JP2001194507A - Optical substrate - Google Patents

Optical substrate

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JP2001194507A
JP2001194507A JP2000004046A JP2000004046A JP2001194507A JP 2001194507 A JP2001194507 A JP 2001194507A JP 2000004046 A JP2000004046 A JP 2000004046A JP 2000004046 A JP2000004046 A JP 2000004046A JP 2001194507 A JP2001194507 A JP 2001194507A
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Japan
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optical
mark
microlens array
lens
resin layer
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JP2000004046A
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Japanese (ja)
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Katsumitsu Ashihara
克充 芦原
Atsushi Shimizu
敦 清水
Tomohiko Matsushita
智彦 松下
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately measure the stack thickness of a microlens array substrate (the optical distance from the surface of the microlens array substrate to the lens edges). SOLUTION: A microlens array pattern 56 is formed on the surface of a lens resin layer 52 formed on base glass 51, a sealing resin layer 58 is laminated on the lens resin layer 52, the surface of the layer 58 is made flat and cover glass 59 is put on the flat surface to form a microlens array substrate 61. In this method, a mark 57 for measurement is formed on the surface of the lens resin layer 52 in the region except the region of the microlens array pattern 56 at the same height as a plane of the pattern 56 including lens edges.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はマイクロレンズアレ
イやマイクロプリズムアレイ等の光学素子アレイを含ん
だ光学基板に関し、特にスタンパ法によって認識用のマ
ークを形成された光学基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical substrate including an optical element array such as a microlens array and a microprism array, and more particularly to an optical substrate on which a mark for recognition is formed by a stamper method.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶を挟み込んで液晶表示素子を構成す
るための一方の基板として、あらかじめ内部にマイクロ
レンズアレイパターンを内蔵させたマイクロレンズアレ
イ基板が従来より用いられている。
2. Description of the Related Art A microlens array substrate in which a microlens array pattern is built in advance has conventionally been used as one substrate for forming a liquid crystal display element with a liquid crystal interposed therebetween.

【0003】このようなマイクロレンズアレイ基板の製
造方法には、エッチングを利用する方法やスタンパを用
いる方法など種々の方法が提案されている。このうちス
タンパを用いる方法は、スタンパで紫外線硬化型樹脂に
型押しすることによってレンズ樹脂層にマイクロレンズ
アレイパターンを成形し、その上にレンズ樹脂層と屈折
率の異なる封止樹脂層を重ねることによって表面を平坦
化する方法であり、量産性に優れ、かつ非球面レンズを
製作できるという長所がある。
Various methods for manufacturing such a microlens array substrate have been proposed, such as a method using etching and a method using a stamper. Among these methods, a method using a stamper involves forming a microlens array pattern on a lens resin layer by embossing an ultraviolet-curable resin with the stamper, and overlaying a sealing resin layer having a different refractive index from that of the lens resin layer thereon. This method is advantageous in that it is excellent in mass productivity and can manufacture an aspherical lens.

【0004】図1(a)は従来のマイクロレンズアレイ
基板を示す断面図であって、透明なベースガラス1の上
に紫外線硬化方樹脂からなる透明なレンズ樹脂層2が積
層され、レンズ樹脂層2の表面には、スタンパによる型
押しでマイクロレンズアレイパターン3が形成されてい
る。また、レンズ樹脂層2の上にはレンズ樹脂層2と屈
折率の異なる紫外線効果型樹脂によって透明な封止樹脂
層4が積層され、封止樹脂層4の上にはカバーガラス5
が積層一体化され、マイクロレンズアレイ基板8が製作
される。
FIG. 1A is a cross-sectional view showing a conventional microlens array substrate, in which a transparent lens resin layer 2 made of an ultraviolet curable resin is laminated on a transparent base glass 1, and a lens resin layer is formed. The microlens array pattern 3 is formed on the surface of 2 by stamping with a stamper. Further, a transparent sealing resin layer 4 is laminated on the lens resin layer 2 by an ultraviolet ray effect type resin having a different refractive index from the lens resin layer 2, and a cover glass 5 is formed on the sealing resin layer 4.
Are laminated and integrated, and the microlens array substrate 8 is manufactured.

【0005】また、マイクロレンズアレイ基板8は、液
晶表示素子の基板として用いられるもので、表面の平坦
性が要求されるため、積層一体化された後、図1(b)
に示すように表裏両面を研磨装置6によって平滑に仕上
げられる。特に、カバーガラス5は、マイクロレンズア
レイ基板8のスタック厚が所定値となるように研磨され
る。ついで、カバーガラス5の上面には、図1(c)に
示すように、透明電極(ITO)7が形成される。
The microlens array substrate 8 is used as a substrate of a liquid crystal display element, and requires flatness of the surface.
As shown in (1), both the front and back surfaces are smoothed by the polishing device 6. In particular, the cover glass 5 is polished so that the stack thickness of the microlens array substrate 8 becomes a predetermined value. Next, a transparent electrode (ITO) 7 is formed on the upper surface of the cover glass 5 as shown in FIG.

【0006】ここで、図2に示すように、マイクロレン
ズアレイ基板8のレンズ主面(通常は、レンズ樹脂層2
のエッジで代用する)からカバーガラス5の表面(透明
電極7を含む)までの光学的距離をスタック厚Tsとい
い、マイクロレンズアレイ基板8の光学的特性を特徴づ
ける量の1つである。このスタック厚Tsを、マイクロ
レンズアレイ基板8の断面の厚み測定から求める場合に
は、カバーガラス5と封止樹脂層4の屈折率を考慮しな
ければならないが、基板の上面から光学的に測定する場
合には、すでに屈折率の影響を受けているので、実測値
を用いることができる。
Here, as shown in FIG. 2, the main lens surface of the microlens array substrate 8 (normally, the lens resin layer 2
The optical distance from the edge of the cover glass 5 to the surface of the cover glass 5 (including the transparent electrode 7) is called a stack thickness Ts, and is one of the quantities that characterize the optical characteristics of the microlens array substrate 8. When the stack thickness Ts is determined by measuring the thickness of the cross section of the microlens array substrate 8, the refractive index of the cover glass 5 and the sealing resin layer 4 must be taken into consideration. In this case, since the refractive index has already been affected, an actually measured value can be used.

