JP2001135627A - Plasma processor - Google Patents

Plasma processor

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JP2001135627A
JP2001135627A JP31794799A JP31794799A JP2001135627A JP 2001135627 A JP2001135627 A JP 2001135627A JP 31794799 A JP31794799 A JP 31794799A JP 31794799 A JP31794799 A JP 31794799A JP 2001135627 A JP2001135627 A JP 2001135627A
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plasma processing
reaction gas
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昌樹 平山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low-cost plasma processor which can process the large area of a substrate with an even plasma, and can prevent the damages caused by abnormal plasma. SOLUTION: This plasma processor has a dielectric plate 5 for emitting plasma into a chamber, and a dielectric plate support member 6 for the dielectric plate 5. The dielectric plate support member 6 is provided with a plurality of gas introduction ports 6a for supplying the interior of a chamber with reaction gas. The blowout ports of these gas introduction ports 6a are provided on the side opposed to the surface of a board 8, and besides they are arranged in the positions surrounding the periphery, in the peripheral region of the dielectric plate 5.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマプロセス
装置に関し、より具体的には、半導体や液晶表示素子の
製造などに使用されるプラズマプロセス装置に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus used for manufacturing a semiconductor or a liquid crystal display device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】図１６は、従来のプラズマプロセス装置
をＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）装置として構
成した場合の概略断面図である。図１６を参照して、こ
のプラズマプロセス装置は、上蓋１０１と、チャンバ本
体１０２と、基板ホルダ１０７と、誘電体被覆線路１１
３と、シールド板１１４とを有している。2. Description of the Related Art FIG. 16 is a schematic sectional view when a conventional plasma processing apparatus is configured as a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus. Referring to FIG. 16, this plasma processing apparatus includes an upper lid 101, a chamber main body 102, a substrate holder 107, a dielectric covered line 11,
3 and a shield plate 114.

【０００３】上蓋１０１は、アルミナなどの誘電体から
なり、チャンバ本体１０２上に配置されている。上蓋１
０１とチャンバ本体１０２との間はＯリングなど（図示
せず）で封止されており、それによりプロセス室１０２
は大気から隔離されている。プロセス室１０２は予め真
空ポンプなどを用いて真空状態に保持されている。[0003] The upper lid 101 is made of a dielectric material such as alumina and is disposed on the chamber main body 102. Top lid 1
01 and the chamber main body 102 are sealed with an O-ring or the like (not shown),
Is isolated from the atmosphere. The process chamber 102 is held in a vacuum state using a vacuum pump or the like in advance.

【０００４】プロセス室１１２内には基板１０８を保持
するための基板ホルダ１０７が設置されており、基板ホ
ルダ１０７に載置された基板１０８の表面は上蓋１０１
に対向する。チャンバ本体１０２の壁面にはガス導入管
１１１が接続されており、このガス導入管１１１から所
要の原料ガスがプロセス室１１２内に供給される。A substrate holder 107 for holding a substrate 108 is installed in a process chamber 112. The surface of the substrate 108 placed on the substrate holder 107 has an upper lid 101.
Oppose. A gas introduction pipe 111 is connected to a wall surface of the chamber main body 102, and a required raw material gas is supplied from the gas introduction pipe 111 into the process chamber 112.

【０００５】上蓋１０１上方には誘電体被覆線路１１３
が配設されており、その誘電体被覆線路１１３の上方お
よび外周がシールド板１１４により覆われている。誘電
体被覆線路１１３にはマイクロ波導波管（図示せず）が
接続されている。A dielectric covered line 113 is provided above the upper lid 101.
And the upper and outer periphery of the dielectric covered line 113 is covered by a shield plate 114. A microwave waveguide (not shown) is connected to the dielectric covered line 113.

【０００６】この従来のプラズマプロセス装置を用いた
成膜では、まずプロセス室１１２内にガス導入管１１１
から所要の原料ガスが供給される。そして誘電体被覆線
路１１３にマイクロ波が導入されて、プロセス室１１２
内にプラズマが励起され、基板１０８表面に所望の薄膜
が堆積される。In film formation using this conventional plasma processing apparatus, first, a gas introduction pipe 111 is inserted into a process chamber 112.
Supplies the required source gas. Then, microwaves are introduced into the dielectric covered line 113, and the process chamber 112 is introduced.
The plasma is excited therein, and a desired thin film is deposited on the surface of the substrate 108.

【０００７】しかしながら、上述した従来のプラズマプ
ロセス装置では、１箇所のガス導入管１１１から原料ガ
スが導入されるだけであるため、プロセス室１１２内に
供給された原料ガスに分布が生じ、均一な成膜が困難で
ある。However, in the above-mentioned conventional plasma processing apparatus, since the source gas is introduced only from one gas introduction pipe 111, the source gas supplied into the process chamber 112 has a distribution, and is uniform. Film formation is difficult.

【０００８】この問題を解決する技術は、たとえば特許
公報２６６９１６８号、特開平７−３３５６３３号公報
に開示されている。A technique for solving this problem is disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 2669168 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-335633.

【０００９】図１７は、特許公報２６６９１６８号に開
示されたプラズマプロセス装置の構成を示す概略断面図
である。図１７を参照して、このプラズマプロセス装置
は、図１６に示す構成と比較して、シャワーヘッド１１
５が追加されている点およびガス導入管１１１が対称に
複数接続されている点において異なる。FIG. 17 is a schematic sectional view showing a configuration of a plasma processing apparatus disclosed in Japanese Patent Publication No. 2669168. Referring to FIG. 17, this plasma process apparatus is different from the configuration shown in FIG.
5 is added and a point that a plurality of gas introduction pipes 111 are symmetrically connected.

【００１０】シャワーヘッド１１５は、基板ホルダ１０
７の上方であって上蓋１０１の下面近傍において基板１
０８の全面をカバーするように配設されており、複数個
の孔１１５ａを有している。シャワーヘッド１１５の外
周部は断面略Ｌ字形状となっており、この部分において
バッファ室１１５ｂを形成する。シャワーヘッド１１５
の外周端はチャンバ本体１０２の内壁面に固設されてい
る。[0010] The shower head 115 is mounted on the substrate holder 10.
7 and near the lower surface of the upper lid 101,
08, and has a plurality of holes 115a. An outer peripheral portion of the shower head 115 has a substantially L-shaped cross section, and a buffer chamber 115b is formed in this portion. Shower head 115
Is fixed to the inner wall surface of the chamber main body 102.

【００１１】なお、これ以外の構成については、上述し
た図１６の構成とほぼ同じであるため、同一の部材につ
いては同一の符号を付し、その説明を省略する。The remaining structure is substantially the same as that of FIG. 16 described above, and the same members are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【００１２】この装置の動作においては、まず基板ホル
ダ１０７上に基板１０８が載置された後、プロセス室１
１２内が所要の真空度に設定される。次いで複数のガス
導入管１１１より所要のガスがバッファ室１１５ｂ内に
導入される。ガスは、バッファ室１１５ｂ内からシャワ
ーヘッド１１５の孔１１５ａを介してプロセス室１１２
内に導入される。続いてマイクロ波導波管から誘電体被
覆線路１１３を通じてマイクロ波がプロセス室１１２内
に導入される。これにより、プロセス室１１２内にマイ
クロ波励起によるプラズマが発生して、基板ホルダ１０
７上の基板１０８表面に対してプラズマ処理がなされ
る。In the operation of this apparatus, first, after a substrate 108 is placed on a substrate holder 107, the process chamber 1
Inside 12 is set to a required degree of vacuum. Next, a required gas is introduced into the buffer chamber 115b from the plurality of gas introduction pipes 111. The gas is supplied from the inside of the buffer chamber 115b to the process chamber 112 through the hole 115a of the shower head 115.
Introduced within. Subsequently, a microwave is introduced into the process chamber 112 from the microwave waveguide through the dielectric covered line 113. As a result, plasma is generated in the process chamber 112 by microwave excitation, and the substrate holder 10
7 is subjected to plasma processing on the surface of the substrate 108.

【００１３】図１８は、特開平７−３３５６３３号公報
に開示されたプラズマプロセス装置の構成を示す概略断
面図である。図１８を参照して、このプラズマプロセス
装置は、図１６に示す構成と比較して、金属板１１６が
追加されている点において異なる。FIG. 18 is a schematic sectional view showing the structure of a plasma processing apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-335633. Referring to FIG. 18, this plasma processing apparatus is different from the configuration shown in FIG. 16 in that a metal plate 116 is added.

【００１４】金属板１１６は、上蓋１０１の下面に接し
て配置されている。この金属板１１６は、図１９に示す
ようにスリット状のマイクロ波透過孔１１６ｃと、基板
ホルダ１０７側の面に設けられた複数個の孔１１６ａ
と、側面に設けられたガス供給孔１１６ｄとを有してい
る。ガス供給孔１１６ｄにはガス導入管１１１が接続さ
れている。金属板１１６は中空となっており、ガス供給
孔１１６ｄと複数の孔１１６ａとは内部で繋がってい
る。このため、ガス供給孔１１６ｄから反応ガスが供給
されると、複数個の孔１１６ａから反応ガスがプロセス
室１１２内に吹出すこととなる。The metal plate 116 is arranged in contact with the lower surface of the upper lid 101. As shown in FIG. 19, the metal plate 116 has a slit-shaped microwave transmitting hole 116c and a plurality of holes 116a provided on the surface on the substrate holder 107 side.
And a gas supply hole 116d provided on the side surface. A gas introduction pipe 111 is connected to the gas supply hole 116d. The metal plate 116 is hollow, and the gas supply hole 116d and the plurality of holes 116a are internally connected. Therefore, when the reaction gas is supplied from the gas supply holes 116d, the reaction gas is blown into the process chamber 112 from the plurality of holes 116a.

【００１５】なお、これ以外の構成については、図１６
に示すプラズマプロセス装置の構成とほぼ同じであるた
め、同一の部材については同一の符号を付し、その説明
を省略する。For other configurations, see FIG.
Since the configuration is almost the same as that of the plasma processing apparatus shown in (1), the same members are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【００１６】この装置の動作においては、まず基板ホル
ダ１０７に基板１０８が載置された後、プロセス室１１
２内が所要の真空度に設定される。次いでガス導入管１
１１より所要のガスがガス供給孔１１６ｄから金属板１
１６内に導入される。そしてガスは、金属板１１６の複
数個の孔１１６ａから吹出し、プロセス室１１２内に導
入される。続いて誘電体被覆線路１１３を通じて金属板
１１６のマイクロ波透過孔１１６ｃからマイクロ波がプ
ロセス室１１２内に導入される。これにより、プロセス
室１１２内にプラズマが発生し、基板１０８表面に対し
てプラズマ処理がなされる。In the operation of this apparatus, first, the substrate 108 is placed on the substrate
2 is set to a required degree of vacuum. Then gas introduction pipe 1
11 from the gas supply hole 116d through the metal plate 1
16 is introduced. Then, the gas is blown out from the plurality of holes 116 a of the metal plate 116 and is introduced into the process chamber 112. Subsequently, a microwave is introduced into the process chamber 112 from the microwave transmission hole 116c of the metal plate 116 through the dielectric covered line 113. Accordingly, plasma is generated in the process chamber 112, and plasma processing is performed on the surface of the substrate.

