JP2001226562A - Composition, liquid sealing material composition for flip- chip, and semiconductor device - Google Patents

Composition, liquid sealing material composition for flip- chip, and semiconductor device

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JP2001226562A
JP2001226562A JP2000033596A JP2000033596A JP2001226562A JP 2001226562 A JP2001226562 A JP 2001226562A JP 2000033596 A JP2000033596 A JP 2000033596A JP 2000033596 A JP2000033596 A JP 2000033596A JP 2001226562 A JP2001226562 A JP 2001226562A
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composition
component
epoxy compound
sealing material
liquid
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Juichi Fujimoto
寿一 藤本
Hiroshi Fukushima
洋 福島
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Mitsubishi Rayon Co Ltd
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Mitsubishi Rayon Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a composition low in viscosity, excellent in flowability and giving a cured product excellent in heat adhesion resistance, humidity resistance and flexural modulus. SOLUTION: The composition comprises (A) an epoxy compound having a cyclic skeleton and liquid at 25 deg.C, (B) an acid anhydride liquid at 25 deg.C, (C) an acrylic thermoplastic polymer having a weight-average mol.wt. of not larger than 100,000, (D) a curing catalyst and (E) a spherical silica having an average particle size of 2-10 μm and a specific area of not larger than 2 m2/g and the amount of the component (E) is 40-85 mass%.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、低粘度で流動性に
優れた組成物であり、特に、耐熱密着性、耐湿性、曲げ
弾性率に優れた硬化物が得られるため、封止材として有
用な組成物に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a composition having a low viscosity and excellent fluidity. In particular, a cured product having excellent heat resistance, moisture resistance and flexural modulus can be obtained. It relates to useful compositions.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ベアチップの接続端子と接
続基板上回路パターンの端子電極との接続にはワイヤボ
ンディング実装方式が多く用いられてきたが、近年、半
導体デバイスの集積度が大幅に向上し、なおかつ単位面
積当たりの接続端子数が増加している。それに伴い、接
続端子間が狭くなる傾向にあり、従来の実装方式では対
処が困難になってきているのが現状である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a wire bonding mounting method has been often used for connection between a connection terminal of a semiconductor bare chip and a terminal electrode of a circuit pattern on a connection substrate. However, in recent years, the degree of integration of semiconductor devices has been greatly improved. In addition, the number of connection terminals per unit area is increasing. As a result, the distance between connection terminals tends to be narrower, and it is currently difficult to cope with the conventional mounting method.

【0003】そこで、最近では半導体ベアチップの接続
端子と接続基板上の端子電極との接続に、半田バンプや
金バンプを解してフェースダウンボンディング方式で実
装する、いわゆるフリップチップ実装方式を用いること
により、半導体パッケージの小型化を図る試みが盛んに
検討されている。
In recent years, a so-called flip-chip mounting method, in which solder bumps and gold bumps are separated and mounted by a face-down bonding method, is used to connect the connection terminals of the semiconductor bare chip to the terminal electrodes on the connection substrate. Attempts to reduce the size of semiconductor packages have been actively studied.

【0004】このフリップチップ実装方式では、半導体
ベアチップと接続基板との間に封止材を充填しなければ
ならないが、その隙間は通常20〜100μmと狭いた
め常温液状の封止材を用いて流動させ隙間を充填し、こ
れを硬化させて封止層を形成していた。
In this flip-chip mounting method, a sealing material must be filled between the semiconductor bare chip and the connection substrate. However, since the gap is usually as small as 20 to 100 μm, the sealing material flows at room temperature. In this way, the gap was filled, and this was cured to form a sealing layer.

【0005】これらの常温液状の封止材としては、例え
ば、特開昭62−277421号公報記載の常温液状の
エポキシ化合物に平均粒径5〜30μmの充填剤を含有
させた封止材や、特開平4−351630号公報記載の
シリコーン変性エポキシ化合物に、平均粒径10μm以
下で30μm以上の粗粒含有率が0.5%以下の溶融シ
リカを含有させた封止材などが挙げられる。
Examples of these room temperature liquid sealing materials include a room temperature liquid epoxy compound described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-277421 and a filler having an average particle size of 5 to 30 μm. Examples of the sealant include a silicone-modified epoxy compound described in JP-A-4-351630 containing fused silica having an average particle size of 10 μm or less and a coarse particle content of 30 μm or more and 0.5% or less.

【0006】しかしながら、このような従来の液状封止
材では、充填剤に含まれる粗粒が多いまたは大きすぎた
り、異形粒子が多すぎたりするため、入出力端子数の多
い大型の半導体ベアチップに適用した場合、封止材をチ
ップと接続基板との間に流動させる際には、前述した粗
粒や異形粒子が接続バンプ間に凝集し、封止材中に充填
剤濃度のムラが発生したり、極端に流動速度が遅くなる
傾向がある。そのため、封止材中に線膨張係数の異なる
領域が不均一に存在することから、半田リフロー工程に
おいて剥離を起こす傾向がある。
However, in such a conventional liquid sealing material, the amount of coarse particles contained in the filler is too large or too large, or the number of irregularly shaped particles is too large. When applied, when the sealing material is caused to flow between the chip and the connection substrate, the above-described coarse particles and irregularly shaped particles are aggregated between the connection bumps, resulting in uneven filler concentration in the sealing material. Or the flow speed tends to be extremely slow. For this reason, since regions having different linear expansion coefficients are non-uniformly present in the sealing material, peeling tends to occur in the solder reflow process.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、液状
エポキシ化合物・液状酸無水物配合系封止材に含有させ
る充填剤の形状を制御し、特定の高分子化合物を配合す
ることにより、フリップチップ実装方式に適した、低粘
度で流動性に優れた、耐熱密着性、耐湿性、曲げ弾性率
が良好な組成物、およびそれを用いた半導体装置を得る
ことにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to control the shape of a filler contained in a sealing material containing a liquid epoxy compound and a liquid acid anhydride and to mix a specific polymer compound, It is an object of the present invention to obtain a composition suitable for a flip chip mounting method, having a low viscosity and excellent fluidity, and having good heat resistance, moisture resistance and flexural modulus, and a semiconductor device using the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討をした結果、無機充填剤とし
て球状のシリカ粒子を使用し、その比表面積を特定範囲
内に限定することにより、得られる組成物の粘度が低
く、流動性も向上できることを見いだした。
Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have used spherical silica particles as an inorganic filler and limited the specific surface area thereof to a specific range. As a result, it has been found that the viscosity of the obtained composition is low and the fluidity can be improved.

