connecting to contact members, not provided for in groups H01R43/02 - H01R43/26
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- Communication Cables (AREA)
- Processing Of Terminals (AREA)
- Cable Accessories (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 極端な温度変化の起こる環境に対しても安定
な同軸ケーブル、且つ、簡単な該同軸ケーブル端末の形
成方法、及びその形成装置を提供する。 【解決手段】 ケーブル１０は中心線導体１２、数層の
ＰＴＦＥテープにて形成された絶縁体１４、及び金属ブ
レイドの外部導体１６を有する。外部導体は絶縁体を相
当長さ分露出するように切除される。シュラウド２０は
外部導体に滑合される。シュラウド２０は外部導体の端
部に当接するスペーサーリップ部を有し、リップ部と露
出した絶縁体との間に隙間を形成する。そして、ケーブ
ル１０の端部は、加熱される工具の盲孔３２に挿入され
る。盲孔は露出した絶縁体外周に嵌合するが、絶縁体よ
り短い。工具がケーブル１０に押し込まれ、スペーサー
リップ部に接触するまで、絶縁体を圧縮する。工具の熱
がＰＴＦＥの複数層を一緒に融解し、ＰＴＦＥを流動さ
せ、スペーサーリップ部内側の隙間にビーズを形成す
る。
な同軸ケーブル、且つ、簡単な該同軸ケーブル端末の形
成方法、及びその形成装置を提供する。 【解決手段】 ケーブル１０は中心線導体１２、数層の
ＰＴＦＥテープにて形成された絶縁体１４、及び金属ブ
レイドの外部導体１６を有する。外部導体は絶縁体を相
当長さ分露出するように切除される。シュラウド２０は
外部導体に滑合される。シュラウド２０は外部導体の端
部に当接するスペーサーリップ部を有し、リップ部と露
出した絶縁体との間に隙間を形成する。そして、ケーブ
ル１０の端部は、加熱される工具の盲孔３２に挿入され
る。盲孔は露出した絶縁体外周に嵌合するが、絶縁体よ
り短い。工具がケーブル１０に押し込まれ、スペーサー
リップ部に接触するまで、絶縁体を圧縮する。工具の熱
がＰＴＦＥの複数層を一緒に融解し、ＰＴＦＥを流動さ
せ、スペーサーリップ部内側の隙間にビーズを形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同軸ケーブルの端
末の形成方法に関し、特に、外側の導電層と内側の誘電
（絶縁）層の端部を共に固定するための方法に関するも
のである。
末の形成方法に関し、特に、外側の導電層と内側の誘電
（絶縁）層の端部を共に固定するための方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】同軸ケーブルは、本質的に、典型的には
金属線である中心導体、誘電体（絶縁体）スペーサー、
典型的には金属ブレイド（編組体）である外部導体、及
び防護ジャケットで構成される。絶縁体スペーサーは未
焼結の、或いは部分的に焼結したポリテトラフルオロエ
チレン（ＰＴＦＥ）で作製することができる。ＰＴＦＥ
は一般には中心導体上に押し出されるか、或いは、テー
プ状とされ、中心導体の周りに、典型的には３層から１
０層にて螺旋状に巻回される。このような未焼結或いは
部分焼結したＰＴＦＥ誘電体（絶縁体）は、以下、「エ
キスパンデドＰＴＦＥ」（ｅＰＴＦＥ）という。
金属線である中心導体、誘電体（絶縁体）スペーサー、
典型的には金属ブレイド（編組体）である外部導体、及
び防護ジャケットで構成される。絶縁体スペーサーは未
焼結の、或いは部分的に焼結したポリテトラフルオロエ
チレン（ＰＴＦＥ）で作製することができる。ＰＴＦＥ
は一般には中心導体上に押し出されるか、或いは、テー
プ状とされ、中心導体の周りに、典型的には３層から１
０層にて螺旋状に巻回される。このような未焼結或いは
部分焼結したＰＴＦＥ誘電体（絶縁体）は、以下、「エ
キスパンデドＰＴＦＥ」（ｅＰＴＦＥ）という。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、多くの
用途にて、特に宇宙飛行においては、両極端の温度の範
囲において動作するために可撓性の高性能マイクロ波ケ
ーブルが要求される。電力、マルチパクション、反射減
衰量（インピーダンス不整合）、及び位相整合の問題に
より、ケーブル及び、導体構成要素の配置は、安定で、
相対位置が変わらないようにすることが重要である。寸
法及び誘電率の如何なる変化もケーブル組立体のマイク
ロ波特性に深刻な影響を与えてしまう。これらのケーブ
ル組立体を製造するのに種々の材料が使用されるため
に、極端な温度変化が起こる状況下でケーブル内にて種
