JP2001189201A - Chip thermistor and method for manufacturing the same - Google Patents

Chip thermistor and method for manufacturing the same

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JP2001189201A
JP2001189201A JP37169899A JP37169899A JP2001189201A JP 2001189201 A JP2001189201 A JP 2001189201A JP 37169899 A JP37169899 A JP 37169899A JP 37169899 A JP37169899 A JP 37169899A JP 2001189201 A JP2001189201 A JP 2001189201A
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JP
Japan
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thermistor
electrode
chip
dicing
substrate mounting
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JP37169899A
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Japanese (ja)
Inventor
Hajime Takada
元 高田
Fumio Ijichi
文夫 伊地智
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HAYAKI DENKI KK
Original Assignee
HAYAKI DENKI KK
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip thermistor, which is small and thin but has small resistance and satisfactory reliability, and to provide a method for manufacturing the same. SOLUTION: A chip thermistor comprises, on one surface of a thermistor element assembly, two electrodes for mounting a substrate with a distance therebetween. A third electrode is provide on a portion or the entire reverse surface of the thermistor element assembly. The third electrode and either one of the two electrodes for mounting the substrate are connected with each other.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板等に実装
されるチップ型サーミスタおよびその製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip thermistor mounted on a circuit board or the like and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子部品、回路基板の精密化に伴
い、チップ型サーミスタにおいても小型化、薄型化の要
求がますます高まっている。
2. Description of the Related Art As electronic components and circuit boards have become more precise in recent years, demands for smaller and thinner chip-type thermistors have been increasing.

【0003】しかしながら、チップ型サーミスタを小型
化、薄型化する場合、一般に低抵抗化が困難になるとい
う問題がある。
However, when the chip type thermistor is reduced in size and thickness, there is a problem that it is generally difficult to reduce the resistance.

【0004】そこで、小型化、薄型化によっても低抵抗
化が実現すべく、種々の電極構造を有するチップ型サー
ミスタが従来より検討されてきた。すなわち、図1に示
す両面電極構造型を基本形として、図2に示すような両
端電極構造型、両端電極構造型をさらに改良した図3に
示すような両端電極/片面抵抗調整電極構造型(例え
ば、特開平6−61011号公報)や、図4に示すよう
な両端電極/両面抵抗調整電極構造型(例えば、特開平
10−106808号公報)が開示されている。また、
図5に示すような片面抵抗調整電極/片面フローティン
グ電極型(例えば、特開平6−302406号公報、特
開平11−54301号公報)も検討されている。
[0004] Therefore, chip-type thermistors having various electrode structures have been conventionally studied in order to realize a low resistance even by miniaturization and thinning. That is, based on the double-sided electrode structure type shown in FIG. 1 as a basic type, a double-sided electrode structure type as shown in FIG. 2 and a double-sided electrode / single-sided resistance adjusting electrode structure type as shown in FIG. JP-A-6-61011) and a double-ended / double-sided resistance adjusting electrode structure type as shown in FIG. 4 (for example, JP-A-10-106808). Also,
A single-sided resistance adjusting electrode / single-sided floating electrode type as shown in FIG. 5 (for example, JP-A-6-302406 and JP-A-11-54301) has been studied.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来検討されてきた種
々の電極構造、特に図3、4、5に示すような改良型に
おいては、図1に示す基本構造に比べると、小型化、薄
型化の要求をある程度は満足している。しかしながら、
低抵抗化は未だ十分ではなく、実用に際してはさらなる
低抵抗化が求められている。また、電極間ブリッジの防
止や、機械的・熱的劣化の防止の点でも、さらなる改良
が求められている。
The various electrode structures which have been studied in the past, especially the improved types shown in FIGS. 3, 4 and 5, are smaller and thinner than the basic structure shown in FIG. To some extent. However,
Resistance reduction is not yet sufficient, and further reduction in resistance is required in practical use. Further, further improvement is required in terms of prevention of a bridge between electrodes and prevention of mechanical and thermal deterioration.

【0006】特に近年、チップ型サーミスタの大きさ
は、2115サイズ(2.0mm×1.25mm)から
1608サイズ(1.6mm×0.8mm)、さらには
1005サイズ(1.0mm×0.5mm)へと一層の
小型化が図られている。
Particularly, in recent years, the size of the chip type thermistor has been changed from 2115 size (2.0 mm × 1.25 mm) to 1608 size (1.6 mm × 0.8 mm), and further, 1005 size (1.0 mm × 0.5 mm). ) Is further downsized.

