JP2001118838A - プラズマｃｖｄ装置用クリーニング装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置用クリーニング装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】エッチング性能の優れたプラズマＣＶＤ装置用
クリーニング装置を提供する。 【解決手段】プラズマＣＶＤ装置用クリーニング装置
を、プラズマＣＶＤ装置反応室１に接続され、管壁内に
該壁の温度を制御する第１の温度制御手段を有し、プラ
ズマＣＶＤ装置反応室１内にフッ素ラジカルを導入する
導入管４と、該導入管に接続され、器壁内に該壁の温度
を制御する第２の温度制御手段を有するフッ素ラジカル
発生器３と、該発生器に接続されフッ素含有クリーニン
グガスにマイクロ波を照射してフッ素ラジカルを生成さ
せるマイクロ波発生器２と、第１および第２の温度制御
手段に接続される熱交換器５とから構成し、導入管４お
よびフッ素ラジカル発生器３内でのフッ素ラジカルのエ
ネルギー低下を抑制する。
クリーニング装置を提供する。 【解決手段】プラズマＣＶＤ装置用クリーニング装置
を、プラズマＣＶＤ装置反応室１に接続され、管壁内に
該壁の温度を制御する第１の温度制御手段を有し、プラ
ズマＣＶＤ装置反応室１内にフッ素ラジカルを導入する
導入管４と、該導入管に接続され、器壁内に該壁の温度
を制御する第２の温度制御手段を有するフッ素ラジカル
発生器３と、該発生器に接続されフッ素含有クリーニン
グガスにマイクロ波を照射してフッ素ラジカルを生成さ
せるマイクロ波発生器２と、第１および第２の温度制御
手段に接続される熱交換器５とから構成し、導入管４お
よびフッ素ラジカル発生器３内でのフッ素ラジカルのエ
ネルギー低下を抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置
用クリーニング装置に関し、特に成膜後のプラズマＣＶ
Ｄ装置反応室内のクリーニング性を向上したクリーニン
グ装置の構造に関するものである。
用クリーニング装置に関し、特に成膜後のプラズマＣＶ
Ｄ装置反応室内のクリーニング性を向上したクリーニン
グ装置の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置は酸化シリコン膜や
窒化シリコン膜等の薄膜を半導体装置に成膜するための
装置として広く使用されているが、反応室の壁には、そ
れらの膜が徐々に堆積する。反応室の壁に堆積した膜は
剥離して半導体装置の表面に再付着して半導体装置の製
造歩留まりや品質に影響するために、特開平８―２５３
８６３号公報に開示されているようなプラズマＣＶＤ装
置の反応室側壁に温度制御された温水を循環させ、側壁
への膜の堆積をなるべく減少させる工夫もなされている
が、一般にはプラズマＣＶＤ装置にクリーニング装置を
接続して活性化したクリーニング用ガス（フッ素ラジカ
ル）を反応室に導入して反応室の壁の堆積膜をエッチン
グすることが行われている。
窒化シリコン膜等の薄膜を半導体装置に成膜するための
装置として広く使用されているが、反応室の壁には、そ
れらの膜が徐々に堆積する。反応室の壁に堆積した膜は
剥離して半導体装置の表面に再付着して半導体装置の製
造歩留まりや品質に影響するために、特開平８―２５３
８６３号公報に開示されているようなプラズマＣＶＤ装
置の反応室側壁に温度制御された温水を循環させ、側壁
への膜の堆積をなるべく減少させる工夫もなされている
が、一般にはプラズマＣＶＤ装置にクリーニング装置を
接続して活性化したクリーニング用ガス（フッ素ラジカ
ル）を反応室に導入して反応室の壁の堆積膜をエッチン
グすることが行われている。
【０００３】図４は、従来のプラズマＣＶＤ装置に接続
されたクリーニング装置の模型図である。図中符号１は
プラズマＣＶＤ装置反応室、４はプラズマＣＶＤ装置反
応室１に接続された導入管であり、成膜した導体装置を
取り出した後、この導入管４を介して活性化されたクリ
ーニングガスがプラズマＣＶＤ装置反応室１内に導入さ
れ、プラズマＣＶＤ装置反応室１の壁（表示していな
