JP2001235749A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に形成した配向膜を効率よく選択的に
除去することにより、高い生産性をもって表示品位や信
頼性の高い電気光学装置を製造することのできる電気光
学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学
装置を用いた投射型表示装置を提供すること。 【解決手段】 電気光学装置１において、ＴＦＴアレイ
基板１０および対向基板２０にスピンコート法で配向膜
２４、２５を形成した後、シール材５２と重なる領域お
よびそれより外周領域の配向膜２４、２５を大気圧プラ
ズマの照射により除去し、しかる後にＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０とをシール材５２で貼り合わせる。
この際に、大気圧プラズマとして、酸素ガス間接放電方
式によりプラズマを発生させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置等の
電気光学装置の製造方法、電気光学装置およびこの電気
光学装置を光変調手段として用いた投射型表示装置に関
するものである。さらに詳しくは、電気光学装置におい
て、基板間で電気光学物質を配向させるための配向膜の
形成技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電気光学装置のうち、例えば、画素スイ
ッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリク
ス型の電気光学装置（液晶装置）では、図１２に示すよ
うに、ＴＦＴアレイ基板１０（第１の基板）と対向基板
２０（第２の基板）との間に液晶などの電気光学物質５
０を挟持しており、各基板表面に形成した配向膜２４、
３２によって液晶層５０の配向を制御している。

【０００３】このような電気光学装置１を製造するにあ
たっては、まず、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板
２０の各々に配向膜２４、３２を形成した後（配向膜形
成工程）、この配向膜２４、３２に対してラビング処理
を行う。次に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０と
をシール材５２によって所定の間隙を介して貼り合わせ
た後（貼り合わせ工程）、ＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０との間隙のうち、シール材５２で区画された領
域内に液晶を充填して液晶層５０を形成する（充填工
程）。

【０００４】このようにして製造した電気光学装置１に
おいて、シール材５２と重なる領域に配向膜２４、３２
が形成されていると、シール材５２とＴＦＴアレイ基板
１０や対向基板２０との間に配向膜２４、３２が介在す
ることになる。ここで、配向膜２４、３２はポリイミド
樹脂などから形成され、このポリイミド樹脂は比較的、
水分を通しやすい性質を有しているため、基板同士をシ
ール材５２を介して接着したとき、対向基板２０とシー
ル材５２との間５２２、およびＴＦＴアレイ基板１０と
シール材５２との間５２１において配向膜２４、３２を
通って水分が装置外から基板間に入り込むおそれがあ
る。

【０００５】そこで、従来は、フレキソ印刷によって、
基板上の必要な領域のみ、すなわちシール材５２で区画
された領域内のみに配向膜２４、３２を形成した構成に
なっている。このフレキソ印刷によれば、所定の領域だ
けに選択的に配向膜２４、３２を塗布でき、かつ、生産
性にも優れているという利点がある。

【０００６】しかしながら、配向膜２４、３２をフレキ
ソ印刷で塗布すると、配向膜２４、３２を均一な膜厚で
塗布することができないという問題点がある。このよう
な膜厚の不均一性があると、液晶の配向が不均一になっ
て表示の品位が低下する。特に、この種の電気光学装置
１を投射型表示装置の光変調手段として用いると、この
ような配向の不均一性は、そのまま表示のムラやシミと
して拡大投射されてしまう。このような問題点は、投射
型表示装置において表示の輝度が高まるにつれて、より
顕在化してくる。

【０００７】そこで、配向膜２４、３２をフレキソ印刷
に代えて、スピンコート法など、配向膜２４、３２を均
一な膜厚で形成できる成膜方法を採用することが考えら
れる。このスピンコート法では、配向膜２４、３２を形
成するためのポリイミド樹脂、あるいはポリイミド前駆
体をガンマブチロラクトンやブチルセロソルブなどの溶
剤に溶かした薬液（配向剤）を、回転する基板の中心に
垂らし、遠心力によって基板の表面全体に展開する方法
である。このため、スピンコート法によれば、配向膜２
４、３２を均一に塗布できるので、高い品位の表示を行
なうことができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スピン
コート法では配向膜２４、３２を選択的に塗布すること
ができないため、図１３に示すように、シール材５２と
基板との間５２１、５２２に配向膜２４、３２が介在す
ることになる。従って、シール材５２と基板との間５２
１、５２２において配向膜２４、３２を通って水分が侵
入するという問題が発生する。このような耐湿性能の低
下を防止する方法として、ポリイミド樹脂に代えて、耐
湿性能の高い他の樹脂材料を用いて配向膜２４、３２を
形成すればよいが、スピンコート法での成膜が可能で、
かつ、配向膜２４、３２として液晶を適正に配向させる
材料はまだ見出されていないのが現状である。

【０００９】それ故、電気光学装置１の分野において、
基板の全面に形成した配向膜２４、３２を効率よく選択
的に除去する方法があれば、スピンコート法で形成した
配向膜２４、３２と組み合わせることによって、表示の
品位が高く、かつ、耐湿性能も高い電気光学装置を製造
できるなどの利点があるが、このような方法で製造ライ
ンに組み込める方法は、未だ確率されていないのが現状
である。

【００１０】そこで、本発明の課題は、基板上に形成し
た配向膜を効率よく選択的に除去することにより、高い
生産性をもって表示品位や信頼性の高い電気光学装置を
製造することのできる電気光学装置の製造方法、電気光
学装置、およびこの電気光学装置を用いた投射型表示装
置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、第１の基板と第２の基板とを所定の間
隙を介してシール材で貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間隙のうち前記シー
ル材で区画された領域内に電気光学物質を充填する充填
工程とを有する電気光学装置の製造方法において、前記
貼り合わせ工程を行なう前に、前記第１および第２の基
板の各々に配向膜を形成する配向膜形成工程と、前記第
１および第２の基板のうちの少なくとも一方の基板の配
向膜の所定領域に大気圧プラズマを照射して当該所定領
域の配向膜を除去する配向膜除去工程とを行うことを特
徴とする。

