JP2001134217A - Driving device for organic el element - Google Patents

Driving device for organic el element

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JP2001134217A JP31786799A JP31786799A JP2001134217A JP 2001134217 A JP2001134217 A JP 2001134217A JP 31786799 A JP31786799 A JP 31786799A JP 31786799 A JP31786799 A JP 31786799A JP 2001134217 A JP2001134217 A JP 2001134217A
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Michio Arai
三千男 荒井
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Tdk Corp
ティーディーケイ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a driving device for organic EL(electro luminescent) elements which is capable of being manufactured by a relatively simple and short process and whose manufacturing cost is low. SOLUTION: This device is a driving device for organic EL elements which has organic EL elements arranging in a matrix shape, a first switching element which directly drives organic EL elements by being connected to them, a second switching element driving the first switching element and a selecting circuit which selects the respective organic EL elements and applies a selection signal to the circuit of the device and which has a construction in which at least the first switching element and the second switching element are formed only N type or P type switching elements.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロルミネセンス(EL)素子を駆動するための駆動装置に関する。 The present invention relates to relates to a driving device for driving an organic electroluminescence (EL) element.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年において、有機EL素子を用いた表示装置が開発されている。 BACKGROUND ART In recent years, display devices using organic EL elements have been developed. 有機EL素子を多数使用した有機EL素子装置をアクティブマトリックス回路により駆動する場合、各ELのピクセル(画素)には、このビクセルに対して供給する電流を制御するための薄膜トランジスタ(TFT)の如きFET(電界効果トランジスタ)が一組ずつ接続されている。 When driving the organic EL element device using a large number of organic EL device by an active matrix circuit, each EL pixel (pixels), such as a thin film transistor for controlling the current supplied to the Bikuseru (TFT) FET (field effect transistor) is connected to one set. すなわち有機EL素子に駆動電流を流すバイアス用のTFTと、そのバイアス用TFTを選択すべきかを示すスイッチ用のTFTが一組ずつ接続されている。 That the TFT for bias supplying a driving current to the organic EL element, a TFT switch for indicating whether to select the bias TFT is connected by a set.

【0003】従来のアクティブマトリックス型の有機E [0003] The conventional active matrix type organic E
L表示装置の回路図の一例を図13,14に示す。 An example of a circuit diagram of a L display device shown in FIGS. 13 and 14. この有機EL表示装置50は、画面51と、この画面51を駆動するためのX方向信号線X1,X2…、Y方向信号線Y1,Y2…、電源Vdd線Vdd1,Vdd2…、スイッチ用TFTトランジスタTy11,12、Ty21, The organic EL display device 50 includes a screen 51, X-direction signal lines X1, X2 ... for driving the screen 51, Y-direction signal lines Y1, Y2 ..., the power supply Vdd line Vdd 1, Vdd 2 ..., TFT transistor switch Ty11,12, Ty21,
22…、電流制御用TFTトランジスタM11,12、 22 ..., the current control TFT transistor M11,12,
M21,22…、有機EL素子EL110,120、E M21,22 ..., organic EL element EL110,120, E
L210,220…、コンデンサC11,12、C2 L210,220 ..., capacitor C11,12, C2
1,22…、X方向周辺駆動回路(シフトレジスタX 1, 22 ..., X-direction peripheral driving circuit (shift register X
軸)52,Y方向周辺駆動回路(シフトレジスタY軸) Axis) 52, Y-direction peripheral driving circuit (shift register Y axis)
53等により構成される。 Constituted by the 53 and the like.

【0004】X方向信号線X1,X2、Y方向信号線Y [0004] X-direction signal lines X1, X2, Y-direction signal lines Y
1,Y2により画素が特定され、その画素においてスイッチ用TFTトランジスタTy11,12、Ty21, 1, Y2 pixel is identified by, the switching TFT transistor Ty11,12 at that pixel, Ty21,
22がオンにされてその信号保持用コンデンサC11, The signal holding capacitor C11 22 is turned on,
12、C21,22に画像データが保持される。 12, the image data is held in the C21,22. これにより、電流制御用のTFTのTFTトランジスタM1 Thus, TFT transistors TFT for current control M1
1,12、M21,22がオンにされ、電源線Vdd1、 1, 12, M21,22 is turned on, the power supply line Vdd 1,
Vdd2により有機EL素子EL110,120、EL2 The organic EL element EL110,120 by Vdd2, EL2
10,220に画像データに応じたバイアス用の電流が流れ、これが発光される。 10,220 current for bias corresponding to the image data flows in, which is emitted.

【0005】例えばx方向信号線X1に画像データに応じた信号が出力され、Y方向信号線Y1にY方向走査信号が出力されると、これにより特定された画素のスイッチ用TFTトランジスタTy11がオンになり、画像データに応じた信号により電流制御用TFTトランジスタM11が導通されて有機EL素子えL110に、この画像データに応じた発光電流が流れ、発光制御される。 [0005] is output signal corresponding to the image data, for example, x-direction signal line X1, the Y direction scanning signal is outputted to the Y-direction signal lines Y1, thereby switching TFT transistor Ty11 is on pixels identified becomes, the signal corresponding to the image data is conducts current controlling TFT transistor M11 to the organic EL device example L110, emission current corresponding to the image data flows are emission control. このように、画素毎に、薄膜型のEL素子と、前記EL素子の発光制御用の電流制御用TFTトランジスタと、前記電流制御用TFTトランジスタのゲート電極に接続された信号保持用のコンデンサと、前記キャパシタへのデータ書き込み用のスイッチ用のTFTトランジスタ等を有するアクティブマトリックス型EL画像表示装置において、EL素子の発光強度は、信号保持用のキャパシタに蓄積された電圧によって制御された発光電流制御用の非線形素子であるTFTトランジスタに流れる電流で決定される(A66-in 201pi Electroluminescent Display Thus, for each pixel, and a thin film type EL device, a current control TFT transistor of the emission control of the EL element, and a capacitor for connecting the signal held to the gate electrode of the current controlling TFT transistor, in an active matrix type EL image display device having the TFT transistors or the like for switching of data writing to the capacitor, the light emission intensity of EL elements, a light emission current control is controlled by the voltage stored in the capacitor of the signal holding of is determined by the current flowing through the TFT transistor is non-linear element (A66-in 201pi Electroluminescent Display
TPBrody、FCLuo、et.al、IEEE Trans ElectronI)evice TPBrody, FCLuo, et.al, IEEE Trans ElectronI) evice
s、Vol. ED-22、No. 9、Sep. 1975, P739~P749参照)。 s, see Vol. ED-22, No. 9, Sep. 1975, P739 ~ P749).

【0006】このとき、使用される信号保持用のコンデンサの容量は、微少な選択時間内で画素スイッチTFT [0006] At this time, the capacitance of the capacitor for signal holding used are pixel switch TFT in the fine selection time
トランジスタが十分に電荷を充電できる容量以下であり、また、この画素スイッチTFTトランジスタの非選択時のリーク電流が次の書き込み時間まで失わせる電荷により発生するコンデンサの保持電圧の低下が表示パネルの画像に悪影響を与えない容量以上であることが求められる。 Transistors or less capacity can be charged sufficiently charge, also, an image of the reduction in the holding voltage of the capacitor leakage current at the time of non-selection of the pixel switch TFT transistor is generated by the charge to loss until the next writing time display panel it is required adverse effect is given no capacity or more in.

【0007】ところで、通常アクティブマトリクスの表示装置は、例えば、図15や図16に示すような回路構成要素を有している。 By the way, conventional active matrix display device has, for example, a circuit component such as shown in FIGS. 15 and 16. ここで図15は、選択回路に用いられているシフトレジスターの基本単位を構成するインバータM31,M32であり、図16は有機EL素子D Here, FIG. 15 is an inverter M31, M32 constituting the basic unit of the shift register used in the selection circuit, 16 is an organic EL element D
1を駆動する選択トランジスタM23およびバイアストランジスタM22である。 A selection transistor M23 and the bias transistor M22 driving one. これらのトランジスタは、図15に示した例ではP型トランジスタM31とN型トランジスタM32とのコンプリメンタリ回路であり、図1 These transistors, in the example shown in FIG. 15 is a complementary circuit of the P-type transistor M31 and the N-type transistor M32, Figure 1
6の例では有機EL素子D1を直接駆動するバイアストランジスタM23がP型である場合には、選択トランジスタM22はN型となる。 If in six examples of bias transistor M23 for driving the organic EL element D1 directly is a P-type, the selection transistor M22 is N-type.

