JP2001135083A - Multi-port memory - Google Patents

Multi-port memory

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JP2001135083A
JP2001135083A JP31339999A JP31339999A JP2001135083A JP 2001135083 A JP2001135083 A JP 2001135083A JP 31339999 A JP31339999 A JP 31339999A JP 31339999 A JP31339999 A JP 31339999A JP 2001135083 A JP2001135083 A JP 2001135083A
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JP
Japan
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address
circuit
ports
read
access
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JP31339999A
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Japanese (ja)
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Isao Tanaka
功 田中
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a multi-port memory system in which identity of data is high and whose operation speed is high by using an access mediating circuit. SOLUTION: This memory is provided with a memory cell array 101 from/in which data is read out and written by plural ports, a bypass buffer 108 inserted bi-directionally into an I/O circuit 107 being corresponding to a port and independent, an address competition detecting circuit 109 comparing address signals from plural ports with each other, an address register 102 setting which access has priority when access request for the same address is performed, and an access mediating circuit 110 adjusting so that write-in operation and read-out operation are not caused at the same timing, control is performed so that only one side out of write-in or read-out for the same memory cell array 101 is performed, potential variation of a needless bit line is suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体記憶装置、
特にマルチポート・スタチック・ランダム・アクセス・
メモリに関するものである。
The present invention relates to a semiconductor memory device,
Especially multi-port static random access
It is about memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般にマルチポートメモリ(この例では
2つのポートを有するデュアルポートメモリについて説
明する)は、各メモリセルに複数のビット線対およびワ
ード線(この例の場合は2つ)を有するメモリセルで構
成され、2対のビット線およびワード線にそれぞれ接続
された2つのポートから同時に同一アドレスのメモリセ
ルへアクセスすることをアクセス競合という。
2. Description of the Related Art Generally, a multi-port memory (in this example, a dual-port memory having two ports will be described) has a plurality of bit line pairs and word lines (two in this example) in each memory cell. Access from two ports connected to two pairs of bit lines and word lines at the same time to memory cells of the same address is called an access conflict.

【0003】このようなアクセス競合が生じた場合のデ
ータ安定性を実現することは、例えば特開昭62ー17
5992号公報に記載されている。この例では、Aポー
トからの書き込み要求とBポートからの読みだし要求が
同時に発生するようなアクセス競合が生じた場合、Aポ
ートからの書き込み動作完了後、Bポートから読みだし
データが出力されるようにBポート側の出力部を制御す
る。
[0003] To realize data stability in the event of such access contention is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 62-17 / 1987.
No. 5992. In this example, if an access conflict occurs in which a write request from port A and a read request from port B occur simultaneously, read data is output from port B after the write operation from port A is completed. Control the output section on the B port side.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の構
成においては、同一アドレスのメモリセルに2つのポー
トからアクセスが要求された場合、ポートへの書き込み
信号がネゲートされたことをトリガーとして出力部のラ
ッチの制御信号とし、メモリセル内への書き込み過程で
の不安定なデータが外部へ出力されることを防いでい
る。
In the conventional configuration as described above, when an access is requested from two ports to a memory cell at the same address, an output is triggered by a negation of a write signal to the port. This is used as a control signal for the latch of the section to prevent unstable data from being output to the outside in the process of writing into the memory cell.

【0005】このため、読みだしの対象となるビット線
については、一旦書き換えられる前のメモリセル内に格
納されていたデータによってビット線電位の変化が生じ
た後、改めて書き換えられたデータによるビット線電位
の変更が実施される。
[0005] Therefore, for a bit line to be read, after the bit line potential changes due to the data stored in the memory cell before being rewritten, the bit line based on the newly rewritten data is changed. A change in potential is performed.

【0006】したがって、書き込みの前後でメモリセル
内のデータが更新される場合、余分なビット線の電位変
化が発生し、アクセス競合が生じない場合に比べ、読み
だし時間が余分にかかることになる。
Therefore, when the data in the memory cell is updated before and after the writing, an extra change in the potential of the bit line occurs, and extra reading time is required as compared with the case where access competition does not occur. .

【0007】特に、ビット線の電位変化を増幅し、外部
へ出力するセンスアンプ回路を用いるようなメモリシス
テムにおいては、過渡的な状態で増幅が生じる誤動作を
回避するために、センスアンプの活性化タイミングをア
クセス競合が生じる場合のタイミングに併せて設計する
必要があるので、アクセス競合が生じない場合でも出力
のタイミングを早めることができない。
Particularly, in a memory system using a sense amplifier circuit which amplifies a potential change of a bit line and outputs the amplified signal to the outside, in order to avoid a malfunction in which amplification occurs in a transient state, activation of the sense amplifier is performed. Since it is necessary to design the timing in accordance with the timing when the access conflict occurs, the output timing cannot be advanced even when the access conflict does not occur.

【0008】従って、同一メモリセルへの書き込み要求
と読み出し要求が競合した場合には、書き込み回路によ
って書き換え中のメモリセル内のデータが、一旦読み出
し用ビット線を駆動する。ビット線に読み出されたデー
タが書き換えられるデータと異なった場合には、読み出
しビット線上のデータを再度読み出し直す必要が生じ
る。
Therefore, when a write request and a read request for the same memory cell conflict, the data in the memory cell being rewritten by the write circuit once drives the read bit line. If the data read to the bit line is different from the data to be rewritten, it is necessary to read the data on the read bit line again.

【0009】負荷の重いビット線の電位変化を逆方向に
修正する必要があるため、通常の読み出しタイミングに
比べると、読み出しが遅くなってしまう。また、場合に
よっては、書き込み途中のデータが外部へ出力される可
能性も発生する。
Since it is necessary to correct the potential change of the bit line with a heavy load in the reverse direction, the reading is delayed as compared with the normal reading timing. In some cases, there is a possibility that data being written is output to the outside.