い）に付着した膜（表示していない）がエッチングされ
てプラズマＣＶＤ装置反応室１内がクリーニングされ
る。符号３はフッ素ラジカル発生器であり、また、符号
２はフッ素ラジカル発生器３に接続されマイクロ波を発
生させるためのマイクロ波発生器である。フッ素ラジカ
ル発生器３内に導入されたフッ素含有クリーニングガス
（ＣＦ４等）はマイクロ波発生器２から発生したマイク
ロ波を吸収してフッ素ラジカルを生成する。このフッ素
ラジカルが導入管４からプラズマＣＶＤ装置反応室１内
に導入され、プラズマＣＶＤ装置反応室１の壁に堆積さ
れている膜をエッチング除去する。フッ素ラジカル発生
器３の壁内には純水等の冷却水の通水道（表示していな
い）が設けられ、外部よりその通水道にホース６を接続
し、常温の純水を循環させてフッ素ラジカル発生器の壁
温度の上がり過ぎるのを制御している。
されたクリーニング装置の模型図である。図中符号１は
プラズマＣＶＤ装置反応室、４はプラズマＣＶＤ装置反
応室１に接続された導入管であり、成膜した導体装置を
取り出した後、この導入管４を介して活性化されたクリ
ーニングガスがプラズマＣＶＤ装置反応室１内に導入さ
れ、プラズマＣＶＤ装置反応室１の壁（表示していな
い）に付着した膜（表示していない）がエッチングされ
てプラズマＣＶＤ装置反応室１内がクリーニングされ
る。符号３はフッ素ラジカル発生器であり、また、符号
２はフッ素ラジカル発生器３に接続されマイクロ波を発
生させるためのマイクロ波発生器である。フッ素ラジカ
ル発生器３内に導入されたフッ素含有クリーニングガス
（ＣＦ４等）はマイクロ波発生器２から発生したマイク
ロ波を吸収してフッ素ラジカルを生成する。このフッ素
ラジカルが導入管４からプラズマＣＶＤ装置反応室１内
に導入され、プラズマＣＶＤ装置反応室１の壁に堆積さ
れている膜をエッチング除去する。フッ素ラジカル発生
器３の壁内には純水等の冷却水の通水道（表示していな
い）が設けられ、外部よりその通水道にホース６を接続
し、常温の純水を循環させてフッ素ラジカル発生器の壁
温度の上がり過ぎるのを制御している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４の従来のプラズマ
ＣＶＤ装置においては、フッ素ラジカル発生器３の壁の
温度上昇を制御するためにその壁内に設けられた通水道
に常温の純水を循環させているが、常温の純水を循環す
る際にフッ素ラジカル発生器３の壁の温度が局部的に下
がり、マイクロ波の吸収で発生したフッ素ラジカルのエ
ネルギーを奪い、プラズマＣＶＤ装置反応室１の壁の堆
積膜のエッチング速度を低下させ、堆積膜残りを発生さ
せる問題があった。プラズマＣＶＤ装置反応室１の壁に
エッチングされずに残った堆積膜は、やがて壁から剥離
して半導体Ｓｉ膜上に再付着して、半導体装置製造にお
けるパーティクル残り等の品質問題の一因となる。
ＣＶＤ装置においては、フッ素ラジカル発生器３の壁の
温度上昇を制御するためにその壁内に設けられた通水道
に常温の純水を循環させているが、常温の純水を循環す
る際にフッ素ラジカル発生器３の壁の温度が局部的に下
がり、マイクロ波の吸収で発生したフッ素ラジカルのエ
ネルギーを奪い、プラズマＣＶＤ装置反応室１の壁の堆
積膜のエッチング速度を低下させ、堆積膜残りを発生さ
せる問題があった。プラズマＣＶＤ装置反応室１の壁に
エッチングされずに残った堆積膜は、やがて壁から剥離
して半導体Ｓｉ膜上に再付着して、半導体装置製造にお
けるパーティクル残り等の品質問題の一因となる。
【０００５】本発明者は、フッ素ラジカル発生器および
導入管４の壁に通水道を設け、そこに温度制御された温
純水を循環することにより、フッ素ラジカルの活性低下
を抑制し、プラズマＣＶＤ装置反応室の壁の堆積膜が効
果的にエッチングされ、堆積膜のエッチング残りを防止
できることを見出し本発明をするに至った。
導入管４の壁に通水道を設け、そこに温度制御された温
純水を循環することにより、フッ素ラジカルの活性低下
を抑制し、プラズマＣＶＤ装置反応室の壁の堆積膜が効
果的にエッチングされ、堆積膜のエッチング残りを防止
