JP2001201752A - Optoelectronic panel, production type display device and method of producing optoelectronic panel - Google Patents

Optoelectronic panel, production type display device and method of producing optoelectronic panel

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JP2001201752A
JP2001201752A JP2000345038A JP2000345038A JP2001201752A JP 2001201752 A JP2001201752 A JP 2001201752A JP 2000345038 A JP2000345038 A JP 2000345038A JP 2000345038 A JP2000345038 A JP 2000345038A JP 2001201752 A JP2001201752 A JP 2001201752A
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JP
Japan
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electro
substrates
optical panel
pair
sealing material
Prior art date
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JP2000345038A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiromi Saito
広美 斉藤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optoelectronic panel having high accuracy in the gap dimension between substrates and having uniform gap dimension in the whole image display region, and to provided a projection type display device using the optoelectronic panel. SOLUTION: Projections are formed on the surface of a TFT array substrate 2 in such a manner that the projections protrude to the counter substrate 3 and touch the other substrate. Since the projections 25 are formed at specified positions in the pixel of the image display region 36 to control the gap dimension between the substrates, the gap dimension can be controlled by using a gap material appropriate for the sealing material.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に液
晶などの電気光学物質が封入された電気光学パネル、こ
の電気光学パネルを用いた投射型表示装置、および電気
光学パネルの製造方法に関するものである。さらに詳し
くは、一対の基板間に所定寸法の隙間を確保するための
技術に関するものである。
The present invention relates to an electro-optical panel in which an electro-optical material such as liquid crystal is sealed between a pair of substrates, a projection display device using the electro-optical panel, and a method of manufacturing the electro-optical panel. Things. More specifically, the present invention relates to a technique for securing a gap of a predetermined size between a pair of substrates.

【0002】[0002]

【背景技術】一対の基板間に液晶などの電気光学物質が
封入された電気光学パネルでは、図19および図20に
示すように、石英ガラスなどの透明基板の表面に画素電
極8および画素スイッチング用の薄膜トランジスタ(以
下、TFTという。)10が形成されたTFTアレイ基
板(トランジスタアレイ基板)2と、ネオセラムなどの
高耐熱性のガラス基板の表面に対向電極32が形成され
た対向基板3と、これらの基板間に封入、挟持されてい
る液晶などの電気光学物質39とから概略構成されてい
る。TFTアレイ基板2と対向基板3とはギャップ材含
有のシール材200′によって所定の隙間を介して貼り
合わされているとともに、この隙間内には、電気光学物
質39が封入された画像表示領域37がシール材20
0′によって区画形成されている。このようなギャップ
材含有のシール材200′として、従来は、エポキシ樹
脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤成分にガラスビー
ズなどがギャップ材として配合されたものが用いられて
いる。
BACKGROUND ART In an electro-optical panel in which an electro-optical material such as a liquid crystal is sealed between a pair of substrates, as shown in FIGS. 19 and 20, a pixel electrode 8 and a pixel switching device are formed on a surface of a transparent substrate such as a quartz glass. A TFT array substrate (transistor array substrate) 2 on which a thin film transistor (hereinafter, referred to as a TFT) 10 is formed; a counter substrate 3 on which a counter electrode 32 is formed on the surface of a highly heat-resistant glass substrate such as neoceram; And an electro-optical material 39 such as a liquid crystal enclosed and sandwiched between the substrates. The TFT array substrate 2 and the opposing substrate 3 are bonded to each other with a sealing material 200 ′ containing a gap material through a predetermined gap, and an image display area 37 in which an electro-optical material 39 is sealed is provided in the gap. Seal material 20
0 'is defined. Conventionally, as such a sealing material 200 'containing a gap material, a material in which glass beads or the like are mixed as a gap material with an epoxy resin-based or acrylic resin-based adhesive component is used.

【0003】このように構成した電気光学パネル1′で
は、TFTアレイ基板2において、データ線(図示せ
ず。)およびTFT10を介して画素電極8に印加した
画像信号によって、画素電極8と対向電極32との間に
おいて電気光学物質39の配向状態を画素毎に制御し、
画像信号に対応した所定の画像を表示する。従って、T
FTアレイ基板2では、データ線およびTFT10を介
して画素電極8に画像信号を供給するとともに、対向電
極32にも所定の電位を印加する必要がある。
[0005] In the electro-optical panel 1 ′ configured as described above, the pixel electrode 8 and the counter electrode are formed on the TFT array substrate 2 by an image signal applied to the pixel electrode 8 via a data line (not shown) and the TFT 10. 32, the alignment state of the electro-optical material 39 is controlled for each pixel,
A predetermined image corresponding to the image signal is displayed. Therefore, T
In the FT array substrate 2, it is necessary to supply an image signal to the pixel electrode 8 via the data line and the TFT 10 and also apply a predetermined potential to the counter electrode 32.

【0004】そこで、電気光学パネル1′では、TFT
アレイ基板2の側にはデータ線などの形成プロセスを援
用して基板間導通用の第1の電極47を形成する一方、
対向基板3の側には対向電極32の形成プロセスを援用
して基板間導通用の第2の電極48を形成しておき、こ
れらの基板間導通用の第1の電極47と第2の電極48
とを、エポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤
成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子を配合
した導通材56によって電気的に導通させている。それ
故、電気光学パネル1′では、TFTアレイ基板2およ
び対向基板3のそれそれにフレキシブル配線基板などを
接続しなくても、TFTアレイ基板2の入出力端子45
のみにフレキシブル配線基板99などを接続するだけ
で、TFTアレイ基板2および対向基板3の双方に所定
の信号を入力することができる。
Therefore, in the electro-optical panel 1 ', the TFT
On the array substrate 2 side, a first electrode 47 for inter-substrate conduction is formed with the aid of a process for forming data lines and the like,
On the side of the opposing substrate 3, a second electrode 48 for inter-substrate conduction is formed with the aid of the formation process of the opposing electrode 32, and the first electrode 47 and the second electrode 47 for inter-substrate conduction are formed. 48
Are electrically connected to each other by a conductive material 56 in which conductive particles such as silver powder and gold-plated fiber are mixed with an epoxy resin-based or acrylic resin-based adhesive component. Therefore, in the electro-optical panel 1 ′, the input / output terminals 45 of the TFT array substrate 2 can be connected to the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3 without connecting them to the flexible wiring substrate.
A predetermined signal can be input to both the TFT array substrate 2 and the opposing substrate 3 only by connecting the flexible wiring substrate 99 or the like to only the TFT substrate.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電気光
学パネル1′では、TFTアレイ基板2と対向基板3と
の隙間寸法(セル厚)を2μm位にまで狭めて表示品位
の向上を図ろうとする試みがなされているが、周辺のシ
ール材200′に配合したギャップ材のみによってこの
ような薄いセル厚を確保しようとすると、セル厚が薄い
分だけ、ばらつきが大きくなってしまう。その結果、電
気光学物質39の層の厚さのばらつきが大になるので、
表示画面において不自然な明暗や電気光学物質39の応
答速度のばらつきなどが発生し、表示品位が逆に低下す
るという間題点がある。
However, in the electro-optical panel 1 ', an attempt is made to improve the display quality by narrowing the gap size (cell thickness) between the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3 to about 2 .mu.m. However, if an attempt is made to secure such a thin cell thickness only by a gap material mixed in the peripheral sealing material 200 ', the variation becomes large due to the thin cell thickness. As a result, the variation in the thickness of the layer of the electro-optical material 39 becomes large,
On the display screen, unnatural brightness and unevenness in the response speed of the electro-optical material 39 occur, and the display quality deteriorates.

【0006】そこで、画像表示領域37にスペーサ材を
散布することによって、セル厚を制御する構成が考えら
れる。しかしながら、画像表示領域37にスペーサ材を
散布した電気光学パネル1′を投射型表示装置に用いる
と、散布したスペーサ材が密に集まっている箇所で光透
過性が低下するので、このような不具合がそのままスク
リーン上に拡大投射されてしまうという間題点がある。
Therefore, a configuration in which the cell thickness is controlled by spraying a spacer material on the image display area 37 is considered. However, when the electro-optical panel 1 'in which the spacer material is scattered in the image display area 37 is used for a projection display device, the light transmittance is reduced in a place where the scattered spacer material is densely gathered. Is projected directly onto the screen as it is.

【0007】また、電気光学パネル1′では、TFTア
レイ基板2と対向基板3との隙間寸法(セル厚)を2μ
m位にまで狭めて表示品位の向上を図ろうとする試みが
なされているが、周辺のシール材200′に配合したギ
ャップ材のみによってこのような薄いセル厚を確保しよ
うとすると、セル厚が薄い分だけ、ばらつきが大きくな
ってしまう。その結果、電気光学物質39の層の厚さの
ばらつきが大になるので、表示画面において不自然な明
暗や電気光学物質39の応答速度のばらつきなどが発生
し、表示品位が逆に低下するという間題点がある。
In the electro-optical panel 1 ′, the gap size (cell thickness) between the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3 is 2 μm.
Attempts have been made to improve the display quality by narrowing the cell thickness to about m. However, if such a thin cell thickness is to be ensured only by the gap material blended in the peripheral sealing material 200 ', the cell thickness is reduced. Variations increase by the amount. As a result, the variation in the thickness of the layer of the electro-optical material 39 becomes large, so that unnatural light and dark on the display screen, the variation in the response speed of the electro-optical material 39, and the like occur, and the display quality is degraded. There is a problem.

【0008】そこで、画像表示領域37にスヘーサ材を
散布することによって、セル厚を制御する構成が考えら
れる。しかしながら、画像表示領域37にスペーサ材を
散布した電気光学パネル1′を投射型表示装置に用いる
と、散布したスペーサ材が密に集まっている箇所で光透
過性が低下するので、このような不具合がそのままスク
リーン上に拡大投射されてしまうという間題点がある。
Therefore, a configuration is conceivable in which the cell thickness is controlled by spraying a spacer material on the image display area 37. However, when the electro-optical panel 1 'in which the spacer material is scattered in the image display area 37 is used for a projection display device, the light transmittance is reduced in a place where the scattered spacer material is densely gathered. Is projected directly onto the screen as it is.

【0009】以上の間題点に鑑みて、本発明の課題は、
隙間寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域
全面において均一な電気光学パネル、この電気光学パネ
ルを用いた投射型表示時装置、および電気光学パネルの
製造方法を提供することにある。
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide:
An object of the present invention is to provide an electro-optical panel having a high gap size accuracy and a uniform gap size over the entire image display area, a projection display device using the electro-optical panel, and a method of manufacturing the electro-optical panel.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、一対の基板間に電気光学物質が挟持さ
れてなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固
定されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画
素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおい
て、前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基
板に向けて突出して該他方の基板に当接する突起を有
し、該突起は、前記画素領域を囲む領域に形成されてい
ることを特徴とする。
According to the present invention, an electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates, and the pair of substrates are bonded and fixed by a sealant. In the electro-optical panel having an image display region including a plurality of pixels in the formation region of the sealing material, one of the pair of substrates may be protruded toward the other substrate and may be disposed on the other substrate. It has a projection which is in contact with the projection, and the projection is formed in a region surrounding the pixel region.

【0011】本発明では、一方の基板に形成された突起
を他方の基板に当接させることにより、基板間の隙間寸
法(セル厚)を制御するので、シール材に配合したギャ
ップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法
を高い精度で制御できる。また、突起は、画像表示領域
を囲むように形成されているので、画像表示領域全域に
おいて、基板間の隙間寸法にばらつきを抑えることがで
きる。それ故、狭い隙間であっても隙間寸法の精度が高
く、かつ、隙間寸法が画像表示領域全面において均一な
電気光学パネルを実現できる。また、シール材にギャッ
プ材を入れなくてよいので、シール材の下層側に配線が
あっても、これらの配線がギャップ材で押し潰されて断
線してしまうのを防ぐことができる。
According to the present invention, the gap size (cell thickness) between the substrates is controlled by bringing the protrusion formed on one substrate into contact with the other substrate. The gap size can be controlled with higher accuracy as compared with the configuration for controlling the gap. Further, since the projection is formed so as to surround the image display area, it is possible to suppress variation in the gap size between the substrates in the entire image display area. Therefore, it is possible to realize an electro-optical panel in which even if the gap is narrow, the gap dimension accuracy is high and the gap dimension is uniform over the entire image display area. Further, since it is not necessary to put a gap material in the seal material, even if there are wires under the seal material, it is possible to prevent the wires from being crushed by the gap material and being disconnected.

【0012】本発明において、前記突起は、たとえば、
前記シール材の形成領域の内周縁および外周縁のうちの
一方の縁に沿って形成される。
In the present invention, the protrusion is, for example,
The sealing material is formed along one of the inner peripheral edge and the outer peripheral edge of the formation region.

【0013】本発明において、前記突起は、前記シール
材の形成領域の内周縁に沿った第1突起と外周縁に沿っ
た第2突起とを有し、前記シール材は、前記第1突起と
前記第2突起とに挟まれた領域内に形成されていること
が好ましい。このように構成すると、シール材が第1突
起および第2突起によってせき止められるので、未硬化
のシール材を塗布した際、あるいはシール材を加熱した
際に、シール材が不要な個所にまではみ出ることがな
い。それ故、シール材として熱硬化性のものを用いるこ
とができる。
In the present invention, the projection has a first projection along an inner peripheral edge of a formation region of the sealing material and a second projection along an outer peripheral edge, and the sealing material includes the first projection and the second projection. Preferably, it is formed in a region sandwiched between the second protrusions. With this configuration, the seal material is blocked by the first protrusion and the second protrusion, so that when the uncured seal material is applied or the seal material is heated, the seal material protrudes to an unnecessary part. There is no. Therefore, a thermosetting material can be used as the sealing material.

【0014】本発明の別の形態では、一対の基板間に電
気光学物質が挟持されてなり、前記一対の基板同士はシ
ール材により接着固定されてなり、前記シール材の形成
領域内には複数の画素からなる画像表示領域を有する電
気光学パネルにおいて、前記一対の基板のうちの一方の
基板には、他方の基板に向けて突出して該他方の基板に
当接する突起を有し、該突起は、前記一対の基板の夫々
に形成された導電層間を電気的に接続する導通材の形成
領域の周りに形成されていることを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, an electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates, the pair of substrates is bonded and fixed to each other with a sealing material, and a plurality of the In the electro-optical panel having an image display area composed of pixels, one of the pair of substrates has a projection that projects toward the other substrate and contacts the other substrate, and the projection includes And a conductive layer formed around the conductive layer that electrically connects the conductive layers formed on each of the pair of substrates.

【0015】たとえば、前記突起は、前記導通材の形成
領域の周りを囲むように形成されていることが好まし
い。このように構成すると、導通材が突起によってせき
止められるので、未硬化の導通材を塗布した際、あるい
は導通材を加熱した際に、導通材が不要な個所にまでは
み出ることがない。それ故、導通材の接着剤成分として
熱硬化性のものを用いることができる。
For example, it is preferable that the projection is formed so as to surround a region where the conductive material is formed. With this configuration, the conductive material is blocked by the projections, so that when the uncured conductive material is applied or when the conductive material is heated, the conductive material does not protrude to unnecessary portions. Therefore, a thermosetting adhesive can be used as the adhesive component of the conductive material.

