JP2001147518A - Pellicle - Google Patents

Pellicle

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JP2001147518A
JP2001147518A JP33003999A JP33003999A JP2001147518A JP 2001147518 A JP2001147518 A JP 2001147518A JP 33003999 A JP33003999 A JP 33003999A JP 33003999 A JP33003999 A JP 33003999A JP 2001147518 A JP2001147518 A JP 2001147518A
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foreign matter
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    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the crystallization of a phenol derivative contained in an organic material used in a pellicle on a mask. SOLUTION: The amount of a phenol derivative contained in an organic material exposed to the inner face of a mask structure obtained by attaching a pellicle to a photomask and having >=0.1% weight decrease by heating by a heat weight measuring method when heating is carried out at 50 deg.C for 4 hr is adjusted to 0.1-15 μg.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ならびに液
晶製造のリソグラフィー工程で使用されるフォトマスク
やレティクルに異物が付着することを防止するために用
いられるペリクルに使用される材料に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a material used for a pellicle used to prevent foreign matter from adhering to a photomask or a reticle used in a lithography process of manufacturing a semiconductor and a liquid crystal.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体や液晶製造の微細回路パタ
ーン形成に於いては、フォトマスクやレティクル(以下
「マスク8」と略す)と呼ばれる回路原図により光学的
に基板に複写するフォトリソグラフィー技術を利用した
ステッパー等の製造装置により行われている。このマス
クへの異物付着は回路複写(露光)時の陰影となり、断
線やブリッヂといった回路への重大な異常を引き起こす
原因となる。この問題への解決策として、いわゆるペリ
クルと呼ばれる防塵部品をマスクに装着することで異物
付着汚染を防止することが行われている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the formation of fine circuit patterns in the production of semiconductors and liquid crystals, a photolithography technique of optically copying a substrate by using a circuit original drawing called a photomask or a reticle (hereinafter abbreviated as "mask 8") is used. It is performed by a manufacturing device such as a stepper used. The adhesion of foreign matter to the mask becomes a shadow at the time of circuit copying (exposure), and causes a serious abnormality in the circuit such as disconnection or bridge. As a solution to this problem, a dust-proof component called a so-called pellicle is mounted on a mask to prevent foreign matter adhesion and contamination.

【0003】ペリクルの基本構造は概略図1に示すよう
に、マスクに合わせた形状を有する枠体(以下「ペリク
ル枠2」と略す)に、露光に対し極めて透明な膜(以下
「ペリクル膜1」と称す)が、ペリクル枠およびペリク
ル膜に対して接合性を有する接着剤(以下「膜接着剤
3」と略す)を介して結合され、さらにペリクルをマス
クに固定する目的でペリクル枠のペリクル膜接着面に対
し相対する面に粘着材(以下「マスク接着材4」と称
す)が設置されている。また、ペリクル内部に異物が侵
入している場合の異物捕獲やペリクル枠に付着する異物
の脱落防止を目的として、ペリクル枠もしくはマスク粘
着材の内側面に塗膜を設置する場合もある(以下「ペリ
クル内面被覆材5」と称す)。また、ペリクルのマスク
への装着後の気圧変化によるペリクル膜の伸縮による膜
およびマスクの劣化を防止するためにペリクル枠に通気
孔7を設け、ペリクル枠内部への異物侵入防止のために
通気孔7を覆うように多孔質膜(以下「通気孔フィルタ
ー6」と略す)を設置する場合もある。
The basic structure of a pellicle is, as shown schematically in FIG. 1, a frame (hereinafter abbreviated as “pellicle frame 2”) having a shape conforming to a mask, and a film extremely transparent to exposure (hereinafter “pellicle film 1”). ) Is bonded via an adhesive having a bonding property to the pellicle frame and the pellicle film (hereinafter abbreviated as “membrane adhesive 3”), and the pellicle of the pellicle frame is further fixed for the purpose of fixing the pellicle to the mask. An adhesive (hereinafter, referred to as “mask adhesive 4”) is provided on a surface facing the film adhesive surface. In addition, a coating film may be provided on the inner surface of the pellicle frame or the mask adhesive for the purpose of capturing foreign substances when foreign substances enter the pellicle and preventing the foreign substances adhering to the pellicle frame from falling off (hereinafter referred to as “the pellicle frame”). Pellicle inner surface coating material 5 "). Further, a vent hole 7 is provided in the pellicle frame to prevent deterioration of the film and the mask due to expansion and contraction of the pellicle film due to a change in air pressure after the pellicle is mounted on the mask, and a vent hole for preventing foreign matter from entering the inside of the pellicle frame. In some cases, a porous membrane (hereinafter abbreviated as “vent filter 6”) may be provided so as to cover 7.