できることを見出し本発明をするに至った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置用クリーニング装置は、プラズマＣＶＤ装置反応室
に接続され、管壁内に該壁の温度を制御する第１の温度
制御手段を有し、前記反応室内にフッ素ラジカルを導入
する導入管と、該導入管に接続され、器壁内に該器壁の
温度を制御する第２の温度制御手段を有するフッ素ラジ
カル発生器と、該発生器に接続されフッ素含有クリーニ
ングガスにマイクロ波を照射してフッ素ラジカルを生成
させるマイクロ波発生器と、前記第１および第２の温度
制御手段に接続される熱交換器とから構成されることを
特徴とする。
装置用クリーニング装置は、プラズマＣＶＤ装置反応室
に接続され、管壁内に該壁の温度を制御する第１の温度
制御手段を有し、前記反応室内にフッ素ラジカルを導入
する導入管と、該導入管に接続され、器壁内に該器壁の
温度を制御する第２の温度制御手段を有するフッ素ラジ
カル発生器と、該発生器に接続されフッ素含有クリーニ
ングガスにマイクロ波を照射してフッ素ラジカルを生成
させるマイクロ波発生器と、前記第１および第２の温度
制御手段に接続される熱交換器とから構成されることを
特徴とする。
【０００７】上記の本発明の構成において、前記第１お
よび前記第２の温度制御手段は同じ熱交換器に接続して
もよく、また別々の熱交換器に接続してもよい。
よび前記第２の温度制御手段は同じ熱交換器に接続して
もよく、また別々の熱交換器に接続してもよい。
【０００８】上記の本発明の構成における前記第１およ
び第２の温度制御手段として前記導入管の前記管壁内お
よび前記フッ素ラジカル発生器の前記器壁内に温純水を
循環するために設けられた循環温純水通水道を使用する
ができる。
び第２の温度制御手段として前記導入管の前記管壁内お
よび前記フッ素ラジカル発生器の前記器壁内に温純水を
循環するために設けられた循環温純水通水道を使用する
ができる。
【０００９】前記導入管の管壁および前記フッ素ラジカ
ル発生器の器壁の温度は、これらの壁内の前記循環温純
水通水道に４５〜６０℃の温純水を循環することにより
４５〜６０℃に制御される。
ル発生器の器壁の温度は、これらの壁内の前記循環温純
水通水道に４５〜６０℃の温純水を循環することにより
４５〜６０℃に制御される。
【００１０】本発明では、フッ素ラジカルをプラズマＣ
ＶＤ装置反応室に導入するための導入管およびフッ素含
有クリーニングガスがマイクロ波を吸収して活性化され
フッ素ラジカルを生成するフッ素ラジカル発生器の壁の
温度を４５〜６０℃に制御することにより、これらの壁
に衝突したフッ素ラジカルのエネルギー低下を抑制し、
プラズマＣＶＤ装置反応室の壁にＣＶＤ反応により析出
した堆積膜を安定した速度でエッチング除去してクリー
ニングできるために、プラズマＣＶＤ装置内のパーティ
クルによる半導体装置の品質低下を防止できる。
ＶＤ装置反応室に導入するための導入管およびフッ素含
有クリーニングガスがマイクロ波を吸収して活性化され
フッ素ラジカルを生成するフッ素ラジカル発生器の壁の
温度を４５〜６０℃に制御することにより、これらの壁
に衝突したフッ素ラジカルのエネルギー低下を抑制し、
プラズマＣＶＤ装置反応室の壁にＣＶＤ反応により析出
した堆積膜を安定した速度でエッチング除去してクリー
ニングできるために、プラズマＣＶＤ装置内のパーティ
クルによる半導体装置の品質低下を防止できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態のプラ
ズマＣＶＤ装置用クリーニング装置について図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態
のプラズマＣＶＤ装置用クリーニング装置の構成概略図
である。
ズマＣＶＤ装置用クリーニング装置について図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態
のプラズマＣＶＤ装置用クリーニング装置の構成概略図
である。
【００１２】本発明のプラズマＣＶＤ装置用クリーニン
