JP2001220692A - Method for manufacturing stamper and method for manufacturing optical recording medium - Google Patents

Method for manufacturing stamper and method for manufacturing optical recording medium

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JP2001220692A
JP2001220692A JP2000023510A JP2000023510A JP2001220692A JP 2001220692 A JP2001220692 A JP 2001220692A JP 2000023510 A JP2000023510 A JP 2000023510A JP 2000023510 A JP2000023510 A JP 2000023510A JP 2001220692 A JP2001220692 A JP 2001220692A
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JP
Japan
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layer
photoresist layer
stamper
manufacturing
substrate
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Application number
JP2000023510A
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Japanese (ja)
Inventor
Wataru Ishihara
渉 石原
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Nippon Columbia Co Ltd
Original Assignee
Nippon Columbia Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a stamper and method for manufacturing optical recording medium which are capable of manufacturing the stamper and optical recording medium having uniform bit shapes and are high in yield. SOLUTION: The method for manufacturing the optical recording medium has a stage for forming an inorganic dielectric layer on one surface of a metallic substrate, a stage for forming a tight contact layer on this inorganic dielectric layer, a stage for forming a photoresist layer on this tight contact layer, a stage for exposing this photoresist layer, a stage for developing the photoresist layer with a developer, a stage for etching the metallic substrate by using the photoresist layer as a mask member and a stage for removing the tight contact layer, the inorganic dielectric layer and the photoresist layer from the metallic substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、オーディオ情報及
びビデオ情報等を記録した光記録媒体の製造方法及びス
タンパ製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical recording medium on which audio information and video information are recorded, and a method for manufacturing a stamper.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は、従来のスタンパの製造工程を説
明する模式図である。図中、301はガラス原盤、30
2は密着層、303はフォトレジスト層、304は露光
部、305はレジストパターン、306は導電膜、30
7は電鋳層、308はスタンパである。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a schematic view for explaining a conventional stamper manufacturing process. In the figure, 301 is a glass master, 30
2 is an adhesion layer, 303 is a photoresist layer, 304 is an exposed portion, 305 is a resist pattern, 306 is a conductive film, 30
7 is an electroformed layer, and 308 is a stamper.

【0003】図3(a)に示す工程では、ガラス原盤3
01と後述するフォトレジスト層303との密着力を高
めるために、ガラス原盤301上にヘキサメチルジシラ
ザン(以下、HMDSという。)又はシラン系カップリ
ング剤を塗布して単分子膜の密着層302を形成し、続
いて密着層302上にフォトレジスト層303を形成す
る。
In the step shown in FIG.
Hexamethyldisilazane (hereinafter referred to as HMDS) or a silane-based coupling agent is applied on the glass master 301 to increase the adhesion between the photoresist layer 303 and a photoresist layer 303 described later. Is formed, and then a photoresist layer 303 is formed on the adhesion layer 302.

【0004】図3(b)に示す工程では、フォトレジス
ト層303が形成されたガラス原盤301を図示しない
カッティングマシンのターンテーブルに取付け、記録情
報に従って変調されたレーザ光を照射しフォトレジスト
層303を露光し、露光部304を形成する。図3
(c)に示す工程では、現像液によりフォトレジスト層
303を現像する。露光部304のフォトレジスト層が
除去され、ガラス原盤301上にレジストパターン30
5が形成される。
In the step shown in FIG. 3B, a glass master 301 on which a photoresist layer 303 is formed is mounted on a turntable of a cutting machine (not shown), and a laser beam modulated according to recording information is irradiated to the photoresist layer 303. Is exposed to form an exposed portion 304. FIG.
In the step shown in (c), the photoresist layer 303 is developed with a developing solution. The photoresist layer of the exposed part 304 is removed, and the resist pattern 30 is formed on the glass master 301.
5 are formed.

【0005】図3(d)に示す工程では、ガラス原盤3
01をスパッタリング装置に設置し、スパッタリングに
より、レジストパターン305の表面にニッケル、クロ
ム等の導電膜306を形成する。図3(e)に示す工程
では、導電膜306が形成されたガラス原盤301を電
鋳槽の陰極に設置し、ニッケル電鋳を行い、ガラス原盤
301の導電膜306上に電鋳層307を形成する。
In the step shown in FIG. 3D, the glass master 3
01 is set in a sputtering apparatus, and a conductive film 306 of nickel, chromium, or the like is formed on the surface of the resist pattern 305 by sputtering. In the step shown in FIG. 3E, the glass master 301 on which the conductive film 306 is formed is placed on the cathode of the electroforming tank, nickel electroforming is performed, and the electroformed layer 307 is formed on the conductive film 306 of the glass master 301. Form.

