JP2001177380A - Comparator circuit and oscillation circuit using the same - Google Patents

Comparator circuit and oscillation circuit using the same

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JP2001177380A
JP2001177380A JP35900599A JP35900599A JP2001177380A JP 2001177380 A JP2001177380 A JP 2001177380A JP 35900599 A JP35900599 A JP 35900599A JP 35900599 A JP35900599 A JP 35900599A JP 2001177380 A JP2001177380 A JP 2001177380A
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Japan
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circuit
current
differential
fet
output
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JP35900599A
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Inventor
Masaru Kato
大 加藤
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a comparator circuit, where a differential voltage range causing an analog output state is small and to realize an oscillation circuit that employs the comparator circuit and can reduce fluctuation in the oscillation frequency. SOLUTION: This comparator circuit is provided with a differential circuit to which a differential input signal is applied, a 1st current mirror circuit to which a 1st differential current of the differential circuit is applied, a 2nd current mirror circuit to which a 2nd differential current of the differential circuit is applied, a 3rd current mirror circuit to which an output current of the 1st current mirror circuit is given, an inverter circuit to which output current of the 2nd and 3rd current mirror circuit are given and that outputs the output signal, and a cross coupling switch circuit that supplies other differential current to itself, on the basis of one differential current of the differential circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、比較回路及びこれ
を用いた発振回路に関し、特にアナログ的な出力状態と
なる差動電圧範囲が小さい比較回路及びこれを用いた発
振周波数の揺らぎを軽減することが可能な発振回路に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a comparison circuit and an oscillation circuit using the same, and more particularly, to a comparison circuit having a small differential voltage range in an analog output state and reducing oscillation frequency fluctuation using the comparison circuit. Oscillation circuit that can

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のRC発振回路(以下、単に発振回
路と呼ぶ。)は時定数設定用に抵抗(R)及び容量
(C)を用いて、前記容量への充放電の時定数に基づき
発振周波数を決定するものである。
2. Description of the Related Art A conventional RC oscillation circuit (hereinafter, simply referred to as an oscillation circuit) uses a resistor (R) and a capacitor (C) for setting a time constant, based on a time constant of charging and discharging of the capacitor. This is for determining the oscillation frequency.

【0003】図3は従来の発振回路の一例を示す構成ブ
ロック図である。図3において1は時定数設定用の抵
抗、2は時定数設定用の容量、3及び5はスイッチ回
路、4は比較回路、6及び7は定電圧源、100及び1
01は比較回路4の非反転入力信号及び反転入力信号、
102は発振回路の出力であるパルス出力信号である。
FIG. 3 is a configuration block diagram showing an example of a conventional oscillation circuit. In FIG. 3, 1 is a resistor for setting a time constant, 2 is a capacitor for setting a time constant, 3 and 5 are switch circuits, 4 is a comparison circuit, 6 and 7 are constant voltage sources, 100 and 1
01 is a non-inverted input signal and an inverted input signal of the comparison circuit 4;
102 is a pulse output signal which is an output of the oscillation circuit.

【0004】抵抗1の一端は容量2の一端、スイッチ回
路3の一端、比較回路4の非反転入力端子にそれぞれ接
続され、比較回路4の出力はパルス出力信号102とし
て出力されると共に制御信号としてスイッチ回路3及び
5の制御入力端子に接続される。
One end of a resistor 1 is connected to one end of a capacitor 2, one end of a switch circuit 3, and a non-inverting input terminal of a comparison circuit 4. The output of the comparison circuit 4 is output as a pulse output signal 102 and as a control signal. Connected to control input terminals of switch circuits 3 and 5.

【0005】スイッチ回路5の出力端子は比較回路4の
反転入力端子に接続され、スイッチ回路5の第1及び第
2の入力端子には定電圧源6及び7の一端がそれぞれ接
続される。
The output terminal of the switch circuit 5 is connected to the inverting input terminal of the comparison circuit 4, and the first and second input terminals of the switch circuit 5 are connected to one ends of constant voltage sources 6 and 7, respectively.

【0006】また、抵抗1の他端及び比較回路4の一方
の電源端子はそれぞれ正電圧源”VDD”に接続され、
容量2の他端、スイッチ回路3の他端、比較回路4の他
方の電源端子、定電圧源6及び7の他端は接地される。
The other end of the resistor 1 and one power supply terminal of the comparison circuit 4 are connected to a positive voltage source "VDD", respectively.
The other end of the capacitor 2, the other end of the switch circuit 3, the other power supply terminal of the comparison circuit 4, and the other ends of the constant voltage sources 6 and 7 are grounded.

【0007】ここで、図3に示す従来例の動作を図4を
用いて説明する。図4は比較回路4の非反転入力信号1
00の動作波形及びパルス出力102の一例を示すタイ
ミング図である。
Now, the operation of the conventional example shown in FIG. 3 will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows the non-inverted input signal 1 of the comparison circuit 4.
FIG. 6 is a timing chart showing an example of an operation waveform of 00 and a pulse output 102.

【0008】スイッチ回路3は制御信号が”ハイレベ
ル”の場合に”ON”となり、制御信号が”ローレベ
ル”の場合に”OFF”になる。一方、スイッチ回路5
は制御信号が”ハイレベル”の場合に図3中”B”に示
す入力端子を選択し、制御信号が”ローレベル”の場合
に図3中”A”に示す入力端子を選択する。
The switch circuit 3 is turned "ON" when the control signal is at "high level", and is turned "OFF" when the control signal is at "low level". On the other hand, the switch circuit 5
Selects the input terminal indicated by “B” in FIG. 3 when the control signal is “high level”, and selects the input terminal indicated by “A” in FIG. 3 when the control signal is “low level”.

【0009】また、定電圧源6及び7の出力電圧値を”
V1”及び”V2”とした場合、”V2>V1”なる関
係が成立するものとする。
The output voltage values of the constant voltage sources 6 and 7 are
When “V1” and “V2” are set, the relationship “V2> V1” is established.

