JP2001234262A - Heat radiating body - Google Patents

Heat radiating body

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JP2001234262A
JP2001234262A JP2000039075A JP2000039075A JP2001234262A JP 2001234262 A JP2001234262 A JP 2001234262A JP 2000039075 A JP2000039075 A JP 2000039075A JP 2000039075 A JP2000039075 A JP 2000039075A JP 2001234262 A JP2001234262 A JP 2001234262A
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heat
molded body
metal
powder
radiator
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JP2000039075A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsuhiro Yoshizaki
敦浩 吉崎
Izumi Shimizu
泉 清水
慶平 ▲冬▼
Kiyouhei Fuyu
Takashi Suzumura
隆志 鈴村
Kazuma Kuroki
一真 黒木
Kunihiro Fukuda
州洋 福田
Hironori Kitajima
寛規 北嶋
Yasumutsu Nagai
康睦 永井
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Hitachi Cable Ltd
Hitachi Automotive Systems Engineering Co Ltd
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Hitachi Cable Ltd
Hitachi Car Engineering Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat radiating body having a small thermal expansion coefficient and excellent thermal conductivity and capable of being produced at a low cost. SOLUTION: This heat radiating body is composed of a compact 1 consisting of a mixture of Cu powder and cuprous oxide powder and incorporated with a heat pipe 3 in which a working solution to be evaporated and condensed at prescribed temperature is stored.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、放熱体に関し、特
に、小さな熱膨張率と優れた熱伝導性を有し、低コスト
のもとに製造することのできる放熱体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat radiator, and more particularly to a heat radiator having a small coefficient of thermal expansion and excellent thermal conductivity, which can be manufactured at low cost.

【0002】[0002]

【従来の技術】演算処理装置のような発熱する半導体装
置においては、発熱に起因する半導体素子の特性の劣化
を防止して半導体素子の長寿化を図るために、半導体装
置に放熱体を取り付け、半導体装置からの熱をこの放熱
体より放出することによって、半導体装置およびその周
辺領域での温度の上昇を防ぐことが行われている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device that generates heat, such as an arithmetic processing unit, a heat radiator is attached to the semiconductor device in order to prevent deterioration of the characteristics of the semiconductor element due to heat generation and extend the life of the semiconductor element. By radiating heat from the semiconductor device from the heat radiator, it is possible to prevent a rise in temperature in the semiconductor device and its peripheral region.

【0003】通常、これには、銅の放熱体が使われてい
る。銅は、393W/(m・K)という高い熱伝導率を
有しているため、熱を効率よく吸収して放出できる性質
を有しており、しかも、低コストのもとに放熱体を製造
できることもあって、銅より構成される放熱体は、半導
体装置の分野において広く活用されている。
[0003] Usually, a copper radiator is used for this. Since copper has a high thermal conductivity of 393 W / (m · K), it has a property of efficiently absorbing and releasing heat, and furthermore, manufactures a radiator at low cost. In some cases, heat radiators made of copper are widely used in the field of semiconductor devices.

【0004】しかし、従来の銅の放熱体によると、銅の
特質として熱膨張率が大きいため、発熱量の大きな、た
とえば、各種のオン・オフ機能を有する電力等のエネル
ギーの交換あるいは制御用等に使用される大容量の半導
体素子への適用は難しい。
However, according to the conventional copper radiator, since copper has a large thermal expansion coefficient as a characteristic of copper, it has a large heat value, for example, for exchange or control of energy such as electric power having various on / off functions. It is difficult to apply it to a large-capacity semiconductor device used for a semiconductor device.

【0005】発熱量の大きな半導体装置を考慮した場
合、放熱体の熱膨張係数としては、15×10-6/K以
下にあることが必要であり、この点、銅の放熱体の熱膨
張係数は、17×10-6/Kと高く、高放熱性の半導体
装置には適用が困難である。従って、高い放熱性を有し
た半導体装置には、半導体素子を構成するSiと同程度
の熱膨張係数のMoあるいはWによって構成された放熱
体を使用するのが普通である。
In consideration of a semiconductor device having a large calorific value, the thermal expansion coefficient of the heat radiator needs to be 15 × 10 −6 / K or less. Is as high as 17.times.10@-6 / K, which is difficult to apply to a semiconductor device having high heat dissipation. Therefore, for a semiconductor device having high heat radiation, a heat radiator composed of Mo or W having a thermal expansion coefficient similar to that of Si constituting a semiconductor element is generally used.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のMoあ
るいはWより構成される放熱体によると、高価であると
いう、工業用製品としては重大な問題を有している。
However, according to the conventional radiator composed of Mo or W, it is expensive, which has a serious problem as an industrial product.