【0008】ところで、このような表示装置の構成回路は、通常、1つの基板上に形成される。 By the way, construction circuit of such a display device is usually formed on a single substrate. 特に、選択トランジスタ、およびバイアストランジスタは、マトリクス配置された有機EL素子に合わせて個々に形成、配置される。 In particular, the selection transistor and the bias transistor, are individually formed in accordance with the matrix arrangement organic EL elements are arranged. このため、トランジスタ(TFT)を形成するための工程がP型、N型用にそれぞれ必要であり、製造工程が長くなり複雑になるとともに、トランジスタ形成用のマスクも多くなり、製造コストを引き上げる要因となっていた。 Therefore, transistor (TFT) process P type for forming a required respectively for the N-type, the manufacturing process becomes complicated long, the more even mask for transistor formation, factors to raise the manufacturing cost It had become.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、比較的簡単化かつ短い工程で製造でき、製造コストの低減が可能な有機EL素子の駆動装置を実現することである。 An object of the present invention is to provide a can be prepared in a relatively simplified and fewer processes, it is to realize a driving device of an organic EL element that the manufacturing cost can be reduced.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的は以下の構成により達成される。 SUMMARY OF THE INVENTION That is, the above-described object can be attained by the following constitution. (1) マトリクス状に配置された有機EL素子と、各有機EL素子と接続され、これを直接駆動する第1のスイッチング素子と、この第1のスイッチング素子を駆動する第2のスイッチング素子と、前記各有機EL素子を選択し、選択信号を与える選択回路とを有し、少なくとも前記第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子がN型またはP型のスイッチング素子のみにより形成されている有機EL素子の駆動装置。 (1) and the organic EL elements arranged in a matrix, is connected with the organic EL elements, a first switching element for driving the direct, a second switching element for driving the first switching element, select each of the organic EL element, and a selection circuit providing the selection signal, at least the first organic EL switching element and the second switching element is formed only by N type or P-type switching element drive elements. (2) さらに、前記選択回路を構成するスイッチング素子が、第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子と同一のNまたはP型のスイッチング素子により形成されている有機EL素子の駆動装置。 (2) Further, the switching elements constituting the selection circuit, the first driving device of an organic EL device formed by the switching element and the second identical N or P-type switching element and the switching element. (3) 各スイッチング素子間の活性層の間隔が4μm (3) distance between the active layer between the switching element 4μm
以下である部位を有する上記(1)または(2)の有機EL素子。 The organic EL device of (1) or (2) has a portion or less. (4) 前記スイッチング素子はP型で統一されている上記(1)〜(3)のいずれかの有機EL素子。 (4) The switching device described above that are unified by the P-type (1) The organic EL device of any one of - (3). (5) 前記スイッチング素子は、エンハンスメント型である上記(1)〜(4)のいずれかの有機EL素子。 (5) the switching element, said an enhancement type (1) The organic EL device of any one of - (4).

【0011】 [0011]

【発明の実施の形態】本発明の有機EL素子の駆動装置は、マトリクス状に配置された有機EL素子と、各有機EL素子と接続され、これを直接駆動する第1のスイッチング素子と、この第1のスイッチング素子を駆動する第2のスイッチング素子と、前記各有機EL素子を選択し、選択信号を与える選択回路とを有し、少なくとも前記第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子がN型またはP型のスイッチング素子みにより構成されているものである。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION drive of the organic EL device of the present invention includes an organic EL elements arranged in a matrix, is connected with the organic EL elements, a first switching element for driving the direct, this a second switching element for driving the first switching element, and select the respective organic EL elements, and a selection circuit providing the selection signal, at least the first switching element and second switching elements are N are those constituted by type or P-type switching element only.

【0012】また、好ましくは、さらに、前記選択回路を構成するスイッチング素子が、第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子と同一のNまたはP型のスイッチング素子により構成されているものである。 [0012] Preferably, furthermore, the switching elements constituting the selection circuit is one that is constituted by a first switching element and second switching elements and the same N or P-type switching element.

【0013】このように、第1のスイッチング素子と、 [0013] and thus, the first switching element,
第2のスイッチング素子と、好ましくは選択回路を構成するスイッチング素子とをP型またはN型のみで構成することにより、工程数が減り、製造工程が短縮化されるとともに、マスク枚数が減り、製造コストを格段に引き下げることができる。 A second switching element, by preferably constituting a switching element constituting the selection circuit only P-type or N-type, reduces the number of steps, the manufacturing process can be shortened, reduces the number of masks, manufacturing it is possible to lower the cost dramatically.

【0014】本発明の駆動装置は、主に上記第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、および選択回路(シフトレジスター)を構成するスイッチング素子により構成されている。 The drive unit of the present invention is constructed mainly of the first switching element, the switching element constituting the second switching elements, and the selection circuit (shift register). また、これ以外でも画素となる有機EL素子を駆動するために必要とされる素子であれば、いずれのものにも適用可能である。 Further, if the elements required to drive the organic EL element becomes the pixel other than this can be applied to any of those. 本発明の選択回路(シフトレジスター)は、通常、入力信号(データ) Selection circuit of the present invention (shift register) is normally the input signal (data)
に応じてケタ上がり出力を発生しうるものであり、その構成はいかなるものであってもよい。 The carry output are those that can occur, the configuration may be any according to the. 一般に、シフトレジスターはフリップフロップの組み合わせにより構成される。 In general, the shift register is constituted by a combination of the flip-flop. なお、シフトレジスターは表示画面の行要素、または列要素を順次選択して時分割駆動するために用いられるものであり、これと同等の機能を有するものも本発明の選択回路(シフトレジスター)に含まれる。 The shift register is intended to be used for time division driving by sequentially selecting the row element or a column element, a display screen, having the same function as this is also the selection circuit of the present invention (shift register) included.

【0015】一般に、ディスプレイの駆動装置は、構成するトランジスタとしてN型とP型とを組み合わせる場合が多い。 [0015] Generally, the drive device of the display is often combined with the N-type and P-type as the transistors constituting. これは、それぞれ最適な動作範囲で動作させたり、特性を向上させたりするためである。 This or operate in the optimum operating range respectively, in order to or to improve the properties. また、P型またはN型のみのトランジスタで駆動装置を構成した場合、消費電流が増大してしまい、電源などを強化する必要が生じるためである。 Also, in the case of constituting the drive transistors of the P-type or N-type only, current consumption will be increased, because the need to strengthen the power supply or the like occurs. ところが、有機EL素子の場合、電流駆動素子であるため、全体として消費する電流が多く、個々の駆動回路での消費電流はさほど問題とならない。 However, in the case of the organic EL element, because it is a current driven element, many current consumed as a whole, the current consumption in the individual drive circuits are not a serious problem. また、有機EL素子の電流消費に見合う容量の電源を搭載するので、駆動回路をP型またはN型のみのトランジスタで構成しても特に電源を変更する必要も生じない。 Also, since mounting a power capacity to meet the current consumption of the organic EL device, does not occur need to change the power be constituted by transistors of P-type or N-type only the driving circuit.

【0016】また、マスクあわせのためのマージンを必要としないため、それぞれの活性層(各素子)の間隔を狭くすることができ、装置の小型化と、画素面積の大型化が可能となり、高輝度高精細なディスプレーが可能となる。 Further, since it does not require a margin for mask alignment, it is possible to reduce the distance of the respective active layers (respective elements), it can be miniaturized and, enlargement of the pixel area of ​​the device, high it is possible luminance high-definition display.

【0017】第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、好ましくは選択回路を構成するスイッチング素子は、N型であってもP型であってもよいが、いずれか一方の形式に統一されている必要がある。 [0017] a first switching element, a second switching element, the switching element preferably comprises a selection circuit may be a P-type be N type, but unified into one format there is a need to be. また、 Also,
スイッチング素子はN型、またはP型のトランジスタであればその具体的な構造は問わないが、特に薄膜トランジスタ(TFT)が好ましい。 Switching element N-type, or its specific structure is not limited as long as P-type transistors, particularly thin film transistors (TFT) are preferred.

【0018】第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、選択回路をN型、またはP型で構成する手段としては特に限定されるものではなく、プッシュプル回路のインバータをシングルトランジスタのインバータに置換するようにしてもよいし、例えば、図1〜図3 [0018] a first switching element, a second switching element, there are no particular restrictions on the means constituting the selection circuit N-type or P-type, the inverter of the push-pull circuit of the single transistor inverter may be substituted, for example, FIGS. 1 to 3
に記載されているような回路に置換すればよい。 It may be replaced with a circuit as described in.

【0019】図1は、図21に示したインバータ回路をN型のスイッチング素子〔トランジスタ(FET)〕M [0019] Figure 1, an inverter circuit shown in FIG. 21 N-type switching element [transistor (FET)] M
1のみにより構成した例を示す回路図である。 Is a circuit diagram showing an example composed of only one. 図において、インバータは入力端子INから直接選択回路を構成するスイッチング素子M1の制御端子に接続され、プラス電源V+は制限抵抗R1を介してスイッチング素子M In the figure, the inverter is connected to the control terminal of the switching element M1 that constitutes the direct selection circuit from the input terminal IN, the switching element M plus power V + via a limiting resistor R1
1の一端側に接続され、このスイッチング素子M1の一端側は出力端子OUTに接続されている。 Is connected to one end side, one end of the switching element M1 is connected to the output terminal OUT. また、スイッチング素子M1の他端側はマイナス電源V−と接続されている。 The other end of the switching element M1 is connected to the negative power supply V-.