【0009】さらに、アクリル系熱可塑性高分子を配合
することにより、球状シリカの分散安定性を向上させ、
封止材充填時に無機充填剤が分離することなく、均一に
充填剤が分散した封止層を形成することが可能となり、
耐熱密着性も向上することを見いだした。
Further, by incorporating an acrylic thermoplastic polymer, the dispersion stability of the spherical silica is improved,
It is possible to form a sealing layer in which the filler is uniformly dispersed without separating the inorganic filler at the time of filling the sealing material,
It has been found that the heat resistance is also improved.

【0010】すなわち、本発明は、(A)25℃におい
て液状である環状骨格含有エポキシ化合物、(B)25
℃において液状の酸無水物、(C)重量平均分子量10
0000以下のアクリル系熱可塑性高分子、(D)硬化
触媒 (E)平均粒径2〜10μm、比表面積2m2/g以下
の球状シリカからなる組成物であって、(E)成分を4
0〜85質量%含有する組成物、フリップチップ用液状
封止材として有用な組成物、該組成物の硬化物の25℃
における曲げ弾性率が0.1〜20GPaであるフリップ
チップ用液状封止材組成物、およびこの組成物の硬化物
で封止した半導体装置にある。
That is, the present invention relates to (A) an epoxy compound having a cyclic skeleton which is liquid at 25 ° C .;
Acid anhydride in liquid at 10 ° C, (C) weight average molecular weight 10
(D) a curing catalyst (E) a composition comprising spherical silica having an average particle diameter of 2 to 10 μm and a specific surface area of 2 m 2 / g or less, wherein component (E) is 4
0 to 85% by mass, a composition useful as a liquid sealing material for flip chips, and a cured product of the composition at 25 ° C.
The liquid crystal sealing material composition for a flip chip having a flexural modulus of 0.1 to 20 GPa, and a semiconductor device sealed with a cured product of the composition.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の組成物は、液状の特定構
造を有するエポキシ化合物(A)、液状の酸無水物
(B)、重量平均分子量100000以下のアクリル系
熱可塑性高分子(C)、および(D)硬化触媒の混合物
中に、特定構造の無機充填剤(E)を分散配合すること
により得られる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The composition of the present invention comprises a liquid epoxy compound having a specific structure (A), a liquid acid anhydride (B), and an acrylic thermoplastic polymer (C) having a weight average molecular weight of 100,000 or less. And (D) a mixture of a curing catalyst and an inorganic filler (E) having a specific structure.

【0012】以下、各成分について詳細に説明する。Hereinafter, each component will be described in detail.

【0013】なお、本発明において、「(メタ)アクリ
ル酸」とは、「アクリル酸またはメタクリル酸」を意味
する。
In the present invention, “(meth) acrylic acid” means “acrylic acid or methacrylic acid”.

【0014】本発明の(A)成分は、25℃において液
状である環状骨格含有エポキシ化合物であり、封止材の
主成分として、耐熱性及び密着性を発現する基本成分で
ある。
The component (A) of the present invention is a cyclic skeleton-containing epoxy compound which is liquid at 25 ° C., and is a basic component exhibiting heat resistance and adhesion as a main component of the sealing material.

【0015】このようなエポキシ化合物は、密着性を維
持しつつ耐熱性を向上させることができる。また、中で
も、分子内に脂環および/または芳香環の環状骨格を有
するエポキシ化合物が好ましく、かつ2個以上のエポキ
シ基を有する化合物であることが特に好ましい。
Such an epoxy compound can improve heat resistance while maintaining adhesion. Among them, an epoxy compound having an alicyclic and / or aromatic ring skeleton in the molecule is preferable, and a compound having two or more epoxy groups is particularly preferable.

【0016】本発明のエポキシ化合物(A)の具体例と
しては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ化合物
(商品名:エピコート828、油化シェルエポキシ社
製)、ビスフェノールF型エポキシ化合物(商品名:エ
ピコート806、油化シェルエポキシ社製)、水添ビス
フェノールAジグリシジルエーテル(商品名:リカレジ
ンHBE−100、新日本理化社製)、1,4−シクロ
ヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル(商品名:
リカレジンDME−100、新日本理化社製)、3,4
−エポキシシクロヘキシルメチル(3,4−エポキシ)
シクロヘキサンカルボキシレート(商品名:ERL42
21、ユニオンカーバイト社製)、ビス(3,4−エポ
キシシクロヘキシル)アジペート(商品名:ERL42
99、ユニオンカーバイト社製)、ジグリシジルアニリ
ン(商品名:GAN、日本化薬社製)、ヘキサヒドロフ
タル酸エピクロルヒドリンジグリシジルエステル(商品
名:AK−601、日本化薬社製)、ビスフェノールA
プロピレンオキサイド2モル付加物のジグリシジルエー
テル(商品名:エポライト3002、共栄社化学社
製)、レゾルシンジグリシジルエーテル(商品名:デナ
コールEX201、長瀬化成工業社製)トリグリシジル
トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレート(商
品名:デナコールEX301、長瀬化成工業社製)等が
挙げられる。
Specific examples of the epoxy compound (A) of the present invention include, for example, a bisphenol A type epoxy compound (trade name: Epikote 828, manufactured by Yuka Shell Epoxy) and a bisphenol F type epoxy compound (trade name: Epicoat 806) , Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether (trade name: Rica Resin HBE-100, manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.), 1,4-cyclohexanedimethanol diglycidyl ether (trade name:
Rica Resin DME-100, manufactured by Nippon Rika Co., Ltd., 3, 4
-Epoxycyclohexylmethyl (3,4-epoxy)
Cyclohexanecarboxylate (trade name: ERL42)
21, Union Carbide), bis (3,4-epoxycyclohexyl) adipate (trade name: ERL42)
99, manufactured by Union Carbide Co., Ltd.), diglycidylaniline (trade name: GAN, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), hexahydrophthalic acid epichlorohydrin diglycidyl ester (trade name: AK-601, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), bisphenol A
Diglycidyl ether of 2 mol adduct of propylene oxide (trade name: Epolite 3002, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), resorcin diglycidyl ether (trade name: Denacol EX201, manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.) Triglycidyl tris (2-hydroxyethyl) isocyanate Nurate (trade name: Denacol EX301, manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.) and the like.

