JP2001125032A - Optical scanning actuator - Google Patents

Optical scanning actuator

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JP2001125032A
JP2001125032A JP30455299A JP30455299A JP2001125032A JP 2001125032 A JP2001125032 A JP 2001125032A JP 30455299 A JP30455299 A JP 30455299A JP 30455299 A JP30455299 A JP 30455299A JP 2001125032 A JP2001125032 A JP 2001125032A
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JP
Japan
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optical scanning
thin film
piezoelectric
actuator
crystal thin
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Application number
JP30455299A
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Japanese (ja)
Inventor
Akimasa Katayama
晶雅 片山
Akio Sato
明生 佐藤
Shingo Hibino
真吾 日比野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Riko Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Riko Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Riko Co Ltd filed Critical Sumitomo Riko Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive optical scanning actuator which is flexible as a whole, by which a large displacement is obtained even when voltage is low and whose optical scanning distance is long. SOLUTION: This optical scanning actuator is constituted of a nearly plate- like actuator equipped with a piezoelectric element 21 obtained by forming a piezoelectric crystal thin film on one side or both sides of a flexible base plate and attaching an electrode to the piezoelectric crystal thin film. One side of the actuator is fixed to support the whole in a cantilever state and the other side is formed as an optical scanning part 31 having an optical scanning means 30 on its surface. The piezoelectric constant of the element 21 is set to 0.1 to 20 pC/N and the flexural rigidity thereof is set to 1.0×10-2 to 1.0×103N.mm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電圧の印加によっ
て変位を生じ、それによって光走査を行う光走査アクチ
ュエータに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical scanning actuator which generates a displacement by applying a voltage and thereby performs optical scanning.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電圧の印加によって変位を生じる
アクチュエータを用いて、比較的質量の小さい物質を変
位させたり、電磁波(特に可視光)、気体、液体等の流
れを走査することが検討され、一部使用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, it has been studied to displace a substance having a relatively small mass or to scan a flow of an electromagnetic wave (especially visible light), a gas, a liquid, or the like by using an actuator which generates a displacement by applying a voltage. , Partially used.

【0003】上記アクチュエータとしては、焼結PZT
(チタン鉛ジルコン酸鉛)からなる積層型アクチュエー
タ、同じく焼結PZTからなるバイモルフ型アクチュエ
ータ、モノモルフ型アクチュエータ、あるいは有機膜で
あるPVDF(ポリフッ化ビニリデン)からなるアクチ
ュエータ等があげられる。
[0003] As the actuator, sintered PZT is used.
Examples include a laminated actuator made of (titanium lead zirconate), a bimorph actuator made of sintered PZT, a monomorph actuator, and an actuator made of an organic film, PVDF (polyvinylidene fluoride).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記焼
結PZTからなる積層型アクチュエータは、変位が小さ
いという問題がある。また、焼結PZTからなるバイモ
ルフ型,モノモルフ型のアクチュエータは、上記積層型
と比べると変位を大きくすることができるが、高電圧が
必要で、数ボルトの低電圧では10μm程度の小さな変
位しか得られないという問題がある。そして、これらに
用いる焼結PZTは、製造工程が複雑で、製造日数が2
週間もかかるため、高価で経済的でないという問題や、
薄型化が難しいという問題もある。さらに、PVDFか
らなるアクチュエータは、量産でき製造コストが安い半
面、圧電性能が劣るという問題がある。
However, the laminated type actuator made of the sintered PZT has a problem that displacement is small. Bimorph-type and monomorph-type actuators made of sintered PZT can increase the displacement as compared with the above-described laminated type, but require a high voltage, and can obtain only a small displacement of about 10 μm at a low voltage of several volts. There is a problem that can not be. The production process of the sintered PZT used for these is complicated, and the number of production days is two.
It takes weeks, so it ’s expensive and uneconomical,
There is also a problem that thinning is difficult. Furthermore, actuators made of PVDF have a problem in that they can be mass-produced and the manufacturing cost is low, but the piezoelectric performance is inferior.

【0005】しかも、上記アクチュエータを光走査アク
チュエータとして用いたものは、通常、図20に示すよ
うに、アクチュエータ100の一端側を固定端101に
固定し、他端側に、ミラー102等を有する走査部10
3を取り付けた構成になっているため、この構造ではア
クチュエータによる走査部103の変位角度をあまり大
きくすることができないという問題がある。
Further, in the case where the above actuator is used as an optical scanning actuator, as shown in FIG. 20, a scanning device having one end of an actuator 100 fixed to a fixed end 101 and a mirror 102 or the like at the other end. Part 10
3 has a problem that the displacement angle of the scanning unit 103 by the actuator cannot be made too large.

【0006】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、低電圧であっても、大きな変位を得ることがで
き、光走査距離の長い、安価で経済的な光走査アクチュ
エータの提供をその目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and provides an inexpensive and economical optical scanning actuator capable of obtaining a large displacement even at a low voltage, having a long optical scanning distance. With that purpose.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の光走査アクチュエータは、可撓性基板の片
面もしくは両面に圧電結晶薄膜が形成され、この圧電結
晶薄膜に電極が取り付けられた圧電素子を備えた略板状
のアクチュエータにおいて、全体を支受する固定部と、
表面に光走査手段を有する光走査部とが設けられてお
り、上記圧電素子の圧電定数が0.1〜20pC/N、
曲げ剛性が1.0×10-2〜1.0×10 3 N・mmに
設定されているという構成をとる。
Means for Solving the Problems To achieve the above object,
The optical scanning actuator according to the present invention includes a flexible substrate
A piezoelectric crystal thin film is formed on one or both sides,
Plate shape with a piezoelectric element with electrodes attached to a crystalline thin film
A fixed portion for supporting the entirety of the actuator,
An optical scanning section having optical scanning means on its surface;
The piezoelectric element has a piezoelectric constant of 0.1 to 20 pC / N,
Flexural rigidity 1.0 × 10-2~ 1.0 × 10 ThreeN ・ mm
The configuration is set.