【0020】図2は、図22に示した有機EL素子の駆動用選択トランジスタM23およびバイアストランジスタM22をP型のトランジスタ(FET)M3、M2のみにより構成した例を示す回路図である。 [0020] FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a drive selection transistor M23 and the bias transistor M22 is constituted by only the P-type transistor (FET) M3, M2 of the organic EL element shown in FIG. 22. 図において、 In the figure,
第2のスイッチング素子(選択トランジスタ)M3は、 The second switching element (selection transistor) M3 is
その制御端子に入力端子IN1が接続され、その被制御端子の他端に入力端子IN2が接続されている。 The input terminal IN1 is connected to a control terminal, the input terminal IN2 is connected to the other end of the controlled terminal. 第2のスイッチング素子M3の被制御端子の他端は、第1のスイッチング素子(ドライバートランジスタ)M2の制御端子に接続され、第1のスイッチング素子の被制御端子の一端はプラス電源V+に接続されるとともに、その他端側は有機EL素子D1のアノード側に接続されている。 The other end of the control terminal of the second switching element M3 is connected to the first switching element (driver transistor) M2 the control terminal of one end of the control terminal of the first switching element is connected to the positive power source V + Rutotomoni, the other end is connected to the anode side of the organic EL element D1. 有機EL素子D1のカソード側は、マイナス電源V The cathode side of the organic EL element D1 is a negative power V
−と接続されている。 - it is connected to. なお、入力端子IN1およびIN It should be noted that the input terminal IN1 and IN
2には、通常選択回路からの選択信号が入力される。 The 2, the selection signal from the normal selection circuit is input.

【0021】なお、上記例ではP型のスイッチング素子のみで駆動回路を構成したが、N型のみで構成することも可能であり、その場合には接続が逆になる。 [0021] In the above example to constitute a driving circuit only P-type switching element, it is also possible to construct only the N-type, connection is reversed in that case.

【0022】また、この例では、第1のスイッチング素子M2を有機EL素子D1のアノード側に接続し、排出側で駆動している。 [0022] In this example, the first switching element M2 is connected to the anode side of the organic EL element D1, it is driven on the discharge side. このため、図示例のようなP型の素子で構成した場合には有機EL素子のI/V特性は2次関数で近似される特性となり問題ないが、N型で構成した場合には指数関数で近似される特性となり、何らかの補償回路を必要としてしまう。 Therefore, there is no I / V characteristics of the organic EL element becomes a characteristic which is approximated by a quadratic function problem when a P-type device, such as in the illustrated embodiment, exponential function when an N-type in it the characteristic is approximated, thereby it requires some compensation. そこで、図3に示すように、スイッチング素子の吸入側で駆動することにより、 Therefore, as shown in FIG. 3, by driving the suction side of the switching element,
有機EL素子のI/V特性を2次関数で近似される特性とすることができ、補償回路を省略することができる。 The I / V characteristic of the organic EL element can be a characteristic which is approximated by a quadratic function, it is possible to omit the compensation circuit.

【0023】図3は、図22に示した有機EL素子の駆動用選択トランジスタM23およびバイアストランジスタM22をN型のトランジスタ(FET)M3、M2のみにより構成した例を示す回路図である。 [0023] FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of driving the select transistor of the organic EL device M23 and the bias transistor M22 is constituted only by N type transistors (FET) M3, M2 shown in FIG. 22. 図において、 In the figure,
第2のスイッチング素子(選択トランジスタ)M3は、 The second switching element (selection transistor) M3 is
その制御端子に入力端子IN1が接続され、その被制御端子の他端に入力端子IN2が接続されている。 The input terminal IN1 is connected to a control terminal, the input terminal IN2 is connected to the other end of the controlled terminal. 第2のスイッチング素子M3の被制御端子の他端は、第1のスイッチング素子(ドライバートランジスタ)M2の制御端子に接続され、第1のスイッチング素子の被制御端子の一端は有機EL素子D1のカソード側に接続され、有機EL素子のアノード側はプラス電源V+に接続されている。 The other end of the control terminal of the second switching element M3 is connected to the first switching element to the control terminal of the (driver transistor) M2, one end of the controlled terminal of the first switching element is a cathode of the organic EL element D1 is connected to the side, the anode side of the organic EL element is connected to the positive power source V +. 第1のスイッチング素子の被制御端子の他端側は、マイナス電源V−と接続されている。 The other end of the controlled terminal of the first switching element is connected to the negative power supply V-.

【0024】このように、P型またはN型トランジスタのみで有機EL素子の駆動回路を構成することができる。 [0024] Thus, it is possible to constitute a driving circuit of an organic EL device only P-type or N-type transistor. 有機EL素子ではドライバートランジスタがN型の場合、図3の構成では有機EL素子の陰極側にドライバートランジスタが接続される構成となる。 If the driver transistor is an organic EL element is an N-type, a configuration in which the driver transistor is connected to the cathode side of the organic EL element in the configuration of FIG. このため、通常の構成では有機EL素子を陰極側が基板側となるいわゆる逆積層としなければならなるのでP型がより好ましいといえる。 Therefore, the organic EL element cathode side said more preferably P-type since if to do with so-called reverse lamination as a substrate side in the normal configuration.

【0025】なお、有機EL素子の第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、好ましくは選択回路を構成するスイッチング素子とをP型で統一した場合、P型の素子の移動度が遅いため、ドライブ能力が不足するなど動作上問題となることがある。 [0025] Note that the first switching element of the organic EL element, a second switching element, preferably when unified and switching elements which constitute the selection circuit in P-type, is slower mobility of P-type element Therefore, it may drive capability becomes operational problems such as insufficient. このような場合にはスイッチング素子の制御電極の長さ(L)と幅(W)との比を表すL/W値を調整することにより特性を改善することができる。 Such when characteristics can be improved by adjusting the L / W value that represents the ratio of the length of the control electrode (L) and width (W) of the switching element. なお、L/W値は、要求される性能、特性などにより適宜最適な値に調整すればよい。 Incidentally, L / W value, required performance may be adjusted to an appropriate optimum value by the characteristics.

【0026】さらに、本発明の駆動回路は、第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、好ましくは選択回路を構成するスイッチング素子とをエンハンスメント型で統一することが好ましい。 Furthermore, the driving circuit of the present invention includes a first switching element, a second switching element, it is preferable preferably to unify and switching elements which constitute the selection circuit in an enhancement type.

【0027】第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、好ましくは選択回路を構成するスイッチング素子とをエンハンスメント型で統一することにより、最適動作範囲が第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、好ましくは選択回路を構成するスイッチング素子とでほぼ同一となり、それぞれの素子に供給する電源をほぼ同一のものとすることができる。 [0027] a first switching element, a second switching element, preferably by unifying and switching elements which constitute the selection circuit in the enhancement type, the optimum operating range of the first switching element, the second a switching element, preferably made substantially the same in that the switching element forming the selection circuit, it is possible to make the power supply to each of the elements substantially the same thing. これにより、従来、第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、好ましくは選択回路を構成するスイッチング素子とで異なった電源を用いていたものを統一させることができ、電源を少なくすることができる。 Thus, conventionally, a first switching element, a second switching element, that preferably can be unified what was used a power supply with a different in that the switching element forming the selection circuit, to reduce the power can.

【0028】本発明のスイッチング素子は、制御電極と一組の被制御電極とがシリコン基体に形成され、有機E The switching element of the present invention, a control electrode and a set of the control electrode is formed on a silicon substrate, an organic E
L素子を直接駆動する半導体であれば特に規制されるものではないが、表示装置として機能させるにはTFT Although not particularly restricted as long as a semiconductor for driving the L element directly, TFT is to function as a display device
(Thin Film Transistor)タイプのものが好ましい。 Those of (Thin Film Transistor) type is preferable.

【0029】次に、本発明のスイッチング素子のより具体的な構成、およびその製造工程について図を参照しつつ説明する。 Next, a more specific configuration of a switching device of the present invention, and referring to FIG. And the following explains the manufacturing process.

【0030】先ず、図4に示すように、基板101上にスパッタ法、各種CVD法、好ましくはプラズマCVD [0030] First, as shown in FIG. 4, a sputtering method on the substrate 101, various CVD methods, preferably plasma CVD
法等により、α−Si層102を積層する。 By law or the like, laminating the alpha-Si layer 102.

【0031】その後、図5に示すように、エキシマーレーザー115等によりアニール、結晶化を行い、活性層102aを形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 5 performs annealing for crystallization excimer laser 115 or the like to form an active layer 102a. その際、熱アニールを併用してもよい。 At that time, it may be used in combination thermal annealing.

【0032】さらに、図6に示すように、結晶化された活性層(ポリシリコン層)102aをフォトリソグラフィによりアイランドにパターン化する。 Furthermore, as shown in FIG. 6, the patterned crystallized active layer (polysilicon layer) 102a by photolithography island.

【0033】次に、図7に示すように、絶縁ゲート10 Next, as shown in FIG. 7, the insulated gate 10
3をポリシリコンアイランド102a上および絶縁基板101の表面にわたり積層する。 3 is laminated over the surface of the polysilicon islands 102a and on the insulating substrate 101. 基板温度としては25 As the substrate temperature 25
0〜400℃が好ましくさらに高品質の絶縁ゲート材料を得るためにはアニールを300〜600℃で1〜3時間程度施すのが好ましい。 For 0 to 400 ° C. to obtain a preferably higher quality of the insulating gate material is preferably subjected to 3 hours about annealing at 300 to 600 ° C. it is.

