JP2001201375A - Gas flowmeter for semiconductor manufacturing process line - Google Patents
Gas flowmeter for semiconductor manufacturing process lineInfo
- Publication number
- JP2001201375A JP2001201375A JP2000013718A JP2000013718A JP2001201375A JP 2001201375 A JP2001201375 A JP 2001201375A JP 2000013718 A JP2000013718 A JP 2000013718A JP 2000013718 A JP2000013718 A JP 2000013718A JP 2001201375 A JP2001201375 A JP 2001201375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- semiconductor manufacturing
- flow rate
- exhaust gas
- manufacturing process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Pipeline Systems (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スラインから排出される排出ガスの排出流量を計測する
半導体製造プロセスラインのガス流量計に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas flow meter for a semiconductor manufacturing process line for measuring a discharge flow rate of an exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing process line.
【０００２】[0002]
【従来技術】従来より、半導体製造プロセスラインには
様々な物質が使用されている。その中には毒性を有する
ために確実に回収することが法律によって定められてい
る物質もあるが、毒性が全くなく大気中に排出すること
が何の規制もなく行える物質もある。その一例として例
えば、ＰＦＣ（Per Fluoro Compound's:ふっ素置換され
た炭化水素ガスの総称）ガスがあり、半導体製造プロセ
スラインで使用されたＰＦＣガスなどは、大気中に排出
されている。2. Description of the Related Art Conventionally, various materials have been used in semiconductor manufacturing process lines. Some of these substances are legally required to be recovered because of their toxicity, while others have no toxicity and can be released into the atmosphere without any restrictions. One example is PFC (Per Fluoro Compound's: a general term for fluorine-substituted hydrocarbon gas) gas, and PFC gas and the like used in semiconductor manufacturing process lines are discharged into the atmosphere.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｐ
ＦＣガスなどのガスは、毒性を有してはいないものの地
球温暖化防止の観点から見れば、炭酸ガスの数千倍〜数
万倍の保温能力を有しており、直接的には人体に無害で
あっても、大量に排出されれば地球温暖化の速度を早め
ることによって生態系に影響を与えることが懸念されて
いる。それゆえに、半導体製造プロセスラインの管理者
は、排出されるＰＦＣガスなどの温室効果ガスの排出量
を自主規制している。However, the above P
Although gases such as FC gas do not have toxicity, from the viewpoint of preventing global warming, they have a heat retention capacity of several thousand times to tens of thousands of times that of carbon dioxide gas, Even if it is harmless, there is a concern that if it is emitted in large quantities, it will speed up the rate of global warming and affect ecosystems. Therefore, the manager of the semiconductor manufacturing process line voluntarily regulates the amount of greenhouse gas such as PFC gas discharged.
【０００４】排出ガスの規制方法としては、排出ガスに
含まれるＰＦＣガスの濃度を常に測定し、これが所定値
以下になるように半導体製造プロセスラインを調整する
ことが考えられている。ところが、この排出ガスの流量
あるいは総量を測定することは極めて困難であり大がか
りな敷設を必要としているだけでなく、法律によって流
量測定の必要性が課されていないこともあって、半導体
製造プロセスラインの管理者が排出ガスの流量を測定す
ることは事実上行われていなかった。As a method of controlling exhaust gas, it has been considered that the concentration of PFC gas contained in the exhaust gas is constantly measured and the semiconductor manufacturing process line is adjusted so that the concentration becomes equal to or lower than a predetermined value. However, it is extremely difficult to measure the flow rate or total amount of the exhaust gas, which requires not only large-scale laying, but also the necessity of flow measurement by law is not imposed. Had no effect on the measurement of exhaust gas flow.
【０００５】そこで、半導体製造プロセスラインに使用
されるＰＦＣガスの使用量を削減することが現在の重要
な課題とされている。また、半導体製造プロセスライン
に供給されるＰＦＣガスの排出量のみならず、半導体製
造プロセスライン内の化学反応によって生成されるかも
しれない各排出ガスの成分、およびその排出量がどの程
度であるかを測定することが必要とされている。[0005] Therefore, reducing the amount of PFC gas used in a semiconductor manufacturing process line is an important task at present. In addition, not only the amount of PFC gas supplied to the semiconductor manufacturing process line, but also the components of each exhaust gas that may be generated by a chemical reaction in the semiconductor manufacturing process line, and the amount of the discharged amount There is a need to measure
【０００６】本発明はこのような実情を考慮に入れてな
されたものであって、半導体製造プロセスラインに流れ
るガスの流量を計測すると共に、その排出量を正確に測
定することができる半導体製造プロセスラインのガス流
量計を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and is intended to measure a flow rate of a gas flowing through a semiconductor manufacturing process line and accurately measure a discharge amount of the gas. The aim is to provide a line gas flow meter.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するための手段を以下のように構成している。すなわ
ち、第１発明の半導体製造プロセスラインのガス流量計
は、半導体製造プロセスラインから排出される排出ガス
の排出濃度およびこの排出ガスと共に製造ラインに定量
供給される不活性ガスの排出濃度を測定するガス分析計
と、このガス分析計によって測定された不活性ガスの排
出濃度および不活性ガスの供給流量の関係から排出され
るガスの総流量を算出すると共に、前記総流量および排
出ガスの濃度の関係から排出ガスの排出流量を求める演
算処理部とを有することを特徴としている。According to the present invention, means for solving the above-mentioned problems are constituted as follows. That is, the gas flow meter of the semiconductor manufacturing process line of the first invention measures the emission concentration of the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing process line and the emission concentration of the inert gas quantitatively supplied to the manufacturing line together with the exhaust gas. A gas analyzer, calculating the total flow rate of the gas discharged from the relationship between the discharge concentration of the inert gas and the supply flow rate of the inert gas measured by the gas analyzer, and calculating the total flow rate and the concentration of the exhaust gas. And an arithmetic processing unit for calculating the discharge flow rate of the exhaust gas from the relationship.
