JP2001223198A - Spin chuck device for washing sheet-type substrate, and sheet-type substrate washing device - Google Patents

Spin chuck device for washing sheet-type substrate, and sheet-type substrate washing device

Info

Publication number
JP2001223198A
JP2001223198A JP2000308339A JP2000308339A JP2001223198A JP 2001223198 A JP2001223198 A JP 2001223198A JP 2000308339 A JP2000308339 A JP 2000308339A JP 2000308339 A JP2000308339 A JP 2000308339A JP 2001223198 A JP2001223198 A JP 2001223198A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cleaning
wafer
chucking
spin chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000308339A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryoichi Okura
領一 大蔵
Miyuki Takaishi
みゆき 高石
Hiroshi Yamaguchi
弘 山口
Hideo Kamikawachi
秀夫 上川内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SES Co Ltd
M Tec Co Ltd
Original Assignee
SES Co Ltd
M Tec Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SES Co Ltd, M Tec Co Ltd filed Critical SES Co Ltd
Priority to JP2000308339A priority Critical patent/JP2001223198A/en
Publication of JP2001223198A publication Critical patent/JP2001223198A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spin chuck device that is suited for a sheet-type substrate washing device that utilizes the advantages of sheet-type wet washing, and can accurately perform washing in highly pure atmosphere. SOLUTION: A plurality of radial chucking arms 110 for composing a substrate supporting part 104 are connected to a cylinder device 111a that projects into and retreats from a vertical direction via a connection wire 111b for performing the projection operation of the cylinder device 111a, is led in to the inside in a diameter direction for chucking operation, and at the same time is pushed to the outside in the diameter direction for chucking cancellation operation, thus making compact and simplifying device structure, at the same time obtaining appropriate chucking force also for centrifugal force by high speed rotation, and effectively preventing a wafer from being damaged.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は枚葉式基板洗浄用
スピンチャック装置および枚葉式基板洗浄装置に関し、
さらに詳細には、半導体や電子部品等のディバイス製造
工程において、半導体ウェハ等を一枚ずつウェット洗浄
処理するための枚葉式ウェット洗浄システムにおける半
導体ウェハ等の洗浄用スピンチャック技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single wafer type substrate cleaning spin chuck apparatus and a single wafer type substrate cleaning apparatus.
More specifically, the present invention relates to a spin chuck technique for cleaning a semiconductor wafer or the like in a single wafer wet cleaning system for performing a wet cleaning process on a semiconductor wafer or the like one by one in a device manufacturing process of a semiconductor or an electronic component.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェハ等(以下単にウェハと称す
る)をウェット洗浄する方法としては、従来、複数の洗
浄槽が連続して配列されてなるウェットベンチタイプの
洗浄槽に対して、キャリアカセットに収納した複数枚の
ウェハを、またはキャリアカセットを省略して直接複数
枚のウェハを搬送装置により順次浸漬して処理するいわ
ゆるバッチ式ウェット洗浄が主流であったが、半導体装
置もサブミクロン時代を迎え、このような装置構造の微
細化、高集積化に伴って、ウェハの表面にも非常に高い
清浄度が要求されている昨今、より高い清浄度の要求を
満足するウェット洗浄技術として、密閉された洗浄室内
でウェハを一枚ずつカセットレスでウェット洗浄するい
わゆる枚葉式ウェット洗浄が開発提案されるに至った。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of wet cleaning a semiconductor wafer or the like (hereinafter simply referred to as a wafer), a wet bench type cleaning tank in which a plurality of cleaning tanks are continuously arranged is provided in a carrier cassette. So-called batch-type wet cleaning, in which a plurality of stored wafers or a plurality of wafers are directly immersed in a transfer device directly without a carrier cassette and processed, has been the mainstream, but semiconductor devices have also entered the submicron era. With the miniaturization and high integration of such device structures, very high cleanliness is also required on the surface of the wafer. A so-called single wafer wet cleaning in which wafers are wet-cleaned one by one in a cleaning chamber without a cassette has been developed and proposed.

【0003】この枚葉式ウェット洗浄にあっては、パー
ティクルの再付着等もなく高い清浄度雰囲気での洗浄を
高精度に行なうことができ、しかも装置構成が単純かつ
コンパクトで多品種少量生産にも有効に対応できるとい
う利点がある。
[0003] In this single wafer type wet cleaning, cleaning in a high cleanness atmosphere can be performed with high precision without reattachment of particles, etc. In addition, the apparatus configuration is simple and compact, and it is possible to produce many kinds of small quantities. Also has the advantage of being able to respond effectively.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のバッ
チ式および枚葉式ウェット洗浄のいずれにあっても、洗
浄装置自体が清浄度雰囲気に保たれたクリーンルーム内
に設置されていることから、装置本体は、床部やウェハ
搬入搬出部等が開放されるとともに、装置本体内の各ブ
ース間も互いに開放されるなど、作業性を優先した装置
構成が採用されていた。
In any of the conventional batch-type and single-wafer-type wet cleaning, the cleaning apparatus itself is installed in a clean room kept in a clean atmosphere. The main body employs an apparatus configuration that prioritizes workability, such as opening a floor, a wafer loading / unloading section, and the like, and opening each booth in the apparatus main body.

【0005】しかしながら、このような装置構成では、
洗浄処理後のウェハへのパーティクルの再付着や、ウェ
ハの洗浄処理に伴う洗浄液等の飛沫やウェハ自体からの
発塵による作業者への悪影響を完全に防止することがで
きず、また、装置本体の壁面全体に耐腐食性のコーティ
ングを施す必要もあり、装置コストが高いという問題も
あった。
However, in such an apparatus configuration,
It is not possible to completely prevent particles from re-adhering to the wafer after the cleaning process, or the harmful effect on the operator due to the splash of the cleaning liquid and the dust generated from the wafer itself during the cleaning process of the wafer. In addition, it is necessary to apply a corrosion-resistant coating to the entire wall surface, and there is a problem that the cost of the apparatus is high.

【0006】本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであって、その目的とするところは、密閉され
た洗浄室内でウェハを一枚ずつカセットレスでウェット
洗浄する枚葉式ウェット洗浄の利点を生かしつつも、さ
らにパーティクルの再付着等もなく高い清浄度雰囲気で
の洗浄を高精度に行なうことができ、しかも装置構成が
単純かつコンパクトでコストパーフォーマンスにも優れ
た基板洗浄システムに使用される枚葉式基板洗浄装置に
適した構成を備えた枚葉式基板洗浄用スピンチャック装
置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a single wafer wet cleaning in which a wafer is cleaned one by one in a closed cleaning chamber without using a cassette. A substrate cleaning system that can perform high-precision cleaning in a highly clean atmosphere without any redeposition of particles while taking advantage of the advantages described above, and has a simple and compact device configuration and excellent cost performance. An object of the present invention is to provide a single-wafer-type substrate cleaning spin chuck apparatus having a configuration suitable for a single-wafer-type substrate cleaning apparatus to be used.

【0007】本発明のもう一つの目的とするところは、
上記枚葉式基板洗浄用スピンチャック装置を備えて、上
記基板洗浄システムに適した構成を備えた枚葉式基板洗
浄装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to
An object of the present invention is to provide a single-wafer substrate cleaning apparatus having the above-described single-wafer substrate cleaning spin chuck apparatus and having a configuration suitable for the above-described substrate cleaning system.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の枚葉式基板洗浄用スピンチャック装置は、
一枚のウェハを支持する基板支持部が、ウェハの周縁部
をチャッキング支持する複数のチャッキングアームを備
えるとともに、これらチャッキングアームは、放射状に
配置されるとともに、開閉手段により放射方向へ往復移
動可能とされ、上記開閉手段は、上記回転軸内部に設け
られ、垂直方向へ突出退入するシリンダ装置と、このシ
リンダ装置と上記チャッキングアームを接続する可撓性
接続手段とを備えてなり、上記シリンダ装置の突出動作
により、上記可撓性接続手段を介して、上記チャッキン
グアームが径方向内側へ引き込まれて、チャッキング動
作し、一方、上記シリンダ装置の退入動作により、上記
可撓性接続手を介して、チャッキングアームが径方向外
側へ押し出されて、チャッキング解除動作するように構
成されていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a spin chuck apparatus for cleaning a single-wafer substrate according to the present invention comprises:
A substrate supporting portion for supporting one wafer includes a plurality of chucking arms for chucking and supporting a peripheral portion of the wafer, and the chucking arms are arranged radially and reciprocated in a radial direction by opening / closing means. The opening / closing means is provided inside the rotating shaft, and is provided with a cylinder device protruding and retracting in the vertical direction, and a flexible connecting means connecting the cylinder device and the chucking arm. By the projecting operation of the cylinder device, the chucking arm is pulled inward in the radial direction via the flexible connection means, and performs the chucking operation, while the retracting operation of the cylinder device allows the chucking arm to perform the chucking operation. The chucking arm is configured to be pushed out radially outward through the flexible connection hand to perform a chucking release operation. And it features.

【0009】好適な実施態様として、上記開閉手段は、
上記回転軸内部に設けられたシリンダ装置と、このシリ
ンダ装置と上記チャッキングアームを接続する接続ワイ
ヤと、上記チャッキングアームを常時チャッキング解除
方向へ弾発付勢する復帰スプリングとを備えてなり、上
記シリンダ装置の突出動作により、上記接続ワイヤを介
して、上記チャッキングアームが径方向内側へ引き込ま
れて、チャッキング動作し、一方、上記シリンダ装置の
退入動作により、復帰スプリングの弾性復帰力で、チャ
ッキングアームが径方向外側へ押し出されて、チャッキ
ング解除動作するように構成されている。
In a preferred embodiment, the opening and closing means includes:
A cylinder device provided inside the rotary shaft, a connection wire connecting the cylinder device and the chucking arm, and a return spring for constantly urging the chucking arm in the chucking release direction. By the projecting operation of the cylinder device, the chucking arm is pulled inward in the radial direction via the connection wire to perform the chucking operation, while the retracting operation of the cylinder device causes the return spring to return elastically. The chucking arm is pushed radially outward by force to perform a chucking release operation.

【0010】また、上記チャッキングアームの先端にウ
ェハの周縁部を水平状態でチャッキング支持するチャッ
キング爪が設けられるとともに、これらチャッキング爪
のチャッキング面は、ウェハの周縁部を点接触状態また
は線接触状態でかつ上下方向へ拘束状態で当接支持する
ように形成されている。好適には、上記チャッキング爪
のチャッキング面によるウェハの支持構造は、ウェハの
周縁部の若干の移動を許容して、ウェハの周縁部のチッ
ピングが防止される構造とされている。
Further, chucking claws for chucking and supporting the peripheral portion of the wafer in a horizontal state are provided at the tip of the chucking arm, and the chucking surfaces of the chucking claws make the peripheral portion of the wafer point-contact. Alternatively, it is formed so as to abut and support in a line contact state and in a vertically restricted state. Preferably, the wafer supporting structure by the chucking surface of the chucking claw is configured to allow a slight movement of the peripheral portion of the wafer to prevent chipping of the peripheral portion of the wafer.

【0011】また、本発明の枚葉式基板洗浄装置は、一
枚のウェハを水平状態で支持回転する基板回転手段と、
この基板回転手段に対して上下方向へ相対的に昇降動作
可能とされた洗浄チャンバとを備えてなり、この洗浄チ
ャンバの内周部に、環状洗浄槽が、上記基板回転手段に
支持されたウェハを取り囲むように同心状に、かつ上下
方向へ複数段に配列されてなり、上記基板回転手段が上
記枚葉式基板洗浄用スピンチャック装置から構成され、
このスピンチャック装置は、上記洗浄チャンバの中央部
に同心状に配置されていることを特徴とする。
Further, the single wafer type substrate cleaning apparatus of the present invention comprises: a substrate rotating means for supporting and rotating one wafer in a horizontal state;
A cleaning chamber operable up and down relative to the substrate rotating means, and an annular cleaning tank is provided on an inner peripheral portion of the cleaning chamber. Concentrically so as to surround, and arranged in a plurality of stages in the up and down direction, the substrate rotating means is constituted by the single wafer type substrate cleaning spin chuck device,
This spin chuck device is characterized in that it is arranged concentrically at the center of the cleaning chamber.

【0012】本発明の基板洗浄システムは、密閉可能に
構成された装置本体内に、洗浄処理前のウェハが複数枚
ストックされて搬入待機する基板搬入部および洗浄処理
後のウェハが複数枚ストックされて搬出待機する基板搬
出部とからなるローディング・アンローディングブース
と、ウェハを一枚ずつ複数の洗浄液で洗浄処理する少な
くとも一つの基板洗浄チャンバ装置を備える処理ブース
と、この処理ブースと上記ローディング・アンローディ
ングブースの間でウェハを一枚ずつ移載する移載ロボッ
トを備えるロボットブースとが設けられてなり、上記基
板洗浄チャンバ装置は上記枚葉式基板洗浄装置からなる
ことを特徴とする。
In the substrate cleaning system of the present invention, a plurality of wafers before the cleaning process are stocked in the main body of the apparatus which can be hermetically sealed and a plurality of wafers after the cleaning process are stocked. A loading / unloading booth comprising a substrate unloading section which stands by for unloading, a processing booth including at least one substrate cleaning chamber device for cleaning wafers one by one with a plurality of cleaning liquids, the processing booth and the loading / unloading apparatus. A robot booth including a transfer robot for transferring wafers one by one between the loading booths is provided, and the substrate cleaning chamber apparatus includes the single-wafer substrate cleaning apparatus.

【0013】本発明においては、密閉可能に構成された
装置本体内に、上記ローディング・アンローディングブ
ース、処理ブースおよびロボットブースが設けられると
ともに、上記基板洗浄チャンバ装置が上記枚葉式基板洗
浄装置から構成されて、ウェハを一枚ずつ処理する枚葉
式であることから、非常に高い清浄度雰囲気でかつパー
ティクル等の再付着もほとんどなく、ウェハ毎の精密な
処理を行なうことができ、基板洗浄装置の洗浄空間も小
さく、洗浄液も少量で済む。
In the present invention, the loading / unloading booth, the processing booth, and the robot booth are provided in an apparatus main body configured to be hermetically sealable, and the substrate cleaning chamber apparatus is provided from the single wafer type substrate cleaning apparatus. Since it is a single-wafer system that processes wafers one by one, it can perform precise processing for each wafer in an extremely high cleanliness atmosphere, with little reattachment of particles, etc. The washing space of the device is small, and the amount of washing liquid is small.

【0014】また、ウェハを一枚ずつ複数の洗浄液で洗
浄処理する、つまり一つの基板洗浄チャンバで全洗浄工
程を行なうワンチャンバ式であることから、洗浄工程に
おいてウェハの出し入れがなく、大気に触れて、金属汚
染、イオンあるいは酸素等の影響を受けることもなく、
各基板洗浄チャンバの構成も単純かつ小型化できる。
Further, since the wafer is cleaned one by one with a plurality of cleaning liquids, that is, the whole cleaning step is performed in one substrate cleaning chamber, the wafer is not taken in and out in the cleaning step and exposed to the atmosphere. Without being affected by metal contamination, ions or oxygen, etc.
The configuration of each substrate cleaning chamber can be simple and small.