【0006】図3(f)に示す工程では、ガラス原盤3
01からレジストパターン305が転写された電鋳層3
07を剥離する。図3(g)に示す工程では、電鋳層3
07に付着したレジストパターン305を酸素アッシン
グ等により除去し、電鋳層307を所望の形状に加工
し、電鋳層307の裏面を鏡面研磨することによりスタ
ンパ308を得る。スタンパ308を射出成形機の金型
に取付け、樹脂基板を成形することによりレプリカ基板
が得られる。
In the step shown in FIG. 3F, the glass master 3
Electroformed layer 3 on which resist pattern 305 is transferred from No. 01
07 is peeled off. In the step shown in FIG.
07 is removed by oxygen ashing or the like, the electroformed layer 307 is processed into a desired shape, and the back surface of the electroformed layer 307 is mirror-polished to obtain a stamper 308. The replica substrate is obtained by attaching the stamper 308 to the mold of the injection molding machine and molding the resin substrate.

【0007】ところで、光記録媒体製造工程に対する要
求の一つに、光記録媒体製造工程の時間短縮がある。現
在、光記録媒体製造工程の迅速化のボトルネックとなっ
ているのは、図3の(e)に示すスタンパ製造工程にお
ける電鋳工程である。一般的に、コンパクトディスクの
製造プロセスにおいて電鋳工程には、約4時間から約6
時間の時間が費やされている。
One of the requirements for the optical recording medium manufacturing process is to reduce the time required for the optical recording medium manufacturing process. At present, the bottleneck for speeding up the optical recording medium manufacturing process is the electroforming process in the stamper manufacturing process shown in FIG. Generally, in the manufacturing process of the compact disc, the electroforming step is performed for about 4 hours to about 6 hours.
Time is spent on time.

【0008】上述した問題点を解決するために、特開平
3−150738号公報、特開平5−62254号公報
に電鋳工程を含まない光記録媒体製造工程が開示されて
いる。図4は、従来の電鋳工程を含まない光ディスク製
造工程におけるスタンパの製造工程を説明する模式図で
ある。図中、401は基板、402はフォトレジスト
層、403は露光部、404はレジストパターン、40
5はピット、406はスタンパである。
In order to solve the above problems, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 3-150738 and 5-62254 disclose an optical recording medium manufacturing process which does not include an electroforming process. FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a stamper manufacturing process in a conventional optical disc manufacturing process that does not include an electroforming process. In the figure, 401 is a substrate, 402 is a photoresist layer, 403 is an exposed part, 404 is a resist pattern, 40
5 is a pit and 406 is a stamper.

【0009】図4(a)に示す工程では、ニッケル等の
金属からなる基板401上にフォトレジスト層402を
形成する。図3の製造工程で用いたHMDSやシランカ
ップリング剤は、ガラス原盤とフォトレジスト層との密
着力を高めるためのものであり、金属基板とフォトレジ
スト層との密着力を高める作用はないため用いない。
In the step shown in FIG. 4A, a photoresist layer 402 is formed on a substrate 401 made of a metal such as nickel. The HMDS and the silane coupling agent used in the manufacturing process of FIG. 3 are for increasing the adhesion between the glass master and the photoresist layer, and do not have the effect of increasing the adhesion between the metal substrate and the photoresist layer. Do not use.

【0010】図4(b)に示す工程では、フォトレジス
ト層402が形成された基板401を図示しないカッテ
ィングマシンのターンテーブルに取付け、記録情報に従
って変調されたレーザ光を照射しフォトレジスト層40
2を露光し、露光部403を形成する。図4(c)に示
す工程では、現像液によりフォトレジスト層402を現
像する。露光部403のフォトレジスト層が除去され、
基板401上にレジストパターン404が形成される。
In the step shown in FIG. 4B, the substrate 401 on which the photoresist layer 402 is formed is mounted on a turntable of a cutting machine (not shown), and the photoresist layer 40 is irradiated with a laser beam modulated in accordance with recording information.
2 is exposed to form an exposed portion 403. In the step shown in FIG. 4C, the photoresist layer 402 is developed with a developing solution. The photoresist layer of the exposed part 403 is removed,
A resist pattern 404 is formed on the substrate 401.

【0011】図4(d)及び(e)に示す工程では、基
板401上に形成されたレジストパターン404をマス
ク部材としてエッチング処理を行う。基板401に所定
の深さのピット405が得られたら、エッチング処理を
終了する。図3(e)に示した電鋳工程が約4〜6時間
かかるのに対し、本工程におけるエッチング処理は20
分間から40分間で終了する。
In the steps shown in FIGS. 4D and 4E, an etching process is performed using the resist pattern 404 formed on the substrate 401 as a mask member. When the pit 405 having a predetermined depth is obtained on the substrate 401, the etching process ends. While the electroforming process shown in FIG. 3E takes about 4 to 6 hours, the etching process in this process takes 20 to 20 hours.
It takes 40 minutes to 40 minutes.