【0010】図4中”AR01”に示す領域では制御信
号である比較回路4の出力は”ローレベル”であるの
で、スイッチ回路3は”OFF”になり、スイッチ回路
5は図3中”A”の入力端子を選択する。
In the area indicated by "AR01" in FIG. 4, since the output of the comparison circuit 4 which is a control signal is at "low level", the switch circuit 3 is turned "OFF" and the switch circuit 5 is set to "A" in FIG. "" Input terminal.

【0011】このため、比較回路4の反転入力端子には
電圧値”V2”が印加され、また、容量2は抵抗1を介
して正電圧源”VDD”から電流が流れ込んで充電され
る。
Therefore, the voltage value “V 2” is applied to the inverting input terminal of the comparison circuit 4, and the capacitor 2 is charged by the current flowing from the positive voltage source “VDD” via the resistor 1.

【0012】例えば、図4中”PR01”に示すように
抵抗1と容量2による時定数で容量2に電荷が充電され
るので、容量2の端子間電圧である比較回路4の非反転
入力端子の電圧の値が上昇する。
For example, as shown by "PR01" in FIG. 4, the capacitor 2 is charged with a time constant by the resistor 1 and the capacitor 2, so that the non-inverting input terminal of the comparison circuit 4 which is the voltage between the terminals of the capacitor 2. Voltage value increases.

【0013】そして、比較回路4の非反転入力端子の電
圧値が反転入力端子の電圧値である”V2”を超えると
パルス出力信号102である比較回路4の出力は”ハイ
レベル”になる。
When the voltage value of the non-inverting input terminal of the comparing circuit 4 exceeds the voltage value "V2" of the inverting input terminal, the output of the comparing circuit 4, which is the pulse output signal 102, becomes "high level".

【0014】比較回路4の出力変化により、図4中”A
R02”に示す領域では制御信号である比較回路4の出
力は”ハイレベル”となり、スイッチ回路3は”ON”
になり、スイッチ回路5は図3中”B”の入力端子を選
択する。
A change in the output of the comparison circuit 4 causes "A" in FIG.
In the region indicated by “R02”, the output of the comparison circuit 4 which is a control signal is “high level”, and the switch circuit 3 is “ON”.
And the switch circuit 5 selects the input terminal "B" in FIG.

【0015】このため、比較回路4の反転入力端子には
電圧値”V1”が印加され、また、容量2の両端はスイ
ッチ回路3を介して充電されていた電荷が接地レベルに
流れて出て放電される。
For this reason, the voltage value "V1" is applied to the inverting input terminal of the comparison circuit 4, and the electric charge charged through the switch circuit 3 flows to the ground level at both ends of the capacitor 2 and flows out. Discharged.

【0016】例えば、図4中”PR02”に示すように
スイッチ回路3により容量2の電荷が放電されるので、
容量2の端子間電圧である比較回路4の非反転入力端子
の電圧の値が短時間で低下する。
For example, as shown by "PR02" in FIG. 4, the charge of the capacitor 2 is discharged by the switch circuit 3, so that
The value of the voltage at the non-inverting input terminal of the comparison circuit 4, which is the voltage between the terminals of the capacitor 2, decreases in a short time.

【0017】そして、比較回路4の非反転入力端子の電
圧値が反転入力端子の電圧値である”V1”よりも低く
なるとパルス出力信号102である比較回路4の出力
は”ローレベル”になり、図4中”AR03”に示す領
域(図4中”AR01”と同一)の状態に戻る。
When the voltage value of the non-inverting input terminal of the comparing circuit 4 becomes lower than "V1" which is the voltage value of the inverting input terminal, the output of the comparing circuit 4, which is the pulse output signal 102, becomes "low level". Then, the state returns to the area indicated by “AR03” in FIG. 4 (the same as “AR01” in FIG. 4).

【0018】この結果、容量2の充放電を繰り返すこと
により、図4中”AR01”及び”AR02”に示す状
況が繰り返されるので、図4中”FQ01”に示すよう
な周期のパルス出力信号102を得ることができる。
As a result, the state shown by "AR01" and "AR02" in FIG. 4 is repeated by repeating the charging and discharging of the capacitor 2, so that the pulse output signal 102 having the cycle shown by "FQ01" in FIG. Can be obtained.

【0019】また、抵抗1及び容量2の値を調整して時
定数を変化させることにより図4中”AR01”等に示
す領域の幅を制御することができるので、発振周波数を
適宜調整することが可能になる。
Also, by adjusting the values of the resistor 1 and the capacitor 2 to change the time constant, the width of the region indicated by “AR01” in FIG. 4 can be controlled. Becomes possible.

【0020】また、図5は比較回路4の具体例を示す構
成回路図である。図5において100,101及び10
2は図3と同一符号を付してある。図5において8,
9,11,12,13,14,15,16,17及び1
8はMOSFET((Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor:以下、単にFETと呼ぶ。)、1
0は定電流源である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a specific example of the comparison circuit 4. As shown in FIG. In FIG. 5, 100, 101 and 10
2 has the same reference numerals as in FIG. In FIG.
9, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17 and 1
8 is a MOSFET ((Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor: Hereinafter, simply referred to as FET. ), 1
0 is a constant current source.

【0021】さらに、図5において8〜10は差動回路
を50を、11及び13は電流ミラー回路51を、12
及び14は電流ミラー回路52を、15及び16は電流
ミラー回路53を、17及び18は反転回路54をそれ
ぞれ構成している。
Further, in FIG. 5, 8 to 10 denote a differential circuit 50, 11 and 13 denote a current mirror circuit 51, 12
And 14 constitute a current mirror circuit 52, 15 and 16 constitute a current mirror circuit 53, and 17 and 18 constitute an inversion circuit 54, respectively.

【0022】差動入力信号である非反転入力信号100
及び反転入力信号101はFET8及び9のゲートに接
続され、FET8のソースはFET9のソース及び定電
流源10の一端に接続される。
The non-inverted input signal 100 which is a differential input signal
The inverted input signal 101 is connected to the gates of the FETs 8 and 9, and the source of the FET 8 is connected to the source of the FET 9 and one end of the constant current source 10.