々の材料層が移動しないことを保証することは不可能で
あった。
用途にて、特に宇宙飛行においては、両極端の温度の範
囲において動作するために可撓性の高性能マイクロ波ケ
ーブルが要求される。電力、マルチパクション、反射減
衰量（インピーダンス不整合）、及び位相整合の問題に
より、ケーブル及び、導体構成要素の配置は、安定で、
相対位置が変わらないようにすることが重要である。寸
法及び誘電率の如何なる変化もケーブル組立体のマイク
ロ波特性に深刻な影響を与えてしまう。これらのケーブ
ル組立体を製造するのに種々の材料が使用されるため
に、極端な温度変化が起こる状況下でケーブル内にて種
々の材料層が移動しないことを保証することは不可能で
あった。
【０００４】この移動は主にｅＰＴＦＥ誘電体（絶縁
体）の熱膨張係数と金属導体の熱膨張係数との間に大き
な違いがあることにより生ずる。特に、同軸ケーブル
が、絶縁体としてｅＰＴＦＥテープを用いて製造される
と、繰り返される高温、低温の温度サイクル下で、ケー
ブルの両端末において、ケーブルの絶縁体が後退する傾
向がある。結果として、ケーブルの絶縁体と、ケーブル
の端末にてコネクターの一部を形成する絶縁体ブロック
との間に隙間が生じる。この隙間の両端における誘電率
の突然の変化により、ケーブルに沿ったマイクロ波の伝
送が著しく損なわれる。
体）の熱膨張係数と金属導体の熱膨張係数との間に大き
な違いがあることにより生ずる。特に、同軸ケーブル
が、絶縁体としてｅＰＴＦＥテープを用いて製造される
と、繰り返される高温、低温の温度サイクル下で、ケー
ブルの両端末において、ケーブルの絶縁体が後退する傾
向がある。結果として、ケーブルの絶縁体と、ケーブル
の端末にてコネクターの一部を形成する絶縁体ブロック
との間に隙間が生じる。この隙間の両端における誘電率
の突然の変化により、ケーブルに沿ったマイクロ波の伝
送が著しく損なわれる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この潜在的で重大な問題
を回避するには、絶縁体は、ケーブルの他の部分に機械
的に固定されなければならない。今まで、高周波数電気
的性能を著しく低減することなく、上記問題を解決する
簡単な固定方法はない。本発明は、ケーブルの端末にお
いて、異なるＰＴＦＥ層を互いに相対移動しないように
一緒に焼結し、そして、ＰＴＦＥがブレイド内に後退し
ないように、金属ブレイドの端部に係合するビーズを備
えた外層を形成することを目的とする。
を回避するには、絶縁体は、ケーブルの他の部分に機械
的に固定されなければならない。今まで、高周波数電気
的性能を著しく低減することなく、上記問題を解決する
簡単な固定方法はない。本発明は、ケーブルの端末にお
いて、異なるＰＴＦＥ層を互いに相対移動しないように
一緒に焼結し、そして、ＰＴＦＥがブレイド内に後退し
ないように、金属ブレイドの端部に係合するビーズを備
えた外層を形成することを目的とする。
【０００６】本発明の一態様によると、同軸ケーブルの
端末を形成する方法が提供される。ケーブルは、絶縁体
によって分離された中心及び外部導体を有する。該絶縁
体は、外部導体の端部より延在して露出している。該露
出した絶縁体は、半径方向から規制されながら、軸方向
に圧縮させられる。前記絶縁体が、前記外部導体端部に
近接した領域で、半径方向に拡張して、前記外部導体の
内径よりも大きい外径を有したビーズを形成する。
端末を形成する方法が提供される。ケーブルは、絶縁体
によって分離された中心及び外部導体を有する。該絶縁
体は、外部導体の端部より延在して露出している。該露
出した絶縁体は、半径方向から規制されながら、軸方向
に圧縮させられる。前記絶縁体が、前記外部導体端部に
近接した領域で、半径方向に拡張して、前記外部導体の
内径よりも大きい外径を有したビーズを形成する。
【０００７】本発明の他の態様によると、絶縁体にて分
離された中心及び外部導体を有する同軸ケーブルであっ
て、前記絶縁体の少なくとも一端は、前記外部導体の対
応する端部より長手方向に突出し、そして、前記絶縁体
が前記外部導体内に後退するのを防ぐに十分なだけ、前
記外部導体の端部に隣接して半径方向に突出した環状の
ビーズが形成されている同軸ケーブルを提供する。
離された中心及び外部導体を有する同軸ケーブルであっ
て、前記絶縁体の少なくとも一端は、前記外部導体の対
応する端部より長手方向に突出し、そして、前記絶縁体
が前記外部導体内に後退するのを防ぐに十分なだけ、前
記外部導体の端部に隣接して半径方向に突出した環状の
ビーズが形成されている同軸ケーブルを提供する。
【０００８】前記絶縁体を拡張する工程は、軸方向に分
離された２つの構成要素の間に隙間を画成し、そして、
前記絶縁体を前記隙間の内部へと拡張する工程を含む。
