JP2001202606A - Magnetic spin valve head and method for forming same - Google Patents
Magnetic spin valve head and method for forming sameInfo
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- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
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- H01F10/3295—Spin-exchange coupled multilayers wherein the magnetic pinned or free layers are laminated without anti-parallel coupling within the pinned and free layers
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ニッケル−鉄（Ｎ
ｉＦｅ）からなる強磁性のフリー層を用いて構成したＧ
ＭＲ（巨大磁気抵抗）スピンバルブ再生ヘッド等の磁気
スピンバルブヘッド、およびその形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to nickel-iron (N
G composed of a ferromagnetic free layer made of iFe)
The present invention relates to a magnetic spin valve head such as an MR (giant magnetoresistance) spin valve reproducing head and a method of forming the same.
【０００２】[0002]
【０００３】ＧＭＲスピンバルブヘッドは、磁気再生／
記録システムの検出ヘッドとしてよく用いられている。
これらのヘッドは、強磁性のフリー層、非磁性の金属か
らなるスペーサ層、強磁性の磁化方向被固定層（pinned
layer) 、および反強磁性の磁化方向固定作用層(pinni
ng layer) で構成される。フリー層の磁区は、外部から
印加された磁場の影響によって回転自由である。磁化方
向被固定層の磁区は回転自由ではなく、磁化方向固定作
用層の表面の磁区によって磁化方向がきちんと固定され
ている。通常、このような構造はシード層上に形成さ
れ、保護層により保護されている。[0003] The GMR spin valve head has a magnetic reproducing /
It is often used as a detection head for a recording system.
These heads consist of a ferromagnetic free layer, a nonmagnetic metal spacer layer, and a ferromagnetic pinned layer.
layer) and antiferromagnetic pinned layer (pinni
ng layer). The magnetic domains in the free layer are free to rotate under the influence of an externally applied magnetic field. The magnetic domain of the magnetization direction fixed layer is not free to rotate, and the magnetization direction is properly fixed by the magnetic domain on the surface of the magnetization direction fixing layer. Usually, such a structure is formed on a seed layer and protected by a protective layer.
【０００４】図１は、記録密度が１平方インチあたり１
ギガバイト（Ｇｂ/ ｉｎ2 ）程度のハードディスクドラ
イブにおけるＧＭＲスピンバルブヘッドの標準的な構造
を表すものである。この構造は、基体１０上に形成され
たタンタル（Ｔａ）からなるシード層１２を含んでい
る。タンタルのシード層１２の上には、ＮｉＦｅ（ニッ
ケル−鉄）層１４ＡおよびＣｏＦｅ（コバルト−鉄）層
１４Ｂがこの順で形成され、これらにより、ＮｉＦｅ−
ＣｏＦｅからなる強磁性のフリー層１４を構成してい
る。このフリー層１４の上には、銅（Ｃｕ）からなる層
が形成され、これが非磁性金属のスペーサ層１６を構成
している。ＣｏＦｅ層１４Ｂは、ＣｏＦｅとＣｕとの界
面における界面スピン依存拡散を最適化して、磁気抵抗
比△Ｒ／Ｒを高めるように機能する。ＣｏＦｅ層１４Ｂ
はまた、ＮｉＦｅ層１４ＡとＣｕ層（フリー層１６）と
の間における拡散バリアとして働き、スピンバルブの熱
安定性の確保に役立っている。スペーサ層１６の上に
は、ＣｏＦｅからなる強磁性の磁化方向被固定層(pinne
d layer)１８が形成されている。この磁化方向被固定層
１８の上には、ＭｎＰｔ（白金−マンガン）からなる反
強磁性の磁化方向固定作用層（pinning layer)２０が形
成されている。そして、以上の構造を保護するために、
タンタルからなる保護層２２が形成されている。FIG. 1 shows that the recording density is 1 per square inch.
It shows a standard structure of a GMR spin valve head in a gigabyte (Gb / in 2 ) hard disk drive. This structure includes a seed layer 12 made of tantalum (Ta) formed on a base 10. On the tantalum seed layer 12, a NiFe (nickel-iron) layer 14A and a CoFe (cobalt-iron) layer 14B are formed in this order.
The ferromagnetic free layer 14 made of CoFe is formed. On this free layer 14, a layer made of copper (Cu) is formed, which constitutes a nonmagnetic metal spacer layer 16. The CoFe layer 14B functions to optimize the interface spin-dependent diffusion at the interface between CoFe and Cu and increase the magnetoresistance ratio ΔR / R. CoFe layer 14B
Also acts as a diffusion barrier between the NiFe layer 14A and the Cu layer (free layer 16), helping to ensure the thermal stability of the spin valve. On the spacer layer 16, a ferromagnetic pinned layer (pinne) made of CoFe is used.
d layer) 18 is formed. An antiferromagnetic pinning layer 20 of MnPt (platinum-manganese) is formed on the pinned layer 18. And to protect the above structure,
A protective layer 22 made of tantalum is formed.
【０００５】記録密度が１平方インチあたり１０ギガバ
イト（１０Ｇｂ/ ｉｎ2 ）を超えるディスクドライブに
おいては、ＧＭＲ比（△Ｒ／Ｒ）の向上によってセンサ
出力を高めることが必要である。図２は、ＧＭＲ比を向
上させたＧＭＲ積層体を表すものである。この図２で
は、シード層１２として、図１のタンタルの代わりにＮ
ｉＦｅＣｒ（ニッケル−鉄−クロム）が用いられてい
る。また、ＮｉＦｅＣｒ層の代わりにＮｉＣｒ（ニッケ
ル−クロム）層が用いられる場合もある。In a disk drive having a recording density exceeding 10 gigabytes per square inch (10 Gb / in 2 ), it is necessary to increase the sensor output by improving the GMR ratio (△ R / R). FIG. 2 shows a GMR laminate having an improved GMR ratio. In FIG. 2, N is used as the seed layer 12 instead of the tantalum of FIG.
iFeCr (nickel-iron-chromium) is used. In some cases, a NiCr (nickel-chromium) layer is used instead of the NiFeCr layer.