【００１２】たとえば、前記配向膜除去工程では、前記
第１および第２の基板に形成した前記配向膜のうち、少
なくとも前記シール材の形成領域下の一部を当該シール
材の形成領域に沿って除去する。

【００１３】本発明においては、配向膜は、基板全体に
形成された後、シール材と重なる領域がシール材の形成
領域に沿って全体あるいは部分的に除去されているの
で、シール材と第１の基板および第２の基板との間には
配向膜が介在しない。従って、シール材と第１の基板と
の間、あるいはシール材と第２の基板の間において、配
向膜を通って外部から水分が侵入することを回避でき
る。それ故、本発明を適用した電気光学装置は耐湿性能
が高い。また、配向膜を除去するのに大気圧プラズマを
利用するので、真空雰囲気中で配向膜除去工程を行なう
必要がない。それ故、大気圧プラズマを利用した配向膜
除去工程であれば、真空装置内でのプラズマ処理と違っ
て、枚葉連続処理を容易に行なえ、かつ、大きなスペー
スが不要であるので、製造ラインに組み込みやすい。ま
た、基板表面の全体に形成した配向膜を効率よく除去で
きるのであれば、配向膜をスピンコート法などにより形
成でき、このスピンコート法であれば、配向膜を均一な
膜厚で形成することができる。それ故、液晶などの電気
光学物質を適正に配向させることができるので、ムラや
シミのない品位の高い表示を行なうことができる。しか
も、大気圧プラズマであれば、電極膜や遮光膜などを損
傷しないので、必要な領域を効率よく処理できる。

【００１４】本発明において、前記配向膜除去工程で
は、前記シール材の形成領域下の領域、および該形成領
域より外周側に形成された配向膜も除去することがあ
る。

【００１５】また、本発明において、前記配向膜除去工
程では、前記シール材の形成領域より外周側に形成され
た配向膜、および前記シール材の形成領域下の配向膜の
うち外周部の配向膜を除去することもある。

【００１６】また、本発明において、前記配向膜除去工
程では、前記シール材の形成領域において、該シール材
の形成領域の幅寸法の３０％以上に相当する領域の配向
膜を除去することが好ましい。たとえば、シール材の形
成領域の幅寸法の３０％から８０％に相当する領域の前
記配向膜を除去することが好ましい。このように構成す
ると、シール材と配向膜が接触配置されるため、シール
近傍まで配向の均一性を保持することが可能となる。ま
たシール領域において３０％以上配向膜が除去されるの
で、十分に水分の浸透を防ぐことも可能となる。

【００１７】言い換えれば、本発明では、前記配向膜除
去工程において、シール材の内側の配向膜とシール材の
外側の配向膜とがシール材の形成領域下において分断さ
れるように配向膜を除去することを特徴とする。

【００１８】また、本発明では、前記配向膜除去工程で
は、シール材の外側の配向膜からシール材の内側の配向
膜へ水分が伝わらないように、シール材の形成領域下に
おいて配向膜を除去することを特徴とする。

【００１９】本発明において、前記配向膜除去工程で
は、前記大気圧プラズマとして酸素プラズマを発生させ
る。たとえば、前記大気圧プラズマとして間接放電方式
により酸素プラズマを発生させる。

【００２０】本発明において、前記配向膜除去工程を行
なった後、前記配向膜を加熱、焼成する焼成工程を行な
うことが好ましい。このように構成すると、配向膜除去
工程において漏れたプラズマが配向膜に照射されても、
この配向膜は未だ焼成工程前であることから、配向膜前
駆体状態であるので、その後に焼成工程を行なえば、安
定した品質の配向膜を形成することができる。

【００２１】本発明において、前記配向膜除去工程を行
なった後、前記配向膜にラビング処理を施すラビング工
程を行なうことが好ましい。このように構成すると、配
向膜除去工程において漏れたプラズマが画像表示領域の
配向膜に照射されても、この配向膜は未だラビング工程
前であるので、その後にラビング工程を行なえば、配向
膜に適正な配向力を付与できる。

【００２２】本発明を適用した電気光学装置は、たとえ
ば、光源と、該光源から出射された光を光変調手段に導
く導光光学系と、前記光変調手段により変調された光を
拡大投射する拡大投射光学系とを有する投射型表示装置
において、前記光変調手段として用いるのに適当してい
る。

【００２３】また、本発明を適用した電気光学装置につ
いては、光源と、該光源から出射された光を複数の色光
に分離する色光分離手段と、該色分離手段によって分離
された各色光をそれぞれ変調する光変調手段と、該光変
調手段によりそれぞれ変調された色光を合成する色合成
手段と、該色合成手段により合成された光を拡大投射す
る拡大投射光学系とを有するカラー投射型表示装置にお
いて、前記光変調手段として用いるのに適している。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００２５】［実施の形態１］ （電気光学装置の全体構成）先ず、本発明を適用した電
気光学装置（液晶装置）の全体構成について、図１およ
び図２を参照して説明する。ここでは、駆動回路内蔵型
のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置
を例にとる。

【００２６】図１は、本発明を適用した電気光学装置の
ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）をその
上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見
た平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ´の断面図であ
る。図３は、この電気光学装置の端部を拡大して模式的
に示す断面図である。なお、図３においては、各層や各
部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各
層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図３に
おいては、集光の様子を理解し易く描くために、マイク
ロレンズおよびＴＦＴの配置関係を実際の配置関係とは
異ならしめてある。

