JP2001133817A - 光学素子 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】その屈折率が電気的に調節可能な改良型光学素
子を提供する。 【解決手段】光学素子１０は、水素供給層１３と接触し
ている水素化金属の層１２から構成される。それらの層
は、電極１４および１５との間に挟まれている。それら
の電極のある方向に電圧が印加されると、水素は水素供
給層１３から水素化金属層に移動し、それによって水素
化金属中の水素の濃度を上昇させる。逆方向の電圧が印
加されると、水素は水素化金属層１２から除去される。
子を提供する。 【解決手段】光学素子１０は、水素供給層１３と接触し
ている水素化金属の層１２から構成される。それらの層
は、電極１４および１５との間に挟まれている。それら
の電極のある方向に電圧が印加されると、水素は水素供
給層１３から水素化金属層に移動し、それによって水素
化金属中の水素の濃度を上昇させる。逆方向の電圧が印
加されると、水素は水素化金属層１２から除去される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学装置に関する
ものであり、さらに詳細に記せば、電気的に制御可能で
ある屈折率を有する光学装置に関する。
ものであり、さらに詳細に記せば、電気的に制御可能で
ある屈折率を有する光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】数多くの光学装置が、制御信号に応答し
てその屈折率が変更される素子を使用している。例え
ば、全反射（ＴＩＲ）スイッチング素子を基本とするス
イッチング素子は、光学業界で周知である。全反射（Ｔ
ＩＲ）素子は、スイッチング可能な境界を有する導波管
を備えている。光は、ある角度でその境界を照射する。
第１の状態において、その境界は、大きく異なる屈折率
を有する２つの領域に分離する。この状態において、そ
の光は、境界から反射され、それによって方向が変化す
る。第２の状態において、その境界によって分離された
２つの領域は、同じ屈折率を有し、光は、その境界全体
において直線であり続ける。方向の変化の大きさは、２
つの領域の屈折率の差に依存する。方向を大きく変化さ
せるためには、その境界の後方領域が、波導管のものと
等しい屈折率と波導管のものとは著しく異なる屈折率と
の間でスイッチング可能でなければならない。
てその屈折率が変更される素子を使用している。例え
ば、全反射（ＴＩＲ）スイッチング素子を基本とするス
イッチング素子は、光学業界で周知である。全反射（Ｔ
ＩＲ）素子は、スイッチング可能な境界を有する導波管
を備えている。光は、ある角度でその境界を照射する。
第１の状態において、その境界は、大きく異なる屈折率
を有する２つの領域に分離する。この状態において、そ
の光は、境界から反射され、それによって方向が変化す
る。第２の状態において、その境界によって分離された
２つの領域は、同じ屈折率を有し、光は、その境界全体
において直線であり続ける。方向の変化の大きさは、２
つの領域の屈折率の差に依存する。方向を大きく変化さ
せるためには、その境界の後方領域が、波導管のものと
等しい屈折率と波導管のものとは著しく異なる屈折率と
の間でスイッチング可能でなければならない。
【０００３】光信号の分極に関係無く屈折率を大きく変
化させる全反射（ＴＩＲ）素子の先行技術は、その境界
の後方の材料を機械的に変更することによって動作する
ため、スイッチング速度が比較的遅い。液晶を基本とす
る全反射（ＴＩＲ）素子は、より高いスイッチング速度
を有し、屈折率を比較的大きく変化させる。しかしなが
ら、それらの装置は、光信号の分極化を必要とするた
め、輝度の半分を犠牲にするか、または１つずつの装置
を各分極状態で動作させて２つの装置を使用しなければ
ならない。
化させる全反射（ＴＩＲ）素子の先行技術は、その境界
の後方の材料を機械的に変更することによって動作する
ため、スイッチング速度が比較的遅い。液晶を基本とす
る全反射（ＴＩＲ）素子は、より高いスイッチング速度
を有し、屈折率を比較的大きく変化させる。しかしなが
ら、それらの装置は、光信号の分極化を必要とするた
め、輝度の半分を犠牲にするか、または１つずつの装置
を各分極状態で動作させて２つの装置を使用しなければ
ならない。
【０００４】スイッチング時間が高速な全反射（ＴＩ
Ｒ）素子の先行技術も既知である。そのような素子は、
その屈折率が電界の関数である材料に、電界を印加する
ことによって、境界の後方の材料の屈折率を変更する。
例えば、米国特許第５，０７８，４７８号には、波導管
が強誘電材料中に構成されている全反射（ＴＩＲ）素子
が記載されている。その波導管内の境界に沿った強誘電
材料の屈折率は、波導管の一部分に電界を印加すること
によって変更される。この種類の装置は、ナノ秒でスイ
ッチングを行なうが、屈折率の変化は非常に少ない。そ
のため、光の方向は、数度ほどしか変更できない。この
大きさの偏差は、クロスポイント（交さ点）アレイなど
の全反射（ＴＩＲ）素子を基本とする装置の設計を複雑
