JP2001176941A - Method for recognizing wafer coordinate of automatic defect detector - Google Patents

Method for recognizing wafer coordinate of automatic defect detector

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JP2001176941A
JP2001176941A JP35913699A JP35913699A JP2001176941A JP 2001176941 A JP2001176941 A JP 2001176941A JP 35913699 A JP35913699 A JP 35913699A JP 35913699 A JP35913699 A JP 35913699A JP 2001176941 A JP2001176941 A JP 2001176941A
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coordinate
wafer
chip
defect
origin
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Yoshinori Nagatsuka
義則 長塚
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Seiko Epson Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for recognizing a wafer coordinate of an automatic defects detector capable of enhancing coordinate precision and obtaining accurately a defective recognition image with high magnification. SOLUTION: The automatic defect detector extracts actual defective portions on a wafer under test as an image by means of a review SEM in reference to defective coordinate data obtained from the wafer. In step 3, an arbitrary image data in a point of origin of a chip are stored when a coordinate data is incorporated to obtain an alignment coordinate with respect to the wafer under test. In step 4, difference in the alignment coordinate is corrected by temporarily shifting the image data in the point of origin of the chip to origin coordinate of the defective chip in reference to the defective coordinate data to be superposed with each other. Thereafter, the image data is transferred to the defective portion corresponding to the defective coordinate data obtained in step 1 on the basis of the corrected alignment coordinate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造に係
り、特にウェハ工程におけるチップ毎の欠陥を検査し、
欠陥箇所を認識、検出する自動欠陥検出装置のウェハ座
標認識方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the manufacture of semiconductor devices, and more particularly, to the inspection of defects for each chip in a wafer process.
The present invention relates to a wafer coordinate recognition method of an automatic defect detection device for recognizing and detecting a defective portion.

【0002】[0002]

【従来の技術】走査型電子顕微鏡、いわゆるSEM(Sc
anning Electron Microscope)は、シャープな凹凸像の
高倍率化に適している。このSEMを適用し、ウェハ上
の層間絶縁膜や配線のステップカバレッジ、パーティク
ルの観察を行うレビューSEM(またはINLINE−
SEM)と呼ばれる画像認識技術がある。このレビュー
SEMと共にソフトウェアを構築し、自動欠陥検査をシ
ステム化した自動欠陥検出装置が開発されている。
2. Description of the Related Art A scanning electron microscope, so-called SEM (Sc
Anning Electron Microscope) is suitable for increasing the magnification of a sharp uneven image. A review SEM (or INLINE-) which observes the step coverage and particles of the interlayer insulating film and wiring on the wafer by applying this SEM.
There is an image recognition technology called SEM). An automatic defect detection device has been developed in which software is constructed together with the review SEM and an automatic defect inspection is systematized.

【0003】自動欠陥検出装置は、まず、被検査ウェハ
に対して光学的に、例えば隣どうしの各チップの領域を
適当な倍率で互いに比較しながら欠陥検査を進める。す
なわち、比較した隣のチップの同じ領域に対して異常が
認められれば、欠陥箇所として欠陥座標データを取得し
ていく。
[0003] The automatic defect detection apparatus first performs a defect inspection optically on a wafer to be inspected, for example, by comparing areas of adjacent chips with each other at an appropriate magnification. That is, if an abnormality is found in the same area of the compared adjacent chip, defect coordinate data is acquired as a defective portion.

【0004】次に、この欠陥座標データと被検査ウェハ
がアライメントされ、レビューSEMによって詳細な欠
陥レビューが行われる。最終的には欠陥箇所のSEM画
像を最適な倍率で提供することによって自動的にウェハ
の欠陥検出を達成する。
Next, the defect coordinate data and the wafer to be inspected are aligned, and a detailed defect review is performed by a review SEM. Eventually, wafer defect detection is automatically achieved by providing an SEM image of the defect at the optimal magnification.