【0004】従来、上記構造を有するペリクルに使用さ
れる部材には有機系材料が多く用いられている。例え
ば、露光波長がi線(365nm)までのペリクル膜に
はセルロース誘導体物質による透明な樹脂が主膜層に使
用される。また、マスク接着材には発泡樹脂系粘着材、
アクリル系粘着材、ブチルゴム系粘着材等の樹脂が使用
される。また、通気孔やペリクル内面被覆材についても
有機系材料が使用されている。有機系材料には、部材と
して選択された材料の耐候性(熱、光、酸素、オゾン、
水、等々)に対して、その製造条件や使用条件を考慮し
た上で安定剤を添加する場合が多い。特に、加熱による
加工プロセスもしくは経時的な酸化劣化防止を目的とし
て、酸化防止剤としてフェノール系誘導体が添加され
る。
Heretofore, many organic materials have been used for members used for the pellicle having the above structure. For example, for a pellicle film having an exposure wavelength up to i-line (365 nm), a transparent resin made of a cellulose derivative material is used for a main film layer. In addition, foamed resin-based adhesive material for the mask adhesive,
A resin such as an acrylic adhesive or a butyl rubber adhesive is used. Organic materials are also used for the air holes and the pellicle inner surface covering material. Organic materials include weather resistance (heat, light, oxygen, ozone,
Water, etc.), and in many cases, a stabilizer is added in consideration of the production conditions and use conditions. In particular, a phenolic derivative is added as an antioxidant for the purpose of preventing a processing process by heating or oxidative deterioration over time.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者ら
の検討によれば、これらの有機系材料に含まれるフェノ
ール誘導体物質が、マスク上で結晶化し、回路パターン
に問題を起こす異物が発生することを見出した。そこ
で、かかる問題に対し、本発明は、ペリクルに使用され
る有機系材料中に、不可避的に必要であるフェノール系
誘導体を添加した上で、結晶化の原因となるフェノール
誘導体の量を限定することで、ペリクル装着後のマスク
上での異物発生を生じることのないペリクルを提供する
ことを目的とする。
According to the study of the present inventors, the phenol derivative substance contained in these organic materials is crystallized on a mask, and foreign matter which causes a problem in a circuit pattern is generated. I found that. In order to solve such a problem, the present invention limits the amount of the phenol derivative that causes crystallization after adding an inevitably necessary phenol derivative to the organic material used for the pellicle. Thus, an object of the present invention is to provide a pellicle that does not generate foreign matter on a mask after the pellicle is mounted.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、ペリ
クルをマスクに装着したときの内面に露出する有機系材
料中に含まれる、50℃で4時間加熱を行ったときの熱
重量測定法による加熱減量が0.1%以上のフェノール
誘導体の量を15μg〜0.1μgとなるように構成
し、マスク構成体内部が実質的に異物発生濃度以下とな
るようにすることを特徴とするペリクルである。以下、
本発明を詳細に説明する。フォトマスクにペリクルを装
着した図1に示すマスク構成体において(但し、本検討
ではペリクル内面被覆材5、通気孔7、通気孔フィルタ
ー6の無いペリクル7を使用した。)、種々のフェノー
ル誘導体を含有したマスク粘着材を使用したときに、フ
ォトマスク上での異物の発生を検討した結果を表1に示
す。
That is, the present invention is based on a thermogravimetric method when heated at 50 ° C. for 4 hours contained in an organic material exposed on the inner surface when a pellicle is mounted on a mask. A pellicle, wherein the amount of the phenol derivative having a heat loss of 0.1% or more is configured to be 15 μg to 0.1 μg, and the inside of the mask structure is substantially equal to or less than the foreign matter generation concentration. is there. Less than,
The present invention will be described in detail. In the mask structure shown in FIG. 1 in which the pellicle is mounted on the photomask (however, in this study, the pellicle 7 without the pellicle inner surface coating material 5, the vent 7 and the vent filter 6) was used. Table 1 shows the results of a study on the generation of foreign matter on a photomask when the contained mask adhesive was used.

