JP2001133961A - ペリクル構造体及びペリクル構造体内部の雰囲気置換方法 - Google Patents
ペリクル構造体及びペリクル構造体内部の雰囲気置換方法Info
- Publication number
- JP2001133961A JP2001133961A JP31295099A JP31295099A JP2001133961A JP 2001133961 A JP2001133961 A JP 2001133961A JP 31295099 A JP31295099 A JP 31295099A JP 31295099 A JP31295099 A JP 31295099A JP 2001133961 A JP2001133961 A JP 2001133961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- gas
- pellicle structure
- hole
- introduction hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Abstract
(57)【要約】
【課題】ペリクル構造体内部のＯ2濃度を容易に減少さ
せられるペリクル構造体を得る。 【解決手段】ペリクルフレーム３とペリクルフレーム３
の上面に接着されたペリクル板４とからなるペリクル構
造体であって、マスク５にペリクル構造体が装着された
状態でペリクル構造体内部にガスを導入するためのガス
導入孔１とペリクル構造体内部からガスを排出するため
のガス排出孔２とを有する。
せられるペリクル構造体を得る。 【解決手段】ペリクルフレーム３とペリクルフレーム３
の上面に接着されたペリクル板４とからなるペリクル構
造体であって、マスク５にペリクル構造体が装着された
状態でペリクル構造体内部にガスを導入するためのガス
導入孔１とペリクル構造体内部からガスを排出するため
のガス排出孔２とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は集積回路の製造工程
で使用されるマスク又はレチクル（以下、これらを併せ
て単にマスクともいう）に異物付着防止の目的で装着さ
れるペリクル構造体及びペリクル構造体内部の雰囲気置
換方法に関する。
で使用されるマスク又はレチクル（以下、これらを併せ
て単にマスクともいう）に異物付着防止の目的で装着さ
れるペリクル構造体及びペリクル構造体内部の雰囲気置
換方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造工程で使用される光リソ
グラフィ工程はおいては、レジスト材を塗布した半導体
ウエハを露光することによりパターン形成が行われる。
この際に用いるマスクに傷・異物等が存在していると、
パターンとともに傷・異物がウエハ上に印刷され、回路
の短絡・断線等の原因になる。このため、マスクの表面
の異物よけとして、マスクの片面又は両面にペリクル構
造体を装着する方法がとられている。本明細書でペリク
ル構造体とは、平面状のペリクル板（本明細書では、有
機樹脂からなる膜状のもの及び合成石英ガラスなどから
なる板状のものの両方を含むこととする）と、ペリクル
板をマスクから離隔するために所定の厚みを持つペリク
ルフレームとからなり、ペリクルフレームの上面にペリ
クル板を接着して容器状にしたものをいう。
グラフィ工程はおいては、レジスト材を塗布した半導体
ウエハを露光することによりパターン形成が行われる。
この際に用いるマスクに傷・異物等が存在していると、
パターンとともに傷・異物がウエハ上に印刷され、回路
の短絡・断線等の原因になる。このため、マスクの表面
の異物よけとして、マスクの片面又は両面にペリクル構
造体を装着する方法がとられている。本明細書でペリク
ル構造体とは、平面状のペリクル板（本明細書では、有
機樹脂からなる膜状のもの及び合成石英ガラスなどから
なる板状のものの両方を含むこととする）と、ペリクル
板をマスクから離隔するために所定の厚みを持つペリク
ルフレームとからなり、ペリクルフレームの上面にペリ
クル板を接着して容器状にしたものをいう。
【０００３】近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、ウエハ上
に集積回路パターンを描写する光リソグラフィ技術にお
いて、より狭い線幅で微細な回路パターンを描画できる
技術が要求されており、これに対応するために、露光光
源の短波長化が進められている。例えば、リソグラフィ
用ステッパの光源は、従来のｇ線（波長４３６ｎ
ｍ、）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）から進んでＫｒＦエキ
シマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ
（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（波長１５７ｎｍ）等
のより短波長の光源が用いられようとしている。
に集積回路パターンを描写する光リソグラフィ技術にお
いて、より狭い線幅で微細な回路パターンを描画できる
技術が要求されており、これに対応するために、露光光
源の短波長化が進められている。例えば、リソグラフィ
用ステッパの光源は、従来のｇ線（波長４３６ｎ
ｍ、）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）から進んでＫｒＦエキ
シマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ
（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（波長１５７ｎｍ）等
のより短波長の光源が用いられようとしている。
【０００４】このような線幅の微細化に伴い、マスク上
の傷・異物の許容範囲もより厳しくなっているため、ペ
リクルフレーム内側に粘着剤を塗るなどの防塵対策がと
られている。またペリクルフレームに通気孔を形成する
ことで、ペリクル構造体をマスクに装着した状態で通気
性を持たせ、外部雰囲気の温度や気圧の変化がペリクル
板に影響しないような構造がとられている。
の傷・異物の許容範囲もより厳しくなっているため、ペ
リクルフレーム内側に粘着剤を塗るなどの防塵対策がと
られている。またペリクルフレームに通気孔を形成する
ことで、ペリクル構造体をマスクに装着した状態で通気
性を持たせ、外部雰囲気の温度や気圧の変化がペリクル
板に影響しないような構造がとられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の光リソグラフィ
工程は大気中で行われていたが、Ｆ2レーザで露光する
場合は、大気中の酸素分子が露光波長である１５７ｎｍ
に吸収を持つため、不活性ガス雰囲気中での露光が必要
とされる。しかし、従来のペリクル構造体では、ペリク
ル構造体内部の雰囲気を不活性ガス雰囲気に置き換える
ことが容易ではなかった。本発明は、このような問題点
を解決しようとするものである。
工程は大気中で行われていたが、Ｆ2レーザで露光する
場合は、大気中の酸素分子が露光波長である１５７ｎｍ
に吸収を持つため、不活性ガス雰囲気中での露光が必要
とされる。しかし、従来のペリクル構造体では、ペリク
ル構造体内部の雰囲気を不活性ガス雰囲気に置き換える
ことが容易ではなかった。本発明は、このような問題点
を解決しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題を解
決すべくなされたものであり、ペリクルフレームとペリ
クルフレームの上面に接着されたペリクル板とからなる
ペリクル構造体であって、マスク又はレチクルにペリク
ル構造体が装着された状態でペリクル構造体内部にガス
を導入するためのガス導入孔とペリクル構造体内部から
ガスを排出するためのガス排出孔とを有することを特徴
とするペリクル構造体を提供する。特に、少なくともガ
ス導入孔及びガス排出孔の一方には内部換気手段を接続
するためのジョイントが装着されていることが好まし
い。また、ペリクル構造体内部の雰囲気が外部に漏れる
ことを阻止する弁を、ガス導入孔及びガス排出孔に有す
ることが好ましい。
決すべくなされたものであり、ペリクルフレームとペリ
クルフレームの上面に接着されたペリクル板とからなる
ペリクル構造体であって、マスク又はレチクルにペリク
ル構造体が装着された状態でペリクル構造体内部にガス
を導入するためのガス導入孔とペリクル構造体内部から
ガスを排出するためのガス排出孔とを有することを特徴
とするペリクル構造体を提供する。特に、少なくともガ
ス導入孔及びガス排出孔の一方には内部換気手段を接続
するためのジョイントが装着されていることが好まし
い。また、ペリクル構造体内部の雰囲気が外部に漏れる
ことを阻止する弁を、ガス導入孔及びガス排出孔に有す
ることが好ましい。
【０００７】また本発明では、ペリクルフレームとペリ
クルフレームの上面に接着されたペリクル板とからなる
ペリクル構造体がマスク又はレチクルに装着された状態
で、ペリクル構造体に設けられたガス導入孔を通じて、
ペリクル構造体内部に不活性ガスを強制的に導入する工
程、及び、ペリクル構造体に設けられたガス排出孔を通
じて、ペリクル構造体内部のガスを排出する工程、を備
えることを特徴とするペリクル構造体内部の雰囲気置換
方法を提供する。特に、ペリクル構造体内部の酸素分圧
が所定以下になった時点で、ガス導入孔及びガス排出孔
を閉塞する工程を備えることが好ましい。