【0007】したがって、本発明の課題は、小型・薄型
であっても、サーミスタ素体の比抵抗を変えずに低抵抗
化を発現でき、さらに信頼性の高い、チップ型サーミス
タおよびその製造方法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a chip type thermistor which can exhibit a low resistance without changing the specific resistance of the thermistor body even if it is small and thin, and which is more reliable and a method of manufacturing the same. To provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決すべく鋭意検討を行った。その結果、サーミスタ素体
の同一表面上に設けた間隔を隔てた2つの電極の一方の
みと、その反対側表面上の一部または全部に設けた第3
の電極とを接続する構造をすれば、上記課題を全て解決
できることを見いだした。
Means for Solving the Problems The present inventor has made intensive studies to solve the above problems. As a result, only one of the two spaced electrodes provided on the same surface of the thermistor element body and the third electrode provided on a part or all of the opposite surface thereof are provided.
It has been found that all of the above-mentioned problems can be solved by adopting a structure for connecting the electrodes.

【0009】すなわち、本発明に係るチップ型サーミス
タは、サーミスタ素体の同一表面上に間隔を隔てて2つ
の基板実装用電極が設けられてなるチップ型サーミスタ
において、サーミスタ素体の反対側表面上の一部または
全部に第3の電極が設けられ、その第3の電極と、前記
2つの基板実装用電極のいずれか一方とが接続されてい
ることを特徴とする。
That is, a chip-type thermistor according to the present invention is a chip-type thermistor in which two substrate mounting electrodes are provided on the same surface of the thermistor body at a distance from each other. And a third electrode is provided on a part or the entirety of the substrate, and the third electrode is connected to one of the two substrate mounting electrodes.

【0010】また、本発明に係るチップ型サーミスタの
製造方法は、(a)サーミスタ素体の片側表面上に、間
隔を隔てた基板実装用電極を形成する工程と、(b)
(a)の電極面の反対側の表面上に電極を形成する工程
と、(c)(a)で形成された基板実装用電極間に絶縁
層を形成する工程と、(d)絶縁層を介して2つの基板
実装用電極が端縁部に位置するように、短冊上にダイシ
ングする工程と、(e)(d)で得られた短冊体のダイ
シング面の片側側面上に電極を形成する工程と、(f)
(e)で得られた短冊体を所望のチップの大きさにダイ
シングする工程とを含むことを特徴とする。
Further, the method of manufacturing a chip type thermistor according to the present invention comprises the steps of (a) forming a substrate mounting electrode on one surface of a thermistor body at a distance; and (b)
(A) forming an electrode on the surface opposite to the electrode surface; (c) forming an insulating layer between the substrate mounting electrodes formed in (a); and (d) forming the insulating layer. Dicing on a strip so that the two substrate mounting electrodes are positioned at the edges through the intermediary, and forming electrodes on one side surface of the dicing surface of the strip obtained in (e) and (d). Process and (f)
(E) dicing the strip obtained in (e) into a desired chip size.

【0011】また、本発明に係る別のチップ型サーミス
タの製造方法は、(a)サーミスタ素体の片側表面上に
電極を形成する工程と、(b)(a)で得られた加工体
を、電極面を下側として耐熱板に固定する工程と、
(c)厚さ100〜300μmのブレードを用いて、所
望のチップ型サーミスタの長手方向2個分のピッチでダ
イシングする工程と、(d)(c)のダイシングにより
得られた隙間にも導電ペーストが塗り込まれるようにし
ながら、導電ペーストをスクリーン印刷し、間隔を隔て
た基板実装用電極を形成する工程と、(e)(d)で形
成された基板実装用電極間に絶縁層を形成する工程と、
(f)(c)のダイシングで得られ、(d)で導電ペー
ストが塗り込まれた隙間の中央部に沿って、厚さ50〜
100μmのブレードを用いてダイシングする工程とを
含むことを特徴とする。
Further, another method of manufacturing a chip-type thermistor according to the present invention comprises the steps of (a) forming an electrode on one surface of a thermistor body, and (b) forming a processed body obtained in (a). Fixing the electrode surface to the heat-resistant plate with the electrode surface on the lower side,
(C) a step of dicing at a pitch of two desired chip thermistors in the longitudinal direction using a blade having a thickness of 100 to 300 μm, and (d) a conductive paste in a gap obtained by dicing in (c). Is formed by screen-printing a conductive paste to form a substrate mounting electrode, and forming an insulating layer between the substrate mounting electrodes formed in steps (e) and (d). Process and
(F) A thickness of 50 to 50 mm is obtained along the center of the gap obtained by dicing in (c) and coated with the conductive paste in (d).
Dicing using a 100 μm blade.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】[チップ型サーミスタ]本発明に
おいて「サーミスタ素体」とは、サーミスタ特性、すな
わち、抵抗値が温度に依存して変化する特性を有する焼
成体をいい、例えば、マンガン、ニッケル、コバルト等
の酸化物に金属酸化物を添加し、1000〜1500℃
で焼成したものをいう。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION [Chip type thermistor] In the present invention, the term "thermistor body" refers to a fired body having thermistor characteristics, that is, a characteristic in which a resistance value changes depending on temperature. Add metal oxide to oxides such as nickel and cobalt,
Baking.

