JP2001146496A - Single crystal pulling method - Google Patents

Single crystal pulling method

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JP2001146496A
JP2001146496A JP32613699A JP32613699A JP2001146496A JP 2001146496 A JP2001146496 A JP 2001146496A JP 32613699 A JP32613699 A JP 32613699A JP 32613699 A JP32613699 A JP 32613699A JP 2001146496 A JP2001146496 A JP 2001146496A
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semiconductor
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大介 若林
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the controlling accuracy of pulling speed in a single crystal pulling method. SOLUTION: This single crystal pulling method comprises the pulling of a semiconductor single crystal from molten semiconductor in a crucible. The method contains a step S6 of detecting the deviation ratio (d) of the real pulling speed to the preset pulling speed and temperature correction steps S81-S89 to correct the temperature of the molten semiconductor by a correction factor dependent upon the above speed deviation ratio. The temperature correction factor is changed by the temperature correction steps according to the growing condition varying according to the progress of the pulling of the semiconductor single crystal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、CZ法(チョクラ
ルスキー法)を用いて、ルツボに貯留された半導体融液
より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single crystal pulling method for pulling a semiconductor single crystal from a semiconductor melt stored in a crucible using a CZ method (Czochralski method).

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、シリコン(Si)やガリウムヒ
素(GaAs)等の半導体単結晶を成長する手段の一つ
として、CZ法を用いた単結晶引上方法が知られてい
る。この単結晶引上方法は、例えば、チャンバ内部のサ
セプタ上に配設した石英ルツボ内に半導体融液を貯留
し、該半導体融液を石英ルツボの周囲に配置した円筒状
のヒータで所定温度に加熱制御して、この半導体融液か
ら半導体単結晶を引き上げる方法である。
2. Description of the Related Art In general, a single crystal pulling method using a CZ method is known as one of means for growing a semiconductor single crystal such as silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs). In this single crystal pulling method, for example, a semiconductor melt is stored in a quartz crucible provided on a susceptor inside a chamber, and the semiconductor melt is brought to a predetermined temperature by a cylindrical heater arranged around the quartz crucible. This is a method of heating and pulling a semiconductor single crystal from the semiconductor melt.

【0003】この引上方法では、引き上げる半導体単結
晶の直径を一定に制御するために、ヒータによる加熱量
を制御する方法と、引上速度を制御する方法とが一般に
用いられるが、前者の場合、加熱量変化に対する直径変
化の応答性が遅く、高精度の制御が困難であるため、直
径変化の応答性が早い後者が用いられる。従来、引上速
度の制御は、予め設定されている引上速度に対する実際
の引上速度の比率を速度ずれ率として検出し、この速度
ずれ率を一定の時間間隔で監視し、ヒータによる温度を
所定の補正量で補正して速度ずれ率が小さくなるように
フィードバックを行っている(引上速度のずれを温度で
補正する制御方法:AGC制御方法)。
In this pulling method, a method of controlling a heating amount by a heater and a method of controlling a pulling speed are generally used in order to control a diameter of a semiconductor single crystal to be pulled to a constant value. Since the response of the diameter change to the change in the heating amount is slow and it is difficult to perform high-precision control, the latter, which has a fast response to the diameter change, is used. Conventionally, the control of the pulling speed is performed by detecting a ratio of an actual pulling speed to a preset pulling speed as a speed deviation ratio, monitoring the speed deviation ratio at a constant time interval, and controlling a temperature by a heater. Feedback is performed so that the speed deviation rate is reduced by performing correction with a predetermined correction amount (a control method for correcting a deviation in the pulling speed by temperature: an AGC control method).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の単結晶引上方法には、以下のような課題が残されて
いる。すなわち、従来では、引上速度の制御において、
上記速度ずれ率に対する温度補正量および補正の時間間
隔が半導体単結晶Cの引上長にかかわらず、引上全長に
わたって一定であるが、引き上げ中は引上長に応じて、
引上速度、温度およびルツボの回転数等が予め設定され
たプログラムに基づいて変化するため、上記温度補正量
および補正間隔が大きすぎたり小さすぎる場合が発生
し、これが速度変動を起こしてしまう要因となってい
た。
However, the above-mentioned conventional single crystal pulling method has the following problems. That is, conventionally, in the control of the pulling speed,
The temperature correction amount and the correction time interval for the speed deviation rate are constant over the entire pulling length irrespective of the pulling length of the semiconductor single crystal C, but during pulling, according to the pulling length,
Since the pulling speed, the temperature, the number of rotations of the crucible, and the like change based on a preset program, the temperature correction amount and the correction interval may be too large or small, which may cause the speed fluctuation. Had become.

【0005】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、より高精度な引上速度の制御が可能な単結晶引上
方法を提供することを目的とする。
[0005] The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object to provide a single crystal pulling method capable of controlling the pulling speed with higher precision.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明
の単結晶引上方法では、ルツボ内の半導体融液から半導
体単結晶を引き上げる単結晶引上方法であって、設定し
ていた引上速度に対する実際の引上速度の比率を速度ず
れ率として検出する速度ずれ率検出工程と、予め設定さ
れた前記半導体融液の温度を前記速度ずれ率に応じて異
なる温度補正量で補正する温度補正工程とを備え、該温
度補正工程は、前記温度補正量を前記半導体単結晶の引
上長とともに変化させる成長条件に応じて変える技術が
採用される。
The present invention has the following features to attain the object mentioned above. In other words, the single crystal pulling method of the present invention is a single crystal pulling method for pulling a semiconductor single crystal from a semiconductor melt in a crucible, wherein a ratio of an actual pulling speed to a set pulling speed is set to a speed. A speed deviation rate detection step of detecting as a deviation rate, and a temperature correction step of correcting a preset temperature of the semiconductor melt with a different temperature correction amount according to the speed deviation rate, the temperature correction step includes: A technique is employed in which the temperature correction amount is changed according to a growth condition that changes with the pulling length of the semiconductor single crystal.