【００１７】[0017]

【発明が解決しようとする課題】近年、基板の大型化が
進んでいる。特にＴＦＴ（Thin Film Transistor）液晶
表示装置の場合、基板は５００ｍｍ角から１ｍ角という
ようなサイズとなる。そのような大型の基板に対して、
特許公報２６６９１６８号や特開平７−３３５６３３号
公報に開示された装置でプラズマ処理をする場合、以下
のような問題がある。In recent years, the size of substrates has been increasing. In particular, in the case of a TFT (Thin Film Transistor) liquid crystal display device, the substrate has a size of 500 mm square to 1 m square. For such a large substrate,
When the plasma processing is performed by the apparatus disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 2669168 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-335633, there are the following problems.

【００１８】基板が大型化した場合、大型の基板全面を
覆うことが可能なように基板よりも大きな寸法の誘電体
被覆線路１１３、上蓋１０１、シャワーヘッド１１５ま
たは金属板１１６を用いる必要がある。しかし、上蓋１
０１はセラミックなどの誘電体から形成されているた
め、そのような大きなサイズに形成することは困難であ
る。このことは、誘電体被覆線路１１３についても同様
である。また、上蓋１０１は大気との隔壁ともなってい
るため、プロセス室１１２内を真空に保ちつつ大気圧に
耐え得るようにしなければならない。この意味において
も上蓋１０１を大きなサイズで形成することは困難であ
る。When the size of the substrate is increased, it is necessary to use the dielectric covered line 113, the upper lid 101, the shower head 115, or the metal plate 116 having a size larger than that of the substrate so as to cover the entire surface of the large substrate. However, top lid 1
Since 01 is formed of a dielectric material such as ceramic, it is difficult to form such a large size. This is the same for the dielectric covered line 113. In addition, since the upper lid 101 also serves as a partition from the atmosphere, the inside of the process chamber 112 must be able to withstand the atmospheric pressure while maintaining a vacuum. In this sense, it is difficult to form the upper lid 101 in a large size.

【００１９】また特許公報２６６９１６８号のシャワー
ヘッド１１５が金属製の場合、反応副生成物がシャワー
ヘッド１１５に付着すると放電特性が変化する。さら
に、シャワーヘッド１１５はプラズマに晒され、プラズ
マの発する熱により高温となり熱膨張の問題もある。こ
れらの問題からシャワーヘッド１１５をセラミックによ
り形成すると、加工可能なサイズに制限があり、シャワ
ーヘッド１１５は高価なものとなる。In the case where the showerhead 115 disclosed in Japanese Patent Publication No. 2669168 is made of metal, discharge characteristics change when reaction by-products adhere to the showerhead 115. Further, the shower head 115 is exposed to the plasma, and is heated to a high temperature by the heat generated by the plasma, which causes a problem of thermal expansion. Due to these problems, when the shower head 115 is formed of ceramic, the size that can be processed is limited, and the shower head 115 becomes expensive.

【００２０】また特許公報２６６９１６８号の場合、上
蓋１０１とシャワーヘッド１１５との間の空間は、マイ
クロ波の伝送経路であり、プロセス室１１２への反応ガ
スの供給路でもある。このため、この空間内部にプラズ
マが発生した場合には、シャワーヘッド１１５および上
蓋１０１がプラズマによって損傷を受けるという問題が
生ずる。In the case of Japanese Patent Publication No. 2669168, the space between the upper lid 101 and the shower head 115 is a microwave transmission path and also a supply path of a reaction gas to the process chamber 112. For this reason, when plasma is generated inside this space, there is a problem that the shower head 115 and the upper lid 101 are damaged by the plasma.

【００２１】この空間におけるプラズマの発生（異常プ
ラズマの発生）を防止するために、この空間における反
応ガスの圧力をプロセス室１１２内部における反応ガス
の圧力より非常に高くする必要がある。よって、この空
間での反応ガスの圧力を高く保つ一方で、プロセス室１
１２内への反応ガスの供給量を十分に少なくする必要が
ある。このため、シャワーヘッド１１５に形成された反
応ガス導入孔１１５ａにおける反応ガスの流れやすさ
（コンダクタンス）を小さくする必要がある。このよう
に小さなコンダクタンスを実現するためには、シャワー
ヘッド１１５において微細なガス導入孔１１５ａを極め
て高い加工精度（１０μｍオーダの加工精度）で形成す
る必要がある。In order to prevent the generation of plasma (the generation of abnormal plasma) in this space, the pressure of the reaction gas in this space needs to be much higher than the pressure of the reaction gas in the process chamber 112. Therefore, while keeping the pressure of the reaction gas high in this space, the process chamber 1
It is necessary to make the supply amount of the reaction gas into the inside 12 sufficiently small. Therefore, it is necessary to reduce the ease of flow (conductance) of the reaction gas in the reaction gas introduction hole 115a formed in the shower head 115. In order to realize such a small conductance, it is necessary to form the fine gas introduction holes 115a in the shower head 115 with extremely high processing accuracy (processing accuracy on the order of 10 μm).

【００２２】また基板が大型になると、バッファ室１１
５ｂを設けても、シャワーヘッド１１５の外周側と内周
側とのガス導入孔１１５ａにおける反応ガスの流れやす
さ（コンダクタンス）が異なり、均一なプラズマの生成
が困難となる。When the substrate becomes large, the buffer chamber 11
Even if 5b is provided, the ease (conductance) of reactant gas flow in the gas introduction holes 115a on the outer peripheral side and the inner peripheral side of the shower head 115 differs, making it difficult to generate uniform plasma.

【００２３】また、特開平７−３３５６３３号公報の金
属板１１６においても、基板が大型になった場合、外周
側と内周側のガス導入孔１１６ａにおける反応ガスの流
れやすさ（コンダクタンス）が異なり、均一なプラズマ
の生成が困難となる。Also, in the case of the metal plate 116 disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-335633, when the substrate becomes large, the ease (conductance) of reactant gas flow in the gas introduction holes 116a on the outer peripheral side and the inner peripheral side differs. It is difficult to generate uniform plasma.

【００２４】また、金属板１１６は、形状が複雑である
ため製作が困難で高価なものとなる。Further, the metal plate 116 has a complicated shape, so that it is difficult and expensive to manufacture.

【００２５】さらに、金属板１１６では、スリット状の
マイクロ波導入口１１６ｃからマイクロ波が導入され
る。このマイクロ波導入口１１６ｃのスリットの幅、間
隔、金属板１１６の厚みによって、生成されたプラズマ
が均一な状態となっている位置が変わり、金属板１１６
が厚いほど上蓋１０１から離れた領域でプラズマが均一
になってしまう。Further, the microwave is introduced into the metal plate 116 from the slit-like microwave introduction port 116c. The position where the generated plasma is in a uniform state changes depending on the width and interval of the slit of the microwave introduction port 116 c and the thickness of the metal plate 116.
As the thickness becomes thicker, the plasma becomes more uniform in a region away from the upper lid 101.

【００２６】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであり、大面積の基板を均一なプラズ
マで処理可能で、かつ異常プラズマによる損傷を防止で
きる、低コストなプラズマプロセス装置を提供すること
である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and is a low-cost plasma process capable of processing a large-area substrate with uniform plasma and preventing damage due to abnormal plasma. It is to provide a device.

【００２７】[0027]

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマプロセ
ス装置は、マイクロ波によりプラズマ状態にされた反応
ガスを用いて基板表面にプラズマプロセスを行なうもの
であって、処理室と、マイクロ波伝送手段と、複数の誘
電体板と、複数の反応ガス供給路とを備えている。処理
室は、基板を内部に支持可能である。マイクロ波伝送手
段は、マイクロ波を伝送するためのものである。複数の
誘電体板は、基板表面に対面する主表面を有し、かつマ
イクロ波伝送手段により伝送されたマイクロ波を主表面
から処理室内に放射する。複数の反応ガス供給路は、処
理室に反応ガスを供給するためのものである。複数の反
応ガス供給路の各々は、基板表面の対面側に開口された
反応ガスの吹出口を有し、かつ複数の吹出口は誘電体板
の主表面端縁より外周領域において主表面の周囲を取囲
む位置に配置されている（第１の発明）。SUMMARY OF THE INVENTION A plasma processing apparatus according to the present invention performs a plasma process on a substrate surface by using a reactive gas which is brought into a plasma state by microwaves. , A plurality of dielectric plates, and a plurality of reaction gas supply passages. The processing chamber can support the substrate inside. The microwave transmission means is for transmitting microwaves. The plurality of dielectric plates have a main surface facing the substrate surface, and radiate the microwave transmitted by the microwave transmission means from the main surface into the processing chamber. The plurality of reaction gas supply paths are for supplying a reaction gas to the processing chamber. Each of the plurality of reaction gas supply passages has an outlet for the reaction gas opened on the opposite side of the substrate surface, and the plurality of outlets are formed around the main surface in an outer peripheral region from an edge of the main surface of the dielectric plate. (First invention).

【００２８】本発明のプラズマプロセス装置では、誘電
体板が複数個に分割されている。このため、大面積の基
板を処理する場合でも、１枚ものの大きな誘電体板を用
いる必要がなく、誘電体板の作製が困難となることはな
い。In the plasma processing apparatus of the present invention, the dielectric plate is divided into a plurality. Therefore, even when processing a substrate having a large area, it is not necessary to use one large dielectric plate, and it is not difficult to manufacture the dielectric plate.

【００２９】誘電体板を複数に分割しているため、大型
の１枚ものの誘電体板を形成する場合よりも、既存の製
造設備を用いて均一な材質のものを容易に得ることがで
きる。Since the dielectric plate is divided into a plurality of parts, a uniform material can be easily obtained by using existing manufacturing equipment, as compared with the case where one large dielectric plate is formed.

【００３０】また、複数の誘電体板を用いているため、
誘電体板の一部に損傷が発生した場合、その損傷が発生
した誘電体板のみを交換することにより容易かつ迅速に
設備の修理を行なうことができる。このため、プラズマ
プロセス装置のメンテナンスに要する労力や時間を低減
することができる。Further, since a plurality of dielectric plates are used,
If a part of the dielectric plate is damaged, the equipment can be easily and quickly repaired by replacing only the damaged dielectric plate. Therefore, labor and time required for maintenance of the plasma processing apparatus can be reduced.

【００３１】また、分割された複数個の誘電体板の各周
囲から反応ガスが供給できるよう構成されている。この
ため、大面積の基板を処理する場合でも、誘電体板の周
囲からまんべんなく反応ガスを供給でき、均一なプラズ
マを実現することができる。Further, the reaction gas is supplied from around each of the plurality of divided dielectric plates. Therefore, even when a large-area substrate is processed, the reaction gas can be uniformly supplied from the periphery of the dielectric plate, and uniform plasma can be realized.

【００３２】上記のように均一なプラズマを実現できる
ため、従来例のようにシャワーヘッドや金属板は不要と
なる。Since a uniform plasma can be realized as described above, a shower head and a metal plate are not required as in the conventional example.

【００３３】またマイクロ波を放出する誘電体板の主表
面の側部から反応ガスが供給される。このため、マイク
ロ波の伝送経路以外の領域に反応ガス供給路が設けられ
ることになるため、反応ガス供給路にマイクロ波の電界
振幅の大きな成分が照射されることを確実に防止するこ
とができる。よって、反応ガスにマイクロ波が照射され
ることに起因する異常プラズマの発生を確実に防止する
ことができ、プラズマによる損傷などを防止することが
できる。A reactive gas is supplied from the side of the main surface of the dielectric plate that emits microwaves. For this reason, since the reaction gas supply path is provided in an area other than the microwave transmission path, it is possible to reliably prevent the reaction gas supply path from being irradiated with a component having a large electric field amplitude of the microwave. . Therefore, generation of abnormal plasma due to irradiation of the reaction gas with microwaves can be reliably prevented, and damage due to plasma can be prevented.