クルフレームの上面に接着されたペリクル板とからなる
ペリクル構造体がマスク又はレチクルに装着された状態
で、ペリクル構造体に設けられたガス導入孔を通じて、
ペリクル構造体内部に不活性ガスを強制的に導入する工
程、及び、ペリクル構造体に設けられたガス排出孔を通
じて、ペリクル構造体内部のガスを排出する工程、を備
えることを特徴とするペリクル構造体内部の雰囲気置換
方法を提供する。特に、ペリクル構造体内部の酸素分圧
が所定以下になった時点で、ガス導入孔及びガス排出孔
を閉塞する工程を備えることが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明においては、ペリクル構造
体は、マスク又はレチクルにペリクル構造体が装着され
た状態でペリクル構造体内部にガスを導入するためのガ
ス導入孔とペリクル構造体内部からガスを排出するため
のガス排出孔とを有する。
体は、マスク又はレチクルにペリクル構造体が装着され
た状態でペリクル構造体内部にガスを導入するためのガ
ス導入孔とペリクル構造体内部からガスを排出するため
のガス排出孔とを有する。
【０００９】図１は本発明のペリクル構造体の一例の斜
視図である。ペリクルフレーム３の上面に平面状の透明
なペリクル板４が接着されており、ペリクルフレーム３
とペリクル板４とでペリクル構造体を形成している。ペ
リクル板４は例えば、主鎖に環構造を有するフッ素系樹
脂などの有機樹脂でもよく、合成石英ガラスでもよい
が、Ｆ2レーザ用としては紫外線耐久性の高い合成石英
ガラスが好ましい。ペリクル構造体は図１に示したよう
に、マスク５に粘着剤などで装着されて使用される。
視図である。ペリクルフレーム３の上面に平面状の透明
なペリクル板４が接着されており、ペリクルフレーム３
とペリクル板４とでペリクル構造体を形成している。ペ
リクル板４は例えば、主鎖に環構造を有するフッ素系樹
脂などの有機樹脂でもよく、合成石英ガラスでもよい
が、Ｆ2レーザ用としては紫外線耐久性の高い合成石英
ガラスが好ましい。ペリクル構造体は図１に示したよう
に、マスク５に粘着剤などで装着されて使用される。
【００１０】ペリクルフレーム３には、ガス導入孔１及
びガス排出孔２が設けられている。これらの孔を通じて
不活性ガスを導入し、かつ、ペリクル構造体内部のガス
を排出することにより、ペリクル板４、ペリクルフレー
ム３及びマスク５で囲まれた、ペリクル構造体内部の空
間の雰囲気を置換し、酸素分圧を低下できるようになっ
ている。
びガス排出孔２が設けられている。これらの孔を通じて
不活性ガスを導入し、かつ、ペリクル構造体内部のガス
を排出することにより、ペリクル板４、ペリクルフレー
ム３及びマスク５で囲まれた、ペリクル構造体内部の空
間の雰囲気を置換し、酸素分圧を低下できるようになっ
ている。
【００１１】ガス導入孔１及びガス排出孔２は、露光の
妨げにならないようにペリクルフレーム３に設けられる
ことが好ましいが、これに限定されない。ガス導入時の
ペリクル構造体内部のガスの流れを考慮し、短時間でペ
リクル構造体内部のガスが置換するような位置にこれら
の孔が形成されることが好ましい。
妨げにならないようにペリクルフレーム３に設けられる
ことが好ましいが、これに限定されない。ガス導入時の
ペリクル構造体内部のガスの流れを考慮し、短時間でペ
リクル構造体内部のガスが置換するような位置にこれら
の孔が形成されることが好ましい。
【００１２】また、図１ではガス導入孔１及びガス排出
孔２はそれぞれ１個ずつペリクルフレーム３に形成され
ているが、ペリクル構造体内部のガス置換を促進するた
め、ガス導入孔１が２個以上形成されていてもよく、ガ
ス排出孔２が２個以上形成されてもよい。
孔２はそれぞれ１個ずつペリクルフレーム３に形成され
ているが、ペリクル構造体内部のガス置換を促進するた
め、ガス導入孔１が２個以上形成されていてもよく、ガ
ス排出孔２が２個以上形成されてもよい。
【００１３】孔の大きさは特に限定されないが、ガス置
換の効率の観点と孔開けによるペリクルフレーム３の強
度低下を防止する観点とを考慮すると、孔径は０．１〜
２ｍｍ程度が好ましい。ガスの圧力損失を最小限にする
ためには、孔形状は丸形が好ましい。
換の効率の観点と孔開けによるペリクルフレーム３の強
度低下を防止する観点とを考慮すると、孔径は０．１〜
２ｍｍ程度が好ましい。ガスの圧力損失を最小限にする
ためには、孔形状は丸形が好ましい。
【００１４】また、本発明では、ガス導入孔１及び／又
はガス排出孔２には内部換気手段を接続するためのジョ
イントが装着されていることが好ましい。特に、このジ
ョイントは、ワンタッチで接続可能なジョイントである
ことが好ましい。
はガス排出孔２には内部換気手段を接続するためのジョ
イントが装着されていることが好ましい。特に、このジ