グ装置は、プラズマＣＶＤ装置反応室１に接続され、そ
の壁に第１の温度制御手段として温度制御された温純水
を循環するための通水道（以下、循環温純水通水道と称
す）を有し、エッチング用のフッ素ラジカルをプラズマ
ＣＶＤ装置反応室1内に導入するための導入管４と、導
入管４に接続され、その壁に第２の温度制御手段として
循環温純水通水道を有し、導入されたフッ素含有クリー
ニングガスからフッ素ラジカルを発生させるためのフッ
素ラジカル発生器３と、フッ素ラジカル発生器３内に導
入したフッ素含有クリーニングガスにマイクロ波を照射
するためのマイクロ波発生器２と、前記温純水の温度を
制御するための熱交換器５とから構成されている。
グ装置は、プラズマＣＶＤ装置反応室１に接続され、そ
の壁に第１の温度制御手段として温度制御された温純水
を循環するための通水道（以下、循環温純水通水道と称
す）を有し、エッチング用のフッ素ラジカルをプラズマ
ＣＶＤ装置反応室1内に導入するための導入管４と、導
入管４に接続され、その壁に第２の温度制御手段として
循環温純水通水道を有し、導入されたフッ素含有クリー
ニングガスからフッ素ラジカルを発生させるためのフッ
素ラジカル発生器３と、フッ素ラジカル発生器３内に導
入したフッ素含有クリーニングガスにマイクロ波を照射
するためのマイクロ波発生器２と、前記温純水の温度を
制御するための熱交換器５とから構成されている。
【００１３】熱交換器５は、温純水の貯蔵タンクである
加熱ヒーター１９が設置された循環温純水タンク１２
と、温純水の循環路に接続され温純水を導入管４に送る
ための循環ポンプと、温純水の循環路に設置された温度
センサー９と、温度センサー９で測定した温度により加
熱ヒーター１９と冷却水のバルブ１１を調節して温純水
の温度を制御するための温調器１０と、温純水の循環路
に設けられ、温純水の循環量をチェックする流量計７と
から構成されている。熱交換器５の温純水の循環路はホ
ース６ａおよびホース６ｃによりそれぞれ導入管４とフ
ッ素ラジカル発生器３の温純水の通水道の継ぎ手（表示
していない）に接続されている。また、導入管４とフッ
素ラジカル発生器３の通水道はホース６ｂにより接続さ
れている。
加熱ヒーター１９が設置された循環温純水タンク１２
と、温純水の循環路に接続され温純水を導入管４に送る
ための循環ポンプと、温純水の循環路に設置された温度
センサー９と、温度センサー９で測定した温度により加
熱ヒーター１９と冷却水のバルブ１１を調節して温純水
の温度を制御するための温調器１０と、温純水の循環路
に設けられ、温純水の循環量をチェックする流量計７と
から構成されている。熱交換器５の温純水の循環路はホ
ース６ａおよびホース６ｃによりそれぞれ導入管４とフ
ッ素ラジカル発生器３の温純水の通水道の継ぎ手（表示
していない）に接続されている。また、導入管４とフッ
素ラジカル発生器３の通水道はホース６ｂにより接続さ
れている。
【００１４】循環する温純水の温度は、温純水の循環路
に設置された温調器１０の温度センサー９により感知さ
れ、所定の温度より低い場合には、循環タンク内の加熱
ヒーター１２を作動させ、また所定の温度よりも高い場
合には、冷却水(常温)の配管のバルブ１１を開いて冷却
水を循環タンク内に加えて温度を下げ、所定の温度にな
るように制御される。このように、温度制御された温純
水を導入管４およびフッ素ラジカル発生器３の壁内に循
環することにより、導入管４およびフッ素ラジカル発生
器３の壁の温度を所定の温度に制御でき、生成したフッ
素ラジカルがこれらの壁に衝突した場合でも、フッ素ラ
ジカルのエネルギー低下を抑制できる。その結果、プラ
ズマＣＶＤ装置反応室の壁に析出した堆積膜を安定した
速度でエッチング除去できる。
に設置された温調器１０の温度センサー９により感知さ
れ、所定の温度より低い場合には、循環タンク内の加熱
ヒーター１２を作動させ、また所定の温度よりも高い場
合には、冷却水(常温)の配管のバルブ１１を開いて冷却
水を循環タンク内に加えて温度を下げ、所定の温度にな
るように制御される。このように、温度制御された温純
水を導入管４およびフッ素ラジカル発生器３の壁内に循