【００３４】上記のように異常プラズマによる損傷など
を防止することができるため、反応ガス供給路における
反応ガスの圧力を従来例より低く設定することができ
る。このため、反応ガス供給路における反応ガスの圧力
と処理室内部における反応ガスの圧力との差を小さくす
ることができるため、反応ガスの吹出口付近における反
応ガスのコンダクタンスを従来例より大きくすることが
できる。その結果、反応ガスの吹出口付近の加工におい
て従来のような高精度の加工が不要となる。As described above, since damage due to abnormal plasma can be prevented, the pressure of the reaction gas in the reaction gas supply path can be set lower than in the conventional example. Therefore, the difference between the pressure of the reactant gas in the reactant gas supply passage and the pressure of the reactant gas in the processing chamber can be reduced, so that the conductance of the reactant gas near the outlet of the reactant gas is made larger than in the conventional example. Can be. As a result, in the processing near the outlet of the reaction gas, high-precision processing as in the related art is not required.

【００３５】また反応ガス供給路における反応ガスの圧
力と処理室内部における反応ガスの圧力との差を小さく
することができるため、反応ガスの成分などプロセス条
件の調整を従来例より容易に行なうことができる。Since the difference between the pressure of the reaction gas in the reaction gas supply passage and the pressure of the reaction gas inside the processing chamber can be reduced, the adjustment of the process conditions such as the components of the reaction gas can be performed more easily than in the conventional example. Can be.

【００３６】上記のプラズマプロセス装置において好ま
しくは、複数の誘電体板を処理室に支持するために複数
の誘電体板の周縁部を保持する誘電体板支持部材がさら
に備えられている。吹出口は誘電体板支持部材に設けら
れている（第２の発明）。Preferably, in the above-mentioned plasma processing apparatus, a dielectric plate supporting member for holding peripheral portions of the plurality of dielectric plates for supporting the plurality of dielectric plates in the processing chamber is further provided. The outlet is provided on the dielectric plate support member (second invention).

【００３７】誘電体板支持部材が、誘電体板を支持する
とともに、吹出口を有しているため、誘電体板を支持す
る部材と吹出口を有する部材とを別体で設ける必要はな
く、部材の簡素化を図ることができる。Since the dielectric plate supporting member supports the dielectric plate and has an air outlet, it is not necessary to separately provide the member supporting the dielectric plate and the member having the air outlet. The members can be simplified.

【００３８】上記のプラズマプロセス装置において好ま
しくは、誘電体板支持部材は導電体である（第３の発
明）。In the above plasma processing apparatus, preferably, the dielectric plate supporting member is a conductor (third invention).

【００３９】マイクロ波は導電体を透過しない。このた
め、誘電体板支持部材を金属などの導電体とすることに
より、処理室へ伝送されるマイクロ波の電界振幅の大き
な成分が反応ガス供給路へ導入されることを防止でき
る。この結果、反応ガス供給路において異常プラズマが
発生することを防止でき、この異常プラズマによる損傷
を防止することができる。Microwaves do not pass through the conductor. For this reason, by making the dielectric plate supporting member a conductor such as a metal, it is possible to prevent a component having a large electric field amplitude of the microwave transmitted to the processing chamber from being introduced into the reaction gas supply path. As a result, generation of abnormal plasma in the reaction gas supply path can be prevented, and damage due to the abnormal plasma can be prevented.

【００４０】上記のプラズマプロセス装置において好ま
しくは、反応ガス供給路の壁面の一部は、誘電体板支持
部材と処理室との接続領域内において、隙間を介して互
いに対向する誘電体板支持部材と処理室との表面により
構成される（第４の発明）。In the above-mentioned plasma processing apparatus, preferably, a part of the wall surface of the reaction gas supply path is opposed to the dielectric plate supporting member via a gap in a connection region between the dielectric plate supporting member and the processing chamber. And a surface of the processing chamber (a fourth invention).

【００４１】この場合、反応ガス供給路の壁面の一部
に、マイクロ波を透過させない導電体からなる誘電体板
支持部材の表面を含ませることができる。このため、マ
イクロ波の電界振幅の大きな成分が反応ガス供給路へ照
射されることを確実に防止できる。この結果、反応ガス
供給側において異常プラズマが発生することをより確実
に防止することができる。In this case, a part of the wall surface of the reaction gas supply path may include the surface of a dielectric plate supporting member made of a conductor that does not transmit microwaves. Therefore, it is possible to reliably prevent a component having a large electric field amplitude of the microwave from being applied to the reaction gas supply path. As a result, generation of abnormal plasma on the reaction gas supply side can be more reliably prevented.

【００４２】上記のプラズマプロセス装置において好ま
しくは、反応ガス供給路の壁面の一部は、隙間を介して
互いに対向する誘電体板支持部材の表面と誘電体板の側
面とにより構成される（第５の発明）。In the above-mentioned plasma processing apparatus, preferably, a part of the wall surface of the reaction gas supply passage is constituted by the surface of the dielectric plate supporting member and the side surface of the dielectric plate facing each other with a gap therebetween (the second side). 5 invention).

【００４３】この場合、反応ガス供給路の壁面の一部
に、マイクロ波を透過させない導電体からなる誘電体板
支持部材の表面を含ませることができる。このため、マ
イクロ波の電界振幅の大きな成分が反応ガス供給路へ照
射されることを確実に防止できる。この結果、反応ガス
供給側において異常プラズマが発生することをより確実
に防止することができる。In this case, the surface of the dielectric plate supporting member made of a conductor that does not transmit microwaves can be included in a part of the wall surface of the reaction gas supply passage. Therefore, it is possible to reliably prevent a component having a large electric field amplitude of the microwave from being applied to the reaction gas supply path. As a result, generation of abnormal plasma on the reaction gas supply side can be more reliably prevented.

【００４４】上記のプラズマプロセス装置において好ま
しくは、反応ガス供給路は、吹出口に達するまで次第に
開口径が大きくなるテーパー形状を有している（第６の
発明）。Preferably, in the above-mentioned plasma processing apparatus, the reaction gas supply passage has a tapered shape whose opening diameter gradually increases until it reaches the outlet (sixth invention).

【００４５】これにより、吹出口から処理室内部へと放
出される反応ガスを、誘電体板支持部材の下面に対して
垂直方向のみではなく、斜め方向にも放出させることが
できる。この結果、処理室内部において反応ガスの分布
をより均一にすることができ、より均一な条件でプラズ
マプロセスを行なうことが可能となる。Thus, the reaction gas released from the outlet into the inside of the processing chamber can be released not only vertically but also obliquely to the lower surface of the dielectric plate supporting member. As a result, the distribution of the reaction gas can be made more uniform inside the processing chamber, and the plasma process can be performed under more uniform conditions.

【００４６】上記のプラズマプロセス装置において好ま
しくは、誘電体板は、窒化アルミニウムを主成分とする
セラミックスである（第７の発明）。In the above plasma processing apparatus, the dielectric plate is preferably a ceramic containing aluminum nitride as a main component (a seventh invention).

【００４７】窒化アルミニウムは優れた熱伝導特性を有
している。このため、処理室内部で形成されるプラズマ
によって誘電体板が局所的に加熱されるような場合で
も、その局所的に加えられた熱を速やかに誘電体板全体
に伝えることができる。この結果、誘電体板が、局所的
な加熱によって損傷を受けることを防止することができ
る。Aluminum nitride has excellent heat conduction properties. For this reason, even when the dielectric plate is locally heated by the plasma formed inside the processing chamber, the locally applied heat can be quickly transmitted to the entire dielectric plate. As a result, the dielectric plate can be prevented from being damaged by local heating.

【００４８】また、熱伝導特性に優れた材質を誘電体板
に用いることにより、処理室内部で部分的に高温部分が
発生した場合でも、誘電体板を介してこの高温部分の熱
を他の領域へ速やかに伝えることができ、処理室内部の
雰囲気温度を容易に均一化することができる。Further, by using a material having excellent heat conduction characteristics for the dielectric plate, even when a high-temperature portion is partially generated inside the processing chamber, the heat of this high-temperature portion is transferred to another through the dielectric plate. The temperature can be quickly transmitted to the region, and the ambient temperature inside the processing chamber can be easily made uniform.

【００４９】上記のプラズマプロセス装置において好ま
しくは、マイクロ波伝送手段は、単一モードマイクロ波
導波路を含む（第８の発明）。In the above plasma processing apparatus, preferably, the microwave transmission means includes a single mode microwave waveguide (eighth invention).

【００５０】この場合、マイクロ波の制御を容易に行な
うことができると同時に、安定でかつ均一なマイクロ波
を処理室へ伝送することが可能となる。In this case, the control of the microwave can be easily performed, and at the same time, the stable and uniform microwave can be transmitted to the processing chamber.

【００５１】上記のプラズマプロセス装置において好ま
しくは、複数の誘電体板のうち一方の誘電体板と他方の
誘電体板とに挟まれる領域には、一方の誘電体板から他
方の誘電体板に向かう方向に沿って複数の吹出口が配列
されている（第９の発明）。In the above-described plasma processing apparatus, preferably, a region between one dielectric plate and the other dielectric plate among the plurality of dielectric plates is provided from one dielectric plate to the other dielectric plate. A plurality of outlets are arranged along the direction toward the head (a ninth invention).

【００５２】これにより、吹出口を多く配置することが
可能となるため、より均一なガスの供給が可能となる。This makes it possible to arrange a large number of outlets, so that a more uniform gas can be supplied.

【００５３】[0053]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００５４】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示
す断面図であり、図２は図１の５１−５１線に沿う概略
断面図である。また図３は図１の矢印Ａ方向から見た誘
電体板と誘電体板支持部材との配置状態を示す図であ
り、図４は誘電体板支持部材の下方斜視図（ａ）および
上方斜視図（ｂ）である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view taken along line 51-51 of FIG. It is. FIG. 3 is a view showing the arrangement of the dielectric plate and the dielectric plate supporting member viewed from the direction of arrow A in FIG. 1. FIG. 4 is a lower perspective view (a) and an upper perspective view of the dielectric plate supporting member. FIG.

【００５５】なお図１は図３の５２−５２線に沿う断面
に対応し、図２は図３の５３−５３線に沿う断面に対応
する。FIG. 1 corresponds to a section taken along line 52-52 in FIG. 3, and FIG. 2 corresponds to a section taken along line 53-53 in FIG.

【００５６】主に図１を参照して、本実施の形態のプラ
ズマプロセス装置は、チャンバ蓋１と、プロセスチャン
バ本体２と、導波管３と、導波管端部３ａと、マイクロ
波導入窓４と、誘電体板５と、誘電体板支持部材６と、
基板ホルダ７とを主に有している。Referring mainly to FIG. 1, the plasma processing apparatus according to the present embodiment includes a chamber cover 1, a process chamber main body 2, a waveguide 3, a waveguide end 3a, a microwave A window 4, a dielectric plate 5, a dielectric plate support member 6,
It mainly has a substrate holder 7.

