JP2001228027A - 放射温度測定方法 - Google Patents
放射温度測定方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来に比べて精度良くサセプタ等の温度を測定
することのできる放射温度測定方法を提供する。 【解決手段】ウエハ２を載置するＡｌＮからなるサセプ
タ６に空孔２０を穿設し、この空孔２０に光ファイバー
のファイバ−ロッド２１の先端を挿入するとともに、フ
ァイバーロッド２１の他端を放射温度計８に接続し、測
定波長としてＡｌＮに固有の横型光学フォノンのエネル
ギ−に対応する波長である１０．９μｍ以下の波長を用
いてサセプタ６の温度を測定する。
することのできる放射温度測定方法を提供する。 【解決手段】ウエハ２を載置するＡｌＮからなるサセプ
タ６に空孔２０を穿設し、この空孔２０に光ファイバー
のファイバ−ロッド２１の先端を挿入するとともに、フ
ァイバーロッド２１の他端を放射温度計８に接続し、測
定波長としてＡｌＮに固有の横型光学フォノンのエネル
ギ−に対応する波長である１０．９μｍ以下の波長を用
いてサセプタ６の温度を測定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置や液晶表示装置（ＬＣＤ）等を製造する半導体製造プ
ロセスにおけるＬＣＤ基板や半導体ウエハ（以下、半導
体ウエハを単に「ウエハ」という。）等を載置するサセ
プタ等の絶縁物の温度を測定する放射温度測定方法に関
する。
置や液晶表示装置（ＬＣＤ）等を製造する半導体製造プ
ロセスにおけるＬＣＤ基板や半導体ウエハ（以下、半導
体ウエハを単に「ウエハ」という。）等を載置するサセ
プタ等の絶縁物の温度を測定する放射温度測定方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置や液晶表示装置等を
製造する半導体製造プロセスにおいては、回路パターン
の高集積化に伴って微細加工が必要とされるようになり
つつあり、各種の処理、例えば、エッチング処理や薄膜
形成処理において、その処理精度を向上させることが要
求されている。
製造する半導体製造プロセスにおいては、回路パターン
の高集積化に伴って微細加工が必要とされるようになり
つつあり、各種の処理、例えば、エッチング処理や薄膜
形成処理において、その処理精度を向上させることが要
求されている。
【０００３】このような半導体製造プロセスのうち、エ
ッチング処理やＣＶＤ処理等においては、処理速度等の
処理状態が、温度によって変化するので、高精度な処理
を行うためには、被処理物であるウエハ等、若しくはこ
のウエハ等が載置されるサセプタの温度を正確に測定
し、その温度を精度良く制御する必要がある。
ッチング処理やＣＶＤ処理等においては、処理速度等の
処理状態が、温度によって変化するので、高精度な処理
を行うためには、被処理物であるウエハ等、若しくはこ
のウエハ等が載置されるサセプタの温度を正確に測定
し、その温度を精度良く制御する必要がある。
【０００４】上記サセプタ等の温度を測定する方法とし
ては、従来から、サセプタに熱電対を設け、この熱電対
に発生する起電力に基づいて温度を測定する方法が知ら
れている。
ては、従来から、サセプタに熱電対を設け、この熱電対
に発生する起電力に基づいて温度を測定する方法が知ら
れている。
【０００５】しかしながら、熱電対を使用して温度を測
定する方法では、熱電対が雰囲気に対して不安定である
という問題や、接触不良や経年変化が生じ易く、測定結
果の再現性に欠けるという問題があった。
定する方法では、熱電対が雰囲気に対して不安定である
という問題や、接触不良や経年変化が生じ易く、測定結
果の再現性に欠けるという問題があった。
【０００６】このため、上記熱電対に換えて、放射温度
計を使用して、ウエハあるいはサセプタの光の放射量か
らその温度を測定する放射温度測定方法が従来から試み
られている。このような放射温度測定方法は、例えば、
特開平８−５３７６６号公報等に開示されている。
計を使用して、ウエハあるいはサセプタの光の放射量か
らその温度を測定する放射温度測定方法が従来から試み
られている。このような放射温度測定方法は、例えば、