環することにより、導入管４およびフッ素ラジカル発生
器３の壁の温度を所定の温度に制御でき、生成したフッ
素ラジカルがこれらの壁に衝突した場合でも、フッ素ラ
ジカルのエネルギー低下を抑制できる。その結果、プラ
ズマＣＶＤ装置反応室の壁に析出した堆積膜を安定した
速度でエッチング除去できる。
【００１５】図２は図１の導入管およびフッ素ラジカル
発生器の詳細断面図である。図２のように、フッ素ラジ
カル発生器３及び導入管４には、循環する温純水を流す
為の循環温純水通水道１４が設けられており、両者間の
循環温純水通水道１４はホース６ｂにより接続されてい
る。熱交換器から循環されてきた温純水はホース６ａを
経由して導入管４の通水道に入り、ホース６ｂを経由し
てフッ素ラジカル発生器３の通水道１４に入り、フッ素
ラジカル発生器の通水道に接続されたホース６ｃを経由
して熱交換器５の循環温純水タンク１２(図１参照)にも
どされる。
発生器の詳細断面図である。図２のように、フッ素ラジ
カル発生器３及び導入管４には、循環する温純水を流す
為の循環温純水通水道１４が設けられており、両者間の
循環温純水通水道１４はホース６ｂにより接続されてい
る。熱交換器から循環されてきた温純水はホース６ａを
経由して導入管４の通水道に入り、ホース６ｂを経由し
てフッ素ラジカル発生器３の通水道１４に入り、フッ素
ラジカル発生器の通水道に接続されたホース６ｃを経由
して熱交換器５の循環温純水タンク１２(図１参照)にも
どされる。
【００１６】フッ素ラジカル発生器３は内側壁がサファ
イヤチューブ１８と外側壁がクオーツチューブ１７から
なる真空室１６から構成され、クオーツチューブ１７と
サファイヤチューブ１８間に温純水を流すための循環温
純水通水道１４が設けられている。図中符号１３はフッ
素ゴムＯリング、１５はラジカル発生器ハウジングを示
す。導入管４はＡｌ母材から構成されている。その壁内
に循環温純水通水道１４が設けられている。
イヤチューブ１８と外側壁がクオーツチューブ１７から
なる真空室１６から構成され、クオーツチューブ１７と
サファイヤチューブ１８間に温純水を流すための循環温
純水通水道１４が設けられている。図中符号１３はフッ
素ゴムＯリング、１５はラジカル発生器ハウジングを示
す。導入管４はＡｌ母材から構成されている。その壁内
に循環温純水通水道１４が設けられている。
【００１７】図３に示した従来のプラズマＣＶＤ装置用
クリーニング装置では、ＣＦ４ガスのクリーニングガス
を使用した場合、反応室の壁に堆積した窒化シリコン膜
のエッチング速度として２００〜２５０ｎｍ／分の値
（常温純水循環量：３５ｌ／分）が得られたが、図１に
示す本発明のプラズマＣＶＤ装置用クリーニング装置で
はエッチング速度として２５０〜３００ｎｍ／分の値
（温純水（４５℃）循環量：３５ｌ／分）が得られ、従
来よりも増加することが確認された。
クリーニング装置では、ＣＦ４ガスのクリーニングガス
を使用した場合、反応室の壁に堆積した窒化シリコン膜
のエッチング速度として２００〜２５０ｎｍ／分の値
（常温純水循環量：３５ｌ／分）が得られたが、図１に
示す本発明のプラズマＣＶＤ装置用クリーニング装置で
はエッチング速度として２５０〜３００ｎｍ／分の値
（温純水（４５℃）循環量：３５ｌ／分）が得られ、従
来よりも増加することが確認された。
【００１８】なお、本発明においては、循環する温純水
の温度は４５〜６０℃が適当であり、温度が４５℃より
も下がるか６０℃よりも高くなると循環する温純水の温
度制御精度が低下する。温純水の循環量は１０〜４０ｌ
／分で制御される。なお、図１において、導入管４およ
びフッ素ラジカル発生器３の温純水の循環方向は導入管
４の上部から入ってフッ素ラジカル発生器３の下部から
出て熱交換器５にもどる方向であったが、この逆でも構
わない。
の温度は４５〜６０℃が適当であり、温度が４５℃より
も下がるか６０℃よりも高くなると循環する温純水の温
度制御精度が低下する。温純水の循環量は１０〜４０ｌ
／分で制御される。なお、図１において、導入管４およ
びフッ素ラジカル発生器３の温純水の循環方向は導入管
４の上部から入ってフッ素ラジカル発生器３の下部から