前記隙間の幅はスペーサーによって決定され、次いで、
前記ビーズは、好ましくは前記スペーサーの内側で半径
方向に形成され、形成された前記ビーズと前記スペーサ
ーとの間には自由空間が残っている。前記軸線上に分離
された２つの構成要素のうちの１つは、前記ケーブルの
前記外部導体であり、又、それらのうち１つは前記露出
した絶縁体を半径方向に規制する部材とすることができ
る。後者は、前記絶縁体が熱可塑性樹脂であれば、熱せ
られた加熱手段とすることができる。
離された２つの構成要素の間に隙間を画成し、そして、
前記絶縁体を前記隙間の内部へと拡張する工程を含む。
前記隙間の幅はスペーサーによって決定され、次いで、
前記ビーズは、好ましくは前記スペーサーの内側で半径
方向に形成され、形成された前記ビーズと前記スペーサ
ーとの間には自由空間が残っている。前記軸線上に分離
された２つの構成要素のうちの１つは、前記ケーブルの
前記外部導体であり、又、それらのうち１つは前記露出
した絶縁体を半径方向に規制する部材とすることができ
る。後者は、前記絶縁体が熱可塑性樹脂であれば、熱せ
られた加熱手段とすることができる。
【０００９】本発明の更に他の態様によると、同軸ケー
ブルの端末を形成する装置が提供される。該装置は、前
記ケーブルの前記外部導体に嵌合する寸法とされ、そし
て、一端に、前記外部導体の端部に当接する寸法とされ
るスペーサーリップ部を有し、且つ、前記ケーブルの前
記絶縁体の外側表面から半径方向に隙間を画定している
耐火材料製シュラウドと、前記ケーブルの前記絶縁体に
滑合する寸法とされ、且つ、前記シュラウドの前記スペ
ーサーリップ部に当接する寸法とされた盲孔を備えた、
熱せられた加熱手段とを有する。
ブルの端末を形成する装置が提供される。該装置は、前
記ケーブルの前記外部導体に嵌合する寸法とされ、そし
て、一端に、前記外部導体の端部に当接する寸法とされ
るスペーサーリップ部を有し、且つ、前記ケーブルの前
記絶縁体の外側表面から半径方向に隙間を画定している
耐火材料製シュラウドと、前記ケーブルの前記絶縁体に
滑合する寸法とされ、且つ、前記シュラウドの前記スペ
ーサーリップ部に当接する寸法とされた盲孔を備えた、
熱せられた加熱手段とを有する。
【００１０】前記絶縁体は熱可塑性樹脂、特にＰＴＦＥ
とすることができ、軟化するのに十分なだけ加熱するこ
とができる。前記絶縁体がテープとして巻かれたり、そ
の他の方法で複数層に形成された場合、前記露出した絶
縁体の各層を一体物へと融解するのに十分なだけ加熱さ
れることが好ましい。
とすることができ、軟化するのに十分なだけ加熱するこ
とができる。前記絶縁体がテープとして巻かれたり、そ
の他の方法で複数層に形成された場合、前記露出した絶
縁体の各層を一体物へと融解するのに十分なだけ加熱さ
れることが好ましい。
【００１１】前記ビーズは、形成後は、前記絶縁体の融
解した層と融解していない層との間の遷移部における、
如何なるインピーダンスの変化の影響をも減少させるよ
うに整形可能である。好ましくは、整形された前記ビー
ズを有する遷移部分の影響は、前記ビーズを全く有して
いない場合の同様の遷移部分のインピーダンスの影響よ
り小さく、好ましくは半分以下とされる。
解した層と融解していない層との間の遷移部における、
如何なるインピーダンスの変化の影響をも減少させるよ
うに整形可能である。好ましくは、整形された前記ビー
ズを有する遷移部分の影響は、前記ビーズを全く有して
いない場合の同様の遷移部分のインピーダンスの影響よ
り小さく、好ましくは半分以下とされる。
【００１２】
【発明の実施の形態】添付した図を参照して説明する。
先ず、図１を参照すると、マイクロ波信号を伝送するた
めの同軸ケーブルの一形態が総括して参照番号１０で示
される。ケーブル１０は、本質的に、金属線である中心
導体１２、螺旋状に巻付けるか或いは押出し成形された
複数層のｅＰＴＦＥテープである誘電体（絶縁体）スペ
ーサー１４、金属ブレイド（編組体）である外部導体１
６、及び保護ジャケット１８、にて構成されている。本
発明に従った成形方法の第１工程において、各層は、ケ
ーブルの長さに対して直角にきれいな端部を提供し、そ
してそこに一定の長さの層を露出するように、切除され
る。特に、ブレイド１６は相当長さのｅＰＴＦＥを露出
するように剥ぎ取られる。
先ず、図１を参照すると、マイクロ波信号を伝送するた
めの同軸ケーブルの一形態が総括して参照番号１０で示
される。ケーブル１０は、本質的に、金属線である中心
導体１２、螺旋状に巻付けるか或いは押出し成形された
複数層のｅＰＴＦＥテープである誘電体（絶縁体）スペ
ーサー１４、金属ブレイド（編組体）である外部導体１
６、及び保護ジャケット１８、にて構成されている。本
発明に従った成形方法の第１工程において、各層は、ケ
ーブルの長さに対して直角にきれいな端部を提供し、そ