【0007】従って、本発明の目的は、小さな熱膨張係
数と優れた熱伝導性を備え、しかも、低コストのもとに
製造することのできる放熱体を提供することにある。
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a radiator having a small coefficient of thermal expansion and excellent thermal conductivity, and which can be manufactured at low cost.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、半導体装置等と接触させられる所定の形
状の成型体より構成され、前記半導体装置等より生ずる
熱を吸収して外部へ放出する放熱体において、前記成型
体は、良好な熱伝導性を有するCu等の金属と、前記金
属中に分散され、かつ前記金属よりも熱膨張係数の小さ
な無機化合物の粉末の混合物より構成されることを特徴
とする放熱体を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention comprises a molded body having a predetermined shape which is brought into contact with a semiconductor device or the like, and absorbs heat generated from the semiconductor device or the like to obtain an external device. In the heat dissipating body, the molded body is composed of a mixture of a metal such as Cu having good thermal conductivity and a powder of an inorganic compound dispersed in the metal and having a smaller coefficient of thermal expansion than the metal. It is intended to provide a radiator characterized by being performed.

【0009】また、本発明は、上記の目的を達成するた
め、半導体装置等と接触させられる所定の形状の成型体
より構成され、前記半導体装置等より生ずる熱を吸収し
て外部へ放出する放熱体において、前記成型体は、良好
な熱伝導性を有するCu等の金属と、前記金属中に分散
され、かつ前記金属よりも熱膨張係数の小さな無機化合
物の粉末の混合物より構成されるとともに、その内部
に、所定の温度で蒸発および凝縮する作動液を減圧状態
で収容したヒートパイプを内蔵することを特徴とする放
熱体を提供するものである。
Further, in order to achieve the above object, the present invention comprises a molded body having a predetermined shape which is brought into contact with a semiconductor device or the like, and absorbs heat generated from the semiconductor device or the like and emits heat to the outside. In the body, the molded body is a metal having good thermal conductivity, such as Cu, and dispersed in the metal, and a mixture of a powder of an inorganic compound having a smaller thermal expansion coefficient than the metal, A heat radiator characterized by incorporating therein a heat pipe in which a working fluid that evaporates and condenses at a predetermined temperature is accommodated in a reduced pressure state.

【0010】上記した無機化合物の粉末としては、良熱
伝導性の金属中への分散状態を良好かつ均一にする意味
から、200μm以下、より好ましくは60μm以下の
粒径を有するものであることが好ましい。良好な熱伝導
性を有する金属としては、Cu、Au、AgあるいはA
lより選択することが好ましく、特に、コスト面からす
ると、CuあるいはAlの選択が好ましい。無機化合物
の粉末としては、酸化銅、酸化錫、酸化亜鉛、酸化鉛、
酸化ニッケルあるいは酸化アルミニウムより選択するこ
とが好ましい。
The powder of the above-mentioned inorganic compound may have a particle size of 200 μm or less, more preferably 60 μm or less, in order to make the dispersion state in the metal having good thermal conductivity good and uniform. preferable. Examples of the metal having good thermal conductivity include Cu, Au, Ag, and A.
It is preferable to select from l, and particularly from the viewpoint of cost, it is preferable to select Cu or Al. Powders of inorganic compounds include copper oxide, tin oxide, zinc oxide, lead oxide,
It is preferable to select from nickel oxide or aluminum oxide.

【0011】良熱伝導性の金属と無機化合物の粉末の組
み合わせとしては、銅と酸化第1銅(Cu2 O)の組み
合わせが好ましく、その場合、酸化第1銅の混合比は、
10〜70容量%に設定することが好ましい。酸化第1
銅の量が10容量%を下廻ると、成型体の熱膨張係数
が、高発熱の半導体装置用放熱板に要求される水準の上
限である15×10-6/Kを超えるようになるので好ま
しくない。
As a combination of a powder of a metal and an inorganic compound having good thermal conductivity, a combination of copper and cuprous oxide (Cu 2 O) is preferable. In this case, the mixing ratio of cuprous oxide is
It is preferable to set to 10 to 70% by volume. Oxidation 1
If the amount of copper is less than 10% by volume, the coefficient of thermal expansion of the molded body exceeds the upper limit of 15 × 10 −6 / K required for a heat-generating plate for a semiconductor device having high heat generation. Not preferred.