【0015】また、上記枚葉式基板洗浄装置のスピンチ
ャック装置においては、基板支持部を構成する放射状の
複数のチャッキングアームが、垂直方向へ突出退入する
シリンダ装置と可撓性接続手段を介して接続されて、上
記シリンダ装置の突出動作により、上記チャッキングア
ームが径方向内側へ引き込まれて、チャッキング動作す
る一方、上記シリンダ装置の退入動作により、チャッキ
ングアームが径方向外側へ押し出されて、チャッキング
解除動作するように構成されていることにより、装置構
造が小型簡素であるとともに、高速回転による遠心力に
対しても適正なチャッキング力を得て、ウェハの破損を
有効に防止する。
Further, in the spin chuck apparatus of the single wafer type substrate cleaning apparatus, a plurality of radial chucking arms constituting a substrate support section are provided with a cylinder apparatus and a flexible connecting means which project and retreat in a vertical direction. The chucking arm is drawn inward in the radial direction by the projecting operation of the cylinder device, and performs the chucking operation, while the retracting operation of the cylinder device causes the chucking arm to move outward in the radial direction. The device is configured to be pushed out and released for chucking, so that the device structure is small and simple, and an appropriate chucking force against centrifugal force due to high-speed rotation is obtained, thus effectively damaging the wafer. To prevent.

【0016】さらに、スピンチャック装置がその上下方
向の移動を固定される一方、洗浄チャンバが、上記スピ
ンチャック装置に対して上下方向へ相対的に昇降動作可
能とされて、洗浄処理工程に応じて、上記洗浄チャンバ
の環状洗浄槽のいずれか一つが上記スピンチャック装置
に支持されたウェハに対応した位置に移動して位置決め
されるように構成されているから、高速回転する基板回
転手段の支持構造が単純かつ堅牢であり、このスピンチ
ャック装置の回転部つまり上記基板支持部に回転振動が
発生するのが有効に防止される。
Further, the vertical movement of the spin chuck device is fixed, and the cleaning chamber is vertically movable relative to the spin chuck device so as to be vertically movable. Since any one of the annular cleaning tanks of the cleaning chamber is configured to move to a position corresponding to the wafer supported by the spin chuck device, the supporting structure of the substrate rotating means that rotates at a high speed. Is simple and robust, and the occurrence of rotational vibration in the rotating portion of the spin chuck device, that is, the substrate supporting portion is effectively prevented.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0018】本発明に係る枚葉式基板洗浄装置を図1〜
図6に示す。この基板洗浄装置10は、具体的には、図
7〜図24に示す基板洗浄システムの一部を構成するも
のである。この基板洗浄システムは、具体的には、ウェ
ハWの洗浄を一枚ずつ行う基板洗浄チャンバ装置を基本
単位として構成されるものであり、上記基板洗浄装置1
0がこの基板洗浄チャンバ装置を構成している。
A single wafer type substrate cleaning apparatus according to the present invention is shown in FIGS.
As shown in FIG. This substrate cleaning apparatus 10 specifically constitutes a part of the substrate cleaning system shown in FIGS. Specifically, the substrate cleaning system includes a substrate cleaning chamber apparatus for cleaning wafers W one by one as a basic unit.
Reference numeral 0 constitutes the substrate cleaning chamber device.

【0019】基板洗浄システムは、清浄雰囲気とされた
クリーンルーム内に設置される。基板洗浄システムは、
密閉可能に構成された装置本体1内に、ローディング・
アンローディングブースA、ロボットブースBおよび処
理ブースCが設けられてなり、これら各ブースA,B,
Cが隔壁2,3をもって区画形成されている。
The substrate cleaning system is installed in a clean room in a clean atmosphere. The substrate cleaning system
Loading and
An unloading booth A, a robot booth B and a processing booth C are provided, and these booths A, B,
C is defined by partitions 2 and 3.

【0020】図示の実施形態においては、装置本体1の
前後両側にローディング・アンローディングブースAと
処理ブースCがそれぞれ配置されるとともに、これらロ
ーディング・アンローディングブースAと処理ブースC
との間にロボットブースBが介装されてなり、上記ロー
ディング・アンローディングブースAの前面側に装置本
体1外部のオペレーティング空間Oに開放可能な開閉口
4,5が設けられている。また、処理ブースC内には、
複数台(図示のものにおいては2台)の基板洗浄装置1
0,10が配置されてなるツーチャンバ方式とされてい
る。
In the illustrated embodiment, a loading / unloading booth A and a processing booth C are disposed on both front and rear sides of the apparatus main body 1, respectively.
A robot booth B is interposed therebetween, and opening / closing ports 4 and 5 are provided on the front side of the loading / unloading booth A so as to be openable to an operating space O outside the apparatus main body 1. In the processing booth C,
A plurality (two in the figure) of substrate cleaning apparatuses 1
It is a two-chamber system in which 0 and 10 are arranged.

【0021】上記基板洗浄装置10は、それぞれ洗浄液
の供給源である洗浄液供給装置Dに連係されるととも
に、各ブースおよび装置A〜Dは、システム制御装置E
により相互に連動して駆動制御される構成とされてい
る。以下、まず基板洗浄装置10が配置される処理ブー
スCについて具体的に説明する。
The substrate cleaning apparatus 10 is linked to a cleaning liquid supply apparatus D, which is a supply source of the cleaning liquid, and each of the booths and apparatuses A to D includes a system control apparatus E.
Are driven and controlled in conjunction with each other. Hereinafter, first, the processing booth C in which the substrate cleaning apparatus 10 is disposed will be specifically described.

【0022】I.処理ブースC:処理ブースCは、ウェ
ハWを一枚ずつ複数の洗浄液で洗浄処理する少なくとも
一つの枚葉式基板洗浄装置10を備えてなり、図示の実
施形態においては、上述したように、2台の基板洗浄装
置10,10を備えてなるツインチャンバ方式が採用さ
れてなる。なお、スループット対策として、基板洗浄装
置10を適宜増加させて、3チャンバ方式、4チャンバ
方式としても良い。
I. Processing booth C: The processing booth C includes at least one single-wafer-type substrate cleaning apparatus 10 for cleaning wafers W one by one with a plurality of cleaning liquids. A twin-chamber system including the substrate cleaning apparatuses 10, 10 is adopted. As a measure against the throughput, the number of the substrate cleaning apparatuses 10 may be appropriately increased, and a three-chamber system or a four-chamber system may be used.

【0023】基板洗浄装置10は、図1〜図6に示すよ
うに、相対的な上下方向移動が可能な洗浄チャンバ80
とスピンチャック装置81とを主要部として構成されて
おり、スピンチャック装置81は、洗浄チャンバ80の
中央部に同心状に配置されている。
As shown in FIGS. 1 to 6, the substrate cleaning apparatus 10 includes a cleaning chamber 80 which can be moved up and down relatively.
And a spin chuck device 81 as main parts, and the spin chuck device 81 is concentrically arranged at the center of the cleaning chamber 80.

【0024】スピンチャック装置81は、一枚のウェハ
Wをスピン洗浄時およびスピン乾燥時において水平状態
にチャック支持しながら水平回転させるもので、図3〜
図6に示すように、回転軸103の先端部分に基板支持
部104が水平状態で取付け支持されるとともに、この
回転軸103を回転駆動する駆動モータ105を備えて
なる。
The spin chuck device 81 rotates a single wafer W horizontally while supporting the chuck in a horizontal state during spin cleaning and spin drying.
As shown in FIG. 6, a substrate supporting portion 104 is mounted and supported on a tip portion of the rotating shaft 103 in a horizontal state, and a drive motor 105 for rotating the rotating shaft 103 is provided.

【0025】基板支持部104および回転軸103は、
軸受支持筒体106を介して、洗浄チャンバ80の中央
部に同心状に回転可能に配置されており、基板支持部1
04に一枚のウェハWを水平状態に支持する構成とされ
ている。
The substrate support 104 and the rotating shaft 103 are
The substrate support portion 1 is rotatably disposed concentrically at the center of the cleaning chamber 80 via the bearing support cylinder 106.
04 is configured to support one wafer W in a horizontal state.

【0026】具体的には、基板支持部104は、図4〜
図6に示すように、ウェハWの周縁部をチャッキング支
持する複数(図示のものにおいては6本)のチャッキン
グアーム110,110,…を備えてなる。
More specifically, the substrate support 104 is provided with the components shown in FIGS.
As shown in FIG. 6, a plurality of (six in the illustrated example) chucking arms 110, 110,... For chucking and supporting the peripheral portion of the wafer W are provided.

【0027】これらチャッキングアーム110,11
0,…は、図示のごとく、水平な状態で放射状に配置さ
れるとともに、開閉機構(開閉手段)111により放射
方向へ往復移動可能とされている。
These chucking arms 110 and 11
Are arranged radially in a horizontal state as shown in the figure, and can be reciprocated in the radial direction by an opening / closing mechanism (opening / closing means) 111.

【0028】チャッキングアーム110,110,…の
先端にそれぞれ設けられたチャッキング爪112,11
2,…は、互いに同一高さになるように設定されてお
り、これにより、チャッキング時において、ウェハWの
周縁部を水平状態でチャッキング支持する。
The chucking claws 112, 11 provided at the tips of the chucking arms 110, 110,.
Are set so as to be at the same height as each other, thereby chucking and supporting the peripheral portion of the wafer W in a horizontal state during chucking.

【0029】また、チャッキング爪112のチャッキン
グ面112aは、ウェハWの周縁部の断面形状に対応し
た断面形状を有している。つまり、具体的には図示しな
いが、チャッキング面112aは上下方向に傾斜した直
角平面とされて、ウェハWの矩形断面の周縁部に対し
て、その周縁角部を点接触状態または線接触状態で当接
支持するように形成されている。
The chucking surface 112a of the chucking claw 112 has a sectional shape corresponding to the sectional shape of the peripheral portion of the wafer W. That is, although not specifically shown, the chucking surface 112a is a right-angled plane inclined in the vertical direction, and the peripheral edge of the rectangular cross section of the wafer W is in a point contact state or a line contact state. It is formed so as to be in contact with and supported by.

【0030】これにより、チャッキングアーム110,
110,…のチャッキング時において、ウェハWの周縁
部は、上記チャッキング面112a,112a,…によ
り上下方向へ拘束状態で支持されることとなる。また、
この支持状態は、ウェハWの周縁部を固定的ではなく、
周縁部の若干の移動を許容する程度に設定されている。
このような構成とされることにより、ウェハWの周縁部
のみを支持するため、ウェハWの裏側の汚染がない、チ
ャッキング面112aがウェハWの周縁部の断面形状に
対応しているため、ウェハW周縁部のチッピングがない
等の効果を有する。
Thus, the chucking arms 110,
During the chucking of the wafers 110,..., The peripheral portion of the wafer W is supported by the chucking surfaces 112a, 112a,. Also,
In this supporting state, the peripheral portion of the wafer W is not fixed,
The setting is such that a slight movement of the peripheral portion is allowed.
With this configuration, since only the peripheral portion of the wafer W is supported, there is no contamination on the back side of the wafer W, and the chucking surface 112a corresponds to the cross-sectional shape of the peripheral portion of the wafer W. This has the effect that there is no chipping at the peripheral portion of the wafer W.

【0031】上記開閉機構111は、上記回転軸103
内部に設けられたシリンダ装置111aと、このシリン
ダ装置111aと上記チャッキングアーム110,11
0,…を接続する可撓性接続手段111b,111b,
…とを備えてなる。
The opening / closing mechanism 111 includes the rotating shaft 103
A cylinder device 111a provided therein, and the cylinder device 111a and the chucking arms 110 and 11
, Flexible connection means 111b, 111b,
….

【0032】図示の実施形態においては、上記シリンダ
装置111aは、回転軸103内部に垂直上向きに設け
られ、そのピストンロッド120(図6参照)が垂直方
向へ突出退入するように構成されている。また、可撓性
接続手段111bとしては、上記ピストンッド120と
上記チャッキングアーム110,110,…を接続する
接続ワイヤが用いられており、これに関連して、チャッ
キングアーム110,110,…を常時チャッキング解
除方向へ弾発付勢する復帰スプリング111c,111
c,…が設けられている。
In the illustrated embodiment, the cylinder device 111a is provided vertically upward inside the rotary shaft 103, and is configured such that its piston rod 120 (see FIG. 6) projects and retracts in the vertical direction. . Also, as the flexible connection means 111b, a connection wire for connecting the piston rod 120 and the chucking arms 110, 110,... Is used. In connection with this, the chucking arms 110, 110,. Return springs 111c, 111 that constantly urge in the chucking release direction
c,... are provided.

【0033】そして、上記シリンダ装置111aの突出
動作により、接続ワイヤ111b,111b,…を介し
て、チャッキングアーム110,110,…が径方向内
側へ引き込まれて、チャッキング動作する。一方、シリ
ンダ装置111aの退入動作により、復帰スプリング1
11c,111c,…の弾性復帰力で、チャッキングア
ーム110,110,…が径方向外側へ押し出されて、
チャッキング解除動作する。
The chucking arms 110, 110,... Are drawn inward in the radial direction through the connection wires 111b, 111b,. On the other hand, the return spring 1 is caused by the retreat operation of the cylinder device 111a.
With the elastic return force of 11c, 111c,..., The chucking arms 110, 110,.
The chucking release operation is performed.

【0034】また、回転軸103は、軸受支持筒体10
6を介して起立状に回転支持されるとともに、その下端
部が駆動モータ105にベルト駆動可能に接続されてお
り、この駆動モータ105の駆動により回転駆動され
て、上記基板支持部104が所定の回転数をもって回転
される構成とされている。図示の実施形態においては、
軸受支持筒体106の回転速度は、スピン洗浄処理時に
おいては40〜50r.p.m.に設定されるとともに、スピ
ン乾燥時においては約3000r.p.m.に設定されてい
る。
The rotating shaft 103 is mounted on the bearing support cylinder 10.
6, the lower end portion thereof is connected to a drive motor 105 so as to be capable of driving a belt, and is driven to rotate by the drive motor 105, so that the substrate support portion 104 is fixed to a predetermined position. It is configured to be rotated with the number of rotations. In the illustrated embodiment,
The rotation speed of the bearing support cylinder 106 is set to 40 to 50 rpm during the spin cleaning process, and is set to about 3000 rpm during the spin drying.

【0035】洗浄チャンバ80は、その内周部に、上下
方向に配列された複数(図示の実施形態においては4
つ)の円環状処理槽85〜88を備えるとともに、上下
方向へ昇降動作可能な構成とされている。
A plurality of cleaning chambers 80 (in the illustrated embodiment, four cleaning chambers 80 are arranged in
), And is configured to be able to move up and down in the vertical direction.

【0036】具体的には、洗浄チャンバ80は、開閉可
能な基板搬入出用ゲート90を備えた密閉容器の形態と
され、薬液供給部91、不活性気体供給部92およびド
レン部93,94等を備えてなる。
More specifically, the cleaning chamber 80 is in the form of a closed container having a gate 90 for opening and closing the substrate, which can be opened and closed, and a chemical solution supply section 91, an inert gas supply section 92, and drain sections 93 and 94. Is provided.

【0037】洗浄チャンバ80は、一枚のウェハWを収
容する密閉可能な単一洗浄槽構成とされており、上部処
理待機部95と下部処理部96とからなる。
The cleaning chamber 80 has a sealable single cleaning tank structure for accommodating one wafer W, and includes an upper processing standby section 95 and a lower processing section 96.