【０００６】リー（Ｌｅｅ）等による米国特許第５，７
３１，９３６は、改善された磁気抵抗係数を有する磁気
抵抗センサを開示している。このセンサは、ＮｉＦｅＣ
ｒもしくはＮｉＣｒからなるスペーサ層の上に形成され
た反強磁性のフリー層を有している。スペーサ層がＮｉ
Ｃｒの場合には、シード層をＴａとすることでよい結果
が得られる。US Pat. No. 5,7,738 to Lee et al.
31,936 discloses a magnetoresistive sensor having an improved magnetoresistance coefficient. This sensor uses NiFeC
It has an antiferromagnetic free layer formed on a spacer layer made of r or NiCr. Spacer layer is Ni
In the case of Cr, a good result can be obtained by setting the seed layer to Ta.
【０００７】フォンタナ・ジュニア（Ｆｏｎｔａｎａ．
Ｊｒ）等による米国特許第５，７０１，２２３は、改良
された反強磁性交換バイアス層と組み合わされて積層さ
れると共に磁化方向が反平行に固定された磁化方向被固
定層、を用いた磁気抵抗スピンバルブを開示している。
このセンサの製造においては、シード層としてＴａ、Ｚ
ｒ（ジルコニウム）、ＮｉＦｅもしくはＡｌ2 Ｏ3 （ア
ルミナ）が使用可能である。[0007] Fontana Jr. (Fontana.
U.S. Pat. No. 5,701,223 to Jr. et al. Discloses a magnetic field using a pinned magnetization direction layer that is stacked in combination with an improved antiferromagnetic exchange bias layer and has a magnetization direction fixed antiparallel. A resistance spin valve is disclosed.
In the manufacture of this sensor, Ta, Z
r (zirconium), NiFe or Al 2 O 3 (alumina) can be used.
【０００８】マウリ（Ｍａｕｒｉ）による米国特許第
５，７９６，５６１は、自己バイアス・スピンバルブ磁
気抵抗センサを開示している。このセンサを流れるセン
ス電流は、磁化方向被固定層の磁化方向を固定するため
の手段の一部として用いられている。US Pat. No. 5,796,561 to Mauri discloses a self-biased spin-valve magnetoresistive sensor. The sense current flowing through this sensor is used as a part of means for fixing the magnetization direction of the magnetization direction fixed layer.
【０００９】ギル（Ｇｉｌｌ）による米国特許第５，８
９８，５４９は、磁化方向が反平行に固定された磁化方
向被固定層から導電性スペーサによって分離されたフリ
ー層を有するスピンバルブセンサを開示している。この
磁化方向被固定層は、第１、第２、および第３の層を含
む。第１の磁化方向被固定層は、反平行結合層によって
第２，第３の磁化方向被固定層から分離されている。第
１，第２の磁化方向被固定層は、例えばＮｉＦｅＣｒ等
の高抵抗材料で形成されている。[0009] US Patent No. 5,8 by Gill
No. 98,549 discloses a spin valve sensor having a free layer separated by a conductive spacer from a magnetization direction fixed layer whose magnetization direction is fixed antiparallel. The magnetization direction fixed layer includes first, second, and third layers. The first magnetization direction fixed layer is separated from the second and third magnetization direction fixed layers by an anti-parallel coupling layer. The first and second fixed layers of the magnetization direction are formed of a high-resistance material such as NiFeCr, for example.
【００１０】イワサキ等による論文『超薄膜ＣｏＦｅフ
リー層を用いたスピンフィルタ・スピンバルブヘッド』
（１９９９年 IEEE Intermagnetics Conference の要約
ＢＡ−０４）は、ＣｏＦｅフリー層を用いたスピンフィ
ルタ・スピンバルブを開示している。A paper by Iwasaki et al., "Spin filter / spin valve head using ultrathin CoFe free layer"
(Summary BA-04 of the 1999 IEEE Intermagnetics Conference) discloses a spin filter / spin valve using a CoFe free layer.
【００１１】Ｊ．Ｃ．Ｓ．クールス（Ｋｏｏｌｓ）によ
る論文「磁気記憶用の交換バイアス・スピンバルブ」
（IEEE Transactions on Magnetics ３２巻 ４号 １
９９６年７月 ３１６５〜３１８４ページ）は、交換バ
イアス・スピンバルブの材料に関する概要を開示してい
る。J. C. S. An article by Kools on "Exchange Bias Spin Valve for Magnetic Storage"
(IEEE Transactions on Magnetics Vol. 32 No. 4 1
Jul. 996, pages 3165 to 3184) disclose an overview regarding the material of the exchange bias spin valve.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】図２は、フリー層とし
て強磁性のＮｉＦｅ−ＣｏＦｅを用いると共にシード層
１２としてＴａ（図１）の代わりにＮｉＦｅＣｒもしく
はＮｉＣｒを用いて形成したＧＭＲ積層体を表すもので
ある。表１の結果が示すように、このＧＭＲ積層体によ
れば、ＧＭＲ比が向上している。ＮｉＦｅＣｒもしくは
ＮｉＣｒをシード層として用いることにより、一層の熱
安定化も図られている。ところが、横方向（層面と平行
な方向）の磁界下でのアニール（以下、横方向磁界アニ
ールという。）を行った後においては、ＮｉＦｅＣｒも
しくはＮｉＣｒのシード層１２上に形成されているＮｉ
Ｆｅ−ＣｏＦｅからなるフリー層は、表１で示すよう
に、より高い保磁力Ｈc と、より高い異方磁界Ｈk とを
有し、等方性を呈する。これらの値Ｈc ，Ｈk がより高
くなることは、ＧＭＲセンサの大増幅能力を制限する原
因となる磁気抵抗センサ感度の低下をもたらす。なお、
表１に記載した磁気抵抗センサ積層体としては、シード
層と、約４．７ｎｍ（ナノメートル）の膜厚を有するＮ
ｉＦｅ層および約２．０ｎｍの膜厚を有するＣｏＦｅか
らなる強磁性のフリー層と、約３．０ｎｍの膜厚を有す
るＣｕからなる非磁性金属（スペーサ）層と、約２．０
ｎｍの膜厚を有するＣｏＦｅからなる強磁性の磁化方向
被固定層と、約２０．０ｎｍの膜厚を有するＭｎＰｔ
（白金−マンガン）からなる反強磁性の磁化方向固定作
用層と、約５．０ｎｍの膜厚を有するＴａからなる保護
層を含んだものを用いた。シード層は、一方の例では約
７．５ｎｍの膜厚を有するＴａ層とし、他方の例では約
５．０ｎｍの膜厚を有するＮｉＦｅＣｒとした。FIG. 2 shows a GMR laminate formed by using ferromagnetic NiFe--CoFe as a free layer and using NiFeCr or NiCr as a seed layer 12 instead of Ta (FIG. 1). Things. As shown in the results of Table 1, according to the GMR laminate, the GMR ratio is improved. By using NiFeCr or NiCr as a seed layer, further thermal stabilization is achieved. However, after annealing under a magnetic field in the lateral direction (direction parallel to the layer surface) (hereinafter referred to as lateral magnetic field annealing), Ni formed on the seed layer 12 of NiFeCr or NiCr is formed.