【0005】図4は、自動欠陥検出装置に適用される、
レビューSEMにおけるウェハのアライメント方法を説
明するための平面図である。レビューSEMでは、被検
査ウェハWFに対し、例えば2ポイントA1,B1が指
し示される(オペレータがポイントして指示してもよ
い)。このポイントA1,B1を基に各チップの座標が
計算によって求められる(アライメント座標取得)。こ
のようなアライメント座標によって、各チップにおける
原点座標のデータも得られる。
[0005] FIG. 4 shows an example applied to an automatic defect detection device.
FIG. 5 is a plan view for explaining a wafer alignment method in a review SEM. In the review SEM, for example, two points A1 and B1 are indicated with respect to the wafer WF to be inspected (the operator may point and indicate). The coordinates of each chip are obtained by calculation based on the points A1 and B1 (alignment coordinate acquisition). With such alignment coordinates, data of origin coordinates in each chip is also obtained.

【0006】上記光学的に検査した被検査ウェハの欠陥
座標データは、チップ原点からの距離の情報であり、レ
ビューSEMは、上記アライメント座標を基に欠陥座標
データの示す箇所に移動する。これにより、自動欠陥検
出装置は、オペレータに対し、被検査ウェハにおける実
際の異常箇所(欠陥箇所)のSEM画像を最適な倍率で
提供する。
The defect coordinate data of the wafer to be optically inspected is information on the distance from the chip origin, and the review SEM moves to the position indicated by the defect coordinate data based on the alignment coordinates. Accordingly, the automatic defect detection device provides an operator with an SEM image of an actual abnormal portion (defect portion) on the inspection target wafer at an optimum magnification.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】このように、レビュー
SEMは、上述のように計算で得たアライメント座標を
使い、欠陥座標データに応じた欠陥箇所へと移動する。
しかしながら、アライメント座標のような計算によって
決定されるウェハ座標は、被検査ウェハ自体の歪み、露
光時に発生した歪みに対して整合が全くとられていな
い。この結果、実際の各チップ原点との座標に誤差が生
じる。
As described above, the review SEM uses the alignment coordinates obtained as described above to move to a defect location corresponding to the defect coordinate data.
However, the wafer coordinates determined by calculation such as the alignment coordinates are not matched at all with the distortion of the wafer to be inspected and the distortion generated at the time of exposure. As a result, an error occurs in the actual coordinates with respect to each chip origin.

【0008】特にウェハの周縁付近のチップ領域では実
際のチップ原点と計算上のチップ原点との誤差が大きく
なる。これにより、アライメント座標を使って欠陥箇所
へと移動する場合、倍率の高いSEM画像は的確に欠陥
を捉えることができなくなる恐れがある。
Particularly, in a chip area near the periphery of the wafer, an error between the actual chip origin and the calculated chip origin becomes large. As a result, when moving to a defective portion using the alignment coordinates, the SEM image with a high magnification may not be able to accurately detect the defect.

【0009】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、その課題は、座標精度を向上させ、的確に倍率の高
い欠陥認識画像を得ることのできる自動欠陥検出装置の
ウェハ座標認識方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a method of recognizing a wafer coordinate of an automatic defect detection apparatus capable of improving a coordinate accuracy and accurately obtaining a defect recognition image with a high magnification. To provide.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の自動欠陥検出装
置のウェハ座標認識方法は、被検査ウェハから取得した
欠陥座標データを参照してレビューSEMで前記被検査
ウェハにおける実際の欠陥箇所を画像として抽出する自
動欠陥検出に関し、前記被検査ウェハに対し座標データ
を合わせ込んでアライメント座標を取得する際、任意の
チップ原点の画像データを記憶しておき、前記アライメ
ント座標を基に前記欠陥座標データに応じた欠陥箇所へ
移動する際、前記欠陥座標データを参照して欠陥のある
チップの原点座標に一旦移動して前記チップ原点の画像
データと重ね合わせることにより前記アライメント座標
の誤差を修正しておくことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a method of recognizing wafer coordinates of an automatic defect detection apparatus, comprising the steps of: referring to defect coordinate data obtained from a wafer to be inspected; Regarding automatic defect detection to be extracted as, when aligning coordinate data with the inspected wafer to obtain alignment coordinates, image data of an arbitrary chip origin is stored, and the defect coordinate data is stored based on the alignment coordinates. When moving to a defective portion according to the above, the error of the alignment coordinates is corrected by temporarily moving to the origin coordinates of the defective chip with reference to the defect coordinate data and overlapping with the image data of the chip origin. It is characterized by putting.