【０００８】したがって、前記半導体製造プロセスライ
ンのガス流量計は極めて簡素な構成でありながら、今ま
で未知であった半導体製造プロセスラインから排出して
いる排出ガスの流量を測定することができ、これを基
に、半導体製造プロセスラインの管理者は、排出ガスの
成分毎の総量を算出できる。つまり、管理者は前記半導
体製造プロセスラインから排出されるガスの総量を地球
温暖化現象に影響を与えない程度に抑える自主規制を極
めて容易かつ確実に行うことができる。さらに、不活性
ガスと排出ガスの濃度は同じガス分析部で同時に測定さ
れるので、複数のガス分析計を併用して流量を測定する
場合にありがちな応答の時間差を確実になくすことがで
きる。Therefore, while the gas flow meter of the semiconductor manufacturing process line has a very simple configuration, it can measure the flow rate of the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing process line, which has been unknown so far. Based on the above, the administrator of the semiconductor manufacturing process line can calculate the total amount of each component of the exhaust gas. In other words, the administrator can very easily and reliably perform self-regulation to suppress the total amount of gas discharged from the semiconductor manufacturing process line to a level that does not affect the global warming phenomenon. Furthermore, since the concentrations of the inert gas and the exhaust gas are measured simultaneously by the same gas analyzer, the time difference in response, which is often the case when measuring the flow rate by using a plurality of gas analyzers, can be reliably eliminated.
【０００９】また、第２発明の半導体製造プロセスライ
ンのガス流量計は、半導体製造プロセスラインから排出
される排出ガスの排出濃度を測定する排出ガス分析計
と、前記排出ガスと共に製造ラインに定量供給される不
活性ガスの排出濃度を測定する不活性ガス分析計と、不
活性ガス分析計によって測定された不活性ガスの排出濃
度および不活性ガスの供給流量の関係から排出されるガ
スの総流量を算出すると共に、前記総流量および排出ガ
ス分析計によって測定された排出ガスの濃度の関係から
排出ガスの排出流量を求める演算処理部とを有すること
を特徴としている。A gas flow meter for a semiconductor manufacturing process line according to a second aspect of the present invention includes: an exhaust gas analyzer for measuring an emission concentration of an exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing process line; Inert gas analyzer that measures the concentration of the discharged inert gas, and the total flow rate of the gas that is discharged based on the relationship between the concentration of the discharged inert gas measured by the inert gas analyzer and the supply flow rate of the inert gas. And an arithmetic processing unit for calculating the exhaust flow rate of the exhaust gas from the relationship between the total flow rate and the concentration of the exhaust gas measured by the exhaust gas analyzer.
【００１０】したがって、管理者は半導体製造プロセス
ラインから排出されるガスの流量を測定できるだけでな
く、排出ガス分析計によって排出ガスに含まれる多成分
の濃度を正確に測定しながら、不活性ガス分析計によっ
て不活性ガスの濃度測定を行うことによって、より詳細
な排出ガスの排出流量の測定を行うことができる。な
お、排出ガス分析計には測定精度に優れた多成分ガス分
析計としては、フーリエ変換赤外分光法 (ＦＴＩＲ法:F
ourier Transform Infared Spectroscopy)による多成分
ガス分析計を用いることができる。Therefore, the manager can not only measure the flow rate of the gas discharged from the semiconductor manufacturing process line, but also measure the inert gas while accurately measuring the concentration of the multi-components contained in the exhaust gas using the exhaust gas analyzer. By measuring the concentration of the inert gas with the meter, it is possible to more precisely measure the discharge flow rate of the exhaust gas. In addition, as the multi-component gas analyzer having excellent measurement accuracy, the exhaust gas analyzer includes Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR method: F
A multi-component gas analyzer by ourier Transform Infared Spectroscopy) can be used.