【0007】[0007]

【表1】 [Table 1]

【0008】50℃で4時間加熱を行ったときの熱重量
測定法による加熱減量が0.1%以上の物質は比較的揮
発性が高いため、マスク構成体の内部を該物質が気相中
を移動することによりマスク表面で問題を生じた。例え
ば、表1中2,6−ジ−t−ブチルフェノール(加熱減
量13.6%)は、50μg以上含有する場合には結晶
発生を生じている。10μgでは結晶発生は生じない。
実使用を考慮した場合には5μg以下であることが好ま
しい。例えば2,4−ジ−t−ブチルフェノール(加熱
減量 −6.3%)は、1000μg以上含有する場合
には結晶発生を生じている。10μg以下では結晶発生
は生じていない。しかし実使用には、該物質が2,6−
ジ−t−ブチルフェノールと類似の化学構造をしている
ことを考慮すると、5μg以下であることが好ましい。
A substance having a heating loss of 0.1% or more by thermogravimetry when heated at 50 ° C. for 4 hours has a relatively high volatility. Moving the mask caused problems on the mask surface. For example, in Table 1, 2,6-di-t-butylphenol (heating loss of 13.6%) generates crystals when it is contained in an amount of 50 μg or more. At 10 μg, no crystallization occurs.
In consideration of actual use, the amount is preferably 5 μg or less. For example, when 2,4-di-t-butylphenol (loss on heating: -6.3%) is contained in an amount of 1000 μg or more, crystals are generated. At 10 μg or less, no crystal generation occurs. However, for practical use, the substance is 2,6-
Considering that it has a chemical structure similar to that of di-t-butylphenol, the content is preferably 5 μg or less.

【0009】例えば、2,6−ジ−t−ブチル−4−ヒ
ドロキシメチルフェノール(加熱減量0.3%)は環境
中に反応性ガスの実質的に存在しないクリーンルーム条
件下において、200μg以上含有する場合には結晶発
生を生じている。10μg以下では結晶発生は生じてい
ない。15μg以下であることが好ましい。例えば、
2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノールについ
ては、環境中に反応性ガスの実質的に存在しないクリー
ンルーム条件下においては、1000μg含有していて
も異物発生が認められない。しかし、クリーンルームで
存在しうる反応性ガスとしてアンモニアの雰囲気下で保
管を行った場合、50μg以上含有する場合には結晶発
生を生じている。10μg以下では結晶発生は生じてい
ない。
For example, 2,6-di-t-butyl-4-hydroxymethylphenol (heat loss of 0.3%) is contained in an amount of 200 μg or more under clean room conditions in which no reactive gas is substantially present in the environment. In some cases, crystals are generated. At 10 μg or less, no crystal generation occurs. It is preferably 15 μg or less. For example,
Regarding 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, under clean room conditions in which substantially no reactive gas is present in the environment, no foreign matter is generated even if it contains 1000 μg. However, when stored in an atmosphere of ammonia as a reactive gas that may be present in a clean room, crystals are generated when the content is 50 μg or more. At 10 μg or less, no crystal generation occurs.

【0010】加熱減量が0.1%以下である3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシベンズアルデヒドや3,
5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ安息香酸は100
0μgの含有においても異物発生しなかった。このよう
に、個々の物質により結晶発生の生じることのなき濃度
上限が異なることは、結晶発生メカニズムにおける結晶
核発生および結晶成長の反応が個々に異なるためであ
り、スタート物質、中間生成物質、最終生成物質、基板
表面状態、雰囲気条件、温度等により、濃度上限は反応
速度論的に決定されるものと考えられる。
3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzaldehyde having a heat loss of 0.1% or less,
5-di-t-butyl-4-hydroxybenzoic acid is 100
No foreign matter was generated even at a content of 0 μg. As described above, the difference in the upper limit of the concentration at which crystal generation does not occur depending on the individual substances is due to the fact that the reactions of crystal nucleus generation and crystal growth in the crystal generation mechanism are individually different, and the starting material, intermediate product, It is considered that the upper limit of the concentration is determined kinetically depending on the generated substance, the surface state of the substrate, the atmospheric conditions, the temperature, and the like.

