JP2001127327A - Solar cell substrate and method of manufacturing the same - Google Patents

Solar cell substrate and method of manufacturing the same

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JP2001127327A
JP2001127327A JP2000232553A JP2000232553A JP2001127327A JP 2001127327 A JP2001127327 A JP 2001127327A JP 2000232553 A JP2000232553 A JP 2000232553A JP 2000232553 A JP2000232553 A JP 2000232553A JP 2001127327 A JP2001127327 A JP 2001127327A
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JP
Japan
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solar cell
film
cell substrate
polyimide
minutes
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Application number
JP2000232553A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideki Moriyama
英樹 森山
Kenji Uhara
賢治 鵜原
Koichi Sawazaki
孔一 沢崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Du Pont Toray Co Ltd
Original Assignee
Du Pont Toray Co Ltd
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    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

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  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flexible solar cell substrate which has an excellent handleability, and also to provide a method for manufacturing the substrate. SOLUTION: The solar cell substrate includes a film of polyimide having a specific structure unit, a thermal expansion coefficient of -10 to 10 ppm/ deg.C and a Young's modulus of 700 kg/mm2 or more, a metallic electrode formed on the film, an amorphous silicon layer formed on the electrode, and a transparent electrode formed on the amorphous layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は熱膨張係数の著しく
小さいポリイミド樹脂をベースに用いたフレキシブルで
ハンドリング性がすぐれ、しかもカールを生じにくい太
陽電池基板およびその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell substrate using a polyimide resin having a remarkably low coefficient of thermal expansion as a base, which is flexible, has excellent handleability, and hardly causes curling, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】太陽光あるいはその他の光エネルギーに
より電力を得る光起電力装置としての太陽電池は、一般
にフィルム状のベースに金属電極、シリコン層、透明電
極および必要に応じてさらに保護層を順次積層した基板
を使用することにより構成されている。
2. Description of the Related Art In general, a solar cell as a photovoltaic device which obtains electric power by sunlight or other light energy generally comprises a film-shaped base on which a metal electrode, a silicon layer, a transparent electrode and, if necessary, a protective layer are further provided in order. It is configured by using a laminated substrate.

【0003】そして、太陽電池の基板ベースとしては、
従来では主としてステンレスやガラス板が用いられてき
た。
[0003] As a solar cell substrate base,
Conventionally, stainless steel and glass plates have been mainly used.

【0004】しかしながらステンレスやガラス板を基板
ベースとする太陽電池は折り曲げができないばかりか、
製造時あるいは取り扱い時に割れやすいため、ハンドリ
ング性に劣るという大きな欠点があった。
However, solar cells based on stainless steel or glass plates cannot be bent,
There was a major drawback in that the handleability was poor because it was easily broken during production or handling.

【0005】そこで近年では、太陽電池のベースとして
ポリイミドフィルムが検討されているが、ポリイミドフ
ィルムは比重が1.4g/cm3と軽く、割れにくく折り
曲げが容易であることから、ハンドリング性にすぐれる
という利点を有する反面、熱膨張係数が20〜30ppm/
℃と大きいため、熱膨張係数4ppm/℃のシリコンとの間
に大きな歪みが生じ、カールしやすいという問題があっ
た。
In recent years, a polyimide film has been studied as a base of a solar cell. However, the polyimide film is light in specific gravity of 1.4 g / cm 3 , is hard to crack, and is easy to bend. On the other hand, the thermal expansion coefficient is 20 to 30 ppm /
Since the temperature is as large as ° C., there is a problem that a large strain is generated between the silicon having a thermal expansion coefficient of 4 ppm / ° C. and curling easily.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した従
来技術における問題点の解決を課題として検討した結果
達成されたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been achieved as a result of studying to solve the problems in the prior art described above.

【0007】したがって、本発明の目的はフレキシブル
でハンドリング性がすぐれ、しかもカールを生じにくい
太陽電池基板およびその製造方法を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a solar cell substrate which is flexible, has excellent handleability, and hardly causes curling, and a method of manufacturing the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の太陽電池基板は、下記の一般式(I)お
よび(II)で示される構造単位を有するポリイミドから
なり、熱膨張係数が−10〜10ppm/℃、ヤング率
が700kg/mm2以上のポリイミドフィルムの表面に金属
電極を形成し、この金属電極上にアモルファスシリコン
層を形成し、さらにアモルファスシリコン層上に透明電
極を形成したことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a solar cell substrate of the present invention comprises a polyimide having a structural unit represented by the following general formulas (I) and (II), A metal electrode is formed on the surface of a polyimide film having a coefficient of −10 to 10 ppm / ° C. and a Young's modulus of 700 kg / mm 2 or more, an amorphous silicon layer is formed on the metal electrode, and a transparent electrode is further formed on the amorphous silicon layer. It is characterized by having been formed.

【0009】[0009]

【化5】 Embedded image

【0010】[0010]

【化6】 [ただし、式中R1およびR2Embedded image Wherein R 1 and R 2 are

【0011】[0011]

【化7】 で示される基から選ばれたいずれかでありR1とR2は同
じでも構わない。またR 3は炭素数6以上の芳香族基で
あり、さらにX:Yのモル比は100〜20:0〜80
である。
Embedded imageAny one of the groups represented by1And RTwoIs the same
It doesn't matter. Also R ThreeIs an aromatic group having 6 or more carbon atoms
And the molar ratio of X: Y is 100-20: 0-80.
It is.

【0012】なお、本発明の太陽電池基板においては、
前記ポリイミドの前記一般式(II)で示される構造単位
におけるR2が、
In the solar cell substrate of the present invention,
R 2 in the structural unit of the polyimide represented by the general formula (II) is

【0013】[0013]

【化8】 で示されるいずれかの基であること、前記ポリイミドの
前記一般式(I)および(II)で示される各構造単位の
モル比X:Yが80〜50:20〜50の範囲にあるこ
と、前記ポリイミドフィルムが4,4‘−ジアミノベン
ズアニリドと、これに対し95〜99.9モル%の酸二
無水物を非プロトン性極性溶媒中で反応させることによ
り、アミン末端を持つポリアミック酸を形成し、さらに
反応中にジアミンおよび酸二無水物を入れて分子鎖を延
長し、得られたポリアミック酸を均一に延ばすことによ
り得られた自己支持性のゲルフィルムを固定した状態で
熱あるいは化学的に脱水閉環させ、さらに前記ゲルフィ
ルムをフィルム搬送方向および、これに直交する方向に
それぞれ1.05〜2.0倍に延伸することにより形成
されたものであること、および前記透明電極上に、さら
に保護層を形成したことが好ましい条件であり、これら
の条件を満たすことによって、一層すぐれた効果の取得
を期待することができる。
Embedded image Wherein the molar ratio X: Y of each structural unit of the polyimide represented by the general formulas (I) and (II) is in the range of 80 to 50:20 to 50; The polyimide film is reacted with 4,4′-diaminobenzanilide and 95 to 99.9 mol% of an acid dianhydride in an aprotic polar solvent to form an amine-terminated polyamic acid. Further, during the reaction, diamine and acid dianhydride are added to extend the molecular chain, and the resulting polyamic acid is uniformly stretched to obtain a self-supporting gel film. The gel film is formed by stretching the gel film 1.05 to 2.0 times in the film transport direction and in the direction perpendicular to the film transport direction. , And on the transparent electrode, it is a preferred condition that further form a protective layer, by satisfying these conditions can be expected to obtain a more excellent effect.