【００５７】チャンバ蓋１はプロセスチャンバ本体２の
上端に配置されており、チャンバ蓋１とプロセスチャン
バ本体２との間はＯリング９によりシールされている。
このチャンバ蓋１にはスリット状の開口部１ａが形成さ
れている。その開口部１ａには、アルミナなどの誘電体
からなり、かつ逆凸形状の断面を有するマイクロ波導入
窓４が挿入されている。チャンバ蓋１とマイクロ波導入
窓４との間はＯリング１０によりシールされており、Ｏ
リング１０はＯリング９とともにチャンバ内部１２の気
密を保持している。チャンバ内部１２は、真空ポンプ
（図示せず）により排気され、真空状態に保持されてい
る。The chamber lid 1 is disposed at the upper end of the process chamber main body 2, and the space between the chamber lid 1 and the process chamber main body 2 is sealed by an O-ring 9.
The chamber lid 1 has a slit-shaped opening 1a. A microwave introduction window 4 made of a dielectric material such as alumina and having an inverted convex cross section is inserted into the opening 1a. The space between the chamber lid 1 and the microwave introduction window 4 is sealed by an O-ring 10,
The ring 10 and the O-ring 9 keep the chamber 12 airtight. The inside 12 of the chamber is evacuated by a vacuum pump (not shown) and is kept in a vacuum state.

【００５８】マイクロ波導入窓４の大気側には導波管端
部３ａが配設されている。導波管端部３ａは、その上面
中央部で導波管３と接続され、導波管３から導かれたマ
イクロ波を開口部３ｂからマイクロ波導入窓４側へ放射
する。導波管端部３ａには保温流路３ｃが設けられてお
り、導波管端部３ａおよびその周辺部が所定の温度を保
つように保温流路３ｃには保温媒質が流されている。A waveguide end 3a is provided on the atmosphere side of the microwave introduction window 4. The waveguide end 3a is connected to the waveguide 3 at the center of the upper surface, and radiates the microwave guided from the waveguide 3 from the opening 3b to the microwave introduction window 4 side. A heat retaining channel 3c is provided at the waveguide end 3a, and a heat retaining medium is passed through the heat retaining channel 3c so that the waveguide end 3a and its peripheral portion maintain a predetermined temperature.

【００５９】チャンバ蓋１の真空側には、窒化アルミニ
ウムなどの誘電体からなるたとえば６枚の誘電体板５が
設置されている。誘電体板５の外周部には、誘電体板５
をチャンバ蓋１に支持するための誘電体板支持部材６が
チャンバ蓋１に固定されている。On the vacuum side of the chamber lid 1, for example, six dielectric plates 5 made of a dielectric material such as aluminum nitride are provided. On the outer periphery of the dielectric plate 5, a dielectric plate 5
Is fixed to the chamber lid 1 for supporting the substrate on the chamber lid 1.

【００６０】チャンバ内部１２には、誘電体板５と対向
するように基板８を保持可能な基板ホルダ７が設置され
ている。A substrate holder 7 capable of holding a substrate 8 is provided in the chamber interior 12 so as to face the dielectric plate 5.

【００６１】チャンバ蓋１には外部からチャンバ内部１
２へ反応ガスを供給するためのガス供給管１１が接続さ
れている。このガス供給管１１から供給された反応ガス
をチャンバ内部１２へ導くために、誘電体板支持部材６
はガス流路用の溝６ｂとガス導入孔６ａとを有してい
る。The chamber lid 1 is attached to the inside of the chamber 1 from the outside.
2 is connected to a gas supply pipe 11 for supplying a reaction gas. In order to guide the reaction gas supplied from the gas supply pipe 11 into the chamber interior 12, the dielectric plate support member 6
Has a gas channel groove 6b and a gas introduction hole 6a.

【００６２】主に図４を参照して、誘電体板支持部材６
には、複数のガス導入孔６ａと固定孔６ｃとが直線上に
配置されている。ガス導入孔６ａは、吹出口に至るまで
徐々に開口径が大きくなるテーパー形状の断面を有して
いる。固定孔６ｃはねじを通すための孔である。また誘
電体板支持部材６のチャンバ蓋１との接合面側には、ガ
ス流路用の溝６ｂが、各ガス導入孔６ａと接続されるよ
うに設けられている。また誘電体板支持部材６の両側部
には、誘電体板５を支持するための爪部６ｆが長手方向
に沿って設けられている。Referring mainly to FIG. 4, dielectric plate supporting member 6
Has a plurality of gas introduction holes 6a and fixing holes 6c arranged in a straight line. The gas introduction hole 6a has a tapered cross section whose opening diameter gradually increases up to the outlet. The fixing hole 6c is a hole for passing a screw. In addition, a groove 6b for a gas flow path is provided on the surface of the dielectric plate supporting member 6 that is joined to the chamber lid 1 so as to be connected to each gas introduction hole 6a. On both sides of the dielectric plate supporting member 6, claw portions 6f for supporting the dielectric plate 5 are provided along the longitudinal direction.

【００６３】主に図２を参照して、誘電体板支持部材６
は、ねじ３０によりチャンバ蓋１に固定されている。こ
のねじ３０は、誘電体板支持部材６の固定孔６ｃに挿通
され、かつチャンバ蓋１のねじ穴１ｃに螺合されてい
る。誘電体板支持部材６がチャンバ蓋１に固定される
と、ガス流路用の溝６ｂがチャンバ蓋１で蓋をされ、ガ
ス流路の一部となる。これにより、１つのガス供給管１
１から供給された反応ガスはガス流路用の溝６ｂで分岐
され、複数のガス導入孔６ａからチャンバ内部１２に導
入される。なお、複数のガス導入孔６ａの各吹出口は、
基板８の表面の対面側に開口されている。Referring mainly to FIG. 2, dielectric plate supporting member 6
Are fixed to the chamber lid 1 by screws 30. The screw 30 is inserted into the fixing hole 6 c of the dielectric plate supporting member 6 and screwed into the screw hole 1 c of the chamber lid 1. When the dielectric plate supporting member 6 is fixed to the chamber lid 1, the gas channel groove 6b is covered with the chamber lid 1, and becomes a part of the gas channel. Thereby, one gas supply pipe 1
The reaction gas supplied from 1 is branched at a gas flow channel groove 6b, and is introduced into the chamber interior 12 through a plurality of gas introduction holes 6a. The outlets of the plurality of gas introduction holes 6a are:
An opening is provided on the opposite side of the surface of the substrate 8.

【００６４】主に図３を参照して、たとえば６つの誘電
体板５が行列状に配置されている。そして各誘電体板５
の周縁部が誘電体板支持部材６により支持されている。
これにより、誘電体板５の外周領域においてガス導入孔
６ａの吹出口が誘電体板５の周囲を取囲む位置に配置さ
れることとなる。Referring mainly to FIG. 3, for example, six dielectric plates 5 are arranged in a matrix. And each dielectric plate 5
Are supported by the dielectric plate supporting member 6.
Thereby, the outlet of the gas introduction hole 6 a is arranged at a position surrounding the dielectric plate 5 in the outer peripheral region of the dielectric plate 5.

【００６５】誘電体板支持部材６は金属製などの導電体
よりなっている。この場合のガス導入孔６ａの孔径、断
面形状、配置は容易に変更することができる。また真空
ポンプの配置、チャンバ内部１２の構造物の配置によっ
てチャンバ内部１２の反応ガスの流れが変わるため、基
板８の中央部と外周部とでプラズマの状態が異なるよう
な場合もある。よって、それに合わせてプラズマが均一
になるようにガス導入孔６ａの孔径、孔配置を適宜設定
する必要がある。The dielectric plate supporting member 6 is made of a conductor such as metal. In this case, the diameter, cross-sectional shape, and arrangement of the gas introduction holes 6a can be easily changed. In addition, the flow of the reaction gas in the chamber interior 12 varies depending on the arrangement of the vacuum pump and the structure of the structure inside the chamber interior 12, so that the plasma state may be different between the central portion and the outer peripheral portion of the substrate 8. Therefore, it is necessary to appropriately set the hole diameter and the hole arrangement of the gas introduction holes 6a so that the plasma becomes uniform.

【００６６】次に、本実施の形態のプラズマプロセス装
置をＣＶＤ装置として用いた場合の動作について説明す
る。Next, the operation when the plasma processing apparatus of the present embodiment is used as a CVD apparatus will be described.

【００６７】チャンバ内部１２が予め真空ポンプなどを
用いて真空状態に保持される。マグネトロン（図示せ
ず）から発せられたマイクロ波は、導波管３に導かれて
導波管端部３ａの開口部３ｃとマイクロ波導入窓４とを
経て誘電体板５の表面からチャンバ内部１２へ放射され
る。The chamber interior 12 is held in a vacuum state by using a vacuum pump or the like in advance. The microwave emitted from the magnetron (not shown) is guided to the waveguide 3, passes through the opening 3 c of the waveguide end 3 a and the microwave introduction window 4, and from the surface of the dielectric plate 5 to the inside of the chamber. 12 radiated.

【００６８】一方、所要の原料ガスは、ガス供給管１１
から導入された後、ガス流路用の溝６ｂで分岐され、複
数のガス導入孔６ａの吹出口からチャンバ内部１２へ供
給される。On the other hand, the required source gas is supplied to the gas supply pipe 11.
After the gas is introduced into the chamber, it is branched by the gas flow channel groove 6b and supplied to the chamber interior 12 from the outlets of the gas introduction holes 6a.

【００６９】反応ガスがチャンバ内部１２に導入される
と、マイクロ波により均一なプラズマが生成され、これ
により基板ホルダ７上の基板８表面に対して均一な成膜
などが行なわれる。When the reaction gas is introduced into the chamber interior 12, a uniform plasma is generated by the microwave, whereby a uniform film is formed on the surface of the substrate 8 on the substrate holder 7.

【００７０】本実施の形態においては、誘電体板５が複
数個に分割されている。このため、大面積の基板８を処
理する場合でも、１枚ものの大きな誘電体板を用いる必
要はなく、誘電体板５の作製が困難となることはない。In the present embodiment, the dielectric plate 5 is divided into a plurality. Therefore, even when processing a large-area substrate 8, it is not necessary to use one large dielectric plate, and it is not difficult to manufacture the dielectric plate 5.

【００７１】また、このような小型の誘電体板５は、１
枚ものの大きな誘電体板を形成する場合よりも、既存の
製造設備を用いて均一な材質のものを容易に得ることが
できる。この結果、大型の誘電体板を一体ものとして形
成する場合よりも、均一で優れた材質の誘電体板５を得
ることができる。Also, such a small dielectric plate 5 is
Compared to a case where a large number of dielectric plates are formed, a material having a uniform material can be easily obtained using existing manufacturing equipment. As a result, it is possible to obtain the dielectric plate 5 of a uniform and excellent material as compared with the case where the large-sized dielectric plate is formed integrally.

【００７２】また、このような複数の誘電体板５を用い
たプラズマプロセス装置においては、誘電体板５の一部
に損傷が発生した場合でも、その損傷が発生した誘電体
板５のみを交換することにより容易かつ迅速に設備の修
理を行なうことができる。その結果、プラズマプロセス
装置のメンテナンスに要する労力や時間を低減すること
ができる。In a plasma processing apparatus using such a plurality of dielectric plates 5, even if a part of the dielectric plate 5 is damaged, only the damaged dielectric plate 5 is replaced. By doing so, the equipment can be repaired easily and quickly. As a result, labor and time required for maintenance of the plasma processing apparatus can be reduced.

