JP2001192535A - Resin composition for sealing and sealed semiconductor device - Google Patents

Resin composition for sealing and sealed semiconductor device

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JP2001192535A
JP2001192535A JP2000002224A JP2000002224A JP2001192535A JP 2001192535 A JP2001192535 A JP 2001192535A JP 2000002224 A JP2000002224 A JP 2000002224A JP 2000002224 A JP2000002224 A JP 2000002224A JP 2001192535 A JP2001192535 A JP 2001192535A
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sealing
weight
resin composition
resin
magnesium carbonate
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JP2000002224A
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Masaru Doi
優 土井
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Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
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Publication date
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition for sealing which does not contain a halogen (chlorine, bromine) compound and antimony oxide and is excellent in flame retardance, moldability (continuous productivity), moisture resistance, and reliability and a semiconductor device sealed therewith. SOLUTION: This resin composition essentially comprises (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin, a flame-retardant combination of (C) a phosphazene compound with (D) a basic magnesium carbonate, and (E) an inorganic filler provided the composition contains 0.1-5 wt.%, preferably 0.5-2 wt.%, phosphazene compound, 1-10 wt.% basic magnesium carbonate, and 40-95 wt.% inorganic filler. A semiconductor chip is sealed with the composition, and the composition is cured to give a sealed semiconductor device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ハロゲン(塩素、
臭素)化合物および金属酸化物を添加することなしに優
れた難燃性を有し、また、成形性、耐湿性および信頼性
に優れた封止用樹脂組成物および半導体封止装置に関す
る。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a halogen (chlorine,
The present invention relates to an encapsulating resin composition and a semiconductor encapsulation device having excellent flame retardancy without adding a bromine) compound and a metal oxide, and having excellent moldability, moisture resistance and reliability.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置では、その封止樹脂に難燃性
をもたせることが一般的であり、難燃の処方として、ハ
ロゲン(塩素、臭素)化合物および金属酸化物を単独も
しくは併用することで難燃効果を現している。具体的に
は、臭素化エポキシ樹脂と三酸化アンチモンの組合せが
一般的である。しかし、封止用樹脂組成物の難燃効果を
現すために添加されるハロゲン(塩素、臭素)化合物、
特に臭素化エポキシ樹脂およびその難燃効果を助けるた
めに添加されている金属酸化物、特に三酸化アンチモン
は、半導体装置の信頼性を低下させるという欠点があっ
た。そればかりか、最近では環境への悪影響も指摘され
始めている。
2. Description of the Related Art In semiconductor devices, it is common to provide a sealing resin with flame retardancy. As a flame retardant formulation, a halogen (chlorine, bromine) compound and a metal oxide are used alone or in combination. Shows the flame retardant effect. Specifically, a combination of a brominated epoxy resin and antimony trioxide is generally used. However, halogen (chlorine, bromine) compounds added to exhibit the flame retardant effect of the sealing resin composition,
In particular, brominated epoxy resins and metal oxides, particularly antimony trioxide, added to assist the flame-retardant effect have the drawback of lowering the reliability of semiconductor devices. Not only that, but the negative effects on the environment have recently been pointed out.

【0003】このため、成形性、耐湿性、信頼性に優れ
た、ハロゲン(塩素、臭素)化合物および金属酸化物を
含有しない封止用の樹脂組成物の開発が強く要望されて
おり、その代替材として、リン系難燃剤の検討が広く進
められている。しかし、リン系難燃剤の多くはリン酸エ
ステル系のものが多く、難燃効果が得られても、加水分
解によって発生するリン酸が、半導体封止装置の耐湿信
頼性を低下させる原因となって、十分な信頼性を確保す
ることができないという欠点があった。このため、成形
性、耐湿性および信頼性に優れたハロゲン(塩素、臭
素)化合物および酸化アンチモンを含有しない封止用樹
脂組成物の開発が強く要望されてきた。
For this reason, there has been a strong demand for the development of a sealing resin composition which is excellent in moldability, moisture resistance and reliability and does not contain a halogen (chlorine, bromine) compound and metal oxide. As a material, studies on phosphorus-based flame retardants have been widely promoted. However, many phosphorus-based flame retardants are phosphoric acid ester-based, and even if a flame-retardant effect is obtained, phosphoric acid generated by hydrolysis causes a decrease in the moisture resistance reliability of the semiconductor sealing device. Therefore, there is a disadvantage that sufficient reliability cannot be ensured. For this reason, there has been a strong demand for the development of a sealing resin composition containing no halogen (chlorine, bromine) compound and antimony oxide having excellent moldability, moisture resistance and reliability.