【００２７】図１、図２および図３において、本形態の
電気光学装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０（第１の基
板）と対向基板２０（第２の基板）とが対向配置されて
いる。この対向基板２０の下側の面（カバーガラスとの
接着面）には、多数のマイクロレンズ５００が形成され
ており、対向基板２０はマイクロレンズアレイ板として
構成されている。このようにしてマイクロレンズ５００
が形成された対向基板２０の下側の面には、接着剤２１
０により、第１の基板としてのカバーガラス２００が接
着されている。接着剤２１０は、マイクロレンズ５００
より小さい屈折率を有するアクリル系の光硬化性の接着
剤からなり、両者間の屈折率の違いにより、マイクロレ
ンズ５００は、集光レンズとしての機能を果たす。ここ
で、マイクロレンズ５００はそれぞれ、入射した光をＴ
ＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９ａのそ
れぞれに集光するようにマトリクス状に形成され、か
つ、カバーガラス２００には、複数のマイクロレンズ５
００の相互の境界にそれぞれ対向する位置に遮光膜２３
が形成されている。画素電極９ａは、ＩＴＯ膜（インジ
ウム・ティン・オキサイド膜）から形成されている。

【００２８】シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板１０
と、対向基板２０に全面接着されたカバーガラス２００
とを貼り合わせてパネル５とするための紫外線硬化樹
脂、熱硬化樹脂等からなり、ＴＦＴアレイ基板１０上に
塗布された後、カバーガラス２００と対向基板２０との
貼り合わせ基板を重ねた状態で、紫外線照射、加熱等に
より硬化させたものである。電気光学装置１が投射型表
示装置用のように小型で、拡大表示を行うものであれ
ば、シール材５２中には、両基板内の距離（基板間ギャ
ップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラ
スビーズ等のギャップ材（スペーサ）が配合される。ま
た、電気光学装置１が液晶ディスプレイや液晶テレビの
ように大型で等倍表示を行うものであれば、このような
ギャップ材は、液晶層５０の中に点在させる場合もあ
る。

【００２９】本形態の電気光学装置１では、シール材５
２の形成領域の内側には、この領域に沿って画像表示領
域１０ａを規定する見切り用の遮光膜５３が対向基板２
０の側に形成されている。シール材５２には、その途切
れ部分によって液晶注入口１０８が形成され、この液晶
注入口１０８は液晶の注入を終えた後、シール材５２と
同一あるいは異なる材料からなる封止材１０９で塞がれ
ている。

【００３０】また、シール材５２が形成された領域の外
側の周辺領域には、データ線駆動回路１０１および外部
回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿
って形成され、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣
接する２辺に沿って設けられている。さらに、ＴＦＴア
レイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両
側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための
複数の配線１０５が形成されている。さらにまた、対向
基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所には、ＴＦＴ
アレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をと
るための上下導通材１０６が設けられている。

【００３１】図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０や走査線、データ
線、容量線等の配線が形成された後の画素電極９ａの表
面に、スピンコート法により成膜されたポリイミド系材
料からなる配向膜３２が形成されている。

【００３２】また、対向基板２０の側において、カバー
ガラス２００上には、対向電極２１の他、各画素毎に非
開口領域を規定するブラックマスク又はブラックマトリ
クスなどと称される遮光膜２３が形成され、この表面に
は、スピンコート法により成膜されたポリイミド系材料
からなる配向膜２４が形成されている。

【００３３】これらの配向膜３２、２４はそれぞれ、ポ
リイミド系の樹脂材料を塗布し、焼成した後、液晶層５
０中の液晶を所定方向に配向させると共に、液晶に所定
のプレチルト角を付与するように配向処理が施されてい
る。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティッ
ク液晶を混合した液晶からなり、配向膜３２、２４間
で、所定の配向状態をとる。遮光膜２３は、表示画像に
おけるコントラストの向上を図る機能を有している。

【００３４】なお、ＴＦＴアレイ基板１０の方にも、後
述する走査線および容量線に沿って縞状の遮光膜１１ａ
が形成されている。この遮光膜１１ａは、ＴＦＴ３０の
チャネル領域を含む領域をＴＦＴアレイ基板１０の側か
らそれぞれ覆っている。このようにＴＦＴ３０の下側に
遮光膜１１ａを形成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０の側
から裏面反射（戻り光）や複数の電気光学装置１をプリ
ズム等を介して組み合わせて１つの光学系を構成する場
合に、他の電気光学装置１からプリズム等を突き抜けて
くる光などが当該電気光学装置１のＴＦＴ３０に入射す
るの未然に防ぐことができる。

【００３５】本形態の電気光学装置１は、後述する投射
型表示装置において、各色に分離された色光が入射する
ため、カラーフィルタが形成されていないが、カバーガ
ラス２００の表面にカラーフィルタが形成される場合も
ある。この場合に、遮光膜２３は、カラーフィルタを形
成する色材の混色を防止する機能も有する。

【００３６】（電気光学装置の画像表示領域の構成）図
４を参照して、本形態の電気光学装置１の画素部を説明
する。図４は、電気光学装置１の画像表示領域１０ａを
構成するマトリクス状に形成された複数の画素における
各種素子、配線等の等価回路である。

【００３７】図４に示すように、本形態の電気光学装置
１において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス
状に形成された複数の画素は、画素電極９ａを制御する
ためのＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成されてお
り、画素信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ３０の
ソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き
込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線準次
に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６
ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良
い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に
接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパ
ルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線
順次で印加するように構成されている。画素電極９ａ
は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、
スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけその
スイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給さ
れる画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミング
で書き込む。画素信号９ａを介して液晶に書き込まれた
所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基
板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や
秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可
能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加さ
れた電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能と
され、ノーマリーブラックモードであれば、印加された
電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、
全体として電気光学装置１からは画像信号に応じたコン
トラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像
信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向
電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０
を付加する。

【００３８】（配向膜２４、３２の形成領域）このよう
に構成した電気光学装置１において、本形態では、対向
基板２０およびＴＦＴアレイ基板１０のいずれにおいて
も、配向膜２４、３２は、シール材５２の形成領域の内
側領域のみに形成されている。すなわち、配向膜２４、
３２は、シール材５２と重なる領域、およびシール材５
２より外周側の領域には形成されていない。