【0023】FET8のドレインはFET11及び13
のゲートとFET11のドレインにそれぞれ接続され、
FET9のドレインはFET12及び14のゲートとF
ET12のドレインにそれぞれ接続される。
The drain of FET 8 is connected to FETs 11 and 13.
, And the drain of the FET 11, respectively.
The drain of FET 9 is connected to the gates of FETs 12 and 14 and F
Each is connected to the drain of ET12.

【0024】FET13のドレインはFET15及び1
6のゲートとFET15のドレインにそれぞれ接続さ
れ、FET14のドレインはFET16のドレイン、F
ET17及び18のゲートにそれぞれ接続される。
The drain of the FET 13 is connected to the FETs 15 and 1
6 and the drain of the FET 15, respectively. The drain of the FET 14 is the drain of the FET 16,
Connected to the gates of ET17 and ET18, respectively.

【0025】FET17のドレインはFET18のドレ
インに接続されると共にパルス出力信号102を出力す
る。
The drain of the FET 17 is connected to the drain of the FET 18 and outputs a pulse output signal 102.

【0026】また、定電流源10の他端、FET15,
16及び17のソースは正電圧源”VDD”にそれぞれ
接続され、FET11,12,13,14及び18の他
端はそれぞれ接地(”0V”の電圧源に接続)される。
The other end of the constant current source 10, the FET 15,
The sources of 16 and 17 are connected to a positive voltage source "VDD", respectively, and the other ends of the FETs 11, 12, 13, 14 and 18 are grounded (connected to a "0 V" voltage source).

【0027】ここで、図5に示す比較回路の動作を図6
を用いて説明する。図6は差動入力信号の変化に対する
FET8,9,11及び12のドレイン電流と反転回路
54で出力反転される前の出力”Vcomp”(以下、単に
出力”Vcomp”と呼ぶ。)の特性の関係を示す特性曲線
図である。
Here, the operation of the comparison circuit shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows the characteristics of the drain currents of the FETs 8, 9, 11 and 12 and the output "Vcomp" before being inverted by the inverting circuit 54 (hereinafter simply referred to as "Vcomp") with respect to the change of the differential input signal. It is a characteristic curve figure which shows a relationship.

【0028】図6中(a)は差動入力信号である非反転
入力信号100”V100”及び反転入力信号101”V
101”、(b)はFET8及び9のドレイン電流”I8
及び”I9”、(c)はFET11及び12のドレイン
電流”I11”及び”I12”。(d)は出力”Vcomp”の
各特性曲線を示している。また、横軸は差電圧”V10 0
−V101”を示している。
[0028] In FIGS. 6 (a) non-inverted input signal is a differential input signal 100 "V 100" and the inverted input signal 101 "V
101 ", (b) shows drain current" I 8 "of FETs 8 and 9;
And "I 9 ", (c) are drain currents "I 11 " and "I 12 " of the FETs 11 and 12, respectively . (D) shows each characteristic curve of the output "Vcomp". The horizontal axis difference voltage "V 10 0
−V 101 ″.

【0029】差電圧”V100−V101”が図6のように変
化、言い換えれば、差動入力信号が図6中(a)に示す
ように変化すると、差動回路50を構成しているFET
8及び9には図6中(b)に示すようなドレイン電流が
流れる。
[0029] changes as difference voltage "V 100 -V 101" in FIG. 6, in other words, when the differential input signal is changed as shown in FIG. 6 (a), constitute a differential circuit 50 FET
A drain current flows through 8 and 9 as shown in FIG.

【0030】そして、図6中”AR11”に示す”V
101>V100”である領域では、図6(c)に示すよう
に、FET8に流れるドレイン電流”I8”がそのまま
FET11のドレイン電流”I11”として流れる。
Then, "V" shown in "AR11" in FIG.
In the region where 101 > V 100 ″, the drain current “I 8 ” flowing through the FET 8 flows as it is as the drain current “I 11 ” of the FET 11 as shown in FIG.

【0031】また、FET11及び13は電流ミラー回
路51を構成しているのでFET13にも同一値電流が
ドレイン電流として流れる。このドレイン電流はさらに
電流ミラー回路53を構成するFET15及び16に流
れることになる。
Since the FETs 11 and 13 form a current mirror circuit 51, the same current flows through the FET 13 as a drain current. This drain current further flows through the FETs 15 and 16 constituting the current mirror circuit 53.

【0032】一方、FET9に流れるドレイン電流”I
9”もそのままFET12のドレイン電流”I12”とし
て流れる。また、FET12及び14は電流ミラー回路
52を構成しているのでFET14にも同一値電流がド
レイン電流として流れる。
On the other hand, the drain current “I” flowing through the FET 9
9 ”flows as it is as the drain current“ I 12 ”of the FET 12. Further, since the FETs 12 and 14 constitute the current mirror circuit 52, the same current flows through the FET 14 as the drain current.

【0033】但し、FET14に流れるドレイン電流は
FET16に流れるドレイン電流よりも極めて小さいの
で、このため出力”Vcomp”は図6(d)に示すように
正電圧源”VDD”とほぼ同一の値となる。
However, since the drain current flowing through the FET 14 is much smaller than the drain current flowing through the FET 16, the output "Vcomp" has substantially the same value as the positive voltage source "VDD" as shown in FIG. Become.

【0034】これに対して、図6中”AR12”に示
す”V101<V100”である領域では、図6(c)に示す
ように、FET9に流れるドレイン電流”I9”がその
ままFET12のドレイン電流”I12”として流れる。
On the other hand, in a region where “V 101 <V 100 ” indicated by “AR 12” in FIG. 6, as shown in FIG. 6C, the drain current “I 9 ” flowing through the FET 9 is directly applied to the FET 12. Flows as the drain current “I 12 ”.