特開平８−５３７６６号公報等に開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したとおり、従来
からサセプタ等の温度測定方法として、その放射量から
温度を求める放射温度測定方法が知られている。
からサセプタ等の温度測定方法として、その放射量から
温度を求める放射温度測定方法が知られている。
【０００８】しかしながら、上記放射温度測定方法にお
いては、周囲からの迷光の影響が強く、ノイズが多くな
ってその測定精度が悪化するという問題があった。
いては、周囲からの迷光の影響が強く、ノイズが多くな
ってその測定精度が悪化するという問題があった。
【０００９】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたもので、従来に比べて精度良くサセプタ等の
温度を測定することのできる放射温度測定方法を提供し
ようとするものである。
になされたもので、従来に比べて精度良くサセプタ等の
温度を測定することのできる放射温度測定方法を提供し
ようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１の発
明は、半導体製造装置を構成する絶縁物から放射される
光を検出して、前記絶縁物の温度を測定する放射温度測
定方法において、前記光の波長を、前記絶縁物に固有の
横型光学フォノンのエネルギ−に対応する波長以下とし
たことを特徴とする。
明は、半導体製造装置を構成する絶縁物から放射される
光を検出して、前記絶縁物の温度を測定する放射温度測
定方法において、前記光の波長を、前記絶縁物に固有の
横型光学フォノンのエネルギ−に対応する波長以下とし
たことを特徴とする。
【００１１】また、請求項２の発明は、請求項１記載の
放射温度測定方法において、前記絶縁物がＡｌＮから構
成され、前記光の波長が１０．９μｍ以下であることを
特徴とする。
放射温度測定方法において、前記絶縁物がＡｌＮから構
成され、前記光の波長が１０．９μｍ以下であることを
特徴とする。
【００１２】また、請求項３の発明は、請求項１または
２記載の放射温度測定方法において、前記絶縁物の光を
検出する検出端部が、前記絶縁物内に挿入されているこ
とを特徴とする。
２記載の放射温度測定方法において、前記絶縁物の光を
検出する検出端部が、前記絶縁物内に挿入されているこ
とを特徴とする。
【００１３】また、請求項４の発明は、請求項１乃至３
いずれか１項記載の放射温度測定方法において、前記絶
縁物が、半導体製造装置のサセプタであることを特徴と
する。
いずれか１項記載の放射温度測定方法において、前記絶
縁物が、半導体製造装置のサセプタであることを特徴と
する。
【００１４】また、請求項５の発明は、請求項１乃至４
いずれか１項記載の放射温度測定方法において、前記半
導体製造装置が、ＣＶＤ装置であることを特徴とする。
いずれか１項記載の放射温度測定方法において、前記半
導体製造装置が、ＣＶＤ装置であることを特徴とする。
【００１５】上記構成の本発明の放射温度測定方法で
は、測定する光の波長を、絶縁物に固有の横型光学フォ
ノンのエネルギ−に対応する波長以下とすることによ
り、温度測定対象である絶縁物の放射率の高い波長領域
で温度測定を行うことができ、従来に比べて迷光による
ノイズの影響を低減してより精度良く温度を測定するこ
とができる。
は、測定する光の波長を、絶縁物に固有の横型光学フォ
ノンのエネルギ−に対応する波長以下とすることによ
り、温度測定対象である絶縁物の放射率の高い波長領域
で温度測定を行うことができ、従来に比べて迷光による
ノイズの影響を低減してより精度良く温度を測定するこ
とができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
放射温度測定方法について説明する。
放射温度測定方法について説明する。
【００１７】図１は、本発明の放射温度測定方法を、枚
葉ＣＶＤ装置におけるサセプタの温度測定に適用した場
合の装置の概略構成を示したものである。
葉ＣＶＤ装置におけるサセプタの温度測定に適用した場
合の装置の概略構成を示したものである。
【００１８】図１に示すように、枚葉ＣＶＤ装置１は、
ウエハ２に金属薄膜を形成するための処理容器３を備え
ている。この処理容器３は、例えばアルミニウム等から