【0011】加熱減量が0.1%以上のフェノール誘導
体は、意図的に添加しない場合でも材料中に含有する場
合がある。例えば、一般的に使用される比較的分子量の
大きいフェノール誘導体を使用した場合にも、加工プロ
セスの条件によっては分解を生じ、低分子量化すること
で加熱減量の高い物質が生成する。また、加工装置に残
留する成分から混入する場合もある。したがって、フェ
ノール誘導体を安定剤に用いる場合には、加熱減量が
0.1%以上のフェノール誘導体が0.1μgは含有し
てしまう。ここで、本検討で使用したフォトマスクは図
1に示すように、石英ガラス基板の片面に金属クロムが
被覆され、最外層には酸化クロムが被覆されている。ま
た、本検討はマスク接着材により検討を行ったが、マス
ク構成体におけるペリクル内部の空間はほぼ密閉空間で
あるため、マスク接着材以外の有機系材料に含まれてい
た場合においても、その含有量が所定量以上であれば同
じ現象が発生する。
A phenol derivative having a heating loss of 0.1% or more may be contained in a material even when not intentionally added. For example, even when a generally used phenol derivative having a relatively high molecular weight is used, decomposition occurs depending on the conditions of the processing process, and a substance having a high heat loss is generated by reducing the molecular weight. In addition, there are cases where components are mixed from components remaining in the processing apparatus. Therefore, when a phenol derivative is used as a stabilizer, 0.1 μg of a phenol derivative having a heat loss of 0.1% or more is contained. Here, in the photomask used in this study, as shown in FIG. 1, one surface of a quartz glass substrate is coated with chromium metal, and the outermost layer is coated with chromium oxide. In addition, although this study was conducted using a mask adhesive, the space inside the pellicle in the mask structure was almost a closed space, so even if it was included in organic materials other than the mask adhesive, its If the amount is equal to or more than a predetermined amount, the same phenomenon occurs.

【0012】本発明の実施にあたっては、加熱減量0.
1%以上のフェノール誘導体の濃度が上述の量以下とな
る構成となるよう選択することである。また、より積極
的に加熱減量0.1%以上のフェノール誘導体の除去を
行うためには、80℃以上の加熱処理を行うことで該物
質の減量が可能である。ただし、200℃を越えると酸
化防止剤の効力の消失と有機系材料の劣化が極めて早く
進行するので、加熱処理の上限は200℃とする必要が
ある。より好ましくは120℃以下とすることである。
また前述の80〜200℃の温度範囲での加熱処理によ
り酸化劣化が問題になる有機系材料については、窒素フ
ローを同時に行うことで解決される。
In practicing the present invention, the heating loss is 0.1 mm.
That is, the composition is selected so that the concentration of the phenol derivative of 1% or more is equal to or less than the above amount. Further, in order to more positively remove the phenol derivative having a heating loss of 0.1% or more, the substance can be reduced by performing a heating treatment at 80 ° C. or more. However, if the temperature exceeds 200 ° C., the loss of the effect of the antioxidant and the deterioration of the organic material proceed very quickly, so the upper limit of the heat treatment needs to be 200 ° C. More preferably, the temperature is set to 120 ° C. or lower.
In addition, for the organic material in which the oxidative deterioration is a problem due to the heat treatment in the temperature range of 80 to 200 ° C., the problem is solved by simultaneously performing the nitrogen flow.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下に、本発明を実施例などを用
いて更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例など
により何ら限定されるものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and the like, but the present invention is not limited to these Examples and the like.