【0007】また、本発明の単結晶引上方法では、ルツ
ボ内の半導体融液から半導体単結晶を引き上げる単結晶
引上方法であって、設定していた引上速度と実際の引上
速度との差を速度ずれ量として検出する速度ずれ量検出
工程と、予め設定された前記半導体融液の温度を前記速
度ずれ量に応じて異なる温度補正量で補正する温度補正
工程とを備え、該温度補正工程は、前記温度補正量を前
記半導体単結晶の引上長とともに変化させる成長条件に
応じて変える技術が採用される。
Further, the single crystal pulling method of the present invention is a single crystal pulling method for pulling a semiconductor single crystal from a semiconductor melt in a crucible, wherein a set pulling speed and an actual pulling speed are compared. And a temperature correction step of correcting a preset temperature of the semiconductor melt with a different temperature correction amount according to the speed deviation amount. The correction step employs a technique of changing the temperature correction amount in accordance with a growth condition that changes with the pulling length of the semiconductor single crystal.

【0008】これらの単結晶引上方法では、温度補正工
程において、前記温度補正量を前記半導体単結晶の引上
長とともに変化させる成長条件に応じて変えるので、引
上長に応じて異なる成長条件に温度補正量を対応させる
ことができ、より高精度に速度変動を抑制することがで
きる。例えば、成長条件の変化が大きい引上長の部分で
は温度補正量を大きくするとともに、成長条件の変化が
小さい引上長の部分では温度補正量を小さくすることに
より、補正量を適切に調整して速度変動をさらに抑制す
ることができる。
In these single crystal pulling methods, in the temperature correction step, the amount of temperature correction is changed according to the growth conditions that change with the pulling length of the semiconductor single crystal. Can be made to correspond to the temperature correction amount, and the speed fluctuation can be suppressed with higher accuracy. For example, the correction amount is appropriately adjusted by increasing the temperature correction amount in the portion of the pull-up portion where the change in the growth condition is large, and decreasing the temperature correction amount in the portion of the pull-up portion where the change in the growth condition is small. Speed fluctuation can be further suppressed.

【0009】また、これらの単結晶引上方法は、前記成
長条件が、前記温度の変化率、前記引上速度の変化率ま
たは前記ルツボの回転数の少なくとも一つであることが
好ましい。すなわち、この場合、引上長に応じてプログ
ラムが異なるとともに速度変動に大きな影響を与えるこ
れらの成長条件を考慮した補正ができ、より適正なフィ
ードバックが可能になる。
In these single crystal pulling methods, it is preferable that the growth condition is at least one of the rate of change of the temperature, the rate of change of the pulling speed, and the number of rotations of the crucible. In other words, in this case, a correction can be made in consideration of these growth conditions that have a different program depending on the pulling length and that have a great influence on the speed fluctuation, and more appropriate feedback becomes possible.

【0010】また、これらの単結晶引上方法は、温度補
正工程において、前記引上長を複数の領域に分け、これ
らの領域毎に前記成長条件に応じた前記温度補正量を予
め決定しておくことが好ましい。すなわち、この場合、
各領域に対応した温度補正値が予め決定されているの
で、補正時点における引上長がどの領域かを判別すれば
成長条件に応じた温度補正量を容易に決定することがで
きる。
In these single crystal pulling methods, in the temperature correction step, the pulling length is divided into a plurality of regions, and the temperature correction amount according to the growth condition is determined in advance for each of these regions. Preferably. That is, in this case,
Since the temperature correction value corresponding to each region is determined in advance, the temperature correction amount according to the growth condition can be easily determined by determining which region has the pulling length at the time of correction.

【0011】また、これらの単結晶引上方法は、温度補
正工程において、予め設定したサイクル時間毎に前記補
正を行い、前記サイクル時間を前記半導体単結晶の引上
長に応じて変えることが好ましい。すなわち、この場
合、引上長に応じて異なる成長条件にサイクル時間を対
応させることができ、より高精度に速度変動を抑制する
ことができる。例えば、成長条件の変化が大きい引上長
の部分ではサイクル時間を短くするとともに、成長条件
の変化が小さい引上長の部分ではサイクル時間を長くす
ることにより、速度変動をさらに効果的に抑制すること
ができる。
In these single crystal pulling methods, it is preferable that, in the temperature correction step, the correction is performed at every preset cycle time, and the cycle time is changed according to the pulling length of the semiconductor single crystal. . That is, in this case, the cycle time can be made to correspond to different growth conditions depending on the pulling length, and the speed fluctuation can be suppressed with higher accuracy. For example, the cycle time is shortened in the portion of the pulling length where the change of the growth condition is large, and the cycle time is lengthened in the portion of the pulling length where the change of the growth condition is small, so that the speed fluctuation is more effectively suppressed. be able to.

【0012】さらに、上記単結晶引上方法は、温度補正
工程において、複数の異なる前記サイクル時間を同時に
組み合わせて設定していることが好ましい。すなわち、
この場合、一つのサイクル時間のみで補正を行った場合
に比べて、多様に変化する引上速度のずれに対応するこ
とが可能になる。
Further, in the single crystal pulling method, it is preferable that a plurality of different cycle times are simultaneously set in the temperature correction step. That is,
In this case, it is possible to cope with a shift in the pulling speed that changes in various ways, as compared with the case where the correction is performed only by one cycle time.

【0013】また、これらの単結晶引上方法は、サイク
ル時間内に一定のサンプリング時間で繰り返し測定され
た引上速度の平均を前記実際の引上速度として用いるこ
とが好ましい。すなわち、この場合、平均化された値を
実際の引上速度とするので、サイクル時間内で引上速度
がばらついたり、局所的に大きなずれが生じても適正な
補正が可能になる。
Further, in these single crystal pulling methods, it is preferable to use an average of the pulling speed repeatedly measured at a constant sampling time within the cycle time as the actual pulling speed. That is, in this case, since the averaged value is used as the actual pulling speed, appropriate correction can be performed even if the pulling speed varies within the cycle time or a large deviation occurs locally.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る単結晶引上方
法の第1実施形態を、図1および図2を参照しながら説
明する。これらの図にあって、符号1はチャンバ、2は
シャフト、3はサセプタ、4はルツボ、5はヒータ、6
は保温筒を示している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of a single crystal pulling method according to the present invention will be described with reference to FIGS. In these figures, reference numeral 1 denotes a chamber, 2 denotes a shaft, 3 denotes a susceptor, 4 denotes a crucible, 5 denotes a heater, 6
Indicates a heat retaining cylinder.