【0008】すなわち、本発明の光走査アクチュエータ
は、可撓性基板上に圧電結晶薄膜が形成され、圧電定数
と曲げ剛性が所定の範囲内になるよう設定された圧電素
子を用いており、しかも、全体を支受する固定部と、表
面に光走査手段を有する光走査部とを、このアクチュエ
ータ自身に設けたものである。したがって、低電圧であ
っても大きな変位を得ることができ、光走査距離を長く
とることができる。そして、従来の構造のものに比べて
簡単、かつ安価に得ることができる。また、薄型で、全
体が略板状であることから、その形状を、L字状や三角
状等、適宜の形状に設定することが容易で、光走査の方
向に多くのバリエーションをもたせることができるとい
う利点を有している。
That is, the optical scanning actuator of the present invention uses a piezoelectric element in which a piezoelectric crystal thin film is formed on a flexible substrate, and whose piezoelectric constant and bending rigidity are set within predetermined ranges. , A fixed portion for supporting the entirety and an optical scanning portion having an optical scanning means on its surface are provided in the actuator itself. Therefore, a large displacement can be obtained even at a low voltage, and the optical scanning distance can be increased. And, it can be obtained simply and inexpensively as compared with the conventional structure. Further, since it is thin and substantially plate-shaped as a whole, it can be easily set to an appropriate shape such as an L-shape or a triangular shape, and can have many variations in the optical scanning direction. It has the advantage of being able to.

【0009】そして、本発明において、特に、上記光走
査部にマスを付加したものは、光走査部の変位角度を、
より大きくすることができるという利点を備えている。
In the present invention, in particular, when a mass is added to the optical scanning unit, the displacement angle of the optical scanning unit is
It has the advantage that it can be made larger.

【0010】また、本発明において、特に、上記圧電結
晶薄膜として鉛を含有する複合酸化物薄膜を用いたも
の、あるいは上記圧電結晶薄膜を水熱合成で形成したも
のは、とりわけ優れた性能を備えている。
In the present invention, in particular, the piezoelectric crystal thin film using a lead-containing composite oxide thin film or the piezoelectric crystal thin film formed by hydrothermal synthesis has particularly excellent performance. ing.

【0011】しかも、上記圧電結晶薄膜を水熱合成で形
成した光走査アクチュエータのなかでも特に、上記圧電
結晶薄膜が、水熱合成時に、鉛直方向に3〜50Hzの
振動をかけながら形成されたものは、非常に優れた性能
を備えている。
Moreover, among the optical scanning actuators formed by hydrothermal synthesis of the piezoelectric crystal thin film, in particular, the piezoelectric crystal thin film formed by applying a vibration of 3 to 50 Hz in the vertical direction during hydrothermal synthesis. Has very good performance.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を説
明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described.

【0013】本発明の光走査アクチュエータは、可撓性
基板の片面もしくは両面に圧電結晶薄膜が形成され、こ
の圧電結晶薄膜に電極が取り付けられた圧電素子を備え
た構成になっている。
The optical scanning actuator of the present invention has a structure in which a piezoelectric crystal thin film is formed on one or both surfaces of a flexible substrate, and a piezoelectric element is provided with electrodes attached to the piezoelectric crystal thin film.

【0014】上記圧電素子は、水熱合成法等、どのよう
にして得られるものであってもよいが、その圧電定数が
0.1〜20pC/N、曲げ剛性が1.0×10-2
1.0×103 N・mmとなるよう設定されたものを用
いなければならない。
The piezoelectric element may be obtained by any method such as a hydrothermal synthesis method, but has a piezoelectric constant of 0.1 to 20 pC / N and a bending rigidity of 1.0 × 10 -2. ~
It must be set to 1.0 × 10 3 N · mm.

【0015】上記圧電定数は、つぎのようにして求めら
れるものである。すなわち、まず、図1(a),(b)
および図2に示すように、電極層20′が形成された圧
電素子21を、固定具40で支受し、図2において矢印
で示すように、片持ちの先端部中央(Pで示す)に荷重
をかける。そして、上記点Pから1.5mmだけ内側の
測定点Qの変位量をレーザー変位計で測定するととも
に、片側の圧電結晶薄膜からの出力電圧をA/D変換器
で測定する。このようにして得られた測定値(=出力電
圧ピーク値と変位量の比、10回測定して最小二乗法に
より算出)と、図1(a),(b)に示す構成上のファ
クターを用い、下記の式(1)によって算出することが
できる。
The above-mentioned piezoelectric constant is obtained as follows. That is, first, FIGS. 1 (a) and 1 (b)
As shown in FIG. 2 and FIG. 2, the piezoelectric element 21 on which the electrode layer 20 ′ is formed is supported by the fixture 40, and as shown by an arrow in FIG. Apply a load. Then, the displacement of the measurement point Q 1.5 mm inside from the point P is measured by the laser displacement meter, and the output voltage from the piezoelectric crystal thin film on one side is measured by the A / D converter. The measured values (= the ratio of the output voltage peak value to the displacement amount, measured ten times and calculated by the least squares method) obtained in this way, and the structural factors shown in FIGS. And can be calculated by the following equation (1).

【0016】[0016]

【数1】 (Equation 1)

【0017】また、上記曲げ剛性は、上記測定値等を用
いて下記の式(2)によって求めることができる。
The bending stiffness can be obtained by the following equation (2) using the measured values and the like.

【0018】[0018]

【数2】 (Equation 2)

【0019】上記特性を備えた圧電素子21を得るに
は、水熱合成法によって可撓性基板表面に圧電結晶薄膜
を形成することが好適である。
In order to obtain the piezoelectric element 21 having the above characteristics, it is preferable to form a piezoelectric crystal thin film on the surface of a flexible substrate by a hydrothermal synthesis method.

【0020】上記可撓性基板としては、可撓性を備え、
水熱合成時の加熱加圧条件に耐えうるものが好適であ
り、通常、金属製の、薄板,箔,フィルム等が用いられ
る。上記金属の例としては、ステンレス,鉄,アルミニ
ウム,チタン,鉛等の金属、またはこれらの金属を含む
合金があげられる。ただし、可撓性基板上に形成される
圧電結晶薄膜を基板と強固に接合させるには、上記可撓
性基板の最表面にチタン成分が含有されていることが好
ましい。そこで、可撓性基板として、チタン製のものを
用いるか、チタン製以外のものである場合には、その表
面に、チタン成分を析出させるか塗布する等の手段を講
じることが好ましい。
The flexible substrate has flexibility,
Those that can withstand the heating and pressurizing conditions during hydrothermal synthesis are suitable, and usually, metal thin plates, foils, films and the like are used. Examples of the above metals include metals such as stainless steel, iron, aluminum, titanium, and lead, and alloys containing these metals. However, in order to strongly bond the piezoelectric crystal thin film formed on the flexible substrate to the substrate, it is preferable that the outermost surface of the flexible substrate contains a titanium component. Therefore, it is preferable to use a titanium substrate as the flexible substrate or, if the substrate is not made of titanium, to take measures such as depositing or coating a titanium component on the surface.