【００３９】従って、シール材５２とＴＦＴアレイ基板
１０との間５２１、およびシール材５２と対向基板２０
との間５２２には、配向膜２４、３２が介在していな
い。このため、シール材５２を介してＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０とを貼り合わせた以降、シール材５
２とＴＦＴアレイ基板１０との間５２１、およびシール
材５２と対向基板２０との間５２２で配向膜２４、３２
を通って水分が外部からシール材５２の形成領域の内側
に侵入するということがない。それ故、本形態の電気光
学装置１は耐湿性能が高い。

【００４０】また、本形態の電気光学装置１では、その
製造方法を以下に説明するように、配向膜２４、３２
は、スピンコート法によって塗布されたものである。こ
のようなスピンコート法によれば、フレキソ印刷法と比
較して、配向膜２４、３２を均一な厚さに塗布できるの
で、液晶層５０においては、配向膜２４、３２の膜厚ば
らつきに起因する液晶の配向不良が発生しない。それ
故、本形態の電気光学装置１を、後述する投射型表示装
置の光変調手段と用いても、ムラやシミのない品位の高
い表示を行なうことができる。

【００４１】（電気光学装置の製造方法）次に、本形態
の電気光学装置１の製造方法のうち、特徴的な工程につ
いて説明する。

【００４２】図５（Ａ）〜（Ｈ）はそれぞれ、図１に示
す電気光学装置１の製造方法を示す工程断面図である。
図６は、図１に示す電気光学装置１を製造するのに用い
たプラズマ照射装置の概略構成図である。図７（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞれ、図１に示す電気光
学装置の製造工程において、配向膜塗布工程で形成した
配向膜２４の形成領域を示す対向基板２０の平面図、そ
の断面図、配向膜塗布工程で形成した配向膜３２の形成
領域を示すＴＦＴアレイ基板１０の平面図、およびその
断面図である。図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は
それぞれ、図１に示す電気光学装置１の製造工程におい
て、配向膜除去工程を終えた後の配向膜２４の形成領域
を示す対向基板２０の平面図、その断面図、配向膜除去
工程を終えた後の配向膜３２の形成領域を示すＴＦＴア
レイ基板１０の平面図、およびその断面図である。

【００４３】まず、ＴＦＴアレイ基板１０の表面にＴＦ
Ｔ３０や画素電極９ａなどを形成する一方、対向基板２
０に対して対向電極３２などを形成した後、配向膜２
４、３２を形成する前に、図５（Ａ）に示すように、前
処理工程として、プラズマ照射装置２０００を用いてＴ
ＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の表面全体に大
気圧プラズマを照射する。本形態では、大気圧プラズマ
として、図６を参照して後述するプラズマ照射装置にお
いて窒素ガス間接放電方式で発生させた窒素プラズマを
用いる。その結果、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基
板２０の表面に吸着していた異物が除去され、これらの
基板表面と、配向膜２４、３４を形成するための薬液と
の濡れ性が向上する。たとえば、配向膜２４、３４を形
成するための薬液としてガンマブチロラクトンやブチル
セロソルブを配合した薬液と基板との接触角は、プラズ
マ照射なしで３７°だったものが、プラズマ照射によっ
て６°にまで小さくなる。

【００４４】この前処理工程では、図６に示すプラズマ
照射装置２０００を用いる。このプラズマ照射装置２０
００では、移動テーブル２２００の上にアルミナ製のス
テージ２００１が配置され、このステージ２００１の上
にＴＦＴアレイ基板１０や対向基板２０などの基板２０
０２が配置される。また、ステージ２００１の真上位置
には、ステージ２００１との間にプラズマを発生させる
プラズマガン２１００が配置されている。

【００４５】このプラズマガン２１００では、ケーシン
グ部材２０２２内に、ホルダー部材２０１０によって保
持された電極２００７、２００８が配置されている。こ
れらの電極２００７、２００８のうち、電極２００８は
アース電極とされている一方、電極２００７には、リー
ド２０２１から高周波電圧が印加されるようになってい
る。電極２００７、２００８の間には、ガス導入部２０
０３のガス導入管２０２３からガスが供給される放電管
２００４が通っており、この放電管２００４内で、処理
ガスの搬送、放電、反応ガスの輸送が行われる。この放
電管２００４は保護部材２００９によって保持、固定さ
れ、この保護部材２００９は、中間部材２０１１によっ
て位置決めされた状態にある。

【００４６】また、放電管２００４の下端には、ノズル
ホルダー２００６に保持されたノズルチップ２００５が
配置され、このノズルチップ２００５からステージ２０
０１上の基板２００２に向けてプラズマを放出する。こ
のノズルチップ２００５と電極２００７、２００８との
間には絶縁部材２０１２が配置されている。なお、ケー
シング部材２０２２には、電極２００７、２００８を冷
却するための空気を供給するための冷却口２０１３が形
成されているととにもに、電極２００７、２００８を冷
却した後の空気を排出するための排気口２０１４も形成
されている。

【００４７】ここで、プラズマガン２１００、ステージ
２００１、テーブル２２００などは全て大気圧下に配置
される。従って、このプラズマ照射装置２０００で発生
するプラズマは大気圧プラズマと称せられ、かつ、この
ような間接放電によってプラズマを放出させる方式は、
一般に、間接放電方式と称せられる。

【００４８】このプラズマガン２１００においてノズル
チップ２００５を交換すれば、プラズマガン２１００を
ラインガンあるいはスポットガンとして用いることがで
きる。たとえば、図５（Ａ）を参照して説明した前処理
工程のように、基板２００２（基板１０、２０）の全面
に大気圧プラズマを照射するときには、ラインガン用の
ノズルチップ２００５を用い、図５（Ｃ）を参照して後
述する配向膜除去工程のように、基板２００２上の特定
領域に大気圧プラズマを照射するときには、スポットガ
ン用のノズルチップ２００５を用いる。