【0035】また、FET12及び14は電流ミラー回
路52を構成しているのでFET14にも同一値電流が
ドレイン電流として流れる。
Since the FETs 12 and 14 form a current mirror circuit 52, the same current flows through the FET 14 as a drain current.

【0036】一方、FET8に流れるドレイン電流”I
8”もそのままFET11のドレイン電流”I11”とし
て流れる。また、FET11及び13は電流ミラー回路
51を構成しているのでFET13にも同一値電流がド
レイン電流として流れる。さらに、このドレイン電流は
さらに電流ミラー回路53を構成するFET15及び1
6に流れることになる。
On the other hand, the drain current “I” flowing through the FET 8
8 ”flows as it is as the drain current“ I 11 ”of the FET 11. Further, since the FETs 11 and 13 constitute the current mirror circuit 51, the same value current also flows as the drain current to the FET 13. Further, the drain current is further increased. FETs 15 and 1 constituting current mirror circuit 53
6 will flow.

【0037】但し、FET16に流れるドレイン電流は
FET14に流れるドレイン電流よりも極めて小さいの
で、このため出力”Vcomp”は図6(d)に示すように
接地レベルとほぼ同一の値となる。
However, since the drain current flowing through the FET 16 is much smaller than the drain current flowing through the FET 14, the output "Vcomp" has substantially the same value as the ground level as shown in FIG.

【0038】また、ここで、反転回路54では出力”V
comp”が正電圧源の値であれば、FET17が”OF
F”で、FET18が”ON”になり、パルス出力信号
102は”ローレベル”になる。
Here, the output "V" is output from the inverting circuit 54.
If “comp” is the value of the positive voltage source, the FET 17
At "F", the FET 18 is turned "ON" and the pulse output signal 102 becomes "low level".

【0039】同様に、出力”Vcomp”が接地レベルの値
であれば、FET17が”ON”で、FET18が”O
FF”になり、パルス出力信号102は”ハイレベル”
になる。
Similarly, if the output "Vcomp" is at the ground level, the FET 17 is "ON" and the FET 18 is "O".
FF ”and the pulse output signal 102 is“ high level ”
become.

【0040】[0040]

【発明が解決しようとする課題】しかし、図4において
非反転入力信号100の電圧上昇が電圧降下と比較して
緩やかであった場合、閾値電圧である”V2”に達する
近傍では上昇速度が減少して時間変化に対する電圧変化
が小さくなる。
However, in FIG. 4, when the voltage of the non-inverting input signal 100 rises more slowly than the voltage drop, the rising speed decreases near the threshold voltage "V2". As a result, the voltage change with respect to the time change becomes small.

【0041】このため、ノイズ等が非反転入力信号10
0に重畳した場合等では、閾値電圧”V2”に達する前
に比較回路4の出力レベルが切り換わってしまう場合が
発生し、結果として発生するパルス出力信号102の発
振周波数に揺らぎ(ジッタ)が生じてしまうと言った問
題点があった。
For this reason, noise and the like are caused by the non-inverted input signal 10.
In the case of superimposition on 0, the output level of the comparison circuit 4 may be switched before reaching the threshold voltage “V2”, and the oscillation frequency of the resulting pulse output signal 102 fluctuates (jitter). There was a problem that it would happen.

【0042】この問題点は、比較回路のゲインが有限で
あるため、差動入力信号の差が小さくなると論理レベル
がどちらにもつかない値となり、不安定な状態になるた
めである。すなわち、図6中”AR13”に示す領域で
は差動回路50はアナログ動作領域であり、このような
領域内では比較回路の出力はノイズの影響を受け易くな
る。従って本発明が解決しようとする課題は、アナログ
的な出力状態となる差動電圧範囲の小さい比較回路及び
これを用いた発振周波数の揺らぎを軽減することが可能
な発振回路を実現することにある。
This problem is because the gain of the comparison circuit is finite, so that when the difference between the differential input signals becomes small, the logic level becomes a value that has no particular one, resulting in an unstable state. That is, in the area indicated by "AR13" in FIG. 6, the differential circuit 50 is an analog operation area, and in such an area, the output of the comparison circuit is easily affected by noise. Accordingly, an object of the present invention is to provide a comparison circuit having a small differential voltage range in an analog output state and an oscillation circuit using the same, which can reduce fluctuations in oscillation frequency. .

【0043】[0043]

【課題を解決するための手段】このような課題を達成す
るために、本発明のうち請求項1記載の発明は、比較回
路において、差動入力信号が印加される差動回路と、こ
の差動回路の第1の差動電流が接続される第1の電流ミ
ラー回路と、前記差動回路の第2の差動電流が接続され
る第2の電流ミラー回路と、前記第1の電流ミラー回路
の出力電流が接続される第3の電流ミラー回路と、前記
第2及び第3の電流ミラー回路の出力電流が接続され、
出力信号を出力する反転回路と、前記差動回路の一方の
差動電流に基づき他方の差動電流を自分自身に流すクロ
スカップリングスイッチ回路とを備えたことにより、ア
ナログ的な出力状態となる差動電圧範囲の小さい比較回
路となり、不安定な状態になる差動入力信号の差を効果
的に小さくできる。
In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, in a comparison circuit, a differential circuit to which a differential input signal is applied and a differential circuit to which the differential input signal is applied are provided. A first current mirror circuit to which a first differential current of a driving circuit is connected, a second current mirror circuit to which a second differential current of the differential circuit is connected, and the first current mirror A third current mirror circuit to which an output current of the circuit is connected, and output currents of the second and third current mirror circuits to be connected;
By providing an inverting circuit that outputs an output signal and a cross-coupling switch circuit that passes the other differential current to itself based on one differential current of the differential circuit, an analog output state is obtained. The comparison circuit has a small differential voltage range, and can effectively reduce the difference between the differential input signals that become unstable.