【0016】前記シール材は前記画像表示領域の周辺に
形成された遮光膜と少なくとも一部で重なるように形成
されていることを特徴とする。このような構成により、
シール材が遮光膜まで延在されるため、シール材による
密着性高めることができる。
[0016] The sealing material is formed so as to at least partially overlap a light-shielding film formed around the image display area. With such a configuration,
Since the sealing material extends to the light shielding film, the adhesion by the sealing material can be improved.

【0017】本発明において、前記突起は、弾性変形可
能な材料から構成され、前記一対の基板間で押し潰され
ていることが好ましい。このように構成すると、基板間
において、押し潰された突起が元の形状に復帰しようと
基板間を広げようとするカが加わる一方、基板同士はシ
ール材で固着されているので、基板間の隙間寸法を均一
にすることができる。
In the present invention, it is preferable that the protrusion is made of an elastically deformable material and is crushed between the pair of substrates. With this configuration, between the substrates, the crushed projections return to the original shape, and a force is applied to spread the substrates. On the other hand, the substrates are fixed to each other with the sealing material, so that the The gap size can be made uniform.

【0018】本発明において、前記一対の基板は、たと
えば、画素電極および画素スイッチング用の薄膜トラン
ジスタがマトリクス状に形成されたトランジスタアレイ
基板と、対向電極が形成された対向基板とからなる。
In the present invention, the pair of substrates includes, for example, a transistor array substrate in which pixel electrodes and pixel switching thin film transistors are formed in a matrix, and a counter substrate in which counter electrodes are formed.

【0019】このような電気光学パネルを用いた投射型
表示装置(電気光学装置)では、光源と、該光源から出
射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、
当該電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大
投射光学系とを配置する。
In a projection type display device (electro-optical device) using such an electro-optical panel, a light source, and a condensing optical system for guiding light emitted from the light source to the electro-optical panel,
An enlargement projection optical system that enlarges and projects light modulated by the electro-optical panel is arranged.

【0020】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を形
成した後、前記シール材を塗布し、しかる後に前記一対
の基板を押圧して前記シール材を硬化させることを特徴
とする。
In the method of manufacturing an electro-optical panel according to the present invention, after forming the projection on one of the pair of substrates, the sealing material is applied, and then the pair of substrates is pressed. The sealing material is cured.

【0021】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記突起を前記シール材を形成する予定の領域の内
周縁に沿った第1突起と外周縁に沿った第2突起とを形
成した後、前記第1突起と前記第2突起とに挟まれた領
域内に前記シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基
板を押圧しながら前記シール材を硬化させることが好ま
しい。このように構成すると、未硬化のシール材を塗布
した際などに、シール材が突起によってせき止められる
ので、不要なところまではみ出ることがない。
In the method of manufacturing an electro-optical panel according to the present invention, the protrusion is formed after forming a first protrusion along an inner peripheral edge and a second protrusion along an outer peripheral edge of a region where the sealing material is to be formed. Preferably, the sealing material is applied to a region sandwiched between the first projection and the second projection, and then the sealing material is cured while pressing the pair of substrates. With this configuration, when the uncured sealing material is applied, the sealing material is blocked by the projection, so that the sealing material does not protrude to an unnecessary part.

【0022】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記導通材を形成する予定の領域の周りを囲むよう
に前記突起を形成した後、該突起により囲まれた領域内
に前記導通材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を押
圧して前記シール材および前記導通材を同時あるいは別
々に硬化させることが好ましい。このように構成する
と、未硬化の導通材を塗布した際に、導通材が突起によ
ってせき止められるので、不要なところまではみ出るこ
とがない。
In the method of manufacturing an electro-optical panel according to the present invention, after forming the projection so as to surround a region where the conductive material is to be formed, the conductive material is placed in a region surrounded by the projection. It is preferable that the pair of substrates is pressed and then the sealing material and the conductive material are cured simultaneously or separately. With this configuration, when the uncured conductive material is applied, the conductive material is blocked by the projections, so that the conductive material does not protrude to an unnecessary part.

【0023】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を弾
性変形可能な材料により形成した後、当該一方の基板に
シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を押圧し
ながら前記突起を弾性変形させ、この状態で前記シール
材を硬化させることが好ましい。
In the method of manufacturing an electro-optical panel according to the present invention, the protrusion is formed on one of the pair of substrates from a material that can be elastically deformed, and then a sealing material is applied to the one of the substrates. Thereafter, it is preferable that the projection is elastically deformed while pressing the pair of substrates, and the sealing material is cured in this state.

【0024】また本発明では、一対の基板間に電気光学
物質が挟持されてなり、前記一対の基板同士はシール材
により接着固定されてなり、前記シール材の形成領域の
内側には複数の画素からなる画像表示領域を有する電気
光学パネルにおいて、前記一対の基板のうちの一方の基
板には、他方の基板に向けて突出して該他方の基板に当
接する突起が形成され、該突起は、前記画像表示領域内
の所定位置に点在されていることを特徴とする。
In the present invention, the electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates, and the pair of substrates is bonded and fixed to each other with a sealing material. In the electro-optical panel having an image display area consisting of, one of the pair of substrates is formed with a projection protruding toward the other substrate and abutting on the other substrate, wherein the projection is It is characterized by being scattered at a predetermined position in the image display area.

【0025】本発明では、一方の基板に形成された突起
を他方の基板に当接させることにより、基板間の隙間寸
法(セル厚)を制御するので、シール材に配合したギャ
ップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法
を高い精度で制御できる。また、突起は、画像表示領域
内で点在するように形成されているので、画像表示領域
全域において基板間の隙間寸法にばらつきが発生しな
い。それ故、狭い隙間であっても隙間寸法の精度が高
く、かつ、隙間寸法が画像表示領域全面において均一な
電気光学パネルを実現できる。また、このような電気光
学パネルでは、画像表示領域内に突起を形成しても、画
像表示領域内のある領域に突起が集中してしまうことも
ない。さらに、シール材にギャップ材を入れなくてよい
ので、シール材の下層側に配線があっても、これらの配
線がギャップ材で押し潰されて断線してしまうのを防ぐ
ことができる。
According to the present invention, the gap size (cell thickness) between the substrates is controlled by bringing the protrusion formed on one substrate into contact with the other substrate. The gap size can be controlled with higher accuracy as compared with the configuration for controlling the gap. Further, since the projections are formed so as to be scattered in the image display area, the gap size between the substrates does not vary in the entire image display area. Therefore, it is possible to realize an electro-optical panel in which even if the gap is narrow, the gap dimension accuracy is high and the gap dimension is uniform over the entire image display area. Further, in such an electro-optical panel, even when the projection is formed in the image display area, the projection does not concentrate on a certain area in the image display area. Further, since it is not necessary to put a gap material in the seal material, even if there are wires under the seal material, it is possible to prevent the wires from being crushed and broken by the gap material.

【0026】本発明において、前記突起は、前記画像表
示領域内に形成されている各画素において光の透過しな
い非開口領域に形成されていることが好ましい。このよ
うに構成すると、画像表示領域内に突起を形成しても、
突起が表示に写し出されることがない。よって、本発明
は、電気光学パネルを投射型表示装置のライトバルブと
して用いる場合に効果的である。
In the present invention, it is preferable that the projection is formed in a non-opening area through which light does not pass in each pixel formed in the image display area. With this configuration, even if a projection is formed in the image display area,
The projection is not shown on the display. Therefore, the present invention is effective when the electro-optical panel is used as a light valve of a projection display device.

【0027】本発明において、前記突起は、前記画像表
示領域内に形成されている各画素において同一個所に形
成されていることがこのましい。すなわち、前記突起
は、各画素内における同一座標上に形成されていること
が好ましい。このように構成すると、各画素において同
じ高さの位置に突起を形成することになるので、基板間
の隙間寸法をより一定にすることができる。それ故、段
差の大きな基板を用いた場合でも、他方の基板との間に
一定の隙間を確保できる。
In the present invention, it is preferable that the protrusion is formed at the same position in each pixel formed in the image display area. That is, the protrusions are preferably formed on the same coordinates in each pixel. With this configuration, the projections are formed at the same height in each pixel, so that the dimension of the gap between the substrates can be made more constant. Therefore, even when a substrate having a large step is used, a certain gap can be secured between the substrate and the other substrate.

【0028】本発明において、前記突起は円柱形状を有
していることが好ましい。このように構成すると、液晶
などの電気光学物質を充填する際に突起の周りをスムー
ズに回りこむので、電気光学物質の充填不良が発生しな
い。
In the present invention, it is preferable that the projection has a cylindrical shape. With such a configuration, when the electro-optical material such as liquid crystal is filled, the electro-optical material smoothly goes around the protrusion, so that the filling failure of the electro-optical material does not occur.

【0029】本発明において、前記突起は、前記画像表
示領域内における周囲領域では中心領域に比較して高密
度に形成されていることが好ましい。このように構成す
ると、液晶などの電気光学物質を基板間に注入するタイ
ミングによってはパネルの中心が膨らむことがあるが、
このような膨らみの発生を見越して基板同士を貼り合わ
せることが好ましい。すなわち、基板同士を貼り合わせ
た直後は、画像表示領域の中心領域で基板間の隙間が狭
くなるが、画像表示領域内に電気光学物資を注入したと
きに中心領域が膨らんで、この領域における隙間寸法が
多少、大きくなっても、このような拡大分は、電気光学
物質を注入する前の隙間寸法の差で吸収、緩和される。
それ故、基板間の隙間寸法を画像表示領域全面において
均一化することができる。
In the present invention, it is preferable that the projections are formed at a higher density in a peripheral area in the image display area than in a central area. With this configuration, the center of the panel may expand depending on the timing of injecting an electro-optical material such as a liquid crystal between the substrates,
It is preferable to bond the substrates together in anticipation of the occurrence of such a bulge. That is, immediately after the substrates are bonded to each other, the gap between the substrates becomes narrower in the central area of the image display area. However, when the electro-optical material is injected into the image display area, the central area expands, and the gap in this area becomes larger. Even if the size is slightly increased, such enlargement is absorbed and reduced by the difference in the gap size before the electro-optical material is injected.
Therefore, the size of the gap between the substrates can be made uniform over the entire image display area.

【0030】本発明において、前記突起は、前記画像表
示領域内における一方側領域では他方側領域に比較して
高密度に形成されていることが好ましい。本発明に係る
電気光学パネルを製造する際には、一方の基板に突起を
形成した後、シール材を塗布し、しかる後に一対の基板
間の隙間を詰めるようなカを加えながらシール材を硬化
させることになるが、一対の基板を押圧する際に、その
カに大小が常に発生する領域がわかっておれば、それを
吸収、緩和するような密度で突起を形成すればよい。す
なわち、基板を貼り合わす装置のくせを踏まえた上で一
方の基板に突起を所定の分布で形成するので、画像表示
領域の全面において基板間の隙間を均一にすることがで
きる。
In the present invention, it is preferable that the protrusions are formed at a higher density in one area in the image display area than in the other area. When manufacturing the electro-optical panel according to the present invention, after forming a projection on one of the substrates, a sealing material is applied, and then the sealing material is cured while adding a filler to fill a gap between the pair of substrates. However, if a region where the magnitude is always generated when the pair of substrates is pressed is known when the pair of substrates is pressed, the protrusions may be formed with a density that absorbs and relaxes the region. That is, the protrusions are formed on one of the substrates with a predetermined distribution in consideration of the habit of an apparatus for bonding the substrates, so that the gap between the substrates can be made uniform over the entire image display area.

【0031】本発明において、前記突起は、弾性変形可
能な材料から構成され、前記一対の基板間で押し潰され
ていることが好ましい。このように構成すると、基板間
において、押し潰された突起が元の形状に復帰しようと
基板間を広げようとする力が加わる一方、基板同士はシ
ール材で固着されているので、基板間の隙間寸法を均一
にすることができる。
In the present invention, it is preferable that the projection is made of an elastically deformable material and is crushed between the pair of substrates. With this configuration, a force is applied between the substrates so that the crushed protrusions try to return to the original shape and expand the spaces between the substrates. The gap size can be made uniform.

【0032】本発明において、前記一対の基板は、たと
えば、画素電極および画素スイッチング用の薄膜トラン
ジスタがマトリクス状に形成されたトランジスタアレイ
基板と、対向電極が形成された対向基板とからなる。
In the present invention, the pair of substrates includes, for example, a transistor array substrate on which pixel electrodes and pixel switching thin film transistors are formed in a matrix, and a counter substrate on which counter electrodes are formed.

【0033】このような電気光学パネルを用いた投射型
表示装置(電気光学装置)では、光源と、該光源から出
射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、
当該電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大
投射光学系とを配置する。
In a projection display device (electro-optical device) using such an electro-optical panel, a light source, a condensing optical system for guiding light emitted from the light source to the electro-optical panel, and
An enlargement projection optical system that enlarges and projects light modulated by the electro-optical panel is arranged.

【0034】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を形
成した後、前記シール材を塗布し、しかる後に前記一対
の基板を押圧しながら前記シール材を硬化させることを
特徴とする。
In the method of manufacturing an electro-optical panel according to the present invention, after forming the protrusion on one of the pair of substrates, the sealing material is applied, and then the pair of substrates are pressed while being pressed. The sealing material is cured.

【0035】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を弾
性変形可能な材料により形成した後、当該一方の基板に
シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を押圧し
て前記突起を弾性変形させ、この状態で前記シール材を
硬化させることが好ましい。このように構成すると、基
板間において、押し潰された突起が元の形状に復帰しよ
うと基板間を広げようとする力が加わる一方、基板同士
はシール材で固着されているので、基板間の隙間寸法を
均一にすることができる。
In the method of manufacturing an electro-optical panel according to the present invention, after forming the projection on one of the pair of substrates with a material capable of being elastically deformed, a sealing material is applied to the one substrate. After that, it is preferable that the pair of substrates is pressed to elastically deform the projection, and the sealing material is cured in this state. With this configuration, a force is applied between the substrates so that the crushed protrusions try to return to the original shape and expand the spaces between the substrates. The gap size can be made uniform.

【0036】本発明は、一対の基板間に電気光学物質が
挟持されてなり、前記一対の基板同士はシール材により
接着固定されてなり、前記シール材の形成領域内には複
数の画素からなる画像表示領域を有する電気光学パネル
において、前記一対の基板のうちの一方の基板には、他
方の基板に向けて突出して該他方の基板に当接する突起
を有し、該突起は、前記画素領域を囲む領域に形成され
た遮光膜に対向するように配置されていることを特徴と
する。
According to the present invention, an electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates, the pair of substrates are bonded and fixed to each other with a sealing material, and a plurality of pixels are formed in a region where the sealing material is formed. In the electro-optical panel having an image display area, one of the pair of substrates has a projection that projects toward the other substrate and abuts on the other substrate, and the projection includes the pixel region. Is disposed so as to face a light-shielding film formed in a region surrounding.