【0038】上部処理待機部95は、ウェハWを搬入出
する部位で、その側部には、ウェハWを搬入出するため
の上記ゲート90が設けられるとともに、その上半部に
は、チャンバカバー95aがワンタッチにて取外し可能
に設けられており、洗浄チャンバ80内のメンテナンス
が容易に行える構造とされている。
The upper processing standby portion 95 is a portion for loading and unloading the wafer W. The gate 90 for loading and unloading the wafer W is provided on a side portion thereof. 95a is provided so as to be detachable with one touch, so that the maintenance inside the cleaning chamber 80 can be easily performed.

【0039】上記ゲート90は、洗浄チャンバ80の基
板搬入出口を構成する開閉可能なもので、具体的には、
ゲート90は、ウェハWを水平状態で保持した上記移載
ロボット70のハンド部70a,70bが通過し得る開
口面積を有する。また、上記ゲート90の扉90aは、
エアシリンダ等の駆動源により、上下方向へ開閉可能に
気密・水密性をもって閉塞される。
The gate 90 is an openable / closable gate constituting a substrate loading / unloading port of the cleaning chamber 80.
The gate 90 has an opening area through which the hand units 70a and 70b of the transfer robot 70 holding the wafer W in a horizontal state can pass. The door 90a of the gate 90 is
It is closed airtight and watertight so that it can be opened and closed vertically by a drive source such as an air cylinder.

【0040】また、上部処理待機部95内には、上記薬
液供給部91と不活性気体供給部92が設けられてい
る。
In the upper processing standby section 95, the chemical liquid supply section 91 and the inert gas supply section 92 are provided.

【0041】薬液供給部91は、スピンチャック装置8
1に支持されたウェハWの表面に洗浄液を供給するもの
で、具体的には、スピンチャック装置81の基板支持部
104に支持されたウェハWの表面に上側から洗浄液を
噴射供給する噴射ノズルの形態とされている。
The chemical solution supply section 91 includes a spin chuck 8
The cleaning nozzle supplies the cleaning liquid to the surface of the wafer W supported by the substrate holding unit 104 of the spin chuck device 81 from above. It is a form.

【0042】この噴射ノズル91は、上記洗浄チャンバ
80の上部処理待機部95内において、下向き状態で水
平旋回可能に設けられるとともに、洗浄液供給装置Dに
連通可能とされている。97は噴射ノズル91のスイン
グ用の駆動モータを示している。
The injection nozzle 91 is provided in the upper processing standby section 95 of the cleaning chamber 80 so as to be horizontally pivotable in a downward state and can communicate with the cleaning liquid supply device D. Reference numeral 97 denotes a driving motor for swinging the injection nozzle 91.

【0043】そして、噴射ノズル91は、スピンチャッ
ク装置81の基板支持部104に水平状態で回転支持さ
れるウェハWの表面に対して、その外周から中心にわた
って水平旋回しながら、あるいは水平旋回して静止後に
洗浄液を噴射供給する。
The spray nozzle 91 rotates horizontally or from the outer periphery to the center with respect to the surface of the wafer W which is horizontally supported by the substrate supporting portion 104 of the spin chuck device 81. After stopping, the cleaning liquid is injected and supplied.

【0044】図示の実施形態においては、噴射ノズル9
1には、供給すべき洗浄液の種類に対応した数のノズル
口が設けられ、具体的には、4つのノズル口が設けられ
ており(図示省略)、それぞれ後述するAPM液,純
水、DHF液、N2 の供給口として機能する。これらの
ノズル口は、楕円テーパ形状に形成されており、ウェハ
Wの表面に広く楕円形状に供給されるように構成されて
いる。これにより、ウェハWの回転動作と協働して、ウ
ェハW表面に対する洗浄液の供給分布が迅速かつ均一に
なる。
In the illustrated embodiment, the injection nozzle 9
1 is provided with a number of nozzle ports corresponding to the type of the cleaning liquid to be supplied, specifically, four nozzle ports (not shown), each of which is described below with an APM liquid, pure water, and DHF. Functions as a supply port for liquid and N 2 . These nozzle openings are formed in an elliptical tapered shape, and are configured to be supplied to the surface of the wafer W in an elliptical shape widely. Thereby, in cooperation with the rotation operation of the wafer W, the supply distribution of the cleaning liquid to the surface of the wafer W becomes quick and uniform.

【0045】不活性気体供給部92は、洗浄チャンバ8
0内の洗浄液を排出置換するための不活性気体を供給す
るもので、上部処理待機部95の頂部に設けられるとと
もに、不活性気体供給源(図示省略)に連通可能とされ
ている。図示の実施形態においては、不活性気体として
2 が用いられる。また、上記不活性気体供給源は、上
記噴射ノズル91にも連通可能とされて、この噴射ノズ
ル91も、不活性気体供給部として機能しうる構成とさ
れている。
The inert gas supply section 92 is provided in the cleaning chamber 8.
It supplies an inert gas for discharging and replacing the cleaning liquid in the chamber 0. The inert gas is provided at the top of the upper processing standby section 95 and can communicate with an inert gas supply source (not shown). In the illustrated embodiment, N 2 is used as the inert gas. Further, the inert gas supply source can be communicated with the injection nozzle 91, and the injection nozzle 91 is configured to function as an inert gas supply unit.

【0046】下部処理部95は、ウェハWを洗浄処理す
る部位で、その内径寸法は、後述するように、スピンチ
ャック装置81の基板支持部104との関係で設定され
ている。具体的には、図3に示すように、下部処理部9
6の内周部に、前記円環状処理槽85〜88が、スピン
チャック装置81の基板支持部104に支持されたウェ
ハWを取り囲むように同心状に、かつ上下方向へ4段に
配列されてなる。そして、これら円環状処理槽85〜8
8の内径縁が、上記スピンチャック装置81の基板支持
部104の外径縁と非接触で、かつこれら両縁の間に形
成される環状隙間が、洗浄液等の下側への漏れを阻止す
る程度の微小間隔となるように設定されている。
The lower processing part 95 is a part for cleaning the wafer W. The inner diameter of the lower processing part 95 is set in relation to the substrate support part 104 of the spin chuck device 81 as described later. Specifically, as shown in FIG.
6, the annular processing tanks 85 to 88 are arranged concentrically so as to surround the wafer W supported by the substrate supporting unit 104 of the spin chuck device 81 and arranged in four stages in the vertical direction. Become. And these annular processing tanks 85-8
The inner peripheral edge of the spin chuck 8 does not contact the outer peripheral edge of the substrate support portion 104 of the spin chuck device 81, and the annular gap formed between the two edges prevents leakage of the cleaning liquid or the like to the lower side. The interval is set to be a minute interval.

【0047】また、下部処理部96内には、前述した4
つの円環状処理槽85〜88が上下方向に多段式または
層状に設けられるとともに、各処理槽85〜88と下部
処理部96の底部96aには、装置外部へ連通する上記
ドレン部93,94がそれぞれ設けられており、これら
ドレン部93,94を介して、各処理槽85〜88内の
洗浄液または不活性気体が装置外部へ排出される。ま
た、各処理槽85〜88のドレン部93は、洗浄処理が
行われる際のみ開口して、他の処理槽における洗浄処理
が行われている場合には閉塞される構成とされている。
In the lower processing unit 96, the above-described 4
The two annular processing tanks 85 to 88 are provided in a multi-stage or layered manner in the vertical direction, and the drain sections 93 and 94 communicating with the outside of the apparatus are provided in each processing tank 85 to 88 and the bottom 96 a of the lower processing section 96. The cleaning liquid or the inert gas in each of the processing tanks 85 to 88 is discharged to the outside of the apparatus via the drain portions 93 and 94. The drain portions 93 of the processing tanks 85 to 88 are opened only when the cleaning processing is performed, and are closed when the cleaning processing is performed in another processing tank.

【0048】また、洗浄チャンバ80は、昇降ガイドで
あるLMガイド98を介して上下方向へ垂直に昇降可能
に支持されるとともに、スピンチャック装置81の基板
支持部104に対して所定ストローク分ずつ昇降動作す
る昇降手段としての昇降機構100を備えている。
Further, the cleaning chamber 80 is vertically vertically supported via an LM guide 98 which is an elevating guide, and is moved up and down by a predetermined stroke with respect to the substrate supporting portion 104 of the spin chuck device 81. An elevating mechanism 100 is provided as operating elevating means.

【0049】この昇降機構100は、具体的には、図3
に示すように、洗浄チャンバ80を支える支持フレーム
99を昇降動作させる送りねじ機構100aと、この送
りねじ機構100aを回転駆動させる駆動モータ100
bとからなる。
This elevating mechanism 100 is, specifically, shown in FIG.
As shown in FIG. 5, a feed screw mechanism 100a for raising and lowering a support frame 99 supporting the cleaning chamber 80, and a drive motor 100 for rotating the feed screw mechanism 100a.
b.

【0050】そして、後述するスピンチャック装置81
の動作と連動する駆動モータ100bの駆動により、送
りねじ機構100aを介して、洗浄チャンバ80が、上
下方向へ所定ストロークずつ昇降されて、洗浄処理工程
を行うべき円環状処理槽85〜88のいずれか一つの処
理槽が、上記回転装置81の基板支持部104に対し
て、その高さ方向を選択的に位置決めされる。
Then, a spin chuck device 81 to be described later is used.
The cleaning chamber 80 is moved up and down by a predetermined stroke in the vertical direction through the feed screw mechanism 100a by the drive of the drive motor 100b interlocked with the operation of the above. One of the processing tanks is selectively positioned in the height direction with respect to the substrate support 104 of the rotating device 81.

【0051】しかして、上記構成とされた基板洗浄装置
10においては、上記洗浄チャンバ80の上下方向への
昇降により、スピンチャック装置81の基板支持部10
4に支持されたウェハWと上記洗浄チャンバ80の処理
槽85〜88のいずれかとの位置決めが選択的になされ
るとともに、スピンチャック装置81により、基板支持
部104に支持されたウェハWが所定の回転速度をもっ
て水平回転される。
Thus, in the substrate cleaning apparatus 10 having the above-described structure, the vertical direction of the cleaning chamber 80 causes the substrate supporting section 10 of the spin chuck apparatus 81 to move upward and downward.
4 is selectively positioned between the wafer W supported by the substrate support 4 and one of the processing tanks 85 to 88 of the cleaning chamber 80, and the wafer W supported by the substrate supporting unit 104 is moved to a predetermined position by the spin chuck device 81. It is rotated horizontally with the rotation speed.

【0052】上述したように、基板洗浄装置10の構成
は、スピンチャック装置81が上下方向の移動が固定さ
れるとともに、上記洗浄チャンバ80が上下方向へ昇降
するようにされていることにより、高速回転するスピン
チャック装置81の支持構造が単純かつ堅牢であり、ス
ピンチャック装置81の回転部つまり基板支持部104
に回転振動の発生が有効に防止されて、この結果、下部
処理部96の内径縁とスピンチャック装置81の基板支
持部104の外径縁との微小隙間が正確に保持されて、
洗浄液等の下側への漏れが、長期にわたり安定して阻止
され得るという利点が得られる。しかしながら、目的に
応じて、この逆の構成、つまり、スピンチャック装置8
1が上下方向の移動も担保する構造を備えるとともに、
上記洗浄チャンバ80が上下方向へ固定的な構造も採用
可能である。
As described above, the structure of the substrate cleaning apparatus 10 has a high speed because the vertical movement of the spin chuck device 81 is fixed and the cleaning chamber 80 moves up and down. The supporting structure of the rotating spin chuck device 81 is simple and robust, and the rotating portion of the spin chuck device 81, that is, the substrate supporting portion 104
As a result, a minute gap between the inner peripheral edge of the lower processing unit 96 and the outer peripheral edge of the substrate support unit 104 of the spin chuck device 81 is accurately held,
The advantage is obtained that leakage to the lower side of the cleaning liquid or the like can be stably prevented for a long period of time. However, depending on the purpose, the reverse configuration, that is, the spin chuck device 8
1 is equipped with a structure that also guarantees vertical movement,
It is also possible to adopt a structure in which the cleaning chamber 80 is fixed vertically.

【0053】続いて、図7〜図24を参照して、上記基
板洗浄システムの装置本体1およびその他の構成ブース
A,Cについて、具体的に説明する。
Next, referring to FIGS. 7 to 24, the apparatus main body 1 of the substrate cleaning system and the other booths A and C will be specifically described.

【0054】II.装置本体1:装置本体1は、上述した
ように、装置本体1内の清浄度を維持促進する目的か
ら、外部のクリーンルームに対して密閉可能な構造が採
用されている。
II. Apparatus main body 1: As described above, the apparatus main body 1 has a structure that can be hermetically sealed in an external clean room for the purpose of maintaining and promoting the cleanliness inside the apparatus main body 1.

【0055】装置本体1の外周壁は、鋼鈑の表面に耐酸
塗装処理が施されるとともに、上記処理ブースCの内壁
面のみ、鋼板の外周に耐腐食性材料による被覆処理、具
体的には塩化ビニル樹脂(PVC)の被覆処理が施され
て、洗浄液に対する耐腐食性が確保されている。このよ
うに、処理ブースCの内壁面のみ耐腐食性処理が施され
れば良いのは、装置本体1内の各ブースA,B,Cが隔
壁2,3をもってできるだけ隔離された空間を形成して
いるからであり、このような壁面構造とすることによ
り、装置フレーム製作上のコストダウン化と、施工時間
の短縮化が図られている。
The outer peripheral wall of the apparatus body 1 is subjected to an acid-resistant coating treatment on the surface of the steel plate, and only the inner wall surface of the treatment booth C is coated with a corrosion-resistant material on the outer periphery of the steel plate, specifically, A coating treatment with a vinyl chloride resin (PVC) is performed to ensure corrosion resistance to the cleaning liquid. As described above, the corrosion resistance treatment only needs to be performed on the inner wall surface of the processing booth C because the booths A, B, and C in the apparatus main body 1 form spaces as isolated as possible by the partitions 2 and 3. By adopting such a wall structure, cost reduction in manufacturing the device frame and shortening of the construction time are achieved.