略円筒形に形成されている。
ウエハ２に金属薄膜を形成するための処理容器３を備え
ている。この処理容器３は、例えばアルミニウム等から
略円筒形に形成されている。
【００１９】上記処理容器３の天井部には、図示しない
ガス供給装置からガス供給配管５を介して供給された処
理ガスを、処理容器３内に均等に分散させるためのガス
分散用ノズル４が設けられており、処理容器３の底部に
は、ウエハ２を載置するためのサセプタ６が支柱７を介
して設けられている。このサセプタ６は、絶縁物である
ＡｌＮから構成されている。
ガス供給装置からガス供給配管５を介して供給された処
理ガスを、処理容器３内に均等に分散させるためのガス
分散用ノズル４が設けられており、処理容器３の底部に
は、ウエハ２を載置するためのサセプタ６が支柱７を介
して設けられている。このサセプタ６は、絶縁物である
ＡｌＮから構成されている。
【００２０】また、同図において、８は、サセプタ６の
温度を測定するための放射温度計、９は、タングステン
ランプ等からなりサセプタ６を加熱するための加熱ラン
プであり回転可能に構成されている。さらに、同図にお
いて、１０は、加熱ランプ９からの光を透過させるため
に設けられた石英ガラス等からなる透過窓、１１はウエ
ハ２を搬出入するためのゲートバルブ、１２は図示しな
い排気装置に接続された排気口である。
温度を測定するための放射温度計、９は、タングステン
ランプ等からなりサセプタ６を加熱するための加熱ラン
プであり回転可能に構成されている。さらに、同図にお
いて、１０は、加熱ランプ９からの光を透過させるため
に設けられた石英ガラス等からなる透過窓、１１はウエ
ハ２を搬出入するためのゲートバルブ、１２は図示しな
い排気装置に接続された排気口である。
【００２１】上記放射温度計８は、光ファイバ−である
ファイバーロッド２１を介してサセプタ６に接続されて
いる。
ファイバーロッド２１を介してサセプタ６に接続されて
いる。
【００２２】すなわち、図２に示すように、絶縁物であ
るＡｌＮから構成されたサセプタ６の側部には、空孔２
０がサセプタ６の中心内側に向かって水平（ウエハ２の
載置面と略平行）に穿設されており、この空孔２０内に
は、光ファイバ−であるファイバーロッド２１の先端
が、着脱自在に挿入されている。
るＡｌＮから構成されたサセプタ６の側部には、空孔２
０がサセプタ６の中心内側に向かって水平（ウエハ２の
載置面と略平行）に穿設されており、この空孔２０内に
は、光ファイバ−であるファイバーロッド２１の先端
が、着脱自在に挿入されている。
【００２３】また、ファイバーロッド２１の他端は、処
理容器３の外部に設けられた放射温度計８に接続されて
いる。
理容器３の外部に設けられた放射温度計８に接続されて
いる。
【００２４】上記放射温度計８は、サセプタ６から放射
された光信号を電気信号に変換する受光素子等からなる
受光部２２、および受光部２２から出力された電気信号
に基づいて、サセプタ６の温度を算出する演算部２３を
具備している。
された光信号を電気信号に変換する受光素子等からなる
受光部２２、および受光部２２から出力された電気信号
に基づいて、サセプタ６の温度を算出する演算部２３を
具備している。
【００２５】ここで、上記放射温度計８により、ＡｌＮ
からなるサセプタ６の温度を測定する際の測定波長λを
選択するにあたり、ＡｌＮの格子振動モデルから考える
と、一般に固体の格子振動モデルは、ローレンツモデル
とドルーデモデルがあるが、絶縁物であるＡｌＮに対し
ては、ローレンツモデルが当てはめられる。
からなるサセプタ６の温度を測定する際の測定波長λを
選択するにあたり、ＡｌＮの格子振動モデルから考える
と、一般に固体の格子振動モデルは、ローレンツモデル
とドルーデモデルがあるが、絶縁物であるＡｌＮに対し
ては、ローレンツモデルが当てはめられる。
【００２６】このローレンツモデルは、振動電場に対す
る応答の点で、物質をいろいろな固有振動数をもつ電気
双極子の集まりとみなし、また、１つの電気双極子をば
ねで束縛された電荷とみなして、速度に比例する摩擦力
を受けながら振動する調和振動子として扱うもので、振
動子の質量をｍ、電荷をｑ、固有角振動数をω0 とする
と、外から加えたｘ方向の振動電荷による振動子の運動