【0014】また、本発明の太陽電池基板の製造方法
は、4,4’−ジアミノベンズアニリドと、これに対し
95〜99.9モル%の酸二無水物を非プロトン性極性
溶媒中で反応させることにより、アミン末端を持つポリ
アミック酸を形成し、さらに反応中にジアミンおよび酸
二無水物を入れて分子鎖を延長し、得られたポリアミッ
ク酸を均一に延ばすことにより得られた自己支持性のゲ
ルフィルムを固定した状態で熱あるいは化学的に脱水閉
環させ、さらに前記ゲルフィルムをフィルム搬送方向お
よび、これに直交する方向にそれぞれ1.05〜2.0倍に延
伸することにより形成されたポリイミドフィルムの表面
に、金属電極を形成した後、この金属電極上にアモルフ
ァスシリコン層を形成し、このアモルファスシリコン上
に透明電極を形成し、さらに必要に応じて透明電極上に
保護層を形成することを特徴とする。
The method for producing a solar cell substrate according to the present invention comprises reacting 4,4'-diaminobenzanilide with 95 to 99.9 mol% of an acid dianhydride in an aprotic polar solvent. To form a polyamic acid having an amine terminal, furthermore, a diamine and an acid dianhydride are added during the reaction to extend the molecular chain, and the self-supporting property obtained by uniformly extending the obtained polyamic acid. The surface of the polyimide film formed by thermally or chemically dehydrating and ring-closing the gel film in a fixed state, and further stretching the gel film 1.05 to 2.0 times in the film transport direction and in a direction perpendicular thereto. After forming a metal electrode, an amorphous silicon layer is formed on the metal electrode, and a transparent electrode is formed on the amorphous silicon. And forming a protective layer on the transparent electrode as needed.

【0015】本発明によれば、基板ベースとしてポリイ
ミドフィルムを用いたことによって、基板ベースとして
ガラスやステンレス板を用いた従来の太陽電池基板に比
較してそのハンドリング性を極めて向上する事ができ、
またポリイミドフィルムの熱膨張係数をアモルファスシ
リコン層の熱膨張係数と同程度に小さく制御する事によ
って基板ベースが歪み、カールを生じるという欠点を効
果的に改善する事が可能となる。
According to the present invention, by using a polyimide film as the substrate base, the handleability can be greatly improved as compared with a conventional solar cell substrate using a glass or stainless steel plate as the substrate base.
Further, by controlling the coefficient of thermal expansion of the polyimide film to be as small as the coefficient of thermal expansion of the amorphous silicon layer, it is possible to effectively improve the disadvantage that the substrate base is distorted and curled.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下に本発明の太陽電池基板およ
びその製造方法について詳述する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a solar cell substrate and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail.

【0017】本発明の太陽電池基板の基板ベースを構成
するポリイミドとは、上記一般式(I)および(II)で
示される構造単位を有するポリイミドである。
The polyimide constituting the substrate base of the solar cell substrate of the present invention is a polyimide having the structural units represented by the above general formulas (I) and (II).

【0018】そして、本発明のポリイミドフィルムは、
4,4’−ジアミノベンズアニリドと、これに対し95
〜99.9モル%の酸二無水物を非プロトン性極性溶媒
中で反応させることにより、アミン末端を持つポリアミ
ック酸を形成し、さらに反応中にジアミンおよび酸二無
水物を入れて分子鎖を延長し、得られたポリアミック酸
を均一に延ばすことにより得られた自己支持性のゲルフ
ィルムを固定した状態で熱あるいは化学的に脱水閉環さ
せ、さらに前記ゲルフィルムをフィルム搬送方向およ
び、これに直交する方向にそれぞれ1.05〜2.0倍
に延伸することにより形成されたものである。上記にお
いて使用する酸二無水物の具体例としては
The polyimide film of the present invention is
4,4'-diaminobenzanilide and 95
A polyamic acid having an amine terminal is formed by reacting 9999.9 mol% of an acid dianhydride in an aprotic polar solvent, and a diamine and an acid dianhydride are added during the reaction to form a molecular chain. Extended, thermally or chemically dehydrated ring closure in a state where the self-supporting gel film obtained by uniformly spreading the obtained polyamic acid is fixed, and further, the gel film is transported in the film transport direction and orthogonal to this. In this case, the film is formed by stretching by 1.05 to 2.0 times in the respective directions. Specific examples of the acid dianhydride used in the above are

【0019】[0019]

【化9】 などが挙げられ、なかでもEmbedded image Etc., among others,

【0020】[0020]

【化10】 が好ましく使用される。Embedded image Is preferably used.

【0021】上記において使用するジアミンの具体例と
しては
Specific examples of the diamine used in the above are

【0022】[0022]

【化11】 などが挙げられ、なかでもEmbedded image Etc., among others,

【0023】[0023]

【化12】 が好ましく使用される。Embedded image Is preferably used.

【0024】また、上記において使用する非プロトン性
極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジ
エチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミドな
どのホルムアミド系溶媒、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,N−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系
溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N−ビニル−2−
ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、o
−, m−,又はp−クレゾール、キシレノール、ハロゲ
ン化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、
あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラク
トンなどを挙げることができ、これらを単独又は混合物
として用いるのが望ましいが、更にはキシレン、トルエ
ンのような芳香族炭化水素の使用も可能である。
The aprotic polar solvent used in the above examples includes, for example, sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide and diethyl sulfoxide, and N, N-
Formamide solvents such as dimethylformamide and N, N-diethylformamide; acetamido solvents such as N, N-dimethylacetamide and N, N-diethylacetamide; N-methyl-2-pyrrolidone; N-vinyl-2-
Pyrrolidone solvents such as pyrrolidone, phenol, o
Phenolic solvents such as-, m- or p-cresol, xylenol, halogenated phenol, catechol,
Alternatively, hexamethylphosphoramide, γ-butyrolactone and the like can be mentioned, and it is desirable to use these alone or as a mixture. Further, aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene can be used.

【0025】上記ポリアミック酸を化学的に脱水閉環
(イミド化)する際に使用される脱水剤としては、例え
ば無水酢酸などの脂肪族酸無水物、芳香族酸無水物など
があげられる。また触媒としては、例えばトリエチルア
ミンなどの脂肪族第3級アミン類、ジメチルアニリン等
の芳香族第3級アミン類、ピリジン、ピコリン、イソキ
ノリン等の複素環式第3級アミン類などがあげられる。
Examples of the dehydrating agent used for chemically dehydrating and ring-closing (imidizing) the polyamic acid include, for example, aliphatic acid anhydrides such as acetic anhydride, aromatic acid anhydrides and the like. Examples of the catalyst include aliphatic tertiary amines such as triethylamine, aromatic tertiary amines such as dimethylaniline, and heterocyclic tertiary amines such as pyridine, picoline and isoquinoline.

