JP2001112234A - Motor, stage, exposing apparatus, and drive control method for motor - Google Patents
Motor, stage, exposing apparatus, and drive control method for motorInfo
- Publication number
- JP2001112234A JP2001112234A JP28250099A JP28250099A JP2001112234A JP 2001112234 A JP2001112234 A JP 2001112234A JP 28250099 A JP28250099 A JP 28250099A JP 28250099 A JP28250099 A JP 28250099A JP 2001112234 A JP2001112234 A JP 2001112234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- armature coil
- armature
- reticle
- driving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Linear Motors (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、モータ装置、ステ
ージ装置、及び露光装置、並びにモータ装置の駆動制御
方法に係り、更に詳しくは、2次元駆動が可能なモータ
装置及びその駆動方法、前記モータ装置をステージの駆
動源とするステージ装置、並びに該ステージ装置を使用
する露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a motor device, a stage device, an exposure device, and a drive control method of a motor device, and more particularly, to a motor device capable of two-dimensional drive, a method of driving the motor device, and the motor. The present invention relates to a stage apparatus using the apparatus as a driving source of a stage, and an exposure apparatus using the stage apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子等
を製造するためのリソグラフィ工程では、マスク又はレ
チクル(以下、「レチクル」と総称する)に形成された
パターンを投影光学系を介してレジスト等が塗布された
ウエハ又はガラスプレート等の基板(以下、適宜「基
板」又は「ウエハ」という)上に転写する露光装置が用
いられている。こうした露光装置としては、いわゆるス
テッパ等の静止露光型の投影露光装置や、いわゆるスキ
ャニング・ステッパ等の走査露光型の投影露光装置が主
として用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a lithography process for manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like, a pattern formed on a mask or a reticle (hereinafter, collectively referred to as a “reticle”) is resisted through a projection optical system. There is used an exposure apparatus that transfers an image onto a substrate such as a wafer or a glass plate (hereinafter, appropriately referred to as a “substrate” or a “wafer”) coated with a substrate. As such an exposure apparatus, a stationary exposure type projection exposure apparatus such as a so-called stepper and a scanning exposure type projection exposure apparatus such as a so-called scanning stepper are mainly used.
【0003】この種の露光装置では、パターンが形成さ
れたレチクルのパターンを投影光学系を介してレジスト
が塗布され、2次元的な広がりを有するウエハ上面の複
数のショット領域に順次転写する必要から、ウエハを保
持して移動面に沿って2次元移動する基板ステージを含
む基板ステージ装置が設けられている。かかる基板ステ
ージ装置における駆動装置として、近年では、1軸リニ
アモータを2次元配置したもの、あるいは直接的に基板
ステージを2次元駆動する磁気浮上型あるいは空気浮上
型の2次元リニアアクチュエータ(平面モータ)が用い
られている。In this type of exposure apparatus, it is necessary to apply a resist on a reticle pattern on which a pattern is formed via a projection optical system and sequentially transfer the reticle pattern to a plurality of shot areas on the upper surface of a wafer having a two-dimensional spread. And a substrate stage device including a substrate stage that holds a wafer and moves two-dimensionally along a moving surface. In recent years, as a driving device for such a substrate stage device, a one-axis linear motor has been two-dimensionally arranged, or a magnetically levitated or air levitated two-dimensional linear actuator (plane motor) for directly driving a substrate stage two-dimensionally. Is used.
【0004】一方、レチクルを保持するレチクルステー
ジも走査型の露光装置の場合には移動可能であることが
必須であるが、かかる場合におけるレチクルステージの
移動は、主に走査方向に沿った1次元移動が行われる。
このため、レチクルステージは、走査方向について長ス
トローク駆動され、走査方向に直交する方向(非走査方
向)には位置微調整のための短ストローク駆動が可能で
あればよい。こうしたレチクルステージの駆動におい
て、近年では、長ストローク駆動用には多相リニアモー
タが、短ストローク駆動用には1相のVCM(ボイスコ
イルモータ)が用いられている。On the other hand, in the case of a scanning type exposure apparatus, it is essential that the reticle stage holding the reticle can be moved. In such a case, the movement of the reticle stage is mainly one-dimensional along the scanning direction. Movement is performed.
Therefore, the reticle stage may be driven in a long stroke in the scanning direction, and may be driven in a short stroke for fine position adjustment in a direction orthogonal to the scanning direction (non-scanning direction). In recent years, in driving such a reticle stage, a polyphase linear motor has been used for long stroke drive, and a one-phase VCM (voice coil motor) has been used for short stroke drive.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記のようなレチクル
ステージの駆動を行うため、例えばレチクルステージを
走査方向に所定ストロークで駆動する走査方向駆動装置
と、レチクルステージを2次元平面内で任意の2次元方
向に微小駆動する微小駆動駆動装置とを含む、いわゆる
粗微動構造がレチクルステージ装置における駆動装置の
構造として広く採用されてきた。このため、レチクルス
テージ装置の構造が複雑なものとなるとともに、駆動装
置のために大きな空間を確保することが必要となり、装
置設計の自由度が制限されていた。In order to drive the reticle stage as described above, for example, a scanning direction driving device for driving the reticle stage at a predetermined stroke in the scanning direction and an arbitrary two-dimensional reticle stage in a two-dimensional plane. A so-called coarse / fine movement structure including a minute driving device that minutely drives in a dimensional direction has been widely adopted as a structure of a driving device in a reticle stage device. For this reason, the structure of the reticle stage device becomes complicated, and it is necessary to secure a large space for the drive device, which limits the degree of freedom in device design.
【0006】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、その第1の目的は、簡単な構造で2次元駆動するこ
とができるモータ装置及びモータ装置の駆動制御方法を
提供することにある。The present invention has been made under such circumstances, and a first object of the present invention is to provide a motor device and a drive control method of the motor device which can be two-dimensionally driven with a simple structure. .
【0007】また、本発明の第2の目的は、粗微動構造
を採用することなく、ステージを位置制御性良く高速移
動させることができるステージ装置を提供することにあ
る。It is a second object of the present invention to provide a stage apparatus which can move a stage at high speed with good position controllability without employing a coarse / fine movement structure.
【0008】また、本発明の第3の目的は、スループッ
トの向上を図ることができる露光装置を提供することに
ある。It is a third object of the present invention to provide an exposure apparatus capable of improving the throughput.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明にかかるモータ装
置は、第1方向(X方向)と、該第1方向とほぼ直交す
る第2方向(Y方向)とに沿った駆動力を発生するモー
タ装置であって、前記第1方向に沿って配設され、電機
子コイル(46)を含む電機子ユニット(45)と;前
記第1方向に沿って配設され、前記電機子コイルを流れ
る電流との相互作用により前記第1方向に沿った駆動力
を発生させる磁束密度を発生する第1磁極ユニット(6
3)と;前記第1方向に沿って配設され、前記電機子コ
イルを流れる電流との相互作用により前記第2方向に沿
った駆動力を発生させる磁束密度を発生する第2磁極ユ
ニットと(83);前記電機子コイルを流れる電流を制
御して、前記第1方向と前記第2方向とに沿った駆動力
を制御する制御装置(19,20)とを備えることを特
徴とする。A motor device according to the present invention generates a driving force in a first direction (X direction) and a second direction (Y direction) substantially orthogonal to the first direction. An armature unit (45) disposed along the first direction and including an armature coil (46); disposed along the first direction and flowing through the armature coil. A first magnetic pole unit (6) for generating a magnetic flux density for generating a driving force along the first direction by interaction with a current;
3) and; a second magnetic pole unit arranged along the first direction and generating a magnetic flux density for generating a driving force along the second direction by interaction with a current flowing through the armature coil; 83) a control device (19, 20) for controlling a current flowing through the armature coil to control a driving force along the first direction and the second direction.
【0010】これによれば,電機子ユニットに含まれる
電機子コイルに供給された電流と第1磁極ユニットの発
生する磁界との間の電磁気的相互作用により、電機子ユ
ニットと第1磁極ユニットとを第1方向に相対駆動する
駆動力が発生するとともに、前記電機子コイルに供給さ
れた電流と第2磁極ユニットの発生する磁界との間の電
磁気的相互作用により、電機子ユニットと第2磁極ユニ
ットとを第2方向に相対駆動する駆動力が発生する。す
なわち、1種類の電機子コイルに電流が供給されること
により、第1方向と第2方向とに沿った駆動力を発生さ
せて2次元駆動することができるので、極めて簡単な構
成で2次元駆動が可能となる。さらに、駆動力は、電機
子コイルに供給される電流によって変化するが、制御装
置が電機子コイルを流れる電流を制御することにより、
第1方向と第2方向とに沿った駆動力を制御するので、
所望の方向に所望の大きさの駆動力を発生することがで
きる。[0010] According to this, the electromagnetic interaction between the current supplied to the armature coil included in the armature unit and the magnetic field generated by the first magnetic pole unit causes the armature unit and the first magnetic pole unit to communicate with each other. Is generated in the first direction, and an electromagnetic interaction between a current supplied to the armature coil and a magnetic field generated by the second magnetic pole unit generates an armature unit and a second magnetic pole. A driving force for relatively driving the unit in the second direction is generated. That is, by supplying a current to one type of armature coil, a driving force along the first direction and the second direction can be generated and two-dimensional driving can be performed. Driving becomes possible. Further, the driving force changes depending on the current supplied to the armature coil, but by controlling the current flowing through the armature coil by the control device,
Since the driving force along the first direction and the second direction is controlled,
A desired amount of driving force can be generated in a desired direction.