【0044】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明である比較回路において、前記クロスカップリングス
イッチ回路が、前記差動回路の第1及び第2の差動電流
がゲート及びドレインに接続された第1のMOSFET
と、前記差動回路の第1及び第2の差動電流がドレイン
及びゲートに接続された第2のMOSFETとから構成
されたことにより、アナログ的な出力状態となる差動電
圧範囲の小さい比較回路となり、不安定な状態になる差
動入力信号の差を効果的に小さくできる。
According to a second aspect of the present invention, in the comparison circuit according to the first aspect, the cross-coupling switch circuit includes a first and a second differential current of the differential circuit connected to a gate and a drain. Connected first MOSFET
And the first and second differential currents of the differential circuit are constituted by the second MOSFET connected to the drain and the gate, so that the differential voltage range in which the analog output state is obtained is small. It becomes a circuit, and the difference between the differential input signals that becomes unstable can be effectively reduced.

【0045】請求項3記載の発明は、請求項1記載の発
明である比較回路において、前記差動回路が、定電流源
と、この定電流源の出力電流がそれぞれのソースに接続
され、それぞれのゲートに接続された前記差動入力信号
に基づきそれぞれのドレインから差動電流を出力する1
対のMOSFETとから構成されたことにより、アナロ
グ的な出力状態となる差動電圧範囲の小さい比較回路と
なり、不安定な状態になる差動入力信号の差を効果的に
小さくできる。
According to a third aspect of the present invention, in the comparison circuit according to the first aspect, the differential circuit includes a constant current source and an output current of the constant current source connected to respective sources. 1 outputs a differential current from each drain based on the differential input signal connected to the gate of
With the configuration including the pair of MOSFETs, the comparison circuit has a small differential voltage range in an analog output state, and can effectively reduce the difference between differential input signals in an unstable state.

【0046】請求項4記載の発明は、請求項1記載の発
明である比較回路において、前記第1乃至第3の電流ミ
ラー回路が、ソースが電圧源に接続され入力電流がドレ
イン及びゲートに接続される第1のMOSFETと、ソ
ースが電圧源に接続され入力電流がゲートに接続される
と共にドレインから出力電流を出力する第2のMOSF
ETとから構成されたことにより、アナログ的な出力状
態となる差動電圧範囲の小さい比較回路となり、不安定
な状態になる差動入力信号の差を効果的に小さくでき
る。
According to a fourth aspect of the present invention, in the comparison circuit according to the first aspect, the first to third current mirror circuits have a source connected to a voltage source and an input current connected to a drain and a gate. A first MOSFET connected to a voltage source, a second MOSFET connected to an input current of the gate and outputting an output current from the drain.
By using the ET and the ET, a comparison circuit having a small differential voltage range in an analog output state can be obtained, and the difference between differential input signals in an unstable state can be effectively reduced.

【0047】請求項5記載の発明は、請求項1記載の発
明である比較回路において、前記反転回路が、一方のソ
ースが高電圧側、他方のソースが低電圧側の電圧源にそ
れぞれ接続され、互いに接続されたゲートに前記第2及
び第3の電流ミラー回路の出力電流が接続されると共に
互いに接続されたドレインから出力信号を出力する1対
のMOSFETから構成されたことにより、アナログ的
な出力状態となる差動電圧範囲の小さい比較回路とな
り、不安定な状態になる差動入力信号の差を効果的に小
さくできる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the comparison circuit according to the first aspect, the inverting circuit has one source connected to a high voltage side and the other source connected to a low voltage side. The output currents of the second and third current mirror circuits are connected to the gates connected to each other, and the pair of MOSFETs output an output signal from the drains connected to each other. The comparison circuit has a small differential voltage range in an output state, and can effectively reduce a difference between differential input signals in an unstable state.

【0048】請求項6記載の発明は、請求項1記載の発
明である比較回路を発振回路に用いたことにより、発振
周波数の揺らぎを防止することが可能になる。
According to a sixth aspect of the present invention, the use of the comparison circuit according to the first aspect of the present invention in an oscillation circuit makes it possible to prevent fluctuations in the oscillation frequency.

【0049】[0049]

【発明の実施の形態】以下本発明を図面を用いて詳細に
説明する。図1は本発明に係る比較回路の一実施例を示
す構成回路図である。図1において8〜18,100,
101,50,51,52,53及び54は図5と同一
符号を付してあり、19及び20はFET、103は比
較結果である出力信号である。また、19及び20はク
ロスカップリングスイッチ回路55を構成している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration circuit diagram showing one embodiment of a comparison circuit according to the present invention. In FIG. 1, 8 to 18, 100,
Reference numerals 101, 50, 51, 52, 53 and 54 denote the same reference numerals as in FIG. 5, 19 and 20 denote FETs, and 103 denotes an output signal as a comparison result. 19 and 20 constitute a cross coupling switch circuit 55.

【0050】差動入力信号である非反転入力信号100
及び反転入力信号101はFET8及び9のゲートに接
続され、FET8のソースはFET9のソース及び定電
流源10の一端に接続される。
The non-inverted input signal 100 which is a differential input signal
The inverted input signal 101 is connected to the gates of the FETs 8 and 9, and the source of the FET 8 is connected to the source of the FET 9 and one end of the constant current source 10.

【0051】FET8のドレインはFET11,13及
び19のゲートとFET11及び20のドレインにそれ
ぞれ接続され、FET9のドレインはFET12,14
及び20のゲートとFET12及び19のドレインにそ
れぞれ接続される。
The drain of the FET 8 is connected to the gates of the FETs 11, 13 and 19 and the drains of the FETs 11 and 20, respectively.
20 and the drains of FETs 12 and 19, respectively.

【0052】FET13のドレインはFET15及び1
6のゲートとFET15のドレインにそれぞれ接続さ
れ、FET14のドレインはFET16のドレイン、F
ET17及び18のゲートにそれぞれ接続される。
The drain of the FET 13 is connected to the FETs 15 and 1
6 and the drain of the FET 15, respectively. The drain of the FET 14 is the drain of the FET 16,
Connected to the gates of ET17 and ET18, respectively.