【0011】本発明のウェハ座標認識方法によれば、欠
陥座標データに応じて欠陥箇所へ移動する際に、まず、
一旦アライメント座標の誤差を修正する。それぞれの欠
陥座標データは、欠陥のあるチップ原点からの距離の情
報であるので、誤差修正されたチップ原点から精度よく
的確に欠陥箇所に移動できる。
According to the wafer coordinate recognizing method of the present invention, when moving to a defect location according to defect coordinate data, first,
Correct the alignment coordinate error once. Since each piece of defect coordinate data is information on the distance from the chip origin having a defect, the defect coordinate data can be accurately and accurately moved from the chip origin with the error corrected to the defect location.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施形態に係る
自動欠陥検出装置のウェハ座標認識方法を説明するフロ
ーチャートである。ステップ1では、被検査ウェハから
欠陥座標データを取得する。すなわち、被検査ウェハに
対し光学的に例えば隣どうしの各チップの領域を適当な
倍率で互いに比較しながら欠陥検査を進める。すなわ
ち、比較した隣のチップの同じ領域に対して異常が認め
られれば欠陥箇所として、欠陥座標データを取得してい
く。
FIG. 1 is a flowchart for explaining a wafer coordinate recognition method of an automatic defect detection apparatus according to an embodiment of the present invention. In step 1, defect coordinate data is obtained from the wafer to be inspected. That is, the defect inspection is performed while comparing, for example, optically adjacent regions of each chip with the inspection target wafer at an appropriate magnification. That is, if an abnormality is found in the same area of the compared adjacent chip, defect coordinate data is acquired as a defective portion.

【0013】ステップ2では、レビューSEM(または
INLINE−SEMと呼ばれる)に、欠陥座標データ
を含む所定のデータを送る。また、ステップ3では、被
検査ウェハに対し座標データを合わせ込んでアライメン
ト座標を取得する。すなわち、前記図4で説明したのと
同様に計算によってアライメント座標を得る。
In step 2, predetermined data including defect coordinate data is sent to the review SEM (also called INLINE-SEM). In step 3, the coordinate data is matched with the wafer to be inspected to obtain alignment coordinates. That is, the alignment coordinates are obtained by calculation in the same manner as described with reference to FIG.

【0014】本発明では、このステップ3においてアラ
イメント座標を取得する際、任意のチップ原点の画像デ
ータを記憶しておく。もともと、座標を設定するときに
は所定のチップの角は画像認識するので、その画像デー
タを記憶しておくのである。なお、上記ステップ2とス
テップ3は入れ替わってもかまわない。
In the present invention, when acquiring the alignment coordinates in step 3, image data of an arbitrary chip origin is stored. Originally, when the coordinates are set, the image of the corner of the predetermined chip is recognized, and the image data is stored. Steps 2 and 3 may be interchanged.

【0015】次に、ステップ4では、上記欠陥座標デー
タを参照して欠陥のあるチップの原点座標に一旦移動す
る。これはもちろんアライメント座標を利用しての移動
であり、移動箇所によっては誤差が大きく、また小さく
もなる。
Next, in step 4, the defect coordinates are temporarily moved to the origin coordinates of the defective chip with reference to the defect coordinate data. This is, of course, the movement using the alignment coordinates, and the error is large or small depending on the position of the movement.

