JP2001174726A - Picture display device - Google Patents

Picture display device

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JP2001174726A
JP2001174726A JP36053599A JP36053599A JP2001174726A JP 2001174726 A JP2001174726 A JP 2001174726A JP 36053599 A JP36053599 A JP 36053599A JP 36053599 A JP36053599 A JP 36053599A JP 2001174726 A JP2001174726 A JP 2001174726A
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image display
pixel
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Kunio Ishida
邦夫 石田
Masahiko Yamamoto
正彦 山本
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device of high luminance and a low power consumption. SOLUTION: The picture display device is provided with one or plural light sources 1402 and 1403, a controller which controls light 1404 and 1405 from light sources 1402 and 1403, and a medium 1401 irradiated with light 1404 and 1405, and light 1404 and light 1405 in two directions are made to cross each other and are projected to the medium 1401, and the optical response in the periphery of an intersection 1401 between light 1404 and 1405 in the medium 1401 is changed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置に関
する。
[0001] The present invention relates to an image display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の加速度的な情報化社会において、
情報を人間と機械の間でやり取りするためのマン・マシ
ンインターフェースとしてのディスプレーの役割は高ま
りつづけている。
2. Description of the Related Art In an accelerating information society in recent years,
The role of displays as man-machine interfaces for exchanging information between humans and machines is growing.

【0003】従来のディスプレーには蛍光体を電子線や
紫外線などで励起して発光させるタイプ(ブラウン管、
蛍光表示管、電界放射型ディスプレー、プラズマディス
プレー、無機ELなど)、電界により画素の状態を変調
するタイプ(液晶ディスプレー、電気泳動ディスプレー
など)、正孔と電子の再結合による発光を用いるタイプ
(有機EL、LEDディスプレーなど)等が知られてい
る。いずれも、各画素を印加電圧や電流の変化によって
直接的に刺激し、各画素における「色の変化」(光学応
答の変化)をもたらす仕組みになっている。
[0003] Conventional displays include a type in which a phosphor is excited by an electron beam or ultraviolet light to emit light (CRT,
Fluorescent display tube, field emission display, plasma display, inorganic EL, etc., type that modulates the state of pixels by an electric field (liquid crystal display, electrophoretic display, etc.), type that uses light emission by recombination of holes and electrons (organic) EL, LED display, etc.) are known. In any case, each pixel is directly stimulated by a change in applied voltage or current, and a mechanism that causes a “color change” (a change in optical response) in each pixel.

【0004】これに対し、光刺激によって各画素におけ
る光学応答の変化を起させるタイプのディスプレーも知
られている。
[0004] On the other hand, a type of display in which an optical response in each pixel is changed by a light stimulus is also known.

【0005】このような光学式のディスプレーの1例と
して、LeeらによってSID 97 Digest,
p631−634(1998)において報告されている
ようなレーザーを用いたタイプのものがある。
As one example of such an optical display, Lee et al., SID 97 Digest,
There is a type using a laser as reported in p631-634 (1998).

【0006】このLeeらによるディスプレーは、図1
5に示すような構成になっており、Kr−Arレーザー
から発せられる白色のレーザー光を3本に分け、それぞ
れの光を、赤・緑・青のフィルターと光の強度を変調す
るための音響光学変調素子を通した後、同一の光軸上に
乗せる。そして、回転多角形ミラーと振動ミラーを用い
てレーザー光方向を上下左右に振動させながら、前方に
設けたスクリーンにレーザー光を投射する仕組みを持っ
ており、このような単純な構造によって、大画面に画像
を投影・形成する事が可能となる。しかしながら、この
ディスプレーにおいては、輝点はレーザー光とスクリー
ンとの交点に形成されるため、薄型平面型のディスプレ
ーとはならない。
The display by Lee et al. Is shown in FIG.
The white laser light emitted from the Kr-Ar laser is divided into three lines, and each light is converted into red, green, and blue filters and acoustic waves for modulating the light intensity. After passing through the optical modulation element, it is placed on the same optical axis. It has a mechanism to project the laser beam on the screen provided in front while oscillating the laser beam direction up and down and left and right using a rotating polygon mirror and a vibrating mirror. It is possible to project and form an image. However, in this display, the luminescent spot is formed at the intersection of the laser beam and the screen, so that the display is not a thin flat display.

【0007】薄型平面型のディスプレーを実現可能なタ
イプとしては、2本のレーザー光の交点に2光子吸収に
よるアップコンバージョンをもちいて、輝点が形成され
るタイプのディスプレーが報告されている。
As a type capable of realizing a thin flat display, a type of display in which a bright spot is formed by using up-conversion by two-photon absorption at the intersection of two laser beams has been reported.

【0008】薄型平面型の例は、米国特許576440
3号において開示されているものであり、図16に仕組
みの概略を示す。図16において、161、162はレ
ーザー光源、163、164はミラーをそれぞれ示して
いる。本体165は、フォノン生成率の少ない透明な媒
体に希土類イオンをドープしたものである。
[0008] An example of a thin flat type is disclosed in US Pat.
No. 3 and FIG. 16 shows an outline of the mechanism. In FIG. 16, reference numerals 161 and 162 denote laser light sources, and 163 and 164 denote mirrors. The main body 165 is obtained by doping rare-earth ions into a transparent medium having a low phonon generation rate.

【0009】2本のレーザー光、166と167の交点
168において、本体165中の媒体にドープされた希
土類イオンは、2光子吸収によって励起され、蛍光を発
する。
At the intersection 168 of the two laser beams, 166 and 167, the rare earth ions doped into the medium in the body 165 are excited by two-photon absorption and emit fluorescence.

【0010】このとき、レーザー光、166と167に
赤外光を用い、波長の差を十分大きく設定しつつ、2本
のレーザー光、166と167の波長の和が希土類イオ
ンの吸収帯の波長に収まるように設定することによっ
て、交点168においてのみ蛍光が発せられる。これは
2光子吸収を起させるためには片方のレーザーの光子2
個分のエネルギーは大きすぎるか、または小さすぎる
が、2本のレーザーの光子のエネルギーの和は希土類イ
オンの吸収帯に収まるように設定しているからである。
At this time, the sum of the wavelengths of the two laser beams, 166 and 167, is set to the wavelength of the absorption band of the rare earth ion while using infrared light for the laser beams, 166 and 167, and setting the difference between the wavelengths sufficiently large. , The fluorescence is emitted only at the intersection 168. This is due to the photon 2 of one of the lasers to cause two-photon absorption.
This is because the energy of the individual is too large or too small, but the sum of the energies of the photons of the two lasers is set to be within the absorption band of the rare earth ions.

【0011】この交点168を、ミラーなどのレーザー
光の方向を変える手段によって移動させ、同時に光の強
度を変調することによって、画像表示が行われる。
The intersection point 168 is moved by means for changing the direction of the laser light, such as a mirror, and at the same time, the intensity of the light is modulated, whereby an image is displayed.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述した様に、2光子
吸収を用いたディスプレーは、複雑なマトリックス配線
やTFTを用いずに、平面型のディスプレーを実現する
ための強力な手段を提供することが出来る。
As described above, a display using two-photon absorption provides a powerful means for realizing a flat display without using a complicated matrix wiring or TFT. Can be done.

【0013】しかし、2光子吸収による、蛍光を用いた
ディスプレーには次のような問題がある。すなわち、蛍
光の強度が入力光であるレーザー光の強度に直接的に依
存する上に、2光子吸収自体が高効率では起こらないた
めに、極めて小型のディスプレーにおいてのみしか実用
的な明るさを達成できない。特に高精細なディスプレー
においては、画素の数が増大するため、より小さいディ
スプレーしか実現できない。レーザーの個数を増やすこ
とにより、輝度を上げる構成も提案されているが、コス
トや輝度ムラの発生、また余剰エネルギーに基づく発熱
等の面で問題が発生する。
However, a display using fluorescence by two-photon absorption has the following problems. That is, since the intensity of the fluorescent light directly depends on the intensity of the laser beam, which is the input light, and since the two-photon absorption itself does not occur at high efficiency, practical brightness is achieved only in an extremely small display. Can not. In particular, in a high-definition display, the number of pixels increases, so that only a smaller display can be realized. There has been proposed a configuration in which the luminance is increased by increasing the number of lasers. However, problems arise in terms of cost, uneven luminance, and heat generation due to excess energy.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】そこで本発明は、1つま
たは複数の光源と、光源からの光を制御する制御装置
と、光を照射する媒質とを具備し、2方向からの光を交
差させて媒質に照射し、媒質中の光の交点周辺の光学応
答を変化させる事を特徴とする画像表示装置を提供す
る。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention comprises one or more light sources, a controller for controlling the light from the light sources, and a medium for irradiating the light, and intersecting the light from two directions. An image display device is provided which irradiates the medium with the light and changes the optical response around the intersection of light in the medium.