【0037】本発明によれば、一方の基板に形成された
突起を他方の基板に当接させることにより、基板間の隙
間寸法(セル厚)を制御するので、シール材に配合した
ギャップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間
寸法を高い精度で制御できる。また、突起は、画像表示
領域を囲むように形成されているので、画像表示領域全
域において、基板間の隙間寸法にばらつきを抑えること
ができる。また、突起は遮光膜に対向するように設けら
れているため、非表示領域を有効に利用して突起を設け
ることができる。。
According to the present invention, the protrusions formed on one substrate are brought into contact with the other substrate to control the gap size (cell thickness) between the substrates. The gap size can be controlled with higher accuracy as compared with the configuration for controlling the gap size. Further, since the projection is formed so as to surround the image display area, it is possible to suppress variation in the gap size between the substrates in the entire image display area. Further, since the projection is provided so as to face the light shielding film, the projection can be provided by effectively using the non-display area. .

【0038】また、本発明は、前記突起は、平面的にみ
て前記遮光膜の幅以内に収まるように配置されているこ
とを特徴とする。この発明によれば、突起は平面的にみ
て遮光膜の幅以内に収まるため、突起が表示領域に対し
て影響することを防ぐことができる。
Further, the present invention is characterized in that the projections are arranged so as to fit within the width of the light-shielding film in plan view. According to the present invention, since the projections fall within the width of the light-shielding film in a plan view, it is possible to prevent the projections from affecting the display area.

【0039】[0039]

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、本形態に係る電気光学パネルに
おいて、従来の電気光学パネルと共通する部分には同一
の符号を付して説明する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that, in the electro-optical panel according to the present embodiment, the same portions as those of the conventional electro-optical panel are denoted by the same reference numerals and described.

【0040】[0040]

【実施例】(電気光学パネルの全体構成)図1は、本形
態に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図
である。図2は、図1のH−H′線で切断したときの電
気光学パネルの断面図である。図3は、本形態の電気光
学パネルに用いたTFTアレイ基板、対向基板およびこ
れらの基板の貼り合わせ構造を示すパネル端部の断面図
である。
FIG. 1 is a plan view of an electro-optical panel according to the present embodiment as viewed from a counter substrate side. FIG. 2 is a cross-sectional view of the electro-optical panel taken along line HH ′ in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of a panel end showing a TFT array substrate, a counter substrate, and a bonding structure of these substrates used in the electro-optical panel of the present embodiment.

【0041】図1、図2および図3に示すように、投射
型表示装置などに用いられる電気光学パネル1は、石英
ガラス30の表面に透明な画素電極8がマトリクス状に
形成されたTFTアレイ基板2と、同じく石英ガラス3
1の表面に透明な対向電極32が形成された対向基板3
と、これらの基板間に封入、挟持されている液晶などの
電気光学物質39とから槻略構成されている。
As shown in FIGS. 1, 2 and 3, an electro-optical panel 1 used for a projection display device or the like has a TFT array in which transparent pixel electrodes 8 are formed in a matrix on a surface of quartz glass 30. Substrate 2 and quartz glass 3
1. A counter substrate 3 having a transparent counter electrode 32 formed on the surface thereof
And an electro-optical material 39 such as liquid crystal sealed and sandwiched between these substrates.

【0042】TFTアレイ基板2と対向基板3とは、対
向基板3の外周縁に沿って形成されたシール材200に
よって所定の隙間を介して貼り合わされている。また、
TFTアレイ基板2と対向基板3との間には、シール材
200によって電気光学物質封入領域40が区画形成さ
れ、この画像表示領域37内に液晶などの電気光学物質
39が封入されている。
The TFT array substrate 2 and the counter substrate 3 are adhered to each other with a predetermined gap therebetween by a sealing material 200 formed along the outer peripheral edge of the counter substrate 3. Also,
An electro-optical material enclosing region 40 is defined between the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3 by a sealing material 200, and an electro-optical material 39 such as liquid crystal is sealed in the image display region 37.

【0043】本形態において、TFTアレイ基板2と対
向基板3との間の隙間寸法(セル厚)は、後述するよう
に、TFTアレイ基板2から対向基板3に向けて突出し
ている突起によって確保されている。従って、本形態で
用いるシール材200には、従来と違って、ギャップ材
が配合されている必要はない。
In the present embodiment, the gap dimension (cell thickness) between the TFT array substrate 2 and the opposing substrate 3 is ensured by a projection projecting from the TFT array substrate 2 toward the opposing substrate 3 as described later. ing. Therefore, unlike the related art, the seal material 200 used in the present embodiment does not need to include a gap material.

【0044】電気光学パネル1において、対向基板3は
TFTアレイ基板2よりも小さく、TFTアレイ基板2
の周辺部分は、対向基板3の外周縁よりはみ出た状態に
貼り合わされる。従って、TFTアレイ基板2の駆動回
路(走査線駆動回路70やデータ線駆動回路60)や入
出力端子45は、対向基板3から露出した状態にあり、
入出力端子45に対するフレキシブル配線基板99の接
続が可能である。ここで、シール材200は部分的に途
切れているので、この途切れ部分によって、電気光学物
質注入口241が構成されている。このため、対向基板
3とTFTアレイ基板2とを貼り合わせた後、シール材
200の内側領域を減圧状態にすれば、電気光学物質注
入口241から電気光学物質39を減圧注入でき、電気
光学物質39を封入した後、電気光学物質注入口241
を封止剤242で塞げばよい。なお、対向基板3には、
シール材200の形成領域の内側において、画像表示領
域37の周囲に遮光膜55が形成されている。また、対
向基板3には、TFTアレイ基板2の各画素電極8の境
界領域に対応する領域に遮光膜6が形成されている。
In the electro-optical panel 1, the counter substrate 3 is smaller than the TFT array substrate 2,
Are bonded so as to protrude from the outer peripheral edge of the counter substrate 3. Therefore, the driving circuits (the scanning line driving circuit 70 and the data line driving circuit 60) and the input / output terminals 45 of the TFT array substrate 2 are exposed from the counter substrate 3,
The connection of the flexible wiring board 99 to the input / output terminals 45 is possible. Here, since the sealing material 200 is partially interrupted, the interrupted portion forms the electro-optical material injection port 241. Therefore, if the inside area of the sealing material 200 is decompressed after the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 are bonded, the electro-optic material 39 can be injected under reduced pressure from the electro-optic material injection port 241, and 39, the electro-optical material inlet 241
May be closed with a sealant 242. The counter substrate 3 includes
A light-shielding film 55 is formed around the image display area 37 inside the formation area of the sealant 200. Further, a light-shielding film 6 is formed on the counter substrate 3 in a region corresponding to a boundary region between the pixel electrodes 8 of the TFT array substrate 2.

【0045】本形態の電気光学パネル1は、たとえば、
投射型表示装置(プロジェクタ)において使用される。
この場合、3枚の電気光学パネル1がRGB用のライト
バルブとして各々使用され、各電気光学パネル1の各々
には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して
分解された各色の光が投射光として各々入射されること
になる。従って、本形態の電気光学パネル1にはカラー
フィルタが形成されていない。但し、対向基板3におい
て各画素電極8に対向する領域にRGBのカラーフィル
タをその保護膜とともに形成することにより、投射型表
示装置以外にも、カラー液晶テレビなどといったカラー
表示装置を構成することができる。また、対向基板3に
何層もの屈折率の異なる干渉層を積層することにより、
光の干渉作用を利用して、RGB色をつくり出すダイク
ロイツクフィルタを形成してもよい。このダイクロイツ
タフィルタ付きの対向基板によれば、より明るいカラー
表示を行うことができる。さらに、対向基板3およびT
FTアレイ基板2の光入射側の面あるいは光出射側に
は、使用する電気光学物質39の種類、すなわち、TN
(ツイステッドネマティック)モード、STN(スーパ
ーTN)モード、DSTN(ダブル−STN)モード等
々の動作モードや、ノーマリホワイトモード/ノーマリ
ブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フ
ィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。
The electro-optical panel 1 of the present embodiment is, for example,
Used in projection type display devices (projectors).
In this case, three electro-optical panels 1 are used as light valves for RGB, respectively, and each of the electro-optical panels 1 receives light of each color separated through a dichroic mirror for RGB color separation as projection light. Respectively. Therefore, no color filter is formed on the electro-optical panel 1 of the present embodiment. However, by forming an RGB color filter together with its protective film in a region facing each pixel electrode 8 on the counter substrate 3, a color display device such as a color liquid crystal television can be configured in addition to the projection display device. it can. Also, by stacking a number of interference layers having different refractive indexes on the opposite substrate 3,
A dichroic filter that produces RGB colors by utilizing the interference of light may be formed. According to the counter substrate with the dichroic filter, a brighter color display can be performed. Further, the counter substrate 3 and T
The type of the electro-optical material 39 to be used, that is, TN, is provided on the light incident side or light exit side of the FT array substrate 2.
(Twisted nematic) mode, STN (super TN) mode, DSTN (double-STN) mode, and other operation modes, and normally white mode / normal black mode, depending on the polarizing film, retardation film, polarizing plate, etc. Are arranged in a predetermined direction.

【0046】このように構成した電気光学パネル1にお
いて、TFTアレイ基板2では、データ線(図示せ
ず。)およびTFT10を介して画素電極8に印加した
画像信号によって、画素電極8と対向電極32との間に
おいて電気光学物質39の配向状態を画素毎に制御し、
画像信号に対応した所定の画像を表示する。従って、T
FTアレイ基板2では、データ線およびTFT10を介
して画素電極8に画像信号を供給するとともに、対向電
極32にも所定の電位を印加する必要がある。
In the electro-optical panel 1 configured as described above, on the TFT array substrate 2, the pixel electrode 8 and the counter electrode 32 are formed by the image signal applied to the pixel electrode 8 via the data line (not shown) and the TFT 10. Controlling the alignment state of the electro-optical material 39 for each pixel,
A predetermined image corresponding to the image signal is displayed. Therefore, T
In the FT array substrate 2, it is necessary to supply an image signal to the pixel electrode 8 via the data line and the TFT 10 and also apply a predetermined potential to the counter electrode 32.

【0047】そこで、電気光学パネル1では、TFTア
レイ基板2の表面のうち、対向基板3の各コーナー部に
対向する部分には、データ線などの形成プロセスを援用
してアルミニウム膜(遮光性材料)からなる基板間導通
用の第1の電極47が形成されている。一方、対向基板
3の各コーナー部には、対向電極3の形成プロセスを援
用して透明導電膜(Indium Tin Oxide:ITO膜)から
なる基板間導通用の第2の電極48が形成されている。
さらに、これらの基板間導通用の第1の電極47と第2
の電極48とは、エポキシ樹脂系やアクリル樹脂系の接
着剤成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子が
配合された導通材56によって電気的に導通している。
それ故、電気光学パネル1では、TFTアレイ基板2お
よび対向基板3のそれぞれにフレキシブル配線基板など
を接続しなくても、TFTアレイ基板2のみにフレキシ
ブル配線板99を接続するだけで、TFTアレイ基板2
および対向基板3の双方に所定の信号を入力することが
できる。
Therefore, in the electro-optical panel 1, a portion of the surface of the TFT array substrate 2 facing each corner of the opposing substrate 3 is formed of an aluminum film (light-shielding material) with the help of a process of forming data lines and the like. ), A first electrode 47 for inter-substrate conduction is formed. On the other hand, a second electrode 48 made of a transparent conductive film (Indium Tin Oxide: ITO film) for inter-substrate conduction is formed at each corner of the opposing substrate 3 with the aid of the formation process of the opposing electrode 3. .
Further, the first electrode 47 and the second
The electrodes 48 are electrically connected to each other by a conductive material 56 in which conductive particles such as silver powder and gold-plated fiber are mixed with an epoxy resin-based or acrylic resin-based adhesive component.
Therefore, in the electro-optical panel 1, the TFT array substrate 2 is connected to only the TFT array substrate 2 without connecting a flexible wiring substrate or the like to each of the TFT array substrate 2 and the opposing substrate 3. 2
A predetermined signal can be input to both the counter substrate 3 and the counter substrate 3.

【0048】(TFTアレイ基板の構成)図4は、電気
光学パネルの構成を模式的に示すブロック図、図5は、
この電気光学パネルにおける画素の一部を抜き出して示
す平面図、図6は、図5におけるA−A′線におけるT
FTアレイ基板の断面図である。
(Configuration of TFT Array Substrate) FIG. 4 is a block diagram schematically showing the configuration of an electro-optical panel, and FIG.
FIG. 6 is a plan view showing a part of a pixel in the electro-optical panel. FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the FT array substrate.

【0049】図1および図4に示すように、本実施の形
態による電気光学パネル1の画像表示領域37を構成す
るマトリクス状に形成された複数の画素の夫々は、走査
線91と、データ線90と、画素電極8と、画素髄8を
制御するためのTFT10とからなり、画像信号が供給
されるデータ線90が当該TFT10のソースに電気的
接続されている。また、TFT10の走査線91にはパ
ルス的走査信号Gl、G2、…、Gmが、この順に線順
次で印加するように構成されている。画素電極8は、T
FT10のドレインに電気的接続されており、TFT1
0を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、デ
ータ線90から供給される画像信号Sl、S2、…、S
nを所定のタイミングで書き込む。画素電極8を介して
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Sl、S2、
…、Snは、対向基板3に形成された対向電極32との
間で一定期間保持される。電気光学物質39は、印加さ
れる電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化する
ことにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここ
で、保持された画像信号がリークするのをために、画素
電極8と対向電極32との間に形成される電気光学物質
と並列に蓄積容量40を付加する。尚、このように蓄積
容量40を形成する方法としては、容量を形成するため
の配線である容量線92を設けても良いし、後述のよう
に前段の走査線91との間で容量を形成しても良い。
As shown in FIGS. 1 and 4, each of the plurality of pixels formed in a matrix forming the image display area 37 of the electro-optical panel 1 according to the present embodiment has a scanning line 91 and a data line. A data line 90 to which an image signal is supplied is electrically connected to a source of the TFT 10. The data line 90 includes a pixel electrode 8, a pixel electrode 8, and a TFT 10 for controlling the pixel pith 8. .., Gm are applied to the scanning line 91 of the TFT 10 line-sequentially in this order. The pixel electrode 8 has T
TFT1 is electrically connected to the drain of FT10.
When the switch is closed for a certain period of time, the image signals S1, S2,.
n is written at a predetermined timing. The image signals S1, S2 of a predetermined level written to the liquid crystal via the pixel electrode 8
, Sn are held for a certain period between the counter electrode 32 formed on the counter substrate 3. The electro-optical material 39 modulates light by changing the orientation and order of the molecular assembly according to the applied voltage level, thereby enabling gray scale display. Here, in order to prevent the held image signal from leaking, a storage capacitor 40 is added in parallel with the electro-optical material formed between the pixel electrode 8 and the counter electrode 32. As a method of forming the storage capacitor 40 in this manner, a capacitor line 92 which is a wiring for forming a capacitor may be provided, or a capacitor may be formed between the storage line 40 and a preceding scanning line 91 as described later. You may.