してそこに一定の長さの層を露出するように、切除され
る。特に、ブレイド１６は相当長さのｅＰＴＦＥを露出
するように剥ぎ取られる。
【００１３】次に、図２をも参照すると、成形方法の第
２工程では、参照番号２０にて総括して示されるセラミ
ック製シュラウドが、ケーブル１０の処理済端部に滑合
される。図２に示すように、シュラウド２０の本体は、
露出したブレイド１６の外周にゆるく嵌装される円筒形
チューブ（円筒体）２２で構成されている。図４（Ｂ）
にてさらに詳しく示されるように、シュラウドの後端に
肩部２４が設けられ、この肩部２４は露出したブレイド
１６に、より密着して嵌装され、シュラウドとケーブル
との正確な中心合わせ（センタリング）を確保する。肩
部２４を超えた位置にリップ部２６が設けられており、
このリップ部２６は、ブレイド１６と十分に重なり合う
ように半径方向内側に向かって延在している。リップ部
２６は、露出した誘電体、即ち、絶縁体１４に接触する
ほど延在してはおらずに、むしろ半径方向に十分な隙間
２８を残している。隙間２８の半径方向の幅は通常ブレ
イド１６の外径の少なくとも２％である。シュラウド２
０はリップ部２６がブレイド１６の切断端に衝接するよ
うに位置決めされる。
２工程では、参照番号２０にて総括して示されるセラミ
ック製シュラウドが、ケーブル１０の処理済端部に滑合
される。図２に示すように、シュラウド２０の本体は、
露出したブレイド１６の外周にゆるく嵌装される円筒形
チューブ（円筒体）２２で構成されている。図４（Ｂ）
にてさらに詳しく示されるように、シュラウドの後端に
肩部２４が設けられ、この肩部２４は露出したブレイド
１６に、より密着して嵌装され、シュラウドとケーブル
との正確な中心合わせ（センタリング）を確保する。肩
部２４を超えた位置にリップ部２６が設けられており、
このリップ部２６は、ブレイド１６と十分に重なり合う
ように半径方向内側に向かって延在している。リップ部
２６は、露出した誘電体、即ち、絶縁体１４に接触する
ほど延在してはおらずに、むしろ半径方向に十分な隙間
２８を残している。隙間２８の半径方向の幅は通常ブレ
イド１６の外径の少なくとも２％である。シュラウド２
０はリップ部２６がブレイド１６の切断端に衝接するよ
うに位置決めされる。
【００１４】次に、図３を参照すると、参照番号３０で
総括して示される焼結ヘッドは、大部分が、加熱部材
（図示せず）を備えた円筒形状のチタニウムブロックと
して構成される。焼結ヘッド３０は一端に、ケーブル１
０の露出した絶縁体１４の外周に滑合するに適した径を
有する盲孔３２を有する。孔３２の深さは絶縁体１４の
露出部分の長さの約半分である。焼結ヘッド３０も又、
軸方向の貫通孔３４を有しており、この孔３４はケーブ
ル１０の中心導体１２を受容するに十分な大きさとされ
る。点火ピン３６が、焼結ヘッド３０の半径方向に設け
られた孔内にて受容されており、もし、中心導体１２が
孔３４に存在している場合には、中心導体１２をクラン
プする位置にまで前進可能とされる。焼結ヘッド３０は
少なくとも３７５℃（７００°Ｆ）以上５４０℃（１０
００°Ｆ）未満の温度に予加熱される。図３に示すよう
に、焼結ヘッド３０はまずケーブル１０の端部に配置さ
れ、それによって、絶縁体１４の切断端部は盲孔３２の
底面に衝接し、中央導体１２の端部は貫通孔３４に嵌入
する。
総括して示される焼結ヘッドは、大部分が、加熱部材
（図示せず）を備えた円筒形状のチタニウムブロックと
して構成される。焼結ヘッド３０は一端に、ケーブル１
０の露出した絶縁体１４の外周に滑合するに適した径を
有する盲孔３２を有する。孔３２の深さは絶縁体１４の
露出部分の長さの約半分である。焼結ヘッド３０も又、
軸方向の貫通孔３４を有しており、この孔３４はケーブ
ル１０の中心導体１２を受容するに十分な大きさとされ
る。点火ピン３６が、焼結ヘッド３０の半径方向に設け
られた孔内にて受容されており、もし、中心導体１２が
孔３４に存在している場合には、中心導体１２をクラン
プする位置にまで前進可能とされる。焼結ヘッド３０は
少なくとも３７５℃（７００°Ｆ）以上５４０℃（１０
００°Ｆ）未満の温度に予加熱される。図３に示すよう
に、焼結ヘッド３０はまずケーブル１０の端部に配置さ
れ、それによって、絶縁体１４の切断端部は盲孔３２の
底面に衝接し、中央導体１２の端部は貫通孔３４に嵌入
する。
【００１５】次に、図４（Ａ）を参照すると、焼結ヘッ
ド３０は、次でケーブル１０の端部へと押し付けられ、
絶縁体１４を圧縮する。この工程時においてはケーブル
１０は、少なくともひとつのケーブルグリップ３５によ
って把持されている。ケーブルグリップ３５は露出した
ブレイド１６部分から少なくとも７ｍｍ（０．２５イン
チ）後退した位置に配置される。ブレイド１６は、絶縁