【0056】装置本体1の前壁面には、図7に示すよう
に、ローディング・アンローディングブースAのための
ローダ口11とアンローダ口12が設けられており、こ
れら両開口11,12は、後述するようにウェハW,
W,…を収容したキャリアを上下二段に挿入可能な開口
面積を有するとともに、内部を視認可能な透明カバーに
よるオートシャッタ機構が採用されて、上下にスライド
して自動開閉可能な密閉構造とされている。これによ
り、ローディング・アンローディングブースA内にクリ
ーンルームからのパーティクル等の侵入が最小限度に抑
えられている。13はHEPAフィルタを示しており、
このHEPAフィルタ13を介して、ローディング・ア
ンローディングブースA内に清浄化空気が吸入される。
14はタッチパネルを兼ねるディスプレイを示してお
り、このディスプレイ14により各種のレシピやパラメ
ータによる装置プログラムの運用方式が設定される。デ
ィスプレイ14の右側には、非常停止ボタン(赤)15
と一時停止ボタン(緑)16が設けられ、さらにその右
隣に、操作盤を接続するためのハンドペンダクトコネク
タ17およびパトライト18が設けられている。また、
上記ディスプレイ14の左側には警報ブザー20が設け
られるとともに、その下側に各種構成装置の起動停止を
行うオン・オフスイッチ21が設けられている。上記デ
ィスプレイ14の上側には、主として装置の電装系統や
シーケンサ等の各電装部のロック機構付き開閉ドア2
2、23が並列に設けられている。さらに、前壁面下部
には、ローディング・アンローディングブースAの各種
駆動機構用のメカメンテ口24、25が開閉可能に設け
られている。
As shown in FIG. 7, a loader opening 11 and an unloader opening 12 for a loading / unloading booth A are provided on the front wall surface of the apparatus main body 1. Both openings 11, 12 are described later. Wafer W,
An automatic shutter mechanism with a transparent cover that allows the carrier housing W,. ing. Accordingly, the intrusion of particles and the like from the clean room into the loading / unloading booth A is minimized. Reference numeral 13 denotes a HEPA filter,
The cleaning air is sucked into the loading / unloading booth A via the HEPA filter 13.
Reference numeral 14 denotes a display which also serves as a touch panel. The display 14 is used to set the operation system of the device program based on various recipes and parameters. On the right side of the display 14, an emergency stop button (red) 15
And a pause button (green) 16, and a hand pen duct connector 17 and a patrol light 18 for connecting an operation panel are provided on the right side thereof. Also,
An alarm buzzer 20 is provided on the left side of the display 14, and an on / off switch 21 for starting and stopping various components is provided below the alarm buzzer 20. On the upper side of the display 14, an opening / closing door 2 with a lock mechanism for each electrical unit such as an electrical system of a device or a sequencer is mainly provided.
2, 23 are provided in parallel. Further, mechanic maintenance ports 24 and 25 for various driving mechanisms of the loading / unloading booth A are provided at the lower portion of the front wall so as to be openable and closable.

【0057】装置本体1の右側壁面には、図8に示すよ
うに、中央部分に搬送系統のための開口30が設けられ
ており、この開口30は、内部を視認可能な透明カバー
によるオートシャッタ機構が採用されて、自動開閉可能
な密閉構造とされている。また、この開口30の周囲に
は、各種のメンテ口31〜34が開閉可能に設けられて
いる。
As shown in FIG. 8, an opening 30 for a transport system is provided at the center of the right side wall of the apparatus main body 1, and this opening 30 is provided with an automatic shutter with a transparent cover that allows the inside to be viewed. A mechanism is adopted to provide a closed structure that can be automatically opened and closed. Around the opening 30, various maintenance ports 31 to 34 are provided so as to be openable and closable.

【0058】装置本体1の左側壁面には、図9に示すよ
うに、中央部分に、ロボットブースBのロボットメンテ
用開口40が設けられており、この開口40は、作業者
が出入りできる程度の開口面積を有するとともに、キー
スイッチ付きのドアにより開閉可能とされて、キーを差
し込んで解除すると、装置の通電がオフ(ポーズ状態)
になるような安全対策が施されている。また、開口40
の両側には、ローディング・アンローディングブースA
内を視認するための視認窓41と処理ブースC内を視認
するための視認窓42がそれぞれ設けられており、その
下側にはそれぞれメンテ口43,44が設けられてい
る。
As shown in FIG. 9, an opening 40 for robot maintenance of the robot booth B is provided at the center of the left side wall of the apparatus main body 1 as shown in FIG. It has an opening area and can be opened and closed by a door with a key switch. When a key is inserted and released, the power to the device is turned off (pause state).
Safety measures have been implemented. The opening 40
Loading and unloading booth A on both sides of
A viewing window 41 for viewing the inside and a viewing window 42 for viewing the inside of the processing booth C are respectively provided, and maintenance ports 43 and 44 are provided below the windows.

【0059】装置本体1の背面側壁面には、図10に示
すように、非常停止ボタン45およびポーズ(一時停
止)ボタン46とハンドペンダクトコネクタ47が設け
られるとともに、その下側に基板洗浄装置10の運用の
ユースポイントのN2 圧力やエア圧力の表示計、レギュ
レータ等が設けられたパネル48が配置されている。4
9,50は処理ブースCの基板洗浄装置10のためのメ
ンテ口を示しており、これら開口49,50は、洗浄液
等の装置外部への漏れを有効に防止するため、二重のシ
ール構造となっている。51,52は装置本体1内の空
気の排気口を示しており、53,53,…は各種配管接
続用のコネクタ口を示している。
As shown in FIG. 10, an emergency stop button 45, a pause (pause) button 46, and a hand pen duct connector 47 are provided on the rear side wall surface of the apparatus main body 1, and a substrate cleaning apparatus is provided below the button. Indicator of N 2 pressure and the air pressure of the use point of operation of 10, the panel 48 the regulator or the like is provided is disposed. 4
Reference numerals 9 and 50 denote maintenance openings for the substrate cleaning apparatus 10 in the processing booth C. These openings 49 and 50 have a double sealing structure to effectively prevent leakage of cleaning liquid and the like to the outside of the apparatus. Has become. Reference numerals 51, 52 denote air outlets of the air in the apparatus body 1, and 53, 53,... Denote connector ports for connecting various pipes.

【0060】III.ローディング・アンローディングブー
スA:ローディング・アンローディングブースAは、基
板搬入部Aaと基板搬出部Abとからなる。
III. Loading / Unloading Boo
A: The loading / unloading booth A includes a substrate loading section Aa and a substrate discharging section Ab.

【0061】基板搬入部Aaは、ウェハWを前工程から
搬入する部位であり、ここには、洗浄処理前のウェハ
W,W.…が複数枚ストックされて搬入待機する。ま
た、基板搬出部AbはウェハWを次工程へ搬出する部位
であり、ここには洗浄処理後のウェハW,W.…が複数
枚ストックされて搬出待機する。これら両部Aa,Ab
は、以下の説明するごとく同様の基本構成を備える。
The substrate loading section Aa is a section into which the wafer W is loaded from the previous process, and includes the wafers W, W. ... are stocked and wait for loading. The substrate unloading part Ab is a part for unloading the wafer W to the next step, and includes the wafers W, W. ... are stocked and wait for carry-out. These two parts Aa, Ab
Has the same basic configuration as described below.

【0062】すなわち、基板搬入部Aaを例にとって説
明すると、この基板搬入部Aaは、図5〜図7に示すよ
うに、上述した装置本体1の前面側壁面のローダ口11
によりオペレーティング空間Oに対して開閉可能とされ
るとともに、隔壁2の開口55によりロボットブースB
に対して連通されている。この開口55の開口面積は、
必要最小限度の大きさつまり後述する移載ロボット70
のハンドがウェハWを保持して挿通可能な最小の大きさ
に設定されている。
That is, the substrate loading section Aa will be described as an example. As shown in FIGS. 5 to 7, the substrate loading section Aa is provided with the loader port 11 on the front side wall of the apparatus main body 1 described above.
Can be opened and closed with respect to the operating space O, and the robot booth B
Is in communication with The opening area of the opening 55 is
The minimum necessary size, that is, the transfer robot 70 described later
Is set to the minimum size that allows the hand to hold and insert the wafer W.

【0063】また、基板搬入部Aaは、複数枚のウェハ
W,W,…を水平状態で上下方向へ所定の配列ピッチを
もって収納したキャリア56を保持する基板保持部60
と、この基板保持部60を上下方向へ移動させて、キャ
リア56内のウェハW,W,…の搬入または搬出のため
の位置決めを行う昇降位置決め装置61とを備えてな
る。
The substrate carrying-in portion Aa is a substrate holding portion 60 for holding a carrier 56 that stores a plurality of wafers W, W,.
, A vertical positioning device 61 that moves the substrate holding part 60 in the vertical direction to perform positioning for loading or unloading the wafers W, W,... In the carrier 56.

【0064】基板保持部60は、具体的には、図8〜図
10に示すように、複数枚(図示の場合は26枚)のウ
ェハW,W,…が収納されたキャリア56を載置保持す
る水平載置面を有する保持台60aを備え、図示の実施
形態においては、支持フレーム62に、上下方向へ所定
間隔をもって二つの保持台60a,60aが配置されて
なる。これに対応して、上記ローダ口11は、上述した
ように、二つのキャリア56,56を上記二段の保持台
60a,60aに対して同時に挿入載置可能な開口面積
を有する。
As shown in FIGS. 8 to 10, the substrate holder 60 mounts a carrier 56 in which a plurality of (26 in the illustrated) wafers W, W,. A holding table 60a having a horizontal mounting surface for holding is provided. In the illustrated embodiment, two holding tables 60a, 60a are arranged on the support frame 62 at predetermined intervals in the vertical direction. Correspondingly, the loader port 11 has an opening area that allows the two carriers 56, 56 to be simultaneously inserted and mounted on the two-stage holding tables 60a, 60a, as described above.

【0065】また、上記キャリア56は、本システム外
におけるウェハ搬送用として兼用されるもので、図示し
ないが、その内部にはウェハWの周縁部を保持する保持
溝が所定の配列ピッチをもって設けられている。そし
て、キャリア56は、ウェハ搬送の際には、ウェハW,
W,…が垂直の起立状に保持される姿勢で取り扱われる
一方、上記保持台60aに載置される際には、ウェハ
W,W,…が水平の倒伏状態に保持される姿勢で取り扱
われる。
The carrier 56 is also used for transferring a wafer outside the present system. Although not shown, holding grooves for holding the peripheral portion of the wafer W are provided at a predetermined pitch in the inside thereof. ing. The carrier 56 transports the wafer W,
Are handled in a posture in which the wafers W,... Are held in a vertical upright position, and when placed on the holding table 60a, the wafers W, W,. .

【0066】昇降位置決め装置61は、具体的には、図
14〜図17に示すように、上記支持フレーム62を昇
降動作させる送りねじ機構61aと、この送りねじ機構
61aを回転駆動させる駆動モータ61bとからなるキ
ャリアエレベーション機構の形態とされている。そし
て、後述する移載ロボット70の動作と連動する駆動モ
ータ61bの駆動により、送りねじ機構61aを介し
て、保持台60a、60aさらにはキャリア56、56
内のウェハW,W,…が、上下方向へ所定ピッチずつ昇
降されて、その搬入出のための位置決めが行われる。
As shown in FIGS. 14 to 17, the elevation positioning device 61 includes a feed screw mechanism 61a for raising and lowering the support frame 62, and a drive motor 61b for rotating the feed screw mechanism 61a. And a form of a carrier elevation mechanism. Then, by the drive of a drive motor 61b interlocked with the operation of the transfer robot 70 described later, the holding tables 60a, 60a and the carriers 56, 56 are driven via the feed screw mechanism 61a.
Are moved up and down by a predetermined pitch in the vertical direction, and positioning for loading and unloading the wafers is performed.

【0067】また、上記構成に関連して、キャリア傾き
検出センサ63、ウェハ飛出し整列機構64およびウェ
ハマッピングセンサ65が設けられている。
In connection with the above configuration, a carrier inclination detection sensor 63, a wafer jumping alignment mechanism 64, and a wafer mapping sensor 65 are provided.

【0068】キャリア傾き検出センサ63は、保持台6
0a、60a上にキャリア56が正しく配置されている
か否かを検知するもので、図示のものにおいては、キャ
リア56が保持台60a、60a上に水平に正確に置か
れているか否かを検知する透過型光学式センサで、保持
台60a,60a上にキャリア56が斜めに載ったとき
には、センシングできず、装置の駆動を停止する安全機
構として機能する。
The carrier tilt detection sensor 63 is
This is for detecting whether or not the carrier 56 is correctly arranged on 0a, 60a. In the illustrated example, it is for detecting whether or not the carrier 56 is accurately placed horizontally on the holding tables 60a, 60a. In the transmission type optical sensor, when the carrier 56 is obliquely placed on the holding tables 60a, 60a, sensing cannot be performed, and it functions as a safety mechanism for stopping the driving of the apparatus.

【0069】ウェハ飛出し整列機構64は、後述する移
載ロボット70によるウェハWの抜き取り動作等を円滑
かつ確実に行うためのもので、図18および図19に示
すように、水平揺動可能な揺動アーム64aの先端部分
にウェハW,W,…のエッヂに接触し押動可能な接触子
64bが設けられるとともに、上記揺動アーム64aを
揺動させる駆動モータ64cを備えてなる。
The wafer ejecting and aligning mechanism 64 is used to smoothly and surely extract the wafer W by the transfer robot 70, which will be described later. As shown in FIGS. 18 and 19, the wafer can be swung horizontally. The contact arm 64b is provided at the tip of the swing arm 64a so as to be able to contact and push the edges of the wafers W, W,... And a drive motor 64c for swinging the swing arm 64a.

【0070】そして、駆動モータ64cの駆動により、
保持台60a、60a上のキャリア56,56に対し
て、ウェハ飛出し整列機構64の揺動アーム64aが水
平揺動して、接触子64bがキャリア56内のウェハ
W,W,…のエッヂに接触動作し、これにより、その飛
出したウェハWのエッヂを押して、ウェハWを所定位置
に整列配置させる。このウェハ飛出し整列機構64は、
昇降位置決め装置61によるキャリア56,56の所定
ピッチ毎の昇降の度に作動して、常時ウェハW,W,…
が所定位置に整列配置するのを確保する。
Then, by driving the drive motor 64c,
With respect to the carriers 56, 56 on the holding tables 60a, 60a, the swing arm 64a of the wafer pop-out alignment mechanism 64 is horizontally swung, and the contact 64b becomes an edge of the wafers W, W,. A contact operation is performed, thereby pushing the edge of the ejected wafer W to align the wafer W at a predetermined position. This wafer pop-out alignment mechanism 64
Each time the carriers 56 are moved up and down by a predetermined pitch by the elevation positioning device 61, the wafers W, W,.
Ensure that they are aligned in place.

【0071】なお、ウェハWの飛出しを検する光学式セ
ンサを設け、この光学式センサでウェハWの飛出しを検
知して、ウェハWが飛出している場合のみ、上記ウェハ
飛出し整列機構64を作動する構成としても良い。
It is to be noted that an optical sensor for detecting the ejection of the wafer W is provided, and the ejection of the wafer W is detected by the optical sensor. 64 may be operated.

【0072】ウェハマッピングセンサ65は、ロボット
ブースBの移載ロボット70の駆動を制御するための透
過型光学式センサで、図18および図19に示すよう
に、水平揺動可能な揺動アーム65aの先端部分にウェ
ハW,W,…に対応した複数の溝を備えた櫛形の検知部
65bが設けられるとともに、上記揺動アーム65aを
揺動させる駆動モータ65cを備えてなる。
The wafer mapping sensor 65 is a transmission type optical sensor for controlling the driving of the transfer robot 70 in the robot booth B. As shown in FIGS. 18 and 19, a swing arm 65a capable of horizontally swinging is provided. Are provided with a comb-shaped detecting portion 65b having a plurality of grooves corresponding to the wafers W, W,... And a drive motor 65c for swinging the swing arm 65a.