【0011】本発明のモータ装置では、前記電機子コイ
ルは、電流経路が前記第2方向に平行な第1部分と、電
流経路が該第1部分から前記第2方向と交差する方向に
延びる第2部分とを有する構成とすることができる。か
かる場合には,第1磁極ユニットが電流経路の第1部分
の一部が置かれる位置に第1方向及び第2方向の直交方
向の磁束密度を発生することにより、その位置の電流経
路に第1方向に沿ったローレンツ力、ひいては第1方向
に沿った駆動力を発生させることができる。また、第2
磁極ユニットが電流経路の第2部分の一部が置かれる位
置に第1方向及び第2方向の直交方向の磁束密度を発生
することにより、その位置の電流経路に第2方向成分を
有するローレンツ力を発生させることができる。すなわ
ち、第1磁極ユニットの発生する磁束密度と第2磁極ユ
ニットの発生する磁束密度とを平行にしつつ、2次元駆
動が可能となる。In the motor device according to the present invention, the armature coil has a first portion having a current path parallel to the second direction, and a first portion having a current path extending from the first portion in a direction intersecting the second direction. It can be configured to have two parts. In such a case, the first magnetic pole unit generates a magnetic flux density in a direction orthogonal to the first direction and the second direction at a position where a part of the first portion of the current path is placed, so that the first magnetic pole unit generates a magnetic flux density in the current path at that position. A Lorentz force along one direction, and thus a driving force along the first direction, can be generated. Also, the second
The magnetic pole unit generates a magnetic flux density in a direction orthogonal to the first direction and the second direction at a position where a part of the second portion of the current path is placed, so that the Lorentz force having the second direction component in the current path at the position. Can be generated. That is, two-dimensional driving is possible while making the magnetic flux density generated by the first magnetic pole unit and the magnetic flux density generated by the second magnetic pole unit parallel.
【0012】本発明のステージ装置は、ステージ(RS
T)を所定の移動面に沿って駆動する駆動装置を具備す
るステージ装置において、前記駆動装置が、本発明のモ
ータ装置(40A,40B)を備えることを特徴とす
る。これによれば、本発明のモータ装置によりステージ
を2次元駆動するので、ステージ装置の構成を簡単なも
のとでき、ステージの高速移動が可能となるとともに、
ステージの位置制御性の向上が可能となる。The stage apparatus of the present invention comprises a stage (RS
A stage device including a driving device for driving T) along a predetermined moving surface, wherein the driving device includes the motor device (40A, 40B) of the present invention. According to this, since the stage is two-dimensionally driven by the motor device of the present invention, the configuration of the stage device can be simplified, and the stage can be moved at a high speed.
The position controllability of the stage can be improved.
【0013】本発明に係る露光装置は、ステージ装置の
ステージ(RST)が移動している間に所定のパターン
を基板(W)に転写する露光装置において、前記ステー
ジ装置として、本発明のステージ装置(22)を具備す
ることを特徴とする。これによれば、ステージの簡略化
及び小型・軽量化が可能な本発明のステージ装置によ
り、例えば基板や所定のパターンが形成されたマスクを
2次元移動さることにより、移動対象となる基板やマス
クの移動のより高速化、高加速度化が可能となるととも
に、位置制御性の向上に伴う位置決め整定時間等の短縮
が可能となるので、スループットの向上を図ることが可
能になる。An exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus for transferring a predetermined pattern onto a substrate (W) while a stage (RST) of the stage apparatus is moving. (22). According to this, for example, a substrate or a mask to be moved can be moved by two-dimensionally moving a substrate or a mask on which a predetermined pattern is formed by the stage device of the present invention which can simplify the stage and reduce the size and weight. It is possible to increase the speed and acceleration of the movement, and to shorten the positioning settling time and the like accompanying the improvement of the position controllability, thereby improving the throughput.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】《第1の実施形態》以下、本発明
の第1の実施形態を図1〜図5に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0015】図1には、第1の実施形態に係る露光装置
10の概略構成が示されている。この露光装置10は、
ステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、す
なわち、いわゆるスキャニング・ステッパである。後述
するように本実施形態では、投影光学系PLが設けられ
ており、以下においては、この投影光学系PLの光軸A
X方向をZ軸方向、これに直交する面内でマスクとして
のレチクルRと基板としてのウエハWとが相対走査され
る方向をX軸方向、これらZ軸及びX軸に直交する方向
をY軸方向として説明を行なう。FIG. 1 shows a schematic configuration of an exposure apparatus 10 according to the first embodiment. This exposure apparatus 10
This is a step-and-scan type scanning exposure apparatus, that is, a so-called scanning stepper. As will be described later, in the present embodiment, a projection optical system PL is provided. Hereinafter, the optical axis A of the projection optical system PL will be described.
The X direction is the Z axis direction, the direction in which the reticle R as a mask and the wafer W as a substrate are relatively scanned in a plane perpendicular to the Z axis is the X axis direction, and the directions orthogonal to these Z axis and X axis are the Y axis. Explanation will be given as a direction.
【0016】この露光装置10は、照明系IOP、レチ
クルRを保持するステージとしてのレチクルステージR
STを有するステージ装置としてのレチクルステージ装
置22、投影光学系PL、ウエハWをXY平面内でXY
2次元方向に駆動するウエハステージWST、及びこれ
らの制御系等を備えている。The exposure apparatus 10 includes an illumination system IOP and a reticle stage R as a stage for holding the reticle R.
The reticle stage device 22 as the stage device having the ST, the projection optical system PL, and the wafer W are moved in the XY plane by XY.
A wafer stage WST driven in a two-dimensional direction, a control system for these components, and the like are provided.
【0017】前記照明系IOPは、例えば、特開平9−
320956号公報に開示されているように、光源ユニ
ット、シャッタ、2次光源形成光学系、ビームスプリッ
タ、集光レンズ系、レチクルブラインド、及び結像レン
ズ系等(いずれも不図示)から構成され、照度分布のほ
ぼ均一な露光用照明光を射出する。そして、この照明光
がレチクルR上の矩形(あるいは円弧状)の照明領域I
ARを均一な照度で照明する。The illumination system IOP is disclosed in, for example,
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 320956, the system includes a light source unit, a shutter, a secondary light source forming optical system, a beam splitter, a condenser lens system, a reticle blind, an imaging lens system, and the like (all not shown), Emitting illumination light for exposure having a substantially uniform illuminance distribution. The illumination light is a rectangular (or arc-shaped) illumination area I on the reticle R.
The AR is illuminated with uniform illumination.
【0018】前記レチクルステージRSTは、レチクル
ステージベース52上に非接触で配置されている。この
レチクルステージRSTの上面には、レチクルRが例え
ば真空吸着により固定されている。The reticle stage RST is arranged on a reticle stage base 52 in a non-contact manner. On the upper surface of reticle stage RST, reticle R is fixed, for example, by vacuum suction.
【0019】このレチクルステージRST上にはレチク
ルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)2
8からのレーザビームを反射する移動鏡24及び一対の
コーナーキューブ26A,26B(図2参照)が固定さ
れており、レチクルステージRSTのステージ移動面内
の位置はレチクル干渉計28によって、例えば0.5〜
1nm程度の分解能で常時検出されている。レチクル干
渉計28からのレチクルステージRSTの位置情報はス
テージ制御系19及びこれを介して主制御装置20に送
られ、ステージ制御系19では主制御装置20からの指
示に応じ、レチクルステージRSTの位置情報(又は速
度情報)に基づいてレチクルステージRSTの駆動を制
御する。A reticle laser interferometer (hereinafter, referred to as “reticle interferometer”) 2 is provided on reticle stage RST.
A movable mirror 24 and a pair of corner cubes 26A and 26B (see FIG. 2) that reflect the laser beam from the reticle stage RST are fixed. 5-
It is always detected with a resolution of about 1 nm. Position information of reticle stage RST from reticle interferometer 28 is sent to stage control system 19 and main controller 20 via the same, and stage control system 19 responds to an instruction from main controller 20 to position reticle stage RST. The drive of reticle stage RST is controlled based on the information (or speed information).
【0020】なお、図2に示されるように、X位置計測
用にレチクルステージRST上面の−X側の端部に、一
対のコーナーキューブ26A、26Bが固定されてお
り、これらのコーナーキューブ26A、26Bに対向し
てレチクルステージベース52の上面の−X方向端部に
はX位置計測用のレチクル干渉計28Xが固定されてい
る。このレチクル干渉計28Xは、実際にはコーナーキ
ューブ26A、26Bに対して干渉計ビームを投射し、
それぞれの反射光を受光してコーナーキューブ26A、
26BのX軸方向の位置を検出する一対のダブルパス干
渉計を含んで構成されている。また、レチクルステージ
RST上面の+Y側の端部には、X軸方向に延びる平面
ミラー24が固定されており、この平面ミラー24に対
向してレチクルベース52の上面のY方向の端部にレチ
クル干渉計28Yが配置されている。なお、図1では、
移動鏡24及びコーナキューブ26A、26Bが代表的
に移動鏡24として示されており、また、レチクル干渉
計28X、28Yが代表的にレチクル干渉計28として
示されている。As shown in FIG. 2, a pair of corner cubes 26A and 26B are fixed to the -X side end of the upper surface of reticle stage RST for X position measurement. A reticle interferometer 28X for measuring the X position is fixed to an end of the upper surface of the reticle stage base 52 in the −X direction so as to face the reticle stage base 52B. This reticle interferometer 28X actually projects an interferometer beam onto the corner cubes 26A and 26B,
Receiving each reflected light, corner cube 26A,
26B is configured to include a pair of double-pass interferometers for detecting the position in the X-axis direction. A flat mirror 24 extending in the X-axis direction is fixed to an end of the upper surface of the reticle stage RST on the + Y side, and a reticle is provided at an end of the upper surface of the reticle base 52 in the Y direction so as to face the flat mirror 24. An interferometer 28Y is provided. In FIG. 1,
Moving mirror 24 and corner cubes 26A, 26B are typically shown as moving mirror 24, and reticle interferometers 28X, 28Y are typically shown as reticle interferometer 28.
