JP2001228021A - Optical signal measuring circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光信号の波長およ
び強度を測定することが簡単にできる光信号測定回路に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical signal measuring circuit which can easily measure the wavelength and intensity of an optical signal.
【0002】[0002]
【従来の技術】光通信の分野において、単一波長を有す
る光信号の波長および強度(光信号情報)を測定するこ
とは、必要不可欠である。この光信号情報の測定には、
従来、回折格子を利用した光スペクトラムアナライザ
(例えば、株式会社アドバンテスト社製のQ8381A
(型番)等)などの装置が用いられていた。また、入力
した光信号の波長に応じて光信号の出力位置を変化させ
る光フィルタと受光器とを組み合わせた小型のチャンネ
ルモニタ光回路を用いることも知られている(例えば、
M.Koutoku et al.,IEICE Trans.Electron.,vol.E81-C,N
o.8,pp.1195-1204,August 1998等参照)。2. Description of the Related Art In the field of optical communication, it is essential to measure the wavelength and intensity (optical signal information) of an optical signal having a single wavelength. To measure this optical signal information,
Conventionally, an optical spectrum analyzer using a diffraction grating (for example, Q8381A manufactured by Advantest Co., Ltd.)
(Model number) and the like. It is also known to use a small channel monitor optical circuit in which an optical filter that changes the output position of an optical signal according to the wavelength of an input optical signal and a light receiver are combined (for example,
M. Koutoku et al., IEICE Trans.Electron., Vol.E81-C, N
o.8, pp.1195-1204, August 1998, etc.).
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述したよ
うな光スペクトラムアナライザは、装置構成が大きく、
光信号情報の測定を常時行うのに比較的広い設置場所を
確保しなければならないため、光通信システムへの組み
込みが困難となっていた。一方、前述したようなチャン
ネルモニタ光回路は、多数の受光器を内蔵しているた
め、電気信号の出力端子の数が膨大となっていた。However, the optical spectrum analyzer as described above has a large device configuration.
Since it is necessary to secure a relatively large installation place to constantly measure optical signal information, it has been difficult to incorporate the optical signal information into an optical communication system. On the other hand, the channel monitor optical circuit as described above has a large number of photodetectors, so that the number of electric signal output terminals is enormous.
【0004】このようなことから、本発明は、小型で信
号出力端子数の少ない光信号測定回路を提供することを
目的とした。Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical signal measuring circuit which is small and has a small number of signal output terminals.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ための、本発明による光信号測定回路は、入力された光
信号の波長に応じて当該光信号の出力位置を変える光フ
ィルタと、前記光フィルタに接続し、前記光信号の入力
位置の違いにより、一対の出力電極から出力される電気
信号の比率が変わる受光器とを備えることを特徴とす
る。According to the present invention, there is provided an optical signal measuring circuit for changing an output position of an optical signal according to a wavelength of an input optical signal. A light receiver that is connected to an optical filter and changes the ratio of electric signals output from the pair of output electrodes depending on the difference in the input position of the optical signal.
【0006】上述した光信号測定回路において、前記光
フィルタがアレイ導波路回折格子であることを特徴とす
る。In the above-described optical signal measuring circuit, the optical filter is an arrayed waveguide diffraction grating.
【0007】上述した光信号測定回路において、前記光
フィルタに入力される前の前記光信号の一部をそのまま
電気信号に変換して出力するバイパス手段を設けたこと
を特徴とする。The above-mentioned optical signal measuring circuit is characterized in that a bypass means is provided for converting a part of the optical signal before being inputted to the optical filter into an electric signal as it is and outputting the electric signal.
【0008】上述した光信号測定回路において、前記光
フィルタと前記受光器とがモノリシック集積されている
ことを特徴とする。In the above-mentioned optical signal measuring circuit, the optical filter and the light receiver are monolithically integrated.
【0009】上述した光信号測定回路において、前記光
フィルタと前記受光器とがハイブリッド集積されている
ことを特徴とする。In the above-described optical signal measuring circuit, the optical filter and the light receiver are hybrid-integrated.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】本発明による光信号測定回路の実
施の形態を以下に説明するが、本発明は以下の実施の形
態に限定されるものではない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the optical signal measuring circuit according to the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following embodiments.