【００４９】また、大気圧プラズマとして、図５（Ａ）
を参照して説明した前処理工程のように、窒素プラズマ
を発生させるときには、ガス導入管２０２３から窒素ガ
スを供給し、図５（Ｃ）を参照して後述する配向膜除去
工程のように、酸素プラズマを発生させるときには、ガ
ス導入管２０２３から酸素ガスを供給する。

【００５０】このように構成したプラズマ照射装置２０
００において、図５（Ａ）を参照して説明した工程で
は、プラズマガン２１００に対しては、横寸法が基板２
００２の横寸法と略等しいノズルチップ２００５を用
い、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の全面を
一括して処理する。従って、ＴＦＴアレイ基板１０、お
よびこのＴＦＴアレイ基板１０より一回り小さな対向基
板２０については、テーブル２２００上でステージ２０
０１を片道移動させるだけで、ＴＦＴアレイ基板１０お
よび対向基板２０の表面全体にプラズマを照射すること
ができる。

【００５１】このようにして前処理工程を終えたＴＦＴ
アレイ基板１０および対向基板２０は、図５（Ｂ）に示
す配向膜形成工程に移送される。この配向膜形成工程に
おいては、図示を省略するが、スピンコータ装置（図示
せず）において、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板
２０は、スピンコート法により配向膜２４、３２が塗布
される。すなわち、このスピンコート法では、配向膜２
４、３２を形成するためのポリイミド樹脂を溶剤に溶か
した薬液を回転する基板（ＴＦＴアレイ基板１０および
対向基板２０）の中心に垂らして、遠心力によって基板
の表面全体に展開する。このため、スピンコート法で
は、図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すよう
に、対向基板２０およびＴＦＴアレイ基板１０の表面全
体に配向膜２４、３２（右下がりの斜線を付した領域）
が形成される。

【００５２】次に、図５（Ｃ）において、ＴＦＴアレイ
基板１０および対向基板２０の表面全体に形成した配向
膜２４、３２の所定領域に大気圧プラズマを照射し、図
８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、配向
膜２４、３２のうち、シール材５２との重なり領域につ
いては、シール材５２の形成領域に沿って配向膜２４、
３２を除去する。また、ＴＦＴアレイ基板１０では、シ
ール材５２の形成領域よりも外周側の領域についても配
向膜３２を除去する。

【００５３】この工程でも、プラズマを発生させるに
は、基本的には図６を参照して説明したプラズマ照射装
置２０００を用いる。但し、この工程では、配向膜２
４、３２をアッシングする必要があるため、酸素ガスを
供給し、酸素プラズマを発生させる。

【００５４】また、この工程では、対向基板２０および
ＴＦＴアレイ基板１０の全面にプラズマを照射する場合
と違って、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、対向基板
２０に対しては、シール材５２の形成領域の幅寸法に相
当する幅でシール材５２の形成領域に沿ってプラズマを
照射することにより配向膜２４を除去する。また、図８
（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０に
対しては、シール材５２の形成領域およびそれより外周
側全体の幅寸法に相当する幅でシール材５２の形成領域
に沿ってプラズマを照射することにより配向膜３２を除
去する。それ故、この配向膜除去工程では、先の前処理
工程で用いたノズルチップ２００５をラインガン用から
スポットガン用に交換する。

【００５５】次に図５（Ｄ）に示すように、焼成工程で
は、配向膜除去工程を終えた対向基板２０およびＴＦＴ
アレイ基板１０を加熱して配向膜２４、３２を焼成す
る。

【００５６】次に図５（Ｅ）に示すように、ラビング工
程では、焼成工程を終えた対向基板２０およびＴＦＴア
レイ基板１０の各配向膜２４、３２をラビング布で所定
の方向に擦る。

【００５７】次に図５（Ｆ）に示すように、ＴＦＴアレ
イ基板１０の表面にシール材５１を塗布した後、図５
（Ｇ）に示すように、このシール材５１によって、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。そ
して、シール材５１を硬化させる。

【００５８】次に図５（Ｈ）に示すように、ＴＦＴアレ
イ基板１０と対向基板２０との間隙のうち、液晶注入口
１０８からシール材５１により区画形成された領域内に
液晶などの電気光学物質を減圧注入し、しかる後に液晶
注入口１０８を封止材１０９で塞ぐ。

【００５９】このように、本形態では、焼成処理やラビ
ング処理を行なう前に配向膜除去工程を行なうため、配
向膜除去工程において、たとえ画像表示領域１０ａの側
にプラズマが漏れたとしても、漏れたプラズマによって
配向膜２４、３２が劣化したまま、貼り合わせ工程に移
送されることがない。すなわち、ラビング工程を行なっ
た後の配向膜２４、３２にプラズマが照射されると、配
向膜２４、３２で分子配列の乱れが発生するので、その
まま貼り合わせ工程および充填工程に回送されると液晶
などの電気光学物質の配向状態が乱れるが、このような
問題は本形態によれば発生しない。

【００６０】また、本形態ではスピンコート法によって
配向膜２４、３２を塗布する前に対向基板２０およびＴ
ＦＴアレイ基板１０の表面にプラズマ照射を行なうの
で、これらの基板表面と、配向膜２４、３２を形成する
ための薬液との親和性、濡れ性が高い。従って、スピン
コート法において、薬液を遠心力によって基板の表面全
体に展開するとき、基板上から零れ落ちる薬液量が少な
くて済む。このため、薬品の使用量を１／２位にまで低
減できるという利点もある。