【0026】なお、ポリイミドフィルムを形成する上記
のポリアミド酸には3重量%以下の無機フィラーあるい
は他のポリイミドなどを添加することができる。
The above-mentioned polyamic acid forming the polyimide film may contain 3% by weight or less of an inorganic filler or another polyimide.

【0027】本発明のポリイミドフィルムを得るに際し
ては、酸二無水物の添加量、分子鎖の延長、およびゲル
フィルムの延伸倍率などを上記のように制限することが
重要であり、これらの条件を一つでも欠く場合には、熱
膨張係数が−10〜10ppm/℃、ヤング率700kg/mm2
以上のポリイミドフィルムを得ることができない。
In obtaining the polyimide film of the present invention, it is important to limit the amount of the acid dianhydride, the extension of the molecular chain, the stretching ratio of the gel film, and the like as described above. If even one is missing, the thermal expansion coefficient is -10 to 10 ppm / ° C and the Young's modulus is 700 kg / mm 2
The above polyimide film cannot be obtained.

【0028】すなわち、第1段階目の重合において4,
4’−ジアミノベンズアニリドに対する酸二無水物の添
加量が95モル%未満では得られるポリイミドフィルム
のヤング率が700kg/mm2に達しない。また99.5モ
ル%を越えると粘度の上昇とアミン末端の減少という2
つの理由により分子鎖を延長することが困難になるため
好ましくない。
That is, in the first stage polymerization,
If the amount of the acid dianhydride added to 4′-diaminobenzanilide is less than 95 mol%, the resulting polyimide film has a Young's modulus of less than 700 kg / mm 2 . On the other hand, if it exceeds 99.5 mol%, the viscosity will increase and the amine terminal will decrease.
For this reason, it is difficult to extend the molecular chain, which is not preferable.

【0029】さらに、ゲルフィルムのフィルム搬送方向
およびこれに直交する方向いずれかの延伸倍率が1.0
5倍未満ではヤング率が700kg/mm2に達しない。また
いずれかの延伸倍率が2.0倍を越えるとゲルフィルム
が破れやすく、生産性が著しく低下するために好ましく
ない。
Further, the stretching ratio in either the film transport direction of the gel film or the direction perpendicular thereto is 1.0.
If it is less than 5, the Young's modulus does not reach 700 kg / mm 2 . On the other hand, if any one of the stretching ratios exceeds 2.0 times, the gel film is apt to be broken, and the productivity is remarkably reduced, which is not preferable.

【0030】かくして得られ、本発明の太陽電池用基板
において基板ベースとして使用されるポリイミドフィル
ムは、その熱膨張係数が−10〜10ppm/℃、好ましく
は−5〜5ppm/℃でかつヤング率が700kg/mm2以上、
好ましくはヤング率が720kg/mm2以上であることが重
要である。
The polyimide film thus obtained and used as a substrate base in the solar cell substrate of the present invention has a thermal expansion coefficient of -10 to 10 ppm / ° C, preferably -5 to 5 ppm / ° C, and a Young's modulus. 700 kg / mm 2 or more,
Preferably, it is important that the Young's modulus is 720 kg / mm 2 or more.

【0031】ポリイミドフィルムの熱膨張係数が10pp
m/℃を越える場合は、シリコン層との間に熱膨張係数の
差が大きくなり、カールの発生を防止することができな
いために好ましくない。また、熱膨張係数が−10ppm/
℃よりも小さい場合にも同様にカールを生じやすくなる
ため、太陽電池基板には適さない。
The coefficient of thermal expansion of the polyimide film is 10 pp
When the temperature exceeds m / ° C., the difference in thermal expansion coefficient between the silicon layer and the silicon layer becomes large, and it is not preferable because the occurrence of curl cannot be prevented. The thermal expansion coefficient is -10 ppm /
If the temperature is lower than ℃, curling is likely to occur similarly, so that it is not suitable for a solar cell substrate.

【0032】さらに、ポリイミドフィルムの熱膨張係数
が−10〜10ppm/℃であっても、そのヤング率が70
0kg/mm2未満の場合には、シリコン層とのわずかな熱膨
張係数の違いのために生じる応力に起因してカールを生
じる傾向となるため好ましくない。
Further, even when the polyimide film has a coefficient of thermal expansion of -10 to 10 ppm / ° C., its Young's modulus is 70%.
If it is less than 0 kg / mm 2 , curling tends to occur due to stress caused by a slight difference in thermal expansion coefficient from the silicon layer, which is not preferable.

【0033】ここで、本発明で言う熱膨張係数とは50
℃〜200℃の平均熱膨張係数を意味し、島津製作所製
サーモメカニカルアナライザーTMA50を用いて測定した
値である。本発明の太陽電池基板において上記ポリイミ
ド上に形成される金属電極の金属の種類には特に制約は
なく、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、鉄、スズ等
あるいはこれら金属の2種以上からなる合金等を例示す
ることができる。
Here, the coefficient of thermal expansion referred to in the present invention is 50
It means an average coefficient of thermal expansion between 200C and 200C, and is a value measured using a thermomechanical analyzer TMA50 manufactured by Shimadzu Corporation. The type of metal of the metal electrode formed on the polyimide in the solar cell substrate of the present invention is not particularly limited, and may be, for example, aluminum, gold, silver, copper, iron, tin, or two or more of these metals Alloys and the like can be exemplified.

【0034】本発明の太陽電池基板において上記アモル
ファスシリコン層上に形成される透明電極としては酸化
インジウム−スズ合金、酸化スズおよび酸化インジウム
などの導電性金属が例示できる。
The transparent electrode formed on the amorphous silicon layer in the solar cell substrate of the present invention can be exemplified by conductive metals such as an indium-tin oxide, tin oxide and indium oxide.

【0035】なお、本発明の太陽電池基板においては、
上記透明電極上にさらに必要に応じて保護層を形成する
ことができ、この保護層の具体例としてはフッ素樹脂、
透明ポリイミドなどの光線透過率が高く、かつ耐候性に
すぐれた高分子材料が挙げられる。
In the solar cell substrate of the present invention,
A protective layer can be further formed on the transparent electrode if necessary. Specific examples of the protective layer include a fluororesin,
A polymer material having high light transmittance and excellent weather resistance, such as transparent polyimide, may be used.

【0036】かくして得られる本発明の太陽電池基板は
フレキシブルで折り曲げ可能であり、しかも製造時ある
いは取り扱い時に割れる事がないため、ハンドリング性
がすぐれるばかりか、基板ベースの歪みを招くことが無
く、カールを生じないというすぐれた性能を発揮する。
The solar cell substrate of the present invention thus obtained is flexible and bendable, and does not break during manufacturing or handling. Therefore, not only is the handleability excellent, but the substrate base is not distorted. Demonstrates excellent performance without curling.