【0013】まず、本発明に係るチップ型サーミスタの
構造について、図6、7に基づいて説明する。
First, the structure of a chip type thermistor according to the present invention will be described with reference to FIGS.

【0014】本発明に係るチップ型サーミスタは、サー
ミスタ素体(11)、サーミスタ素体(11)の同一表
面(11a)上に間隔を隔てて形成された2つの基板実
装用電極(12a、12b)、サーミスタ素体(11)
の反対側表面(11b)上の一部または全部に形成され
た第3の電極(13)を構成要素とし、さらに、2つの
基板実装用電極(12a、12b)のいずれか一方(図
6、7の例では12a)が第3の電極(13)と接続さ
れてなる。接続の形態は、例えば図6、7に示すよう
に、サーミスタ素体の端面(11c)上に形成した接続
用電極(14)を介してもよいし、あるいは、他の回路
や導線等で介してもよい。また、図6、7のように、2
つの基板実装用電極(12a、12b)の対向縁と間隔
部表面を被覆するように、絶縁層(15)を備える。
The chip-type thermistor according to the present invention comprises a thermistor element (11) and two substrate mounting electrodes (12a, 12b) formed on the same surface (11a) of the thermistor element (11) at an interval. ), Thermistor body (11)
The third electrode (13) formed on a part or the whole of the surface (11b) on the opposite side is a constituent element, and one of the two substrate mounting electrodes (12a, 12b) (FIG. 6, FIG. In the example of 7, 12a) is connected to the third electrode (13). As shown in FIGS. 6 and 7, the form of the connection may be via a connection electrode (14) formed on the end face (11c) of the thermistor body, or via another circuit or conductor. You may. Also, as shown in FIGS.
An insulating layer (15) is provided so as to cover the opposing edges of the two substrate mounting electrodes (12a, 12b) and the surface of the space.

【0015】前記基板実装用電極の一方(図6、7の場
合は12a)、接続用電極(14)、第3の電極(1
3)は、一体化した電極であってもよいし、各ユニット
が接続した形態であってもよい。
One of the substrate mounting electrodes (12a in FIGS. 6 and 7), the connection electrode (14), and the third electrode (1
3) may be an integrated electrode or a form in which each unit is connected.

【0016】基板実装用電極(12a、12b)、第3
の電極(13)、接続用電極(14)は、導電性ペース
トを厚膜または金属・貴金属を薄膜として形成され、厚
膜の場合は、例えばスクリーン印刷により、薄膜の場合
は、例えば蒸着、スパッタリングにより形成される。好
ましくは、スクリーン印刷である。
[0016] Substrate mounting electrodes (12a, 12b), third
The electrode (13) and the connection electrode (14) are formed of a conductive paste as a thick film or a metal or a noble metal as a thin film. For a thick film, for example, by screen printing, and for a thin film, for example, evaporation, sputtering. Formed by Preferably, it is screen printing.

【0017】電極形成に用いる導電性ペーストは、貴金
属粉末とガラス微粒子と有機ビヒクルとからなるもので
あり、例えば、金ペースト、銀ペースト、銀/パラジウ
ムペースト、銅ペースト等が挙げられる。
The conductive paste used for forming the electrodes is composed of a noble metal powder, glass fine particles, and an organic vehicle, and examples thereof include a gold paste, a silver paste, a silver / palladium paste, and a copper paste.

【0018】絶縁層(15)は、絶縁性ペーストを厚膜
として形成され、例えばスクリーン印刷により形成され
る。
The insulating layer (15) is formed by using an insulating paste as a thick film, for example, by screen printing.

【0019】絶縁層形成に用いる絶縁性ペーストとして
は、絶縁性を有していれば特に限定されないが、好まし
くはガラスペーストまたは樹脂ペーストである。
The insulating paste used for forming the insulating layer is not particularly limited as long as it has an insulating property, but is preferably a glass paste or a resin paste.

【0020】ガラスペーストとしては、ホウ珪酸鉛ガラ
ス、ホウ珪酸亜鉛ガラス、ホウ珪酸Biガラスなどを用
いることができる。
As the glass paste, lead borosilicate glass, zinc borosilicate glass, borosilicate Bi glass and the like can be used.

【0021】樹脂ペーストとしては、アクリル系樹脂、
ポリイミド系樹脂、ポリパラキシレン樹脂等が挙げられ
る。
As the resin paste, acrylic resin,
Examples thereof include a polyimide resin and a polyparaxylene resin.