【0012】図4(f)に示す工程では、基板401に
付着したレジストパターン404を酸素アッシング等に
より除去し、基板401を所望の形状に加工することに
よりスタンパ406を得る。
In the step shown in FIG. 4F, the resist pattern 404 attached to the substrate 401 is removed by oxygen ashing or the like, and the stamper 406 is obtained by processing the substrate 401 into a desired shape.

【0013】図4に示す製造工程では、図3に示した製
造工程のスタンパ308とは異なり、スタンパ406の
ピットは凹型のピットとなる。したがって、スタンパ3
08と同じ凸型のピットを得るためには、フォトレジス
ト層402としてネガ型フォトレジストを用いるか、フ
ォトレジスト層402にレーザ光を照射する際、ピット
とすべき部分にレーザ光を照射せず、ランドとすべき部
分にレーザ光を照射するようにする。
In the manufacturing process shown in FIG. 4, unlike the stamper 308 in the manufacturing process shown in FIG. 3, the pits of the stamper 406 are concave pits. Therefore, stamper 3
In order to obtain the same convex pits as in 08, a negative type photoresist is used as the photoresist layer 402, or when irradiating the photoresist layer 402 with laser light, a portion to be a pit is not irradiated with laser light. Then, a portion to be a land is irradiated with a laser beam.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】一般に、光記録媒体の
製造に用いられるフォトレジストは、ポジ型フォトレジ
ストを例に挙げて説明すると、ナフトキノンアジド系の
感光剤とベース樹脂であるノボラック樹脂からなる。ノ
ボラック樹脂は、現像液のアルカリ水溶液に可溶である
が、ナフトキノンアジド系の感光剤と混合すると現像液
に不溶になる。したがって、露光される前のフォトレジ
スト層は、現像液に不溶である。
Generally, a photoresist used in the production of an optical recording medium is, for example, a positive-type photoresist, which comprises a naphthoquinone azide-based photosensitive agent and a novolak resin as a base resin. . The novolak resin is soluble in an alkaline aqueous solution of a developer, but becomes insoluble in a developer when mixed with a naphthoquinone azide-based photosensitizer. Therefore, the photoresist layer before being exposed is insoluble in the developing solution.

【0015】フォトレジスト層にレーザ光を照射する
と、ナフトキノンジアド系の感光剤は分解し、アルカリ
可溶性のインデンカルボン酸に変化するため、露光され
た部分のフォトレジスト層は現像液に可溶となる。ネガ
型フォトレジストの場合も、塑性は異なるが、現像液と
してアルカリ水溶液を用いている。
When the photoresist layer is irradiated with laser light, the naphthoquinone diad-based photosensitizer decomposes and changes to alkali-soluble indene carboxylic acid, so that the exposed portion of the photoresist layer becomes soluble in a developing solution. Become. In the case of a negative photoresist, although the plasticity is different, an alkaline aqueous solution is used as a developing solution.

【0016】したがって、図4に示した製造工程におい
て、従来の光記録媒体の製造に用いていたフォトレジス
ト及び現像液を使用した場合、ニッケル等の金属からな
る基板401がアルカリ水溶液に浸食され、基板401
の現像液と接する表面が粗れてしまうという問題があっ
た。基板401の現像液と接する表面は、エッチング処
理によりエッチングされる部分であるため、表面の粗れ
がピットの底面の形状に反映したり、エッチングが均一
に進まない等の現象が発生しピット形状が乱れることが
あった。
Therefore, in the manufacturing process shown in FIG. 4, when a photoresist and a developing solution used for manufacturing a conventional optical recording medium are used, the substrate 401 made of a metal such as nickel is eroded by an aqueous alkaline solution, Substrate 401
There is a problem that the surface in contact with the developer becomes rough. Since the surface of the substrate 401 which is in contact with the developing solution is a portion to be etched by the etching process, the surface roughness is reflected on the shape of the bottom surface of the pit, and the phenomenon that the etching does not progress uniformly occurs and the pit shape is generated. Was sometimes disturbed.

【0017】また、図4(a)に示す工程において、フ
ォトレジストを基板401に塗布した後、フォトレジス
ト層402内に含まれる溶剤を蒸発させるために、基板
401を70℃〜100℃でベーキング処理を行う。ニ
ッケル等の金属からなる基板401は熱伝導率がガラス
原盤よりも高いため、ベーキング処理により熱せられた
基板401に蓄えられた熱がガラス原盤を用いた場合よ
りも多くフォトレジスト層402に伝導する。そのた
め、フォトレジスト層402の基板401に近い部分の
架橋構造等が変化することにより露光感度が低下し、ピ
ット形状が乱れてしまうことがあった。
In the step shown in FIG. 4A, after a photoresist is applied to the substrate 401, the substrate 401 is baked at 70 to 100 ° C. in order to evaporate a solvent contained in the photoresist layer 402. Perform processing. Since the substrate 401 made of a metal such as nickel has a higher thermal conductivity than the glass master, heat stored in the substrate 401 heated by the baking process is transmitted to the photoresist layer 402 more than when the glass master is used. . For this reason, the cross-linking structure of the portion of the photoresist layer 402 close to the substrate 401 changes, so that the exposure sensitivity is reduced and the pit shape may be disturbed.