【0015】図1は、本実施形態の単結晶引上方法を実
施するための単結晶引上装置を示すものであって、該単
結晶引上装置は、中空の気密容器であるチャンバ1内
に、該チャンバ1の中央下部に垂直に立設され上下動可
能なシャフト2と、該シャフト2上に載置されたサセプ
タ3と、該サセプタ3上に載置されて支持されシリコン
の融液である半導体融液Lを貯留する石英(SiO2)
製のルツボ4と、該ルツボ4の外周に所定距離離間して
配されたヒータ5と、該ヒータ5の周囲に配された保温
筒6とがそれぞれ配置されている。
FIG. 1 shows a single crystal pulling apparatus for carrying out the single crystal pulling method of the present embodiment. The single crystal pulling apparatus is provided in a chamber 1 which is a hollow airtight container. A vertically movable shaft 2 erected vertically below the center of the chamber 1, a susceptor 3 mounted on the shaft 2, and a silicon melt mounted and supported on the susceptor 3 (SiO2) for storing the semiconductor melt L
A crucible 4 made of stainless steel, a heater 5 arranged on the outer periphery of the crucible 4 at a predetermined distance, and a heat retaining cylinder 6 arranged around the heater 5 are arranged.

【0016】また、この単結晶引上装置は、ルツボ4の
上方にアッパーリング8で支持されたフロー管7を備え
ている。該フロー管7は、成長時に半導体単結晶Cへの
輻射熱を遮断するとともに、チャンバ1上端のガス導入
口1aから供給されるアルゴンガス(不活性ガス)を通
過させて半導体融液L上に吹き付け、半導体融液Lから
発生するSiO2を吹き流すものである。
The single crystal pulling apparatus has a flow tube 7 supported by an upper ring 8 above the crucible 4. The flow tube 7 cuts off radiant heat to the semiconductor single crystal C during growth, and blows onto the semiconductor melt L through an argon gas (inert gas) supplied from a gas inlet 1 a at the upper end of the chamber 1. , Which blows off SiO2 generated from the semiconductor melt L.

【0017】前記ルツボ4は、シャフト2の軸線を中心
として水平面上で回転する構成になっている。前記ヒー
タ5は、シリコン原料をルツボ4内で加熱・融解すると
ともに生じた半導体融液Lを保温するもので、通常、抵
抗加熱が用いられる。
The crucible 4 rotates on a horizontal plane about the axis of the shaft 2. The heater 5 heats and melts the silicon raw material in the crucible 4 and keeps the temperature of the semiconductor melt L generated. Usually, resistance heating is used.

【0018】前記保温筒6は、炭素繊維(カーボンファ
イバ)からなる保温材6aで形成されその内側面に支持
板としてカーボン板6bが張られている。また、チャン
バ1上部からは、引上ワイヤ9が昇降自在にかつ回転自
在に吊り下げられ、該引上ワイヤ9の下端部には、シリ
コンの種結晶が固定されている。前記引上ワイヤ9の上
端側には、該引上ワイヤ9を昇降させるとともに回転さ
せるモータ等で構成される昇降回転機構11に接続さ
れ、該昇降回転機構11は、制御部12に接続されてい
る。
The heat insulating cylinder 6 is formed of a heat insulating material 6a made of carbon fiber (carbon fiber), and has a carbon plate 6b as a support plate on the inner surface thereof. A pull-up wire 9 is suspended from the upper part of the chamber 1 so as to be vertically movable and rotatable, and a silicon seed crystal is fixed to a lower end of the pull-up wire 9. The upper end of the pulling wire 9 is connected to a lifting / lowering rotating mechanism 11 composed of a motor or the like for raising / lowering and rotating the lifting wire 9, and the lifting / lowering rotating mechanism 11 is connected to a control unit 12. I have.

【0019】該制御部12は、昇降回転機構11等を制
御して引上速度等の各成長条件を制御するとともに、直
径センサ(図示略)等による半導体単結晶Cの直径測定
データ、引上速度のサンプリングデータおよび各種設定
値等に基づいて引上速度を安定させるための温度補正量
を演算し、温度補正制御を行う機能を有しているもので
ある。なお、チャンバ1の上部には、半導体単結晶Cの
固液界面を観察するための透明窓部12が設けられてい
る。
The control unit 12 controls each of the growth conditions such as the pulling speed by controlling the lifting / lowering rotating mechanism 11 and the like, and also measures the diameter measurement data of the semiconductor single crystal C by a diameter sensor (not shown) and the like. It has a function of calculating a temperature correction amount for stabilizing the pulling speed based on the speed sampling data and various set values and performing temperature correction control. Note that a transparent window 12 for observing the solid-liquid interface of the semiconductor single crystal C is provided in the upper part of the chamber 1.

【0020】次に、本実施形態における単結晶引上方法
について、以下に説明する。
Next, the single crystal pulling method according to the present embodiment will be described below.

【0021】まず、ガス導入口1aからアルゴンガスを
供給するとともに、ヒータ5に通電してルツボ4内のシ
リコン原料を溶融して半導体融液Lとし、そしてヒータ
5の電力を調整して半導体融液Lの中央液面付近を単結
晶成長温度に保つ。次に、引上ワイヤ9により吊り下げ
られた種結晶を下降させて半導体融液Lに浸してなじま
せ、いわゆるネッキングにより無転位化を行い、その
後、ルツボ5と引上ワイヤ9とを互いに反対に回転させ
ながら半導体単結晶Cを引き上げ成長する。
First, an argon gas is supplied from the gas inlet 1a, and the heater 5 is energized to melt the silicon raw material in the crucible 4 to form a semiconductor melt L. Then, the power of the heater 5 is adjusted to adjust the semiconductor melt. The vicinity of the center liquid level of liquid L is kept at the single crystal growth temperature. Next, the seed crystal suspended by the pull-up wire 9 is lowered and immersed in the semiconductor melt L to be blended, so that dislocation is eliminated by so-called necking. Then, the crucible 5 and the pull-up wire 9 are opposite to each other. The semiconductor single crystal C is pulled up and grown while being rotated.