【0022】本発明に係るチップ型サーミスタは、図
6、7に例示するように、サーミスタ素体の片表面に絶
縁層で分離した基板実装用電極(12a、12b)を有
し、かつ、反対側の表面に第3の電極(13)を有して
いるが、特に重要な点は、さらに、基板実装用電極の一
方と第3の電極とが接続されていることである。サーミ
スタの抵抗は、電極間距離に比例し、電極面積に反比例
する。そして、両端電極の場合、小型・薄型になれば電
極面積が小さくなり、抵抗値は高くなる。本発明の接続
であれば、サーミスタの抵抗Rは、基板実装用電極側の
電極表面の抵抗R1と第3の電極側の電極表面R2との
並列抵抗となるために、電極面積を広げたのと同様の効
果があり、両電極間を極めて狭くして、小型化しても、
低抵抗を発現でき、さらに信頼性の高いチップ型サーミ
スタを提供できることとなる。
The chip-type thermistor according to the present invention has substrate mounting electrodes (12a, 12b) separated by an insulating layer on one surface of a thermistor body, as shown in FIGS. Although the third electrode (13) is provided on the surface on the side, it is particularly important that one of the substrate mounting electrodes is further connected to the third electrode. The resistance of the thermistor is proportional to the distance between the electrodes and inversely proportional to the electrode area. In the case of a double-sided electrode, the smaller and thinner the electrode area becomes, the higher the resistance value becomes. According to the connection of the present invention, the resistance R of the thermistor is increased in parallel with the resistance R1 of the electrode surface on the substrate mounting electrode side and the parallel resistance of the electrode surface R2 on the third electrode side. The same effect as described above is obtained.
This makes it possible to provide a chip thermistor that can exhibit low resistance and that is more reliable.

【0023】具体的には、本発明に係るチップ型サーミ
スタによれば、1608サイズ(長さ1.6mm×幅
0.8mm)や1005サイズ(長さ1.0mm×幅
0.5mm)、あるいはそれよりも小型にすることがで
きる。好ましくは、サーミスタサイズ(サーミスタ長さ
×サーミスタ幅)で、1.0mm×0.5mm以下であ
る。また、サーミスタの厚みを、好ましくは500μm
以下、より好ましくは400μm以下、さらに好ましく
は300μm以下とすることができる。
Specifically, according to the chip type thermistor according to the present invention, a 1608 size (length 1.6 mm × width 0.8 mm), a 1005 size (length 1.0 mm × width 0.5 mm), or It can be smaller than that. Preferably, the thermistor size (thermistor length x thermistor width) is 1.0 mm x 0.5 mm or less. Further, the thickness of the thermistor is preferably 500 μm.
The thickness can be set to 400 μm or less, more preferably 300 μm or less.

【0024】また、本発明に係るチップ型サーミスタに
よれば、サーミスタサイズが1005サイズ(1.0m
m×0.5mm)以下、サーミスタの厚みが500μm
以下という小型・薄型サイズにおいて、抵抗を、好まし
くは100Ω以下、より好ましくは80Ω以下、さらに
好ましくは50Ω以下とすることができる。さらに、同
様の小型・薄型サイズにおいて、B定数を、好ましくは
2000K以上、より好ましくは2200K以上、さら
に好ましくは2500以上とすることもできる。
According to the chip type thermistor of the present invention, the thermistor size is 1005 size (1.0 m).
m × 0.5 mm) or less, and the thickness of the thermistor is 500 μm
The resistance can be set to preferably 100 Ω or less, more preferably 80 Ω or less, and further preferably 50 Ω or less in the following small and thin size. Further, in the same small and thin size, the B constant can be preferably 2000K or more, more preferably 2200K or more, and further preferably 2500 or more.

【0025】本発明に係るチップ型サーミスタは、さら
に、基板実装用電極(12a、12b)の間隔を変えた
り、素体表面(11b)上の第3の電極(13)の面積
を変えることによって、抵抗調整を自由におこなうこと
ができるという利点もある。
The chip type thermistor according to the present invention further comprises changing the distance between the substrate mounting electrodes (12a, 12b) and the area of the third electrode (13) on the element body surface (11b). Also, there is an advantage that the resistance can be freely adjusted.