【0015】本発明の画像表示装置は、2方向からの光
の波長が各々異なっても良い。
The image display device of the present invention may have different wavelengths of light from two directions.

【0016】また本発明の画像表示装置は、光の交差す
る角度を固定して交点を移動しても良い。
Further, in the image display device of the present invention, the intersection may be moved while the angle at which the light intersects is fixed.

【0017】さらに本発明の画像表示装置は、媒質が、
ポリジアセチレン、ポリチオフェン及び電荷移動錯体か
ら成る有機材料の少なくとも1種と、CdSe、CuC
l、CdS、ZnSe、ZnS及びZnOから成る無機
半導体の少なくとも1種とを含んでも良い。
Further, in the image display device of the present invention, the medium may be:
At least one organic material comprising polydiacetylene, polythiophene and a charge transfer complex, and CdSe, CuC
l, CdS, ZnSe, ZnS and at least one of inorganic semiconductors composed of ZnO.

【0018】また本発明の画像表示装置は、媒質に照射
する光の量を制御して階調表現を行っても良い。
Further, the image display device of the present invention may perform gradation expression by controlling the amount of light applied to the medium.

【0019】さらに本発明の画像表示装置は、媒質が画
素毎に区切られても良いし、さらにその場合、光学応答
の変化する光の波長が異なる複数種の媒質を用いて複数
種の画素を形成し、複数種の画素を所定の順序に配置し
ても良い。
Further, in the image display apparatus of the present invention, the medium may be divided for each pixel, and in that case, a plurality of types of pixels may be divided using a plurality of types of media having different optical response wavelengths. And a plurality of types of pixels may be arranged in a predetermined order.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面を
参照しつつ詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形
態に限定されるものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings, but the present invention is not limited to these embodiments.

【0021】本発明の画像表示装置は、光源からの2方
向の近赤外光等の光を、基板上に形成される媒質に交差
させて照射し、可視光の吸収率、反射率、屈折率、透過
率等の光学応答を変化させる事によって画像を表示す
る。本発明の画像表示装置で媒質に光を照射し、光学応
答変化を誘起する仕組みについて説明する。
The image display apparatus of the present invention irradiates light such as near-infrared light in two directions from a light source in such a manner as to cross a medium formed on a substrate, and absorbs, reflects, and refracts visible light. An image is displayed by changing the optical response such as transmittance and transmittance. A mechanism for irradiating a medium with light in the image display device of the present invention to induce a change in optical response will be described.

【0022】本発明において、媒質としては、例えば基
板上に有機材料と無機半導体の混合物を含むものを用い
る。特に無機半導体としては半導体超微粒子が好ましく
用いられる。
In the present invention, a medium containing, for example, a mixture of an organic material and an inorganic semiconductor on a substrate is used. In particular, semiconductor ultrafine particles are preferably used as the inorganic semiconductor.

【0023】有機材料としては、ポリジアセチレンやポ
リチオフェン、テトラチオフルバレン−クロロアニル
(TTF−CA)等が用いられる。例としてポリジアセ
チレンにおける、光照射による光学応答特性変化につい
て説明する。
As the organic material, polydiacetylene, polythiophene, tetrathiofulvalene-chloroanil (TTF-CA) or the like is used. As an example, a change in optical response characteristics of polydiacetylene due to light irradiation will be described.

【0024】ポリジアセチレン系は、近赤外光等の光照
射を行う場合と行わない場合で、可視光の吸収率、屈折
率、透過率、反射率等の光学応答変化を誘起することが
可能な材料である。
The polydiacetylene system can induce changes in optical response such as absorption, refraction, transmittance, and reflectance of visible light depending on whether or not light irradiation such as near infrared light is performed. Material.

【0025】このような光学応答特性変化の現象は、例
えば図1に示される分子が光子を吸収する事により、こ
れらの分子の一次元的に配列した炭素原子の主鎖の結合
交代および結晶構造に変化が起こることに起因するとさ
れている。構造としては、光を吸収する事によりアセチ
レン型(a)からブタトリエン型(b)へと変化する。
吸収された光子1個に対して、図1に示す炭素原子4個
及び側鎖R、R′からなる単位の数百〜数千個程度分
が、構造変化する。
The phenomenon of such a change in the optical response characteristics is caused by, for example, the absorption of photons by the molecules shown in FIG. It is attributed to the fact that changes occur. The structure changes from acetylene type (a) to butatriene type (b) by absorbing light.
With respect to one absorbed photon, about several hundred to several thousand units of the unit composed of four carbon atoms and side chains R and R 'shown in FIG. 1 undergo structural changes.

【0026】しかしながら、このような結晶構造変化の
起こる割合は、光吸収強度の小さい波長領域において高
いという傾向がある。その為、高効率な構造変化、及び
それに誘起される光学応答の変化が見られない。従っ
て、本発明では高効率な光学応答変化を誘起する為に、
上記有機材料と無機半導体を混合したものを用いる。
However, the rate of occurrence of such a crystal structure change tends to be high in a wavelength region where the light absorption intensity is small. Therefore, a highly efficient structural change and a change in optical response induced by the structural change are not observed. Therefore, in order to induce a highly efficient optical response change in the present invention,
A mixture of the above organic material and an inorganic semiconductor is used.

【0027】無機半導体としては、セレン化カドミウム
(CdSe)超微粒子等が用いられる。
As the inorganic semiconductor, cadmium selenide (CdSe) ultrafine particles are used.

【0028】このような半導体超微粒子に対し、例え
ば、近赤外光等の適当な波長の2本の光を交差させて照
射し、CdSe超微粒子の2光子吸収帯に共鳴させる。
この励起状態は、高効率に生成する事が可能であり、さ
らにこの励起状態はナノ秒程度の時間で有機材料に移動
する。その結果、このように有機材料と半導体超微粒子
を混合して用いる事により、直接有機材料に光照射を行
なったのと同様な励起状態を、高効率に生成する事が出
来る。
The semiconductor ultrafine particles are irradiated with two light beams having appropriate wavelengths, such as near-infrared light, for example, crossing each other to resonate with the two-photon absorption band of the CdSe ultrafine particles.
This excited state can be generated with high efficiency, and the excited state moves to the organic material in about nanoseconds. As a result, by using a mixture of the organic material and the semiconductor ultrafine particles as described above, it is possible to efficiently generate an excited state similar to that obtained by directly irradiating the organic material with light.

【0029】以上により、弱い光照射によって高効率に
構造変化が誘起され、それに伴い可視光に対する広範囲
かつ大きな光学応答係数の変化が誘起される。さらに、
光照射停止後も、この光学応答変化は約10ミリ秒以上
持続させ得る為、低強度光照射による画素材料に適して
いると言える。
As described above, the structural change is induced with high efficiency by the weak light irradiation, and accordingly, a wide and large change in the optical response coefficient to visible light is induced. further,
Even after the stop of the light irradiation, the change in the optical response can be maintained for about 10 milliseconds or more, so that it can be said that the optical response is suitable for the pixel material by the low intensity light irradiation.

【0030】上記のような結晶構造の変化は、ポリアセ
チレン以外にもTTF−CAやポリチオフェンにおいて
もほぼ同様に観測される為、画素材料として適している
と言う事が出来る。その他、同様の性質を持つ材料を用
いても良い。
Such a change in the crystal structure is observed almost similarly in TTF-CA and polythiophene in addition to polyacetylene, and thus can be said to be suitable as a pixel material. In addition, a material having similar properties may be used.

【0031】光照射に対する反射率、屈折率、透過率そ
して吸収率といった光学応答に変化を生じる2本の光の
交点は、媒質中の任意の領域を指定する事が出来る。ま
た、この領域の広さは、例えば2本の光がレーザー光で
あれば波長程度の広がりを持っており、約500nm
から約1μm程度を下限とする。この領域を画素と
し、媒質を画素の集合体とみなして2本の光を照射する
位置を鏡、レンズを用いて制御して、アドレッシングを
行い、それと共に、各画素の光学応答変化のスイッチン
グを、照射の有無によって行う。
The intersection of two lights that cause a change in optical response such as reflectance, refractive index, transmittance, and absorptance to light irradiation can specify an arbitrary area in the medium. In addition, the width of this region is about the wavelength, for example, when two lights are laser light, and is about 500 nm 2
From about 1 μm 2 . This area is defined as a pixel, and the medium is regarded as an aggregate of pixels, and the position where the two lights are irradiated is controlled using a mirror and a lens to perform addressing, and at the same time, switching of the optical response change of each pixel. , Depending on the presence or absence of irradiation.