ョイントは、ワンタッチで接続可能なジョイントである
ことが好ましい。
【００１５】ここで、内部換気手段とは、ガス導入孔１
を通じて強制的にガスをペリクル構造体内部に導入して
ペリクル構造体内部を換気できる手段のことをいう。強
制的なガスの導入は、ガス導入孔１にガスを加圧導入す
ることにより行ってもよく、ガス排出孔２からガスを吸
引し、結果としてガス導入孔からペリクル構造体外部の
ガスを内部に導入することにより行ってもよい。内部換
気手段として、具体的には、ガス導入孔１に接続される
場合は加圧ポンプやガスボンベなどが、ガス排出孔２に
接続される場合は吸引ポンプなどが例示される。
を通じて強制的にガスをペリクル構造体内部に導入して
ペリクル構造体内部を換気できる手段のことをいう。強
制的なガスの導入は、ガス導入孔１にガスを加圧導入す
ることにより行ってもよく、ガス排出孔２からガスを吸
引し、結果としてガス導入孔からペリクル構造体外部の
ガスを内部に導入することにより行ってもよい。内部換
気手段として、具体的には、ガス導入孔１に接続される
場合は加圧ポンプやガスボンベなどが、ガス排出孔２に
接続される場合は吸引ポンプなどが例示される。
【００１６】また、ペリクル構造体内部の雰囲気を置換
した後の気密性を維持するためには、ペリクル構造体内
部の雰囲気が外部に漏れることを阻止する弁を、ガス導
入孔及びガス排出孔に有することが好ましい。この弁に
より、ペリクル構造体の内部雰囲気に対する外部雰囲気
の影響を抑制できる。
した後の気密性を維持するためには、ペリクル構造体内
部の雰囲気が外部に漏れることを阻止する弁を、ガス導
入孔及びガス排出孔に有することが好ましい。この弁に
より、ペリクル構造体の内部雰囲気に対する外部雰囲気
の影響を抑制できる。
【００１７】ペリクル構造体内部に対する外部雰囲気の
影響を極力避けるためには、ペリクル内部の圧力を外部
に対して若干高めに保持することが好ましい。この目的
では、弁として、単なる逆止弁ではなく開閉の微調整が
容易な電磁弁を用いることが好ましい。
影響を極力避けるためには、ペリクル内部の圧力を外部
に対して若干高めに保持することが好ましい。この目的
では、弁として、単なる逆止弁ではなく開閉の微調整が
容易な電磁弁を用いることが好ましい。
【００１８】また、エアガンによってペリクル構造体の
埃を除去する際、エアガンの衝撃によってペリクル板が
破損することがあるが、ペリクル構造体内部の圧力を外
部に対して高めに保持することにより、このようなおそ
れを低減する効果もある。
埃を除去する際、エアガンの衝撃によってペリクル板が
破損することがあるが、ペリクル構造体内部の圧力を外
部に対して高めに保持することにより、このようなおそ
れを低減する効果もある。
【００１９】さらに、このような弁を備えることによ
り、ガス導入孔１側の弁を閉塞した状態でガス排出孔２
側からガス吸引して、ペリクル構造体内部を一旦減圧し
た後、ガス導入孔１側の弁を開放して不活性ガスを導入
する手法を採用できるようになる。このようにすると、
ペリクル構造体内部のガスの流れによどみがあった場合
でも、効率良く内部の換気を行える利点がある。特に、
ペリクル板４として剛性の高い合成石英ガラスを用いた
場合は、ペリクル構造体の内部を減圧してもペリクル板
４が変形や損傷を受けにくいので、この手法は有効であ
る。
り、ガス導入孔１側の弁を閉塞した状態でガス排出孔２
側からガス吸引して、ペリクル構造体内部を一旦減圧し
た後、ガス導入孔１側の弁を開放して不活性ガスを導入
する手法を採用できるようになる。このようにすると、
ペリクル構造体内部のガスの流れによどみがあった場合
でも、効率良く内部の換気を行える利点がある。特に、
ペリクル板４として剛性の高い合成石英ガラスを用いた
場合は、ペリクル構造体の内部を減圧してもペリクル板
４が変形や損傷を受けにくいので、この手法は有効であ
る。
【００２０】また、ガス導入孔１とガス排出孔２とを覆
うように防塵フィルタを設けることが好ましい。外部か
らの塵埃等の進入を防ぎ、ペリクル構造体内部に浮遊し
ている塵埃等を取り除くことができるからである。
うように防塵フィルタを設けることが好ましい。外部か
らの塵埃等の進入を防ぎ、ペリクル構造体内部に浮遊し
ている塵埃等を取り除くことができるからである。
【００２１】本発明において、ペリクル構造体内部の雰
囲気置換は以下の方法で行える。まず、本発明のペリク
ル構造体をマスクに装着しておく。ペリクル構造体は、
マスクの片側に装着されてもよく、両側に装着されても
よい。装着はアクリル系樹脂などの粘着剤やシリコーン
系樹脂などの接着剤で行える。この状態で、ペリクル構
造体に設けられたガス導入孔を通じて、ペリクル構造体
内部に不活性ガスを強制的に導入するとともに、ペリク
ル構造体に設けられたガス排出孔を通じて、ペリクル構
