JP2001144552A - Burst mode optical reception system and method - Google Patents

Burst mode optical reception system and method

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JP2001144552A
JP2001144552A JP32038699A JP32038699A JP2001144552A JP 2001144552 A JP2001144552 A JP 2001144552A JP 32038699 A JP32038699 A JP 32038699A JP 32038699 A JP32038699 A JP 32038699A JP 2001144552 A JP2001144552 A JP 2001144552A
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flip
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Shigesane Noguchi
栄実 野口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a burst mode optical reception system that has reduced waveform distortion and enhances reception capability with respect to an extinction ratio. SOLUTION: The burst mode optical reception system that receives a burst mode optical signal and converts it into an electric signal, is provided with an amplifier 3 that has a feedback variable resistor 101, receives a current signal resulting from photoelectric conversion by a light receiving element and amplifies linearly the current signal, with a nonlinear element 102 that allows the amplifier to act nonlinear amplification and with a feedback resistor control section 14 that allows the amplifier to act nonlinear amplification, monitors input signal strength on the basis of a level of an output signal of the amplifier and controls the feedback variable resistor corresponding to the monitored input signal strength to allow the amplifier to act linear amplification.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はバーストモード光受信シ
ステムに関する。特に、本発明は、入力信号強度に応じ
て利得を可変することにより入力ダイナミックレンジの
拡大を可能にし、消光比の悪い信号にも対応可能なバー
ストモード光受信システム及び方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a burst mode optical receiving system. In particular, the present invention relates to a burst mode optical receiving system and method capable of expanding an input dynamic range by changing a gain according to an input signal strength and capable of coping with a signal having a low extinction ratio.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、PON(Passive Opt
ical Network)システムと呼ばれる方法が
考案されている。このPONシステムでは、光加入者伝
送システムの実現に向けた低コスト化の手段として、局
側から敷設された1本の光ファイバをカプラにより複数
の加入者に分岐して1対nのマルチ・ポイント接続を実
現する。
2. Description of the Related Art In recent years, PON (Passive Opt) has been developed.
A method referred to as an "ical Network" system has been devised. In this PON system, one optical fiber laid from the station side is branched to a plurality of subscribers by a coupler to reduce the cost to implement an optical subscriber transmission system. Realize point connection.

【0003】さらに、このPONシステムでは、加入者
から局への信号はTDMA(Time Divisio
n Multiple Access)と呼ばれる時分
割方式により多重される。このため、局側の受信機で
は、加入者毎に、信号強度が急変するバーストモード光
信号を受信しなければならない。すなわち、微弱な信号
から大信号にわたる幅広い信号強度に対し、受信可能で
なければならない。
Further, in this PON system, a signal from a subscriber to a station is transmitted by a TDMA (Time Division).
n Multiple Access). For this reason, the station-side receiver must receive a burst mode optical signal in which the signal strength changes suddenly for each subscriber. That is, it must be able to receive a wide range of signal strengths from weak signals to large signals.

【0004】ところで、局側の受信機の一般的な光受信
機の入力段には、特開平9−8563号公報に開示され
るトランスインピーダンス型のプリアンプ回路が設けら
れる。図9は本発明の前提となるバーストモード光受信
システムのトランスインピーダンス型のプリアンプ回路
を示す図である。なお、全図を通して同一の構成要素に
は同一の符号、番号を付して説明を行う。
Meanwhile, a transimpedance type preamplifier circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-8563 is provided at an input stage of a general optical receiver of a station side receiver. FIG. 9 is a diagram showing a transimpedance type preamplifier circuit of a burst mode optical receiving system as a premise of the present invention. Note that the same components are denoted by the same reference numerals and numbers throughout the drawings and will be described.

【0005】本図に示すように、バーストモード光受信
システムのトランスインピーダンス型のプリアンプ回路
における入力端子2、出力端子15の間に増幅器3が設
けられる。入力端子2には受光素子1が接続され、受光
素子1は光・電気変換により光信号を電流信号に変換す
る。
As shown in FIG. 1, an amplifier 3 is provided between an input terminal 2 and an output terminal 15 in a transimpedance type preamplifier circuit of a burst mode optical receiving system. The light receiving element 1 is connected to the input terminal 2, and the light receiving element 1 converts an optical signal into a current signal by optical-electrical conversion.

【0006】トランスインピーダンス型のプリアンプ回
路は、受光素子1の電流信号を電圧信号に変換し増幅す
る。増幅器3に高利得用帰還抵抗4が並列に接続され、
高利得用帰還抵抗4は、微弱信号を高利得で増幅するた
めに用いられる。
[0006] The transimpedance type preamplifier circuit converts a current signal of the light receiving element 1 into a voltage signal and amplifies it. A high-gain feedback resistor 4 is connected in parallel with the amplifier 3,
The high-gain feedback resistor 4 is used to amplify a weak signal with a high gain.

【0007】さらに、増幅器3には大入力保護用ダイオ
ード47が並列に接続され、大入力保護用ダイオード4
7は大信号時にプリアンプの出力ダイナミックレンジを
越えて回路が飽和するのを防ぐために用いられる。受光
素子1により光−電流変換された信号はプリアンプの高
利得用帰還抵抗4により電圧信号へと変換されるととも
に、増幅される。
Further, a large input protection diode 47 is connected to the amplifier 3 in parallel.
Reference numeral 7 is used to prevent the circuit from saturating beyond the output dynamic range of the preamplifier when the signal is large. The light-current converted signal by the light receiving element 1 is converted into a voltage signal by the high-gain feedback resistor 4 of the preamplifier and amplified.

【0008】図10は図9のプリアンプの動作波形を示
す図である。本図に示すように、入力信号が小さい場合
には、高利得用帰還抵抗4による高いトランスインピー
ダンス利得により信号が線形に増幅され最小受光感度が
上げられる。入力信号が大きい場合には、大入力保護用
ダイオード47は導通し出力電圧をクランプするためプ
リアンプの飽和を防止し、最大受光レベルを拡大する。
FIG. 10 is a diagram showing operation waveforms of the preamplifier of FIG. As shown in the figure, when the input signal is small, the signal is linearly amplified by the high transimpedance gain by the high-gain feedback resistor 4, and the minimum light receiving sensitivity is increased. When the input signal is large, the large input protection diode 47 conducts to clamp the output voltage, thereby preventing saturation of the preamplifier and increasing the maximum light receiving level.

【0009】[0009]

【発明が解決しょうとする課題】しかしながら、上記ト
ランスインピーダンス型プリアンプでは、大入力時には
大入力保護用ダイオード47により非線形な対数アンプ
特性となるため波形歪が大きくなり、信号のデューティ
(DUTY)比が劣化するという問題がある。
However, in the above transimpedance preamplifier, when the input is large, the non-linear logarithmic amplifier characteristic is obtained by the large input protection diode 47, so that the waveform distortion becomes large and the signal duty (DUTY) ratio is reduced. There is a problem of deterioration.

【0010】図11は大入力時に光信号にDC(直流)
バイアス光がある例を示す図である。本図に示すよう
に、大入力時に光信号にDC(直流成分)バイアス光が
ある場合、すなわち、消光比が悪い信号を受信すると、
信号の「0」レベルが下がり、事実上の信号振幅が小さ
くなっていく。消光比が悪くなるにつれて、「0」レベ
ルは「1」のレベルに近づいていき、ついには信号が消
滅する。
FIG. 11 shows that a DC (direct current) is applied to an optical signal at the time of a large input.
It is a figure showing an example with a bias light. As shown in the figure, when there is a DC (direct current component) bias light in the optical signal at the time of large input, that is, when a signal having a bad extinction ratio is received,
The “0” level of the signal decreases, and the effective signal amplitude decreases. As the extinction ratio worsens, the “0” level approaches the “1” level, and finally the signal disappears.

【0011】以上説明したように、従来の大入力保護回
路は、波形歪が大きく消光比に対する受信能力が低いと
いう問題がある。したがって、本発明は上記問題点に鑑
みて、入力信号強度に応じて利得を可変することにより
入力ダイナミックレンジの拡大が可能になり、ダイナミ
ックレンジ内で消光比の悪い信号にも対応が可能になる
トランスインピーダンス型プリアンプ回路を有するバー
ストモード光受信システム及び方法を提供することを目
的とする。
As described above, the conventional large input protection circuit has a problem that the waveform distortion is large and the receiving ability with respect to the extinction ratio is low. Therefore, in view of the above problems, the present invention can expand the input dynamic range by changing the gain according to the input signal strength, and can cope with a signal having a poor extinction ratio within the dynamic range. An object of the present invention is to provide a burst mode optical receiving system and method having a transimpedance type preamplifier circuit.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は前記問題点を解
決するために、バーストモード光信号を受信し電気信号
に変換するバーストモード光受信システムにおいて、帰
還可変抵抗を有し、受光素子により光・電気変換された
電流信号を入力し線形に増幅する増幅器と、前記増幅器
に非線形の増幅を行わせるための非線形素子と、前記増
幅器に非線形の増幅を行わせて前記増幅器の出力信号の
レベルを基に入力信号強度を監視し、監視された入力信
号強度に対応して前記帰還可変抵抗を制御して前記増幅
器に線形の増幅を行わせる帰還抵抗制御部とを備えるこ
とを特徴とするバーストモード光受信システムを提供す
る。この手段により、入力信号強度に応じて利得を可変
することにより入力ダイナミックレンジの拡大が可能に
なり、ダイナミックレンジ内で線形増幅することにより
消光比の悪い信号にも対応が可能になるトランスインピ
ーダンス型プリアンプ回路を形成することが可能にな
る。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a burst mode optical receiving system for receiving a burst mode optical signal and converting the signal into an electric signal. An amplifier for inputting and linearly amplifying a current signal converted from light to electricity, a non-linear element for causing the amplifier to perform non-linear amplification, and a level of an output signal of the amplifier for causing the amplifier to perform non-linear amplification And a feedback resistance control unit that controls the feedback variable resistor according to the monitored input signal strength to cause the amplifier to perform linear amplification. A mode optical receiving system is provided. By this means, the input dynamic range can be expanded by changing the gain according to the input signal strength, and a transimpedance type that can cope with a signal with a poor extinction ratio by linearly amplifying within the dynamic range A preamplifier circuit can be formed.