【００６１】さらにプラズマとして大気圧プラズマを用
いるため、真空装置内での処理と違って、枚葉連続処理
を容易に行なえ、かつ、大きなスペースが不要であるの
で、製造ラインに組み込みやすい。しかも、大気圧プラ
ズマであれば、電極膜や遮光膜などを損傷しないので、
必要な領域を効率よく処理できる。前述したように、プ
ラズマを照射するプラズマガンにスポットガンを搭載
し、間接放電方式により酸素プラズマを発生させた場
合、例えばシール部等、必要な領域の配向膜を効率よく
除去できる。また、前処理工程ではプラズマガンにライ
ンガンを搭載し、間接放電方式により窒素プラズマを発
生させるので、広い領域の表面改質を効率よく処理でき
る。ヘリウム直接放電タイプなどと比較して、ガン構造
の選択により目的に応じた処理が効率よく達成でき、か
つ、ランニングコストが低いという利点がある。

【００６２】［実施の形態２］図９は、本発明の実施の
形態２に係る電気光学装置の端部を拡大して模式的に示
す断面図である。図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
（Ｄ）はそれぞれ、図９に示す電気光学装置１の製造工
程において、配向膜除去工程を終えた後の配向膜２４の
形成領域を示す対向基板２０の平面図、その断面図、配
向膜除去工程を終えた後の配向膜３２の形成領域を示す
ＴＦＴアレイ基板１０の平面図、およびその断面図であ
る。

【００６３】実施の形態１では、シール材５２と重なる
領域、およびこの領域より外周側の領域について配向膜
２４、３２を除去したが、図９に示すように、配向膜除
去工程において、シール材５２の形成領域において、シ
ール材５２の形成領域の幅寸法の３０％から８０％に相
当する領域の配向膜２４、３２のみを除去する構成であ
ってもよい。すなわち、本形態では、シール材５２と重
なる領域(シール材の形成領域下）のうち、その内周側
および外周側には配向膜２４、３２が部分的に残ってい
るとともに、シール材５２の形成領域よりも外周側の領
域にも配向膜２４、３２が残っている。なお、本形態で
も、実施の形態１と同様、配向膜２４、３２はスピンコ
ート法による成膜されたものである。その他の構造は、
実施の形態１と同様であるため、対応する部分には同一
の符号を付して図示することにして、それらの説明を省
略する。

【００６４】このように構成した電気光学装置１におい
て、シール材５２は、部分的ではあるが、ＴＦＴアレイ
基板１０や対向基板２０に対して直接、接しており、シ
ール材５２とＴＦＴアレイ基板１０との間５２１、およ
びシール材５２と対向基板２０との間５２２には、配向
膜２４、３２が部分的にしか存在していない。このた
め、シール材５２を介してＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０とを貼り合わせた以降、シール材５２とＴＦＴ
アレイ基板１０との間５２１、およびシール材５２と対
向基板２０との間５２２を通って水分が外部からシール
材５２の形成領域の内側に侵入するということがない。
本構成のようにシール領域において３０％以上配向膜が
除去されていれば、十分に水分の浸透を防ぐことが可能
である。それ故、本形態の電気光学装置１は耐湿性能が
高い。また、このように構成した電気光学装置１におい
て、シールと配向膜が接触配置される為、シール近傍ま
で配向の均一性を保持することが可能となる。

【００６５】また、本形態の電気光学装置１では、その
製造方法を以下に説明するように、配向膜２４、３２
は、スピンコート法によって塗布されたものである。従
って、このスピンコート法によれば、フレキソ印刷法と
比較して、配向膜２４、３２を均一な厚さに塗布できる
ので、液晶層５０においては、配向膜２４、３２の膜厚
ばらつきに起因する液晶の配向不良が発生しない。それ
故、本形態の電気光学装置１を、後述する投射型表示装
置の光変調手段と用いても、ムラやシミのない品位の高
い表示を行なうことができる。

【００６６】次に、本形態の電気光学装置の製造方法の
うち、特徴的な工程について説明する。なお、全体的な
フローについては、実施の形態１と同様、図５を参照し
て説明する。

【００６７】まず、図５（Ａ）に示すように、ＴＦＴア
レイ基板１０の表面にＴＦＴ３０や画素電極９ａなどを
形成する一方、対向基板２０に対して対向電極３２など
を形成した後、配向膜２４、３２を形成する前に、前処
理工程として、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２
０の表面全体に大気圧プラズマを照射して、基板と配向
膜形成用の薬液との濡れ性を高める。この前処理工程
も、図６に示すプラズマ照射装置において、ＴＦＴアレ
イ基板１０および対向基板２０の表面全体に窒素プラズ
マを照射する。

【００６８】次に図５（Ｂ）に示す配向膜形成工程にお
いて、図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すよう
に、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の表面全
体にスピンコート法により配向膜２４、３２を塗布す
る。

【００６９】次に図５（Ｃ）において、ＴＦＴアレイ基
板１０および対向基板２０の表面全体に形成した配向膜
２４、３２の所定領域（シール材５２の形成領域におい
て、シール材５２の形成領域の幅寸法の３０％から８０
％に相当する領域）に大気圧プラズマとして酸素プラズ
マを照射する。その結果、図１０（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、シール材５２と重なる配
向膜２４、３２のうち、シール材５２の形成領域におい
て、シール材５２の形成領域の幅寸法の３０％から８０
％に相当する領域の配向膜２４、３２が除去される。従
って、シール材５２と重なる領域のうち、その内周側お
よび外周側には配向膜２４、３２が部分的に残るととも
に、シール材５２の形成領域よりも外周側の領域にも配
向膜２４、３２が残る。

【００７０】この工程でも、プラズマを発生させるに
は、基本的には図６を参照して説明したプラズマ照射装
置を用いる。但し、この工程では、配向膜２４、３２を
アッシングする必要があるので、酸素ガスを供給して酸
素プラズマを発生させる。また、対向基板２０およびＴ
ＦＴアレイ基板１０の全面にプラズマを照射する場合と
違って、図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す
ように、対向基板２０およびＴＦＴアレイ基板１０に対
しては、シール材５２の形成領域の幅寸法の３０％から
８０％の幅でプラズマを照射する。