【0012】一方、酸化第1銅の混合比が70容量%を
超えるときには、熱膨張係数に良好な結果が得られる半
面、熱伝導率の低下を招き、銅の特質である高い熱伝導
性を損なうことになるので避けるべきである。本発明に
おける熱伝導率は、多くの場合、50W/(m・K)以
上の高水準に設定される。
On the other hand, when the mixing ratio of cuprous oxide exceeds 70% by volume, good results are obtained in the coefficient of thermal expansion, but on the other hand, the thermal conductivity is lowered, and the high thermal conductivity which is a characteristic of copper is reduced. It should be avoided as it will hurt. The thermal conductivity in the present invention is often set to a high level of 50 W / (m · K) or more.

【0013】本発明において放熱体を構成する成型体
は、前述した金属の粉末と無機化合物の粉末を混合し、
これを金型で加熱して粉末同士を一体に焼結することに
よって製作することが好ましく、これにより種々の構造
の成型体を得ることができる。焼結した後に、所定の構
造の成型体に機械加工することは可能である。
In the present invention, the molded body constituting the heat radiator is obtained by mixing the above-mentioned metal powder and inorganic compound powder,
It is preferable to manufacture this by heating it with a mold and sintering the powders integrally, whereby molded articles of various structures can be obtained. After sintering, it is possible to machine into a molded body of a predetermined structure.

【0014】放熱効率を向上させるために、成型体に放
熱フィンを設ける構成は実際的であり、その場合の放熱
フィンとしては、成型体の成型時に成型体の一部として
形成してもよく、あるいは別個に準備した銅等のヒート
シンクを成型体に組み合わせることによって形成しても
よい。
In order to improve the heat radiation efficiency, it is practical to provide a radiating fin on the molded body, and in this case, the radiating fin may be formed as a part of the molded body when the molded body is molded. Alternatively, it may be formed by combining a separately prepared heat sink such as copper with a molded body.

【0015】成型体へのヒートパイプの組み込み方とし
ては、成型体に加工を施して穴を設け、この穴にヒート
パイプを挿入して封印する形態、あるいは成型体に溝を
設けて、その中にヒートパイプを嵌め込む形態等が考え
られ、特に、後者の形態は、成型体を成型するとき、ヒ
ートパイプを収容するための溝を同時形成できるので有
利である。ヒートパイプに収容される作動液としては、
水、メタノール、あるいはアンモニア等が使用される。
As a method of incorporating the heat pipe into the molded product, a process is performed on the molded product to form a hole, and a heat pipe is inserted into the hole to seal the molded product. A form in which a heat pipe is fitted into the heat pipe is conceivable. In particular, the latter form is advantageous because a groove for accommodating the heat pipe can be formed at the same time when a molded article is molded. As the hydraulic fluid contained in the heat pipe,
Water, methanol, ammonia or the like is used.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】次に、本発明による放熱体の実施
の形態を説明する。
Next, an embodiment of a heat radiator according to the present invention will be described.

【実施例1〜7】平均粒径が37μmの電解Cuの粉末
と粒径が2μm以下の酸化第1銅を準備し、これを表1
に示された混合比でそれぞれ2000gとなるように調
合した後、スチールボールを入れた乾式ボールミルの中
で10時間混ぜ合わせた。
Examples 1 to 7 An electrolytic Cu powder having an average particle size of 37 μm and cuprous oxide having a particle size of 2 μm or less were prepared.
And then mixed for 10 hours in a dry ball mill containing steel balls.