【0053】FET17のドレインはFET18のドレ
インに接続されると共に出力信号103を出力する。
The drain of the FET 17 is connected to the drain of the FET 18 and outputs an output signal 103.

【0054】また、定電流源10の他端、FET15,
16及び17のソースは正電圧源”VDD”にそれぞれ
接続され、FET11,12,13,14,18,19
及び20の他端はそれぞれ接地(”0V”の電圧源に接
続)される。
The other end of the constant current source 10, the FET 15,
The sources of 16 and 17 are connected to a positive voltage source "VDD", respectively, and FETs 11, 12, 13, 14, 18, 19
And 20 are respectively grounded (connected to a voltage source of "0 V").

【0055】ここで、図1に示す実施例の動作を図2を
用いて説明する。図2は差動入力信号の変化に対するF
ET8,9,11,12,19及び20のドレイン電流
と反転回路54で出力反転される前の出力”Vcomp’”
(以下、単に出力”Vcomp’”と呼ぶ。)の特性の関係
を示す特性曲線図である。
Here, the operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows that F
The drain currents of the ETs 8, 9, 11, 12, 19 and 20 and the output "Vcomp '" before the output is inverted by the inversion circuit 54.
FIG. 11 is a characteristic curve diagram showing a relationship between characteristics of the output (hereinafter, simply referred to as an output “Vcomp ′”).

【0056】図2中(a)は差動入力信号である非反転
入力信号100”V100”及び反転入力信号101”V
101”、(b)はFET8及び9のドレイン電流”I8
及び”I9”、(c)はFET11及び12のドレイン
電流”I11”及び”I12”、(d)はFET19及び2
0のドレイン電流”I19”及び”I20”、(e)は出
力”Vcomp’”の各特性曲線を示している。また、横軸
は差電圧”V100−V101”を示している。
FIG. 2A shows a non-inverted input signal 100 "V 100 " and an inverted input signal 101 "V which are differential input signals.
101 ", (b) shows drain current" I 8 "of FETs 8 and 9;
And "I 9", (c) the drain current "I 11" of FET11 and 12 and "I 12", (d) the FET19 and 2
Drain currents “I 19 ” and “I 20 ” of 0 and (e) show respective characteristic curves of the output “Vcomp ′”. The horizontal axis indicates the difference voltage “V 100 −V 101 ”.

【0057】差電圧”V100−V101”が図2のように変
化、言い換えれば、差動入力信号が図2中(a)に示す
ように変化すると、差動回路50を構成しているFET
8及び9には図2中(b)に示すようなドレイン電流が
流れる。
[0057] changes as difference voltage "V 100 -V 101" in FIG. 2, in other words, when the differential input signal is changed as shown in FIG. 2 (a), constitute a differential circuit 50 FET
Drain currents 8 and 9 flow as shown in FIG.

【0058】そして、図2中”AR21”に示す”V
101>V100”である領域では、図2(c)に示すよう
に、FET8に流れるドレイン電流”I8”がそのまま
FET11のドレイン電流”I11”として流れる。
Then, "V" shown in "AR21" in FIG.
In the region where 101 > V 100 ″, the drain current “I 8 ” flowing through the FET 8 flows as it is as the drain current “I 11 ” of the FET 11 as shown in FIG.

【0059】また、FET11及び13は電流ミラー回
路51を構成しているのでFET13にも同一値電流が
ドレイン電流として流れる。このドレイン電流はさらに
電流ミラー回路53を構成するFET15及び16に流
れることになる。
Further, since the FETs 11 and 13 constitute the current mirror circuit 51, the same current flows through the FET 13 as a drain current. This drain current further flows through the FETs 15 and 16 constituting the current mirror circuit 53.

【0060】但し、FET19のゲートも電流ミラー回
路51を構成するFET11等のゲートに接続されてい
るので、FET19はもともとFET9がFET12に
流していたドレイン電流”I9”を図2中(d)に示す
ようにFET19の自分自身のドレイン電流”I19”と
して流してしまう。
However, since the gate of the FET 19 is also connected to the gate of the FET 11 and the like constituting the current mirror circuit 51, the drain current "I 9 " of the FET 19 originally flowing from the FET 9 to the FET 12 is shown in FIG. As shown in (1), the drain current of the FET 19 itself flows as "I 19 ".

【0061】このため、図2中”AR21”に示す”V
101>V100”である領域では、図2(c)に示すように
FET12のドレイン電流”I12”が流れなくなる。ま
た、FET12にドレイン電流”I12”が流れないので
FET14にもドレイン電流が流れなくなる。
For this reason, “V” shown in “AR21” in FIG.
2C, the drain current “I 12 ” of the FET 12 stops flowing in the region where 101 > V 100 ”. Further, since the drain current“ I 12 ”does not flow in the FET 12, the drain current also flows in the FET 14. Stops flowing.

【0062】従って、FET14にはドレイン電流が流
れず、言い換えれば、FET14に流れるドレイン電流
はFET16に流れるドレイン電流よりも極めて小さい
ので、このため出力”Vcomp’”は図2(e)に示すよ
うに正電圧源”VDD”とほぼ同一の値となる。
Accordingly, no drain current flows through the FET 14, in other words, the drain current flowing through the FET 14 is much smaller than the drain current flowing through the FET 16, so that the output "Vcomp '" becomes as shown in FIG. At the same time as the positive voltage source "VDD".

【0063】これに対して、図2中”AR22”に示
す”V101<V100”である領域では、図2(c)に示す
ように、FET9に流れるドレイン電流”I9”がその
ままFET12のドレイン電流”I12”として流れる。
On the other hand, in a region where “V 101 <V 100 ” indicated by “AR 22” in FIG. 2, as shown in FIG. 2C, the drain current “I 9 ” flowing through the FET 9 is directly applied to the FET 12. Flows as the drain current “I 12 ”.