【0037】そして、本発明の太陽電池基板の製造方法
によれば、上記のすぐれた性能を有する太陽電池基板を
効率的に製造することができる。
According to the method for manufacturing a solar cell substrate of the present invention, a solar cell substrate having the above-mentioned excellent performance can be efficiently manufactured.

【0038】[0038]

【実施例】以下に実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
The present invention will be described more specifically with reference to the following examples.

【0039】なお、実施例中の各特性は、次の方法によ
り測定した。 [熱膨張係数]島津製作所製サーモメカニカルアナライザ
ーTMA50を用いて50℃〜200℃の平均熱膨張係数測
定した [ヤング率]オリエンテック社製テンシロンRTM-250を用
いて測定した。 [ハンドリング性]得られた太陽電池基板を35mm×120mm
の大きさに切断し、これを手で折り曲げた場合の感触を
評価し、下記の基準で評価した。 ○・・・折り曲げ自在でハンドリング性良好。 ×・・・折り曲げ不可能で無理に折り曲げると割れる。
The characteristics in the examples were measured by the following methods. [Coefficient of thermal expansion] The average coefficient of thermal expansion was measured at 50 ° C to 200 ° C using a thermomechanical analyzer TMA50 manufactured by Shimadzu Corporation. [Young's modulus] Measured using Tensilon RTM-250 manufactured by Orientec. [Handling property] 35mm × 120mm obtained solar cell substrate
Was cut into pieces having a size of, and the feel when this was bent by hand was evaluated, and evaluated according to the following criteria. ○ ・ ・ ・ Bendable and good handling. ×: It is impossible to bend and cracks when it is forcibly bent.

【0040】[カール]24時間調湿した35mm×120mmの
試料を水平な台に置いて、4角の台からの浮きを測定
し、これを平均した値をカールの値とした。カールの方
向はポリイミドフィルムを上にしたとき凹になるカール
をプラス、逆にポリイミドフィルムを上にしたとき凸に
なるカールをマイナスと表記した。 実施例1 DCスターラーを備えた500mlセパラブルフラスコ中
に4,4’−ジアミノベンズアニリド26.66g(11
7mmol)、N,N’−ジメチルアセトアミド213.4
8gを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌する。30分後か
ら3時間後にかけて3,3',4,4’−ビフェニルテト
ラカルボン酸33.47g(114mmol)を数回に分けて
投入する。N,N’−ジメチルアセトアミド10mlを
用いて粉体ロートに付着した3,3',4,4’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸を反応系中に洗い入れる。1時間
攪拌した後、ピロメリット酸二無水物 N,N’−ジメ
チルアセトアミド溶液(6wt%)17.25gを30分か
けて滴下し、さらに1時間攪拌する。ここで得られたポ
リアミック酸は4000ポアズであった。
[Curl] A 35 mm × 120 mm sample conditioned for 24 hours was placed on a horizontal table, and the lift from the square table was measured. The average value was taken as the curl value. The curl direction was described as positive when the polyimide film was turned upward, and negative when the polyimide film was turned upward. Example 1 In a 500 ml separable flask equipped with a DC stirrer, 26.66 g of 4,4'-diaminobenzanilide (11
7 mmol), N, N'-dimethylacetamide 213.4
Add 8 g and stir at room temperature under a nitrogen atmosphere. 33.47 g (114 mmol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid are added in several portions over 30 minutes to 3 hours. The 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid attached to the powder funnel is washed into the reaction system using 10 ml of N, N′-dimethylacetamide. After stirring for 1 hour, 17.25 g of a pyromellitic dianhydride N, N'-dimethylacetamide solution (6 wt%) is added dropwise over 30 minutes, and the mixture is further stirred for 1 hour. The polyamic acid obtained here was 4000 poise.

【0041】得られたポリアミック酸の一部をポリエス
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(50:50)に5分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを120℃20分、300℃20
分、400℃5分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドはヤング率:825kg/mm2
熱膨張係数:5.8ppm/℃であった。 実施例2 DCスターラーを備えた500mlセパラブルフラスコ中
に4,4’−ジアミノベンズアニリド17.61g(7
7mmol)、N,’N−ジメチルアセトアミド183.6
4gを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌する。30分後か
ら50分後にかけて3,3',4,4’−ビフェニルテト
ラカルボン酸22.11g(75mmol)を数回に分けて投
入する。N,N−ジメチルアセトアミド10mlを用い
て粉体ロートに付着した3,3',4,4’−ビフェニル
テトラカルボン酸を反応系中に洗い入れる。1時間攪拌
した後、p− フェニレンジアミン5.59g(52mmo
l)、N,N’−ジメチルアセトアミド10mlを加え、
さらに3,3',4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸
14.74g(50mmol)を10分かけて投入する。N,
N’−ジメチルアセトアミド20mlを用いて粉体ロー
トに付着した3,3',4,4’−ビフェニルテトラカル
ボン酸を反応系中に洗い入れる。12時間攪拌した後ピ
ロメリット酸二無水物 N,N’−ジメチルアセトアミ
ド溶液(6wt%)19.00gを30分かけて滴下し、
さらに1時間攪拌する。ここで得られたポリアミック酸
は3000ポアズであった。得られたポリアミック酸の
一部をポリエステルフィルム上に取り、スピンコーター
を用いて均一な膜を形成する。これをβ−ピコリン/無
水酢酸混合溶液(50:50)に5分間浸しイミド化させ
た。得られたポリイミドゲルフィルムを120℃20
分、300℃20分、400℃5分で熱処理を行いポリ
イミドフィルムを得た。得られたポリイミドはヤング
率:797kg/mm2、熱膨張係数:6.8ppm/℃であった。 実施例3 DCスターラーを備えた500mlセパラブルフラスコ中
に4,4’−ジアミノベンズアニリド18.47g(8
1mmol)、N,N’−ジメチルアセトアミド168.8
2gを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌する。30分後か
ら50分後にかけてピロメリット酸二無水物17.19
g(79mmol)を数回に分けて投入する。N,N’−ジメ
チルアセトアミド10mlを用いて粉体ロートに付着し
たピロメリット酸を反応系中に洗い入れる。2時間攪拌
後、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル10.84
g(54mmol)、N,N’−ジメチルアセトアミド5ml
を加える。これに3,3',4,4’−ビフェニルテトラ
カルボン酸7.97g(27mmolを数回に分けて投入す
る。N,N’−ジメチルアセトアミド20mlを用いて
粉体ロートに付着した3,3',4,4’−ビフェニルテ
トラカルボン酸を反応系中に洗い入れる。30分攪拌し
た後、ピロメリット酸二無水物5.55g(25mmol)を
数回に分けて投入する。N,N’−ジメチルアセトアミ
ド20mlを用いて粉体ロートに付着したピロメリット
酸を反応系中に洗い入れる。
A part of the obtained polyamic acid is taken on a polyester film, and a uniform film is formed using a spin coater. This is a β-picoline / acetic anhydride mixed solution
(50:50) for 5 minutes for imidization. The obtained polyimide gel film was heated at 120 ° C for 20 minutes and at 300 ° C for 20 minutes.
Heat treatment at 400 ° C. for 5 minutes to obtain a polyimide film. The obtained polyimide has a Young's modulus of 825 kg / mm 2 ,
Thermal expansion coefficient: 5.8 ppm / ° C. Example 2 17.61 g (7,4'-diaminobenzanilide) was placed in a 500 ml separable flask equipped with a DC stirrer.
7 mmol), N, 'N-dimethylacetamide 183.6
Add 4 g and stir at room temperature under a nitrogen atmosphere. From 30 minutes to 50 minutes later, 2.11 g (75 mmol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid is added in several portions. The 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid attached to the powder funnel is washed into the reaction system using 10 ml of N, N-dimethylacetamide. After stirring for 1 hour, 5.59 g (52 mmol) of p-phenylenediamine
l), 10 ml of N, N'-dimethylacetamide was added,
Further, 14.74 g (50 mmol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid is added over 10 minutes. N,
The 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid attached to the powder funnel is washed into the reaction system using 20 ml of N'-dimethylacetamide. After stirring for 12 hours, 19.00 g of a pyromellitic dianhydride N, N'-dimethylacetamide solution (6 wt%) was added dropwise over 30 minutes,
Stir for an additional hour. The polyamic acid obtained here was 3000 poise. A part of the obtained polyamic acid is taken on a polyester film, and a uniform film is formed using a spin coater. This was immersed in a β-picoline / acetic anhydride mixed solution (50:50) for 5 minutes for imidization. The obtained polyimide gel film was heated at 120 ° C. 20
Heat treatment at 300 ° C. for 20 minutes and 400 ° C. for 5 minutes to obtain a polyimide film. The obtained polyimide had a Young's modulus of 797 kg / mm2 and a thermal expansion coefficient of 6.8 ppm / ° C. Example 3 In a 500 ml separable flask equipped with a DC stirrer, 18.47 g (8,4'-diaminobenzanilide) was added.
1 mmol), N, N'-dimethylacetamide 168.8
Add 2 g and stir at room temperature under a nitrogen atmosphere. After 30 to 50 minutes, pyromellitic dianhydride 17.19
g (79 mmol) are charged in several portions. The pyromellitic acid attached to the powder funnel is washed into the reaction system using 10 ml of N, N'-dimethylacetamide. After stirring for 2 hours, 4,4'-diaminodiphenyl ether 10.84
g (54 mmol), N, N'-dimethylacetamide 5 ml
Add. To this, 7.97 g of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid (27 mmol is added in several portions. 3,3 ′ attached to the powder funnel using 20 ml of N, N′-dimethylacetamide). ', 4,4'-Biphenyltetracarboxylic acid is washed into the reaction system, stirred for 30 minutes, and 5.55 g (25 mmol) of pyromellitic dianhydride is added in several portions. -Wash the pyromellitic acid attached to the powder funnel into the reaction system using 20 ml of dimethylacetamide.