【0032】まず、本発明の第1の実施形態を説明す
る。本実施形態の画像表示装置の画像形成部を構成する
材料は、4U2−ポリジアセチレン中に、CdSe超微
粒子を分散するものとし、CdSe超微粒子は、その平
均粒径を約3±0.3nmとし、画素の材料1立方mm
あたりに約1015個以上含まれる様にする。
First, a first embodiment of the present invention will be described. The material constituting the image forming portion of the image display device of the present embodiment is such that CdSe ultrafine particles are dispersed in 4U2-polydiacetylene, and the average particle size of the CdSe ultrafine particles is about 3 ± 0.3 nm. , Pixel material 1 cubic mm
So that about 10 15 or more of them are included in each area.

【0033】次に、上記材料を用いた媒質を光学系と組
み合わせる方法について説明する。まず、図2に、この
媒質を用いたパネルの主要部の概観を模式的に示す。
Next, a method of combining a medium using the above materials with an optical system will be described. First, FIG. 2 schematically shows an overview of a main part of a panel using this medium.

【0034】図2において、21は画像形成部、22が
X方向アドレス用のレーザー光、23がY方向アドレス
用のレーザー光であり、24が2本のレーザー光の交点
である。2本のレーザー光の交点24では、2光子吸
収、またそれによる、可視光に対する光学応答の変化が
起こり、選択的に画像の書き換えが行われている。図示
しないが、画像形成部21は、可視光を反射する反射板
上に、上記した媒質を塗布している。
In FIG. 2, reference numeral 21 denotes an image forming unit, 22 denotes a laser beam for an X-direction address, 23 denotes a laser beam for a Y-direction address, and 24 denotes an intersection of the two laser beams. At the intersection 24 of the two laser beams, two-photon absorption and a change in the optical response to visible light occur, thereby selectively rewriting the image. Although not shown, the image forming unit 21 coats the above-described medium on a reflective plate that reflects visible light.

【0035】図3に、パネルの構成要素を示す。パネル
は画像形成部21、X方向走査機構31、Y方向走査機
構32が順に貼り合わされた形になっている。ここでX
方向走査機構31、Y方向走査機構32の中では図3の
矢印方向にレーザー光が伝播する。X方向走査機構3
1、Y方向走査機構32から射出されるレーザー光は、
画像形成部21の2辺にそれぞれ沿って設けられたミラ
ー33によって画像形成部21内へと導かれる。画像形
成部21内へ導かれたレーザー光22、23のうち、画
像形成部21を反対側に突き抜けた光は、ミラー33と
反対側の2辺に設けられたレーザートラップ34によっ
て吸収される。
FIG. 3 shows the components of the panel. The panel has a shape in which an image forming unit 21, an X-direction scanning mechanism 31, and a Y-direction scanning mechanism 32 are sequentially bonded. Where X
Laser light propagates in the direction scanning mechanism 31 and the Y-direction scanning mechanism 32 in the direction of the arrow in FIG. X direction scanning mechanism 3
1. The laser light emitted from the Y-direction scanning mechanism 32 is
The light is guided into the image forming unit 21 by mirrors 33 provided along two sides of the image forming unit 21. Of the laser beams 22 and 23 guided into the image forming unit 21, light that has penetrated the image forming unit 21 to the opposite side is absorbed by laser traps 34 provided on two sides opposite to the mirror 33.

【0036】レーザー光のX方向走査機構31、Y方向
走査機構32の仕組みをそれぞれ図4、図5に示す。図
4、図5は、レーザーの向きがX方向、Y方向である以
外はほぼ同様であるので、必要な箇所以外は図4のみを
用いて説明を行う。
The mechanism of the laser beam X-direction scanning mechanism 31 and the Y-direction scanning mechanism 32 are shown in FIGS. 4 and 5, respectively. 4 and 5 are almost the same except that the direction of the laser is the X direction and the Y direction. Therefore, description will be made using only FIG.

【0037】図4において、41はレーザーダイオード
である。レーザーダイオード41の発振波長は約800
nm、出力は約50mWである。図5のレーザーダイオ
ード51の発振波長は約850nm、出力は約50mW
である。
In FIG. 4, reference numeral 41 denotes a laser diode. The oscillation wavelength of the laser diode 41 is about 800
nm, the output is about 50 mW. The oscillation wavelength of the laser diode 51 of FIG. 5 is about 850 nm and the output is about 50 mW
It is.

【0038】また、42はレーザー光の強度調整を行う
光学シャッターであり、本実施例では交流駆動のホログ
ラフィック液晶シャッターを用い、図5の光学シャッタ
ー52にはポッケルスセルを用いた。42は1メガヘル
ツ程度、52は50メガヘルツ程度の周波数で動作し、
レーザー光の強度調整を行う。このようにレーザー光を
強度変調する事により、2光子吸収量、ひいては光学応
答の変化量が変わり、階調表現が可能となる。
Reference numeral 42 denotes an optical shutter for adjusting the intensity of laser light. In this embodiment, an AC-driven holographic liquid crystal shutter is used, and a Pockels cell is used as the optical shutter 52 in FIG. 42 operates at a frequency of about 1 MHz, 52 operates at a frequency of about 50 MHz,
Adjust the intensity of laser light. By modulating the intensity of the laser light in this way, the two-photon absorption amount and, consequently, the change amount of the optical response are changed, and the gradation can be expressed.

【0039】レーザー光は、これらの要素によって強度
変調を受けた後、収束レンズ系43、集光レンズ系44
を通り、ミラー45によって回転多角形ミラー46に入
射する。回転多角形ミラー46の回転速度は約10キロ
ヘルツである。また、回転方向は矢印に示される通りで
ある。本実施形態において用いる回転多角形ミラー46
は、マイクロマシン加工された厚さ約500μm、直径
約4mmの大きさの、六角形ミラーであるが、サイズ、
形ともにこれらに限定されるものではない。
After the laser beam is intensity-modulated by these elements, the converging lens system 43 and the condensing lens system 44
, And is incident on the rotating polygon mirror 46 by the mirror 45. The rotating speed of the rotating polygon mirror 46 is about 10 kilohertz. The direction of rotation is as indicated by the arrow. Rotating polygon mirror 46 used in this embodiment
Is a micromachined hexagonal mirror with a thickness of about 500 μm and a diameter of about 4 mm.
The shape is not limited to these.

【0040】回転多角形ミラー46には補正レンズ47
が組み合わされている。補正レンズ47は光の方向を補
正し、改めて集光を行うものである。補正レンズ47を
通った光は平面導光路48に入射し、平面導光路48中
の矢印で示すように、パラボラミラー49によって進行
方向がX方向に揃えられている。
The rotating polygon mirror 46 has a correction lens 47
Are combined. The correction lens 47 corrects the direction of the light and collects light again. The light passing through the correction lens 47 is incident on the plane light guide 48, and the traveling direction is aligned in the X direction by the parabolic mirror 49, as indicated by the arrow in the plane light guide 48.

【0041】進行方向の揃えられたレーザー光は、ミラ
ー33によって、進行してきた面と垂直方向に射出さ
れ、画像形成部21へと導かれ、レーザー光の交点で可
視光に対する光学応答が変化する事により画像表示が可
能となる。ミラー33にあたるレーザー光のY方向の位
置は、回転多角形ミラー46によって、連続的に変化
し、このレーザー光に照射される媒質のY方向の位置
も、変化する。このような2方向からの光照射によって
ある部位の媒質の光学応答を変化させ、この微小領域を
画素として取り扱い、この微小領域を移動させることに
より、連続的な媒体層を微小画素の集合体として取り扱
うことが可能となる。なお、画像形成部21の1画素に
値する微小領域にレーザーが照射される時間は、約15
msecとなる。また、その程度レーザーが照射された
場合の1画素の大きさは、約1立方mmとなる。
The laser light whose traveling direction is aligned is emitted by the mirror 33 in the direction perpendicular to the plane on which the laser light travels, and is guided to the image forming unit 21, where the optical response to visible light changes at the intersection of the laser light. As a result, an image can be displayed. The position in the Y direction of the laser light that strikes the mirror 33 is continuously changed by the rotating polygon mirror 46, and the position in the Y direction of the medium irradiated with the laser light is also changed. By changing the optical response of the medium at a certain site by irradiating light from these two directions, this minute area is treated as a pixel, and by moving this minute area, a continuous medium layer is formed as an aggregate of minute pixels. It can be handled. It should be noted that the time for irradiating a laser beam to a minute area equivalent to one pixel of the image forming unit 21 is about 15 minutes.
msec. Further, the size of one pixel when the laser is irradiated to that extent is about 1 cubic mm.