【0010】本発明の目的は、上述の欠点を解決すると
同時に、アクセス競合時にリード優先モードもサポート
できるマルチポートメモリを提供するものである。
An object of the present invention is to provide a multi-port memory which can solve the above-mentioned drawbacks and can also support a read priority mode at the time of access contention.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、第1の発明は、アクセス競合を検出するためのア
ドレス競合検出回路と、それぞれの入出力ポートに接続
する入出力バッファ間に挿入された制御可能なバッファ
と、メモリセルへの書き込み/読み出しを制御するアク
セス調停回路を設けることにより、アクセス競合が発生
した場合、メモリセルからの読み出し系の回路を非活性
化し、入出力バッファ間に挿入された制御可能なバッフ
ァを所望の部分のみ活性化することにより、直接ライト
データを読み出す。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an address conflict detecting circuit for detecting an access conflict and an input / output buffer connected to each input / output port. By providing an inserted controllable buffer and an access arbitration circuit for controlling writing / reading to / from a memory cell, when an access conflict occurs, a circuit for reading from the memory cell is deactivated and an input / output buffer is provided. By activating only a desired portion of the controllable buffer inserted therebetween, the write data is directly read.

【0012】第2の発明は、アドレス競合検出回路の結
果により書き込み動作と読みだし動作が同一タイミング
で発生しないように調整するアクセス調停回路と、競合
が発生した時のデータ、アドレスを格納するアドレスバ
ッファを設けることにより、アクセス競合が発生した場
合、メモリセルに対してはリード動作のみを行い、その
ときのアドレス情報、データに関してはライトバッファ
に格納する。ライトバッファに格納されたデータは、い
ずれかのポートが空いている時間帯にメモリセルへライ
トされる。メモリセルへのアクセスをリードのみに限定
することにより、データの同一性を保証する。
According to a second aspect of the present invention, an access arbitration circuit for adjusting a write operation and a read operation so as not to occur at the same timing based on a result of an address conflict detection circuit, and an address for storing data and an address when a conflict occurs. By providing a buffer, when an access conflict occurs, only a read operation is performed on a memory cell, and address information and data at that time are stored in a write buffer. The data stored in the write buffer is written to the memory cells during a time period when any port is vacant. By restricting access to the memory cells to read only, data identity is guaranteed.

【0013】また、第3の発明は、ライトデータ/ライ
トアドレスを一時的に保持するライトバッファ部と、ラ
イト優先/リード優先を予め設定できる設定レジスタ
と、メモリセルへの書き込み/読み出しを制御するアク
セス調停回路を設けることにより、容易にアクセス時間
のペナルティを発生すること無くライト優先/リード優
先を切り替えることを可能とする。
According to a third aspect of the present invention, a write buffer unit for temporarily storing write data / write address, a setting register for setting write priority / read priority in advance, and controlling writing / reading to / from a memory cell are provided. By providing the access arbitration circuit, it is possible to easily switch between the write priority and the read priority without generating a penalty for the access time.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明(請求項1)は、アドレス
信号、制御信号を独立に入力できる複数のポートと、前
記ポートに対応する独立したI/O回路と、前記複数の
ポートから読み書きされるメモリと、前記複数のI/O
回路に双方向に挿入された読み出しバッファと、複数の
ポートからのアドレス信号の一致比較するを行うアドレ
ス競合検出回路と、前記アドレス競合検出回路の結果に
より書き込み動作と読みだし動作が同一タイミングで発
生しないように調整するアクセス調停回路を具備するこ
とを特徴とするマルチポートメモリであり、アクセス調
停回路により列選択回路、バイパスバッファを制御する
ことにより、ライト優先と言う形でデータの同一性を保
証する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention (claim 1) provides a plurality of ports to which address signals and control signals can be independently inputted, an independent I / O circuit corresponding to the ports, and a read / write operation from the plurality of ports. Memory and the plurality of I / Os
A read buffer inserted bidirectionally into the circuit, an address conflict detection circuit for comparing and comparing address signals from a plurality of ports, and a write operation and a read operation occur at the same timing based on the result of the address conflict detection circuit. A multi-port memory that has an access arbitration circuit that adjusts the data so that the data arbitration circuit controls the column selection circuit and the bypass buffer, thereby guaranteeing data consistency in the form of write priority. I do.

【0015】本発明(請求項2)は、前記アドレス競合
検出回路により同一アドレスへのアクセス要求を検知し
た場合、前記アクセス調停回路が非優先となるリード要
求ポート側の制御信号をネゲートすることを特徴とし、
ライト要求ポート側の回路のみが動作し、リード要求ポ
ート側のビット線が動作しないよう制御を行う。
According to a second aspect of the present invention, when the access request to the same address is detected by the address contention detection circuit, the access arbitration circuit negates a control signal on a read request port which has a lower priority. Features and
Control is performed so that only the circuit on the write request port side operates and the bit line on the read request port side does not operate.

【0016】本発明(請求項3)は、アドレス信号、制
御信号を独立に入力できる複数のポートと、前記ポート
に対応する独立したI/O回路と、前記複数のポートか
ら読み書きされるメモリと、前記複数のI/O回路に双
方向に挿入された読み出しバッファと、複数のポートか
らのアドレス信号の一致比較するを行うアドレス競合検
出回路と、前記アドレス競合検出回路の結果により書き
込み動作と読みだし動作が同一タイミングで発生しない
ように調整するアクセス調停回路と、競合が発生した時
のデータ、アドレスを格納するアドレスバッファを具備
することを特徴とし、アドレス競合時にはリード動作を
行い、書き込み情報についてはライトバッファに格納す
る。
According to the present invention (claim 3), a plurality of ports to which an address signal and a control signal can be independently inputted, an independent I / O circuit corresponding to the port, and a memory read / written from the plurality of ports are provided. A read buffer bidirectionally inserted into the plurality of I / O circuits, an address conflict detection circuit for comparing and comparing address signals from a plurality of ports, and a write operation and a read operation based on the result of the address conflict detection circuit. It has an access arbitration circuit that adjusts the operation so that it does not occur at the same timing, and an address buffer that stores data and addresses when contention occurs. Is stored in the write buffer.