化するため、商業上存続できる、この技術に基づくクロ
スコネクト（交さ接続）は実用化されなかった。
Ｒ）素子の先行技術も既知である。そのような素子は、
その屈折率が電界の関数である材料に、電界を印加する
ことによって、境界の後方の材料の屈折率を変更する。
例えば、米国特許第５，０７８，４７８号には、波導管
が強誘電材料中に構成されている全反射（ＴＩＲ）素子
が記載されている。その波導管内の境界に沿った強誘電
材料の屈折率は、波導管の一部分に電界を印加すること
によって変更される。この種類の装置は、ナノ秒でスイ
ッチングを行なうが、屈折率の変化は非常に少ない。そ
のため、光の方向は、数度ほどしか変更できない。この
大きさの偏差は、クロスポイント（交さ点）アレイなど
の全反射（ＴＩＲ）素子を基本とする装置の設計を複雑
化するため、商業上存続できる、この技術に基づくクロ
スコネクト（交さ接続）は実用化されなかった。
【０００５】スイッチング素子中でのそれらの使用に加
えて、電気制御可能な屈折率を有する装置も、光遅延線
と光の遷移時間に依存するその他の装置とを提供するた
めに使用可能である。例えば、遅延線は、レーザの出力
波長を調節する手段を提供するために、レーザ・キャビ
ティーに挿入可能である。調節可能な光学フィルター
も、そのような装置から構成可能である。しかし、残念
ながら、全反射（ＴＩＲ）素子に関する上記の問題によ
って、その屈折率が電気的に制御可能である先行技術の
光学素子を使用した適用の実現も妨げられてしまう。
えて、電気制御可能な屈折率を有する装置も、光遅延線
と光の遷移時間に依存するその他の装置とを提供するた
めに使用可能である。例えば、遅延線は、レーザの出力
波長を調節する手段を提供するために、レーザ・キャビ
ティーに挿入可能である。調節可能な光学フィルター
も、そのような装置から構成可能である。しかし、残念
ながら、全反射（ＴＩＲ）素子に関する上記の問題によ
って、その屈折率が電気的に制御可能である先行技術の
光学素子を使用した適用の実現も妨げられてしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】広義において、本発明
の目的は、その屈折率が電気的に調節可能な改良型光学
素子を提供することである。
の目的は、その屈折率が電気的に調節可能な改良型光学
素子を提供することである。
【０００７】本発明のさらなる目標は、先行技術の装置
よりも大きな領域において調節可能な屈折率を有し、そ
れによって処理される光信号が分極化される必要がない
光学素子を提供することである。
よりも大きな領域において調節可能な屈折率を有し、そ
れによって処理される光信号が分極化される必要がない
光学素子を提供することである。
【０００８】さらに、本発明の目的は、その屈折率が、
波導管の一部分の機械的変更に基づく先行技術の装置よ
りも短時間で変更可能であり、強誘電体等の材料から獲
得可能なものよりも屈折率を大きく変化させる光学素子
を提供することである。
波導管の一部分の機械的変更に基づく先行技術の装置よ
りも短時間で変更可能であり、強誘電体等の材料から獲
得可能なものよりも屈折率を大きく変化させる光学素子
を提供することである。
【０００９】本発明の以上の目的およびその他の目的
は、本発明の以下の詳細な説明および添付図面から当業
者には明らかとなるであろう。
は、本発明の以下の詳細な説明および添付図面から当業
者には明らかとなるであろう。
【００１０】
【問題を解決するための手段】本発明は、可変屈折率を
有する光学素子を提供することである。この光学素子
は、誘電材料中の水素の濃度によって決定される屈折率
を有する透明誘電材料の層を利用している。水素に対す
る供給または吸込みの役割を果たす材料を含む水素貯蔵
媒体の層は、透明誘電層に隣接して配置される。この貯
蔵媒体は、透明層と貯蔵層とに印加される第１の電界に
応答して、透明層から水素を受け、透明層と貯蔵層とに
印加される第２の電界に応答して、水素を透明層に供給
する。この電界は、誘電層と貯蔵層とを挟む第１および
第２の電極によって生成される。好ましい貯蔵材料は、
ＫＯＨである。透明誘電材料は、アルカリ、アルカリ土
類、希土類金属、およびその合金の水素化物からなる属
から選択された材料を含むことが好ましい。
有する光学素子を提供することである。この光学素子
は、誘電材料中の水素の濃度によって決定される屈折率
を有する透明誘電材料の層を利用している。水素に対す
る供給または吸込みの役割を果たす材料を含む水素貯蔵
媒体の層は、透明誘電層に隣接して配置される。この貯
蔵媒体は、透明層と貯蔵層とに印加される第１の電界に
応答して、透明層から水素を受け、透明層と貯蔵層とに
印加される第２の電界に応答して、水素を透明層に供給
する。この電界は、誘電層と貯蔵層とを挟む第１および
第２の電極によって生成される。好ましい貯蔵材料は、
ＫＯＨである。透明誘電材料は、アルカリ、アルカリ土
類、希土類金属、およびその合金の水素化物からなる属
から選択された材料を含むことが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明は、アルカリ、アルカリ土