【0042】本実施形態においては、2光子吸収を用い
た画像表示装置において、屈折率、吸収率、透過率や反
射率等の光学応答係数の変化を利用する。その為、2光
子吸収による蛍光を利用した画像表示装置は、輝度の上
限がレーザーの出力となるのに対し、本実施形態では、
そういった限界のない高輝度な反射型ディスプレーを実
現する事が出来る。上記光学応答係数の変化は、光照射
開始後直ちに起こり、かつ照射終了後も10msecか
ら15msec程度の時間、持続する為に、高いコント
ラストを有する高品位の画像が実現される。さらに、レ
ーザー光の強度を変調する事により階調表現が可能であ
り、またレーザー光の強度は連続的に変化可能であるた
め、多数の色調による表示が可能となる。
In this embodiment, in an image display device using two-photon absorption, a change in an optical response coefficient such as a refractive index, an absorptivity, a transmittance or a reflectance is used. Therefore, in the image display device using the fluorescence by two-photon absorption, the upper limit of the brightness is the laser output, whereas in the present embodiment,
A high-brightness reflective display without such a limit can be realized. The change in the optical response coefficient occurs immediately after the start of light irradiation, and lasts for about 10 msec to 15 msec after the end of irradiation, so that a high-quality image having high contrast is realized. Furthermore, gradation can be expressed by modulating the intensity of the laser light, and the intensity of the laser light can be changed continuously, so that display with a large number of color tones is possible.

【0043】また、蛍光を利用するディスプレーの場合
は、高輝度かつ大型なディスプレーを得るためには、多
数個のレーザーを用いる必要があるのに対し、本実施形
態の表示装置では、2つのレーザーを用いて、十分高輝
度かつ大型のディスプレーを得る事が出来るため、コス
ト面でも効果があると言える。
In the case of a display utilizing fluorescence, it is necessary to use a large number of lasers in order to obtain a high-brightness and large-sized display. On the other hand, in the display device of this embodiment, two lasers are used. It is possible to obtain a large-sized display with sufficiently high brightness by using, so that it can be said that it is also effective in terms of cost.

【0044】さらに、本実施形態の画像表示装置は、半
導体超微粒子を用いる事により、有機材料に対して高効
率にエネルギーを移動可能である。従って、従来の自発
光型の2光子吸収を用いたディスプレーに比較して、必
要とされる光子の数が1千分の1から1万分の1程度で
済むため、消費電力面でも効果を得る事が出来る。
Further, the image display device of the present embodiment can transfer energy with respect to the organic material with high efficiency by using semiconductor ultrafine particles. Therefore, the number of photons required is about 1/1000 to 1 / 10,000 as compared with the conventional self-luminous type display using two-photon absorption, and the effect is also obtained in terms of power consumption. I can do things.

【0045】また、2本のレーザーが互いに成す角度
は、本実施形態では常にほぼ垂直に保たれているので、
2本のレーザーの交点、つまり画素に値する領域の形、
大きさが、均一である。その為、より精密な画像を得る
事も出来る。
In the present embodiment, the angle formed by the two lasers is always kept almost perpendicular.
The intersection of the two lasers, the shape of the area worthy of a pixel,
The size is uniform. Therefore, a more precise image can be obtained.

【0046】次に、第2の実施形態について説明する。
本実施形態については、第1の実施形態と異なる部分を
中心に説明する。
Next, a second embodiment will be described.
This embodiment will be described focusing on portions different from the first embodiment.

【0047】本実施形態は、画像形成部の媒質が画素毎
に区切られている点が、第1の実施形態と異なる。図6
に示すように、本実施形態の画像形成部21では、可視
光を反射する第1の反射板64、赤外光を反射する第2
の反射板65、ポリメチルメタクリレートから成る導光
路61が積層され、その上面に画素62がパターニング
して設けられている。この画素62は、光学応答が変化
する媒質が分離して設けられており、このように、媒質
を画素62毎に分ける事により、X方向アドレス用レー
ザー光22とY方向アドレス用レーザー光23の交点、
つまり書き換えの行われる画素63が明確になる。
The present embodiment is different from the first embodiment in that the medium of the image forming section is divided for each pixel. FIG.
As shown in FIG. 5, in the image forming section 21 of the present embodiment, a first reflecting plate 64 that reflects visible light, and a second reflecting plate that reflects infrared light
And a light guide path 61 made of polymethyl methacrylate, and pixels 62 are provided on the upper surface thereof by patterning. In the pixel 62, a medium whose optical response changes is provided separately. In this manner, by dividing the medium for each pixel 62, the X-direction address laser light 22 and the Y-direction address laser light 23 are separated. Intersection,
That is, the pixel 63 to be rewritten becomes clear.

【0048】また、各々の画素62は、赤(R)、緑
(G)、青(B)の3種類があり、例えばRGBRGB
…となるように、順番に並んで設けられている。
Each pixel 62 has three types of red (R), green (G), and blue (B). For example, RGBRGB
Are provided in order so that...

【0049】これらパターニングされた画素62の各々
は、図7(a)に示すように、有機材料71を主成分と
する媒体に半導体超微粒子72が分散されたものが、導
光路61上に設けられる事により形成されている。ま
た、この画素62の側面には、導光路61内のレーザー
光が画素62に伝播しやすいように、テーパー73が設
けられている。
As shown in FIG. 7A, each of these patterned pixels 62 is formed by dispersing semiconductor ultra-fine particles 72 in a medium containing an organic material 71 as a main component, and is provided on a light guide path 61. It is formed by being done. A taper 73 is provided on the side surface of the pixel 62 so that the laser light in the light guide path 61 can easily propagate to the pixel 62.

【0050】本実施形態では、(i)4U2−ポリジア
セチレン、(ii)TTF−CA、(iii)4BCM
U−ポリジアセチレンの3種類を有機材料として用いる
ことにより、R、G、B、3色の画素62を形成する。
このうち、Rは(ii)および(iii)の、Gは
(i)および(iii)の、そしてBは(i)および
(ii)のそれぞれ混合物を含み、その混合比はいずれ
も重量比で約1対1である。また半導体超微粒子72は
第1の実施形態と同様に、粒径約3nm±0.3nmの
CdSe超微粒子とする。
In this embodiment, (i) 4U2-polydiacetylene, (ii) TTF-CA, (iii) 4BCM
By using three types of U-polydiacetylene as an organic material, pixels 62 of R, G, B and three colors are formed.
Among them, R includes a mixture of (ii) and (iii), G includes a mixture of (i) and (iii), and B includes a mixture of (i) and (ii). About one to one. The semiconductor ultrafine particles 72 are CdSe ultrafine particles having a particle diameter of about 3 nm ± 0.3 nm, as in the first embodiment.

【0051】次に、画素62の製造方法について説明す
る。
Next, a method for manufacturing the pixel 62 will be described.

【0052】本実施形態では画素62の一つ一つを形成
する方法として、図7(b)に示すように、インクジェ
ット法を用いる。しかし、画素の形成方法としてはこれ
に限定されるものではなく、スピンコート法、ドクター
ブレード法、スプレー法と露光によるパターンニング法
等、様々な方法を用いる事が出来る。
In this embodiment, as a method for forming each of the pixels 62, an ink jet method is used as shown in FIG. However, the method for forming the pixel is not limited to this, and various methods such as a spin coating method, a doctor blade method, a spray method and a patterning method by exposure can be used.

【0053】本実施形態における画素62の形成工程の
側面図と斜視図を図7(b)、図7(c)に示す。図7
(b)に示すように、有機材料71と半導体超微粒子7
2の混合溶液はインクジェット法によって、噴射ノズル
74より導光路61上に射出付与される。本実施形態で
は、有機材料71と半導体超微粒子72の混合溶液を形
成する際、溶媒としてはキシレンを用いる。また、テー
パー73を形成するため、図7(c)に示すように、画
素62の中央の部分で、より緻密に溶液の付与を行う。
FIGS. 7B and 7C are a side view and a perspective view, respectively, of a process of forming the pixel 62 according to the present embodiment. FIG.
As shown in (b), the organic material 71 and the semiconductor ultrafine particles 7
The mixed solution of No. 2 is ejected onto the light guide path 61 from the ejection nozzle 74 by an ink jet method. In the present embodiment, when forming a mixed solution of the organic material 71 and the semiconductor ultrafine particles 72, xylene is used as a solvent. In addition, in order to form the taper 73, as shown in FIG. 7C, the solution is applied more densely at the center of the pixel 62.