出て熱交換器５にもどる方向であったが、この逆でも構
わない。
【００１９】次に本発明の第２の実施の形態のプラズマ
ＣＶＤ装置用クリーニング装置について図面を参照して
説明する。図３は本発明の第２の実施の形態のプラズマ
ＣＶＤ装置用クリーニング装置の構成概略図である。本
実施の形態では、フッ素ラジカル導入管４とフッ素ラジ
カル発生器３に循環する温純水の温度制御を同じ構造の
二つの熱交換器５，５ａで別々に行う場合である。フッ
素ラジカル導入管４とフッ素ラジカル発生器３の温純水
の温度を個別に制御することにより、フッ素ラジカルの
温度をより精度よく制御でき、プラズマＣＶＤ装置の反
応室の壁に堆積した膜をより安定した速度でエッチング
できる。なお、図３において図１と同じ符号のものは図
１と同じものを意味している。また、図中符号２０，２
１は熱交換器５の温純水循環路と導入管４の循環温純水
通水道を接続するホースであり、符号２２，２３は熱交
換器５ａの温純水循環路とフッ素ラジカル発生器３の循
環温純水通水道を接続するホースである。熱交換器５ａ
の温調器１０ａ，温度センサー９ａ，循環ポンプ８ａ，
流量計７ａ，加熱ヒーター１９ａ，循環温純水タンク１
２ａ，バルブ１１ａは熱交換器５の対応する構成部品と
同様なものである。
ＣＶＤ装置用クリーニング装置について図面を参照して
説明する。図３は本発明の第２の実施の形態のプラズマ
ＣＶＤ装置用クリーニング装置の構成概略図である。本
実施の形態では、フッ素ラジカル導入管４とフッ素ラジ
カル発生器３に循環する温純水の温度制御を同じ構造の
二つの熱交換器５，５ａで別々に行う場合である。フッ
素ラジカル導入管４とフッ素ラジカル発生器３の温純水
の温度を個別に制御することにより、フッ素ラジカルの
温度をより精度よく制御でき、プラズマＣＶＤ装置の反
応室の壁に堆積した膜をより安定した速度でエッチング
できる。なお、図３において図１と同じ符号のものは図
１と同じものを意味している。また、図中符号２０，２
１は熱交換器５の温純水循環路と導入管４の循環温純水
通水道を接続するホースであり、符号２２，２３は熱交
換器５ａの温純水循環路とフッ素ラジカル発生器３の循
環温純水通水道を接続するホースである。熱交換器５ａ
の温調器１０ａ，温度センサー９ａ，循環ポンプ８ａ，
流量計７ａ，加熱ヒーター１９ａ，循環温純水タンク１
２ａ，バルブ１１ａは熱交換器５の対応する構成部品と
同様なものである。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置用クリーニング装置では、導入管およびフッ
素ラジカル発生器の壁に循環温純水通水道を設け、その
中に温度制御された温純水を循環することにより次のよ
うな効果が得られる。導入管およびフッ素ラジカル発生
器の壁の温度が所定の温度に保たれ，局部的に低温にな
ることはないので、これらの壁に衝突したフッ素ラジカ
ルのエネルギー減少を抑制することができ、プラズマＣ
ＶＤ装置反応室の壁の堆積膜を安定した速度でエッチン
グ除去できる効果がある。プラズマＣＶＤ装置反応室の
壁の堆積膜が完全に除去できるために、半導体装置のパ
ーティクルによる品質低下を防止できる。
ＣＶＤ装置用クリーニング装置では、導入管およびフッ
素ラジカル発生器の壁に循環温純水通水道を設け、その
中に温度制御された温純水を循環することにより次のよ
うな効果が得られる。導入管およびフッ素ラジカル発生
器の壁の温度が所定の温度に保たれ，局部的に低温にな
ることはないので、これらの壁に衝突したフッ素ラジカ
ルのエネルギー減少を抑制することができ、プラズマＣ
ＶＤ装置反応室の壁の堆積膜を安定した速度でエッチン
グ除去できる効果がある。プラズマＣＶＤ装置反応室の
壁の堆積膜が完全に除去できるために、半導体装置のパ
ーティクルによる品質低下を防止できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態のプラズマＣＶＤ装
置用クリーニング装置の構成概略図である。
置用クリーニング装置の構成概略図である。
【図２】図１の導入管およびフッ素ラジカル発生器の詳
細断面図である。