造体内部のガスを排出する。
囲気置換は以下の方法で行える。まず、本発明のペリク
ル構造体をマスクに装着しておく。ペリクル構造体は、
マスクの片側に装着されてもよく、両側に装着されても
よい。装着はアクリル系樹脂などの粘着剤やシリコーン
系樹脂などの接着剤で行える。この状態で、ペリクル構
造体に設けられたガス導入孔を通じて、ペリクル構造体
内部に不活性ガスを強制的に導入するとともに、ペリク
ル構造体に設けられたガス排出孔を通じて、ペリクル構
造体内部のガスを排出する。
【００２２】本発明では、不活性ガスを強制的にペリク
ル構造体内部に導入することにより、迅速にペリクル構
造体の内部雰囲気を置換して、酸素分圧を下げることが
できる。不活性ガスとしてはＮ2ガス又はＡｒやＨｅな
どの希ガスを使用できるが、入手が容易で安価な点から
Ｎ2ガスの使用が好ましい。
ル構造体内部に導入することにより、迅速にペリクル構
造体の内部雰囲気を置換して、酸素分圧を下げることが
できる。不活性ガスとしてはＮ2ガス又はＡｒやＨｅな
どの希ガスを使用できるが、入手が容易で安価な点から
Ｎ2ガスの使用が好ましい。
【００２３】前述のように、強制的なガスの導入は、ガ
ス導入孔１にガスを加圧導入することにより行ってもよ
く、ガス排出孔２からガスを吸引し、結果としてガス導
入孔からペリクル構造体外部のガスを内部に導入するこ
とにより行ってもよい。また、ガス導入孔１及びガス排
出孔２に弁を設けて、ガス導入孔１側の弁を閉塞した状
態でガス排出孔２側からガス吸引して、ペリクル構造体
内部を一旦減圧した後、ガス導入孔１側の弁を開放して
不活性ガスを導入する手法をとってもよい。
ス導入孔１にガスを加圧導入することにより行ってもよ
く、ガス排出孔２からガスを吸引し、結果としてガス導
入孔からペリクル構造体外部のガスを内部に導入するこ
とにより行ってもよい。また、ガス導入孔１及びガス排
出孔２に弁を設けて、ガス導入孔１側の弁を閉塞した状
態でガス排出孔２側からガス吸引して、ペリクル構造体
内部を一旦減圧した後、ガス導入孔１側の弁を開放して
不活性ガスを導入する手法をとってもよい。
【００２４】本発明ではペリクル構造体内部の酸素分圧
が所定以下になった時点で、ガス導入孔及びガス排出孔
を閉塞することが好ましい。
が所定以下になった時点で、ガス導入孔及びガス排出孔
を閉塞することが好ましい。
【００２５】Ｆ2レーザ（波長１５７ｎｍ）のペリクル
構造体内部における透過性を確保するためには、ペリク
ル構造体内部のＯ2を２０ｐｐｍ以下にすることが好ま
しい。これにより、ペリクル構造体内部の内部透過率を
９９．９％／ｃｍ以上にすることができる。より好まし
いペリクル構造体内部のＯ2濃度は１０ｐｐｍ以下であ
る。
構造体内部における透過性を確保するためには、ペリク
ル構造体内部のＯ2を２０ｐｐｍ以下にすることが好ま
しい。これにより、ペリクル構造体内部の内部透過率を
９９．９％／ｃｍ以上にすることができる。より好まし
いペリクル構造体内部のＯ2濃度は１０ｐｐｍ以下であ
る。
【００２６】なお、弁を閉塞した時点で、ペリクル構造
体内部の圧力は、外部の圧力より若干高めであることが
好ましいのは前述のとおりである。
体内部の圧力は、外部の圧力より若干高めであることが
好ましいのは前述のとおりである。
【００２７】
【実施例】以下実施例によって本発明をより具体的に説
明するが、本発明は本実施例に限定されない。外寸１２
２ｍｍ×１４９ｍｍ、厚さ２ｍｍ、高さ５ｍｍのアルマ
イト処理したアルミニウム製ペリクルフレームにガス排
出孔とガス導入孔として直径０．５ｍｍの孔をそれぞれ
１個ずつ開け、ペリクルフレームの上面にエポキシ系接
着剤を用いて厚さ０．３ｍｍの合成石英ガラス製ペリク
ル板を接着した。このようにして仕上げたペリクル構造
体をアクリル系粘着剤を用いてマスクに装着した。
明するが、本発明は本実施例に限定されない。外寸１２
２ｍｍ×１４９ｍｍ、厚さ２ｍｍ、高さ５ｍｍのアルマ
イト処理したアルミニウム製ペリクルフレームにガス排
出孔とガス導入孔として直径０．５ｍｍの孔をそれぞれ
１個ずつ開け、ペリクルフレームの上面にエポキシ系接
着剤を用いて厚さ０．３ｍｍの合成石英ガラス製ペリク
ル板を接着した。このようにして仕上げたペリクル構造
体をアクリル系粘着剤を用いてマスクに装着した。
【００２８】図２はこのマスクに装着したペリクル構造
体のガス導入孔部分の側断面図である。図２において、
６はエポキシ系接着剤、７はアクリル系粘着剤である。
ガス導入孔１には逆止弁８とワンタッチで不活性ガスの
ボンベに接続できるジョイント９とが設けられている。
体のガス導入孔部分の側断面図である。図２において、
６はエポキシ系接着剤、７はアクリル系粘着剤である。
ガス導入孔１には逆止弁８とワンタッチで不活性ガスの