【0073】そして、駆動モータ65cの駆動により、
保持台60a、60a上のキャリア56,56に対し
て、ウェハマッピングセンサ65の揺動アーム65aが
水平揺動して、検知部65bがキャリア56内のウェハ
W,W,…に近接動作し、これにより、ウェハW,W,
…がどういう配列でキャリア56,56に入っている
か、ウェハW,W,…の配列に歯抜けの部分がないか等
を検出する。この検出結果は、システム制御装置Eに送
られて、移載ロボット70の動きを制御する。ウェハマ
ッピングセンサ65は、保持台60a、60a上にキャ
リア56,56に載置された際に一回のみ作動する。
Then, by driving the drive motor 65c,
The swing arm 65a of the wafer mapping sensor 65 horizontally swings with respect to the carriers 56, 56 on the holding tables 60a, 60a, and the detection unit 65b moves close to the wafers W, W,. Thereby, the wafers W, W,
.. Are included in the carriers 56, 56, and there is no missing portion in the arrangement of the wafers W, W,. This detection result is sent to the system controller E to control the movement of the transfer robot 70. The wafer mapping sensor 65 operates only once when it is placed on the carriers 56, 56 on the holding tables 60a, 60a.

【0074】なお、システム制御装置Eによる移載ロボ
ット70の駆動制御は、図示の実施形態においては、4
通り選択設定可能な構成とされている。つまり、i)基
板搬入部Aaの各キャリア56の上側のウェハWから抜
いて、処理後のウェハWを基板搬出部Abの各キャリア
56の上側から入れていく、ii)基板搬入部Aaの各キ
ャリア56の上側のウェハWから抜いて、処理後のウェ
ハWを基板搬出部Abの各キャリア56の下側から入れ
ていく、iii )基板搬入部Aaの各キャリア56の下側
のウェハWから抜いて、処理後のウェハWを基板搬出部
Abの各キャリア56の上側から入れていく、およびi
v)基板搬入部Aaの各キャリア56の下側のウェハW
から抜いて、処理後のウェハWを基板搬出部Abの各キ
ャリア56の下側から入れていく、という4つの方法か
ら選択可能である。
In the illustrated embodiment, the drive control of the transfer robot 70 by the system controller E
The configuration can be selected and set as follows. That is, i) withdraws from the wafer W above each carrier 56 of the substrate carry-in part Aa, and inserts the processed wafer W from above each carrier 56 of the substrate carry-out part Ab. Ii) Each of the substrate carry-in parts Aa The wafer W is removed from the upper wafer W of the carrier 56, and the processed wafer W is inserted from below each carrier 56 of the substrate unloading unit Ab. Iii) From the lower wafer W of each carrier 56 of the substrate unloading unit Aa The wafer W after processing is inserted from above each carrier 56 of the substrate unloading part Ab, and i
v) Wafer W on the lower side of each carrier 56 in substrate loading section Aa
, And the processed wafer W is inserted from below each carrier 56 of the substrate unloading part Ab.

【0075】基板搬出部Abは、ウェハマッピングセン
サ65が設けられていない点を除いて、上記基板搬入部
Aaと同様の基本構成を備え、アンローダ口12の構成
も上述したローダ口11と同様である。
The substrate unloading section Ab has the same basic configuration as the substrate loading section Aa except that the wafer mapping sensor 65 is not provided, and the configuration of the unloader port 12 is the same as that of the loader port 11 described above. is there.

【0076】また、ローディング・アンローディングブ
ースAにおいては、上述したように、基板搬入部Aaお
よび基板搬出部AbにストックされるウェハW,W,…
が上下方向へ所定の配列ピッチをもって水平状態で配列
されるとともに、ローディング・アンローディングブー
スA内を流れる清浄空気の流路は、上記基板搬出部Ab
から基板搬入部Aaの方向へ向けて水平に流れるように
構成されている。具体的には、装置本体1の前面部のH
EPAフィルタ13から吸入される清浄空気は、まず、
アンローダ側である基板搬出部Abの処理済みのウェハ
W,W,…の間を通過してから、さらにローダ側である
基板搬入部Aaの処理前のウェハW,W,…の間を通過
し、装置本体1の背面部の排気口51から図外の工場排
気路へ送られる。
In the loading / unloading booth A, as described above, the wafers W, W,.
Are arranged in a horizontal state with a predetermined arrangement pitch in the vertical direction, and the flow path of the clean air flowing in the loading / unloading booth A is the same as the substrate unloading section Ab.
, And is configured to flow horizontally in the direction of the substrate loading portion Aa. Specifically, H on the front of the apparatus body 1
The clean air sucked from the EPA filter 13 is
After passing between the processed wafers W, W,... Of the substrate unloading section Ab on the unloader side, and further passing between the unprocessed wafers W, W,. Then, the air is sent from the exhaust port 51 on the back side of the apparatus main body 1 to a factory exhaust path (not shown).

【0077】このようウェハW,W,…の配置構成を考
慮した清浄空気の気流制御が行われることにより、処理
済みのウェハW,W,…の高い清浄度が確保される。こ
れに関して、ロボットブースBおよび処理ブースC内を
流れる清浄空気の流路は、それぞれ装置本体1の天井部
に設けられたHEPAフィルタ66,67から下方へ向
けて垂直に流れるとともに、装置本体1の背面部の排気
口52から図外の工場排気路へ送られるところ、各隔壁
2,3がこれらの清浄空気の流れを整える整流作用をな
すとともに、ローディング・アンローディングブースA
内を流れる清浄空気の流路との隔壁をなすため、装置本
体1内の円滑な空気流路が確保される。
By controlling the air flow of the clean air in consideration of the arrangement of the wafers W, W,..., A high cleanness of the processed wafers W, W,. In this regard, the flow paths of the clean air flowing in the robot booth B and the processing booth C flow vertically downward from the HEPA filters 66 and 67 provided on the ceiling of the apparatus main body 1, respectively. When the air is sent from a rear exhaust port 52 to a factory exhaust path (not shown), the partition walls 2 and 3 perform a rectifying action to regulate the flow of the clean air, and a loading / unloading booth A is provided.
Since it forms a partition with the flow path of the clean air flowing inside, a smooth air flow path in the apparatus main body 1 is secured.

【0078】また、ローディング・アンローディングブ
ースAにおけるメカ機構の駆動部、つまり、昇降位置決
め装置61、ウェハ飛出し整列機構64およびウェハマ
ッピングセンサ65等の機械的駆動部はすべて、SEM
I規格に従って高さ900mmよりも下側に配置されて、
発塵防止対策が施されている。
The driving units of the mechanical mechanism in the loading / unloading booth A, that is, the mechanical driving units such as the elevating / lowering positioning device 61, the wafer ejection alignment mechanism 64, and the wafer mapping sensor 65 are all SEM.
According to the I standard, it is arranged below the height of 900 mm,
Dust prevention measures are taken.

【0079】IV. ロボットブースB:ロボットブースB
は、ローディング・アンローディングブースAと処理ブ
ースCとの間でウェハWを一枚ずつ移載する部位で、上
述したように、隔壁2の開口55,55によりローディ
ング・アンローディングブースAに対して連通されると
ともに、同じく隔壁3の開口72,72により処理ブー
スCに対して連通されている。この開口72の開口面積
は、上記隔壁2の開口55と同様、必要最小限度の大き
さつまり移載ロボット70のハンドがウェハWを保持し
て挿通可能な最小の大きさに設定されている。
IV. Robot Booth B: Robot Booth B
Is a portion where the wafers W are transferred one by one between the loading / unloading booth A and the processing booth C. As described above, the loading / unloading booth A is opened by the openings 55 of the partition wall 2. It is also connected to the processing booth C through the openings 72 and 72 of the partition wall 3. The opening area of the opening 72 is set to the necessary minimum size, that is, the minimum size that allows the hand of the transfer robot 70 to hold and insert the wafer W, similarly to the opening 55 of the partition wall 2.

【0080】また、処理ブースCとの開口72,72の
上側部分には、イオナイザ94が設けられており(図1
2参照)、ウェハWが洗浄処理チャンバ10に入る時と
出る時にイオナイザ94によるイオンシャワーを行い
(イオン化したN2 等の供給)、そこでウェハWの帯電
を防ぐ構成とされている。つまり、洗浄処理チャンバ1
0では、ウェハWの乾燥時にかなり高速回転をするの
で、ウェハWに静電気が発生して帯電する可能性が高
い。このような静電気はゴミ等をウェハWに付着させる
ので、それを防ぐため、イオナイザ94が設けられてい
る。
Further, an ionizer 94 is provided in an upper portion of the openings 72, 72 with the processing booth C (FIG. 1).
2), an ion shower is performed by the ionizer 94 when the wafer W enters and exits the cleaning processing chamber 10 (supply of ionized N 2 and the like), and the wafer W is prevented from being charged there. That is, the cleaning processing chamber 1
In the case of 0, since the wafer W rotates at a very high speed at the time of drying, there is a high possibility that static electricity is generated and charged in the wafer W. Since such static electricity causes dust and the like to adhere to the wafer W, an ionizer 94 is provided to prevent it.

【0081】ロボットブースBは、移載ロボット70と
基板反転装置71を主要部として構成されている。
The robot booth B is mainly composed of a transfer robot 70 and a substrate reversing device 71.

【0082】移載ロボット70は、基板搬入部Aaと基
板洗浄装置10の間およびこの基板洗浄装置10と上記
基板搬出部Abとの間で、ウェハWを一枚ずつ水平状態
のままで移載するものである。
The transfer robot 70 transfers wafers W one by one in a horizontal state between the substrate carrying-in section Aa and the substrate cleaning apparatus 10 and between the substrate cleaning apparatus 10 and the substrate carrying-out section Ab. Is what you do.

【0083】この移載ロボット70は、具体的には、図
20および図21に示すように、昇降動作するとともに
水平動作する一対のハンド部70a,70bを備えたツ
インアームロボットの形態とされている。これら一対の
ハンド部70a、70bは、一方のハンド部70aが洗
浄処理前のウェハWを移載処理するとともに、他方のハ
ンド部70bが洗浄処理後のウェハWを移載処理する構
成とされ、処理済みのウェハWにパーティクル等の不純
物が付着するのを防止している。
The transfer robot 70 is, specifically, in the form of a twin-arm robot having a pair of hand parts 70a, 70b that move up and down and move horizontally as shown in FIGS. I have. The pair of hand units 70a and 70b are configured such that one hand unit 70a performs a transfer process of the wafer W before the cleaning process, and the other hand unit 70b performs a transfer process of the wafer W after the cleaning process. This prevents impurities such as particles from adhering to the processed wafer W.

【0084】また、移載ロボット70のハンド部70
a,70bの先端部分に設けられた基板保持部75は、
ウェハWの下面を載置支持するソフトランディング方式
の支持形態とされて、ウェハWの破損等を防止する構造
とされている。
The hand 70 of the transfer robot 70
a, a substrate holding portion 75 provided at the tip portion of 70b,
The lower surface of the wafer W is placed and supported by a soft landing method, and the structure is such that damage to the wafer W is prevented.

【0085】具体的には、移載ロボット70は、ロボッ
トブースB内を横方向へ水平移動可能とされるととも
に、移載ロボット70のハンド部70a,70bが、ロ
ボット本体70cに昇降可能かつ回転可能に設けられて
いる。このハンド部70a,70bの駆動源は、ロボッ
ト本体70c内部に設けられた駆動モータからなる。ま
た、具体的構成は図示しないが、上記基板保持部75と
しては、セラミック製のフォーク部材が採用されてお
り、この基板保持部75の平坦な上面によりウェハWを
水平状態で下側から保持するとともに、この基板保持部
75上面に設けられた複数のテーパ付きの位置決めピン
により、ウェハWの外周縁を位置決めする構成とされて
いる。
More specifically, the transfer robot 70 can be moved horizontally in the robot booth B in the horizontal direction, and the hand units 70a and 70b of the transfer robot 70 can move up and down on the robot body 70c and rotate. It is provided as possible. The drive source of the hand units 70a, 70b is a drive motor provided inside the robot body 70c. Although a specific configuration is not shown, a ceramic fork member is employed as the substrate holding unit 75, and the flat upper surface of the substrate holding unit 75 holds the wafer W in a horizontal state from below. In addition, the outer peripheral edge of the wafer W is positioned by a plurality of tapered positioning pins provided on the upper surface of the substrate holding unit 75.

【0086】なお、図示しないが、従来周知の真空吸着
式の移載ロボットの形態とされてもよく、この目的のた
め、ハンド部70a,70bの先端部分の基板保持部7
5は、ウェハWを真空吸着チャッキングする基板吸着部
と交換可能な構造とされるとともに、図示しないが真空
ポンプ等の負圧源に連通可能とされている。
Although not shown, a conventionally well-known vacuum suction type transfer robot may be used. For this purpose, the substrate holding section 7 at the tip of the hand section 70a, 70b is used.
Reference numeral 5 denotes a structure that can be replaced with a substrate suction unit that vacuum-chucks the wafer W, and can communicate with a negative pressure source such as a vacuum pump (not shown).

【0087】そして、移載ロボット70は、ハンド部7
0aまたは70bのハンドリング動作により、基板保持
部75が、基板搬入部Aaのキャリア56内または基板
洗浄装置10の基板支持部104上のウェハWを水平状
態のまま抜き取り、移載ロボット70が移動した後また
はその位置で、水平方向へ所定角度だけ回転移動させた
後、上記基板支持部104上または基板搬出部Abのキ
ャリア56上に移し替える。
Then, the transfer robot 70 is
By the handling operation of 0a or 70b, the substrate holding unit 75 withdraws the wafer W in the carrier 56 of the substrate loading unit Aa or on the substrate supporting unit 104 of the substrate cleaning apparatus 10 in a horizontal state, and the transfer robot 70 moves. Later or at that position, after being rotated by a predetermined angle in the horizontal direction, it is transferred onto the substrate support 104 or the carrier 56 of the substrate unloading part Ab.

【0088】この場合、基板搬入部Aaまたは基板搬出
部Abにおいては、移載ロボット70の動作と連動する
昇降位置決め装置61により、キャリア56に対するウ
ェハWの抜き差しに際して、キャリア56が垂直方向へ
1ピッチ分だけ昇降動作して、ウェハW,W,…の搬入
出のための位置決めが行われる。
In this case, in the substrate loading section Aa or the substrate unloading section Ab, the carrier 56 is vertically moved by one pitch when the wafer W is inserted into or removed from the carrier 56 by the lifting / lowering positioning device 61 interlocked with the operation of the transfer robot 70. The wafer W is moved up and down by the distance to perform the positioning for carrying in and out the wafers W, W,.

【0089】なお、図示の実施形態と逆に、移載ロボッ
ト70のハンド部70aまたは70bが、キャリア56
に対するウェハWの抜き差しに際して、垂直方向へ1ピ
ッチ分だけ昇降動作してから、上記と同様の動作を順次
繰り返すように駆動制御される構成も採用可能である。
この場合は、昇降位置決め装置61は不要となる。
Note that, contrary to the illustrated embodiment, the hand unit 70 a or 70 b of the transfer robot 70 is
It is also possible to adopt a configuration in which when the wafer W is inserted into and removed from the device, the drive is controlled so as to vertically move by one pitch and then repeat the same operation as above.
In this case, the lifting / lowering positioning device 61 becomes unnecessary.

【0090】基板反転装置71は、ウェハWの表裏面の
上下位置を変換処理するもので、ウェハWの表面だけで
なく、裏面にも洗浄処理を施す場合に作動する構成とさ
れている。
The substrate reversing device 71 converts the upper and lower positions of the front and back surfaces of the wafer W, and is configured to operate when the cleaning process is performed not only on the front surface but also on the back surface of the wafer W.