【0050】図5は一部の画素平面図を示す。データ線
90は、コンタクトホールを介してポリシリコン膜から
なる半導体層のうち、ソース領域16に電気的に接続さ
れ、画素電極8は、コンタクトホールを介してドレイン
領域17に電気時に接続している。また、チャネル領域
15に対向するように走査線91が延びている。なお、
蓄積容量40は、画素スイッチング用のTFT10を形
成するためのシリコン膜10a(半導体膜/図5に斜線
を付した領域)の延設部分に相当すシリコン購40a
(半導体膜/図5に斜線を付した領域)を導電化したも
のを下電極41とし、この下電極41に対して容量線9
2が上電極として重なった構造になっている。
FIG. 5 is a plan view of a part of the pixel. The data line 90 is electrically connected to the source region 16 of the semiconductor layer made of the polysilicon film via the contact hole, and the pixel electrode 8 is electrically connected to the drain region 17 via the contact hole. . Further, the scanning line 91 extends so as to face the channel region 15. In addition,
The storage capacitor 40 corresponds to an extension of the silicon film 10a (semiconductor film / the area shaded in FIG. 5) for forming the pixel switching TFT 10.
(Semiconductor film / the area shaded in FIG. 5) is made conductive, and the lower electrode 41 is connected to the capacitor line 9.
2 has an overlapping structure as an upper electrode.

【0051】このように構成した画素のA−A′線にお
ける断面は、図6に示すように表される。まず、TFT
アレイ基板2の基体たる石英ガラス30の表面には絶縁
性の下地保護膜301が形成され、この下地保護膜30
1の表面には、島状のシリコン膜10a、40aが形成
されている。また、シリコン膜10aの表面にはゲート
絶縁膜13が形成され、このゲート絶縁膜13の上に走
査線(ゲート電極)91が形成されている。シリコン膜
10aのうち、走査線91に対してゲート絶縁膜13を
介して対峙する領域がチャネル領域15になっている。
このチャネル領域15に対して一方側には、低濃度ソー
ス領域161および高濃度ソース領域162を備えるソ
ース領域16が形成され、他方側には低濃度ドレイン領
域171および高濃度ドレイン領域172を備えるドレ
イン領域17が形成されている。このように構成された
画素スイッチング用のTFT10の表面側には、第1層
間絶縁膜18および第2層間絶縁膜19が形成され、第
1層間絶縁膜18の表面に形成されたデータ線90は、
第1層間絶縁膜18に形成されたコンタクトホールを介
して高濃度ソース領域162に電気的に接続している。
また、画素電極8は、第1層間絶縁膜18および第2層
間絶縁膜19に形成されたコンタクトホールを介して高
濃度ドレイン表域172に電気的に接続している。ま
た、高濃度ドレイン領域172から延設されたシリコン
膜40aには高濃度領域からなる下電極41が形成さ
れ、この下電極41に対しては、ゲート絶縁膜13と同
時形成された絶縁膜(誘電体膜)を介して容量線92が
対向している。このようにして蓄積容量が形成されてい
る。
FIG. 6 shows a cross section taken along the line AA 'of the pixel thus configured. First, TFT
An insulating underlying protective film 301 is formed on the surface of the quartz glass 30 serving as the base of the array substrate 2.
On the surface of No. 1, island-shaped silicon films 10a and 40a are formed. A gate insulating film 13 is formed on the surface of the silicon film 10a, and a scanning line (gate electrode) 91 is formed on the gate insulating film 13. In the silicon film 10a, a region facing the scanning line 91 via the gate insulating film 13 is a channel region 15.
A source region 16 having a low-concentration source region 161 and a high-concentration source region 162 is formed on one side of the channel region 15, and a drain region having a low-concentration drain region 171 and a high-concentration drain region 172 is formed on the other side. A region 17 is formed. The first interlayer insulating film 18 and the second interlayer insulating film 19 are formed on the surface side of the pixel switching TFT 10 configured as described above. The data line 90 formed on the surface of the first interlayer insulating film 18 is ,
It is electrically connected to the high-concentration source region 162 through a contact hole formed in the first interlayer insulating film 18.
In addition, the pixel electrode 8 is electrically connected to the high-concentration drain surface area 172 via contact holes formed in the first interlayer insulating film 18 and the second interlayer insulating film 19. A lower electrode 41 composed of a high-concentration region is formed on the silicon film 40a extending from the high-concentration drain region 172, and an insulating film (formed simultaneously with the gate insulating film 13) is formed on the lower electrode 41. The capacitance lines 92 face each other via the dielectric film). Thus, a storage capacitor is formed.

【0052】ここで、TFT10は、好ましくは上述の
ようにLDD構造をもつが、オフセット構造を有してい
てもよいし、あるいは走査線91をマスクとして高濃度
で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース
およびドレイン領域を形成したセルフアライン型のTF
Tであってもよい。対向基板3上には画素スイッチング
用のTFT10に対向する領域に遮光膜6と、対向電極
32と配向膜49がこの順に形成されている。
Here, the TFT 10 preferably has an LDD structure as described above, but may have an offset structure, or may be implanted with impurity ions at a high concentration using the scanning line 91 as a mask to form a self-aligned structure. Self-aligned TF with high concentration source and drain regions formed
It may be T. On the counter substrate 3, a light-shielding film 6, a counter electrode 32 and an alignment film 49 are formed in this order in a region facing the pixel switching TFT 10.

【0053】(基板間の隙間寸法の制御)このように構
成した電気光学パネル1において、本形態では、図1、
図2および図3に示すように、TFTアレイ基板2の表
面(電気光学物質39を挟持している側の面)には、画
像表示領域37の周りを囲むように、シール材200の
形成領域の内周縁に沿って突起21が形成されている。
この突起21は、対向基板3に向けて突き出て対向基板
3に当接することにより、TFTアレイ基板2と対向電
極3との間に2μmの隙間(セル厚)を確保している。
すなわち、突起21は、弾性変形可能な材料から構成さ
れ、シール材200によって接着固定されたTFTアレ
イ基板2と対向電極3との間で押し潰された状態にあ
る。
(Control of Gap Dimension between Substrates) In the electro-optical panel 1 thus configured, in the present embodiment, FIG.
As shown in FIGS. 2 and 3, on the surface of the TFT array substrate 2 (the surface on which the electro-optical material 39 is sandwiched), the formation region of the sealing material 200 is formed so as to surround the image display region 37. A projection 21 is formed along the inner peripheral edge of.
The protrusion 21 protrudes toward the opposing substrate 3 and abuts on the opposing substrate 3 to secure a gap (cell thickness) of 2 μm between the TFT array substrate 2 and the opposing electrode 3.
That is, the protrusion 21 is made of an elastically deformable material, and is in a state of being crushed between the TFT array substrate 2 and the counter electrode 3 that are bonded and fixed by the sealant 200.

【0054】(製造方法)この状態を、図1、図2、図
3および図7を参照して、電気光学パネル1の製造方法
とともに詳述する。図7は、図3に示すように基板同士
を貼り合わせる直前の様子を示す断面図である。
(Manufacturing Method) This state will be described in detail together with a method of manufacturing the electro-optical panel 1 with reference to FIGS. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state immediately before bonding the substrates as shown in FIG.

【0055】本形態の電気光学パネル1を製造するにあ
たって、まず、対向基板3を形成するには、石英ガラス
31等の絶縁基板の表面に遮光膜6および対向電極32
を順次形成した後、対向電極32の表面に、配向膜を形
成するためのポリイミド樹脂49を薄く塗布する。次
に、ポリイミド樹脂49を150℃から200℃位の温
度で熱硬化させる。このようにして対向基板3の側にポ
リイミド樹脂49の層を形成した後、ラビング処理を行
う。
In manufacturing the electro-optical panel 1 according to the present embodiment, first, the opposing substrate 3 is formed by forming the light shielding film 6 and the opposing electrode 32 on the surface of an insulating substrate such as quartz glass 31.
Are sequentially formed, a thin polyimide resin 49 for forming an alignment film is applied to the surface of the counter electrode 32. Next, the polyimide resin 49 is thermally cured at a temperature of about 150 ° C. to 200 ° C. After forming a layer of the polyimide resin 49 on the side of the counter substrate 3 in this manner, a rubbing process is performed.

【0056】一方、TFTアレイ基板2を形成するに
は、まず、周知の半導体プロセスを利用して、石英ガラ
ス30の表面にTFT10および画素電極8を順次形成
する。
On the other hand, in order to form the TFT array substrate 2, first, the TFT 10 and the pixel electrode 8 are sequentially formed on the surface of the quartz glass 30 by using a well-known semiconductor process.

【0057】次に、TFTアレイ基板2の表面全体に、
硬化後も弾性変形可能な種類の樹脂を塗布した後、それ
をフォトリソグラフィ技術を用いてバターニングし、画
像表示領域37の周りを囲む領域に突起21を形成す
る。ここで、基板間の隙間寸法のねらい値が例えば2μ
mであれば、突起21を隙間寸法のねらい値(2μm)
よりもやや厚めに形成する。
Next, the entire surface of the TFT array substrate 2 is
After applying a resin of a type that can be elastically deformed even after curing, the resin is patterned using a photolithography technique to form a projection 21 in a region surrounding the image display region 37. Here, the target value of the gap size between the substrates is, for example, 2 μm.
If m, the protrusion 21 is aimed at the gap size (2 μm)
It is formed slightly thicker than it is.

【0058】次に、TFTアレイ基板2の表面に、配向
膜を形成するためのポリイミド樹脂46を薄く形成し、
しかる後にラビング処理を行う。
Next, a thin polyimide resin 46 for forming an alignment film is formed on the surface of the TFT array substrate 2.
After that, a rubbing process is performed.

【0059】次に、突起21の外側を囲むように、TF
Tアレイ基板2の表面に未硬化のシール材200をディ
スペンサから吐出しながら塗布する。また、TFTアレ
イ基板2の表面のうち、シール材200の塗布領域より
やや外周側には、基板間導通用の未硬化の導通材56を
打点式のディスペンサから吐出しながら塗布する。本形
態では、導通材56として、光硬化性あるいは熱硬化性
を有するエポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着
剤成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子が配
合されたものを用いる。また、シール材200として、
導通材56と同様、光硬化性あるいは熱硬化性を有する
エポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤を用い
る。このシール材200にはギャップ材が配合されてい
ない。従つて、シール材200にギャップ材を入れなく
てよいので、シール材200の下層側に配線があって
も、これらの配線がギャップ材で押し潰されて断線して
しまうということがない。
Next, TF is surrounded so as to surround the outside of the projection 21.
An uncured sealing material 200 is applied to the surface of the T array substrate 2 while being discharged from a dispenser. Further, on the surface of the TFT array substrate 2, an uncured conductive material 56 for substrate-to-substrate conduction is applied while being discharged from a dot-type dispenser, on a slightly outer peripheral side of the application region of the sealant 200. In the present embodiment, as the conductive material 56, a material in which conductive particles such as silver powder and gold-plated fiber are mixed with an epoxy resin-based or acrylic resin-based adhesive component having photo-curing or thermosetting properties is used. Further, as the sealing material 200,
Similarly to the conductive material 56, an epoxy resin or acrylic resin adhesive having photo-curing or thermo-curing properties is used. The sealing material 200 does not contain a gap material. Accordingly, since no gap material is required to be inserted into the seal material 200, even if there are wires under the seal material 200, these wires are not crushed by the gap material and disconnected.

【0060】次に、TFTアレイ基板2に形成されてい
る基板間導通用の第1の電極47に対して対向基板3に
形成されている基板間導通用の第2の電極48が対向す
るように、対向基板3とTFTアレイ基板2とを位置合
わせした後、TFTアレイ基板2に向けて対向基板3を
押圧し、突起21を高さが2μmになる位までかるく押
し潰した状態のまま、対向基板3の側からシール材20
0への紫外線照射、あるいは加熱処理により、導通材5
6およびシール材200を硬化させる。
Next, the inter-substrate conduction second electrode 48 formed on the counter substrate 3 is opposed to the inter-substrate conduction first electrode 47 formed on the TFT array substrate 2. Then, after aligning the opposing substrate 3 with the TFT array substrate 2, the opposing substrate 3 is pressed toward the TFT array substrate 2, and the protrusions 21 are slightly crushed to a height of 2 μm. From the side of the opposing substrate 3, the sealing material 20
0 to the conductive material 5 by ultraviolet irradiation or heat treatment.
6 and the sealing material 200 are cured.

【0061】ここで、導通材56およびシール材200
について双方を塗布してから一括して硬化させてもよい
が、導通材56およびシール材200をそれぞれ別々に
塗布し、硬化させてもよい。また、硬化は、仮硬化と本
硬化の2段階に分けて行ってもよい。
Here, the conductive material 56 and the sealing material 200
May be applied and then cured together, but the conductive material 56 and the sealing material 200 may be separately applied and cured. Curing may be performed in two stages, that is, temporary curing and main curing.

【0062】その結果、図1ないし図3に示すように、
対向基板3とTFTアレイ基板2とは、突起21をスペ
ーサとして介在させた状態で2μmの隙間を介して貼り
合わされ、かつ、TFTアレイ基板2に形成されている
基板間導通用の第1の電極47と、対向基板3に形成さ
れている基板間導通用の第2の電極48とが導通材56
を介して電気杓に接続する。
As a result, as shown in FIGS. 1 to 3,
The opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 are bonded via a gap of 2 μm with the protrusion 21 interposed therebetween as a spacer, and a first electrode for substrate conduction formed on the TFT array substrate 2. 47 and a second electrode 48 formed on the opposite substrate 3 for inter-substrate conduction,
To the electric ladle via.

【0063】このようにして対向基板3とTFTアレイ
基板2とを貼り合わせた後は、図1に示すように、シー
ル材200の内側領域を減圧状態にして電気光学物質注
入口241から電気光学物質39を減圧注入し、しかる
後に電気光学物質注入口241を封止剤242で塞ぐ。
After the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 have been bonded in this manner, as shown in FIG. The substance 39 is injected under reduced pressure, and then the electro-optical substance injection port 241 is closed with a sealant 242.