【0022】半導体単結晶Cの肩部を成長後、直径が一
定となる直胴部を成長する。この際、引き上げる半導体
単結晶Cの直径を一定に制御するために、直径センサに
よって直径を実測すると共に、制御部12によって昇降
回転機構11が制御され、引上ワイヤ9の実際の引上速
度が、例えば、図2の(a)に示すように、予め設定さ
れたプログラムの引上速度(設定引上速度)からずれた
場合にヒータ5を制御して温度による補正が行われる。
After growing the shoulder portion of the semiconductor single crystal C, a straight body portion having a constant diameter is grown. At this time, in order to keep the diameter of the semiconductor single crystal C to be pulled constant, the diameter is actually measured by a diameter sensor, and the elevating / lowering rotating mechanism 11 is controlled by the control unit 12, so that the actual pulling speed of the pulling wire 9 is reduced. For example, as shown in FIG. 2 (a), when deviation from a preset program pulling speed (set pulling speed) is performed, the heater 5 is controlled to perform temperature correction.

【0023】この引上速度を温度で補正する制御方法
を、図3に示すフローチャートによって説明すると、ま
ず、直胴部の成長が開始されると、現時点での引上長の
領域が判別される(ステップS1)。すなわち、直胴部
の引上長が、0mm以上αmm未満の領域A、αmm以
上βmm未満の領域Bまたはβmm以上の領域Cのいず
れであるかが判別され、次に、領域毎の温度補正量を求
めるための各パラメータおよびサイクル時間(補正を行
う時間間隔)が決定される(ステップS21、S22、
S23)。
The control method for correcting the pulling speed with the temperature will be described with reference to the flowchart shown in FIG. 3. First, when the growth of the straight body portion is started, the current pulling length region is determined. (Step S1). That is, it is determined whether the pull-up length of the straight body portion is the area A of 0 mm or more and less than αmm, the area B of αmm or more and less than βmm, or the area C of βmm or more. Next, the temperature correction amount for each area is determined. Are determined (steps S21, S22,
S23).

【0024】前記サイクル時間は、引上長に応じて、す
なわち領域毎に設定される数および数値も異なり、領域
A、BではX分およびY分の2つが同時に設定され、領
域CはW分の一つが設定されている。なお、成長開始直
後は、上記領域Aと判別され、領域Aにおけるパラメー
タおよびサイクル時間が決定される。
The cycle time is different depending on the pulling length, that is, the number and numerical value set for each area are different. In areas A and B, two for X and Y are set at the same time, and area C is set for W. One of them is set. Immediately after the start of the growth, the region A is determined, and the parameters and the cycle time in the region A are determined.

【0025】上記パラメータは、予め引上長に対して設
定されている温度の変化率、引上速度の変化率またはル
ツボ4の回転数の少なくとも一つに応じて、例えば下記
の表1のように定められる。また、パラメータには、温
度補正を行う必要がない速度ずれ率範囲、すなわち不感
帯の上限および下限も決定される。したがって、不感帯
の上限下限も領域毎に異なる設定とされる。例えば、領
域Aでは、不感帯の下限は速度ずれ率95%、上限が速
度ずれ率105%に設定される。
The above parameters are set according to at least one of the rate of change of temperature, the rate of change of the pulling speed, and the number of rotations of the crucible 4, for example, as shown in Table 1 below. Is determined. The parameters also determine the speed deviation rate range in which it is not necessary to perform temperature correction, that is, the upper and lower limits of the dead zone. Therefore, the upper and lower limits of the dead zone are also set differently for each region. For example, in the region A, the lower limit of the dead zone is set to a speed deviation rate of 95%, and the upper limit is set to a speed deviation rate of 105%.

【0026】[0026]

【表1】 [Table 1]

【0027】さらに、直胴部成長中は、引上速度を測定
するサンプリング時間が1秒間隔に設定され、測定され
た引上速度は制御部12に送られる(ステップS2)。
次に、決定されたサイクル時間を経過したか否かが判別
され(ステップS4)、サイクル時間を経過した場合は
温度補正を行う工程に進むが、まだ経過していない場合
は、温度補正の工程を行わない。
Further, during the growth of the straight body portion, the sampling time for measuring the pulling speed is set at 1 second intervals, and the measured pulling speed is sent to the control unit 12 (step S2).
Next, it is determined whether or not the determined cycle time has elapsed (step S4). If the cycle time has elapsed, the process proceeds to a temperature correction process. Do not do.

【0028】サイクル時間が経過した場合、次に、制御
部12において、サイクル時間内に検出された引上速度
を平均化して平均引上速度(実際の引上速度)を算出す
る(ステップS5)。さらに、予めプロファイルが設定
された設定引上速度に対する平均引上速度の比率を以下
の式(1)によって速度ずれ率dとして算出する(ステ
ップS6)(速度ずれ率検出工程)。速度ずれ率(d)=
((平均引上速度−設定引上速度)/設定引上速度)×
100・・・(1)
When the cycle time has elapsed, the control unit 12 calculates an average pulling speed (actual pulling speed) by averaging the pulling speeds detected during the cycle time (step S5). . Further, the ratio of the average pulling speed to the set pulling speed in which a profile is set in advance is calculated as the speed shift ratio d by the following equation (1) (step S6) (speed shift ratio detecting step). Speed deviation rate (d) =
((Average lifting speed-setting lifting speed) / setting lifting speed) x
100 ... (1)

【0029】次に、求めた速度ずれ率dを9つに分けた
範囲のうち該当するものに判別し、予め設定された半導
体融液Lの温度を、速度ずれ率dに応じて補正する温度
補正量を算出する(ステップS7)。なお、本実施形態
では、速度ずれ率dが以下の温度補正1〜8および温度
補正ナシの9つに判別され、これらに個別に設定されたパ
ラメータに基づいて温度補正量が決定される。
Next, the determined speed deviation rate d is determined to fall within a range divided into nine, and the temperature of the semiconductor melt L set in advance is corrected according to the speed deviation rate d. The correction amount is calculated (Step S7). In the present embodiment, the speed deviation rate d is determined to be one of the following nine temperature corrections 1 to 8 and no temperature correction, and the temperature correction amount is determined based on parameters individually set for these.