【0091】具体的には、基板反転装置71は、図22
〜図24に示すように、チャック機構76、シリンダ装
置77および駆動モータ78を主要部として構成されて
いる。チャック機構76は、ウェハWの外周縁を把持状
にチャック支持するもので、一対の可動チャック76
a,76bが開閉可能に設けられてなり、これら両チャ
ック76a,76bには、ウェハWの外周縁を係合支持
する環状溝付きの支持ローラ79,79,79がそれぞ
れウェハWの円周に対応して3つずつ環状に設けられ、
このような環状に配された支持ローラ79,79,79
がそれぞれ同軸上に一対ずつ配されて、同時に2枚のウ
ェハW、Wをチャック支持可能な構造とされている。
More specifically, the substrate reversing device 71 shown in FIG.
As shown in FIG. 24 to FIG. 24, a chuck mechanism 76, a cylinder device 77, and a drive motor 78 are mainly configured. The chuck mechanism 76 chucks the outer peripheral edge of the wafer W in a gripping manner, and includes a pair of movable chucks 76.
a, 76b are provided so as to be openable and closable. Support rollers 79, 79, 79 having an annular groove for engaging and supporting the outer peripheral edge of the wafer W are respectively provided on both chucks 76a, 76b around the circumference of the wafer W. Correspondingly three rings are provided,
Such support rollers 79, 79, 79 arranged in an annular shape.
Are coaxially arranged in pairs, so that two wafers W and W can be simultaneously chuck-supported.

【0092】上記可動チャック76a,76bは、シリ
ンダ装置77により,水平方向中心に向けて開閉動作す
る構成とされている。シリンダ装置77は具体的には圧
力空気を作動媒体としたエアシリンダから構成されてい
る。
The movable chucks 76a and 76b are configured to open and close by a cylinder device 77 toward the center in the horizontal direction. The cylinder device 77 is specifically composed of an air cylinder using pressurized air as a working medium.

【0093】また、上記両チャック76a,76bは、
駆動モータ78により、伝動ベルト機構を介して、垂直
方向へ回転可能に支持されている。
The two chucks 76a and 76b are
It is rotatably supported in the vertical direction by a drive motor 78 via a transmission belt mechanism.

【0094】そして、ウェハWの表面だけでなく、裏面
にも洗浄処理を施す場合には、移載ロボット70によ
り、表面側の洗浄処理が完了したウェハW,Wが基板反
転装置71に移載されて、反転処理される。すなわち、
基板反転装置71は、シリンダ装置77により、チャッ
ク機構76を作動して、ウェハWの外周縁を把持状にチ
ャック支持した後、駆動モータ78の駆動により、ウェ
ハW,Wをチャック支持したチャック機構76を低速で
180度回転して、ウェハW,Wが反転される。この表
裏面が反転されたウェハW,Wは、再度移載ロボット7
0により、処理チャンバCの基板洗浄装置10,10に
処理前の裏面を上側にしてそれぞれ供給されて、この裏
面にも洗浄処理が施される。
When the cleaning process is performed not only on the front surface but also on the rear surface of the wafer W, the transfer robot 70 transfers the wafers W and W having been subjected to the cleaning process on the front surface to the substrate reversing device 71. Then, it is inverted. That is,
The substrate reversing device 71 operates the chuck mechanism 76 by the cylinder device 77 to chuck and support the outer peripheral edge of the wafer W in a gripping manner, and then drives the driving motor 78 to chuck the wafers W and W by chucking. The wafer 76 is rotated 180 degrees at a low speed, and the wafers W and W are inverted. The wafers W, W whose front and back surfaces are inverted, are again transferred to the transfer robot 7.
By 0, the substrate is supplied to the substrate cleaning apparatuses 10 and 10 of the processing chamber C with the back surface before the processing facing upward, and the back surface is also subjected to the cleaning process.

【0095】また、ローディング・アンローディングブ
ースAと同様、ロボットブースBにおけるメカ機構の駆
動部、つまり、移載ロボット70および基板反転装置7
1の機械的駆動部はすべて、SEMI規格に従って高さ
900mmよりも下側に配置されて、発塵防止対策が施さ
れている。
Further, similarly to the loading / unloading booth A, the drive unit of the mechanical mechanism in the robot booth B, that is, the transfer robot 70 and the substrate reversing device 7
All of the mechanical drive units are disposed below the height of 900 mm in accordance with the SEMI standard, and dust prevention measures are taken.

【0096】V. 洗浄液供給装置D:洗浄液供給装置D
は、処理ブースCの基板洗浄装置10に洗浄液を供給す
る供給源で、図示の実施形態においては、選択的に、A
PM(NH4 OH+H2 2+H2 O)液による洗浄を
行うための構成と、DHF(HF+H2 O)液による洗
浄を行うための構成とを備える2薬液システムであり、
これに対応して、基板洗浄装置10の洗浄チャンバ80
における処理槽85〜88は、それぞれ、最下段の処理
槽85がAPM液による洗浄工程用、その上の段の処理
槽86がDHF液による洗浄工程用、その上の段の処理
槽87が純水によるリンス用、および最上段の処理槽8
8がスピン乾燥用とされている。
V. Cleaning liquid supply device D: Cleaning liquid supply device D
Is a supply source for supplying a cleaning liquid to the substrate cleaning apparatus 10 of the processing booth C. In the illustrated embodiment, A is selectively provided.
A two-chemical liquid system including a configuration for performing cleaning with a PM (NH 4 OH + H 2 O 2 + H 2 O) solution and a configuration for performing cleaning with a DHF (HF + H 2 O) solution,
Correspondingly, the cleaning chamber 80 of the substrate cleaning apparatus 10
In the processing tanks 85 to 88, the lowermost processing tank 85 is for the cleaning step using the APM liquid, the upper processing tank 86 is for the cleaning step using the DHF liquid, and the upper processing tank 87 is pure. For rinsing with water and at the top treatment tank 8
8 is for spin drying.

【0097】そして、洗浄工程にかかるレシピを選択設
定することにより、i)APM+DHF+O3 +DIW
+DRY,ii)APM+DHF+DRY,iii)APM+
DRYおよびDHF+DRYなどの洗浄工程が選択的に
実行可能である。
Then, by selectively setting a recipe for the cleaning step, i) APM + DHF + O 3 + DIW
+ DRY, ii) APM + DHF + DRY, iii) APM +
Cleaning steps such as DRY and DHF + DRY can be selectively performed.

【0098】VI.システム制御装置E:システム制御装
置Eは、上述した基板搬入部Aa、移載ロボット70、
基板反転装置71、基板洗浄装置10,10および基板
搬出部Abを相互に連動して駆動制御するもので、この
システム制御装置Eにより、以下の基板洗浄システムに
おける一連のウェット処理工程が、ウェハWの前工程か
らの搬入時から次工程への搬出時まで全自動で実行され
る。
VI. System control device E: The system control device E includes the above-described substrate loading section Aa, the transfer robot 70,
The substrate reversing device 71, the substrate cleaning devices 10, 10 and the substrate unloading section Ab are drive-controlled in conjunction with each other, and a series of wet processing steps in the following substrate cleaning system are performed by the system control device E. It is automatically executed from the time of loading from the previous process to the time of unloading to the next process.

【0099】(1)ウェハW,W,…の搬入:洗浄処理
前のウェハW,W,…は、AGV等により前工程からキ
ャリア56に収容された垂直状態でオペレーティング空
間Oまで搬送されてくる。
(1) Loading of the wafers W, W,...: The wafers W, W,... Before the cleaning process are transported to the operating space O in a vertical state accommodated in the carrier 56 from the previous process by the AGV or the like. .

【0100】装置本体1のローダ口11が開かれ、洗浄
処理前のウェハW,W,…は、キャリア56を倒して垂
直状態から水平状態に姿勢変化された後、自動搬入装置
(図示省略)またはオぺレータの手作業により、上記ロ
ーダ口11を介して、キャリア56に収容されたまま、
ローディング・アンローディングブースAの基板搬入部
Aaにおける基板保持部60の上下2段の保持台60
a,60a上にそれぞれ搬入配置される。
When the loader port 11 of the apparatus main body 1 is opened and the wafers W, W,... Before the cleaning process are changed in posture from the vertical state to the horizontal state by tilting the carrier 56, an automatic carry-in apparatus (not shown) Alternatively, by the operator's manual operation, the operator may leave
The two upper and lower stages 60 of the substrate holding unit 60 in the substrate loading unit Aa of the loading / unloading booth A
a and 60a.

【0101】この場合、まず上側の1段目の保持台60
a上にキャリア56が載置された後、昇降位置決め装置
61により基板保持部60が上昇して、下側の2段目の
保持台60a上に次のキャリア56が載置される。
In this case, first, the upper first stage holder 60
After the carrier 56 is placed on the holding member 60a, the substrate holding part 60 is raised by the elevating / lowering positioning device 61, and the next carrier 56 is placed on the lower second stage holder 60a.

【0102】上記ローダ口11が再び閉じられた後、キ
ャリア傾き検出センサ63によりキャリア56の傾きの
有無が検知され、傾きがなければウェハ飛出し整列機構
64により整列されるとともに、ウェハマッピングセン
サ65によりウェハW,W,…の配列状態が検出され
て、ロボットブースBの移載ロボット70を待機する。
After the loader port 11 is closed again, the presence / absence of inclination of the carrier 56 is detected by the carrier inclination detection sensor 63. If the carrier 56 is not inclined, the carrier 56 is aligned by the wafer ejection alignment mechanism 64, and the wafer mapping sensor 65 , The arrangement state of the wafers W, W,... Is detected, and the transfer robot 70 in the robot booth B stands by.

【0103】移載ロボット70は、ウェハマッピングセ
ンサ65の検出結果に応じて、キャリア56内のウェハ
Wを一枚ずつ水平状態のままで抜き取り、処理ブースC
の各基板洗浄装置10の洗浄チャンバ80内に順次搬入
する。
The transfer robot 70 extracts the wafers W in the carrier 56 one by one in a horizontal state in accordance with the detection result of the wafer mapping sensor 65,
Are sequentially carried into the cleaning chamber 80 of each substrate cleaning apparatus 10.

【0104】この際の移載ロボット70によるウェハW
の抜き取りは、隔壁2の開口55を介して行われ、ウェ
ハマッピングセンサ65の検出結果に従って、昇降位置
決め装置61によるキャリア56の位置決め動作(キャ
リア56が垂直方向へ1ピッチ分だけ昇降して、ウェハ
W,W,…の搬入のための位置決め動作)に連動して、
最上部または最下部のウェハWから順次行う。
At this time, the wafer W by the transfer robot 70 is
Is removed through the opening 55 of the partition wall 2, and the positioning operation of the carrier 56 by the lifting / lowering positioning device 61 (the carrier 56 is moved up and down by one pitch in the vertical direction, (Positioning operation for loading W, W, ...)
The process is performed sequentially from the uppermost or lowermost wafer W.

【0105】一方、移載ロボット70によるウェハWの
搬入は、基板洗浄装置10の基板支持部104が洗浄チ
ャンバ80の上部処理待機部95内のウェハ搬入出位置
に上昇待機した状態において、隔壁3の開口72および
洗浄チャンバ80のゲート90を介して行われる。この
ゲート90はウェハWの搬入出時のみ開口し、洗浄チャ
ンバ80内のフュームの拡散や洗浄チャンバ80内への
パーティクルの流入等が有効に防止される。
On the other hand, the transfer of the wafer W by the transfer robot 70 is performed while the substrate supporting unit 104 of the substrate cleaning apparatus 10 is standing by at the wafer loading / unloading position in the upper processing standby unit 95 of the cleaning chamber 80. Through the opening 72 of the cleaning chamber 80 and the gate 90 of the cleaning chamber 80. The gate 90 is opened only when the wafer W is loaded and unloaded, and effectively prevents the diffusion of fumes in the cleaning chamber 80 and the inflow of particles into the cleaning chamber 80.

【0106】洗浄チャンバ80内の基板支持部104上
にウェハWが搬入されると、チャッキングアーム11
0,110,…が、ウェハWの周縁部を水平状態でチャ
ッキング支持する。
When the wafer W is loaded onto the substrate support 104 in the cleaning chamber 80, the chucking arm 11
, Chucking support the periphery of the wafer W in a horizontal state.

【0107】(2)基板洗浄装置10におけるウエット
処理:基板支持部104がウェハWをチャッキング支持
すると、チャンバ本体80の昇降動作により、下部処理
部96内のウェハ洗浄処理位置に位置決めされた後、前
述した各種の洗浄処理が予め定められた手順で実行され
る。
(2) Wet in the substrate cleaning apparatus 10
Processing: When the substrate supporting unit 104 chucks and supports the wafer W, the chamber body 80 is moved to the wafer cleaning processing position in the lower processing unit 96 by the elevating operation, and then the above-described various cleaning processing is predetermined. Performed in steps.

【0108】例えば、上述したii)の洗浄処理工程(A
PM+DHF+DRY)であれば、チャンバ本体80の
昇降位置決めにより、基板支持部104上のウェハW
が、まず、最下段の処理槽85に位置決め配置されて、
噴射ノズル91からAPM液が供給されるとともに、ス
ピンチャック装置81による低速回転によりスピン洗浄
が行われた後、上から2段目の処理槽87に位置決め配
置されて、噴射ノズル91から純水が供給されながら、
スピンチャック装置81による低速回転によりリンスが
行われる。続いて、上から3段目の処理槽86に位置決
め配置されて、噴射ノズル91からDHF液が供給され
るとともに、スピンチャック装置81による低速回転に
よりスピン洗浄が行われた後、再び処理槽87に位置決
め配置されて、噴射ノズル91から純水が供給されなが
ら、スピンチャック装置81による低速回転によりリン
スが行われる。そして最後に、最上段の処理槽88に位
置決め配置されて、噴射ノズル91から不活性気体つま
りN2 (窒素ガス)が噴射されながら、スピンチャック
装置81による高速回転によりスピン乾燥が行われる。
For example, the washing treatment step (A) of ii) described above.
PM + DHF + DRY), the wafer W on the substrate support 104 is moved by the vertical positioning of the chamber body 80.
However, first, it is positioned and arranged in the lowermost processing tank 85,
After the APM liquid is supplied from the injection nozzle 91 and the spin cleaning is performed by the low-speed rotation by the spin chuck device 81, the pure water is positioned and disposed in the second processing tank 87 from the top, and pure water is supplied from the injection nozzle 91. While being supplied,
Rinsing is performed by low-speed rotation of the spin chuck device 81. Subsequently, after being positioned and arranged in the third processing tank 86 from the top, the DHF solution is supplied from the injection nozzle 91, and the spin cleaning is performed by the spin chuck device 81 at low speed, the processing tank 87 is again formed. The rinse is performed by low-speed rotation of the spin chuck device 81 while pure water is supplied from the injection nozzle 91. Finally, spin drying is performed by high-speed rotation of the spin chuck device 81 while being positioned and arranged in the uppermost processing tank 88 and injecting an inert gas, that is, N 2 (nitrogen gas) from the injection nozzle 91.