【0017】本発明(請求項4)は、アドレス信号、制
御信号を独立に入力できる複数のポートと、前記ポート
に対応する独立したI/O回路と、前記複数のポートか
ら読み書きされるメモリと、前記複数のI/O回路に双
方向に挿入された読み出しバッファと、前記複数のI/
O回路に双方向に挿入された読み出しバッファと、複数
のポートからのアドレス信号を比較するアドレス競合検
出回路と、同一アドレスに対してのアクセス要求が発生
した場合にどちらのアクセスを優先するかを設定する設
定レジスタと、書き込み動作と読みだし動作が同一タイ
ミングで発生しないように調整するアクセス調停回路を
具備し、アドレス競合が発生した場合の制御を設定レジ
スタによって選択する。
The present invention (claim 4) provides a plurality of ports to which address signals and control signals can be input independently, an independent I / O circuit corresponding to the ports, and a memory read / written from the plurality of ports. A read buffer bidirectionally inserted into the plurality of I / O circuits;
A read buffer inserted bi-directionally into the O circuit, an address conflict detection circuit for comparing address signals from a plurality of ports, and which access should be given priority when an access request to the same address occurs. A setting register to be set and an access arbitration circuit for adjusting so that a write operation and a read operation do not occur at the same timing are provided, and control when an address conflict occurs is selected by the setting register.

【0018】<実施の形態1>図1は本発明の第1の実
施形態に係るマルチポートメモリの概略構成図であり、
図2は前記マルチポートメモリのメモリセルの構成を示
したものである。説明を簡単にするために、本実施形態
においては、2つの独立したポート(Aポート、Bポー
ト)を持つデュアルポートメモリを用いて説明を進め
る。
<First Embodiment> FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a multiport memory according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows a configuration of a memory cell of the multiport memory. For the sake of simplicity, the present embodiment will be described using a dual-port memory having two independent ports (A port and B port).

【0019】図1、図2において、101はデータを格
納するメモリセル100で構成されるメモリセルアレイ
であり、メモリセル100はデータを記憶するフリップ
フロップ構成のインバータと独立した2つのポートに対
応するNチャネルトランジスタで構成される入出力ゲー
トからなり、データを出力するビット線対BL(A)とXB
L(A)、BL(B)とXBL(B)、メモリセルに対するデータ
の入出力を制御するワード線WL1、ワード線WL2に
接続されている。
In FIGS. 1 and 2, reference numeral 101 denotes a memory cell array including memory cells 100 for storing data. The memory cells 100 correspond to two ports independent of an inverter of a flip-flop configuration for storing data. A pair of bit lines BL (A) and XB for outputting data, comprising input / output gates composed of N-channel transistors
L (A), BL (B) and XBL (B), and word lines WL1 and WL2 which control input / output of data to / from the memory cells.

【0020】102(A)、102(B)はアドレスを格納す
るアドレスレジスタであり、103(A)、103(B)は行
アドレス情報を解読する行デコーダである。行デコーダ
103(A)、103(B)の出力端子にはワード線の活性化
タイミングを制御するワード線制御回路104(A)、1
04(B)が接続されている。
Reference numerals 102 (A) and 102 (B) are address registers for storing addresses, and 103 (A) and 103 (B) are row decoders for decoding row address information. The output terminals of the row decoders 103 (A) and 103 (B) have word line control circuits 104 (A), 1
04 (B) is connected.

【0021】それぞれのビット線対は、該当する列アド
レス情報に対応するビット線を選択する列選択回路10
6(A)、106(B)に入力され、その出力部には、読みだ
し時にはビット線上に読み出されたデータを増幅し外部
へ出力を行い、書き込み時には選択されたメモリセル内
へデータを書き込むI/O回路107(A)、107(B)が
接続されている。
Each bit line pair has a column selection circuit 10 for selecting a bit line corresponding to the corresponding column address information.
6 (A) and 106 (B), the output of which amplifies the data read on the bit line during reading and outputs the amplified data to the outside, and writes the data into the selected memory cell during writing. I / O circuits 107 (A) and 107 (B) for writing are connected.

【0022】108(A)、108(B)はI/O回路107
(A)、107(B)の間を結ぶバイパスバッファである。1
09は、Aポートに対するアドレス入力とBポートに対す
るアドレス入力が一致したことを検出するアドレス競合
検出回路である。
108 (A) and 108 (B) are I / O circuits 107
This is a bypass buffer connecting between (A) and 107 (B). 1
An address conflict detection circuit 09 detects that the address input to the A port matches the address input to the B port.

【0023】また、110はアドレス競合検出回路10
9の競合検出信号と各々のポートに対するリード要求信
号RRE(A),RRE(B)、ライト要求信号WRE(A),WRE(B)を入力
とし、ワード線制御回路104(A)、104(B)、
I/O回路107(A)、107(B)、バイパスバッ
ファ108(A)、108(B)、ビット線を所定の電
位に設定するプリチャージ回路105(A)、105
(B)を制御するアクセス調停回路である。
Reference numeral 110 denotes an address conflict detection circuit 10.
9 and the read request signals RRE (A), RRE (B) and write request signals WRE (A), WRE (B) for each port as inputs, and the word line control circuits 104 (A), 104 ( B),
I / O circuits 107 (A) and 107 (B), bypass buffers 108 (A) and 108 (B), and precharge circuits 105 (A) and 105 for setting bit lines to a predetermined potential.
An access arbitration circuit for controlling (B).