【0054】このようにして、短辺約150μm、長辺
約300μmの画素62を形成する。画素間距離は、約
300μmとする。
In this way, the pixel 62 having a short side of about 150 μm and a long side of about 300 μm is formed. The distance between the pixels is about 300 μm.

【0055】次に、以上のようにして形成した本実施例
における画素62の、光学応答の変化の起こる仕組み
を、図8を用いて説明する。
Next, the mechanism of the change in the optical response of the pixel 62 in the present embodiment formed as described above will be described with reference to FIG.

【0056】図8において、第1の実施形態と同様に形
成されるX方向走査機構31、Y方向走査機構32から
射出されたレーザー光は、ミラー33によって画像形成
部21中の導光路61に入射し、一部の光は画素62内
へと伝播する。図8中、緑色画素GはX方向アドレス用
レーザー光22、Y方向アドレス用レーザー光23の両
方によって照射を受けているため、2光子吸収が起きて
画素Gの光学応答が変化し、色が黒から緑色へ変化して
いる。これは、可視光のうち、緑色付近の光の吸収率が
レーザー光の照射によって低下したために、画素Gへの
入射光の緑色以外のスペクトルが画素Gによって吸収さ
れ、残りが第1の反射板64によって散乱・反射光とし
て放出される為である。
In FIG. 8, the laser light emitted from the X-direction scanning mechanism 31 and the Y-direction scanning mechanism 32 formed in the same manner as in the first embodiment is transmitted to the light guide path 61 in the image forming section 21 by the mirror 33. The incident light and some light propagate into the pixel 62. In FIG. 8, the green pixel G is irradiated by both the X-direction address laser light 22 and the Y-direction address laser light 23, so that two-photon absorption occurs, the optical response of the pixel G changes, and the color changes. It has changed from black to green. This is because, of the visible light, the absorptance of light near green was reduced by the irradiation of the laser light, so that the spectrum other than green of the light incident on the pixel G was absorbed by the pixel G, and the rest was the first reflector This is because the light is emitted as scattered / reflected light.

【0057】このとき、コントラストは外光のスペクト
ルにも依存するが、3から10程度となった。これは、
多数個のレーザーを用い、蛍光を利用する画像表示装置
と同程度のコントラストとなり、2つのレーザーのみを
用いる本実施形態の画像表示装置は、コスト面、省電力
面で効果があるといえる。
At this time, the contrast was about 3 to 10, although it also depends on the spectrum of the external light. this is,
The contrast is almost the same as that of the image display device using fluorescence using a large number of lasers, and the image display device of the present embodiment using only two lasers can be said to be effective in terms of cost and power saving.

【0058】なお、図8中、レーザー光、22、23と
しては、画素62内に入射する1本の光のみを示した
が、画像形成部21中の導光路61、X方向走査機構3
1、Y方向走査機構32中では実際、光は様々な経路を
経て伝播している。
In FIG. 8, only one light beam which enters the pixel 62 is shown as the laser beams 22 and 23, but the light guide path 61 in the image forming section 21 and the X-direction scanning mechanism 3
1. In the Y-direction scanning mechanism 32, light actually propagates through various paths.

【0059】本実施形態における画像表示装置は例えば
次のようなものに応用出来る。図9は、列車の駅構内等
において柱91に設けられる広告媒体への応用を示す図
である。本実施形態における画像表示装置92は、光
源、走査機構共に薄型に形成する事が出来、またミラー
は本体と一体化して、薄膜で形成可能である。従って、
画像表示装置全体に可塑性を付与することが可能とな
り、ディスプレーを柱91の曲面に沿って設置すること
が可能となる。
The image display device according to the present embodiment can be applied to, for example, the following. FIG. 9 is a diagram showing an application to an advertisement medium provided on a pillar 91 in a train station yard or the like. In the image display device 92 according to the present embodiment, both the light source and the scanning mechanism can be formed to be thin, and the mirror can be formed as a thin film integrally with the main body. Therefore,
Plasticity can be given to the entire image display device, and the display can be installed along the curved surface of the pillar 91.

【0060】次に、第3の実施形態について説明する。
本実施形態については、第2の実施形態と異なる部分を
中心に説明する。
Next, a third embodiment will be described.
The present embodiment will be described focusing on portions different from the second embodiment.

【0061】本実施形態は、R、G、Bの3色を用いる
原色系の画素配置に替わり、シアン(C)、マゼンダ
(M)、イエロー(Y)の補色系の画素を採用した例で
ある。各画素は、第2の実施形態と同様に、有機材料と
半導体超微粒子の混合物を用いるが、C、M、Yではそ
れぞれ有機材料として、4U2−ポリジアセチレン、T
TF−CA、4BCMU−ポリジアセチレンを用いる。
半導体超微粒子の大きさ、画素の大きさ等の条件は、第
2の実施形態と同様で良い。
The present embodiment is an example in which complementary color pixels of cyan (C), magenta (M), and yellow (Y) are used instead of the primary color pixel arrangement using three colors of R, G, and B. is there. Each pixel uses a mixture of an organic material and semiconductor ultrafine particles as in the second embodiment. However, for C, M, and Y, 4U2-polydiacetylene, T
TF-CA, 4BCMU-polydiacetylene is used.
Conditions such as the size of the semiconductor ultrafine particles and the size of the pixel may be the same as those in the second embodiment.

【0062】本実施形態の表示装置の基本的な構成要素
は、第2の実施形態において説明したものと同様である
が、本実施形態において、パネルは、C、M、Yそれぞ
れの色のパネルを3枚重ねたものを用いる。各々のパネ
ルはC、M、Yいずれかの色の画素を有している。
The basic components of the display device of this embodiment are the same as those described in the second embodiment. In this embodiment, the panels are panels of C, M, and Y colors. Are used. Each panel has pixels of any of the colors C, M, and Y.

【0063】図10に本実施形態における補色系のパネ
ルの構成図を示す。図10に示すように、本実施形態に
おいては、シアンパネル101、マゼンダパネル10
2、イエローパネル103が重ねられている。それぞれ
のパネルに対し、1組のX方向走査機構31、Y方向走
査機構が組み合わされている。図10では、X方向走査
機構31のみ示している。これらのX方向走査機構並び
にY方向走査機構は図4、図5に示したものと同様のも
のを用いれば良い。
FIG. 10 is a configuration diagram of a complementary color panel according to this embodiment. As shown in FIG. 10, in the present embodiment, the cyan panel 101 and the magenta panel 10
2. The yellow panel 103 is overlaid. One set of the X-direction scanning mechanism 31 and the Y-direction scanning mechanism are combined for each panel. FIG. 10 shows only the X-direction scanning mechanism 31. The X-direction scanning mechanism and the Y-direction scanning mechanism may be the same as those shown in FIGS.

【0064】各色のパネルは、第2の実施形態と同様に
インクジェット法によって形成し、3枚のパネルを重ね
合わせた後、全体を真空容器に封じる。インクジェット
による印刷は乾燥窒素雰囲気で行う。真空封止と乾燥窒
素雰囲気での作成は、水や酸素と有機層との反応が防止
される為に、パネルの寿命を伸ばす効果がある。
The panels of each color are formed by the ink jet method as in the second embodiment, and after the three panels are overlapped, the whole is sealed in a vacuum container. Inkjet printing is performed in a dry nitrogen atmosphere. Vacuum sealing and preparation in a dry nitrogen atmosphere have the effect of extending the life of the panel because the reaction of water or oxygen with the organic layer is prevented.

【0065】本実施形態で採用した補色系の画素構成に
よれば、3色の異なる画素を設置する必要がなくなった
ために光の利用効率が高まり、明るさ・コントラストと
もに原色系の画素構成を用いた場合に比べ向上した。コ
ントラストは最大約30に達した。
According to the pixel configuration of the complementary color system adopted in the present embodiment, it is not necessary to provide pixels of three different colors, so that the light use efficiency is improved, and the pixel configuration of the primary color system is used for both brightness and contrast. It was better than it was. The contrast reached a maximum of about 30.