【0109】この場合、不活性気体供給部92からの不
活性気体、つまり本実施形態の場合はN2 (窒素ガス)
の導入により、チャンバ本体80内がN2 でパージされ
るとともに、各チャンバのドレン部93から強制排気す
ることにより、チャンバ本体80内には、不活性気体供
給部92から各チャンバのドレン部93に至るような経
路の気流が生じて、チャンバ本体80内のミストの巻き
上がりが有効に防止される。
In this case, the inert gas from the inert gas supply unit 92, that is, in this embodiment, N 2 (nitrogen gas)
, The inside of the chamber body 80 is purged with N 2 , and the chamber body 80 is forcibly evacuated from the drain section 93 of each chamber. Is generated, and the mist in the chamber main body 80 is effectively prevented from rolling up.

【0110】また、各処理槽85〜88のドレン部93
は、その処理槽において洗浄処理が行われる際のみ開口
して、他の処理槽における洗浄処理が行われている場合
には閉塞されており、これにより、上記のチャンバ本体
80内のN2 パージ効果が促進される。
Further, the drain 93 of each of the processing tanks 85 to 88 is provided.
Is to opened only when the cleaning process is performed in the processing tank, when the cleaning process in the other processing tanks is being performed has been closed, thereby, N 2 purge of the chamber body 80 The effect is promoted.

【0111】ウェハWの表面に対する一連の洗浄処理が
終了すると、チャンバ本体80の下降動作により、基板
支持部104が再び上部処理待機部95内のウェハ搬入
出位置に相対的に上昇した後、ロボットブースBの移載
ロボット70を待機する。
When a series of cleaning processes on the surface of the wafer W are completed, the substrate supporting unit 104 is relatively moved up again to the wafer loading / unloading position in the upper processing standby unit 95 by the lowering operation of the chamber body 80, and then the robot The transfer robot 70 in the booth B is on standby.

【0112】この場合、ウェハWの裏面も洗浄処理する
ときには、ウェハWは、移載ロボット70により基板反
転装置71へ搬送されて、表裏面が反転された後、再び
上記基板支持部104に搬入されて、上述した一連の洗
浄処理がウェハWの裏面に対して行われる。
In this case, when cleaning the back surface of the wafer W, the wafer W is transported to the substrate reversing device 71 by the transfer robot 70, the front surface and the back surface are reversed, and then the wafer W is again loaded into the substrate support portion 104. Then, the above-described series of cleaning processing is performed on the back surface of the wafer W.

【0113】(3)ウェハW,W,…の搬出:基板洗浄
装置10における一連の洗浄処理が完了したウェハW
は、再び移載ロボット70により、前述と逆の要領で、
各基板洗浄装置10の洗浄チャンバ80から搬出され
て、基板搬出部Abにおける基板保持部60の上下2段
の保持台60a,60a上にそれぞれ待機するキャリア
56,56内に順次水平状態で搬出収容される。
(3) Unloading of wafers W, W,...: Wafer W after a series of cleaning processes in substrate cleaning apparatus 10
Is again operated by the transfer robot 70 in a manner reverse to that described above.
The substrates are carried out from the cleaning chamber 80 of each substrate cleaning apparatus 10 and sequentially carried out and stored in a horizontal state in carriers 56, 56 that are respectively waiting on two upper and lower holding tables 60 a, 60 a of the substrate holding unit 60 in the substrate unloading part Ab. Is done.

【0114】この場合の具体的な搬出収容動作は、上述
した(1)のウェハW,W,…の搬入動作の要領と同様
である。
The specific unloading and storing operation in this case is the same as that of the above-described (1) loading operation of the wafers W, W,...

【0115】そして、これらキャリア56,56内部の
保持溝のすべてに、洗浄後のウェハW,W,…が配列さ
れて満たされると、装置本体1のアンローダ口12が開
かれ、キャリア56,56は、次工程のスパッタリング
やCVD処理等による薄膜形成のための処理工程へ向け
て搬送される。
When the wafers W, W,... After cleaning are arranged and filled in all the holding grooves inside the carriers 56, 56, the unloader port 12 of the apparatus body 1 is opened, and the carriers 56, 56 are opened. Is transported to the next processing step for forming a thin film by sputtering or CVD processing.

【0116】以上の一連の動作において、移載ロボット
70によるキャリア56内のウェハW,W,…の処理手
順は、前述したように、4通りの方法i)〜iv)の中か
ら選択設定される。
In the above series of operations, the processing procedure of the wafers W, W,... In the carrier 56 by the transfer robot 70 is selected and set from the four methods i) to iv) as described above. You.

【0117】また、ローディング・アンローディングブ
ースAにおける基板搬入部Aaと基板搬出部Abにおけ
るローディング作業とアンローディング作業は、実際に
は同時に行われる。
The loading operation and the unloading operation in the substrate loading section Aa and the substrate unloading section Ab in the loading / unloading booth A are actually performed simultaneously.

【0118】しかして、以上のように構成された基板洗
浄システムにおいては、密閉可能に構成された装置本体
1内に、ローディング・アンローディングブースA、ロ
ボットブースBおよび処理ブースCが設けられるととも
に、この処理ブースCに基板洗浄チャンバ装置として上
記基板洗浄装置10が配置されて、ウェハWを一枚ずつ
処理する枚葉式とされているから、高い清浄度雰囲気で
かつパーティクル等の再付着もほとんどなく、ウェハW
毎の精密な処理を行なうことができ、基板洗浄装置10
の洗浄空間も小さく、洗浄液も少量で済む。
Thus, in the substrate cleaning system configured as described above, the loading / unloading booth A, the robot booth B, and the processing booth C are provided in the apparatus main body 1 configured to be sealable. The substrate cleaning apparatus 10 is disposed in the processing booth C as a substrate cleaning chamber apparatus, and is a single wafer processing apparatus for processing the wafers W one by one. No, wafer W
It is possible to carry out precise processing for each substrate cleaning apparatus 10
Cleaning space is small, and only a small amount of cleaning liquid is required.

【0119】しかも、ウェハWを一枚ずつ複数の洗浄液
で洗浄処理する、つまり一つの基板洗浄装置10で全洗
浄工程を行なうワンチャンバ式であることから、洗浄工
程においてウェハWの出し入れがなく、大気に触れて、
金属汚染、イオンあるいは酸素等の影響を受けることも
なく、各基板洗浄チャンバ装置の構成も単純かつ小型化
できる。
In addition, since the cleaning process is performed on the wafers W one by one with a plurality of cleaning liquids, that is, the entire cleaning process is performed by one substrate cleaning apparatus 10, the wafer W is not taken in and out in the cleaning process. Touch the atmosphere,
The configuration of each substrate cleaning chamber device can be simplified and reduced in size without being affected by metal contamination, ions, oxygen, or the like.

【0120】また、上記枚葉式基板洗浄装置10におい
ては、一枚のウェハWを水平状態で支持回転するスピン
チャック装置81は、その上下方向の移動が固定される
一方、内周部に円環状処理槽85〜88が上下方向へ複
数段に配列されてなる洗浄チャンバ80は、上記スピン
チャック装置81に対して上下方向へ相対的に昇降動作
可能とされて、洗浄処理工程に応じて、円環状処理槽8
5〜88のいずれか一つが上記スピンチャック装置81
に支持されたウェハWに対応した位置に移動して位置決
めされるように構成されているから、高速回転するスピ
ンチャック装置81の支持構造が単純かつ堅牢であり、
このスピンチャック装置81の回転部つまり基板支持部
104に回転振動が発生するのが有効に防止される。
In the single-wafer substrate cleaning apparatus 10, the spin chuck 81 that supports and rotates one wafer W in a horizontal state is fixed in the vertical direction, while the inner peripheral portion has a circular shape. The cleaning chamber 80 in which the annular processing tanks 85 to 88 are arranged in a plurality of stages in the vertical direction is capable of vertically moving relative to the spin chuck device 81 in the vertical direction. Annular processing tank 8
Any one of the above-mentioned spin chuck device 81
The support structure of the spin chuck device 81 that rotates at high speed is simple and robust because it is configured to move to a position corresponding to the wafer W supported by
Generation of rotational vibration in the rotating portion of the spin chuck device 81, that is, the substrate supporting portion 104, is effectively prevented.

【0121】なお、上述した実施形態はあくまでも本発
明の好適な実施態様を示すものであって、本発明はこれ
に限定されることなくその範囲内で種々の設計変更が可
能である。
The above-described embodiment merely shows a preferred embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to this, and various design changes can be made within the scope.

【0122】また、本実施形態において用いた洗浄液
は、あくまでも一例であって、例えばHPM(HCl+
2 2 +H2 O)やSPM(H2 SO4 +H2 2
2 O)など目的に応じて他の洗浄液も利用可能であ
る。
The cleaning liquid used in the present embodiment is merely an example, and is, for example, HPM (HCl +
H 2 O 2 + H 2 O) or SPM (H 2 SO 4 + H 2 O 2 +
Other cleaning liquids such as H 2 O) can be used depending on the purpose.

【0123】[0123]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明のスピンチ
ャック装置によれば、基板支持部を構成する放射状の複
数のチャッキングアームが、垂直方向へ突出退入するシ
リンダ装置と可撓性接続手段を介して接続されて、上記
シリンダ装置の突出動作により、上記チャッキングアー
ムが径方向内側へ引き込まれて、チャッキング動作する
一方、上記シリンダ装置の退入動作により、チャッキン
グアームが径方向外側へ押し出されて、チャッキング解
除動作するように構成されているから、装置構造が小型
簡素であるとともに、高速回転による遠心力に対しても
適正なチャッキング力を得て、ウェハの破損を有効に防
止する。
As described above in detail, according to the spin chuck device of the present invention, a plurality of radial chucking arms constituting a substrate supporting portion can be flexibly connected to a cylinder device which projects and retracts in a vertical direction. The chucking arm is connected via connection means, and the chucking arm is drawn inward in the radial direction by the projecting operation of the cylinder device, and performs the chucking operation. It is configured to be pushed out to the outside in the direction to perform the chucking release operation, so that the device structure is small and simple, and an appropriate chucking force against centrifugal force due to high-speed rotation is obtained, thereby damaging the wafer. Effectively prevent.

【0124】また、上記スピンチャック装置を備えた基
板洗浄装置において、スピンチャック装置がその上下方
向の移動を固定される一方、洗浄チャンバが、上記スピ
ンチャック装置に対して上下方向へ相対的に昇降動作可
能とされて、洗浄処理工程に応じて、上記洗浄チャンバ
の環状洗浄槽のいずれか一つが上記スピンチャック装置
に支持されたウェハに対応した位置に移動して位置決め
されるように構成されているから、高速回転する基板回
転手段の支持構造が単純かつ堅牢であり、このスピンチ
ャック装置の回転部つまり上記基板支持部に回転振動が
発生するのが有効に防止される。
Further, in the substrate cleaning apparatus provided with the above-mentioned spin chuck apparatus, the vertical movement of the spin chuck apparatus is fixed, and the cleaning chamber is moved up and down relatively to the above-mentioned spin chuck apparatus. It is configured to be operable, and one of the annular cleaning tanks of the cleaning chamber is moved and positioned at a position corresponding to the wafer supported by the spin chuck device in accordance with the cleaning processing step. Therefore, the supporting structure of the substrate rotating means which rotates at high speed is simple and robust, and the generation of rotational vibration in the rotating portion of the spin chuck device, that is, the substrate supporting portion is effectively prevented.

【0125】本発明の基板洗浄システムにおいては、密
閉可能に構成された装置本体内に、上記ローディング・
アンローディングブース、処理ブースおよびロボットブ
ースが設けられるとともに、上記基板洗浄チャンバ装置
が上記枚葉式基板洗浄装置から構成されて、ウェハを一
枚ずつ処理する枚葉式であることから、非常に高い清浄
度雰囲気でかつパーティクル等の再付着もほとんどな
く、ウェハ毎の精密な処理を行なうことができ、基板洗
浄装置の洗浄空間も小さく、洗浄液も少量で済む。
In the substrate cleaning system of the present invention, the loading / loading is carried out in the apparatus main body which can be sealed.
An unloading booth, a processing booth, and a robot booth are provided, and the substrate cleaning chamber apparatus is constituted by the single-wafer-type substrate cleaning apparatus, and is a single-wafer processing apparatus that processes wafers one by one. In a clean atmosphere, there is almost no reattachment of particles and the like, precise processing can be performed for each wafer, the cleaning space of the substrate cleaning apparatus is small, and a small amount of cleaning liquid is required.

【0126】また、ウェハを一枚ずつ複数の洗浄液で洗
浄処理する、つまり一つの基板洗浄チャンバで全洗浄工
程を行なうワンチャンバ式であることから、洗浄工程に
おいてウェハの出し入れがなく、大気に触れて、金属汚
染、イオンあるいは酸素等の影響を受けることもなく、
各基板洗浄チャンバの構成も単純かつ小型化できる。
Further, since the cleaning process is performed on a wafer one by one with a plurality of cleaning liquids, that is, the entire cleaning process is performed in one substrate cleaning chamber, the wafer is not taken in and out of the cleaning process and exposed to the atmosphere. Without being affected by metal contamination, ions or oxygen, etc.
The configuration of each substrate cleaning chamber can be simple and small.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る基板洗浄システムの
処理ブースに配置される枚葉式基板洗浄装置を示す側面
図である。
FIG. 1 is a side view showing a single wafer type substrate cleaning apparatus arranged in a processing booth of a substrate cleaning system according to an embodiment of the present invention.

【図2】同じく同基板洗浄装置を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the same substrate cleaning apparatus.

【図3】同じく同基板洗浄装置を示す正面断面図であ
る。
FIG. 3 is a front sectional view showing the same substrate cleaning apparatus.

【図4】同基板洗浄装置のスピンチャック装置を示す平
面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a spin chuck device of the substrate cleaning apparatus.

【図5】同じく同スピンチャック装置を示す正面断面図
である。
FIG. 5 is a front sectional view showing the same spin chuck device.

【図6】同スピンチャック装置の基板支持部の要部を拡
大して示す正面断面図である。
FIG. 6 is an enlarged front cross-sectional view showing a main part of a substrate supporting portion of the spin chuck device.

【図7】同基板洗浄システムの外観を示す正面図であ
る。
FIG. 7 is a front view showing the appearance of the substrate cleaning system.

【図8】同じく同基板洗浄システムの外観を示す右側面
図である。
FIG. 8 is a right side view showing the appearance of the substrate cleaning system.

【図9】同じく同基板洗浄システムの外観を示す左側面
図である。
FIG. 9 is a left side view showing the appearance of the substrate cleaning system.

【図10】同じく同基板洗浄システムの外観を示す背面
図である。
FIG. 10 is a rear view showing the appearance of the same substrate cleaning system.

【図11】同基板洗浄システムのローディング・アンロ
ーディングブースAの内部構成を示す正面図である。
FIG. 11 is a front view showing an internal configuration of a loading / unloading booth A of the substrate cleaning system.

【図12】同基板洗浄システムの内部構成を示す側面断
面図である。
FIG. 12 is a side sectional view showing the internal configuration of the substrate cleaning system.

【図13】同基板洗浄システムの内部構成を示す平面断
面図である。
FIG. 13 is a plan sectional view showing an internal configuration of the substrate cleaning system.

【図14】同基板洗浄システムのローディング・アンロ
ーディングブースにおける基板保持部および昇降装置を
示す正面図である。
FIG. 14 is a front view showing a substrate holding unit and a lifting device in a loading / unloading booth of the substrate cleaning system.