【0064】また、FET12及び14は電流ミラー回
路52を構成しているのでFET14にも同一値電流が
ドレイン電流として流れる。
Since the FETs 12 and 14 form the current mirror circuit 52, the same current flows through the FET 14 as a drain current.

【0065】但し、FET20のゲートも電流ミラー回
路52を構成するFET12等のゲートに接続されてい
るので、FET20は従来FET8がFET11に流し
ていたドレイン電流”I8”を図2中(d)に示すよう
にFET20の自分自身のドレイン電流”I20”として
流してしまう。
However, since the gate of the FET 20 is also connected to the gate of the FET 12 and the like constituting the current mirror circuit 52, the FET 20 uses the drain current “I 8 ” that the FET 8 has conventionally flowed through the FET 11 in FIG. As shown in (1), the drain current of the FET 20 itself flows as “I 20 ”.

【0066】このため、図2中”AR22”に示す”V
101<V100”である領域では、図2(c)に示すように
FET11のドレイン電流”I11”が流れなくなる。ま
た、FET11にドレイン電流”I11”が流れないので
FET13にもドレイン電流が流れなくなる。さらに、
このドレイン電流が流れていた電流ミラー回路53を構
成するFET15及び16にもドレイン電流は流れない
ことになる。
For this reason, "V" shown in "AR22" in FIG.
2C, the drain current “I 11 ” of the FET 11 does not flow in the region where 101 <V 100 ”, and the drain current“ I 11 ”does not flow in the FET 11 so that the drain current also flows in the FET 13. Does not flow.
The drain current does not flow through the FETs 15 and 16 of the current mirror circuit 53 through which the drain current has flowed.

【0067】従って、FET16にはドレイン電流が流
れず、言い換えれば、FET16に流れるドレイン電流
はFET14に流れるドレイン電流よりも極めて小さい
ので、このため出力”Vcomp’”は図2(e)に示すよ
うに接地レベルとほぼ同一の値となる。
Accordingly, no drain current flows through the FET 16, in other words, the drain current flowing through the FET 16 is much smaller than the drain current flowing through the FET 14, so that the output "Vcomp '" becomes as shown in FIG. The value is almost the same as the ground level.

【0068】また、ここで、反転回路54では出力”V
comp’”が正電圧源の値であれば、FET17が”OF
F”で、FET18が”ON”になり、出力信号103
は”ローレベル”になる。
Here, the output “V” is output from the inverting circuit 54.
If comp ′ ”is the value of the positive voltage source, the FET 17
F ”, the FET 18 is turned“ ON ”and the output signal 103
Becomes "low level".

【0069】同様に、出力”Vcomp’”が接地レベルの
値であれば、FET17が”ON”で、FET18が”
OFF”になり、出力信号103は”ハイレベル”にな
る。
Similarly, if the output "Vcomp '" is at the ground level, the FET 17 is "ON" and the FET 18 is "ON".
OFF ", and the output signal 103 becomes" high level ".

【0070】すなわち、図2中”AR23”に示すよう
に差動入力信号の差が小さくなりFET8及びFET9
のドレイン電流の電流値が近接すると、例えば、図2
中”AR21”に示す”V101>V100”である領域で、
FET19のドレイン電流”I 19”よりも、FET20
のドレイン電流”I20”が大きくなると動作がFET2
0側に急峻に切り換わる。
That is, as shown by "AR23" in FIG.
The difference between the differential input signals becomes smaller and
When the current values of the drain currents of FIG.
"V" shown in the middle "AR21"101> V100In the area that is "
The drain current “I” of the FET 19 19FET20
Drain current “I”20Becomes larger, the operation becomes FET2
It switches sharply to the 0 side.

【0071】このため、差動入力信号の差が小さくなる
領域での出力”Vcomp’”の切り換わりも急峻になり、
論理レベルがどちらにもつかない値とならず、不安定な
状態を回避することができる。言い換えれば、アナログ
的な出力状態となる差動電圧範囲が小さくなる。
For this reason, the switching of the output “Vcomp ′” in the region where the difference between the differential input signals is small becomes sharp, and
The logic level does not have a value that neither has, and an unstable state can be avoided. In other words, the differential voltage range in which the output state is analog becomes smaller.

【0072】この結果、電流ミラー回路51及び52に
クロスカップリングスイッチ回路55を付加することに
より、アナログ的な出力状態となる差動電圧範囲の極小
さい比較回路となる。
As a result, by adding the cross-coupling switch circuit 55 to the current mirror circuits 51 and 52, a comparison circuit having a very small differential voltage range to be in an analog output state can be obtained.

【0073】また、このような比較回路を発振回路に用
いることにより発振周波数の揺らぎを軽減することが可
能になる。
Further, by using such a comparison circuit in an oscillation circuit, fluctuations in the oscillation frequency can be reduced.

【0074】なお、図1に示す実施例ではトランジスタ
としてMOSFETを例示したが、通常のバイポーラト
ランジスタ等であっても構わない。
Although the MOSFET is exemplified as the transistor in the embodiment shown in FIG. 1, a normal bipolar transistor or the like may be used.

【0075】[0075]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によれば次のような効果がある。請求項1乃至請
求項5の発明によれば、電流ミラー回路に一方の差動電
流に基づき他方の差動電流を自分自身に流すクロスカッ
プリングスイッチ回路を付加することにより、アナログ
的な出力状態となる差動電圧範囲の小さい比較回路とな
り、不安定な状態になる差動入力信号の差を効果的に小
さくできる。
As is apparent from the above description,
According to the present invention, the following effects can be obtained. According to the first to fifth aspects of the present invention, an analog output state is provided by adding, to the current mirror circuit, a cross coupling switch circuit that allows the other differential current to flow through itself based on one differential current. The comparison circuit has a small differential voltage range, and the difference between the differential input signals that becomes unstable can be effectively reduced.

【0076】また、請求項6の発明によれば、このよう
な比較回路を発振回路に用いることにより、発振周波数
の揺らぎを軽減することが可能になる。
Further, according to the invention of claim 6, by using such a comparison circuit for an oscillation circuit, it is possible to reduce the fluctuation of the oscillation frequency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る比較回路の一実施例を示す構成回
路図である。
FIG. 1 is a configuration circuit diagram showing an embodiment of a comparison circuit according to the present invention.