【0021】さらに、それぞれのレチクル干渉計に対応
した固定鏡が投影光学系PLの鏡筒の側面に設けられて
おり、図1ではこれらが代表的に固定鏡Mrとして示さ
れている。Further, fixed mirrors corresponding to the respective reticle interferometers are provided on the side surfaces of the lens barrel of the projection optical system PL, and these are typically shown as fixed mirrors Mr in FIG.
【0022】図1に戻り、前記投影光学系PLは、レチ
クルステージRSTの下方に配置され、ここでは両側テ
レセントリックな縮小系であり、光軸AX方向(Z軸方
向)に沿って所定間隔で配置された複数枚のレンズエレ
メントから成る屈折光学系が使用されている。この投影
光学系PLの投影倍率は、例えば1/4、1/5あるい
は1/6である。このため、照明系IOPからの照明光
によってレチクルRの照明領域IARが照明されると、
このレチクルRを通過した照明光により、投影光学系P
Lを介してレチクルRの照明領域IAR内の回路パター
ンの縮小像(部分倒立像)が表面にフォトレジストが塗
布されたウエハW上の照明領域IARに共役な露光領域
IAに形成される。Returning to FIG. 1, the projection optical system PL is disposed below the reticle stage RST, and here is a reduction system that is telecentric on both sides, and is disposed at predetermined intervals along the optical axis AX direction (Z axis direction). A refractive optical system including a plurality of lens elements is used. The projection magnification of the projection optical system PL is, for example, 1/4, 1/5 or 1/6. Therefore, when the illumination area IAR of the reticle R is illuminated by the illumination light from the illumination system IOP,
The illumination light passing through the reticle R causes the projection optical system P
Through L, a reduced image (partially inverted image) of the circuit pattern in the illumination area IAR of the reticle R is formed in the exposure area IA conjugate to the illumination area IAR on the wafer W whose surface is coated with a photoresist.
【0023】前記ウエハステージWST上には、基板ホ
ルダとしてのウエハホルダ68が真空吸着によって固定
されており、このウエハホルダ68上に不図示のバキュ
ームチャック、静電チャック等を介してウエハWが吸着
固定されている。このウエハステージWSTは、例え
ば、磁気浮上型の2次元リニアアクチュエータ等から成
る不図示のウエハステージ駆動部により、X軸及びY軸
の2次元方向に駆動される。すなわち、ウエハステージ
WSTは走査方向(X軸方向)の移動のみならずウエハ
W上の複数のショット領域を前記レチクル上の照明領域
IARと共役な露光領域IAに位置させることができる
ように、走査方向に垂直な非走査方向(Y軸方向)にも
移動可能に構成されており、ウエハW上の各ショット領
域を走査(スキャン)露光する動作と、次のショットの
露光のための走査開始位置まで移動するステッピング動
作とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作を行な
う。A wafer holder 68 as a substrate holder is fixed on the wafer stage WST by vacuum suction, and the wafer W is suction-fixed on the wafer holder 68 via a vacuum chuck, an electrostatic chuck, or the like (not shown). ing. The wafer stage WST is driven in two-dimensional directions of the X-axis and the Y-axis by a wafer stage driving unit (not shown) including, for example, a magnetic levitation type two-dimensional linear actuator. That is, the wafer stage WST is moved not only in the scanning direction (X-axis direction) but also so that a plurality of shot areas on the wafer W can be positioned in the exposure area IA conjugate to the illumination area IAR on the reticle. It is configured to be movable also in a non-scanning direction (Y-axis direction) perpendicular to the direction, and performs an operation of scanning (scanning) exposure of each shot area on the wafer W and a scanning start position for exposure of the next shot And a step-and-scan operation of repeating the stepping operation of moving to the next position.
【0024】ウエハステージWST上面のX方向の一側
の端部には、X位置計測用の移動鏡がY方向に延設さ
れ、Y方向の一側の端部には、Y位置計測用の移動鏡が
X方向に延設されている。なお、図1では、これらの移
動鏡が代表的に移動鏡56として示されている。また、
X位置計測用の移動鏡に対向してX位置計測用のウエハ
レーザ干渉計(以下、「ウエハ干渉計」という)が設け
られ、また、Y位置計測用の移動鏡に対向してY位置計
測用のウエハ干渉計が設けられており、ウエハ干渉計そ
れぞれからの測長ビームが対向する移動鏡に向かって照
射されている。なお、図1では、これらのウエハ干渉計
が代表的にウエハ干渉計58として示されている。At one end in the X direction on the upper surface of the wafer stage WST, a movable mirror for X position measurement is provided extending in the Y direction, and at one end in the Y direction, a movable mirror for Y position measurement is provided. A moving mirror extends in the X direction. In FIG. 1, these movable mirrors are typically shown as movable mirrors 56. Also,
A wafer laser interferometer for X position measurement (hereinafter, referred to as “wafer interferometer”) is provided opposite to the X position measurement movable mirror, and Y position measurement is opposed to the Y position measurement movable mirror. Are provided, and the measurement beams from each of the wafer interferometers are irradiated toward the opposing movable mirror. In FIG. 1, these wafer interferometers are typically shown as wafer interferometers 58.
【0025】また、ウエハステージWST位置計測用の
固定鏡が、投影光学系PLの鏡筒の下端部近傍に固定さ
れている。前述の如くX位置計測用及びY位置計測用の
ウエハ干渉計及び移動鏡がそれぞれ設けられているのに
対応して、ウエハステージWST位置計測用の固定鏡に
ついてもX位置計測用の固定鏡と、Y位置計測用の固定
鏡が設けられている。なお、図1では、これらの固定鏡
が代表的に固定鏡Mwとして示されている。A fixed mirror for measuring the position of wafer stage WST is fixed near the lower end of the lens barrel of projection optical system PL. Corresponding to the provision of the wafer interferometer for X position measurement and the movable mirror for Y position measurement as described above, the fixed mirror for wafer position WST position measurement is also the same as the fixed mirror for X position measurement. , Y position measurement fixed mirror is provided. In FIG. 1, these fixed mirrors are typically shown as fixed mirrors Mw.
【0026】上述したウエハ干渉計58によって、ウエ
ハステージWSTのX、Y、θz方向の位置が投影光学
系PLを基準として例えば0.5〜1nm程度の分解能
で常時計測される。そして、ウエハ干渉計58からのウ
エハステージWSTの位置情報はステージ制御系19お
よびこれを介して主制御装置20に送られ,ステージ制
御系19では主制御装置20からの支持に応じてウエハ
ステージWSTの位置情報に基づいてウエハ駆動部(図
示省略)を介してウエハステージWSTを駆動する。The position of the wafer stage WST in the X, Y, and θz directions is constantly measured by the above-described wafer interferometer 58 with a resolution of, for example, about 0.5 to 1 nm with respect to the projection optical system PL. The position information of wafer stage WST from wafer interferometer 58 is sent to stage control system 19 and main controller 20 via the same, and stage control system 19 transmits wafer stage WST in response to support from main controller 20. The wafer stage WST is driven via a wafer drive unit (not shown) based on the position information.
【0027】次に、本実施形態の特徴点である前記レチ
クルステージ装置22について、図2〜図5に基づいて
詳細に説明する。Next, the reticle stage device 22, which is a feature of the present embodiment, will be described in detail with reference to FIGS.
【0028】図2に示されているように、レチクルステ
ージ装置22は、レチクルステージRSTと、該レチク
ルステージRSTに対するY軸方向の両側に配置された
X軸方向を長ストローク方向とするモータ装置40A、
40Bとを備えている。そして、モータ装置40Aの可
動子34Aに固定された保持部材35A及びモータ装置
40Bの可動子34Bに固定された保持部材35Bによ
り、レチクルステージRSTが保持されている。なお、
可動子34A及び保持部材35Aから可動部32Aが構
成され、可動子34B及び保持部材35Bから可動部3
2Bが構成されている。また、レチクルステージRST
の下面には不図示のエアーパッドが複数配置されてお
り、これらのエアーパッドからレチクルステージベース
52上に噴き出される加圧空気の静圧によりレチクルス
テージRST及び可動部32A,32Bが、レチクルス
テージベース52に対して所定のクリアランスを介して
浮上支持されるようになっている。As shown in FIG. 2, the reticle stage device 22 includes a reticle stage RST and a motor device 40A having a long stroke direction in the X-axis direction disposed on both sides of the reticle stage RST in the Y-axis direction. ,
40B. Reticle stage RST is held by holding member 35A fixed to mover 34A of motor device 40A and holding member 35B fixed to mover 34B of motor device 40B. In addition,
A movable section 32A is constituted by the mover 34A and the holding member 35A, and a movable section 3 is constituted by the mover 34B and the holding member 35B.
2B is configured. Also, reticle stage RST
A plurality of air pads (not shown) are arranged on the lower surface of the reticle stage. The reticle stage RST and the movable portions 32A and 32B are moved by the static pressure of the pressurized air blown onto the reticle stage base 52 from these air pads. It is configured to be levitated and supported on the base 52 via a predetermined clearance.
【0029】一方、モータ装置40Aの固定子42A
は、レチクルステージベース52に対して非接触な状態
で支持部材54Aによって支持され、また、モータ装置
40Bの固定子42Bは、レチクルステージベース52
に対して非接触な状態で支持部材54Bによって支持さ
れている。かかる支持部材54A、54Bは、ベースプ
レートBP(図1参照)を介さずに床面に直接植設され
ている。On the other hand, the stator 42A of the motor device 40A
Are supported by a support member 54A in a non-contact state with respect to the reticle stage base 52, and the stator 42B of the motor device 40B is
Is supported by the support member 54B in a non-contact state. The support members 54A and 54B are directly planted on the floor surface without interposing the base plate BP (see FIG. 1).