【0004】また、本発明で使用するホスファゼン化合
物も反応系のものを除けば反応に関与しない有機物であ
るため、成形封止の連続生産性等に問題が生じ、添加量
が制限されるという問題があり、封止樹脂組成物に単独
で難燃効果を与えるには、無機充填剤の含有量がある程
度以上必要になるため、封止樹脂組成物全般に使用でき
ないのが現状であった。
Also, the phosphazene compound used in the present invention is an organic substance which does not participate in the reaction except for the reaction system, which causes a problem in continuous productivity of molding and sealing, and the amount of addition is limited. In order to provide the sealing resin composition with the flame retardant effect alone, the content of the inorganic filler must be more than a certain level, so that at present, it cannot be used for the entire sealing resin composition.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点を
解消し、上記要望に応えるためになされたもので、ハロ
ゲン(塩素、臭素)化合物および酸化アンチモンを含有
しないで、新規なリン−窒素系難燃剤と塩基性炭酸マグ
ネシウムの適当な組合せの配合により、十分な難燃性を
付与しつつ、成形性(連続生産性)、耐湿性および信頼
性のよい、封止用樹脂組成物および半導体封止装置を提
供しようとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned drawbacks and to meet the above-mentioned demands, and is intended to provide a novel phosphorus-nitrogen containing no halogen (chlorine, bromine) compound and antimony oxide. Molding resin composition and semiconductor with good moldability (continuous productivity), moisture resistance and reliability, while imparting sufficient flame retardancy by blending a suitable combination of a series flame retardant and basic magnesium carbonate It is intended to provide a sealing device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物に、
ホスファゼン化合物と塩基性炭酸マグネシウムとを適当
に組合せるという新規な配合によって、十分な難燃性、
成形性(連続生産性)とともに耐湿性と信頼性が向上
し、上記目的が達成されることを見いだし、本発明を完
成させたものである。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result,
By the novel combination of appropriately combining the phosphazene compound and the basic magnesium carbonate, sufficient flame retardancy,
The present invention has been found to improve the moldability (continuous productivity), as well as the moisture resistance and reliability, and to achieve the above object, thereby completing the present invention.

【0007】即ち、本発明は、(A)エポキシ樹脂、
(B)フェノール樹脂、(C)ホスファゼン化合物、
(D)塩基性炭酸マグネシウムおよび(E)無機充填剤
を必須成分とし、樹脂組成物全体に対して、前記(C)
ホスファゼン化合物を0.1〜5重量%、前記(D)塩
基性炭酸マグネシウムを1〜10重量%、そして前記
(E)無機充填剤を40〜95重量%の割合でそれぞれ
含有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物であ
る。また、この封止用樹脂組成物の硬化物によって、半
導体チップを封止してなることを特徴とする半導体封止
装置である。
That is, the present invention provides (A) an epoxy resin,
(B) a phenolic resin, (C) a phosphazene compound,
(D) Basic magnesium carbonate and (E) an inorganic filler are essential components, and (C)
0.1 to 5% by weight of the phosphazene compound, 1 to 10% by weight of the basic magnesium carbonate (D), and 40 to 95% by weight of the inorganic filler (E). It is a resin composition for sealing. Further, there is provided a semiconductor sealing device wherein a semiconductor chip is sealed with a cured product of the sealing resin composition.