【0017】次に、得られた混合物を直径150mmの
金型に注入し、酸化第1銅の含有量に応じて400〜2
500kgf/cm2 の圧力で冷間プレスした後、これ
をアルゴン雰囲気中において850〜1000℃(酸化
第1銅の量に応じて温度を変える)×3時間の焼結を行
い、各実施例それぞれの成型体を得た。
Next, the obtained mixture is poured into a mold having a diameter of 150 mm, and the mixture is mixed with a metal having a diameter of 400 to 2 depending on the content of cuprous oxide.
After cold-pressing at a pressure of 500 kgf / cm @ 2, this was sintered in an argon atmosphere at 850 to 1000 DEG C. (temperature is changed according to the amount of cuprous oxide) .times.3 hours. A molded body was obtained.

【0018】X線回析による組織観察を行ったところ、
全体が均質で良好な結果が得られた。表1に示された熱
膨張係数は、室温より300℃の温度範囲において、T
MA(Thermal Mechanical Ana
lysis)装置を使用しての測定結果であり、熱伝導
率は、レーザーフラッシュ法による測定結果である。
When the structure was observed by X-ray diffraction,
The whole was homogeneous and good results were obtained. The coefficient of thermal expansion shown in Table 1 indicates that T
MA (Thermal Mechanical Ana)
lysis) apparatus, and the thermal conductivity is a result of measurement by a laser flash method.

【0019】いずれも15×10-6/Kよりも小さな熱
膨張係数を示しており、一方、熱伝導率においても、5
0W/(m・K)を大きくクリアする優れた特性を示し
ている。従って、これらの混合物を所定の板状等に成型
すれば、高発熱の半導体装置に適用可能な小さな熱膨張
率と高い熱伝導性を備えた良質の、しかも、Cu系故の
低コストの放熱体を構成することができる。
Each of them has a coefficient of thermal expansion smaller than 15 × 10 −6 / K.
It shows excellent characteristics that greatly clear 0 W / (m · K). Therefore, if these mixtures are molded into a predetermined plate shape or the like, a high-quality heat-dissipating material having a small coefficient of thermal expansion and high thermal conductivity applicable to a high-heat-generating semiconductor device, and a low-cost heat-dissipation due to the Cu system can be obtained. Can make up the body.

【0020】[0020]

【実施例8】図1は、成型体にヒートパイプを内蔵させ
るタイプの放熱体の構成例を示す。1は、実施例4と同
じ組成の混合物より所定の金型を使用して実施例1〜7
と同一の手順で製作した成型体を示し、2は成型の際に
成型体1の中央に形成された溝を示す。3は溝2に嵌め
込まれた3Wのヒートパイプであり、溝2との隙間は、
半田4によって埋められている。ヒートパイプ3は、そ
の内部に所定の量の水等の作動液が注入された後、真空
に引かれて封印される。
[Embodiment 8] Fig. 1 shows an example of the configuration of a heat radiator of a type in which a heat pipe is built in a molded body. 1 was obtained by using a predetermined mold from a mixture having the same composition as in Example 4 and using Examples 1 to 7
And 2 denotes a groove formed in the center of the molded body 1 during molding. 3 is a 3 W heat pipe fitted in the groove 2, and the gap with the groove 2 is
It is filled with solder 4. The heat pipe 3 is sealed by being evacuated after a predetermined amount of a working fluid such as water is injected into the heat pipe 3.

【0021】[0021]

【実施例9】図2は、実施例4の混合物を使用して2つ
の溝2を有する成型体1を製作し(実施例1〜7と同一
手順。以下の実施例も説明がない限り同じ)、溝2に5
Wのヒートパイプ3をそれぞれ嵌め込むとともに、ヒー
トパイプ3と溝2の隙間を半田4で埋めることによって
成型体1とヒートパイプ3を一体化させた放熱体の例を
示す。
EXAMPLE 9 FIG. 2 shows a method of manufacturing a molded body 1 having two grooves 2 using the mixture of Example 4 (the same procedure as in Examples 1 to 7; the same applies to the following examples unless otherwise described). ), 5 in groove 2
An example of a radiator in which the molded body 1 and the heat pipe 3 are integrated by fitting the W heat pipes 3 and filling the gap between the heat pipe 3 and the groove 2 with solder 4 is shown.