【0018】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、ニッケル等の金属基板をエッチング処
理することによりスタンパを製造するスタンパ製造方法
及び当該スタンパを用いて光記録媒体を製造する光記録
媒体製造方法において、均一なピット形状を有するスタ
ンパ及び光記録媒体を製造することができ、かつ歩留ま
りの高いスタンパ製造方法及び光記録媒体製造方法を提
供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a stamper manufacturing method for manufacturing a stamper by etching a metal substrate such as nickel and an optical recording medium using the stamper. An object of the present invention is to provide a stamper manufacturing method and an optical recording medium manufacturing method capable of manufacturing a stamper and an optical recording medium having a uniform pit shape and having a high yield.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願の請求項1記載の発明は、スタンパ製造方法に
おいて、金属基板の一方の面に無機誘電体層を形成する
工程と、前記無機誘電体層上に前記基板とフォトレジス
ト層との密着力を高める密着層を形成する工程と、前記
密着層上にフォトレジスト層を形成する工程と、前記フ
ォトレジスト層を記録情報に応じて露光する工程と、露
光された前記フォトレジスト層を現像液で現像する工程
と、現像された前記フォトレジスト層をマスク部材とし
て前記金属基板をエッチングする工程と、エッチングさ
れた前記金属基板から前記密着層、前記無機誘電体膜及
び前記フォトレジスト層を除去する工程とを備えたこと
を特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a stamper manufacturing method, comprising the steps of: forming an inorganic dielectric layer on one surface of a metal substrate; A step of forming an adhesion layer on the inorganic dielectric layer to increase the adhesion between the substrate and the photoresist layer, a step of forming a photoresist layer on the adhesion layer, and forming the photoresist layer on the basis of recorded information. Exposing, developing the exposed photoresist layer with a developing solution, etching the metal substrate with the developed photoresist layer as a mask member, and contacting the etched metal substrate with the metal substrate. Removing the layer, the inorganic dielectric film and the photoresist layer.

【0020】本願の請求項2記載の発明は、記録情報が
凹凸のピット列として記録されたスタンパを作製するス
タンパ作製工程と、前記スタンパから前記ピット列を転
写したレプリカ基板を作製する工程と、前記レプリカ基
板の前記ピット列が転写された面上に反射膜を形成する
工程とを備えた光記録媒体製造方法において、前記スタ
ンパ作製工程は、金属基板の一方の面に無機誘電体層を
形成する工程と、前記無機誘電体層上に前記基板とフォ
トレジスト層との密着力を高める密着層を形成する工程
と、前記密着層上にフォトレジスト層を形成する工程
と、前記フォトレジスト層を記録情報に応じて露光する
工程と、露光された前記フォトレジスト層を現像液で現
像する工程と、現像された前記フォトレジスト層をマス
ク部材として前記金属基板をエッチングする工程と、エ
ッチングされた前記金属基板から前記密着層、前記無機
誘電体膜及び前記フォトレジスト層を除去する工程とを
備えたことを特徴とする。
The invention according to claim 2 of the present application provides a stamper manufacturing step of manufacturing a stamper in which recording information is recorded as an uneven pit array, and a step of manufacturing a replica substrate in which the pit array is transferred from the stamper. Forming a reflective film on the surface of the replica substrate on which the pit rows are transferred, wherein the stamper forming step includes forming an inorganic dielectric layer on one surface of the metal substrate. And a step of forming an adhesion layer on the inorganic dielectric layer to increase the adhesion between the substrate and the photoresist layer, a step of forming a photoresist layer on the adhesion layer, Exposing according to recorded information, developing the exposed photoresist layer with a developing solution, and using the developed photoresist layer as a mask member to form the gold layer. Etching the substrate, the adhesive layer from the metal substrate has been etched, and further comprising a step of removing the inorganic dielectric film and the photoresist layer.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について具体的に説明する。図1は、本発明の
光記録媒体製造方法を用いた製造工程の一実施例を説明
する図である。図2は、本発明の光記録媒体製造方法を
用いた製造工程のカッティング工程及びスタンパ製造工
程の一実施例を説明する図である。図中、201はニッ
ケル基板、202は無機誘電体層、203は密着層、2
04はフォトレジスト層、205は露光部、206はレ
ジストパターン、207はピット、208はスタンパで
ある。
Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a view for explaining an embodiment of a manufacturing process using the optical recording medium manufacturing method of the present invention. FIG. 2 is a view for explaining an embodiment of a cutting step and a stamper manufacturing step of a manufacturing step using the optical recording medium manufacturing method of the present invention. In the figure, 201 is a nickel substrate, 202 is an inorganic dielectric layer, 203 is an adhesion layer, 2
04 is a photoresist layer, 205 is an exposure part, 206 is a resist pattern, 207 is a pit, and 208 is a stamper.