ボンベに接続できるジョイント９とが設けられている。
【００２９】このように仕上げたペリクル構造体内部
に、ガスボンベからガス導入孔１を通じて、表１に記載
した流量のＮ2ガスを供給した。Ｎ2ガス導入の間、ガス
排出孔２は開放しておいた。この際、ペリクル構造体内
部のＯ2濃度をＯ2濃度測定器（東レ社製 ＬＦ７５０）
を用いて測定し、ペリクル構造体内のＯ2濃度が１０ｐ
ｐｍになった時点で、ガス導入孔１及びガス排出孔２を
閉塞した。Ｏ2濃度が１０ｐｐｍになるまでの時間（換
気時間）を表１に示す。
に、ガスボンベからガス導入孔１を通じて、表１に記載
した流量のＮ2ガスを供給した。Ｎ2ガス導入の間、ガス
排出孔２は開放しておいた。この際、ペリクル構造体内
部のＯ2濃度をＯ2濃度測定器（東レ社製 ＬＦ７５０）
を用いて測定し、ペリクル構造体内のＯ2濃度が１０ｐ
ｐｍになった時点で、ガス導入孔１及びガス排出孔２を
閉塞した。Ｏ2濃度が１０ｐｐｍになるまでの時間（換
気時間）を表１に示す。
【００３０】比較のために、ペリクル構造体を空気中で
マスクに接着した後、直径０．５ｍｍの孔を１箇所開け
てＮ2雰囲気に放置したが、３時間経過後においてもペ
リクル構造体内部のＯ2濃度は空気とほぼ同じであっ
た。以上から、ペリクル構造体内部のＯ2濃度を減少さ
せるためには、強制的な換気が必要であることがわか
る。
マスクに接着した後、直径０．５ｍｍの孔を１箇所開け
てＮ2雰囲気に放置したが、３時間経過後においてもペ
リクル構造体内部のＯ2濃度は空気とほぼ同じであっ
た。以上から、ペリクル構造体内部のＯ2濃度を減少さ
せるためには、強制的な換気が必要であることがわか
る。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、ペリクル構造体内部の
Ｏ2濃度の低減が容易なペリクル構造体が得られる。こ
れにより、ペリクル構造体に対するＦ2レーザ光の透過
率が高まる。また本発明ではガス導入孔及びガス排出孔
を備えることにより、外部雰囲気とペリクル構造体内部
が連通するので、外部の温度変化や圧力変化への対応性
が向上する。さらに、ガス導入孔及びガス排出孔とに弁
を設けることで、ペリクル構造体の内部雰囲気が外部に
漏れることを阻止できる。
Ｏ2濃度の低減が容易なペリクル構造体が得られる。こ
れにより、ペリクル構造体に対するＦ2レーザ光の透過
率が高まる。また本発明ではガス導入孔及びガス排出孔
を備えることにより、外部雰囲気とペリクル構造体内部
が連通するので、外部の温度変化や圧力変化への対応性
が向上する。さらに、ガス導入孔及びガス排出孔とに弁
を設けることで、ペリクル構造体の内部雰囲気が外部に
漏れることを阻止できる。
【図１】本発明の１例を示す斜視図。
【図２】本発明の１例を示す側断面図。
１：ガス導入孔 ２：ガス排出孔 ３：ペリクルフレーム ４：ペリクル板 ５：マスク ８：逆止弁 ９：ジョイント
Claims (5)
- 【請求項１】ペリクルフレームとペリクルフレームの上
面に接着されたペリクル板とからなるペリクル構造体で
あって、マスク又はレチクルにペリクル構造体が装着さ
れた状態でペリクル構造体内部にガスを導入するための
ガス導入孔とペリクル構造体内部からガスを排出するた
めのガス排出孔とを有することを特徴とするペリクル構
造体。 - 【請求項２】少なくともガス導入孔及びガス排出孔の一
方には内部換気手段を接続するためのジョイントが装着
されている請求項１記載のペリクル構造体。 - 【請求項３】ペリクル構造体内部の雰囲気が外部に漏れ
ることを阻止する弁を、ガス導入孔及びガス排出孔に有
する請求項１又は２記載のペリクル構造体。 - 【請求項４】ペリクルフレームとペリクルフレームの上
面に接着されたペリクル板とからなるペリクル構造体が
マスク又はレチクルに装着された状態で、ペリクル構造
体に設けられたガス導入孔を通じて、ペリクル構造体内
部に不活性ガスを強制的に導入する工程、及び、 ペリクル構造体に設けられたガス排出孔を通じて、ペリ
クル構造体内部のガスを排出する工程、 を備えることを特徴とするペリクル構造体内部の雰囲気
置換方法。 - 【請求項５】ペリクル構造体内部の酸素分圧が所定以下
になった時点で、ガス導入孔及びガス排出孔を閉塞する
工程を備える請求項４記載のペリクル構造体内部の雰囲