【0013】好ましくは、前記帰還抵抗制御部は、前記
増幅器の出力信号のレベルを基に入力信号強度を監視す
る場合には前記帰還可変抵抗を大きくして小信号レベル
範囲では線形に動作し、小信号レベルを超える範囲では
前記非線形素子により非線形の増幅を行い、信号のダイ
ナミックレンジを圧縮する。この手段により、増幅器の
出力信号のレベルを基に入力信号強度の監視時には小信
号レベルの信号の線形増幅を同時に可能にする。
Preferably, the feedback resistance control unit operates linearly in a small signal level range by increasing the feedback variable resistance when monitoring the input signal strength based on the level of the output signal of the amplifier, In the range exceeding the small signal level, nonlinear amplification is performed by the nonlinear element to compress the dynamic range of the signal. By this means, when monitoring the input signal strength based on the level of the output signal of the amplifier, it is possible to simultaneously perform linear amplification of the signal of the small signal level.

【0014】好ましくは、前記帰還抵抗制御部は、前記
出力信号に関する先頭ビット「1」のレベルの大きさに
より前記出力信号のレベルを基に入力信号強度を監視す
る。この手段により、信号の先頭ビット「1」の期間で
は非線形増幅動作モードで動作し、入力信号強度を検出
すると同時に適切な帰還抵抗値を選択し、プリアンプ回
路のトランスインピーダンス利得を切換え、加入者毎に
信号強度が急変するバースト信号の受信に高速な対応が
可能になる。
Preferably, the feedback resistance control section monitors an input signal strength based on a level of the output signal based on a level of a leading bit “1” of the output signal. By this means, in the period of the first bit "1" of the signal, the amplifier operates in the non-linear amplification operation mode, detects the input signal strength, selects an appropriate feedback resistance value, switches the transimpedance gain of the preamplifier circuit, and Thus, a high-speed response to the reception of a burst signal whose signal strength changes suddenly becomes possible.

【0015】好ましくは、前記帰還抵抗制御部は、前記
増幅器の直流伝達特性により、前記増幅器の出力信号の
レベルを基に入力信号強度に対応して前記増幅器から非
線形素子を切り離し前記帰還可変抵抗の大きさを決定し
て線形増幅動作を確保する。この手段により、非線形増
幅動作モードから線形増幅動作モードへの切換が容易に
なる。
Preferably, the feedback resistance control section disconnects a nonlinear element from the amplifier in accordance with an input signal strength based on a level of an output signal of the amplifier based on a DC transfer characteristic of the amplifier. The size is determined to ensure a linear amplification operation. By this means, switching from the non-linear amplification operation mode to the linear amplification operation mode becomes easy.

【0016】好ましくは、前記帰還抵抗制御部は、前記
増幅器に非線形素子を並列接続したままで、前記増幅器
の直流伝達特性により、前記増幅器の出力信号のレベル
を基に入力信号強度に対応して前記帰還可変抵抗の大き
さを決定して線形増幅動作を確保する。この手段によ
り、非線形増幅動作モードから線形増幅動作モードへの
切換時間の非線形素子の切り離しが不要になる。
[0016] Preferably, the feedback resistance control unit, based on a DC transfer characteristic of the amplifier, corresponds to an input signal strength based on a level of an output signal of the amplifier while a nonlinear element is connected in parallel to the amplifier. The magnitude of the feedback variable resistor is determined to ensure a linear amplification operation. By this means, there is no need to disconnect the nonlinear element during the switching time from the nonlinear amplification operation mode to the linear amplification operation mode.

【0017】好ましくは、前記帰還可変抵抗は、前記増
幅器が有する高利得用帰還抵抗と、前記増幅器に接続可
能な中利得用帰還抵抗と、前記増幅器に接続可能な低利
得用帰還抵抗とからなり、前記帰還抵抗制御部は、前記
増幅器の出力信号の先頭ビット「1」で小、中、大信号
レベルをそれぞれ識別し、識別時に立ち上がり信号を出
力し、次ビット「0」で立ち下がり信号を出力する2つ
のコンパレータと、前記コンパレータの立ち上がり信号
をそれぞれ保持する第1の2つのD−フリップフロップ
と、前記コンパレータの立ち下がり信号をそれぞれ保持
する第2の2つのD−フリップフロップと、前記第2の
D−フリップフロップにそれぞれ接続され、前記コンパ
レータの少なくとも1つの立ち下がりで、利得切換えタ
イミングを形成し、前記非線形素子を前記増幅器から切
り離すOR回路と、前記第1のD−フリップフロップに
それぞれ接続され、前記OR回路の利得切換えタイミン
グで前記増幅器に前記中利得用帰還抵抗、前記低利得用
帰還抵抗を接続するように、前記第1のD−フリップフ
ロップの出力を保持する第3の2つのD−フリップフロ
ップとからなる。
Preferably, the feedback variable resistor includes a high-gain feedback resistor of the amplifier, a medium-gain feedback resistor connectable to the amplifier, and a low-gain feedback resistor connectable to the amplifier. The feedback resistance control unit identifies low, medium, and large signal levels by the first bit “1” of the output signal of the amplifier, outputs a rising signal at the time of identification, and outputs a falling signal by the next bit “0”. Two comparators for outputting, a first two D-flip-flops each holding a rising signal of the comparator, a second two D-flip-flops each holding a falling signal of the comparator, 2 D-flip-flops, and at least one falling edge of the comparator forms a gain switching timing. The medium-gain feedback resistor and the low-gain feedback resistor are connected to an OR circuit that disconnects the non-linear element from the amplifier and the first D-flip-flop, respectively, at the gain switching timing of the OR circuit. And three third D-flip-flops that hold the output of the first D-flip-flop so as to be connected.

【0018】この手段により、具体的に増幅器の出力信
号の小、中、大レベルを基に入力信号強度に応じてそれ
ぞれ、高利得、中利得、低利得で線形の増幅が可能にな
る。好ましくは、前記帰還可変抵抗は、前記増幅器が有
する高利得用帰還抵抗と、前記増幅器に接続可能な複数
の利得用帰還抵抗と、前記帰還抵抗制御部は、前記増幅
器の出力信号の先頭ビット「1」で小から大の複数の信
号レベルをそれぞれ識別し、識別時に立ち上がり信号を
出力し、次ビット「0」で立ち下がり信号を出力する複
数のコンパレータと、前記コンパレータの立ち上がり信
号をそれぞれ保持する第1の複数のD−フリップフロッ
プと、前記コンパレータの立ち下がり信号をそれぞれ保
持する第2の複数のD−フリップフロップと、前記第2
のD−フリップフロップにそれぞれ接続され、前記コン
パレータの少なくとも1つの立ち下がりで、利得切換え
タイミングを形成し、前記非線形素子を前記増幅器から
切り離すOR回路と、前記第1のD−フリップフロップ
にそれぞれ接続され、前記OR回路の利得切換えタイミ
ングで前記増幅器に前記複数の利得用帰還抵抗を接続す
るように、前記第1のD−フリップフロップの出力を保
持する第3の複数のD−フリップフロップとからなる。
By this means, high-, medium-, and low-gain linear amplification can be performed according to the input signal strength based on the small, medium, and large levels of the output signal of the amplifier. Preferably, the feedback variable resistor is a high-gain feedback resistor included in the amplifier, a plurality of gain feedback resistors connectable to the amplifier, and the feedback resistance control unit includes a first bit “ A plurality of signal levels from small to large are identified by "1", a rising signal is output at the time of identification, and a plurality of comparators that output a falling signal by the next bit "0", and hold the rising signal of the comparator, respectively. A first plurality of D-flip-flops; a second plurality of D-flip-flops each holding a falling signal of the comparator;
And an OR circuit for forming a gain switching timing at the falling edge of at least one of the comparators and disconnecting the non-linear element from the amplifier, and a D-flip-flop connected to the first D-flip-flop, respectively. And a third plurality of D-flip-flops that hold the output of the first D-flip-flop so that the plurality of gain feedback resistors are connected to the amplifier at a gain switching timing of the OR circuit. Become.