【0021】なお、上記可撓性基板の厚みは、2〜20
0μm、なかでも5〜100μmに設定することが好適
である。すなわち、厚みが2μm未満では、水熱合成法
で圧電結晶薄膜を得る場合に、上記可撓性基板が水熱合
成中に変形するおそれがあり、逆に厚みが200μmを
超えると柔軟性が乏しくなり、低電圧で大きな変位が得
られにくくなるからである。
The thickness of the flexible substrate is 2 to 20.
It is preferable to set the thickness to 0 μm, especially 5 to 100 μm. That is, when the thickness is less than 2 μm, when obtaining a piezoelectric crystal thin film by hydrothermal synthesis, the flexible substrate may be deformed during hydrothermal synthesis, and when the thickness exceeds 200 μm, the flexibility is poor. This is because it is difficult to obtain a large displacement at a low voltage.

【0022】また、圧電結晶薄膜の組成は、圧電特性を
備えるものであれば、どのようなものであっても差し支
えないが、上記水熱合成によって得るのに適した組成に
設定することが好適である。このような組成としては、
ペロブスカイト(ABO3 )構造の複合酸化物があげら
れる。そして、上記Aサイトとしては、通常、Pb、B
a、Ca、Sr、LaおよびBiから選択される少なく
とも1種の元素があげられ、上記Bサイトとしては、T
i単独か、Zr、Zn、Ni、Mg、Co、W、Nb、
Sb、TaおよびFeから選択される少なくとも1種の
元素とTiとの複合物があげられる。このような複合酸
化物の例としては、Pb(Zr,Ti)O3 、PbTi
3 、BaTiO3 、SrTiO3 、(Pb,La)
(Zr,Ti)O3 等があげられ、特にPbを含有する
圧電結晶薄膜が好適である。
The composition of the piezoelectric crystal thin film may be any composition as long as it has piezoelectric properties, but it is preferable to set the composition to a composition suitable for obtaining by the above-mentioned hydrothermal synthesis. It is. As such a composition,
A composite oxide having a perovskite (ABO 3 ) structure is exemplified. And, as the above-mentioned site A, usually, Pb, B
a, Ca, Sr, La and Bi at least one element selected from the group consisting of T
i alone or Zr, Zn, Ni, Mg, Co, W, Nb,
A composite of Ti with at least one element selected from Sb, Ta and Fe can be used. Examples of such a composite oxide include Pb (Zr, Ti) O 3 , PbTi
O 3 , BaTiO 3 , SrTiO 3 , (Pb, La)
(Zr, Ti) O 3 and the like, and a piezoelectric crystal thin film containing Pb is particularly preferable.

【0023】水熱合成は、通常、上記組成を構成しうる
金属元素を含む金属塩の水溶液をアルカリ性に調整して
なる水溶液と、可撓性基板とを、オートクレーブに装入
し加圧下で加熱することにより行う。これにより、可撓
性基板の表裏面に、圧電結晶薄膜が形成される(バイモ
ルフ型)。なお、ユニモルフ型を得る場合には、可撓性
基板の片面を耐熱,耐アルカリ性のレジスト材で被覆し
て水熱合成を行うか、あるいは可撓性基板の表裏面に形
成された圧電結晶薄膜の片面を削り落とすようにする。
In the hydrothermal synthesis, usually, an aqueous solution prepared by adjusting an aqueous solution of a metal salt containing a metal element capable of constituting the above composition to alkaline, and a flexible substrate are charged into an autoclave and heated under pressure. It is done by doing. Thereby, a piezoelectric crystal thin film is formed on the front and back surfaces of the flexible substrate (bimorph type). In order to obtain a unimorph type, one side of the flexible substrate is coated with a heat-resistant and alkali-resistant resist material and hydrothermally synthesized, or a piezoelectric crystal thin film formed on the front and back surfaces of the flexible substrate is used. And scrape off one side.

【0024】このようにして得られる圧電結晶薄膜の厚
みは、通常、0.5〜100μm、特に1〜30μmに
設定することが好適である。すなわち、厚みが0.5μ
m未満では充分な出力変位が得られにくく、逆に100
μmを超えるとせっかく可撓性基板を用いているにもか
かわらず、アクチュエータの柔軟性が乏しくなるおそれ
があるからである。
It is preferable that the thickness of the piezoelectric crystal thin film thus obtained is usually set to 0.5 to 100 μm, particularly 1 to 30 μm. That is, the thickness is 0.5μ
m, it is difficult to obtain a sufficient output displacement.
If the thickness exceeds μm, the flexibility of the actuator may be poor even though the flexible substrate is used.

【0025】なお、上記水熱合成は、特開平4−342
489号公報に開示されているように、結晶核生成と結
晶成長の2段階に分けて行うようにしてもよいし、ある
いは、特開平9−217178号公報,特開平9−27
8436号公報に開示されているように、1段階のみで
合成を行ってもよい。また、特開平9−278436号
公報に開示されているように、上記オートクレーブを、
鉛直方向に振動させながら行うようにしてもよい。この
場合、例えば図3に示すように、加熱手段(図示せず)
と攪拌手段11を備えた耐熱容器(オイルバス等)12
内に、オートクレーブ10を、支受手段13,14によ
って上下可動に支受し、鉛直方向に1Hz以上、特に3
〜50Hzの振動をかけながら水熱合成を行うようにす
ることが好適である。
The above-mentioned hydrothermal synthesis is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-342.
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 489/1989, it may be performed in two stages of crystal nucleus generation and crystal growth, or disclosed in JP-A-9-217178 and JP-A-9-27.
As disclosed in Japanese Patent No. 8436, synthesis may be performed in only one step. Further, as disclosed in JP-A-9-278436, the above-mentioned autoclave is
It may be performed while vibrating in the vertical direction. In this case, for example, as shown in FIG. 3, a heating means (not shown)
And heat-resistant container (oil bath or the like) 12 provided with stirring means 11
Inside, the autoclave 10 is vertically movably supported by supporting means 13 and 14, and is 1 Hz or more in the vertical direction, particularly 3 Hz.
It is preferable to perform the hydrothermal synthesis while applying vibration of 50 Hz.