【0064】このように、本形態では、TFTアレイ基
板2に形成した突起21を対向基板3との間に弾性変形
させた状態で介在させることにより、基板間の隙間寸法
(セル厚)を制御するので、シール材に配合したギャッ
プ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、たとえ2μ
mという狭い隙間寸法であっても、高い精度で制御でき
る。また、突起21は、画像表示領域37を囲むように
形成されているので、画像表示領域37全域において隙
間寸法が制御され、基板間の隙間寸法に場所毎のばらつ
きが発生しない。それ故、狭い隙間であっても隙間寸法
の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域37全面
において均一な電気光学パネル1を実現できる。よっ
て、この電気光学パネル1を用いて表示を行うと、表示
のむらがなく、かつ、コントラスト比が高くて、しかも
明るい表示を行うことができるなど、表示の品位が向上
する。
As described above, in the present embodiment, the gap size (cell thickness) between the substrates is controlled by interposing the protrusions 21 formed on the TFT array substrate 2 with the counter substrate 3 while being elastically deformed. Therefore, compared with a configuration in which the gap size is controlled by the gap material mixed with the sealing material, the
Even with a small gap size of m, it can be controlled with high accuracy. Further, since the protrusion 21 is formed so as to surround the image display area 37, the gap size is controlled in the entire image display area 37, and the gap size between the substrates does not vary from place to place. Therefore, it is possible to realize the electro-optical panel 1 in which the accuracy of the gap dimension is high even in a narrow gap and the gap dimension is uniform over the entire image display area 37. Therefore, when display is performed using the electro-optical panel 1, display quality is improved, for example, there is no display unevenness, a high contrast ratio, and a bright display can be performed.

【0065】[実施の形態2]図8は、本形態に係る電
気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。図
9(A)、(B)はそれぞれ、図8のH´−H″線で切
断したときの電気光学パネルの断面図および基板間導通
部分の平面図である。図10(A)、(B)はそれぞ
れ、図9に示すように基板同士を貼り合わす直前の様子
を示す電気光学パネルの断面図、および基板間導通部分
の平面図である。なお、本形態に係る電気光学パネルに
おいて、実施の形態1に係る電気光学パネルと共通する
部分には同一の符号を付して図示することにして、それ
らの説明を省略する。
[Embodiment 2] FIG. 8 is a plan view of an electro-optical panel according to this embodiment as viewed from a counter substrate side. 9A and 9B are a cross-sectional view of the electro-optical panel and a plan view of a conductive portion between the substrates, respectively, taken along the line H′-H ″ in FIG. B) is a cross-sectional view of the electro-optical panel and a plan view of a conductive portion between the substrates, respectively, showing a state immediately before bonding the substrates as shown in Fig. 9. In the electro-optical panel according to the present embodiment, Portions common to those of the electro-optical panel according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0066】実施の形態1では、シール材200の形成
領域の内周縁のみに沿ってセル厚制御用の突起21を形
成したが、本形態では、図8および図9(A)に示すよ
うに、TFTアレイ基板2の表面のうち、シール材20
0の形成領域の内周縁および外周縁の双方に沿って内周
側突起22および外周側突起23が形成されている。ま
た、本形態では、図9(B)に示すように、外周側突起
23には、基板間の導通を行う導通材56の形成領域の
周りを囲む円形部分24が形成されている。ここに示す
例では、導通材56の形成領域の周りを囲む円形部分2
4と外周側突起23とが一体になっているが、これらが
独立して形成される場合もある。
In the first embodiment, the projections 21 for controlling the cell thickness are formed only along the inner peripheral edge of the formation region of the sealing material 200. In the present embodiment, as shown in FIGS. 8 and 9A, Of the surface of the TFT array substrate 2, the sealing material 20
The inner peripheral projection 22 and the outer peripheral projection 23 are formed along both the inner peripheral edge and the outer peripheral edge of the 0 forming region. Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 9B, the outer peripheral side projection 23 is formed with a circular portion 24 surrounding a region where a conductive material 56 for conducting between the substrates is formed. In the example shown here, the circular portion 2 surrounding the region where the conductive material 56 is formed is shown.
4 and the outer peripheral side projection 23 are integrated, but they may be formed independently.

【0067】このような構成の電気光学パネル1の製造
方法を、図9および図10を参照して説明しながら、併
せて基板間に所定の隙間寸法を確保する方法を詳述す
る。
A method of manufacturing the electro-optical panel 1 having such a configuration will be described with reference to FIGS. 9 and 10, and a method of securing a predetermined gap between the substrates will be described in detail.

【0068】本形態の電気光学パネル1を製造するにあ
たって、まず、図10(A)に示すように、対向基板3
に用いた石英ガラス31の表面に遮光膜6、対向電極3
2、およびポリイミド樹脂49からなる配向膜を形成す
る。
In manufacturing the electro-optical panel 1 of the present embodiment, first, as shown in FIG.
The light shielding film 6 and the counter electrode 3 are formed on the surface of the quartz glass 31 used for
2, and an alignment film made of polyimide resin 49 is formed.

【0069】一方、TFTアレイ基板2に用いた石英ガ
ラス30の表面に、まず、TFT10および画素電極8
などを形成する。
On the other hand, on the surface of the quartz glass 30 used for the TFT array substrate 2, first, the TFT 10 and the pixel electrode 8
And so on.

【0070】次に、TFTアレイ基板2の表面全体に、
硬化後も弾性変形可能な種類の樹脂を塗布した後、それ
をフォトリソグラフイ技術を用いてパターニングし、画
像表示領域37の周りを囲むように内周側突起22、お
よび円形部分24を備える外周側突起23を形成する。
ここで、内周側突起22および外周側突起23は、基板
間の隙間寸法のねらい値が2μmであれば、内周側突起
22および外周側突起23を隙間寸法のねらい値(2μ
m)よりもやや厚めに形成する。また、図10(B)に
示すように、外周側突起23の角部分において、円形部
分24は、導通材56を介して基板同士を導通させるた
めの第1の電極47の周りを囲むように形成する。
Next, the entire surface of the TFT array substrate 2 is
After applying a resin of a type that can be elastically deformed even after curing, the resin is patterned using a photolithography technique, and an outer periphery including the inner peripheral side protrusion 22 and the circular portion 24 so as to surround the image display area 37. The side protrusion 23 is formed.
Here, if the target value of the clearance between the substrates is 2 μm, the inner protrusion 22 and the outer protrusion 23 are set to the target value of the clearance (2 μm).
m) is formed slightly thicker than m). In addition, as shown in FIG. 10B, in the corner portion of the outer peripheral side protrusion 23, the circular portion 24 surrounds the periphery of the first electrode 47 for conducting the substrates through the conducting material 56. Form.

【0071】次に、TFTアレイ基板2の表面に、ポリ
イミド樹脂46の形成、およびラビング処理を行なっ
て、ポリイミド樹脂46の層を配向膜とする。
Next, a polyimide resin 46 is formed on the surface of the TFT array substrate 2 and a rubbing process is performed, so that the layer of the polyimide resin 46 is used as an alignment film.

【0072】次に、TFTアレイ基板2の表面のうち、
内周側突起22および外周側突起23に挟まれた領域に
対して未硬化のシール材200をディスペンサから吐出
しながら塗布する。また、外周側突起23の円形部分2
4で囲まれた領域内には、基板間導通用の未硬化の導通
材56を打点式のディスペンサから吐出しながら塗布す
る。本形態でも、導通材56として、光硬化性あるいは
熱硬化性を有するエポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂
系の接着剤成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電
粒子が配合されたものを用いる。また、シール材200
として、光硬化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹
脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤を用い、このシー
ル材200にはギャップ材が配合されていない。
Next, of the surface of the TFT array substrate 2,
The uncured sealing material 200 is applied to a region sandwiched between the inner peripheral projection 22 and the outer peripheral projection 23 while being discharged from a dispenser. Also, the circular portion 2 of the outer peripheral side projection 23
An uncured conductive material 56 for inter-substrate conduction is applied to the region surrounded by 4 while being discharged from a dot type dispenser. Also in the present embodiment, the conductive material 56 is made of a light-curable or thermosetting epoxy resin-based or acrylic resin-based adhesive component mixed with conductive particles such as silver powder or gold-plated fiber. In addition, the sealing material 200
A photo-curable or thermo-curable epoxy resin-based or acrylic resin-based adhesive is used, and no gap material is compounded in the sealing material 200.

【0073】次に、TFTアレイ基板2に形成されてい
る基板間導通用の第1の電極47に対して対向基板3に
形成されている基板間導通用の第2の電極48が対向す
るように、対向基板3とTFTアレイ基板2とを位置合
わせした後、TFTアレイ基板2に向けて対向基板3を
押圧して、突起22、23、24の高さが2μmになる
位まで押し潰した状態のまま、対向基板3の側からシー
ル材200への紫外線照射、あるいは加熱処理により、
導通材56を硬化させるとともに、シール材200を硬
化させる。
Next, the second electrode 48 for inter-substrate conduction formed on the counter substrate 3 is opposed to the first electrode 47 for inter-substrate conduction formed on the TFT array substrate 2. After aligning the opposing substrate 3 with the TFT array substrate 2, the opposing substrate 3 was pressed toward the TFT array substrate 2 and crushed until the heights of the protrusions 22, 23, and 24 became 2 μm. In this state, by irradiating the sealing material 200 with ultraviolet rays from the counter substrate 3 side or by heating
The conductive material 56 is cured and the sealing material 200 is cured.

【0074】その結果、図8ないし図9に示すように、
対向基板3とTFTアレイ基板2とは所定の隙間を介し
て貼り合わされ、かつ、TFTアレイ基板2に形成され
ている基板間導通用の第1の電極47と、対向基板3に
形成されている基板間導通用の第2の電極48とが導通
材56を介して電気的に接続する。
As a result, as shown in FIGS. 8 and 9,
The opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 are bonded to each other with a predetermined gap therebetween, and are formed on the opposing substrate 3 and the first electrode 47 for inter-substrate conduction formed on the TFT array substrate 2. The second electrode 48 for inter-substrate conduction is electrically connected via a conductive material 56.

【0075】このように、本形態では、TFTアレイ基
板2に形成した内周側突起22および外周側突起23を
対向基板3に当接させることにより、基板間の隙間寸法
(セル厚)を制御するので、シール材に配合したギャッ
プ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法を
高い精度で制御できる。また、内周側突起22および外
周側突起23は、画像表示領域37を囲むように形成さ
れているので、画像表示領域37全域において、基板間
の隙間寸法にばらつきが発生しない。それ故、隙間寸法
の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域37全面
において均一な電気光学パネル1を実現できる。
As described above, in the present embodiment, the gap dimension (cell thickness) between the substrates is controlled by bringing the inner peripheral projections 22 and the outer peripheral projections 23 formed on the TFT array substrate 2 into contact with the counter substrate 3. Therefore, the gap size can be controlled with higher accuracy as compared with a configuration in which the gap size is controlled by the gap material mixed with the sealing material. Further, since the inner peripheral side projection 22 and the outer peripheral side projection 23 are formed so as to surround the image display area 37, the gap size between the substrates does not vary in the entire image display area 37. Therefore, it is possible to realize the electro-optical panel 1 in which the accuracy of the gap dimension is high and the gap dimension is uniform over the entire image display area 37.

【0076】また、未硬化のシール材200は、内周側
突起22および外周側突起23に挟まれた領域内に塗布
するので、塗布する際および加熱した際に余分な領域に
はみ出ることがない。さらに、未硬化の導通材56は、
外周側突起23の円形部分24の内側に塗布するので、
塗布する際および加熱した際余分な領域にはみ出ること
がない。それ故、シール材200および導通材56の接
着剤成分として、熱硬化性のものを用いることができ
る。ここで、熱硬化性のものをシール材200あるいは
導通材56として用いると、紫外線硬化性のものを用い
た場合と違って、紫外線照射によって配向膜を構成する
ポリイミド樹脂46、49が劣化するという事態を回避
できる。それ故、紫外線照射する際に所定領域を遮光す
るという手間のかかる工程が不要である。また、紫外線
硬化性のシール材200を用いた際にはシール材200
に紫外線が届くように、シール材200と重なる領域に
は各種の回路や配線などを形成できないという制約があ
るが、熱硬化性のシール材200であれば、それと重な
る領域を有効利用でき、そこに各種の回路や配線を配置
することができる。また、シール材200の形成領域を
画像表示領域37の周辺に形成された遮光膜55と少な
くとも部分的に重なる位置まで拡張することにより、そ
のシール性を高めることもできる。
Since the uncured sealing material 200 is applied to the region sandwiched between the inner peripheral side projections 22 and the outer peripheral side projections 23, the uncured sealing material 200 does not protrude into an extra region when applied and heated. . Further, the uncured conductive material 56 is
Since it is applied inside the circular portion 24 of the outer peripheral side projection 23,
When applying and heating, it does not protrude into an extra area. Therefore, a thermosetting adhesive can be used as the adhesive component of the sealing material 200 and the conductive material 56. Here, when a thermosetting material is used as the sealing material 200 or the conductive material 56, unlike the case where an ultraviolet curable material is used, the polyimide resins 46 and 49 constituting the alignment film are deteriorated by irradiation with ultraviolet light. Things can be avoided. Therefore, there is no need for a troublesome process of shielding a predetermined region from light when irradiating with ultraviolet rays. When the ultraviolet-curable sealing material 200 is used, the sealing material 200
There is a restriction that various circuits, wirings, and the like cannot be formed in a region overlapping with the sealing material 200 so that the ultraviolet rays reach the region. However, if the thermosetting sealing material 200 is used, the overlapping region can be effectively used. Various circuits and wirings can be arranged in the device. In addition, by extending the formation region of the sealing material 200 to a position at least partially overlapping with the light shielding film 55 formed around the image display region 37, the sealing property can be improved.

【0077】[実施の形態3]図11は、本形態に係る
電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。
図12および図13はそれぞれ、電気光学パネルの画素
の平面図および断面図である。また、図14は、図13
に示すように基板同士を貼り合わす直前の様子を示す画
素の断面図である。なお、本形態に係る電気光学パネル
において、実施の形態1に係る電気光学パネルと共通す
る部分には同一の符号を付して図示することにして、そ
れらの説明を省略する。
[Embodiment 3] FIG. 11 is a plan view of an electro-optical panel according to the present embodiment as viewed from a counter substrate side.
12 and 13 are a plan view and a cross-sectional view of a pixel of the electro-optical panel, respectively. Also, FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a pixel showing a state immediately before bonding substrates as shown in FIG. Note that, in the electro-optical panel according to the present embodiment, the same parts as those of the electro-optical panel according to the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0078】実施の形態1、2では、シール材200の
形成領域に沿ってセル厚制御用の突起21、22、23
を形成したが、本形態では、図11に示すように、シー
ル材200の形成領域に沿ってセル厚制御用の突起など
が形成されておらず、図19を参照して説明した従来の
電気光学パネルと略同一の平面形状を有している。
In the first and second embodiments, the projections 21, 22, 23 for controlling the cell thickness are formed along the formation region of the sealing material 200.
However, in the present embodiment, as shown in FIG. 11, no protrusion for controlling the cell thickness is formed along the formation region of the sealing material 200, and the conventional electric device described with reference to FIG. It has substantially the same planar shape as the optical panel.

