JP2001166569A - Image forming device and method for manufacturing electrostatic charging device for image forming device - Google Patents

Image forming device and method for manufacturing electrostatic charging device for image forming device

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JP2001166569A
JP2001166569A JP35325999A JP35325999A JP2001166569A JP 2001166569 A JP2001166569 A JP 2001166569A JP 35325999 A JP35325999 A JP 35325999A JP 35325999 A JP35325999 A JP 35325999A JP 2001166569 A JP2001166569 A JP 2001166569A
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image forming
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forming apparatus
layer
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浩貴 椛島
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  • Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image forming device having an electrostatic charging member which has high durability over a long period of time and makes it possible to always stably obtain a desired electrostatic charging state and a method capable of surely manufacturing such electrostatic charging member. SOLUTION: The image forming device has an org. photoreceptor or amorphous silicon photoreceptor with which an electrostatic charge image is formed, the electrostatic charging member for electrostatically charging the photoreceptor, a developing device for developing the electrostatic charge image on the photoreceptor, a transfer section for transferring the toner image to a transfer material and a fixing device for fixing the toner image on the transfer material. The electrostatic charging member has a planar grid obtained by forming a gold plating layer on a grid base material made of a stainless steel in a porous planar form. The gold plating layer is preferably formed directly on the surface of the grid base material. In the method for manufacturing the electrostatic charging member, the planar grid is manufactured by forming the gold plating layer on the surface of the grid base material made of the stainless steel by an electroplating method by pulse current.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電子写真方
式により、感光体の表面に形成された静電荷像を顕像化
してトナー像を形成し、このトナー像を転写材上に転写
することにより可視画像を形成するよう構成された、複
写機、プリンタ、ファクシミリなどの画像形成装置に関
し、また、そのような画像形成装置に用いられる帯電装
置の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for developing a toner image by visualizing an electrostatic charge image formed on the surface of a photoreceptor by, for example, an electrophotographic method, and transferring the toner image onto a transfer material. The present invention relates to an image forming apparatus such as a copying machine, a printer, a facsimile, etc., configured to form a visible image according to the present invention, and a method of manufacturing a charging device used in such an image forming apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子写真方式を利用した画像形成装置に
おいては、感光体の表面に電荷を付与して均一に帯電さ
せ、この感光体の表面に像露光を行うことにより、感光
体に静電荷像を形成するよう構成されており、感光体の
表面を帯電させるために帯電装置が用いられる。この帯
電装置は、通常、コロナ放電を行う帯電ワイヤ(放電ワ
イヤ)と、適宜の電位のグリッド電圧が印加されること
により、帯電ワイヤにより付与される電荷量を規制して
感光体の表面における帯電電位を制御するグリッド電極
(以下、単に「グリッド」という。)と、帯電ワイヤお
よびグリッドを支持する支持部材とにより、構成されて
いる。そして、帯電装置のグリッドとしては、ワイヤグ
リッドと、ステンレス鋼などよりなる金属板に多数の貫
通孔が形成されてなる多孔板状の板状グリッド(例えば
エッチングにより多数の貫通孔が形成されたエッチング
グリッドなど)が用いられている。
2. Description of the Related Art In an image forming apparatus using an electrophotographic method, a charge is applied to the surface of a photoreceptor to uniformly charge the surface of the photoreceptor, and the surface of the photoreceptor is subjected to image exposure, thereby causing an electrostatic charge on the photoreceptor. It is configured to form an image, and a charging device is used to charge the surface of the photoconductor. This charging device usually controls the amount of charge provided by the charging wire by applying a charging wire (discharge wire) for performing corona discharge and a grid voltage of an appropriate potential to charge the surface of the photoreceptor. It is composed of a grid electrode (hereinafter, simply referred to as a “grid”) for controlling a potential, and a support member that supports the charging wire and the grid. As the grid of the charging device, a wire grid and a perforated plate-like grid in which a large number of through holes are formed in a metal plate made of stainless steel or the like (for example, an etching in which a large number of through holes are formed by etching). Grid).

【0003】然るに、ワイヤグリッドを用いた場合に
は、静電荷像の顕像化に用いられるトナー粒子などの汚
染物質が付着することにより、帯電動作特性が変動する
ため、感光体に得られる帯電電位に変動が生じやすい。
一方、板状グリッドは、比較的大きい面積を有するもの
であって、長期間の使用においても汚染による感光体の
帯電電位の変動が小さく、従って、感光体に得られる帯
電電位の安定性が優れたものとなり、基本的に高い耐久
性を有する点で好ましい。
However, when a wire grid is used, the charging operation characteristics fluctuate due to the attachment of contaminants such as toner particles used for visualizing an electrostatic charge image. The potential is likely to fluctuate.
On the other hand, the plate-like grid has a relatively large area, and the fluctuation of the charging potential of the photoconductor due to contamination is small even during long-term use, and therefore, the stability of the charging potential obtained on the photoconductor is excellent. This is basically preferable because it has high durability.

【0004】しかし、板状グリッドにおいては、材質と
して、通常、ステンレス鋼などの鉄系金属が用いられる
ため、高湿環境条件における水分や、帯電動作時のコロ
ナ放電により発生するオゾンによって酸化される、とい
う腐蝕性の問題があり、そのために、板状グリッドを備
えた帯電装置においては、長期間にわたって高い耐久性
を得ることができず、帯電動作特性が変化するために感
光体に得られる帯電電位が変動したものとなり、所期の
帯電電位を常に安定して得ることができない、という問
題がある。
However, since the plate-shaped grid is usually made of an iron-based metal such as stainless steel, it is oxidized by moisture in a high-humidity environment or ozone generated by corona discharge during charging operation. Therefore, in a charging device having a plate-like grid, a high durability cannot be obtained for a long period of time, and the charging operation characteristics are changed. There is a problem that the potential fluctuates, and the desired charged potential cannot be always stably obtained.

【0005】従来、このような問題に対処するため、特
開平11−40316号公報に、ステンレス鋼よりなる
グリッド基材をニッケルにより被覆した上、更に金の被
覆を形成することにより、板状グリッドの腐蝕性の問題
を改善しようとする試みが提案されている。しかしなが
ら、この手段では、当該公開公報にも記載されているよ
うに、金の被覆が剥がれやすいという問題がある。
Conventionally, in order to cope with such a problem, Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-40316 discloses a plate-like grid made by coating a grid substrate made of stainless steel with nickel and further forming a gold coating. Attempts to ameliorate the problem of corrosiveness have been proposed. However, this method has a problem that the gold coating is easily peeled off as described in the publication.

【0006】この問題を究明するため、本発明者等が、
当該公開公報の記載に従って、ステンレス鋼製のグリッ
ド基材にニッケルを被覆し、更にその上に金の被覆を行
って得られる板状グリッドについて、当該金の被覆の剥
がれの現象を詳細に検討したところ、この金の被覆の剥
がれは、グリッド基材を形成するステンレス鋼とニッケ
ル被覆との界面において生じていることが判明した。こ
れは、金の被覆にピンホールなどが形成されると、ニッ
ケルの被覆が露出するためにこれが腐蝕し、更にこのニ
ッケルの被覆の腐蝕が進行する結果、金の被覆に剥がれ
が生ずるものと考えられる。このように、上記の公開公
報の手段は、金の被覆の接着性を向上させるためにニッ
ケル層を介在させるのであるが、このことが、反面にお
いては、金の被覆を剥がれやすいものとしている、とい
う問題を内在しているものである。なお、特開昭61−
88283号公報には、金メッキタングステンワイヤよ
りなるグリッドを用いることが記載されている。
In order to investigate this problem, the present inventors,
According to the description of the publication, a stainless steel grid substrate was coated with nickel, and further, a plate-like grid obtained by performing gold coating thereon was examined in detail for the phenomenon of peeling of the gold coating. However, it was found that the peeling of the gold coating occurred at the interface between the stainless steel forming the grid base material and the nickel coating. This is thought to be due to the fact that if a pinhole or the like is formed in the gold coating, the nickel coating is exposed and corroded, and further the corrosion of the nickel coating progressed, resulting in peeling of the gold coating. Can be As described above, the means disclosed in the above publication discloses that the nickel layer is interposed in order to improve the adhesion of the gold coating, but on the other hand, the gold coating is easily peeled off. The problem is inherent. It should be noted that JP-A-61-
No. 88283 describes using a grid made of gold-plated tungsten wire.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な帯電装置の板状グリッドにおける問題点を解消するた
めになされたものであって、その目的は、長期間にわた
って高い耐久性を有し、帯電動作特性が安定であって感
光体に所期の帯電状態が常に安定して得られる帯電装置
を備えた画像形成装置を提供することにある。本発明の
他の目的は、長期間にわたって高い耐久性を有し、帯電
動作特性が安定であって感光体に所期の帯電状態が常に
安定して得られる、画像形成装置用の帯電装置を確実に
製造することのできる方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems in the plate grid of the charging device, and an object thereof is to provide a high durability for a long period of time. It is another object of the present invention to provide an image forming apparatus including a charging device that has stable charging operation characteristics and always stably obtains a desired charging state on a photosensitive member. Another object of the present invention is to provide a charging device for an image forming apparatus, which has high durability over a long period of time, has a stable charging operation characteristic, and can always obtain a desired charging state on a photoconductor. An object of the present invention is to provide a method that can be reliably manufactured.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の画像形成装置
は、静電荷像が形成される有機感光体と、この有機感光
体を帯電させるための帯電装置と、前記有機感光体上に
形成された静電荷像を顕像化してトナー像を形成する現
像器と、このトナー像を転写材に転写させる転写部と、
転写材に転写されたトナー像を定着させる定着装置とを
備えてなる画像形成装置において、前記帯電装置は、多
孔板状のステンレス鋼製のグリッド基材に金メッキ層を
形成してなる板状グリッドを設けてなることを特徴とす
る。
An image forming apparatus according to the present invention comprises an organic photosensitive member on which an electrostatic image is formed, a charging device for charging the organic photosensitive member, and an organic photosensitive member formed on the organic photosensitive member. A developing unit that visualizes the electrostatic image formed to form a toner image, a transfer unit that transfers the toner image to a transfer material,
A fixing device for fixing the toner image transferred to the transfer material, wherein the charging device is a plate-like grid formed by forming a gold plating layer on a perforated plate-like stainless steel grid base material. Is provided.

【0009】この画像形成装置において、金メッキ層
は、多孔板状のステンレス鋼製のグリッド基材の表面
に、直接、形成されてなる構成とすることができる。ま
た、前記有機感光体は、その表面層が、架橋構造を有す
るシロキサン系樹脂を含有するものであることが好まし
い。
In this image forming apparatus, the gold plating layer can be formed directly on the surface of a perforated plate-shaped stainless steel grid substrate. Further, the organic photoreceptor preferably has a surface layer containing a siloxane-based resin having a crosslinked structure.

【0010】また、本発明の画像形成装置は、静電荷像
が形成される非晶質シリコン系感光体と、この非晶質シ
リコン系感光体を帯電させるための帯電装置と、前記非
晶質シリコン系感光体上に形成された静電荷像を顕像化
してトナー像を形成する現像器と、このトナー像を転写
材に転写させる転写部と、転写材に転写されたトナー像
を定着させる定着装置とを備えてなる画像形成装置にお
いて、前記帯電装置は、多孔板状のステンレス鋼製のグ
リッド基材の表面に、直接、金メッキ層を形成してなる
板状グリッドを設けてなることを特徴とする。
Further, the image forming apparatus of the present invention comprises an amorphous silicon-based photosensitive member on which an electrostatic charge image is formed, a charging device for charging the amorphous silicon-based photosensitive member, A developing unit that visualizes the electrostatic charge image formed on the silicon-based photoconductor to form a toner image, a transfer unit that transfers the toner image to a transfer material, and fixes the toner image transferred to the transfer material An image forming apparatus comprising a fixing device, wherein the charging device is provided with a plate-shaped grid formed by directly forming a gold plating layer on a surface of a perforated plate-shaped stainless steel grid base material. Features.

【0011】以上において、金メッキ層の厚さは0.3
μm以上であることが好ましい。
In the above, the thickness of the gold plating layer is 0.3
It is preferably at least μm.

【0012】また、上記の画像形成装置は、感光体の表
面電位を検知する表面電位検知手段が設けられると共
に、この表面電位検知手段により検知された情報に基づ
き、帯電装置に供給される帯電電流および板状グリッド
に印加されるグリッド電圧を制御する制御手段が設けら
れてなる構成とすることが好ましい。
The image forming apparatus is provided with surface potential detecting means for detecting the surface potential of the photosensitive member, and a charging current supplied to the charging device based on information detected by the surface potential detecting means. Further, it is preferable that a control means for controlling a grid voltage applied to the plate grid is provided.

【0013】本発明の方法は、画像形成装置に用いられ
る、板状グリッドを備えてなる帯電装置の製造方法にお
いて、多孔板状のステンレス鋼製のグリッド基材の表面
に、パルス電流による電解メッキ法により金メッキ層を
形成して、板状グリッドを製造することを特徴とする。
According to the method of the present invention, there is provided a method for manufacturing a charging device provided with a plate-like grid used in an image forming apparatus, comprising the steps of: It is characterized in that a plate-shaped grid is manufactured by forming a gold plating layer by a method.

【0014】この方法において、形成される金メッキ層
の厚さは0.3μm以上とされることが好ましい。
In this method, the thickness of the formed gold plating layer is preferably set to 0.3 μm or more.

【0015】本発明の画像形成装置は、板状グリッドを
備えてなる帯電装置を有し、この帯電装置の板状グリッ
ドは、多孔板状のステンレス鋼製のグリッド基材に、パ
ルス電流による電解メッキ法により、金メッキ層が形成
されてなるものであることを特徴とする。
The image forming apparatus of the present invention has a charging device provided with a plate-shaped grid. The plate-shaped grid of the charging device is provided on a perforated plate-shaped stainless steel grid substrate by electrolysis using a pulse current. It is characterized in that a gold plating layer is formed by a plating method.

【0016】[0016]

【作用】本発明によれば、有機感光体を備える画像形成
装置において、当該有機感光体を帯電させる帯電装置が
板状グリッドを有し、この板状グリッドが、多孔板状の
ステンレス鋼製のグリッド基材に金メッキ層を形成して
なるものであることにより、特に、当該金メッキ層がグ
リッド基材の表面に、直接、形成されることにより、当
該板状グリッドが、長期間にわたる使用においても金メ
ッキ層の剥がれが生ずることがなくて高い耐久性を有す
るため、当該帯電装置の帯電装動作特性が安定なものと
なり、従って、有機感光体に対する静電荷像形成工程に
おいて、当該有機感光体を常に安定して所期の帯電状態
に帯電させることができる。そして、このような帯電装
置は、有機感光体の表面層が、架橋構造を有するシロキ
サン系樹脂を含有する場合に、特に好ましい。
According to the present invention, in an image forming apparatus having an organic photoreceptor, a charging device for charging the organic photoreceptor has a plate-like grid, and the plate-like grid is made of a perforated plate made of stainless steel. By forming the gold plating layer on the grid base material, in particular, by the gold plating layer being formed directly on the surface of the grid base material, the plate-shaped grid can be used for a long time. Since the gold plating layer does not peel off and has high durability, the charging device operating characteristics of the charging device become stable, and therefore, in the process of forming an electrostatic charge image on the organic photoconductor, the organic photoconductor is always used. It can be stably charged to an intended charging state. Such a charging device is particularly preferable when the surface layer of the organic photoreceptor contains a siloxane-based resin having a crosslinked structure.

【0017】また、本発明の画像形成装置は、感光体が
非晶質シリコン系感光体である場合に、帯電装置の板状
グリッドが、グリッド基材の表面に、直接、金メッキ層
が形成されてなるものであることにより、長期間にわた
る使用においても金メッキ層の剥がれが生ずることがな
くて高い耐久性を有し、従って、当該非晶質シリコン系
感光体を常に安定して所期の帯電状態に帯電させること
ができる。
Further, in the image forming apparatus of the present invention, when the photosensitive member is an amorphous silicon-based photosensitive member, the plate-like grid of the charging device has a gold plating layer formed directly on the surface of the grid base material. With this structure, the gold-plated layer does not peel off even when used for a long period of time, and has high durability. Therefore, the amorphous silicon-based photoconductor is always stably charged as intended. It can be charged to a state.

【0018】以上において、板状グリッドにおける金メ
ッキ層の厚さが0.3μm以上であることにより、目的
とする作用効果を確実に得ることができる。
In the above, when the thickness of the gold plating layer in the plate grid is 0.3 μm or more, the intended operation and effect can be reliably obtained.

【0019】また、画像形成装置において、感光体の表
面電位を検知する表面電位検知手段を設けてこれよりの
情報に基づき、帯電装置に供給される帯電電流および板
状グリッドに印加されるグリッド電圧を制御することに
より、上記の帯電装置の特長を十分に発揮させることが
できる。
In the image forming apparatus, a surface potential detecting means for detecting a surface potential of the photosensitive member is provided, and a charging current supplied to the charging device and a grid voltage applied to the plate grid are provided based on information from the surface potential detecting means. By controlling the above, the features of the above-described charging device can be sufficiently exhibited.

【0020】本発明の帯電装置の製造方法によれば、板
状グリッドの金メッキ層の形成をパルス電流による電解
メッキ法によって行うことにより、通常の直流電流によ
る電解メッキ法による場合に比して、形成される金メッ
キ層が、組織が緻密で硬く、ピンホールの少ないものと
なると共に、層厚が薄くても均一なものとなり、しかも
グリッド基材を形成するステンレス鋼の表面に対して高
い密着性を有するものとなる。
According to the method of manufacturing the charging device of the present invention, the gold plating layer of the plate grid is formed by the electroplating method using a pulsed current, so that the electroplating method using a direct current can be used. The formed gold plating layer has a dense and hard structure with few pinholes, and is uniform even if the layer thickness is thin, and has high adhesion to the stainless steel surface forming the grid base material. It becomes what has.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。図1および図2は、本発明の画像形成装置に用い
られる帯電装置の構成の一例の概略を示し、図1は斜視
図、図2はその分解斜視図である。これらの図におい
て、1は、電圧を印加することにより、感光体の帯電電
位を制御するための板状グリッド、2はコロナ放電を行
う帯電ワイヤ、3はグリッドを張設するためのバネ、4
は、帯電ワイヤ2と板状グリッド1を支持する支持部材
を示し、これらによって帯電装置10が構成されてい
る。この帯電装置10は、例えば直流負コロナ放電が行
われるスコロトロン方式やコロトロン方式のものとする
ことができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. 1 and 2 schematically show an example of the configuration of a charging device used in the image forming apparatus of the present invention. FIG. 1 is a perspective view, and FIG. 2 is an exploded perspective view thereof. In these figures, 1 is a plate-like grid for controlling the charging potential of the photoreceptor by applying a voltage, 2 is a charging wire for performing corona discharge, 3 is a spring for extending the grid, 4
Denotes a support member that supports the charging wire 2 and the plate-shaped grid 1, and these constitute a charging device 10. The charging device 10 may be, for example, a scorotron type or a corotron type in which a DC negative corona discharge is performed.

【0022】帯電ワイヤ2としては、例えば線径が0.
06mmのタングステンワイヤに金メッキしたものを、
高い耐久性を有することから好ましく用いることができ
る。板状グリッド1は、ステンレス鋼等よりなる板金に
エッチング等により多数の貫通孔を形成し、得られる多
孔板状のグリッド基材の表面に、金属メッキが施された
ものである。この金属メッキとしては、ニッケルメッキ
や金メッキがあるが、本発明においては、特に必須のも
のとして、金メッキが施される。このようにして形成さ
れる板状グリッドは、エッチンググリッドとも称されて
いる。
The charging wire 2 has a wire diameter of, for example, 0.1 mm.
06mm tungsten wire gold plated,
Since it has high durability, it can be preferably used. The plate-shaped grid 1 is formed by forming a large number of through holes in a sheet metal made of stainless steel or the like by etching or the like, and performing metal plating on the surface of the resulting porous plate-shaped grid base material. The metal plating includes nickel plating and gold plating. In the present invention, gold plating is particularly required. The plate grid formed in this manner is also called an etching grid.

【0023】(実施の態様−1)この実施の態様−1
は、本発明の画像形成装置用帯電装置の製造方法に関す
る態様を説明するものである。本発明によれば、多孔板
状のステンレス鋼よりなるグリッド基材をメッキ対象と
して、パルス電圧を印加してパルス電流による電解メッ
キ法により金メッキを行うことにより、当該グリッド基
材の表面に、直接、金メッキ層を形成し、これにより得
られる板状グリッドを用いて、画像形成装置に用いられ
る帯電装置を構成する。
(Embodiment-1) This embodiment-1
Describes an aspect relating to a method of manufacturing a charging device for an image forming apparatus of the present invention. According to the present invention, a grid substrate made of a perforated plate-shaped stainless steel is subjected to plating, and gold plating is performed by an electrolytic plating method using a pulse current by applying a pulse voltage to directly apply the surface of the grid substrate. Then, a gold plating layer is formed, and a charging device used in an image forming apparatus is configured using the plate-like grid obtained thereby.

【0024】形成される金メッキ層の厚さは0.3μm
以上であることが好ましい。この厚さが0.3μm未満
では、ピンホールが発生しやすく不均一のものとなり、
ピンホールを介してグリッド基材のステンレス鋼が腐食
されることにより、感光体に得られる帯電電位が部分的
に不安定になりやすい。従来においては、金メッキ層は
剥がれやすいものと考えられていたが、本発明者等がこ
の剥がれについて詳細に検討したところ、特に、特定の
メッキ法を適用することにより、形成される金メッキ層
のグリッド基材に対する密着性を飛躍的に向上できるこ
とを見い出したものである。
The thickness of the formed gold plating layer is 0.3 μm
It is preferable that it is above. If this thickness is less than 0.3 μm, pinholes are likely to occur and become non-uniform,
When the stainless steel of the grid substrate is corroded through the pinhole, the charged potential obtained on the photoconductor is likely to be partially unstable. Conventionally, the gold plating layer was considered to be easily peeled, but the present inventors have examined this peeling in detail, and in particular, by applying a specific plating method, the grid of the gold plating layer formed It has been found that the adhesion to a substrate can be dramatically improved.

【0025】金メッキ層を形成するためのパルス電流に
よる電解メッキ法は、特にそのプロセスや条件が限定さ
れるものではなく、通常の方法と同様にして行うことが
できる。金メッキの浴としては、大別して、高温または
低温のシアンアルカリ浴、中性浴、弱アルカリ浴、酸性
浴などがあるが、緻密で硬い金メッキ層が形成される浴
であることが好ましい。金メッキ層を硬いものとするた
めに、例えば酸性浴にコバルトやニッケルなどを添加す
ることもできる。対電極である陽極の材質は、特に限定
されるものではないが、例えばニッケルクロム鋼、炭素
などよりなるものを用いることができる。金メッキの浴
を構成する金メッキ液の組成の一例としては、1リット
ル当たりに、金シアン化カリ3.8g、炭酸カリ7.5
gおよび青化カリ3.8gを含有する溶液を挙げること
ができる。浴の温度は例えば49〜71℃とされる。
The electroplating method using a pulse current for forming a gold plating layer is not particularly limited in its process and conditions, and can be performed in the same manner as a normal method. The gold plating bath is roughly classified into a high-temperature or low-temperature cyan alkali bath, a neutral bath, a weak alkali bath, an acidic bath, and the like, but a bath in which a dense and hard gold plating layer is formed is preferable. In order to make the gold plating layer hard, for example, cobalt or nickel can be added to an acidic bath. The material of the anode serving as the counter electrode is not particularly limited, and for example, a material made of nickel chrome steel, carbon, or the like can be used. As an example of the composition of the gold plating solution constituting the gold plating bath, 3.8 g of potassium cyanide and 7.5 carbonate of potassium per liter were used.
g and 3.8 g of bluish potassium. The temperature of the bath is, for example, 49-71 ° C.

【0026】上記の電解メッキ法における電流は、パル
ス電流であれば特に限定されるものではない。具体的に
は、例えば商用電源の交流を整流して得られる種々のパ
ルス電流を用いることができ、矩形波によるパルス電流
が好ましく用いられる。このパルス電流のパルス幅(オ
ンタイム)は、例えば数マイクロ秒から数百マイクロ秒
の範囲で設定することができるが、このオンタイムの時
間は、オフタイムまたは充電時間より長いことが好まし
く、これにより、形成される金メッキ層を、組織の緻密
なものとすることができる。パルス電流は、電流密度が
例えば0.5〜1.6A/dm2 、電圧が例えば2〜6
Vとされる。
The current in the electrolytic plating method is not particularly limited as long as it is a pulse current. Specifically, for example, various pulse currents obtained by rectifying alternating current of a commercial power supply can be used, and a pulse current of a rectangular wave is preferably used. The pulse width (on time) of this pulse current can be set, for example, in the range of several microseconds to several hundred microseconds. The on time is preferably longer than the off time or the charging time. Thereby, the formed gold plating layer can have a fine structure. The pulse current has a current density of, for example, 0.5 to 1.6 A / dm 2 , and a voltage of, for example, 2 to 6 A / dm 2 .
V.

【0027】実際の金メッキを行うプロセスでは、メッ
キ対象物に対して、種々の前処理工程および後処理工程
が行われる。その一例では、例えば、化学研磨処理、水
洗処理、酸浸漬処理、水洗処理、純水浸漬処理、金メッ
キ工程、水洗処理および乾燥処理が行われる。
In the process of actually performing gold plating, various pre-processing steps and post-processing steps are performed on the object to be plated. In one example, for example, chemical polishing, water washing, acid immersion, water washing, pure water immersion, gold plating, water washing, and drying are performed.

【0028】以上のようなパルス電流による電解メッキ
法によれば、特に、ステンレス鋼よりなるグリッド基材
の表面に、直接、金メッキ層を形成する場合には、形成
される金メッキ層は、飛躍的に密着性の向上したものと
なることが認められた。また、以上のようなパルス電流
による電解メッキ法を用いて金メッキ層を形成する方法
によれば、グリッド基材の表面に形成されたニッケルメ
ッキ層上に金メッキ層を形成する場合にも、同様の効果
が得られる。
According to the electrolytic plating method using a pulse current as described above, especially when a gold plating layer is formed directly on the surface of a grid base material made of stainless steel, the formed gold plating layer is dramatically improved. It was confirmed that the adhesiveness was improved. Further, according to the method of forming a gold plating layer using the above-described electrolytic plating method using a pulse current, the same applies to the case of forming a gold plating layer on a nickel plating layer formed on the surface of a grid base material. The effect is obtained.

【0029】パルス電流による電解メッキ法では、直流
電流によるメッキ法に比して、陰極界面で高電流密度の
電解が行われることとなるため、生成する結晶粒径が小
さいものとなり、従って組織が緻密で密度が高く、硬い
金メッキ層が形成され、しかもこの金メッキ層はピンホ
ールの少ないものとなり、また、層厚が薄くても均一な
金メッキ層が形成される。そして、陰極を形成している
ステンレス鋼の表面と析出する金とが例えば合金化し易
い状態が得られるために、金メッキ層の密着性が高いも
のとなる。
In the electroplating method using a pulse current, electrolysis with a high current density is performed at the cathode interface as compared with the plating method using a direct current, so that the crystal grain size generated is small, and thus the structure is reduced. A dense, high-density, hard gold-plated layer is formed, and this gold-plated layer has few pinholes, and a uniform gold-plated layer is formed even if the layer thickness is small. Then, since the surface of the stainless steel forming the cathode and the deposited gold can be easily alloyed, for example, the gold plating layer has high adhesion.

【0030】(実施の態様−2)この実施の態様−2
は、本発明の画像形成装置において、帯電装置により帯
電される感光体として、有機感光体を用いる態様を説明
するものである。本発明の画像形成装置においては、静
電荷像が形成される感光体として、有機感光体が用いら
れる。有機感光体では、その表面が樹脂成分を主体とす
るものであるため、帯電装置によるコロナ放電によって
発生するオゾンの化学的作用によって表面の劣化が進行
するが、転写部より下流側に設けられるクリーニング部
にクリーニングブレードを有する装置では、当該クリー
ニングブレードによる擦過作用を受けて摩耗することか
ら、劣化した表面部分が徐々にではあるが確実に除去さ
れて行くこととなり、これにより、オゾン等による表面
の劣化の問題が実際上解消されることとなり、従って、
長期間にわたって、帯電動作による帯電電位を安定に維
持することができる。
(Embodiment 2) This embodiment 2
Describes an embodiment in which an organic photoconductor is used as a photoconductor charged by a charging device in the image forming apparatus of the present invention. In the image forming apparatus of the present invention, an organic photoconductor is used as a photoconductor on which an electrostatic image is formed. Since the surface of an organic photoreceptor is mainly composed of a resin component, the surface of the photoreceptor deteriorates due to the chemical action of ozone generated by corona discharge by a charging device. In a device having a cleaning blade in the part, since the surface is worn by the rubbing action of the cleaning blade, the deteriorated surface portion is gradually but surely removed, and as a result, the surface by the ozone or the like is thereby removed. The problem of degradation is effectively eliminated,
The charging potential by the charging operation can be stably maintained over a long period of time.

【0031】本発明に用いられる有機感光体は、架橋構
造を有するシロキサン系樹脂を含有する表面層を有する
ことが好ましい。表面層が架橋構造を有するロキサン系
樹脂を含有することにより、当該有機感光体の表面が硬
質化されて摩擦係数が小さいものとなり、クリーニング
ブレードの当接による有機感光体表面の擦過による損傷
の発生が著しく改善されると共に摩耗を抑制することが
できるため、結局、帯電電位の安定化が一層図られるこ
ととなって有機感光体の耐久性を著しく向上することが
できる。
The organic photoreceptor used in the present invention preferably has a surface layer containing a siloxane-based resin having a crosslinked structure. Since the surface layer contains a siloxane-based resin having a crosslinked structure, the surface of the organic photoreceptor is hardened to have a small friction coefficient, and damage due to abrasion of the organic photoreceptor surface due to contact with a cleaning blade occurs. Can be remarkably improved and abrasion can be suppressed. As a result, the charging potential can be further stabilized, and the durability of the organic photoreceptor can be significantly improved.

【0032】本発明に好ましく用いられる有機感光体
は、例えば、ドラム状の基体の表面に、下引き層、電荷
発生層、および架橋構造を有するシロキサン系樹脂を含
有する表面層としての電荷輸送層を、この順に積層する
ことにより、構成されたものである。更に、電荷輸送層
は、電荷輸送物質とバインダー樹脂とを含有する下層、
および電荷輸送物質と架橋構造を有するシロキサン系樹
脂とを含有する上層による二層構成とされることが好ま
しく、この場合においては前記上層が表面層とされる。
The organic photoreceptor preferably used in the present invention is, for example, a charge transport layer as a surface layer containing a siloxane-based resin having an undercoat layer, a charge generation layer and a crosslinked structure on a surface of a drum-shaped substrate. Are laminated in this order. Further, the charge transport layer is a lower layer containing a charge transport material and a binder resin,
It is preferable that the upper layer contains a charge transport material and a siloxane-based resin having a cross-linked structure, and in this case, the upper layer is a surface layer.

【0033】前記架橋構造を有するシロキサン系樹脂
は、電荷輸送性能を有する構成単位を有するものである
ことが好ましい。電荷輸送性能を有する構造単位を有
し、且つ、架橋構造を有するシロキサン系樹脂は、公知
の方法により、水酸基あるいは加水分解性基を有する有
機ケイ素化合物を用いて製造することができる。このよ
うな有機ケイ素化合物は、具体的には、下記一般式
(A)〜(D)の化学式で示されるものである。
It is preferable that the siloxane-based resin having a crosslinked structure has a structural unit having a charge transporting property. A siloxane-based resin having a structural unit having charge transport performance and having a crosslinked structure can be produced by a known method using an organosilicon compound having a hydroxyl group or a hydrolyzable group. Such an organosilicon compound is specifically represented by the following general formulas (A) to (D).

【0034】[0034]

【化1】 一般式(A)〜(D)において、R1 〜R6 は、式中の
ケイ素原子に炭素原子が直接結合した形の有機基を表
し、Z1 〜Z4 は、水酸基または加水分解性基を表す。
この場合において、一般式(C)におけるR2 およびR
3 、並びに、一般式(D)におけるR4 、R5 およびR
6 は、互いに同一であっても異なるものであってもよ
い。
Embedded image In the general formulas (A) to (D), R 1 to R 6 represent an organic group in which a carbon atom is directly bonded to a silicon atom in the formula, and Z 1 to Z 4 represent a hydroxyl group or a hydrolyzable group. Represents
In this case, R 2 and R in the general formula (C)
3 and R 4 , R 5 and R in the general formula (D)
6 may be the same or different from each other.

【0035】上記の一般式(A)〜(D)におけるZ1
〜Z4 が加水分解性基である場合の当該加水分解性基と
しては、メトキシ基、エトキシ基、メチルエチルケトオ
キシム基、ジエチルアミノ基、アセトキシ基、プロペノ
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ
基等が挙げられる。
Z 1 in the above general formulas (A) to (D)
When -Z 4 is a hydrolyzable group, the hydrolyzable group includes a methoxy group, an ethoxy group, a methylethylketoxime group, a diethylamino group, an acetoxy group, a propenoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a methoxyethoxy group and the like. No.

【0036】また、R1 〜R6 で示される、ケイ素原子
に炭素原子が直接結合した形の有機基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、
フェニル基、トリル基、ナフチル基、ビフェニル基等の
アリール基、γ−グリシドキシプロピル基、β−(3,
4−エポキシシクロヘキシル)エチル基等の含エポキシ
基、γ−アクリロキシプロピル基、γ−メタアクリロキ
シプロピル基等の含(メタ)アクリロイル基、γ−ヒド
ロキシプロピル基、2,3−ジヒドロキシプロピルオキ
シプロピル基等の含水酸基、ビニル基、プロペニル基等
の含ビニル基、γ−メルカプトプロピル基等の含メルカ
プト基、γ−アミノプロピル基、N−β−(アミノエチ
ル)−γ−アミノプロピル基等の含アミノ基、γ−クロ
ロプロピル基、1,1,1−トリフルオロプロピル基、
ノナフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチルエチル
基等の含ハロゲン基、その他ニトロ基、シアノ置換アル
キル基等を挙げることができる。
Examples of the organic group represented by R 1 to R 6 in which a carbon atom is directly bonded to a silicon atom include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group and butyl group.
Aryl groups such as phenyl group, tolyl group, naphthyl group and biphenyl group, γ-glycidoxypropyl group, β- (3,
Epoxy-containing groups such as 4-epoxycyclohexyl) ethyl group, (meth) acryloyl groups such as γ-acryloxypropyl group and γ-methacryloxypropyl group, γ-hydroxypropyl group, and 2,3-dihydroxypropyloxypropyl A hydroxyl group such as a vinyl group, a vinyl group such as a vinyl group and a propenyl group, a mercapto group such as a γ-mercaptopropyl group, a γ-aminopropyl group, an N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyl group and the like. Amino-containing group, γ-chloropropyl group, 1,1,1-trifluoropropyl group,
Examples include a halogen-containing group such as a nonafluorohexyl group and a perfluorooctylethyl group, and other nitro groups and cyano-substituted alkyl groups.

【0037】前記シロキサン系樹脂の原料として用いら
れる前記有機ケイ素化合物は、一般にはケイ素原子に結
合している加水分解性基の数nが1のものでは、当該有
機ケイ素化合物の高分子化反応は抑制されたものとな
る。nが2、3または4であるものでは高分子化反応が
起こりやすく、特に3あるいは4の有機ケイ素化合物で
は、高度に架橋反応を進めることが可能である。従っ
て、高分子化反応に供される有機ケイ素化合物原料にお
ける、加水分解性基の数nの異なる各成分の存在比率を
コントロールすることにより、得られる塗布層液の保存
性や塗布層の硬度等を制御することが可能である。
In general, the organosilicon compound used as a raw material of the siloxane-based resin is one in which the number n of hydrolyzable groups bonded to a silicon atom is 1, and the polymerization reaction of the organosilicon compound is not effective. It will be suppressed. When n is 2, 3, or 4, a polymerization reaction easily occurs. Particularly, when the organic silicon compound is 3 or 4, a crosslinking reaction can be advanced to a high degree. Therefore, by controlling the abundance ratio of each component having a different number n of hydrolyzable groups in the organosilicon compound raw material subjected to the polymerization reaction, the storage stability of the obtained coating layer liquid, the hardness of the coating layer, etc. Can be controlled.

【0038】また、前記シロキサン系樹脂の原料として
は、前記有機ケイ素化合物を酸性条件下または塩基性条
件下で加水分解してオリゴマー化あるいはポリマー化し
た加水分解縮合物を用いることもできる。なお、シロキ
サン系樹脂とは、前記の如く、予め化学構造単位にシロ
キサン結合を有するモノマー、オリゴマーあるいはポリ
マーを反応させ(この反応には、加水分解反応、触媒や
架橋剤を加えた系による反応等が含まれる。)、これに
より、三次元網目構造を形成し、硬化させた樹脂を意味
する。すなわち、シロキサン結合を有する有機ケイ素化
合物を、加水分解反応とその後の脱水縮合によりシロキ
サン結合を促進させて三次元網目構造を形成させ、その
結果生成した架橋構造を有するシロキサン系樹脂を意味
する。
As a raw material of the siloxane-based resin, a hydrolyzed condensate obtained by hydrolyzing the organosilicon compound under acidic or basic conditions to oligomerize or polymerize can also be used. As described above, the siloxane-based resin is obtained by reacting a monomer, oligomer or polymer having a siloxane bond in a chemical structural unit in advance as described above (this reaction includes a hydrolysis reaction, a reaction using a system to which a catalyst or a crosslinking agent is added, and the like). This means a resin that has formed and cured a three-dimensional network structure. That is, it means a siloxane-based resin having a cross-linked structure formed by promoting a siloxane bond by a hydrolysis reaction and subsequent dehydration condensation of an organosilicon compound having a siloxane bond to form a three-dimensional network structure.

【0039】また、前記シロキサン系樹脂は、水酸基ま
たは加水分解性基を有するコロイダルシリカを含有させ
ることにより、架橋構造の一部に当該シリカ粒子が取り
込まれた樹脂であってもよい。
Further, the siloxane-based resin may be a resin in which colloidal silica having a hydroxyl group or a hydrolyzable group is contained to incorporate the silica particles into a part of a crosslinked structure.

【0040】本発明における「電荷輸送性能を有する構
造単位を有し、且つ、架橋構造を有するシロキサン系樹
脂」とは、電子あるいは正孔のドリフト移動度を示す特
性を有する化学構造(これが「電荷輸送性能を有する構
造単位」である。)をシロキサン系樹脂中に部分構造と
して組み込んだものである。具体的には、この電荷輸送
性能を有する構造単位を有し、且つ、架橋構造を有する
シロキサン系樹脂は、一般的に電荷輸送物質として用い
られる化合物(以下において「電荷輸送性化合物」また
は「CTM」ともいう。)を該シロキサン系樹脂中に部
分構造として有している。
In the present invention, “a siloxane-based resin having a structural unit having a charge transporting property and having a cross-linking structure” is defined as a chemical structure having the characteristic of exhibiting electron or hole drift mobility (this is referred to as a “charged material”). "A structural unit having transport performance") is incorporated into a siloxane-based resin as a partial structure. Specifically, a siloxane-based resin having a structural unit having charge transporting performance and having a crosslinked structure is a compound generally used as a charge transporting substance (hereinafter referred to as a “charge transporting compound” or “CTM”). ") As a partial structure in the siloxane-based resin.

【0041】なお、前記の電荷輸送性能を有する構造単
位とは、電子あるいは正孔のドリフト移動度を有する性
質を示す構造単位、あるいは電荷輸送性化合物残基であ
り、また別の定義としてはTime−Of−Fligh
t法などの電荷輸送性能を検知できる公知の方法によっ
て電荷輸送に起因する検出電流が得られる構造単位、あ
るいは電荷輸送性化合物残基として表現することもでき
る。
The above-mentioned structural unit having charge transport performance is a structural unit exhibiting the property of having electron or hole drift mobility, or a charge transporting compound residue. Another definition is Time. -Of-Flight
It can also be expressed as a structural unit from which a detection current due to charge transport can be obtained by a known method capable of detecting charge transport performance such as the t method, or a charge transporting compound residue.

【0042】以下、シロキサン系樹脂中に有機ケイ素化
合物との反応により電荷輸送性能を有する構造単位を形
成することのできる電荷輸送性化合物について説明す
る。例えば正孔輸送型CTMとしては、例えばオキサゾ
ール、オキサジアゾール、チアゾール、トリアゾール、
イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾリン、ビスイミ
ダゾリジン、スチリル、ヒドラゾン、ベンジジン、ピラ
ゾリン、スチルベン化合物、アミン、オキサゾロン、ベ
ンゾチアゾール、ベンズイミダゾール、キナゾリン、ベ
ンゾフラン、アクリジン、フェナジン、アミノスチルベ
ン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニル
ピレン、ポリ−9−ビニルアントラセンなどの化学構造
を前記シロキサン系樹脂の部分構造として含有するもの
を挙げることができる。
Hereinafter, a charge transporting compound capable of forming a structural unit having charge transporting ability by reacting with an organosilicon compound in a siloxane-based resin will be described. For example, as the hole transport type CTM, for example, oxazole, oxadiazole, thiazole, triazole,
Imidazole, imidazolone, imidazoline, bisimidazolidin, styryl, hydrazone, benzidine, pyrazoline, stilbene compound, amine, oxazolone, benzothiazole, benzimidazole, quinazoline, benzofuran, acridine, phenazine, aminostilbene, poly-N-vinylcarbazole, poly Examples thereof include those containing a chemical structure such as -1-vinylpyrene and poly-9-vinylanthracene as a partial structure of the siloxane-based resin.

【0043】また、電子輸送型CTMとしては、例えば
無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピ
ロメリット酸、無水メリット酸、テトラシアノエチレ
ン、テトラシアノキノジメタン、ニトロベンゼン、ジニ
トロベンゼン、トリニトロベンゼン、テトラニトロベン
ゼン、ニトロベンゾニトリル、ピクリルクロライド、キ
ノンクロルイミド、クロラニル、ブロマニル、ベンゾキ
ノン、ナフトキノン、ジフェノキノン、トロポキノン、
アントラキノン、1−クロロアントラキノン、ジニトロ
アントラキノン、4−ニトロベンゾフェノン、4,4′
−ジニトロベンゾフェノン、4−ニトロベンザルマロン
ジニトリル、α−シアノ−β−(p−シアノフェニル)
−2−(p−クロロフェニル)エチレン、2,7−ジニ
トロフルオレン、2,4,7−トリニトロフルオレノ
ン、2,4,5,7−テトラニトロフルオレノン、9−
フルオレニリデンジシアノメチレンマロノニトリル、ポ
リニトロ−9−フルオロニリデンジシアノメチレンマロ
ノジニトリル、ピクリン酸、o−ニトロ安息香酸、p−
ニトロ安息香酸、3,5−ジニトロ安息香酸、ペンタフ
ルオロ安息香酸、5−ニトロサリチル酸、3,5−ジニ
トロサリチル酸、フタル酸、メリット酸などの化学構造
を前記シロキサン系樹脂の部分構造として含有するもの
を挙げることができる。
The electron transport type CTM includes, for example, succinic anhydride, maleic anhydride, phthalic anhydride, pyromellitic anhydride, melitic anhydride, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, nitrobenzene, dinitrobenzene, and trinitrobenzene. Nitrobenzene, tetranitrobenzene, nitrobenzonitrile, picryl chloride, quinone chlorimide, chloranil, bromanyl, benzoquinone, naphthoquinone, diphenoquinone, tropoquinone,
Anthraquinone, 1-chloroanthraquinone, dinitroanthraquinone, 4-nitrobenzophenone, 4,4 '
-Dinitrobenzophenone, 4-nitrobenzalmalone dinitrile, α-cyano-β- (p-cyanophenyl)
-2- (p-chlorophenyl) ethylene, 2,7-dinitrofluorene, 2,4,7-trinitrofluorenone, 2,4,5,7-tetranitrofluorenone, 9-
Fluorenylidenedicyanomethylenemalononitrile, polynitro-9-fluoronylidenedicyanomethylenemalonodinitrile, picric acid, o-nitrobenzoic acid, p-
Those containing a chemical structure such as nitrobenzoic acid, 3,5-dinitrobenzoic acid, pentafluorobenzoic acid, 5-nitrosalicylic acid, 3,5-dinitrosalicylic acid, phthalic acid, and melitic acid as a partial structure of the siloxane-based resin. Can be mentioned.

【0044】本発明において、好ましい電荷輸送性能を
有する構造単位は、前記の如き通常用いられる電荷輸送
性化合物の残基であり、この電荷輸送性化合物を構成す
る炭素原子またはケイ素原子を介して、下記一般式
(1)中のYで示される連結原子または連結基に結合
し、Yを介してシロキサン系樹脂中に含有される。
In the present invention, the structural unit having a preferable charge transporting property is a residue of a commonly used charge transporting compound as described above, and is represented by a carbon atom or a silicon atom constituting the charge transporting compound. It binds to a linking atom or a linking group represented by Y in the following general formula (1), and is contained in the siloxane-based resin via Y.

【0045】[0045]

【化2】 Embedded image

【0046】一般式(1)において、Xは電荷輸送性能
を有する構造単位であって、該付与基を構成する炭素原
子またはケイ素原子を介して式中のYと結合する基、Y
は隣接する結合原子(SiとC)を除いた2価以上の原
子または基である。ただし、Yが3価以上の原子のとき
は、式中のSiとC以外のYの結合手は、結合が可能な
硬化性樹脂中のいずれかの構成原子と結合しているか、
または他の原子、分子基と連結した構造(基)を有す
る。
In the general formula (1), X is a structural unit having a charge transporting property, and a group bonding to Y in the formula via a carbon atom or a silicon atom constituting the imparting group;
Is a divalent or higher valent atom or group excluding adjacent bonding atoms (Si and C). However, when Y is a trivalent or higher valent atom, the bond of Y other than Si and C in the formula is bonded to any constituent atom in the curable resin capable of bonding,
Alternatively, it has a structure (group) linked to another atom or molecular group.

【0047】また、一般式(1)において、Yが原子で
あるときは、当該原子としては、特に酸素原子(O)、
硫黄原子(S)、窒素原子(N)が好ましい。ここで、
Yが窒素原子(N)の場合、前記連結基は−NR−で表
される。(Rは水素原子または1価の有機基である。)
In the general formula (1), when Y is an atom, the atom is particularly an oxygen atom (O),
A sulfur atom (S) and a nitrogen atom (N) are preferred. here,
When Y is a nitrogen atom (N), the linking group is represented by -NR-. (R is a hydrogen atom or a monovalent organic group.)

【0048】一般式(1)においては、電荷輸送性能を
有する構造単位Xは、1価の基として示されているが、
シロキサン系樹脂と反応させる電荷輸送性化合物が2つ
以上の反応性官能基を有している場合は、硬化性樹脂中
で2価以上のクロスリンク基として接合してもよく、単
にペンダント基として接合していてもよい。前記原子、
すなわちO、S、Nの原子は、それぞれ電荷輸送能を有
する化合物中に導入された水酸基、メルカプト基、アミ
ン基と水酸基あるいは加水分解性基を有する有機ケイ素
化合物との反応によって形成され、シロキサン系樹脂中
に電荷輸送性能を有する構造単位を部分構造として取り
込む連結基である。
In the general formula (1), the structural unit X having charge transport performance is shown as a monovalent group.
When the charge-transporting compound to be reacted with the siloxane-based resin has two or more reactive functional groups, the charge-transporting compound may be bonded as a divalent or higher-valent crosslink group in the curable resin, or simply as a pendant group. They may be joined. The atom,
That is, the atoms of O, S, and N are formed by the reaction of a hydroxyl group, a mercapto group, or an amine group and an organosilicon compound having a hydroxyl group or a hydrolyzable group, respectively, introduced into a compound having a charge transporting ability. It is a linking group that incorporates a structural unit having charge transport performance into a resin as a partial structure.

【0049】次に、水酸基、メルカプト基、アミン基、
有機ケイ素含有基を有する電荷輸送性化合物について説
明する。前記水酸基を有する電荷輸送性化合物は、通常
用いられる構造の電荷輸送物質で、且つ水酸基を有して
いる化合物である。すなわち、代表的には硬化性有機ケ
イ素化合物と結合して、樹脂層を形成することができる
下記一般式(2)で示される電荷輸送性化合物を挙げる
ことができるが、下記構造に限定されるものではなく、
電荷輸送能を有し、且つ水酸基を有している化合物であ
ればよい。
Next, a hydroxyl group, a mercapto group, an amine group,
The charge transporting compound having an organic silicon-containing group will be described. The charge transporting compound having a hydroxyl group is a charge transporting substance having a commonly used structure and a compound having a hydroxyl group. That is, a charge-transporting compound represented by the following general formula (2), which can form a resin layer by bonding to a curable organosilicon compound, can be exemplified, but is limited to the following structure. Not a thing,
Any compound having a charge transporting ability and having a hydroxyl group may be used.

【0050】[0050]

【化3】一般式(2) X−(R7 −OH)m ここにおいて、 X:電荷輸送性能を有する構造単位 R7 :単結合、置換または無置換のアルキレン基、アリ
ーレン基 m:1〜5の整数である。
## STR3 ## Formula (2) X- (R 7 -OH ) m wherein, X: structural unit R 7 having charge transport performance: a single bond, a substituted or unsubstituted alkylene group, an arylene group m:. 1 to It is an integer of 5.

【0051】これらのうち、代表的なものを挙げれば下
記のごときものがある。例えばトリアリールアミン系化
合物は、トリフェニルアミン等のトリアリールアミン構
造を電荷輸送性能を有する構造単位(すなわちX)とし
て有し、前記Xを構成する炭素原子を介して、またはX
から延長されたアルキレン、アリーレン基を介して水酸
基を有する化合物が好ましく用いられる。
Among these, representatives are as follows. For example, a triarylamine-based compound has a triarylamine structure such as triphenylamine as a structural unit having charge-transporting performance (ie, X), and has a carbon atom constituting X or X
Compounds having a hydroxyl group via an alkylene or arylene group extended from are preferably used.

【0052】1.トリアリールアミン系化合物1. Triarylamine compounds

【化4】 Embedded image

【0053】2.ヒドラジン系化合物2. Hydrazine compounds

【化5】 Embedded image

【0054】3.スチルベン系化合物3. Stilbene compounds

【化6】 Embedded image

【0055】4.ベンジジン系化合物4. Benzidine compound

【化7】 Embedded image

【0056】5.ブタジエン系化合物5. Butadiene compound

【化8】 Embedded image

【0057】次に、メルカプト基を有する電荷輸送性化
合物の具体例を下記に例示する。メルカプト基を有する
電荷輸送性化合物とは、通常用いられる構造の電荷輸送
物質で、且つメルカプト基を有している化合物である。
すなわち、代表的には硬化性有機ケイ素化合物と結合し
て樹脂層を形成することができる、下記の一般式(3)
で示される電荷輸送性化合物を挙げることができるが、
当該構造に限定されるものではなく、電荷輸送能を有
し、且つメルカプト基を有している化合物であればよ
い。
Next, specific examples of the charge transporting compound having a mercapto group are shown below. The charge transporting compound having a mercapto group is a charge transporting substance having a commonly used structure and a compound having a mercapto group.
That is, a resin layer can be typically formed by bonding with a curable organosilicon compound.
There can be mentioned a charge transporting compound represented by
The compound is not limited to this structure, and may be any compound having a charge transporting ability and a mercapto group.

【0058】[0058]

【化9】一般式(3) X−(R8 −SH)m ここにおいて、 X:電荷輸送性能を有する構造単位 R8 :単結合、置換または無置換のアルキレン、アリー
レン基 m:1〜5の整数である。
Embedded image Formula (3) X- (R 8 -SH ) m wherein, X: structural units R 8 having a charge transporting performance: a single bond, a substituted or unsubstituted alkylene, arylene group m: 1 to 5 Is an integer.

【0059】これらのうち、代表的なものを挙げれば下
記のごときものがある。
Among these, representatives are as follows.

【化10】 Embedded image

【0060】更に、アミノ基を有する電荷輸送性化合物
について説明する。アミノ基を有する電荷輸送性化合物
は、通常用いられる構造の電荷輸送物質であって、且つ
アミノ基を有している化合物である。すなわち、代表的
には硬化性有機ケイ素化合物と結合して、樹脂層を形成
することができる下記一般式(4)で示される電荷輸送
性化合物を挙げることができるが、当該構造に限定され
るものではなく、電荷輸送能を有し、且つアミノ基を有
している化合物であればよい。
Further, the charge transporting compound having an amino group will be described. The charge transporting compound having an amino group is a charge transporting substance having a commonly used structure and a compound having an amino group. That is, a charge-transporting compound represented by the following general formula (4), which can typically form a resin layer by bonding to a curable organosilicon compound, can be mentioned, but is limited to this structure. Instead, any compound having charge transporting ability and having an amino group may be used.

【0061】[0061]

【化11】一般式(4) X−(R9 −NR10H)m ここにおいて、 X:電荷輸送性能を有する構造単位 R9 :単結合、置換、無置換のアルキレン、置換、無置
換のアリーレン基 R10:水素原子、置換、非置換のアルキル基、置換、非
置換のアリール基 m:1〜5の整数である。
X- (R 9 -NR 10 H) m wherein X: Structural unit having charge transport performance R 9 : Single bond, substituted, unsubstituted alkylene, substituted, unsubstituted Arylene group R 10 : hydrogen atom, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted aryl group m: an integer of 1 to 5.

【0062】これらのうち、代表的なものを挙げれば下
記のごときものがある。
[0062] Of these, representative ones are as follows.

【化12】 Embedded image

【0063】アミノ基を有する電荷輸送性化合物の中
で、第一級アミン化合物(−NH2 )の場合は2個の水
素原子が有機ケイ素化合物と反応し、シロキサン構造に
連結してもよい。第二級アミン化合物(−NHR10)の
場合は1個の水素原子が有機ケイ素化合物と反応し、R
10はブランチとして残存する基でもよく、架橋反応を起
こす基でも良く、電荷輸送物質を含む化合物残基でもよ
い。
Among the charge transporting compounds having an amino group, in the case of a primary amine compound (—NH 2 ), two hydrogen atoms may react with an organosilicon compound and be linked to a siloxane structure. In the case of a secondary amine compound (—NHR 10 ), one hydrogen atom reacts with the organosilicon compound, and R
10 may be a group remaining as a branch, a group causing a crosslinking reaction, or a compound residue containing a charge transport substance.

【0064】更に、ケイ素原子含有基を有する電荷輸送
性化合物について説明する。ケイ素原子含有基を有する
電荷輸送性化合物は、下記一般式(5)に示すような構
造の電荷輸送物質である。この化合物も硬化性有機ケイ
素化合物と結合して、樹脂層を形成することができる。
Further, the charge transporting compound having a silicon atom-containing group will be described. The charge transporting compound having a silicon atom-containing group is a charge transporting substance having a structure represented by the following general formula (5). This compound can also combine with the curable organosilicon compound to form a resin layer.

【0065】[0065]

【化13】一般式(5) X−(−Y−Si(R113-a (R12a )n (一般式(5)において、Xは電荷輸送性能を有する構
造単位を含む基であり、R11は水素原子、置換若しくは
未置換のアルキル基、アリール基を示し、R12は加水分
解性基または水酸基を示し、Yは置換若しくは未置換の
アルキレン基、アリーレン基を示す。aは1〜3の整数
を示し、nは整数を示す。)
Embedded image X-(— Y—Si (R 11 ) 3-a (R 12 ) a ) n (In the general formula (5), X represents a group containing a structural unit having charge transport performance. R 11 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group or an aryl group, R 12 represents a hydrolyzable group or a hydroxyl group, and Y represents a substituted or unsubstituted alkylene group or an arylene group. Represents an integer of 1 to 3, and n represents an integer.)

【0066】これらのうち、代表的なものを挙げれば下
記のごときものがある。前記シロキサン系樹脂の形成原
料は、前記一般式(A)〜(D)で表される構造単位を
成分とする有機ケイ素化合物ものである。その組成比と
しては、例えば一般式(A)による構造単位成分を「成
分(A)」のように記すと、成分(A)+(B)の1モ
ルに対し、成分(C)+(D)を0.05〜1モルとな
る割合で用いることが好ましい。また、コロイダルシリ
カ(これを「成分(E)」とする。)を添加する場合に
は、成分(A)+(B)+(C)+(D)の総質量10
0部に対して成分(E)を1〜30質量部の割合で用い
ることが好ましい。
Among these, representatives are as follows. The raw material for forming the siloxane-based resin is an organosilicon compound containing the structural units represented by the general formulas (A) to (D) as components. As the composition ratio, for example, when the structural unit component represented by the general formula (A) is described as “component (A)”, component (C) + (D) is added to 1 mole of component (A) + (B). Is preferably used in a ratio of 0.05 to 1 mol. When colloidal silica (hereinafter referred to as “component (E)”) is added, the total mass of components (A) + (B) + (C) + (D) is 10%.
It is preferable to use the component (E) in a ratio of 1 to 30 parts by mass relative to 0 part.

【0067】また、前記有機ケイ素化合物やコロイダル
シリカと反応して樹脂層を形成することができる反応性
電荷輸送性化合物(これを「成分(F)」とする。)の
添加量は、成分(A)+(B)+(C)+(D)の総質
量100部に対し1〜500質量部であることが好まし
い。成分(A)+(B)の割合が過小の場合には、得ら
れるシロキサン樹脂は架橋密度が小さくて硬度が不足し
たものとなる。これに対し、成分(A)+(B)の割合
が過大の場合には、得られるシロキサン樹脂は架橋密度
が高くて、硬度は十分であっても脆い樹脂層となる。
The amount of the reactive charge transporting compound capable of forming a resin layer by reacting with the organosilicon compound or colloidal silica (hereinafter referred to as “component (F)”) is determined by the amount of the component ( The amount is preferably 1 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of (A) + (B) + (C) + (D). When the ratio of the components (A) and (B) is too small, the obtained siloxane resin has a low crosslinking density and insufficient hardness. On the other hand, when the ratio of the components (A) + (B) is excessive, the obtained siloxane resin has a high crosslinking density and becomes a brittle resin layer even if the hardness is sufficient.

【0068】成分(E)のコロイダルシリカの割合が適
当でない場合には、その過不足による傾向は、上記の成
分(A)+(B)の過不足の場合と同様である。一方、
成分(F)の割合が低い場合には、得られるシロキサン
樹脂の電荷輸送能が小さいものとなり、感光体としての
感度の低下や残留電位の上昇が生ずるようになり、成分
(F)の割合が高い場合には、得られるシロキサン樹脂
層の膜強度が低いものとなる傾向がみられる。
When the proportion of the colloidal silica of the component (E) is not appropriate, the tendency due to excess or deficiency is the same as the case where the component (A) + (B) is excessive or deficient. on the other hand,
When the proportion of the component (F) is low, the charge transporting ability of the obtained siloxane resin becomes small, so that the sensitivity as a photoreceptor is lowered and the residual potential is increased. When it is high, the film strength of the obtained siloxane resin layer tends to be low.

【0069】本発明で用いられる、電荷輸送性能を有す
る構造単位を有し、且つ架橋構造を有するシロキサン系
樹脂は、予め構造単位としてシロキサン結合を有するモ
ノマー、オリゴマーまたはポリマーに、触媒や架橋剤を
加えて新たな化学結合を形成させて三次元網目構造を形
成させたものであってもよく、また加水分解反応とその
後の脱水縮合によりシロキサン結合を促進させることに
より、モノマー、オリゴマーまたはポリマーから三次元
網目構造を形成させることもできる。一般的には、アル
コキシシランを有する組成物またはアルコキシシランと
コロイダルシリカを有する組成物の縮合反応により、三
次元網目構造を形成することができる。
The siloxane-based resin having a structural unit having charge transporting ability and having a crosslinked structure used in the present invention is obtained by adding a catalyst or a crosslinking agent to a monomer, oligomer or polymer having a siloxane bond as a structural unit in advance. In addition, a three-dimensional network structure may be formed by forming a new chemical bond, and a siloxane bond may be promoted by a hydrolysis reaction and a subsequent dehydration condensation to form a tertiary compound from a monomer, oligomer or polymer. An original network structure can be formed. In general, a three-dimensional network structure can be formed by a condensation reaction of a composition having an alkoxysilane or a composition having an alkoxysilane and colloidal silica.

【0070】また、前記の三次元網目構造を形成させる
ために用いられる触媒としては、例えば有機カルボン
酸、亜硝酸、亜硫酸、アルミン酸、炭酸およびチオシア
ン酸の各アルカリ金属塩、有機アミン塩(水酸化テトラ
メチルアンモニウム、テトラメチルアンモニウムアセテ
ート)、スズ有機酸塩(スタンナスオクトエート、ジブ
チルチンジアセテート、ジブチルチンジラウレート、ジ
ブチルチンメルカプチド、ジブチルチンチオカルボキシ
レート、ジブチルチンマリエート等)、アルミニウムあ
るいは亜鉛のオクテン酸、ナフテン酸塩、アセチルアセ
トン錯化合物等が挙げられる。
Examples of the catalyst used for forming the three-dimensional network structure include alkali metal salts of organic carboxylic acids, nitrous acid, sulfurous acid, aluminate, carbonic acid and thiocyanic acid, and organic amine salts (water). Tetramethylammonium oxide, tetramethylammonium acetate), tin organic acid salts (stannas octoate, dibutyltin diacetate, dibutyltin dilaurate, dibutyltin mercaptide, dibutyltin thiocarboxylate, dibutyltin malate), aluminum or zinc Octene acid, naphthenate, acetylacetone complex and the like.

【0071】有機感光体の層構成は、特に限定されるも
のではないが、電荷発生層、電荷輸送層、あるいは電荷
発生・電荷輸送層(電荷発生機能と電荷輸送機能の両方
の機能を有する単層型感光層)等よりなる感光層の上
に、表面層を塗設した構成とされることが好ましい。ま
た、前記電荷発生層、電荷輸送層、あるいは電荷発生・
電荷輸送層は、各層が複数の層から構成されていてもよ
い。
The layer structure of the organic photoreceptor is not particularly limited, but may be a charge generation layer, a charge transport layer, or a charge generation / charge transport layer (a single layer having both a charge generation function and a charge transport function). It is preferable that a surface layer is coated on a photosensitive layer such as a layer type photosensitive layer). Further, the charge generation layer, the charge transport layer, or the charge generation /
Each layer of the charge transport layer may be composed of a plurality of layers.

【0072】有機感光体の電荷発生層に含有される電荷
発生物質(CGM)としては、例えばフタロシアニン顔
料、多環キノン顔料、アゾ顔料、ペリレン顔料、インジ
ゴ顔料、キナクリドン顔料、アズレニウム顔料、スクワ
リリウム染料、シアニン染料、ピリリウム染料、チオピ
リリウム染料、キサンテン色素、トリフェニルメタン色
素、スチリル色素等が挙げられ、これらの電荷発生物質
(CGM)は、単独でまたは適当なバインダー樹脂と共
に用いられて層形成が行われる。
Examples of the charge generation material (CGM) contained in the charge generation layer of the organic photoreceptor include phthalocyanine pigments, polycyclic quinone pigments, azo pigments, perylene pigments, indigo pigments, quinacridone pigments, azurenium pigments, squalilium dyes, Examples include cyanine dyes, pyrylium dyes, thiopyrylium dyes, xanthene dyes, triphenylmethane dyes, styryl dyes, and the like. These charge generating substances (CGM) are used alone or in combination with a suitable binder resin to form a layer. .

【0073】前記電荷輸送層に含有される電荷輸送物質
(CTM)としては、例えばオキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾー
ル誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、
イミダゾロン誘導体、イミダゾリン誘導体、ビスイミダ
ゾリジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、
ベンジジン化合物、ピラゾリン誘導体、スチルベン化合
物、アミン誘導体、オキサゾロン誘導体、ベンゾチアゾ
ール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘
導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナ
ジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−
ビニルアントラセン等が挙げられ、これらの電荷輸送物
質(CTM)は、通常バインダーと共に用いられて層形
成が行われる。
Examples of the charge transport material (CTM) contained in the charge transport layer include oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives,
Imidazolone derivatives, imidazoline derivatives, bisimidazolidine derivatives, styryl compounds, hydrazone compounds,
Benzidine compound, pyrazoline derivative, stilbene compound, amine derivative, oxazolone derivative, benzothiazole derivative, benzimidazole derivative, quinazoline derivative, benzofuran derivative, acridine derivative, phenazine derivative, aminostilbene derivative, poly-N-vinylcarbazole, poly-1- Vinylpyrene, poly-9-
Vinyl anthracene and the like are mentioned, and these charge transport materials (CTM) are usually used together with a binder to form a layer.

【0074】電荷発生層(CGL)または電荷輸送層
(CTL)に含有されるバインダー樹脂としては、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹
脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン
樹脂、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体樹
脂、塩化ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂、ウレタ
ン樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン−
アルキッド樹脂、フェノール樹脂、ポリシラン樹脂、ポ
リビニルカルバゾール等が挙げられる。
As the binder resin contained in the charge generation layer (CGL) or the charge transport layer (CTL), polycarbonate resin, polyester resin, polystyrene resin, methacrylic resin, acrylic resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, Polyvinyl butyral resin, polyvinyl acetate resin, styrene-butadiene resin, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer resin, vinyl chloride-maleic anhydride copolymer resin, urethane resin, silicone resin, epoxy resin, silicone-
Examples thereof include alkyd resins, phenol resins, polysilane resins, and polyvinyl carbazole.

【0075】電荷発生層における電荷発生物質とバイン
ダー樹脂との割合は、質量比で1:10〜10:1であ
ることが好ましい。また、電荷発生層の膜厚は5μm以
下であることが好ましく、特に0.05〜2μmが好ま
しい。また、電荷輸送層は前記の電荷輸送物質とバイン
ダー樹脂を適当な溶剤に溶解し、その溶液を塗布乾燥す
ることによって形成することができる。電荷輸送物質と
バインダー樹脂との混合割合は、質量比で10:1〜
1:10であることが好ましい。電荷輸送層の膜厚は、
通常5〜50μm、特に10〜40μmであることが好
ましい。また、電荷輸送層が複数設けられている場合
は、電荷輸送層の上層の膜厚は10μm以下であること
が好ましく、且つ、電荷輸送層の上層の下に設けられた
電荷輸送層の全膜厚より小さいことが好ましい。
The ratio of the charge generation material to the binder resin in the charge generation layer is preferably from 1:10 to 10: 1 by mass. Further, the thickness of the charge generation layer is preferably 5 μm or less, particularly preferably 0.05 to 2 μm. The charge transport layer can be formed by dissolving the charge transport material and the binder resin in an appropriate solvent, and applying and drying the solution. The mixing ratio of the charge transport material and the binder resin is 10: 1 to 1 by mass.
Preferably it is 1:10. The thickness of the charge transport layer is
Usually, it is preferably 5 to 50 μm, particularly preferably 10 to 40 μm. When a plurality of charge transport layers are provided, the thickness of the upper layer of the charge transport layer is preferably 10 μm or less, and the entire thickness of the charge transport layer provided below the upper layer of the charge transport layer It is preferably smaller than the thickness.

【0076】本発明に好ましく用いられる有機感光体に
おけるシロキサン系樹脂を含む表面層は、当該表面層が
電荷輸送層である場合は前記電荷輸送層を兼ねてもよい
が、好ましくは、電荷輸送層もしくは電荷発生層とは別
層の表面層として設けるのがよい。この場合、前記感光
層と表面層との間に接着層を設けてもよい。また電子写
真感光体の表面特性を改良する目的で該表面層の上に更
に薄層の保護層を設けてもよい。
The surface layer containing a siloxane-based resin in the organic photoreceptor preferably used in the present invention may serve also as the charge transport layer when the surface layer is a charge transport layer. Alternatively, it is preferably provided as a surface layer separate from the charge generation layer. In this case, an adhesive layer may be provided between the photosensitive layer and the surface layer. Further, for the purpose of improving the surface characteristics of the electrophotographic photosensitive member, a thinner protective layer may be provided on the surface layer.

【0077】有機感光体の導電性支持体としては、 (1)アルミニウム板、ステンレス鋼板などの金属板 (2)紙あるいはプラスチックフィルムなどの支持体上
に、アルミニウム、パラジウム、金などの金属薄層をラ
ミネート若しくは蒸着によって設けたもの (3)紙あるいはプラスチックフィルムなどの支持体上
に、導電性ポリマー、酸化インジウム、酸化錫などの導
電性化合物の層を塗布若しくは蒸着によって設けたもの
等が挙げられる。
Examples of the conductive support for the organic photoreceptor include: (1) a metal plate such as an aluminum plate or a stainless steel plate; or (2) a thin metal layer such as aluminum, palladium, or gold on a support such as paper or a plastic film. (3) A material in which a layer of a conductive compound such as a conductive polymer, indium oxide, or tin oxide is provided by coating or vapor deposition on a support such as paper or a plastic film. .

【0078】導電性支持体の材料としては、主としてア
ルミニウム、銅、真鍮、スチール、ステンレス等の金属
材料、その他プラスチック材料をベルト状またはドラム
状に成形加工したものが用いられる。中でもコストおよ
び加工性等に優れたアルミニウムが好ましく用いられ、
通常、押出成型または引抜成型された薄肉円筒状のアル
ミニウム素管が多く用いられる。また、前記導電性支持
体は、その表面に封孔処理されたアルマイト膜が形成さ
れたものであってもよい。
As the material of the conductive support, a metal material such as aluminum, copper, brass, steel, stainless steel or the like, or a plastic material formed into a belt or a drum is used. Among them, aluminum excellent in cost and workability is preferably used,
Usually, a thin-walled cylindrical aluminum tube formed by extrusion or drawing is often used. Further, the conductive support may have a surface on which a sealed alumite film is formed.

【0079】上記のような有機感光体を製造するための
塗布加工方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、円形
量規制型塗布等の塗布加工法が用いられるが、感光層の
樹脂層側の塗布加工は、下層の膜を極力溶解させないた
めに、また、均一な塗布加工を達成するために、スプレ
ー塗布または円形量規制型(円形スライドホッパ型がそ
の代表例である。)塗布等の塗布加工方法を用いること
が好ましい。なお、前記スプレー塗布については、例え
ば特開平3−90250号および特開平3−26923
8号公報に詳細に記載されており、前記円形量規制型塗
布については例えば特開昭58−189061号公報に
詳細に記載されている。
As a coating method for producing the above-mentioned organic photoreceptor, coating methods such as dip coating, spray coating, and circular amount control type coating are used. In order to minimize the dissolution of the lower layer film and to achieve a uniform coating process, the coating process is performed by spray coating or coating with a circular amount control type (a typical example is a circular slide hopper type). Preferably, a method is used. The spray coating is described in, for example, JP-A-3-90250 and JP-A-3-26923.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-189061 describes the details of the circular amount control type coating.

【0080】有機感光体の製造において、前記樹脂層が
塗布形成された後、50℃以上、好ましくは60〜20
0℃の温度で加熱乾燥することが好ましい。この加熱乾
燥により、残存塗布溶媒を少なくすると共に、硬化性樹
脂層を十分に硬化させることができる。
In the production of the organic photoreceptor, after the resin layer is applied and formed, the temperature is 50 ° C. or higher, preferably 60 to 20 ° C.
It is preferable to heat and dry at a temperature of 0 ° C. By this heating and drying, the remaining coating solvent can be reduced, and the curable resin layer can be sufficiently cured.

【0081】次に、有機感光体の具体的な製造例を説明
する。ポリアミド樹脂「アミランCM−8000」(東
レ社製)60gを、1600mlのメタノールに溶解分
散せしめて中間層組成液を調製し、これを、洗浄済みの
円筒状アルミニウム基体上に浸漬塗布法で塗布し、膜厚
0.3μmの中間層を形成する。60gのY型チタニル
フタロシアニンと、700gのシリコーン樹脂溶液「K
R5240」(15%キシレン−ブタノール溶液、信越
化学社製)を、2000mlの2−ブタノンと混合し、
サンドミルを用いて10時間分散処理し、電荷発生層塗
布液を調製した。この電荷発生層塗布液を、前記中間層
上に浸漬塗布法で塗布し、膜厚0.2μmの電荷発生層
を形成する。下記構造式で表される電荷輸送物質(D
1)200gと、300gのビスフェノールZ型ポリカ
ーボネート「ユーピロンZ300」(三菱ガス化学社
製)と、2000mlの1,2−ジクロロエタンを混合
し、溶解して電荷輸送層塗布液を調製した。この電荷輸
送塗布液を、前記電荷発生層上に浸漬塗布法で塗布し、
膜厚20μmの電荷輸送層を形成する。
Next, a specific production example of the organic photoreceptor will be described. 60 g of polyamide resin “Amilan CM-8000” (manufactured by Toray Industries, Inc.) was dissolved and dispersed in 1600 ml of methanol to prepare an intermediate layer composition solution, which was applied by dip coating onto a washed cylindrical aluminum substrate. Then, an intermediate layer having a thickness of 0.3 μm is formed. 60 g of Y-type titanyl phthalocyanine and 700 g of a silicone resin solution “K
R5240 "(15% xylene-butanol solution, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was mixed with 2000 ml of 2-butanone,
The mixture was subjected to a dispersion treatment using a sand mill for 10 hours to prepare a charge generation layer coating solution. This charge generation layer coating solution is applied onto the intermediate layer by a dip coating method to form a charge generation layer having a thickness of 0.2 μm. The charge transporting material represented by the following structural formula (D
1) 200 g, 300 g of bisphenol Z-type polycarbonate "Iupilon Z300" (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) and 2000 ml of 1,2-dichloroethane were mixed and dissolved to prepare a charge transport layer coating solution. This charge transport coating solution is applied on the charge generation layer by a dip coating method,
A charge transport layer having a thickness of 20 μm is formed.

【0082】メチルシロキサン単位80モル%とメチル
−フェニルシロキサン単位20モル%からなるポリシロ
キサン樹脂の10質量部を、これにモレキュラーシーブ
4Aを添加して15時間静置することにより、脱水し
た。この樹脂をトルエン10質量部に溶解し、これにメ
チルトリメトキシシラン5質量部、ジブチル錫アセテー
ト0.2質量部を加えて均一な溶液とした。これにジヒ
ドロキシメチルトリフェニルアミン(例示化合物T−
1)6質量部を加えて混合し、この溶液を乾燥膜厚2μ
mの表面層として前記電荷輸送層上に塗布し、120℃
にて1時間の加熱硬化を行うことにより、有機感光体を
製造することができる。
10 parts by mass of a polysiloxane resin consisting of 80 mol% of methylsiloxane units and 20 mol% of methyl-phenylsiloxane units were added with molecular sieve 4A and left to stand for 15 hours to dehydrate. This resin was dissolved in 10 parts by mass of toluene, and 5 parts by mass of methyltrimethoxysilane and 0.2 parts by mass of dibutyltin acetate were added thereto to form a uniform solution. The dihydroxymethyltriphenylamine (Exemplified Compound T-
1) 6 parts by mass were added and mixed, and this solution was dried to a thickness of 2 μm.
m on the charge transport layer as a surface layer,
The organic photoreceptor can be manufactured by performing the heat curing for 1 hour.

【0083】[0083]

【化14】 Embedded image

【0084】本発明においては、画像形成装置におい
て、感光体として上記のような有機感光体を用い、この
有機感光体に静電荷像を形成する際に当該感光体を帯電
させるための帯電装置として、金メッキを施した板状グ
リッドを有するものを適用することにより、長期間にわ
たって、著しい帯電性の安定化および耐久性が得られる
ものである。この場合における帯電装置の板状グリッド
としては、多孔板状のステンレス鋼よりなるグリッド基
材に、金メッキ層を形成してなる板状グリッドが適用さ
れる。
In the present invention, in the image forming apparatus, the above-mentioned organic photoreceptor is used as a photoreceptor, and a charging device for charging the photoreceptor when forming an electrostatic charge image on the organic photoreceptor is used. By applying a plate having a gold-plated grid, remarkable stabilization and durability can be obtained over a long period of time. In this case, as the plate-shaped grid of the charging device, a plate-shaped grid formed by forming a gold plating layer on a grid base material made of perforated plate-shaped stainless steel is applied.

【0085】帯電装置の板状グリッドにおいては、多孔
板状のステンレス鋼製のグリッド基材にニッケルメッキ
を施し、このニッケルメッキ層の上に金メッキを行って
金メッキ層を形成してもよいが、当該金メッキは、ステ
ンレス鋼製のグリッド基材の表面に、直接、行なって金
メッキ層が形成されていることが好ましい。ニッケルメ
ッキ層を介して金メッキ層が形成されている場合には、
例えば金メッキ層にピンホールが存在したり、あるいは
傷が生じたような場合に、露出するニッケルが金属とし
てイオン化傾向の大きいものであるため、ステンレス鋼
よりなるグリッド基材とニッケルメッキ層との界面にお
ける電極効果により、当該ニッケルが腐食しやすく、結
局、ニッケル層と共に金メッキ層がグリッド基材の表面
から剥がれやすいものとなる。また、この金メッキ層の
膜厚は、既述のように、0.3μm以上であることが好
ましい。
In the plate-shaped grid of the charging device, a perforated plate-shaped stainless steel grid base material may be nickel-plated, and gold plating may be performed on the nickel-plated layer to form a gold-plated layer. The gold plating is preferably performed directly on the surface of a stainless steel grid substrate to form a gold plating layer. When the gold plating layer is formed via the nickel plating layer,
For example, when a pinhole is present in the gold plating layer or when a scratch is generated, the exposed nickel has a high ionization tendency as a metal, so that the interface between the grid base made of stainless steel and the nickel plating layer is formed. The nickel effect corrodes easily due to the electrode effect in the above, and eventually, the gold plating layer together with the nickel layer easily peels off from the surface of the grid base material. The thickness of the gold plating layer is preferably 0.3 μm or more, as described above.

【0086】更に、実施の態様−1に記載されているよ
うに、パルス電流による電解メッキ法により、金メッキ
層を形成した板状グリッドを適用することが好ましい。
また、前記有機感光体の表面層は、架橋構造を有するシ
ロキサン系樹脂を含有することが好ましい。すなわち、
架橋構造を有するシロキサン系樹脂は硬質であるため、
当該表面層を有する有機感光体は、クリニングブレード
による擦過を受けても摩耗が抑制されるため、感光層の
膜厚の低下による帯電電位の変動を抑制することができ
る。
Further, as described in the first embodiment, it is preferable to use a plate-like grid on which a gold plating layer is formed by an electrolytic plating method using a pulse current.
The surface layer of the organic photoreceptor preferably contains a siloxane-based resin having a crosslinked structure. That is,
Since the siloxane-based resin having a crosslinked structure is hard,
Since the organic photoreceptor having the surface layer is suppressed from abrasion even if it is rubbed by a cleaning blade, it is possible to suppress a change in charging potential due to a decrease in the thickness of the photosensitive layer.

【0087】また、上記のような帯電装置は、後述する
ように、前記有機感光体の表面電位を検知する検知手段
を設けると共に、この検知手段によって得られる情報に
基づき、帯電装置における帯電ワイヤに供給される帯電
電流と、板状グリッドに印加されるグリッド電圧を制御
する制御手段を設けて構成された画像形成装置に適用さ
れることが好ましい。これにより、長期間にわたり、感
光体の表面層のオゾンによる劣化や膜厚の低下による帯
電電位の変動を適正な帯電電位に変更修正することがで
き、帯電電位の安定化という耐久性が一層向上する。
Further, the charging device as described above is provided with detection means for detecting the surface potential of the organic photoreceptor, as will be described later, and based on information obtained by this detection means, a charging wire in the charging device is connected to the charging device. It is preferable that the present invention is applied to an image forming apparatus provided with control means for controlling the supplied charging current and the grid voltage applied to the plate grid. This makes it possible to change and correct the fluctuation of the charging potential due to deterioration of the surface layer of the photoreceptor due to ozone and a decrease in the film thickness to an appropriate charging potential over a long period of time, thereby further improving the durability of stabilizing the charging potential. I do.

【0088】(実施の態様−3)この実施の態様−3
は、本発明の画像形成装置において、帯電装置により帯
電される感光体として、非晶質シリコン系有機感光体を
用いる態様を説明するものである。本発明の画像形成装
置においては、静電荷像が形成される感光体として、非
晶質シリコン感光体が用いられる。この非晶質シリコン
系感光体としては、公知のものを使用することができ
る。非晶質シリコン感光体は、硬質で耐久性が大きいも
のであるが、反面、帯電性能が劣ることから、所期の帯
電状態を得るためには帯電装置において高い帯電電流に
よるコロナ放電が必要とされ、これにより、グリッドが
受ける影響が増大する結果、帯電装置の耐久性が不可避
的に低いものとなる。
(Embodiment-3) Embodiment-3
Describes an embodiment in which an amorphous silicon-based organic photoconductor is used as a photoconductor charged by a charging device in the image forming apparatus of the present invention. In the image forming apparatus of the present invention, an amorphous silicon photoconductor is used as a photoconductor on which an electrostatic image is formed. As the amorphous silicon-based photoconductor, a known photoconductor can be used. Amorphous silicon photoreceptors are hard and durable, but on the other hand, they have poor charging performance, so a corona discharge with a high charging current is required in the charging device to obtain the desired charging state. As a result, the influence on the grid increases, so that the durability of the charging device is inevitably low.

【0089】例えば、従来から知られている多孔板状の
ステンレス鋼製のグリッド基材にニッケルを被覆し、更
に金を被覆した板状グリッドにおいては、ステンレス鋼
とニッケルの界面における電極効果が一層助長されるた
め、帯電装置の耐久性が著しく損なわれてしまう。
For example, a conventionally known perforated plate-shaped stainless steel grid base material coated with nickel and further coated with gold has a more effective electrode effect at the interface between stainless steel and nickel. Because of this, the durability of the charging device is significantly impaired.

【0090】このため、本発明においては、非晶質シリ
コン系感光体を帯電させるための帯電装置として、ステ
ンレス鋼よりなるグリッド基材の表面に、直接、金メッ
キを施して金メッキ層を形成してなる板状グリッドを備
えたものを適用する。このような構成によれば、帯電装
置の耐久性を向上させることができ、総合的な画像形成
装置の耐久性も向上する。この帯電装置の板状グリッド
における金メッキ層の膜厚は0.3μm以上であること
が好ましい。更に、実施の態様−1において説明されて
いるように、パルス電流による電解メッキ法により金メ
ッキした板状グリッドを適用することが好ましい。
For this reason, in the present invention, as a charging device for charging the amorphous silicon-based photoreceptor, a gold plating layer is formed by directly performing gold plating on the surface of a grid substrate made of stainless steel. The one having a plate-like grid is applied. According to such a configuration, the durability of the charging device can be improved, and the overall durability of the image forming apparatus can also be improved. The thickness of the gold plating layer in the plate grid of this charging device is preferably 0.3 μm or more. Further, as described in the first embodiment, it is preferable to use a plate-shaped grid plated with gold by an electrolytic plating method using a pulse current.

【0091】図3は、本発明の画像形成装置の構成の主
要部の一例を示す説明図であり、この装置においては、
ディジタル電子写真方式が適用されている。この画像形
成装置の構成は、上記した実施の態様−1、2および3
のいずれにも適用することができる。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of a main part of the configuration of the image forming apparatus of the present invention.
Digital electrophotography is applied. The configuration of this image forming apparatus is the same as that of Embodiments 1, 2, and 3 described above.
Can be applied to any of the above.

【0092】図3の画像形成装置は、静電荷像が形成さ
れるドラム状感光体21と、この感光体21を帯電させ
るための帯電装置22と、感光体21に形成された静電
荷像を顕像化してトナー像を形成する現像器23と、感
光体21に形成されたトナー像を紙などの転写材に転写
させる転写電極24を有する転写部と、感光体21に密
着した転写材を分離させる分離電極25を有する分離部
と、分離された転写材を搬送する搬送機構27と、転写
材の表面に転写されたトナー像を定着させる定着装置3
0と、感光体21に当接するクリーニングブレードによ
り残留トナーをクリーニングするクリーニング部28と
を備えてなる。
The image forming apparatus shown in FIG. 3 has a drum-shaped photosensitive member 21 on which an electrostatic image is formed, a charging device 22 for charging the photosensitive member 21, and an electrostatic image formed on the photosensitive member 21. A developing unit 23 that forms a toner image by visualizing the image, a transfer unit that has a transfer electrode 24 that transfers the toner image formed on the photoconductor 21 to a transfer material such as paper, and a transfer material that is in close contact with the photoconductor 21 A separation unit having a separation electrode 25 for separation, a conveyance mechanism 27 for conveying the separated transfer material, and a fixing device 3 for fixing the toner image transferred to the surface of the transfer material
0, and a cleaning unit 28 that cleans residual toner by a cleaning blade that contacts the photoconductor 21.

【0093】この例の画像形成装置においては、安定な
帯電電位を付与するために、感光体21の表面電位を検
知してその検知信号を利用するフィードバック制御がな
される。具体的には、感光体21の表面電位を検知する
表面電位検知手段31が、帯電装置22の下流位置に設
けられており、帯電装置22の帯電ワイヤに帯電電流を
供給する帯電電流用電源32と、帯電装置22の板状グ
リッドを所定の電位状態とするためのグリッド電圧印加
用電源33との両者を制御する制御手段35に対し、表
面電位検知手段31よりの表面電位信号が入力され、こ
の表面電位信号に応じて、帯電電流およびグリッド電圧
が制御される構成とされている。
In the image forming apparatus of this example, in order to apply a stable charging potential, feedback control is performed by detecting the surface potential of the photosensitive member 21 and using the detection signal. Specifically, a surface potential detecting means 31 for detecting the surface potential of the photoconductor 21 is provided at a downstream position of the charging device 22, and a charging current power supply 32 for supplying a charging current to a charging wire of the charging device 22. A surface potential signal from the surface potential detection unit 31 is input to a control unit 35 that controls both a power supply 33 for applying a grid voltage for setting the plate grid of the charging device 22 to a predetermined potential state, The charging current and the grid voltage are controlled in accordance with the surface potential signal.

【0094】このようなフィードバック制御がなされる
ことにより、感光体の表面電位状態に応じた帯電電流と
グリッド電圧によって帯電装置22が動作されるため、
感光体21を常に所期の帯電電位状態に帯電させること
ができ、その結果、帯電装置そのものが有する特長も加
わって、長期間にわたり、感光体21の表面層のオゾン
による劣化や膜厚の低下による帯電電位の変動を適正な
帯電電位に変更修正することができる。従って、この画
像形成装置は、帯電電位の安定化により総合的な耐久性
が一層向上したものとなる。
By performing such feedback control, the charging device 22 is operated by the charging current and the grid voltage according to the surface potential state of the photosensitive member.
The photoconductor 21 can always be charged to the desired charging potential state. As a result, the surface layer of the photoconductor 21 is deteriorated by ozone and the film thickness is reduced over a long period of time, in addition to the features of the charging device itself. The variation of the charging potential due to the above can be changed and corrected to an appropriate charging potential. Therefore, this image forming apparatus further improves overall durability by stabilizing the charging potential.

【0095】[0095]

【発明の効果】本発明によれば、有機感光体を備える画
像形成装置において、当該有機感光体を帯電させる帯電
装置が板状グリッドを有し、この板状グリッドが、多孔
板状のステンレス鋼製のグリッド基材に金メッキ層を形
成してなるものであることにより、特に、当該金メッキ
層がグリッド基材の表面に、直接、形成されることによ
り、当該板状グリッドが、長期間にわたる使用において
も金メッキ層の剥がれが生ずることがなくて高い耐久性
を有するため、当該帯電装置の帯電装動作特性が安定な
ものとなり、従って、有機感光体に対する静電荷像形成
工程において、当該有機感光体を常に安定して所期の帯
電状態に帯電させることができる。そして、このような
帯電装置は、有機感光体の表面層が、架橋構造を有する
シロキサン系樹脂を含有する場合に、特に好ましい。
According to the present invention, in an image forming apparatus provided with an organic photoreceptor, a charging device for charging the organic photoreceptor has a plate-shaped grid, and the plate-shaped grid is formed of a perforated plate-shaped stainless steel. In particular, since the gold-plated layer is formed on a grid substrate made of aluminum, particularly, the gold-plated layer is formed directly on the surface of the grid substrate, so that the plate-shaped grid can be used for a long time. Also, since the gold plating layer does not peel off and has high durability, the charging device operating characteristics of the charging device become stable, and therefore, in the process of forming an electrostatic image on the organic photoconductor, the organic photoconductor is not used. Can always be stably charged to a desired charging state. Such a charging device is particularly preferable when the surface layer of the organic photoreceptor contains a siloxane-based resin having a crosslinked structure.

【0096】また、本発明の画像形成装置は、感光体が
非晶質シリコン系感光体である場合に、帯電装置の板状
グリッドが、グリッド基材の表面に、直接、金メッキ層
が形成されてなるものであることにより、長期間にわた
る使用においても金メッキ層の剥がれが生ずることがな
くて高い耐久性を有し、従って、当該非晶質シリコン系
感光体を常に安定して所期の帯電状態に帯電させること
ができる。
In the image forming apparatus of the present invention, when the photosensitive member is an amorphous silicon-based photosensitive member, the plate-like grid of the charging device is formed by forming a gold plating layer directly on the surface of the grid base material. With this structure, the gold-plated layer does not peel off even when used for a long period of time, and has high durability. Therefore, the amorphous silicon-based photoconductor is always stably charged as intended. It can be charged to a state.

【0097】また、画像形成装置において、感光体の表
面電位を検知する表面電位検知手段を設けてこれよりの
情報に基づき、帯電装置に供給される帯電電流および板
状グリッドに印加されるグリッド電圧を制御することに
より、上記の帯電装置の特長を十分に発揮させることが
できる。
In the image forming apparatus, a surface potential detecting means for detecting the surface potential of the photoreceptor is provided. Based on the information from the surface potential detecting means, a charging current supplied to the charging device and a grid voltage applied to the plate grid are provided. By controlling the above, the features of the above-described charging device can be sufficiently exhibited.

【0098】本発明の帯電装置の製造方法によれば、板
状グリッドの金メッキ層の形成をパルス電流による電解
メッキ法によって行うことにより、通常の直流電流によ
る電解メッキ法による場合に比して、形成される金メッ
キ層が、組織が緻密で硬く、ピンホールの少ないものと
なると共に、層厚が薄くても均一なものとなり、しかも
グリッド基材を形成するステンレス鋼の表面に対して高
い密着性を有するものとなる。
According to the method of manufacturing the charging device of the present invention, the gold plating layer of the plate grid is formed by the electroplating method using a pulse current. The formed gold plating layer has a dense and hard structure with few pinholes, and is uniform even if the layer thickness is thin, and has high adhesion to the stainless steel surface forming the grid base material. It becomes what has.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の画像形成装置に用いられる帯電装置の
構成の一例の概略を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an example of a configuration of a charging device used in an image forming apparatus of the present invention.

【図2】図1の帯電装置の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the charging device of FIG.

【図3】本発明の画像形成装置の構成の主要部の一例を
示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating an example of a main part of the configuration of the image forming apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 板状グリッド 2 帯電ワイヤ 3 バネ 4 支持部材 10 帯電装置 21 感光体 22 帯電装置 23 現像器 24 転写部 25 分離部 27 搬送機構 28 クリーニング部 30 定着装置 31 表面電位検知手段 32 帯電電流用電源 33 グリッド電圧印加用電源 35 制御手段 REFERENCE SIGNS LIST 1 plate grid 2 charging wire 3 spring 4 support member 10 charging device 21 photoreceptor 22 charging device 23 developing device 24 transfer unit 25 separation unit 27 transport mechanism 28 cleaning unit 30 fixing device 31 surface potential detection means 32 charging power supply 33 Power supply for grid voltage application 35 Control means

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 静電荷像が形成される有機感光体と、こ
の有機感光体を帯電させるための帯電装置と、前記有機
感光体上に形成された静電荷像を顕像化してトナー像を
形成する現像器と、このトナー像を転写材に転写させる
転写部と、転写材に転写されたトナー像を定着させる定
着装置とを備えてなる画像形成装置において、 前記帯電装置は、多孔板状のステンレス鋼製のグリッド
基材に金メッキ層を形成してなる板状グリッドを設けて
なることを特徴とする画像形成装置。
An organic photoreceptor on which an electrostatic image is formed, a charging device for charging the organic photoreceptor, and a toner image formed by visualizing the electrostatic image formed on the organic photoreceptor. An image forming apparatus comprising: a developing device for forming; a transfer unit for transferring the toner image to a transfer material; and a fixing device for fixing the toner image transferred to the transfer material. An image forming apparatus comprising: a plate grid formed by forming a gold plating layer on a stainless steel grid base material.
【請求項2】 前記金メッキ層は、多孔板状のステンレ
ス鋼製のグリッド基材の表面に、直接、形成されてなる
ことを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
2. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the gold plating layer is formed directly on a surface of a perforated plate-shaped stainless steel grid base material.
【請求項3】 前記有機感光体の表面層が、架橋構造を
有するシロキサン系樹脂を含有することを特徴とする請
求項1または請求項2に記載の画像形成装置。
3. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the surface layer of the organic photoconductor contains a siloxane-based resin having a crosslinked structure.
【請求項4】 静電荷像が形成される非晶質シリコン系
感光体と、この非晶質シリコン系感光体を帯電させるた
めの帯電装置と、前記非晶質シリコン系感光体上に形成
された静電荷像を顕像化してトナー像を形成する現像器
と、このトナー像を転写材に転写させる転写部と、転写
材に転写されたトナー像を定着させる定着装置とを備え
てなる画像形成装置において、 前記帯電装置は、多孔板状のステンレス鋼製のグリッド
基材の表面に、直接、金メッキ層を形成してなる板状グ
リッドを設けてなることを特徴とする画像形成装置。
4. An amorphous silicon-based photoconductor on which an electrostatic image is formed, a charging device for charging the amorphous silicon-based photoconductor, and a charging device formed on the amorphous silicon-based photoconductor. A developing unit that visualizes the electrostatic charge image to form a toner image, a transfer unit that transfers the toner image to a transfer material, and a fixing device that fixes the toner image transferred to the transfer material. In the image forming apparatus, the charging device is provided with a plate-shaped grid formed by directly forming a gold plating layer on a surface of a perforated plate-shaped stainless steel grid base material.
【請求項5】 前記金メッキ層の厚さが0.3μm以上
であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか
に記載の画像形成装置。
5. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the thickness of the gold plating layer is 0.3 μm or more.
【請求項6】 前記感光体の表面電位を検知する表面電
位検知手段が設けられると共に、この表面電位検知手段
により検知された情報に基づき、帯電装置に供給される
帯電電流および前記板状グリッドに印加されるグリッド
電圧を制御する制御手段が設けられてなることを特徴と
する請求項1〜請求項5のいずれかに記載の画像形成装
置。
6. A surface potential detecting means for detecting a surface potential of the photoreceptor is provided, and based on information detected by the surface potential detecting means, a charging current supplied to a charging device and a charging current supplied to the plate-like grid are determined. The image forming apparatus according to claim 1, further comprising control means for controlling an applied grid voltage.
【請求項7】 画像形成装置に用いられる、板状グリッ
ドを備えてなる帯電装置の製造方法において、 多孔板状のステンレス鋼製のグリッド基材の表面に、パ
ルス電流による電解メッキ法により金メッキ層を形成し
て板状グリッドを製造することを特徴とする画像形成装
置用帯電装置の製造方法。
7. A method for manufacturing a charging device provided with a plate-like grid used in an image forming apparatus, comprising: a gold plating layer on a surface of a perforated plate-like stainless steel grid base material by an electrolytic plating method using a pulse current; A method for manufacturing a charging device for an image forming apparatus, wherein a plate grid is manufactured by forming a sheet.
【請求項8】 形成される金メッキ層の厚さが0.3μ
m以上であることを特徴とする請求項7に記載の画像形
成装置用帯電装置の製造方法。
8. The gold plating layer to be formed has a thickness of 0.3 μm.
The method for manufacturing a charging device for an image forming apparatus according to claim 7, wherein m is at least m.
【請求項9】 板状グリッドを備えてなる帯電装置を有
する画像形成装置において、 帯電装置の板状グリッドは、多孔板状のステンレス鋼製
のグリッド基材に、パルス電流による電解メッキ法によ
り金メッキ層が形成されてなるものであることを特徴と
する画像形成装置。
9. An image forming apparatus having a charging device provided with a plate-like grid, wherein the plate-like grid of the charging device is gold-plated on a perforated plate-like stainless steel grid base material by an electrolytic plating method using a pulse current. An image forming apparatus comprising a layer formed.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005338797A (en) * 2004-04-30 2005-12-08 Fuji Xerox Co Ltd Grid electrode, scorotron charger, and image forming apparatus
US7236715B2 (en) * 2004-08-31 2007-06-26 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Image forming apparatus
US7302211B2 (en) 2004-09-17 2007-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Charging apparatus and image forming apparatus with plated electrode
CN100445886C (en) * 2004-09-17 2008-12-24 夏普株式会社 Charging apparatus and image forming apparatus
JP2009042318A (en) * 2007-08-06 2009-02-26 Sharp Corp Ion generation element, method for manufacturing ion generation element, electrifying device and image forming apparatus
JP2009069308A (en) * 2007-09-11 2009-04-02 Sharp Corp Charging device and image forming device
US7567771B2 (en) 2005-11-25 2009-07-28 Sharp Kabushiki Kaisha Charging apparatus and image forming apparatus
JP2009265192A (en) * 2008-04-22 2009-11-12 Sharp Corp Charging device and image forming apparatus
US7729639B2 (en) 2006-03-20 2010-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Charging apparatus and image forming apparatus
US7764907B2 (en) 2005-11-25 2010-07-27 Sharp Kabushiki Kaisha Charging apparatus and image forming apparatus
US8095031B2 (en) 2008-01-18 2012-01-10 Sharp Kabushiki Kaisha Charging device with vibrating discharge electrode and image forming apparatus
US8131184B2 (en) 2008-01-09 2012-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha Charging device with vibrating grid electrode and image forming apparatus

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005338797A (en) * 2004-04-30 2005-12-08 Fuji Xerox Co Ltd Grid electrode, scorotron charger, and image forming apparatus
JP4595643B2 (en) * 2004-04-30 2010-12-08 富士ゼロックス株式会社 Grid electrode, scorotron charger, and image forming apparatus
US7236715B2 (en) * 2004-08-31 2007-06-26 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Image forming apparatus
US7302211B2 (en) 2004-09-17 2007-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Charging apparatus and image forming apparatus with plated electrode
CN100445886C (en) * 2004-09-17 2008-12-24 夏普株式会社 Charging apparatus and image forming apparatus
US7567771B2 (en) 2005-11-25 2009-07-28 Sharp Kabushiki Kaisha Charging apparatus and image forming apparatus
US7764907B2 (en) 2005-11-25 2010-07-27 Sharp Kabushiki Kaisha Charging apparatus and image forming apparatus
US7729639B2 (en) 2006-03-20 2010-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Charging apparatus and image forming apparatus
JP2009042318A (en) * 2007-08-06 2009-02-26 Sharp Corp Ion generation element, method for manufacturing ion generation element, electrifying device and image forming apparatus
JP4536093B2 (en) * 2007-08-06 2010-09-01 シャープ株式会社 Ion generating element, method of manufacturing ion generating element, charging device, and image forming apparatus
US7801464B2 (en) 2007-08-06 2010-09-21 Sharp Kabushiki Kaisha Ion generating device with a discharge electrode on a dielectric body coated by a protective layer made of metal
JP2009069308A (en) * 2007-09-11 2009-04-02 Sharp Corp Charging device and image forming device
US8131184B2 (en) 2008-01-09 2012-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha Charging device with vibrating grid electrode and image forming apparatus
US8095031B2 (en) 2008-01-18 2012-01-10 Sharp Kabushiki Kaisha Charging device with vibrating discharge electrode and image forming apparatus
JP2009265192A (en) * 2008-04-22 2009-11-12 Sharp Corp Charging device and image forming apparatus
JP4522464B2 (en) * 2008-04-22 2010-08-11 シャープ株式会社 Charging device and image forming apparatus

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