【0017】これらは、1種または2種以上を混合して
使用することができる。
These can be used alone or in combination of two or more.

【0018】優れた耐熱性及び曲げ弾性率を発現させる
には、これらのうち、ビスフェノールA型エポキシ化合
物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、1,4−シク
ロヘキサンジメタノールジグリシジルエエーテル、3,
4−エポキシシクロヘキシルメチル(3,4−エポキ
シ)シクロヘキサンカルボキシレート等が好適である。
In order to exhibit excellent heat resistance and flexural modulus, among these, bisphenol A type epoxy compound, bisphenol F type epoxy compound, 1,4-cyclohexanedimethanol diglycidyl ether,
4-epoxycyclohexylmethyl (3,4-epoxy) cyclohexanecarboxylate and the like are preferred.

【0019】なお、本発明の組成物には、性能に影響を
及ぼさない範囲内で、(A)成分以外エポキシ化合物、
つまり環状骨格を有していないエポキシ化合物を1種ま
たは2種以上を混合して使用してもよい。
The composition of the present invention contains an epoxy compound other than the component (A) as long as it does not affect the performance.
That is, one or more epoxy compounds having no cyclic skeleton may be used in combination.

【0020】このようなエポキシ化合物の具体例として
は、例えば、のさらに、エポキシ化合物(A)として使
用されるものとしては、例えば、エチレングリコールジ
グリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジ
ルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエー
テル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ト
リプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプ
ロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチ
ルグリコールジグリシジルエーテル、1、6−ヘキサン
ジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジ
ルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエ
ーテル、2,2−ジブロモネオペンチルグリコールジグ
リシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテ
ル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、ポリグリセロ
ールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールト
リグリシジルエーテル、ペンタエリスリトーツトラグリ
シジルエーテル、ポリテトラメチレングリコールジグリ
シジルエーテル等が挙げられる。
Specific examples of such an epoxy compound include, for example, those further used as the epoxy compound (A) include, for example, ethylene glycol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, and polyethylene glycol diglycidyl ether. Propylene glycol diglycidyl ether, tripropylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, glycerin diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, 2 , 2-dibromoneopentyl glycol diglycidyl ether, sorbitol polyglycidyl ether, sorbitanpo Glycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol triglycidyl ether, pentaerythritol Li Toots tiger glycidyl ether, polytetramethylene glycol diglycidyl ether, and the like.

【0021】さらに、25℃における組成物の粘度が1
00Pa・sを超えない範囲で、例えば固形ビスフェノ
ールA型エポキシ化合物、ハロゲン化ビスフェノールA
型エポキシ化合物、ビスフェノールS型エポキシ化合
物、ジフェニルエーテル型エポキシ化合物、ハイドロキ
ノン型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキ
シ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ク
レゾールノボラック型エポキシ化合物、ナフタレン型エ
ポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ジシクロ
ペンタジエンフェノールエポキシ化合物等のエポキシ化
合物を溶解させて使用してもよい。
Further, when the viscosity of the composition at 25 ° C. is 1
Within a range not exceeding 00 Pa · s, for example, solid bisphenol A type epoxy compound, halogenated bisphenol A
Epoxy compound, bisphenol S epoxy compound, diphenyl ether epoxy compound, hydroquinone epoxy compound, phenol novolak epoxy compound, biphenyl novolak epoxy compound, cresol novolak epoxy compound, naphthalene epoxy compound, biphenyl epoxy compound, dicyclo An epoxy compound such as a pentadiene phenol epoxy compound may be dissolved and used.

【0022】本発明の(B)成分は、(A)成分の硬化
剤として作用するものであり、(A)成分とともに耐熱
性、密着性等の特に封止材に必要な性能を発現させるた
めの成分である。
The component (B) of the present invention acts as a curing agent for the component (A), and together with the component (A), exerts heat resistance, adhesiveness, and other properties particularly required for a sealing material. It is a component of.

【0023】さらに、組成物の粘度を下げる効果を高め
るためには、(B)成分の25℃における粘度を500
mPa・s以下の範囲にすることが好ましい。
In order to enhance the effect of lowering the viscosity of the composition, the viscosity of the component (B) at 25 ° C.
It is preferable to set the range to mPa · s or less.

【0024】(B)成分の具体例としては、例えば、ト
リアルキルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルテトラ
ヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無
水物、メチルハイミック無水物、ドデセニルフタル酸無
水物等が挙げられるが、これらは1種または2種以上を
混合して使用してもよい。
Specific examples of the component (B) include, for example, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylhymic anhydride, dodecenylphthalic anhydride and the like. However, these may be used alone or in combination of two or more.