【0079】その代わりに、本形態では、図12および
図13に示すように、液晶パネル1の画像表示領域37
内の点在する所定の位置に、円柱形状の多数の突起25
が形成され、これらの多数の突起25が、シール材20
0で貼り合わされたTFTアレイ基板2と対向基板3と
の間に介在することによって、基板間には所定の隙間が
確保されている。本形態では、突起25を形成する位置
として、画像表示領域37内に形成されているいずれの
画素においても、光の透過しない非開口領域に形成され
ている。すなわち、各画素において、図5を参照して説
明した画素のうち、画素スイッチング用のTFT10を
形成するためのシリコン膜10a(半導体膜/図5に斜
線を付した領域)の延設部分に相当するシリコン膜40
a(半導体膜/図5に斜線を付した領域)、および容量
線92を利用して蓄積容量40が形成されている領域に
突起25が形成されている。
Instead, in the present embodiment, as shown in FIG. 12 and FIG.
A large number of cylindrical projections 25 are provided at predetermined positions
Are formed, and the large number of projections 25
By interposing between the TFT array substrate 2 and the opposing substrate 3 bonded at 0, a predetermined gap is secured between the substrates. In this embodiment, as a position where the projection 25 is formed, any pixel formed in the image display area 37 is formed in a non-opening area through which light does not pass. In other words, each pixel corresponds to an extended portion of the silicon film 10a (semiconductor film / the area shaded in FIG. 5) for forming the pixel switching TFT 10 among the pixels described with reference to FIG. Silicon film 40
a (semiconductor film / region shaded in FIG. 5) and the region where the storage capacitor 40 is formed using the capacitance line 92, the projection 25 is formed.

【0080】このような構成の電気光学パネル1の製造
方法を、図11、図12、図13および図14を参照し
て説明しながら、併せて、基板間に所定の隙間寸法を確
保する方法を詳述する。
A method for manufacturing the electro-optical panel 1 having such a configuration will be described with reference to FIGS. 11, 12, 13 and 14, and a method for securing a predetermined gap between the substrates. Will be described in detail.

【0081】本形態の電気光学パネル1を製造するにあ
たって、まず、図14に示すように、対向基板3に用い
た石英ガラス31の表面に遮光膜6、対向電極32、お
よびポリイミド樹脂49からなる配向膜を形成する。
In manufacturing the electro-optical panel 1 of this embodiment, first, as shown in FIG. 14, a surface of a quartz glass 31 used for a counter substrate 3 is formed of a light shielding film 6, a counter electrode 32, and a polyimide resin 49. An alignment film is formed.

【0082】一方、TFTアレイ基板2に用いた石英ガ
ラス30の表面には、TFT10および画素電極8など
を形成する。
On the other hand, on the surface of the quartz glass 30 used for the TFT array substrate 2, the TFT 10, the pixel electrode 8, and the like are formed.

【0083】次に、TFTアレイ基板2の表面全体に硬
化後も弾性変形可能な種類の樹脂を塗布した後、図12
および図14に示すように、それをフォトリソグラフイ
技術を用いてバターニングし、TFTアレイ基板2の表
面のうち、蓄積容量40が形成されている比較的、平坦
な領域に円柱形状の突起25を形成する。ここで、突起
25は、基板間の隙間寸法のねらい値が2μmであれ
ば、突起25を隙間寸法のねらい値(2μm)よりもや
や厚めに形成する。
Next, after applying a kind of resin that can be elastically deformed even after curing over the entire surface of the TFT array substrate 2, FIG.
As shown in FIG. 14, it is patterned by photolithography to form a columnar projection 25 on a relatively flat area of the surface of the TFT array substrate 2 where the storage capacitor 40 is formed. To form Here, when the target value of the gap size between the substrates is 2 μm, the protrusion 25 is formed to be slightly thicker than the target value (2 μm) of the gap size.

【0084】次に、TFTアレイ基板2の表面に、ポリ
イミド樹脂46の形成、およびラビング処理によって、
ポリイミド樹脂46の層からなる配向膜を形成する。
Next, a polyimide resin 46 is formed on the surface of the TFT array substrate 2 and a rubbing process is performed.
An alignment film made of a layer of the polyimide resin 46 is formed.

【0085】次に、図11に示すように、TFTアレイ
基板2の表面のうち、対向基板3の外周縁に重なる領域
に未硬化のシール材200をディスペンサから吐出しな
がら塗布する。また、シール材200の塗布領域の外周
側には、基板間導通用の未硬化の導通材56を打点式の
ディスペンサから吐出しながら塗布する。本形態でも、
導通材56として、光硬化性あるいは熱硬化性を有する
エポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤成分に
銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子が配合された
ものを用いる。ここで、シール材200としては、光硬
化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹脂系あるいは
アクリル樹脂系の接着剤を用い、このシール材200に
はギャップ材が配合されているもの、ギャップ材が配合
されていないもののいずれを用いてもよい。ここで、ギ
ャップ材が配合されていないシール材200を用いれ
ば、シール材200の下層側に配線があっても、これら
の配線がギャップ材で押し潰されて断線するのを防ぐこ
とができる。
Next, as shown in FIG. 11, an uncured sealing material 200 is applied from a dispenser to a region of the surface of the TFT array substrate 2 which overlaps the outer peripheral edge of the counter substrate 3. On the outer peripheral side of the application region of the sealing material 200, an uncured conductive material 56 for inter-substrate conduction is applied while being discharged from a dot type dispenser. In this embodiment,
As the conductive material 56, a material obtained by mixing conductive particles such as silver powder and gold-plated fiber with an epoxy resin-based or acrylic resin-based adhesive component having photo-curing or thermosetting properties is used. Here, as the sealing material 200, an epoxy resin or acrylic resin adhesive having photo-curing or thermosetting properties is used, and the sealing material 200 includes a gap material. Any of those not performed may be used. Here, if the sealing material 200 containing no gap material is used, it is possible to prevent the wires from being crushed and broken by the gap material even if there are wires under the sealing material 200.

【0086】次に、TFTアレイ基板2に形成されてい
る基板間導通用の第1の電極47に対して対向基板3に
形成されている基板間導通用の第2の電極48が対向す
るように、対向基板3とTFTアレイ基板2とを位置合
わせした後、TFTアレイ基板2に向けて対向基板3を
押圧して、図13に示すように、突起25の高さが2μ
mになる位までかるく押し潰した状態のまま、対向基板
3の側からシール材200への紫外線照射、あるいは加
熱処理により、導通材56を硬化させるとともに、シー
ル材200を硬化させる。
Next, the second electrode 48 for inter-substrate conduction formed on the counter substrate 3 is opposed to the first electrode 47 for inter-substrate conduction formed on the TFT array substrate 2. Next, after the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 are aligned, the opposing substrate 3 is pressed toward the TFT array substrate 2 so that the height of the projection 25 is 2 μm as shown in FIG.
The conductive material 56 and the sealing material 200 are cured by irradiating the sealing material 200 with ultraviolet light or heating from the side of the counter substrate 3 while being slightly crushed to the order of m.

【0087】その結果、図11および図13に示すよう
に、対向基板3とTFTアレイ基板2とは所定の隙間を
介して貼り合わされ、かつ、TFTアレイ基板2に形成
されている基板間導通用の第1の電極47と、対向基板
3に形成されている基板間導通用の第2の電極48とが
導通材56を介して電気杓に接続する。
As a result, as shown in FIG. 11 and FIG. 13, the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 are bonded to each other with a predetermined gap therebetween, and the inter-substrate conduction formed on the TFT array substrate 2 is established. The first electrode 47 and the second electrode 48 formed on the counter substrate 3 for inter-substrate conduction are connected to an electric ladle via a conductive material 56.

【0088】このようにして対向基板3とTFTアレイ
基板2とを貼り合わせた後は、図11に示すように、シ
ール材200の内側領域を減圧状態にして電気光学物質
注入口241から液晶などの電気光学物質39を減圧注
入し、電気光学物質39を充填した後、電気光学物質注
入口241を封止剤242で塞ぐ。この際に、突起25
は円柱形状であるため、液晶などの電気光学物質39
は、突起25に邪魔されること無く、スムースに突起2
5を回り込むので、電気光学物質39は適正に充填され
る。従って、電気光学物質39の充填不良が発生しな
い。
After the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 have been bonded in this manner, as shown in FIG. After filling the electro-optical substance 39 with a reduced pressure and filling the electro-optical substance 39, the electro-optical substance injection port 241 is closed with a sealant 242. At this time, the projection 25
Is a columnar shape, so that the electro-optical material 39 such as a liquid crystal is used.
Is smooth without protrusions 25
5, the electro-optic material 39 is properly filled. Therefore, the filling failure of the electro-optical material 39 does not occur.

【0089】このように、本形態では、TFTアレイ基
板2に形成した突起25を対向基板3に当接させること
により、基板間の隙間寸法(セル厚)を制御するので、
シール材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構
成と比較して、隙間寸法を高い精度で制御できる。ま
た、突起25は、画像表示領域37内に点在する多数の
位置でTFTアレイ基板2と対向基板3との間に介在す
るので、画像表示領域37全域において、基板間の隙間
寸法にばらつきが発生しない。それ故、狭い隙間であっ
ても隙間寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示
領域37全面において均一な電気光学パネル1を実現で
きる。
As described above, in the present embodiment, the gap dimension (cell thickness) between the substrates is controlled by bringing the protrusions 25 formed on the TFT array substrate 2 into contact with the opposing substrate 3.
The gap size can be controlled with higher precision as compared to a configuration in which the gap size is controlled by the gap material mixed with the sealing material. In addition, since the projections 25 are interposed between the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3 at a number of positions scattered in the image display area 37, the gap size between the substrates varies in the entire image display area 37. Does not occur. Therefore, it is possible to realize the electro-optical panel 1 in which the accuracy of the gap dimension is high even in a narrow gap and the gap dimension is uniform over the entire image display area 37.

【0090】また、スペーサとして機能する突起25を
TFTアレイ基板2に作りこむので、画像表示領域37
に対してスペーサを散布した場合と違って、表示品位を
低下させるような位置を避けて、各画素において光の透
過しない非開口領域のみに突起25を選択的に形成でき
る。たとえば、本形態のように、蓄積容量40が形成さ
れた平坦な領域に突起25を選択的に形成できる。従っ
て、電気光学パネル1を投射型表示装置のライトバルブ
として用いても、突起25が像として拡大投射されるこ
とはない。
Further, since the projections 25 functioning as spacers are formed on the TFT array substrate 2, the image display area 37 is formed.
Unlike the case where the spacers are scattered, the projections 25 can be selectively formed only in the non-opening areas where light does not transmit in each pixel by avoiding positions where the display quality is deteriorated. For example, as in the present embodiment, the protrusion 25 can be selectively formed in a flat region where the storage capacitor 40 is formed. Therefore, even when the electro-optical panel 1 is used as a light valve of a projection display device, the projection 25 is not enlarged and projected as an image.

【0091】また、突起25は、各画素における同一個
所(蓄積容量40の形成領域)、すなわち各画素におけ
る同一座標上に形成されているので、突起25は、いず
れも各画素において同じ高さの位置に形成されている。
それ故、突起25の高さの位置が各画素間で同一である
ので、基板間の隙間寸法をより確実に一定にすることが
できる。よって、段差の大きなTFTアレイ基板2を用
いた場合であっても、TFTアレイ基板2と対向基板3
との間に一定の隙間を確保できる。
Further, since the projections 25 are formed at the same location (the formation region of the storage capacitor 40) in each pixel, that is, on the same coordinates in each pixel, the projections 25 have the same height in each pixel. Formed at the location.
Therefore, since the position of the height of the projection 25 is the same for each pixel, the gap size between the substrates can be more reliably made constant. Therefore, even when the TFT array substrate 2 having a large step is used, the TFT array substrate 2 and the opposing substrate 3
And a certain gap can be secured between them.

【0092】[実施の形態3の改良例]図15は、実施
の形態3の改良例に係る電気光学パネルにおける突起の
分布を示す説明図、図16は、実施の形態3の別の改良
例に係る電気光学パネルにおける突起の分布を示す説明
図である。
[Improvement of Third Embodiment] FIG. 15 is an explanatory view showing the distribution of protrusions in an electro-optical panel according to an improvement of the third embodiment, and FIG. 16 is another improvement of the third embodiment. FIG. 4 is an explanatory diagram showing a distribution of protrusions in the electro-optical panel according to the first embodiment.

【0093】実施の形態3に係る電気光学パネル1で
は、画像表示領域37において円柱形状の突起25を等
しい密度で形成する例であったが、ここに説明する例で
は、画像表示領域37のうち、ある特定の領域では突起
25を高密度に形成し、他の領域では突起25を低密度
にしか形成しない。
In the electro-optical panel 1 according to the third embodiment, the columnar projections 25 are formed at the same density in the image display area 37, but in the example described here, The protrusions 25 are formed at a high density in a specific region, and the protrusions 25 are formed only at a low density in other regions.

【0094】すなわち、図15に示す例では、電気光学
パネル1の画像表示領域37においてマトリクス状に並
ぶ多数の画素のうち、周囲領域は突起25(図15にお
いて黒丸を付してある。)の高密度形成領域として、全
ての画素に突起25が形成されているのに対して、中心
領域は突起25の低密度形成領域として一部の画素にの
み突起25が形成されている。
That is, in the example shown in FIG. 15, among the many pixels arranged in a matrix in the image display area 37 of the electro-optical panel 1, the surrounding area is formed by the projection 25 (indicated by a black circle in FIG. 15). The projections 25 are formed in all the pixels as high-density formation regions, whereas the projections 25 are formed only in some of the pixels in the central region as low-density formation regions of the projections 25.

【0095】このように構成すると、基板同士を貼り合
わせた直後は、画像表示領域37の中心領域で基板間の
隙間が狭くなる。すなわち、液晶などの電気光学物質を
基板間に注入するタイミングによっては電気光学パネル
1の中心が膨らむことがあるが、このような膨らみの発
生を見越して基板同士を貼り合わせることができる。す
なわち、画像表示領域37内に電気光学物資39減圧注
入したとき、多少、中心領域が膨らんで隙間寸法が大き
くなっても、このような拡大分は、電気光学物質39を
注入する前の隙間寸法の差で吸収、緩和される。それ
故、基板間の隙間寸法を画像表示領域37全面において
均一化することができる。
With such a configuration, immediately after the substrates are bonded to each other, the gap between the substrates is reduced in the central region of the image display area 37. That is, the center of the electro-optical panel 1 may swell depending on the timing of injecting an electro-optical material such as liquid crystal between the substrates, but the substrates can be bonded together in anticipation of such swelling. In other words, when the electro-optical material 39 is injected into the image display area 37 under reduced pressure, even if the central area slightly expands and the gap size becomes large, such an enlarged amount is equal to the gap size before the electro-optical substance 39 is injected. Absorbed and mitigated by the difference Therefore, the size of the gap between the substrates can be made uniform over the entire image display area 37.