【0024】以上のように構成されたマルチポートメモ
リについて、以下図1及び図2、図3を用いてその動作
を説明する。ここで、図3はマルチポートメモリの概略
の動作タイミングを示したものである。本実施形態にお
いては、3サイクル期間中にアクセス競合が生じるサイ
クルと、生じないサイクルが入っているような場合を例
にとり説明する。
The operation of the multi-port memory configured as described above will be described below with reference to FIGS. 1, 2 and 3. Here, FIG. 3 shows a schematic operation timing of the multiport memory. In the present embodiment, an example will be described in which a cycle in which access contention occurs during a three-cycle period and a cycle in which access contention does not occur are included.

【0025】本実施形態のマルチポートメモリでは、独
立した2つのポートであるAポート、Bポートに対して各
々別系統のアドレス信号およびリード要求信号、ライト
要求信号が入力される。
In the multiport memory of this embodiment, address signals, read request signals, and write request signals of different systems are input to two independent ports A and B, respectively.

【0026】本実施形態のマルチポートメモリにおい
て、アクセス要求が来ていない初期状態においては、各
ビット線はプリチャージ回路105(A)、105(B)によ
りプリチャージされている。
In the multi-port memory of this embodiment, in an initial state where no access request is received, each bit line is precharged by the precharge circuits 105 (A) and 105 (B).

【0027】時刻T0においてAポートに対してライト要
求が、Bポートに対してリード要求が発生し、かつアク
セス競合が発生する場合について、アクセスの開始アド
レスがアドレスAnを示していたとして説明する。
The case where a write request is issued to port A at time T0, a read request is issued to port B, and an access conflict occurs, will be described on the assumption that the access start address indicates address An.

【0028】時刻T0においてメモリ領域に対するリード
要求信号RRE(B)、ライト要求信号WRE(A)が発行され、同
時にAポート、BポートにそれぞれアドレスAnが入力さ
れる。
At time T0, a read request signal RRE (B) and a write request signal WRE (A) for the memory area are issued, and at the same time, the address An is input to the A port and the B port, respectively.

【0029】アドレス競合検出回路109によりアドレ
スの比較が実施され、アクセス競合が生じていることが
検出され、この検出結果がアクセス調停回路110に入
力される。このときアクセス要求はAポートに対してラ
イト、Bポートに対してはリードが要求されており、同
一アドレスへのライト要求ではないことが検出される。
The address conflict detection circuit 109 compares the addresses, detects that an access conflict has occurred, and inputs the detection result to the access arbitration circuit 110. At this time, it is detected that the access request is a write request to the A port and a read request to the B port, and is not a write request to the same address.

【0030】時刻T1で書き込みイネーブル信号WEE(A)が
Aポート側のワード線制御回路、I/O回路に出力され
る。この結果、列選択回路106(A)により選択された
ビット線BL(A)、XBL(A)に対してI/O回路107(A)に
より書き込みデータが出力され、同時にAポートに対応
するワード線WL(A)が活性化され、メモリセルに対する
データの書き込みが実施される。
At time T1, the write enable signal WEE (A) is
It is output to the word line control circuit and I / O circuit on the A port side. As a result, write data is output by the I / O circuit 107 (A) to the bit lines BL (A) and XBL (A) selected by the column selection circuit 106 (A), and at the same time, the word corresponding to the A port is output. The line WL (A) is activated, and data is written to the memory cell.

【0031】同時に読み出しイネーブル信号REE(B)がB
ポート側のI/O回路に出力され、B側バイパスイネー
ブル信号RBE(B)がバイパスバッファ108(B)に出力
される。
At the same time, the read enable signal REE (B)
The signal is output to the I / O circuit on the port side, and the B-side bypass enable signal RBE (B) is output to the bypass buffer 108 (B).

【0032】これにより、I/O回路107(A)上の書
き込みデータがバイパスバッファ108(B)により直
接I/O回路107(B)に出力され、外部バスへ読み出
される。このとき、列選択回路(B)には読み出しイネ
ーブル信号が発行されておらず、列選択回路によりI/
O回路107(B)とメモリセルアレイは分断されてお
り、メモリセル側からのデータとの衝突は発生しない。
As a result, the write data on the I / O circuit 107 (A) is directly output to the I / O circuit 107 (B) by the bypass buffer 108 (B) and read out to the external bus. At this time, the read enable signal is not issued to the column selection circuit (B), and the I / O is not performed by the column selection circuit.
The O circuit 107 (B) and the memory cell array are separated from each other, and no collision occurs with data from the memory cell side.

【0033】この時点でAポート側のビット線からの書
き込みが並行して行われているが、書き込みの前後でメ
モリセル内のデータが変更になる場合でも、Bポート側
のビット線を経由してのデータ転送は発生しない。
At this point, the writing from the bit line on the A port side is performed in parallel. Even if the data in the memory cell is changed before and after the writing, the data is transferred via the bit line on the B port side. No data transfer occurs.

【0034】すなわち、読みだしビット線上に誤読みだ
しの原因となりうるメモリセル内のデータと逆相の電位
変化が発生しない。したがって、読みだし動作に対して
余分なタイミングマージンを必要としない。
In other words, there is no potential change on the read bit line in the opposite phase to the data in the memory cell, which may cause erroneous reading. Therefore, no extra timing margin is required for the reading operation.

【0035】特に、I/O回路部にビット線の電位変化
を増幅するセンスアンプ回路を使うメモリシステムにお
いては、この逆相の電位変化は外部出力に対し不可逆な
データ出力を発生してしまう可能性を持ち、大きなタイ
ミングマージンを必要とするため、本実施形態による高
速化の効果が大きい。
In particular, in a memory system using a sense amplifier circuit for amplifying a potential change of a bit line in an I / O circuit portion, the potential change in the opposite phase may cause irreversible data output to an external output. This embodiment requires a large timing margin, so that the effect of increasing the speed according to the present embodiment is great.