【0008】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0009】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2個有する化
合物である限り、分子構造および分子量など特に制限は
なく、一般に封止用材料として使用されるものを広く包
含することができる。例えば、ビフェニル型、ビスフェ
ノール型の芳香族系、またはシクロヘキサン誘導体等脂
肪族系のエポキシ樹脂、また、次の一般式で示されるよ
うなエポキシ樹脂が挙げられる。
The epoxy resin (A) used in the present invention is not particularly limited in molecular structure and molecular weight as long as it is a compound having at least two epoxy groups in its molecule, and is generally used as a sealing material. Can be widely encompassed. For example, an aromatic epoxy resin such as a biphenyl type or bisphenol type, or an aliphatic epoxy resin such as a cyclohexane derivative, or an epoxy resin represented by the following general formula may be used.

【0010】[0010]

【化1】 (但し、式中、R1 、R2 は水素原子あるいはアルキル
基を、nは1以上の整数をそれぞれ表す) これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは2種類以上混合
して用いることができる。
Embedded image (In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom or an alkyl group, and n represents an integer of 1 or more.) These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.

【0011】本発明に用いる(B)フェノール樹脂とし
ては、前記(A)のエポキシ樹脂と反応し得るフェノー
ル性水酸基を2個以上有するものであれば、特に制限す
るものではない。具体的なものとしては、例えば、次の
各式に示されるものがある。
The phenolic resin (B) used in the present invention is not particularly limited as long as it has two or more phenolic hydroxyl groups capable of reacting with the epoxy resin (A). Specific examples include those shown in the following equations.

【0012】[0012]

【化2】 (但し、式中、R3 は水素原子あるいはアルキル基を、
nは0または1以上の整数をそれぞれ表す)
Embedded image (Wherein, R 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group,
n represents 0 or an integer of 1 or more, respectively.

【化3】 (但し、式中、nは0または1以上の整数を表す)等が
挙げられ、これらの樹脂は、単独もしくは2種類以上混
合して用いることができる。
Embedded image (Wherein, n represents 0 or an integer of 1 or more), and these resins can be used alone or in combination of two or more.

【0013】フェノール樹脂の配合割合は、前述したエ
ポキシ樹脂のエポキシ基(a)とフェノール樹脂のフェ
ノール性水酸基(b)との当量比(a)/(b)の値が
0.1〜10の範囲内であることが望ましい。当量比が
0.1未満あるいは10を超えると、耐湿性、耐熱性、
成形作業性および硬化物の電気特性が悪くなり、いずれ
の場合も好ましくない。従って上記の範囲内に限定する
のがよい。
The mixing ratio of the phenol resin is such that the value of the equivalent ratio (a) / (b) between the epoxy group (a) of the epoxy resin and the phenolic hydroxyl group (b) of the phenol resin is 0.1 to 10; It is desirable to be within the range. If the equivalent ratio is less than 0.1 or more than 10, moisture resistance, heat resistance,
The molding workability and the electrical properties of the cured product are deteriorated, and both cases are not preferred. Therefore, it is better to limit to the above range.

【0014】本発明に用いる(C)のホスファゼン化合
物は、次の構造式に示されるものである。
The phosphazene compound (C) used in the present invention is represented by the following structural formula.

【0015】[0015]

【化4】 (但し、式中、R3 は、アルコキシ基、フェノキシ基、
アミノ基、アリル基などの有機基を、またnは1以上の
整数を示す) これらホスファゼン化合物は、単独もしくは2種類以上
混合して用いることができる。ホスファゼン化合物の具
体的な化合物としては、例えば、
Embedded image (Where R 3 is an alkoxy group, a phenoxy group,
(An organic group such as an amino group or an allyl group, and n represents an integer of 1 or more) These phosphazene compounds can be used alone or in combination of two or more. Specific examples of the phosphazene compound include, for example,

【化5】 (但し、式中、nは3〜4の数を表す)Embedded image (Where n represents a number of 3 to 4)

【化6】 (但し、式中、nは3〜10の数を表す)が挙げられる
が、耐熱性の面から特に化5に示されるホスファゼン化
合物が好ましい。
Embedded image (Wherein, n represents a number of 3 to 10), and from the viewpoint of heat resistance, a phosphazene compound represented by Chemical Formula 5 is particularly preferable.