【0007】いま、このマイクロレンズアレイ基板8を
液晶表示素子の基板として用い、画素開口を設けられた
対向側ガラス基板との間に液晶を封止する場合を考え
る。図2に示すように、このマイクロレンズアレイ基板
8に平行光が入射すると、各マイクロレンズを通過した
光は各焦点に収斂し、対向側ガラス基板の画素開口を通
過するが、このときのレンズ主面から焦点までの距離
(焦点距離fo)は原理上マイクロレンズアレイ基板8
のスタック厚Tsに関係なくほぼ一定である。しかし、
研磨時にマイクロレンズアレイ基板8のスタック厚Ts
にばらつきがあると、マイクロレンズアレイ基板8の表
面から焦点までの距離fo−Tsが変動するので、図3に
示すようにスタック厚Tsが最適値に等しい場合には液
晶表示素子のレンズ効率(=マイクロレンズアレイ基板
8が存在するときの明るさ/マイクロレンズアレイ基板
8が存在しないときの明るさ)が最大となるが、スタッ
ク厚Tsが最適値から外れるとレンズ効率が大きく低下
する。
Now, consider a case where the microlens array substrate 8 is used as a substrate of a liquid crystal display element, and liquid crystal is sealed between the microlens array substrate 8 and an opposing glass substrate provided with pixel openings. As shown in FIG. 2, when parallel light enters the microlens array substrate 8, the light passing through each microlens converges at each focal point and passes through the pixel opening of the opposite glass substrate. The distance from the main surface to the focal point (focal length fo) is, in principle, the microlens array substrate 8
Is substantially constant irrespective of the stack thickness Ts. But,
Stack thickness Ts of microlens array substrate 8 during polishing
When the stack thickness Ts is equal to the optimum value as shown in FIG. 3, the lens efficiency of the liquid crystal display element (ie, the lens efficiency (fo-Ts) from the surface of the microlens array substrate 8 to the focal point varies. (Brightness when the microlens array substrate 8 is present / brightness when the microlens array substrate 8 is not present) is maximized, but when the stack thickness Ts deviates from the optimum value, the lens efficiency is greatly reduced.

【0008】従って、図1(b)の研磨工程において
は、目的とするスタック厚Tsが得られるように研磨速
度や研磨時間などの条件出しを行ってマイクロレンズア
レイ基板8を研磨している。さらに、研磨終了後マイク
ロレンズアレイ基板8のスタック厚Tsを測定し、目的
とするスタック厚Tsが達成されていない場合には再び
研磨を行い、最終的に目的とするスタック厚Tsが得ら
れていることを確認している。従って、所望のスタック
厚Tsを精度良く得るためには、スタック厚Tsの正確な
測定が欠かせない。
Therefore, in the polishing step of FIG. 1B, the microlens array substrate 8 is polished by setting conditions such as a polishing rate and a polishing time so as to obtain a desired stack thickness Ts. Further, after the polishing is completed, the stack thickness Ts of the microlens array substrate 8 is measured, and if the target stack thickness Ts is not achieved, the polishing is performed again to finally obtain the target stack thickness Ts. Make sure you have Therefore, accurate measurement of the stack thickness Ts is indispensable to accurately obtain the desired stack thickness Ts.

【0009】図4は従来におけるスタック厚Tsの測定
方法を説明する図である。この方法では、まずマイクロ
レンズアレイ基板8の上面から例えば同軸落射光を照射
することによって測長顕微鏡9の焦点をカバーガラス5
の表面に合わせて測長カウンタをリセットする。つい
で、照明を例えば透過光に切り替え、測長顕微鏡9の焦
点をマイクロレンズアレイパターン3のエッジ(以下、
レンズエッジという)に合わせ、その際の焦点位置の移
動量を測長カウンタから読みとってスタック厚Tsを求
めている。なお、厳密には、スタック厚Tsは、カバー
ガラス5の表面からレンズの主点までの距離であるが、
レンズエッジから主点までの距離は当該マイクロレンズ
アレイ基板8に固有のものであり、しかも主点を検出す
るのは難しいので、主点位置の近傍に位置するレンズエ
ッジで置き換えてスタック厚測定を行っている。また、
研磨後に膜付けされる透明電極7は、0.2mm程度と
薄く、その厚みも安定しているので、透明電極7の厚み
を無視してもよく、また透明電極7の厚みを定数として
扱ってもよい。
FIG. 4 is a view for explaining a conventional method for measuring the stack thickness Ts. In this method, first, the focal point of the length measuring microscope 9 is focused on the cover glass 5 by irradiating, for example, coaxial incident light from the upper surface of the microlens array substrate 8.
Reset the length measurement counter according to the surface of. Next, the illumination is switched to, for example, transmitted light, and the focal point of the length measuring microscope 9 is shifted to the edge of the microlens array pattern 3 (hereinafter, referred to as the edge).
(Referred to as a lens edge), the movement amount of the focal position at that time is read from a length measurement counter to obtain the stack thickness Ts. Strictly speaking, the stack thickness Ts is the distance from the surface of the cover glass 5 to the principal point of the lens.
Since the distance from the lens edge to the principal point is unique to the microlens array substrate 8 and it is difficult to detect the principal point, the stack thickness measurement is performed by substituting the lens edge located near the principal point position. Is going. Also,
The thickness of the transparent electrode 7 to be applied after polishing is as thin as about 0.2 mm and its thickness is stable. Therefore, the thickness of the transparent electrode 7 may be ignored, and the thickness of the transparent electrode 7 may be treated as a constant. Is also good.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レンズ
樹脂層2の表面に形成されているマイクロレンズアレイ
パターン3のレンズエッジ10は、図5に示すように略
四角錐状の尖端(点)となっているため、従来のスタッ
ク厚測定方法では、以下に詳述するような理由により、
このレンズエッジ10を正確に検出することが困難であ
った。
However, the lens edge 10 of the microlens array pattern 3 formed on the surface of the lens resin layer 2 has a substantially quadrangular pyramid-like point (point) as shown in FIG. Therefore, in the conventional stack thickness measurement method, for the reasons described below in detail,
It has been difficult to accurately detect the lens edge 10.