【0030】また、レチクルステージRSTの駆動によ
って生じる振動が床面を経由して間接的に伝達すること
を防ぐために、支持部材54A、54Bには不図示の防
振部材が設けられている。Further, in order to prevent the vibration generated by driving the reticle stage RST from being transmitted indirectly via the floor, the support members 54A and 54B are provided with a vibration isolator (not shown).
【0031】次に、レチクルステージRSTを駆動する
モータ装置40A、40Bについて説明する。Next, motor devices 40A and 40B for driving reticle stage RST will be described.
【0032】モータ装置40Aは、上述のように、可動
子34A及び保持部材35Aから成る可動部32Aと、
固定子42Aとを備えている。As described above, the motor device 40A includes a movable portion 32A including a mover 34A and a holding member 35A;
And a stator 42A.
【0033】前記可動子34Aは、図3(A)に示され
るように、磁性体部材から成る磁気ベース64Aの一対
の対向面のそれぞれにおいて、X軸方向(第1方向)に
沿って隣り合う磁石とZ軸方向で対向する磁石の極性が
それぞれ異なるように、ピッチPtで配列されている複
数組のX軸駆動用の永久磁石36N,36Sから成る第
1磁極ユニットとしての第1の界磁磁石(界磁石)63
と、前記一対の対向面の各々に前記第1の界磁磁石(界
磁石)63からY軸方向(第2方向)に所定間隔を隔て
て配置され、Y軸方向に隣り合うX軸駆動用の永久磁石
36N,36Sと同極性になるように一定の間隔で並べ
られた複数組のY軸駆動用の永久磁石38N,38Sか
ら成る第2磁極ユニットとしての第2の界磁磁石(界磁
石)83とを有している。なお、永久磁石36Nと永久
磁石36Sとは同一形状かつ同一磁気力の磁石であり、
磁気ベース64Aへの取り付け面と反対側の磁極面の極
性X(N又はS)に応じて、永久磁石36Xと表してい
る。また、永久磁石38Nと永久磁石38Sとは同一形
状かつ同一磁気力の磁石であり、永久磁石36N,36
Sの場合と同様に、磁気ベース64Aへの取り付け面と
反対側の磁極面の極性X(N又はS)に応じて、永久磁
石38Xと表している。As shown in FIG. 3A, the mover 34A is adjacent to each other along the X-axis direction (first direction) on each of a pair of opposing surfaces of a magnetic base 64A made of a magnetic material member. A first field as a first magnetic pole unit including a plurality of sets of X-axis driving permanent magnets 36N and 36S arranged at a pitch Pt such that the magnets facing each other in the Z-axis direction have different polarities. Magnet (field magnet) 63
An X-axis drive which is disposed on each of the pair of opposing surfaces at a predetermined interval from the first field magnet (field magnet) 63 in the Y-axis direction (second direction) and is adjacent to the Y-axis direction. A second field magnet (a field magnet) as a second magnetic pole unit comprising a plurality of sets of Y-axis driving permanent magnets 38N, 38S arranged at a fixed interval so as to have the same polarity as the permanent magnets 36N, 36S of FIG. ) 83. The permanent magnet 36N and the permanent magnet 36S are magnets having the same shape and the same magnetic force.
The permanent magnet 36X is represented according to the polarity X (N or S) of the magnetic pole surface opposite to the mounting surface to the magnetic base 64A. The permanent magnets 38N and 38S are magnets having the same shape and the same magnetic force.
Similarly to the case of S, the permanent magnet 38X is represented according to the polarity X (N or S) of the magnetic pole surface opposite to the surface to be attached to the magnetic base 64A.
【0034】この可動子34Aにおける永久磁石36
N,36S,38N,38Sの発生する磁束密度につい
て、図4(A)〜図4(C)に基づいて説明する。可動
子34AのYZ断面図である図4(A)及びY方向視図
である図4(B)に総合的に示されるように、永久磁石
36N,38NのN極面から放出された磁束は、各永久
磁石に挟まれた空間を永久磁石36S,38SのS極面
に向かって進行し、対向する永久磁石36S,38Sの
S極面に到達する。その後、磁束は、永久磁石36S,
38Sを介して、永久磁石36S,38SのN極面から
磁気ベース64A中へ進行する。そして、磁束は、磁気
ベース64A中を進行して永久磁石36N,38NのS
極面に到達した後、永久磁石36N,38Nを介して永
久磁石36N及び38NのN極面に至る。こうして、永
久磁石36N,38N、永久磁石36S,38S、及び
磁気ベース64Aを順次巡る磁気回路が形成される。そ
して、この磁気回路を巡る磁束によって、互いに対向す
る永久磁石36N,38Nと永久磁石36S,38Sと
の間の空間(以下、単に「空隙」という)にZ軸方向の
磁束密度が発生する。なお、磁気ベース64Aが磁性体
部材から成ることから、磁気シールド材としての機能も
果たしており、永久磁石が発生する磁束の外部へ放出さ
れる量を低減させている。The permanent magnet 36 in the mover 34A
The magnetic flux densities generated by N, 36S, 38N, and 38S will be described with reference to FIGS. As shown generally in FIG. 4A, which is a YZ sectional view of the mover 34A, and FIG. 4B, which is a view in the Y direction, the magnetic flux emitted from the N pole surfaces of the permanent magnets 36N, 38N is The space between the permanent magnets advances toward the S pole surfaces of the permanent magnets 36S, 38S, and reaches the S pole surfaces of the opposing permanent magnets 36S, 38S. Thereafter, the magnetic flux is applied to the permanent magnets 36S,
Through the 38S, the magnetic flux advances from the N pole faces of the permanent magnets 36S and 38S into the magnetic base 64A. Then, the magnetic flux proceeds through the magnetic base 64A and the S of the permanent magnets 36N, 38N.
After arriving at the pole faces, the poles reach the N pole faces of the permanent magnets 36N and 38N via the permanent magnets 36N and 38N. In this way, a magnetic circuit is formed that sequentially goes through the permanent magnets 36N, 38N, the permanent magnets 36S, 38S, and the magnetic base 64A. The magnetic flux passing through the magnetic circuit generates a magnetic flux density in the Z-axis direction in a space (hereinafter, simply referred to as a “gap”) between the permanent magnets 36N, 38N and the permanent magnets 36S, 38S facing each other. Since the magnetic base 64A is made of a magnetic material, the magnetic base 64A also functions as a magnetic shield material, and reduces the amount of magnetic flux generated by the permanent magnet to the outside.
【0035】また、磁性体部材の材料として、高電気抵
抗、高飽和磁束密度、低磁気ヒステリシス、低保持力の
ステンレス等を採用した場合,渦電流の発生やヒステリ
シスの損失を小さく抑えることから、渦電流による磁束
密度への影響やヒステリシス損等が低減され,安定した
磁束を継続的に発生することができる。Further, when stainless steel or the like having high electric resistance, high saturation magnetic flux density, low magnetic hysteresis, and low coercive force is adopted as the material of the magnetic member, generation of eddy current and loss of hysteresis are suppressed. The influence of the eddy current on the magnetic flux density, the hysteresis loss, and the like are reduced, and a stable magnetic flux can be continuously generated.
【0036】ここで、図4(B)に示されているように
磁気ベース64Aには、X方向に沿って極性の異なる磁
石が交互に配列されているので、空隙におけるZ軸方向
の磁束密度成分は、永久磁石の中心ほどその絶対値が大
きくなり永久磁石の中心から離れるほど磁束密度の絶対
値は小さくなる。そして、空隙におけるZ軸方向の磁束
密度成分のX方向分布は、図4(C)のグラフのように
正弦(あるいは余弦)関数状に良い近似が行なわれる形
状となる。Here, as shown in FIG. 4B, since the magnets having different polarities are alternately arranged along the X direction in the magnetic base 64A, the magnetic flux density in the Z-axis direction in the air gap. The component has a larger absolute value at the center of the permanent magnet, and has a smaller absolute value of the magnetic flux density at a position farther from the center of the permanent magnet. Then, the distribution of the magnetic flux density component in the Z-axis direction in the X direction in the X direction has a shape in which a good approximation is performed in the form of a sine (or cosine) function as shown in the graph of FIG.
【0037】このため、空隙のX軸方向位置Xにおける
界磁磁石63による磁束密度のZ軸方向成分B1は、 B1(X)=BP0・cos(π・X/Pt) …(1) と表すことができる。ここで、BP0は、第1の界磁磁石
63による空隙磁束密度のピーク値である。Therefore, the Z-axis direction component B 1 of the magnetic flux density by the field magnet 63 at the position X of the gap in the X-axis direction is B 1 (X) = B P0 · cos (π · X / Pt) (1) ) It can be expressed as. Here, BP0 is the peak value of the air gap magnetic flux density by the first field magnet 63.
【0038】また、空隙のX軸方向位置Xにおける界磁
磁石83による磁束密度のZ軸方向成分B2は、 B2(X)=BQ0・cos(π・X/Pt) …(2) となる。ここで、BQ0は、第2の界磁磁石83による空
隙磁束密度のピーク値である。The component B 2 in the Z-axis direction of the magnetic flux density by the field magnet 83 at the position X in the X-axis direction of the air gap is: B 2 (X) = B Q0 · cos (π · X / Pt) (2) Becomes Here, B Q0 is the peak value of the air gap magnetic flux density by the second field magnet 83.