【0022】[0022]

【実施例10】図3は、実施例4の混合物を使用して成
型体1を製作した後、成型体1に3つの穴5をあけ、こ
の穴5のそれぞれに3Wのヒートパイプ3を挿入した
後、穴5の開口端より溶融した半田4を注入することに
よって成型体1とヒートパイプ3を一体化するととも
に、穴5の開口端を半田で封止した放熱体の例を示す。
Embodiment 10 FIG. 3 shows that after forming a molded body 1 using the mixture of Example 4, three holes 5 are formed in the molded body 1 and a 3 W heat pipe 3 is inserted into each of the holes 5. Then, an example of a radiator in which the molded body 1 and the heat pipe 3 are integrated by injecting the molten solder 4 from the opening end of the hole 5 and the opening end of the hole 5 is sealed with solder is shown.

【0023】[0023]

【実施例11】図4は、実施例4の混合物を使用して片
面に放熱フィン6を有する成型体1を製作した後、成型
体1に3つの穴5をあけ、この穴5のそれぞれに5Wの
ヒートパイプ3を挿入した後、穴5の開口端より溶融し
た半田4を注入することによって成型体1とヒートパイ
プ3を一体化するとともに、穴5の開口端を半田で封止
した放熱体を示す。
Embodiment 11 FIG. 4 shows that after using the mixture of Embodiment 4 to fabricate a molded body 1 having a radiation fin 6 on one side, three holes 5 are formed in the molded body 1 and each of the holes 5 is formed. After inserting the 5 W heat pipe 3, the molded body 1 and the heat pipe 3 are integrated by injecting the molten solder 4 from the opening end of the hole 5, and the opening end of the hole 5 is sealed with solder. Show body.

【0024】[0024]

【実施例12】図5は、平均粒径が50μmの電解Cu
の粉末と粒径が2μm以下の酸化第1銅の粉末を50:
50の容量比で混合し、実施例1〜7と同じボールミル
混合を行うことによって得られた混合物を、3Wのヒー
トパイプ3を内部に3本セットした所定の金型に注入し
た後、500kgf/cm2 の圧力で冷間プレスするこ
とによって予備成型し、引き続き、これをアルゴンガス
雰囲気中で焼結させることによって成型体1を構成した
放熱体の例である。なお、この実施例において、ヒート
パイプ3を埋入しない成型体を作成し、その熱膨張係数
と熱伝導率を測定したところ、実施例4と同一レベルで
あった。
Embodiment 12 FIG. 5 shows an electrolytic Cu having an average particle size of 50 μm.
Powder and a cuprous oxide powder having a particle size of 2 μm or less
The mixture obtained by mixing at a volume ratio of 50 and performing the same ball mill mixing as in Examples 1 to 7 was injected into a predetermined mold in which three 3 W heat pipes 3 were set, and then 500 kgf / This is an example of a radiator in which a preform is formed by cold-pressing at a pressure of cm @ 2 and then sintered in an argon gas atmosphere to form a formed body 1. In this example, a molded body in which the heat pipe 3 was not embedded was prepared, and its coefficient of thermal expansion and thermal conductivity were measured.

【0025】[0025]

【実施例13】図6は、実施例4の混合物を使用して3
つの溝2を有する成型体1を製作し、溝2のそれぞれに
5Wのヒートパイプ3を嵌め込むとともに隙間を半田4
で充填し、さらに、このヒートパイプ3の埋設面に銅の
ヒートシンク7を組み合わせた放熱体の構成を示す。
EXAMPLE 13 FIG.
A molded body 1 having two grooves 2 is manufactured, a 5 W heat pipe 3 is fitted into each of the grooves 2, and a gap is formed in a solder 4.
The structure of a radiator in which a heat sink 3 made of copper is combined with the buried surface of the heat pipe 3 is shown.

【0026】表1によれば、図1〜6による実施例8〜
13の放熱体は、ヒートパイプ3を内蔵させず、かつC
uと酸化第1銅の粉末の混合比を同じとした実施例4の
放熱体における熱伝導率149(単位省略。以下同じ)
に比べ、実施例8が213(1.43倍)、実施例9が
259(1.74倍)、実施例10が276(1.85
倍)、実施例11が301(2.02倍)、実施例12
が293(1.97倍)、および実施例13が318
(2.13倍)と、いずれもその見掛け熱伝導率を向上
させている。成型体1にヒートパイプ3を組み込むこと
による本発明における熱伝導性の向上効果が顕著に現れ
ている。
According to Table 1, Examples 8 to 8 according to FIGS.
The radiator 13 does not include the heat pipe 3 and has
Thermal conductivity 149 in the heat radiator of Example 4 with the same mixing ratio of u and cuprous oxide powder (unit omitted; the same applies hereinafter)
In Example 8, Example 8 was 213 (1.43 times), Example 9 was 259 (1.74 times), and Example 10 was 276 (1.85 times).
Example 11: 301 (2.02 times), Example 12
293 (1.97 times), and Example 13 was 318
(2.13 times), they all improve the apparent thermal conductivity. The effect of improving the thermal conductivity in the present invention by incorporating the heat pipe 3 into the molded body 1 is remarkably exhibited.