【0011】図6(a)はレンズエッジ10と測長顕微
鏡の焦点位置との関係を表しており、図6(b)はレン
ズエッジ10よりも1〜2μm上のLA位置における顕
微鏡像を示し、図6(c)はレンズエッジ10を通るL
B位置における顕微鏡像を示し、図6(d)はレンズエ
ッジ10よりも1〜2μm下のLC位置における顕微鏡
像を示している。レンズエッジ10よりも下に焦点が位
置している場合には、図7に示すようにレンズエッジ1
0の顕微鏡像は井桁状に白く光っている(他の部分は暗
く見える)が、焦点がレンズエッジ10に近づくに従っ
て井桁の端が徐々にはっきりしなくなり、この井桁の端
が在るか無いか微妙なところの焦点位置がレンズエッジ
10である。従って、図6(c)(d)のように測長顕
微鏡の焦点がレンズエッジ10に一致しているか、少し
外れているのかの判別がつきにくく、顕微鏡像の違いが
わかりずらい場合でも、実際には1〜2μmも距離がず
れている。また、図6(b)のように焦点がレンズエッ
ジの上方へずれている場合でも、うっすらとレンズエッ
ジの像が残り、白点として見える。
FIG. 6A shows the relationship between the lens edge 10 and the focal position of the length-measuring microscope, and FIG. 6B shows a microscope image at an LA position 1-2 μm above the lens edge 10. FIG. 6C shows L passing through the lens edge 10.
FIG. 6D shows a microscope image at the LC position below the lens edge 10 by 1 to 2 μm. When the focal point is located below the lens edge 10, as shown in FIG.
The microscopic image of 0 glows white like a girder (the other part looks dark), but as the focal point approaches the lens edge 10, the end of the girder becomes gradually less clear, and whether the end of this girder exists or not A delicate focal position is the lens edge 10. Therefore, as shown in FIGS. 6C and 6D, it is difficult to determine whether the focal point of the length-measuring microscope coincides with the lens edge 10 or slightly deviates. Actually, the distance is shifted by 1 to 2 μm. Further, even when the focus is shifted above the lens edge as shown in FIG. 6B, the image of the lens edge slightly remains, and is seen as a white point.

【0012】このように従来の測定方法では、レンズエ
ッジの急峻性のため、測長顕微鏡の焦点位置がマイクロ
レンズアレイ基板の厚み方向に変化しても顕微鏡像が変
化しにくく(焦点位置が1〜2μm変化したところでレ
ンズエッジの顕微鏡像の変化はわずかである)、測定精
度が悪かった。
As described above, in the conventional measuring method, even when the focal position of the length measuring microscope changes in the thickness direction of the microlens array substrate due to the sharpness of the lens edge, the microscope image does not easily change (the focal position is 1). The change in the microscope image of the lens edge is slight when the change is 2 μm), and the measurement accuracy was poor.

【0013】さらに、測長顕微鏡の明るさについての機
差によりレンズエッジの見え方が変わること、透過光の
回り込みによってレンズエッジの像が光って輪郭がぼや
けることなどによっても、精密なスタック厚の測定が困
難であった。
[0013] Furthermore, the precision of the stack thickness can be reduced due to the fact that the appearance of the lens edge changes due to the difference in brightness of the length measuring microscope, and that the image of the lens edge shines due to the wraparound of transmitted light and the outline becomes blurred. The measurement was difficult.

【0014】また、図8(a)(c)は互いにレンズ形
状(つまり、レンズのサイズ、曲率、深さ等)の異なる
マイクロレンズアレイパターン3の断面を示し、図8
(b)は図8(a)のマイクロレンズアレイパターン3
のLD面に焦点を合わせたときの顕微鏡像を示し、図8
(d)は図8(c)のマイクロレンズアレイパターン3
のLE面に焦点を合わせたときの顕微鏡像を示してい
る。図8(b)(d)の顕微鏡像はほぼ同一に見えてい
るが、図8(a)(c)に示すように、焦点位置の、各
レンズエッジ10からの距離は互いにδだけ異なってい
る。これは、マイクロレンズアレイ基板8の品種(レン
ズ形状)が異なると、レンズエッジ10の顕微鏡像の見
え方が大きく異なることを示しており、マイクロレンズ
アレイ基板8の品種が増加すると、オペレータはその品
種毎のレンズエッジの見え方の違いを記憶する必要があ
り、スタック厚測定の熟練に時間が掛かっていた。
FIGS. 8A and 8C show cross sections of microlens array patterns 3 having different lens shapes (namely, lens size, curvature, depth, etc.) from each other.
FIG. 8B shows the microlens array pattern 3 shown in FIG.
8 shows a microscope image when focusing on the LD surface of FIG.
FIG. 8D shows the microlens array pattern 3 shown in FIG.
3 shows a microscope image when focusing on the LE surface of FIG. Although the microscope images of FIGS. 8B and 8D look almost the same, as shown in FIGS. 8A and 8C, the distances of the focal positions from the lens edges 10 are different from each other by δ. I have. This indicates that if the type (lens shape) of the microlens array substrate 8 is different, the appearance of the microscope image of the lens edge 10 is greatly different. It is necessary to memorize the difference in the appearance of the lens edge for each type, and it takes a long time for the skill of stack thickness measurement.

【0015】[0015]

【発明の開示】しかして、本発明の目的とするところ
は、品種間による顕微鏡像の見え方の違いや、顕微鏡の
機差による像の明るさの違いなどに影響されること無
く、光学基板のスタック厚を正確に測定できるようにす
ることにある。
DISCLOSURE OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an optical substrate without being affected by differences in the appearance of a microscope image between varieties and differences in image brightness due to differences in microscopes. The purpose of the present invention is to make it possible to accurately measure the stack thickness.

【0016】本発明による光学基板は、第1の基材の上
方に光学パターンを備えた光学素子アレイ層を形成し、
当該光学素子アレイ層の上方に少なくとも該光学パター
ンの上方領域を平坦化する封止樹脂層を積層し、当該封
止樹脂層の上方に第2の基材を積層した光学基板におい
て、前記光学パターンのエッジを含む平面内で、かつ前
記光学パターン形成領域外に、前記第2の基材の表面か
ら認識可能な面状のマークを設けたものである。ここ
で、光学パターンとしは、レンズアレイであってもよ
く、プリズムアレイであってもよい。
In the optical substrate according to the present invention, an optical element array layer having an optical pattern is formed above the first base material,
In an optical substrate, a sealing resin layer for flattening at least an upper region of the optical pattern is laminated above the optical element array layer, and a second base material is laminated above the sealing resin layer. A planar mark recognizable from the surface of the second base material is provided in a plane including an edge of the second base material and outside the optical pattern formation region. Here, the optical pattern may be a lens array or a prism array.