【0016】そこで、実際のチップの原点座標における
画像と、先のアライメント座標取得時に取込んだチップ
原点の画像データとを重ね合わせてアライメント座標の
誤差を修正する。つまり、実際のチップの原点座標がず
れていたら、近くにあるであろうチップ原点を認識し、
記憶していたチップ原点の画像データと重なるよう微動
させる。この画像の重ね合わせは、倍率を同じにした方
がよい。例えば、先のアライメント座標取得時に取込ん
だチップ原点の画像データの倍率を調整して整合を取れ
ばよい。
Therefore, the image of the actual coordinates of the origin of the chip and the image data of the origin of the chip taken at the time of the acquisition of the alignment coordinates are superimposed to correct the error of the alignment coordinates. In other words, if the origin coordinates of the actual chip deviate, the chip origin that would be nearby is recognized,
Fine movement is performed so as to overlap with the stored image data of the chip origin. The superimposition of the images should preferably have the same magnification. For example, the magnification may be adjusted by adjusting the magnification of the image data of the chip origin taken in at the time of obtaining the alignment coordinates.

【0017】次に、ステップ5において、上記欠陥座標
データに応じたチップの欠陥箇所に移動する。ここでは
チップ原点の誤差が修正された新しいアライメント座標
を利用しての移動であり、精度よく的確に移動箇所に移
動できる。その後、図示しないが、被検査ウェハにおけ
る実際の異常箇所(欠陥箇所)のSEM画像を最適な倍
率で提供する。
Next, at step 5, the chip moves to a defective portion of the chip corresponding to the defect coordinate data. In this case, the movement is performed using the new alignment coordinates in which the error of the chip origin is corrected, and the movement can be performed accurately and accurately to the moving position. Thereafter, although not shown, an SEM image of an actual abnormal portion (defect portion) on the inspection target wafer is provided at an optimum magnification.

【0018】すなわち、本発明のウェハ座標認識方法に
よれば、欠陥座標データに応じて欠陥箇所へ移動する
際、まず、一旦アライメント座標の誤差を修正する。そ
れぞれの欠陥座標データは、欠陥のあるチップ原点から
の距離の情報で与えられるため、誤差修正されたチップ
原点からは、精度よく的確に欠陥箇所に移動できるので
ある。この結果、倍率の高いSEM画像でも的確に欠陥
を捉えることができるようになる。
That is, according to the wafer coordinate recognition method of the present invention, when moving to a defective portion according to the defect coordinate data, first, an error in the alignment coordinate is temporarily corrected. Since each defect coordinate data is given by information on the distance from the chip origin having a defect, it is possible to move to the defect location accurately and accurately from the error corrected chip origin. As a result, it is possible to accurately detect a defect even in a high magnification SEM image.

【0019】図2(a),(b)は、それぞれ図1にお
ける自動欠陥検出装置のウェハ座標認識方法の要部をよ
り具体的に示すウェハ平面図である。図2(b)は、上
記ステップ3で、アライメント座標取得と同時に、任意
のチップ原点の画像データを記憶しておくことを示して
いる。すなわち、被検査ウェハWFに対し、まずアライ
メント座標設定のためのポイントA1,B1を決定する
(図2(a))。このとき、例えばポイントA1の所定
領域を画像データとして記憶しておくようにする(図2
(b))。
FIGS. 2 (a) and 2 (b) are wafer plan views more specifically showing the main part of the wafer coordinate recognition method of the automatic defect detection device in FIG. FIG. 2B shows that image data of an arbitrary chip origin is stored at the same time as the acquisition of the alignment coordinates in the above step 3. That is, for the wafer WF to be inspected, first, the points A1 and B1 for setting the alignment coordinates are determined (FIG. 2A). At this time, for example, a predetermined area of the point A1 is stored as image data (see FIG. 2).
(B)).