細断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態のプラズマＣＶＤ装
置用クリーニング装置の構成概略図である。
置用クリーニング装置の構成概略図である。
【図４】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成概略図であ
る。
る。
１ プラズマＣＶＤ装置反応室 ２ マイクロ波発生器 ３ フッ素ラジカル発生器 ４ 導入管 ５，５ａ 熱交換器 ６，６ａ，６ｂ，６ｃ，２０，２１，２２，２３ ホ
ース ７，７ａ 流量計 ８，８ａ 循環ポンプ ９ 温度センサー １０，１０ａ 温調器 １１，１１ａ バルブ １２，１２ａ 循環温純水タンク １３ フッ素ゴムＯリング １４ 循環温純水通水道 １５ ラジカル発生器ハウジング １６ 真空室 １７ クオーツチューブ １８ サファイヤチューブ １９ 加熱ヒーター
ース ７，７ａ 流量計 ８，８ａ 循環ポンプ ９ 温度センサー １０，１０ａ 温調器 １１，１１ａ バルブ １２，１２ａ 循環温純水タンク １３ フッ素ゴムＯリング １４ 循環温純水通水道 １５ ラジカル発生器ハウジング １６ 真空室 １７ クオーツチューブ １８ サファイヤチューブ １９ 加熱ヒーター
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマＣＶＤ装置反応室に接続され、
管壁内に該壁の温度を制御する第１の温度制御手段を有
し、前記反応室内にフッ素ラジカルを導入する導入管
と、該導入管に接続され、器壁内に該器壁の温度を制御
する第２の温度制御手段を有するフッ素ラジカル発生器
と、該発生器に接続されフッ素含有クリーニングガスに
マイクロ波を照射してフッ素ラジカルを生成させるマイ
クロ波発生器と、前記第１および第２の温度制御手段に
接続される熱交換器とから構成されることを特徴とする
プラズマＣＶＤ装置用クリーニング装置。 - 【請求項２】 前記第１および前記第２の温度制御手段
が別々の熱交換器に接続されることを特徴とする請求項
１記載のプラズマＣＶＤ装置用クリーニング装置。 - 【請求項３】 前記第１および第２の温度制御手段とし
て前記導入管の前記管壁内および前記フッ素ラジカル発
生器の前記器壁内に所定の温度の温純水を循環するため
に設けられた循環温純水通水道を使用することを特徴と
する請求項１または２記載のプラズマＣＶＤ装置用クリ
ーニング装置。 - 【請求項４】 前記管壁および前記器壁の温度が４５〜
６０℃に制御されることを特徴する請求項１記載のプラ
ズマＣＶＤ装置用クリーニング装置。 - 【請求項５】 前記フッ素ラジカル発生器が内側がサフ
ァイヤチューブと外側がクオーツチューブからなる真空
室から構成され、前記サファイヤチューブと前記クオー
ツチューブの間に前記循環温純水通水道が設けられてい
ることを特徴とする請求項３記載のプラズマＣＶＤ装置
用クリーニング装置。 - 【請求項６】 前記導入管がアルミニウム母材から構成
され、その管壁内に前記循環温純水通水道が設けられて
いることを特徴する請求項３記載のプラズマＣＶＤ装置
用クリーニング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30103499A JP3317940B2 (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | プラズマｃｖｄ装置用クリーニング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30103499A JP3317940B2 (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | プラズマｃｖｄ装置用クリーニング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118838A true JP2001118838A (ja) | 2001-04-27 |