【0017】本発明の光学基板にあっては、例えば測長
顕微鏡等の光学機器の焦点を前記マークに合わせること
によって光学パターンのエッジにも焦点を合わせること
ができる。しかも、このマークは面で形成されているた
め、光学パターンのエッジに焦点を合せる場合と比較す
ると、焦点があっているかどうかの検出が容易であっ
て、光学パターンの検出精度を高くすることができる。
よって、本発明によれば、光学基板のスタック厚を正確
に検出することができる。
In the optical substrate of the present invention, the edge of the optical pattern can be also focused by focusing an optical device such as a length measuring microscope on the mark. In addition, since this mark is formed on the surface, it is easier to detect whether or not the optical pattern is in focus as compared with a case where the edge of the optical pattern is focused, and the detection accuracy of the optical pattern can be increased. it can.
Therefore, according to the present invention, the stack thickness of the optical substrate can be accurately detected.

【0018】また、本発明の光学基板によれば、直接光
学パターンのエッジを計測するのでなく、エッジと同じ
高さにあるマークを検出するので、光学基板の品種が変
わってもマークの像が同一の見え方となるようにするこ
とができ、測定に熟練を必要としなくなり、測定のばら
つきが小さくなる。
According to the optical substrate of the present invention, a mark at the same height as the edge is detected instead of directly measuring the edge of the optical pattern. The same appearance can be obtained, so that skill is not required for the measurement, and the dispersion of the measurement is reduced.

【0019】本発明の一実施形態による光学基板におい
ては、前記マークは、光学素子アレイ層の表面に設けら
れた凸状もしくは凹状の平面によって構成されていても
よい。
In the optical substrate according to one embodiment of the present invention, the mark may be formed by a convex or concave plane provided on the surface of the optical element array layer.

【0020】また、本発明の別な実施形態による光学基
板においては、前記マークが、光学素子アレイ層の表面
に設けられた凸状もしくは凹状の平面によって構成さ
れ、該マークの縁に角が形成されたものでもよい。ここ
で角が形成されているとは、マークの縁にアールが施さ
れていないことを意味する。凸状又は凹状の平面によっ
て形成されたマークの縁にアールが施されていると、マ
ークの境界がはっきりしなくなるが、この実施形態のよ
うにマークの縁に角を形成することによりマークの境界
をくっきりと際立たせることができ、マークの認識性を
より向上させることができる。
In the optical substrate according to another embodiment of the present invention, the mark is constituted by a convex or concave plane provided on the surface of the optical element array layer, and a corner is formed at an edge of the mark. It may be done. Here, that the corner is formed means that the edge of the mark is not rounded. When the edge of the mark formed by the convex or concave plane is rounded, the boundary of the mark becomes unclear, but as in this embodiment, the corner of the mark is formed by forming a corner at the edge of the mark. Can be clearly distinguished, and the recognizability of the mark can be further improved.

【0021】また、本発明のさらに別な実施形態によれ
ば、前記マークは、光学素子アレイ層の表面に設けられ
た凸状もしくは凹状の平面によって構成され、該マーク
に隣接して設けられた凹部もしくは凸部は曲面によって
形成されている。この実施形態のように、マークと隣接
する凹部もしくは凸部を曲面によって形成してあれば、
マークをはっきりさせることができ、マークの認識性を
より向上させることができる。
According to still another embodiment of the present invention, the mark is constituted by a convex or concave flat surface provided on the surface of the optical element array layer, and is provided adjacent to the mark. The concave portion or the convex portion is formed by a curved surface. As in this embodiment, if the concave portion or convex portion adjacent to the mark is formed by a curved surface,
The mark can be clarified, and the recognizability of the mark can be further improved.

【0022】本発明のさらに別な実施形態によれば、前
記マークを格子状もしくはストライプ状に形成している
ので、マークを見つけ易くすることができ、光学基板の
スタック厚の測定を容易にすることができる。
According to still another embodiment of the present invention, since the marks are formed in a grid or a stripe, the marks can be easily found and the measurement of the stack thickness of the optical substrate can be facilitated. be able to.

【0023】また、本発明の別な光学基板は、第1の基
材の上方に光学パターンを備えた光学素子アレイ層を形
成し、当該光学素子アレイ層の上方に少なくとも該光学
パターンの上方領域を平坦化する封止樹脂層を積層し、
当該封止樹脂層の上方に第2の基材を積層した光学基板
において、前記光学パターンの主点を含む平面内で、か
つ前記光学パターン形成領域外に、前記第2の基材の表
面から認識可能なマークを設けている。
In another optical substrate of the present invention, an optical element array layer having an optical pattern is formed above a first base material, and at least an area above the optical pattern is formed above the optical element array layer. Laminate a sealing resin layer to flatten the
In the optical substrate in which the second base material is laminated above the sealing resin layer, in the plane including the main point of the optical pattern, and outside the optical pattern formation region, from the surface of the second base material A recognizable mark is provided.

【0024】本発明の別な光学基板にあっては、例えば
測長顕微鏡等の光学機器の焦点を前記マークに合わせる
ことによって光学パターンの主点に容易に焦点を合わせ
ることができ、光学パターンの主点の検出精度を高くす
ることができる。よって、本発明によれば、光学基板の
スタック厚を正確に検出することができる。
According to another optical substrate of the present invention, the main point of the optical pattern can be easily focused by focusing an optical device such as a length measuring microscope on the mark. The detection accuracy of the principal point can be increased. Therefore, according to the present invention, the stack thickness of the optical substrate can be accurately detected.

【0025】また、本発明の光学基板によれば、直接光
学パターンの主点を計測するのでなく、主点と同じ高さ
にあるマークを検出するので、光学基板の品種が変わっ
てもマークの像が同一の見え方となるようにすることが
でき、測定に熟練を必要としなくなり、測定のばらつき
が小さくなる。
Further, according to the optical substrate of the present invention, the mark at the same height as the principal point is detected instead of directly measuring the principal point of the optical pattern. The images can be made to have the same appearance, the skill does not need to be measured, and the dispersion of the measurements is reduced.