Free layer composed of a Fe-CoFe, as shown in Table 1, has a higher coercivity H c, and a higher anisotropic magnetic field H k, exhibits isotropic. These values H c, the H k is higher results in a decrease of the magnetic resistance sensor sensitivity that causes to limit the large amplification capacity of the GMR sensor. In addition,
The magnetoresistive sensor stack described in Table 1 includes a seed layer and N having a thickness of about 4.7 nm (nanometers).
an iFe layer and a ferromagnetic free layer made of CoFe having a thickness of about 2.0 nm; a nonmagnetic metal (spacer) layer made of Cu having a thickness of about 3.0 nm;
and a MnPt layer having a thickness of about 20.0 nm.
A layer including an antiferromagnetic magnetization direction fixing layer made of (platinum-manganese) and a protective layer made of Ta having a thickness of about 5.0 nm was used. The seed layer was a Ta layer having a thickness of about 7.5 nm in one example, and NiFeCr having a thickness of about 5.0 nm in the other example.
【００１３】[0013]
【表１】 [Table 1]
【００１４】表１において、Ｂs は飽和磁束密度、Ｈc
は保磁力、Ｈe は交換結合磁界(interlayer coupling f
ield) 、Ｈk は異方性磁界、Ｒs はＧＭＲセンサ積層体
の抵抗、△Ｒ／Ｒは磁気抵抗比、△Ｒは抵抗の最大変化
量を表している。In Table 1, B s is the saturation magnetic flux density, H c
Coercivity, H e is the exchange coupling magnetic field (interlayer coupling f
ield), H k is the anisotropic magnetic field, R s is the resistance of the GMR sensor stack, ΔR / R is the magnetoresistance ratio, and ΔR is the maximum change in resistance.
【００１５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、改善された磁気抵抗比と、保磁力Ｈ
c および異方性磁界Ｈk が小さくなるような軟磁性特性
とを有する磁気スピンバルブヘッドの形成方法を提供す
ることにある。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to improve the magnetoresistance ratio and the coercive force H.
An object of the present invention is to provide a method for forming a magnetic spin valve head having soft magnetic characteristics such that c and anisotropic magnetic field Hk are reduced.
【００１６】本発明のさらなる目的は、改善された磁気
抵抗比と、保磁力Ｈc および異方性磁界Ｈk が小さくな
るような軟磁性特性とを有する磁気スピンバルブヘッド
を提供することにある。It is a further object of the present invention to provide a magnetic spin valve head having an improved magnetoresistance ratio and soft magnetic properties such that coercive force Hc and anisotropic magnetic field Hk are reduced. .
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】本発明の磁気スピンバル
ブヘッドの形成方法は、基体を作製する工程と、基体上
に、ニッケル−鉄−クロム（ＮｉＦｅＣｒ）またはニッ
ケル−クロム（ＮｉＣｒ）からなるシード層を形成する
工程と、シード層の上に、ニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）か
らなる強磁性のフリー層を形成する工程と、フリー層の
上に、非磁性の金属からなるスペーサ層を形成する工程
と、スペーサ層の上に、強磁性の磁化方向被固定層を形
成する工程と、磁化方向被固定層の上に、反強磁性の磁
化方向固定作用層を形成する工程と、磁化方向固定作用
層の上に、保護層を形成する工程とを含むものである。According to the present invention, there is provided a method of forming a magnetic spin valve head, comprising the steps of: forming a substrate; and forming a seed made of nickel-iron-chromium (NiFeCr) or nickel-chromium (NiCr) on the substrate. Forming a layer, forming a ferromagnetic free layer made of nickel-iron (NiFe) on the seed layer, and forming a spacer layer made of a non-magnetic metal on the free layer Forming a ferromagnetic pinned magnetization direction layer on the spacer layer, forming an antiferromagnetic pinned magnetization direction layer on the magnetization direction pinned layer, Forming a protective layer on the layer.
【００１８】本発明の磁気スピンバルブヘッドは、基体
と、基体上に形成された、ニッケル−鉄−クロム（Ｎｉ
ＦｅＣｒ）またはニッケル−クロム（ＮｉＣｒ）からな
るシード層と、シード層の上に形成された、ニッケル−
鉄（ＮｉＦｅ）からなる強磁性のフリー層と、フリー層
の上に形成された、非磁性の金属からなるスペーサ層
と、スペーサ層の上に形成された強磁性の磁化方向被固
定層と、磁化方向被固定層の上に形成された磁化方向固
定作用層と、磁化方向固定作用層の上に形成された保護
層とを備えたものである。The magnetic spin valve head of the present invention comprises a substrate and a nickel-iron-chromium (Ni) formed on the substrate.
FeCr) or nickel-chromium (NiCr), and a nickel layer formed on the seed layer.
A ferromagnetic free layer made of iron (NiFe), a spacer layer made of a nonmagnetic metal formed on the free layer, and a ferromagnetic magnetization direction fixed layer formed on the spacer layer; It comprises a magnetization direction fixed action layer formed on the magnetization direction fixed layer, and a protective layer formed on the magnetization direction fixed action layer.
【００１９】本発明の磁気スピンバルブヘッドまたはそ
の形成方法では、従来のＮｉＦｅ−ＣｏＦｅからなる強
磁性のフリー層の代わりに、ＮｉＦｅもしくはＮｉＣｒ
からなるシード層の上に形成されたＮｉＦｅのみからな
る薄い強磁性のフリー層が用いられ、また、より薄い非
磁性金属のスペーサ層も用いられる。According to the magnetic spin valve head or the method of forming the same of the present invention, instead of the conventional ferromagnetic free layer made of NiFe--CoFe, NiFe or NiCr is used.