【００１１】前記不活性ガスがヘリウムまたはアルゴン
などの半導体製造プロセスに必要な反応条件を整えるた
めに用いられるガスである場合には、前記不活性ガスと
して新たなガスを添加することにより半導体製造プロセ
スに悪影響を及ぼしてしまうという事態を避けることが
できる。また、前記演算処理部が排出ガスの排出流量を
時間積分することにより排出ガスの総量を求める場合に
は、排出されたガスの総量を容易に知ることができ、排
出ガスの自主規制が行ないやすくなる。In the case where the inert gas is a gas such as helium or argon used for adjusting reaction conditions required for a semiconductor manufacturing process, a new gas is added as the inert gas to form the semiconductor manufacturing process. Can be avoided. Further, when the arithmetic processing unit obtains the total amount of the exhaust gas by integrating the discharge flow rate of the exhaust gas with time, the total amount of the discharged gas can be easily known, and the self-regulation of the exhaust gas can be easily performed. Become.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】図１は本発明の半導体製造プロセ
スラインのガス流量計１の一例を示すブロック図であ
る。図１において、２は半導体製造プロセスライン、３
は半導体製造装置の一例であるエッチング装置、４はこ
のエッチング装置３に必要なガスを定量供給するガス供
給手段、５は前記エッチング装置３からガスを吸引して
大気中に排出する真空引ポンプの一例であるドライポン
プ、６はエッチング装置３の下流側の半導体製造プロセ
スライン２ａを流れる排出ガスを分析するガス分析計の
一例である質量分析計、７は前記排出ガスを質量分析計
６に引き込んで大気に排出するターボ分子ポンプ、８は
前記質量分析計６とガス供給手段４に接続されて排出ガ
スの総流量等を算出する演算処理部である。FIG. 1 is a block diagram showing an example of a gas flow meter 1 in a semiconductor manufacturing process line according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 2 denotes a semiconductor manufacturing process line;
Is an etching apparatus which is an example of a semiconductor manufacturing apparatus, 4 is a gas supply means for supplying a constant amount of gas necessary for the etching apparatus 3, and 5 is a vacuum pump which sucks gas from the etching apparatus 3 and discharges it to the atmosphere. A dry pump 6 as an example, a mass spectrometer 6 as an example of a gas analyzer for analyzing an exhaust gas flowing in the semiconductor manufacturing process line 2a on the downstream side of the etching apparatus 3, and a drawing 7 of the exhaust gas into the mass spectrometer 6 A turbo-molecular pump 8 is connected to the mass spectrometer 6 and the gas supply means 4 for calculating the total flow rate of the exhaust gas.
【００１３】前記半導体製造プロセスライン２において
は、一般的に前記エッチング装置３や化学的気相成長装
置（ＣＶＤ装置）などの半導体製造装置に、ＰＦＣガス
などの主成分に加えて、ＨｅガスやＡｒガスや酸素（Ｏ
2 ）などの不活性ガスが添加されることにより、エッチ
ングや気相成長に適した半導体の製造条件が整えられて
いる。また、これらのガスＰＦＣ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｏ2 等
はマスフローコントローラなど定量供給手段を用いて正
確に一定量のガスＰＦＣ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｏ2 等がガス供
給手段４から供給されている。そして、ドライポンプ５
によってエッチング装置３（またはＣＶＤ装置）内がほ
ゞ真空状態に制御されることにより、半導体製造プロセ
スが適切に行われるように構成されている。In the semiconductor manufacturing process line 2, generally, in addition to a main component such as a PFC gas, a He gas or a He gas is added to a semiconductor manufacturing apparatus such as the etching apparatus 3 or a chemical vapor deposition apparatus (CVD apparatus). Ar gas or oxygen (O
By adding an inert gas such as 2 ), semiconductor manufacturing conditions suitable for etching and vapor phase growth are prepared. Further, these gases PFC, the He, Ar, O 2, etc. exactly constant amount of gas PFC using dispenser means such as mass flow controllers, the He, Ar, O 2 or the like is supplied from the gas supply unit 4. And dry pump 5
The inside of the etching apparatus 3 (or the CVD apparatus) is controlled to a substantially vacuum state, so that the semiconductor manufacturing process is appropriately performed.
【００１４】なお、本例では、一例として主成分ガスで
あるＰＦＣにＨｅが添加されて、ガス供給手段４から定
量供給される例を開示しているが、本発明はこれに限ら
れるものではなく、Ａｒを含むあらゆる不活性ガスが供
給されていてもよい。Although this embodiment discloses an example in which He is added to PFC as a main component gas and the He gas is supplied in a fixed amount from the gas supply means 4, the present invention is not limited to this. Alternatively, any inert gas containing Ar may be supplied.