【実施例1】図1に示すマスク構成体(但し、本検討で
はペリクル内面被覆材5、通気孔7、通気孔フィルター
7の無いペリクルを使用。)において、酸化防止剤とし
て2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノールを1
5μg添加したマスク接着材0.5gをペリクル枠に装
着したペリクルを用意した。このペリクルを、予め硫酸
系薬液で洗浄したフォトマスクに装着し、アンモニアガ
スの存在する環境と反応性ガスの実質的に存在しない環
境の2種類の環境下に保管した。3ヶ月経過した後に異
物の発生を確認したところ異物は検出されなかった。
EXAMPLE 1 In the mask structure shown in FIG. 1 (however, in this study, a pellicle without the pellicle inner surface coating material 5, the vent hole 7, and the vent filter 7 was used), 2,6-di-oxidant was used as an antioxidant. 1-t-butyl-4-methylphenol
A pellicle was prepared in which 0.5 g of the mask adhesive added with 5 μg was mounted on a pellicle frame. This pellicle was mounted on a photomask that had been washed with a sulfuric acid-based chemical solution in advance, and stored under two kinds of environments, an environment in which ammonia gas was present and an environment in which reactive gas was not substantially present. After three months, the generation of foreign matter was confirmed, and no foreign matter was detected.

【0014】[0014]

【実施例2】実施例1と同様に、2,6−ジ−t−ブチ
ル−4−メチルフェノールがマスク接着材0.5g中に
50μg含有する濃度のマスク接着材を用意し、該接着
材を120℃、120時間の加熱処理を行ったところ、
2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノールがマス
ク接着材0.5g中に10μg含有する濃度となった。
この接着材により用意したペリクルを、予め硫酸系薬液
で洗浄したフォトマスクに装着し、アンモニアガスの存
在する環境と反応性ガスの実質的に存在しない環境の2
種類の環境下に保管した。3ヶ月経過した後に異物の発
生を確認したところ異物は検出されなかった。
Example 2 In the same manner as in Example 1, a mask adhesive having a concentration of 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol containing 50 μg in 0.5 g of the mask adhesive was prepared. Was subjected to heat treatment at 120 ° C. for 120 hours.
The concentration of 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol was 10 μg in 0.5 g of the mask adhesive.
The pellicle prepared with this adhesive is mounted on a photomask that has been washed with a sulfuric acid-based chemical solution in advance, and an environment where ammonia gas is present and an environment where reactive gas is substantially absent are used.
Stored under different environments. After three months, the generation of foreign matter was confirmed, and no foreign matter was detected.

【0015】[0015]

【実施例3】実施例1と同様に、2,6−ジ−t−ブチ
ル−4−メチルフェノールがマスク接着材0.5g中に
100μg含有する濃度のマスク接着材を用意し、該接
着材を窒素フロー下で190℃、6時間の加熱処理を行
ったところ、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェ
ノールがマスク接着材0.5g中に10μg含有する濃
度となった。この接着材により用意したペリクルを、予
め硫酸系薬液で洗浄したフォトマスクに装着し、アンモ
ニアガスの存在する環境と反応性ガスの実質的に存在し
ない環境の2種類の環境下に保管した。3ヶ月経過した
後に異物の発生を確認したところ異物は検出されなかっ
た。
Example 3 In the same manner as in Example 1, a mask adhesive having a concentration of 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol containing 100 μg in 0.5 g of the mask adhesive was prepared. Was subjected to a heat treatment at 190 ° C. for 6 hours under a nitrogen flow. As a result, the concentration of 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol was 10 μg in 0.5 g of the mask adhesive. The pellicle prepared with this adhesive was mounted on a photomask that had been washed with a sulfuric acid-based chemical solution in advance, and stored under two types of environments, an environment in which ammonia gas was present and an environment in which reactive gas was not substantially present. After three months, the generation of foreign matter was confirmed, and no foreign matter was detected.

【0016】[0016]

【比較例1】表1に示すように、各々の物質について所
定の濃度を超えたマスク接着材をペリクルに使用したマ
スク構成体では、マスク上に異物が発生した。
COMPARATIVE EXAMPLE 1 As shown in Table 1, in a mask structure using a mask adhesive having a concentration exceeding a predetermined concentration for each substance for a pellicle, foreign matter was generated on the mask.