【0011】[第一番目の実施の形態]本発明による光
信号測定回路の第一番目の実施の形態を図1〜4を用い
て説明する。図1は、光信号測定回路の全体概略構成
図、図2は、図1の矢線II部の抽出拡大図、図3は、図
2の III−III 線断面矢線視図、図4は、受光器の作用
説明図である。[First Embodiment] A first embodiment of an optical signal measuring circuit according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is an overall schematic configuration diagram of an optical signal measurement circuit, FIG. 2 is an enlarged view of an arrow II section in FIG. 1, FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 2, and FIG. FIG.
【0012】図1に示すように、InP系やGaAs系
などの化合物半導体からなる基板100には、光信号1
を入力させるシングルモードの光導波路101が形成さ
れている。この光導波路101は、当該基板100に形
成されて当該光導波路101からの光信号1を拡散させ
るスラブ導波路102に接続している。このスラブ導波
路102には、上記基板100に形成されて互いにわず
かに異なる長さの導波路を複数有する化合物半導体のア
レイ導波路103が接続している。このアレイ導波路1
03は、上記基板100に形成されて当該アレイ導波路
103からの光信号1を干渉させて結像させるスラブ導
波路104に接続している。スラブ導波路104には、
上記基板100に形成されて光信号1を各波長ごとに送
り出すシングルモードの光導波路105が複数接続して
いる。As shown in FIG. 1, an optical signal 1 is applied to a substrate 100 made of a compound semiconductor such as InP or GaAs.
Is formed in a single-mode optical waveguide 101. The optical waveguide 101 is connected to a slab waveguide 102 formed on the substrate 100 to diffuse the optical signal 1 from the optical waveguide 101. The slab waveguide 102 is connected to a compound semiconductor array waveguide 103 having a plurality of waveguides formed on the substrate 100 and having slightly different lengths. This array waveguide 1
Numeral 03 is connected to a slab waveguide 104 formed on the substrate 100 and causing an optical signal 1 from the array waveguide 103 to interfere and form an image. In the slab waveguide 104,
A plurality of single-mode optical waveguides 105 formed on the substrate 100 and transmitting the optical signal 1 for each wavelength are connected.
【0013】なお、本実施の形態では、スラブ導波路1
02,104、アレイ導波路103、光導波路105な
どによりアレイ導波路回折格子を構成し、当該アレイ導
波路回折格子により光フィルタを構成している。In this embodiment, the slab waveguide 1
02, 104, the array waveguide 103, the optical waveguide 105, etc., constitute an array waveguide diffraction grating, and the array waveguide diffraction grating constitutes an optical filter.
【0014】前記光導波路105は、上記基板100に
形成されて光信号1の入力位置の違いにより、一対の出
力電極113,114から出力される電気信号の比率が
変わる受光器110に接続されており、当該受光器11
0は、図2,3に示すような構造となっている。The optical waveguide 105 is connected to a light receiver 110 which is formed on the substrate 100 and changes the ratio of electric signals output from the pair of output electrodes 113 and 114 depending on the input position of the optical signal 1. And the relevant light receiver 11
0 has a structure as shown in FIGS.
【0015】図2,3に示すように、前記基板100に
は、pn接合を有するアレイ受光部111が前記光導波
路105の間隔に対応した間隔をあけて複数形成されて
いる。これらアレイ受光部111上は、比較的大きな電
気抵抗を示す材料からなる位置検出電極112で連絡さ
れるようにして覆われている。この位置検出電極112
上の前記アレイ受光部111の配列方向両端側には、出
力電気信号を取り出す出力電極113,114が互いの
間隔をあけるように対をなして形成されている。なお、
図3中、115は絶縁体である。As shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of array light receiving sections 111 having a pn junction are formed on the substrate 100 at intervals corresponding to the intervals of the optical waveguides 105. These array light receiving portions 111 are covered so as to be connected by position detection electrodes 112 made of a material having a relatively large electric resistance. This position detection electrode 112
Output electrodes 113 and 114 for extracting an output electric signal are formed in pairs at both ends in the arrangement direction of the array light receiving unit 111 so as to be spaced apart from each other. In addition,
In FIG. 3, reference numeral 115 denotes an insulator.