【0016】ホスファゼン化合物の配合割合は、全体の
樹脂組成物に対して0.1〜5重量%、好ましくは0.
5〜2重量%含有することが望ましい。この割合が0.
1重量%未満では、難燃性の効果が十分に得られず、ま
た5重量%を超えると封止樹脂の硬化物表面に滲み出す
ほか、硬化物の特性に悪影響を与え、実用に適さず好ま
しくない。
The compounding ratio of the phosphazene compound is 0.1 to 5% by weight, preferably 0.1 to 5% by weight, based on the whole resin composition.
It is desirable to contain 5 to 2% by weight. This ratio is 0.
If the amount is less than 1% by weight, the flame-retardant effect cannot be sufficiently obtained, and if it exceeds 5% by weight, it oozes out on the surface of the cured product of the sealing resin and adversely affects the properties of the cured product, which is not practical. Not preferred.

【0017】本発明に用いる(D)の塩基性炭酸マグネ
シウムは、次の一般式に示されるものである。
The basic magnesium carbonate (D) used in the present invention is represented by the following general formula.

【0018】[0018]

【化7】3MgCO3 Mg(OH)2 ・3H2 O その配合割合は、全体の樹脂組成物に対して1〜10重
量%含有することが望ましい。この割合が1重量%未満
では、難燃性の効果が十分に得られず、また、10重量
%を超えても封止樹脂の難燃効果が向上しないため上記
含有量が適当である。
## STR7 ## 3MgCO 3 Mg (OH) 2 .3H 2 O The compounding ratio is desirably 1 to 10% by weight based on the whole resin composition. If the proportion is less than 1% by weight, the flame retardant effect is not sufficiently obtained, and if it exceeds 10% by weight, the flame retardant effect of the sealing resin is not improved, so the above content is appropriate.

【0019】本発明に用いる(E)の無機充填剤として
は、シリカ粉末、アルミナ粉末、タルク、酸化チタンお
よびガラス繊維等が挙げられ、これらは、単独もしくは
2種類以上混合して用いることができる。これらのなか
でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末が好ましく、これら
はよく使用される。無機充填剤の配合割合は、全体の樹
脂組成物に対して40〜95重量%の割合で含有するこ
とが望ましい。その割合が40重量%未満では、耐熱
性、耐湿性、半田耐熱性、機械的特性および成形性が悪
くなり、また、95重量%を超えると、かさばりが大き
くなり成形性に劣り実用に適さない。
Examples of the inorganic filler (E) used in the present invention include silica powder, alumina powder, talc, titanium oxide and glass fiber, and these can be used alone or in combination of two or more. . Among these, silica powder and alumina powder are particularly preferable, and these are often used. The inorganic filler is desirably contained in a proportion of 40 to 95% by weight based on the whole resin composition. If the proportion is less than 40% by weight, heat resistance, moisture resistance, soldering heat resistance, mechanical properties and moldability deteriorate, and if it exceeds 95% by weight, the bulk becomes large and the moldability deteriorates, which is not suitable for practical use. .

【0020】本発明の封止用樹脂組成物は、前述したエ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ホスファゼン化合物、塩
基性炭酸マグネシウムおよび無機充填剤を主成分とする
が、本発明の目的に反しない限度において、また必要に
応じて、例えば、天然ワックス類、合成ワックス類、直
鎖脂肪族の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィ
ン系等の離型剤、エラストマー等の低応力化成分、カー
ボンブラック等の着色剤、シランカップリング剤等の無
機充填剤の処理剤、種々の硬化促進剤などを適宜、添加
配合することができる。
The encapsulating resin composition of the present invention contains the aforementioned epoxy resin, phenolic resin, phosphazene compound, basic magnesium carbonate and inorganic filler as main components. Further, if necessary, for example, natural waxes, synthetic waxes, linear aliphatic metal salts, acid amides, esters, paraffin-based release agents, elastomers and other low-stress components, carbon black, etc. , A treating agent for an inorganic filler such as a silane coupling agent, various curing accelerators, and the like can be appropriately added and blended.