【0022】まず、図1(a)は、プリマスタリング工
程である。この工程では、スタジオ等で録音された楽曲
データに対し、リードイン、リードアウト、インデック
ス及びアドレス等の情報が付加されて、光ディスクやマ
スターテープ等に記録される。
First, FIG. 1A shows a premastering step. In this step, information such as a lead-in, a lead-out, an index and an address is added to music data recorded in a studio or the like and recorded on an optical disk, a master tape, or the like.

【0023】図1(b)のカッティング工程及び図1
(c)のスタンパ製造工程については、図2を用いて具
体的に説明する。図2(a)に示す工程では、片面が約
20μmの平坦度に鏡面研磨された厚さが約0.3mm
のニッケル基板201をスパッタリング装置に取り付け
る。ニッケル基板201は、後述する射出成形工程にお
いてスタンパとして用いるため、成形装置の金型とのマ
ッチング及び成形特性を考慮して約0.3mmの厚さと
した。ニッケル基板201が約0.3mmより厚くなる
と、金型とのマッチングが悪くなるため成形する樹脂へ
の熱の伝わり方が不均一となり、ピットを均一な形状で
成形できない。また、射出成形中は、ニッケル基板20
1の温度が70〜200℃の範囲で変化するため、基板
厚が厚いと歪みによるクラックが発生しやすくなる。ニ
ッケル基板201の厚さが約0.3mmより薄いと機械
的な強度を保つことができなくなる。基板材料として
は、ニッケルの他に、銅、アルミニウム等の金属または
合金を用いることができる。基板材料として、従来の光
記録媒体のスタンパとして用いられているニッケルを用
いれば、従来の光記録媒体の製造工程における射出成形
条件と同じ条件で射出成形を行うことができる。
The cutting process shown in FIG.
The stamper manufacturing process (c) will be specifically described with reference to FIG. In the step shown in FIG. 2A, one side is mirror-polished to a flatness of about 20 μm and the thickness is about 0.3 mm.
Is mounted on a sputtering apparatus. Since the nickel substrate 201 is used as a stamper in an injection molding process to be described later, it has a thickness of about 0.3 mm in consideration of matching with a mold of a molding apparatus and molding characteristics. If the nickel substrate 201 is thicker than about 0.3 mm, the matching with the mold becomes poor, so that the way of transmitting heat to the resin to be molded becomes uneven, and the pit cannot be molded in a uniform shape. During the injection molding, the nickel substrate 20
Since the temperature of No. 1 changes in the range of 70 to 200 ° C., cracks due to distortion are likely to occur when the substrate thickness is large. If the thickness of the nickel substrate 201 is less than about 0.3 mm, mechanical strength cannot be maintained. As the substrate material, metals or alloys such as copper and aluminum can be used in addition to nickel. If nickel used as a stamper of a conventional optical recording medium is used as a substrate material, injection molding can be performed under the same injection molding conditions in a conventional optical recording medium manufacturing process.

【0024】スパッタリング法によりSiO2膜、Si
O膜またはSiN膜等のシリコン系の無機誘電体材料か
らなる無機誘電体層202をニッケル基板201の鏡面
研磨された面に形成する。無機誘電体層202の膜厚
は、後述する現像液の浸入防止の効果及び成膜時間を考
慮すると約10〜50nmが好ましい。
SiO2 film, Si by sputtering
An inorganic dielectric layer 202 made of a silicon-based inorganic dielectric material such as an O film or a SiN film is formed on the mirror-polished surface of the nickel substrate 201. The thickness of the inorganic dielectric layer 202 is preferably about 10 to 50 nm in consideration of the effect of preventing the infiltration of the developer described below and the film formation time.

【0025】ここで、無機誘電体層202にシリコン系
の無機誘電体材料を用いる理由は、図3で示した従来の
スタンパ製造工程で使用していたHMDS又はシラン系
カップリング剤との密着性が高いため、後述するフォト
レジスト層のニッケル基板201からの剥離を防止する
ことができるためである。
Here, the reason for using a silicon-based inorganic dielectric material for the inorganic dielectric layer 202 is that the inorganic dielectric layer 202 has an adhesive property with the HMDS or silane-based coupling agent used in the conventional stamper manufacturing process shown in FIG. The reason is that the photoresist layer can be prevented from peeling from the nickel substrate 201, which will be described later.