【００１５】前記質量分析計６はエッチング装置３から
排出される各排出ガス（本例の場合ＰＦＣ，Ｈｅ等）の
濃度を一度に連続測定可能なガス分析計の一例であっ
て、各ガス成分の濃度データは前記演算処理部８によっ
て読み出し可能に構成されている。また、この演算処理
部８は前記ガス供給手段４がエッチング装置３に定量供
給しているＨｅの供給流量ＱHeを読み出し可能としてい
る。The mass spectrometer 6 is an example of a gas spectrometer capable of continuously measuring the concentration of each exhaust gas (PFC, He, etc. in this example) discharged from the etching apparatus 3 at one time. Is configured to be readable by the arithmetic processing unit 8. The arithmetic processing unit 8 can read the He supply flow rate QHe which is supplied to the etching apparatus 3 by the gas supply means 4 in a fixed amount.
【００１６】すなわち、本発明の半導体製造プロセスラ
インのガス流量計１は前記質量分析計６とターボ分子ポ
ンプ７と演算処理部８とからなっている。That is, the gas flow meter 1 of the semiconductor manufacturing process line of the present invention comprises the mass spectrometer 6, a turbo molecular pump 7, and an arithmetic processing unit 8.
【００１７】前記演算処理部８は質量分析計６によって
測定されるＨｅガスの濃度をＣHe（ｐｐｍ）とし、ガス
供給手段４によって供給されるＨｅガスの流量をＱ
He（ｍｌ／ｍｉｎ）とするときに、全排出ガスの総流量
Ｑex（ｍ3 ／ｍｉｎ）を以下の式（１）に示す演算式を
用いて求めることができる。 Ｑex＝ＱHe／ＣHe … 式（１）The arithmetic processing unit 8 sets the concentration of He gas measured by the mass spectrometer 6 to C He (ppm), and sets the flow rate of He gas supplied by the gas supply means 4 to Q
When He (ml / min) is used, the total flow rate Q ex (m 3 / min) of all the exhaust gases can be obtained by using the following arithmetic expression (1). Q ex = Q He / C He Equation (1)
【００１８】次いで、前記演算処理部８は前記式（１）
を用いて求められた全排出ガスの流量Ｑexに、以下の式
（２）に示すように質量分析計６によって測定される各
排出ガス（例えばＰＦＣがあり、以下は、ＰＦＣガスの
流量を測定する場合の説明である）の測定濃度Ｃ
PFC （ｐｐｍ）を掛け合わせることにより、ＰＦＣガス
の瞬時排出流量ＱPFC （ｍ3 ／ｍｉｎ）を求めることが
できる。 ＱPFC ＝Ｑex×ＣPFC … 式（２）Next, the arithmetic processing unit 8 calculates the equation (1)
The flow rate Q ex of total exhaust gas obtained by using, there is the exhaust gas (e.g., PFC, measured by the mass spectrometer 6 as shown in the following equation (2), the following, the flow rate of the PFC gas Measurement density C)
By multiplying by PFC (ppm), the instantaneous discharge flow rate Q PFC (m 3 / min) of the PFC gas can be obtained. Q PFC = Q ex × C PFC Equation (2)
【００１９】そして、前記演算処理部８は、前記式
（２）によって求められた瞬時排出流量ＱPFC （ｍ3 ／
ｍｉｎ）を、式（３）に示すように時間によって積分す
ることにより、ＰＦＣガスの排出総量ＶPFC （ｍ3 ）を
求めることができる。 ＶPFC ＝∫ＱPFC ｄｔ … 式（３）The arithmetic processing unit 8 calculates the instantaneous discharge flow rate Q PFC (m 3 /
min) is integrated over time as shown in equation (3), whereby the total amount of discharged PFC gas V PFC (m 3 ) can be obtained. V PFC = ∫Q PFC dt Equation (3)
【００２０】なお、上述の説明では、排出ガスとしてＰ
ＦＣガスの流量ＱPFC や排出総量Ｖ PFC を求めた例を開
示しているが、本発明はこれに限られるものではない。
すなわち、エッチング装置３内において、ＰＦＣガスが
分解したり、半導体製造装置内で各化学反応が起こるこ
とによって、半導体製造装置３内で新たな排出ガス（例
えば、ＣＯ，ＮＯｘ等）が生成された場合にも、その各
排出ガスの濃度を質量分析計６によって測定することに
より、前記演算処理部８は前記式（２），（３）に示し
た例と同様に各排出ガスの排出総量を求めることができ
る。In the above description, P is used as the exhaust gas.
FC gas flow rate QPFCAnd total emissions V PFCOpen the example that asked for
Although shown, the invention is not so limited.
That is, in the etching apparatus 3, the PFC gas is
Decomposition or the occurrence of various chemical reactions in semiconductor manufacturing equipment
With this, a new exhaust gas (eg,
For example, CO, NOx, etc.)
To measure the concentration of the exhaust gas with the mass spectrometer 6
Thus, the arithmetic processing unit 8 is expressed by the above equations (2) and (3).
As in the previous example, the total emission of each exhaust gas can be determined.
You.