【0021】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法としては、前述したエポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ホスファゼン化合物、塩基
性炭酸マグネシウム、無機充填剤、その他成分を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに
熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ等による混
合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉
砕して成形材料とすることができる。こうして得られた
成形材料は、半導体封止をはじめとする電子部品あるい
は電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、優れた
特性と信頼性を付与させることができる。
A general method for preparing the encapsulating resin composition of the present invention as a molding material includes the above-mentioned epoxy resin, phenol resin, phosphazene compound, basic magnesium carbonate, inorganic filler, and other components. After compounding and mixing sufficiently uniformly by a mixer or the like, a melt-mixing process using a hot roll or a mixing process using a kneader or the like is performed, and then the mixture is cooled and solidified, and pulverized to an appropriate size to obtain a molding material. . When the molding material thus obtained is applied to sealing, coating, insulating, etc. of electronic parts or electric parts including semiconductor sealing, excellent properties and reliability can be imparted.

【0022】本発明の半導体装置は、上記のようにして
得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止する
ことにより容易に製造することができる。封止の最も一
般的な方法としては、低圧トランスファー成形方がある
が、射出成形、圧縮成形および注型などによる封止も可
能である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化
させ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止され
た半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、15
0℃以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を
行う半導体装置としては、例えば、集積回路、大規模集
積回路、トランジスタ、サイリスタおよびダイオード等
で特に限定されるものではない。
The semiconductor device of the present invention can be easily manufactured by sealing a semiconductor chip using the sealing resin obtained as described above. The most common method of sealing is low pressure transfer molding, but sealing by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. The sealing resin composition is heated and cured at the time of sealing, and finally a semiconductor sealing device sealed with a cured product of this composition is obtained. Curing by heating is 15
Desirably, the composition is cured by heating to 0 ° C. or higher. The semiconductor device for sealing is not particularly limited to, for example, an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, and the like.

【0023】[0023]

【作用】本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装
置は、樹脂成分としてホスファゼン化合物と塩基性炭酸
マグネシウムを用いたことにより、目的とする特性が得
られるものである。即ち、ホスファゼン化合物と塩基性
炭酸マグネシウムを所定量組合せて配合することによ
り、十分な成形性を保ちながら、樹脂組成物の優れた難
燃性を付与し、その化合物の安定性から半導体装置にお
いて耐湿性および信頼性を向上させることができる。
The resin composition for sealing and the semiconductor sealing device of the present invention can obtain desired properties by using a phosphazene compound and a basic magnesium carbonate as resin components. That is, by combining a predetermined amount of the phosphazene compound and the basic magnesium carbonate, the resin composition is provided with excellent flame retardancy while maintaining sufficient moldability, and moisture resistance in a semiconductor device is obtained from the stability of the compound. Performance and reliability can be improved.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】次に、本発明を実施例によって具
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限
定されるものではない。以下の実施例および比較例にお
いて「%」とは「重量%」を意味する。
Next, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following Examples and Comparative Examples, “%” means “% by weight”.

【0025】実施例1 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
00)16%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量105)10%、前記の化5に示すホスファゼ
ン化合物2%、塩基性炭酸マグネシウム6%、溶融シリ
カ粉末65%およびエステル系ワックス類0.3%を配
合し常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれ
を冷却粉砕して成形材料を製造した。
Example 1 Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 2
00) 16%, 10% of novolak type phenol resin (phenol equivalent 105), 2% of phosphazene compound shown in Chemical formula 5, 6% of basic magnesium carbonate, 65% of fused silica powder, and 0.3% of ester wax Was mixed at room temperature, kneaded at 90 to 95 ° C., and cooled and pulverized to produce a molding material.

【0026】この成形材料を175℃に加熱した金型内
にトランスファー注入し、硬化させて成形品(封止品)
を成形した。この成形品について燃焼性および耐湿性、
連続生産性の試験を行った。その結果を表1に示す。
This molding material is transfer-injected into a mold heated to 175 ° C. and cured to form a molded product (sealed product).
Was molded. Flammability and moisture resistance of this molded product,
A continuous productivity test was performed. Table 1 shows the results.