【0016】このような光信号測定回路において、光信
号1を光導波路101から入力すると、光信号1は、ス
ラブ導波路102内で拡がってアレイ導波路103の各
導波路に均等に結合して当該アレイ導波路103内を伝
搬し、スラブ導波路104内に到達する。このとき、ア
レイ導波路103の各導波路の長さが各々わずかに異な
ることから、上記光信号1は、スラブ導波路104に到
達する時間がアレイ導波路103の各導波路ごとにずれ
るので、スラブ導波路104内で干渉して結像する。こ
の結像する位置が波長ごとに異なるため、当該波長ごと
の結像位置に対応する光導波路105により、光信号1
は、各波長ごとに受光器110の各アレイ受光部111
にそれぞれ入力される。In such an optical signal measuring circuit, when the optical signal 1 is input from the optical waveguide 101, the optical signal 1 spreads in the slab waveguide 102 and is uniformly coupled to each waveguide of the array waveguide 103. The light propagates through the array waveguide 103 and reaches the slab waveguide 104. At this time, since the lengths of the respective waveguides of the array waveguide 103 are slightly different from each other, the time required for the optical signal 1 to reach the slab waveguide 104 is shifted for each waveguide of the array waveguide 103. An image is formed by interference in the slab waveguide 104. Since the imaging position differs for each wavelength, the optical signal 105 is transmitted by the optical waveguide 105 corresponding to the imaging position for each wavelength.
Are the respective array light receiving units 111 of the light receiver 110 for each wavelength.
Respectively.
【0017】ここで、図4(a)に示すように、例え
ば、光信号1が一方の出力電極113寄りの位置Aのア
レイ受光部111に入力すると、当該位置Aのアレイ受
光部111で光起電力が発生して、出力電気信号である
当該光起電力の電圧が位置検出電極112で電圧降下し
ながら出力電極113,114に伝搬する。Here, as shown in FIG. 4A, for example, when the optical signal 1 is input to the array light receiving section 111 at the position A near one of the output electrodes 113, the light is received by the array light receiving section 111 at the position A. An electromotive force is generated, and the voltage of the photoelectromotive force, which is an output electric signal, propagates to the output electrodes 113 and 114 while the voltage drops at the position detection electrode 112.
【0018】このとき、位置Aのアレイ受光部111と
一方の出力電極113および他方の出力電極114との
位置検出電極112を介した間の長さが異なるため、図
4(b)に実線で示すように、上記出力電極113,1
14で検出する電圧値に差を生じる。このため、出力電
極113,114で発生した電圧値の比を求めることに
より、光信号1の入力した位置Aのアレイ受光部111
を特定することができ、入力した光信号1を波長ごとに
監視することができる。At this time, since the length between the array light receiving section 111 at the position A and the one output electrode 113 and the other output electrode 114 via the position detection electrode 112 is different, a solid line in FIG. As shown, the output electrodes 113, 1
A difference occurs in the voltage values detected at 14. For this reason, the ratio of the voltage values generated at the output electrodes 113 and 114 is determined, and thereby the array light receiving unit 111 at the position A where the optical signal 1 is input is obtained.
Can be specified, and the input optical signal 1 can be monitored for each wavelength.
【0019】なお、図4(a)に示すように、他方の出
力電極114寄りの位置Bのアレイ受光部111や前記
出力電極113,114の中間あたりの位置Cのアレイ
受光部111に光信号1が入力した場合でも、上記位置
Aのアレイ受光部111に光信号1が入力した場合と同
様に、図4(b)に一点鎖線や点線で示すような電圧差
を生じるため、上述と同様にして位置B,Cのアレイ受
光部111を特定することができ、入力した光信号1を
波長ごとに監視することができる。As shown in FIG. 4A, an optical signal is transmitted to the array light receiving portion 111 at a position B near the other output electrode 114 and the array light receiving portion 111 at a position C between the output electrodes 113 and 114. Even when 1 is input, similar to the case where the optical signal 1 is input to the array light receiving unit 111 at the position A, a voltage difference as shown by a dashed line or a dotted line in FIG. Thus, the array light receiving unit 111 at the positions B and C can be specified, and the input optical signal 1 can be monitored for each wavelength.