【0019】この手段により、複数段の構成にすること
により、さらに、出力信号のダイナミックレンジが圧縮
され、次段以降の回路ブロックの必要なダイナミックレ
ンジを小さく抑えることができる。このため、次段以降
の回路設計を容易にすることができる。この回路構成を
用いれば、利得切換えの段数を増やしても、切換えに要
する時間は3段の時と同様に、先頭ビットのみで利得切
換えが可能である。
By employing this means, the dynamic range of the output signal is further compressed by employing a multi-stage configuration, and the required dynamic range of the circuit blocks of the next and subsequent stages can be reduced. For this reason, the circuit design of the subsequent stages can be facilitated. With this circuit configuration, even if the number of stages of gain switching is increased, the time required for switching can be switched by only the first bit, as in the case of three stages.

【0020】好ましくは、前記非線形素子はMOSトラ
ンジスタの自乗特性を利用する素子であり、さらに、好
ましくは、前記MOSトランジスタのゲートにバイアス
電圧を与え、自乗特性を形成する。この手段により、非
線形増幅動作モード時における増幅器の出力信号の監視
が可能になる。
Preferably, the non-linear element is an element utilizing a square characteristic of a MOS transistor, and more preferably, a bias voltage is applied to a gate of the MOS transistor to form a square characteristic. By this means, it becomes possible to monitor the output signal of the amplifier in the non-linear amplification operation mode.

【0021】好ましくは、前記非線形素子はバイポーラ
トランジスタの対数特性を利用する素子であり、さら
に、好ましくは、前記非線形素子はダイオードの非直線
性を利用する素子である。この手段により、MOSトラ
ンジスタは前記非線形素子の一例であり、これに限定さ
れず、非線形素子の適用範囲が広がる。
Preferably, the non-linear element is an element utilizing the logarithmic characteristic of a bipolar transistor, and more preferably, the non-linear element is an element utilizing non-linearity of a diode. By this means, the MOS transistor is an example of the non-linear element, and is not limited to this, and the application range of the non-linear element is widened.

【0022】さらに、本発明は、バーストモード光信号
を受信し電気信号に変換するバーストモード光受信方法
において、帰還可変抵抗を介して、受光素子により光・
電気変換された電流信号を入力し線形に増幅する工程
と、非線形の増幅を行わせる工程と、非線形に増幅され
る出力信号のレベルを基に入力信号強度を監視し、監視
された入力信号強度に対応して前記帰還可変抵抗の大き
さを制御して線形の増幅を行う工程とを備えることを特
徴とするバーストモード光受信方法を提供する。
Further, according to the present invention, in a burst mode optical receiving method for receiving a burst mode optical signal and converting the signal into an electric signal, an optical signal is received by a light receiving element via a feedback variable resistor.
A step of inputting the converted electric signal and amplifying it linearly, a step of performing non-linear amplification, and monitoring the input signal strength based on the level of the output signal which is non-linearly amplified, and monitoring the monitored input signal strength Controlling the magnitude of the feedback variable resistor to perform linear amplification in accordance with the method (1).

【0023】この手段により、上記発明と同様に、入力
信号強度に応じて利得を可変することにより入力ダイナ
ミックレンジの拡大が可能になり、ダイナミックレンジ
内で線形増幅することにより消光比の悪い信号にも対応
が可能になるトランスインピーダンス型プリアンプ回路
を形成することが可能になる。
By this means, the input dynamic range can be expanded by varying the gain according to the input signal strength, and the signal can be reduced to a signal having a poor extinction ratio by linearly amplifying the dynamic range within the dynamic range, similarly to the above-mentioned invention. It is possible to form a transimpedance type preamplifier circuit that can cope with the above.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明に係るバース
トモード光受信システムの概略構成を示すブロック図で
ある。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a burst mode optical receiving system according to the present invention.

【0025】本図に示すように、バーストモード光受信
システムのトランスインピーダンス型のプリアンプ回路
では、図9と比較して、高利得用帰還抵抗4に線形動作
モード時利得可変用抵抗101が並列に接続され、大入
力保護用ダイオード47に代わり、非線形動作モード時
非線形素子102が設けられ、さらに、帰還抵抗選択回
路14が設けられる。
As shown in this figure, in the trans-impedance type preamplifier circuit of the burst mode optical receiving system, the variable gain resistor 101 in the linear operation mode is connected in parallel to the high gain feedback resistor 4 as compared with FIG. A non-linear element 102 in the non-linear operation mode is provided in place of the large input protection diode 47, and the feedback resistance selection circuit 14 is further provided.

【0026】帰還抵抗選択回路14は線形動作モード時
利得可変用抵抗101、非線形動作モード時非線形素子
102の動作を制御する。本発明のトランスインピーダ
ンスプリアンプ回路により、バースト信号に対応するた
めに、入力信号強度に応じて帰還抵抗を切換え、利得を
可変させることにより、幅広い入力ダイナミックレンジ
が実現される。
The feedback resistor selection circuit 14 controls the operation of the variable gain resistor 101 in the linear operation mode and the operation of the nonlinear element 102 in the non-linear operation mode. With the transimpedance preamplifier circuit of the present invention, a wide input dynamic range is realized by switching a feedback resistor according to an input signal strength and varying a gain in order to cope with a burst signal.

【0027】さらに、その入力ダイナミックレンジ内で
線形増幅を行うことにより、波形歪が少なく消光比の悪
い入力信号にも対応したプリアンプ回路をが実現され
る。線形動作モード時利得可変用抵抗101には、直列
に接続される帰還抵抗選択スイッチ7と中利得用帰還抵
抗5、直列に接続される帰還抵抗選択スイッチ8と低利
得用帰還抵抗6が設けられ、スイッチ7と中利得用帰還
抵抗5、スイッチ8と低利得用帰還抵抗6は、高利得用
帰還抵抗4に並列にそれぞれ接続される。
Further, by performing linear amplification within the input dynamic range, a preamplifier circuit which can cope with an input signal having a small waveform distortion and a low extinction ratio is realized. The gain variable resistor 101 in the linear operation mode includes a feedback resistor selection switch 7 and a medium gain feedback resistor 5 connected in series, and a feedback resistor selection switch 8 and a low gain feedback resistor 6 connected in series. , Switch 7 and feedback resistor 5 for medium gain, and switch 8 and feedback resistor 6 for low gain are connected in parallel to feedback resistor 4 for high gain.

【0028】この線形動作モード時利得可変用抵抗10
1により、プリアンプ回路のトランスインピーダンス利
得が可変になる。さらに、非線形動作モード時非線形素
子102には、直列に接続されるスイッチ10と非線形
素子9が設けられ、非線形素子選択スイッチ10と非線
形素子9は高利得用帰還抵抗4に並列に接続される。
The variable gain resistor 10 in the linear operation mode
1 makes the transimpedance gain of the preamplifier circuit variable. Further, the nonlinear element 102 in the nonlinear operation mode is provided with a switch 10 and a nonlinear element 9 connected in series, and the nonlinear element selection switch 10 and the nonlinear element 9 are connected in parallel to the high-gain feedback resistor 4.

【0029】非線形動作モード時非線形素子102によ
り、信号を非線形に増幅し、信号ダイナミックレンジの
圧縮が可能になる。帰還抵抗選択回路14は、増幅器3
の出力を入力し、この出力を監視して、線路11、1
2、13を介してスイッチ7、8、10の開閉をそれぞ
れ制御する。
In the non-linear operation mode, the non-linear element 102 non-linearly amplifies the signal, thereby enabling the compression of the signal dynamic range. The feedback resistor selection circuit 14 includes the amplifier 3
, And monitor this output, and
Opening and closing of the switches 7, 8, and 10 are controlled via the switches 2 and 13, respectively.

【0030】帰還抵抗選択回路14により入力信号強度
に応じて適切な帰還抵抗を選択することが可能になる。
また、プリアンプ回路の動作としては、入力信号強度の
検出を行う非線形増幅動作モードと、通常の信号増幅を
行う線形増幅動作モードの2つの動作状態が存在する。
The feedback resistor selection circuit 14 makes it possible to select an appropriate feedback resistor according to the input signal strength.
The operation of the preamplifier circuit includes two operation states: a non-linear amplification operation mode for detecting input signal strength, and a linear amplification operation mode for normal signal amplification.

【0031】信号の先頭ビット「1」の期間では非線形
増幅動作モードで動作し、入力信号強度を検出すると同
時に適切な帰還抵抗値を選択し、プリアンプ回路のトラ
ンスインピーダンス利得を切換える。加入者毎に信号強
度が急変するバースト信号の受信に対応が可能になる。
利得切換えが終了した時点で、非線形増幅動作モードか
ら線形増幅動作モードに切換え、通常の信号増幅が行わ
れる。
In the period of the first bit "1" of the signal, the circuit operates in the non-linear amplification operation mode, detects an input signal strength, selects an appropriate feedback resistance value, and switches the transimpedance gain of the preamplifier circuit. It is possible to cope with the reception of a burst signal in which the signal strength changes suddenly for each subscriber.
When the gain switching is completed, the mode is switched from the non-linear amplification operation mode to the linear amplification operation mode, and normal signal amplification is performed.