【0030】温度補正1:d≧130% 温度補正2:130%>d≧120% 温度補正3:120%>d≧110% 温度補正4:110%>d≧不感帯上限 温度補正ナシ:不感帯上限>d>不感帯下限 温度補正5:不感帯下限≧d<90% 温度補正6:90%≧d>80% 温度補正7:80%≧d>70% 温度補正8:70%≧dTemperature correction 1: d ≧ 130% Temperature correction 2: 130%> d ≧ 120% Temperature correction 3: 120%> d ≧ 110% Temperature correction 4: 110%> d ≧ dead band upper limit Temperature correction pear: dead band upper limit > D> dead zone lower limit Temperature correction 5: dead zone lower limit ≧ d <90% temperature correction 6: 90% ≧ d> 80% temperature correction 7: 80% ≧ d> 70% temperature correction 8: 70% ≧ d

【0031】すなわち、温度補正量は、補正時点での半
導体単結晶Cの引上長に応じて決定されるものであっ
て、本実施形態では、補正時点が領域A〜Bのいずれに
属するかで速度ずれ率dに対する上記パラメータが決定
され、さらに速度ずれ率dが温度補正1〜8のいずれか
に属するかで温度補正量が決定する。なお、各領域内の
温度補正量は、図2の(a)(b)(c)に示すよう
に、予め設定されている温度の変化率、引上速度の変化
率またはルツボ4の回転数の少なくとも一つに応じて決
定されたパラメータに温度変化ファクタを掛け合わせて
算出されるものであって、以下の関係式(2)によって
領域毎に予め設定されている。
That is, the temperature correction amount is determined in accordance with the pulling length of the semiconductor single crystal C at the time of correction, and in this embodiment, which of the regions A and B the correction time belongs to Determines the above parameter for the speed deviation rate d, and further determines the temperature correction amount depending on whether the speed deviation rate d belongs to any of the temperature corrections 1 to 8. As shown in FIGS. 2A, 2B, and 2C, the temperature correction amount in each region is a predetermined rate of change in temperature, a rate of change in pulling speed, or the number of rotations of the crucible 4. Is calculated by multiplying a parameter determined according to at least one of the above by a temperature change factor, and is set in advance for each area by the following relational expression (2).

【0032】 温度補正量=温度変化ファクタ×(温度プログラムの傾き +引上速度の傾き+ルツボ回転数) ・・・(2) (温度変化ファクタ:経験値に基づいて予め設定された
温度に対する固定フィードバック量)
Temperature correction amount = Temperature change factor × (Slope of temperature program + Slope of pull-up speed + Crucible rotation speed) (2) (Temperature change factor: Fixing to temperature preset based on experience value) Feedback amount)

【0033】この後、速度ずれ率dおよび温度プログラ
ムの傾きに応じて求められた上記温度補正量によって温
度補正1〜8が行われる(ステップS81〜S89)
(温度補正工程)。なお、前述したように、速度ずれ率
dが不感帯の範囲内である場合(ステップS85)は、
温度補正を行わない。
Thereafter, the temperature corrections 1 to 8 are performed based on the temperature correction amount obtained according to the speed deviation rate d and the inclination of the temperature program (steps S81 to S89).
(Temperature correction step). As described above, when the speed deviation rate d is within the range of the dead zone (step S85),
Does not perform temperature compensation.

【0034】温度補正後、最終引上長に達したか否かが
制御部12で判断され(ステップS9)、最終引上長に
達していない場合は、引上長の領域判別(ステップS
1)からの工程を繰り返し行い、領域A,B,Cの順に
温度補正による引上速度制御を行いながら、直胴部の成
長を行う。そして、最終引上長に達した場合は、制御部
12による直胴部の温度補正制御が終了する。
After the temperature correction, the controller 12 determines whether or not the final pull-up length has been reached (step S9). If the final pull-up length has not been reached, the area of the pull-up length is determined (step S9).
The process from 1) is repeated to grow the straight body portion while controlling the pulling speed by temperature correction in the order of the regions A, B and C. When the final pulling length has been reached, the temperature correction control of the straight body by the control unit 12 ends.

【0035】本実施形態では、引上速度を安定させるさ
めに、温度補正量を半導体単結晶Cの引上長とともに変
化させる成長条件(温度プログラムの傾き等)に応じて
変えるので、引上長に応じて異なる成長条件に温度補正
量を対応させることができ、より高精度に速度変動を抑
制することができる。すなわち、温度プログラムの傾き
等の変化が大きい引上長の領域Aでは温度補正量を大き
くするとともに、変化が小さい領域Cでは温度補正量を
小さくすることにより、速度変動をさらに抑制すること
ができる。
In the present embodiment, in order to stabilize the pulling speed, the temperature correction amount is changed in accordance with the growth condition (the inclination of the temperature program, etc.) which changes together with the pulling length of the semiconductor single crystal C. , The temperature correction amount can be made to correspond to different growth conditions, and the speed fluctuation can be suppressed with higher accuracy. That is, the speed variation can be further suppressed by increasing the temperature correction amount in the area A of the pull-up length where the change of the temperature program inclination or the like is large, and decreasing the temperature correction amount in the area C where the change is small. .