【0026】図2(b)に示す工程では、ニッケル基板
201の無機誘電体層202が形成された面に、HMD
S又はシラン系カップリング剤の単分子膜を密着層20
3としてスピンコート法により形成する。
In the step shown in FIG. 2B, an HMD is formed on the surface of the nickel substrate 201 on which the inorganic dielectric layer 202 is formed.
A monomolecular film of S or a silane coupling agent is applied to the adhesion layer 20.
3 is formed by a spin coating method.

【0027】図2(c)に示す工程では、ニッケル基板
201上に形成された密着層203上にフォトレジスト
層204をスピンコート法により形成する。フォトレジ
スト層204の膜厚は、後述するエッチング処理の条件
(フォトレジスト層204及びニッケル基板201のエ
ッチングレートと、エッチング処理により形成するピッ
トの深さ)により決定する。
In the step shown in FIG. 2C, a photoresist layer 204 is formed on the adhesion layer 203 formed on the nickel substrate 201 by spin coating. The thickness of the photoresist layer 204 is determined by etching conditions (etching rates of the photoresist layer 204 and the nickel substrate 201 and pit depths formed by the etching process) described later.

【0028】フォトレジスト層204としては、ポジ型
フォトレジストを用いてもよいし、ネガ型フォトレジス
トを用いてもよい。ポジ型フォトレジストを用いる場合
は、得られるスタンパの凹凸が従来のスタンパとは逆に
なるため、フォトレジスト層204にレーザ光を照射す
る際、ピットとすべき部分にレーザ光を照射せず、ラン
ドとすべき部分にレーザ光を照射するようにする。ネガ
型フォトレジストを用いる場合は、得られるスタンパの
凹凸が従来のスタンパと同じになる。
As the photoresist layer 204, a positive photoresist or a negative photoresist may be used. When a positive photoresist is used, the resulting stamper has irregularities that are opposite to those of the conventional stamper. Therefore, when irradiating the photoresist layer 204 with laser light, the laser light is not applied to a portion to be a pit, A portion to be a land is irradiated with a laser beam. When a negative photoresist is used, the resulting stamper has the same irregularities as a conventional stamper.

【0029】フォトレジスト層204が形成されたニッ
ケル基板201は、クリーンオーブン内において、90
℃の温度で30分間プリベークされ、フォトレジスト層
204内に残存している溶媒が除去される。本実施例で
は、ニッケル基板201とフォトレジスト層204との
間に、熱伝導率が低い無機誘電体層202が形成されて
いるため、ベーキング処理により熱せられたニッケル基
板201に蓄えられた熱によりフォトレジスト層204
のニッケル基板201に近い部分の架橋構造等が変化
し、露光感度が低下することがない。
The nickel substrate 201 on which the photoresist layer 204 is formed is placed in a clean oven at 90
Prebaking is performed for 30 minutes at a temperature of ° C. to remove the solvent remaining in the photoresist layer 204. In this embodiment, since the inorganic dielectric layer 202 having a low thermal conductivity is formed between the nickel substrate 201 and the photoresist layer 204, the heat stored in the nickel substrate 201 heated by the baking process is applied. Photoresist layer 204
Thus, the cross-linking structure and the like of the portion near the nickel substrate 201 do not change, and the exposure sensitivity does not decrease.

【0030】図2(d)に示す工程では、フォトレジス
ト層201が形成されたニッケル基板201を図示しな
いカッティングマシンのターンテーブルに取付け、記録
情報に従って変調されたレーザ光を照射しフォトレジス
ト層201を露光する。フォトレジスト層204として
ネガ型フォトレジストを使用した場合は、露光が終わっ
たニッケル基板201を、クリーンオーブン内に設置
し、110℃の温度で10分間反転ベークを行い、フォ
トレジスト層204の露光部205をアルカリ不溶性に
する。更に、フォトレジスト層204にi線露光を行
い、露光部205以外の未露光部分をアルカリ可溶性に
する。以上、図2(a)〜(d)迄の工程が、図1
(b)のカッティング工程にあたる。
In the step shown in FIG. 2D, the nickel substrate 201 on which the photoresist layer 201 has been formed is mounted on a turntable of a cutting machine (not shown) and irradiated with a laser beam modulated in accordance with recording information. Is exposed. When a negative type photoresist is used as the photoresist layer 204, the exposed nickel substrate 201 is placed in a clean oven, and reverse baking is performed at a temperature of 110 ° C. for 10 minutes. 205 is made alkali-insoluble. Further, i-line exposure is performed on the photoresist layer 204 to make the unexposed portions other than the exposed portions 205 alkali-soluble. As described above, the steps from FIG. 2A to FIG.
This corresponds to the cutting step (b).