【0096】また、突起25の形成密度を変える形態と
しては、図16に示すように、対向基板3とTFTアレ
イ基板2とを貼り合わせる際にTFTアレイ基板2に向
けて対向基板3を押圧する装置において、押圧力が場所
によってばらつく傾向にある場合には、このようなばら
つきを相殺するような分布をもって突起25を形成す
る。たとえば、図16に向かって左側においてTFTア
レイ基板2への押圧力が大で、右側においてTFTアレ
イ基板2への押圧力が小であれば、画像表示領域37の
うち、図16に向かって左側領域については、突起25
の高密度形成領域として突起25を形成する画素数を増
やし、例えば全ての画素に突起25を形成し、一方、図
16に向かって右側領域については、突起25の低密度
形成領域として一部の画素のみに突起25を形成する。
As a form for changing the formation density of the projections 25, as shown in FIG. 16, when the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 are bonded to each other, the opposing substrate 3 is pressed toward the TFT array substrate 2. In the device, when the pressing force tends to vary from place to place, the projections 25 are formed with a distribution that cancels such variations. For example, if the pressing force on the TFT array substrate 2 is large on the left side as viewed in FIG. 16 and the pressing force on the TFT array substrate 2 is small on the right side, the left side of the image display area 37 in FIG. For the region, the protrusion 25
The number of pixels forming the protrusions 25 as the high-density formation region is increased, for example, the protrusions 25 are formed in all the pixels. On the other hand, in the right region as viewed in FIG. The protrusion 25 is formed only on the pixel.

【0097】このように構成すると、押圧力が場所によ
って相違しても、それに応じて、対向基板3とTFTア
レイ基板2との間に介在する突起25の密度を設定する
ので、結果としては、画像表示領域37の全面において
基板間の隙間を均一にすることができる。
With this configuration, even if the pressing force differs depending on the location, the density of the protrusions 25 interposed between the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 is set accordingly. The gap between the substrates can be made uniform over the entire surface of the image display area 37.

【0098】[その他の実施の形態]実施形態1の変形
例1を図17(A)に示す。実施形態1の形態において
は、TFTアレイ基板2の方のシール材形成領域の周辺
に突起21を形成し、かつ、シール材200もTFTア
レイ基板2の方に形成する例を示したが、図17(A)
の変形例では、対向基板3の側の所定位置に突起21を
形成する一方、シール材200をTFTアレイ基板2の
方に形成し、レかる後に、Tf−Tアレイ基板2と対向
基板3とを貼り合わせている。この場合に、突起21の
形成位置とシール材200の塗布位置とは、前記の実施
の形態1のようにずらしてもよいが、図17(A)に示
す例のように、突起21と重なる位置にシール材200
を塗布してもよく、この場合には、図17(B)に示す
ように、突起21とTFTアレイ基板2との間にシール
材200が介在することになり、突起21とTFTアレ
イ基板2とが接着固定される構成となる。その他の構成
は、前記した実施の形態1と同様であるので、対応する
部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
なお、このような構成は、実施の形態2及び3において
も採用することができるが、その説明は省略する。
[Other Embodiments] FIG. 17A shows a first modification of the first embodiment. In the embodiment of the first embodiment, an example is shown in which the protrusions 21 are formed around the sealing material forming region on the TFT array substrate 2 and the sealing material 200 is also formed on the TFT array substrate 2. 17 (A)
In the modified example, while the protrusion 21 is formed at a predetermined position on the counter substrate 3 side, the sealing material 200 is formed on the TFT array substrate 2, and after sealing, the Tf-T array substrate 2 and the counter substrate 3 are connected to each other. Are pasted together. In this case, the position where the protrusion 21 is formed and the position where the sealant 200 is applied may be shifted as in Embodiment 1, but overlap with the protrusion 21 as in the example shown in FIG. Sealing material 200 in position
In this case, as shown in FIG. 17B, a sealing material 200 is interposed between the projection 21 and the TFT array substrate 2, and the projection 21 and the TFT array substrate 2 Are bonded and fixed. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
Note that such a configuration can be adopted in the second and third embodiments, but the description thereof is omitted.

【0099】[実施の形態4]実施形態4を図21に示
す。実施形態4の形態においては、TFTアレイ基板2
の方のシール材形成領域の周辺であって且つその内側に
突起21を形成し、且つシール材200もTFTアレイ
基板2の方に形成する例を示したが、図21の実施の形
態4では、表示領域の回りの遮光膜55に対向するよう
に対向基板3の側に、あるいはTFTアレイ基板2の側
に形成し、しかる後に、TFTアレイ基板2と対向基板
3とを貼り合わせている。尚、この遮光膜55は、画素
がマトリクス状に形成された表示領域とその周辺の非表
示領域とを仕切るために形成された膜である。この場合
に、突起21の形成位置と遮光膜55の塗布位置とはず
れてもよいが、遮光膜55の幅以内におさまるように突
起21を形成すれば遮光膜55の段差に影響されずに突
起21により基板間のギャップを制御することができ
る。しかも平面的にみて突起21が遮光膜55に重なる
とともに遮光膜55により隠れるため突起21の表示へ
の影響を防ぐことができる。また、この突起21は、遮
光膜55に沿って同様に非表示領域を囲むように形成し
てもよいし、あるいは遮光膜55に沿って点在させても
よい。このように、突起21とTFTアレイ基板2との
間にシール材200が介在することになり、突起21と
TFTアレイ基板2とが接着固定される構成となる。ま
た、突起21をTFTアレイ基板側の遮光膜55の4角
に対向するように設けてTFTアレイ基板と対向基板と
を貼り合わせることもできる。その場合、TFTアレイ
基板側に設けられた突起21が対向基板との貼り合わせ
のアライメントマークとして機能させることができる。
その他の構成は、前記した実施の形態1と同様であるの
で、対応する部分には同一の符号を付してそれらの説明
を省略する。
Fourth Embodiment FIG. 21 shows a fourth embodiment. In the embodiment of the fourth embodiment, the TFT array substrate 2
21 shows an example in which the projections 21 are formed around and inside the sealing material forming region on the side and the sealing material 200 is also formed on the TFT array substrate 2. However, in the fourth embodiment of FIG. The TFT array substrate 2 and the counter substrate 3 are attached to each other on the side of the counter substrate 3 or the TFT array substrate 2 so as to face the light shielding film 55 around the display area. The light-shielding film 55 is a film formed for separating a display region in which pixels are formed in a matrix form from a non-display region around the display region. In this case, the formation position of the projection 21 may be shifted from the application position of the light-shielding film 55. However, if the projection 21 is formed so as to be within the width of the light-shielding film 55, the projection 21 is not affected by the step of the light-shielding film 55. 21 allows the gap between the substrates to be controlled. In addition, since the projection 21 overlaps with the light shielding film 55 and is hidden by the light shielding film 55 in a plan view, it is possible to prevent the projection 21 from affecting the display. In addition, the protrusions 21 may be formed so as to surround the non-display region along the light shielding film 55, or may be scattered along the light shielding film 55. As described above, the sealing material 200 is interposed between the protrusion 21 and the TFT array substrate 2, and the protrusion 21 and the TFT array substrate 2 are bonded and fixed. Alternatively, the protrusions 21 may be provided so as to face four corners of the light-shielding film 55 on the TFT array substrate side, and the TFT array substrate and the counter substrate may be bonded to each other. In that case, the protrusion 21 provided on the TFT array substrate side can function as an alignment mark for bonding to the counter substrate.
Other configurations are the same as those of the first embodiment, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0100】[電気光学パネルの電子機器への適用]次
に、電気光学パネル1を備えた電子機器の一例として、
投射型表示装置を説明する。図18は、本発明を適用し
た電気光学パネル1の使用例を示す投射型表示装置(電
気光学装置)の全体構成図である。
[Application of Electro-Optical Panel to Electronic Apparatus] Next, as an example of an electronic apparatus including the electro-optical panel 1,
The projection display device will be described. FIG. 18 is an overall configuration diagram of a projection display (electro-optical device) showing an example of use of the electro-optical panel 1 to which the present invention is applied.

【0101】図18において、投射型表示装置1100
は、電気光学パネル1を各々RGB用のライトバルプ1
00R、100G及び100Bとして用いたプロジェク
タである。この液晶プロジェクタ1100では、メタル
ハライドランプ等の白色光源のランプユニット1102
から投射光が発せられると、3枚のミラー1106及び
2枚のダイクロイックミラー1108によって、RGB
の3原色に対応する光成分R、G、Bに分けられ、各色
に対応するライトバルブ100R、100G及び100
Bに各々導かれる。この際特にB光は、長い光路による
光損失を防ぐために、入射レンズ1122、リレーレン
ズ1123及び出射レンズ1124からなるリレーレン
ズ系1121を介して導かれる。そして、ライトバルブ
100R、100G及び100Bにより各々変調された
3原色に対応する光成分は、ダイクロイツクプリズム1
112により再度合成された後、投射レンズ1114を
介してスクリーン1120にカラー画像として投射され
る。
In FIG. 18, a projection type display device 1100
Is a light bulb 1 for RGB for each electro-optical panel 1.
This is a projector used as 00R, 100G, and 100B. In this liquid crystal projector 1100, a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp is used.
When the projection light is emitted from the RGB, the three mirrors 1106 and the two dichroic mirrors 1108 cause RGB to be emitted.
Light components R, G, and B corresponding to the three primary colors, and light valves 100R, 100G, and 100 corresponding to each color.
B. At this time, in particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an entrance lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path. The light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B are combined with the dichroic prism 1
After being recombined by 112, the image is projected as a color image on a screen 1120 via a projection lens 1114.

【0102】[0102]

【発明の効果】以上のとおり、本発明では、一方の基板
に形成された突起を他方の基板に当接させることによ
り、基板間の隙間寸法(セル厚)を制御するので、シー
ル材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構成と
比較して、隙間寸法を高い精度で制御できる。また、突
起は、画像表示領域を囲むように、あるいは画面投射領
域を画像表示領域全域において、基板間の隙間寸法にば
らつきが発生しない。それ故、狭い隙間であっても隙間
寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域全面
において均一な電気光学パネルを実現する。また、シー
ル材にギャップ材を入れなくてよいので、シール材の下
層側に配線があっても、これらの配線がギャップ材で押
し潰されて断線してしまうということがない。
As described above, according to the present invention, the protrusions formed on one substrate are brought into contact with the other substrate to control the gap size (cell thickness) between the substrates. The gap size can be controlled with higher accuracy as compared with a configuration in which the gap size is controlled with the gap material set. In addition, the protrusions do not cause a variation in the gap size between the substrates so as to surround the image display area or the screen projection area in the entire image display area. Therefore, it is possible to realize an electro-optical panel in which the accuracy of the gap dimension is high even in a narrow gap and the gap dimension is uniform over the entire image display area. Further, since it is not necessary to put a gap material in the seal material, even if there are wires under the seal material, these wires are not crushed by the gap material and disconnected.

【0103】[0103]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1に係る電気光学パネルを
対向基板の側からみた平面図である。
FIG. 1 is a plan view of an electro-optical panel according to Embodiment 1 of the present invention when viewed from a counter substrate side.

【図2】図1のH−H′線で切断したときの電気光学パ
ネルの断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the electro-optical panel taken along the line HH ′ in FIG.

【図3】図1のH′−H″線で切断したときのTFTア
レイ基板、対向基板およびこれらの基板の貼り合わせ構
造を示すパネル端部の断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a panel end showing a TFT array substrate, a counter substrate, and a bonding structure of these substrates when cut along a line H′-H ″ in FIG. 1;

【図4】図1に示す電気光学パネルの構成を模式的に示
すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram schematically showing a configuration of the electro-optical panel shown in FIG.

【図5】図1に示す電気光学パネルの画素の一部の平面
図である。
FIG. 5 is a plan view of a part of a pixel of the electro-optical panel shown in FIG.

【図6】図5のA−A′線に相当する位置で切断したと
きの電気光学パネルの断面図である。
6 is a cross-sectional view of the electro-optical panel when cut at a position corresponding to line AA ′ in FIG.

【図7】図3に示すように基板同士を貼り合わせる直前
の様子を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state immediately before bonding the substrates as shown in FIG. 3;

【図8】本発明の実施の形態2に係る電気光学パネルを
対向基板の側からみた平面図である。
FIG. 8 is a plan view of the electro-optical panel according to Embodiment 2 of the present invention as viewed from a counter substrate side.

【図9】(A)、(B)はそれぞれ、電気光学パネルの
断面図、および基板聞導通部分の平面図である。
FIGS. 9A and 9B are a cross-sectional view of the electro-optical panel and a plan view of a substrate conducting portion, respectively.

【図10】(A)、(B)はそれぞれ、図9(A)に示
すように基板同士を貼りつける前の状態を示す電気光学
パネル端部の断面図、および基板間導通部分の平面図で
ある。
FIGS. 10A and 10B are cross-sectional views of an end portion of an electro-optical panel and a plan view of a conductive portion between substrates, respectively, showing a state before the substrates are attached to each other as shown in FIG. 9A. It is.

【図11】本発明の実施の形態3に係る電気光学パネル
を対向基板の側からみた平面図である。
FIG. 11 is a plan view of the electro-optical panel according to Embodiment 3 of the present invention as viewed from a counter substrate side.

【図12】図11に示す電気光学パネルの画素の一部を
抜き出して示す平面図である。
FIG. 12 is a plan view showing a part of a pixel of the electro-optical panel shown in FIG. 11;

【図13】図12のA−A′線に相当する位置で切断し
たときの電気光学パネルの断面図である。
13 is a cross-sectional view of the electro-optical panel when cut at a position corresponding to the line AA 'in FIG.

【図14】図13に示すように基板同士を貼り合わせる
前の様子を示す断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a state before the substrates are bonded to each other as shown in FIG.

【図15】本発明の実施の形態3の改良例に係る電気光
学パネルにおける突起の分布を示す説明図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing a distribution of protrusions in an electro-optical panel according to an improved example of Embodiment 3 of the present invention.

【図16】本発明の実施の形態3の別の改良例に係る電
気光学パネルにおける突起の分布を示す説明図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram showing a distribution of protrusions in an electro-optical panel according to another improved example of Embodiment 3 of the present invention.

【図17】(A),(B)はそれぞれ、本発明の実施形
態1の変形例に係る電気光学パネルにおいて突起および
シール材をそれぞれ異なる基板に形成あるいは塗布した
状態を示す説明図、およびこれらの基板同士を貼り合わ
せた状態を示す説明図である。
FIGS. 17A and 17B are explanatory views showing a state in which projections and seal materials are formed or applied to different substrates in an electro-optical panel according to a modification of the first embodiment of the present invention, respectively. FIG. 5 is an explanatory view showing a state where the substrates are bonded together.

【図18】本発明を適用した電気光学パネルの使用例を
示す投射型表示装置(プロジェクタ)の全体構成図であ
る。
FIG. 18 is an overall configuration diagram of a projection display device (projector) showing an example of use of an electro-optical panel to which the present invention is applied.

【図19】従来の電気光学パネルを対向基板の側からみ
た平面図である。
FIG. 19 is a plan view of a conventional electro-optical panel viewed from a counter substrate side.

【図20】図19のH′−H″線で切断したときの電気
光学パネルの断面図および基板間導通部分の平面図であ
る。
20 is a cross-sectional view of the electro-optical panel taken along the line H′-H ″ in FIG. 19 and a plan view of a conductive portion between the substrates.