【0036】また、サイクル時間を補正時点での半導体
単結晶Cの引上長に応じて変えるので、引上長に応じて
異なる成長条件に補正間隔を対応させることができ、よ
り高精度に速度変動を抑制することができる。すなわ
ち、温度プログラムの傾き等の変化が大きい引上長の領
域A、Bではサイクル時間を短くするとともに、変化が
小さい領域Cではサイクル時間を長くすることにより、
速度変動をさらに抑制することができる。
Further, since the cycle time is changed in accordance with the pulling length of the semiconductor single crystal C at the time of correction, the correction interval can be made to correspond to different growth conditions in accordance with the pulling length, and the speed can be adjusted with higher accuracy. Fluctuations can be suppressed. That is, the cycle time is shortened in the pull-up areas A and B where the change such as the gradient of the temperature program is large, and the cycle time is lengthened in the area C where the change is small.
Speed fluctuation can be further suppressed.

【0037】さらに、複数の異なるサイクル時間を同時
に組み合わせて設定しているので、一つのサイクル時間
のみで補正を行った場合に比べて、多様に変化する引上
速度のずれに対応することができる。また、サイクル時
間内に一定のサンプリング時間で繰り返し測定された引
上速度の平均を実際の引上速度として演算に用いるの
で、引上速度のばらつきや局所的な大きなずれがサイク
ル時間内で生じても適正な補正が可能になる。
Further, since a plurality of different cycle times are set in combination at the same time, it is possible to cope with a shift of the pulling speed which varies in a variety of ways as compared with a case where the correction is performed only by one cycle time. . In addition, since the average of the pulling speed repeatedly measured at a fixed sampling time within the cycle time is used for the calculation as the actual pulling speed, variation in the pulling speed and a large local deviation occur within the cycle time. This also enables proper correction.

【0038】次に、本発明に係る単結晶引上方法の第2
実施形態を、図4を参照しながら説明する。
Next, the second method of the single crystal pulling method according to the present invention will be described.
An embodiment will be described with reference to FIG.

【0039】第2実施形態と第1実施形態との異なる点
は、第1実施形態では引上長を3つの領域A〜Cに分け
てこれらの領域毎に成長条件に応じたパラメータを設定
すると共に速度ずれ率dに応じて温度補正量を設定する
のに対し、第2実施形態では、図4に示すように、引上
長の領域分けを行わずに、速度ずれ率dではなく設定引
上速度と平均引上速度との差である速度ずれ量Dに応じ
て温度補正量を設定する点である。
The difference between the second embodiment and the first embodiment is that, in the first embodiment, the pull-up length is divided into three regions A to C, and parameters according to the growth conditions are set for each of these regions. In the second embodiment, the temperature correction amount is set according to the speed deviation rate d. On the other hand, in the second embodiment, as shown in FIG. The point is that the temperature correction amount is set according to the speed deviation amount D which is the difference between the upper speed and the average pulling speed.

【0040】すなわち、第2実施形態では、引上速度を
サンプリングしながら成長を行い(ステップS10
1)、所定のサイクル時間が経過したときに(ステップ
S102)、サイクル時間内の引上速度を平均化して平
均引上速度を求め(ステップS103)、この平均引上
速度を実際の引上速度として引上速度の速度ずれ量
(D)を以下の式(3)により算出する(ステップS1
04)(速度ずれ量検出工程)。 速度ずれ量(D)=平均引上速度−設定引上速度 ・・・(3)
That is, in the second embodiment, the growth is performed while sampling the pulling speed (step S10).
1) When a predetermined cycle time has elapsed (step S102), the pulling speeds within the cycle time are averaged to obtain an average pulling speed (step S103), and the average pulling speed is calculated as the actual pulling speed. Is calculated by the following equation (3) (step S1).
04) (Speed deviation detection step). Speed deviation (D) = Average pulling speed-Set pulling speed ... (3)

【0041】次に、温度補正量を、速度ずれ量(D)と
温度変化ファクタと引上長とともに変化させる成長条件
(温度プログラムの傾き、引上速度の傾き、ルツボ回転
数)の少なくとも一つに応じて決定したパラメータとを
掛け合わせて求める。すなわち、温度補正量は、以下の
式(4)により算出する(ステップS105)。なお、
式(4)に使用される上記成長条件のパラメータは、第
1実施形態のように領域毎に決定されているのではな
く、補正時点の成長条件のプロファイルから直接的に求
められる。 温度補正量=速度ずれ量×温度変化ファクタ×(温度プログラムの傾き+引上 速度の傾き+ルツボ回転数) ・・・(4)
Next, at least one of the growth conditions (gradient of temperature program, gradient of pulling speed, number of rotations of the crucible) for changing the temperature correction amount together with the speed deviation (D), the temperature change factor and the pulling length. Is determined by multiplying by the parameter determined according to That is, the temperature correction amount is calculated by the following equation (4) (step S105). In addition,
The parameters of the growth condition used in the equation (4) are not determined for each region as in the first embodiment, but are directly obtained from the profile of the growth condition at the time of correction. Temperature correction amount = Speed deviation amount × Temperature change factor × (Slope of temperature program + Slope of pull-up speed + Number of crucible rotations) ... (4)

【0042】さらに、この温度補正量に基づいて温度の
補正を行い(ステップS106)、その後、最終引上長
に達するまで(ステップS107)、繰り返し上記温度
補正を行いながら引上成長を行う。
Further, the temperature is corrected based on the temperature correction amount (step S106), and thereafter, the pull-up growth is performed while repeatedly performing the temperature correction until the final pull-up length is reached (step S107).

【0043】したがって、第1実施形態では、一つの領
域内においてパラメータが一律に設定されているため、
速度ずれ率dに応じた補正が行われるものの領域内で変
化する成長条件に応じたより細かな補正ができないのに
対し、第2実施形態では、速度ずれ量Dに対応させるこ
とにより、ずれの絶対量も考慮するとともに、成長条件
に応じたパラメータ及び補正量が上記式(5)に基づい
て逐次決定されて温度補正を行うので、より精密な制御
が可能となり、安定した引上速度を得ることができる。
Therefore, in the first embodiment, since the parameters are uniformly set in one area,
Although the correction is performed according to the speed deviation rate d, the finer correction cannot be performed according to the growth condition that changes in the area. On the other hand, in the second embodiment, the absolute deviation can be obtained by using the speed deviation amount D. In addition to considering the amount, the parameter and the correction amount according to the growth condition are sequentially determined based on the above equation (5), and the temperature is corrected, so that more precise control becomes possible and a stable pulling speed can be obtained. Can be.