【００７３】また、分割された複数個の誘電体板５の各
周囲から反応ガスが供給できるよう構成されている。こ
のため、大面積の基板８を処理する場合でも、誘電体板
５の周囲からまんべんなく反応ガスを供給でき、均一な
プラズマを実現することができる。Further, the reaction gas is supplied from around each of the plurality of divided dielectric plates 5. Therefore, even when processing a large-area substrate 8, the reaction gas can be uniformly supplied from the periphery of the dielectric plate 5, and uniform plasma can be realized.

【００７４】また、反応ガスは誘電体板５の外周部から
供給される。このため、マイクロ波をチャンバ内部１２
へ放射するための誘電体板５表面の前方には反応ガス供
給路は設けられていない。これにより、マイクロ波の伝
送経路以外の領域に反応ガス供給路が設けられることと
なるため、反応ガス供給路にマイクロ波の電界振幅の大
きな成分が照射されることを確実に防止することができ
る。このため、反応ガスにマイクロ波が照射されること
に起因する異常プラズマの発生を確実に防止することが
でき、プラズマによる損傷などを防止することができ
る。The reaction gas is supplied from the outer periphery of the dielectric plate 5. Therefore, the microwave is applied to the inside of the chamber 12.
No reactive gas supply path is provided in front of the surface of the dielectric plate 5 for radiating the gas. Thereby, since the reaction gas supply path is provided in a region other than the microwave transmission path, it is possible to reliably prevent the reaction gas supply path from being irradiated with a component having a large electric field amplitude of the microwave. . Therefore, generation of abnormal plasma due to irradiation of the reaction gas with the microwave can be reliably prevented, and damage due to the plasma can be prevented.

【００７５】また、反応ガス供給路において異常プラズ
マが発生することを防止できるため、反応ガス供給路に
おける反応ガスの圧力を従来例より低く設定することが
できる。このため、反応ガス供給路における反応ガスの
圧力とチャンバ内部１２における反応ガスの圧力との差
を小さくすることができる。よって、誘電体板支持部材
６のガス導入孔６ａにおける反応ガスのコンダクタンス
を従来例より大きくすることができる。その結果、誘電
体板支持部材６におけるガス導入孔６ａのサイズを従来
例より大きくすることができるため、ガス導入孔６ａの
加工において従来のような高精度の加工が不要となる。Since the occurrence of abnormal plasma in the reaction gas supply path can be prevented, the pressure of the reaction gas in the reaction gas supply path can be set lower than in the conventional example. Therefore, the difference between the pressure of the reaction gas in the reaction gas supply passage and the pressure of the reaction gas in the chamber interior 12 can be reduced. Therefore, the conductance of the reaction gas in the gas introduction hole 6a of the dielectric plate supporting member 6 can be made larger than in the conventional example. As a result, the size of the gas introduction hole 6a in the dielectric plate supporting member 6 can be made larger than that of the conventional example, so that the processing of the gas introduction hole 6a does not require high-precision processing as in the related art.

【００７６】また、反応ガス供給路における反応ガスの
圧力とチャンバ内部１２における反応ガスの圧力との差
を小さくすることができるため、反応ガスの成分などプ
ロセス条件の調整を従来例より容易に行なうことができ
る。Further, since the difference between the pressure of the reaction gas in the reaction gas supply passage and the pressure of the reaction gas in the chamber interior 12 can be reduced, adjustment of process conditions such as components of the reaction gas can be performed more easily than in the conventional example. be able to.

【００７７】また、誘電体板支持部材６を用いてチャン
バ内部１２に均一に反応ガスを供給することができるた
め、均一なプラズマを得ることができる。Further, since the reaction gas can be uniformly supplied to the inside 12 of the chamber using the dielectric plate supporting member 6, uniform plasma can be obtained.

【００７８】また、誘電体板支持部材６を金属などの導
電体により構成した場合、マイクロ波の電界振幅の大き
な成分が反応ガス供給路へ導入されることを防止するこ
とができる。この結果、この部分の反応ガス供給路にお
いてこのマイクロ波に起因する異常プラズマの発生を防
止することができ、プラズマによる損傷を防止すること
ができる。When the dielectric plate supporting member 6 is made of a conductor such as a metal, it is possible to prevent a component having a large microwave electric field amplitude from being introduced into the reaction gas supply path. As a result, it is possible to prevent the occurrence of abnormal plasma due to the microwave in the reaction gas supply path in this portion, and to prevent damage due to the plasma.

【００７９】また、図２に示すように反応ガス供給路の
壁面の一部は、誘電体板支持部材６とチャンバ蓋１との
接続領域内において、チャンバ蓋１の表面とガス流路用
の溝６ｂとにより構成されている。この場合、チャンバ
蓋１および誘電体板支持部材６の双方を導電体とするこ
とにより、チャンバ蓋１と溝６ｂとにより構成される反
応ガス供給路へのマイクロ波の電界振幅の大きな成分が
照射されることを確実に防止できる。その結果、この部
分の反応ガス供給路においても異常プラズマの発生を防
止することができる。Further, as shown in FIG. 2, a part of the wall surface of the reaction gas supply path is connected to the surface of the chamber lid 1 and the gas flow path in the connection region between the dielectric plate supporting member 6 and the chamber lid 1. It is constituted by a groove 6b. In this case, by using both the chamber lid 1 and the dielectric plate supporting member 6 as conductors, a component having a large electric field amplitude of the microwave is irradiated to the reaction gas supply path formed by the chamber lid 1 and the groove 6b. Is reliably prevented from being performed. As a result, it is possible to prevent the generation of abnormal plasma even in the reaction gas supply path in this portion.

【００８０】また、ガス導入孔６ａは、吹出口に向かう
に従って開口径が大きくなるテーパー形状の断面を有し
ている。このため、このガス導入孔６ａからチャンバ内
部１２へと放出される反応ガスを、誘電体板支持部材６
の下面に対して垂直方向のみではなく斜め方向にも放出
することができる。この結果、チャンバ内部１２におい
て反応ガスの分布をより均一にすることができ、より均
一な条件でプラズマプロセスを行なうことが可能とな
る。The gas introduction hole 6a has a tapered cross section whose opening diameter increases toward the outlet. Therefore, the reaction gas released from the gas introduction hole 6a into the chamber interior 12 is supplied to the dielectric plate supporting member 6
Can be emitted not only vertically but also obliquely to the lower surface. As a result, the distribution of the reaction gas in the chamber interior 12 can be made more uniform, and the plasma process can be performed under more uniform conditions.

【００８１】また、誘電体板５は窒化アルミニウムを主
成分とするセラミックスよりなっており、窒化アルミニ
ウムは優れた熱伝導性を有している。このため、チャン
バ内部１２で形成されるプラズマによって誘電体板５が
局所的に加熱されるような場合、その局所的に加えられ
た熱を速やかに誘電体板５全体へと伝えることができ
る。その結果、誘電体板５がこの局所的な加熱によって
損傷を受けることを防止することができる。The dielectric plate 5 is made of a ceramic containing aluminum nitride as a main component, and the aluminum nitride has excellent thermal conductivity. Therefore, when the dielectric plate 5 is locally heated by the plasma formed inside the chamber 12, the locally applied heat can be quickly transmitted to the entire dielectric plate 5. As a result, it is possible to prevent the dielectric plate 5 from being damaged by this local heating.

【００８２】また、このように誘電体板５として熱伝導
特性の優れた材質を用いることにより、チャンバ内部１
２に部分的に高温部分が発生した場合、この誘電体板５
を介してこの高温部分の熱を他の領域に速やかに伝える
ことができる。このため、チャンバ内部１２の雰囲気温
度を容易に均一化することができる。Also, by using a material having excellent heat conduction characteristics as the dielectric plate 5 as described above, the inside of the chamber 1
When a high-temperature portion is partially generated in the dielectric plate 5, the dielectric plate 5
The heat of the high-temperature portion can be quickly transmitted to another region via the heat transfer member. For this reason, the ambient temperature in the chamber interior 12 can be easily made uniform.

【００８３】また、導波管３、導波管端部３ａおよびマ
イクロ波導入窓４を有するマイクロ波伝送手段は、単一
モードマイクロ波導波路を含んでいる。これにより、マ
イクロ波の制御を容易に行なうことができると同時に、
安定でかつ均一なマイクロ波をチャンバ内部１２へ伝送
することが可能となる。The microwave transmission means having the waveguide 3, the waveguide end 3a and the microwave introduction window 4 includes a single mode microwave waveguide. This makes it easy to control the microwave while at the same time
It is possible to transmit a stable and uniform microwave to the chamber interior 12.

【００８４】（実施の形態２）図５は本発明の実施の形
態２におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示
す断面図であり、図６は図５の５４−５４線に沿う概略
断面図である。また図７は図５の矢印Ａ方向から見た誘
電体板と誘電体板支持部材との配置状態を示す図であ
り、図８はチャンバ蓋に設けられたガス流路用の溝を示
す図である。(Embodiment 2) FIG. 5 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 6 is a schematic sectional view taken along line 54-54 of FIG. It is. FIG. 7 is a view showing the arrangement of the dielectric plate and the dielectric plate support member viewed from the direction of arrow A in FIG. 5, and FIG. 8 is a view showing a groove for a gas passage provided in the chamber lid. It is.

【００８５】なお図５は図７の５５−５５線に沿う断面
に対応し、図６は図７の５６−５６線に沿う断面図に対
応する。FIG. 5 corresponds to a cross section taken along line 55-55 in FIG. 7, and FIG. 6 corresponds to a cross section taken along line 56-56 in FIG.

【００８６】主に図５を参照して、本実施の形態のプラ
ズマプロセス装置の構成は、実施の形態１の構成と比較
して、反応ガス供給路の構成において異なる。Referring mainly to FIG. 5, the configuration of the plasma processing apparatus of the present embodiment is different from the configuration of the first embodiment in the configuration of the reaction gas supply path.

【００８７】反応ガス供給路の一部であるガス導入孔６
ａは、誘電体板５の側面と誘電体板支持部材６の側面と
から構成され、誘電体板支持部材６に設けられた切欠部
６ｄを吹出口としている。Gas introduction hole 6 which is a part of the reaction gas supply passage
“a” is composed of the side surface of the dielectric plate 5 and the side surface of the dielectric plate support member 6, and has a cutout 6 d provided in the dielectric plate support member 6 as an outlet.

【００８８】主に図６を参照して、ガス流路用の溝１ｂ
はチャンバ蓋１側に設けられている。ガス流路用の溝１
ｂは、誘電体板支持部材６がチャンバ蓋１に固定される
と、誘電体板支持部材６で蓋をされガス流路の一部とな
る。この溝１ｂによるガス流路は、図示されていないが
複数の反応ガス導入孔６ａに分岐されている。Referring mainly to FIG. 6, groove 1b for gas flow path
Is provided on the chamber lid 1 side. Groove 1 for gas flow path
b, when the dielectric plate supporting member 6 is fixed to the chamber lid 1, it is covered with the dielectric plate supporting member 6 and becomes a part of the gas flow path. Although not shown, the gas flow path formed by the groove 1b is branched into a plurality of reaction gas introduction holes 6a.