【0020】したがって、このような光信号測定回路に
よれば、入力した光信号1の波長ごとの監視を可能とし
ながらもアレイ導波路103や受光器110などを同一
の半導体基板100上に一括して作製することができる
ので、光コネクション部の光ファイバ等を不要とするこ
とができ、小型で耐機械的振動性を向上させることがで
きるだけでなく、回路サイズが小さいために回路内部の
温度勾配をほとんどなくすことができ、安定した動作が
可能となる。Therefore, according to such an optical signal measuring circuit, it is possible to monitor the input optical signal 1 for each wavelength, but also to collectively arrange the array waveguide 103 and the optical receiver 110 on the same semiconductor substrate 100. It is possible to eliminate the need for an optical fiber or the like in the optical connection part, and not only to improve the mechanical vibration resistance due to its small size, but also to reduce the temperature gradient inside the circuit due to the small circuit size. Can be almost eliminated, and stable operation can be achieved.
【0021】また、モノリシック集積により回路を作製
することができるので、アライメント動作を不要とする
ことができ、結合効率を高めることができ、製造コスト
を低減することができる。Further, since the circuit can be manufactured by monolithic integration, the alignment operation can be made unnecessary, the coupling efficiency can be increased, and the manufacturing cost can be reduced.
【0022】[第二番目の実施の形態]本発明による光
信号測定回路の第二番目の実施の形態を図5を用いて説
明する。図5は、光信号測定回路の概略構成図である。
ただし、前述した第一番目の実施の形態の場合と同様な
部材については、前述した第一番目の実施の形態の説明
で用いた符号と同様な符号を用いることにより、その説
明を省略する。[Second Embodiment] A second embodiment of the optical signal measuring circuit according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic configuration diagram of the optical signal measurement circuit.
However, the same members as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals as those used in the description of the first embodiment, and the description thereof is omitted.
【0023】図5に示すように、シリコンからなる基板
200には、光信号1を入力させる石英ガラス製のシン
グルモードの光導波路201が形成されている。この光
導波路201は、当該基板200に形成されて当該光導
波路201からの光信号1を拡散させる石英ガラス製の
スラブ導波路202に接続している。このスラブ導波路
202には、上記基板200に形成されて互いにわずか
に異なる長さの導波路を複数有する石英ガラス製のアレ
イ導波路203が接続している。このアレイ導波路20
3は、上記基板200に形成されて当該アレイ導波路2
03からの光信号1を干渉させて結像させる石英ガラス
製のスラブ導波路204に接続している。スラブ導波路
204には、上記基板200に形成されて光信号1を各
波長ごとに送り出す石英ガラス製のシングルモードの光
導波路205が複数接続している。As shown in FIG. 5, a single mode optical waveguide 201 made of quartz glass for inputting an optical signal 1 is formed on a substrate 200 made of silicon. The optical waveguide 201 is connected to a quartz glass slab waveguide 202 formed on the substrate 200 and diffusing the optical signal 1 from the optical waveguide 201. The slab waveguide 202 is connected to an arrayed waveguide 203 made of quartz glass and having a plurality of waveguides formed on the substrate 200 and having slightly different lengths from each other. This array waveguide 20
3 is an arrayed waveguide 2 formed on the substrate 200
It is connected to a slab waveguide 204 made of quartz glass that forms an image by interfering with the optical signal 1 from the optical signal 03. A plurality of single-mode optical waveguides 205 made of quartz glass and formed on the substrate 200 and transmitting the optical signal 1 for each wavelength are connected to the slab waveguide 204.
【0024】なお、本実施の形態では、スラブ導波路2
02,204、アレイ導波路203、光導波路205な
どによりアレイ導波路回折格子を構成し、当該アレイ導
波路回折格子により光フィルタを構成している。In this embodiment, the slab waveguide 2
02, 204, the arrayed waveguide 203, the optical waveguide 205, etc., constitute an arrayed waveguide grating, and the arrayed waveguide grating constitutes an optical filter.
【0025】前記光導波路205は、化合物半導体の基
板に形成されて上記基板200にハイブリッド集積さ
れ、光信号1の入力位置の違いにより、出力される電気
信号の比率が変わる受光器210に接続されており、当
該受光器210は、前述した実施の形態の受光器110
と同様な構造をなしている。The optical waveguide 205 is formed on a compound semiconductor substrate and is hybrid-integrated with the substrate 200. The optical waveguide 205 is connected to a photodetector 210 in which the ratio of the output electric signal changes depending on the input position of the optical signal 1. The light receiver 210 is the light receiver 110 of the above-described embodiment.