【0025】なお、本発明において、(A)成分と
(B)成分の配合比は、(A)成分のエポキシ当量をa
とし、(B)成分の酸無水物当量をbとすると、a:b
=1:2〜2:1の範囲で配合することが好ましく、特
にa:b=0.8:1〜1:0.8の範囲が特に好まし
い。
In the present invention, the mixing ratio of component (A) to component (B) is such that the epoxy equivalent of component (A) is a
And the acid anhydride equivalent of the component (B) is b, a: b
= 1: 2 to 2: 1, preferably a: b = 0.8: 1 to 1: 0.8.

【0026】本発明において、(A)成分と(B)成分
の合計使用割合は、(A)〜(D)成分の合計量中、6
0〜98.99質量%の範囲、特に79〜96.9質量
%の範囲が好ましい。
In the present invention, the total use ratio of the components (A) and (B) is 6 in the total amount of the components (A) to (D).
The range of 0 to 99.99% by mass, particularly the range of 79 to 96.9% by mass is preferred.

【0027】本発明の(C)成分は、重量平均分子量1
00000以下のアクリル系熱可塑性高分子であり、無
機充填剤の分散安定性を向上させるための成分である。
The component (C) of the present invention has a weight average molecular weight of 1
It is an acrylic thermoplastic polymer of 00000 or less, and is a component for improving the dispersion stability of the inorganic filler.

【0028】この(C)成分を配合した封止材組成物
を、半導体ベアチップと接続基板との狭小な空隙に注入
すれば、無機充填剤が分離することなく、均一に分散し
た封止層を形成することが可能となる。
When the sealing material composition containing the component (C) is injected into a narrow gap between the semiconductor bare chip and the connection substrate, the sealing layer in which the inorganic filler is uniformly dispersed without separation is obtained. It can be formed.

【0029】(C)成分の具体例としては、例えば(メ
タ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)
アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メ
タ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸i−ブ
チル、(メタ)アクリル酸t−ブチル、(メタ)アクリ
ル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシ
ル、(メタ)アクリル酸ラウリル、(メタ)アクリル酸
ステアリル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリ
ル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メ
タ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アク
リル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸グリ
シジル、(メタ)アクリル酸ジメチル、アミノメチル、
(メタ)アクリル酸ジエチルアミノメチル、(メタ)ア
クリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシ
ル、(メタ)アクリル酸フェノキシエチル、(メタ)ア
クリル酸トリシクロデカン、(メタ)アクリル酸アリ
ル、(メタ)アクリル酸2−エトキシエチル、(メタ)
アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸フェニル
等の(メタ)アクリル系モノマーの1種または2種以上
からなる単独重合体または共重合体が挙げられる。
Specific examples of component (C) include, for example, (meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, (meth)
Ethyl acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, i-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 2-ethylhexyl, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) 4-hydroxybutyl acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dimethyl (meth) acrylate, aminomethyl,
Diethylaminomethyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, tricyclodecane (meth) acrylate, allyl (meth) acrylate, (meth) acrylic 2-ethoxyethyl acid, (meth)
Homopolymers or copolymers of one or more of (meth) acrylic monomers such as isobornyl acrylate and phenyl (meth) acrylate are exemplified.

【0030】(C)成分のアクリル系熱可塑性高分子の
重量平均分子量は100000以下であるが、好ましく
は5000〜100000の範囲、より好ましくは10
000〜70000の範囲である。
The weight average molecular weight of the acrylic thermoplastic polymer (C) is 100,000 or less, preferably in the range of 5,000 to 100,000, more preferably 10 to 100,000.
000 to 70,000.

【0031】(C)成分の重量平均分子量が10000
0を越えると、得られる封止材組成物の粘度が極端に上
昇してしまい、半導体ベアチップと接続基板との狭小な
空隙に注入する作業性が不良となる傾向にある。
The component (C) has a weight average molecular weight of 10,000.
If it exceeds 0, the viscosity of the obtained encapsulant composition will increase extremely, and the workability of injecting into the narrow gap between the semiconductor bare chip and the connection substrate tends to be poor.

【0032】(C)成分の使用割合は特に限定されない
が、(A)〜(D)成分の合計量中、1〜30質量%の
範囲、特に3〜20質量%の範囲が特に好ましい。
(C)成分の使用量が1質量%より少ないと球状シリカ
(E)の分散性が劣る傾向にあり、30質量%を越える
と得られた組成物の硬化物の耐熱性や曲げ弾性率が低下
する傾向にある。
The proportion of the component (C) is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 30% by mass, more preferably 3 to 20% by mass, based on the total amount of the components (A) to (D).
If the amount of the component (C) is less than 1% by mass, the dispersibility of the spherical silica (E) tends to be inferior. If the amount exceeds 30% by mass, the heat resistance and flexural modulus of the cured product of the obtained composition are reduced. It tends to decrease.

【0033】本発明の組成物は、硬化触媒(D)を使用
する。
The composition of the present invention uses a curing catalyst (D).