気置換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31295099A JP2001133961A (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | ペリクル構造体及びペリクル構造体内部の雰囲気置換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31295099A JP2001133961A (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | ペリクル構造体及びペリクル構造体内部の雰囲気置換方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001133961A true JP2001133961A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=18035437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31295099A Withdrawn JP2001133961A (ja) | 1999-11-02 | 1999-11-02 | ペリクル構造体及びペリクル構造体内部の雰囲気置換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001133961A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6994507B2 (en) | 2002-11-28 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Transport apparatus |
| KR100746864B1 (ko) * | 1999-11-08 | 2007-08-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토리소그래피 포토마스크의 보호용 프레임식 펠리클 |
| KR100878723B1 (ko) * | 2001-07-30 | 2009-01-14 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 펠리클 |
| JP2016133559A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | 日本軽金属株式会社 | ペリクル用支持枠 |
| CN111913346A (zh) * | 2020-08-25 | 2020-11-10 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种光掩模组件及光刻系统 |
| US11868041B2 (en) * | 2017-05-10 | 2024-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle and method of using the same |
-
1999
- 1999-11-02 JP JP31295099A patent/JP2001133961A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100746864B1 (ko) * | 1999-11-08 | 2007-08-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토리소그래피 포토마스크의 보호용 프레임식 펠리클 |
| KR100878723B1 (ko) * | 2001-07-30 | 2009-01-14 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 펠리클 |
| US6994507B2 (en) | 2002-11-28 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Transport apparatus |
| US7507264B2 (en) | 2002-11-28 | 2009-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Transport apparatus |
| JP2016133559A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | 日本軽金属株式会社 | ペリクル用支持枠 |
| US10281814B2 (en) | 2015-01-16 | 2019-05-07 | Nippon Light Metal Company, Ltd. | Support frame for pellicle |
| US11868041B2 (en) * | 2017-05-10 | 2024-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle and method of using the same |