類、希土類金属、およびその合金の水素化物に基づくも
のである。それらの金属は、水素ガスに露出されて水素
化物を形成する。それらの水素化物は絶縁化合物で、そ
の層が十分に薄ければ透明となる。ランタンおよびイッ
トリウムの場合、それらの金属は、ＭＨ2およびＭＨ3の
２つの水素化状態で存在する。その２つの水素化状態
は、水素含有量を変更することによって相互変換可能で
ある。この二水素化状態は、部分充填伝導体を有するた
め、鏡の役割を果たす。三水素化状態は、透明絶縁体で
ある。
類、希土類金属、およびその合金の水素化物に基づくも
のである。それらの金属は、水素ガスに露出されて水素
化物を形成する。それらの水素化物は絶縁化合物で、そ
の層が十分に薄ければ透明となる。ランタンおよびイッ
トリウムの場合、それらの金属は、ＭＨ2およびＭＨ3の
２つの水素化状態で存在する。その２つの水素化状態
は、水素含有量を変更することによって相互変換可能で
ある。この二水素化状態は、部分充填伝導体を有するた
め、鏡の役割を果たす。三水素化状態は、透明絶縁体で
ある。
【００１２】水素化金属膜が、伝導状態から始まり、そ
の膜によって化合した水素量を増加することによって絶
縁体に変換される場合について考える。膜が十分な水素
を吸収すると、金属から透明絶縁体に変換される。しか
しながら、この遷移は、水素化金属の飽和濃度よりも低
い水素濃度で行なわれる。金属から絶縁体への遷移濃度
と飽和濃度との間において、絶縁体の屈折率が水素濃度
とともに変化することが実験によって観察された。した
がって、水素濃度が電気的に制御可能である場合、制御
可能な屈折率を有する光学素子が得られる。この領域で
得られる屈折率の変化は、ＧｄＭｇ合金を基本としたも
のなど、水素化金属の中には、水素飽和での屈折率の３
０％より大きくなることもある。
の膜によって化合した水素量を増加することによって絶
縁体に変換される場合について考える。膜が十分な水素
を吸収すると、金属から透明絶縁体に変換される。しか
しながら、この遷移は、水素化金属の飽和濃度よりも低
い水素濃度で行なわれる。金属から絶縁体への遷移濃度
と飽和濃度との間において、絶縁体の屈折率が水素濃度
とともに変化することが実験によって観察された。した
がって、水素濃度が電気的に制御可能である場合、制御
可能な屈折率を有する光学素子が得られる。この領域で
得られる屈折率の変化は、ＧｄＭｇ合金を基本としたも
のなど、水素化金属の中には、水素飽和での屈折率の３
０％より大きくなることもある。
【００１３】図１は、本発明による光学素子１０の断面
図である。光学素子１０は、水素供給層１３と接触して
いる水素化金属の層１２から構成される。それらの層
は、電極１４および１５との間に挟まれている。それら
の電極のある方向に電圧が印加されると、水素は水素供
給層１３から水素化金属層に移動し、それによって水素
化金属中の水素の濃度を上昇させる。逆方向の電圧が印
加されると、水素は水素化金属層１２から除去される。
水素化金属の中には、水素化物中の水素濃度を一定レベ
ルに維持するために、バイアス電位が必要なものもあ
る。
図である。光学素子１０は、水素供給層１３と接触して
いる水素化金属の層１２から構成される。それらの層
は、電極１４および１５との間に挟まれている。それら
の電極のある方向に電圧が印加されると、水素は水素供
給層１３から水素化金属層に移動し、それによって水素
化金属中の水素の濃度を上昇させる。逆方向の電圧が印
加されると、水素は水素化金属層１２から除去される。
水素化金属の中には、水素化物中の水素濃度を一定レベ
ルに維持するために、バイアス電位が必要なものもあ
る。
【００１４】層１２を構成するために、数多くの水素化
金属が使用可能である。例えば、ランタン、イットリウ
ムの水素化物が使用可能である。水素を付加すると、Ｌ
ａＨ 2はＬａＨ3に、ＹＨ2はＹＨ3に変化する。さらに、
そのような化合物のＭｇ合金も使用可能である。二水素
化状態において、それらの化合物は金属性のものであ
る。三水素化状態は、絶縁性または半導体性である。
金属が使用可能である。例えば、ランタン、イットリウ
ムの水素化物が使用可能である。水素を付加すると、Ｌ
ａＨ 2はＬａＨ3に、ＹＨ2はＹＨ3に変化する。さらに、
そのような化合物のＭｇ合金も使用可能である。二水素
化状態において、それらの化合物は金属性のものであ
る。三水素化状態は、絶縁性または半導体性である。
【００１５】様々な水素供給源が使用可能である。例え
ば、５Ｍ ＮａＯＨまたはＫＯＨ溶剤は、液体またはゲ
ル状で使用可能である。さらに、水素イオンが注入され
た導体または半導体などの水素充填固体供給源は、金属
／水素化物との間で水素を移動させるために使用可能で
ある。例えば、深さ１００ｎｍで密度が１０15水素イオ
ン／ｃｍ2より高い状態まで水素イオンが注入されたＧ
ａＡｓは、電極の一方と水素貯蔵層との両方として使用
可能である。
ば、５Ｍ ＮａＯＨまたはＫＯＨ溶剤は、液体またはゲ
ル状で使用可能である。さらに、水素イオンが注入され
た導体または半導体などの水素充填固体供給源は、金属
／水素化物との間で水素を移動させるために使用可能で