【0020】図3は、図1における自動欠陥検出装置の
ウェハ座標認識方法の要部をより具体的に示す被検査ウ
ェハWF内のチップ領域の拡大平面図である。図は、上
記ステップ4を表している。まず、欠陥座標データを参
照してチップCHIPのアライメント座標による原点座
標(X1,Y1)に一旦移動する。これにより、先のポ
イントA1の画像データと重なるチップ原点を認識さ
せ、アライメント座標のチップ原点の誤差を修正する
(チップ原点座標(X2,Y2))。
FIG. 3 is an enlarged plan view of a chip area in a wafer to be inspected WF, showing more specifically a main part of a method of recognizing a wafer coordinate of the automatic defect detection apparatus in FIG. The figure represents step 4 above. First, the chip once moves to the origin coordinates (X1, Y1) based on the alignment coordinates of the chip CHIP with reference to the defect coordinate data. Thereby, the chip origin overlapping with the image data of the previous point A1 is recognized, and the error of the chip origin of the alignment coordinates is corrected (chip origin coordinates (X2, Y2)).

【0021】上記画像データの重ね合わせ認識により、
計算上、波線のようであったアライメント座標は誤差が
修正され、実線のようなに実際のウェハ座標にほぼ一致
する。これにより、欠陥座標データを用いてチップ原点
から精度よく的確に欠陥箇所Dに移動できる(矢印3
1)。
By the above-described superposition recognition of the image data,
In the calculation, the alignment coordinates which looked like a wavy line are corrected in error, and almost coincide with the actual wafer coordinates as shown by a solid line. Thus, the defect coordinate data can be used to accurately and accurately move from the chip origin to the defect location D (arrow 3).
1).

【0022】このように上記実施形態の方法によれば、
欠陥座標データに従って欠陥箇所へ移動する際に、計算
上のアライメント座標を実際の被検査ウェハに適合する
ように誤差を修正する。これにより、被検査ウェハ自体
の歪み、露光時に発生した歪みに対する整合がとれるこ
とになり、それぞれの欠陥座標データは、誤差修正され
たチップ原点から高精度に、しかも倍率が高くても的確
に欠陥箇所に移動できる。
As described above, according to the method of the above embodiment,
When moving to the defect location according to the defect coordinate data, the error is corrected so that the calculated alignment coordinates match the actual wafer to be inspected. As a result, it is possible to match the distortion of the inspected wafer itself and the distortion generated at the time of exposure, and the respective defect coordinate data can be accurately determined from the chip origin corrected by the error and accurately even if the magnification is high. You can move to the location.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、欠
陥座標データに応じて欠陥箇所へ移動する際に、まず、
一旦アライメント座標の誤差を修正する。これにより、
座標精度を向上させ、的確に倍率の高い欠陥認識画像を
得ることのできる自動欠陥検出装置のウェハ座標認識方
法が提供できる。
As described above, according to the present invention, when moving to a defect location according to defect coordinate data, first,
Correct the alignment coordinate error once. This allows
It is possible to provide a wafer coordinate recognition method of an automatic defect detection device capable of improving the coordinate accuracy and accurately obtaining a defect recognition image with a high magnification.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る自動欠陥検出装置のウ
ェハ座標認識方法を説明するフローチャートを示す図で
ある。
FIG. 1 is a flowchart illustrating a wafer coordinate recognition method of an automatic defect detection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】(a),(b)は、それぞれ図1における自動
欠陥検出装置のウェハ座標認識方法の要部をより具体的
に示すウェハ平面図である。
FIGS. 2A and 2B are wafer plan views more specifically showing a main part of a wafer coordinate recognition method of the automatic defect detection device in FIG.

【図3】図1における自動欠陥検出装置のウェハ座標認
識方法の要部をより具体的に示す被検査ウェハ内のチッ
プ領域の拡大平面図である。
FIG. 3 is an enlarged plan view of a chip area in a wafer to be inspected, showing more specifically a main part of a wafer coordinate recognition method of the automatic defect detection device in FIG. 1;

【図4】自動欠陥検出装置に適用される、レビューSE
Mにおけるウェハのアライメント方法を説明するための
平面図である。
FIG. 4 is a review SE applied to an automatic defect detection device.
FIG. 9 is a plan view for explaining a wafer alignment method in M.