【0039】図3に戻り、リニアモータ40Aの固定子
42Aは、図3(B)に示されるように、非磁性体材料
から成りX軸方向に長手方向を有し、YZ断面がL字状
の電機子ベース44と、電機子ベース44の内部に設け
られた3n個(nは自然数)の電機子コイル46を含む
電機子ユニット45とを備えている。電機子ベース44
内部に設けられた電機子コイル46は、前記第1の界磁
磁石63に対応する位置においてY軸方向へ延びる直線
状の2つの電流経路(以下、総称して「第1の電流経
路」という)と、前記第2の界磁磁石83に対応する位
置においてXY平面上でY軸と所定の角度で交差する方
向(斜め方向)の2つの電流経路(以下、総称して「第
2の電流経路」という)とを有するホームベース型をし
ている。また、電機子コイル46は電流経路の幅が(P
t/3)であり、また、第1の電流経路を構成する2つ
の電流経路間の中空部のX軸方向幅が(2・Pt/3)
であり、こうした3n個の電機子コイル46がX軸方向
に隙間無く配列されている。Referring back to FIG. 3, the stator 42A of the linear motor 40A is made of a non-magnetic material, has a longitudinal direction in the X-axis direction, and has an L-shaped YZ section, as shown in FIG. Armature base 44, and an armature unit 45 including 3n (n is a natural number) armature coils 46 provided inside the armature base 44. Armature base 44
The armature coil 46 provided therein has two linear current paths extending in the Y-axis direction at positions corresponding to the first field magnets 63 (hereinafter, collectively referred to as “first current paths”). ) And two current paths in a direction (oblique direction) intersecting the Y axis at a predetermined angle on the XY plane at a position corresponding to the second field magnet 83 (hereinafter, collectively referred to as a “second current path”). Route)). The armature coil 46 has a current path width (P
t / 3), and the width in the X-axis direction of the hollow portion between the two current paths constituting the first current path is (2 · Pt / 3).
The 3n armature coils 46 are arranged without a gap in the X-axis direction.
【0040】また、図3(A)及び図3(B)に示され
るように、第1の電流経路のY方向長さがLS、第2の
電流経路のY方向長さがLAとなっている。また、第1
の界磁磁石36N、36SのY方向に延びる辺の長さを
L1、第2の界磁磁石38N、38SのY方向に延びる
辺の長さがL2、第1の界磁磁石と第2の界磁磁石との
間の距離がLGとなっている。ここで、 LS>LG+L1 …(3) LA>LG+L2 …(4) という関係を満たしている。As shown in FIGS. 3A and 3B, the length of the first current path in the Y direction is L S , and the length of the second current path in the Y direction is L A. Has become. Also, the first
The length of the side extending in the Y direction of the field magnets 36N, 36S is L 1 , the length of the side extending in the Y direction of the second field magnets 38N, 38S is L 2 , and the first field magnet and the second the distance between the 2 of the field magnet is in the L G. Here, the following relationship is satisfied: L S > L G + L 1 (3) L A > L G + L 2 (4)
【0041】次に、以上のような永久磁石を含む可動子
34Aを有する可動部32Aと、電機子コイル46を含
む固定子42を含むリニアモータ40Aの駆動及び制御
方法について、図5(A)〜(D)に基づいて詳細に説
明する。ここで、各電機子コイル46は複数層に巻回さ
れ、各層に同じ電流iiが供給されるので、実際には電
機子コイル全体としては、1巻きの電機子コイルに電流
Ii(=ii・N:Nは電機子コイルの巻数)を供給する
ことと電気的には等価である。そこで、以下の説明にあ
たっては、電機子コイル46をこれと等価な1巻きの電
機子コイルとして考えることにする。なお、以下の説明
において、電機子コイル46のX位置を表す場合には、
図5(A)に示されるように、特定の永久磁石36Nの
X軸方向に関する中心位置を原点として、電機子コイル
46における−X方向側の第1の電流経路のX軸方向に
関する中心位置を表した位置Xを使用することにする。Next, a method of driving and controlling a movable portion 32A having a movable element 34A including a permanent magnet as described above and a linear motor 40A including a stator 42 including an armature coil 46 will be described with reference to FIG. This will be described in detail based on (D). Here, since each armature coil 46 is wound in a plurality of layers and the same current ii is supplied to each layer, in practice, as a whole armature coil, the current I i (= i i · N: N is electrically equivalent to supplying the number of turns of the armature coil. Therefore, in the following description, the armature coil 46 will be considered as an equivalent one-turn armature coil. In the following description, when indicating the X position of the armature coil 46,
As shown in FIG. 5A, with the center position of the specific permanent magnet 36N in the X-axis direction as the origin, the center position of the first current path on the −X-direction side of the armature coil 46 in the X-axis direction is set. Let us use the position X represented.
【0042】本実施形態では、各電機子コイル46に電
流Iが供給される。この電流Iには、図5(C)に示さ
れるように各電機子コイル46のX位置に応じて変化す
る、第1の電流経路におけるローレンツ力発生用の電流
I1(X)の成分と、及び第2の電流経路におけるロー
レンツ力発生用の電流I2(X)の成分とが含まれてい
る。ここで、電流I1(X)は、 I1(X)=I10・cos(π・X/Pt) …(5) と表され、X位置の変化に応じて、磁束密度分布B
1(X)と同一周期(2Pt)及び同一位相で変化する
ものとなっている。ここで、I10は定数であり、図5
(A)において紙面右回りの電流の場合に正となり、ま
た、紙面左回りの場合に負となるように定義されてい
る。また、電流I2(X)は、 I2(X)=I20・sin(π・X/Pt) …(6) と表され、X位置の変化に応じて、上述の磁束密度分布
B2(X)と同一周期(2Pt)及び位相差(π/2)
で変化するものとなっている。ここで、I20は定数であ
り、図5(A)において紙面右回りの電流の場合に負と
なり、また、紙面左回りの場合に正となるように定義さ
れている。In this embodiment, a current I is supplied to each armature coil 46. As shown in FIG. 5C, the current I includes a component of the current I 1 (X) for generating the Lorentz force in the first current path, which changes according to the X position of each armature coil 46. , And a component of the current I 2 (X) for generating Lorentz force in the second current path. Here, the current I 1 (X) is expressed as I 1 (X) = I 10 · cos (π · X / Pt) (5), and the magnetic flux density distribution B
1 (X) and change in the same cycle (2Pt) and the same phase. Here, I 10 is a constant, and FIG.
In (A), the current is defined to be positive when the current is clockwise, and to be negative when the current is clockwise. The current I 2 (X) is expressed as I 2 (X) = I 20 · sin (π · X / Pt) (6), and the magnetic flux density distribution B 2 Same period (2Pt) and phase difference (π / 2) as (X)
It changes with. Here, I 20 is a constant, and is defined to be negative in the case of the clockwise current in FIG. 5A and to be positive in the case of the clockwise current in FIG.
【0043】まず、電流I1(X)の供給によって、各
電機子コイル46の第1の界磁磁石63に対応する位置
にある第1の電流経路に発生するローレンツ力ついて考
える。First, consider the Lorentz force generated in the first current path at the position corresponding to the first field magnet 63 of each armature coil 46 by supplying the current I 1 (X).
【0044】第1の電流経路には、前述の如くZ軸方向
分布が(1)式で表される磁束密度B1(X)が発生し
ている。この結果、各電機子コイル46の第1の電流経
路に発生するローレンツ力f1(X)は、X方向の力で
あり、その大きさf1X(X)は、 f1X(X)=2・CP・B1(X)・I1(X)・L1 =2・CP・BP0・I10・cos2(π・X/Pt)・L1 …(7) となる。ここで、CPは、定数である。以下、ローレン
ツ力f1(X)をローレンツ力f1X(X)と表すことに
する。このローレンツ力f1X(X)の電機子コイル46
のX位置による変化が図5(D)に示されている。In the first current path, as described above, the Z-axis direction
Magnetic flux density B whose distribution is expressed by equation (1)1(X) occurs
ing. As a result, the first current path of each armature coil 46
Lorentz force f generated on road1(X) is the force in the X direction
Yes, its size f1X(X) is f1X(X) = 2 · CP・ B1(X) · I1(X) L1 = 2 · CP・ BP0・ ITen・ CosTwo(Π · X / Pt) · L1 ... (7) Where CPIs a constant. Below, Lauren
Force f1(X) is Lorentz force f1X(X)
I do. This Lorentz force f1X(X) armature coil 46
FIG. 5D shows the change due to the X position.
【0045】ところで、本実施形態では、上述のよう
に、第1の電流経路を構成する各電流経路のX軸方向幅
は、磁束密度分布B1(X)の変化周期の1/6とされ
ており、いわゆる3相モータ構造となっている。この結
果、電機子コイル46の配列上で連続して配置された3
つの電機子コイル46の第1の電流経路に発生するロー
レンツ力の合力F1X(X)は、最も−X方向側の電機子
コイル46のX位置をXとして、 F1X(X)=2・CP・BP0・I10・cos2(π・X/Pt)・L1 +2・CP・BP0・I10・cos2(π・X/Pt+π/3)・L1 +2・CP・BP0・I10・cos2(π・X/Pt+2π/3)・L1 …(8) となる。ところで、 cos2φ+cos2(φ+π/3)+cos2(φ+2π/3)=3/2 …(9) なので、 F1X(X)=3・CP・BP0・I10・L1 …(10) となる。すなわち、電流I1の供給によって、電機子ユ
ニット45における電機子コイル46の第1の電流経路
に発生するローレンツ力の合力は、電機子ユニット45
のX位置に依存しないものとなる。By the way, in this embodiment, as described above,
And the width of each current path constituting the first current path in the X-axis direction.