ある。例えば、深さ１００ｎｍで密度が１０15水素イオ
ン／ｃｍ2より高い状態まで水素イオンが注入されたＧ
ａＡｓは、電極の一方と水素貯蔵層との両方として使用
可能である。
【００１６】電極の一方または両方は、１６で示すよう
に、光が電極を通って水素化金属層１２に入射する適用
において、透明であることが可能である。好ましい透明
電極材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）である。
に、光が電極を通って水素化金属層１２に入射する適用
において、透明であることが可能である。好ましい透明
電極材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）である。
【００１７】光学素子１０によって「処理」される光信
号は、１６で示すように、電極のいずれか一方を通過し
て光学素子１０に入射する。信号は、１７に示すよう
に、電極に対してある角度で、または平行に入射可能で
ある。電極に平行に通過する光は、水素化金属層１２中
の水素濃度によって決定された量だけ遅延される。した
がって、光学素子１０は、層の調節のための可変遅延素
子として使用可能である。
号は、１６で示すように、電極のいずれか一方を通過し
て光学素子１０に入射する。信号は、１７に示すよう
に、電極に対してある角度で、または平行に入射可能で
ある。電極に平行に通過する光は、水素化金属層１２中
の水素濃度によって決定された量だけ遅延される。した
がって、光学素子１０は、層の調節のための可変遅延素
子として使用可能である。
【００１８】電極１５が反射性のもので、水素供給層１
３が透明である場合、方向１６で装置に入射する光は、
水素化金属層１２中の水素濃度に依存する量で決定され
る可変の移相で、電極１５から再反射される。この可変
の移相は、反射光と入射光線との間の干渉を計測するこ
とによって検出可能である。
３が透明である場合、方向１６で装置に入射する光は、
水素化金属層１２中の水素濃度に依存する量で決定され
る可変の移相で、電極１５から再反射される。この可変
の移相は、反射光と入射光線との間の干渉を計測するこ
とによって検出可能である。
【００１９】本発明の本実施の形態は、光学的に読出可
能な情報を格納する際に有効である。論理「１」は、一
方の方向の電界で素子にパルスを加えることによって格
納され、「０」は、他方の方向の電界で素子にパルスを
加えることによって格納される。電極１４の透明度は、
電極１４が本実施の形態において部分的に反射性となる
ように調節される。したがって、素子から返ってくる光
は、電極１５から反射した光と電極１４から反射した光
の和となる。本発明の好適実施形態において、光源はレ
ーザなどのコヒーレントな光源である。層１２および層
１３の厚さは、他方の論理状態ではなく、一方の論理状
態となるように、光が増加的または減少的に変化するよ
うに選択される。
能な情報を格納する際に有効である。論理「１」は、一
方の方向の電界で素子にパルスを加えることによって格
納され、「０」は、他方の方向の電界で素子にパルスを
加えることによって格納される。電極１４の透明度は、
電極１４が本実施の形態において部分的に反射性となる
ように調節される。したがって、素子から返ってくる光
は、電極１５から反射した光と電極１４から反射した光
の和となる。本発明の好適実施形態において、光源はレ
ーザなどのコヒーレントな光源である。層１２および層
１３の厚さは、他方の論理状態ではなく、一方の論理状
態となるように、光が増加的または減少的に変化するよ
うに選択される。
【００２０】本発明に対する様々な修正は、上記説明お
よび添付図面から当業者には明らかとなるであろう。し
たがって、本発明は、記載の特許請求の範囲の範囲によ
ってのみ限定されるものとする。
よび添付図面から当業者には明らかとなるであろう。し
たがって、本発明は、記載の特許請求の範囲の範囲によ
ってのみ限定されるものとする。
【００２１】以上、本発明の実施例について詳述した
が、以下、本発明の各実施態様の例を示す。
が、以下、本発明の各実施態様の例を示す。
【００２２】（実施態様１）可変屈折率を有する光学素
子（１０）であって、透明誘電材料（１２）の層であっ
て、前記誘電材料（１２）中の水素の濃度によって決定
される屈折率を有する層と、水素貯蔵媒体（１３）の層
で、水素の供給または吸込みの役割を果たす材料を含
み、前記貯蔵媒体は、前記透明誘電材料（１２）の層と
前記貯蔵媒体（１３）とに印加される第１の電界に応答
して、前記透明誘電材料（１２）の層から水素を受け取
り、前記透明誘電材料（１２）の層と前記水素貯蔵媒体
（１３）の層とに印加される第２の電界に応答して、前
記透明誘電材料（１２）に水素を供給する層と、第１の
電極（１４）および第２の電極（１５）であって、前記
透明誘電材料（１２）の層および前記水素貯蔵材料（１
３）の層は前記第１の電極と第２の電極との間に存在す
る第１の電極（１４）および第２の電極（１５）とを含
む光学素子（１０）。
子（１０）であって、透明誘電材料（１２）の層であっ