体１４が焼結ヘッド３０によってブレイドに押し込まれ
ないように、十分な緊張力で絶縁体１４上に嵌装されて
いる。焼結ヘッドは、図４（Ｂ）に示されるように、シ
ュラウド２０のリップ部２６に接触するまで前進させら
れる。従って、隙間２８は、軸方向にはブレイド１６と
焼結ヘッド３０との間であり、又、半径方向には絶縁体
１４とリップ部２６との間である、閉鎖された環状空間
となる。
ド３０は、次でケーブル１０の端部へと押し付けられ、
絶縁体１４を圧縮する。この工程時においてはケーブル
１０は、少なくともひとつのケーブルグリップ３５によ
って把持されている。ケーブルグリップ３５は露出した
ブレイド１６部分から少なくとも７ｍｍ（０．２５イン
チ）後退した位置に配置される。ブレイド１６は、絶縁
体１４が焼結ヘッド３０によってブレイドに押し込まれ
ないように、十分な緊張力で絶縁体１４上に嵌装されて
いる。焼結ヘッドは、図４（Ｂ）に示されるように、シ
ュラウド２０のリップ部２６に接触するまで前進させら
れる。従って、隙間２８は、軸方向にはブレイド１６と
焼結ヘッド３０との間であり、又、半径方向には絶縁体
１４とリップ部２６との間である、閉鎖された環状空間
となる。
【００１６】図５（Ａ）に示すように、焼結ヘッド３０
は、次で点火ピン３６を中心導体１２に締め付けること
によってその場に固定される。これにより焼結ヘッド３
０と中心導体１２との間の良好な熱接触が確保される。
加熱された焼結ヘッド内で、ｅＰＴＦＥは連続した部材
４２を形成する。ｅＰＴＦＥは膨張して、焼結ヘッド３
０の盲孔３２内部を満たす。ｅＰＴＦＥは盲孔の表面に
圧接するので、良好な熱伝達が確保される。図５（Ｂ）
に示されるように、ｅＰＴＦＥは次いで隙間２８内に流
れてビーズ４０を形成する。焼結ヘッドがケーブル上に
て加熱状態とされる時間はケーブルの特性に依存する
が、典型的には２０秒から３分の間である。図５（Ｂ）
に示されるように、ビーズ４０は隙間２８に充填される
ことはなく、空間がビーズの外側に存在する。これによ
って接合物が、ブレイドの周囲に完全に流動するのが可
能となり、良好な接合物充填が達成される。又、加熱す
ることにより、ＰＴＦＥの従前の形状メモリーが削除さ
れ、ビーズが確実に永久的なものとなる。
は、次で点火ピン３６を中心導体１２に締め付けること
によってその場に固定される。これにより焼結ヘッド３
０と中心導体１２との間の良好な熱接触が確保される。
加熱された焼結ヘッド内で、ｅＰＴＦＥは連続した部材
４２を形成する。ｅＰＴＦＥは膨張して、焼結ヘッド３
０の盲孔３２内部を満たす。ｅＰＴＦＥは盲孔の表面に
圧接するので、良好な熱伝達が確保される。図５（Ｂ）
に示されるように、ｅＰＴＦＥは次いで隙間２８内に流
れてビーズ４０を形成する。焼結ヘッドがケーブル上に
て加熱状態とされる時間はケーブルの特性に依存する
が、典型的には２０秒から３分の間である。図５（Ｂ）
に示されるように、ビーズ４０は隙間２８に充填される
ことはなく、空間がビーズの外側に存在する。これによ
って接合物が、ブレイドの周囲に完全に流動するのが可
能となり、良好な接合物充填が達成される。又、加熱す
ることにより、ＰＴＦＥの従前の形状メモリーが削除さ
れ、ビーズが確実に永久的なものとなる。
【００１７】全組立体は、後で、冷却され、次でチタニ
ウム焼結ヘッド３０とセラミックシュラウド２０が、ケ
ーブルから取り外される。図６（Ａ）に示すように、焼
結したＰＴＦＥ体４２は縮むが、ビーズ４０はまだブレ
イド端部を固定するのに十分な大きさを持っている。ブ
レイドは焼結したＰＴＦＥ内に埋設されることはない
が、ビーズは十分に大きく、ブレイド内部に滑入するこ
とはできない。ビーズ４０は、図６（Ａ）に示すよう
に、焼結ヘッド３０の孔３２のリップ部に斜面部（ベベ
ル）４４を提供することによって、図６（Ｂ）に示され
るように成形することができる。
ウム焼結ヘッド３０とセラミックシュラウド２０が、ケ
ーブルから取り外される。図６（Ａ）に示すように、焼
結したＰＴＦＥ体４２は縮むが、ビーズ４０はまだブレ
イド端部を固定するのに十分な大きさを持っている。ブ
レイドは焼結したＰＴＦＥ内に埋設されることはない
が、ビーズは十分に大きく、ブレイド内部に滑入するこ
とはできない。ビーズ４０は、図６（Ａ）に示すよう
に、焼結ヘッド３０の孔３２のリップ部に斜面部（ベベ
ル）４４を提供することによって、図６（Ｂ）に示され
るように成形することができる。
【００１８】ｅＰＴＦＥの焼結により、もちろん、誘電
率が変わる。特に、端部の焼結したｅＰＴＦＥ４２と、
ブレイド１６内部の部分焼結のみしたｅＰＴＦＥ１４と
の間には、急激な誘電率の変化が起きる。このような変
化は、概ねビーズ４０の位置で起こり、ビーズを整形す
ることで、及び／又は、ビーズに嵌装される金属ケーブ
ルコネクターの内側を整形することで補正できる。部分