方程式は、 ｍ［（ｄ2 Ｘ／ｄｔ2 ）＋Γ0 （ｄＸ／ｄｔ）＋ω0 2
Ｘ］＝ｑＥ＝ｑＥ0 ｅｘｐ（−ｉωt ） と表される。但し、Ｘは平行位置からの変異であり、Γ
0 は摩擦による振動の減衰の速度定数である。
る応答の点で、物質をいろいろな固有振動数をもつ電気
双極子の集まりとみなし、また、１つの電気双極子をば
ねで束縛された電荷とみなして、速度に比例する摩擦力
を受けながら振動する調和振動子として扱うもので、振
動子の質量をｍ、電荷をｑ、固有角振動数をω0 とする
と、外から加えたｘ方向の振動電荷による振動子の運動
方程式は、 ｍ［（ｄ2 Ｘ／ｄｔ2 ）＋Γ0 （ｄＸ／ｄｔ）＋ω0 2
Ｘ］＝ｑＥ＝ｑＥ0 ｅｘｐ（−ｉωt ） と表される。但し、Ｘは平行位置からの変異であり、Γ
0 は摩擦による振動の減衰の速度定数である。
【００２７】このローレンツモデルによれば、固有振動
数ω0 の１つの振動子に注目し、他の固有振動数はω0
から十分離れているとし、ω0 付近の注目する振動数領
域はΓ0 に比べて十分広いとし、その上限の誘電率をε
u 、下限の誘電率をεl とすると、誘電率ε（ω）は、 ε（ω）＝εu ＋［（εl −εu ）ω0 2 ］／［ω0 2
−ω2 −ｉωΓ0 ］ と書くことができる。この式を使って、誘電率（複素誘
電率の実部ε′および虚部ε″）、光学定数、垂直反射
率等を算出することができるが、この結果は、実測され
た結果とよく一致する。
数ω0 の１つの振動子に注目し、他の固有振動数はω0
から十分離れているとし、ω0 付近の注目する振動数領
域はΓ0 に比べて十分広いとし、その上限の誘電率をε
u 、下限の誘電率をεl とすると、誘電率ε（ω）は、 ε（ω）＝εu ＋［（εl −εu ）ω0 2 ］／［ω0 2
−ω2 −ｉωΓ0 ］ と書くことができる。この式を使って、誘電率（複素誘
電率の実部ε′および虚部ε″）、光学定数、垂直反射
率等を算出することができるが、この結果は、実測され
た結果とよく一致する。
【００２８】また、一般に、格子振動には、異種粒子が
同位相にて振動する連続体の弾性波に対応する音響モー
ドと、逆位相にて振動する電気双極子の振動を伴い光に
よって励起されうる光学モードがある。この音響モード
と光学モードには、ともに原子の振動方向に平行に伝播
する縦波と原子の振動方向に垂直に伝播する横波があ
る。そして、格子振動は、互いに独立な固有振動による
基準モードの和として記述でき各基準モードが単位質量
の調和振動子とみなすことができ、これを量子化すると
各基準モードのエネルギ−間隔は離散的になる。この離
散エネルギ−を持った複数の粒子をフォノンという。
同位相にて振動する連続体の弾性波に対応する音響モー
ドと、逆位相にて振動する電気双極子の振動を伴い光に
よって励起されうる光学モードがある。この音響モード
と光学モードには、ともに原子の振動方向に平行に伝播
する縦波と原子の振動方向に垂直に伝播する横波があ
る。そして、格子振動は、互いに独立な固有振動による
基準モードの和として記述でき各基準モードが単位質量
の調和振動子とみなすことができ、これを量子化すると
各基準モードのエネルギ−間隔は離散的になる。この離
散エネルギ−を持った複数の粒子をフォノンという。
【００２９】そして、上記ローレンツモデルから解析す
ると、ε″のピークと、ε′＝０となる波長の間で、垂
直反射率が高くなり、したがって、これらの波長の間で
は放射率は低下する。ＡｌＮの場合の上記波長は、１
０．９μｍと１４．９μｍであり、これらの波長は、波
数ベクトルの大きさ０の横型光学フォノンと、縦型光学
フォノンのエネルギーに対応している。
ると、ε″のピークと、ε′＝０となる波長の間で、垂
直反射率が高くなり、したがって、これらの波長の間で
は放射率は低下する。ＡｌＮの場合の上記波長は、１
０．９μｍと１４．９μｍであり、これらの波長は、波
数ベクトルの大きさ０の横型光学フォノンと、縦型光学
フォノンのエネルギーに対応している。
【００３０】ここで、図３は、実測により求めた、Ａｌ
Ｎにおける波長と放射率の関係を示すグラフである。こ
のグラフに示されるとおり、実測されたＡｌＮの放射率
は、横型光学フォノンのエネルギーに対応する波長約１
０．９μｍと縦型光学フォノンのエネルギーに対応した