【0026】ここでは、この発明の構成要素を個々に説
明したが、この発明の以上説明した構成要素は、可能な
限り任意に組み合わせることができる。
Although the components of the present invention have been described individually here, the components described above of the present invention can be combined as arbitrarily as possible.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
マイクロレンズアレイ基板の製造工程を図9(a)〜
(d)、図10(e)〜(g)、図11、図12及び図
13により説明する。マイクロレンズアレイ基板の製造
にあたっては、図9(a)に示すように、マイクロレン
ズアレイ基板の複数枚分の大きさを有する透明なベース
ガラス51の上に未硬化の紫外線硬化型樹脂52を滴下
し、ベースガラス51の上方からスタンパ(型)53を
下降させてスタンパ53とベースガラス51の間に紫外
線硬化型樹脂(以下、レンズ樹脂層という)52を挟み
込み、スタンパ53をベースガラス51に押圧させてレ
ンズ樹脂層52をスタンパ53とベースガラス51の間
に押し広げる。このスタンパ53の下面には、マイクロ
レンズアレイパターンの反転型54とスタック厚の測定
用マークの反転型55とが形成されている。ついで、図
9(b)に示すように、ベースガラス1を通してレンズ
樹脂層52に紫外線を照射し、レンズ樹脂層52を硬化
させる。スタンパ53を剥離させると、図9(c)のよ
うに、硬化したレンズ樹脂層53の上面にマイクロレン
ズアレイパターン56が形成され、同時にマイクロレン
ズアレイパターン56の領域外においてレンズ樹脂層5
2の表面に測定用マーク57が形成される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a manufacturing process of a microlens array substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
(D), FIGS. 10 (e) to (g), FIGS. 11, 12 and 13. In manufacturing the microlens array substrate, as shown in FIG. 9A, an uncured ultraviolet curable resin 52 is dropped on a transparent base glass 51 having a size corresponding to a plurality of microlens array substrates. Then, the stamper (mold) 53 is lowered from above the base glass 51 to sandwich an ultraviolet curable resin (hereinafter, referred to as a lens resin layer) 52 between the stamper 53 and the base glass 51, and presses the stamper 53 against the base glass 51. Then, the lens resin layer 52 is spread between the stamper 53 and the base glass 51. On the lower surface of the stamper 53, an inversion mold 54 of a microlens array pattern and an inversion mold 55 of a stack thickness measurement mark are formed. Next, as shown in FIG. 9B, the lens resin layer 52 is irradiated with ultraviolet rays through the base glass 1 to cure the lens resin layer 52. When the stamper 53 is peeled off, a micro lens array pattern 56 is formed on the upper surface of the cured lens resin layer 53 as shown in FIG.
The measurement mark 57 is formed on the surface of No. 2.

【0028】さらに、図9(d)のように、このレンズ
樹脂層52の上に、当該レンズ樹脂層52と屈折率の異
なる未硬化の紫外線硬化型樹脂58を滴下し、紫外線硬
化型樹脂58の上方からカバーガラス59を下降させて
下層のレンズ樹脂層52とカバーガラス59の間に未硬
化の紫外線硬化型樹脂(以下、封止樹脂層という)58
を挟み込み、カバーガラス59を封止樹脂層58に押圧
させて封止樹脂層58を下層のレンズ樹脂層52とカバ
ーガラス59の間に押し広げる。ついで、図10(e)
に示すように、ベースガラス51及びレンズ樹脂層52
を通して封止樹脂層58に紫外線を照射し、封止樹脂層
58を硬化させる。この結果、図11に示すような複数
枚分のマイクロレンズアレイ基板61を含んだマイクロ
レンズアレイウエハ(以下、MLAウエハという)60
が製作され、屈折率の異なるレンズ樹脂層52と封止樹
脂層58の界面にマイクロレンズアレイパターン56が
形成される。
Further, as shown in FIG. 9D, an uncured UV-curable resin 58 having a different refractive index from that of the lens resin layer 52 is dropped onto the lens resin layer 52, The cover glass 59 is lowered from above, and an uncured ultraviolet-curable resin (hereinafter, referred to as a sealing resin layer) 58 is provided between the lower lens resin layer 52 and the cover glass 59.
The cover glass 59 is pressed against the sealing resin layer 58 to spread the sealing resin layer 58 between the lower lens resin layer 52 and the cover glass 59. Next, FIG.
As shown in the figure, the base glass 51 and the lens resin layer 52
The sealing resin layer 58 is irradiated with ultraviolet rays through the through-hole to cure the sealing resin layer 58. As a result, a microlens array wafer (hereinafter, referred to as an MLA wafer) 60 including a plurality of microlens array substrates 61 as shown in FIG.
Is manufactured, and a microlens array pattern 56 is formed at the interface between the lens resin layer 52 and the sealing resin layer 58 having different refractive indexes.

【0029】スタック厚の測定用マーク57は、図12
及び図13に示すように、マイクロレンズアレイパター
ン56の領域外において凸部65の上面に形成されてお
り、マイクロレンズアレイパターン56のレンズエッジ
63を含む平面64と同一平面内(同一高さ)に位置さ
せられている。また、測長顕微鏡でくっきりと見えるよ
う、測定用マーク57は平面ないし粗平面で構成されて
おり、測長顕微鏡で見つけやすいよう、測定用マーク5
7はストライプ状のものを複数本並べて構成されてい
る。さらに、測定用マーク57を設けてある凸部65の
縁はアールを付けないで断面略90度の角を形成し、凸
部65間の凹部66を断面円弧状の曲面溝によって形成
してあり、測長顕微鏡によって測定用マーク57の境界
がくっきりと見える工夫をこらしている。なお、測定用
マーク57は、図17に示すように凸部65上面に設け
られた格子状の平面によって形成されていてもよい。
The stack thickness measuring mark 57 is shown in FIG.
As shown in FIG. 13 and outside the region of the microlens array pattern 56, it is formed on the upper surface of the convex portion 65 and is in the same plane (same height) as the plane 64 including the lens edge 63 of the microlens array pattern 56. It is located in. The measurement mark 57 is formed of a flat or rough plane so that it can be clearly seen with a length measuring microscope.
Reference numeral 7 denotes a structure in which a plurality of stripes are arranged. Further, the edge of the convex portion 65 on which the measurement mark 57 is provided has an angle of approximately 90 degrees in cross section without being rounded, and the concave portion 66 between the convex portions 65 is formed by a curved groove having an arc-shaped cross section. In addition, the boundary of the measurement mark 57 is clearly seen by the length measuring microscope. Note that the measurement mark 57 may be formed by a grid-like plane provided on the upper surface of the projection 65 as shown in FIG.