Is the magnetic flux density distribution B11/6 of the change period of (X)
And a so-called three-phase motor structure. This result
As a result, the three consecutively arranged
Generated in the first current path of the two armature coils 46
Total force F of Lenz force1X(X) is the armature closest to the -X direction
Let X be the X position of coil 46 and F1X(X) = 2 · CP・ BP0・ ITen・ CosTwo(Π · X / Pt) · L1 + 2 · CP・ BP0・ ITen・ CosTwo(Π · X / Pt + π / 3) · L1 + 2 · CP・ BP0・ ITen・ CosTwo(Π · X / Pt + 2π / 3) · L1 ... (8) By the way, cosTwoφ + cosTwo(Φ + π / 3) + cosTwo(Φ + 2π / 3) = 3/2 (9)1X(X) = 3 · CP・ BP0・ ITen・ L1 ... (10) That is, the current I1Supply of armature unit
First current path of armature coil 46 in knit 45
The resultant of the Lorentz force generated in the armature unit 45
Does not depend on the X position.
【0046】次に、電流I1の供給によって、各電機子
コイル46の第2の界磁磁石83に対応する位置にある
第2の電流経路に発生するローレンツ力ついて考える。Next, the Lorentz force generated in the second current path at the position corresponding to the second field magnet 83 of each armature coil 46 by supplying the current I 1 will be considered.
【0047】各電機子コイル46の第2の電流経路は、
極性の異なる複数の永久磁石から成る第2の界磁磁石8
3によって作られる正弦波(又は余弦波)状の磁束密度
の中を斜めに横切るように配置されており、電機子コイ
ル46の各部分にそれぞれ異なる磁束密度が発生するこ
とになる。しかし、第2の電流経路中の磁束が作用して
いる部分の重心、すなわち図5(A)のQ点に代表的な
磁束密度が発生していると考えることができる。かかる
Q点は、上述の各電機子コイル46のX位置からPt/
2だけ+X方向にあるので、Q点における磁束密度BQ
(X)は、 BQ(X)=BQ0・sin(π・X/Pt) …(11) と表わされる。The second current path of each armature coil 46 is
Second field magnet 8 composed of a plurality of permanent magnets having different polarities
3 are arranged so as to cross obliquely in the sine wave (or cosine wave) magnetic flux density, and different magnetic flux densities are generated in the respective portions of the armature coil 46. However, it can be considered that a typical magnetic flux density is generated at the center of gravity of the portion of the second current path where the magnetic flux acts, that is, at the point Q in FIG. The Q point is determined by Pt / Pt from the X position of each armature coil 46 described above.
2 in the + X direction, the magnetic flux density B Q at point Q
(X) is represented by B Q (X) = B Q0 · sin (π · X / Pt) (11)
【0048】この結果、各電機子コイル46の第2の電
流経路に発生するローレンツ力g1のX成分g1X(X)
及びY成分g1Y(X)は、 g1X(X)=2・CQ・B1(X)・I1(X)・L2 =2・CQ・BP0・I10・sin(π・X/Pt) ・cos(π・X/Pt)・L2 …(12) g1Y(X)=2・CQ・B1(X)・I1(X)・L2・tanθ =2・CQ・BP0・I10・sin(π・X/Pt) ・cos(π・X/Pt)・L2・tanθ …(13) となる。ここで、CQは定数である。また、上述の第1
の電流経路の場合と同様に、電機子コイル46の配列上
で連続して配置された3つの電機子コイル46の第2の
電流経路に発生するローレンツ力の合力G1(X)のX
成分G1X(X)及びY成分G1Y(X)を求めると、 sinφ・cosφ+sin(φ+π/3)・cos(φ+π/3) +sin(φ+2π/3)・cos(φ+2π/3)=0 …(14) より、G1X(X)=0となり、また、G1Y(X)=0と
なる。すなわち、電流I 1の供給によって、電機子ユニ
ット45における電機子コイル46の第2の電流経路に
作用するローレンツ力の合力は、電機子ユニット45の
X位置に依存せず、常に0となる。As a result, the second voltage of each armature coil 46
Lorentz force g generated in flow path1X component g of1X(X)
And Y component g1Y(X) is g1X(X) = 2 · CQ・ B1(X) · I1(X) LTwo = 2 · CQ・ BP0・ ITen・ Sin (π × X / Pt) ・ cos (π × X / Pt) ・ LTwo ... (12) g1Y(X) = 2 · CQ・ B1(X) · I1(X) LTwo・ Tanθ = 2 ・ CQ・ BP0・ ITen・ Sin (π × X / Pt) ・ cos (π × X / Pt) ・ LTwoTan θ (13) Where CQIs a constant. In addition, the first
As in the case of the current path of FIG.
Of the three armature coils 46 arranged continuously in
The resultant G of Lorentz force generated in the current path1X of (X)
Component G1X(X) and Y component G1YWhen (X) is obtained, the following equation is obtained: sinφ · cosφ + sin (φ + π / 3) · cos (φ + π / 3) + sin (φ + 2π / 3) · cos (φ + 2π / 3) = 0 (14)1X(X) = 0, and G1Y(X) = 0 and
Become. That is, the current I 1Supply of armature unit
In the second current path of the armature coil 46 in the cut 45
The resultant Lorentz force acting on the armature unit 45
The value is always 0 regardless of the X position.
【0049】以上より、電流I1の供給によって、電機
子ユニット45のX位置によらない大きさで、方向がX
軸方向の推力が発生する。なお、電流振幅I10を調整す
ることにより、所望の大きさのローレンツ力、すなわち
所望の大きさの推力を発生することができる。上記の方
向と逆の方向に推力を発生させる場合には、前述の電流
I1の位相をπだけずらした電流、すなわち逆回りの電
流を供給すれば良い。As described above, by supplying the current I 1 , the direction is set to X, regardless of the X position of the armature unit 45.
An axial thrust is generated. By adjusting the current amplitude I 10, the Lorentz force of a desired size, that is, to generate a thrust in a desired size. When generating a thrust in the direction of the direction and the opposite, current out of phase of the current I 1 of the above only [pi, i.e. may be supplied opposite direction of the current.
【0050】次に、電流I2(X)の供給によって、各
電機子コイル46の第1の電流経路に発生するローレン
ツ力について考える。Next, the Lorentz force generated in the first current path of each armature coil 46 due to the supply of the current I 2 (X) will be considered.
【0051】上記の電流I1(X)の場合と同様にし
て、電流I2(X)の供給によって、各電機子コイル4
6の第1の電流経路に発生するローレンツ力g2(X)
は、X方向の力であり、その大きさg2X(X)は、 g2X(X)=2・CP・B1(X)・I2(X)・L1 =2・CP・BP0・I20・cos(π・X/Pt) ・sin(π・X/Pt)・L1 …(15) となる。そして、上記の電流I1(X)の場合と同様
に、電機子コイル46の配列上で連続して配置された3
つの電機子コイル46の第1の電流経路に発生するロー
レンツ力の合力G2X(X)を求めると、(14)式よ
り、G2X(X)=0となる。すなわち、電流I2の供給
によって、電機子ユニット45における電機子コイル4
6の第1の電流経路に作用するローレンツ力の合力は、
電機子ユニット45のX位置に依存せず、常に0とな
る。The above current I1Same as (X)
And the current ITwoBy supplying (X), each armature coil 4
Lorentz force g generated in the first current path of No. 6Two(X)
Is the force in the X direction, and its magnitude g2X(X) is g2X(X) = 2 · CP・ B1(X) · ITwo(X) L1 = 2 · CP・ BP0・ I20・ Cos (π × X / Pt) ・ sin (π × X / Pt) ・ L1 ... (15) Then, the current I1Same as (X)
And 3 arranged continuously on the arrangement of the armature coils 46.
Generated in the first current path of the two armature coils 46
Resultant G of Lenz force2XWhen (X) is obtained, the equation (14) is obtained.
G2X(X) = 0. That is, the current ITwoSupply of
The armature coil 4 in the armature unit 45
6, the resultant of the Lorentz forces acting on the first current path is:
Always 0 regardless of the X position of the armature unit 45
You.
【0052】次に、電流I2(X)の供給によって、各
電機子コイル46の第2の電流経路に発生するローレン
ツ力ついて考える。Next, the Lorentz force generated in the second current path of each armature coil 46 due to the supply of the current I 2 (X) will be considered.
【0053】上記の電流I1(X)の場合と同様にし
て、電流I2(X)の供給によって、各電機子コイル4
6の第2の電流経路に発生するローレンツ力f2(X)
のX成分f2X(X)及びY成分f2Y(X)は、 f2X(X)=2・CQ・BQ(X)・I2(X)・L2 =2・CQ・BQ0・I20・sin2(π・X/Pt)・L2 …(16) f2Y(X)=2・CQ・BQ(X)・I2(X)・L2・tanθ =2・CQ・BQ0・I20・sin2(π・X/Pt) ・L2・tanθ …(17) となる。このローレンツ力f2(X)のX成分f
2X(X)及びY成分f2Y(X)の電機子コイル46のX
位置による変化が図5(D)に示されている。The above current I1Same as (X)
And the current ITwoBy supplying (X), each armature coil 4
6, the Lorentz force f generated in the second current pathTwo(X)
X component of2X(X) and Y component f2Y(X) is f2X(X) = 2 · CQ・ BQ(X) · ITwo(X) LTwo = 2 · CQ・ BQ0・ I20・ SinTwo(Π · X / Pt) · LTwo ... (16) f2Y(X) = 2 · CQ・ BQ(X) · ITwo(X) LTwo・ Tanθ = 2 ・ CQ・ BQ0・ I20・ SinTwo(Π · X / Pt) · LTwoTan θ (17) This Lorentz force fTwoX component f of (X)
2X(X) and Y component f2Y(X) X of armature coil 46
The change due to the position is shown in FIG.