【0044】[0044]

【実施例】上記第1実施形態によって、実際にシリコン
の単結晶を引上成長した具体例を、図5および図6を参
照して説明する。
EXAMPLE A specific example in which a single crystal of silicon was actually grown by the first embodiment will be described with reference to FIGS.

【0045】図5および図6は、第1実施形態でシリコ
ン単結晶を作製した場合および従来の方法でシリコン単
結晶を作製した場合の引上長に対する引上速度を実測し
たものを示したグラフである。この実施例では、図2の
(b)に示すように、予め設定されている温度プログラ
ムに基づいて、補正時点での設定温度プログラムの傾き
(変化率:温度/mm)に応じて温度補正量を関係式
(2)によって算出している。
FIGS. 5 and 6 are graphs showing actual measurements of the pulling speed with respect to the pulling length when the silicon single crystal is manufactured in the first embodiment and when the silicon single crystal is manufactured by the conventional method. It is. In this embodiment, as shown in FIG. 2 (b), based on a preset temperature program, a temperature correction amount is set according to the inclination (change rate: temperature / mm) of the set temperature program at the time of correction. Is calculated by the relational expression (2).

【0046】図5および図6からわかるように、上記実
施形態における方法では、従来に比べて引上速度のばら
つきが抑えられているのがわかる。特に、設定引上速度
の傾きが大きい領域において、従来では大きく引上速度
が変動しているのに対し、上記実施形態による方法で
は、設定引上速度近傍に安定した引上速度が得られてい
る。なお、図2の(a)(c)に示すように、引上速度
やルツボ回転数も引上長に応じて予めプログラムを設定
して変化させるので、温度プログラムの傾き(変化率)
以外の他のパラメータとして、上述したように、引上速
度の傾きやルツボ回転数を含めて、これらに応じて温度
補正量を求めてもよい。
As can be seen from FIGS. 5 and 6, in the method of the above embodiment, it is understood that the variation in the pulling speed is suppressed as compared with the conventional method. In particular, in a region where the inclination of the set pulling speed is large, the pulling speed fluctuates greatly in the related art, whereas in the method according to the embodiment, a stable pulling speed near the set pulling speed is obtained. I have. As shown in FIGS. 2A and 2C, since the pulling speed and the crucible rotation speed are also set and changed in advance according to the pulling length, the inclination (change rate) of the temperature program is changed.
As described above, the temperature correction amount may be obtained in accordance with these parameters, including the inclination of the pulling speed and the number of rotations of the crucible, as described above.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明の単結晶引上方法によれば、温度
補正工程において、温度補正量を半導体単結晶の引上長
とともに変化させる成長条件に応じて変えるので、引上
長に応じて異なる成長条件に温度補正量を対応させるこ
とができ、より高精度に速度変動を抑制して安定した引
上速度を得ることができる。
According to the single crystal pulling method of the present invention, in the temperature correcting step, the amount of temperature correction is changed in accordance with the growth conditions which change together with the pulling length of the semiconductor single crystal. The temperature correction amount can be made to correspond to different growth conditions, and the speed fluctuation can be suppressed with higher accuracy to obtain a stable pulling speed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係る単結晶引上方法の第1実施形態
を実施するための単結晶引上装置示す全体断面図であ
る。
FIG. 1 is an overall sectional view showing a single crystal pulling apparatus for carrying out a first embodiment of a single crystal pulling method according to the present invention.

【図2】 本発明に係る単結晶引上方法の第1実施形態
における引上長に対する引上速度、温度およびルツボ回
転数の設定プログラムを示すグラフ図である。
FIG. 2 is a graph showing a program for setting a pulling speed, a temperature, and a crucible rotation speed with respect to a pulling length in the single crystal pulling method according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明に係る単結晶引上方法の第1実施形態
における温度補正の動作を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing a temperature correction operation in the single crystal pulling method according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 本発明に係る単結晶引上方法の第2実施形態
における温度補正の動作を示すフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing an operation of temperature correction in a single crystal pulling method according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 本発明に係る単結晶引上方法の従来例におけ
る引上長に対する実測引上速度を示すグラフ図である。
FIG. 5 is a graph showing a measured pulling speed with respect to a pulling length in a conventional example of a single crystal pulling method according to the present invention.

【図6】 本発明に係る単結晶引上方法の第1実施形態
における引上長に対する実測引上速度を示すグラフ図で
ある。
FIG. 6 is a graph showing an actually measured pulling speed with respect to a pulling length in the first embodiment of the single crystal pulling method according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4 ルツボ 12 制御部 C 半導体単結晶 d 速度ずれ率 D 速度ずれ量 L 半導体融液 4 Crucible 12 Control part C Semiconductor single crystal d Speed deviation rate D Speed deviation L Semiconductor melt

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G077 AA02 BA04 CF00 EG02 EH07 EH09 HA12 PF34 PF35 5F053 AA12 AA13 BB04 BB08 DD01 DD03 FF04 GG01 HH04 RR01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4G077 AA02 BA04 CF00 EG02 EH07 EH09 HA12 PF34 PF35 5F053 AA12 AA13 BB04 BB08 DD01 DD03 FF04 GG01 HH04 RR01