【0032】入力信号強度の検出は、非線型素子9の自
乗特性又は対数特性を利用した非線形増幅を行うことに
より、信号のダイナミックレンジの圧縮を図り検出可能
範囲を拡大することを可能にする。このように非線形増
幅を行うことにより先頭1ビットのみを利用して小信号
から大信号までの入力信号強度を検出することができる
ため、高速な利得切換えが可能となる。
The input signal strength is detected by performing nonlinear amplification using the square characteristic or logarithmic characteristic of the nonlinear element 9, thereby compressing the dynamic range of the signal and expanding the detectable range. By performing non-linear amplification in this way, it is possible to detect the input signal strength from a small signal to a large signal using only the first bit, so that high-speed gain switching is possible.

【0033】なお、図1において、帰還抵抗選択スイッ
チ7、帰還抵抗選択スイッチ8、非線形素子選択スイッ
チ10が開である場合、プリアンプ回路のトランスイン
ピーダンス利得は、 −A・R4/A+1 で定義される。ここに、−Aは増幅器3の増幅度であ
り、R4は高利得用帰還抵抗4の抵抗値である。また、
A>>1という条件下では上記のトランスインピーダン
ス利得は、 −R4 で近似できる。
In FIG. 1, when the feedback resistance selection switch 7, the feedback resistance selection switch 8, and the nonlinear element selection switch 10 are open, the transimpedance gain of the preamplifier circuit is defined by -A.R4 / A + 1. . Here, -A is the amplification degree of the amplifier 3, and R4 is the resistance value of the high-gain feedback resistor 4. Also,
Under the condition of A >> 1, the above transimpedance gain can be approximated by -R4.

【0034】図2は図1の構成の詳細例を説明する図で
ある。本図に示すように、線形動作時利得可変用抵抗1
01における帰還抵抗選択スイッチ7、帰還抵抗選択ス
イッチ8はMOS(Metal Oxide Semi
conductor)スイッチ16、17で構成され
る。非線形動作モード時非線形素子102の非線型素子
9、非線形素子選択スイッチ10はMOSトランジスタ
18で構成される。
FIG. 2 is a diagram for explaining a detailed example of the configuration of FIG. As shown in FIG.
01, the feedback resistance selection switch 7 and the feedback resistance selection switch 8 are MOS (Metal Oxide Semi)
and switches 16 and 17. In the non-linear operation mode, the non-linear element 9 of the non-linear element 102 and the non-linear element selection switch 10 are constituted by MOS transistors 18.

【0035】さらに、非線形動作モード時非線形素子1
02には、MOSトランジスタ18のゲート端子39に
ドレインが接続され、ソースが接地(GND)されるM
OSスイッチ36と、MOSトランジスタ18のゲート
端子39にソースが接続され、ドレインがバイアス電圧
38に接続されるMOSスイッチ37とが設けられ、M
OSスイッチ36のゲートが線路13に接続され、か
つ、MOSスイッチ37のゲートが反転器60を介して
線路13に接続される。
Further, in the nonlinear operation mode, the nonlinear element 1
02 has a drain connected to the gate terminal 39 of the MOS transistor 18 and a source M connected to the ground (GND).
An OS switch 36 and a MOS switch 37 whose source is connected to the gate terminal 39 of the MOS transistor 18 and whose drain is connected to the bias voltage 38 are provided.
The gate of the OS switch 36 is connected to the line 13, and the gate of the MOS switch 37 is connected to the line 13 via the inverter 60.

【0036】MOSスイッチ37はMOSトランジスタ
18のゲート39に適切なバイアス電圧18を与え、M
OSトランジスタ18の自乗特性を利用してプリアンプ
回路に後述する非線形なDC(直流)伝達特性を持たせ
る。MOSスイッチ36はMOSトランジスタ18をO
FFするためにゲート端子39をGNDレベルに落と
す。
The MOS switch 37 applies an appropriate bias voltage 18 to the gate 39 of the MOS transistor 18,
The preamplifier circuit is provided with a non-linear DC (direct current) transfer characteristic described later by utilizing the square characteristic of the OS transistor 18. MOS switch 36 sets MOS transistor 18 to O
The gate terminal 39 is dropped to the GND level to perform FF.

【0037】帰還抵抗選択回路14には、コンパレータ
19、20が設けられ、コンパレータ19、20は、増
幅器3の出力と中出力検出リファレンス電圧21、大信
号検出リファレンス電圧22をそれぞれ比較する。コン
パレータ19、20の出力にはD(遅延)−フリップフ
ロップ(FF)25、26がそれぞれ接続され、D−フ
リップフロップ25、26はコンパレータ19、20の
出力の立ち上がりをそれぞれ保持する。
The feedback resistor selection circuit 14 is provided with comparators 19 and 20, which compare the output of the amplifier 3 with the medium output detection reference voltage 21 and the large signal detection reference voltage 22, respectively. D (delay) -flip-flops (FF) 25 and 26 are connected to the outputs of the comparators 19 and 20, respectively, and the D-flip-flops 25 and 26 hold the rising edges of the outputs of the comparators 19 and 20, respectively.

【0038】さらに、コンパレータ19、20にはD−
フリップフロップ29、30がそれぞれ接続され、D−
フリップフロップ29、30はコンパレータ19、20
の出力の立ち下がりをそれぞれ保持する。D−フリップ
フロップ29、30の出力にOR回路33が接続され、
OR回路33は利得切換えタイミングを生成し、線路1
3を経由して、MOSスイッチ36のゲート、反転器6
0を介したMOSスイッチ37のゲートに出力する。
Further, the comparators 19 and 20 have D-
The flip-flops 29 and 30 are respectively connected, and D-
The flip-flops 29 and 30 are comparators 19 and 20
Hold the falling edge of the output. An OR circuit 33 is connected to the outputs of the D-flip-flops 29 and 30,
The OR circuit 33 generates a gain switching timing, and
3, the gate of the MOS switch 36 and the inverter 6
0 to the gate of the MOS switch 37.

【0039】D−フリップフロップ25、26の出力に
はD−フリップフロップ34、35がそれぞれ接続さ
れ、さらに、D−フリップフロップ34、35の出力に
は線形動作モード時利得可変用抵抗101のMOSスイ
ッチ16、17のゲートがそれぞれ接続される。D−フ
リップフロップ34、35はOR回路33の利得切換え
タイミングで帰還抵抗制御信号を生成し線路11、12
にそれぞれ出力する。
The outputs of the D-flip-flops 25 and 26 are connected to D-flip-flops 34 and 35, respectively, and the outputs of the D-flip-flops 34 and 35 are connected to the MOS of the variable gain resistor 101 in the linear operation mode. The gates of the switches 16 and 17 are connected respectively. The D-flip-flops 34 and 35 generate feedback resistance control signals at the timing of gain switching of the OR circuit 33, and
Respectively.

【0040】このような構成により、本発明のプリアン
プ回路には、入力出力強度の検出を行う非線形増幅動作
モード、利得切換えが完了した後に通常の信号増幅を行
う線形増幅動作モードの2つのモードが形成される。図
3は図2のプリアンプ回路のDC伝達特性を示す図であ
る。プリアンプ回路の入力と出力との間のDC直流伝達
特性は、本図に示すように、特性曲線40、41、4
2、43のような特性になる。
With such a configuration, the preamplifier circuit of the present invention has two modes: a non-linear amplification operation mode for detecting input / output intensity, and a linear amplification operation mode for performing normal signal amplification after gain switching is completed. It is formed. FIG. 3 is a diagram showing DC transfer characteristics of the preamplifier circuit of FIG. The DC-DC transfer characteristics between the input and output of the preamplifier circuit are represented by characteristic curves 40, 41, 4 as shown in FIG.
The characteristics are as shown in FIGS.

【0041】特性曲線40により入力信号を非線形に増
幅し入力ダイナミックレンジが実現される。特性曲線4
1、42、43により入力信号強度に応じて高利得、中
利得、低利得で線形に信号が増幅される。次に、非線形
増幅動作モードを得るための帰還抵抗選択回路14の動
作を説明する。
The input signal is non-linearly amplified by the characteristic curve 40 to realize an input dynamic range. Characteristic curve 4
Signals 1, 42, and 43 linearly amplify the signal with high, medium, and low gains according to the input signal strength. Next, the operation of the feedback resistor selection circuit 14 for obtaining the non-linear amplification operation mode will be described.