波長約１４．９μｍの間で減少しており、横型光学フォ
ノンのエネルギーに対応する波長約１０．９μｍ以下の
波長においては、放射率が高くなっていることが分か
る。
Ｎにおける波長と放射率の関係を示すグラフである。こ
のグラフに示されるとおり、実測されたＡｌＮの放射率
は、横型光学フォノンのエネルギーに対応する波長約１
０．９μｍと縦型光学フォノンのエネルギーに対応した
波長約１４．９μｍの間で減少しており、横型光学フォ
ノンのエネルギーに対応する波長約１０．９μｍ以下の
波長においては、放射率が高くなっていることが分か
る。
【００３１】このため、本実施例では、放射温度計８に
よる測定波長を、横型光学フォノンのエネルギーに対応
する波長約１０．９μｍ以下として、ＡｌＮからなるサ
セプタ６の温度を測定する。
よる測定波長を、横型光学フォノンのエネルギーに対応
する波長約１０．９μｍ以下として、ＡｌＮからなるサ
セプタ６の温度を測定する。
【００３２】これによって、ＡｌＮからなるサセプタ６
の放射率の高い波長域で温度測定を行うと、測定信号レ
ベルを高くすることができ、かつ、ＡｌＮを透過するラ
ンプからの迷光ノイズを軽減できるので、Ｓ／Ｎ比（Si
gnal/Noise比）を高くすることができ、ＡｌＮからなる
サセプタ６の温度を精度良く測定することができる。な
お、赤外域の下限の波長は、０．７５μｍ程度であるの
で、実際に使用する波長λの波長域は、０．７５＜λ＜
１０．９μｍとなる。また、枚葉ＣＶＤ装置における加
熱温度の領域では、波長の長い光を使用した方が放射量
が多くなるので、好ましくは４．０＜λ＜１０．９μｍ
程度の波長を使用する。
の放射率の高い波長域で温度測定を行うと、測定信号レ
ベルを高くすることができ、かつ、ＡｌＮを透過するラ
ンプからの迷光ノイズを軽減できるので、Ｓ／Ｎ比（Si
gnal/Noise比）を高くすることができ、ＡｌＮからなる
サセプタ６の温度を精度良く測定することができる。な
お、赤外域の下限の波長は、０．７５μｍ程度であるの
で、実際に使用する波長λの波長域は、０．７５＜λ＜
１０．９μｍとなる。また、枚葉ＣＶＤ装置における加
熱温度の領域では、波長の長い光を使用した方が放射量
が多くなるので、好ましくは４．０＜λ＜１０．９μｍ
程度の波長を使用する。
【００３３】放射温度計８では、上述した波長域の１ま
たは複数の特定波長の光を、サセプタ６から、このサセ
プタ６の空孔２０内に挿入されているファイバ−ロッド
２１を介して受光部２２により受光し、この受光部２２
から出力される電気信号に基づいて、演算部２３によ
り、サセプタ６の温度を算出する。
たは複数の特定波長の光を、サセプタ６から、このサセ
プタ６の空孔２０内に挿入されているファイバ−ロッド
２１を介して受光部２２により受光し、この受光部２２
から出力される電気信号に基づいて、演算部２３によ
り、サセプタ６の温度を算出する。
【００３４】なお、温度Ｔは、ステファン−ボルツマン
の式、 Ｅ＝εσＴ4 （Ｅは全放射エネルギ−、σは定数、εは放射率） に基づいて、算出することができる。
の式、 Ｅ＝εσＴ4 （Ｅは全放射エネルギ−、σは定数、εは放射率） に基づいて、算出することができる。
【００３５】上記本実施の形態における温度測定では、
上記波長を使用するとともに、サセプタ６の載置面に平
行するように設けられた空孔２０の中にファイバーロッ
ド２１を挿入して、サセプタ６からの放射光を測定する
ようにしているので、加熱ランプ９からの迷光がファイ
バーロッド２１内に入射し難い構造となっており、これ
によって、迷光によるノイズを軽減することができ、サ
セプタ６の温度をより正確に測定することができる。
上記波長を使用するとともに、サセプタ６の載置面に平
行するように設けられた空孔２０の中にファイバーロッ
ド２１を挿入して、サセプタ６からの放射光を測定する
ようにしているので、加熱ランプ９からの迷光がファイ
バーロッド２１内に入射し難い構造となっており、これ
によって、迷光によるノイズを軽減することができ、サ
セプタ６の温度をより正確に測定することができる。
【００３６】図１に示した枚葉ＣＶＤ装置１では、ウエ
ハ２にＣＶＤ薄膜を形成する際に、まず、ゲートバルブ
１１を開閉させ、処理容器３内のサセプタ６上に処理す
べきウエハ２を載置する。