A thin ferromagnetic free layer made of only NiFe formed on a seed layer made of Ni is used, and a thinner nonmagnetic metal spacer layer is also used.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２１】本出願人は、ＣｏＦｅ（コバルト- 鉄）か
らなるインタフェイス層( 以下、ＣｏＦｅインタフェイ
ス層という。）を用いずにＮｉＦｅのみで構成した膜
は、それをＴａではなくむしろＮｉＦｅＣｒまたはＮｉ
Ｃｒからなるシード層の上に成長させて形成した場合
に、ＧＭＲスピンバルブセンサに適した特性を有するこ
とを見出した。ＣｏＦｅからなるインタフェイス層をも
たず、かつ、ＮｉＦｅＣｒまたはＮｉＣｒからなるシー
ド層の上に成長したＮｉＦｅ層は、優れた単軸異方性を
有する。約１５８０００アンペア毎メートル（Ａ／ｍ）
（すなわち、２０００Ｏｅ（エルステッド））という強
さの横方向磁界の下で、約２８０度の温度で５時間にわ
たって横方向磁界下でのアニールを行った場合であって
も、設定された元の磁化方向が変化（交番）することは
ない。この横方向磁界アニールは、保磁力Ｈc や異方性
磁界Ｈk 等の軟磁性特性を向上させるように働く。これ
らの特性は、Ｔａからなるシード層上で成長したＮｉＦ
ｅ膜の特性とは非常に異なるものである。これらの特性
はまた、ＮｉＦｅＣｒまたはＮｉＣｒからなるシード層
の上で成長したＮｉＦｅ膜をスピンバルブセンサ積層体
の強磁性フリー層に用いる場合において好都合である。The present applicant has proposed that a film composed of only NiFe without using an interface layer made of CoFe (cobalt-iron) (hereinafter referred to as a CoFe interface layer) is made of NiFeCr or Ni instead of Ta.
It has been found that when formed by growing on a seed layer made of Cr, it has characteristics suitable for a GMR spin valve sensor. A NiFe layer having no CoFe interface layer and grown on a NiFeCr or NiCr seed layer has excellent uniaxial anisotropy. About 158000 amps per meter (A / m)
(I.e., annealing at a temperature of about 280 ° C. for 5 hours in a transverse magnetic field under a transverse magnetic field of a strength of 2000 Oe (Oersted)). The direction does not change (alternate). The transverse field annealing serves to improve the soft magnetic characteristics such as coercive force H c and the anisotropy field H k. These characteristics are due to NiF grown on a seed layer made of Ta.
It is very different from the characteristics of the e-film. These properties are also advantageous when a NiFe film grown on a seed layer made of NiFeCr or NiCr is used for the ferromagnetic free layer of the spin valve sensor stack.
【００２２】図３は、本発明の磁気スピンバルブヘッド
の一実施の形態に係るＧＭＲスピンバルブセンサ積層体
の断面構造を表すものである。この図を参照して、その
製造方法を説明する。まず、基体３０の上に、ＮｉＦｅ
ＣｒまたはＮｉＣｒのいずれかからなるシード層３２を
形成する。基体３０は、例えばアルミナからなるギャッ
プ材層である。シード層３２は、例えば５. ０ｎｍ〜
６. ０ｎｍ程度の膜厚とする。次に、シード層３２の上
にＮｉＦｅを堆積させて強磁性のフリー層３４を形成す
る。このＮｉＦｅからなる強磁性のフリー層３４は、
２．０ｎｍ〜５．０ｎｍ程度の膜厚とする。次に、フリ
ー層３４の上に、非磁性金属からなるスペーサ層３６を
形成する。本実施の形態では、非磁性金属として銅を用
い、その膜厚は、１．８ｎｍ〜２．４ｎｍ程度とする。
次に、非磁性金属のスペーサ層３６の上に、強磁性の磁
化方向被固定層３８を形成する。本実施の形態では、磁
化方向被固定層３８として、１．５ｎｍ〜２．５ｎｍ程
度の膜厚のＣｏＦｅ（コバルト−鉄）を用いる。FIG. 3 shows a sectional structure of a GMR spin valve sensor laminate according to one embodiment of the magnetic spin valve head of the present invention. The manufacturing method will be described with reference to FIG. First, NiFe is placed on the base 30.
A seed layer 32 made of either Cr or NiCr is formed. The base 30 is a gap material layer made of, for example, alumina. The seed layer 32 has a thickness of, for example, 5.0 nm to
The thickness is about 6.0 nm. Next, NiFe is deposited on the seed layer 32 to form a ferromagnetic free layer 34. The ferromagnetic free layer 34 made of NiFe
The thickness is about 2.0 nm to 5.0 nm. Next, a spacer layer 36 made of a nonmagnetic metal is formed on the free layer 34. In the present embodiment, copper is used as the nonmagnetic metal, and the thickness is about 1.8 nm to 2.4 nm.
Next, a ferromagnetic magnetization direction fixed layer 38 is formed on the nonmagnetic metal spacer layer 36. In the present embodiment, CoFe (cobalt-iron) having a thickness of about 1.5 nm to 2.5 nm is used as the magnetization direction fixed layer 38.
【００２３】次に、強磁性の磁化方向被固定層３８の上
に、反強磁性の磁化方向固定作用層４０を形成する。本
実施の形態では、反強磁性の磁化方向固定作用層４０
は、１５．０ｎｍ〜２０．０ｎｍ程度の膜厚のＭｎＰｔ
層である。次に、反強磁性の磁化方向固定作用層４０の
上に保護層４２を形成し、積層体の形成を完了する。本
実施の形態では、保護層４２はシード層と同様の材料
（ＮｉＦｅＣｒまたはＮｉＣｒ）であり、その膜厚は、
３．０ｎｍ〜５．０ｎｍ程度である。Next, an antiferromagnetic magnetization direction fixed action layer 40 is formed on the ferromagnetic magnetization direction fixed layer 38. In the present embodiment, the antiferromagnetic magnetization direction fixed action layer 40
Is a MnPt film having a thickness of about 15.0 nm to 20.0 nm.