【0027】実施例2 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
00)12%に、ノボラック型フェノールアラルキル樹
脂(フェノール当量175)12%、前記の化5に示す
ホスファゼン化合物1.5%、塩基性炭酸マグネシウム
5%、溶融シリカ粉末68.5%およびエステル系ワッ
クス類0.3%を配合し常温で混合し、さらに90〜9
5℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造し
た。
Example 2 Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 2
00) 12%, 12% of novolak type phenol aralkyl resin (phenol equivalent: 175), 1.5% of the phosphazene compound shown in Chemical formula 5, 5% of basic magnesium carbonate, 68.5% of fused silica powder, and ester wax 0.3% and mixed at room temperature, and 90 ~ 9
The mixture was kneaded at 5 ° C and cooled and pulverized to produce a molding material.

【0028】この成形材料について、実施例1における
と同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その
結果を表1に示す。
With respect to this molding material, a molded product was obtained and various tests were performed in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.

【0029】実施例3 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
00)11%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量105)6%、前記の化5に示すホスファゼン
化合物1%、塩基性炭酸マグネシウム6%、溶融シリカ
粉末75%およびエステル系ワックス類0.2%を配合
し常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを
冷却粉砕して成形材料を製造した。
Example 3 Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 2
00) 11%, 6% of novolak type phenol resin (phenol equivalent 105), 1% of the phosphazene compound shown in Chemical formula 5, 6% of basic magnesium carbonate, 75% of fused silica powder and 0.2% of ester wax Was mixed at room temperature, kneaded at 90 to 95 ° C., and cooled and pulverized to produce a molding material.

【0030】この成形材料について、実施例1における
と同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その
結果を表1に示す。
With respect to this molding material, a molded product was obtained and various tests were performed in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.

【0031】比較例1 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
00)14%に、臭素化エポキシ樹脂(エポキシ当量2
70)3%、ノボラック型フェノール樹脂(フェノール
当量105)9%、溶融シリカ粉末70%、三酸化アン
チモン1%およびエステル系ワックス類0.3%を配合
し常温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを
冷却粉砕して成形材料を作成した。
Comparative Example 1 Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 2
00) 14% with a brominated epoxy resin (epoxy equivalent 2
70) 3%, 9% of novolak type phenol resin (phenol equivalent 105), 70% of fused silica powder, 1% of antimony trioxide and 0.3% of ester waxes, mixed at room temperature, and further mixed at 90 to 95 ° C. The mixture was cooled and pulverized to prepare a molding material.

【0032】この成形材料について、実施例1における
と同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その
結果を表2に示す。
With respect to this molding material, a molded product was obtained and various tests were performed in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the results.

【0033】比較例2 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
00)15%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量105)9%、ポリリン酸エステル3%、溶融
シリカ粉末71%およびエステル系ワックス類0.3%
を配合し常温で混合し、さらに90〜95℃で混練して
これを冷却粉砕して成形材料を作成した。
Comparative Example 2 Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 2
00) 15%, 9% of novolak type phenol resin (phenol equivalent 105), 3% of polyphosphate, 71% of fused silica powder and 0.3% of ester wax
Was mixed at room temperature, kneaded at 90-95 ° C., and cooled and pulverized to prepare a molding material.

【0034】この成形材料について、実施例1における
と同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その
結果を表2に示す。
With respect to this molding material, a molded product was obtained and various tests were performed in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the results.

【0035】比較例3 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
00)17%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量105)10%、溶融シリカ粉末71%および
エステル系ワックス類0.3%を配合し常温で混合し、
さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して成形
材料を作成した。
Comparative Example 3 Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 2
00) 17%, 10% of novolak type phenol resin (phenol equivalent 105), 71% of fused silica powder and 0.3% of ester waxes, and mixed at room temperature.
The mixture was further kneaded at 90 to 95 ° C. and cooled and pulverized to prepare a molding material.