【0034】(D)成分の具体例としては、例えば、
N,N‘−ジメチルピペラジン、ピリジン、ピコリン、
ベンジルジメチルアミン、2(ジメチルアミノメチル)
フェノール、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチ
ル)フェノール、1,8−ジアザビスシクロ(5,4,
0)ウンデセン−1等の3級アミン類;2−メチルイミ
ダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデ
シルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2
−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミ
ダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1
−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチ
ル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−
ウンデジルイミダゾ―ル、1−シアノエチル−2−フェ
ニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4
−メチルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエ
チル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、
1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメ
リテイト、2,4−ジアミノ−6−〔2’−メチルイミ
ダゾリル−(1’)〕―エチル−s−トリアジン,2,
4−ジアミノ−6−〔2’−エチル−4−メチルイミダ
ゾリル(1’)〕―エチル−s−トリアジン,2,4−
ジアミノ−6−〔2’−ウンデシルイミダゾリル〕―エ
チル−s−トリアジン,2,4−ジアミノ−6−〔2’
−メチルイミダゾリル−(1’)〕―エチル−s−トリ
アジンのイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾ
ールのイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−
ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−
メチル−5−ジ(2−シアノエトキシ)メチルイミダゾ
ール、1−シアノエチル−2−フェニル−4,5−ジ
(2−シアノエトキシ)メチルイミダゾール等のイミダ
ゾール化合物;1,3−ビス(ヒドラジノカルボエチ
ル)−5−イソプロピルヒダントイン、7,11−オク
タデカジエン−1,18−ジカルボヒドラジド、エイコ
サン2酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド化合
物、ジシアンジアミド等が挙げられる。
Specific examples of the component (D) include, for example,
N, N'-dimethylpiperazine, pyridine, picoline,
Benzyldimethylamine, 2 (dimethylaminomethyl)
Phenol, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8-diazabiscyclo (5,4
0) Tertiary amines such as undecene-1; 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2
-Ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1
-Benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-
Undimilimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4
-Methylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate,
1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,
4-diamino-6- [2'-ethyl-4-methylimidazolyl (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-
Diamino-6- [2'-undecylimidazolyl] -ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2 '
-Methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-
Dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-
Imidazole compounds such as methyl-5-di (2-cyanoethoxy) methylimidazole and 1-cyanoethyl-2-phenyl-4,5-di (2-cyanoethoxy) methylimidazole; 1,3-bis (hydrazinocarboethyl ) -5-isopropylhydantoin, 7,11-octadecadien-1,18-dicarbohydrazide, eicosane diacid dihydrazide, adipic acid dihydrazide compound, dicyandiamide and the like.

【0035】この(D)成分の使用割合は特に限定され
ないが、(A)〜(D)成分の合計量中、0.01〜1
0質量%の範囲、特に0.1〜1質量%の範囲が特に好
ましい。(D)成分の使用量が0.01質量%より少な
い場合には硬化性が十分に発揮されない傾向にあり、1
0質量%を越えると得られる封止材組成物の粘度が高く
なったり、耐湿性が低下する傾向にある。
The proportion of the component (D) is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 1 in the total amount of the components (A) to (D).
A range of 0% by weight, particularly a range of 0.1 to 1% by weight is particularly preferred. If the amount of the component (D) is less than 0.01% by mass, the curability tends not to be sufficiently exerted.
If the amount exceeds 0% by mass, the viscosity of the obtained sealing material composition tends to increase and the moisture resistance tends to decrease.

【0036】本発明の組成物は、得られる封止材の線膨
張係数を下げ、半導体ベアチップの線膨張係数に近づけ
るための必須成分として無機充填剤を含有する。
The composition of the present invention contains an inorganic filler as an essential component for lowering the linear expansion coefficient of the obtained encapsulant and approaching the linear expansion coefficient of the semiconductor bare chip.

【0037】本発明の(E)成分は、平均粒径2〜10
μm、比表面積2m2/g以下の球状シリカ(E)であ
る。
The component (E) of the present invention has an average particle diameter of 2 to 10.
It is a spherical silica (E) having a diameter of 2 μm and a specific surface area of 2 m 2 / g or less.

【0038】フリップチップ実装方式に使用する組成物
の無機充填剤成分として、破砕シリカや破砕シリカを溶
融したヒューズドシリカを使用すると、得られる封止材
組成物の粘度が上昇し流動性が不良となり、充填性が低
下する傾向にある。
When crushed silica or fused silica obtained by melting crushed silica is used as the inorganic filler component of the composition used in the flip chip mounting method, the viscosity of the obtained sealing material composition increases and the fluidity becomes poor. And the filling property tends to decrease.

【0039】更に、半導体ベアチップと接続基板との間
の多数の接続バンプが配列した20〜100μmの狭小
な空隙に毛細管現象を利用して組成物を充填するため、
(E)成分の平均粒径は2〜10μmの範囲におさめる
必要がある。
Further, in order to fill the narrow gap of 20 to 100 μm in which a large number of connection bumps between the semiconductor bare chip and the connection substrate are arranged with the composition by utilizing the capillary phenomenon,
It is necessary that the average particle size of the component (E) be within the range of 2 to 10 μm.

【0040】この平均粒径が2μmより小さい場合に
は、シリカの比表面積が大きすぎるので得られる組成物
の粘度が上昇し流動性が低下する傾向にあり、平均粒径
が10μmを越える場合には、得られる組成物を半導体
ベアチップと接続基板との間へ注入中に接続バンプ周辺
にシリカが凝集し流動が途中で止まってしまう傾向にあ
る。
When the average particle size is smaller than 2 μm, the viscosity of the resulting composition tends to increase and the fluidity tends to decrease because the specific surface area of silica is too large. In the method, while the obtained composition is injected between the semiconductor bare chip and the connection substrate, silica tends to aggregate around the connection bumps and the flow tends to stop halfway.

【0041】また、(E)成分の比表面積は、組成物の
粘度上昇を抑えるために2m/g以下の範囲とする必
要がある。2m/gを越える比表面積を有する球状シ
リカを分散させた組成物では粘度が上昇しすぎて流動性
が低下し、半導体ベアチップと接続基板との間への充填
が不良となる傾向にある。
The specific surface area of the component (E) must be within a range of 2 m 2 / g or less in order to suppress an increase in the viscosity of the composition. In a composition in which spherical silica having a specific surface area of more than 2 m 2 / g is dispersed, the viscosity is excessively increased, the fluidity is reduced, and the filling between the semiconductor bare chip and the connection substrate tends to be poor.

【0042】なお、無機充填剤の充填率を向上させるた
めに、(E)成分の平均粒径2〜10μmの範囲でかつ
比表面積が2m/g以下の範囲となるように、(E)
成分中30質量%以下での範囲で、粒径0.1〜1μm
程度の微小な球状シリカを併用してもよい。
In order to improve the filling rate of the inorganic filler, the component (E) is adjusted so that the average particle size of the component (E) is in the range of 2 to 10 μm and the specific surface area is in the range of 2 m 2 / g or less.
In the range of 30% by mass or less in the components, the particle size is 0.1 to 1 μm.
Spherical silica as small as may be used in combination.