【0030】MLAウエハ60が製作されると、測長顕
微鏡を用いてスタック厚を測定しながら、図10(f)
のように研磨装置67によりベースガラス51の下面と
カバーガラス59の上面を研磨し、表面を平滑にすると
共にマイクロレンズアレイ基板61のスタック厚が所望
の最適値となるように調整する。
When the MLA wafer 60 is manufactured, the stack thickness is measured using a length-measuring microscope, while FIG.
As described above, the lower surface of the base glass 51 and the upper surface of the cover glass 59 are polished by the polishing device 67 to make the surface smooth and adjust the stack thickness of the microlens array substrate 61 to a desired optimum value.

【0031】このスタック厚の測定時には、直接レンズ
エッジを測定するのでなく、例えば同軸落射光によって
MLAウエハの表面に測長顕微鏡の焦点を合わせると共
に透過光によって測定用マークに測長顕微鏡の焦点を合
わせ、その焦点位置間の距離からスタック厚を測定す
る。このとき、測定用マークはストライプ状平面(もし
くは、格子状平面)となっているので、測長顕微鏡の焦
点を容易に合わせることができ、しかも縁を略90度の
角にしたり、凹部を曲面で形成したりして測定用マーク
をくっきりと認識できるようにしているので、正確に測
定用マークに焦点を合わせることができ、スタック厚を
正確に測定することができる。また、レンズエッジに直
接焦点を合わせるのでなく、レンズエッジと同じ高さに
設けた測定用マーク57に焦点を合わせるようにしてい
るので、マイクロレンズアレイパターンの形状が異なっ
ても熟練を要することなく、容易にスタック厚を測定す
ることが可能になる。
When measuring the stack thickness, instead of directly measuring the lens edge, for example, the surface of the MLA wafer is focused on the surface of the MLA wafer by coaxial incident light, and the focus of the length measuring microscope is focused on the measurement mark by transmitted light. Then, the stack thickness is measured from the distance between the focal positions. At this time, since the measurement mark has a stripe-shaped plane (or a lattice-shaped plane), the focus of the length-measuring microscope can be easily adjusted, and the edge has an angle of approximately 90 degrees, and the concave portion has a curved surface. In this case, the measurement mark can be clearly recognized, and the focus can be accurately focused on the measurement mark, and the stack thickness can be accurately measured. Further, since the focus is not directly focused on the lens edge but on the measurement mark 57 provided at the same height as the lens edge, even if the shape of the microlens array pattern is different, skill is not required. Thus, the stack thickness can be easily measured.

【0032】この後、図10(g)に示すように、カバ
ーガラス58の上面に蒸着法によって透明電極(ITO
膜)68を形成する。ついで、図11に示すように、ア
ライメントマークによってMLAウエハ60を位置決め
した後、MLAウエハ60をカットして個々のマイクロ
レンズアレイ基板61を得る。
Thereafter, as shown in FIG. 10 (g), a transparent electrode (ITO) was formed on the upper surface of the cover glass 58 by vapor deposition.
A film 68 is formed. Next, as shown in FIG. 11, after positioning the MLA wafer 60 by the alignment mark, the MLA wafer 60 is cut to obtain individual microlens array substrates 61.

【0033】次に、上記スタンパ53の製造方法を図1
4を参照しながら説明する。まず、図14(a)に示す
ような平板状のガラス板71を用意し、図15に示すよ
うにガラス板71の表面に、結像レンズ72で集光させ
たレーザー光を照射し、レーザー加工(レーザーリトグ
ラフィ)により2点鎖線で示す形状にガラス板71を蒸
発除去し、ガラス板71の表面に所望の凹凸パターン7
3、74を形成する[図14(b)]。ここで、凹凸パ
ターン73は、マイクロレンズアレイパターン56と同
一形状であり、凹凸パターン74は測定用マークを形成
するための凸部65及び凹部66に対応するものであ
る。これらの凹凸パターン73、74を形成する際に
は、まずガラス基板71の表面にマイクロレンズアレイ
パターン56に対応する凹凸パターン73を形成する。
そのとき凹凸パターン73以外の領域では、凹凸パター
ン73のエッジと同じ高さとなるようにして基準面(平
面)を形成しておく。そして、この基準面に凹部を加工
することによって測定マークを形成するための凸部65
及び凹部66に対応する凹凸パターン74を形成する
と、凹凸パターン74の凸部上面(測定用マークに対応
する平面)が凹凸パターン73のエッジと同じ高さに形
成される。なお、前記レーザー加工は、コンピュータに
より制御されているレーザー加工装置を用いて行なうも
のであり、精密かつ複雑な形状であってもその形状デー
タを入力しておけば、容易に加工することができる。
Next, a method of manufacturing the stamper 53 will be described with reference to FIG.
4 will be described. First, a flat glass plate 71 as shown in FIG. 14A is prepared, and the surface of the glass plate 71 is irradiated with laser light focused by the imaging lens 72 as shown in FIG. The glass plate 71 is evaporated and removed by processing (laser lithography) into a shape shown by a two-dot chain line, and a desired uneven pattern 7 is formed on the surface of the glass plate 71.
3, 74 are formed [FIG. 14 (b)]. Here, the concavo-convex pattern 73 has the same shape as the microlens array pattern 56, and the concavo-convex pattern 74 corresponds to the convex portion 65 and the concave portion 66 for forming a measurement mark. When forming these concavo-convex patterns 73 and 74, first, a concavo-convex pattern 73 corresponding to the microlens array pattern 56 is formed on the surface of the glass substrate 71.
At this time, in a region other than the concave / convex pattern 73, a reference plane (plane) is formed so as to have the same height as the edge of the concave / convex pattern 73. Then, a convex portion 65 for forming a measurement mark by processing a concave portion on this reference surface.
When the concave / convex pattern 74 corresponding to the concave / convex portion 66 is formed, the upper surface of the convex portion of the concave / convex pattern 74 (the plane corresponding to the measurement mark) is formed at the same height as the edge of the concave / convex pattern 73. Note that the laser processing is performed using a laser processing apparatus controlled by a computer, and even if it is a precise and complicated shape, it can be easily processed by inputting its shape data. .