【0042】16時間攪拌した後ピロメリット酸二無水
物 N,N’−ジメチルアセトアミド溶液(6wt%)1
4.77gを30分かけて滴下し、さらに1時間攪拌す
る。ここで得られたポリアミック酸は3000ポアズで
あった。
After stirring for 16 hours, pyromellitic dianhydride N, N'-dimethylacetamide solution (6 wt%) 1
4.77 g is added dropwise over 30 minutes and stirred for another hour. The polyamic acid obtained here was 3000 poise.

【0043】得られたポリアミック酸の一部をポリエス
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(50:50)に5分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを120℃20分、300℃20
分、400℃5分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドはヤング率:720kg/mm2
熱膨張係数:1.6ppm/℃であった。このポリイミドフィ
ルムにアルミニウムからなる金属電極、アモルファスシ
リコンをイオン蒸着法によりそれぞれ0.5μmづつ形
成することにより、疑似太陽電池基板を作成し、そのハ
ンドリング性およびカールを評価した。評価結果を表1
に併記した。 実施例4 DCスターラーを備えた500mlセパラブルフラスコ中
に4,4’−ジアミノベンズアニリド7.58g(33m
mol)、N,N’−ジメチルアセトアミド165.61g
を入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌する。30分後から5
0分後にかけてピロメリット酸二無水物7.05g(3
2mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチルアセ
トアミド10mlを用いて粉体ロートに付着したピロメ
リット酸を反応系中に洗い入れる。2時間攪拌後、pー
フェニレンジアミン14.42g(133mmol)、N,
N’−ジメチルアセトアミド10mlを加える。これに
3,3',4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸9.8
1g(33mmol)を数回に分けて投入する。N,N’−ジ
メチルアセトアミド20mlを用いて粉体ロートに付着
した3,3',4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸を
反応系中に洗い入れる。30分攪拌した後、ピロメリッ
ト酸二無水物20.94g(96mmol)を数回に分け
て投入する。N,N’−ジメチルアセトアミド20ml
を用いて粉体ロートに付着したピロメリット酸を反応系
中に洗い入れる。
A part of the obtained polyamic acid is taken on a polyester film, and a uniform film is formed using a spin coater. This is a β-picoline / acetic anhydride mixed solution
(50:50) for 5 minutes for imidization. The obtained polyimide gel film was heated at 120 ° C for 20 minutes and at 300 ° C for 20 minutes.
Heat treatment at 400 ° C. for 5 minutes to obtain a polyimide film. The obtained polyimide has a Young's modulus of 720 kg / mm 2 ,
Thermal expansion coefficient: 1.6 ppm / ° C. A pseudo solar cell substrate was formed by forming a metal electrode made of aluminum and amorphous silicon on the polyimide film by 0.5 μm each by an ion vapor deposition method, and the handling property and the curl were evaluated. Table 1 shows the evaluation results.
It was also described in. Example 4 In a 500 ml separable flask equipped with a DC stirrer, 7.58 g (33 m) of 4,4'-diaminobenzanilide was placed.
mol), N, N'-dimethylacetamide 165.61 g
And stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. 5 after 30 minutes
After 0 minute, 7.05 g of pyromellitic dianhydride (3
2 mmol) in several portions. The pyromellitic acid attached to the powder funnel is washed into the reaction system using 10 ml of N, N-dimethylacetamide. After stirring for 2 hours, 14.42 g (133 mmol) of p-phenylenediamine, N,
10 ml of N'-dimethylacetamide are added. To this, 9.8 of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid was added.
1 g (33 mmol) is charged in several portions. The 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid attached to the powder funnel is washed into the reaction system using 20 ml of N, N'-dimethylacetamide. After stirring for 30 minutes, 20.94 g (96 mmol) of pyromellitic dianhydride are added in several portions. N, N'-dimethylacetamide 20ml
The pyromellitic acid adhering to the powder funnel is washed into the reaction system by using.

【0044】16時間攪拌した後ピロメリット酸二無水
物 N,N’−ジメチルアセトアミド溶液(6wt%)1
8.18gを30分かけて滴下し、さらに1時間攪拌す
る。ここで得られたポリアミック酸は3000ポアズで
あった。
After stirring for 16 hours, pyromellitic dianhydride N, N'-dimethylacetamide solution (6 wt%) 1
8.18 g is added dropwise over 30 minutes, and the mixture is further stirred for 1 hour. The polyamic acid obtained here was 3000 poise.