【0043】(E)成分の使用割合は、(A)〜(E)
成分中、40〜85質量%の範囲、好ましくは50〜8
0質量%の範囲である。
The proportion of the component (E) used is (A) to (E)
In the components, it is in the range of 40 to 85% by mass, preferably 50 to 8%.
The range is 0% by mass.

【0044】(E)成分の使用量が40質量%より少な
い場合、得られる封止材組成物の硬化時の収縮応力が大
きくなる傾向にあり、半導体ベアチップが破壊されるこ
ともあり、また、85質量%を越える場合には封止材組
成物の粘度が高すぎる傾向にあり、フリップチップ用の
封止材組成物としての流動性が十分に得られない傾向に
ある。
When the use amount of the component (E) is less than 40% by mass, the obtained sealing material composition tends to have a large shrinkage stress upon curing, and the semiconductor bare chip may be destroyed. If it exceeds 85% by mass, the viscosity of the sealing material composition tends to be too high, and the fluidity as a sealing material composition for flip chips tends to be insufficient.

【0045】本発明の組成物には、更に必要に応じて、
各種添加剤を配合することができる。
The composition of the present invention may further comprise, if necessary,
Various additives can be blended.

【0046】例えば、カーボンブラック等の顔料、染
料、酸化防止剤、レベリング剤、分散剤、難燃剤、難燃
助剤、カップリング剤等が使用可能である。
For example, pigments such as carbon black, dyes, antioxidants, leveling agents, dispersants, flame retardants, flame retardant auxiliaries, coupling agents and the like can be used.

【0047】本発明の組成物は、前記した各種成分を配
合し、均一に混合することにより得ることができる。該
組成物の粘度は特に限定されるものではないが、その2
5℃における粘度は、1〜100Pa・sの範囲にある
ことが好ましい。この粘度が1Pa・sより低いと充填
中に無機充填剤が凝集してしまう傾向にあり、100P
a・sを越えるとフリップチップ用の組成物としては十
分な充填性が得られない傾向にある。
The composition of the present invention can be obtained by blending the above-mentioned various components and mixing them uniformly. The viscosity of the composition is not particularly limited.
The viscosity at 5 ° C. is preferably in the range of 1 to 100 Pa · s. If the viscosity is lower than 1 Pa · s, the inorganic filler tends to agglomerate during filling.
If the value exceeds a · s, there is a tendency that a sufficient filling property cannot be obtained as a composition for a flip chip.

【0048】また本発明の組成物は、その硬化物の曲げ
弾性率が0.1〜20GPaの範囲、より好ましくは1
〜15GPaの範囲であることが好ましい。
In the composition of the present invention, the cured product has a flexural modulus in the range of 0.1 to 20 GPa, more preferably 1 to 20 GPa.
It is preferably in the range of 15 GPa to 15 GPa.

【0049】曲げ弾性率が0.1GPaより小さいと十
分な耐熱密着性が得られない傾向にあり、また20GP
aを越えると半導体ベアチップをフリップチップに接続
している基板が有機基板である場合、双方の線膨張係数
が異なることによる半田リフロー工程での応力歪みを緩
和することができず、剥離を生じる可能性が高くなる傾
向にある。
When the flexural modulus is less than 0.1 GPa, sufficient heat-resistant adhesiveness tends not to be obtained.
Exceeding a, if the substrate connecting the semiconductor bare chip to the flip chip is an organic substrate, stress distortion in the solder reflow process due to the difference in the coefficient of linear expansion between the two cannot be relaxed, and peeling may occur. Tend to be higher.

【0050】本発明の半導体装置は、接続バンプで半導
体ベアチップを接続基板に実装した後、前記封止材組成
物を半導体ベアチップと接続基板の間に充填して硬化さ
せたものである。この充填方法は、特に限定されるもの
ではないが、例えば、従来公知の半田リフロー法にて、
半田バンプ等の接続バンプで半導体ベアチップを接続基
板に実装した後、50〜80℃雰囲気下で半導体ベアチ
ップの一辺に適量滴下し、毛細管現象を利用して充填す
る方法が挙げられる。
In the semiconductor device of the present invention, after the semiconductor bare chip is mounted on the connection substrate with the connection bump, the sealing material composition is filled between the semiconductor bare chip and the connection substrate and cured. This filling method is not particularly limited, for example, by a conventionally known solder reflow method,
A method of mounting a semiconductor bare chip on a connection board with connection bumps such as solder bumps, then dropping an appropriate amount of the semiconductor bare chip on one side of the semiconductor bare chip in an atmosphere of 50 to 80 ° C., and filling it by utilizing a capillary phenomenon.

【0051】充填した前記組成物を硬化させる方法とし
ては、特に限定されるものではないが、例えば、熱風オ
ーブン等の中で硬化させる温度が100〜220℃の範
囲で、15分〜4時間、熱硬化させる方法が挙げられ
る。また、加熱方法は、温度範囲をいくつかのステップ
に分けて実施してもよい。
The method of curing the filled composition is not particularly limited. For example, the curing temperature in a hot-air oven or the like is in the range of 100 to 220 ° C. for 15 minutes to 4 hours. A method of thermally curing is used. Further, the heating method may be implemented by dividing the temperature range into several steps.

【0052】硬化させる温度が100℃より低いと、本
発明の封止材組成物は十分に硬化しない傾向にあり、2
20℃を越えると、フリップチップに使用する接続基板
が有機基板の場合には熱分解してしまう傾向にある。
If the curing temperature is lower than 100 ° C., the encapsulant composition of the present invention tends to be insufficiently cured,
When the temperature exceeds 20 ° C., when the connection substrate used for the flip chip is an organic substrate, it tends to be thermally decomposed.