【0031】図2(e)に示す工程では、ニッケル基板
201を現像装置に取り付け、有機アルカリ現像液を用
いてスピン現像を行い、フォトレジスト層204を現像
する。その後有機アルカリ現像液の塗布を停止し、スピ
ン乾燥を行う。フォトレジスト層204が現像され、ニ
ッケル基板201上にレジストパターン206が形成さ
れる。本実施例では、ニッケル基板201とフォトレジ
スト層204との間に、有機アルカリ現像液に不溶の無
機誘電体層202が形成されているため、ニッケル基板
201の表面が有機アルカリ現像液により粗らされるこ
とがない。
In the step shown in FIG. 2E, the nickel substrate 201 is attached to a developing device, and spin development is performed using an organic alkali developer to develop the photoresist layer 204. Thereafter, the application of the organic alkali developer is stopped, and spin drying is performed. The photoresist layer 204 is developed, and a resist pattern 206 is formed on the nickel substrate 201. In this embodiment, since the inorganic dielectric layer 202 insoluble in the organic alkali developing solution is formed between the nickel substrate 201 and the photoresist layer 204, the surface of the nickel substrate 201 is roughened by the organic alkali developing solution. Never be.

【0032】図2(f)及び(g)に示す工程では、ニ
ッケル基板201上に形成されたレジストパターン20
6をマスク部材としてエッチング処理(反応性イオンエ
ッチング又はイオンミリング)を行う。ニッケル基板2
01に所定の深さのピット207が得られたら、エッチ
ング処理を終了する。本実施例では、有機アルカリ現像
液に不溶の無機誘電体層202が形成されているため、
エッチングを均一に進めることができ、良好な形状のピ
ットをエッチングにより形成することができる。
In the steps shown in FIGS. 2F and 2G, the resist pattern 20 formed on the nickel substrate 201 is formed.
An etching process (reactive ion etching or ion milling) is performed using 6 as a mask member. Nickel substrate 2
When the pit 207 having a predetermined depth is obtained at 01, the etching process is terminated. In this embodiment, since the inorganic dielectric layer 202 that is insoluble in the organic alkali developer is formed,
Etching can proceed uniformly, and pits having good shapes can be formed by etching.

【0033】図2(h)に示す工程では、ニッケル基板
201に付着したレジストパターン206、密着層20
3及び無機誘電体層202をアセトン洗浄及び酸素アッ
シング等により除去し、ニッケル基板201を所望の形
状に加工することによりスタンパ208を得る。以上、
図2(e)〜(h)迄の工程が、図1(c)のスタンパ
製造工程にあたる。
In the step shown in FIG. 2H, the resist pattern 206 adhering to the nickel
3 and the inorganic dielectric layer 202 are removed by acetone cleaning, oxygen ashing, or the like, and the nickel substrate 201 is processed into a desired shape to obtain a stamper 208. that's all,
2E to 2H correspond to the stamper manufacturing process in FIG. 1C.

【0034】次に、図1(d)に示す射出成形工程で
は、スタンパ208を射出成形機の金型に取り付け、ポ
リカーボネート等の樹脂を成形し、レプリカ基板を得
る。図1(e)に示す反射膜、保護膜形成工程では、レ
プリカ基板をスパッタリング装置に取り付け、スパッタ
リング法により、アルミニウム、金等の反射膜をレプリ
カ基板のピットが転写されている面に50〜100nm
の厚さに形成する。反射膜が形成されたレプリカ基板を
スピンコート装置に取り付け、スピンコート法により紫
外線硬化樹脂等の保護膜を反射膜上に形成する。
Next, in the injection molding step shown in FIG. 1D, the stamper 208 is attached to a mold of an injection molding machine, and a resin such as polycarbonate is molded to obtain a replica substrate. In the step of forming the reflective film and the protective film shown in FIG. 1E, the replica substrate is attached to a sputtering apparatus, and a reflective film of aluminum, gold, or the like is formed on the surface of the replica substrate on which the pits are transferred by 50 to 100 nm by a sputtering method.
Formed to a thickness of The replica substrate on which the reflective film is formed is mounted on a spin coater, and a protective film such as an ultraviolet curable resin is formed on the reflective film by spin coating.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明によれば、ニッケル等の金属基板
をエッチング処理することによりスタンパを製造するス
タンパ製造方法及び当該スタンパを用いて光記録媒体を
製造する光記録媒体製造方法において、均一なピット形
状を有するスタンパ及び光記録媒体を製造することがで
き、かつ歩留まりの高いスタンパ製造方法及び光記録媒
体製造方法を提供することができる。
According to the present invention, a uniform stamper manufacturing method for manufacturing a stamper by etching a metal substrate such as nickel, and an optical recording medium manufacturing method for manufacturing an optical recording medium using the stamper are provided. A stamper and an optical recording medium having a pit shape can be manufactured, and a stamper manufacturing method and an optical recording medium manufacturing method with high yield can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の光記録媒体製造方法を用いた製造工程
の一実施例を説明する模式図。
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an embodiment of a manufacturing process using an optical recording medium manufacturing method according to the present invention.