【0054】そして、上述の第1の電流経路の場合と同
様に、電機子コイル46の配列上で連続して配置された
3つの電機子コイル46の第2の電流経路に発生するロ
ーレンツ力の合力F2(X)のX成分F2X(X)及びY
成分F2Y(X)を求めると、 sin2φ+sin2(φ+π/3)+sin2(φ+2π/3)=3/2 …(18) より、 F2X(X)=3・CQ・BP0・I20・L2 …(19) F2Y(X)=3・CQ・BP0・I20・L2・tanθ …(20) となる。すなわち、電流I2の供給によって、電機子ユ
ニット45における電機子コイル46の第2の電流経路
に発生するローレンツ力の合力は、電機子ユニット45
のX位置に依存しないものとなる。As in the case of the first current path described above, the Lorentz force generated in the second current path of the three armature coils 46 continuously arranged on the arrangement of the armature coils 46 is X component F 2X (X) and Y of resultant force F 2 (X)
When the component F 2Y (X) is obtained, from the equation sin 2 φ + sin 2 (φ + π / 3) + sin 2 (φ + 2π / 3) = 3/2 (18), F 2X (X) = 3 · C Q · B P0 · I 20 · L 2 ··· (19) F 2Y (X) = 3 · C Q · B P0 · I 20 · L 2 · tan θ ··· (20) That is, by the supply of current I 2, the resultant force of Lorentz force generated in the second current path of the armature coil 46 in the armature unit 45, the armature unit 45
Does not depend on the X position.
【0055】以上より、各電機子コイル46に電流I1
及び電流I2を供給することにより、電機子ユニット4
5には、X成分FX及びY成分FYが、 FX=F1X・n+F2X・n =3・n・(CP・BP0・I10・L2+CQ・BQ0・I20・L2)…(21) FY=F2Y・n =3・n・CQ・BQ0・I20・L2・tanθ …(22) である力Fが発生する。そして、この力Fがモータ装置
40Aの推力となる。As described above, the current I 1 is applied to each armature coil 46.
And supplying the current I 2 , the armature unit 4
5 includes an X component F X and a Y component F Y : F X = F 1X · n + F 2X · n = 3 · n · (C P · B P0 · I 10 · L 2 + C Q · B Q0 · I 20 · L 2) ... (21) F Y = F 2Y · n = 3 · n · C Q · B Q0 · I 20 · L 2 · tanθ ... force F is (22) is generated. This force F becomes the thrust of the motor device 40A.
【0056】したがって、モータ装置40Aでは、電流
I1の振幅I10及び電流I2の振幅I 20を制御することに
より、X軸方向及びY軸方向についてそれぞれ所望の推
力で、可動部32Aを駆動することができる。すなわ
ち、モータ装置40Aでは、電流I1及び電流I2を制御
することにより、XY平面内における任意の2次元方向
に所望の推力を発生することができる。Therefore, in the motor device 40A, the current
I1Amplitude ITenAnd current ITwoAmplitude I 20To control
From the above, desired estimates are made in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively.
The movable portion 32A can be driven by force. Sand
In the motor device 40A, the current I1And current ITwoControl
By doing, any two-dimensional direction in the XY plane
And a desired thrust can be generated.
【0057】モータ装置40Bもモータ装置40Aと同
様に構成されており、モータ装置40Aと同様に供給す
る電流を制御することにより、XY平面内における任意
の2次元方向に所望の推力を発生することができる。The motor device 40B has the same structure as the motor device 40A, and generates a desired thrust in an arbitrary two-dimensional direction in the XY plane by controlling the current supplied in the same manner as the motor device 40A. Can be.
【0058】したがって、モータ装置40A及びモータ
装置40Bそれぞれに供給される電流を制御することに
より、レチクルステージRSTをXY平面内における任
意の2次元方向に所望の推力を発生することができる。Therefore, by controlling the current supplied to each of motor device 40A and motor device 40B, reticle stage RST can generate a desired thrust in any two-dimensional direction in the XY plane.
【0059】ところで、実際のレチクルステージRST
の駆動中には、必要な推力を得るためにどのような電流
を供給すれば良いかを導き出すことが必要となる。この
ため、本実施形態では、前述したレチクル干渉計28
X,28Yによって計測されたレチクルステージRST
の位置情報(又は速度情報)に応じて得られる目標位置
又は目標速度に対して必要な推力(要求推力)Fxreq,
Fyreqを算出し、この要求推力から上述の供給電流
I1,I2を導き出している。Incidentally, the actual reticle stage RST
It is necessary to derive what current should be supplied in order to obtain the required thrust during the driving. For this reason, in the present embodiment, the reticle interferometer 28 described above is used.
Reticle stage RST measured by X, 28Y
Thrust (required thrust) Fx req for the target position or target speed obtained according to the position information (or speed information)
Fy req is calculated, and the above-described supply currents I 1 and I 2 are derived from the required thrust.
【0060】ここで、求めるべき供給電流I1,I2は、
第1の電流経路の推力定数をKfx1、第2の電流経路の
X駆動推力定数をKfx2、Y駆動推力定数をKfyとし
て、 I2=Fyreq/Kfy …(23) I1=(Fxreq−F2X・n)/Kfx1、 =Fxreq/Kfx1−Fyreq・Kfx2/(Kfx1・Kfy) …(24) と表される。そして、電機子コイル46に供給される電流I(=I1+I2)は、 I=Fxreq/Kfx1-Fyreq・Kfx2/(Kfx1・Kfy)+Fyreq/Kfy …(25) と表される。Here, the supply currents I 1 and I 2 to be obtained are
Kfx 1 a thrust constant of the first current path, the Kfx 2, Y driving thrust constant the X driving thrust constant of the second current path as Kfy, I 2 = Fy req / Kfy ... (23) I 1 = (Fx req -F 2X · n) / Kfx 1, = Fx req / Kfx 1 -Fy req · Kfx 2 / (Kfx 1 · Kfy) (24) Then, the current I (= I 1 + I 2 ) supplied to the armature coil 46 is given by: I = Fx req / Kfx 1 -Fy req · Kfx 2 / (Kfx 1 · Kfy) + Fy req / Kfy (25) It is expressed as
【0061】したがって、モータ装置40A,40Bそ
れぞれに関する推力定数Kfx1,Kfx2,Kfyを予め求め
ておき、レチクルステージRSTの位置情報(又は速度
情報)に応じた要求推力Fxreq,Fyreqから、(25)
式によって、各電機子コイル46に供給すべき電流Iを
求めることができる。こうして求められた電流Iを各電
機子コイルに供給することにより、レチクルステージR
STを各時点における要求推力Fxreq,Fyreqで2次元
駆動することができる。Therefore, the thrust constants Kfx 1 , Kfx 2 , and Kfy for the motor devices 40A and 40B are obtained in advance, and the required thrusts Fx req and Fy req corresponding to the position information (or the speed information) of the reticle stage RST are obtained. (25)
The current I to be supplied to each armature coil 46 can be obtained from the equation. By supplying the current I thus obtained to each armature coil, the reticle stage R
The ST can be driven two-dimensionally by the required thrusts Fx req and Fy req at each time point.
【0062】なお、前記電機子コイル46を備える電機
子ベース44Aにおいては、冷媒供給機から冷媒注入用
ジョイント(いずれも不図示)を介して電機子ベース4
4A内に供給された冷媒が電機子ベース44Aの内部を
冷却した後、冷媒排出用ジョイントを介して冷却装置に
戻され、そこで冷却されて再び電機子ベース44A内に
供給されるという冷媒の循環使用がなされており、電機
子コイル46の全面より放出される熱を効率的に除熱す
ることが可能となっている。かかる除熱の仕組みは、モ
ータ装置40Bにも同様に採用されている。In the armature base 44A having the armature coil 46, the armature base 4A is connected to the armature base 4 via a refrigerant injection joint (neither is shown) from the refrigerant supply device.
After the refrigerant supplied to the inside of the armature base 44A cools the inside of the armature base 44A, it is returned to the cooling device via the refrigerant discharge joint, where it is cooled and supplied again to the armature base 44A. It is used, so that heat released from the entire surface of the armature coil 46 can be efficiently removed. Such a mechanism of heat removal is similarly employed in the motor device 40B.
【0063】次に、上述のような露光装置10による露
光動作の流れについて簡単に説明する。Next, the flow of the exposure operation by the exposure apparatus 10 as described above will be briefly described.
【0064】まず、主制御装置20の管理の下、不図示
のレチクルローダ、ウエハローダによって、レチクルロ
ード、ウエハロードが行なわれ、また、レチクル顕微
鏡、ウエハステージWST上の基準マーク板、オフアク
シス・アライメント検出系(いずれも図示省略)等を用
いて、レチクルアライメント、ベースライン計測(アラ
イメント検出系の検出中心から投影光学系PLの光軸距
離の計測)等の準備作業が所定の手順で行なわれる。First, under the control of main controller 20, reticle loading and wafer loading are performed by a reticle loader and wafer loader (not shown), a reticle microscope, a reference mark plate on wafer stage WST, off-axis alignment, and the like. Preparatory operations such as reticle alignment and baseline measurement (measurement of the optical axis distance of the projection optical system PL from the detection center of the alignment detection system) are performed by a predetermined procedure using a detection system (both not shown).
【0065】その後、主制御装置20により、不図示の
アライメント検出系を用いてEGA(エンハンスト・グ
ローバル・アライメント)等のアライメント計測が実行
される。このような動作においてウエハWの移動が必要
な場合には、主制御装置20がステージ制御系19を介
して、ウエハWを保持するウエハステージWSTを所定
の方向に移動させる。このようなアライメント計測の終
了後、以下のようにしてステップ・アンド・スキャン方
式の露光動作が行なわれる。Thereafter, alignment measurement such as EGA (Enhanced Global Alignment) is performed by main controller 20 using an alignment detection system (not shown). When movement of wafer W is necessary in such an operation, main controller 20 moves wafer stage WST holding wafer W in a predetermined direction via stage control system 19. After the completion of such alignment measurement, the exposure operation of the step-and-scan method is performed as follows.