| JP3317940B2 JP3317940B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=17892066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30103499A Expired - Fee Related JP3317940B2 (ja) | 1999-10-22 | 1999-10-22 | プラズマｃｖｄ装置用クリーニング装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3317940B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100372052C (zh) * | 2004-06-18 | 2008-02-27 | 友达光电股份有限公司 | 可调节输入气体温度的制作设备 |
| WO2010045538A2 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for rapidly responsive heat control in plasma processing devices |
| WO2017139906A1 (zh) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 王守国 | 一种等离子体加热器 |
-
1999
- 1999-10-22 JP JP30103499A patent/JP3317940B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2010045538A2 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for rapidly responsive heat control in plasma processing devices |
| WO2010045538A3 (en) * | 2008-10-17 | 2010-07-15 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for rapidly responsive heat control in plasma processing devices |
| KR101455249B1 (ko) | 2008-10-17 | 2014-10-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 프로세싱 장치 내 신속 반응성 열 제어를 위한 방법 및 장치 |
| US8895889B2 (en) | 2008-10-17 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for rapidly responsive heat control in plasma processing devices |
| US9155134B2 (en) | 2008-10-17 | 2015-10-06 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for rapidly responsive heat control in plasma processing devices |
| WO2017139906A1 (zh) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 王守国 | 一种等离子体加热器 |
| US10412819B2 (en) | 2016-02-17 | 2019-09-10 | Qilu University Of Technology | Plasma heater |
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|---|---|
| JP3317940B2 (ja) | 2002-08-26 |
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