【0034】次に、図8に示すように、ゲート電極10 [0034] Next, as shown in FIG. 8, the gate electrode 10
4を蒸着またはスパッタリングで成膜する。 4 is formed by vapor deposition or sputtering.

【0035】次いで、図9に示すように、ゲート電極1 [0035] Then, as shown in FIG. 9, the gate electrode 1
04をパターニングし、パターニングされたゲート電極104上からイオンドーピング116を行い、n+ またはp+ の部位を形成し、さらに、信号電極線および走査電極線をフォトリソグラフィーにより形成する。 04 by patterning, ion doping 116 over patterned gate electrode 104, to form an n + or p + region and further, a signal electrode line and scanning electrode line is formed by photolithography.

【0036】次いで、ドレイン,ソースなどのコンタクトを形成する。 [0036] Then, drain, to form a contact such as source. コンタクトは、絶縁膜111を開口した箇所で行う。 Contact is carried out at a place where it has opened the insulating film 111. 先ず、常圧CVD法により、層間絶縁層としてSiO 2膜を成膜する。 First, the atmospheric pressure CVD method, forming the SiO 2 film as an interlayer insulating layer. 次いで、層間絶縁層をエッチングしてコンタクトホールを形成し、ドレイン、ソース接続部を開口する。 Then, a contact hole is formed by etching the interlayer insulating layer, an opening drain, the source connection portion.

【0037】開口したドレイン、ソース接続部に、それぞれドレイン配線電極112、ソース配線電極113を成膜して、ドレイン、ソース電極と接続する。 The open drain, the source connection portions, respectively drain wiring electrode 112, by forming a source wiring electrode 113, the drain is connected to the source electrode. この場合、ドレイン、ソース電極のいずれか一方が、有機EL In this case, the drain, either one of the source electrode, the organic EL
素子の第1の電極、または第2の電極として機能するか、これと接続される。 Or functions as a first electrode or the second electrode, the element is connected thereto. 図示例ではホール注入電極であるITO(115)と接続される。 In the illustrated example is connected to the ITO is a hole injection electrode (115). さらに、ドレイン配線電極112上に絶縁膜114を形成し、同時に画素部分以外を覆うエッジカバーを形成して図10に示すようなスイッチング素子を得る。 Further, an insulating film 114 on the drain wiring electrode 112, to obtain a switching element as shown in FIG. 10 to form an edge cover for covering a non-pixel portion at the same time.

【0038】なお、ホール注入電極等、有機EL素子の電極との接続には、例えば図11に示すように配線電極113と、ホール注入電極115との間に両者の接続性を向上させるために、TiN等の接続金属層116を形成するとよい。 It should be noted, the hole injecting electrode, etc., to connect the electrode of the organic EL element, for example, the wiring electrode 113 as shown in FIG. 11, in order to improve both the connectivity between the hole injection electrode 115 it may be formed to connect the metal layer 116 of TiN or the like.

【0039】本発明のスイッチング素子について、図1 [0039] The switching device of the present invention, FIG. 1
2を参照しつつさらに具体的に説明する。 More specifically described with reference to 2. 図12は、有機EL素子を駆動するTFTアレイの一例を示した平面図である。 Figure 12 is a plan view showing an example of a TFT array for driving the organic EL element.

【0040】図において、ソースバス11にはソース電極13が接続され、コンタクトホール13aを介してシリコン基体21上に形成されているソース部位と接続している。 In [0040] Figure, the source electrode 13 is connected to the source bus 11, is connected to the source region which is formed on the silicon substrate 21 through the contact hole 13a. このシリコン基体21上には図示しない他の画素のTFT素子と共通に接続されているゲートバス12 Gate bus 12 this on the silicon substrate 21 is connected in common with the TFT element of other pixels, not shown
が形成されていて、このゲートバス12がシリコン基体21と交わる部分にゲート電極が形成される。 There have been formed, the gate electrode is formed on the portion where the gate bus 12 intersects the silicon substrate 21.

【0041】ソース部位とゲート電極を挟んでシリコン基体上に形成されているドレイン部位にはコンタクトホール14aを介してドレイン配線14が接続されている。 The drain wiring 14 via the contact hole 14a to the drain region which is formed on the silicon substrate across the source region and the gate electrode are connected. このドレイン配線14はコンタクトホール14bを介してゲートライン15と接続され、このゲートライン15はTFT2を構成するシリコン基体22上に形成されるとともに、キャパシタ18の一方の電極と接続されている。 The drain wiring 14 is connected to the gate line 15 via the contact hole 14b, the gate lines 15 while being formed on the silicon substrate 22 constituting the TFT 2, and is connected to one electrode of the capacitor 18. キャパシタ18の他方の電極はアースバス23 The other electrode of the capacitor 18 is grounded bus 23
と接続されるとともに、ソース電極17と接続され、このソース電極17はコンタクトホール17aを介してT It is connected with, is connected to the source electrode 17, the source electrode 17 through the contact hole 17a T
FT1のソース部位と接続されている。 And it is connected to the source site of the FT1. ゲートライン1 Gate line 1
5がシリコン素体22と交わる部位に、ゲート電極が形成されることとなる。 At a site 5 intersects the silicon body 22, so that the gate electrode is formed.

【0042】ソース部位とゲート電極15を挟んでシリコン基体上に形成されているドレイン部位にはコンタクトホール16aを介してドレイン配線16が接続され、 The drain wiring 16 is connected via a contact hole 16a to the drain region which is formed on the silicon substrate across the source region and the gate electrode 15,
このドレイン配線16は画素となる有機EL素子の一方の電極を構成するか、それと接続されている。 The drain wiring 16 is either constituting one of the electrodes of the organic EL element becomes the pixel, at the same connection.

【0043】この有機EL素子を直接駆動するTFT1 [0043] TFT1 for driving the organic EL element directly
が本発明における第1のスイッチング素子に相当し、この第1のスイッチング素子を駆動するTFT2が本発明における第2のスイッチング素子に相当する。 There corresponds to a first switching element in the present invention, TFT 2 for driving the first switching element corresponds to the second switching element in the present invention. また、ソースバス11,ゲートバス12には図示しない選択回路が接続されている。 Also, the source bus 11, the selection circuit is connected (not shown) to the gate bus 12.

【0044】次に、本発明における有機EL素子の構成について説明する。 [0044] Next, the configuration of the organic EL element in the present invention. 有機EL素子は、第1の電極と、第2の電極との間に、少なくとも発光機能に関与する有機物質を含有する有機層を有する。 The organic EL element includes a first electrode, between the second electrode, an organic layer containing an organic substance involved in at least a light emitting function. そして、第1の電極と、第2の電極とから与えられる電子・ホールが、有機層中で再結合することにより発光する。 Then, a first electrode, the electrons and holes supplied from the second electrode, emits light by recombination in the organic layer.

【0045】第1の電極、および第2の電極は、いずれをホール注入電極、電子注入電極としてもよいが、通常、基板側の第1の電極がホール注入電極となり、第2 The first electrode and the second electrode are both a hole injection electrode, also good as an electron injection electrode, usually, a first electrode on the substrate side is a hole injection electrode, the second
の電極は電子注入電極となる。 The electrode as an electron injecting electrode.

【0046】電子注入電極としては、低仕事関数の物質が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C [0046] As the electron injecting electrode is preferably material of a low work function, e.g., K, Li, Na, Mg, La, C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z e, Ca, Sr, Ba, Al, Ag, In, Sn, Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いることが好ましい。 n, a single metal element such as Zr or stability 2 component comprising them in order to improve, it is preferable to use an alloy system of the three components. 合金系としては、例えばAg・Mg(A As an alloy-based, for example, Ag · Mg (A
g:0.1〜50at%)、Al・Li(Li:0.01 g: 0.1~50at%), Al · Li (Li: 0.01
〜14at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、 ~14at%), In · Mg (Mg: 50~80at%),
Al・Ca(Ca:0.01〜20at%)等が挙げられる。 Al · Ca (Ca: 0.01~20at%), and the like. なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成することが可能である。 The electron injecting electrode may be also formed by vapor deposition or sputtering.

【0047】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.5nm以上、 The thickness of the electron injection electrode thin film may be a certain level of thickness that enables sufficient electron injection, 0.5 nm or more,
好ましくは1nm以上、より好ましくは3nm以上とすればよい。 Preferably 1nm or more, more preferably be not less than 3 nm. また、その上限値には特に制限はないが、通常膜厚は3〜500nm程度とすればよい。 No particular limitation is imposed on the upper limit, usually the film thickness may be about 3 to 500 nm. 電子注入電極の上には、さらに補助電極ないし保護電極を設けてもよい。 On the electron injecting electrode may be provided with a further auxiliary electrode or protective electrode.

【0048】蒸着時の圧力は好ましくは1×10 -8 〜1 The pressure at the time of deposition is preferably 1 × 10 -8 ~1
×10 -5 Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれば100〜1400℃、有機材料であれば100〜50 In × 10 -5 Torr, the heating temperature of the evaporation source, if the metal material 100-1,400 ° C., as long as it is an organic material 100-50
0℃程度が好ましい。 About 0 ℃ is preferable.