【００２１】すなわち、本発明ではエッチング装置３な
ど半導体製造装置の後流側の半導体製造プロセスライン
２ａに、製造装置で使用されるＨｅ等をトレースガスと
して用いて流量計測を実現するトレースガス分析計を設
けたことにより、半導体製造装置から排出される全排出
ガスの総流量Ｑexを正確に測定可能としており、この総
流量Ｑexを用いて各排出ガスの濃度からその流量と、排
出総量とを正確に求めている。That is, in the present invention, a trace gas analyzer for realizing flow rate measurement using He or the like used in the manufacturing apparatus as a trace gas is provided in the semiconductor manufacturing process line 2a on the downstream side of the semiconductor manufacturing apparatus such as the etching apparatus 3. Is provided, it is possible to accurately measure the total flow rate Qex of all the exhaust gases discharged from the semiconductor manufacturing apparatus. Using the total flow rate Qex , the flow rate, the total discharge quantity, Seeking exactly.
【００２２】また、トレースガスとして用いられる不活
性ガスＨｅ等は通常の半導体製造装置３に必要とされる
ガスであるから、新たなトレースガスを半導体製造装置
３に供給することがない。すなわち、半導体製造装置３
に悪影響を及ぼす恐れなく正確なガス流量の測定を行う
ことができる。In addition, since the inert gas He used as the trace gas is a gas required for the ordinary semiconductor manufacturing apparatus 3, a new trace gas is not supplied to the semiconductor manufacturing apparatus 3. That is, the semiconductor manufacturing apparatus 3
The gas flow rate can be measured accurately without fear of adversely affecting the gas flow.
【００２３】なお、トレースガスとして用いられる不活
性ガスを半導体製造装置３の下流側の半導体製造プロセ
スライン２ａに定量供給し、これよりさらに下流側にお
いてこの不活性ガスの濃度をガス分析計６によって測定
することにより、半導体製造装置３から排出される全排
出ガスの総流量Ｑexを測定してもよい。In addition, an inert gas used as a trace gas is quantitatively supplied to a semiconductor manufacturing process line 2 a downstream of the semiconductor manufacturing apparatus 3, and the concentration of the inert gas is further measured further downstream by the gas analyzer 6. The measurement may be used to measure the total flow rate Qex of all the exhaust gases discharged from the semiconductor manufacturing apparatus 3.
【００２４】このように構成した場合には、トレースガ
スとして用いられる不活性ガスが半導体製造装置３に流
入することがないので、不活性ガスの種類に係わりなく
半導体製造装置３に悪影響を及ぼす恐れなく正確なガス
流量の測定を行うことができる。つまり、前記半導体製
造装置３がＨｅガスなどの不活性ガスを用いない場合で
あっても、任意の不活性ガスをトレースガスとして用い
て排出ガスの流量を正確に測定できるだけでなく、この
不活性ガスの濃度を測定するガス分析計６の種類にも制
限がなく、より高精度の濃度測定を行うことができるも
のを選択することができる。In the case of such a configuration, the inert gas used as the trace gas does not flow into the semiconductor manufacturing apparatus 3, so that the semiconductor manufacturing apparatus 3 may be adversely affected regardless of the type of the inert gas. And accurate gas flow rate can be measured. In other words, even when the semiconductor manufacturing apparatus 3 does not use an inert gas such as He gas, it is not only possible to accurately measure the flow rate of the exhaust gas by using an arbitrary inert gas as a trace gas, but also to use this inert gas. There is no limitation on the type of the gas analyzer 6 for measuring the gas concentration, and a gas analyzer capable of performing a more accurate concentration measurement can be selected.
【００２５】また、上述した本例のように一つのガス分
析計６によって複数成分の排出ガスの濃度を同時に分析
した場合には、排出ガスの各成分の濃度測定値に時間的
なずれがないので、より正確な流量分析を行うことがで
きる。しかしながら、本発明は不活性ガスと測定対象と
なる排出ガスの濃度を一つのガス分析計６によって測定
することに限定するものではない。When the concentrations of the exhaust gases of a plurality of components are simultaneously analyzed by one gas analyzer 6 as in the above-described embodiment, there is no time lag in the measured values of the concentrations of the components of the exhaust gas. Therefore, more accurate flow rate analysis can be performed. However, the present invention is not limited to measuring the concentrations of the inert gas and the exhaust gas to be measured by one gas analyzer 6.
【００２６】図２は本発明の半導体製造プロセスライン
のガス流量計の変形例を示す図である。本例の半導体製
造プロセスラインのガス流量計１’においては製造ライ
ンに定量供給される不活性ガスの排出濃度を測定する不
活性ガス分析計６’と、半導体製造装置３に用いられて
排出される排出ガスの排出濃度を測定する排出ガス分析
計９とを別途設けた点において、図１に示す例と異なっ
ている。FIG. 2 is a view showing a modification of the gas flow meter of the semiconductor manufacturing process line of the present invention. In the gas flow meter 1 'of the semiconductor manufacturing process line of this embodiment, the inert gas analyzer 6' for measuring the emission concentration of the inert gas quantitatively supplied to the manufacturing line and the gas used by the semiconductor manufacturing apparatus 3 are discharged. It differs from the example shown in FIG. 1 in that an exhaust gas analyzer 9 for measuring the emission concentration of the exhaust gas is provided separately.