【0066】次に、第4の実施形態について説明する。
本実施形態については、第2の実施形態と異なる部分を
中心に説明する。
Next, a fourth embodiment will be described.
The present embodiment will be described focusing on portions different from the second embodiment.

【0067】本実施形態は、第2の実施形態とは導光路
が異なる。第2の実施形態において用いる導光路では、
時として、走査機構の不具合や、光学系等のむらによっ
て乱れが生じ、パネル内で混色が生ずることがある。そ
こで本実施形態では図11に示す構造による検討を行
う。
This embodiment is different from the second embodiment in the light guide path. In the light guide path used in the second embodiment,
Occasionally, a malfunction may occur due to a malfunction of the scanning mechanism or an unevenness of the optical system, and color mixing may occur in the panel. Therefore, in the present embodiment, a study using the structure shown in FIG. 11 is performed.

【0068】本実施形態においては、図11(a)に示
すように、2種類の導光路を対向配置する。それぞれ
は、X方向とY方向に画素ピッチで分離され、X方向導
光路111とY方向導光路112としている。そして、
X方向導光路111とY方向導光路112の交差した部
分に、画素として有機材料−半導体超微粒子分散層11
3を挟んだ構造とする。
In this embodiment, as shown in FIG. 11A, two types of light guide paths are arranged to face each other. Each is separated by a pixel pitch in the X direction and the Y direction, and is defined as an X direction light guide path 111 and a Y direction light guide path 112. And
At the intersection of the X-direction light guide 111 and the Y-direction light guide 112, the organic material-semiconductor ultrafine particle dispersion layer 11 is formed as a pixel.
3 between them.

【0069】有機材料−半導体超微粒子分散層113は
X方向導光路111とY方向導光路112の両方に対し
てテーパーを有している。テーパーは、図11(b)、
図11(c)に示すように、X方向には上向きに広がり
を持ち、Y方向には下向きに広がりを持つ。図11に示
されるように、光は、有機材料−半導体超微粒子分散層
113の上側と下側、つまりX方向導光路111とY方
向導光路112からそれぞれ進入し、また、それぞれ上
側と下側に戻る。このときに、上側、下側から同時に光
の進入を受けた、図11中の矢印の交差する有機材料−
半導体超微粒子分散層113のみへの書き込みが行われ
る。書き込みによってもたらされる有機材料−半導体超
微粒子分散層113の光学応答の変化は、第2の実施形
態において説明したものと同様である。
The organic-semiconductor ultrafine particle dispersion layer 113 has a taper with respect to both the X-direction light guide 111 and the Y-direction light guide 112. The taper is shown in FIG.
As shown in FIG. 11 (c), it spreads upward in the X direction and spreads downward in the Y direction. As shown in FIG. 11, light enters from above and below the organic material-semiconductor ultrafine particle dispersion layer 113, that is, from the X-direction light guide 111 and the Y-direction light guide 112, respectively. Return to At this time, the organic material which received light simultaneously from the upper and lower sides and intersected by the arrow in FIG.
Writing is performed only on the semiconductor ultrafine particle dispersion layer 113. The change in the optical response of the organic material-semiconductor ultrafine particle dispersion layer 113 caused by writing is the same as that described in the second embodiment.

【0070】本実施形態の両面テーパー構造を有する表
示装置の作成方法を説明する。まず、あらかじめ表面エ
ネルギーを高くするための処理を施された石英ガラス、
蒸着されたニッケルから成るマスク層、上述したものと
同様の石英ガラスを積層する。マスク層には、後にX方
向導光路111とY方向導光路112の交点となる部分
のうち、端部と成る部分にダミースペーサーを設ける。
A method for manufacturing a display device having a double-sided tapered structure according to this embodiment will be described. First, quartz glass that has been treated in advance to increase the surface energy,
A mask layer made of evaporated nickel and a quartz glass similar to that described above are laminated. In the mask layer, a dummy spacer is provided at a portion that will be an end portion of a portion that will be an intersection of the X-direction light guide 111 and the Y-direction light guide 112 later.

【0071】次に上面に形成された石英ガラスを、太さ
約300μm、間隔約300μmのストライプ状となる
ようフッ酸とフッ化アンモニウムを約1:7に混合した
溶液によりエッチングする。この時、マスク層、ダミー
スペーサーはエッチングされない。
Next, the quartz glass formed on the upper surface is etched with a solution in which hydrofluoric acid and ammonium fluoride are mixed in a ratio of about 1: 7 so as to form a stripe having a thickness of about 300 μm and an interval of about 300 μm. At this time, the mask layer and the dummy spacer are not etched.

【0072】この3層から成る薄板を裏返し、可視光を
反射する反射板の上にのせる。そして、同様にして、上
記した方向と垂直方向に、エッチングされていない側の
面の石英ガラスをエッチングする。その後マスク層を除
去する事により、図12に示すように、ダミースペーサ
−121を介して、石英ガラスが直交し、等間隔に保た
れる。図12では、反射板は図示していない。
The three-layer thin plate is turned upside down and placed on a reflector that reflects visible light. Then, in the same manner, the quartz glass on the non-etched side is etched in a direction perpendicular to the above-described direction. Thereafter, by removing the mask layer, as shown in FIG. 12, the quartz glass crosses at right angles and is kept at equal intervals via the dummy spacer-121. In FIG. 12, the reflection plate is not shown.

【0073】これをX方向導光路111、Y方向導光路
112とし、注入器122によって各画素となる部分
へ、溶融させた有機材料−半導体超微粒子分散層113
の注入を行う。
These are referred to as an X-direction light guide path 111 and a Y-direction light guide path 112.
Is performed.

【0074】この注入工程は乾燥窒素雰囲気で行い、パ
ネル全体は約300℃に保って行う。溶融させた有機材
料−半導体超微粒子分散層113は注入後、導光路の交
点に毛管現象によって吸引される。さらに、各導光路の
表面エネルギーは溶融させた有機材料−半導体超微粒子
分散層113の表面エネルギーより高い。従って、溶融
させた有機材料−半導体超微粒子分散層113は各導光
路の表面に広がり、テーパーが形成される。なお、図1
2では注入器122の針は1本のみ図示されているが、
多数本の注入器を配置して注入しても良い。
This injection step is performed in a dry nitrogen atmosphere, and the entire panel is maintained at about 300 ° C. After injection, the melted organic material-semiconductor ultrafine particle dispersion layer 113 is sucked into the intersection of the light guide paths by capillary action. Further, the surface energy of each light guide path is higher than the surface energy of the melted organic material-semiconductor ultrafine particle dispersion layer 113. Therefore, the melted organic material-semiconductor ultrafine particle dispersion layer 113 spreads over the surface of each light guide path, and a taper is formed. FIG.
In FIG. 2, only one needle of the injector 122 is shown,
A large number of injectors may be arranged and injected.

【0075】本実施形態では、このような構成により、
加工が容易であり、パネル内で混色のない画像表示装置
を得る事が出来る。
In the present embodiment, with such a configuration,
Processing is easy, and an image display device without color mixture in the panel can be obtained.

【0076】次に、第5の実施形態について説明する。Next, a fifth embodiment will be described.

【0077】本実施形態は、1つの光源からの光でスキ
ャニングを行うことによって画像形成を行う方式を採用
した反射型のディスプレーである。
This embodiment is a reflection type display adopting a method of forming an image by performing scanning with light from one light source.

【0078】図13は本実施形態のディスプレーを示す
透視図である。図13において、131は内面が鏡面を
有し、放物線の組み合わせによって形成されている曲面
である。また、レーザー光源132からの約810nm
の波長の光は、ビームスプリッター133等により分け
られ、ポッケルスセルを用いたシャッター、収束レン
ズ、集光レンズ等から成る光学系134を通り、回転多
角形ミラー135、曲面131を経る。そして、図示し
ないミラーにより、画像表示部138内に進入するよう
方向を変えた後、このX方向からのレーザー光136、
Y方向からのレーザー光137を用い、上述した実施形
態と同様に画像を表示する。画像表示部138は、これ
までの実施形態と同様の材料、方法で形成すれば良い。
FIG. 13 is a perspective view showing the display of this embodiment. In FIG. 13, reference numeral 131 denotes a curved surface having a mirror surface on the inner surface and formed by a combination of parabolas. Also, about 810 nm from the laser light source 132
Is split by a beam splitter 133 and the like, passes through an optical system 134 including a shutter using a Pockels cell, a converging lens, a condenser lens, and the like, and passes through a rotating polygon mirror 135 and a curved surface 131. Then, after changing the direction to enter the image display unit 138 by a mirror (not shown), the laser light 136 from the X direction is changed.
Using laser light 137 from the Y direction, an image is displayed in the same manner as in the above-described embodiment. The image display section 138 may be formed using the same material and method as in the above embodiments.