【0026】なお、本発明に係るチップ型サーミスタ
は、実際の基板実装等の使用条件に応じて、前記間隔を
隔てた2つの基板実装用電極が設けられた表面以外の面
の一部または全部に絶縁層を備えていてもよい。この絶
縁層は、先に説明した絶縁層(5)の形成と同様の手法
によればよい。 [チップ型サーミスタの製造方法]以下に、本発明のチ
ップ型サーミスタの2種類の製造方法(製造方法1およ
び2)について説明する。本発明のチップ型サーミスタ
は、これらの製造方法以外の方法で製造されたものであ
ってもよいが、以下に示す本発明の製造方法は特にその
製造のし易さ等により好ましい形態である。 (製造方法1)まず、サーミスタ素体(11)の片側表
面(11a)上に、間隔を隔てた電極(12)が形成す
るように、導電ペーストをスクリーン印刷する(図
8)。
The chip-type thermistor according to the present invention may have a part or all of a surface other than the surface on which the two substrate mounting electrodes are provided in accordance with operating conditions such as actual substrate mounting. May be provided with an insulating layer. This insulating layer may be formed by a method similar to the method of forming the insulating layer (5) described above. [Method of Manufacturing Chip-Type Thermistor] Hereinafter, two types of manufacturing methods (manufacturing methods 1 and 2) of the chip-type thermistor of the present invention will be described. The chip-type thermistor of the present invention may be manufactured by a method other than these manufacturing methods. However, the following manufacturing method of the present invention is a preferable mode particularly due to its ease of manufacturing. (Manufacturing Method 1) First, a conductive paste is screen-printed so as to form spaced electrodes (12) on one surface (11a) of the thermistor body (11) (FIG. 8).

【0027】次に、反対側の表面(11b)の全面また
は部分に、導電ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後、
焼き付けを行い、電極(13)を設ける(図9)。
Next, a conductive paste is screen-printed on the entire surface or a part of the opposite surface (11b), and after drying,
Baking is performed to provide an electrode (13) (FIG. 9).

【0028】なお、必要に応じ、電極が形成された反対
側の表面(11b)上に、さらに絶縁ペーストをスクリ
ーン印刷し、乾燥後、焼き付けしてもよい。
If necessary, an insulating paste may be further screen-printed on the opposite surface (11b) on which the electrodes are formed, dried, and baked.

【0029】次に、表面(11a)上に形成した電極
(12)の間隔部分に、電極対向縁と間隔部表面を被覆
するように、絶縁ペーストをスクリーン印刷し、乾燥
後、焼き付けして、絶縁層(15)を設ける(図1
0)。
Next, an insulating paste is screen-printed on the space between the electrodes (12) formed on the surface (11a) so as to cover the electrode-facing edge and the surface of the space, dried, and baked. Providing an insulating layer (15) (FIG. 1)
0).

【0030】ダイサーを用い、絶縁層(15)を介して
2つの電極(12)が端縁部に位置するように、短冊上
にダイシングする(図11)。
Using a dicer, dicing is performed on a strip so that the two electrodes (12) are located at the edges via the insulating layer (15) (FIG. 11).

【0031】ダイシングされた短冊体のダイシング面の
片側側面上に、導電ペーストを塗布し、乾燥後、焼き付
けして、サーミスタ素体の端面(11c)上に接続用電
極(14)を形成する(図12)。
A conductive paste is applied to one side surface of the dicing surface of the diced strip, dried and baked to form a connection electrode (14) on the end surface (11c) of the thermistor body ( (FIG. 12).

【0032】得られた短冊体を整列し、所望のチップの
大きさにダイシングして、チップ型サーミスタとする。 (製造例2)まず、サーミスタ素体(11)の片側表面
(11b)上に、導電ペーストをスクリーン印刷し、乾
燥後、焼き付けを行い、電極(13)を設ける(図1
3)。
The obtained strips are aligned and diced to a desired chip size to obtain a chip-type thermistor. (Production Example 2) First, a conductive paste is screen-printed on one surface (11b) of the thermistor body (11), dried and baked to provide an electrode (13) (FIG. 1).
3).

【0033】なお、必要に応じ、電極(13)が形成さ
れた表面(11b)上に、さらに絶縁ペーストをスクリ
ーン印刷し、乾燥後、焼き付けしてもよい。
[0033] If necessary, an insulating paste may be screen-printed on the surface (11b) on which the electrode (13) is formed, dried, and baked.

【0034】得られた加工体を、電極(13)の面を下
側として耐熱板(16)に固定する。このとき用いる耐
熱板は、面が平滑で焼き付け温度以上の耐熱性を有する
ものが選ばれる。固定に用いる接着剤は、乾燥温度以上
の耐熱性を有し、ダイシング時に離れない接着強度があ
り、焼き付け温度で揮発および炭化し、揮発成分の多い
ものが選ばれる。
The obtained processed body is fixed to the heat-resistant plate (16) with the surface of the electrode (13) facing downward. The heat-resistant plate used at this time is selected from those having a smooth surface and heat resistance higher than the baking temperature. The adhesive used for fixing has heat resistance higher than the drying temperature, has adhesive strength that does not separate during dicing, volatilizes and carbonizes at the baking temperature, and has a large amount of volatile components.