【0049】ホール注入電極は、発光した光を取り出すため、透明ないし半透明な電極が好ましい。 The hole injecting electrode in order to extract emitted light, transparent or translucent electrode is preferable. 透明電極としては、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO The transparent electrode, ITO (tin-doped indium oxide), IZO
(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO 2 、I (Zinc-doped indium oxide), ZnO, SnO 2, I
23等が挙げられるが、好ましくはITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)が好ましい。 n 2 is O 3 and the like, preferably ITO (tin-doped indium oxide), IZO (zinc-doped indium oxide) are preferred. ITOは、通常In 23とSnOとを化学量論組成で含有するが、O量は多少これから偏倚していてもよい。 ITO is generally contains In 2 O 3 and SnO in stoichiometric composition, O amount may deviate somewhat therefrom. ホール注入電極は、透明性が必要でないときは、不透明の公知の金属材質であってもよい。 Hole injecting electrode, when there is not need transparency, may be opaque known metallic material.

【0050】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは5 [0050] The thickness of the hole injecting electrode may if it has a certain level of thickness that enables sufficient hole injection, preferably 5
0〜500nm、さらには50〜300nmの範囲が好ましい。 0 to 500 nm, further a range of 50~300nm is preferred. また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと剥離などの心配が生じる。 In addition, although the upper limit is not particularly limited, resulting to worry about, such as too thick and peeling. 厚さが薄すぎると、製造時の膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。 Too thin, during production of the film strength or a hole transport capability, there is a problem in terms of resistance.

【0051】このホール注入電極層は蒸着法等によっても形成できるが、好ましくはスパッタ法、特にパルスD [0051] Although this hole injecting electrode layer may formed by an evaporation method, or the like, preferably the sputtering method, in particular a pulse D
Cスパッタ法により形成することが好ましい。 It is preferably formed by a C sputtering.

【0052】有機EL構造体の有機層は、次のような構成とすることができる。 [0052] The organic EL structure organic layer may be configured as follows. 発光層は、ホール(正孔)および電子の注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する。 Emitting layer has holes and electrons in the injection function, a function of their transport function, to create excitons recombining holes and electrons. 発光層には、比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。 The light-emitting layer, it is preferable to use a relatively electronically neutral compound.

【0053】ホール注入輸送層は、ホール注入電極からのホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、 The hole injecting and transporting layer has functions of facilitating injection of holes from the hole injecting electrode, those having a function of preventing function and the electron transporting them stably Hall,
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げる機能を有するものである。 Electron injecting and transporting layer has functions of facilitating injection of electrons from the electron injecting electrode has a function to stably transport electrons and function blocking holes. これらの層は、発光層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。 These layers are effective for increasing the holes and electrons injected into the light emitting layer and confining therein for optimizing the recombination region to improve light emission efficiency.

【0054】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものではなく、形成方法によっても異なるが、通常5〜500nm The thickness of the light emitting layer, the thickness of the thickness and the electron injecting and transporting layer of the hole injecting and transporting layer is not particularly limited, it varies depending on forming method, usually 5~500nm
程度、特に10〜300nmとすることが好ましい。 Extent, it is preferable that the particular 10 to 300 nm.

【0055】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層の厚さと同程度または1/10〜10倍程度とすればよい。 [0055] The thickness of the thickness of the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer, depending on the recombination-emission region of the design may be the same degree as the thickness of the light-emitting layer or a 1 / 10-10 times. ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上とするのが好ましい。 If separating the the injection layer of each of the hole or electron transport layer, injection layer is 1nm or more and the transporting layer is preferably not less than 1nm. このときの注入層、輸送層の厚さの上限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で500nm Injection layer of this time, the upper limit of the thickness of the transport layer is generally, 500 nm approximately at injection layer, 500 nm in transport layer
程度である。 It is the degree. このような膜厚については、注入輸送層を2層設けるときも同じである。 For such a film thickness, it is also the same when providing two injecting and transporting layers.

【0056】有機EL素子の発光層には、発光機能を有する化合物である蛍光性物質を含有させる。 [0056] The light emitting layer of the organic EL element, contains a fluorescent material that is a compound capable of emitting light. このような蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−26469 Examples of such a fluorescent substance, for example, JP 63-26469
2号公報に開示されているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくとも1種が挙げられる。 Compounds as disclosed in 2 JP, for example quinacridone, rubrene, at least one can be cited are selected from compounds such as styryl dyes. また、トリス(8 In addition, tris (8
−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールまたはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体等が挙げられる。 - quinolinolato) quinoline derivatives of 8-quinolinol or a derivative thereof, such as aluminum and metal complex dyes as ligands, tetraphenyl butadiene, anthracene, perylene, coronene, and 12-phthaloperinone derivatives. さらには、特開平8−12600号公報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアントラセン誘導体、特開平8−12969号公報(特願平6−114456号)のテトラアリールエテン誘導体等を用いることができる。 Furthermore, use of JP-phenyl anthracene derivative described in 8-12600 JP (Japanese Patent Application No. Hei 6-110569), tetraarylethene derivatives of JP-A-8-12969 Patent Publication (Japanese Patent Application No. Hei 6-114456), etc. be able to.

【0057】また、それ自体で発光が可能なホスト物質と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントとしての使用が好ましい。 [0057] Further, it is preferable to use in combination with light emission by itself, that can host material, used as a dopant is preferable. このような場合の発光層における化合物の含有量は0.01〜20体積% 、さらには0.1〜15体積% であることが好ましい。 Content from 0.01 to 20% by volume of the compound in the light emitting layer in such a case, and further preferably 0.1 to 15% by volume. 特にルブレン系では、0.01〜20体積%であることが好ましい。 Especially in rubrene is preferably 0.01 to 20% by volume. ホスト物質と組み合わせて使用することによって、 By using in combination with the host material,
ホスト物質の発光波長特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上する。 It is possible to change the light emission wavelength of the host material, allowing light emission to be shifted to a longer wavelength and improving the luminous efficiency and stability of the device.

【0058】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。 [0058] As the host material, preferably quinolinolato complexes, and aluminum complexes containing a ligand of 8-quinolinol or a derivative thereof. このようなアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469 Such aluminum complexes, JP 63-26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7077 No. 2, JP-A-3-255190, JP-A 5-7077
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158 No. 3, JP-A-5-258859, JP-A 6-2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。 It may be mentioned those disclosed in 74 No. like.

【0059】具体的には、まず、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、 [0059] Specifically, first, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum oxide, tris (8-quinolinolato) indium,
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ− Tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolato tritium, tris (5-chloro -
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8− 8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ− Quinolinolato) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinolato aluminum, tris (5,7-dibromo -
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メタン]等がある。 8-hydroxy-quinolinolato) aluminum, poly [zinc (II) - bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane], and the like.

【0060】このほかのホスト物質としては、特開平8 [0060] As the other host materials, JP-8
−12600号公報(特願平6−110569号)に記載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−1296 Phenyl anthracene derivative, JP-A according to -12600 Patent Application (Japanese Patent Application No. Hei 6-110569) 8-1296
9号公報(特願平6−114456号)に記載のテトラアリールエテン誘導体なども好ましい。 Such tetraarylethene derivatives described in 9 JP (Japanese Patent Application No. Hei 6-114456) is also preferred.

【0061】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。 [0061] The light-emitting layer may also serve as an electron injecting and transporting layer, it is preferable this case to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. これらの蛍光性物質を蒸着すればよい。 These fluorescent materials may be evaporated.

【0062】また、発光層は、必要に応じて、少なくとも1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、 [0062] The light-emitting layer, if necessary, it is also preferable to mix layers of at least one hole injecting and transporting compound and at least one electron injecting and transporting compound,
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが好ましい。 Further it is preferable to incorporate a dopant into the mixed layer. このような混合層における化合物の含有量は、0.01〜20体積% 、さらには0.1〜15体積 The content of the compound in the mixed layer is 0.01 to 20 vol%, further from 0.1 to 15 volume
% とすることが好ましい。 % It is preferable that the.

【0063】混合層では、キャリアのホッピング伝導パスができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるため、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命がのびるという利点がある。 [0063] In the mixed layer with a hopping conduction path available for carriers, each carrier migrates in the polar favorable materials, it becomes difficult to occur carrier injection of a reverse polarity, the organic compound becomes less susceptible to damage , there is an advantage that extend the device life. また、前述のドーパントをこのような混合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に移行させることができるとともに、発光強度を高め、素子の安定性を向上させることもできる。 In addition, by incorporating into such a mixed layer of the aforementioned dopant, it is possible to change the emission wavelength the mix layer itself possesses, with the emission wavelength can be shifted to a longer wavelength, increasing the luminous intensity, it is also possible to improve the stability of the device.

【0064】混合層に用いられるホール注入輸送性化合物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物の中から選択すればよい。 [0064] hole injecting and transporting compound used in the mixed layer and the electron injecting and transporting compound, respectively, may be selected from compounds and compounds for the electron injection transport layer for the hole injecting and transporting layer to be described later. なかでも、ホール注入輸送層用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、 Among them, as the compounds for the injection and transportation of holes, amine derivatives having strong fluorescence,
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。 Triphenyl diamine derivative such as hole transport material, further styrylamine derivative is preferable to use amine derivatives having an aromatic fused ring.