【0079】本実施形態では、1本の光源でスキャニン
グを行うのみで媒体の光学応答を変化させる事が可能で
ある為に、従来のような蛍光体を用いた自発光型のディ
スプレーに比べ、さらに低コストな画像表示装置が作成
可能となる。
In the present embodiment, the optical response of the medium can be changed only by performing scanning with one light source. Further, a low-cost image display device can be created.

【0080】次に、第6の実施形態について説明する。
本実施形態については、第2の実施形態と異なる部分を
中心に説明する。
Next, a sixth embodiment will be described.
The present embodiment will be described focusing on portions different from the second embodiment.

【0081】本実施形態は、第2の実施形態とはレーザ
ーの走査機構が異なる。本実施形態では、画像形成部の
X方向、Y方向のそれぞれ1辺にマイクロマシン加工に
よって形成した反射鏡群を並べ、それらを機械的に制御
することによってレーザー光を照射して画素の指定を行
うことを特徴とする。表示部分の材料は第3の実施形態
に挙げたものと同様に、有機材料として4U2−ポリジ
アセチレン、TTF−CA、4BCMU−ポリジアセチ
レンを用い、それらを用いた3層を重ねてフルカラー表
示を行う。
This embodiment is different from the second embodiment in the laser scanning mechanism. In the present embodiment, a group of reflecting mirrors formed by micromachining is arranged on one side in each of the X direction and the Y direction of the image forming unit, and the pixels are designated by irradiating a laser beam by mechanically controlling them. It is characterized by the following. As for the material of the display portion, 4U2-polydiacetylene, TTF-CA, and 4BCMU-polydiacetylene are used as organic materials as in the third embodiment, and three layers using these are overlapped to perform full-color display. .

【0082】図14は本実施形態の画素指定を説明する
模式図であり、1401は上記媒体の第1層、1402
は、波長約850nmの光を発生し、光を光学シャッタ
ーによって強度変調するレーザー光源(出力約50m
W)である。1403は、波長約800nmの光を発生
し、光を光学シャッターによって強度変調するレーザー
光源(出力約50mW)である。
FIG. 14 is a schematic diagram for explaining the pixel designation in this embodiment. Reference numeral 1401 denotes the first layer 1402 of the medium.
Is a laser light source that generates light of a wavelength of about 850 nm and modulates the intensity of the light with an optical shutter (output of about 50 m
W). Reference numeral 1403 denotes a laser light source (output: about 50 mW) that generates light having a wavelength of about 800 nm and modulates the intensity of the light with an optical shutter.

【0083】レーザー光源1402、1403から照射
されたレーザー光1404、1405は、反射鏡140
6、1407によって反射ミラー群1408、1409
の設けられる方向と平行に進行するよう制御される。そ
して、レーザー光1404、1405は、反射ミラー群
1408、1409から選択されるそれぞれの一つの鏡
によって反射されて、媒体の第1層内を進行し、第3の
実施形態と同様に交点1410の光学応答を変化させ、
画像の表示を行う。
The laser beams 1404 and 1405 emitted from the laser light sources 1402 and 1403 are
6 and 1407, reflecting mirror groups 1408 and 1409
Is controlled so as to proceed in parallel with the direction in which is provided. Then, the laser beams 1404 and 1405 are reflected by each one of the reflection mirror groups 1408 and 1409 and travel in the first layer of the medium, and at the intersection 1410 as in the third embodiment. Change the optical response,
Display an image.

【0084】レーザーの走査機構としては、マイクロマ
シン加工によって形成した反射ミラー群1408、14
09の各反射ミラーを電気的に制御し、各反射ミラーが
入射したレーザー光1404、1405を媒体の第1層
1401の方向に反射する位置にあるか、または光路上
から外れた位置にあるかのいずれかとする。
As a laser scanning mechanism, a group of reflection mirrors 1408 and 14 formed by micromachining are used.
09 is electrically controlled to determine whether each of the reflecting mirrors reflects the incident laser light 1404, 1405 in the direction of the first layer 1401 of the medium, or is located off the optical path. To be one of

【0085】そして、反射ミラー群1408のうち、例
えば一番反射鏡1406に近い反射ミラーをレーザー光
1404の光路上に設置して固定し、反射ミラー群14
09から選ばれる、レーザー光1405を反射する反射
ミラーを、例えば反射鏡1407に近い方から数えて1
番目、2番目…と変えていくことにより、各行を順に走
査することが可能となる。
Then, of the reflecting mirror group 1408, for example, the reflecting mirror closest to the reflecting mirror 1406 is installed and fixed on the optical path of the laser beam 1404, and
For example, the number of reflection mirrors that reflect the laser light 1405 selected from 09 is 1
By changing to the second, second,..., Each row can be scanned in order.

【0086】さらに、1列の走査が全て終了した後に反
射ミラー群1408のうち、上述した反射ミラーの次に
反射鏡1406に近い反射ミラーを、レーザー光140
4の光路上に設置して固定し、反射ミラー群1409か
ら選ばれる、レーザー光1405を反射する反射ミラー
を、例えば反射鏡1407に近い方から数えて1番目、
2番目…と変えていくことにより、各行を順に走査す
る。この動作を繰返し、全ての列の走査が終わると、全
画面の画像表示が完了し、これを連続的に行い動画像表
示が実現される。なお、媒体の第1層1401において
吸収されなかったレーザー光は、オプティカルトラップ
1411、1412によって吸収される。
Further, after the scanning of one row is completed, the reflection mirror of the reflection mirror group 1408 which is closer to the reflection mirror 1406 next to the above-mentioned reflection mirror is set to the laser light 140.
The reflection mirror that reflects the laser light 1405, which is installed and fixed on the optical path of No. 4 and is selected from the reflection mirror group 1409, is counted, for example, from the side closer to the reflection mirror 1407.
By changing to the second..., Each row is scanned sequentially. This operation is repeated, and when scanning of all columns is completed, image display of the entire screen is completed, and this is continuously performed to realize moving image display. Note that laser light not absorbed in the first layer 1401 of the medium is absorbed by the optical traps 1411 and 1412.

【0087】第2層、第3層については図示しないが、
同様に走査を行えば良い。なお、レーザー光源140
2、1403からの光を光学シャッターによって強度変
調する装置のみは、各層で別に設けるが、それ以外は共
通としても良い。つまり、レーザー光源1402、14
03を共通とし、光を3本に分けて強度変調を行ってか
ら、図14の奥行き方向に幅を持つ反射鏡1406、1
407および反射ミラー群1408、1409を3層で
共通に使用しても良い。
Although the second and third layers are not shown,
Scanning may be performed similarly. The laser light source 140
Only devices for modulating the intensity of the light from 2,1403 by the optical shutter are provided separately for each layer, but the other devices may be common. That is, the laser light sources 1402, 14
03, the light is divided into three beams and intensity modulation is performed, and then the reflecting mirrors 1406 and 1406 having a width in the depth direction in FIG.
407 and the reflection mirror groups 1408 and 1409 may be commonly used in three layers.

【0088】以上のように、本実施形態により、さらに
可塑性が高く、かつ軽量化された画像表示装置が可能と
なる。
As described above, according to the present embodiment, an image display device having higher plasticity and lighter weight can be realized.

【0089】本発明は、以上詳述した実施形態によって
限定されるものではなく、例えば、CdSeの代わりに
塩化銅I(CuCl)や硫化カドミウム(CdS)、S
i、Ge、ヒ化インジウム(InAs)、ZnSe、Z
nS及びZnOなどを用いることも可能である。特に、
これらの中でもCdSe、CuCl、CdS、ZnS
e、ZnS及びZnOは、2光子吸収によって得たエネ
ルギーを、有機材料に対して効率的に移動できるため
に、好ましい材料であると言える。
The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, instead of CdSe, copper chloride I (CuCl), cadmium sulfide (CdS), S
i, Ge, indium arsenide (InAs), ZnSe, Z
It is also possible to use nS and ZnO. In particular,
Among them, CdSe, CuCl, CdS, ZnS
e, ZnS, and ZnO are preferable materials because energy obtained by two-photon absorption can be efficiently transferred to an organic material.