【００８９】主に図７を参照して、切欠部６ｄは誘電体
板支持部材６の左右の爪部６ｅに交互に配置されてい
る。これにより、誘電体板５の外周に配置される吹出口
（切欠部６ｄ）を各誘電体板５に対して均等に配置する
ことができる。Referring mainly to FIG. 7, notches 6d are alternately arranged on left and right claws 6e of dielectric plate supporting member 6. Thus, the air outlets (notches 6d) arranged on the outer periphery of the dielectric plate 5 can be evenly arranged for each dielectric plate 5.

【００９０】主に図８を参照して、ガス流路用の溝１ｂ
は、誘電体板支持部材６の取付部であって開口部１ａの
形成領域以外に配置されている。Referring mainly to FIG. 8, groove 1b for gas flow path
Is a mounting portion of the dielectric plate supporting member 6, and is disposed in a region other than the formation region of the opening 1a.

【００９１】なお、これ以外の構成については、上述し
た実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部
材については同一の符号を付し、その説明を省略する。The remaining structure is substantially the same as the structure of the first embodiment, and therefore the same members are denoted by the same reference characters and description thereof will not be repeated.

【００９２】なお誘電体板支持部材６は金属製などの導
電体よりなっている。その場合の切欠部６ｄの開口面
積、配置は容易に変更することができる。また、真空ポ
ンプの配置、チャンバ内部１２の構造物の配置によって
チャンバ内部１２の反応ガスの流れが変わるため、基板
８の中央部と外周部とでプラズマの状態が異なるような
場合もある。よって、それに合わせてプラズマが均一と
なるように切欠部６ｄの開口面積、配置を適宜設定する
必要がある。The dielectric plate supporting member 6 is made of a conductor such as a metal. In this case, the opening area and arrangement of the notch 6d can be easily changed. Further, the flow of the reactant gas in the chamber interior 12 changes depending on the arrangement of the vacuum pump and the arrangement of the structures in the chamber interior 12, so that the plasma state may be different between the central portion and the outer peripheral portion of the substrate 8. Therefore, it is necessary to appropriately set the opening area and arrangement of the cutout portion 6d so that the plasma becomes uniform.

【００９３】本実施の形態では、反応ガス導入孔６ａの
壁面が、誘電体板５の側面と誘電体板支持部材６の側面
とで構成されている。このため、誘電体板支持部材６
を、マイクロ波を透過させない導電体より形成した場
合、誘電体板支持部材６側においてマイクロ波の電界振
幅の大きな成分が反応ガス供給路へ照射されることを確
実に防止でき、その部分で異常プラズマが発生すること
をより確実に防止することができる。In the present embodiment, the wall surface of the reaction gas introduction hole 6 a is constituted by the side surface of the dielectric plate 5 and the side surface of the dielectric plate support member 6. For this reason, the dielectric plate supporting member 6
Is formed of a conductor that does not transmit microwaves, it is possible to reliably prevent a component having a large electric field amplitude of microwaves from being irradiated to the reaction gas supply path on the dielectric plate supporting member 6 side, and to detect abnormalities in those portions. Generation of plasma can be more reliably prevented.

【００９４】（実施の形態３）図９は本発明の実施の形
態３におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示
す断面図であり、図１０は図９の５７−５７線に沿う概
略断面図である。(Embodiment 3) FIG. 9 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to Embodiment 3 of the present invention, and FIG. 10 is a schematic sectional view taken along line 57-57 of FIG. It is.

【００９５】図９と図１０とを参照して、本実施の形態
のプラズマプロセス装置の構成は、実施の形態１の構成
と比較して、ガス流路用の溝６ｅが誘電体板支持部材６
側に設けられているのではなく、チャンバ蓋１側に設け
られている点において異なる。このガス流路用の溝６ｅ
は、誘電体板支持部材６がチャンバ蓋１に固定されるこ
とにより誘電体板支持部材６で蓋をされ、ガス流路の一
部となる。この溝６ｅにより形成されるガス流路は、図
１０に示すように複数のガス導入孔６ａに分岐する。Referring to FIGS. 9 and 10, the configuration of the plasma processing apparatus of the present embodiment is different from that of the first embodiment in that the groove 6e for the gas flow path is formed by a dielectric plate supporting member. 6
The difference lies in that it is not provided on the side, but on the chamber lid 1 side. This gas channel groove 6e
Is fixed by the dielectric plate supporting member 6 to the chamber lid 1 so as to be covered with the dielectric plate supporting member 6, and becomes a part of the gas flow path. The gas flow path formed by the groove 6e branches into a plurality of gas introduction holes 6a as shown in FIG.

【００９６】これにより、ガス供給管１１より供給され
た反応ガスは、溝１ｂによるガス流路を経た後にガス導
入孔６ａに入り、その吹出口からチャンバ内部１２へ導
入される。Thus, the reaction gas supplied from the gas supply pipe 11 enters the gas introduction hole 6a after passing through the gas flow path by the groove 1b, and is introduced into the chamber interior 12 from the outlet.

【００９７】なお、これ以外の構成については、上述し
た実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部
材については同一の符号を付し、その説明を省略する。The remaining structure is almost the same as that of the first embodiment, and therefore the same members are denoted by the same reference characters and description thereof will not be repeated.

【００９８】（実施の形態４）図１１は、本発明の実施
の形態４におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的
に示す断面図である。図１１を参照して、本実施の形態
のプラズマプロセス装置の構成は、実施の形態１の構成
と比較して、プラズマ源のサイズ（または個数）とＯリ
ング１０の配設位置において異なる。(Embodiment 4) FIG. 11 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. Referring to FIG. 11, the configuration of the plasma processing apparatus of the present embodiment is different from the configuration of the first embodiment in the size (or the number) of the plasma sources and the arrangement position of O-ring 10.

【００９９】本実施の形態では、たとえば３つのプラズ
マ源が並列に設けられており、実施の形態１よりも多く
設けられている。誘電体板５のサイズを実施の形態１と
同程度にした場合には、実施の形態１で扱える基板８よ
りもさらに大きなサイズの基板８まで扱うことが可能と
なる。特に大型のＴＦＴ液晶表示素子用の基板は１ｍ角
という大面積であるが、このような大面積の基板に対し
ても均一なプラズマプロセスを施すことができる。In the present embodiment, for example, three plasma sources are provided in parallel, and more plasma sources are provided than in the first embodiment. When the size of the dielectric plate 5 is made approximately the same as that of the first embodiment, it is possible to handle a substrate 8 having a size even larger than the substrate 8 that can be handled in the first embodiment. In particular, a substrate for a large-sized TFT liquid crystal display element has a large area of 1 m square, but a uniform plasma process can be applied to such a large-sized substrate.

【０１００】逆に誘電体板５のサイズを実施の形態１よ
りも小さくした場合には、小さな誘電体板５によりプラ
ズマ源を形成することも可能である。プラズマによる熱
で誘電体板５表面の温度は上昇する。誘電体板５は通
常、熱伝導率が低く、プラズマに晒される面側とその裏
面側では温度差が発生し変形する。このため、誘電体板
５のサイズが小さい方が変形量は小さい。また誘電体板
５のサイズを小さくすることで、誘電体板５を安価に製
造することができる。Conversely, when the size of the dielectric plate 5 is smaller than that of the first embodiment, it is possible to form a plasma source with the small dielectric plate 5. The temperature of the surface of the dielectric plate 5 rises due to the heat generated by the plasma. The dielectric plate 5 usually has a low thermal conductivity, and a temperature difference is generated between the surface exposed to the plasma and the rear surface thereof, and the dielectric plate 5 is deformed. Therefore, the smaller the size of the dielectric plate 5, the smaller the amount of deformation. In addition, by reducing the size of the dielectric plate 5, the dielectric plate 5 can be manufactured at low cost.

【０１０１】プロセスチャンバの封止は、Ｏリング９、
１０ａ、１０ｂで行なわれている。Ｏリング１０ａ、１
０ｂは、チャンバ蓋１とマイクロ波導入窓４との間をシ
ールする。導波管端部３ａにはチャンバ蓋１の開口部１
ａとマイクロ波導入窓４との間を挟むように二重にＯリ
ング溝が設けられており、各Ｏリング溝内にＯリング１
０ａ，１０ｂが配置されている。Ｏリング１０ｂにより
チャンバ蓋１と導波管端部３ａ間が、Ｏリング１０ａに
より導波管端部３とマイクロ波導入窓４間がシールされ
ている。The process chamber is sealed by an O-ring 9,
This is performed at 10a and 10b. O-ring 10a, 1
Ob seals between the chamber lid 1 and the microwave introduction window 4. The opening 1 of the chamber lid 1 is provided at the waveguide end 3a.
a and the microwave introduction window 4 are provided with double O-ring grooves, and an O-ring 1 is provided in each O-ring groove.
0a and 10b are arranged. The O-ring 10b seals between the chamber lid 1 and the waveguide end 3a, and the O-ring 10a seals between the waveguide end 3 and the microwave introduction window 4.

【０１０２】このように導波管端部３ａの開口部３ｂの
側部にＯリング１０ａ、１０ｂが配設されているため、
Ｏリング１０ａ、１０ｂは導波管端部３ａから照射され
るマイクロ波に直接当たることはない。したがって、Ｏ
リング１０ａ、１０ｂのマイクロ波曝露による劣化を防
止することができる。As described above, since the O-rings 10a and 10b are disposed on the side of the opening 3b of the waveguide end 3a,
The O-rings 10a and 10b do not directly hit the microwave radiated from the waveguide end 3a. Therefore, O
The deterioration of the rings 10a and 10b due to microwave exposure can be prevented.

【０１０３】なお、これ以外の構成については、上述し
た実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部
材については同一の符号を付し、その説明を省略する。The remaining structure is almost the same as that of the first embodiment, and therefore, the same members are denoted by the same reference characters and description thereof will not be repeated.

【０１０４】（実施の形態５）図１２は、本発明の実施
の形態５におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的
に示す断面図である。図１２を参照して、本実施の形態
のプラズマプロセス装置の構成は、実施の形態１の構成
と比較して、反応ガス供給路の構成手法が異なる。(Embodiment 5) FIG. 12 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to Embodiment 5 of the present invention. Referring to FIG. 12, the configuration of the plasma processing apparatus of the present embodiment is different from the configuration of the first embodiment in the method of forming the reaction gas supply path.

【０１０５】本実施の形態では、反応ガス供給路の一部
であるガス導入孔６ａはチャンバ蓋１には設けられてい
るが、誘電体板支持部材１ｅには設けられていない。こ
のため、ガス導入孔６ａの吹出口はチャンバ蓋１に設け
られている。これにより、ガス供給管１１から供給され
た反応ガスは、ガス導入孔６ａを通りその吹出口からチ
ャンバ内部１２へ供給されることになる。なお、誘電体
板５は、チャンバ蓋１の凸部１ｄの側壁に設けられた誘
電体板支持部材１ｅにより支持されている。In the present embodiment, the gas introduction hole 6a, which is a part of the reaction gas supply passage, is provided in the chamber cover 1, but is not provided in the dielectric plate supporting member 1e. For this reason, the outlet of the gas introduction hole 6 a is provided in the chamber lid 1. As a result, the reaction gas supplied from the gas supply pipe 11 passes through the gas introduction hole 6a and is supplied from the outlet to the chamber interior 12. The dielectric plate 5 is supported by a dielectric plate support member 1e provided on the side wall of the projection 1d of the chamber lid 1.

【０１０６】なお、これ以外の構成については、上述し
た実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部
材については同一の符号を付し、その説明を省略する。The remaining structure is substantially the same as the structure of the first embodiment, and therefore the same members are denoted by the same reference characters and description thereof will not be repeated.

【０１０７】（実施の形態６）図１３は、本発明の実施
の形態６におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的
に示す断面図である。図１３を参照して、本実施の形態
のプラズマプロセス装置の構成は、実施の形態１の構成
と比較して、誘電体板支持部材６とチャンバ蓋１との間
がＯリング１３によりシールされている点、および誘電
体板支持部材６およびチャンバ蓋１のいずれにもガス流
路用の溝を設けていない点において異なる。Ｏリング１
３は、チャンバ蓋１に設けられたＯリング用溝１ｆ内に
配置されている。ガス供給管１１から供給された反応ガ
スはチャンバ蓋１に設けられたガス流路を通じてガス導
入孔６ａに入り、その吹出口からチャンバ内部１２へ供
給される。(Embodiment 6) FIG. 13 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to Embodiment 6 of the present invention. Referring to FIG. 13, the configuration of the plasma processing apparatus of the present embodiment is different from the configuration of the first embodiment in that the space between dielectric plate supporting member 6 and chamber lid 1 is sealed by O-ring 13. In that no gas channel grooves are provided in any of the dielectric plate supporting member 6 and the chamber lid 1. O-ring 1
Numeral 3 is arranged in an O-ring groove 1f provided in the chamber lid 1. The reaction gas supplied from the gas supply pipe 11 enters the gas introduction hole 6 a through a gas flow path provided in the chamber lid 1, and is supplied from the outlet to the chamber interior 12.

【０１０８】なお、これ以外の構成については、上述し
た実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部
材については同一の符号を付し、その説明を省略する。The remaining structure is almost the same as that of the first embodiment, and therefore the same members are denoted by the same reference characters and description thereof will not be repeated.

【０１０９】本実施の形態では、Ｏリング１３が誘電体
板支持部材６とチャンバ蓋１との間に設けられているた
め、ガス供給管１１から供給された反応ガスは反応ガス
供給路の途中で漏れることなくチャンバ内部１２へ供給
され得る。In the present embodiment, since the O-ring 13 is provided between the dielectric plate supporting member 6 and the chamber lid 1, the reaction gas supplied from the gas supply pipe 11 flows in the middle of the reaction gas supply path. Can be supplied to the chamber interior 12 without leaking.

【０１１０】なお、チャンバ蓋１または誘電体板支持部
材６に流路を設け、その外側にＯリングが設けられても
よい。A channel may be provided in the chamber lid 1 or the dielectric plate supporting member 6, and an O-ring may be provided outside the channel.

【０１１１】（実施の形態７）図１４は本発明の実施の
形態７におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に
示す断面図である。図１５は図１４の矢印Ａ方向から見
た誘電体板と誘電体板支持部材との配置状態を示す図で
ある。(Embodiment 7) FIG. 14 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to Embodiment 7 of the present invention. FIG. 15 is a diagram showing the arrangement of the dielectric plate and the dielectric plate support member as viewed from the direction of arrow A in FIG.

【０１１２】なお、図１４は図１５の５８−５８線に沿
う概略断面図である。図１４および図１５を参照して、
本実施の形態のプラズマプロセス装置の構成は、実施の
形態１の構成と比較して、隣合う誘電体板５に挟まれる
領域に、一方の誘電体板５から他方の誘電体板５へ延び
る方向に沿って複数のガス導入孔６ａの吹出口が配置さ
れている点において異なる。この複数のガス導入孔６ａ
は誘電体板支持部材６に設けられており、かつ誘電体板
支持部材６に設けられたガス流路用の溝６ｂから分岐し
ている。FIG. 14 is a schematic sectional view taken along the line 58--58 of FIG. Referring to FIG. 14 and FIG.
Compared with the configuration of the first embodiment, the configuration of the plasma processing apparatus of the present embodiment extends from one dielectric plate 5 to the other dielectric plate 5 in a region sandwiched between adjacent dielectric plates 5. The difference is that the outlets of the gas introduction holes 6a are arranged along the direction. The plurality of gas introduction holes 6a
Is provided on the dielectric plate support member 6 and branches off from a gas flow channel groove 6b provided on the dielectric plate support member 6.

【０１１３】また誘電体板５とチャンバ壁とに挟まれる
領域においても、誘電体板５からチャンバ壁に向かう方
向に沿って誘電体支持部材６には複数のガス供給孔６ａ
の吹出口が配置されている。このガス供給孔６ａも誘電
体支持部材６に設けられたガス流路用の溝６ｂから分岐
している。Also, in a region sandwiched between the dielectric plate 5 and the chamber wall, a plurality of gas supply holes 6a are formed in the dielectric support member 6 along the direction from the dielectric plate 5 toward the chamber wall.
Outlets are arranged. This gas supply hole 6a also branches from a gas flow channel groove 6b provided in the dielectric support member 6.

【０１１４】なお、図１５の図中縦方向に隣合う誘電体
板５に挟まれる領域にはガス供給孔の吹出口を設けてい
ない構成について図示しているが、もちろんこの領域に
も縦方向に沿って複数の吹出口が配置されていてもよ
い。また誘電体板５とその図中縦方向に位置するチャン
バ壁とに挟まれる領域には１つの吹出口を設けた構成に
ついて図示しているが、もちろんこの領域にも図中縦方
向に沿って複数の吹出口が配列されていてもよい。In FIG. 15, there is shown a configuration in which the region between the dielectric plates 5 which are vertically adjacent to each other is not provided with an outlet for the gas supply hole. A plurality of outlets may be arranged along. In addition, although a configuration in which one air outlet is provided in a region sandwiched between the dielectric plate 5 and a chamber wall positioned in the vertical direction in the figure is shown, it is needless to say that this region also extends in the vertical direction in the figure. A plurality of outlets may be arranged.

【０１１５】なお、これ以外の構成については、上述し
た実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部
材については同一の符号を付し、その説明を省略する。The remaining structure is substantially the same as that of the first embodiment, and therefore the same members are denoted by the same reference characters and description thereof will not be repeated.

【０１１６】次に、本実施の形態のプラズマプロセス装
置をドライエッチング装置として用いた場合の動作につ
いて説明する。Next, an operation when the plasma processing apparatus of the present embodiment is used as a dry etching apparatus will be described.

【０１１７】チャンバ内部１２が予め真空排気手段を用
いて真空状態に保持される。マグネトロン（図示せず）
から発せられたマイクロ波（周波数はたとえば２．４５
ＧＨｚ）は、導波管３に導かれて、導波管端部３ａの開
口部３ｃとマイクロ波導入窓４とを経て誘電体板５の表
面からチャンバ内部１２へ放射される。The interior 12 of the chamber is maintained in a vacuum state by using a vacuum exhaust means in advance. Magnetron (not shown)
(E.g., the frequency is 2.45
(GHz) is guided to the waveguide 3 and radiated from the surface of the dielectric plate 5 to the inside 12 of the chamber through the opening 3c of the waveguide end 3a and the microwave introduction window 4.

【０１１８】一方、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｏ2などのプロセ
スガスは、ガス供給管１１から導入された後、ガス流路
用の溝６ｂで分岐され、複数のガス導入孔６ａの吹出口
からチャンバ内部１２へ供給される。プロセスガスがチ
ャンバ内部１２に導入されると、マイクロ波により均一
なプラズマが生成され、これにより基板ホルダ７上の基
板８表面上に成膜されたＳｉＯ2膜などに対して均一な
エッチングが行なわれる。On the other hand, process gases such as CF 4 , CHF 3 , and O 2 are introduced from the gas supply pipe 11, are branched by gas flow grooves 6 b, and pass through a plurality of gas introduction holes 6 a through outlets. It is supplied to the chamber interior 12. When the process gas is introduced into the chamber interior 12, a uniform plasma is generated by the microwave, and thereby, a uniform etching is performed on the SiO 2 film formed on the surface of the substrate 8 on the substrate holder 7. It is.

【０１１９】なお、プロセスガスの種類を変更し、ガス
圧を所定の圧力に設定することにより、ＳｉＯ2膜以外
の他の絶縁膜やＡｌなどの金属膜をエッチングすること
もできる。By changing the type of the process gas and setting the gas pressure to a predetermined pressure, an insulating film other than the SiO 2 film or a metal film such as Al can be etched.

【０１２０】本実施の形態では、隣合う誘電体板５に挟
まれる領域に複数のガス供給孔６ａの吹出口を配置した
ことにより、チャンバ内部１２へより均一に反応ガスを
供給することができる。In this embodiment, since the outlets of the gas supply holes 6a are arranged in the region between the adjacent dielectric plates 5, the reaction gas can be more uniformly supplied to the chamber interior 12. .

【０１２１】また、本実施の形態において、誘電体板５
を何らかの手法（たとえば図１２に示す実施の形態５の
手法）によりチャンバ蓋１に支持することができる場合
には、誘電体板支持部材６はなくてもよい。この場合、
プロセスガスの吹出口は図１２に示すようにチャンバ蓋
１に設けられてもよい。In the present embodiment, the dielectric plate 5
Can be supported on the chamber lid 1 by any method (for example, the method of the fifth embodiment shown in FIG. 12), the dielectric plate supporting member 6 may not be provided. in this case,
The outlet of the process gas may be provided in the chamber lid 1 as shown in FIG.

【０１２２】この実施の形態では、ガス流路用の溝の外
側にＯリングを設けていないが、Ｏリングを設けて、ガ
ス供給路の途中で漏れをなくすこともできる。In this embodiment, no O-ring is provided outside the gas flow channel groove. However, an O-ring may be provided to prevent leakage in the gas supply path.

【０１２３】なお、本発明によるプラズマプロセス装置
は、上記の実施の形態１〜６に示すように基板８を水平
に設置する構成に限らず、基板８を垂直または傾斜させ
て配置する構成であってもよい。The plasma processing apparatus according to the present invention is not limited to the configuration in which the substrate 8 is installed horizontally as shown in the first to sixth embodiments, but is a configuration in which the substrate 8 is arranged vertically or inclined. You may.

【０１２４】また以上の実施の形態１〜６では、本発明
のプラズマプロセス装置をＣＶＤ装置に適用した構成に
ついて説明したが、これに限定されるものではなく、た
とえばエッチング装置やアッシング装置として適用し得
ることは言うまでもない。In the first to sixth embodiments, the configuration in which the plasma processing apparatus of the present invention is applied to a CVD apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this, and may be applied to, for example, an etching apparatus or an ashing apparatus. It goes without saying that you get it.

【０１２５】また実施の形態７では、本発明のプラズマ
プロセス装置をドライエッチング装置に適用した構成に
ついて説明したが、これに限定されるものではなく、た
とえばＣＶＤ装置やアッシング装置として適用し得るこ
とは言うまでもない。In the seventh embodiment, the configuration in which the plasma processing apparatus of the present invention is applied to a dry etching apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a CVD apparatus or an ashing apparatus. Needless to say.

【０１２６】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。The embodiments disclosed this time are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

【０１２７】[0127]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
プロセス装置は、大面積の基板を均一なプラズマで処理
することができ、かつ異常プラズマによる損傷を防止で
き、かつ低コストである。As described above, the plasma processing apparatus of the present invention can treat a large-area substrate with uniform plasma, can prevent damage due to abnormal plasma, and is low in cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の実施の形態１におけるプラズマプロ
セス装置の構成を概略的に示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図２】 図１の５１−５１線に沿う概略断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic sectional view taken along line 51-51 of FIG.