【0053】また、硬化時間は、15分より少ないと十
分に硬化が進まない傾向にあり、4時間を越えると生産
性の面で劣る傾向にある。
If the curing time is less than 15 minutes, the curing tends to not proceed sufficiently, and if it exceeds 4 hours, the productivity tends to be poor.

【0054】[0054]

【実施例】以下、実施例および比較例により本発明を具
体的に示す。
The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples.

【0055】[実施例1]エポキシ化合物、液状酸無水
物、アクリル系熱可塑性高分子、および無機充填剤を表
1に示す配合量で均一に混合し、三本ロールで分散して
8種の組成物を得た。得られた組成物を真空脱泡後、B
型粘度計を用いて25℃における粘度を測定した。その
結果は表1に示した。
Example 1 An epoxy compound, a liquid acid anhydride, an acrylic thermoplastic polymer, and an inorganic filler were uniformly mixed at the compounding amounts shown in Table 1, and dispersed with a three-roll mill to obtain eight kinds of materials. A composition was obtained. After defoaming the obtained composition under vacuum,
The viscosity at 25 ° C. was measured using a mold viscometer. The results are shown in Table 1.

【0056】この得られた8種の組成物について、それ
ぞれガラス基板上に10×10×0.4mmの半導体ベ
アチップを半田バンプを介して接合させ(半導体ベアチ
ップとガラス基板の距離は80μm)、80℃のホット
プレート上で半導体ベアチップの一辺から注入し、注入
反対側の一辺に組成物が流動し終えた時間を、充填時間
として測定した。
For each of the eight compositions thus obtained, a semiconductor bare chip of 10 × 10 × 0.4 mm was bonded on a glass substrate via a solder bump (the distance between the semiconductor bare chip and the glass substrate was 80 μm). Injection was performed from one side of the semiconductor bare chip on a hot plate at ° C., and the time when the composition finished flowing to one side on the opposite side of the injection was measured as the filling time.

【0057】この充填したものを、空気中、150℃、
1時間で硬化を行い、ガラス基板側から光学顕微鏡を用
いて組成物の充填状況を観察した。その結果は表1に示
した。
This filled material is heated at 150 ° C. in air.
Curing was performed for one hour, and the filling state of the composition was observed from the glass substrate side using an optical microscope. The results are shown in Table 1.

【0058】次に、ガラスエポキシ基板上に半田バンプ
を介した半導体ベアチップを接続したフリップチップ
に、前記8種の組成物を前記と同様にして注入して封止
し、30℃、70%PH、192時間放置後、ピーク温
度230℃のNリフロー槽に90秒間入れ、取り出し
た後、超音波探査映像装置で観察し、硬化した組成物の
剥離有無を耐熱耐湿密着性として評価した。その結果を
表1に示した。
Next, the above eight compositions were injected and sealed in a flip chip in which a semiconductor bare chip was connected via a solder bump on a glass epoxy substrate in the same manner as described above, and the mixture was then heated at 30 ° C. and 70% PH. After leaving for 192 hours, it was put into an N 2 reflow bath at a peak temperature of 230 ° C. for 90 seconds, taken out, observed with an ultrasonic probe, and the presence or absence of peeling of the cured composition was evaluated as heat resistance and humidity resistance. The results are shown in Table 1.

【0059】また、硬化した組成物の弾性率は、JIS
−K7171記載の標準試験片寸法(80mm×10m
m×4mm)の型に前記8種の組成物を充填し、150
℃、1時間硬化させて得たサンプルを用い、JIS−K
7171準拠の方法で測定した結果を表1に示した。
The modulus of elasticity of the cured composition is determined according to JIS.
-Standard size of test piece described in K7171 (80 mm x 10 m
m × 4 mm) were filled with the above eight compositions,
JIS-K using a sample obtained by curing at ℃ for 1 hour.
Table 1 shows the results measured by a method based on 7171.

【0060】[0060]

【表1】 なお、表中の(A)〜(E)成分の単位は、質量部であ
る。
[Table 1] The units of the components (A) to (E) in the table are parts by mass.

【0061】*1)()内の数値はエポキシ当量を示
す。
* 1) Numerical values in parentheses indicate epoxy equivalents.

【0062】*2)()内の数値は酸無水物当量を示
す。
* 2) Numerical values in parentheses indicate acid anhydride equivalents.

【0063】*3)充填途中で流動停止したため測定不
可。
* 3) Measurement was not possible because the flow stopped during filling.