焼結したｅＰＴＦＥ１４と未焼結のｅＰＴＦＥ１４のブ
レイド１６内部での変化は、極めて緩やかであるので、
マイクロ波の伝送に深刻な影響を与えることはない。端
末部の焼結したｅＰＴＦＥ４２も又、機械的にも電気的
にも、コネクターに最適に嵌合するように整形すること
ができる。
率が変わる。特に、端部の焼結したｅＰＴＦＥ４２と、
ブレイド１６内部の部分焼結のみしたｅＰＴＦＥ１４と
の間には、急激な誘電率の変化が起きる。このような変
化は、概ねビーズ４０の位置で起こり、ビーズを整形す
ることで、及び／又は、ビーズに嵌装される金属ケーブ
ルコネクターの内側を整形することで補正できる。部分
焼結したｅＰＴＦＥ１４と未焼結のｅＰＴＦＥ１４のブ
レイド１６内部での変化は、極めて緩やかであるので、
マイクロ波の伝送に深刻な影響を与えることはない。端
末部の焼結したｅＰＴＦＥ４２も又、機械的にも電気的
にも、コネクターに最適に嵌合するように整形すること
ができる。
【００１９】ここで、図７と図８を参照すると、参照番
号５０で総括して示される従来の同軸ケーブルコネクタ
ーが、ケーブル１０の端部に取付けられている。
号５０で総括して示される従来の同軸ケーブルコネクタ
ーが、ケーブル１０の端部に取付けられている。
【００２０】コネクター５０のスリーブ５２は、ケーブ
ル１０に取付けられ、ブレイド１６の露出部分とジャケ
ット１８の端部を被覆している。スリーブ５２は半田付
けによって機械的且つ電気的にブレイド１６に固定され
る。外側にねじ溝を備えたカラー５４が、スリーブ５２
の肩部５６の背後に固定される。金属コネクターピン５
８が、ケーブル１０の中心導体１２の露出端部に嵌合し
ており、コネクター５０の中心ピンを形成している。ま
た、ピン５８は絶縁スリーブ６０の肩部の背後で固定さ
れ、絶縁スリーブ６０は内側にねじ溝のあるスリーブ６
２の肩部の背後で固定され、スリーブ６２はカラー５４
に螺合されている。コネクター５０の外側の接合構成要
素を形成する内側にねじ溝のあるカラー６４は、スプリ
ングリング手段６６を用いてスリーブ６２に取付けら
れ、回転自在に保持されている。
ル１０に取付けられ、ブレイド１６の露出部分とジャケ
ット１８の端部を被覆している。スリーブ５２は半田付
けによって機械的且つ電気的にブレイド１６に固定され
る。外側にねじ溝を備えたカラー５４が、スリーブ５２
の肩部５６の背後に固定される。金属コネクターピン５
８が、ケーブル１０の中心導体１２の露出端部に嵌合し
ており、コネクター５０の中心ピンを形成している。ま
た、ピン５８は絶縁スリーブ６０の肩部の背後で固定さ
れ、絶縁スリーブ６０は内側にねじ溝のあるスリーブ６
２の肩部の背後で固定され、スリーブ６２はカラー５４
に螺合されている。コネクター５０の外側の接合構成要
素を形成する内側にねじ溝のあるカラー６４は、スプリ
ングリング手段６６を用いてスリーブ６２に取付けら
れ、回転自在に保持されている。
【００２１】図７に示されるように、ビーズ４０、従っ
て焼結した絶縁体４２から、部分的にだけ焼結した絶縁
体１４への遷移部分は、ブレイド１６とコネクタースリ
ーブ５２との間の遷移部分と整列されている。図８に示
すように、ビーズ４０は他の要素における遷移部分を補
正する形状に機械加工され、それによってケーブル１０
に沿った、或いはコネクター５０を通るマイクロ波信号
をできる限り妨害を受けることなく伝播できるようにす
る。
て焼結した絶縁体４２から、部分的にだけ焼結した絶縁
体１４への遷移部分は、ブレイド１６とコネクタースリ
ーブ５２との間の遷移部分と整列されている。図８に示
すように、ビーズ４０は他の要素における遷移部分を補
正する形状に機械加工され、それによってケーブル１０
に沿った、或いはコネクター５０を通るマイクロ波信号
をできる限り妨害を受けることなく伝播できるようにす
る。
【００２２】本発明は、実施例を挙げて説明はしたが、
当業者には、本発明の範囲内で、種々の変更態様が想到
されるであろう。
当業者には、本発明の範囲内で、種々の変更態様が想到
されるであろう。
【図１】ケーブルの端末を形成するために用意された同
軸ケーブル、シュラウド、及び焼結ヘッドの一部断面側
面図である。
軸ケーブル、シュラウド、及び焼結ヘッドの一部断面側
面図である。
【図２】ケーブルに配置されたシュラウドを示す図１と
同様の図である。
同様の図である。
【図３】ケーブルの端末に係合する焼結ヘッドを示す図
２と同様の図である。
２と同様の図である。
【図４】図４（Ａ）は、端末形成方法の後半部分を示す
図３と同様の図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）中
に、「図４（Ｂ）」として示した円形部分の詳細拡大図
である。