【図21】本発明の実施形態4に係る電気光学パネルに
おいて突起を形成して基板同士を貼り合わせた状態を示
す説明図である。
FIG. 21 is an explanatory diagram showing a state in which projections are formed and substrates are bonded to each other in the electro-optical panel according to Embodiment 4 of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1電気光学パネル 2TFTアレイ基板 3対向基板 8画素電極 10画素スイッチング用のTFT 21、22、23、25基板間の隙間寸法制御用の突起 30、31石英ガラス 32対向電極 37画像表示領域 39電気光学物質 47基板間導通用の第1の電極 48基板間導通用の第2の電極 90データ線 91走査線 200シール材 241電気光学物質注入口 242封止剤 Reference Signs List 1 electro-optical panel 2 TFT array substrate 3 counter substrate 8 pixel electrode 10 pixel switching TFT 21, 22, 23, 25 protrusion for controlling gap size between substrates 30, 31 quartz glass 32 counter electrode 37 image display area 39 electro-optic Substance 47 First electrode for substrate-to-substrate conduction 48 Second electrode for substrate-to-substrate conduction 90 Data line 91 Scanning line 200 Sealant 241 Electro-optical material inlet 242 Sealant

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03B 21/00 G09F 9/00 338 G09F 9/00 338 360K 360 9/30 320 9/30 320 338 338 G02F 1/136 500 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03B 21/00 G09F 9/00 338 G09F 9/00 338 360K 360 9/30 320 9/30 320 338 338 G02F 1/136 500

Claims (28)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の基板間に電気光学物質が挟持され
てなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固定
されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画素
からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおい
て、 前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に
向けて突出して該他方の基板に当接する突起を有し、該
突起は、前記画素領域を囲む領域に形成されていること
を特徴とする電気光学パネル。
An electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates, the pair of substrates are bonded and fixed to each other with a sealing material, and an image display including a plurality of pixels is formed in a region where the sealing material is formed. In the electro-optical panel having a region, one of the pair of substrates has a protrusion that projects toward the other substrate and contacts the other substrate, and the protrusion surrounds the pixel region. An electro-optical panel formed in a region.
【請求項2】 請求項1において、前記突起は、前記シ
ール材の形成領域の内周縁および外周縁のうちの一方の
縁に沿って形成されていることを特徴とする電気光学パ
ネル。
2. The electro-optical panel according to claim 1, wherein the projection is formed along one of an inner peripheral edge and an outer peripheral edge of the sealing material forming region.
【請求項3】 請求項1において、前記突起は、前記シ
ール材の形成領域の内周縁に沿って形成された第1突起
および外周縁の双方に沿って形成された第2突起を有
し、前記シール材は、前記第1突起と前記第2突起とに
挟まれた領域内に形成されていることを特徴とする電気
光学パネル。
3. The projection according to claim 1, wherein the projection has a first projection formed along an inner peripheral edge of the formation region of the sealing material and a second projection formed along both an outer peripheral edge of the sealing material forming area. The electro-optical panel according to claim 1, wherein the sealing material is formed in a region sandwiched between the first protrusion and the second protrusion.
【請求項4】 一対の基板間に電気光学物質が挟持され
てなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固定
されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画素
からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおい
て、 前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に
向けて突出して該他方の基板に当接する突起を有し、該
突起は、前記一対の基板の夫々に形成された導電層間を
電気的に接続する導通材の形成領域の周りに形成されて
いることを特徴とする電気光学パネル。
4. An image display comprising a plurality of pixels in which an electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates, and the pair of substrates are bonded and fixed to each other with a sealing material. In the electro-optical panel having a region, one of the pair of substrates has a projection that projects toward the other substrate and abuts on the other substrate, and the projection is formed of the pair of substrates. An electro-optical panel formed around a formation region of a conductive material for electrically connecting conductive layers formed respectively.
【請求項5】 請求項4において、前記突起は、前記導
通材の形成領域の周りを囲むように形成されていること
を特徴とする電気光学パネル。
5. The electro-optical panel according to claim 4, wherein the protrusion is formed so as to surround a region where the conductive material is formed.
【請求項6】 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に
おいて、前記突起は、弾性変形可能な材料から構成さ
れ、前記一対の基板間で押し潰された状態にあることを
特徴とする電気光学パネル。
6. The method according to claim 1, wherein the protrusion is made of an elastically deformable material and is in a state of being crushed between the pair of substrates. Electro-optical panel.
【請求項7】 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に
おいて、前記シール材は前記画像表示領域の周辺に形成
された遮光膜と少なくとも一部で重なるように形成され
ていることを特徴とする電気光学パネル。
7. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the sealing material is formed so as to at least partially overlap a light shielding film formed around the image display area. Electro-optical panel.
【請求項8】 請求項1乃至請求項8のいずれか一項に
おいて、前記一対の基板は、画素電極および画素スイッ
チング用の薄膜トランジスタがマトリクス状に形成され
たトランジスタアレイ基板と、対向電極が形成された対
向基板とから構成されていることを特徴とする電気光学
パネル。
8. The pair of substrates according to claim 1, wherein the pair of substrates includes a transistor array substrate on which pixel electrodes and pixel switching thin film transistors are formed in a matrix, and a counter electrode. An electro-optical panel, comprising: a counter substrate;
【請求項9】 請求項8に記載の電気光学パネルを用い
た拡大投射型表示装置であって、光源と、該光源から出
射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、
当該電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大
投射光学系とを有することを特徴とする投射型表示装
置。
9. An enlarged projection display device using the electro-optical panel according to claim 8, comprising: a light source; and a condensing optical system that guides light emitted from the light source to the electro-optical panel.
And a magnifying projection optical system for magnifying and projecting light modulated by the electro-optical panel.
【請求項10】 請求項1乃至請求項9のいずれか一項
に記載の電気光学パネルの製造方法において、前記一対
の基板のうちの一方の基板に前記突起を形成した後、前
記シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を押圧
しながら前記シ−ル材を硬化させることを特徴とする電
気光学パネルの製造方法。
10. The method of manufacturing an electro-optical panel according to claim 1, wherein the protrusion is formed on one of the pair of substrates, and then the sealing material is removed. A method for manufacturing an electro-optical panel, comprising applying and then curing the seal material while pressing the pair of substrates.
【請求項11】 請求項3に記載の電気光学パネルの製
造方法において、前記シール材を形成する予定の領域の
内周縁に沿った第1突起と外周縁に沿った第2突起を形
成した後、前記第1突起と前記第2突起とに挟まれた領
域内に前記シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基
板を押圧しながら前記シール材を硬化させることを特徴
とする電気光学パネルの製造方法。
11. The method for manufacturing an electro-optical panel according to claim 3, wherein after forming a first protrusion along an inner peripheral edge and a second protrusion along an outer peripheral edge of a region where the sealing material is to be formed. An electro-optical panel, wherein the sealing material is applied to a region sandwiched between the first projection and the second projection, and then the sealing material is cured while pressing the pair of substrates. Production method.
【請求項12】 請求項4に記載の電気光学パネルの製
造方法において、前記導通材を形成する予定の領域の周
りを囲むように前記突起を形成した後、該突起によって
囲まれた領域内に前記導通材を塗布するとともに、前記
シール材を前記画像表示領域の周りを囲むように塗布
し、しかる後に前記一対の基板を押圧しながら前記シー
ル材および前記導通材を同時あるいは別々に硬化させる
ことを特徴とする電気光学パネルの製造方法。
12. The method of manufacturing an electro-optical panel according to claim 4, wherein the projection is formed so as to surround a region where the conductive material is to be formed, and then the region is surrounded by the projection. Applying the conductive material, applying the sealant so as to surround the image display area, and then simultaneously or separately curing the sealant and the conductive material while pressing the pair of substrates. A method for manufacturing an electro-optical panel, comprising:
【請求項13】 請求項11に記載の電気光学パネルの
製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の基板
に前記突起を弾性変形可能な材料により形成した後、当
該一方の基板にシール材を塗布し、しかる後に前記一対
の基板を押圧しながら前記シール材を硬化させることを
特徴とする電気光学パネルの製造方法。
13. The method for manufacturing an electro-optical panel according to claim 11, wherein the protrusion is formed on one of the pair of substrates by using an elastically deformable material, and then the other is formed on the one of the substrates. A method of manufacturing an electro-optical panel, comprising applying a sealing material, and thereafter curing the sealing material while pressing the pair of substrates.
【請求項14】 請求項1乃至請求項12のいずれか一
項において、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記
突起を弾性変形可能な材料により形成する一方、他方の
基板にシール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を
押圧しながら、前記シール材を硬化させることを特徴と
する電気光学パネルの製造方法。
14. The method according to claim 1, wherein the protrusion is formed of an elastically deformable material on one of the pair of substrates, and a sealant is formed on the other substrate. A method for manufacturing an electro-optical panel, comprising applying and then curing the sealing material while pressing the pair of substrates.
【請求項15】 一対の基板間に電気光学物質が挟持さ
れてなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固
定されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画
素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおい
て、 前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に
向けて突出して該他方の基板に当接する突起が形成さ
れ、該突起は、前記画像表示領域内の所定位置に点在さ
れていることを特徴とする電気光学パネル。
15. An image display comprising a plurality of pixels, wherein an electro-optical substance is sandwiched between a pair of substrates, and the pair of substrates are bonded and fixed to each other with a sealant. In the electro-optical panel having a region, one of the pair of substrates is formed with a protrusion protruding toward the other substrate and abutting on the other substrate, and the protrusion is formed in the image display region. An electro-optical panel, which is scattered at a predetermined position.
【請求項16】 請求項15において、前記突起は、前
記各画素において光が透過しない非開口領域に形成され
ていることを特徴とする電気光学パネル。
16. The electro-optical panel according to claim 15, wherein the projection is formed in a non-opening area through which light does not pass in each of the pixels.
【請求項17】 請求項15において、前記突起は、各
画素内における同一座標上に形成されていることを特徴
とする電気光学パネル。
17. The electro-optical panel according to claim 15, wherein the protrusions are formed on the same coordinates in each pixel.
【請求項18】 請求項15乃至請求項17のいずれか
一項において、前記突起は、円柱形状を有していること
を特徴とする電気光学パネル。
18. The electro-optical panel according to claim 15, wherein the projection has a cylindrical shape.
【請求項19】 請求項15乃至請求項18のいずれか
一項において、前記突起は、前記画像表示領域内におけ
る周囲領域では中心領域に比較して高密度に形成されて
いることを特徴とする電気光学パネル。
19. The image display device according to claim 15, wherein the protrusions are formed at a higher density in a peripheral region in the image display region than in a central region. Electro-optical panel.
【請求項20】 請求項15乃至請求項18のいずれか
一項において、前記突起は、前記画像表示領域内におけ
る一方側領域では他方側領域に比較して高密度に形成さ
れていることを特徴とする電気光学パネル。
20. The image display device according to claim 15, wherein the projections are formed at a higher density in one side area in the image display area than in the other side area. Electro-optical panel.
【請求項21】 請求項15乃至請求項20のいずれか
一項において、前記突起は、弾性変形可能な材料から構
成され、前記一対の基板間で押し潰された状態にあるこ
とを特徴とする電気光学パネル。
21. The method according to claim 15, wherein the projection is made of an elastically deformable material and is in a state of being crushed between the pair of substrates. Electro-optical panel.
【請求項22】 請求項15乃至請求項21のいずれか
一項において、前記一対の基板は、画素電極および画素
スイッチング用の薄膜トランジスタがマトリクス状に形
成されたトランジスタアレイ基板と、対向電極が形成さ
れた対向基板とから構成されていることを特徴とする電
気光学パネル。
22. The pair of substrates according to claim 15, wherein the pair of substrates includes a transistor array substrate in which pixel electrodes and pixel switching thin film transistors are formed in a matrix, and a counter electrode. An electro-optical panel, comprising: a counter substrate;
【請求項23】 請求項22に記載の電気光学パネルを
用いた拡大投射型表示装置であって、光源と、該光源か
ら出射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系
と、当該電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する
拡大投射光学系とを有することを特徴とする投射型表示
装置。
23. An enlarged projection display device using the electro-optical panel according to claim 22, comprising: a light source; and a condensing optical system that guides light emitted from the light source to the electro-optical panel. A projection display apparatus comprising: an expansion projection optical system that expands and projects light modulated by an electro-optical panel.
【請求項24】 請求項15乃至請求項23のいずれか
一項に記載の電気光学パネルの製造方法において、前記
一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を形成した
後、前記シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板
を押圧しながら前記シール材を硬化させることを特徴と
する電気光学パネルの製造方法。
24. The method of manufacturing an electro-optical panel according to claim 15, wherein after forming the protrusion on one of the pair of substrates, the sealing material is removed. A method for manufacturing an electro-optical panel, comprising applying and then curing the sealing material while pressing the pair of substrates.
【請求項25】 請求項24に記載の電気光学パネルの
製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の基板
に前記突起を弾性変形可能な材料により形成した後、当
該一方の基板にシール材を塗布し、しかる後に前記一対
の基板を押圧しながら前記シール材を硬化させることを
特徴とする電気光学パネルの製造方法。
25. The method of manufacturing an electro-optical panel according to claim 24, wherein the protrusion is formed on one of the pair of substrates by using an elastically deformable material, and then the other is formed on the one of the pair of substrates. A method of manufacturing an electro-optical panel, comprising applying a sealing material, and thereafter curing the sealing material while pressing the pair of substrates.
【請求項26】 請求項15乃至請求項22のいずれか
一項に記載の電気光学パネルの製造方法において、前記
一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を弾性変形可
能な材料により形成する一方、他方の基板にシール材を
塗布し、しかる後に前記一対の基板を押圧しながら、前
記シール材を硬化させることを特徴とする電気光学パネ
ルの製造方法。
26. The method of manufacturing an electro-optical panel according to claim 15, wherein the protrusion is formed on one of the pair of substrates by using an elastically deformable material. On the other hand, a method of manufacturing an electro-optical panel, wherein a sealing material is applied to the other substrate, and then the sealing material is cured while pressing the pair of substrates.
【請求項27】 一対の基板間に電気光学物質が挟持さ
れてなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固
定されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画
素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおい
て、 前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に
向けて突出して該他方の基板に当接する突起を有し、該
突起は、前記画素領域を囲む領域に形成された遮光膜に
対向するように配置されていることを特徴とする電気光
学パネル。
27. An electro-optical material sandwiched between a pair of substrates, said pair of substrates being adhered and fixed by a sealing material, and an image display comprising a plurality of pixels in a region where said sealing material is formed. In the electro-optical panel having a region, one of the pair of substrates has a protrusion that projects toward the other substrate and contacts the other substrate, and the protrusion surrounds the pixel region. An electro-optical panel, wherein the electro-optical panel is arranged to face a light-shielding film formed in a region.
【請求項28】 前記突起は、平面的にみて前記遮光膜
の幅以内に収まるように配置されていることを特徴とす
る請求項27に記載の電気光学パネル。
28. The electro-optical panel according to claim 27, wherein the projections are arranged so as to fit within a width of the light shielding film in a plan view.
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