Layer. Next, the protective layer 42 is formed on the antiferromagnetic magnetization direction fixing layer 40, and the formation of the stacked body is completed. In the present embodiment, the protective layer 42 is made of the same material (NiFeCr or NiCr) as the seed layer.
It is about 3.0 nm to 5.0 nm.
【００２４】表２は、スピンバルブセンサ積層体の磁気
特性および磁気抵抗特性を表すものである。具体的に
は、この表は、ＮｉＦｅからなる強磁性のフリー層をＴ
ａからなるシード層の上に単独で形成した場合における
スピンバルブセンサ積層体の特性と、上記のフリー層を
ＮｉＣｒからなるシード層上に単独で形成した場合にお
けるスピンバルブセンサ積層体の特性とを比較して表し
ている。ここで、センサ積層体をＴａからなるシード層
の上に形成した場合における各層の膜厚は、次の通りで
ある。 Ｔａからなるシード層 ： 約７．５ｎｍ ＮｉＦｅからなる強磁性のフリー層 ： 約３．８ｎｍ 非磁性のスペーサ（銅）層 ： 約３．０ｎｍ ＣｏＦｅからなる強磁性の磁化方向被固定層 ： 約２．０ｎｍ ＭｎＰｔからなる反強磁性の磁化方向固定作用層： 約２０．０ｎｍ 保護層 ： 約５．０ｎｍ また、センサ積層体をＮｉＣｒからなるシード層の上に
形成した場合における各層の膜厚は、次の通りである。 ＮｉＣｒからなるシード層 ： 約５．５ｎｍ ＮｉＦｅからなる強磁性のフリー層 ： 約３．８ｎｍ 非磁性のスペーサ（銅）層 ： 約２．０ｎｍ ＣｏＦｅからなる強磁性の磁化方向被固定層 ： 約２．０ｎｍ ＭｎＰｔからなる反強磁性の磁化方向固定作用層： 約２０．０ｎｍ 保護層 ： 約５．０ｎｍTable 2 shows the magnetic characteristics and the magnetoresistive characteristics of the spin valve sensor laminate. Specifically, this table shows that the ferromagnetic free layer made of NiFe
The characteristics of the spin-valve sensor laminate when formed alone on the seed layer made of a and the characteristics of the spin-valve sensor laminate when the free layer is formed solely on the seed layer made of NiCr. It is shown in comparison. Here, the thickness of each layer when the sensor laminate is formed on the seed layer made of Ta is as follows. Seed layer made of Ta: about 7.5 nm NiFe free ferromagnetic layer: about 3.8 nm Nonmagnetic spacer (copper) layer: about 3.0 nm Ferromagnetic pinned layer made of CoFe: about 2 The antiferromagnetic magnetization direction fixing layer made of 2.0 nm MnPt: about 20.0 nm The protective layer: about 5.0 nm Further, when the sensor laminate is formed on the seed layer made of NiCr, the thickness of each layer is as follows: It is as follows. Seed layer made of NiCr: about 5.5 nm Ferromagnetic free layer made of NiFe: about 3.8 nm Non-magnetic spacer (copper) layer: about 2.0 nm Ferromagnetic magnetization fixed layer made of CoFe: about 2 0.0 nm MnPt antiferromagnetic magnetization direction fixed action layer: about 20.0 nm Protective layer: about 5.0 nm
【００２５】[0025]
【表２】 [Table 2]
【００２６】表２において、Ｂs は飽和磁束密度、Ｈc
は保磁力、Ｈe は交換結合磁界、Ｈ k は異方性磁界、Ｒ
s はＧＭＲ積層体抵抗、△Ｒ／Ｒは磁気抵抗比、△Ｒは
抵抗の最大変化量を表している。表２より、ＮｉＣｒか
らなるシード層の上にＮｉＦｅのみからなる強磁性のフ
リー層を含むように形成してなるＧＭＲスピンバルブセ
ンサの△Ｒ／Ｒおよび△Ｒは、Ｔａからなるシード層の
上にＮｉＦｅのみからなる強磁性のフリー層を含むよう
に形成してなるＧＭＲスピンバルブセンサの△Ｒ／Ｒお
よび△Ｒの約２倍であることがわかる。また、同じく表
２より、ＮｉＣｒをシード層とした場合には、生じる保
磁力Ｈc および異方性磁界Ｈk がより低くなって、より
高センサ感度が得られることがわかる。ＮｉＣｒからな
るシード層とＮｉＦｅのみからなる強磁性のフリー層と
の組み合わせにおいては、ＮｉＦｅの膜厚を約２．５ｎ
ｍとしたときにＧＭＲ磁気抵抗比△Ｒ／Ｒが最大になる
ことが予想される。In Table 2, BsIs the saturation magnetic flux density, Hc
Is the coercive force, HeIs the exchange coupling magnetic field, H kIs the anisotropic magnetic field, R
sIs the GMR resistance, ΔR / R is the magnetoresistance ratio, and ΔR is
It represents the maximum change in resistance. Table 2 shows that NiCr
A ferromagnetic film made of only NiFe is placed on the seed layer made of NiFe.
GMR spin valve cell formed to include a lead layer
ΔR / R and ΔR of the seed layer of the Ta seed layer
Include a ferromagnetic free layer consisting of only NiFe on top
△ R / R and GMR spin valve sensor
It can be seen that it is about twice as large as ΔR. Also, the table
According to 2, when NiCr is used as the seed layer, the resulting protection is
Magnetic force HcAnd anisotropic magnetic field HkIs lower, more
It can be seen that high sensor sensitivity can be obtained. From NiCr
And a ferromagnetic free layer consisting of only NiFe.
In the combination of NiFe, the film thickness of NiFe is about 2.5 n
m, the GMR magnetoresistance ratio △ R / R is maximized.
It is expected that.