【００２７】前記排出ガス分析計９は例えばＦＴＩＲ法
赤外線ガス分析計（以下、単にＦＴＩＲという）を用い
ることができる。また、前記不活性ガス分析計６’は少
なくとも一つの不活性ガス（本例の場合はＨｅガス）の
濃度を測定できるガス分析計であればよく、例えば質量
分析計を用いることができる。As the exhaust gas analyzer 9, for example, an FTIR infrared gas analyzer (hereinafter simply referred to as FTIR) can be used. The inert gas analyzer 6 'may be any gas analyzer that can measure the concentration of at least one inert gas (He gas in this example), and for example, a mass spectrometer can be used.
【００２８】すなわち、多成分の排出ガスの濃度を一度
にかつ高精度に測定可能とするＦＴＩＲ９を用いること
により、主要な排出ガス（本例の場合はＰＦＣガス）を
含めて様々な排出ガスの濃度分析を、より高精度に行う
ことができる。つまり、排出ガス分析計９として多成分
ガス分析計を用いることで、主要な排出ガスＰＦＣのみ
ならず半導体製造装置３内の化学反応によって生成され
るかもしれないＣＯ2等の種々の排出ガスの排出流量や
排出総量を正確に求めることができる。また、ＦＴＩＲ
９では測定できないＨｅガスのような不活性ガスについ
ては不活性ガス分析計６’によって濃度測定が可能であ
る。That is, by using the FTIR 9 which enables the concentration of multi-component exhaust gas to be measured at once and with high accuracy, various exhaust gases including the main exhaust gas (in this example, PFC gas) are used. The concentration analysis can be performed with higher accuracy. That is, by using a multi-component gas analyzer as the exhaust gas analyzer 9, not only the main exhaust gas PFC but also various exhaust gases such as CO 2 which may be generated by a chemical reaction in the semiconductor manufacturing apparatus 3. The discharge flow rate and total discharge amount can be accurately obtained. Also, FTIR
The concentration of an inert gas such as He gas which cannot be measured by the method 9 can be measured by the inert gas analyzer 6 '.
【００２９】その他の構成については図１と同様であ
り、図１に示した実施例と同様の変形が可能であること
は言うまでもない。The other structure is the same as that of FIG. 1, and it goes without saying that the same modification as the embodiment shown in FIG. 1 is possible.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体製
造プロセスラインのガス流量計によれば、極めて簡素な
構成でありながら、今まで未知であった半導体製造プロ
セスラインから排出している排出ガスの流量を測定する
ことができ、これを基に、半導体製造プロセスラインの
管理者は、排出ガスの成分毎の総量を算出できる。つま
り、管理者は前記半導体製造プロセスラインから排出さ
れるガスの総量を地球温暖化現象に影響を与えない程度
に抑える自主規制を極めて容易かつ確実に行うことがで
きる。As described above, according to the gas flow meter of the semiconductor manufacturing process line of the present invention, the discharge from the semiconductor manufacturing process line which has been unknown until now has a very simple configuration. The gas flow rate can be measured, and based on this, the administrator of the semiconductor manufacturing process line can calculate the total amount of each component of the exhaust gas. In other words, the administrator can very easily and reliably perform self-regulation to suppress the total amount of gas discharged from the semiconductor manufacturing process line to a level that does not affect the global warming phenomenon.
【００３１】さらに、不活性ガスと排出ガスの濃度を同
じガス分析部で同時に測定する場合には、複数のガス分
析計を併用して流量を測定する場合にありがちな応答の
時間差を確実になくすことができる。他方、排出ガス分
析計によって排出ガスに含まれる多成分の濃度を正確に
測定しながら、不活性ガス分析計によって不活性ガスの
濃度測定を行う場合には、より詳細な排出ガスの排出流
量の測定を行うことができる。Further, when the concentrations of the inert gas and the exhaust gas are simultaneously measured by the same gas analyzer, the time difference of the response, which is often the case when the flow rate is measured by using a plurality of gas analyzers, is surely eliminated. be able to. On the other hand, when the concentration of the inert gas is measured by the inert gas analyzer while accurately measuring the concentration of the multi-components contained in the exhaust gas by the exhaust gas analyzer, a more detailed measurement of the discharge flow rate of the exhaust gas is performed. A measurement can be made.
【００３２】そして、前記不活性ガスがヘリウムまたは
アルゴンなどの半導体製造プロセスに必要な反応条件を
整えるために用いられるガスである場合には、前記不活
性ガスとして新たなガスを添加することにより半導体製
造プロセスに悪影響を及ぼしてしまうという事態を避け
ることができる。When the inert gas is a gas such as helium or argon used for adjusting reaction conditions necessary for a semiconductor manufacturing process, a new gas is added as the inert gas to add a semiconductor to the semiconductor. A situation in which the manufacturing process is adversely affected can be avoided.