【0026】さらに、上記水熱合成によって得られた可
撓性基板−圧電結晶薄膜積層体の表面を封孔処理しても
よい(特願平8−277826号)。上記封孔処理は、
(a)樹脂、セラミック等の絶縁材料を用いて圧電結晶
薄膜の多孔質部分およびピンホールを絶縁物で埋める方
法、(b)上記積層体を高温酸化性雰囲気下に置き、薄
膜による被覆がされていないか、あるいは被覆が不充分
なピンホール部分に絶縁性酸化物皮膜を形成する方法、
のいずれかの方法により行うことができる。この封孔処
理により、得られる圧電素子の性能を向上させることが
できる。
Further, the surface of the flexible substrate-piezoelectric crystal thin film laminate obtained by the above hydrothermal synthesis may be subjected to a sealing treatment (Japanese Patent Application No. 8-277826). The sealing process,
(A) a method of filling a porous portion and a pinhole of a piezoelectric crystal thin film with an insulating material using an insulating material such as a resin or ceramic; and (b) placing the laminate in a high-temperature oxidizing atmosphere and coating with a thin film. A method of forming an insulating oxide film on pinholes that are not covered or have insufficient coating,
Can be performed by any of the methods described above. By this sealing treatment, the performance of the obtained piezoelectric element can be improved.

【0027】上記封孔処理に使用する絶縁材料またはそ
の前駆材料は、有機系、無機系のいずれでもよい。有機
系材料としては、例えばポリ塩化ビニル,ポリエチレ
ン,ポリプロピレン,ポリエステル,ポリカーボネー
ト,ポリアミド,ポリイミド,エポキシ樹脂,フェノー
ル樹脂,尿素樹脂,アクリル樹脂,ポリアセタール,ポ
リサルフォン,液晶ポリマー,PEEK(ポリエーテル
エーテルケトン)等があげられる。また、無機系材料と
しては、例えばアルミナ,ジルコニア,シリカ,チタニ
ア等の材料をベースにしたセラミックコーティング材
料、金属アルコキシドやポリシラザン等のセラミック前
駆体等があげられる。
The insulating material or its precursor used in the above-mentioned sealing treatment may be either organic or inorganic. Examples of the organic material include polyvinyl chloride, polyethylene, polypropylene, polyester, polycarbonate, polyamide, polyimide, epoxy resin, phenol resin, urea resin, acrylic resin, polyacetal, polysulfone, liquid crystal polymer, and PEEK (polyetheretherketone). Is raised. Examples of the inorganic material include a ceramic coating material based on a material such as alumina, zirconia, silica, and titania, and a ceramic precursor such as a metal alkoxide and polysilazane.

【0028】このようにして、可撓性基板両面(もしく
は片面)に圧電結晶薄膜を形成したのち、例えば図4に
示すように、その両面(もしくは片面)に、圧電結晶薄
膜16より一まわり小さく電極層20を形成することに
より、圧電素子21を得ることができる。15は可撓性
基板である。
After the piezoelectric crystal thin film is formed on both surfaces (or one surface) of the flexible substrate in this way, for example, as shown in FIG. The piezoelectric element 21 can be obtained by forming the electrode layer 20. Reference numeral 15 denotes a flexible substrate.

【0029】上記電極層20の形成は、Al、Ni、P
t、Au、Ag、Cu等の導電材料を、上記圧電結晶薄
膜16の表面に堆積させるか、これを被覆することによ
って行われる。その方法は、特に限定するものではな
く、例えば導電ペーストの塗布、無電解メッキ法、スパ
ッタリング法、化学蒸着法等を用いることができる。そ
して、上記電極層20の厚みは、通常、1μm以下、特
に0.1μm以下に設定することが好適である。
The electrode layer 20 is formed of Al, Ni, P
This is performed by depositing or coating a conductive material such as t, Au, Ag, or Cu on the surface of the piezoelectric crystal thin film 16. The method is not particularly limited, and for example, application of a conductive paste, electroless plating, sputtering, chemical vapor deposition, or the like can be used. The thickness of the electrode layer 20 is usually preferably set to 1 μm or less, particularly preferably 0.1 μm or less.

【0030】このようにして得られた圧電素子21の表
面の片端部に、図5に示すように、ミラー等の光走査手
段30を取り付けて光走査部31とし、この光走査手段
30を取り付けた方と反対の端部を、図6に示すよう
に、固定端32に固定して、全体を片持ち支受すること
により、目的とする光走査アクチュエータを得ることが
できる。
As shown in FIG. 5, an optical scanning unit 30 such as a mirror is attached to one end of the surface of the piezoelectric element 21 thus obtained to form an optical scanning unit 31, and the optical scanning unit 30 is attached. As shown in FIG. 6, the opposite end is fixed to the fixed end 32, and the whole is cantilevered, whereby a desired optical scanning actuator can be obtained.

【0031】なお、上記光走査手段30とは、光を反射
してその行路を変えるものであればどのようなものでも
よく、上記ミラーの他、例えば凹凸レンズやアルミニウ
ム蒸着フィルム等を用いることができる。そして、上記
光走査手段30の取り付け方法としては、例えば、圧電
素子21の表面を保護フィルム等で保護したのち、その
上に接着剤を介して光走査手段30を貼着する方法が採
用される。
The light scanning means 30 may be any means as long as it reflects light and changes its path. In addition to the mirror, for example, a concave / convex lens or an aluminum vapor-deposited film may be used. it can. As a method of attaching the light scanning means 30, for example, a method of protecting the surface of the piezoelectric element 21 with a protective film or the like, and then attaching the light scanning means 30 thereto via an adhesive is adopted. .

【0032】このようにして得られた光走査アクチュエ
ータは、圧電素子21が、可撓性基板15と、水熱合成
によって形成された圧電結晶薄膜16と、電極層20と
からなり(図4参照)、その圧電定数および曲げ剛性が
特定の範囲内に設定されたものであるため、全体が柔軟
で、低電圧の印加であっても大きな変位が得られ、応答
性も速い。したがって、スキャナ,バーコードリーダ等
に用いることができる。特に、共振モードを利用するこ
とにより、より大きな変位を得ることができる。そし
て、非常に薄くて嵩張らない形状に設定することがで
き、また簡単な構成であることから安価で経済的であ
る、という利点を有している。
In the optical scanning actuator thus obtained, the piezoelectric element 21 includes the flexible substrate 15, the piezoelectric crystal thin film 16 formed by hydrothermal synthesis, and the electrode layer 20 (see FIG. 4). ), Since its piezoelectric constant and bending stiffness are set within specific ranges, the whole is flexible, large displacement can be obtained even when a low voltage is applied, and the response is fast. Therefore, it can be used for a scanner, a bar code reader, and the like. In particular, a larger displacement can be obtained by using the resonance mode. And it has the advantage that it can be set to a very thin and non-bulky shape, and it is inexpensive and economical due to its simple configuration.

【0033】なお、上記の例では、圧電素子21を、バ
イモルフ型によって構成しているが、これに限らず、ユ
ニモルフ型であっても差し支えない。そして、ユニモル
フ型の場合は、金属基板(チタン基板等)を裏面電極と
して利用することができ、その場合は圧電結晶薄膜16
の表面のみに電極層20を形成すれば足りる。
In the above example, the piezoelectric element 21 is constituted by a bimorph type, but is not limited thereto, and may be a unimorph type. In the case of the unimorph type, a metal substrate (such as a titanium substrate) can be used as a back electrode.
It is sufficient to form the electrode layer 20 only on the surface of the substrate.

【0034】そして、上記圧電素子21の形成方法は、
水熱合成法に限らず、どのような方法によっても差し支
えないが、1μm以上の均一な圧電結晶薄膜16を形成
するには、上記の例のように、特開平9−217178
号公報および特開平9−278436号公報に開示され
ているような水熱合成法を用いることが最適である。そ
して、なかでも、水熱合成時に、オートクレーブ10へ
の鉛直方向の振動を、3〜50Hzの範囲内でかけ、金
属塩(例えば硝酸鉛、オキシ塩化ジルコニウム、四塩化
チタン)およびアルカリ(例えば水酸化カリウム)の混
合水溶液中の各々の濃度を下記のように設定すること
が、圧電定数0.1〜20pC/N、曲げ剛性1.0×
10-2〜1.0×103 N・mmの特性を示す圧電素子
21を得る上で、特に好適である。
The method for forming the piezoelectric element 21 is as follows.
Not limited to the hydrothermal synthesis method, any method may be used. However, in order to form a uniform piezoelectric crystal thin film 16 having a thickness of 1 μm or more, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-217178, as described above.
It is most preferable to use a hydrothermal synthesis method as disclosed in JP-A-9-278436 and JP-A-9-278436. In particular, during the hydrothermal synthesis, a vertical vibration to the autoclave 10 is applied within a range of 3 to 50 Hz, and a metal salt (for example, lead nitrate, zirconium oxychloride, titanium tetrachloride) and an alkali (for example, potassium hydroxide) )), The respective concentrations in the mixed aqueous solution can be set as follows, with a piezoelectric constant of 0.1 to 20 pC / N and a bending rigidity of 1.0 ×.
It is particularly suitable for obtaining the piezoelectric element 21 having a characteristic of 10 −2 to 1.0 × 10 3 N · mm.

【0035】 〔水熱合成時の金属塩、アルカリの好適濃度〕 硝酸鉛 0.1 〜1.0mol/リットル オキシ塩化ジルコニウム 0.05〜2.0mol/リットル 四塩化チタン 0 〜0.5mol/リットル 水酸化カリウム 2.5 〜8.0mol/リットル[Preferred Concentrations of Metal Salts and Alkali at the Time of Hydrothermal Synthesis] Lead nitrate 0.1 to 1.0 mol / l Zirconium oxychloride 0.05 to 2.0 mol / l Titanium tetrachloride 0 to 0.5 mol / l Potassium hydroxide 2.5-8.0 mol / L

【0036】すなわち、硝酸鉛が上記範囲を下回ると、
圧電素子21の圧電定数が小さくなるため、光走査アク
チュエータとしての出力が小さくなる傾向がみられ、逆
に、上記範囲を超えても、圧電素子21の圧電定数は大
きくならず、逆に、材料コストが高くなる,副生成物が
多くなり後工程の洗浄工程に負担がかかる,等のデメリ
ットが大きくなる傾向がみられる。
That is, when lead nitrate falls below the above range,
Since the piezoelectric constant of the piezoelectric element 21 decreases, the output as an optical scanning actuator tends to decrease. Conversely, even if the output exceeds the above range, the piezoelectric constant of the piezoelectric element 21 does not increase. Demerits such as an increase in cost, an increase in by-products, and an increase in the burden on the subsequent washing step tend to increase.

【0037】また、オキシ塩化ジルコニウムが上記範囲
を下回ると、上記の場合と同様、圧電素子21の圧電定
数が小さくなり、光走査アクチュエータとしての出力が
小さくなる傾向がみられ、逆に、上記範囲を超えても、
圧電素子21の圧電定数は大きくならず、逆に、材料コ
ストが高くなる,副生成物が多くなり後工程の洗浄工程
に負担がかかる,等のデメリットが大きくなる傾向がみ
られる。
When the zirconium oxychloride falls below the above range, the piezoelectric constant of the piezoelectric element 21 tends to decrease and the output as an optical scanning actuator tends to decrease as in the above case. Beyond
The piezoelectric constant of the piezoelectric element 21 does not increase, and conversely, the disadvantages such as an increase in material cost, an increase in by-products and an increase in the burden on the subsequent cleaning step tend to increase.

【0038】さらに、水酸化カリウムが上記範囲を外れ
る場合も、上記と同様の傾向がみられる。
Further, when potassium hydroxide is out of the above range, the same tendency as above is observed.

【0039】なお、四塩化チタンは、可撓性基板15か
ら充分にチタンが溶出する場合は必ずしも用いる必要は
ないが、チタンの溶出量が不足する場合には、0.5m
ol/リットルを超えない範囲で配合することが好まし
い。すなわち、四塩化チタンをそれ以上多くしても、圧
電素子21の圧電定数は大きくならず、逆に、材料コス
トが高くなる,副生成物が多くなり後工程の洗浄工程に
負担がかかる,等のデメリットが大きくなる傾向がみら
れるからである。
It is not necessary to use titanium tetrachloride when titanium is sufficiently eluted from the flexible substrate 15. However, when titanium is not sufficiently eluted, 0.5 m of titanium tetrachloride is used.
It is preferred that the compounding be performed within a range not exceeding ol / liter. That is, even if titanium tetrachloride is further increased, the piezoelectric constant of the piezoelectric element 21 does not increase, and conversely, the material cost increases, by-products increase, and a burden is imposed on the subsequent cleaning step. This is because there is a tendency for disadvantages to increase.

【0040】図7は、本発明の他の例を示している。こ
の光走査アクチュエータは、固定端32に取り付けられ
た部分と、光走査手段30を取り付けた光走査部31と
の間の中間部33を、細い幅に形成したものである。こ
の構成によれば、圧電素子21に印加して変位を与えた
場合、図6の構成に比べて、光走査部31を大きく揺動
させることができるため、変位が大きくなり、より長い
走査距離を得ることができる。また、上記のように、中
間部33を細くするだけでなく、光走査部31の裏面に
重りを付ける等、光走査部31にマスを付加すること
が、変位を大きくするポイントである。
FIG. 7 shows another example of the present invention. In this optical scanning actuator, an intermediate portion 33 between a portion attached to the fixed end 32 and an optical scanning section 31 to which the optical scanning means 30 is attached is formed with a small width. According to this configuration, when a displacement is applied to the piezoelectric element 21, the optical scanning unit 31 can swing greatly as compared with the configuration in FIG. Can be obtained. As described above, not only making the intermediate portion 33 thinner but also adding a mass to the optical scanning portion 31 such as attaching a weight to the back surface of the optical scanning portion 31 is a point for increasing the displacement.

【0041】なお、図6や図7では、圧電素子21の一
端を、別部材からなる固定端32に取り付けて固定して
いるが、例えば図8に示すように、上記固定端32を、
圧電素子21で一体的に形成することができる。この構
造によれば、圧電素子21を、いちいち固定端32に取
り付ける手間が不要となり、また、図示のように、中間
部33を細い幅に形成する場合も、この部分を打ち抜き
除去するだけでよいため、製造効率がよい。
In FIG. 6 and FIG. 7, one end of the piezoelectric element 21 is attached and fixed to a fixed end 32 made of a separate member. For example, as shown in FIG.
The piezoelectric element 21 can be integrally formed. According to this structure, it is not necessary to attach the piezoelectric element 21 to the fixed end 32 each time. Even when the intermediate portion 33 is formed to have a small width as shown in FIG. Therefore, the manufacturing efficiency is good.

【0042】そして、上記のように、固定端32を、圧
電素子21で一体的に形成する場合、例えば図9に示す
ように、圧電素子21と同様の積層構造となるシート3
4を作製しておき、これに、ミラー等の光走査手段30
を所定間隔で取り付けたのち、斜線で示す圧電素子21
の形状(図8参照)に打ち抜くようにすれば、光走査ア
クチュエータを簡単に量産することができ、好適であ
る。
When the fixed end 32 is formed integrally with the piezoelectric element 21 as described above, for example, as shown in FIG.
4 and the optical scanning means 30 such as a mirror
Are attached at predetermined intervals, and the piezoelectric elements 21 indicated by oblique lines
It is preferable that the optical scanning actuator is easily mass-produced by punching in the shape shown in FIG.

【0043】さらに、光走査部31の形状を、左右対称
形ではなく、図10(a)や同図(b)、図11に示す
ように、片側に膨出した形状にすることにより、光走査
部31を、一次方向の変位だけでなく、二次方向(ねじ
れ方向)に変位させることができ、よりきめ細かい方向
制御を行うことができる。また、光走査部31の形状は
そのままで、その先端部の偏った位置に重りを付けるこ
とにより、上記と同様、二次方向に変位させることがで
きる。
Further, the shape of the light scanning unit 31 is not a symmetrical shape but a bulge to one side as shown in FIGS. The scanning unit 31 can be displaced not only in the primary direction but also in the secondary direction (twist direction), so that finer direction control can be performed. In addition, the weight of the light scanning unit 31 can be displaced in the secondary direction in the same manner as described above by attaching a weight to a biased position of the tip of the light scanning unit 31 as it is.

【0044】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
Next, examples will be described together with comparative examples.

【0045】[0045]

【実施例1〜17】硝酸鉛、オキシ塩化ジルコニウム、
水酸化カリウム、四塩化チタンを、後記の表1〜表5に
示す割合で水に溶解した溶液360ミリリットルを、テ
フロン内張りオートクレーブ容器内に入れた。また、所
定厚みのチタン箔(チタン基板)を所定形状に切断し、
洗浄,乾燥したのち、上記オートクレーブ内に装入して
密閉した。そして、オイルバス中で、加圧下、約150
℃で約48時間、鉛直方向に、後記の表1〜表5に示す
振動を加えて水熱合成処理を行うことにより、チタン箔
の両面に、所定厚みでチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)
の結晶層を形成した。そして、RFスパッタリング法に
より、上記PZT層の表面に、厚み10nmの白金電極
層20を形成して、圧電素子21を得た。この圧電素子
21の形状寸法を、図12(a),(b)に示す。
Examples 1 to 17 Lead nitrate, zirconium oxychloride,
360 ml of a solution of potassium hydroxide and titanium tetrachloride dissolved in water at the ratios shown in Tables 1 to 5 below were placed in a Teflon-lined autoclave container. Also, a titanium foil (titanium substrate) having a predetermined thickness is cut into a predetermined shape,
After washing and drying, it was charged into the above autoclave and sealed. Then, in an oil bath, under pressure, about 150
By performing the hydrothermal synthesis treatment by applying the vibrations shown in Tables 1 to 5 below in the vertical direction at about 48 ° C. for about 48 hours, lead zirconate titanate (PZT) having a predetermined thickness is formed on both sides of the titanium foil.
Was formed. Then, a platinum electrode layer 20 having a thickness of 10 nm was formed on the surface of the PZT layer by an RF sputtering method to obtain a piezoelectric element 21. The shape and dimensions of the piezoelectric element 21 are shown in FIGS.

【0046】そして、上記圧電素子21を、図13に示
すように、固定具50によって片持ち梁構造に支受し、
その解放部分の長さが10mmとなるようにした。そし
て、図14に示すように、上記圧電素子21の端部に取
り付けられた金属端子51を利用して、支受部根元側
で、交流電源周波数特性解析機52を接続するととも
に、支受部と反対側の端縁部の変位を、レーザ変位計5
3で測定できるよう設定した。なお、上記変位の測定点
Xを、平面図である図15に示す。そして、上記交流電
源周波数特性解析機52によって1Vを印加した場合の
共振周波数における出力変位と、その周波数による走査
角度とを測定した。
Then, as shown in FIG. 13, the piezoelectric element 21 is supported by a fixture 50 in a cantilever structure,
The length of the release portion was set to 10 mm. Then, as shown in FIG. 14, an AC power supply frequency characteristic analyzer 52 is connected on the base side of the support portion by using a metal terminal 51 attached to the end of the piezoelectric element 21, and the support portion is connected. The displacement of the edge on the opposite side to the laser displacement meter 5
It was set to be able to measure in 3. The displacement measurement point X is shown in FIG. 15 which is a plan view. The output displacement at the resonance frequency when 1 V was applied and the scanning angle based on the frequency were measured by the AC power supply frequency characteristic analyzer 52.

【0047】なお、上記走査角度の測定は、つぎのよう
にして行った。すなわち、まず、図16に示すように、
圧電素子21の先端部に、光反射用のアルミニウム蒸着
フィルム54を取り付け、このフィルム面に対し45°
の角度で光源55から光を照射し、その反射光による光
投影点Yを、スクリーン56上に映すようにした。そし
て、圧電素子21に対し変位を与えた場合の、光投影点
が最下位置となる位置Y′(図17参照)と、光投影点
が最上位置となる位置Y″(図18参照)を測定し、二
つの光路がなす角度θを、「走査角度」とした。ただ
し、走査角度算出の都合上、図19に示すように、変位
を与えない状態の光路と、最上位置となる光路とがなす
角度θ′を求め、これを2倍して走査角度θとした。
The scanning angle was measured as follows. That is, first, as shown in FIG.
An aluminum vapor-deposited film 54 for light reflection was attached to the tip of the piezoelectric element
The light is emitted from the light source 55 at an angle of, and the light projection point Y by the reflected light is projected on the screen 56. When the piezoelectric element 21 is displaced, a position Y ′ where the light projection point is at the lowest position (see FIG. 17) and a position Y ″ where the light projection point is at the highest position (see FIG. 18). The angle θ between the two optical paths measured was defined as the “scan angle”. However, for the sake of calculation of the scanning angle, as shown in FIG. 19, an angle θ ′ formed between the optical path in the state where no displacement is given and the optical path at the uppermost position is obtained, and this is doubled to obtain the scanning angle θ. .

【0048】これらの測定結果を、下記の表1〜表5に
示す。また、100μm変位させるのに必要な電圧を測
定し、その必要電圧が10.5V以下のものを、光走査
アクチュエータとしての特性に優れるとして、○と判定
した。また、その他の基準(材料コスト、副生成物の量
等)についても判定し、その両方が○の場合のみ、総合
判定を○とした。これらの結果を、下記の表1〜表5に
併せて示す。
The results of these measurements are shown in Tables 1 to 5 below. Further, the voltage required for displacing 100 μm was measured, and those having a required voltage of 10.5 V or less were evaluated as ○ because the characteristics as an optical scanning actuator were excellent. In addition, other criteria (material cost, amount of by-products, etc.) were also judged. Only when both of them were ○, the comprehensive judgment was ○. The results are shown in Tables 1 to 5 below.

【0049】[0049]

【表1】 [Table 1]

【0050】[0050]

【表2】 [Table 2]

【0051】[0051]

【表3】 [Table 3]

【0052】[0052]

【表4】 [Table 4]

【0053】[0053]

【表5】 [Table 5]

【0054】[0054]

【比較例1〜3】水熱合成に用いる条件等を、下記の表
6に示すとおり変えて比較例となる光走査アクチュエー
タを得た。これらについて、上記と同様にして出力変位
を測定し、光走査アクチュエータとしての特性等を評価
した。これらの結果を、下記の表6に併せて示す。
Comparative Examples 1 to 3 The conditions and the like used for hydrothermal synthesis were changed as shown in Table 6 below to obtain optical scanning actuators as comparative examples. For these, the output displacement was measured in the same manner as described above, and the characteristics and the like as an optical scanning actuator were evaluated. The results are shown in Table 6 below.

【0055】[0055]

【表6】 [Table 6]

【0056】[0056]

【比較例4,5】下記の表7に示す積層構造の焼結品
(比較例4)およびPVDF品(比較例5)を準備し、
上記と同様にして出力変位を測定して光走査アクチュエ
ータとしての特性等を評価した。これらの結果を、下記
の表7に併せて示す。
Comparative Examples 4 and 5 A sintered product (Comparative Example 4) and a PVDF product (Comparative Example 5) having a laminated structure shown in Table 7 below were prepared.
The output displacement was measured in the same manner as above to evaluate the characteristics and the like as the optical scanning actuator. The results are shown in Table 7 below.

【0057】[0057]

【表7】 [Table 7]

【0058】[0058]

【発明の効果】以上のように、本発明の光走査アクチュ
エータは、圧電素子が、可撓性基板と圧電結晶薄膜から
なり、しかも上記圧電素子が、圧電定数0.1〜20p
C/N、曲げ剛性1.0×10-2〜1.0×103 N・
mmの特性を備えているため、全体が柔軟で、低電荷の
印加であっても大きな変位を生じ、優れた感度と応答性
を発揮する。そして、非常に薄くて嵩張らない形状に設
定することができ、また簡単な構成であることから安価
で経済的である、という利点を有している。
As described above, in the optical scanning actuator according to the present invention, the piezoelectric element is composed of a flexible substrate and a piezoelectric crystal thin film, and the piezoelectric element has a piezoelectric constant of 0.1 to 20 p.
C / N, flexural rigidity 1.0 × 10 -2 to 1.0 × 10 3 N ・
mm, it is flexible as a whole, and generates a large displacement even when a low charge is applied, thereby exhibiting excellent sensitivity and responsiveness. And it has the advantage that it can be set to a very thin and non-bulky shape, and it is inexpensive and economical due to its simple configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a),(b)は圧電素子の出力電圧測定法の
説明図である。
FIGS. 1A and 1B are explanatory diagrams of a method for measuring an output voltage of a piezoelectric element.

【図2】圧電素子の出力電圧測定法の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a method for measuring an output voltage of a piezoelectric element.

【図3】本発明に用いる圧電素子の製法の説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a method for manufacturing a piezoelectric element used in the present invention.

【図4】本発明に用いる圧電素子の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a piezoelectric element used in the present invention.

【図5】上記圧電素子に光走査手段を取り付けた状態の
説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view showing a state where an optical scanning unit is attached to the piezoelectric element.

【図6】上記圧電素子を固定端に取り付けて得られる本
発明の光走査アクチュエータの説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of an optical scanning actuator of the present invention obtained by attaching the piezoelectric element to a fixed end.

【図7】上記光走査アクチュエータの変形例の説明図で
ある。
FIG. 7 is an explanatory diagram of a modified example of the optical scanning actuator.

【図8】上記光走査アクチュエータの他の変形例の説明
図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram of another modified example of the optical scanning actuator.

【図9】上記他の変形例の製法の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a manufacturing method of another modified example.

【図10】(a),(b)はともに本発明の光走査部の
変形例の説明図である。
FIGS. 10A and 10B are explanatory diagrams of a modification of the optical scanning unit of the present invention.

【図11】本発明の光走査部の他の変形例の説明図であ
る。
FIG. 11 is an explanatory diagram of another modified example of the optical scanning unit of the present invention.

【図12】(a)は実施例で得られた圧電素子の平面
図、(b)はその正面図である。
FIG. 12A is a plan view of a piezoelectric element obtained in an example, and FIG. 12B is a front view thereof.

【図13】上記実施例の出力変位を測定する方法の説明
図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram of a method for measuring output displacement according to the embodiment.

【図14】上記実施例の出力変位を測定する方法の説明
図である。
FIG. 14 is an explanatory diagram of a method for measuring an output displacement according to the embodiment.

【図15】上記実施例の出力変位を測定する方法の説明
図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram of a method of measuring output displacement according to the embodiment.

【図16】上記実施例の走査角度を測定する方法の説明
図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram of a method of measuring a scanning angle according to the embodiment.

【図17】上記実施例の走査角度を測定する方法の説明
図である。
FIG. 17 is an explanatory diagram of a method for measuring a scanning angle according to the embodiment.

【図18】上記実施例の走査角度を測定する方法の説明
図である。
FIG. 18 is an explanatory diagram of a method for measuring a scanning angle according to the embodiment.

【図19】上記実施例の走査角度を測定する方法の説明
図である。
FIG. 19 is an explanatory diagram of a method for measuring a scanning angle according to the embodiment.

【図20】従来の光走査アクチュエータの説明図であ
る。
FIG. 20 is an explanatory diagram of a conventional optical scanning actuator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 圧電素子 30 光走査手段 31 光走査部 Reference Signs List 21 piezoelectric element 30 light scanning means 31 light scanning unit

フロントページの続き (72)発明者 日比野 真吾 愛知県小牧市大字北外山字哥津3600番地 東海ゴム工業株式会社内 Fターム(参考) 2H045 AB81 BA02 BA12 BA18 Continuation of the front page (72) Inventor Shingo Hibino 3600, Gezu, Kitai-gaiyama, Komaki-shi, Aichi F-term in Tokai Rubber Industries Co., Ltd. (reference) 2H045 AB81 BA02 BA12 BA18

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 可撓性基板の片面もしくは両面に圧電結
晶薄膜が形成され、この圧電結晶薄膜に電極が取り付け
られた圧電素子を備えた略板状のアクチュエータにおい
て、全体を支受する固定部と、表面に光走査手段を有す
る光走査部とが設けられており、上記圧電素子の圧電定
数が0.1〜20pC/N、曲げ剛性が1.0×10-2
〜1.0×103 N・mmに設定されていることを特徴
とする光走査アクチュエータ。
1. A substantially plate-shaped actuator having a piezoelectric element in which a piezoelectric crystal thin film is formed on one or both surfaces of a flexible substrate, and an electrode is attached to the piezoelectric crystal thin film. And an optical scanning unit having optical scanning means on the surface, wherein the piezoelectric element has a piezoelectric constant of 0.1 to 20 pC / N and a bending rigidity of 1.0 × 10 −2.
An optical scanning actuator, which is set to 1.0 × 10 3 N · mm.
【請求項2】 上記光走査部にマスが付加されている請
求項1記載の光走査アクチュエータ。
2. The optical scanning actuator according to claim 1, wherein a mass is added to the optical scanning unit.
【請求項3】 上記圧電結晶薄膜が鉛を含有する複合酸
化物薄膜である請求項1または2に記載の光走査アクチ
ュエータ。
3. The optical scanning actuator according to claim 1, wherein the piezoelectric crystal thin film is a composite oxide thin film containing lead.
【請求項4】 上記圧電結晶薄膜が水熱合成によって形
成されたものである請求項1〜3のいずれか一項に記載
の光走査アクチュエータ。
4. The optical scanning actuator according to claim 1, wherein the piezoelectric crystal thin film is formed by hydrothermal synthesis.
【請求項5】 上記圧電結晶薄膜が、水熱合成時に、鉛
直方向に3〜50Hzの振動をかけながら形成されたも
のである請求項4記載の光走査アクチュエータ。
5. The optical scanning actuator according to claim 4, wherein the piezoelectric crystal thin film is formed while applying a vibration of 3 to 50 Hz in a vertical direction during hydrothermal synthesis.
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