【表1】 [Table 1]

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように、本発明による放熱
体によれば、良好な熱伝導性を有するCu等の金属と熱
膨張係数の小さな無機化合物の粉末の混合物による成型
体、あるいはこの中にヒートパイプを内蔵させた成型体
によって構成されるため、無機化合物の粉末の混入に基
づく小さな熱膨張率と良伝熱性の金属に基づく優れた熱
伝導性を備えた有用性の高い放熱体を構成することがで
き、しかも、Cu系の材料によって成型体を構成できる
ので、高放熱性の半導体装置等に適した放熱体を低コス
トのもとに製造することができる。
As described above, according to the heat radiator of the present invention, a molded article made of a mixture of a metal such as Cu having good thermal conductivity and a powder of an inorganic compound having a small coefficient of thermal expansion, A highly useful radiator with a small coefficient of thermal expansion based on the incorporation of inorganic compound powder and excellent thermal conductivity based on a metal with good heat conductivity. Since it is possible to form the molded body with a Cu-based material, it is possible to manufacture a heat radiator suitable for a semiconductor device having high heat radiation at a low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による放熱体の実施の形態を示す説明図
であり、(a)は断面図、(b)は平面図を示す。
FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of a heat radiator according to the present invention, wherein (a) is a cross-sectional view and (b) is a plan view.

【図2】本発明による放熱体の他の実施の形態を示す説
明図であり、(a)は断面図、(b)は平面図を示す。
FIG. 2 is an explanatory view showing another embodiment of a heat radiator according to the present invention, wherein (a) is a cross-sectional view and (b) is a plan view.

【図3】本発明による放熱体のさらに他の実施の形態を
示す断面図。
FIG. 3 is a sectional view showing still another embodiment of a heat radiator according to the present invention.

【図4】本発明による放熱体の他の実施の形態を示す断
面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of a heat radiator according to the present invention.

【図5】本発明による放熱体の他の実施の形態を示す説
明図であり、(a)は断面図、(b)は平面図を示す。
5A and 5B are explanatory views showing another embodiment of the heat radiator according to the present invention, wherein FIG. 5A is a cross-sectional view and FIG. 5B is a plan view.

【図6】本発明による放熱体の他の実施の形態を示す断
面図。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of a heat radiator according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 成型体 2 溝 3 ヒートパイプ 4 半田 5 穴 6 放熱フィン 7 ヒートシンク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Molded body 2 Groove 3 Heat pipe 4 Solder 5 Hole 6 Heat radiation fin 7 Heat sink

フロントページの続き (72)発明者 ▲冬▼ 慶平 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 鈴村 隆志 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 黒木 一真 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 福田 州洋 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 北嶋 寛規 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 永井 康睦 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社土浦工場内 Fターム(参考) 4K018 AA02 AA03 AA14 AB01 AC01 KA32 KA62 Continued on the front page (72) Inventor ▲ Winter ▼ Keihei 3550 Kida Yomachi, Tsuchiura City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi Cable System Materials Research Laboratories (72) Takashi Suzumura 3550 Kida Yomachi, Tsuchiura City, Ibaraki Prefecture Hitachi Cable Stock (72) Inventor Kazuma Kuroki 3550, Kida Yomachi, Tsuchiura, Ibaraki Pref.Hitachi Electric Wire Co., Ltd. (72) Inventor Hiroki Kitajima 3550 Kida Yomachi, Tsuchiura City, Ibaraki Prefecture Hitachi Cable Co., Ltd. (72) Inventor Yasumu Nagai 3550 Kida Yomachi, Tsuchiura City, Ibaraki Prefecture Hitachi Cable, Ltd. F term in Tsuchiura factory (reference) 4K018 AA02 AA03 AA14 AB01 AC01 KA32 KA62