【図３】 図１の矢印Ａ方向から見た誘電体板と誘電体
板支持部材との配置状態を示す図である。FIG. 3 is a view showing an arrangement state of a dielectric plate and a dielectric plate support member viewed from the direction of arrow A in FIG. 1;

【図４】 誘電体板支持部材の下方斜視図（ａ）と上方
斜視図（ｂ）である。FIG. 4 is a lower perspective view (a) and an upper perspective view (b) of a dielectric plate supporting member.

【図５】 本発明の実施の形態２におけるプラズマプロ
セス装置の構成を概略的に示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図６】 図５の５４−５４線に沿う概略断面図であ
る。FIG. 6 is a schematic sectional view taken along the line 54-54 in FIG.

【図７】 図５の矢印Ａ方向から見た誘電体板と誘電体
板支持部材との配置状態を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an arrangement state of a dielectric plate and a dielectric plate supporting member viewed from the direction of arrow A in FIG. 5;

【図８】 チャンバ蓋に設けられたガス流路用の溝の形
状を示す図である。FIG. 8 is a view showing a shape of a gas channel groove provided in a chamber lid.

【図９】 本発明の実施の形態３におけるプラズマプロ
セス装置の構成を概略的に示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図１０】 図９の５７−５７線に沿う概略断面図であ
る。FIG. 10 is a schematic sectional view taken along line 57-57 of FIG. 9;

【図１１】 実施の形態４におけるプラズマプロセス装
置の構成を概略的に示す断面図である。FIG. 11 is a cross sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment.

【図１２】 実施の形態５におけるプラズマプロセス装
置の構成を概略的に示す断面図である。FIG. 12 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a fifth embodiment.

【図１３】 実施の形態６におけるプラズマプロセス装
置の構成を概略的に示す断面図である。FIG. 13 is a sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a sixth embodiment.

【図１４】 実施の形態７におけるプラズマプロセス装
置の構成を概略的に示す断面図である。FIG. 14 is a cross sectional view schematically showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a seventh embodiment.

【図１５】 図１４の矢印Ａ方向から見た誘電体板と誘
電体板支持部材との配置状態を示す図である。15 is a diagram showing an arrangement state of the dielectric plate and the dielectric plate support member viewed from the direction of arrow A in FIG. 14;

【図１６】 従来のプラズマプロセス装置の構成を概略
的に示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a conventional plasma processing apparatus.

【図１７】 シャワーヘッドを用いた従来のプラズマプ
ロセス装置の構成を概略的に示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a conventional plasma processing apparatus using a shower head.

【図１８】 金属板を用いた従来のプラズマプロセス装
置の構成を概略的に示す断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a conventional plasma processing apparatus using a metal plate.

【図１９】 金属板の構成を概略的に示す斜視図であ
る。FIG. 19 is a perspective view schematically showing a configuration of a metal plate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ チャンバ蓋、２ プロセスチャンバ本体、３ 導波
管、３ａ 導波管端部、３ｂ 開口部、４ マイクロ波
導入窓、５ 誘電体板、６ 誘電体板支持部材、６ａ
ガス導入孔、６ｂ 溝、７ 基板ホルダ、８ 基板、１
１ ガス供給管、１２ チャンバ内部。Reference Signs List 1 chamber lid, 2 process chamber main body, 3 waveguide, 3a waveguide end, 3b opening, 4 microwave introduction window, 5 dielectric plate, 6 dielectric plate support member, 6a
Gas inlet hole, 6b groove, 7 substrate holder, 8 substrate, 1
1 gas supply pipe, 12 inside the chamber.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平山 昌樹 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉05 東北大 学大学院工学研究科内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２−１−17− 301 Ｆターム(参考） 4K030 EA06 FA01 KA30 KA45 KA46 LA15 LA18 5F004 AA16 BA20 BB14 BB28 BC03 BD04 DA01 DA16 DA26 DB03 5F045 AA09 CA15 DP03 EF08 EH03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masaki Hirayama 05 Aoba Aramaki, Aoba-ku, Aoba-ku, Sendai, Miyagi Prefecture Within the Graduate School of Engineering, Tohoku University (72) Inventor Tadahiro Omi 2 Yonegabukuro, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi −1-17− 301 F term (reference) 4K030 EA06 FA01 KA30 KA45 KA46 LA15 LA18 5F004 AA16 BA20 BB14 BB28 BC03 BD04 DA01 DA16 DA26 DB03 5F045 AA09 CA15 DP03 EF08 EH03

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 マイクロ波によりプラズマ状態にされ
た反応ガスを用いて基板表面にプラズマプロセスを行な
うプラズマプロセス装置であって、 前記基板を内部に支持可能な処理室と、 マイクロ波を伝送するためのマイクロ波伝送手段と、 前記基板表面に対面する主表面を有し、かつ前記マイク
ロ波伝送手段により伝送されたマイクロ波を前記主表面
から前記処理室内に放射する複数の誘電体板と、 前記処理室に反応ガスを供給するための複数の反応ガス
供給路とを備え、 複数の前記反応ガス供給路の各々は、前記基板表面の対
面側に開口された反応ガスの吹出口を有し、かつ複数の
前記吹出口は前記誘電体板の前記主表面端縁より外周領
域において前記主表面の周囲を取囲む位置に配置されて
いる、プラズマプロセス装置。1. A plasma processing apparatus for performing a plasma process on a surface of a substrate using a reaction gas that has been brought into a plasma state by a microwave, comprising: a processing chamber capable of supporting the substrate therein; A plurality of dielectric plates having a main surface facing the substrate surface, and emitting microwaves transmitted by the microwave transmission unit from the main surface into the processing chamber; A plurality of reactant gas supply paths for supplying a reactant gas to the processing chamber, each of the plurality of reactant gas supply paths has an outlet for the reactant gas opened on the opposite side of the substrate surface, The plasma processing apparatus, wherein the plurality of air outlets are disposed at positions surrounding the main surface in an outer peripheral region from an edge of the main surface of the dielectric plate. 【請求項２】 複数の前記誘電体板を前記処理室に支持
するために複数の前記誘電体板の周縁部を保持する誘電
体板支持部材をさらに備え、 前記吹出口は前記誘電体板支持部材に設けられている、
請求項１に記載のプラズマプロセス装置。2. The apparatus according to claim 1, further comprising: a dielectric plate supporting member that holds peripheral portions of the plurality of dielectric plates to support the plurality of dielectric plates in the processing chamber; Provided on the member,
The plasma processing apparatus according to claim 1. 【請求項３】 前記誘電体板支持部材は導電体である、
請求項２に記載のプラズマプロセス装置。3. The dielectric plate supporting member is a conductor.
The plasma processing apparatus according to claim 2. 【請求項４】 前記反応ガス供給路の壁面の一部は、前
記誘電体板支持部材と前記処理室との接続領域内におい
て、隙間を介して互いに対向する前記誘電板支持部材と
前記処理室との表面により構成される、請求項１に記載
のプラズマプロセス装置。4. A part of a wall surface of the reaction gas supply passage, in a connection region between the dielectric plate support member and the processing chamber, wherein the dielectric plate support member and the processing chamber oppose each other via a gap. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plasma processing apparatus is constituted by: 【請求項５】 前記反応ガス供給路の壁面の一部は、隙
間を介して互いに対向する前記誘電体板支持部材の表面
と前記誘電体板の側面とにより構成される、請求項１に
記載のプラズマプロセス装置。5. The reaction gas supply path according to claim 1, wherein a part of a wall surface of the reaction gas supply path is constituted by a surface of the dielectric plate supporting member and a side surface of the dielectric plate facing each other with a gap therebetween. Plasma processing equipment. 【請求項６】 前記反応ガス供給路は、前記吹出口に達
するまで次第に開口径が大きくなるテーパー形状を有し
ている、請求項１に記載のプラズマプロセス装置。6. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the reaction gas supply path has a tapered shape in which an opening diameter gradually increases until reaching the outlet. 【請求項７】 前記誘電体板は、窒化アルミニウムを主
成分とするセラミックである、請求項１に記載のプラズ
マプロセス装置。7. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein said dielectric plate is a ceramic containing aluminum nitride as a main component. 【請求項８】 前記マイクロ波伝送手段は、単一モード
マイクロ波導波路を含む、請求項１に記載のプラズマプ
ロセス装置。8. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein said microwave transmission means includes a single-mode microwave waveguide. 【請求項９】 前記複数の誘電体板のうち、一方の誘電
体板と他方の誘電体板とに挟まれる領域には、前記一方
の誘電体板から前記他方の誘電体板に向かう方向に沿っ
て複数の前記吹出口が配列されている、請求項１に記載
のプラズマプロセス装置。9. A region between the one dielectric plate and the other dielectric plate among the plurality of dielectric plates, in a direction from the one dielectric plate toward the other dielectric plate. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the air outlets are arranged along.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6726802B2 (en) 2001-08-06 2004-04-27 Sharp Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
JP2006310794A (en) * 2005-03-30 2006-11-09 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus and method therefor
JP2007273636A (en) * 2006-03-30 2007-10-18 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for plasma treatment
JP2008041323A (en) * 2006-08-02 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd Plasma treatment device and method
US7655111B2 (en) 2006-01-18 2010-02-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2011171153A (en) * 2010-02-19 2011-09-01 Tokyo Electron Ltd Cover fixture and inductively-coupled plasma treatment device
CN102573263A (en) * 2010-10-13 2012-07-11 东京毅力科创株式会社 Plasma processing apparatus and processing gas supply structure thereof
JP2014183297A (en) * 2013-03-21 2014-09-29 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus and shower plate
JP2017004641A (en) * 2015-06-05 2017-01-05 東京エレクトロン株式会社 Microwave plasma source and plasma processing apparatus
KR101812920B1 (en) * 2012-01-17 2017-12-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Plasma processing apparatus

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4572127B2 (en) * 2005-03-02 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 Gas supply member and plasma processing apparatus
TWI406600B (en) * 2007-04-30 2013-08-21 K C Tech Co Ltd Apparatus for generating plasma
JP6804392B2 (en) * 2017-06-05 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment and gas shower head

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5611864A (en) * 1994-03-24 1997-03-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave plasma processing apparatus and processing method using the same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6726802B2 (en) 2001-08-06 2004-04-27 Sharp Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
JP2006310794A (en) * 2005-03-30 2006-11-09 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus and method therefor
US7655111B2 (en) 2006-01-18 2010-02-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR100968990B1 (en) * 2006-01-18 2010-07-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Plasma processing apparatus and method
JP2007273636A (en) * 2006-03-30 2007-10-18 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for plasma treatment
JP2008041323A (en) * 2006-08-02 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd Plasma treatment device and method
JP2011171153A (en) * 2010-02-19 2011-09-01 Tokyo Electron Ltd Cover fixture and inductively-coupled plasma treatment device
CN102573263A (en) * 2010-10-13 2012-07-11 东京毅力科创株式会社 Plasma processing apparatus and processing gas supply structure thereof
KR101812920B1 (en) * 2012-01-17 2017-12-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Plasma processing apparatus
JP2014183297A (en) * 2013-03-21 2014-09-29 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus and shower plate
JP2017004641A (en) * 2015-06-05 2017-01-05 東京エレクトロン株式会社 Microwave plasma source and plasma processing apparatus

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