【0017】[0017]

【発明の効果】本発明によれば、ペリクルを装着したマ
スク構成体の内面に露出する有機系のペリクル構成材料
に含まれる物質であって、50℃4時間加熱を行ったと
きの熱重量測定法による加熱減量が0.1%以上のフェ
ノール誘導体の量を15μg〜0.1μgとすること
で、マスク構成体におけるペリクル内部の該フェノール
誘導体の濃度が結晶化に必要な濃度以下になり、クロム
化合物あるいは石英で作製されているマスク上に異物発
生を生じないものとなる。
According to the present invention, a substance contained in an organic pellicle constituent material exposed on the inner surface of a mask structure equipped with a pellicle is measured by thermogravimetry when heated at 50 ° C. for 4 hours. By setting the amount of the phenol derivative having a heating loss of 0.1% or more by the method to 15 μg to 0.1 μg, the concentration of the phenol derivative inside the pellicle in the mask structure becomes equal to or less than the concentration required for crystallization. No foreign matter is generated on a mask made of a compound or quartz.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、マスク構成体を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a mask structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ペリクル膜 2 ペリクル枠 3 膜接着剤 4 マスク接着材 5 ペリクル内面被覆材 6 通気孔フィルター 7 通気孔 REFERENCE SIGNS LIST 1 pellicle film 2 pellicle frame 3 film adhesive 4 mask adhesive 5 pellicle inner surface coating material 6 vent filter 7 vent

フロントページの続き (72)発明者 今井 秀秋 静岡県富士市鮫島2番地の1 旭化成工業 株式会社内 Fターム(参考) 2H095 BC33 BC34 Continuation of the front page (72) Inventor Hideaki Imai 2-1, Samejima, Fuji-shi, Shizuoka Prefecture Asahi Kasei Industries Co., Ltd. F-term (reference) 2H095 BC33 BC34

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ペリクルを装着したマスク構成体の内面
に露出する有機系のペリクル構成材料であって、50℃
で4時間の加熱を行ったときの熱重量測定法による加熱
減量が0.1%以上のフェノール誘導体を15μg〜
0.1μg含有する構成材料から構成されていることを
特徴とするペリクル。
1. An organic pellicle constituent material exposed on the inner surface of a mask structure on which a pellicle is mounted, wherein the material is 50 ° C.
Phenol derivative having a heating loss of 0.1% or more by thermogravimetry when heated for 4 hours at
A pellicle comprising a constituent material containing 0.1 μg.
【請求項2】 フェノール誘導体が2,6−ジ−t−ブ
チルフェノールであり、その含有量が5μg〜0.1μ
gである請求項1記載のペリクル。
2. The phenol derivative is 2,6-di-t-butylphenol, and its content is 5 μg to 0.1 μm.
The pellicle according to claim 1, which is g.
【請求項3】 フェノール誘導体が2,4−ジ−t−ブ
チルフェノールであり、その含有量が5μg〜0.1μ
gである請求項1記載のペリクル。
3. The phenol derivative is 2,4-di-t-butylphenol, and its content is from 5 μg to 0.1 μm.
The pellicle according to claim 1, which is g.
【請求項4】 フェノール誘導体が2,6−ジ−t−ブ
チル−4−メチルフェノールであり、その含有量が15
μg〜0.1μgである請求項1記載のペリクル。
4. The phenol derivative is 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol having a content of 15
The pellicle according to claim 1, wherein the pellicle is in an amount of from 0.1 to 0.1 µg.
【請求項5】 前記ペリクル構成材料に予め80〜20
0℃での加熱処理を施すことを特徴とする請求項1〜4
のいずれかに記載のペリクルの製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein the pellicle constituent material is 80 to 20 in advance.
5. A heat treatment at 0 [deg.] C.
The method for producing a pellicle according to any one of the above.
【請求項6】 窒素フロー下で前記加熱処理を施すこと
を特徴とする請求項5記載のペリクルの製造方法。
6. The pellicle manufacturing method according to claim 5, wherein the heat treatment is performed under a nitrogen flow.
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