【0042】非線形増幅動作モードでは、プリアンプ回
路は、図3の特性曲線40に示すようなDC伝達特性を
有するように、小信号レベルに対しては高利得用帰還抵
抗4による線形増幅が行われ、中信号レベル、大信号レ
ベルに対しては、MOSトランジスタ18の自乗特性、
つまり、非線形特性を利用した非線形増幅が行われる。
ここで、帰還抵抗選択回路14はプリアンプ回路の増幅
器3の出力電圧を受け取り、増幅器3の出力の信号強度
を3段階で検出して帰還抵抗制御信号を生成し線路1
1、12に出力する。
In the non-linear amplification operation mode, the preamplifier circuit performs linear amplification by the high-gain feedback resistor 4 for a small signal level so as to have a DC transfer characteristic as shown by a characteristic curve 40 in FIG. , The middle signal level and the large signal level, the square characteristic of the MOS transistor 18;
That is, nonlinear amplification using nonlinear characteristics is performed.
Here, the feedback resistance selection circuit 14 receives the output voltage of the amplifier 3 of the preamplifier circuit, detects the signal strength of the output of the amplifier 3 in three stages, generates a feedback resistance control signal, and
1 and 12 are output.

【0043】入力出力強度を3段階で検出するために、
コンパレータ19、20では、増幅器3の出力電圧と、
中出力検出リファレンス電圧21、大信号検出リファレ
ンス電圧22とがそれぞれ比較され、信号強度の検出が
行われる。増幅器3の出力電圧が中出力検出リファレン
ス電圧21まで達しない信号に対しては、小信号レベル
と判断し、コンパレータ19、20は線路27、28に
Low、Low信号をそれぞれ出力する。
In order to detect the input / output intensity in three stages,
In the comparators 19 and 20, the output voltage of the amplifier 3 and
The medium output detection reference voltage 21 and the large signal detection reference voltage 22 are respectively compared to detect the signal strength. If the output voltage of the amplifier 3 does not reach the middle output detection reference voltage 21, the signal is determined to be a small signal level, and the comparators 19 and 20 output Low and Low signals to the lines 27 and 28, respectively.

【0044】増幅器3の出力電圧が中出力検出リファレ
ンス電圧21を超え、かつ大信号検出リファレンス電圧
22を超えないような信号に対しては、中信号レベルと
判断し、コンパレータ19、20は線路27、28にH
igh、Low信号をそれぞれ出力する。さらに、増幅
器3の出力電圧が大信号検出リファレンス電圧22を超
えるような信号に対しては、大信号レベルと判断し、コ
ンパレータ19、20は線路27、28にHigh、H
igh信号をそれぞれ出力する。
A signal whose output voltage exceeds the medium output detection reference voltage 21 but does not exceed the large signal detection reference voltage 22 is determined to be a medium signal level, and the comparators 19 and 20 determine the line 27 level. H on 28
It outputs a high signal and a low signal, respectively. Further, a signal in which the output voltage of the amplifier 3 exceeds the large signal detection reference voltage 22 is determined to be a large signal level, and the comparators 19 and 20 connect the lines 27 and 28 to High and
output the respective high signals.

【0045】コンパレータ19、20の立ち上がり信号
はそれぞれD−フリップフロップ25、26によって保
持される。また、同時にコンパレータ19、20の立ち
下りはコンパレータ19、20の反転出力端子を利用し
てD−フリップフロップ29、30によって保持され
る。
The rising signals of the comparators 19 and 20 are held by D flip-flops 25 and 26, respectively. At the same time, the falling edges of the comparators 19 and 20 are held by the D-flip-flops 29 and 30 using the inverted output terminals of the comparators 19 and 20.

【0046】これらの立ち下り信号は、OR回路33で
OR論理処理され、この処理信号が線路13に出力さ
れ、この処理信号が利用されてMOSスイッチ16、1
7を制御して中利得用帰還抵抗5、低利得用帰還抵抗6
を切換えるタイミングを与えると共に、非線形増幅動作
モードから線形増幅動作モードへ切換えるように処理さ
れる。
These falling signals are subjected to OR logic processing by an OR circuit 33, and this processed signal is output to a line 13, and this processed signal is used to make use of the MOS switches 16, 1
7 to control the middle gain feedback resistor 5 and the low gain feedback resistor 6
Is switched, and the processing is performed so as to switch from the non-linear amplification operation mode to the linear amplification operation mode.

【0047】D−フリップフロップ34、35では、O
R回路33から線路13への出力信号の立ち上がりを利
用してD−フリップフロップ25、26のQ端子から線
路27、28への信号がラッチされ、帰還抵抗制御信号
が線路11、12に出力される。上記の帰還抵抗選択回
路14の動作を踏まえて本プリアンプ回路全体の動作に
ついて、タイムチャートを用いて、以下に説明を行う。
In the D flip-flops 34 and 35, O
Using the rise of the output signal from the R circuit 33 to the line 13, the signal from the Q terminal of the D-flip-flops 25 and 26 to the lines 27 and 28 is latched, and the feedback resistance control signal is output to the lines 11 and 12. You. The operation of the entire preamplifier circuit based on the operation of the feedback resistance selection circuit 14 will be described below with reference to a time chart.

【0048】ただし、各D−フリップフロップ25、2
6、29、30、34、35のRST(リセット)端子
にはRST信号を与えてQ端子がLow状態になるよう
に初期化を行っておく。このとき、帰還抵抗切換え用の
MOSスイッチ16、17はOFFとなり、MOSトラ
ンジスタ18のゲート端子39にはある適切なバイアス
電圧Vbias38が与えられるためMOSトランジス
タ18は非線形素子として動作する。
However, each D-flip-flop 25, 2
An RST signal is applied to RST (reset) terminals of 6, 29, 30, 34, and 35, and initialization is performed so that the Q terminal is in a low state. At this time, the MOS switches 16 and 17 for switching the feedback resistance are turned off, and a proper bias voltage Vbias 38 is applied to the gate terminal 39 of the MOS transistor 18, so that the MOS transistor 18 operates as a non-linear element.

【0049】このため、プリアンプ回路は、初期状態と
して、入力信号強度を検出する非線形増幅動作で待機す
ることになる。図4は小信号レベルの信号が入力した場
合のプリアンプ回路の動作を説明するタイムチャートで
ある。本図に示すように小信号レベルの信号が入力する
場合には、帰還抵抗選択回路14は動作せず、非線形増
幅動作モードのまま信号増幅を行う。
For this reason, the preamplifier circuit stands by in a non-linear amplification operation for detecting the input signal strength as an initial state. FIG. 4 is a time chart for explaining the operation of the preamplifier circuit when a small signal level signal is input. As shown in the figure, when a signal of a small signal level is input, the feedback resistance selection circuit 14 does not operate and performs signal amplification in the non-linear amplification operation mode.

【0050】この場合、入力信号のレベルが小さいた
め、図3の特性曲線40に示すDC伝達特性の線形増幅
範囲内で増幅が行われる。図5は中信号レベルの信号が
入力した場合のプリアンプ回路の動作を説明するタイム
チャートである。本図に示すように、中信号レベルの信
号が入力する場合には、信号の先頭ビットの「1」にお
いて、増幅器3(プリアンプ回路)の出力電圧が中出力
検出リファレンス電圧21を超えるので、コンパレータ
19の出力がHigh信号となり、D−フリップフロッ
プ25のQ端子から線路27への出力がHigh信号と
なる。
In this case, since the level of the input signal is small, amplification is performed within the linear amplification range of the DC transfer characteristic shown by the characteristic curve 40 in FIG. FIG. 5 is a time chart for explaining the operation of the preamplifier circuit when a signal of the middle signal level is input. As shown in the figure, when a signal of the middle signal level is input, the output voltage of the amplifier 3 (preamplifier circuit) exceeds the middle output detection reference voltage 21 at the first bit "1" of the signal. The output of 19 becomes a High signal, and the output from the Q terminal of the D-flip-flop 25 to the line 27 becomes a High signal.

【0051】また、増幅器3の出力電圧が大信号検出リ
ファレンス電圧22を超えないので、D−フリップフロ
ップ26、D−フリップフロップ30、D−フリップフ
ロップ35のQ端子からの信号はLow状態のままとな
る。入力信号強度の検出結果を示すD−フリップフロッ
プ25、26はそれらの出力状態がHigh、Low状
態となり、入力出力強度が中信号レベルであることを保
持する。
Further, since the output voltage of the amplifier 3 does not exceed the large signal detection reference voltage 22, the signals from the Q terminals of the D-flip-flops 26, 30, and 35 remain in the Low state. Becomes The D-flip-flops 25 and 26 indicating the detection result of the input signal strength keep their output states at High and Low states and the input output strength at the medium signal level.

【0052】次に、2ビット目の「0」が来ると、再び
コンパレータ19の出力がLow状態に戻り、D−フリ
ップフロップ29のQ端子の信号を立ち上げるように処
理され、OR回路33の出力が立ち上がる。この信号の
タイミングでD−フリップフロップ34、35は、線路
27、28に出力されるデータ信号をラッチし、MOS
スイッチ16のみをONにする。
Next, when the second bit “0” arrives, the output of the comparator 19 returns to the low state again, and the signal at the Q terminal of the D-flip-flop 29 is processed to rise. Output rises. At the timing of this signal, the D-flip-flops 34 and 35 latch the data signal output to the lines 27 and 28, and
Only the switch 16 is turned on.