【0045】得られたポリアミック酸の一部をポリエス
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(50:50)に5分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを120℃20分、300℃20
分、400℃5分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドはヤング率:868kg/mm2
熱膨張係数:0.3ppm/℃であった。 実施例5 DCスターラーを備えた500mlセパラブルフラスコ中
に4,4’−ジアミノベンズアニリド20.11g(8
8mmol)、N,N’−ジメチルアセトアミド167.5
8gを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌する。30分後か
ら50分後にかけてピロメリット酸二無水物18.72
g(86mmol)を数回に分けて投入する。N,N’−ジメ
チルアセトアミド10mlを用いて粉体ロートに付着し
たピロメリット酸を反応系中に洗い入れる。2時間攪拌
後、pー フェニレンジアミン6.38g(59mmol)、
N,N’−ジメチルアセトアミド10mlを加える。こ
れに3,3',4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸
8.68g(29mmol)を数回に分けて投入する。N,
N’−ジメチルアセトアミド20mlを用いて粉体ロー
トに付着した3,3',4,4’−ビフェニルテトラカル
ボン酸を反応系中に洗い入れる。30分攪拌した後、ピ
ロメリット酸二無水物6.05g(28mmol)を数回に分
けて投入する。N,N’−ジメチルアセトアミド20m
lを用いて粉体ロートに付着したピロメリット酸を反応
系中に洗い入れる。
A part of the obtained polyamic acid is taken on a polyester film, and a uniform film is formed using a spin coater. This is a β-picoline / acetic anhydride mixed solution
(50:50) for 5 minutes for imidization. The obtained polyimide gel film was heated at 120 ° C for 20 minutes and at 300 ° C for 20 minutes.
Heat treatment at 400 ° C. for 5 minutes to obtain a polyimide film. The obtained polyimide has a Young's modulus of 868 kg / mm 2 ,
Thermal expansion coefficient: 0.3 ppm / ° C. Example 5 In a 500 ml separable flask equipped with a DC stirrer, 20.11 g (8,4'-diaminobenzanilide) was added.
8 mmol), N, N'-dimethylacetamide 167.5
Add 8 g and stir at room temperature under a nitrogen atmosphere. After 30 minutes to 50 minutes, pyromellitic dianhydride 18.72
g (86 mmol) are charged in several portions. The pyromellitic acid attached to the powder funnel is washed into the reaction system using 10 ml of N, N'-dimethylacetamide. After stirring for 2 hours, 6.38 g (59 mmol) of p-phenylenediamine,
Add 10 ml of N, N'-dimethylacetamide. To this, 8.68 g (29 mmol) of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid is added in several portions. N,
The 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid attached to the powder funnel is washed into the reaction system using 20 ml of N'-dimethylacetamide. After stirring for 30 minutes, 6.05 g (28 mmol) of pyromellitic dianhydride are added in several portions. N, N'-dimethylacetamide 20m
Use 1 to wash the pyromellitic acid adhered to the powder funnel into the reaction system.

【0046】16時間攪拌した後ピロメリット酸二無水
物 N,N’−ジメチルアセトアミド溶液(6wt%)1
6.08gを30分かけて滴下し、さらに1時間攪拌す
る。ここで得られたポリアミック酸は3400ポアズで
あった。得られたポリアミック酸の一部をポリエステル
フィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な膜を
形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液(5
0:50)に5分間浸しイミド化させた。得られたポリイ
ミドゲルフィルムを120℃20分、300℃20分、
400℃5分で熱処理を行いポリイミドフィルムを得
た。得られたポリイミドはヤング率:754kg/mm2、熱
膨張係数:0.2ppm/℃であった。このポリイミドフィル
ムにアルミニウムからなる金属電極、アモルファスシリ
コンをイオン蒸着法によりそれぞれ0.5μmづつ形成
することにより、疑似太陽電池基板を作成し、そのハン
ドリング性およびカールを評価した。評価結果を表1に
併記した。 実施例6 DCスターラーを備えた500mlセパラブルフラスコ中
に4,4’−ジアミノベンズアニリド7.00g(31m
mol)、N,N’−ジメチルアセトアミド166.92g
を入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌する。30分後から5
0分後にかけてピロメリット酸二無水物6.51g(3
0mmol)を数回に分けて投入する。N,N’−ジメチル
アセトアミド10mlを用いて粉体ロートに付着したピ
ロメリット酸を反応系中に洗い入れる。2時間攪拌後、
pー フェニレンジアミン13.31g(123mmol)、
N,N’−ジメチルアセトアミド10mlを加える。こ
れに3,3',4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸2
7.17g(92mmol)を数回に分けて投入する。N,
N’−ジメチルアセトアミド20mlを用いて粉体ロー
トに付着した3,3',4,4’−ビフェニルテトラカル
ボン酸を反応系中に洗い入れる。30分攪拌した後、ピ
ロメリット酸二無水物5.91g(27mmol)を数回に分
けて投入する。N,N’−ジメチルアセトアミド20m
lを用いて粉体ロートに付着したピロメリット酸を反応
系中に洗い入れる。
After stirring for 16 hours, pyromellitic dianhydride N, N'-dimethylacetamide solution (6 wt%) 1
6.08 g was added dropwise over 30 minutes, and the mixture was further stirred for 1 hour. The polyamic acid obtained here had 3,400 poise. A part of the obtained polyamic acid is taken on a polyester film, and a uniform film is formed using a spin coater. This was mixed with a β-picoline / acetic anhydride mixed solution (5
(0:50) for 5 minutes for imidization. The obtained polyimide gel film is 120 ° C. for 20 minutes, 300 ° C. for 20 minutes,
Heat treatment was performed at 400 ° C. for 5 minutes to obtain a polyimide film. The obtained polyimide had a Young's modulus of 754 kg / mm 2 and a coefficient of thermal expansion of 0.2 ppm / ° C. A pseudo solar cell substrate was formed by forming a metal electrode made of aluminum and amorphous silicon on the polyimide film by 0.5 μm each by an ion vapor deposition method, and the handling property and the curl were evaluated. The evaluation results are also shown in Table 1. Example 6 7.00 g (31 m) of 4,4'-diaminobenzanilide in a 500 ml separable flask equipped with a DC stirrer
mol), N, N'-dimethylacetamide 166.92 g
And stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. 5 after 30 minutes
After 0 minute, 6.51 g of pyromellitic dianhydride (3
0 mmol) in several portions. The pyromellitic acid attached to the powder funnel is washed into the reaction system using 10 ml of N, N'-dimethylacetamide. After stirring for 2 hours,
13.31 g (123 mmol) of p-phenylenediamine,
Add 10 ml of N, N'-dimethylacetamide. 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid 2
7.17 g (92 mmol) are charged in several portions. N,
The 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid attached to the powder funnel is washed into the reaction system using 20 ml of N'-dimethylacetamide. After stirring for 30 minutes, 5.91 g (27 mmol) of pyromellitic dianhydride is added in several portions. N, N'-dimethylacetamide 20m
Use 1 to wash the pyromellitic acid adhered to the powder funnel into the reaction system.