【0036】この成形材料について、実施例1における
と同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その
結果を表2に示す。
With respect to this molding material, a molded product was obtained and various tests were performed in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the results.

【0037】比較例4 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
00)15%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量105)9%、前記の化5に示すホスファゼン
化合物5%、溶融シリカ粉末70%およびエステル系ワ
ックス類0.3%を配合し常温で混合し、さらに90〜
95℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を作成し
た。
Comparative Example 4 Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 2
00) 15%, 9% of novolak type phenol resin (phenol equivalent 105), 5% of the phosphazene compound shown in Chemical formula 5, 70% of fused silica powder and 0.3% of ester waxes were mixed and mixed at room temperature. , And 90-
The mixture was kneaded at 95 ° C. and cooled and pulverized to prepare a molding material.

【0038】この成形材料について、実施例1における
と同様に、成形品を得るとともに各種試験をした。その
結果を表2に示す。
With respect to this molding material, a molded product was obtained and various tests were performed in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the results.

【0039】[0039]

【表1】 1:トランスファー成形によって120×12×3.2
mmの成形品をつくり、175℃、8時間放置した後、
UL−94V耐炎性試験規格に基づき燃焼性の試験を行
った。
[Table 1] 1: 120 × 12 × 3.2 by transfer molding
mm, and left at 175 ° C for 8 hours.
A flammability test was performed based on the UL-94V flame resistance test standard.

【0040】*2:成形材料を用いて2本のアルミ配線
を有するシリコン製チップ(テスト素子)を銅フレーム
に接着し、175℃で2分間トランスファー成形して、
TO−92の成形品をつくり、175℃において4時間
後硬化させた後、260℃の半田浸漬後、127℃、
2.5気圧の飽和水蒸気中においてPCTを行い、アル
ミニウムの腐食による断線を不良として評価した。
* 2: A silicon chip (test element) having two aluminum wirings was adhered to a copper frame using a molding material, and transfer molded at 175 ° C. for 2 minutes.
After making TO-92 molded product, post-curing at 175 ° C for 4 hours, solder immersion at 260 ° C, 127 ° C,
PCT was performed in 2.5 atm of saturated steam, and the disconnection due to aluminum corrosion was evaluated as defective.

【0041】*3:成形条件175℃×90sのトラン
スファー成形によってDIP−14の連続生産性の評価
を行い、パッケージの外観不良発生までのショット数を
カウントした。
* 3: The continuous productivity of DIP-14 was evaluated by transfer molding at 175 ° C. × 90 s, and the number of shots until the appearance failure of the package was counted.

【0042】[0042]

【表2】 *1:トランスファー成形によって120×12×3.
2mmの成形品をつくり、175℃、8時間放置した
後、UL−94V耐炎性試験規格に基づき燃焼性の試験
を行った。
[Table 2] * 1: 120 × 12 × 3 by transfer molding.
After a molded product of 2 mm was made and left at 175 ° C. for 8 hours, a flammability test was performed based on the UL-94V flame resistance test standard.

【0043】*2:成形材料を用いて2本のアルミ配線
を有するシリコン製チップ(テスト素子)を銅フレーム
に接着し、175℃で2分間トランスファー成形して、
TO−92の成形品をつくり、175℃において4時間
後硬化させた後、260℃の半田浸漬後、127℃、
2.5気圧の飽和水蒸気中においてPCTを行い、アル
ミニウムの腐食による断線を不良として評価した。
* 2: A silicon chip (test element) having two aluminum wirings was adhered to a copper frame using a molding material, and transfer-molded at 175 ° C. for 2 minutes.
After making TO-92 molded product, post-curing at 175 ° C for 4 hours, solder immersion at 260 ° C, 127 ° C,
PCT was performed in 2.5 atm of saturated steam, and the disconnection due to aluminum corrosion was evaluated as defective.