【0053】また、同時にOR回路33から線路13へ
の出力信号によりMOSトランジスタ18のゲート端子
39の電位をGNDレベルに落としMOSトランジスタ
18をOFFにして非線形増幅動作モードから線形増幅
動作モードへ切換える。これにより、線形動作モード時
利得可変用抵抗101は高利得用帰還抵抗4と中利得用
帰還抵抗5の合成抵抗となってトランスインピーダンス
利得が下記のように、 −A・{R4・R5/(R4+R5)}/(A+1) 1段階下がり、増幅器3の入力信号が線形増幅される。
ここに、R5は中利得用帰還抵抗5の抵抗値である。ま
た、A>>1という条件下では上記のトランスインピー
ダンス利得は、 −{R4・R5/(R4+R5)} で近似できる。
Simultaneously, the potential of the gate terminal 39 of the MOS transistor 18 is lowered to the GND level by the output signal from the OR circuit 33 to the line 13, and the MOS transistor 18 is turned off to switch from the non-linear amplification operation mode to the linear amplification operation mode. As a result, the gain variable resistor 101 in the linear operation mode becomes a combined resistor of the high-gain feedback resistor 4 and the middle-gain feedback resistor 5, and the transimpedance gain is as follows: -AAR4 ・ R5 / ( (R4 + R5)} / (A + 1) The input signal of the amplifier 3 is linearly amplified by one step.
Here, R5 is the resistance value of the feedback resistor 5 for medium gain. Further, under the condition of A >> 1, the above transimpedance gain can be approximated by-{R4 · R5 / (R4 + R5)}.

【0054】図6は大信号レベルの信号が入力した場合
のプリアンプ回路の動作を説明するタイムチャートであ
る。本図に示すように、大信号レベルの信号が入力する
場合には、信号の先頭ビットの「1」において、増幅器
3(トランスインピーダンスプリアンプ回路)の出力電
圧が中出力検出リファレンス電圧21、大信号検出リフ
ァレンス電圧22を超える。
FIG. 6 is a time chart for explaining the operation of the preamplifier circuit when a large signal level signal is input. As shown in the figure, when a signal of a large signal level is input, the output voltage of the amplifier 3 (transimpedance preamplifier circuit) is changed to the medium output detection reference voltage 21 and the large signal at the leading bit “1” of the signal. Exceeds the detection reference voltage 22.

【0055】このため、コンパレータ19、20の出力
がそれぞれHigh信号、High信号となり、D−フ
リップフロップ25、26のQ端子から線路27への出
力がそれぞれHigh信号、High信号となり、入力
出力強度が大信号レベルであることを保持する 次に、2ビット目の「0」が来ると、再びコンパレータ
20の出力がLow状態となり、D−フリップフロップ
30のQ端子を立ち上げる。
For this reason, the outputs of the comparators 19 and 20 become High signal and High signal, respectively, and the outputs from the Q terminals of the D-flip-flops 25 and 26 to the line 27 become High signal and High signal, respectively. Next, when the second bit “0” arrives, the output of the comparator 20 goes low again, and the Q terminal of the D-flip-flop 30 rises.

【0056】D−フリップフロップ29、30の立ち上
がり信号のOR論理処理を取ったタイミングで、D−フ
リップフロップ25、26は線路27、28に出力され
るデータ信号をラッチし、MOSスイッチ16、17を
それぞれONにする。また、同時にOR回路33から線
路13への出力信号によりMOSトランジスタ18のゲ
ート端子39の電位をGNDレベルに落としMOSトラ
ンジスタ18をOFFにして非線形増幅動作モードから
線形増幅動作モードへ切換える。
The D-flip-flops 25 and 26 latch the data signals output to the lines 27 and 28 at the timing when the OR logic processing of the rising signals of the D-flip-flops 29 and 30 is performed, and the MOS switches 16 and 17 Are turned on. At the same time, the potential of the gate terminal 39 of the MOS transistor 18 is dropped to the GND level by the output signal from the OR circuit 33 to the line 13, and the MOS transistor 18 is turned off to switch from the nonlinear amplification operation mode to the linear amplification operation mode.

【0057】これにより、線形動作モード時利得可変用
抵抗101は高利得用帰還抵抗4と中利得用帰還抵抗5
と低利得用帰還抵抗6の3つの抵抗に関する合成抵抗と
なってトランスインピーダンス利得が下記のように、 −A・{R4・R5・R6/(R4・R5+R5・R6
+R6・R4)}/(A+1) 2段階下がり、増幅器3の入力信号が線形増幅される。
ここに、R6は低利得用帰還抵抗6の抵抗値である。ま
た、A>>1という条件下では上記のトランスインピー
ダンス利得は、 −{R4・R5・R6/(R4・R5+R5・R6+R
6・R4)} で近似できる。このように、本プリアンプ回路は利得を
切換える際に、MOSトランジスタの自乗特性を利用し
た非線形増幅を行うことにより、先頭の1ビットのみの
情報を利用して小信号から大信号までの入力信号強度を
検索することができるため、高速な利得切換えが実現可
能となっている。
Thus, in the linear operation mode, the variable gain resistor 101 includes the high-gain feedback resistor 4 and the medium-gain feedback resistor 5.
And a trans-impedance gain as a combined resistance of the three resistors of the low-gain feedback resistor 6 as follows: -A {ΔR4 ・ R5 ・ R6 / (R4 ・ R5 + R5 ・ R6
+ R6 · R4)} / (A + 1) The input signal of the amplifier 3 is linearly amplified by two steps.
Here, R6 is the resistance value of the low-gain feedback resistor 6. Further, under the condition of A >> 1, the above transimpedance gain becomes:-{R4 · R5 · R6 / (R4 · R5 + R5 · R6 + R
6 · R4)}. As described above, the present preamplifier circuit performs nonlinear amplification using the square characteristic of the MOS transistor when switching the gain, thereby using only the information of the first one bit to input signal strength from a small signal to a large signal. Can be searched, so that high-speed gain switching can be realized.

【0058】以上の説明では、非線型素子9としてMO
Sトランジスタ18を用いたが、バイポーラトランジス
タによる対数特性を利用しても実現可能である。また、
ダイオードの非直線性を利用してもよい。図7は図3の
DC伝達特性の変形例を示す図である。本図に示すよう
に、図3と比較して、各入力信号レベルに応じたプリア
ンプ回路の出力電圧が、特性曲線44、45、46のよ
うに、それぞれ線形増幅の範囲内に収まるように、中出
力検出リファレンス電圧21の電圧値、大信号検出リフ
ァレンス電圧22の電圧値、中利得用帰還抵抗5の抵抗
値、低利得用帰還抵抗6の抵抗値が選ばれる。
In the above description, the non-linear element 9 is
Although the S transistor 18 is used, it can be realized by using the logarithmic characteristic of a bipolar transistor. Also,
The non-linearity of the diode may be used. FIG. 7 is a diagram showing a modification of the DC transfer characteristic of FIG. As shown in this figure, as compared with FIG. 3, the output voltage of the preamplifier circuit corresponding to each input signal level falls within the range of linear amplification as shown by characteristic curves 44, 45 and 46, respectively. The voltage value of the medium output detection reference voltage 21, the voltage value of the large signal detection reference voltage 22, the resistance value of the feedback resistor 5 for medium gain, and the resistance value of the feedback resistor 6 for low gain are selected.

【0059】このため、非線形増幅動作モード、線形増
幅動作モードを切換えるために、図1の非線形素子選択
スイッチ10が必要なくなる。したがって、図2におけ
るMOSスイッチ36、37は必要無くなる。このた
め、MOSトランジスタ18のゲート電圧には適切なバ
イアス電圧Vbiasが与えられるだけでよい。
Therefore, the nonlinear element selection switch 10 of FIG. 1 is not required to switch between the nonlinear amplification operation mode and the linear amplification operation mode. Therefore, the MOS switches 36 and 37 in FIG. 2 become unnecessary. Therefore, only an appropriate bias voltage Vbias needs to be applied to the gate voltage of the MOS transistor 18.

【0060】図8は図2の変形例を示す図である。本図
に示すように、図2と比較して、非線形動作時切替え用
素子102、帰還抵抗選択回路14は利得を3段の切換
えからN段の切換えの構成とした。具体的には、線形動
作モード時利得可変用抵抗101に、抵抗50−1〜5
0−N、MOSスイッチ51−1〜51−Nが設けら
れ、帰還抵抗選択回路14には、N段のコンパレータ5
2−1〜52−N、N段のD−フリップフロップ53−
1〜53−N、54−1〜54−N、55−1〜55−
Nが設けられる。
FIG. 8 is a diagram showing a modification of FIG. As shown in the figure, as compared with FIG. 2, the switching element 102 for nonlinear operation and the feedback resistor selection circuit 14 have a configuration in which the gain is switched from three stages to N stages. Specifically, the resistors 50-1 to 50-5 are connected to the variable gain resistor 101 in the linear operation mode.
0-N, MOS switches 51-1 to 51-N are provided.
2-1 to 52-N, N-stage D-flip-flop 53-
1-53-N, 54-1 to 54-N, 55-1 to 55-
N is provided.