【0036】また、アドレス競合検出回路109により
アドレスの比較が実施され、同一アドレスへのライト要
求が検出された場合には、システムのプロトコルにより
データのコヒーレンシーを保護するようどちらかのポー
トからの書き込みを優先的に行うなどの処理が実行され
る。
When the address conflict is detected by the address conflict detection circuit 109 and a write request to the same address is detected, data is written from one of the ports so as to protect data coherency by a system protocol. Is performed with priority.

【0037】時刻T2で読み出し要求のみが発行された
場合には、読み出しイネーブル信号REE(B)が列選択回路
(B)、I/O回路(B)、ワード線制御回路(B)に出
力され、B側ポートのワード線WL(B)がアサートされ、
メモリセルからビット線(B)にデータが読み出され、
列選択回路(B)、I/O回路(B)を経由し外部へ出力
される。
When only a read request is issued at time T2, a read enable signal REE (B) is output to the column selection circuit (B), the I / O circuit (B), and the word line control circuit (B). , The word line WL (B) of the B side port is asserted,
Data is read from the memory cell to the bit line (B),
It is output to the outside via the column selection circuit (B) and the I / O circuit (B).

【0038】同様に時刻T4で書き込みのみが要求され
た場合には、アクセス調停回路から書き込みイネーブル
信号のみが列選択回路(B)、I/O回路(B)、ワード
線制御回路(B)に出力され、メモリへの書き込みが行
われる。
Similarly, when only writing is requested at time T4, only the write enable signal is sent from the access arbitration circuit to the column selection circuit (B), I / O circuit (B), and word line control circuit (B). Is output and written to the memory.

【0039】以上のように本実施の形態のマルチポート
メモリ、アクセス競合が起こった場合には、アクセス調
停回路によりメモリセルへの書き込み要求に応じてA側
の回路が動作し書き込みが行われ、バイパスイネーブル
RBE(B)によりI/O回路107(A)から直接I/O回路
107(B)にデータが出力される。
As described above, when an access conflict occurs in the multi-port memory of the present embodiment, the circuit on the A side operates according to the write request to the memory cell by the access arbitration circuit, and the write is performed. Bypass enable
Data is directly output from the I / O circuit 107 (A) to the I / O circuit 107 (B) by RBE (B).

【0040】なお、本実施例では、アクセス調停回路が
非優先となるリード要求ポート側のワード線制御回路を
ネゲートする。このためアクセス競合が生じた場合でも
リード側ビット線上には余分な電位変化は生じない。余
分な消費電流を削減できると同時に、過渡的なビット線
電位変化に起因する誤読みだしを回避することが可能と
なる。
In this embodiment, the access arbitration circuit negates the word line control circuit on the side of the read request port where the priority is not given. Therefore, even when access competition occurs, no extra potential change occurs on the read-side bit line. It is possible to reduce unnecessary current consumption and to avoid erroneous reading due to a transient change in bit line potential.

【0041】これにより、誤読みだし回避のための余分
なタイミングマージンを削除できるため高速なマルチポ
ートメモリを実現できる。
As a result, an extra timing margin for avoiding erroneous reading can be eliminated, so that a high-speed multiport memory can be realized.

【0042】<実施の形態2>次に、本発明の第2の実
施の形態に係るマルチポートメモリについて、図面を参
照しながら説明する。
<Second Embodiment> Next, a multiport memory according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0043】本実施の形態は、リード優先でデータの同
一性を実現するマルチポートメモリを構成するものであ
る。図4は本実施の形態におけるマルチポートメモリの
概略構成図である。
In this embodiment, a multi-port memory for realizing data consistency with read priority is configured. FIG. 4 is a schematic configuration diagram of the multiport memory according to the present embodiment.

【0044】メモリ全体の基本的な構成は、図1のマル
チポートメモリと共通であり、競合時にアドレス情報、
データを格納するライトバッファを追加するものであ
る。図5は動作を示すタイミングチャートである。な
お、図中同一の符号の部分は同一のものを示している。
The basic configuration of the entire memory is the same as that of the multi-port memory shown in FIG.
A write buffer for storing data is added. FIG. 5 is a timing chart showing the operation. In the drawings, the same reference numerals denote the same parts.

【0045】図4において、400はアクセス競合時の
アドレス、データを格納するライトバッファである。ラ
イトバッファ400は、Aポート側、Bポート側のアドレ
ス、データを入力とし格納するレジスタを含み、格納し
たアドレス情報を選択的に行デコーダ(A)、行デコー
ダ(B)に、格納したデータを選択的にI/O回路
(A)、列選択回路(A)またはI/O回路(B)、列選
択回路(B)に出力する。
In FIG. 4, reference numeral 400 denotes a write buffer for storing addresses and data at the time of access contention. The write buffer 400 includes a register that receives and stores the address and data of the A port side and the B port side, and stores the stored address information in the row decoder (A) and the row decoder (B) selectively. It selectively outputs to the I / O circuit (A), column selection circuit (A) or I / O circuit (B), column selection circuit (B).

【0046】以上のように構成されたマルチポートメモ
リについて、以下図4及び図5を用いてその動作を説明
する。
The operation of the multi-port memory configured as described above will be described below with reference to FIGS.

【0047】時刻T0においてAポートに対してライト要
求が、Bポートに対してリード要求が発生し、かつアク
セス競合が発生する場合について、アクセスの開始アド
レスがアドレスAnを示していたとして説明する。
The case where a write request to port A, a read request to port B, and an access conflict at time T0 will be described assuming that the access start address indicates address An.