| CN111913346A (zh) * | 2020-08-25 | 2020-11-10 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种光掩模组件及光刻系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6744562B2 (en) | Pellicle | |
| JP4513534B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 | |
| TW473816B (en) | Exposure device, exposure method, and highly integrated device manufacturing method | |
| TW482947B (en) | Framed pellicle for dustproof protection of photolithographic photomask and method for exposure of photoresist layer on substrate surface to ultraviolet light through photomask | |
| TW200952044A (en) | Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP2005268759A (ja) | 光学部品及び露光装置 | |
| TWI461841B (zh) | 微影用防護薄膜組件 | |
| JP2001133961A (ja) | ペリクル構造体及びペリクル構造体内部の雰囲気置換方法 | |
| TWI314252B (en) | Lithographic apparatus, reticle exchange unit and device manufacturing method | |
| CN100576088C (zh) | 利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置及方法 | |
| US7553551B2 (en) | Pellicle frame | |
| TWI567484B (zh) | 防塵薄膜組件 | |
| KR20200067094A (ko) | 펠리클 | |
| JP4027214B2 (ja) | 搬送装置、デバイス製造装置、搬送方法およびデバイス製造方法 | |
| JP4172192B2 (ja) | ペリクル構造体 | |
| JP2005250188A (ja) | ペリクル | |
| JP3958049B2 (ja) | ペルクル付きレチクル、デバイス製造関連装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| US6914667B2 (en) | Exposure apparatus and purging method for the same | |
| TWI317457B (en) | Method and system for reducing and monitoring precipitated defects on mask reticles | |
| JP2006060037A (ja) | 露光装置 | |
| KR100699785B1 (ko) | 띠 형상 워크의 반송 장치 | |
| JP2004240221A (ja) | フォトマスク、ペリクル装脱着装置及び基板処理装置 | |
| EP4095600A1 (en) | Pellicle frame, pellicle, exposure original plate with pellicle, exposure method, and semiconductor or liquid-crystal-display manufacturing method | |
| EP4163720A1 (en) | Pellicle frame, pellicle, exposure original plate with pellicle, exposure method, method for manufacturing semiconductor, and method for manufacturing liquid crystal display board | |
| JP5445612B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041001 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070510 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070517 |