【0061】このように、N段の構成にすることによ
り、さらに、出力信号のダイナミックレンジが圧縮さ
れ、次段以降の回路ブロックの必要なダイナミックレン
ジを小さく抑えることができる。このため、次段以降の
回路設計を容易にすることができる。この回路構成を用
いれば、利得切換えの段数を増やしても、切換えに要す
る時間は3段の時と同様に、先頭ビットのみで利得切換
えが可能である。
As described above, by adopting the N-stage configuration, the dynamic range of the output signal is further compressed, and the necessary dynamic range of the circuit blocks of the next and subsequent stages can be reduced. For this reason, the circuit design of the subsequent stages can be facilitated. With this circuit configuration, even if the number of stages of gain switching is increased, the time required for switching can be switched by only the first bit, as in the case of three stages.

【0062】[0062]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
入力信号強度に応じてトランスインピーダンス利得を切
換え全入力レベルに対して線形な増幅を行うため、波形
歪がなくデューティ比の良好な出力が得られる。全入力
レベルにおいて線形な増幅を行うため、大信号かつ消光
比の悪い信号が入力されても受信が可能である。
As described above, according to the present invention,
Since the transimpedance gain is switched in accordance with the input signal strength and linear amplification is performed for all input levels, an output having a good duty ratio without waveform distortion can be obtained. Since linear amplification is performed at all input levels, reception is possible even when a large signal and a signal having a poor extinction ratio are input.

【0063】非線形増幅による入力信号強度検出を行う
ことにより、先頭の1ビットの期間で入力信号強度の検
出が可能となり高速な利得切換え動作が実現できる。
By detecting the input signal strength by non-linear amplification, the input signal strength can be detected during the first one bit period, and a high-speed gain switching operation can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るバーストモード光受信システムの
概略構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a burst mode optical receiving system according to the present invention.

【図2】図1の構成の詳細例を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a detailed example of the configuration of FIG. 1;

【図3】図2のプリアンプ回路のDC伝達特性を示す図
である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a DC transfer characteristic of the preamplifier circuit of FIG. 2;

【図4】小信号レベルの信号が入力した場合のプリアン
プ回路の動作を説明するタイムチャートである。
FIG. 4 is a time chart for explaining an operation of a preamplifier circuit when a signal of a small signal level is input;

【図5】中信号レベルの信号が入力した場合のプリアン
プ回路の動作を説明するタイムチャートである。
FIG. 5 is a time chart for explaining an operation of the preamplifier circuit when a signal of a medium signal level is input;

【図6】大信号レベルの信号が入力した場合のプリアン
プ回路の動作を説明するタイムチャートである。
FIG. 6 is a time chart for explaining the operation of the preamplifier circuit when a large signal level signal is input;

【図7】図3のDC伝達特性の変形例を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a modification of the DC transfer characteristic of FIG. 3.

【図8】図2の変形例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a modification of FIG. 2;

【図9】本発明の前提となるバーストモード光受信シス
テムのトランスインピーダンス型のプリアンプ回路を示
す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a transimpedance type preamplifier circuit of a burst mode optical receiving system which is a premise of the present invention.

【図10】図9のプリアンプの動作波形を示す図であ
る。
FIG. 10 is a diagram showing operation waveforms of the preamplifier of FIG.

【図11】大入力時に光信号にDC(直流)バイアス光
がある例を示す図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating an example in which an optical signal has DC (direct current) bias light at the time of large input.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…受光素子 2…入力端 3…増幅器 4…高利得用帰還抵抗 5…中利得用帰還抵抗 6…低利得用帰還抵抗 7…帰還抵抗選択スイッチ 8…帰還抵抗選択スイッチ 9…非線型素子 10…非線形素子選択スイッチ 11、12、13、23、24、27、28…線路 14…帰還抵抗選択回路 15…出力端子 16、17、36、37、51−1〜51−N…MOS
スイッチ 18…MOSトランジスタ 19、20、52−1〜52−N…コンパレータ 21…中出力検出リファレンス電圧 22…大信号検出リファレンス電圧 25、26、29、30、34、35、53−1〜53
−N、54−1〜54−N、55−1〜55−N…D−
フリップフロップ 50−1〜50−N…抵抗33…OR回路 38…Vbias 39…MOSトランジスタ18のゲート端子 41、42、43、45、46、47…特性曲線 60…反転器 101…線形動作モード時利得可変用抵抗 102…非線形動モード作時非線形素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light receiving element 2 ... Input terminal 3 ... Amplifier 4 ... High gain feedback resistor 5 ... Medium gain feedback resistor 6 ... Low gain feedback resistor 7 ... Feedback resistor selection switch 8 ... Feedback resistor selection switch 9 ... Nonlinear element 10 ... Non-linear element selection switches 11, 12, 13, 23, 24, 27, 28 ... Line 14 ... Feedback resistance selection circuit 15 ... Output terminals 16, 17, 36, 37, 51-1 to 51-N ... MOS
Switch 18 MOS transistor 19, 20, 52-1 to 52-N Comparator 21 Medium output detection reference voltage 22 Large signal detection reference voltage 25, 26, 29, 30, 34, 35, 53-1 to 53
-N, 54-1 to 54-N, 55-1 to 55-N ... D-
Flip-flops 50-1 to 50-N Resistor 33 OR circuit 38 Vbias 39 Gate terminal of MOS transistor 18 41, 42, 43, 45, 46, 47 Characteristic curve 60 Inverter 101 Linear operation mode Variable gain resistor 102: Non-linear element for non-linear dynamic mode operation

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H03G 5/16 H03G 5/16 D 5K002 H04B 10/00 H04B 9/00 B 10/28 Y 10/26 10/14 10/04 10/06 Fターム(参考) 5J030 AC02 AC04 AC08 AC11 AC19 5J090 AA01 AA56 CA21 CA32 CA56 CA65 DN02 FA17 FA18 HA02 HA10 HA19 HA25 HA26 HA38 HA39 HA44 HN07 KA17 KA33 KA36 MA11 MN01 NN11 TA02 TA06 5J091 AA01 AA56 CA21 CA32 CA56 CA65 FA17 FA18 HA02 HA10 HA19 HA25 HA26 HA38 HA39 HA44 KA17 KA33 KA36 MA11 TA02 TA06 5J092 AA01 AA56 CA21 CA32 CA56 CA65 FA17 FA18 HA02 HA10 HA19 HA25 HA26 HA38 HA39 HA44 KA17 KA33 KA36 MA11 TA02 TA06 UL01 5J100 JA01 KA05 LA00 LA09 LA10 QA01 SA02 5K002 AA03 CA01 DA05 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) H03G 5/16 H03G 5/16 D 5K002 H04B 10/00 H04B 9/00 B 10/28 Y 10/26 10/14 10 / 04 10/06 F-term (reference) 5J030 AC02 AC04 AC08 AC11 AC19 5J090 AA01 AA56 CA21 CA32 CA56 CA65 DN02 FA17 FA18 HA02 HA10 HA19 HA25 HA26 HA38 HA39 HA44 HN07 KA17 KA33 KA36 MA11 MN01 NN11 TA02 TA06 5J091CA56 FA17 FA18 HA02 HA10 HA19 HA25 HA26 HA38 HA39 HA44 KA17 KA33 KA36 MA11 TA02 TA06 5J092 AA01 AA56 CA21 CA32 CA56 CA65 FA17 FA18 HA02 HA10 HA19 HA25 HA26 HA38 HA39 HA44 KA17 KA33 KA36 MA11 TA02 TA06 UL01 5J100 LA01 5 CA01 DA05