ハ２にＣＶＤ薄膜を形成する際に、まず、ゲートバルブ
１１を開閉させ、処理容器３内のサセプタ６上に処理す
べきウエハ２を載置する。
【００３７】そして、加熱ランプ９を回転させながら加
熱ランプ９によってサセプタ６を加熱するとともに、放
射温度計８によりサセプタ６の温度を測定し、この測定
結果に基づいてフィードバック制御することにより、サ
セプタ６、およびその上に載置されたウエハ２を所定の
温度に加熱する。
熱ランプ９によってサセプタ６を加熱するとともに、放
射温度計８によりサセプタ６の温度を測定し、この測定
結果に基づいてフィードバック制御することにより、サ
セプタ６、およびその上に載置されたウエハ２を所定の
温度に加熱する。
【００３８】これとともに、排気口１２から排気して処
理容器３内を所定の圧力に維持しつつ、ガス分散用ノズ
ル４から処理ガスをウエハ２に向けて噴出させ、ウエハ
２上にＣＶＤ膜例えば金属薄膜を形成する。
理容器３内を所定の圧力に維持しつつ、ガス分散用ノズ
ル４から処理ガスをウエハ２に向けて噴出させ、ウエハ
２上にＣＶＤ膜例えば金属薄膜を形成する。
【００３９】この時、上述したとおり、放射温度計８に
よって、サセプタ６の温度を精度良く測定することがで
きるので、ウエハ２の温度を精度良く所定の処理温度に
保持することができ、精度良く再現性の高い薄膜形成を
行うことができる。
よって、サセプタ６の温度を精度良く測定することがで
きるので、ウエハ２の温度を精度良く所定の処理温度に
保持することができ、精度良く再現性の高い薄膜形成を
行うことができる。
【００４０】なお、本発明は上記実施の形態に記載され
た範囲に限定されるものではない。例えば、上記実施の
形態では、絶縁物で構成されているサセプタ６の放射温
度測定について説明したが、本発明は、サセプタ６の温
度測定に限ることなく、絶縁物の温度測定に同様にして
適用することができる。
た範囲に限定されるものではない。例えば、上記実施の
形態では、絶縁物で構成されているサセプタ６の放射温
度測定について説明したが、本発明は、サセプタ６の温
度測定に限ることなく、絶縁物の温度測定に同様にして
適用することができる。
【００４１】また、上記実施の形態では、サセプタ６の
材料としてＡｌＮを使用した場合について説明したが、
ＡｌＮ以外の絶縁物に対しても、同様にして適用するこ
とができる。
材料としてＡｌＮを使用した場合について説明したが、
ＡｌＮ以外の絶縁物に対しても、同様にして適用するこ
とができる。
【００４２】さらに、上記実施の形態では、枚葉ＣＶＤ
装置１内のサセプタ６の温度測定について説明したが、
その他の装置、例えば、エッチング装置のサセプタ、熱
処理装置、プラズマＣＶＤ装置、及び塗布現像装置のサ
セプタ等の温度測定にも同様にして適用することができ
る。
装置１内のサセプタ６の温度測定について説明したが、
その他の装置、例えば、エッチング装置のサセプタ、熱
処理装置、プラズマＣＶＤ装置、及び塗布現像装置のサ
セプタ等の温度測定にも同様にして適用することができ
る。
【００４３】
【発明の効果】以上、詳説したように、本発明によれ
ば、従来に比べて精度良くサセプタ等の温度を測定する
ことができる。
ば、従来に比べて精度良くサセプタ等の温度を測定する
ことができる。
【図１】本発明を枚葉ＣＶＤ装置のサセプタの温度測定
に適用した場合の装置構成を示す図。
に適用した場合の装置構成を示す図。
【図２】図１のサセプタと放射温度計の構成を示す図。
【図３】ＡｌＮにおける波長と放射率の関係を実測した
結果を示すグラフ。
結果を示すグラフ。
１……枚葉ＣＶＤ装置 ２……ウエハ ３……処理容器 ４……ガス分散用ノズル ５……ガス供給配管 ６……サセプタ ７……支柱 ８……放射温度計 ９……加熱ランプ １０……透過窓 １１……ゲートバルブ １２……排気口 ２０……空孔 ２１……ファイバーロッド ２２……受光部 ２３……演算部
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体製造装置を構成する絶縁物から放
射される光を検出して、前記絶縁物の温度を測定する放
射温度測定方法において、 前記光の波長を、前記絶縁物に固有の横型光学フォノン
のエネルギ−に対応する波長以下としたことを特徴とす