【0047】16時間攪拌した後ピロメリット酸二無水
物 N,N’−ジメチルアセトアミド溶液(6wt%)1
6.78gを30分かけて滴下し、さらに1時間攪拌す
る。ここで得られたポリアミック酸は3000ポアズで
あった。
After stirring for 16 hours, pyromellitic dianhydride N, N'-dimethylacetamide solution (6 wt%) 1
6.78 g is added dropwise over 30 minutes, and the mixture is further stirred for 1 hour. The polyamic acid obtained here was 3000 poise.

【0048】得られたポリアミック酸の一部をポリエス
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(50:50)に5分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを120℃20分、300℃20
分、400℃5分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドはヤング率:752kg/mm2
熱膨張係数:2.4ppm/℃であった。このポリイミドフ
ィルムにアルミニウムからなる金属電極、アモルファス
シリコンをイオン蒸着法によりそれぞれ0.5μmづつ
形成することにより、疑似太陽電池基板を作成し、その
ハンドリング性およびカールを評価した。評価結果を表
1に併記した。 比較例1 DCスターラーを備えた500mlセパラブルフラスコ中
に4,4’−オキシジアニリン31.12g(155mmo
l)、N,N−ジメチルアセトアミド276.46gを入
れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。30分後から1時間
後にかけてピロメリット酸二無水物48.58g(15
1mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチルア
セトアミド20mlを用いて粉体ロートに付着したピロ
メリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。12時間
攪拌した後ピロメリット酸二無水物N,N−ジメチルア
セトアミド溶液(6wt%)25.04gを30分かけて
滴下し、さらに1時間攪拌する。ここで得られたポリア
ミック酸は3000ポアズであった。
A part of the obtained polyamic acid is taken on a polyester film, and a uniform film is formed using a spin coater. This is a β-picoline / acetic anhydride mixed solution
(50:50) for 5 minutes for imidization. The obtained polyimide gel film was heated at 120 ° C for 20 minutes and at 300 ° C for 20 minutes.
Heat treatment at 400 ° C. for 5 minutes to obtain a polyimide film. The obtained polyimide has a Young's modulus of 752 kg / mm 2 ,
Thermal expansion coefficient: 2.4 ppm / ° C. A pseudo solar cell substrate was formed by forming a metal electrode made of aluminum and amorphous silicon on the polyimide film by 0.5 μm each by an ion vapor deposition method, and the handling property and the curl were evaluated. The evaluation results are also shown in Table 1. Comparative Example 1 In a 500 ml separable flask equipped with a DC stirrer, 31.12 g (155 mmo) of 4,4′-oxydianiline was added.
l), 276.46 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the mixture was stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. From 30 minutes to 1 hour, 48.58 g of pyromellitic dianhydride (15
1 mmol) in several portions. The pyromellitic dianhydride adhering to the powder funnel is washed into the reaction system using 20 ml of N, N-dimethylacetamide. After stirring for 12 hours, 25.04 g of a solution of pyromellitic dianhydride N, N-dimethylacetamide (6 wt%) is added dropwise over 30 minutes, and the mixture is further stirred for 1 hour. The polyamic acid obtained here was 3000 poise.

【0049】得られたポリアミック酸の一部をポリエス
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(50:50)に5分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを120℃20分、300℃20
分、400℃5分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み:50μm、ヤング率:
370kg/mm2、線膨張係数:25ppm/℃であった。こ
のポリイミドフィルムにアルミニウムからなる金属電
極、アモルファスシリコンをイオン蒸着法によりそれぞ
れ0.5μmずつ形成することにより、疑似太陽電池基
板を作成し、そのハンドリング性およびカールを評価し
た。評価結果を表1に併記した。 比較例2 DCスターラーを備えた500mlセパラブルフラスコ中
にp− フェニレンジアミン16.37g(151mmo
l)、N,N−ジメチルアセトアミド220.23gを入
れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。30分後から1時間
後にかけて3,3',4,4’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物44.53g(151mmol)を数回に分けて
投入する。N,N−ジメチルアセトアミド20mlを用い
て粉体ロートに付着したピロメリット酸二無水物を反応
系中に洗い入れる。12時間攪拌した。ここで得られた
ポリアミック酸は3000ポアズであった。
A part of the obtained polyamic acid is taken on a polyester film, and a uniform film is formed using a spin coater. This is a β-picoline / acetic anhydride mixed solution
(50:50) for 5 minutes for imidization. The obtained polyimide gel film was heated at 120 ° C for 20 minutes and at 300 ° C for 20 minutes.
Heat treatment at 400 ° C. for 5 minutes to obtain a polyimide film. The obtained polyimide has a thickness of 50 μm and a Young's modulus:
370 kg / mm 2 , linear expansion coefficient: 25 ppm / ° C. A pseudo solar cell substrate was formed by forming a metal electrode made of aluminum and amorphous silicon on the polyimide film by 0.5 μm each by an ion vapor deposition method, and the handling property and the curl were evaluated. The evaluation results are also shown in Table 1. Comparative Example 2 16.37 g (151 mmol) of p-phenylenediamine was placed in a 500 ml separable flask equipped with a DC stirrer.
l), 220.23 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the mixture was stirred at room temperature under a nitrogen atmosphere. From 30 minutes to 1 hour later, 44.53 g (151 mmol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride are added in several portions. Using 20 ml of N, N-dimethylacetamide, the pyromellitic dianhydride adhering to the powder funnel is washed into the reaction system. Stir for 12 hours. The polyamic acid obtained here was 3000 poise.

【0050】得られたポリアミック酸の一部をポリエス
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(50:50)に5分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを120℃20分、300℃20
分、400℃5分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み:50μm、ヤング率:
991kg/mm2、線膨張係数:15.8ppm/℃であった。
このポリイミドフィルムにアルミニウムからなる金属電
極、アモルファスシリコンをイオン蒸着法によりそれぞ
れ0.5μmずつ形成することにより、疑似太陽電池基
板を作成し、そのハンドリング性およびカールを評価し
た。評価結果を表1に併記した。 比較例3 厚さ5mmのガラスにアルミニウムからなる金属電極、ア
モルファスシリコンをイオン蒸着法によりそれぞれ0.
5μmづつ形成することにより、疑似太陽電池基板を作
成し、そのハンドリング性およびカールを評価した。評
価結果を表1に併記した。
A part of the obtained polyamic acid is taken on a polyester film, and a uniform film is formed using a spin coater. This is a β-picoline / acetic anhydride mixed solution
(50:50) for 5 minutes for imidization. The obtained polyimide gel film was heated at 120 ° C for 20 minutes and at 300 ° C for 20 minutes.
Heat treatment at 400 ° C. for 5 minutes to obtain a polyimide film. The obtained polyimide has a thickness of 50 μm and a Young's modulus:
991kg / mm 2, linear expansion coefficient: was 15.8ppm / ℃.
A pseudo solar cell substrate was formed by forming a metal electrode made of aluminum and amorphous silicon on the polyimide film by 0.5 μm each by an ion vapor deposition method, and the handling property and the curl were evaluated. The evaluation results are also shown in Table 1. Comparative Example 3 A metal electrode made of aluminum and amorphous silicon were each formed on a glass plate having a thickness of 5 mm by ion deposition to form a metal electrode.
A pseudo solar cell substrate was formed by forming each 5 μm, and the handling property and the curl were evaluated. The evaluation results are also shown in Table 1.