図３と同様の図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）中
に、「図４（Ｂ）」として示した円形部分の詳細拡大図
である。
【図５】図５（Ａ）は、端末形成方法の最終工程を示す
図４（Ａ）と同様の図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）
中に「図５（Ｂ）」として示した円形部分の詳細拡大図
である。
図４（Ａ）と同様の図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）
中に「図５（Ｂ）」として示した円形部分の詳細拡大図
である。
【図６】図６（Ａ）は、焼結ヘッドから取り外した整形
済ケーブルを示す図５（Ａ）と同様の図であり、図６
（Ｂ）は図６（Ａ）中に「図６（Ｂ）」として示した円
形部分の詳細拡大図である。
済ケーブルを示す図５（Ａ）と同様の図であり、図６
（Ｂ）は図６（Ａ）中に「図６（Ｂ）」として示した円
形部分の詳細拡大図である。
【図７】図１から図６に示すようにして形成したケーブ
ルに嵌合された同軸ケーブルコネクターの縦断面図であ
る。
ルに嵌合された同軸ケーブルコネクターの縦断面図であ
る。
【図８】図７中に「図８」として示した円形部分の詳細
拡大図である。
拡大図である。
１０ 同軸ケーブル １２ 中心導体 １４ 絶縁体 １６ 金属ブレイド（外部導体） １８ 保護ジャケット ２０ シュラウド ２８ 隙間 ３０ 焼結ヘッド ３２ 盲孔 ３４ 貫通孔 ４０ ビーズ ４２ 焼結した絶縁体 ５０ コネクター
フロントページの続き (72)発明者 ジョウゼフ エヌ コールフィールド アメリカ合衆国 ペンシルバニア州 19014 アストン アパートメント エイ チ−４ ペネル ロード 224
Claims (17)
- 【請求項１】 同軸ケーブルの端末を形成する方法にお
いて、 絶縁体にて分離された中心及び外部導体を有し、前記絶
縁体が前記外部導体の端部より延在して露出している同
軸ケーブルを提供する工程、 前記露出された絶縁体を、半径方向に規制しながら、軸
方向に圧縮する工程、及び前記絶縁体を前記外部導体の
端部に近接した領域にて半径方向に拡張して、前記外部
導体の内径よりも大きい外径を有したビーズを形成する
工程、の各工程を有することを特徴とする同軸ケーブル
の端末形成方法。 - 【請求項２】 前記絶縁体を拡張する工程は、軸方向に
分離された２つの構成要素の間に隙間を画成し、そして
前記絶縁体を、前記隙間の内部へと拡張する工程を含む
ことを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項３】 前記隙間の幅は、スペーサーによって決
定され、そして前記ビーズは、該スペーサーの内側で半
径方向に形成され、形成された前記ビーズと前記スペー
サーとの間には自由空間が残っていることを特徴とする
請求項２の方法。 - 【請求項４】 前記２つの構成要素のうちの１つは、前
記ケーブルの前記外部導体であることを特徴とする請求
項２の方法。 - 【請求項５】 前記２つの構成要素のうちの１つは、前
記露出した絶縁体を半径方向に規制する部材であること
を特徴とする請求項２の方法。 - 【請求項６】 前記絶縁体は熱可塑性樹脂であり、そし
て前記方法は、前記絶縁体を軟化するに十分なだけ加熱
する工程を有することを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項７】 前記絶縁体はＰＴＦＥを含むことを特徴
とする請求項６の方法。 - 【請求項８】 前記絶縁体は複数層をなして、そして、
前記方法は、前記露出した絶縁体の各層を一体物へと融
解するに十分なだけ前記絶縁体を加熱する工程を有する
ことを特徴とする請求項６の方法。 - 【請求項９】 前記絶縁体の融解した層と融解していな
い層との間の遷移部におけるインピーダンスのいかなる
変化の影響をも減少させるように、前記ビーズを成形す
る工程を含むことを特徴とする請求項８の方法。 - 【請求項１０】 更に、前記露出された絶縁体を、加熱
される工具の盲孔に挿入し、前記孔の壁にて前記絶縁体
を軸方向に圧縮し、且つ、そして前記絶縁体を半径方向
に規制する工程を有することを特徴とする請求項６の方
法。 - 【請求項１１】 絶縁体にて分離された中心及び外部導
体を有する同軸ケーブルであって、前記絶縁体の少なく
とも一端は、前記外部導体の対応する端部より軸方向に
突出し、そして、前記絶縁体が前記外部導体内に後退す
るのを防ぐのに十分なだけ前記外部導体の端部に隣接し
て半径方向に突出した、環状のビーズが形成されている
ことを特徴とする同軸ケーブル。 - 【請求項１２】 前記ビーズは、前記絶縁体の塑性流れ
によって形成されたことを特徴とする請求項１１の同軸
ケーブル。 - 【請求項１３】 前記絶縁体は、熱可塑性樹脂であり、