【図１】本発明の半導体製造プロセスラインのガス流量
計の一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a gas flow meter of a semiconductor manufacturing process line of the present invention.
【図２】前記半導体製造プロセスラインのガス流量計の
変形例を示す図である。FIG. 2 is a view showing a modification of the gas flow meter of the semiconductor manufacturing process line.
１，１’…半導体製造プロセスラインのガス流量計、２
…半導体製造プロセスライン、３…半導体製造装置、４
…ガス供給手段、６…ガス分析計、６’…不活性ガス分
析計、８…演算処理部、９…排出ガス分析計、ＣHe…不
活性ガスの排出濃度、ＣPFC …排出ガスの排出濃度、Ｑ
He…不活性ガスの供給量、Ｑex…総流量、ＱPFC …排出
ガスの排出流量、ＶPFC …排出ガスの総量。1, 1 ': gas flow meter for semiconductor manufacturing process line, 2
... Semiconductor manufacturing process line, 3 ... Semiconductor manufacturing equipment, 4
... gas supply means, 6 ... gas analyzer, 6 '... inert gas analyzer, 8 ... arithmetic processing unit, 9 ... exhaust gas analyzer, C He ... inert gas emission concentration, C PFC ... exhaust gas emission Concentration, Q
He : Inert gas supply amount, Qex : Total flow rate, QPFC : Exhaust gas discharge flow rate, VPFC : Total amount of exhaust gas.
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F030 CC11 CE04 CF07 3J071 AA02 BB02 EE18 EE25 EE28 FF11 5F004 AA16 BC02 CB04 DA00 DA22 DA23 DA26 5F045 AA03 AA06 AA08 AC16 AC17 GB04 GB07 Continued on front page F term (reference) 2F030 CC11 CE04 CF07 3J071 AA02 BB02 EE18 EE25 EE28 FF11 5F004 AA16 BC02 CB04 DA00 DA22 DA23 DA26 5F045 AA03 AA06 AA08 AC16 AC17 GB04 GB07
Claims (5)
る排出ガスの排出濃度およびこの排出ガスと共に製造ラ
インに定量供給される不活性ガスの排出濃度を測定する
ガス分析計と、このガス分析計によって測定された不活
性ガスの排出濃度および不活性ガスの供給流量の関係か
ら排出されるガスの総流量を算出すると共に、前記総流
量および排出ガスの濃度の関係から排出ガスの排出流量
を求める演算処理部とを有することを特徴とする半導体
製造プロセスラインのガス流量計。1. A gas analyzer for measuring an emission concentration of an exhaust gas emitted from a semiconductor manufacturing process line and an emission concentration of an inert gas quantitatively supplied to a manufacturing line together with the exhaust gas, and measurement by the gas analyzer. Calculation processing for calculating the total flow rate of the discharged gas from the relationship between the exhaust gas concentration of the inert gas and the supply flow rate of the inert gas, and obtaining the discharge flow rate of the exhaust gas from the relationship between the total flow rate and the concentration of the exhaust gas. And a gas flow meter for a semiconductor manufacturing process line.
る排出ガスの排出濃度を測定する排出ガス分析計と、前
記排出ガスと共に製造ラインに定量供給される不活性ガ
スの排出濃度を測定する不活性ガス分析計と、不活性ガ
ス分析計によって測定された不活性ガスの排出濃度およ
び不活性ガスの供給流量の関係から排出されるガスの総
流量を算出すると共に、前記総流量および排出ガス分析
計によって測定された排出ガスの濃度の関係から排出ガ
スの排出流量を求める演算処理部とを有することを特徴
とする半導体製造プロセスラインのガス流量計。2. An exhaust gas analyzer for measuring an emission concentration of an exhaust gas emitted from a semiconductor manufacturing process line, and an inert gas for measuring an emission concentration of an inert gas quantitatively supplied to a manufacturing line together with the exhaust gas. The analyzer, and calculates the total flow rate of the gas discharged from the relationship between the discharge concentration of the inert gas measured by the inert gas analyzer and the supply flow rate of the inert gas, and calculates the total flow rate and the exhaust gas analyzer. An arithmetic processing unit for obtaining an exhaust flow rate of the exhaust gas from a relationship between the measured concentration of the exhaust gas and a gas flow meter for a semiconductor manufacturing process line.
ンなどの半導体製造プロセスに必要な反応条件を整える
ために用いられるガスである請求項１または２に記載の
半導体製造プロセスラインのガス流量計。3. The gas flow meter for a semiconductor manufacturing process line according to claim 1, wherein the inert gas is a gas such as helium or argon used for adjusting reaction conditions required for a semiconductor manufacturing process.