【符号の説明】 1〜5…処理ステップ D…欠陥箇所 CHIP…チップ WF…被検査ウェハ[Description of Signs] 1-5: Processing step D: Defect location CHIP: Chip WF: Wafer to be inspected

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G01N 21/88 G01N 21/88 J 4M106 23/225 23/225 Fターム(参考) 2F065 AA03 AA49 AA54 BB02 CC19 FF04 FF61 JJ03 JJ26 PP24 QQ25 QQ31 QQ39 RR02 RR06 RR08 TT02 2F067 AA45 AA54 BB01 BB04 CC17 EE04 EE10 FF11 FF18 GG08 HH06 LL00 NN05 RR24 RR30 SS02 SS13 UU32 2F069 AA03 AA60 AA64 BB15 DD12 DD25 EE00 GG07 GG08 GG72 GG75 PP01 QQ07 2G001 AA03 BA07 CA01 FA06 GA01 GA06 HA07 HA13 JA11 KA03 LA11 MA05 2G051 AA51 AB02 DA07 EA14 ED11 4M106 AA02 BA02 BA04 CA39 CA42 DB02 DB05 DB20 DB21 DJ19──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G01N 21/88 G01N 21/88 J 4M106 23/225 23/225 F-term (Reference) 2F065 AA03 AA49 AA54 BB02 CC19 FF04 FF61 JJ03 JJ26 PP24 QQ25 QQ31 QQ39 RR02 RR06 RR08 TT02 2F067 AA45 AA54 BB01 BB04 CC17 EE04 EE10 FF11 FF18 GG08 HH06 LL00 NN05 RR24 RR30 SS02 SS13 UU32 AF02A07 GG03 GA01 GA06 HA07 HA13 JA11 KA03 LA11 MA05 2G051 AA51 AB02 DA07 EA14 ED11 4M106 AA02 BA02 BA04 CA39 CA42 DB02 DB05 DB20 DB21 DJ19

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被検査ウェハから取得した欠陥座標デー
タを参照してレビューSEMで前記被検査ウェハにおけ
る実際の欠陥箇所を画像として抽出する自動欠陥検出に
関し、 前記被検査ウェハに対し座標データを合わせ込んでアラ
イメント座標を取得する際、任意のチップ原点の画像デ
ータを記憶しておき、 前記アライメント座標を基に前記欠陥座標データに応じ
た欠陥箇所へ移動する際、前記欠陥座標データを参照し
て欠陥のあるチップの原点座標に一旦移動して前記チッ
プ原点の画像データと重ね合わせることにより前記アラ
イメント座標の誤差を修正しておくこと、を特徴とする
自動欠陥検出装置のウェハ座標認識方法。
The present invention relates to automatic defect detection in which a review SEM refers to defect coordinate data acquired from a wafer to be inspected and extracts an actual defect location on the wafer to be inspected as an image by a review SEM. When acquiring the alignment coordinates, the image data of an arbitrary chip origin is stored, and when moving to a defect location corresponding to the defect coordinate data based on the alignment coordinates, referring to the defect coordinate data. A method of recognizing a wafer coordinate of an automatic defect detection device, wherein the method temporarily shifts to the origin coordinate of a defective chip and corrects the error of the alignment coordinate by superimposing the image data on the chip origin.
【請求項2】 前記アライメント座標の誤差を修正する
際、重ね合わせるべき前記アライメント座標取得時に記
憶したチップ原点の画像データの倍率を整合させるこ
と、を特徴とする請求項1記載の自動欠陥検出装置のウ
ェハ座標認識方法。
2. The automatic defect detection device according to claim 1, wherein when correcting the error of the alignment coordinates, the magnification of the image data at the chip origin stored at the time of acquiring the alignment coordinates to be superimposed is matched. Wafer coordinate recognition method.
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