る放射温度測定方法。 - 【請求項２】 前記絶縁物がＡｌＮから構成され、前記
光の波長が１０．９μｍ以下であることを特徴とする請
求項１記載の放射温度測定方法。 - 【請求項３】 前記絶縁物の光を検出する検出端部が、
前記絶縁物内に挿入されていることを特徴とする請求項
１または２記載の放射温度測定方法。 - 【請求項４】 前記絶縁物が、半導体製造装置のサセプ
タであることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項
記載の放射温度測定方法。 - 【請求項５】 前記半導体製造装置が、ＣＶＤ装置であ
ることを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項記載の
放射温度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000038708A JP2001228027A (ja) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | 放射温度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000038708A JP2001228027A (ja) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | 放射温度測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001228027A true JP2001228027A (ja) | 2001-08-24 |
Family
ID=18562404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000038708A Withdrawn JP2001228027A (ja) | 2000-02-16 | 2000-02-16 | 放射温度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001228027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012509575A (ja) * | 2008-11-19 | 2012-04-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理のための高温測定法 |
| US9812372B2 (en) | 2015-12-18 | 2017-11-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatic chuck assembly, semiconductor manufacturing apparatus having the same, and method of measuring temperature of electrostatic chuck |
-
2000
- 2000-02-16 JP JP2000038708A patent/JP2001228027A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012509575A (ja) * | 2008-11-19 | 2012-04-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理のための高温測定法 |
| US9812372B2 (en) | 2015-12-18 | 2017-11-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatic chuck assembly, semiconductor manufacturing apparatus having the same, and method of measuring temperature of electrostatic chuck |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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