【図2】本発明の光記録媒体製造方法を用いた製造工程
のカッティング工程及びスタンパ製造工程の一実施例を
説明する模式図。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an embodiment of a cutting step and a stamper manufacturing step of a manufacturing process using the optical recording medium manufacturing method of the present invention.

【図3】従来のスタンパの製造工程を説明する模式図。FIG. 3 is a schematic view for explaining a conventional stamper manufacturing process.

【図4】従来の電鋳工程を含まない光ディスク製造工程
におけるスタンパの製造工程を説明する模式図。
FIG. 4 is a schematic view for explaining a stamper manufacturing process in a conventional optical disc manufacturing process that does not include an electroforming process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

201 ニッケル基板 202 無機誘電体層 203 密着層 204 フォトレジスト層 205 露光部 206 レジストパターン 207 ピット 208スタンパ 301 ガラス原盤 302 密着層 303 フォトレジスト層 304 露光部 305 レジストパターン 306 導電膜 307 電鋳層 308 スタンパ 401 基板 402 フォトレジスト層 403 露光部 404 レジストパターン 405 ピット 406 スタンパ 201 Nickel Substrate 202 Inorganic Dielectric Layer 203 Adhesion Layer 204 Photoresist Layer 205 Exposure Section 206 Resist Pattern 207 Pit 208 Stamper 301 Glass Master 302 Adhesion Layer 303 Photoresist Layer 304 Exposure Section 305 Resist Pattern 306 Conductive Film 307 Electroforming Layer 308 Stamper 401 substrate 402 photoresist layer 403 exposed part 404 resist pattern 405 pit 406 stamper

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】金属基板の一方の面に無機誘電体層を形成
する工程と、 前記無機誘電体層上に前記基板とフォトレジスト層との
密着力を高める密着層を形成する工程と、 前記密着層上にフォトレジスト層を形成する工程と、 前記フォトレジスト層を記録情報に応じて露光する工程
と、 露光された前記フォトレジスト層を現像液で現像する工
程と、 現像された前記フォトレジスト層をマスク部材として前
記金属基板をエッチングする工程と、 エッチングされた前記金属基板から前記密着層、前記無
機誘電体層及び前記フォトレジスト層を除去する工程と
を備えたことを特徴とするスタンパ製造方法。
A step of forming an inorganic dielectric layer on one surface of a metal substrate; a step of forming an adhesion layer on the inorganic dielectric layer to increase the adhesion between the substrate and a photoresist layer; Forming a photoresist layer on the adhesive layer, exposing the photoresist layer according to recorded information, developing the exposed photoresist layer with a developer, developing the photoresist A step of etching the metal substrate using a layer as a mask member, and a step of removing the adhesion layer, the inorganic dielectric layer, and the photoresist layer from the etched metal substrate. Method.
【請求項2】記録情報が凹凸のピット列として記録され
たスタンパを作製するスタンパ作製工程と、 前記スタンパから前記ピット列を転写したレプリカ基板
を作製する工程と、 前記レプリカ基板の前記ピット列が転写された面上に反
射膜を形成する工程とを備えた光記録媒体製造方法にお
いて、 前記スタンパ作製工程は、 金属基板の一方の面に無機誘電体層を形成する工程と、 前記無機誘電体層上に前記基板とフォトレジスト層との
密着力を高める密着層を形成する工程と、 前記密着層上にフォトレジスト層を形成する工程と、 前記フォトレジスト層を記録情報に応じて露光する工程
と、 露光された前記フォトレジスト層を現像液で現像する工
程と、 現像された前記フォトレジスト層をマスク部材として前
記金属基板をエッチングする工程と、 エッチングされた前記金属基板から前記密着層、前記無
機誘電体膜及び前記フォトレジスト層を除去する工程と
を備えたことを特徴とする光記録媒体製造方法。
2. A stamper manufacturing step of manufacturing a stamper in which recording information is recorded as a pit array having irregularities; a step of manufacturing a replica substrate on which the pit array is transferred from the stamper; An optical recording medium manufacturing method comprising: a step of forming a reflective film on the transferred surface; wherein the stamper forming step includes: forming an inorganic dielectric layer on one surface of a metal substrate; A step of forming an adhesion layer on the layer to increase the adhesion between the substrate and the photoresist layer; a step of forming a photoresist layer on the adhesion layer; and a step of exposing the photoresist layer according to recorded information. Developing the exposed photoresist layer with a developer; and etching the metal substrate using the developed photoresist layer as a mask member. Degree and, the adhesion layer from the metal substrate has been etched, the inorganic dielectric film and the optical recording medium manufacturing method characterized by comprising the step of removing the photoresist layer.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011054683A (en) * 2009-08-31 2011-03-17 Asahi Kasei E-Materials Corp Method for manufacturing metal wiring board and metal wiring board

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