【0034】このように、ガラス基板71の表面に凹凸
パターン73、74を形成してガラス基板71からなる
原盤を作製した後、その上にニッケルを堆積させ、ニッ
ケル電鋳法により原盤の反転型である第1のニッケルマ
スタ75を作製し[図14(c)]、ニッケルマスタ7
5をガラス板71から剥離する[図14(d)]。ニッ
ケル電鋳法によりニッケルマスタ75を作製する際に
は、その準備として原盤となるガラス板71を例えば蒸
着法あるいは無電解メッキ法で導電化しておき、導電化
されたガラス板71の表面を陰極とし、例えばスルファ
ミン酸ニッケル浴で電気メッキしてニッケルマスタ75
を作製する。このニッケルマスタ75には、ガラス板7
1の凹凸パターン73、74に対応して凹凸パターン7
6、77が形成される。
As described above, after forming the concave / convex patterns 73 and 74 on the surface of the glass substrate 71 to produce a master made of the glass substrate 71, nickel is deposited thereon, and the inverted master is formed by nickel electroforming. A first nickel master 75 is manufactured as shown in FIG.
5 is peeled from the glass plate 71 (FIG. 14D). When preparing the nickel master 75 by the nickel electroforming method, the glass plate 71 serving as the master is made conductive by, for example, a vapor deposition method or an electroless plating method, and the surface of the glass plate 71 that has been made conductive is prepared as a cathode. For example, electroplating in a nickel sulfamate bath to form a nickel master 75
Is prepared. The nickel master 75 has a glass plate 7
The uneven pattern 7 corresponding to the uneven patterns 73 and 74 of FIG.
6, 77 are formed.

【0035】この第1のニッケルマスタ75をさらにニ
ッケル電鋳法で複製して第2のニッケルマスタ78を形
成する[図14(e)]。この第2のニッケルマスタ7
8には、第1のニッケルマスタ75の凹凸パターン7
6、77に対応して凹凸パターン79、80が形成され
る。
The first nickel master 75 is further duplicated by nickel electroforming to form a second nickel master 78 (FIG. 14E). This second nickel master 7
8 shows the uneven pattern 7 of the first nickel master 75.
Concavo-convex patterns 79, 80 are formed corresponding to 6, 77, respectively.

【0036】さらに、この第2のニッケルマスタ78を
さらにニッケル電鋳法で複製したものをスタンパ53と
する。第2のニッケルマスタ78を複製する場合には、
ニッケルマスタ78の表面に例えば重クロム酸カリ溶液
で酸化膜を作った後、再びニッケル電鋳法によりスタン
パ53を作製する[図14(f)]。こうして、スタン
パ53には、第2のニッケルマスタ78の凹凸パターン
79、80に対応してマイクロレンズアレイパターン5
6の反転型54とスタック厚の測定用マーク57の反転
型55が形成される。従って、こうして作製されたスタ
ンパ53でも、反転型54のエッジ(谷エッジ)と反転
型55の凹部平面とが同一高さに形成されることにな
る。
The second nickel master 78 is further duplicated by a nickel electroforming method to form a stamper 53. When duplicating the second nickel master 78,
After an oxide film is formed on the surface of the nickel master 78 using, for example, a potassium dichromate solution, the stamper 53 is again manufactured by nickel electroforming [FIG. 14 (f)]. Thus, the micro lens array pattern 5 corresponding to the concave and convex patterns 79 and 80 of the second nickel master 78 is provided on the stamper 53.
6 and an inversion mold 55 of a stack thickness measurement mark 57 are formed. Therefore, also in the stamper 53 thus manufactured, the edge (valley edge) of the inversion mold 54 and the concave plane of the inversion mold 55 are formed at the same height.

【0037】また、スタンパ53を作製する別な方法と
しては、図16(a)〜(f)に示すように、ガラス基
板71の表面に塗布されたレジスト81をレーザー加工
することによって原盤を作製してもよい。レジスト81
を使用する場合には、ガラス基板71とレジスト81の
密着剤として、例えばシランカップリング剤をガラス基
板71の表面に塗布しておき、レーザー加工した後、露
光、現像及び洗浄の工程を経て、レジスト81による所
望の凹凸パターン73、74がガラス基板71の表面に
形成される[図16(a)(b)]。レーザー加工は、
図3と同様に行なわれ、所望の凹凸パターン73、74
が形成される。この後の処理は、図14(c)以下と同
様に行う[図16(c)〜(f)]。
As another method of manufacturing the stamper 53, as shown in FIGS. 16A to 16F, a master 81 is manufactured by laser processing a resist 81 applied to the surface of a glass substrate 71. May be. Resist 81
When is used, as a bonding agent between the glass substrate 71 and the resist 81, for example, a silane coupling agent is applied to the surface of the glass substrate 71, and after laser processing, through exposure, development and cleaning steps, Desired concave and convex patterns 73 and 74 are formed on the surface of the glass substrate 71 by the resist 81 [FIGS. 16A and 16B]. Laser processing is
This is performed in the same manner as in FIG.
Is formed. Subsequent processing is performed in the same manner as in FIG. 14C and thereafter [FIGS. 16C to 16F].

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明の光学基板によれば、スタック厚
を正確に測定することができる。また、光学基板の品種
の違いによらず、同じ間隔でスタック厚を測定すること
ができ、熟練を要することなく安定にスタック厚測定を
行うことができる。
According to the optical substrate of the present invention, the stack thickness can be accurately measured. Further, the stack thickness can be measured at the same interval irrespective of the type of the optical substrate, and the stack thickness can be stably measured without skill.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は研磨前のマイクロレンズアレイ基板を
示す断面図、(b)はマイクロレンズアレイ基板の研磨
工程を示す断面図、(c)は透明電極を形成されたマイ
クロレンズアレイ基板を示す断面図である。
1A is a cross-sectional view showing a microlens array substrate before polishing, FIG. 1B is a cross-sectional view showing a polishing process of the microlens array substrate, and FIG. 1C is a microlens array substrate on which a transparent electrode is formed. FIG.

【図2】マイクロレンズアレイ基板の焦点距離とスタッ
ク厚を説明するための図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining a focal length and a stack thickness of a microlens array substrate.

【図3】マイクロレンズアレイ基板のスタック厚とレン
ズ効率との関係を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between stack thickness of a microlens array substrate and lens efficiency.

【図4】マイクロレンズアレイ基板のスタック厚測定方
法を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a method of measuring a stack thickness of a microlens array substrate.

【図5】マイクロレンズアレイパターンの形状を示す斜
視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing the shape of a microlens array pattern.