【0051】[0051]

【表1】 [Table 1]

【0052】[0052]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の太陽電池
基板は、フレキシブルで折り曲げ可能であり、しかも製
造時あるいは取り扱い時に割れることがないため、ハン
ドリング性がすぐれるばかりか、基板ベースの歪みを招
くことが無く、カールを生じないというすぐれた性能を
発揮する。
As described above, the solar cell substrate of the present invention is flexible and bendable, and does not break during manufacturing or handling. It has excellent performance without curling.

【0053】そして、本発明の太陽電池基板の製造方法
によれば、上記のすぐれた性能を有する太陽電池基板を
効率的に製造することができる。
According to the method for manufacturing a solar cell substrate of the present invention, a solar cell substrate having the above-mentioned excellent performance can be efficiently manufactured.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B29K 79:00 B29L 7:00 B29L 7:00 9:00 9:00 C08L 79:08 C08L 79:08 H01L 31/04 M ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // B29K 79:00 B29L 7:00 B29L 7:00 9:00 9:00 C08L 79:08 C08L 79: 08 H01L 31/04 M

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下記一般式(I)および(II)で示される
構造単位を有するポリイミドからなり、熱膨張係数が−
10〜10ppm/℃、ヤング率が700kg/mm2以上のポリ
イミドフィルムの表面に金属電極を形成し、この金属電
極上にアモルファスシリコン層を形成し、さらにこのア
モルファスシリコン層上に透明電極を形成したことを特
徴とする太陽電池基板。 【化1】 【化2】 [ただし、式中R1およびR2は 【化3】 で示される基から選ばれたいずれかでありR1とR2は同
じでも構わない。またR 3は炭素数6以上の芳香族基で
あり、さらにX:Yのモル比は100〜20:0〜80
である。
1. A compound represented by the following general formulas (I) and (II)
It is made of polyimide having structural units and has a thermal expansion coefficient of-
10 ~ 10ppm / ℃, Young's modulus is 700kg / mmTwoMore poly
A metal electrode is formed on the surface of the imide film,
An amorphous silicon layer is formed on the
Specially, a transparent electrode was formed on a morphus silicon layer.
Solar cell substrate. Embedded imageEmbedded image[However, in the formula, R1And RTwoIsAny one of the groups represented by1And RTwoIs the same
It doesn't matter. Also R ThreeIs an aromatic group having 6 or more carbon atoms
And the molar ratio of X: Y is 100-20: 0-80.
It is.
【請求項2】前記ポリイミドの前記一般式(II)で示さ
れる構造単位におけるR 3が 【化4】 で示されるいずれかの基あることを特徴とする請求項1
に記載の太陽電池基板。
2. The polyimide represented by the general formula (II)
R in the structural unit ThreeIs2. A group represented by any one of the following:
A solar cell substrate according to item 1.
【請求項3】前記ポリイミドの前記一般式(I)および
(II)で示される各構造単位のモル比X:Yが80〜5
0:20〜50の範囲にあることを特徴とする請求項1
または2記載の太陽電池基板。
3. The polyimide according to claim 1, wherein the molar ratio X: Y of each of the structural units represented by the general formulas (I) and (II) is 80-5.
2. The method according to claim 1, wherein the range is from 0:20 to 50.
Or the solar cell substrate according to 2.
【請求項4】前記ポリイミドフィルムが4,4’−ジア
ミノベンズアニリドと、これに対し95〜99.9モル
%の酸二無水物を非プロトン性極性溶媒中で反応させる
ことにより、アミン末端を持つポリアミック酸を形成
し、さらに反応中にジアミンおよび酸二無水物を入れて
分子鎖を延長し、得られたポリアミック酸を均一に延ば
すことにより得られた自己支持性のゲルフィルムを固定
した状態で熱あるいは化学的に脱水閉環させ、さらに前
記ゲルフィルムをフィルム搬送方向および、これに直交
する方向にそれぞれ1.05〜2.0倍に延伸すること
により形成されたものであることを特徴とする請求項1
〜3のいずれか1項に記載の太陽電池基板。
4. The method according to claim 1, wherein the polyimide film is reacted with 4,4′-diaminobenzanilide and 95 to 99.9 mol% of an acid dianhydride in an aprotic polar solvent. A state in which a self-supporting gel film obtained by forming a polyamic acid, further extending a molecular chain by adding a diamine and an acid dianhydride during the reaction, and uniformly extending the obtained polyamic acid is fixed. The ring is thermally or chemically dehydrated, and the gel film is formed by stretching the gel film 1.05 to 2.0 times in the film transport direction and in the direction perpendicular thereto. Claim 1
4. The solar cell substrate according to any one of items 3 to 3.
【請求項5】前記透明電極上に、さらに保護層を形成し
たことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載
の太陽電池基板。
5. The solar cell substrate according to claim 1, wherein a protective layer is further formed on the transparent electrode.
【請求項6】4,4’−ジアミノベンズアニリドと、こ
れに対し95〜99.9モル%の酸二無水物を非プロト
ン性極性溶媒中で反応させることにより、アミン末端を
持つポリアミック酸を形成し、さらに反応中にジアミン
および酸二無水物を入れて分子鎖を延長し、得られたポ
リアミック酸を均一に延ばすことにより得られた自己支
持性のゲルフィルムを固定した状態で熱あるいは化学的
に脱水閉環させ、さらに前記ゲルフィルムをフィルム搬
送方向および、これに直交する方向にそれぞれ1.05
〜2.0倍に延伸することにより形成されたポリイミド
フィルムの表面に、金属電極を形成した後、この金属電
極上にアモルファスシリコン層を形成し、このアモルフ
ァスシリコン上に透明電極を形成し、さらに必要に応じ
て透明電極上に保護層を形成することを特徴とする太陽
電池基板の製造方法。
6. A polyamic acid having an amine terminal is reacted by reacting 4,4'-diaminobenzanilide with 95 to 99.9 mol% of an acid dianhydride in an aprotic polar solvent. Formed and further added diamine and acid dianhydride during the reaction to extend the molecular chain, and to uniformly extend the obtained polyamic acid, heat or chemically fix the self-supporting gel film obtained. The gel film is further dehydrated and closed in a film transport direction and a direction perpendicular to the film transport direction.
After forming a metal electrode on the surface of the polyimide film formed by stretching to 2.0 times, forming an amorphous silicon layer on the metal electrode, forming a transparent electrode on the amorphous silicon, A method for manufacturing a solar cell substrate, comprising forming a protective layer on a transparent electrode as necessary.
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