【0035】次に、厚さ100〜300μmのブレード
を用いて、所望のチップ型サーミスタの長手方向2個分
のピッチでダイシングする(図14、15)。さらに、
表面を純水等で洗浄し、乾燥する。
Next, using a blade having a thickness of 100 to 300 μm, dicing is performed at a pitch corresponding to two longitudinal directions of a desired chip type thermistor (FIGS. 14 and 15). further,
The surface is washed with pure water or the like and dried.

【0036】上記ダイシングにより得られた隙間にも導
電ペーストが塗り込まれるようにしながら、導電ペース
トをスクリーン印刷し、間隔を隔てた電極(12)を形
成する(図16)。
The conductive paste is screen-printed while the conductive paste is applied to the gaps obtained by the dicing to form electrodes (12) spaced apart (FIG. 16).

【0037】次に、形成した電極の間隔部分に、電極対
向縁と間隔部表面を被覆するように、絶縁ペーストをス
クリーン印刷し、乾燥後、焼き付けして、絶縁層(1
5)を設ける(図17)。
Next, an insulating paste is screen-printed on the space between the formed electrodes so as to cover the electrode facing edge and the surface of the space, dried and baked to form an insulating layer (1).
5) is provided (FIG. 17).

【0038】被覆されていない各電極部の中央部に沿っ
て、厚さ50〜100μmのブレードを用いてダイシン
グする(図18)。
Dicing is performed along a central portion of each uncoated electrode portion using a blade having a thickness of 50 to 100 μm (FIG. 18).

【0039】得られた短冊体を整列し、所望のチップの
大きさにダイシングして、チップ型サーミスタとする。
The obtained strips are aligned and diced to a desired chip size to obtain a chip type thermistor.

【0040】[0040]

【実施例】以下に本発明を具体的に説明するが、本発明
はこれらの実施例に限定されるものではない。 [実施例1〜3]本発明の製造方法により得られたチッ
プ型サーミスタA(サーミスタ厚み=0.25mm、サ
ーミスタ長さ=1.3mm、サーミスタ幅=0.61m
m、電極間距離=0.3mm)、チップ型サーミスタB
(サーミスタ厚み=0.25mm、サーミスタ長さ=
1.3mm、サーミスタ幅=0.49mm、電極間距離
=0.3mm)、チップ型サーミスタC(サーミスタ厚
み=0.25mm、サーミスタ長さ=1.2mm、サー
ミスタ幅=0.45mm、電極間距離=0.3mm)を
試料とし、直流4端子法を用いて、25℃の抵抗(R2
5)、50℃の抵抗(R50)を測定し、さらにB定数
(R25/R50)を算出した。結果を表1に示した。
EXAMPLES The present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited to these examples. [Examples 1 to 3] Chip type thermistor A obtained by the manufacturing method of the present invention (thermistor thickness = 0.25 mm, thermistor length = 1.3 mm, thermistor width = 0.61 m)
m, distance between electrodes = 0.3 mm), chip thermistor B
(Thermistor thickness = 0.25 mm, thermistor length =
1.3 mm, thermistor width = 0.49 mm, distance between electrodes = 0.3 mm, chip type thermistor C (thermistor thickness = 0.25 mm, thermistor length = 1.2 mm, thermistor width = 0.45 mm, distance between electrodes) = 0.3 mm) as a sample, and the resistance (R2
5) The resistance (R50) at 50 ° C. was measured, and the B constant (R25 / R50) was calculated. The results are shown in Table 1.

【0041】なお、上記にいう「電極間距離」とは、図
6、7で説明した2つの基板実装用電極の間の間隔距離
をいう。 [比較例1〜8]チップ型サーミスタとして、裏面に電
極のない場合(比較例1〜4)、裏面フローティング電
極の場合(比較例5〜8)を用いた以外は、実施例と同
様に行った。結果を表1に示した。
The "distance between electrodes" mentioned above refers to the distance between the two substrate mounting electrodes described with reference to FIGS. [Comparative Examples 1 to 8] Performed in the same manner as in Example, except that the chip-type thermistor used no electrode on the back surface (Comparative Examples 1 to 4) and the case of a backside floating electrode (Comparative Examples 5 to 8). Was. The results are shown in Table 1.

【0042】なお、上記にいう「裏面に電極のない場
合」とは、図6、7で説明した第3の電極のない場合を
いう。また、上記にいう「裏面フローティング電極の場
合」とは、図6、7で説明した接続用電極のない場合
(例えば、図5の形態)をいう。
The above "case without an electrode on the back surface" refers to the case without the third electrode described with reference to FIGS. The “case of the back surface floating electrode” mentioned above means a case where there is no connection electrode described in FIGS. 6 and 7 (for example, the form of FIG. 5).