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ルツボ内の半導体融液から半導体単結晶
を引き上げる単結晶引上方法であって、 設定していた引上速度に対する実際の引上速度の比率を
速度ずれ率として検出する速度ずれ率検出工程と、 予め設定された前記半導体融液の温度を前記速度ずれ率
に応じて異なる温度補正量で補正する温度補正工程とを
備え、 該温度補正工程は、前記温度補正量を前記半導体単結晶
の引上長とともに変化させる成長条件に応じて変えるこ
とを特徴とする単結晶引上方法。
1. A single crystal pulling method for pulling a semiconductor single crystal from a semiconductor melt in a crucible, wherein a speed shift detecting a ratio of an actual pulling speed to a set pulling speed as a speed shift rate. A rate detecting step, and a temperature correcting step of correcting a preset temperature of the semiconductor melt with a different temperature correcting amount according to the speed deviation rate. The temperature correcting step includes: A method for pulling a single crystal, wherein the method is changed in accordance with a growth condition that changes with the pulling length of the single crystal.
【請求項2】 ルツボ内の半導体融液から半導体単結晶
を引き上げる単結晶引上方法であって、 設定していた引上速度と実際の引上速度との差を速度ず
れ量として検出する速度ずれ量検出工程と、 予め設定された前記半導体融液の温度を前記速度ずれ量
に応じて異なる温度補正量で補正する温度補正工程とを
備え、 該温度補正工程は、前記温度補正量を前記半導体単結晶
の引上長とともに変化させる成長条件に応じて変えるこ
とを特徴とする単結晶引上方法。
2. A single crystal pulling method for pulling a semiconductor single crystal from a semiconductor melt in a crucible, wherein a speed between a set pulling speed and an actual pulling speed is detected as a speed shift amount. A shift amount detecting step, and a temperature correcting step of correcting a preset temperature of the semiconductor melt with a different temperature correcting amount according to the speed shift amount, wherein the temperature correcting step includes: A method for pulling a single crystal, wherein the method is changed in accordance with a growth condition that changes with the pulling length of a semiconductor single crystal.
【請求項3】 請求項1または2記載の単結晶引上方法
において、 前記成長条件は、前記温度の変化率、前記引上速度の変
化率または前記ルツボの回転数の少なくとも一つである
ことを特徴とする単結晶引上方法。
3. The single crystal pulling method according to claim 1, wherein the growth condition is at least one of the rate of change of the temperature, the rate of change of the pulling speed, and the number of rotations of the crucible. A method for pulling a single crystal.
【請求項4】 請求項1から3のいずれかに記載の単結
晶引上方法において、 前記温度補正工程は、前記引上長を複数の領域に分け、
これらの領域毎に前記成長条件に応じた前記温度補正量
を予め決定しておくことを特徴とする単結晶引上方法。
4. The single crystal pulling method according to claim 1, wherein the temperature correcting step divides the pulling length into a plurality of regions,
A single crystal pulling method, wherein the temperature correction amount according to the growth condition is determined in advance for each of these regions.
【請求項5】 請求項1から4のいずれかに記載の単結
晶引上方法において、前記温度補正工程は、予め設定し
たサイクル時間毎に前記補正を行い、 前記サイクル時間を前記半導体単結晶の引上長に応じて
変えることを特徴とする単結晶引上方法。
5. The single crystal pulling method according to claim 1, wherein the temperature correction step performs the correction at every preset cycle time, and the cycle time of the semiconductor single crystal is adjusted. A single crystal pulling method characterized by changing according to a pulling length.
【請求項6】 請求項5記載の単結晶引上方法におい
て、 前記温度補正工程は、複数の異なる前記サイクル時間を
同時に設定していることを特徴とする単結晶引上方法。
6. The single crystal pulling method according to claim 5, wherein in the temperature correction step, a plurality of different cycle times are set at the same time.
【請求項7】 請求項5または6記載の単結晶引上方法
において、 前記サイクル時間内に一定のサンプリング時間で繰り返
し測定された引上速度の平均を前記実際の引上速度とし
て用いることを特徴とする単結晶引上方法。
7. The single crystal pulling method according to claim 5, wherein an average of pulling speeds repeatedly measured at a constant sampling time within the cycle time is used as the actual pulling speed. Single crystal pulling method.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1881093A2 (en) 2006-02-21 2008-01-23 Sumco Corporation Silicon single crystal wafer for IGBT and method for manufacturing silicon single crystal wafer for IGBT
US7629054B2 (en) 2006-01-19 2009-12-08 Sumco Corporation Single crystal silicon wafer for insulated gate bipolar transistors
US7846252B2 (en) 2005-06-09 2010-12-07 Sumco Corporation Silicon wafer for IGBT and method for producing same
US8460463B2 (en) 2008-08-28 2013-06-11 Sumco Corporation Silicon wafer and method for producing the same
JP2016079049A (en) * 2014-10-10 2016-05-16 三菱マテリアルテクノ株式会社 Draw-up device of single crystal silicon, and draw-up method of single crystal silicon
JP2017024980A (en) * 2016-07-25 2017-02-02 株式会社Sumco Method for manufacturing silicon single crystal
CN115125611A (en) * 2022-06-28 2022-09-30 晶科能源股份有限公司 Intelligent crystal pulling process method

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7846252B2 (en) 2005-06-09 2010-12-07 Sumco Corporation Silicon wafer for IGBT and method for producing same
US7629054B2 (en) 2006-01-19 2009-12-08 Sumco Corporation Single crystal silicon wafer for insulated gate bipolar transistors
US8105436B2 (en) 2006-01-19 2012-01-31 Sumco Corporation Single crystal silicon wafer for insulated gate bipolar transistors and process for producing the same
EP1881093A2 (en) 2006-02-21 2008-01-23 Sumco Corporation Silicon single crystal wafer for IGBT and method for manufacturing silicon single crystal wafer for IGBT
US8617311B2 (en) 2006-02-21 2013-12-31 Sumco Corporation Silicon single crystal wafer for IGBT and method for manufacturing silicon single crystal wafer for IGBT
US8460463B2 (en) 2008-08-28 2013-06-11 Sumco Corporation Silicon wafer and method for producing the same
JP2016079049A (en) * 2014-10-10 2016-05-16 三菱マテリアルテクノ株式会社 Draw-up device of single crystal silicon, and draw-up method of single crystal silicon
JP2017024980A (en) * 2016-07-25 2017-02-02 株式会社Sumco Method for manufacturing silicon single crystal
CN115125611A (en) * 2022-06-28 2022-09-30 晶科能源股份有限公司 Intelligent crystal pulling process method
CN115125611B (en) * 2022-06-28 2023-09-05 晶科能源股份有限公司 Intelligent crystal pulling process method

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