【図6】(a)はレンズエッジと焦点位置との関係を示
す図、(b)は(a)のLA位置に焦点を合わせたとき
のレンズエッジの像を示す図、(c)は(a)のLB位
置に焦点を合わせたときのレンズエッジの像を示す図、
(d)は(a)のLC位置に焦点を合わせたときのレン
ズエッジの像を示す図である。
6A is a diagram showing a relationship between a lens edge and a focal position, FIG. 6B is a diagram showing an image of the lens edge when focusing on the LA position in FIG. 6A, and FIG. FIG. 7A is a diagram showing an image of a lens edge when focusing on the LB position of FIG.
(D) is a diagram showing an image of a lens edge when focusing on the LC position of (a).

【図7】レンズエッジの像の変化を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a change in an image of a lens edge.

【図8】(a)は比較的浅いマイクロレンズアレイパタ
ーンを示す図、(b)は(a)のLD位置に焦点を合わ
せたときのレンズエッジの像を示す図、(c)は比較的
深いマイクロレンズアレイパターンを示す図、(d)は
(c)のLE位置に焦点を合わせたときのレンズエッジ
の像を示す図である。
8A is a diagram showing a relatively shallow microlens array pattern, FIG. 8B is a diagram showing an image of a lens edge when focusing on an LD position in FIG. 8A, and FIG. FIG. 4D is a diagram showing a deep microlens array pattern, and FIG. 4D is a diagram showing an image of a lens edge when focusing on the LE position in FIG.

【図9】(a)〜(d)は本発明の一実施形態によるマ
イクロレンズアレイ基板(MLAウエハ)の製造工程を
示す断面図である。
FIGS. 9A to 9D are cross-sectional views illustrating steps of manufacturing a microlens array substrate (MLA wafer) according to an embodiment of the present invention.

【図10】(e)〜(g)は図9の続図である。10 (e) to (g) are continuation diagrams of FIG. 9;

【図11】同上の製造工程において製作されたMLAウ
エハの平面図である。
FIG. 11 is a plan view of an MLA wafer manufactured in the above manufacturing process.

【図12】マイクロレンズアレイパターンと測定用マー
クとの関係を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a relationship between a microlens array pattern and a measurement mark.

【図13】測定マークの一部破断した斜視図である。FIG. 13 is a partially broken perspective view of a measurement mark.

【図14】(a)〜(f)はスタンパの製造工程を示す
断面図である。
FIGS. 14A to 14F are cross-sectional views showing steps of manufacturing a stamper.

【図15】ガラス板のレーザー加工工程を説明する図で
ある。
FIG. 15 is a diagram illustrating a laser processing step of a glass plate.

【図16】(a)〜(f)はスタンパの別な製造工程を
示す断面図
16 (a) to (f) are cross-sectional views showing another stamper manufacturing process.

【図17】異なる測定マークの一部破断した斜視図であ
る。
FIG. 17 is a partially broken perspective view of a different measurement mark.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

51 ベースガラス 52 レンズ樹脂層 56 マクロレンズアレイパターン 57 測定用マーク 58 封止樹脂層 59 カバーガラス 63 マイクロレンズアレイパターンのレンズエッ
Reference Signs List 51 base glass 52 lens resin layer 56 macro lens array pattern 57 measurement mark 58 sealing resin layer 59 cover glass 63 lens edge of micro lens array pattern

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松下 智彦 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Tomohiko Matsushita Omron Co., Ltd. 10 Hanazono Todocho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の基材の上方に光学パターンを備え
た光学素子アレイ層を形成し、当該光学素子アレイ層の
上方に少なくとも該光学パターンの上方領域を平坦化す
る封止樹脂層を積層し、当該封止樹脂層の上方に第2の
基材を積層した光学基板において、 前記光学パターンのエッジを含む平面内で、かつ前記光
学パターン形成領域外に、前記第2の基材の表面から認
識可能な面状のマークを設けたことを特徴とする光学基
板。
An optical element array layer having an optical pattern is formed above a first base material, and a sealing resin layer for flattening at least a region above the optical pattern is formed above the optical element array layer. In the optical substrate in which the second base material is laminated and the second base material is laminated above the sealing resin layer, in the plane including the edge of the optical pattern, and outside the optical pattern formation region, the second base material An optical substrate having a planar mark recognizable from a surface.
【請求項2】 前記マークは、光学素子アレイ層の表面
に設けられた凸状もしくは凹状の平面によって構成さ
れ、該マークの縁には角が形成されていることを特徴と
する、請求項1に記載の光学基板。
2. The mark according to claim 1, wherein the mark is formed by a convex or concave plane provided on a surface of the optical element array layer, and a corner is formed at an edge of the mark. An optical substrate according to item 1.
【請求項3】 前記マークは、光学素子アレイ層の表面
に設けられた凸状もしくは凹状の平面によって構成さ
れ、該マークに隣接して設けられた凹部もしくは凸部は
曲面によって構成されていることを特徴とする、請求項
1に記載の光学基板。
3. The mark is constituted by a convex or concave flat surface provided on the surface of the optical element array layer, and the concave or convex portion provided adjacent to the mark is constituted by a curved surface. The optical substrate according to claim 1, wherein:
【請求項4】 前記マークは、格子状に形成されている
ことを特徴とする、請求項1に記載の光学基板。
4. The optical substrate according to claim 1, wherein the marks are formed in a lattice.
【請求項5】 前記マークは、ストライプ状に形成され
ていることを特徴とする、請求項1に記載の光学基板。
5. The optical substrate according to claim 1, wherein the mark is formed in a stripe shape.
【請求項6】 第1の基材の上方に光学パターンを備え
た光学素子アレイ層を形成し、当該光学素子アレイ層の
上方に少なくとも該光学パターンの上方領域を平坦化す
る封止樹脂層を積層し、当該封止樹脂層の上方に第2の
基材を積層した光学基板において、 前記光学パターンの主点を含む平面内で、かつ前記光学
パターン形成領域外に、前記第2の基材の表面から認識
可能なマークを設けたことを特徴とする光学基板。
6. An optical element array layer having an optical pattern is formed above a first base material, and a sealing resin layer for flattening at least an area above the optical pattern is formed above the optical element array layer. In the optical substrate in which the second base material is laminated and the second base material is laminated above the sealing resin layer, the second base material is provided in a plane including a main point of the optical pattern and outside the optical pattern formation region. An optical substrate provided with a mark recognizable from the surface of the optical substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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