【表1】 [Table 1]

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明に係るチップ型サーミスタは、小
型・薄型であっても低抵抗を発現でき、さらに信頼性も
高いものとなる。したがって、高密度実装や他の電子部
品との複合ワンパッケージ部品を提供することができ
る。
The chip type thermistor according to the present invention can exhibit low resistance even if it is small and thin, and has high reliability. Therefore, it is possible to provide a high-density mounting or a composite one-package component with another electronic component.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の両面電極構造型サーミスタの断面図。FIG. 1 is a sectional view of a conventional double-sided electrode structure type thermistor.

【図2】従来の両端電極構造型サーミスタの断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional thermistor with a double-sided electrode structure.

【図3】従来の両端電極/片面抵抗調整電極構造型サー
ミスタの断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional thermistor having both end electrodes / one-side resistance adjustment electrode structure.

【図4】従来の両端電極/両面抵抗調整電極構造型サー
ミスタの断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional thermistor having both end electrodes / double-sided resistance adjusting electrode structure.

【図5】従来の片面抵抗調整電極/片面フローティング
電極型サーミスタの断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional one-sided resistance adjusting electrode / one-sided floating electrode type thermistor.

【図6】本発明のチップ型サーミスタの一例の外観斜視
図。
FIG. 6 is an external perspective view of an example of a chip thermistor according to the present invention.

【図7】本発明のチップ型サーミスタの一例の断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view of an example of a chip thermistor of the present invention.

【図8】サーミスタ素体(11)に電極(12)が形成
された状態を表す斜視図。
FIG. 8 is a perspective view showing a state where an electrode (12) is formed on a thermistor body (11).

【図9】図8の素体に電極(13)が形成された状態を
表す斜視図。
FIG. 9 is a perspective view showing a state in which an electrode (13) is formed on the body shown in FIG. 8;

【図10】図9の素体に絶縁層(15)が形成された状
態を表す斜視図。
FIG. 10 is a perspective view showing a state in which an insulating layer (15) is formed on the body shown in FIG. 9;

【図11】図10の素体のダイシング部を表す斜視図。FIG. 11 is a perspective view showing a dicing portion of the body shown in FIG. 10;

【図12】ダイシングして得た短冊体に接続用電極(1
4)が形成された状態を表す斜視図。
FIG. 12 is a view showing a connection electrode (1) on a strip obtained by dicing.
The perspective view showing the state where 4) was formed.

【図13】サーミスタ素体(11)に電極(13)が形
成された状態を表す斜視図。
FIG. 13 is a perspective view showing a state where an electrode (13) is formed on the thermistor body (11).

【図14】図13の素体を、電極(13)の面を下側と
して耐熱板(16)に固定したものの、ダイシング部を
表す斜視図。
FIG. 14 is a perspective view showing a dicing portion, in which the element body of FIG. 13 is fixed to a heat-resistant plate (16) with the surface of an electrode (13) facing downward.

【図15】図14の素体のダイシング後の状態を表す斜
視図。
FIG. 15 is a perspective view showing a state after dicing of the body shown in FIG. 14;

【図16】図15の素体に電極(12)が形成された状
態を表す、素体の断面図。
FIG. 16 is a sectional view of the element body, showing a state in which an electrode (12) is formed on the element body of FIG. 15;

【図17】図16の素体に絶縁層(15)が形成された
状態を表す、素体の断面図。
FIG. 17 is a cross-sectional view of the element body, showing a state where an insulating layer (15) is formed on the element body of FIG. 16;

【図18】図17の素体のダイシング部を表す、素体の
断面図。
FIG. 18 is a sectional view of the element body, showing a dicing portion of the element body of FIG. 17;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 サーミスタ素体 2 電極 3 絶縁層 11 サーミスタ素体 11a サーミスタ素体の片側の面 11b サーミスタ素体の片側の面 11c サーミスタ素体の側面 12 電極 12a 基板実装用電極 12b 基板実装用電極 13 第3の電極 14 接続用電極 15 絶縁層 16 耐熱板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thermistor body 2 Electrode 3 Insulating layer 11 Thermistor body 11a One surface of the thermistor body 11b One surface of the thermistor body 11c Side surface of the thermistor body 12 Electrode 12a Board mounting electrode 12b Board mounting electrode 13 Third Electrode 14 connection electrode 15 insulating layer 16 heat-resistant plate