【００２７】ＮｉＣｒからなるシード層の上にＮｉＦｅ
のみからなる強磁性のフリー層を含むように形成してな
るＧＭＲスピンバルブセンサは、熱安定性に優れてい
る。表３は、ＮｉＦｅのみからなる強磁性のフリー層を
有するＧＭＲセンサの熱安定性と、ＮｉＦｅ―ＣｏＦｅ
からなる強磁性のフリー層を有するＧＭＲセンサの熱安
定性とを、比較したものである。これらのいずれの場合
においても、強磁性のフリー層は、ＮｉＣｒからなるシ
ード層の上に形成するようにしている。ここで、ＮｉＦ
ｅのみからなる強磁性のフリー層を有するセンサ積層体
の各層の膜厚は、次の通りである。 ＮｉＣｒからなるシード層 ：約５．５ｎｍ ＮｉＦｅからなる強磁性のフリー層 ：６．５ｎｍ 銅からなる非磁性のスペーサ層 ：２．０ｎｍ ＣｏＦｅからなる強磁性の磁化方向被固定層 ：２．０ｎｍ ＭｎＰｔからなる反強磁性の磁化方向固定作用層 ：２０．０ｎｍ ＮｉＣｒからなる保護層 ：５．０ｎｍ また、ＮｉＦｅ−ＣｏＦｅからなる強磁性のフリー層を
有するセンサ積層体の各層の膜厚は、次の通りである。 ＮｉＣｒからなるシード層 ：約５．５ｎｍ 強磁性のフリー層の一部を構成するＮｉＦｅ層 ：約５．５ｎｍ 強磁性のフリー層の他の部分を構成するＣｏＦｅ層 ：約０．５ｎｍ 非磁性のスペーサ（銅）層 ：約１．８ｎｍ ＣｏＦｅからなる強磁性の磁化方向被固定層 ：約２．０ｎｍ ＭｎＰｔからなる反強磁性の磁化方向固定作用層 ：約２０．０ｎｍ ＮｉＣｒからなる保護層 ：約５．０ｎｍ いずれのＧＭＲセンサ積層体についても、まず、約１５
８０００（Ａ／ｍ）（２０００Ｏｅ）の磁界下で、標準
的な約２８０度の温度で横方向磁界アニールを約５時間
程度行う。次に、標準的な横方向磁界下で、約３００度
の温度で約３２時間のアニールを行う。表３に示したよ
うに、ＮｉＦｅのみからなる強磁性のフリー層を有する
センサの磁気抵抗比△Ｒ／Ｒおよび最大抵抗変化量△Ｒ
の変化の度合いは、ＮｉＦｅ−ｃｏＦｅからなる強磁性
のフリー層を有するセンサの場合に比べて、より小さな
ものとなる。NiFe is deposited on the seed layer made of NiCr.
A GMR spin-valve sensor formed so as to include a ferromagnetic free layer made of only a material has excellent thermal stability. Table 3 shows the thermal stability of the GMR sensor having a ferromagnetic free layer consisting of only NiFe, and the NiFe-CoFe
FIG. 6 compares thermal stability of a GMR sensor having a ferromagnetic free layer composed of: In any of these cases, the ferromagnetic free layer is formed on the seed layer made of NiCr. Where NiF
The thickness of each layer of the sensor laminate having the ferromagnetic free layer consisting of only e is as follows. Seed layer made of NiCr: about 5.5 nm Ferromagnetic free layer made of NiFe: 6.5 nm Nonmagnetic spacer layer made of copper: 2.0 nm Ferromagnetic magnetization fixed layer made of CoFe: 2.0 nm MnPt Antiferromagnetic magnetization direction fixing layer made of: 20.0 nm Protective layer made of NiCr: 5.0 nm The thickness of each layer of the sensor laminate having a ferromagnetic free layer made of NiFe-CoFe is as follows. It is on the street. Seed layer made of NiCr: about 5.5 nm NiFe layer constituting a part of ferromagnetic free layer: about 5.5 nm CoFe layer constituting another part of the ferromagnetic free layer: about 0.5 nm Spacer (copper) layer: Approximately 1.8 nm Ferromagnetic magnetization direction fixed layer made of CoFe: Approximately 2.0 nm Antiferromagnetic magnetization direction fixed action layer made of MnPt: Approximately 20.0 nm Protective layer made of NiCr: Approximately 5.0 nm For each of the GMR sensor stacks,
Under a magnetic field of 8000 (A / m) (2000 Oe), lateral magnetic field annealing is performed at a standard temperature of about 280 degrees for about 5 hours. Next, annealing is performed for about 32 hours at a temperature of about 300 degrees under a standard transverse magnetic field. As shown in Table 3, the magnetoresistance ratio ΔR / R and the maximum resistance change ΔR of the sensor having the ferromagnetic free layer consisting of only NiFe
Is smaller than that of the sensor having the ferromagnetic free layer made of NiFe-coFe.
【００２８】[0028]
【表３】 [Table 3]
【００２９】表３において、ＲｓはＧＭＲ積層体の抵
抗、△Ｒ／Ｒは磁気抵抗比、△Ｒは抵抗の最大変化量を
表す。In Table 3, Rs represents the resistance of the GMR laminate, ΔR / R represents the magnetoresistance ratio, and ΔR represents the maximum change in resistance.
【００３０】以上、好適な実施例に基づいて本発明を図
示して説明してきたが、本発明の精神および範囲を離れ
ることなく態様や詳細部分について各種の変形を行うこ
とが可能であることは当業者にとって明らかである。Although the present invention has been illustrated and described based on the preferred embodiments, it is understood that various modifications can be made in the forms and details without departing from the spirit and scope of the invention. It will be clear to those skilled in the art.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上のように、本発明の磁気スピンバル
ブヘッドおよびその形成方法によれば、従来のＮｉＦｅ
−ＣｏＦｅからなる強磁性のフリー層の代わりに、Ｎｉ
ＦｅもしくはＮｉＣｒからなるシード層の上に形成され
たＮｉＦｅのみからなる薄い強磁性のフリー層を用いる
ようにしたので、改善された磁気抵抗比と良好な軟磁性
特性（小さな保磁力Ｈc および異方性磁界Ｈk ）とを有
する、より高いセンサ感度を備えた磁気スピンバルブヘ
ッドを得ることができ、また、熱的安定性に優れた磁気
スピンバルブヘッドを得ることができる。As described above, according to the magnetic spin valve head of the present invention and the method of forming the same, the conventional NiFe
Instead of the ferromagnetic free layer of -CoFe, Ni
Since a thin ferromagnetic free layer made of only NiFe formed on a seed layer made of Fe or NiCr is used, an improved magnetoresistance ratio and good soft magnetic characteristics (small coercive force Hc and different A magnetic spin valve head having an isotropic magnetic field H k ) and having higher sensor sensitivity can be obtained, and a magnetic spin valve head having excellent thermal stability can be obtained.