【0065】電子注入輸送性の化合物としては、キノリン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好ましい。 [0065] As the compounds capable of injecting and transporting electrons include quinoline derivatives, further metal complexes having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, it is particularly preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3). また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラアリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。 The aforementioned phenylanthracene derivatives, also to use a tetraarylethene derivatives.

【0066】ホール注入輸送層用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。 [0066] As compounds for the injection and transportation of holes is used amine derivatives having strong fluorescence, for example triphenyl diamine derivative which is above hole transport material, further styrylamine derivatives, and amine derivatives having an aromatic fused ring preference is.

【0067】この場合の混合比は、それぞれのキャリア移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有する化合物の重量比が、1/99〜99/1、さらに好ましくは10/90〜90/10、特に好ましくは20/80 [0067] The mixing ratio in this case will depend on the respective carrier mobility and carrier concentration, in general, the weight ratio of the compound having the compound / electron injection transport function of the hole injecting and transporting compound is 1/99 to 99/1, more preferably 10 / 90-90 / 10, particularly preferably 20/80
〜80/20程度となるようにすることが好ましい。 It is preferable to be about 80/20.

【0068】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが好ましい。 [0068] The thickness of the mixed layer above thickness corresponding to more molecular layers, is preferably less than the thickness of the organic compound layer. 具体的には1〜85nmとすることが好ましく、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすることが好ましい。 Preferably to 1~85nm Specifically, further 5 to 60 nm, particularly it is preferable that the 5 to 50 nm.

【0069】また、混合層の形成方法としては、異なる蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもできる。 [0069] Further, the mixed layer is formed by co-evaporation where the selected compounds are evaporated from different evaporation sources. If the vapor pressure (evaporation temperature) is approximately equal or very close, are mixed in advance in the same evaporation boat leave, it can also be deposited. 混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ましいが、場合によっては、化合物が島状に存在するものであってもよい。 Mixed layer is preferably Write compounds are uniformly mixed together, in some cases, may be one compound is present in an island shape. 発光層は、一般的には、有機蛍光物質を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させてコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形成する。 Emitting layer is generally either evaporating an organic fluorescent material or by coating a dispersion thereof in a resin binder, forming the light emitting layer to a predetermined thickness.

【0070】ホール注入輸送層には、例えば、特開昭6 [0070] The hole injecting and transporting layer, for example, JP 6
3−295695号公報、特開平2−191694号公報、特開平3−792号公報、特開平5−234681 3-295695, JP-A No. 2-191694, JP-A No. 3-792, JP-A No. 5-234681
号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−2 JP, Hei 5-239455, JP-A No. 5-2
99174号公報、特開平7−126225号公報、特開平7−126226号公報、特開平8−100172 99174, JP-A No. 7-126225, JP-A No. 7-126226, JP-A No. 8-100172
号公報、EP0650955A1等に記載されている各種有機化合物を用いることができる。 JP, can be used various organic compounds described in EP0650955A1, and the like. 例えば、テトラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミンないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、 Examples are tetraarylbenzidine compounds (triaryldiamine or triphenyl-diamine: TPD), aromatic tertiary amine,
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。 Hydrazone derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, oxadiazole derivatives having an amino group, and polythiophenes. これらの化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用してもよい。 These compounds may be used alone or in combination of two or more thereof. 2種以上を併用するときは、別層にして積層したり、混合したりすればよい。 When used in combination of two or more kinds, or stacked as separate layers, it may be or mixed.

【0071】ホール注入輸送層をホール注入層とホール輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いることができる。 [0071] When the hole injecting and transporting layer laminated divided into a hole injecting layer and the hole transport layer may be selected and used in a proper combination from the compounds for the injection and transportation of holes. このとき、ホール注入電極(ITO等)側からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層することが好ましい。 In this case, it is preferable to laminate the hole injecting electrode (ITO, etc.) side in the order of a compound having a lower ionization potential. また、ホール注入電極表面には薄膜性の良好な化合物を用いることが好ましい。 Further, the hole injecting electrode surface it is preferable to use a compound having good thin film forming ability. このような積層順については、ホール注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。 This order of lamination holds for the provision of the hole injecting and transporting layers. このような積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐことができる。 With such a stacking order, a driving voltage is reduced, it is possible to prevent the development and growth of dark spots of the current leakage. また、素子化する場合、蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い膜も均一かつピンホールフリーとすることができるため、 Also, when a device is produced, it is possible to thin films of about 1~10nm also a uniform and pinhole-free because of the use of vapor deposition,
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。 Low ionization potential in the hole injection layer, be a compound such as having an absorption in the visible part, it is possible to prevent a decrease in efficiency due tone change and re-absorption of emission color. ホール注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着することにより形成することができる。 Hole injection transport layer can be formed by depositing the above compound in the same way as the light emitting layer or the like.

【0072】電子注入輸送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )等の8−キノリノールまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができる。 [0072] For the electron injecting and transporting layer, tris (8-quinolinolato) quinoline derivatives of 8-quinolinol or its derivatives as aluminum (Alq3) or the like including an organic metal complex having a ligand, oxadiazole derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, can be used nitro-substituted fluorene derivatives. 電子注入輸送層は発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。 Electron injecting and transporting layer may also serve as a light emitting layer, in such a case it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. 電子注入輸送層の形成は、発光層と同様に、蒸着等によればよい。 Forming the electron injection transport layer, like the light-emitting layer may according to the vapor deposition or the like.

【0073】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることができる。 [0073] When the electron injecting and transporting layer is formed separately as an electron injecting layer and the electron transport layer may be selected and used in a proper combination from the compounds for the electron injection transport layer. このとき、電子注入電極側から電子親和力の値の大きい化合物の順に積層することが好ましい。 In this case, it is preferable to laminate an electron injection electrode side in the order of a compound having a greater electron affinity. このような積層順については、電子注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。 This order of lamination also applies where a plurality of electron injecting and transporting layers.

【0074】ホール注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、 [0074] hole injecting and transporting layer, since the formation of the light-emitting layer and the electron injecting and transporting layer, a homogeneous thin films are available,
真空蒸着法を用いることが好ましい。 Vacuum deposition method is preferably used. 真空蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.2μm By utilizing vacuum evaporation, it is amorphous or has a crystal grain size is 0.2μm
以下の均質な薄膜が得られる。 Following uniform thin film can be obtained. 結晶粒径が0.2μm を超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく低下する。 When the grain size is more than 0.2 [mu] m, uneven light emission would have to increase the driving voltage of the device, also significantly reduced injection efficiency of charges.

【0075】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1 [0075] conditions of vacuum deposition is not particularly limited, 1
-4 Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/ 0 -4 and a degree of vacuum below Pa, the deposition rate 0.01 to 1 /
sec 程度とすることが好ましい。 It is preferable that the order of sec. また、真空中で連続して各層を形成することが好ましい。 Further, it is preferable to form the layers continuously in a vacuum. 真空中で連続して形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるため、高特性が得られる。 Be formed continuously in a vacuum, since the impurities in the interface between the layers can be prevented from being adsorbed, high characteristics are obtained. また、素子の駆動電圧を低くしたり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりすることができる。 It can also lower the driving voltage of the device, or can suppress the occurrence and growth of dark spots.

【0076】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着することが好ましい。 [0076] In the case of using the vacuum evaporation method for the formation of these layers, if to contain two or more compounds in one layer, it is preferable that co-evaporation with each boat containing compound individually temperature controlled.

【0077】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。 [0077] The color conversion film including a color filter film, fluorescent material substrate or may control the luminescent color by using the dielectric reflective film.

【0078】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、 [0078] The color filter film used herein may be a color filter as used in liquid crystal displays and the like,
有機EL素子の発光する光に合わせてカラーフィルターの特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すればよい。 In accordance with the light emission of the organic EL element to adjust the properties of a color filter may be to optimize the extraction efficiency and color purity.

【0079】また、EL素子材料や蛍光変換層が光吸収するような短波長の外光をカットできるカラーフィルターを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向上する。 [0079] Further, EL device materials and fluorescence conversion layer by using the short wavelength color filter capable of cutting off extraneous light of such light absorption is also improved light resistance and display contrast of the device.

【0080】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用いてカラーフィルターの代わりにしても良い。 [0080] may also be used instead of the color filter of the optical thin film such as a dielectric multilayer film.

【0081】蛍光変換フィルター膜は、EL発光の光を吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させることで、発光色の色変換を行うものであるが、組成としては、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成される。 [0081] fluorescent conversion filter film absorbs light of EL emission, by emitting light from the phosphor in the fluorescent conversion film, but performs a color conversion of light emission colors, as the composition, a binder, fluorescent material is formed from three light-absorbing material.

【0082】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高いものを用いれば良く、EL発光波長域に吸収が強いことが望ましい。 [0082] Fluorescent material used may basically have a high fluorescent quantum yield and desirably exhibits strong absorption in an EL light emission wavelength region. 実際には、レーザー色素などが適しており、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン系化合物・フタロシアニン系化合物(サブフタロシアニン等も含む)ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・クマリン系化合物等を用いればよい。 In practice is a laser dye suitable, rhodamine compounds, perylene compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds (sub phthalocyanine including also) naphthalimide compounds, fused ring hydrocarbon compounds, fused heterocyclic compounds - styryl compounds, and coumarin compounds with may be used.