【図2】差動入力信号の変化に対するドレイン電流と出
力”Vcomp’”の特性の関係を示す特性曲線図である。
FIG. 2 is a characteristic curve diagram showing a relationship between a drain current and a characteristic of an output “Vcomp ′” with respect to a change in a differential input signal.

【図3】従来の発振回路の一例を示す構成ブロック図で
ある。
FIG. 3 is a configuration block diagram illustrating an example of a conventional oscillation circuit.

【図4】非反転入力信号の動作波形及びパルス出力の一
例を示すタイミング図である。
FIG. 4 is a timing chart showing an example of an operation waveform and a pulse output of a non-inverting input signal.

【図5】比較回路の具体例を示す構成回路図である。FIG. 5 is a configuration circuit diagram showing a specific example of a comparison circuit.

【図6】差動入力信号の変化に対するドレイン電流と出
力”Vcomp”の特性の関係を示す特性曲線図である。
FIG. 6 is a characteristic curve diagram showing a relationship between a drain current and a characteristic of an output “Vcomp” with respect to a change in a differential input signal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 抵抗 2 容量 3,5 スイッチ回路 4 比較回路 6,7 定電圧源 8,9,11,12,13,14,15,16,17,
18,19,20 MOSFET 10 定電流源 50 差動回路 51,52,53 電流ミラー回路 54 反転回路 55 クロスカップリングスイッチ回路 100 非反転入力信号 101 反転入力信号 102 パルス出力信号 103 出力信号
REFERENCE SIGNS LIST 1 resistance 2 capacitance 3,5 switch circuit 4 comparison circuit 6,7 constant voltage source 8,9,11,12,13,14,15,16,17,
18, 19, 20 MOSFET 10 Constant current source 50 Differential circuit 51, 52, 53 Current mirror circuit 54 Inverting circuit 55 Cross-coupling switch circuit 100 Non-inverting input signal 101 Inverting input signal 102 Pulse output signal 103 Output signal

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】比較回路において、 差動入力信号が印加される差動回路と、 この差動回路の第1の差動電流が接続される第1の電流
ミラー回路と、 前記差動回路の第2の差動電流が接続される第2の電流
ミラー回路と、 前記第1の電流ミラー回路の出力電流が接続される第3
の電流ミラー回路と、 前記第2及び第3の電流ミラー回路の出力電流が接続さ
れ、出力信号を出力する反転回路と、 前記差動回路の一方の差動電流に基づき他方の差動電流
を自分自身に流すクロスカップリングスイッチ回路とを
備えたことを特徴とする比較回路。
A differential circuit to which a differential input signal is applied; a first current mirror circuit to which a first differential current of the differential circuit is connected; A second current mirror circuit to which a second differential current is connected; and a third current terminal to which an output current of the first current mirror circuit is connected.
A current mirror circuit, an output circuit of the second and third current mirror circuits is connected, and an inverting circuit that outputs an output signal; and a differential current of the differential circuit based on one differential current. A comparison circuit comprising a cross-coupling switch circuit flowing to itself.
【請求項2】前記クロスカップリングスイッチ回路が、 前記差動回路の第1及び第2の差動電流がゲート及びド
レインに接続された第1のMOSFETと、 前記差動回路の第1及び第2の差動電流がドレイン及び
ゲートに接続された第2のMOSFETとから構成され
たことを特徴とする請求項1記載の比較回路。
2. The cross-coupling switch circuit includes: a first MOSFET having first and second differential currents of the differential circuit connected to a gate and a drain; and a first and a second MOSFET of the differential circuit. 2. The comparison circuit according to claim 1, wherein the two differential currents comprise a second MOSFET connected to a drain and a gate.
【請求項3】前記差動回路が、 定電流源と、 この定電流源の出力電流がそれぞれのソースに接続さ
れ、それぞれのゲートに接続された前記差動入力信号に
基づきそれぞれのドレインから差動電流を出力する1対
のMOSFETとから構成されたことを特徴とする請求
項1記載の比較回路。
3. A differential circuit comprising: a constant current source; an output current of the constant current source connected to a respective source; and a differential current source connected to a respective gate. 2. The comparison circuit according to claim 1, comprising a pair of MOSFETs for outputting a dynamic current.
【請求項4】前記第1乃至第3の電流ミラー回路が、 ソースが電圧源に接続され入力電流がドレイン及びゲー
トに接続される第1のMOSFETと、 ソースが電圧源に接続され入力電流がゲートに接続され
ると共にドレインから出力電流を出力する第2のMOS
FETとから構成されたことを特徴とする請求項1記載
の比較回路。
4. The first to third current mirror circuits include: a first MOSFET having a source connected to a voltage source and an input current connected to a drain and a gate; and a source connected to a voltage source and having an input current. A second MOS connected to the gate and outputting an output current from the drain
2. The comparison circuit according to claim 1, wherein the comparison circuit comprises an FET.
【請求項5】前記反転回路が、 一方のソースが高電圧側、他方のソースが低電圧側の電
圧源にそれぞれ接続され、互いに接続されたゲートに前
記第2及び第3の電流ミラー回路の出力電流が接続され
ると共に互いに接続されたドレインから出力信号を出力
する1対のMOSFETから構成されたことを特徴とす
る請求項1記載の比較回路。
5. The inverting circuit, wherein one source is connected to a high voltage side voltage source and the other source is connected to a low voltage side voltage source, respectively, and gates of the second and third current mirror circuits are connected to gates connected to each other. 2. The comparison circuit according to claim 1, further comprising a pair of MOSFETs connected to an output current and outputting an output signal from drains connected to each other.
【請求項6】請求項1記載の比較回路を用いたことを特
徴とする発振回路。
6. An oscillation circuit using the comparison circuit according to claim 1.
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