【0048】時刻T0においてメモリ領域に対するリード
要求信号RRE(B)、ライト要求信号WRE(A)が発行され、同
時にAポート、BポートにそれぞれアドレスAnが入力さ
れる。アドレス競合検出回路109によりアドレスの比
較が実施され、アクセス競合が生じていることが検出さ
れ、この検出結果がアクセス調停回路110に入力され
る。
At time T0, a read request signal RRE (B) and a write request signal WRE (A) for the memory area are issued, and at the same time, the address An is input to the A port and the B port, respectively. The address conflict detection circuit 109 compares the addresses, detects that an access conflict has occurred, and inputs the detection result to the access arbitration circuit 110.

【0049】このときアクセス要求はAポートに対して
ライト、Bポートに対してはリードが要求されており、
同一アドレスへのライト要求ではないことが検出され
る。
At this time, the access request is a write request for port A and a read request for port B.
It is detected that the request is not a write request to the same address.

【0050】時刻T0で書き込み要求信号WRE(A)がアクセ
ス調停回路に入力される。この時アドレス競合検出回路
により、アクセス競合が発生していることが検出され、
アクセス調停回路に調停要求情報が出力される。この入
力によりアクセス調停回路はライト側の制御信号をネゲ
ートする。すなわち、ワード線制御回路(A)、列選択
回路(A)を非活性化する。
At time T0, a write request signal WRE (A) is input to the access arbitration circuit. At this time, the address conflict detection circuit detects that an access conflict has occurred,
Arbitration request information is output to the access arbitration circuit. With this input, the access arbitration circuit negates the write-side control signal. That is, the word line control circuit (A) and the column selection circuit (A) are deactivated.

【0051】この時、優先されるリード要求に従いB側
の列選択回路(B)、I/O回路(B)、ワード線制御回
路(B)に読み出しイネーブル信号REE(B)が発行され
る。これによりWL(B)が活性化され、メモリセルから
データがビット線BL(B)に読み出され、列選択回路
(B)、I/O回路(B)を経て外部へデータが出力され
る。
At this time, a read enable signal REE (B) is issued to the column select circuit (B), I / O circuit (B), and word line control circuit (B) on the B side in accordance with the priority read request. Thereby, WL (B) is activated, data is read from the memory cell to the bit line BL (B), and data is output to the outside via the column selection circuit (B) and the I / O circuit (B). .

【0052】同時に、アクセス調停回路からライトバッ
ファ400へ書き込み信号が発行され、競合が発生した
アドレス情報と、書き込みデータが格納される。本実施
の形態ではAポート、Bポートそれぞれからアドレスを入
力させているが、アクセス競合時は、両ポートからのア
ドレスは完全に一致するので、片側のアドレスのみを入
力することも可能である。
At the same time, a write signal is issued from the access arbitration circuit to the write buffer 400, and the address information where the conflict has occurred and the write data are stored. In this embodiment, addresses are input from each of the A port and the B port. However, at the time of access conflict, since the addresses from both ports are completely the same, it is possible to input only one address.

【0053】また、アドレス比較に用いた後のデータを
ラッチする構成も可能である。時刻T2になると次サイ
クルに入り、Bポート側からの読み出し要求のみがある
状態に遷移する。アドレス競合検出回路でライトバッフ
ァ内のアドレス情報と、現状の入力アドレス情報が比較
される。
It is also possible to employ a configuration in which data after use for address comparison is latched. At time T2, the next cycle is entered, and the state transits to a state in which there is only a read request from the B port side. The address conflict detection circuit compares the address information in the write buffer with the current input address information.

【0054】一致しなかった場合は、Bポート側の回路
が先程同様に動作し、アドレスAn+1に相当するデータが
メモリセルアレイから読み出され、I/O回路(B)経
由で外部へ出力される。この時、通常のメモリであれば
Aポート側の回路は空き状態である。
If they do not match, the circuit on the B port side operates in the same manner as before, and the data corresponding to the address An + 1 is read from the memory cell array and output to the outside via the I / O circuit (B). Is done. At this time, if it is a normal memory
The circuit on the A port side is empty.

【0055】本実施の形態のマルチポートメモリでは、
この空き状態を使って、ライトバッファからA側の回路
を使用してメモリセルアレイへのデータの書き込みが実
施される。すなわち、ライトバッファ中のアドレスが行
デコーダ(A)、列選択回路(A)に出力され、格納され
たデータがメモリセルアレイに書き込まれる。
In the multiport memory according to the present embodiment,
Using this empty state, data is written from the write buffer to the memory cell array using the circuit on the A side. That is, the address in the write buffer is output to the row decoder (A) and the column selection circuit (A), and the stored data is written to the memory cell array.

【0056】もし、ライトバッファ内のアドレスと現在
のアドレスが一致した場合は、ライトバッファ内のデー
タが有効であるので、B側のI/O回路を経由して外部
へデータを出力する。
If the address in the write buffer matches the current address, the data in the write buffer is valid, and the data is output to the outside via the B-side I / O circuit.

【0057】次の書き込みサイクルが開始される時刻T4
からの動作は通常のライト動作であり、A回路により書
き込み動作が実行される。
Time T4 at which the next write cycle starts
The operation after is a normal write operation, and the write operation is executed by the A circuit.

【0058】なお、本実施の形態ではいずれか一方のポ
ートの回路が空いている状態でライトバッファからメモ
リセルへの書き込みを実施する例について説明したが、
この制御方法については、次のライト要求があった時点
で判断させる方法、次のアクセス競合が発生した時点で
ライトバッファの更新、メモリセルアレイへの書き込み
を同時に行う方法などいくつかの制御方法が考えられ
る。
In this embodiment, an example has been described in which writing is performed from the write buffer to the memory cell in a state where the circuit of one of the ports is vacant.
For this control method, there are several control methods such as a method of making a determination at the time of the next write request, a method of simultaneously updating the write buffer and writing to the memory cell array at the time of the next access conflict. Can be

【0059】以上のように本実施の形態によれば、アク
セス競合が生じた際、アドレス競合検出回路により検出
し、アクセス調停回路によりメモリセルに対してはリー
ド動作のみを実行させ、ライト側のデータ、アドレスを
ライトバッファに格納する。
As described above, according to the present embodiment, when an access conflict occurs, it is detected by the address conflict detection circuit, and only the read operation is performed on the memory cell by the access arbitration circuit. Data and address are stored in the write buffer.

【0060】これにより、リード優先状態でデータの同
一性を保証する。アクセス競合が生じた場合でもビット
線上には余分な電位変化は生じない。余分な消費電流を
削減できると同時に、過渡的なビット線電位変化に起因
する誤読みだしを回避することが可能となる。誤読みだ
し回避のための余分なタイミングマージンを削除できる
ため高速なマルチポートメモリを実現できる。
As a result, data consistency is guaranteed in the read priority state. Even when an access conflict occurs, no extra potential change occurs on the bit line. It is possible to reduce unnecessary current consumption and to avoid erroneous reading due to a transient change in bit line potential. Since an extra timing margin for avoiding erroneous reading can be eliminated, a high-speed multiport memory can be realized.

【0061】<実施の形態3>次に、本発明の第3の実
施の形態に係るマルチポートメモリについて、図面を参
照しながら説明する。本実施の形態は、リード優先/ラ
イト優先を任意に設定しデータの同一性を実現するマル
チポートメモリを構成するものである。図6は本実施の
形態におけるマルチポートメモリの概略構成図である。
Third Embodiment Next, a multiport memory according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, a multi-port memory that realizes data consistency by arbitrarily setting read priority / write priority is configured. FIG. 6 is a schematic configuration diagram of the multiport memory according to the present embodiment.

【0062】メモリ全体の基本的な構成は、図1、図4
のマルチポートメモリと共通であり、競合時にリード優
先/ライト優先を決定する優先順位の情報を格納する設
定レジスタを追加するものである。尚、図中同一の符号
の部分は同一のものを示している。
The basic structure of the entire memory is shown in FIGS.
And a setting register for storing information on the priority order for determining read priority / write priority at the time of contention. In the drawings, the same reference numerals denote the same parts.

【0063】本実施の形態の各部の基本動作は、実施の
形態1、実施の形態2で説明したマルチポートメモリと
共通である。設定レジスタ601は、アクセス競合が発
生した場合にリードを優先するか、ライトを優先するか
の情報を格納するレジスタであり、優先順位情報をアク
セス調停回路に出力する。
The basic operation of each part of this embodiment is common to the multiport memory described in the first and second embodiments. The setting register 601 is a register for storing information on whether to give priority to read or write when access conflict occurs, and outputs the priority information to the access arbitration circuit.

【0064】設定レジスタ601にライト優先のフラグ
が格納されると本実施の形態のマルチポートメモリは実
施の形態1と全く同様に動作し、データの同一性とアク
セスの高速性、低消費電力化を実現する。
When the write priority flag is stored in the setting register 601, the multiport memory of this embodiment operates in exactly the same manner as in the first embodiment, and achieves data identity, high-speed access, and low power consumption. To achieve.

【0065】一方、設定レジスタ601にリード優先の
フラグが格納されると、本実施の形態のマルチポートメ
モリは実施の形態2と全く同様に動作し、データの同一
性とアクセスの高速性、低消費電力化を実現する。
On the other hand, when the read priority flag is stored in the setting register 601, the multiport memory of the present embodiment operates in exactly the same manner as in the second embodiment, and has the same data, high access speed, and low access speed. Realize power consumption.

【0066】同一の構成で、リード優先/ライト優先を
容易に切り替えることができる為、一つのマルチポート
メモリを搭載するだけで、アプリケーションにより適宜
リード優先/ライト優先のモードを切り替えることが可
能なメモリシステムを構築することが可能である。
Since the read priority / write priority can be easily switched with the same configuration, a memory capable of appropriately switching the read priority / write priority mode depending on the application only by mounting one multiport memory. It is possible to build a system.

【0067】また、同一のシステム内で本マルチポート
メモリを複数搭載する場合には、領域ごとに設定レジス
タの設定を変更することにより、リード優先の部分、ラ
イト優先の部分を容易に実現し、自由度の高いメモリシ
ステムを構築可能である。
When a plurality of the present multi-port memories are mounted in the same system, the read priority portion and the write priority portion can be easily realized by changing the setting of the setting register for each area. A highly flexible memory system can be constructed.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上のように本発明は、従来のメモリシ
ステムに比較してアクセス競合が生じた場合でもビット
線上に余分な電位変化を生じさせず、余分な消費電流を
削減できると同時に、過渡的なビット線電位変化に起因
する誤読みだしを回避することが可能となる。
As described above, according to the present invention, even when an access conflict occurs as compared with the conventional memory system, an unnecessary potential change does not occur on the bit line and an unnecessary current consumption can be reduced. It is possible to avoid erroneous reading due to a transient bit line potential change.