【0083】バインダーは、基本的に蛍光を消光しないような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷等で微細なパターニングが出来るようなものが好ましい。 [0083] The binder may be selected from materials which do not cause extinction of basically fluorescent, those materials which can be finely patterned by photolithography, printing or the like are preferable. また、基板上にホール注入電極と接する状態で形成される場合、ホール注入電極(ITO、IZO)の成膜時にダメージを受けないような材料が好ましい。 Further, when formed in a state of being in contact with the hole injecting electrode on a substrate, a material that is not damaged during deposition of the hole injecting electrode (ITO, IZO) are preferable.

【0084】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りない場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良い。 [0084] The light absorbing material is used when the light absorption of the fluorescent material is short and may be omitted if unnecessary. また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しないような材料を選べば良い。 The light absorbing material may also be selected from materials which do not cause extinction of fluorescence of the fluorescent material.

【0085】本発明における有機EL素子は、通常、直流駆動型、パルス駆動型のEL素子として用いられる。 [0085] The organic EL device of the present invention is usually a direct current-driven and is used as an EL element of a pulse-driven.
印加電圧は、通常、2〜30V 程度とされる。 The applied voltage is generally about 2~30V.

【0086】 [0086]

【実施例】<実施例1>コーニング製1737耐熱性無アルカリガラス基板の上にアモルファス・シリコン層を約600Åの厚さで減圧CVD(LPCVD)法により成膜した。 It was formed by EXAMPLES <Example 1> reduced pressure CVD amorphous silicon layer on a Corning 1737 heat-resistant non-alkali glass substrate at a thickness of about 600 Å (LPCVD) method. この成膜条件は、下記の通りである。 The film forming conditions are as follows. Si 26ガス:100SCCM、圧力:0.3Torr、温度:480℃。 Si 2 H 6 gas: 100 SCCM, pressure: 0.3 Torr, temperature: 480 ° C..

【0087】それからこのアモルファス・シリコン層を固相成長させて活性層(ポリシリコン層)とした。 [0087] was then an active layer (polysilicon layer) and the amorphous silicon layer solid phase grown. この固相成長は、熱アニールとレーザーアニールを併用した。 The solid-phase growth, in combination with thermal annealing and laser annealing. その条件は下記の通りである。 The conditions are as follows.

【0088】<熱アニール> N 2 :1SLM、温度:600℃、処理時間:24時間 [0088] <Thermal Annealing> N 2: 1 SLM, Temperature: 600 ° C., treatment time: 24 hours

【0089】<レーザーアニール> KrF:254nm、エネルギー密度:200mJ/cm 2 [0089] <laser annealing> KrF: 254nm, energy density: 200mJ / cm 2,
ショット数:200 The number of shots: 200

【0090】次いで、このポリシリコン層をパターニングして活性シリコン層:500Åを得た。 [0090] Subsequently, the active silicon layer and patterning the polysilicon layer: was obtained 500 Å.

【0091】この活性シリコン層の上にゲート酸化膜となるSiO 2層を、例えばプラズマCVD法により、約800Å成膜した。 [0091] The SiO 2 layer serving as a gate oxide film over the active silicon layer, for example, by a plasma CVD method to about 800Å deposited. 成膜条件は例えば下記の通りである。 Film-forming conditions is, for example, as follows. 投入パワー:50W、TEOS(テトラエトキシシラン)ガス:50SCCM、O Input power: 50 W, TEOS (tetraethoxysilane) gas: 50 SCCM, O 2 :500SCCM、圧力:0.1 2: 500SCCM, pressure: 0.1
〜0.5Torr、温度:350℃。 ~0.5Torr, temperature: 350 ℃.

【0092】このSiO 2層の上に、ゲート電極となるMo−Si 2層を、スパッタ法により、約1000Å成膜した。 [0092] On the SiO 2 layer, the Mo-Si 2 layer serving as a gate electrode by sputtering was about 1000Å deposited. それからこのMo−Si 2層および上記で形成したSiO 2層を、例えばドライエッチングによりパターニングし、ゲート電極およびゲード酸化膜を得た。 Then an SiO 2 layer formed by this Mo-Si 2 layer and the, for example, is patterned by dry etching, to obtain a gate electrode and Gade oxide film.

【0093】次いで、ドーピングマスクおよび上記ゲート電極をマスクとしてシリコン活性層のソース・ドレイン領域となるべき部分にイオンドーピング法により、P [0093] Then, by ion doping in the source and drain regions and the portion to be of the silicon active layer the doping mask and the gate electrode as a mask, P
型の不純物:Bをドーピングし、次いでチャネル部にも少量ドープすることにより、エンハンスメント型である第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、選択回路用スイッチング素子を形成した。 -Type impurity: doped with B, by a small amount in the channel portion dope then the first switching element is an enhancement type, the second switching element, to form a switching element select circuit. なお、ソース部、ドレイン部のドーピング条件は、一般のTFTの製法に準じて行えばよい。 It should be noted that the source part, doping conditions of the drain part may be carried out in accordance with the general of the TFT process.

【0094】この工程でN型用のマスクを使用することなく第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、選択回路用スイッチング素子を形成できた。 [0094] The first switching element without using a mask for N-type in this step, the second switching element, could form a switching element select circuit. また、 Also,
各スイッチング素子の間隔は、単一のマスクのみ用いているため、マスクあわせのマージンをとる必要がなく、 Interval of each switching element, the use only a single mask, it is not necessary to provide a margin of mask alignment,
最も狭い部分で2μm 以下とすることができた。 It could be a 2μm or less at the narrowest portion.

【0095】次に、これを窒素雰囲気中で約550℃で10時間加熱して、ドーパントの活性化を行った。 [0095] Next, which was heated for 10 hours at about 550 ℃ in a nitrogen atmosphere, was activation of the dopant. さらに、水素雰囲気中で約400℃で30分加熱処理して水素化を行い、半導体の欠陥準位密度を減少させた。 Furthermore, it performs hydrogenated for 30 minutes heat treatment at about 400 ° C. in a hydrogen atmosphere to reduce the defect level density of the semiconductor.

【0096】そして、この基板全体に層間絶縁層となるSiO 2層を、厚さ約8000Å成形した。 [0096] Then, an SiO 2 layer serving as an interlayer insulating layer on the entire substrate, and a thickness of about 8000Å molding. この層間絶縁層となるSiO 2の成膜条件は、以下の通りである。 Conditions for forming the SiO 2 serving as the interlayer insulating layer are as follows. 2 /N 2 :10SLM 5%SiH 4 /N 2 :1SLM 1%PH 3 /N 2 :500SCCM N 2 :10SLM 温度:410℃ 圧力:大気圧 O 2 / N 2: 10SLM 5 % SiH 4 / N 2: 1SLM 1% PH 3 / N 2: 500SCCM N 2: 10SLM Temperature: 410 ° C. Pressure: atmospheric

【0097】この層間絶縁層となるSiO 2膜をエッチングし、コンタクト用のホールを形成した。 [0097] The SiO 2 film serving as the interlayer insulating layer was etched to form a hole for the contact. 次いで、ドレイン、ソース配線電極としてAlを蒸着した。 Then, the drain, and depositing Al as a source wiring electrode.

【0098】得られたTFTアレイの動作電圧を求めたところ、本発明サンプルは、選択回路(シフトレジスター)用電源が、VDD:10V 、V SS:0Vであり、有機EL素子用電源が、VD :10V 、Vcom :0V となっていた。 [0098] was determined the operating voltage of the resultant TFT array, the present invention samples, the power selection circuit (shift register), VDD: 10V, V SS: a 0V, the power supply for an organic EL element, VD : 10V, Vcom: it has been a 0V.

【0099】このことから、本発明のサンプルは、従来の装置に比べて、少ない電源で最適に動作させることができることがわかる。 [0099] Therefore, the sample of the present invention, as compared with the conventional apparatus, it can be seen that it is possible to optimally operate with a lower power.

【0100】次に、有機EL素子の形成領域にホール注入電極となるITOを成膜し、前記配線電極と接続した。 Next, the ITO as a hole injection electrode formation region of the organic EL element is formed, and connected to the wiring electrode. そして、発光領域(画素部分)のみ発光させるように、上記と同様にして層間絶縁膜SiO 2を4000Å Then, only as to emit light emitting region (pixel portion), an interlayer insulating film SiO 2 in the same manner as described above 4000Å
成膜し、発光領域となる部分を開口した。 Deposited, an opening portion serving as a light emitting region.

【0101】以上のように作製された、本発明サンプルTFT薄膜パターンの画素領域(ITO上)に発光層を含む有機層を真空蒸着法により成膜した。 [0102] was prepared as above, it was deposited by vacuum deposition of organic layers including a light emitting layer in the pixel region of the present invention samples TFT thin film pattern (on ITO). 成膜した材料は以下の通りである。 The film forming material is as follows. ここでは一例のみを挙げるが、本発明はその概念から明らかなように、蒸着法で形成可能であれば成膜材料によらずに適用できる。 Here mention only one example, but the present invention is as is evident from the concept can be applied regardless of the form if the film-forming material by a vapor deposition method.