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 バーストモード光信号を受信し電気信号
に変換するバーストモード光受信システムにおいて、 帰還可変抵抗を有し、受光素子により光・電気変換され
た電流信号を入力し線形に増幅する増幅器と、 前記増幅器に非線形の増幅を行わせるための非線形素子
と、 前記増幅器に非線形の増幅を行わせて前記増幅器の出力
信号のレベルを監視し、監視された出力信号のレベルに
対応して前記帰還可変抵抗を制御して前記増幅器に線形
の増幅を行わせる帰還抵抗制御部とを備えることを特徴
とするバーストモード光受信システム。
1. A burst mode optical receiving system for receiving a burst mode optical signal and converting the signal into an electric signal, comprising an amplifier having a feedback variable resistor and inputting and linearly amplifying a current signal optically / electrically converted by a light receiving element. And a non-linear element for causing the amplifier to perform non-linear amplification, and monitoring the level of the output signal of the amplifier by causing the amplifier to perform non-linear amplification, and corresponding to the level of the monitored output signal. A burst mode optical receiving system, comprising: a feedback resistance control unit that controls a feedback variable resistor to cause the amplifier to perform linear amplification.
【請求項2】 前記帰還抵抗制御部は、前記増幅器の出
力信号のレベルを基に入力信号強度を監視する場合に
は、前記帰還可変抵抗を大きくして小信号レベル範囲で
は線形に動作し、小信号レベルを超える範囲では前記非
線形素子により非線形の増幅を行い、信号のダイナミッ
クレンジを圧縮することを特徴とする、請求項1に記載
のバーストモード光受信システム。
2. The feedback resistance control section operates linearly in a small signal level range by increasing the feedback variable resistance when monitoring an input signal strength based on a level of an output signal of the amplifier, 2. The burst mode optical receiving system according to claim 1, wherein in a range exceeding a small signal level, nonlinear amplification is performed by the nonlinear element to compress a dynamic range of the signal.
【請求項3】 前記帰還抵抗制御部は、前記出力信号に
関する先頭ビット「1」のレベルの大きさにより前記出
力信号のレベルを基に入力信号強度を監視することを特
徴とする、請求項1に記載のバーストモード光受信シス
テム。
3. The apparatus according to claim 1, wherein the feedback resistance controller monitors an input signal strength based on a level of the output signal based on a level of a first bit “1” of the output signal. 2. The burst mode optical receiving system according to 1.
【請求項4】 前記帰還抵抗制御部は、前記増幅器の直
流伝達特性により、前記増幅器の出力信号のレベルを基
に入力信号強度に対応して前記増幅器から非線形素子を
切り離し前記帰還可変抵抗の大きさを決定して線形増幅
動作を確保することを特徴とする、請求項1に記載のバ
ーストモード光受信システム。
4. The feedback resistance control section separates a non-linear element from the amplifier according to an input signal strength based on a level of an output signal of the amplifier according to a DC transfer characteristic of the amplifier. The burst mode optical receiving system according to claim 1, wherein the burst mode is determined to secure a linear amplification operation.
【請求項5】 前記帰還抵抗制御部は、前記増幅器に非
線形素子を並列接続したままで、前記増幅器の直流伝達
特性により、前記増幅器の出力信号のレベルを基に入力
信号強度に対応して前記帰還可変抵抗の大きさを決定し
て線形増幅動作を確保することを特徴とする、請求項1
に記載のバーストモード光受信システム。
5. The feedback resistance control section according to an input signal strength based on a level of an output signal of the amplifier by a DC transfer characteristic of the amplifier while a nonlinear element is connected in parallel to the amplifier. 2. The method according to claim 1, wherein the magnitude of the feedback variable resistor is determined to secure a linear amplification operation.
2. The burst mode optical receiving system according to 1.
【請求項6】 前記帰還可変抵抗は、 前記増幅器が有する高利得用帰還抵抗と、 前記増幅器に接続可能な中利得用帰還抵抗と、 前記増幅器に接続可能な低利得用帰還抵抗とからなり、 前記帰還抵抗制御部は、 前記増幅器の出力信号の先頭ビット「1」で小、中、大
信号レベルをそれぞれ識別し、識別時に立ち上がり信号
を出力し、次ビット「0」で立ち下がり信号を出力する
2つのコンパレータと、 前記コンパレータの立ち上がり信号をそれぞれ保持する
第1の2つのD−フリップフロップと、 前記コンパレータの立ち下がり信号をそれぞれ保持する
第2の2つのD−フリップフロップと、 前記第2のD−フリップフロップにそれぞれ接続され、
前記コンパレータの少なくとも1つの立ち下がりで、利
得切換えタイミングを形成し、前記非線形素子を前記増
幅器から切り離すOR回路と、 前記第1のD−フリップフロップにそれぞれ接続され、
前記OR回路の利得切換えタイミングで前記増幅器に前
記中利得用帰還抵抗、前記低利得用帰還抵抗を接続する
ように、前記第1のD−フリップフロップの出力を保持
する第3の2つのD−フリップフロップとからなること
を特徴とする、請求項1に記載のバーストモード光受信
システム。
6. The feedback variable resistor comprises a high-gain feedback resistor of the amplifier, a medium-gain feedback resistor connectable to the amplifier, and a low-gain feedback resistor connectable to the amplifier. The feedback resistance control unit identifies low, medium, and large signal levels by the first bit “1” of the output signal of the amplifier, outputs a rising signal at the time of identification, and outputs a falling signal by the next bit “0”. Two D-flip-flops each holding a rising signal of the comparator, a second two D-flip-flops each holding a falling signal of the comparator, and the second D-flip-flops, respectively,
An OR circuit that forms a gain switching timing at at least one falling edge of the comparator and disconnects the non-linear element from the amplifier; and an OR circuit connected to the first D-flip-flop,
The third two D-type flip-flops holding the output of the first D-flip-flop so that the middle-gain feedback resistor and the low-gain feedback resistor are connected to the amplifier at the gain switching timing of the OR circuit. 2. The burst mode optical receiving system according to claim 1, comprising a flip-flop.
【請求項7】 前記帰還可変抵抗は、 前記増幅器が有する高利得用帰還抵抗と、 前記増幅器に接続可能な複数の利得用帰還抵抗と、 前記帰還抵抗制御部は、 前記増幅器の出力信号の先頭ビット「1」で小から大の
複数の信号レベルをそれぞれ識別し、識別時に立ち上が
り信号を出力し、次ビット「0」で立ち下がり信号を出
力する複数のコンパレータと、 前記コンパレータの立ち上がり信号をそれぞれ保持する
第1の複数のD−フリップフロップと、 前記コンパレータの立ち下がり信号をそれぞれ保持する
第2の複数のD−フリップフロップと、 前記第2のD−フリップフロップにそれぞれ接続され、
前記コンパレータの少なくとも1つの立ち下がりで、利
得切換えタイミングを形成し、前記非線形素子を前記増
幅器から切り離すOR回路と、 前記第1のD−フリップフロップにそれぞれ接続され、
前記OR回路の利得切換えタイミングで前記増幅器に前
記複数の利得用帰還抵抗を接続するように、前記第1の
D−フリップフロップの出力を保持する第3の複数のD
−フリップフロップとからなることを特徴とする、請求
項1に記載のバーストモード光受信システム。
7. The feedback variable resistor, a high-gain feedback resistor included in the amplifier, a plurality of gain feedback resistors connectable to the amplifier, and the feedback-resistance control unit includes: a head of an output signal of the amplifier. A plurality of comparators each of which identifies a plurality of signal levels from small to large with bit “1”, outputs a rising signal at the time of identification, and outputs a falling signal with the next bit “0”; A first plurality of D-flip-flops for holding, a second plurality of D-flip-flops for respectively holding a falling signal of the comparator, and a plurality of D-flip-flops respectively connected to the second D-flip-flop;
An OR circuit that forms a gain switching timing at at least one falling edge of the comparator and disconnects the non-linear element from the amplifier; and an OR circuit connected to the first D-flip-flop,
A third plurality of Ds holding the output of the first D-flip-flop so that the plurality of gain feedback resistors are connected to the amplifier at the timing of gain switching of the OR circuit.
The burst mode optical receiving system according to claim 1, comprising a flip-flop.
【請求項8】 前記非線形素子はMOSトランジスタの
自乗特性を利用する素子であることを特徴とする、請求
項1に記載のバーストモード光受信システム。
8. The burst mode optical receiving system according to claim 1, wherein said nonlinear element is an element utilizing a square characteristic of a MOS transistor.
【請求項9】 前記MOSトランジスタのゲートにバイ
アス電圧を与え、自乗特性を形成することを特徴とす
る、請求項8に記載のバーストモード光受信システム。
9. The burst mode optical receiving system according to claim 8, wherein a bias voltage is applied to a gate of said MOS transistor to form a square characteristic.
【請求項10】 前記非線形素子はバイポーラトランジ
スタの対数特性を利用する素子であることを特徴とす
る、請求項1に記載のバーストモード光受信システム。
10. The burst mode optical receiving system according to claim 1, wherein said nonlinear element is an element utilizing a logarithmic characteristic of a bipolar transistor.
【請求項11】 前記非線形素子はダイオードの非直線
性を利用する素子であることを特徴とする、請求項1に
記載のバーストモード光受信システム。
11. The burst mode optical receiving system according to claim 1, wherein the nonlinear element is an element that utilizes a nonlinearity of a diode.
【請求項12】 バーストモード光信号を受信し電気信
号に変換するバーストモード光受信方法において、 帰還可変抵抗を介して、受光素子により光・電気変換さ
れた電流信号を線形に増幅する工程と、 非線形の増幅を行わせる工程と、 非線形に増幅される出力信号のレベルを基に入力信号強
度を監視し、監視された入力信号強度に対応して前記帰
還可変抵抗の大きさを制御して線形の増幅を行う工程と
を備えることを特徴とするバーストモード光受信方法。
12. A burst mode optical receiving method for receiving a burst mode optical signal and converting the signal into an electric signal, comprising the steps of: linearly amplifying a current signal optically / electrically converted by a light receiving element via a feedback variable resistor; Performing a non-linear amplification, monitoring the input signal strength based on the level of the output signal that is non-linearly amplified, and controlling the magnitude of the feedback variable resistor in accordance with the monitored input signal strength to perform linear amplification. And a step of amplifying the burst mode light.
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