【0069】これにより、データの同一性とアクセスの
高速性、低消費電力化を実現する。また、実施の形態3
では、同一の構成で、リード優先/ライト優先を容易に
切り替えることができる為、一つのマルチポートメモリ
を搭載するだけで、アプリケーションにより適宜リード
優先/ライト優先のモードを切り替えることが可能なメ
モリシステムを構築することが可能である。
As a result, data identity, high-speed access, and low power consumption are realized. Embodiment 3
With the same configuration, read priority / write priority can be easily switched with the same configuration. Therefore, a memory system capable of appropriately switching the read priority / write priority mode depending on the application only by mounting one multiport memory. It is possible to construct

【0070】また、同一のシステム内で本マルチポート
メモリを複数搭載する場合には、領域ごとに設定レジス
タの設定を変更することにより、リード優先の部分、ラ
イト優先の部分を容易に実現し、自由度の高いメモリシ
ステムを構築可能である。
When a plurality of the present multiport memories are mounted in the same system, the read priority portion and the write priority portion can be easily realized by changing the setting of the setting register for each area. A highly flexible memory system can be constructed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態におけるマルチポー
トメモリの概略構成図
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a multiport memory according to a first embodiment of the present invention;

【図2】本発明の第1の実施の形態におけるマルチポー
トメモリのメモリセルの構成図
FIG. 2 is a configuration diagram of a memory cell of the multiport memory according to the first embodiment of the present invention;

【図3】同実施の形態における動作を示すタイミング図FIG. 3 is a timing chart showing an operation in the embodiment.

【図4】本発明の第2の実施の形態におけるマルチポー
トメモリの概略構成図
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a multi-port memory according to a second embodiment of the present invention;

【図5】同実施の形態における動作を示すタイミング図FIG. 5 is a timing chart showing an operation in the embodiment.

【図6】本発明の第3の実施の形態におけるマルチポー
トメモリの概略構成図
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a multi-port memory according to a third embodiment of the present invention.

【図7】従来例におけるマルチポートメモリの概略構成
FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a conventional multiport memory.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 メモリセル 101 メモリセルアレイ 102 アドレスレジスタ 103 行デコーダ 104 ワード線制御回路 105 プリチャージ回路 106 列選択回路 107 I/O回路 109 アドレス競合検出回路 110 アクセス調停回 REFERENCE SIGNS LIST 100 memory cell 101 memory cell array 102 address register 103 row decoder 104 word line control circuit 105 precharge circuit 106 column selection circuit 107 I / O circuit 109 address conflict detection circuit 110 access arbitration

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】アドレス信号、制御信号を独立に入力でき
る複数のポートと、前記ポートに対応する独立したI/
O回路と、前記複数のポートから読み書きされるメモリ
と、前記複数のI/O回路に双方向に挿入された読み出
しバッファと、複数のポートからのアドレス信号の一致
比較するを行うアドレス競合検出回路と、前記アドレス
競合検出回路の結果により書き込み動作と読みだし動作
が同一タイミングで発生しないように調整するアクセス
調停回路を具備することを特徴とするマルチポートメモ
リ。
A plurality of ports to which address signals and control signals can be independently inputted, and independent I / Os corresponding to the ports.
An O-circuit, a memory for reading / writing from / from the plurality of ports, a read buffer bidirectionally inserted into the plurality of I / O circuits, and an address conflict detection circuit for comparing and comparing address signals from the plurality of ports. And an access arbitration circuit for adjusting a write operation and a read operation so as not to occur at the same timing based on a result of the address conflict detection circuit.
【請求項2】前記アドレス競合検出回路により同一アド
レスへのアクセス要求を検知した場合、前記アクセス調
停回路が非優先となるリード要求ポート側の制御信号を
ネゲートすることを特徴とする請求項1記載のマルチポ
ートメモリ。
2. An access arbitration circuit for negating a control signal on a read request port which has a lower priority when an access request to the same address is detected by the address conflict detection circuit. Multi-port memory.
【請求項3】アドレス信号、制御信号を独立に入力でき
る複数のポートと、前記ポートに対応する独立したI/
O回路と、前記複数のポートから読み書きされるメモリ
と、前記複数のI/O回路に双方向に挿入された読み出
しバッファと、複数のポートからのアドレス信号の一致
比較するを行うアドレス競合検出回路と、前記アドレス
競合検出回路の結果により書き込み動作と読みだし動作
が同一タイミングで発生しないように調整するアクセス
調停回路と、競合が発生した時のデータ、アドレスを格
納するアドレスバッファを具備することを特徴とするマ
ルチポートメモリ。
3. A plurality of ports to which address signals and control signals can be independently inputted, and independent I / Os corresponding to the ports.
An O-circuit, a memory for reading / writing from / from the plurality of ports, a read buffer bidirectionally inserted into the plurality of I / O circuits, and an address conflict detection circuit for comparing and comparing address signals from the plurality of ports. An access arbitration circuit that adjusts a write operation and a read operation so as not to occur at the same timing based on a result of the address conflict detection circuit, and an address buffer that stores data and an address when a conflict occurs. Features multiport memory.
【請求項4】アドレス信号、制御信号を独立に入力でき
る複数のポートと、前記ポートに対応する独立したI/
O回路と、前記複数のポートから読み書きされるメモリ
と、前記複数のI/O回路に双方向に挿入された読み出し
バッファと、前記複数のI/O回路に双方向に挿入され
た読み出しバッファと、複数のポートからのアドレス信
号を比較するアドレス競合検出回路と、同一アドレスに
対してのアクセス要求が発生した場合にどちらのアクセ
スを優先するかを設定する設定レジスタを有し、書き込
み動作と読みだし動作が同一タイミングで発生しないよ
うに調整するアクセス調停回路を具備することを特徴と
するマルチポートメモリ。
4. A plurality of ports to which address signals and control signals can be input independently, and independent I / Os corresponding to the ports.
An O circuit, a memory that reads and writes from the plurality of ports, a read buffer bidirectionally inserted into the plurality of I / O circuits, and a read buffer bidirectionally inserted into the plurality of I / O circuits. An address conflict detection circuit that compares address signals from a plurality of ports, and a setting register that sets which access is prioritized when an access request to the same address is generated. A multi-port memory comprising an access arbitration circuit for adjusting so that operations do not occur at the same timing.
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