【0102】ホール注入層およびホール輸送層として、 [0102] as a hole injection layer and a hole transport layer,
N,N´−ビス(m−メチルフェニル)−N,N´−ジフェニル−1,1´−ビフェニル−4,4´−ジアミン(N, N, N'-bis (m-methylphenyl) -N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (N,
N´-bis(m-methyl phenyl)-N,N´-diphenyl-1,1´-biph N'-bis (m-methyl phenyl) -N, N'-diphenyl-1,1'-biph
enyl-4,4´-diamine以下TPDと略す)を、発光層兼電子輸送層としてトリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(tris (8-hydroxyquinoline)aluminium以下A enyl-4,4'-diamine following TPD abbreviated as), tris-emitting layer and an electron transport layer (8-hydroxyquinoline) aluminum (tris (8-hydroxyquinoline) aluminium below A
lq3 と略す)を、さらに真空を破らずに第2の電極1 The abbreviated LQ3), further a second electrode without breaking vacuum 1
2として陰極を、引き続き成膜した。 The cathode as 2, and subsequently deposited.

【0103】成膜方法としては、ホール注入層およびホール輸送層は真空蒸着法を、第2の電極はDCスパッタ法を選択した。 [0103] As the film forming method, the hole injection layer and hole transport layer by vacuum evaporation, the second electrodes have selected DC sputtering. 第2の電極としてはAl/Li合金(L As the second electrode Al / Li alloy (L
i濃度:7at%)をガス圧1Pa、パワー1W/cm 2で膜厚5nmだけ成膜し、さらに、配線電極としてAlを0. i Concentration: 7 atomic%) of the gas pressure 1 Pa, and deposited in a thickness of 5nm by a power 1W / cm 2, further Al as wiring electrodes 0.
3Pa、パワー1W/cm 2で膜厚200nm積層した。 3Pa, and the film thickness 200nm stacked in power 1W / cm 2.

【0104】得られた、有機EL表示装置の各画素を1 [0104] The resulting, each pixel of the organic EL display device 1
0mA/cm 2の定電流駆動したところ、TFTの動作に従って、オン−オフ動作(発光)が確認され、P型トランジスタのみで構成した場合でも、少ない電源で問題なく動作することがわかった。 The device was driven with a constant current of 0 mA / cm 2, according to the operation of the TFT, the on - off operation (light emission) is confirmed, even in the case of a configuration using only P-type transistor was found to work well with a small power.

【0105】このように、本発明の装置は、N型、またはP型用のマスクを1枚減らすことができ、少ない工程で安価に製造できるとともに、少ない電源で有機EL素子を駆動することができ、装置の低コスト化、省スペース化に寄与することができる。 [0105] Thus, the apparatus of the present invention, can reduce one of the N-type or a mask for a P-type, it is possible to inexpensively produced in fewer steps, to drive the organic EL element with less power can, the cost of the apparatus, it is possible to contribute to space saving.

【0106】 [0106]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、比較的簡単化かつ短い工程で製造でき、製造コストの低減が可能な有機EL素子の駆動装置を実現することができる。 According to the present invention as described above, according to the present invention can be prepared in a relatively simplified and fewer processes, it is possible to realize a driving device of an organic EL element that the manufacturing cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の駆動装置の一形態を示した回路図であって、インバーターをN型のトランジスタのみにより構成した例を示した図である。 [1] A circuit diagram showing an embodiment of a driving device of the present invention and shows an example in which an inverter is constituted only by N type transistors.

【図2】本発明の駆動装置の一形態を示した回路図であって、有機EL素子の駆動用選択トランジスタおよびバイアストランジスタをP型のトランジスタのみにより構成した例を示す回路図である。 [Figure 2] A circuit diagram showing an embodiment of a driving device of the present invention, is a circuit diagram showing an example of a drive selection transistor and the bias transistor is constituted only by P-type transistor of the organic EL element.

【図3】本発明の駆動装置の一形態を示した回路図であって、有機EL素子の駆動用選択トランジスタおよびバイアストランジスタをN型のトランジスタのみにより構成した例を示す回路図である。 [Figure 3] A circuit diagram showing an embodiment of a driving device of the present invention, is a circuit diagram showing an example of driving the select transistor and the bias transistor is constituted only by N type transistors of the organic EL element.

【図4】本発明の有機EL素子の駆動装置の製造工程を示す一部断面図である。 4 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the driving apparatus of the organic EL device of the present invention.

【図5】本発明の有機EL素子の駆動装置の製造工程を示す一部断面図である。 5 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the driving apparatus of the organic EL device of the present invention.

【図6】本発明の有機EL素子の駆動装置の製造工程を示す一部断面図である。 6 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the driving apparatus of the organic EL device of the present invention.

【図7】本発明の有機EL素子の駆動装置の製造工程を示す一部断面図である。 7 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the driving apparatus of the organic EL device of the present invention.

【図8】本発明の有機EL素子の駆動装置の製造工程を示す一部断面図である。 8 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the driving apparatus of the organic EL device of the present invention.

【図9】本発明の有機EL素子の駆動装置の製造工程を示す一部断面図である。 9 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the driving apparatus of the organic EL device of the present invention.

【図10】本発明の有機EL素子の駆動装置の製造工程を示す一部断面図である。 10 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the driving apparatus of the organic EL device of the present invention.

【図11】本発明の有機EL素子の駆動装置の製造工程を示す一部断面図である。 11 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the driving apparatus of the organic EL device of the present invention.

【図12】本発明の有機EL素子の駆動装置の構成例を示す一部平面図である。 It is a partial plan view showing a configuration example of a driving apparatus of an organic EL device of the present invention; FIG.

【図13】従来のアクティブマトリックス型の有機EL [13] conventional active matrix type organic EL
表示装置の回路図の一例を示した概略構成図である。 Is a schematic diagram showing an example of a circuit diagram of a display device.

【図14】図13のA部拡大図である。 14 is an enlarged view of a portion A of FIG 13.

【図15】従来の駆動装置の一形態を示した回路図であって、インバーターをP型とN型のトランジスタにより構成した例を示した図である。 [Figure 15] A circuit diagram showing one form of a conventional driving device, is a diagram of the inverter shown an example in which the P-type and N-type transistor.

【図16】従来の駆動装置の一形態を示した回路図であって、有機EL素子の駆動用選択トランジスタおよびバイアストランジスタをP型とN型のトランジスタにより構成した例を示す回路図である。 [Figure 16] A circuit diagram showing one form of a conventional driving device, a circuit diagram illustrating an example of a drive selection transistor and the bias transistor of the organic EL element constituted by P-type and N-type transistor.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

M1,M2,M3 スイッチング素子 D1 有機EL素子 11 ソースバス 12 ゲートバス 13 ソース電極 14 ドレイン電極 15 ゲートライン 16 ドレイン電極 17 ソース電極 18 キャパシタ 21、22 シリコン基体 101 基板 102 アモルファスシリコン層 102a 活性層 103 ゲート酸化膜 104 ゲート電極 105 絶縁膜 106 レジスト M1, M2, M3 switching elements D1 organic EL element 11 source bus 12 gate bus 13 source electrode 14 drain electrode 15 gate lines 16 drain electrode 17 source electrode 18 capacitors 21 and 22 a silicon substrate 101 substrate 102 amorphous silicon layer 102a active layer 103 gate oxide film 104 gate electrode 105 insulating film 106 resist

Claims (5)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 マトリクス状に配置された有機EL素子と、 各有機EL素子と接続され、これを直接駆動する第1のスイッチング素子と、 この第1のスイッチング素子を駆動する第2のスイッチング素子と、 前記各有機EL素子を選択し、選択信号を与える選択回路とを有し、 少なくとも前記第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子がN型またはP型のスイッチング素子のみにより形成されている有機EL素子の駆動装置。 And 1. A are arranged in a matrix organic EL device, is connected to each of the organic EL element, a second switching element for driving a first switching element for driving the direct, the first switching element If, selects the respective organic EL elements, and a selection circuit providing the selection signal, at least the first switching element and the second switching element is formed only by N type or P-type switching element drive of the organic EL element.
  2. 【請求項2】 さらに、前記選択回路を構成するスイッチング素子が、第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子と同一のNまたはP型のスイッチング素子により形成されている有機EL素子の駆動装置。 2. A further switching elements constituting the selection circuit, the first driving device of an organic EL device formed by the switching element and the second identical N or P-type switching element and the switching element.
  3. 【請求項3】 各スイッチング素子間の活性層の間隔が4μm 以下である部位を有する請求項1または2の有機EL素子。 3. The organic EL device according to claim 1 or 2 having a site spacing of the active layer between the switching element is 4μm or less.
  4. 【請求項4】 前記スイッチング素子はP型で統一されている請求項1〜3のいずれかの有機EL素子。 Wherein said switching element is one of the organic EL device of claim 1, which is unified with P-type.
  5. 【請求項5】 前記スイッチング素子は、エンハンスメント型である請求項1〜4のいずれかの有機EL素子。 Wherein said switching element is one of the organic EL element according to claim 1 to 4, an enhancement type.
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