スである請求項１〜３の何れかに記載の半導体製造プロ
セスラインのガス流量計。4. The gas flow meter according to claim 1, wherein the exhaust gas is a greenhouse gas such as PFC.
時間積分することにより排出ガスの総量を求める請求項
１〜４の何れかに記載の半導体製造プロセスラインのガ
ス流量計。5. The gas flow meter for a semiconductor manufacturing process line according to claim 1, wherein the arithmetic processing unit obtains the total amount of the exhaust gas by time-integrating the exhaust flow rate of the exhaust gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013718A JP3735227B2 (en) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | Gas flow meter for semiconductor manufacturing process line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013718A JP3735227B2 (en) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | Gas flow meter for semiconductor manufacturing process line |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001201375A true JP2001201375A (en) | 2001-07-27 |
| JP3735227B2 JP3735227B2 (en) | 2006-01-18 |
Family
ID=18541271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000013718A Expired - Fee Related JP3735227B2 (en) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | Gas flow meter for semiconductor manufacturing process line |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3735227B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003076747A (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Horiba Ltd | System and method for conversion of emission right of greenhouse gas |
| JP2003091618A (en) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Horiba Ltd | Greenhouse effect gas emission index converting system and method |
| WO2003060969A1 (en) * | 2002-01-17 | 2003-07-24 | Tokyo Electron Limited | Processing device and processing method |
| CN114729919A (en) * | 2019-03-27 | 2022-07-08 | El株式会社 | Automatic measurement and analysis system for emission reduction efficiency of emission reduction facility for greenhouse gas exhausted in semiconductor and display process |
-
2000
- 2000-01-24 JP JP2000013718A patent/JP3735227B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003076747A (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Horiba Ltd | System and method for conversion of emission right of greenhouse gas |
| JP4677144B2 (en) * | 2001-08-31 | 2011-04-27 | 株式会社堀場製作所 | Greenhouse gas emission credit conversion system |
| JP2003091618A (en) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Horiba Ltd | Greenhouse effect gas emission index converting system and method |
| WO2003060969A1 (en) * | 2002-01-17 | 2003-07-24 | Tokyo Electron Limited | Processing device and processing method |
| CN114729919A (en) * | 2019-03-27 | 2022-07-08 | El株式会社 | Automatic measurement and analysis system for emission reduction efficiency of emission reduction facility for greenhouse gas exhausted in semiconductor and display process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3735227B2 (en) | 2006-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1106983B1 (en) | Exhaust gas analyzing system | |
| Christiansen et al. | Assessing the effects of chamber placement, manual sampling and headspace mixing on CH 4 fluxes in a laboratory experiment | |
| Pritchard et al. | Diffusion of coefficients of carbon dioxide, nitrous oxide, ethylene and ethane in air and their measurement | |
| CN104165665B (en) | Exhaust flow-meter and exhaust gas analysis system | |
| Pfeifer et al. | Measurement of ammonia, amines and iodine compounds using protonated water cluster chemical ionization mass spectrometry | |
| US3881351A (en) | Method of measuring the mass flow rate of a constituent of a gaseous stream | |
| JP2016535859A (en) | Measurement method of isotope ratio | |
| JP3783766B2 (en) | Greenhouse gas measurement method using infrared absorption spectrometer | |
| CN109425489A (en) | Exhaust gas analyzer, exhaust gas analysis method and storage medium | |
| JP2001201375A (en) | Gas flowmeter for semiconductor manufacturing process line | |
| US6690462B2 (en) | Calibration scheme for continuous monitoring of mercury emissions from stationary sources by plasma emission spectrometry | |
| FI89210C (en) | Gases identification procedure | |
| US8932873B2 (en) | Method for monitoring concentration of water borne substance in an aqueous medium | |
| JP6446322B2 (en) | Verification system | |
| CN106226383A (en) | A kind of method measuring nitrogen gas concn based on minimum gas pre-concentration device isotopic ratio GC-MS | |
| KR20210151448A (en) | Performance evaluation system for scrubber and method of performance evaluation | |
| WO1993018389A1 (en) | Analysis of liquid-carried impurities by means of sparging | |
| RU2340885C2 (en) | Method of measuring spectrum of dimensions of condensation nuclei of aerosol particles and device to that end | |
| RU2611104C2 (en) | Method and system for measurement of air inflow using inert gas | |
| RU2005138301A (en) | ONLINE DISTRIBUTION OF COMPOSITION | |
| JP2008139242A (en) | Analyzing method for exhaust gas from semiconductor manufacturing equipment | |
| JP4203762B2 (en) | Greenhouse gas measurement method using infrared absorption spectrometer | |
| JPH11344425A (en) | Device for analyzing exhaust gas of internal combustion engine using gas trace method | |
| JP2001159587A (en) | Gas analyzer | |
| Pfeifer et al. | Measurement of ammonia, amines and iodine species using protonated water cluster chemical ionization mass spectrometry |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050419 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050617 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051018 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051021 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111028 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111028 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121028 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131028 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |