JP2001154153A - Optical element and optical device, and recording and reproducing device - Google Patents

Optical element and optical device, and recording and reproducing device

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JP2001154153A
JP2001154153A JP33791099A JP33791099A JP2001154153A JP 2001154153 A JP2001154153 A JP 2001154153A JP 33791099 A JP33791099 A JP 33791099A JP 33791099 A JP33791099 A JP 33791099A JP 2001154153 A JP2001154153 A JP 2001154153A
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JP
Japan
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semiconductor laser
optical element
optical
light
lens
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JP33791099A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshitaka Takahashi
義孝 高橋
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical element having a beam shaping function constituted so that the performance of anamorphic lens can be prevented from being deteriorated even when a fluctuation of wavelength is generated. SOLUTION: In the optical element constituted of an anamorphic lens 11 having a beam shaping function having different focal distances in a direction vertical to the direction in parallel with the active layer of the semiconductor laser 10 for turning lights from a semiconductor laser 10 into almost parallel lights, the anamorphic lens 11 is integrally constituted of plural materials 12 and 13, and at least the first face and final face (third face) of the anamorphic lens 11 is formed like an aspheric shape. Thus, it is possible to realize an optical element (collimate lens for shaping beams) whose wavefront deterioration is small against wavelength fluctuation by allowing the optical element to have an achromatic action.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクドライ
ブの光ピックアップ光学系や、デジタル複写機、レーザ
ープリンタ、レーザープロッタ、レーザーファクシミリ
等の画像形成装置のレーザー走査光学系等に用いられ、
半導体レーザーからの光を略平行光にする光学素子、及
びその光学素子を備えた光ピックアップ等の光学装置、
及びその光学装置を備えた光ディスクドライブ等の記録
再生装置に関する。
The present invention is used for an optical pickup optical system of an optical disk drive, and a laser scanning optical system of an image forming apparatus such as a digital copying machine, a laser printer, a laser plotter, and a laser facsimile.
An optical element that converts light from a semiconductor laser into substantially parallel light, and an optical device such as an optical pickup including the optical element,
And a recording / reproducing device such as an optical disk drive provided with the optical device.

【0002】[0002]

【従来の技術】光ディスクドライブの光ピックアップ光
学系や、デジタル複写機、レーザープリンタ等の画像形
成装置のレーザー走査光学系等に用いられ、半導体レー
ザーからの光を略平行光にする光学素子として、半導体
レーザーの活性層に平行な方向と垂直な方向で異なる焦
点距離を持つビーム整形機能を持つアナモルフィックレ
ンズ(anamorphic lens(アナモフィックレンズとも言
う))からなる光学素子が知られている。以下、その光
学素子を用いた光学系の一例を図5に示す。
2. Description of the Related Art As an optical element which is used in an optical pickup optical system of an optical disk drive, a laser scanning optical system of an image forming apparatus such as a digital copier, a laser printer, etc., and converts light from a semiconductor laser into substantially parallel light, 2. Description of the Related Art An optical element including an anamorphic lens (also referred to as an anamorphic lens) having a beam shaping function having different focal lengths in a direction parallel to and perpendicular to an active layer of a semiconductor laser is known. Hereinafter, an example of an optical system using the optical element is shown in FIG.

【0003】図5に示す光学系は、光ディスクドライブ
の光ピックアップ光学系の一例を示しており、この光学
系において、半導体レーザー1から出射した光は、カッ
プリングレンズ2により平行ビームになり、ビームスプ
リッタ3を通り、対物レンズ4により集光されて、光デ
ィスク等の記録媒体5上に微小な光スポットを形成す
る。そして、記録媒体5を反射した光は、再び対物レン
ズ4を通り略平行光とされ、ビームスプリッタ3で光路
を曲げられ、信号検出素子(図示せず)に入射する。こ
の信号検出素子の出力から、対物レンズ4のフォーカス
制御信号、トラック制御信号、及び記録媒体5の情報信
号が検出される。半導体レーザー1は発光の分布が非均
等であり、図6に示すように半導体レーザーの接合面
(活性層)に平行な方向(θ//)とこれに垂直な方向
(θ⊥)での強度分布が異なっている。遠視野像の代表
的な値はθ//〜10°、θ⊥〜30°である。このよう
な非等方な光束をカップリングレンズ2で略平行光と
し、そのまま対物レンズ4で集光すると形成される光ス
ポットは楕円になる。図7に示すように、楕円スポット
6の長軸方向が記録媒体のトラック7と直交した状態で
照射されると、複数のトラック7に光が照射されるの
で、隣のトラックからの情報信号の洩れ込み(クロスト
ーク)や隣のトラックへの書き込みなどの不具合を生じ
る。また、図8に示すように、楕円スポット6の長軸方
向が記録媒体のトラック7と平行な状態で照射される
と、データ記録方向の分解能が低下し、良好な再生信号
検出や、情報の書き込みができなくなる。
[0005] The optical system shown in FIG. 5 is an example of an optical pickup optical system of an optical disk drive. In this optical system, light emitted from a semiconductor laser 1 is converted into a parallel beam by a coupling lens 2. The light passes through the splitter 3 and is condensed by the objective lens 4 to form a minute light spot on a recording medium 5 such as an optical disk. The light reflected by the recording medium 5 passes through the objective lens 4 again, is converted into substantially parallel light, the optical path is bent by the beam splitter 3, and is incident on a signal detection element (not shown). From the output of the signal detecting element, a focus control signal of the objective lens 4, a track control signal, and an information signal of the recording medium 5 are detected. The semiconductor laser 1 has a non-uniform emission distribution, and as shown in FIG. 6, the intensity in a direction (θ //) parallel to the bonding surface (active layer) of the semiconductor laser and a direction (θ⊥) perpendicular thereto. The distribution is different. Typical values of the far-field image are θ // − 10 ° and θ⊥−30 °. When such an anisotropic light beam is converted into substantially parallel light by the coupling lens 2 and condensed by the objective lens 4 as it is, the light spot formed becomes an ellipse. As shown in FIG. 7, when the long axis direction of the elliptical spot 6 is irradiated in a state perpendicular to the track 7 of the recording medium, a plurality of tracks 7 are irradiated with light. Problems such as leakage (crosstalk) and writing to an adjacent track occur. Further, as shown in FIG. 8, when the elliptical spot 6 is irradiated in a state where the major axis direction is parallel to the track 7 of the recording medium, the resolution in the data recording direction is reduced, so that a good reproduction signal detection and information Writing becomes impossible.

【0004】そこでビーム整形光学系を用い、対物レン
ズに入射するビームを特定方向に拡大して、略円形な光
スポットを得る方策が試みられている。そしてビーム整
形光学系として、単一のアナモルフィックレンズからな
る光学素子のみでビーム整形光学系を構成し、光学系を
簡略化したものがある。図9は従来のアナモルフィック
レンズ8を用いたビーム整形光学系の一例を示す図であ
って、(a)がビーム整形光学系のYZ断面図、(b)
がビーム整形光学系のXZ断面図である。尚、YZ断面
が半導体レーザーの接合面(活性層)に平行な方向(θ
//)、XZ断面が半導体レーザーの接合面(活性層)に
垂直な方向(θ⊥)であり、符号9はホログラム素子で
ある。このアナモルフィックレンズ8においては、半導
体レーザーの活性層に平行な方向の焦点距離fyと垂直
な方向の焦点距離fxが異なり、fy>fxである。
Therefore, there has been attempted a method of obtaining a substantially circular light spot by expanding a beam incident on an objective lens in a specific direction by using a beam shaping optical system. As a beam shaping optical system, there is one in which a beam shaping optical system is configured with only an optical element including a single anamorphic lens, and the optical system is simplified. 9A and 9B are diagrams showing an example of a beam shaping optical system using a conventional anamorphic lens 8, in which FIG. 9A is a YZ sectional view of the beam shaping optical system, and FIG.
Is an XZ sectional view of the beam shaping optical system. The direction (θ) in which the YZ section is parallel to the bonding surface (active layer) of the semiconductor laser
//), the XZ section is a direction (θ⊥) perpendicular to the bonding surface (active layer) of the semiconductor laser, and reference numeral 9 is a hologram element. In the anamorphic lens 8, the focal length fy in the direction parallel to the active layer of the semiconductor laser is different from the focal length fx in the direction perpendicular to the active layer, and fy> fx.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ここで上記従来のアナ
モルフィックレンズの欠点を以下に記す。レンズを構成
する材料(ガラス、樹脂など)の屈折率は、光の波長に
よって決定される。そして半導体レーザーの波長は、レ
ーザーチップの温度により変化する(周囲温度の変化に
よるレーザーの出力変化等)。よって、半導体レーザー
を光源として、アナモルフィックレンズを使用すると、
アナモルフィックレンズの屈折率変化は避けられない。
アナモルフィックレンズは、半導体レーザーの活性層に
平行な方向の焦点距離fyと垂直な方向の焦点距離fx
が異なるので、屈折率が変化することによりそれぞれの
方向の焦点距離変化ΔfyとΔfxに差を生じ、非点収
差が生じることになる。例えば、アナモルフィックレン
ズを用いて、光ディスクドライブの光ピックアップを構
成した場合、波長変動によってディスク面上の光スポッ
トに非点収差を生じ、良好な信号の再生・記録が行えな
くなる。
The disadvantages of the above-mentioned conventional anamorphic lens are described below. The refractive index of the material (glass, resin, etc.) that forms the lens is determined by the wavelength of light. The wavelength of the semiconductor laser changes depending on the temperature of the laser chip (for example, a change in laser output due to a change in ambient temperature). Therefore, when an anamorphic lens is used with a semiconductor laser as a light source,
Changes in the refractive index of an anamorphic lens are inevitable.
The anamorphic lens has a focal length fy parallel to the active layer of the semiconductor laser and a focal length fx perpendicular to the active layer.
Are different, a change in the refractive index causes a difference between the focal length changes Δfy and Δfx in the respective directions, resulting in astigmatism. For example, when an optical pickup of an optical disk drive is configured using an anamorphic lens, wavelength fluctuation causes astigmatism in a light spot on the disk surface, and good signal reproduction / recording cannot be performed.

【0006】本発明は上記事情に鑑みなされたものであ
り、その第一の目的は、波長変動が生じてもアナモルフ
ィックレンズの性能が低下しない構成とした光学素子を
提供することにある。また、本発明の第二の目的は、再
生・記録の切換え時や、環境温度変化などによる波長変
動に対して、スポット性能の劣化しない光ピックアップ
等の光学装置を提供することにあり、本発明の第三の目
的は、再生・記録の切換え時や、環境温度変化などによ
る波長変動に対して、性能の安定した光ディスクドライ
ブ等の記録再生装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and a first object of the present invention is to provide an optical element having a configuration in which the performance of an anamorphic lens does not deteriorate even if a wavelength variation occurs. A second object of the present invention is to provide an optical device such as an optical pickup in which spot performance is not degraded at the time of switching between reproduction / recording and a change in wavelength due to environmental temperature change. A third object of the present invention is to provide a recording / reproducing apparatus such as an optical disk drive having a stable performance with respect to a wavelength change due to a change in reproduction / recording or an environmental temperature change.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記第一の目的を達成す
るため、請求項1に係る発明は、半導体レーザーからの
光を略平行光にする光学素子であって、前記半導体レー
ザーの活性層に平行な方向と垂直な方向で異なる焦点距
離を持つビーム整形機能を持つアナモルフィックレンズ
からなる光学素子において、前記アナモルフィックレン
ズが複数の材料から構成されていることを特徴とする。
そして請求項2に係る発明では、請求項1記載の光学素
子において、前記アナモルフィックレンズは複数の材料
で一体的に構成され、その第1面と最終面が非球面であ
ることを特徴とする。また請求項3に係る発明では、請
求項2記載の光学素子において、前記アナモルフィック
レンズの接合面が非球面であることを特徴とする。さら
に請求項4に係る発明では、請求項1,2または3記載
の光学素子において、前記アナモルフィックレンズは材
料の異なる2個のレンズで構成され、前記半導体レーザ
ーの活性層に平行な面内での基本の曲率が、該半導体レ
ーザー側から見て順に、負、正、負であり、前記半導体
レーザーの活性層に垂直な面内での基本の曲率が、該半
導体レーザー側から見て順に、正、正、負であることを
特徴とする。さらに請求項5に係る発明では、請求項
1,2,3または4記載の光学素子において、前記アナ
モルフィックレンズの半導体レーザーの光が入射する側
の材料のアッベ数をνd1、半導体レーザーの光が出射す
る側の材料のアッベ数をνd2としたとき、νd1<νd2で
あることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical element for converting light from a semiconductor laser into substantially parallel light, comprising an active layer of the semiconductor laser. An optical element comprising an anamorphic lens having a beam shaping function having different focal lengths in directions parallel to and perpendicular to the anamorphic lens, wherein the anamorphic lens is made of a plurality of materials.
According to a second aspect of the present invention, in the optical element according to the first aspect, the anamorphic lens is integrally formed of a plurality of materials, and a first surface and a final surface thereof are aspherical. I do. According to a third aspect of the present invention, in the optical element according to the second aspect, the cemented surface of the anamorphic lens is an aspherical surface. According to a fourth aspect of the present invention, in the optical element according to the first, second or third aspect, the anamorphic lens includes two lenses made of different materials, and is formed in a plane parallel to an active layer of the semiconductor laser. The basic curvature in the order from the semiconductor laser side, negative, positive, negative, the basic curvature in a plane perpendicular to the active layer of the semiconductor laser, in order from the semiconductor laser side. , Positive, positive, and negative. According to a fifth aspect of the present invention, in the optical element of the first, second, third or fourth aspect, the Abbe number of the material of the anamorphic lens on the side where the semiconductor laser light is incident is νd1, and the light of the semiconductor laser is When the Abbe number of the material on the side from which light exits is νd2, νd1 <νd2.

【0008】上記第二の目的を達成するため、請求項6
に係る発明では、半導体レーザーからの光を光学素子で
略平行光とした後、その光を対物レンズで情報記録媒体
に集光する光学装置において、前記光学素子として、請
求項1〜5の何れか一つに記載された光学素子を備えた
ことを特徴とする。
[0008] In order to achieve the second object, claim 6
In the invention according to the invention, an optical device for converting light from a semiconductor laser into substantially parallel light with an optical element and then condensing the light on an information recording medium with an objective lens, wherein the optical element is any one of claims 1 to 5. An optical element according to any one of the above aspects is provided.

【0009】上記第三の目的を達成するため、請求項7
に係る発明では、半導体レーザーからの光を光学素子で
略平行光とした後、その光を対物レンズで情報記録媒体
に集光する光学装置を備え、前記情報記録媒体の記録、
再生あるいは消去を行う記録再生装置において、前記光
学装置として、請求項6記載の光学装置を備えたことを
特徴とする。
[0009] In order to achieve the third object, a seventh aspect is provided.
In the invention according to the invention, after the light from the semiconductor laser is converted into substantially parallel light by an optical element, the optical device includes an optical device that focuses the light on an information recording medium with an objective lens, recording of the information recording medium,
In a recording / reproducing apparatus for reproducing or erasing, an optical device according to claim 6 is provided as the optical device.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図示の
実施例に基づいて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the illustrated embodiments.

【0011】(実施例1)まず、本発明の第1の実施例
(請求項1,2,4,5の実施例)について説明する。
図1は本発明のアナモルフィックレンズ11を用いたビ
ーム整形光学系の一実施例を示す図であって、(a)が
ビーム整形光学系の半導体レーザーチップの接合面(活
性層)に平行な断面図(YZ断面)、(b)がビーム整
形光学系の半導体レーザーチップの接合面(活性層)に
直交した断面図(XZ断面)である。また、符号9はホ
ログラム素子である。半導体レーザー10(出射点のみ
図示している)から出射した光は、ホログラム素子9を
透過し、アナモルフィックレンズ11を通り平行光とさ
れる。本実施例ではアナモルフィックレンズ11は、2
種類の材料12,13により一体的に構成されており、
その第1面と第3面(最終面)が非球面となっている
(請求項1,2)。ここで、図9に示す従来の1種類の
材料からなるアナモルフィックレンズ8と、図1に示す
本実施例の2種類の材料12,13から構成されるアナ
モルフィックレンズ11の波長変動に対する波面収差の
値を図2に示す。図2の1枚玉が従来のアナモルフィッ
クレンズ、2枚玉Aが本実施例のアナモルフィックレン
ズである。図2から明らかなように、複数の材料でアナ
モルフィックレンズを構成することにより、色消し作用
を持たせることができ、波長変動による波面劣化を抑え
ることができる。
(Embodiment 1) First, a first embodiment (embodiments of claims 1, 2, 4, and 5) of the present invention will be described.
FIG. 1 is a view showing one embodiment of a beam shaping optical system using an anamorphic lens 11 of the present invention, wherein (a) is parallel to a bonding surface (active layer) of a semiconductor laser chip of the beam shaping optical system. (B) is a cross-sectional view (XZ cross-section) orthogonal to the bonding surface (active layer) of the semiconductor laser chip of the beam shaping optical system. Reference numeral 9 denotes a hologram element. Light emitted from the semiconductor laser 10 (only the emission point is shown) passes through the hologram element 9 and passes through the anamorphic lens 11 to become parallel light. In this embodiment, the anamorphic lens 11 is 2
It is constituted integrally by the kinds of materials 12 and 13,
The first surface and the third surface (final surface) are aspherical. Here, the wavelength variation of the conventional anamorphic lens 8 made of one kind of material shown in FIG. 9 and the anamorphic lens 11 made of two kinds of materials 12 and 13 of this embodiment shown in FIG. FIG. 2 shows the values of the wavefront aberration. 2 is a conventional anamorphic lens, and the two-piece ball A is an anamorphic lens of the present embodiment. As is clear from FIG. 2, by forming the anamorphic lens with a plurality of materials, it is possible to have an achromatizing effect, and it is possible to suppress wavefront deterioration due to wavelength fluctuation.

【0012】ここで、上記アナモルフィックレンズ11
の面形状は次式で表される。 Z=[{(1/RX)・x2+(1/RY)y2} /{1+√{1-(1+KX)・(1/RX)2・x2-(1+KY)・(1/RY)2・y2}}] +AR{(1-AP)x2+(1+AP)y2}2+BR{(1-BP)x2+(1+BP)y2}3 +CR{(1-CP)x2+(1+CP)y2}4+DR{(1-DP)x2+(1+DP)y2}5 ・・(1) Z:Z軸に対して平行な面のサグ. RX,RY:x方向とy方向の曲率半径. KX,KY:x方向とy方向の円錐係数. AR,BR,CR,DR:円錐から4次、6次、8次、10次の
変形した回転対称部を表す. AP,BP,CP,DP:円錐から4次、6次、8次、10次の
変形した非回転対称部を表す.
Here, the anamorphic lens 11
Is represented by the following equation. Z = [{(1 / RX ) · x 2 + (1 / RY) y 2} / {1 + √ {1- (1 + KX) · (1 / RX) 2 · x 2 - (1 + KY)・ (1 / RY) 2・ y 2 }}] + AR {(1-AP) x 2 + (1 + AP) y 2 } 2 + BR {(1-BP) x 2 + (1 + BP) y 2 } 3 + CR {(1-CP) x 2 + (1 + CP) y 2 } 4 + DR {(1-DP) x 2 + (1 + DP) y 2 } 5 ... (1) Z: Z axis Sag on parallel surfaces. RX, RY: Curvature radius in x and y directions. KX, KY: Conical coefficients in the x and y directions. AR, BR, CR, DR: Represents deformed rotationally symmetric parts of order 4, 6, 8, and 10 from a cone. AP, BP, CP, DP: Represents deformed non-rotationally symmetric parts of order 4, 6, 8, 10 from the cone.

【0013】また、下記の表1に従来の1枚玉のアナモ
ルフィックレンズ8の具体的なレンズデータの一例を示
し、表2に本実施例の2枚玉Aのアナモルフィックレン
ズ11の具体的なレンズデータの一例を示す。尚、図1
(本実施例)、図9(従来例)の光学系において、アナ
モルフィックレンズ11の前段に配置されるホログラム
素子9は、 厚み:5.37(mm)、硝種:BK7 である。そして、図9の従来の1枚玉アナモルフィック
レンズ8においては、 硝種:BACD5、肉厚:10.680169(mm) である。また、図1の本実施例の2枚玉Aアナモルフィ
ックレンズ11において、材料12は、 硝種1:LAFL2(アッベ数:48.5)、肉厚D1:5.
843753(mm) であり、材料13は、 硝種2:BACD12(アッベ数:59.5)、肉厚D2:
6.189598(mm) である。また、以下の表1、表2において数値の後の
「E」は「×10のべき乗」を表しており、例えば「E
-04」は、「×10-04」である。
Table 1 below shows an example of specific lens data of the conventional single-lens anamorphic lens 8. Table 2 shows the data of the two-lens A anamorphic lens 11 of the present embodiment. An example of specific lens data is shown. FIG.
9 (conventional example), in the optical system of FIG. 9 (conventional example), the hologram element 9 disposed before the anamorphic lens 11 has a thickness of 5.37 (mm) and a glass type of BK7. In the conventional single-lens anamorphic lens 8 shown in FIG. 9, the glass type is BACD5 and the wall thickness is 10.680169 (mm). Further, in the two-lens A anamorphic lens 11 of the present embodiment of FIG. 1, the material 12 is glass type 1: LAFL2 (Abbe number: 48.5) and thickness D1: 5.
843753 (mm), and the material 13 is glass type 2: BACD12 (Abbe number: 59.5), wall thickness D2:
6.189598 (mm). In Tables 1 and 2 below, “E” after the numerical value indicates “power of × 10”.
-04 "is" x10 -04 ".

【0014】[0014]

【表1】 [Table 1]

【0015】[0015]

【表2】 [Table 2]

【0016】上記のレンズ構成材料、レンズ面形状(式
(1))及びレンズデータ(表2)より明らかなよう
に、本実施例のアナモルフィックレンズ11は、材料の
異なる2個のレンズ12,13で構成され、半導体レー
ザー10の活性層に平行な面内(YZ断面内)での基本
の曲率(表2では曲率の逆数の曲率半径RY)が、半導体
レーザー10側から見て第1面、第2面、第3面の順
に、負、正、負であり、半導体レーザー10の活性層に
垂直な面内(XZ断面内)での基本の曲率(表2では曲
率の逆数の曲率半径RX)が、半導体レーザー10側から
見て第1面、第2面、第3面の順に、正、正、負である
(請求項4)。また、本実施例のアナモルフィックレン
ズ11では、半導体レーザー10の光が入射する側の材
料12のアッベ数νd1はνd1=48.5であり、半導体レー
ザー10の光が出射する側の材料13のアッベ数νd2は
νd2=59.5であるから、νd1<νd2である(請求項
5)。
As is clear from the above-mentioned lens constituent material, lens surface shape (Equation (1)) and lens data (Table 2), the anamorphic lens 11 of this embodiment has two lenses 12 of different materials. , 13 and the basic curvature (the radius of curvature RY of the reciprocal of the curvature in Table 2) in a plane parallel to the active layer of the semiconductor laser 10 (in the YZ section) is the first curvature when viewed from the semiconductor laser 10 side. In the order of the surface, the second surface, and the third surface, negative, positive, and negative are the basic curvatures in the plane perpendicular to the active layer of the semiconductor laser 10 (in the XZ cross section) (in Table 2, the curvature is the inverse of the curvature). The radius RX) is positive, positive, and negative in the order of the first surface, the second surface, and the third surface when viewed from the semiconductor laser 10 side (claim 4). In the anamorphic lens 11 of the present embodiment, the Abbe number νd1 of the material 12 on the light incident side of the semiconductor laser 10 is νd1 = 48.5, and the Abbe number of the material 13 on the light emitting side of the semiconductor laser 10 is νd1 = 48.5. Since the number νd2 is νd2 = 59.5, νd1 <νd2 (claim 5).

【0017】(実施例2)次に本発明の第2の実施例
(請求項3,4,5の実施例)について説明する。本実
施例においてもアナモルフィックレンズ11を用いたビ
ーム整形光学系の構成は図1と同様であるが、本実施例
では、アナモルフィックレンズ11を2種類の材料1
2,13で一体的に構成し、その接合面(第2面)を非
球面とした(請求項3)。図3に本実施例の接合面(第
2面)が非球面のもの(2枚玉B)と、実施例1の接合
面(第2面)が球面のもの(2枚玉A)の波長変動に対
する波面収差を示す。一般に半導体レーザーは、発光に
よりそのチップ温度が上昇し、波長は長波長側にずれ
る。従って、アナモルフィックレンズを2種類の材料1
2,13で一体的に構成したときの接合面(第2面)を
非球面とした方が、長波長側での波面劣化をより抑える
ことができる。
(Embodiment 2) Next, a second embodiment of the present invention (an embodiment of claims 3, 4 and 5) will be described. In this embodiment, the configuration of the beam shaping optical system using the anamorphic lens 11 is the same as that shown in FIG.
2 and 13 are integrally formed, and the joint surface (second surface) is aspherical. FIG. 3 shows the wavelengths of the bonding surface (second surface B) of the present embodiment having an aspherical surface (two-piece ball B) and the wavelength of the bonding surface (second surface A) of Example 1 having a spherical bonding surface (second surface). 9 shows a wavefront aberration with respect to fluctuation. Generally, a semiconductor laser has a chip temperature that rises due to light emission, and the wavelength shifts to a longer wavelength side. Therefore, the anamorphic lens is made of two materials 1
When the joint surface (second surface) when integrally formed by the components 2 and 13 is made aspherical, the wavefront deterioration on the long wavelength side can be further suppressed.

【0018】ここで、本実施例のアナモルフィックレン
ズの面形状も式(1)で表されるので、表3に本実施例
の2枚玉Bのアナモルフィックレンズの具体的なレンズ
データの一例を示す。尚、アナモルフィックレンズ11
の前段に配置されるホログラム素子9は、 厚み:5.37(mm)、硝種:BK7 である。本実施例の2枚玉Bアナモルフィックレンズ1
1においても、材料12は、 硝種1:LAFL2(アッベ数:48.5)、肉厚D1:5.
843753(mm) であり、材料13は、 硝種2:BACD12(アッベ数:59.5)、肉厚D2:
6.189598(mm) である。すなわち、面形状のレンズデータ以外は実施例
1と同様の構成である。
Here, since the surface shape of the anamorphic lens of the present embodiment is also represented by the equation (1), Table 3 shows specific lens data of the anamorphic lens of the two-piece ball B of the present embodiment. An example is shown below. The anamorphic lens 11
The hologram element 9 disposed in the preceding stage is 5.37 (mm) in thickness and BK7 in glass type. Two-ball B anamorphic lens 1 of the present embodiment
In the case of No. 1, the material 12 is glass type 1: LAFL2 (Abbe number: 48.5) and thickness D1: 5.
843753 (mm), and the material 13 is glass type 2: BACD12 (Abbe number: 59.5), wall thickness D2:
6.189598 (mm). That is, the configuration is the same as that of the first embodiment except for the lens data of the surface shape.

【0019】[0019]

【表3】 [Table 3]

【0020】上記のレンズ構成材料、レンズ面形状(式
(1))及びレンズデータ(表3)より明らかなよう
に、本実施例のアナモルフィックレンズ11は、材料の
異なる2個のレンズ12,13で構成され、第1面、第
2面、第3面とも非球面であり、半導体レーザー10の
活性層に平行な面内(YZ断面内)での基本の曲率(表
3では曲率の逆数の曲率半径RY)が、半導体レーザー1
0側から見て第1面、第2面、第3面の順に、負、正、
負であり、半導体レーザー10の活性層に垂直な面内
(XZ断面内)での基本の曲率(表3では曲率の逆数の
曲率半径RX)が、半導体レーザー10側から見て第1
面、第2面、第3面の順に、正、正、負である(請求項
4)。また、本実施例のアナモルフィックレンズにおい
ても、半導体レーザー10の光が入射する側の材料12
のアッベ数νd1はνd1=48.5であり、半導体レーザー1
0の光が出射する側の材料13のアッベ数νd2はνd2=
59.5であるから、 νd1<νd2 である(請求項5)。
As is clear from the above-mentioned lens constituent material, lens surface shape (Equation (1)) and lens data (Table 3), the anamorphic lens 11 of this embodiment has two lenses 12 of different materials. , 13, the first surface, the second surface, and the third surface are aspherical surfaces, and the basic curvature (in the YZ cross section) in a plane parallel to the active layer of the semiconductor laser 10 (in the YZ section). The reciprocal radius of curvature RY) is the semiconductor laser 1
When viewed from the 0 side, the first surface, the second surface, the third surface in the order of negative, positive,
The basic curvature (the radius of curvature RX which is the reciprocal of the curvature in Table 3) in a plane perpendicular to the active layer of the semiconductor laser 10 (in the XZ section) is the first curvature when viewed from the semiconductor laser 10 side.
The order of the surface, the second surface, and the third surface is positive, positive, and negative (claim 4). Also, in the anamorphic lens of the present embodiment, the material 12 on the light incident side of the semiconductor laser 10 is also used.
Number νd1 is νd1 = 48.5, and the semiconductor laser 1
The Abbe number νd2 of the material 13 on the side where the light of 0 is emitted is νd2 =
Since 59.5, νd1 <νd2 (claim 5).

【0021】(実施例3)次に、本発明のアナモルフィ
ックレンズを記録再生装置の一つである光ディスクドラ
イブの光学装置(光ピックアップ)に搭載した例を図4
に示す。図4において、(a)は半導体レーザーの接合
面(活性層)に平行な方向(θ//)の光ピックアップの
断面図、(b)は半導体レーザーの接合面(活性層)に
垂直な方向(θ⊥)の光ピックアップの断面図である。
この光ピックアップは、半導体レーザー101、ホログ
ラム素子102、ビーム整形機能を持つアナモルフィッ
クレンズ103、偏向プリズム104、対物レンズ10
5、信号検出用受光素子107を備えており、これらの
構成部材は光学系ハウジング108に搭載されている。
そして、この光学系ハウジング108はシークレール1
09上に移動可能に支持されており、図示しない駆動機
構により光学系ハウジング108がシークレール109
に沿って移動され、光学系全体が光記録媒体106のデ
ータ記録方向(トラック方向(周方向))に直交した方
向に移動されるように構成されている。また、図示して
いないが、対物レンズ105はトラッキング及びフォー
カシング用のアクチュエータに支持されており、該アク
チュエータにより光軸方向及び、光軸と光記録媒体10
6のトラックに対して直交する方向に移動されてトラッ
キング及びフォーカシング制御が行われるように構成さ
れている。また、図4において、ホログラム素子102
とアナモルフィックレンズ103は、図1に示したビー
ム整形光学系と同様の構成であり、アナモルフィックレ
ンズ103の構成は前述の実施例1または実施例2の構
成となっている。
(Embodiment 3) Next, FIG. 4 shows an example in which the anamorphic lens of the present invention is mounted on an optical device (optical pickup) of an optical disk drive which is one of recording and reproducing devices.
Shown in 4A is a cross-sectional view of the optical pickup in a direction (θ //) parallel to the bonding surface (active layer) of the semiconductor laser, and FIG. 4B is a direction perpendicular to the bonding surface (active layer) of the semiconductor laser. FIG. 4 is a cross-sectional view of the optical pickup at (θ⊥).
This optical pickup includes a semiconductor laser 101, a hologram element 102, an anamorphic lens 103 having a beam shaping function, a deflecting prism 104, an objective lens 10
5. A light receiving element 107 for signal detection is provided, and these components are mounted on an optical system housing 108.
The optical system housing 108 is connected to the seek rail 1.
The optical system housing 108 is moved by a drive mechanism (not shown).
, And the entire optical system is configured to be moved in a direction perpendicular to the data recording direction (track direction (circumferential direction)) of the optical recording medium 106. Although not shown, the objective lens 105 is supported by an actuator for tracking and focusing, and the direction of the optical axis and the optical axis and the optical recording medium 10 are controlled by the actuator.
The track 6 is moved in a direction perpendicular to the track 6 to perform tracking and focusing control. In FIG. 4, the hologram element 102
The anamorphic lens 103 has the same configuration as the beam shaping optical system shown in FIG. 1, and the configuration of the anamorphic lens 103 is the configuration of the first or second embodiment.

【0022】図4に示す構成の光ピックアップにおいて
は、半導体レーザー101から出射した光はホログラム
素子102を透過しアナモルフィックレンズ103でビ
ーム整形をされると共に略平行光とされ、偏向プリズム
104で反射され、対物レンズ105により、光記録媒
体106の記録面上に微小な光スポットとして集光され
る。そして、光記録媒体106を反射した光は、対物レ
ンズ105で再び平行光とされ、アナモルフィックレン
ズ103で収束光とされ、ホログラム素子102で回折
され、信号検出用受光素子107に入射する。そして、
信号検出用受光素子107の出力信号から、情報信号、
サーボ信号(フォーカス制御信号、トラック制御信号)
を検出する。サーボ信号(フォーカス制御信号、トラッ
ク制御信号)は図示しない制御系を介して前述のトラッ
キング及びフォーカシング用のアクチュエータにフィー
ドバックされ、対物レンズ105のトラッキング制御及
びフォーカシング制御が行われる。
In the optical pickup having the structure shown in FIG. 4, the light emitted from the semiconductor laser 101 passes through the hologram element 102, is shaped by the anamorphic lens 103, and is converted into substantially parallel light. The light is reflected and condensed by the objective lens 105 as a minute light spot on the recording surface of the optical recording medium 106. Then, the light reflected by the optical recording medium 106 is converted into parallel light again by the objective lens 105, converted into convergent light by the anamorphic lens 103, diffracted by the hologram element 102, and incident on the light receiving element 107 for signal detection. And
From the output signal of the signal detection light receiving element 107, an information signal,
Servo signal (focus control signal, track control signal)
Is detected. The servo signal (focus control signal, track control signal) is fed back to the above-described actuator for tracking and focusing via a control system (not shown), and tracking control and focusing control of the objective lens 105 are performed.

【0023】本実施例の光ピックアップにおいては、ビ
ーム整形用のコリメートレンズとして、実施例1または
実施例2に示した複数の材料で構成されたアナモルフィ
ックレンズを用いたことにより、色消し作用を持たせる
ことができ、波長変動による波面劣化を抑えることがで
きるので、スポット性能の劣化を防止することができ
る。従って、本実施例によれば、再生・記録の切換え時
や、環境温度変化などによる波長変動に対して性能の安
定した光ディスクドライブが実現できる。
In the optical pickup of this embodiment, the anamorphic lens composed of a plurality of materials shown in the first or second embodiment is used as a collimating lens for beam shaping, so that an achromatic effect is obtained. And the wavefront deterioration due to the wavelength fluctuation can be suppressed, so that the deterioration of the spot performance can be prevented. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to realize an optical disk drive with stable performance against wavelength fluctuation due to switching between reproduction and recording or a change in environmental temperature.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1〜5に係
る発明においては、半導体レーザーからの光を略平行光
にする光学素子であって、前記半導体レーザーの活性層
に平行な方向と垂直な方向で異なる焦点距離を持つビー
ム整形機能を持つアナモルフィックレンズからなる光学
素子において、前記アナモルフィックレンズを複数の材
料で一体的に構成し、そのアナモルフィックレンズの少
なくとも第1面と最終面を非球面形状とし、ビーム整形
機能に加えて色消し作用を持たせたので、波長変動(再
生・記録の切換え時や、環境温度変化など)に対して波
面劣化が小さい光学素子(ビーム整形用コリメートレン
ズ)を実現することができる。
As described above, according to the first to fifth aspects of the present invention, there is provided an optical element for converting light from a semiconductor laser into substantially parallel light, wherein the optical element has a direction parallel to an active layer of the semiconductor laser. An optical element comprising an anamorphic lens having a beam shaping function having different focal lengths in vertical directions, wherein the anamorphic lens is integrally formed of a plurality of materials, and at least a first surface of the anamorphic lens is provided. The final surface has an aspherical shape and has an achromatizing effect in addition to the beam shaping function. Therefore, an optical element that minimizes wavefront degradation due to wavelength fluctuations (such as when switching between reproduction and recording and changes in environmental temperature) (A beam shaping collimating lens) can be realized.

【0025】また、請求項6に係る発明では、半導体レ
ーザーからの光を光学素子で略平行光とした後、その光
を対物レンズで情報記録媒体に集光する光学装置におい
て、光学素子として、請求項1〜5の何れか一つに記載
されたビーム整形機能に加えて色消し作用を持つ光学素
子(ビーム整形用コリメートレンズ)を使用することに
より、波長変動(再生・記録の切換え時や、環境温度変
化など)に対して波面劣化が小さく、スポット性能の劣
化しない光ピックアップ等の光学装置を実現することが
できる。
Further, in the invention according to claim 6, in an optical device for converting light from a semiconductor laser into substantially parallel light with an optical element and condensing the light on an information recording medium with an objective lens, By using an optical element (a beam shaping collimating lens) having an achromatic effect in addition to the beam shaping function according to any one of claims 1 to 5, wavelength fluctuation (when switching between reproduction and recording, , An optical device such as an optical pickup which has a small wavefront deterioration with respect to environmental temperature change and does not deteriorate the spot performance.

【0026】さらにまた、請求項7に係る発明では、半
導体レーザーからの光を光学素子で略平行光とした後、
その光を対物レンズで情報記録媒体に集光する光学装置
を備え、前記情報記録媒体の記録、再生あるいは消去を
行う記録再生装置において、光学装置として、請求項6
記載のビーム整形機能に加えて色消し作用を持つ光学素
子(ビーム整形用コリメートレンズ)を使用した光学装
置を搭載することにより、波長変動(再生・記録の切換
え時や、環境温度変化など)に対してスポット性能の劣
化しない、性能の安定した光ディスクドライブ等の記録
再生装置を実現することができる。
Further, in the invention according to claim 7, after the light from the semiconductor laser is converted into substantially parallel light by an optical element,
7. A recording and reproducing device for recording, reproducing or erasing the information recording medium, comprising an optical device for condensing the light on an information recording medium with an objective lens, wherein the optical device is an optical device.
Equipped with an optical device that uses an optical element (collimating lens for beam shaping) that has an achromatizing effect in addition to the beam shaping function described, it can be used for wavelength fluctuations (such as when switching between reproduction and recording, and changes in environmental temperature). On the other hand, it is possible to realize a recording / reproducing apparatus such as an optical disk drive having stable performance without deteriorating the spot performance.

【0027】尚、請求項1〜5に記載の光学素子は、記
録再生装置(光ディスクドライブ等)の光学装置(光ピ
ックアップ等)の他、デジタル複写機、レーザープリン
タ、レーザープロッタ、レーザーファクシミリ等の画像
形成装置の書き込み用レーザー走査光学系にも用いるこ
とができ、レーザー走査光学系において、半導体レーザ
ーからの光を略平行光にするビーム整形用コリメートレ
ンズとして用いた場合には、像担持体上を走査する光ス
ポットの波長変動による劣化を抑えることができ、スポ
ット性能の安定した画像書き込みを行うことができる。
The optical element according to any one of claims 1 to 5 can be used in a digital copying machine, a laser printer, a laser plotter, a laser facsimile, or the like, in addition to an optical device (optical pickup or the like) of a recording / reproducing device (optical disk drive or the like). It can also be used in a laser scanning optical system for writing of an image forming apparatus, and when used as a collimating lens for beam shaping in a laser scanning optical system to convert light from a semiconductor laser into substantially parallel light, it can be used on an image carrier. Can be suppressed from deteriorating due to wavelength fluctuation of the light spot for scanning, and image writing with stable spot performance can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のアナモルフィックレンズを用いたビー
ム整形光学系の一実施例を示す図であって、(a)はビ
ーム整形光学系の半導体レーザーチップの接合面(活性
層)に平行な断面図(YZ断面図)、(b)はビーム整
形光学系の半導体レーザーチップの接合面(活性層)に
直交した断面図(XZ断面図)である。
FIG. 1 is a view showing one embodiment of a beam shaping optical system using an anamorphic lens according to the present invention, wherein (a) is parallel to a bonding surface (active layer) of a semiconductor laser chip of the beam shaping optical system. (B) is a cross-sectional view (XZ cross-sectional view) orthogonal to the bonding surface (active layer) of the semiconductor laser chip of the beam shaping optical system.

【図2】本発明の実施例1のアナモルフィックレンズ
(2枚玉A)と、従来のアナモルフィックレンズ(1枚
玉)の波長変動に対する波面収差の値を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating values of wavefront aberration with respect to wavelength fluctuation of the anamorphic lens (two-piece ball A) according to the first embodiment of the present invention and the conventional anamorphic lens (single-piece ball).

【図3】本発明の実施例1のアナモルフィックレンズ
(2枚玉A)と、実施例2のアナモルフィックレンズ
(2枚玉B)の波長変動に対する波面収差の値を示す図
である。
FIG. 3 is a diagram illustrating values of wavefront aberration with respect to wavelength fluctuation of the anamorphic lens (two-piece ball A) of the first embodiment of the present invention and the anamorphic lens (two-piece ball B) of the second embodiment. .

【図4】本発明の一実施例を示す記録再生装置の光学装
置(光ピックアップ)の構成説明図であり、(a)は半
導体レーザーの接合面(活性層)に平行な方向の光ピッ
クアップの断面図、(b)は半導体レーザーの接合面
(活性層)に垂直な方向の光ピックアップの断面図であ
る。
FIGS. 4A and 4B are explanatory diagrams of the configuration of an optical device (optical pickup) of a recording / reproducing apparatus showing one embodiment of the present invention. FIG. 4A shows an optical pickup in a direction parallel to a bonding surface (active layer) of a semiconductor laser. FIG. 2B is a cross-sectional view of the optical pickup in a direction perpendicular to the bonding surface (active layer) of the semiconductor laser.

【図5】従来の光ディスクドライブの光ピックアップ光
学系の一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of an optical pickup optical system of a conventional optical disk drive.

【図6】半導体レーザーの発光分布(出射角と強度の関
係)を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a light emission distribution (a relationship between an emission angle and an intensity) of a semiconductor laser.

【図7】記録媒体上に集光された楕円スポットの長軸方
向がトラックと直交した状態を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a state in which the major axis direction of an elliptical spot focused on a recording medium is orthogonal to a track.

【図8】記録媒体上に集光された楕円スポットの長軸方
向がトラックと平行な状態を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a state in which the major axis direction of an elliptical spot focused on a recording medium is parallel to a track.

【図9】従来のアナモルフィックレンズを用いたビーム
整形光学系の一例を示す図であって、(a)はビーム整
形光学系の半導体レーザーチップの接合面(活性層)に
平行な断面図(YZ断面図)、(b)はビーム整形光学
系の半導体レーザーチップの接合面(活性層)に直交し
た断面図(XZ断面図)である。
FIG. 9 is a diagram showing an example of a conventional beam shaping optical system using an anamorphic lens, wherein (a) is a cross-sectional view parallel to a bonding surface (active layer) of a semiconductor laser chip of the beam shaping optical system. (YZ sectional view), (b) is a sectional view (XZ sectional view) orthogonal to the bonding surface (active layer) of the semiconductor laser chip of the beam shaping optical system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

9,102:ホログラム素子 10,101:半導体レーザー(出射点) 11,103:アナモルフィックレンズ(ビーム整形機
能を持つ光学素子) 12,13:アナモルフィックレンズの構成材料 104:偏向プリズム 105:対物レンズ 106:光記録媒体 107:信号検出用受光素子 108:光学系ハウジング 109:シークレール
9, 102: hologram element 10, 101: semiconductor laser (emission point) 11, 103: anamorphic lens (optical element having beam shaping function) 12, 13: constituent material of anamorphic lens 104: deflection prism 105: Objective lens 106: Optical recording medium 107: Light receiving element for signal detection 108: Optical system housing 109: Seek rail

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H087 KA13 LA25 LA26 LA28 NA14 PA01 PA17 PA18 PB01 PB02 QA02 QA03 QA07 QA14 QA15 QA19 QA21 QA22 QA31 QA34 QA37 QA41 QA42 RA05 RA08 RA12 RA13 RA45 5D119 AA11 AA50 BA01 DA01 DA05 EB03 EB09 EC03 FA05 JA06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H087 KA13 LA25 LA26 LA28 NA14 PA01 PA17 PA18 PB01 PB02 QA02 QA03 QA07 QA14 QA15 QA19 QA21 QA22 QA31 QA34 QA37 QA41 QA42 RA05 RA08 RA12 RA13 RA45 5D119 A0111A50 FA05 JA06

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体レーザーからの光を略平行光にする
光学素子であって、前記半導体レーザーの活性層に平行
な方向と垂直な方向で異なる焦点距離を持つビーム整形
機能を持つアナモルフィックレンズからなる光学素子に
おいて、 前記アナモルフィックレンズが複数の材料から構成され
ていることを特徴とする光学素子。
An optical element for converting light from a semiconductor laser into substantially parallel light, said anamorphic having a beam shaping function having a different focal length in a direction perpendicular to a direction parallel to an active layer of said semiconductor laser. An optical element comprising a lens, wherein the anamorphic lens is composed of a plurality of materials.
【請求項2】請求項1記載の光学素子において、前記ア
ナモルフィックレンズは複数の材料で一体的に構成さ
れ、その第1面と最終面が非球面であることを特徴とす
る光学素子。
2. The optical element according to claim 1, wherein said anamorphic lens is integrally formed of a plurality of materials, and a first surface and a final surface thereof are aspherical.
【請求項3】請求項2記載の光学素子において、前記ア
ナモルフィックレンズの接合面が非球面であることを特
徴とする光学素子。
3. The optical element according to claim 2, wherein a cemented surface of said anamorphic lens is an aspherical surface.
【請求項4】請求項1,2または3記載の光学素子にお
いて、前記アナモルフィックレンズは材料の異なる2個
のレンズで構成され、前記半導体レーザーの活性層に平
行な面内での基本の曲率が、該半導体レーザー側から見
て順に、負、正、負であり、前記半導体レーザーの活性
層に垂直な面内での基本の曲率が、該半導体レーザー側
から見て順に、正、正、負であることを特徴とする光学
素子。
4. An optical element according to claim 1, wherein said anamorphic lens is composed of two lenses made of different materials, and is formed in a plane parallel to an active layer of said semiconductor laser. The curvature is negative, positive, negative in the order from the semiconductor laser side, and the basic curvature in a plane perpendicular to the active layer of the semiconductor laser is positive, positive, in the order from the semiconductor laser side. An optical element characterized by being negative.
【請求項5】請求項1,2,3または4記載の光学素子
において、前記アナモルフィックレンズの半導体レーザ
ーの光が入射する側の材料のアッベ数をνd1、半導体レ
ーザーの光が出射する側の材料のアッベ数をνd2とした
とき、νd1<νd2であることを特徴とする光学素子。
5. An optical element according to claim 1, wherein the Abbe number of the material of the anamorphic lens on the side where the semiconductor laser light enters is νd1, and the side where the semiconductor laser light exits. An optical element characterized in that, when the Abbe number of the material is νd2, νd1 <νd2.
【請求項6】半導体レーザーからの光を光学素子で略平
行光とした後、その光を対物レンズで情報記録媒体に集
光する光学装置において、 前記光学素子として、請求項1〜5の何れか一つに記載
された光学素子を備えたことを特徴とする光学装置。
6. An optical device for converting light from a semiconductor laser into substantially parallel light with an optical element and then condensing the light on an information recording medium with an objective lens. An optical device comprising the optical element described in any one of the above.
【請求項7】半導体レーザーからの光を光学素子で略平
行光とした後、その光を対物レンズで情報記録媒体に集
光する光学装置を備え、前記情報記録媒体の記録、再生
あるいは消去を行う記録再生装置において、 前記光学装置として、請求項6記載の光学装置を備えた
ことを特徴とする記録再生装置。
7. An optical device for converting light from a semiconductor laser into substantially parallel light with an optical element and condensing the light on an information recording medium with an objective lens, wherein recording, reproduction or erasing of the information recording medium is performed. A recording / reproducing apparatus, comprising: the optical apparatus according to claim 6 as the optical apparatus.
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