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体装置等と接触させられる所定の形状
の成型体より構成され、前記半導体装置等より生ずる熱
を吸収して外部へ放出する放熱体において、 前記成型体は、良好な熱伝導性を有するCu等の金属
と、前記金属中に分散され、かつ前記金属よりも熱膨張
係数の小さな無機化合物の粉末の混合物より構成される
ことを特徴とする放熱体。
1. A radiator, which is formed of a molded body having a predetermined shape and is brought into contact with a semiconductor device or the like, and absorbs heat generated from the semiconductor device or the like and discharges the heat to the outside. A heat radiator comprising a mixture of a metal such as Cu having a property and a powder of an inorganic compound dispersed in the metal and having a smaller coefficient of thermal expansion than the metal.
【請求項2】前記無機化合物の粉末は、200μm以下
の粒径を有することを特徴とする請求項1項記載の放熱
体。
2. The heat radiator according to claim 1, wherein said inorganic compound powder has a particle size of 200 μm or less.
【請求項3】前記金属は、Cu、Au、AgあるいはA
lより選択され、前記無機化合物の粉末は、酸化銅、酸
化錫、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ニッケルあるいは酸化ア
ルミニウムの粉末より選択されることを特徴とする請求
項1項記載の放熱体。
3. The method according to claim 1, wherein the metal is Cu, Au, Ag or A.
The heat radiator according to claim 1, wherein the powder of the inorganic compound is selected from the group consisting of copper oxide, tin oxide, zinc oxide, lead oxide, nickel oxide, and aluminum oxide.
【請求項4】前記金属は、Cuであり、前記無機化合物
の粉末は、酸化第1銅の粉末であることを特徴とする請
求項3項記載の放熱体。
4. The heat radiator according to claim 3, wherein said metal is Cu, and said inorganic compound powder is cuprous oxide powder.
【請求項5】前記混合物における前記酸化第1銅の粉末
の混合比は、10〜70容量%であることを特徴とする
請求項4項記載の放熱体。
5. The heat radiator according to claim 4, wherein a mixing ratio of the cuprous oxide powder in the mixture is 10 to 70% by volume.
【請求項6】前記成型体は、前記金属の粉末と前記無機
化合物の粉末の混合物を成型して加熱することによって
一体化させた焼結体より構成されることを特徴とする請
求項1項記載の放熱体。
6. The molded body according to claim 1, wherein the molded body is formed of a sintered body formed by molding a mixture of the metal powder and the inorganic compound powder and heating the mixture. The radiator described.
【請求項7】前記成型体は、放熱フィンを備えることを
特徴とする請求項1項記載の放熱体。
7. The heat radiator according to claim 1, wherein the molded body includes a heat radiating fin.
【請求項8】半導体装置等と接触させられる所定の形状
の成型体より構成され、前記半導体装置等より生ずる熱
を吸収して外部へ放出する放熱体において、 前記成型体は、良好な熱伝導性を有するCu等の金属
と、前記金属中に分散され、かつ前記金属よりも熱膨張
係数の小さな無機化合物の粉末の混合物より構成される
とともに、その内部に、所定の温度で蒸発および凝縮す
る作動液を減圧状態で収容したヒートパイプを内蔵する
ことを特徴とする放熱体。
8. A radiator, which is constituted by a molded body having a predetermined shape brought into contact with a semiconductor device or the like, and absorbs heat generated from the semiconductor device or the like and discharges the heat to the outside, wherein the molded body has good heat conduction. A metal such as Cu having a property, and a mixture of inorganic compound powder dispersed in the metal and having a smaller coefficient of thermal expansion than the metal, and evaporates and condenses therein at a predetermined temperature. A heat radiator including a heat pipe containing a working fluid in a reduced pressure state.
【請求項9】前記ヒートパイプは、前記成型体に形成さ
れた溝に嵌め込まれていることを特徴とする請求項8項
記載の放熱体。
9. The heat radiator according to claim 8, wherein said heat pipe is fitted in a groove formed in said molded body.
【請求項10】前記成型体は、放熱フィンを備えること
を特徴とする請求項8項記載の放熱体。
10. The heat radiator according to claim 8, wherein the molded body has a heat radiating fin.
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