【0064】YL983:油化シェルエポキシ社製ビス
フェノールF型エポキシ化合物(エポキシ当量169、
25度における粘度3700mPa・s) ERL4221:ユニオンカーバイド社製脂環式エポキ
シ化合物(エポキシ当量134、25℃における粘度4
00mPa・s) DME100:新日本理化社製脂環式エポキシ化合物
(エポキシ当量157、25℃における粘度60mPa・
s) W100:新日本理化社製脂肪式エポキシ化合物(エポ
キシ当量152、25℃における粘度21mPa・s) MT500:新日本理化社製メチルテトラヒドロ無水フ
タル酸(酸無水物当量170、25℃における粘度47
mPa・s) MH700:新日本理化社製メチルヘキサヒドロ無水フ
タル酸(酸無水物当量162、25℃における粘度65
mPa・s) P1:メタクリル酸メチル(37質量%)/メタクリル
酸n−ブチル(62質量%)/メタクリル酸(1質量
%)共重合体(重量平均分子量45000) P2:メタクリル酸メチル(94質量%)/アクリル酸
メチル(6質量%)共重合体(重量平均分子量1500
00) 2E4MZCN:1−シアノエチル−2−エチル−4−
メチルイミダゾール SSB515:イズミテック社製球状シリカ(平均粒径
6μm、最大粒径15μm、比表面積1.1m/g) QS4:三菱レイヨン社製球状シリカ(平均粒径4μ
m、最大粒径12μm、比表面積0.7m/g) SOE2:龍森社製球状シリカ(平均粒径0.5μm、
最大粒径2μm、比表面積8m/g) SSPF1:イズミテック社製溶融シリカ(平均粒径1
4μm、最大粒径40μm、比表面積5m/g)
YL983: Bisphenol F type epoxy compound manufactured by Yuka Shell Epoxy (epoxy equivalent: 169,
ERL4221: alicyclic epoxy compound manufactured by Union Carbide (epoxy equivalent 134, viscosity 4 at 25 ° C.)
DME100: an alicyclic epoxy compound manufactured by Shin-Nippon Rika Co., Ltd. (epoxy equivalent: 157, viscosity at 25 ° C .: 60 mPa · s)
s) W100: Fatty epoxy compound manufactured by Shin-Nippon Rika Co., Ltd. (epoxy equivalent: 152, viscosity at 25 ° C .: 21 mPa · s) MT500: Methyltetrahydrophthalic anhydride manufactured by Shin-Nippon Rika Co., Ltd. (acid anhydride equivalent: 170, viscosity at 25 ° C .: 47)
MH700: Methyl hexahydrophthalic anhydride manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd. (acid anhydride equivalent 162, viscosity at 25 ° C. 65)
m1: Pas) P1: Methyl methacrylate (37% by mass) / n-butyl methacrylate (62% by mass) / methacrylic acid (1% by mass) copolymer (weight average molecular weight: 45,000) P2: Methyl methacrylate (94% by mass) %) / Methyl acrylate (6% by mass) copolymer (weight average molecular weight 1500)
00) 2E4MZCN: 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-
Methylimidazole SSB515: Spherical silica manufactured by Izumi Tech (average particle size: 6 μm, maximum particle size: 15 μm, specific surface area: 1.1 m 2 / g) QS4: Spherical silica manufactured by Mitsubishi Rayon (average particle size: 4 μm)
m, maximum particle diameter 12 μm, specific surface area 0.7 m 2 / g) SOE2: spherical silica manufactured by Tatsumori (average particle diameter 0.5 μm,
Maximum particle size 2 μm, specific surface area 8 m 2 / g) SSPF1: fused silica manufactured by Izumi Tech Co. (average particle size 1
4 μm, maximum particle size 40 μm, specific surface area 5 m 2 / g)

【0065】[0065]

【発明の効果】このように、本発明は、液状エポキシ化
合物・液状酸無水物配合系封止材に含有させる充填剤を
球状でかつその比表面積を特定範囲内に限定したものと
し、さらに特定の高分子化合物を使用することによっ
て、低粘度で流動性に優れた組成物を得ることが可能に
なり、さらにこれをフリップチップ用封止材として用い
て得られる硬化物は耐熱密着性、耐湿性、曲げ弾性率が
良好であり、工業上非常に有益なものである。
As described above, according to the present invention, the filler contained in the encapsulant containing the liquid epoxy compound and the liquid acid anhydride is spherical and the specific surface area is limited to a specific range. By using a high molecular compound, it is possible to obtain a composition having a low viscosity and excellent fluidity, and a cured product obtained by using the composition as a sealing material for a flip chip has high heat resistance and moisture resistance. It has good properties and flexural modulus and is very useful industrially.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/31 Fターム(参考) 4J002 BG01X BG04X BG05X BG06X BG07X CD01W CD02W CD03W CD05W CD08W CD13W CD14W DJ016 EF127 EN068 EN108 ER008 ET008 EU038 EU048 EU118 EU138 EU178 EU188 FA086 FD016 FD147 FD158 GQ05 HA02 4J036 AA01 AD01 DA01 DB05 DB15 DB21 DC05 DC06 DC31 DC35 DC39 DC40 DC45 FA05 FB03 JA07 4M109 AA01 BA04 CA04 EA03 EA12 EC05 EC09 EC20 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat II (Reference) H01L 23/31 F-term (Reference) 4J002 BG01X BG04X BG05X BG06X BG07X CD01W CD02W CD03W CD05W CD08W CD13W CD14W DJ016 EF127 EN068 EN108 ER008 048008 EU0 EU118 EU138 EU178 EU188 FA086 FD016 FD147 FD158 GQ05 HA02 4J036 AA01 AD01 DA01 DB05 DB15 DB21 DC05 DC06 DC31 DC35 DC39 DC40 DC45 FA05 FB03 JA07 4M109 AA01 BA04 CA04 EA03 EA12 EC05 EC09 EC20

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(A)25℃において液状である環状骨格
含有エポキシ化合物、(B)25℃において液状の酸無
水物、(C)重量平均分子量100000以下のアクリ
ル系熱可塑性高分子、(D)硬化触媒 (E)平均粒径2〜10μm、比表面積2m2/g以下
の球状シリカからなる組成物であって、(E)成分を4
0〜85質量%含有することを特徴とする組成物。
1. An epoxy compound having a cyclic skeleton which is liquid at 25 ° C., an acid anhydride which is liquid at 25 ° C., an acrylic thermoplastic polymer having a weight average molecular weight of 100,000 or less, ) Curing catalyst (E) A composition comprising spherical silica having an average particle size of 2 to 10 μm and a specific surface area of 2 m 2 / g or less, wherein component (E) is 4
A composition comprising 0 to 85% by mass.
【請求項2】フリップチップ用液状封止材として用いる
ことを特徴とする請求項1記載の組成物。
2. The composition according to claim 1, which is used as a liquid sealing material for flip chips.
【請求項3】硬化物の25℃における曲げ弾性率が0.
1〜20GPaであることを特徴とする、請求項1記載の
組成物。
3. The cured product has a flexural modulus at 25.degree.
2. The composition according to claim 1, wherein the composition is 1 to 20 GPa.
【請求項4】請求項1又は3記載の組成物の硬化物で封
止した半導体装置。
4. A semiconductor device encapsulated with a cured product of the composition according to claim 1.
JP2000033596A 2000-02-10 2000-02-10 Composition, liquid sealing material composition for flip- chip, and semiconductor device Pending JP2001226562A (en)

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