It has the same structure as.
【0026】つまり、前述した第一番目の実施の形態で
は、アレイ導波路103や受光器110等を同一の基板
100に一括して形成したが、本実施の形態では、アレ
イ導波路203等を形成したシリコン製の基板200
に、化合物半導体製の基板に形成した受光器210をハ
イブリッド集積して接続するようにしたのである。That is, in the above-described first embodiment, the array waveguide 103, the light receiver 110, and the like are collectively formed on the same substrate 100. In the present embodiment, the array waveguide 203 and the like are formed. Silicon substrate 200 formed
Then, the light receiver 210 formed on the substrate made of a compound semiconductor is hybrid-integrated and connected.
【0027】したがって、このような光信号測定回路に
よれば、前述した第一番目の実施の形態の場合と同様
に、光コネクション部の光ファイバを不要とすることが
でき、小型で耐機械的振動性を向上させることができる
だけでなく、回路サイズが小さいために回路内部の温度
勾配をほとんどなくすことができ、安定して動作するこ
とができるのはもちろんのこと、ハイブリッド集積によ
り回路を作製したことから、アライメント動作が必要と
なるものの、アレイ導波路203や受光器210などの
光部品を最適な状態で作製することができるので、高性
能な光部品を使用することができ、回路の性能を向上さ
せることができる。Therefore, according to such an optical signal measuring circuit, as in the case of the first embodiment described above, the optical fiber of the optical connection section can be dispensed with, and it is compact and mechanically resistant. Not only can the oscillator be improved, but the temperature gradient inside the circuit can be almost eliminated due to the small size of the circuit. Therefore, although an alignment operation is required, optical components such as the array waveguide 203 and the light receiver 210 can be manufactured in an optimal state, so that high-performance optical components can be used, and the circuit performance can be improved. Can be improved.
【0028】[第三番目の実施の形態]本発明による光
信号測定回路の第三番目の実施の形態を図6を用いて説
明する。図6は、光信号測定回路の概略構成図である。
ただし、前述した第一,二番目の実施の形態の場合と同
様な部材については、前述した第一,二番目の実施の形
態の説明で用いた符号と同一の符号を用いることによ
り、その説明を省略する。[Third Embodiment] A third embodiment of the optical signal measuring circuit according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic configuration diagram of the optical signal measurement circuit.
However, for the same members as those in the first and second embodiments described above, the same reference numerals as those used in the description of the first and second embodiments are used to describe the same members. Is omitted.
【0029】図6に示すように、基板100には、光導
波路101に接続する分岐導波路106が形成されてい
る。この分岐導波路106は、前記基板100に形成さ
れてpn接合を有する単チャンネル受光器120に接続
している。As shown in FIG. 6, a branch waveguide 106 connected to the optical waveguide 101 is formed on the substrate 100. The branch waveguide 106 is connected to a single-channel light receiving device 120 formed on the substrate 100 and having a pn junction.
【0030】つまり、本実施の形態は、光導波路101
に入力された光信号1の一部をアレイ導波路103等を
通過させることなく分岐導波路106を介して単チャン
ネル受光器120に入力させるようにしたのである。こ
のような分岐導波路106、単チャンネル受光器120
などにより、本実施の形態ではバイパス手段を構成して
いる。That is, in the present embodiment, the optical waveguide 101
Is input to the single-channel light receiver 120 via the branch waveguide 106 without passing through the array waveguide 103 or the like. Such a branch waveguide 106, a single-channel light receiver 120
Thus, in the present embodiment, a bypass unit is configured.
【0031】このため、このような光信号測定回路で
は、光導波路101に入力した光信号1の一部をそのま
ま単チャンネル受光器120に入力して電気信号に変換
して出力させることができるので、信号光1の入力時の
強度をモニタすることができる。Therefore, in such an optical signal measuring circuit, a part of the optical signal 1 input to the optical waveguide 101 can be directly input to the single-channel optical receiver 120, converted into an electric signal, and output. , The intensity at the time of input of the signal light 1 can be monitored.