【図１】ＮｉＦｅ−ＣｏＦｅからなる強磁性のフリー層
およびＴａからなるシード層を用いた従来の磁気抵抗ス
ピンバルブセンサ積層体の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional magnetoresistive spin valve sensor stack using a ferromagnetic free layer made of NiFe—CoFe and a seed layer made of Ta.
【図２】ＮｉＦｅ−ＣｏＦｅからなる強磁性のフリー層
およびＮｉＦｅＣｒからなるシード層を用いた従来の磁
気抵抗スピンバルブセンサ積層体の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional magnetoresistive spin valve sensor stack using a ferromagnetic free layer made of NiFe—CoFe and a seed layer made of NiFeCr.
【図３】本発明に係る、ＮｉＦｅのみからなる強磁性の
フリー層およびＮｉＦｅＣｒもしくはＮｉＣｒからなる
シード層を用いた磁気抵抗スピンバルブセンサ積層体の
断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a magnetoresistive spin valve sensor laminate using a ferromagnetic free layer made of only NiFe and a seed layer made of NiFeCr or NiCr according to the present invention.
３０…基体、３２…シード層、３４…フリー層、３６…
スペーサ層、３８…磁化方向被固定層、４０…磁化方向
固定作用層、４２…保護層30 ... substrate, 32 ... seed layer, 34 ... free layer, 36 ...
Spacer layer, 38: magnetization direction fixed layer, 40: magnetization direction fixing action layer, 42: protective layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェ ウェイ ツァン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95130 カッパーティノ ノーマンディー ウェイ 7680 (72)発明者 マオ ミン チン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95120 サンジョセ ウッドビュー プレ ース 1025 (72)発明者 コウ ツァン ジー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94539 フレモント ウッドサイド テラ ス 3535 (72)発明者 ミン リー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94538 フレモント ビッドウェル ドラ イブ ナンバー 454 3939 (72)発明者 ロ イン トン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95130 サンジョセ レバイン ドライブ 2433 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Je Wei Tsang, United States of America 95130 Cappartino Normandy Way 7680 (72) Inventor Mao Ming Chin United States of America 95120 San Jose Woodview Place 1025 (72) Inventor Kou Tanzasee United States 94539 Fremont Woodside Terrace 3535 (72) Inventor Min Lee United States of America 94538 Fremont Bidwell Drive Number 454 3939 (72) Inventor Lointon United States of America 95130 San Jose Levine Drive 2433
Claims (22)
またはニッケル−クロム（ＮｉＣｒ）からなるシード層
を形成する工程と、 前記シード層の上に、ニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）からな
る強磁性のフリー層を形成する工程と、 前記フリー層の上に、非磁性の金属からなるスペーサ層
を形成する工程と、 前記スペーサ層の上に、強磁性の磁化方向被固定層を形
成する工程と、 前記磁化方向被固定層の上に、反強磁性の磁化方向固定
作用層を形成する工程と、 前記磁化方向固定作用層の上に、保護層を形成する工程
とを含むことを特徴とする磁気スピンバルブヘッドの形
成方法。1. A step of producing a substrate, and nickel-iron-chromium (NiFeCr) is formed on the substrate.
Or a step of forming a seed layer made of nickel-chromium (NiCr); a step of forming a ferromagnetic free layer made of nickel-iron (NiFe) on the seed layer; Forming a spacer layer made of a nonmagnetic metal, forming a ferromagnetic pinned layer on the spacer layer, and forming an antiferromagnetic layer on the pinned layer. A method for forming a magnetic spin valve head, comprising: forming a direction fixing action layer; and forming a protective layer on the magnetization direction fixing action layer.
５ナノメートルの範囲の厚さを有するようにしたことを
特徴とする請求項１に記載の磁気スピンバルブヘッドの
形成方法。2. The method of claim 1, wherein the free layer has a thickness in a range from about 2 nanometers to 5 nanometers.
６ナノメートルの範囲の厚さを有するようにしたことを
特徴とする請求項１に記載の磁気スピンバルブヘッドの
形成方法。3. The method according to claim 1, wherein the seed layer has a thickness in a range of about 5 to 6 nanometers.
ようにしたことを特徴とする請求項１に記載の磁気スピ
ンバルブヘッドの形成方法。4. The method according to claim 1, wherein the spacer layer is a layer made of copper.
ルから２．４ナノメートルの範囲の厚さを有するように
したことを特徴とする請求項１に記載の磁気スピンバル
ブヘッドの形成方法。5. The method of claim 1, wherein the spacer layer has a thickness in a range from about 1.8 to 2.4 nanometers. .
（ＣｏＦｅ）からなる層であるようにしたことを特徴と
する請求項１に記載の磁気スピンバルブヘッドの形成方
法。6. The method according to claim 1, wherein the pinned layer is a layer made of cobalt-iron (CoFe).
ノメートルから２．５ナノメートルの範囲の厚さを有す
るようにしたことを特徴とする請求項１に記載の磁気ス
ピンバルブヘッドの形成方法。7. The magnetic spin valve of claim 1, wherein the pinned layer has a thickness in the range of about 1.5 to 2.5 nanometers. How to form the head.
ガン（ＭｎＰｔ）からなる層であるようにしたことを特
徴とする請求項１に記載の磁気スピンバルブヘッドの形
成方法。8. The method according to claim 1, wherein the magnetization direction fixing layer is a layer made of platinum-manganese (MnPt).
メートルから２０ナノメートルの範囲の厚さを有するよ
うにしたことを特徴とする請求項１に記載の磁気スピン
バルブヘッドの形成方法。9. The method of claim 1, wherein the pinned layer has a thickness in the range of about 15 to 20 nanometers.
材料で形成することを特徴とする請求項１に記載の磁気
スピンバルブヘッドの形成方法。10. The method according to claim 1, wherein the protective layer is formed of the same material as the seed layer.
５ナノメートルの範囲の厚さを有するようにしたことを
特徴とする請求項１に記載の磁気スピンバルブヘッドの
形成方法。11. The method of claim 1, wherein the protective layer has a thickness in a range from about 3 nanometers to 5 nanometers.