【００７１】次に図５（Ｄ）に示すように、焼成工程で
は、スピンコート法による配向膜形成工程、およびプラ
ズマ照射により配向膜除去工程を終えた対向基板２０お
よびＴＦＴアレイ基板１０を加熱して配向膜２４、３２
を焼成する。

【００７２】次に図５（Ｅ）に示すように、ラビング工
程では、焼成工程を終えた対向基板２０およびＴＦＴア
レイ基板１０の各配向膜２４、３２をラビング布で所定
の方向に擦る。

【００７３】次に図５（Ｆ）に示すように、ＴＦＴアレ
イ基板１０のシール材５１を塗布した後、図５（Ｇ）に
示すように、このシール材５１によって、ＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。しかる後に
シール材５２を硬化させる。

【００７４】次に図５（Ｈ）に示すように、ＴＦＴアレ
イ基板１０と対向基板２０との間隙のうち、液晶注入口
１０８からシール材５１により区画形成された領域内に
液晶などの電気光学物質を減圧注入し、しかる後に液晶
注入口１０８を封止材１０９で塞ぐ。

【００７５】このように、本形態でも、焼成処理やラビ
ング処理を行なう前に配向膜除去工程を行なうため、配
向膜除去工程において、たとえ画像表示領域１０ａの側
にプラズマが漏れたとしても、漏れたプラズマによって
配向膜２４、３２が劣化したまま、貼り合わせ工程に移
送されることがない。すなわち、ラビング工程を行なっ
た後の配向膜２４、３２にプラズマが照射されると配向
膜２４、３２で分子配列の乱れが発生し、そのまま貼り
合わせ工程および充填工程に回送されると液晶などの電
気光学物質の配向状態が乱れるが、このような問題は本
形態によれば発生しないなど、実施の形態１と同様な効
果を奏する。

【００７６】［その他の実施の形態］なお、実施の形態
２では、シール材５２の形成領域下のうち、その内周側
および外周側に配向膜２４、３２を部分的に残したが、
シール材５２の形成領域下のうち、内周側については配
向膜２４、３２を完全に除去した構成であってもよい。

【００７７】［投射型表示装置の構成］図１１を参照し
て、本発明を適用した電気光学装置１を用いた投射型表
示装置の構成を説明する。

【００７８】図１１において、投射型表示装置１１００
では、透過型の電気光学装置１を含む液晶表示モジュー
ルが各々Ｒ（赤色光）、Ｇ（緑色光）、Ｂ（青色光）用
のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂ（光
変調装置）として用いられている。

【００７９】この投射型表示装置１１００において、メ
タルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１
０２（光源）から投射光が発せられると、この光は、以
下に説明する導光光学系を介してライトバルブ１００
Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂに導かれる。すなわち、ラ
ンプユニット１１０２からの投射光は、３枚のミラー１
１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８（色
分離手段）によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分
Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１
００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに各々導かれる。この際、
特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射
レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および出射レン
ズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導
かれる。

【００８０】そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ
および１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する
光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２（色合成手
段）により再度合成された後、投射レンズ１１１４（拡
大投射光学系）を介してスクリーン１１２０にカラー画
像として拡大投射される。

【００８１】このように、本発明を適用した電気光学装
置１を投射型表示装置１１００に用いた場合には、拡大
投射された画像には、電気光学装置１に形成した配向膜
２４、３２の不均一性に起因する表示のムラやシミが発
生しないので、品位の高い表示を行なうことができる。

【００８２】なお、図１１に示す投射型表示装置１１０
０では、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）用の３個
のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの全てに
ついて、本発明を適用したが、Ｇ（緑色）については特
に視感度が高く、ムラやシミが目立ちやすいので、この
Ｇ（緑色）用のライトバルブ１００Ｇのみに、本発明を
適用した電気光学装置１を用いてもよい。

【００８３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電気
光学装置では、大気圧プラズマを配向膜の所定領域に照
射してこの所定領域の配向膜を選択的に除去する。従っ
て、配向膜を基板全体にスピンコート法により形成した
後、シール材と重なる領域をシール材の形成領域に沿っ
て全体あるいは部分的に除去することができるので、シ
ール材と第１の基板および第２の基板との間には配向膜
が介在しない構成を実現できる。それ故、シール材と第
１の基板との間、あるいはシール材と第２の基板の間に
おいて、配向膜を通って外部から水分が侵入することを
回避できる。それ故、本発明を適用した電気光学装置は
耐湿性能が高い。また、配向膜を除去するのに大気圧プ
ラズマを利用するので、真空雰囲気中で配向膜除去工程
を行なう必要がない。それ故、大気圧プラズマを利用し
た配向膜除去工程であれば、製造ラインに組み込むやす
い。また、基板表面の全体に形成した配向膜を効率よく
除去できるのであれば、配向膜をスピンコート法などに
より形成でき、このスピンコート法であれば、配向膜を
均一な膜厚で形成することができる。それ故、液晶など
の電気光学物質を適正に配向させることができるので、
ムラやシミのない品位の高い表示を行なうことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴ
ＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に
対向基板の側から見た平面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ´の断面図である。

【図３】図１に示す電気光学装置の端部を拡大して模式
的に示す断面図である。

【図４】図１に示す電気光学装置の画像表示領域におい
て、マトリクス状に形成された複数の画素における各種
素子、配線等の等価回路である。

【図５】（Ａ）〜（Ｈ）はそれぞれ、図１に示す電気光
学装置の製造方法を示す工程断面図である。

【図６】図１に示す電気光学装置を製造するのに用いた
プラズマ照射装置の概略構成図である。

【図７】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞれ、
図１に示す電気光学装置の製造工程において、配向膜塗
布工程で形成した配向膜の形成領域を示す対向基板の平
面図、その断面図、配向膜塗布工程で形成した配向膜の
形成領域を示すＴＦＴアレイ基板の平面図、およびその
断面図である。