【0032】したがって、このような光信号測定回路に
よれば、前述した第一番目の実施の形態の場合と同様な
効果を得ることができるのはもちろんのこと、受光器1
10からの出力電圧の和信号に基づいて、アレイ導波路
103等の透過後の信号光1の強度をモニタし、単チャ
ンネル受光器120からの出力と比較することにより、
アレイ導波路103等による信号光1の強度減衰量を求
めることができるので、あらかじめ測定しておいたアレ
イ導波路103等の透過特性を考慮することにより、入
力された信号光1のアレイ導波路103等による最大透
過波長からのずれを検知することができる。Therefore, according to such an optical signal measuring circuit, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and the light receiving device 1 can be obtained.
By monitoring the intensity of the signal light 1 after transmission through the arrayed waveguide 103 and the like based on the sum signal of the output voltages from 10 and comparing with the output from the single-channel light receiver 120,
Since the amount of intensity attenuation of the signal light 1 by the array waveguide 103 and the like can be obtained, the transmission characteristics of the array light 103 and the like measured in advance are taken into consideration, and the array waveguide of the input signal light 1 is considered. It is possible to detect a deviation from the maximum transmission wavelength due to 103 or the like.
【0033】[第四番目の実施の形態]本発明による光
信号測定回路の第四番目の実施の形態を図7を用いて説
明する。図7は、光信号測定回路の概略構成図である。
ただし、前述した第一〜三番目の実施の形態の場合と同
様な部材については、前述した第一〜三番目の実施の形
態の説明で用いた符号と同一の符号を用いることによ
り、その説明を省略する。[Fourth Embodiment] A fourth embodiment of the optical signal measuring circuit according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic configuration diagram of the optical signal measurement circuit.
However, for members similar to those in the first to third embodiments described above, the same reference numerals as those used in the description of the first to third embodiments described above are used to explain the same members. Is omitted.
【0034】図7に示すように、基板200には、光導
波路201に接続する分岐導波路206が形成されてい
る。また、この基板200には、複数形成されたシング
ルモードの前記光導波路205に接続する受光器210
と、上記分岐導波路206に接続してpn接合を有する
単チャンネル受光器220とを化合物半導体製の基板に
一体的に形成した受光装置230がハイブリッド集積さ
れている。As shown in FIG. 7, a branch waveguide 206 connected to the optical waveguide 201 is formed on the substrate 200. The substrate 200 has a plurality of photodetectors 210 connected to the plurality of single-mode optical waveguides 205.
And a light receiving device 230 in which a single channel light receiving device 220 having a pn junction connected to the branch waveguide 206 is integrally formed on a compound semiconductor substrate.
【0035】つまり、前述した第三番目の実施の形態で
は、アレイ導波路103や分岐導波路106や受光器1
10や単チャンネル受光器120等を同一の基板100
に一括して形成したが、本実施の形態では、アレイ導波
路203や分岐導波路206等を形成したシリコン製の
基板200に対して、受光器210および単チャンネル
受光器220を形成した化合物半導体製の基板の受光装
置230をハイブリッド集積して接続するようにしたの
である。That is, in the third embodiment described above, the array waveguide 103, the branch waveguide 106, the light receiver 1
10 and the single-channel light receiver 120 etc.
In this embodiment, the compound semiconductor in which the light receiver 210 and the single-channel light receiver 220 are formed with respect to the silicon substrate 200 on which the array waveguide 203 and the branch waveguide 206 are formed. The light receiving device 230 of the substrate made of hybrid is integrated and connected.
【0036】したがって、このような光信号測定回路に
よれば、前述した第三番目の実施の形態の場合と第四番
目の実施の形態の場合とで得られる効果を併せて得るこ
とができる。Therefore, according to such an optical signal measuring circuit, the effects obtained in the third embodiment and the fourth embodiment described above can be obtained together.
【0037】[0037]
【発明の効果】本発明の光信号測定回路によれば、小型
で信号出力端子数を少なくすることができるので、光信
号情報の測定を常時行う場合であっても、設置場所が狭
くても済み、光通信システムへの組み込みを容易に行う
ことができる。According to the optical signal measuring circuit of the present invention, the size and the number of signal output terminals can be reduced, so that the optical signal information can be always measured or the installation place is small. Thus, it can be easily incorporated into an optical communication system.
【図1】本発明による光信号測定回路の第一番目の実施
の形態の全体概略構成図である。FIG. 1 is an overall schematic configuration diagram of a first embodiment of an optical signal measurement circuit according to the present invention.