て、前記誘電材料（１２）中の水素の濃度によって決定
される屈折率を有する層と、水素貯蔵媒体（１３）の層
で、水素の供給または吸込みの役割を果たす材料を含
み、前記貯蔵媒体は、前記透明誘電材料（１２）の層と
前記貯蔵媒体（１３）とに印加される第１の電界に応答
して、前記透明誘電材料（１２）の層から水素を受け取
り、前記透明誘電材料（１２）の層と前記水素貯蔵媒体
（１３）の層とに印加される第２の電界に応答して、前
記透明誘電材料（１２）に水素を供給する層と、第１の
電極（１４）および第２の電極（１５）であって、前記
透明誘電材料（１２）の層および前記水素貯蔵材料（１
３）の層は前記第１の電極と第２の電極との間に存在す
る第１の電極（１４）および第２の電極（１５）とを含
む光学素子（１０）。
【００２３】（実施態様２）前記水素貯蔵媒体（１３）
は、ＫＯＨまたはＮａＯＨを含む実施態様１記載の光学
素子（１０）。
は、ＫＯＨまたはＮａＯＨを含む実施態様１記載の光学
素子（１０）。
【００２４】（実施態様３）前記水素貯蔵媒体（１３）
は水素が充填された固体を含む実施態様１記載の光学素
子（１０）。
は水素が充填された固体を含む実施態様１記載の光学素
子（１０）。
【００２５】（実施態様４）前記透明誘電材料（１２）
は、アルカリ、アルカリ土類、希土類金属、およびその
合金の水素化物からなる属から選択された材料を含む実
施態様１記載の光学素子（１０）。
は、アルカリ、アルカリ土類、希土類金属、およびその
合金の水素化物からなる属から選択された材料を含む実
施態様１記載の光学素子（１０）。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明を用いると、その
屈折率が電気的に調節可能な改良型光学素子を提供する
ことができる。また、先行技術の装置よりも大きな領域
において調節可能な屈折率を有し、それによって処理さ
れる光信号が分極化される必要がない光学素子を提供す
ることでができる。さらに、その屈折率が、波導管の一
部分の機械的変更に基づく先行技術の装置よりも短時間
で変更可能であり、強誘電体等の材料から獲得可能なも
のよりも屈折率を大きく変化させる光学素子を提供する
ことができる。
屈折率が電気的に調節可能な改良型光学素子を提供する
ことができる。また、先行技術の装置よりも大きな領域
において調節可能な屈折率を有し、それによって処理さ
れる光信号が分極化される必要がない光学素子を提供す
ることでができる。さらに、その屈折率が、波導管の一
部分の機械的変更に基づく先行技術の装置よりも短時間
で変更可能であり、強誘電体等の材料から獲得可能なも
のよりも屈折率を大きく変化させる光学素子を提供する
ことができる。
【図１】本発明による光学素子の断面図である。
１０：光学素子 １２：透明誘電材料 １３：水素貯蔵媒体 １４，１５：電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 399117121 395 Ｐａｇｅ Ｍｉｌｌ Ｒｏａｄ Ｐ ａｌｏ Ａｌｔｏ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 スコット・ダブリュウ・コージン アメリカ合衆国カリフォルニア州サニーベ ール イグレット・ドライブ 1354 (72)発明者 シー・ヤン・ワン アメリカ合衆国カリフォルニア州パロ・ア ルト エンシナ グランデ 766
Claims (1)
- 【請求項１】可変屈折率を有する光学素子であって、 透明誘電材料の層であって、前記誘電材料中の水素の濃
度によって決定される屈折率を有する層と、 水素貯蔵媒体の層で、水素の供給または吸込みの役割を
果たす材料を含み、前記貯蔵媒体は、前記透明誘電材料
の層と前記貯蔵媒体とに印加される第１の電界に応答し
て、前記透明誘電材料の層から水素を受け取り、前記透
明誘電材料の層と前記水素貯蔵媒体の層とに印加される
第２の電界に応答して、前記透明誘電材料に水素を供給
する層と、 第１の電極および第２の電極であって、前記透明誘電材
料の層および前記水素貯蔵材料の層は前記第１の電極と
第２の電極との間に存在する第１の電極および第２の電
極とを含む光学素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/389,917 US6259853B1 (en) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | Optical element having electrically controllable refractive index |
| US389917 | 1999-09-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001133817A true JP2001133817A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=23540300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000264732A Pending JP2001133817A (ja) | 1999-09-03 | 2000-09-01 | 光学素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6259853B1 (ja) |