【0090】また、有機材料としては上記実施例に挙げ
られたポリジアセチレン以外のポリジアセチレン系高分
子を始め、ポリアセチレン、ポリチオフェン、フォトク
ロミック有機分子等を用いることも可能である。特にポ
リジアセチレン系高分子、ポリチオフェン及び電荷移動
錯体は弱い光照射でも光学応答が変化するために、光励
起による光学特性変化効率の大幅な向上が可能となる。
As the organic material, it is also possible to use polydiacetylene-based polymers other than the polydiacetylene listed in the above embodiment, polyacetylene, polythiophene, photochromic organic molecules and the like. In particular, polydiacetylene-based polymers, polythiophenes, and charge-transfer complexes change their optical response even with weak light irradiation, so that the efficiency of changing optical characteristics by photoexcitation can be greatly improved.

【0091】[0091]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば高輝度、
低消費電力の表示装置を提供する事が出来る。
As described above, according to the present invention, high brightness,
A display device with low power consumption can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 ポリジアセチレンの主鎖部分が、(a)アセ
チレン型と(b)ブタトリエン型である分子の化学式で
ある。
FIG. 1 is a chemical formula of a molecule in which the main chain portion of polydiacetylene is (a) acetylene type and (b) butatriene type.

【図2】 本発明の第1の実施形態の表示装置を示す模
式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a display device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第1の実施形態の表示装置の構成要
素を示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating components of a display device according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第1の実施形態の表示装置のX方向
走査機構を示す模式図である。
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an X-direction scanning mechanism of the display device according to the first embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第1の実施形態の表示装置のY方向
走査機構を示す模式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a Y-direction scanning mechanism of the display device according to the first embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第2の実施形態の表示装置の画像形
成部を示す模式図である。
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an image forming unit of a display device according to a second embodiment of the present invention.

【図7】 (a)、(b)、(c)とも本発明の第2の
実施形態の表示装置の画像形成部の作成方法を説明する
図である。
FIGS. 7A, 7B, and 7C are diagrams illustrating a method of creating an image forming unit of a display device according to a second embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の第2の実施形態の表示装置の動作を
説明する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating an operation of the display device according to the second embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の第2の実施形態の表示装置の応用例
を示す図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating an application example of the display device according to the second embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の第3の実施形態の表示装置の動作
を説明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating an operation of the display device according to the third embodiment of the present invention.

【図11】 (a)、(b)、(c)とも本発明の第4
の実施形態の表示装置の動作を説明する図である。
11 (a), (b) and (c) show the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram illustrating an operation of the display device of the embodiment.

【図12】 本発明の第4の実施形態の表示装置におけ
る画像形成部の形成方法を説明する図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a method for forming an image forming unit in a display device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図13】 本発明の第5の実施形態の表示装置を説明
する図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating a display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図14】 本発明の第6の実施形態の表示装置を説明
する図である。
FIG. 14 is a diagram illustrating a display device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図15】 従来の光励起型の蛍光発光ディスプレーの
構成を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a conventional photoexcitation type fluorescent display.

【図16】 従来の2光子吸収を用いた平面型の蛍光発
光ディスプレーの構成を説明する図である。
FIG. 16 is a view for explaining a configuration of a conventional flat fluorescent display using two-photon absorption.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21…画像形成部 22…X方向アドレス用レーザー光 23…Y方向アドレス用レーザー光 24…レーザー光の交点 31…X方向走査機構 32…Y方向走査機構 33…ミラー 34…レーザートラップ 41,51…レーザーダイオード 42,52…光学シャッター 43,53…収束レンズ系 44,54…集光レンズ系 45,55…ミラー 46,56…回転多角形ミラー 47,57…補正レンズ 48,58…平面導光路 49,59…パラボラミラー 61…導光路 62…画素 63…書き換えの行われる画素 64…第1の反射板 65…第2の反射板 71…有機材料 72…半導体超微粒子 73…テーパー 74…噴射ノズル 91…柱 92…画像表示装置 101…シアンパネル 102…マゼンダパネル 103…イエローパネル 111…X方向導光路 112…Y方向導光路 113…有機材料−半導体超微粒子分散層 121…ダミースペーサー 122…注入器 131…曲面 132…レーザー光源 133…ビームスプリッター 134…光学系 135…回転多角形ミラー 136…X方向からのレーザー光 137…Y方向からのレーザー光 138…画像表示部 161、162…レーザー光源 163、164…ミラー 165…本体 166、167…レーザー光 168…交点 1401…第1層 1402、1403…レーザー光源 1404、1405…レーザー光 1406、1407…反射鏡 1408、1409…反射ミラー群 1410…交点 1411、1412…オプティカルトラップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 ... Image forming part 22 ... X direction addressing laser beam 23 ... Y direction addressing laser beam 24 ... Intersection of laser beam 31 ... X direction scanning mechanism 32 ... Y direction scanning mechanism 33 ... Mirror 34 ... Laser trap 41, 51 ... Laser diodes 42, 52 Optical shutters 43, 53 Convergent lens systems 44, 54 Condensing lens systems 45, 55 Mirrors 46, 56 Rotating polygon mirrors 47, 57 Correction lenses 48, 58 Planar light guide 49 59, parabolic mirror 61, light guide path 62, pixel 63, pixel to be rewritten 64, first reflector 65, second reflector 71, organic material 72, semiconductor ultrafine particles 73, taper 74, injection nozzle 91 ... Pillar 92. Image display device 101. Cyan panel 102. Magenta panel 103. Yellow panel 111. X Direction light guide path 112 Y direction light guide path 113 Organic material-semiconductor ultrafine particle dispersion layer 121 Dummy spacer 122 Injector 131 Curved surface 132 Laser light source 133 Beam splitter 134 Optical system 135 Rotating polygon mirror 136 Laser light from X direction 137 Laser light from Y direction 138 Image display units 161, 162 Laser light source 163, 164 Mirror 165 Body 166, 167 Laser light 168 Intersection 1401 First layer 1402, 1403 … Laser light source 1404, 1405… Laser light 1406, 1407… Reflection mirror 1408, 1409… Reflection mirror group 1410… Intersection point 1411, 1412… Optical trap

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 1つまたは複数の光源と、前記光源から
の光を制御する制御装置と、前記光を照射する媒質とを
具備し、2方向からの前記光を交差させて前記媒質に照
射し、前記媒質中の前記光の交点周辺の光学応答を変化
させる事を特徴とする画像表示装置。
1. A light source comprising one or more light sources, a control device for controlling light from the light source, and a medium for irradiating the light, wherein the light from two directions intersects to irradiate the medium. An image display device for changing an optical response around the intersection of the light in the medium.
【請求項2】 前記2方向からの光の波長が各々異なる
事を特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
2. The image display device according to claim 1, wherein wavelengths of the light from the two directions are different from each other.
【請求項3】 前記光の交差する角度を固定して前記交
点を移動する事を特徴とする請求項1記載の画像表示装
置。
3. The image display device according to claim 1, wherein the intersection is moved while fixing the angle at which the light intersects.
【請求項4】 前記媒質が、ポリジアセチレン、ポリチ
オフェン及び電荷移動錯体から成る有機材料の少なくと
も1種と、CdSe、CuCl、CdS、ZnSe、Z
nS及びZnOから成る無機半導体の少なくとも1種と
を含むことを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。
4. The medium according to claim 1, wherein the medium is at least one of organic materials including polydiacetylene, polythiophene and a charge transfer complex, and CdSe, CuCl, CdS, ZnSe, Z
2. The image display device according to claim 1, further comprising at least one of inorganic semiconductors composed of nS and ZnO.
【請求項5】 前記媒質に照射する前記光の量を制御し
て階調表現を行う事を特徴とする請求項1記載の画像表
示装置。
5. The image display device according to claim 1, wherein a gradation expression is performed by controlling an amount of the light applied to the medium.
【請求項6】 前記媒質が画素毎に区切られる事を特徴
とする請求項1、2、3、4または5記載の画像表示装
置。
6. The image display device according to claim 1, wherein the medium is divided for each pixel.
【請求項7】 光学応答の変化する光の波長が異なる複
数種の前記媒質を用いて複数種の画素を形成し、前記複
数種の画素を所定の順序に配置する事を特徴とする請求
項6記載の画像表示装置。
7. A plurality of types of pixels are formed by using a plurality of types of media having different wavelengths of light whose optical response changes, and the plurality of types of pixels are arranged in a predetermined order. 7. The image display device according to 6.
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