【図2】図1の矢線II部の抽出拡大図である。FIG. 2 is an enlarged enlarged view of an arrow II in FIG. 1;
【図3】図2の III−III 線断面矢線視図である。FIG. 3 is a sectional view taken along the line III-III in FIG. 2;
【図4】受光器の作用説明図である。FIG. 4 is a diagram illustrating the operation of the light receiver.
【図5】本発明による光信号測定回路の第二番目の実施
の形態の全体概略構成図である。FIG. 5 is an overall schematic configuration diagram of a second embodiment of the optical signal measurement circuit according to the present invention.
【図6】本発明による光信号測定回路の第三番目の実施
の形態の全体概略構成図である。FIG. 6 is an overall schematic configuration diagram of a third embodiment of the optical signal measurement circuit according to the present invention.
【図7】本発明による光信号測定回路の第四番目の実施
の形態の全体概略構成図である。FIG. 7 is an overall schematic configuration diagram of a fourth embodiment of the optical signal measurement circuit according to the present invention.
1 光信号 100 基板 101 光導波路 102 スラブ導波路 103 アレイ導波路 104 スラブ導波路 105 光導波路 106 分岐導波路 110 受光器 111 アレイ受光部 112 位置検出電極 113,114 出力電極 115 絶縁体 120 単チャンネル受光器 200 基板 201 光導波路 202 スラブ導波路 203 アレイ導波路 204 スラブ導波路 205 光導波路 206 分岐導波路 210 受光器 220 単チャンネル受光器 230 受光装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical signal 100 Substrate 101 Optical waveguide 102 Slab waveguide 103 Array waveguide 104 Slab waveguide 105 Optical waveguide 106 Branch waveguide 110 Optical receiver 111 Array light receiving part 112 Position detection electrode 113,114 Output electrode 115 Insulator 120 Single channel light reception Device 200 Substrate 201 Optical waveguide 202 Slab waveguide 203 Array waveguide 204 Slab waveguide 205 Optical waveguide 206 Branch waveguide 210 Optical receiver 220 Single channel optical receiver 230 Optical receiver
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 啓之 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 2G020 AA03 AA04 BA20 CB42 CB43 CC06 CC63 CD04 CD11 CD24 2H047 KA02 KA03 KA12 LA01 LA19 MA07 QA02 QA04 RA00 TA01 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hiroyuki Ishii 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term in Nippon Telegraph and Telephone Corporation (reference) 2G020 AA03 AA04 BA20 CB42 CB43 CC06 CC63 CD04 CD11 CD24 2H047 KA02 KA03 KA12 LA01 LA19 MA07 QA02 QA04 RA00 TA01
Claims (5)
信号の出力位置を変える光フィルタと、 前記光フィルタに接続し、前記光信号の入力位置の違い
により、一対の出力電極から出力される電気信号の比率
が変わる受光器とを備えることを特徴とする光信号測定
回路。1. An optical filter for changing an output position of an optical signal according to a wavelength of an input optical signal, and an optical filter connected to the optical filter and outputting from a pair of output electrodes according to a difference in an input position of the optical signal. An optical signal measuring circuit, comprising:
徴とする光信号測定回路。2. The optical signal measuring circuit according to claim 1, wherein the optical filter is an arrayed waveguide diffraction grating.
のまま電気信号に変換して出力するバイパス手段を設け
たことを特徴とする光信号測定回路。3. The optical signal measurement according to claim 1, further comprising a bypass unit configured to convert part of the optical signal before being input to the optical filter into an electrical signal as it is and output the electrical signal. circuit.
ていることを特徴とする光信号測定回路。4. The optical signal measuring circuit according to claim 1, wherein the optical filter and the light receiver are monolithically integrated.
ていることを特徴とする光信号測定回路。5. The optical signal measuring circuit according to claim 1, wherein the optical filter and the light receiver are hybrid-integrated.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4790819B2 (en) * | 2006-10-20 | 2011-10-12 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | Method and system for a hybrid integrated 1xN DWDN transmitter |
US8285149B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
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2000
- 2000-02-14 JP JP2000034899A patent/JP2001228021A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8285149B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
US8285150B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
JP4790819B2 (en) * | 2006-10-20 | 2011-10-12 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | Method and system for a hybrid integrated 1xN DWDN transmitter |
US8285151B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for hybrid integrated 1XN DWDM transmitter |
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