【図８】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞれ、
図１に示す電気光学装置の製造工程において、配向膜除
去工程を終えた後の配向膜の形成領域を示す対向基板の
平面図、その断面図、配向膜除去工程を終えた後の配向
膜の形成領域を示すＴＦＴアレイ基板の平面図、および
その断面図である。

【図９】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の端
部を拡大して模式的に示す断面図である。

【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞ
れ、図９に示す電気光学装置の製造工程において、配向
膜除去工程を終えた後の配向膜の形成領域を示す対向基
板の平面図、その断面図、配向膜除去工程を終えた後の
配向膜の形成領域を示すＴＦＴアレイ基板の平面図、お
よびその断面図である。

【図１１】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射
型表示装置の光学系の構成を示す説明図である。

【図１２】従来の電気光学装置の端部を拡大して模式的
に示す断面図である。

【図１３】本発明の比較例に係る電気光学装置の端部を
拡大して模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１ 電気光学装置 ５ パネル １０ ＴＦＴアレイ基板（第１の基板） １０ａ 画像表示領域 ２０ 対向基板（第２の基板） ２４、３４ 配向膜 ５０ 液晶層 ５２ シール材 ５３ 見切り用の遮光膜 ２００ カバーガラス ２１０ 接着剤 ５００ マイクロレンズ １１００ 投射型表示装置 １００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂ ライトバルブ（光
変調装置） ２０００ プラズマ照射装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮島 弘夫 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 秋山 博明 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 EA14 EA15 HA03 HA05 HA08 HA13 HA25 HA28 MA06 2H089 NA41 NA45 QA07 QA12 TA04 TA16 TA18 UA05 2H090 HA14 HB08Y HC05 HC12 MB01 5C094 AA03 AA38 BA03 BA16 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA07 EB02 EC03 ED01 ED15 5G435 AA02 AA13 BB12 BB17 CC12 DD02 DD05 FF00 FF13 GG01 GG02 GG03 GG04 GG08 GG28 GG46 KK05 KK10

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板と第２の基板とを所定の間隙
   を介してシール材で貼り合わせる貼り合わせ工程と、前
   記第１の基板と前記第２の基板の間隙のうち前記シール
   材で区画された領域内に電気光学物質を充填する充填工
   程とを有する電気光学装置の製造方法において、 前記貼り合わせ工程を行なう前に、前記第１および第２
   の基板の各々に配向膜を形成する配向膜形成工程と、前
   記第１および第２の基板のうちの少なくとも一方の基板
   の配向膜の所定領域に大気圧プラズマを照射して当該所
   定領域の配向膜を除去する配向膜除去工程とを行うこと
   を特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の電気光学装置の製造方
   法において、前記配向膜除去工程では、前記第１および
   第２の基板に形成した前記配向膜のうち、少なくとも前
   記シール材の形成領域下の一部を当該シール材の形成領
   域に沿って除去することを特徴とする電気光学装置の製
   造方法。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の電気光学装置の製造方
   法において、前記配向膜除去工程では、前記シール材の
   形成領域下の領域、および該形成領域より外周側に形成
   された配向膜を除去することを特徴とする電気光学装置
   の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項２に記載の電気光学装置の製造方
   法において、前記配向膜除去工程では、前記シール材の
   形成領域より外周側に形成された配向膜、および前記シ
   ール材の形成領域下の配向膜のうち外周部の配向膜を除
   去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項２に記載の電気光学装置の製造方
   法において、前記配向膜除去工程では、前記シール材の
   形成領域において、当該シール材の形成領域の幅寸法の
   ３０％以上に相当する領域の前記配向膜を除去すること
   を特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項２に記載の電気光学装置の製造方
   法において、前記配向膜除去工程では、シール材の内側
   の配向膜とシール材の外側の配向膜とがシール材の形成
   領域下において分断されるように配向膜を除去すること
   を特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項２に記載の電気光学装置の製造方
   法において、前記配向膜除去工程では、シール材の外側
   の配向膜からシール材の内側の配向膜へ水分が伝わらな
   いように、シール材の形成領域下において配向膜を除去
   することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に
   記載の電気光学装置の製造方法において、前記配向膜除
   去工程では、前記大気圧プラズマとして酸素プラズマを
   発生させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の電気光学装置の製造方
   法において、前記配向膜除去工程では、前記大気圧プラ
   ズマとして間接放電方式により酸素プラズマを発生させ
   ることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至請求項９のいずれか一項
    に記載の電気光学装置の製造方法において、前記配向膜
    除去工程を行なった後、前記貼り合わせ工程を行なう前
    に、前記配向膜を加熱、焼成する焼成工程を行なうこと
    を特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項１乃至請求項１０のいずれか一
    項に記載の電気光学装置の製造方法において、前記配向
    膜除去工程を行なった後、前記貼り合わせ工程を行なう
    前に、前記配向膜にラビング処理を施すラビング工程を
    行なうことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１乃至請求項１１のいずれか一
    項に規定する方法で製造したことを特徴とする電気光学
    装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２に規定する電気光学装置を
    用いた投射型表示装置であって、光源と、該光源から出
    射された光を光変調手段に導く導光光学系と、前記光変
    調手段により変調された光を拡大投射する拡大投射光学
    系とを有し、 前記光変調手段として前記電気光学装置が用いられてい
    ることを特徴とする投射型表示装置。
14. 【請求項１４】 請求項１２に規定する電気光学装置を
    用いた投射型表示装置であって、光源と、該光源から出
    射された光を複数の色光に分離する色光分離手段と、該
    色分離手段によって分離された各色光をそれぞれ変調す
    る光変調手段と、該光変調手段によりそれぞれ変調され
    た色光を合成する色合成手段と、該色合成手段により合
    成された光を拡大投射する拡大投射光学系とを有し、 前記光変調手段として前記電気光学装置を用いることを
    特徴とする投射型表示装置。