【図15】同じく同基板保持部および昇降装置を示す側
面図である。
FIG. 15 is a side view showing the same substrate holding unit and lifting device.

【図16】同じく同基板保持部および昇降装置を示す平
面図である。
FIG. 16 is a plan view showing the same substrate holding unit and lifting device.

【図17】同昇降装置を一部断面で示す側面図である。FIG. 17 is a side view showing the elevation device in a partial cross section.

【図18】同ローディング・アンローディングブースに
おけるウェハマッピングセンサと基板飛び出し修正装置
を示す平面図である。
FIG. 18 is a plan view showing a wafer mapping sensor and a board pop-out correction device in the loading / unloading booth.

【図19】同じく同ウェハマッピングセンサと基板飛び
出し修正装置を示す背面図である。
FIG. 19 is a rear view showing the same wafer mapping sensor and substrate pop-out correction device.

【図20】同基板洗浄システムのロボットブースにおけ
る移載ロボットを示す平面図である。
FIG. 20 is a plan view showing a transfer robot in a robot booth of the substrate cleaning system.

【図21】同じく同移載ロボットを示す側面図である。FIG. 21 is a side view showing the same transfer robot.

【図22】同基板洗浄システムのロボットブースにおけ
る基板反転装置を示す正面図である。
FIG. 22 is a front view showing a substrate reversing device in a robot booth of the substrate cleaning system.

【図23】同じく同基板反転装置を示す側面断面図であ
る。
FIG. 23 is a side sectional view showing the same substrate reversing device.

【図24】同じく同基板反転装置を示す平面図である。FIG. 24 is a plan view showing the same substrate reversing device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W ウェハ A ローディング・アンローディングブ
ース Aa 基板搬入部 Ab 基板搬出部 B ロボットブース C 処理ブース D 洗浄液供給装置 E システム制御装置 1 装置本体 10 基板洗浄装置 80 洗浄チャンバ 81 スピンチャック装置 85〜88 円環状処理槽 98 LMガイド(昇降ガイド) 100 昇降機構(昇降手段) 100a 送りねじ機構 100b 駆動モータ 103 回転軸 104 基板支持部 105 駆動モータ 110 チャッキングアーム 111 開閉機構(開閉手段) 111a シリンダ装置 111b 接続ワイヤ(可撓性接続手段) 111c 復帰スプリング 112 チャッキング爪 112a チャッキング面
W Wafer A Loading / unloading booth Aa Substrate carry-in section Ab Substrate carry-out section B Robot booth C Processing booth D Cleaning liquid supply device E System control device 1 System body 10 Substrate cleaning device 80 Cleaning chamber 81 Spin chuck device 85-88 Annular processing Vessel 98 LM guide (elevating guide) 100 Elevating mechanism (elevating means) 100a Feed screw mechanism 100b Drive motor 103 Rotating shaft 104 Substrate support 105 Drive motor 110 Chucking arm 111 Opening / closing mechanism (opening / closing means) 111a Cylinder device 111b Connection wire ( Flexible connection means) 111c Return spring 112 Chucking claw 112a Chucking surface

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高石 みゆき 東京都青梅市今井3丁目9番18号 エス・ イー・エス株式会社内 (72)発明者 山口 弘 東京都青梅市今井3丁目9番18号 エス・ イー・エス株式会社内 (72)発明者 上川内 秀夫 東京都八王子市大楽寺町238番地 エムテ ック株式会社内 Fターム(参考) 3B201 AA03 AB34 AB42 BB02 BB21 CD31 CD43  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Miyuki Takaishi 3-9-1-18 Imai, Ome-shi, Tokyo Inside SSE Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Yamaguchi 3-9-1-18 Imai, Ome-shi, Tokyo No. SES Co., Ltd. (72) Inventor Hideo Kamikawauchi 238, Dairakuji-cho, Hachioji-shi, Tokyo F-term in Mtec Co., Ltd. (reference) 3B201 AA03 AB34 AB42 BB02 BB21 CD31 CD43

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を一枚ずつカセットレスでウェット
洗浄する枚葉式基板洗浄装置において、一枚の基板を支
持回転するスピンチャック装置であって、一枚の基板を
支持する基板支持部が、基板の周縁部をチャッキング支
持する複数のチャッキングアームを備えるとともに、こ
れらチャッキングアームは、放射状に配置されるととも
に、開閉手段により放射方向へ往復移動可能とされ、 前記開閉手段は、前記回転軸内部に設けられ、垂直方向
へ突出退入するシリンダ装置と、このシリンダ装置と前
記チャッキングアームを接続する可撓性接続手段とを備
えてなり、 前記シリンダ装置の突出動作により、前記可撓性接続手
段を介して、前記チャッキングアームが径方向内側へ引
き込まれて、チャッキング動作し、一方、前記シリンダ
装置の退入動作により、前記可撓性接続手を介して、チ
ャッキングアームが径方向外側へ押し出されて、チャッ
キング解除動作するように構成されていることを特徴と
する枚葉式基板洗浄用スピンチャック装置。
1. A single-wafer substrate cleaning apparatus for performing wet cleaning of substrates one by one without using a cassette, comprising: a spin chuck device for supporting and rotating one substrate, wherein a substrate supporting portion for supporting one substrate is provided. A plurality of chucking arms for chucking and supporting the peripheral portion of the substrate, these chucking arms are radially arranged, and are reciprocally movable in a radial direction by opening and closing means. A cylinder device provided inside the rotating shaft and protruding and retracting in the vertical direction; and flexible connecting means for connecting the cylinder device and the chucking arm. Through the flexible connecting means, the chucking arm is pulled inward in the radial direction to perform a chucking operation, while the cylinder device is retracted. The chuck chucking arm is pushed outwardly in the radial direction by the operation through the flexible connection hand to perform a chucking releasing operation, and the single wafer type substrate cleaning spin chuck apparatus is characterized in that the chucking arm is released. .
【請求項2】 前記開閉手段は、前記回転軸内部に設け
られたシリンダ装置と、このシリンダ装置と前記チャッ
キングアームを接続する接続ワイヤと、前記チャッキン
グアームを常時チャッキング解除方向へ弾発付勢する復
帰スプリングとを備えてなり、 前記シリンダ装置の突出動作により、前記接続ワイヤを
介して、前記チャッキングアームが径方向内側へ引き込
まれて、チャッキング動作し、一方、前記シリンダ装置
の退入動作により、復帰スプリングの弾性復帰力で、チ
ャッキングアームが径方向外側へ押し出されて、チャッ
キング解除動作するように構成されていることを特徴と
する請求項1に記載の枚葉式基板洗浄用スピンチャック
装置。
2. The opening / closing means includes: a cylinder device provided inside the rotary shaft; a connection wire connecting the cylinder device to the chucking arm; And a return spring that urges the chucking arm. The projecting operation of the cylinder device causes the chucking arm to be drawn inward in the radial direction via the connection wire to perform a chucking operation. The single wafer type according to claim 1, wherein the chucking arm is pushed outward in the radial direction by an elastic return force of the return spring by the retreating operation, and the chucking release operation is performed. Spin chuck device for substrate cleaning.
【請求項3】 前記チャッキングアームの先端に基板の
周縁部を水平状態でチャッキング支持するチャッキング
爪が設けられるとともに、これらチャッキング爪のチャ
ッキング面は、基板の周縁部を点接触状態または線接触
状態でかつ上下方向へ拘束状態で当接支持するように形
成されていることを特徴とする請求項1または2に記載
の枚葉式基板洗浄用スピンチャック装置。
3. A chucking claw for chucking and supporting a peripheral portion of the substrate in a horizontal state at a tip end of the chucking arm, and a chucking surface of the chucking claw makes a point contact with the peripheral portion of the substrate. The spin chuck apparatus for cleaning a single-wafer substrate according to claim 1, wherein the spin chuck apparatus is formed so as to abut and support in a line contact state and a vertically restricted state.
【請求項4】 前記チャッキング爪のチャッキング面に
よる基板の支持構造は、基板の周縁部の若干の移動を許
容して、基板の周縁部のチッピングが防止される構造と
されていることを特徴とする請求項3に記載の枚葉式基
板洗浄用スピンチャック装置。
4. A structure for supporting a substrate by a chucking surface of a chucking claw is configured to allow a slight movement of a peripheral portion of the substrate to prevent chipping of the peripheral portion of the substrate. The spin chuck apparatus for cleaning a single-wafer substrate according to claim 3.
【請求項5】 前記基板支持部は、回転可能に軸支され
た回転軸の先端部分に水平状態で取付け支持されるとと
もに、この回転軸が駆動モータに駆動連結されているこ
とを特徴とする請求項1から4のいずれか一つに記載の
枚葉式基板洗浄用スピンチャック装置。
5. The apparatus according to claim 1, wherein the substrate supporting portion is mounted and supported in a horizontal state on a tip end of a rotatable shaft rotatably supported, and the rotating shaft is drivingly connected to a driving motor. The spin chuck apparatus for cleaning a single-wafer substrate according to claim 1.
【請求項6】 基板を一枚ずつカセットレスでウェット
洗浄する枚葉式基板洗浄装置であって、 一枚の基板を水平状態で支持回転する基板回転手段と、
この基板回転手段に対して上下方向へ相対的に昇降動作
可能とされた洗浄チャンバとを備えてなり、この洗浄チ
ャンバの内周部に、環状洗浄槽が、前記基板回転手段に
支持された基板を取り囲むように同心状に、かつ上下方
向へ複数段に配列されてなり、前記基板回転手段が請求
項1から5のいずれか一つに記載の枚葉式基板洗浄用ス
ピンチャック装置から構成され、 このスピンチャック装置は、前記洗浄チャンバの中央部
に同心状に配置されていることを特徴とする枚葉式基板
洗浄装置。
6. A single-wafer substrate cleaning apparatus for performing wet cleaning of substrates one by one without a cassette, comprising: substrate rotating means for supporting and rotating one substrate in a horizontal state;
A cleaning chamber operable up and down relative to the substrate rotating means, and an annular cleaning tank provided on an inner peripheral portion of the cleaning chamber, wherein a substrate supported by the substrate rotating means is provided. And a plurality of stages arranged in a vertical direction so as to surround the substrate, wherein the substrate rotating means is constituted by the spin chuck apparatus for cleaning a single-wafer substrate according to any one of claims 1 to 5. The single-wafer substrate cleaning apparatus is characterized in that the spin chuck apparatus is concentrically arranged at the center of the cleaning chamber.
【請求項7】 前記洗浄チャンバは、開閉可能な基板搬
入出用ゲートを備えた密閉容器の形態とされていること
を特徴とする請求項6に記載の枚葉式基板洗浄装置。
7. The single-wafer substrate cleaning apparatus according to claim 6, wherein the cleaning chamber is in the form of a closed container having a substrate loading / unloading gate that can be opened and closed.
【請求項8】 前記洗浄チャンバは、前記環状処理槽の
内径縁が、前記スピンチャック装置の基板支持部の外径
縁と非接触で、かつこれら両縁の間に形成される環状隙
間が洗浄液等の下側への漏れを阻止する程度の微小間隔
となるように設定されていることを特徴とする請求項7
に記載の枚葉式基板洗浄装置。
8. The cleaning chamber, wherein an inner peripheral edge of the annular processing tank is not in contact with an outer peripheral edge of the substrate supporting portion of the spin chuck device, and an annular gap formed between the both edges is a cleaning liquid. 8. The distance is set so as to be small enough to prevent leakage to the lower side.
A single-wafer substrate cleaning apparatus according to item 1.
【請求項9】 前記洗浄チャンバは、昇降ガイドを介し
て上下方向へ垂直に昇降可能に支持されるとともに、前
記スピンチャック装置の基板支持部に対して所定ストロ
ーク分ずつ昇降動作する昇降手段を備え、 この昇降手段は、前記洗浄チャンバを昇降動作させる送
りねじ機構と、この送りねじ機構を回転駆動させる駆動
モータとからなり、 前記駆動モータの駆動により、前記送りねじ機構を介し
て、前記洗浄チャンバが、上下方向へ所定ストロークず
つ昇降されて、洗浄処理工程を行うべき環状処理槽のい
ずれか一つの処理槽が、前記スピンチャック装置の基板
支持部に対して、その高さ方向を選択的に位置決めされ
ることを特徴とする請求項6から8のいずれか一つに記
載の枚葉式基板洗浄装置。
9. The cleaning chamber is provided with elevating means which is vertically vertically supported via an elevating guide so as to be vertically movable, and which moves up and down by a predetermined stroke with respect to a substrate supporting portion of the spin chuck apparatus. The elevating means includes a feed screw mechanism that moves the cleaning chamber up and down, and a drive motor that rotationally drives the feed screw mechanism. The drive of the drive motor causes the cleaning chamber to move through the feed screw mechanism. Is lifted up and down by a predetermined stroke in the vertical direction, and any one of the annular processing tanks to be subjected to the cleaning process is selectively moved in the height direction with respect to the substrate supporting portion of the spin chuck device. 9. The single-wafer substrate cleaning apparatus according to claim 6, wherein the apparatus is positioned.
JP2000308339A 1999-12-01 2000-10-06 Spin chuck device for washing sheet-type substrate, and sheet-type substrate washing device Withdrawn JP2001223198A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000308339A JP2001223198A (en) 1999-12-01 2000-10-06 Spin chuck device for washing sheet-type substrate, and sheet-type substrate washing device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-342032 1999-12-01
JP34203299 1999-12-01
JP2000308339A JP2001223198A (en) 1999-12-01 2000-10-06 Spin chuck device for washing sheet-type substrate, and sheet-type substrate washing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001223198A true JP2001223198A (en) 2001-08-17

Family

ID=26577130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000308339A Withdrawn JP2001223198A (en) 1999-12-01 2000-10-06 Spin chuck device for washing sheet-type substrate, and sheet-type substrate washing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001223198A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI757936B (en) Apparatus, system, and method for processing substrates
KR101798320B1 (en) Substrate processing apparatus
US6874515B2 (en) Substrate dual-side processing apparatus
US6932884B2 (en) Substrate processing apparatus
TWI765025B (en) Thin plate substrate-holding finger and transfer robot provided with this finger
JP4989398B2 (en) Substrate processing equipment
JP2001219391A (en) Substrate reversing device and substrate washing system
JPH11163094A (en) Substrate, chucking device and substrate cleaning apparatus
EP1263022B1 (en) Substrate cleaning system
KR101972226B1 (en) Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same
JP2002359237A (en) Manufacturing method of substrate treatment apparatus and semiconductor device
JP2001223195A (en) Sheet-type substrate washing method and device, and substrate washing system
JP2001223196A (en) Substrate washing system
JP2001223197A (en) Substrate carry-in/carry-out device and substrate washing system
CN1389906A (en) Base-plate washing system
TW202308032A (en) Wafer processing method
JP2001223194A (en) Sheet-type substrate washing device and substrate washing system
JP2001223198A (en) Spin chuck device for washing sheet-type substrate, and sheet-type substrate washing device
KR100775201B1 (en) Substrate cleaning system
US20010037945A1 (en) Liquid treatment equipment and liquid treatment method
JP2002043272A (en) Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
TW584912B (en) Substrate cleansing system
IL143487A (en) Substrate cleaning system
JP4172760B2 (en) Substrate processing equipment
JPH10163154A (en) Substrate cleaning method and apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080108