| EP (1) | EP1081538A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001133817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004081645A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | 調光素子およびそれを用いた表示素子 |
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|---|---|---|---|---|
| US7027083B2 (en) * | 2001-02-12 | 2006-04-11 | Carnegie Mellon University | System and method for servoing on a moving fixation point within a dynamic scene |
| WO2002065763A2 (en) * | 2001-02-12 | 2002-08-22 | Carnegie Mellon University | System and method for manipulating the point of interest in a sequence of images |
| US20030076413A1 (en) * | 2001-10-23 | 2003-04-24 | Takeo Kanade | System and method for obtaining video of multiple moving fixation points within a dynamic scene |
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| JP2004279624A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Sharp Corp | 調光素子 |
| JP2004279669A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Sharp Corp | 表示システム |
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| US5235659A (en) * | 1992-05-05 | 1993-08-10 | At&T Bell Laboratories | Method of making an article comprising an optical waveguide |
| EP0818706A2 (en) * | 1996-07-09 | 1998-01-14 | Lucent Technologies Inc. | Switchable devices with an optical cavity |
| ES2215228T3 (es) * | 1996-09-05 | 2004-10-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispositivo optico de conmutacion. |
-
1999
- 1999-09-03 US US09/389,917 patent/US6259853B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-06 EP EP00114523A patent/EP1081538A3/en not_active Withdrawn
- 2000-09-01 JP JP2000264732A patent/JP2001133817A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004081645A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | 調光素子およびそれを用いた表示素子 |
| US7405864B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dimming device and display device incorporating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6259853B1 (en) | 2001-07-10 |
| EP1081538A3 (en) | 2003-08-13 |
| EP1081538A2 (en) | 2001-03-07 |
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