ＦｅＣｒ）またはニッケル−クロム（ＮｉＣｒ）からな
るシード層と、 前記シード層の上に形成された、ニッケル−鉄（ＮｉＦ
ｅ）からなる強磁性のフリー層と、 前記フリー層の上に形成された、非磁性の金属からなる
スペーサ層と、 前記スペーサ層の上に形成された強磁性の磁化方向被固
定層と、 前記磁化方向被固定層の上に形成された磁化方向固定作
用層と、 前記磁化方向固定作用層の上に形成された保護層とを備
えたことを特徴とする磁気スピンバルブヘッド。12. A substrate, and nickel-iron-chromium (Ni) formed on the substrate.
A seed layer made of FeCr) or nickel-chromium (NiCr); and nickel-iron (NiF) formed on the seed layer.
e) a ferromagnetic free layer formed of e), a spacer layer formed of a nonmagnetic metal formed on the free layer, and a ferromagnetic fixed magnetization direction layer formed on the spacer layer. A magnetic spin valve head, comprising: a magnetization direction fixed operation layer formed on the magnetization direction fixed layer; and a protective layer formed on the magnetization direction fixed operation layer.
ら５ナノメートルの範囲の厚さを有することを特徴とす
る請求項１２に記載の磁気スピンバルブヘッド。13. The magnetic spin valve head of claim 12, wherein the free layer has a thickness in a range from about 2 nanometers to 5 nanometers.
ら６ナノメートルの範囲の厚さを有することを特徴とす
る請求項１２に記載の磁気スピンバルブヘッド。14. The magnetic spin valve head of claim 12, wherein the seed layer has a thickness in a range from about 5 nanometers to 6 nanometers.
ることを特徴とする請求項１２に記載の磁気スピンバル
ブヘッド。15. The magnetic spin valve head according to claim 12, wherein the spacer layer is a layer made of copper.
トルから２．４ナノメートルの範囲の厚さを有すること
を特徴とする請求項１２に記載のスピンバルブヘッド。16. The spin valve head according to claim 12, wherein the spacer layer has a thickness in a range from about 1.8 nanometers to 2.4 nanometers.
鉄（ＣｏＦｅ）からなる層であることを特徴とする請求
項１２に記載の磁気スピンバルブヘッド。17. The method according to claim 17, wherein the magnetization direction fixed layer is made of cobalt-
The magnetic spin valve head according to claim 12, wherein the magnetic spin valve head is a layer made of iron (CoFe).
ナノメートルから２．５ナノメートルの範囲の厚さを有
することを特徴とする請求項１２に記載の磁気スピンバ
ルブヘッド。18. The method according to claim 18, wherein the magnetization fixed layer has a thickness of about 1.5.
13. The magnetic spin valve head of claim 12, having a thickness in a range from nanometers to 2.5 nanometers.
ンガン（ＭｎＰｔ）からなる層であることを特徴とする
請求項１２に記載の磁気スピンバルブヘッド。19. The magnetic spin valve head according to claim 12, wherein the magnetization direction fixing action layer is a layer made of platinum-manganese (MnPt).
ノメートルから２０ナノメートルの範囲の厚さを有する
ことを特徴とする請求項１２に記載の磁気スピンバルブ
ヘッド。20. The magnetic spin-valve head of claim 12, wherein the magnetization fixed layer has a thickness in the range of about 15 to 20 nanometers.
材料からなることを特徴とする請求項１２に記載の磁気
スピンバルブヘッド。21. The magnetic spin valve head according to claim 12, wherein the protective layer is made of the same material as the seed layer.
５ナノメートルの範囲の厚さを有することを特徴とする
請求項１２に記載の磁気スピンバルブヘッド。22. The magnetic spin valve head of claim 12, wherein the protective layer has a thickness in a range from about 3 nanometers to 5 nanometers.
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
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| JP2000325250A Pending JP2001202606A (en) | 1999-10-25 | 2000-10-25 | Magnetic spin valve head and method for forming same |
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|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6498707B1 (en) * | 1999-04-20 | 2002-12-24 | Seagate Technology, Llc | Giant magnetoresistive sensor with a CrMnPt pinning layer and a NiFeCr seed layer |
| SG100636A1 (en) * | 2000-03-21 | 2003-12-26 | Ibm | Gmr coefficient enhancement of a spin valve structure |
| WO2005052518A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | International Business Machines Corporation | Magnetic encoder |
| KR100645291B1 (en) * | 2001-01-24 | 2006-11-13 | 야마하 가부시키가이샤 | Magnetic sensor and method of producing the same |
| US7918014B2 (en) * | 2005-07-13 | 2011-04-05 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a CPP structure with enhanced GMR ratio |
| CN113383243A (en) * | 2019-02-01 | 2021-09-10 | 森斯泰克有限公司 | Arrangement of adjacent layer structures for a magnetoresistive magnetic field sensor, magnetoresistive magnetic field sensor and method for the production thereof |
-
2000
- 2000-10-25 JP JP2000325250A patent/JP2001202606A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6498707B1 (en) * | 1999-04-20 | 2002-12-24 | Seagate Technology, Llc | Giant magnetoresistive sensor with a CrMnPt pinning layer and a NiFeCr seed layer |
| SG100636A1 (en) * | 2000-03-21 | 2003-12-26 | Ibm | Gmr coefficient enhancement of a spin valve structure |
| KR100645291B1 (en) * | 2001-01-24 | 2006-11-13 | 야마하 가부시키가이샤 | Magnetic sensor and method of producing the same |
| WO2005052518A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | International Business Machines Corporation | Magnetic encoder |
| US7612555B2 (en) | 2003-11-26 | 2009-11-03 | International Business Machines Corporation | High-resolution magnetic encoder |
| US8274277B2 (en) | 2003-11-26 | 2012-09-25 | International Business Machines Corporation | High-resolution magnetic encoder |
| US7918014B2 (en) * | 2005-07-13 | 2011-04-05 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a CPP structure with enhanced GMR ratio |
| CN113383243A (en) * | 2019-02-01 | 2021-09-10 | 森斯泰克有限公司 | Arrangement of adjacent layer structures for a magnetoresistive magnetic field sensor, magnetoresistive magnetic field sensor and method for the production thereof |
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