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】サーミスタ素体の同一表面上に間隔を隔て
て2つの基板実装用電極が設けられてなるチップ型サー
ミスタにおいて、サーミスタ素体の反対側表面上の一部
または全部に第3の電極が設けられ、その第3の電極
と、前記2つの基板実装用電極のいずれか一方とが接続
されていることを特徴とする、チップ型サーミスタ。
1. A chip-type thermistor having two substrate mounting electrodes provided on the same surface of a thermistor body at an interval, and a third or third part of the thermistor body is provided on a part or the entire surface on the opposite side of the thermistor body. A chip type thermistor, wherein an electrode is provided, and a third electrode thereof is connected to one of the two substrate mounting electrodes.
【請求項2】前記接続が、サーミスタ素体の片側側面上
に設けられた電極を経由してなされた、請求項1に記載
のチップ型サーミスタ。
2. The chip type thermistor according to claim 1, wherein said connection is made via an electrode provided on one side surface of said thermistor body.
【請求項3】前記間隔を隔てた2つの基板実装用電極間
に絶縁層を備えた、請求項1または2に記載のチップ型
サーミスタ。
3. The chip thermistor according to claim 1, further comprising an insulating layer between the two board mounting electrodes spaced apart from each other.
【請求項4】前記間隔を隔てた2つの基板実装用電極が
設けられた表面以外の面の一部または全部に絶縁層を備
えた、請求項1から3までのいずれかに記載のチップ型
サーミスタ。
4. The chip type according to claim 1, wherein an insulating layer is provided on a part or all of a surface other than the surface on which the two substrate mounting electrodes are provided apart from each other. Thermistor.
【請求項5】請求項1から4までのいずれかに記載のチ
ップ型サーミスタを製造する方法であって、 (a)サーミスタ素体の片側表面上に、間隔を隔てた基
板実装用電極を形成する工程と、 (b)(a)の電極面の反対側の表面上に電極を形成す
る工程と、 (c)(a)で形成された基板実装用電極間に絶縁層を
形成する工程と、 (d)絶縁層を介して2つの基板実装用電極が端縁部に
位置するように、短冊上にダイシングする工程と、 (e)(d)で得られた短冊体のダイシング面の片側側
面上に電極を形成する工程と、 (f)(e)で得られた短冊体を所望のチップの大きさ
にダイシングする工程とを含む、 チップ型サーミスタの製造方法。
5. A method for manufacturing a chip-type thermistor according to claim 1, wherein: (a) forming electrodes for mounting a substrate at an interval on one surface of the thermistor body; (B) forming an electrode on the surface opposite to the electrode surface of (a); and (c) forming an insulating layer between the substrate mounting electrodes formed in (a). (D) a step of dicing on a strip so that the two substrate mounting electrodes are located at the edges via the insulating layer; and (e) one side of the dicing surface of the strip obtained in (d). A method for manufacturing a chip-type thermistor, comprising: a step of forming an electrode on a side surface; and (f) a step of dicing the strip obtained in (e) into a desired chip size.
【請求項6】請求項1から4までのいずれかに記載のチ
ップ型サーミスタを製造する方法であって、 (a)サーミスタ素体の片側表面上に電極を形成する工
程と、 (b)(a)で得られた加工体を、電極面を下側として
耐熱板に固定する工程と、 (c)厚さ100〜300μmのブレードを用いて、所
望のチップ型サーミスタの長手方向2個分のピッチでダ
イシングする工程と、 (d)(c)のダイシングにより得られた隙間にも導電
ペーストが塗り込まれるようにしながら、導電ペースト
をスクリーン印刷し、間隔を隔てた基板実装用電極を形
成する工程と、 (e)(d)で形成された基板実装用電極間に絶縁層を
形成する工程と、 (f)(c)のダイシングで得られ、(d)で導電ペー
ストが塗り込まれた隙間の中央部に沿って、厚さ50〜
100μmのブレードを用いてダイシングする工程とを
含む、 チップ型サーミスタの製造方法。
6. A method for manufacturing a chip-type thermistor according to claim 1, wherein (a) forming an electrode on one surface of the thermistor body; a) fixing the processed body obtained in a) to a heat-resistant plate with the electrode surface facing downward; and (c) using a blade having a thickness of 100 to 300 μm for a desired chip-type thermistor for two longitudinal directions. A step of dicing at a pitch; and (d) screen-printing the conductive paste while applying the conductive paste to the gaps obtained by the dicing in (c) to form spaced substrate mounting electrodes. (E) a step of forming an insulating layer between the substrate mounting electrodes formed in (d), and (f) obtained by dicing in (c), and a conductive paste applied in (d). Along the middle of the gap, 50
Dicing using a 100 μm blade.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012142691A (en) * 2010-12-28 2012-07-26 Kyocera Crystal Device Corp Piezoelectric device
EP2472529A4 (en) * 2009-08-28 2016-04-27 Murata Manufacturing Co Thermistor and method for producing same

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