【0044】*3:成形条件175℃×90sのトラン
スファー成形によってDIP−14の連続生産性の評価
を行い、パッケージの外観不良発生までのショット数を
カウントした。
* 3: The continuous productivity of DIP-14 was evaluated by transfer molding at 175 ° C. × 90 s, and the number of shots until the appearance failure of the package was counted.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上の説明および表1および表2から明
らかなように、本発明の封止用樹脂組成物および半導体
封止装置は、難燃性に優れているにもかかわらず、連続
生産性を低下させることなしに耐湿信頼性に優れ、その
結果、電極の腐食による断線不良を著しく低減すること
ができ、長期にわたる信頼性を保証することができた。
As is clear from the above description and Tables 1 and 2, the encapsulating resin composition and the semiconductor encapsulating apparatus of the present invention have excellent flame retardancy but are continuously manufactured. It was excellent in moisture resistance reliability without lowering the characteristics, and as a result, disconnection failure due to electrode corrosion could be significantly reduced, and long-term reliability could be guaranteed.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08L 85/02 C08L 85/02 H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 Fターム(参考) 4J002 CC04X CD01W CD02W CD03W CD05W CD06W CE00X CQ013 DE138 DE148 DE267 DJ018 DJ048 DL008 EW156 FA048 FD018 FD133 FD136 FD137 GJ02 GQ05 4J036 AA01 AA02 AB07 AD07 AD08 AE05 AF01 AF06 FA02 FA04 FA05 FA12 FB06 FB07 FB08 JA07 4M109 AA01 EA02 EB03 EB07 EB12 EC20 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08L 85/02 C08L 85/02 H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 F-term (Reference) 4J002 CC04X CD01W CD02W CD03W CD05W CD06W CE00X CQ013 DE138 DE148 DE267 DJ018 DJ048 DL008 EW156 FA048 FD018 FD133 FD136 FD137 GJ02 GQ05 4J036 AA01 AA02 AB07 AD07 AD08 AE05 AF01 AF06 FA02 FA04 FA05 FA12 EB06 EC03 EB07 EB07 EB07 EB07 FB07 EB07 ECB

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール
樹脂、(C)ホスファゼン化合物、(D)塩基性炭酸マ
グネシウムおよび(E)無機充填剤を必須成分とし、樹
脂組成物全体に対して、前記(C)ホスファゼン化合物
を0.1〜5重量%、前記(D)塩基性炭酸マグネシウ
ムを1〜10重量%、そして前記(E)無機充填剤を4
0〜95重量%の割合でそれぞれ含有してなることを特
徴とする封止用樹脂組成物。
1. An epoxy resin, (B) a phenolic resin, (C) a phosphazene compound, (D) a basic magnesium carbonate and (E) an inorganic filler are essential components. 0.1 to 5% by weight of the (C) phosphazene compound, 1 to 10% by weight of the (D) basic magnesium carbonate, and 4% by weight of the (E) inorganic filler.
A sealing resin composition, which is contained at a ratio of 0 to 95% by weight.
【請求項2】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール
樹脂、(C)ホスファゼン化合物、(D)塩基性炭酸マ
グネシウムおよび(E)無機充填剤を必須成分とし、樹
脂組成物全体に対して、前記(C)ホスファゼン化合物
を0.1〜5重量%、前記(D)塩基性炭酸マグネシウ
ムを1〜10重量%、そして前記(E)無機充填剤を4
0〜95重量%の割合でそれぞれ含有する封止用樹脂組
成物の硬化物によって、半導体チップを封止してなるこ
とを特徴とする半導体封止装置。
2. An essential component comprising (A) an epoxy resin, (B) a phenolic resin, (C) a phosphazene compound, (D) a basic magnesium carbonate, and (E) an inorganic filler. 0.1 to 5% by weight of the (C) phosphazene compound, 1 to 10% by weight of the (D) basic magnesium carbonate, and 4% by weight of the (E) inorganic filler.
A semiconductor sealing device, wherein a semiconductor chip is sealed with a cured product of a sealing resin composition contained at a ratio of 0 to 95% by weight.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002128995A (en) * 2000-10-31 2002-05-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd Flame-retardant epoxy resin composition and semiconductor-sealing material using the same
US7122587B2 (en) * 2002-10-10 2006-10-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor encapsulating flame retardant epoxy resin composition and semiconductor device

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