前記ビーズは、十分に加熱されて軟化されている前記絶
縁体のホットフローによって形成されたことを特徴とす
る請求項１２の同軸ケーブル。 - 【請求項１４】 前記絶縁体はＰＴＦＥであることを特
徴とする請求項１３の同軸ケーブル。 - 【請求項１５】 前記絶縁体は複数層にて形成され、該
複数層は、前記絶縁体が前記外部導体の端部より突出す
る位置にて、一緒に融解されることを特徴とする請求項
１３の同軸ケーブル。 - 【請求項１６】 前記ビーズは、前記絶縁体の融解した
層と融解していない層との間の遷移領域におけるインピ
ーダンスのいかなる変化の影響をも減少させるように成
形されることを特徴とする請求項１５の同軸ケーブル。 - 【請求項１７】 同軸ケーブルの端末を成形する装置で
あって：前記同軸ケーブルの前記外部導体に嵌合する寸
法とされ、そして、一端に、外部導体の端部に当接する
寸法とされるスペーサーリップ部を有し、且つ、前記ケ
ーブルの前記絶縁体の外側表面から半径方向に隙間を画
定している耐火材料製シュラウドと、 前記ケーブルの前記絶縁体に滑合する寸法とされ、且
つ、前記シュラウドの前記スペーサーリップ部に当接す
る寸法とされる盲孔を備えた、加熱される工具と、を有
することを特徴とする同軸ケーブル端末形成装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US48753900A | 2000-01-19 | 2000-01-19 | |
| US09/487539 | 2000-01-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001238323A true JP2001238323A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=23936142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001010879A Pending JP2001238323A (ja) | 2000-01-19 | 2001-01-18 | 同軸ケーブル、並びに形成方法及び装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1119079A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001238323A (ja) |
| CA (1) | CA2325208A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113488297A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-10-08 | 萍乡强盛电瓷制造有限公司 | 一种高强度悬式瓷绝缘子及其加工方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8800135B2 (en) * | 2006-06-27 | 2014-08-12 | Scientific-Atlanta, Inc. | Stinger cutting guide |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3437960A (en) * | 1966-03-30 | 1969-04-08 | Amp Inc | Dielectric bead structure for coaxial connectors |
-
2000
- 2000-10-05 EP EP00308800A patent/EP1119079A1/en not_active Withdrawn
- 2000-11-02 CA CA002325208A patent/CA2325208A1/en not_active Abandoned
-
2001
- 2001-01-18 JP JP2001010879A patent/JP2001238323A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113488297A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-10-08 | 萍乡强盛电瓷制造有限公司 | 一种高强度悬式瓷绝缘子及其加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2325208A1 (en) | 2001-07-19 |
| EP1119079A1 (en) | 2001-07-25 |
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