【0066】この露光動作にあたって、まず、ウエハW
のXY位置が、ウエハW上の最初のショット領域(ファ
ースト・ショット)の露光のための走査開始位置となる
ように、ウエハステージWSTが移動される。同時に、
レチクルRのXY位置が、走査開始位置となるように、
レチクルステージRSTが移動される。そして、主制御
装置20からの指示により、ステージ制御系19がレチ
クル干渉計28によって計測されたレチクルRの位置情
報のに基づき、レチクルR(レチクルステージRST)
とウエハW(ウエハステージWST)とを同期移動させ
ることにより、走査露光が行なわれる。In this exposure operation, first, the wafer W
The wafer stage WST is moved so that the XY position of the wafer stage becomes the scanning start position for exposing the first shot area (first shot) on the wafer W. at the same time,
The XY position of the reticle R becomes the scanning start position,
Reticle stage RST is moved. Then, in response to an instruction from main controller 20, stage control system 19 performs reticle R (reticle stage RST) based on position information of reticle R measured by reticle interferometer 28.
And the wafer W (wafer stage WST) are synchronously moved to perform scanning exposure.
【0067】このようにして、1つのショット領域に対
するレチクルパターンの転写が終了すると、ウエハステ
ージWSTが1ショット領域分だけステッピングされ
て、ショット領域に対する走査露光が行なわれる。この
ようにして、ステッピングと走査露光とが順次繰り返さ
れ、ウエハW上に必要なショット数のパターンが転写さ
れる。When the transfer of the reticle pattern to one shot area is completed as described above, wafer stage WST is stepped by one shot area, and scanning exposure is performed on the shot area. In this way, the stepping and the scanning exposure are sequentially repeated, and the required number of shot patterns are transferred onto the wafer W.
【0068】本実施形態では、レチクルステージRST
を駆動する駆動装置として、上述のモータ装置40A,
40Bを採用し、レチクルステージRSTの非走査方向
(Y軸方向)及び回転方向(θz)の位置を微調整しな
がら、走査方向(X軸方向)に駆動するしている。した
がって、従来の粗微動構造のレチクルステージのよう
に、複雑な構造を採用することなく、レチクルステージ
RSTの小型軽量化及び制御性の向上を図ることができ
る。このため、本実施形態の露光装置10では、レチク
ルRを高速かつ位置精度良く移動させることができるの
で、スループットを向上しつつ、レチクルRに形成され
たパターンをウエハWに精度良く転写するころができ
る。In this embodiment, reticle stage RST
The above-mentioned motor device 40A,
The reticle stage RST is driven in the scanning direction (X-axis direction) while finely adjusting the positions of the reticle stage RST in the non-scanning direction (Y-axis direction) and the rotation direction (θz). Therefore, the reticle stage RST can be reduced in size and weight and controllability can be improved without employing a complicated structure as in a conventional reticle stage having a coarse / fine movement structure. Therefore, in the exposure apparatus 10 of the present embodiment, the reticle R can be moved at high speed and with high positional accuracy, so that the pattern formed on the reticle R can be accurately transferred to the wafer W while improving the throughput. it can.
【0069】また、レチクルステージを駆動する各リニ
アモータ40A,40Bの固定子42A,42Bを本体
を支持する本体コラムとは別の独立な支持部材54A,
54Bで保持しているので、レチクルステージRSTの
駆動時の反力が、各リニアモータの固定子としての固定
子42A,42Bを介してレチクルステージベース5
2、ひいては本体コラムに伝わることがないので、レチ
クルステージ駆動に起因する露光装置本体の振動を効果
的に抑制することができる。Further, independent supporting members 54A, 54A, separate from the main body column for supporting the main bodies of the stators 42A, 42B of the respective linear motors 40A, 40B for driving the reticle stage.
Since the reticle stage RST is held at 54B, the reaction force when driving the reticle stage RST is applied to the reticle stage base 5 via the stators 42A and 42B as stators of the respective linear motors.
(2) Since the light is not transmitted to the main body column, the vibration of the main body of the exposure apparatus due to the driving of the reticle stage can be effectively suppressed.
【0070】本実施形態の露光装置10は、複数のレン
ズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本
体に組み込み光学調整するとともに、多数の機械部品か
らなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本
体に取り付けて配線や配管を接続し,更に総合調整(電
気調整、動作確認等)をすることにより上記各実施形態
の露光装置を製造することができる。ここで、露光装置
の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーン
ルームで行なうことが望ましい。The exposure apparatus 10 of the present embodiment incorporates an illumination optical system and a projection optical system composed of a plurality of lenses into an exposure apparatus main body, performs optical adjustment, and exposes a reticle stage and a wafer stage composed of a large number of mechanical parts. The exposure apparatus according to each of the above-described embodiments can be manufactured by attaching the apparatus to the apparatus main body, connecting wiring and piping, and performing overall adjustment (electrical adjustment, operation confirmation, and the like). Here, it is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room in which the temperature, the degree of cleanliness, and the like are controlled.
【0071】なお、本実施形態では、ホームベース型の
五角形をした電機子コイルを用いたが、本発明がこれに
限定されるものではない。すなわち、X軸方向に向かう
第1の電流経路と、XY平面内の斜め方向に向かう第2
の電流経路とを備えていれば良く、それ以外のところの
形状は限定されない。例えば平面視六角形状の電機子コ
イルを用いることも可能である。In this embodiment, a pentagonal armature coil of a home base type is used, but the present invention is not limited to this. That is, a first current path in the X-axis direction and a second current path in the diagonal direction in the XY plane.
And the shape of the other portions is not limited. For example, an armature coil having a hexagonal shape in plan view can be used.
【0072】《第2の実施形態》次に、本発明の第2の
実施形態を説明する。ここで、本実施形態の説明におい
て、上記の第1の実施形態と同一若しくは同等の構成部
分については、同一の符号を用いることとし、その説明
を簡略化し若しくは省略するものとする。なお、本実施
形態では、上記の第1の実施形態と比べて、レチクルス
テージ装置における駆動装置であるモータ装置の構成の
みが異なる。そこで、かかる相違点を中心として、以下
説明する。<< Second Embodiment >> Next, a second embodiment of the present invention will be described. Here, in the description of the present embodiment, the same or equivalent components as those of the above-described first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be simplified or omitted. Note that the present embodiment differs from the first embodiment only in the configuration of the motor device that is the driving device in the reticle stage device. Therefore, the following description will focus on such differences.
【0073】図6には、第1の実施形態における一対の
モータ装置40A,40Bに対応する本実施形態におけ
る一対のモータ装置の一方のモータ装置140Aの構成
が示されている。図6(A)に示されるように、本実施
形態のモータ装置140Aでは、第1の実施形態のモー
タ装置と比べて、電機子コイルの形状および永久磁石の
配列におおきな相違がある。なお、本実施形態において
は、第1の実施形態と同様に、モータ装置の電機子ユニ
ット側を固定子とするムービングマグネット型のモータ
装置として構成されている。FIG. 6 shows the configuration of one motor device 140A of the pair of motor devices in the present embodiment corresponding to the pair of motor devices 40A and 40B in the first embodiment. As shown in FIG. 6A, the motor device 140A of the present embodiment has significant differences in the shape of the armature coils and the arrangement of the permanent magnets compared to the motor device of the first embodiment. Note that, in the present embodiment, similarly to the first embodiment, a moving magnet type motor device in which the armature unit side of the motor device is a stator is configured.
【0074】前記モータ装置140Aは、可動子134
Aと固定子142Aとを備えている。The motor device 140A includes a mover 134
A and a stator 142A.
【0075】前記可動子134Aは、平面視矩形で隣り
合う磁石と接する面同士が同極性の磁極面になおように
配列された永久磁石136L,136Rを有する第1磁
極ユニットとしての第1の永久磁石群163と、該第1
の永久磁石群163と同じ磁極配列であり、X軸方向に
延びる辺の長さが第1の永久磁石群に含まれる永久磁石
136L,136Rと同長であって、第1の永久磁石群
163からY軸方向に所定の間隔をあけて配列されてい
る永久磁石138L,138Rを有する第2磁極ユニッ
トとしての第2の磁石群183と、第1の永久磁石群1
63及び第2の磁石群183を保持する保持部材164
Aとを備えている。The mover 134A is a first permanent magnetic unit as a first magnetic pole unit having permanent magnets 136L and 136R whose surfaces in contact with adjacent magnets are rectangular in plan view and whose magnetic pole surfaces are arranged in the same polarity. The magnet group 163 and the first
And the length of the side extending in the X-axis direction is the same as that of the permanent magnets 136L and 136R included in the first permanent magnet group, and the first permanent magnet group 163 A second magnet group 183 as a second magnetic pole unit having permanent magnets 138L and 138R arranged at predetermined intervals in the Y-axis direction from the first permanent magnet group 1
63 and a holding member 164 that holds the second magnet group 183
A.
【0076】前記固定子142Aは、非磁性体部材から
成る断面コ字状の電機子ベース144Aと、該電機子ベ
ース144A内に設けられた3n個(nは自然数)の電
機子コイル146を含む電機子ユニット145とを備え
ている。この電機子コイル146は、固定子ヨーク14
4Aの断面コ字状の内部空間に収納するため、図6
(B)に示されているように一対の向かい合う2辺が他
の辺よりも長く、他の4辺の長さが等しい六角形状に巻
回された電機子コイル146’をコ字状に折り曲げる工
程を経て作られており、永久磁石群163,183と対
向する部分の形状が、前述の第1の実施形態における電
機子コイル46の外形と同様となるように構成されてい
る。The stator 142A includes an armature base 144A made of a non-magnetic material and having a U-shaped cross section, and 3n (n is a natural number) armature coils 146 provided in the armature base 144A. And an armature unit 145. The armature coil 146 is connected to the stator yoke 14
As shown in FIG.
As shown in (B), an armature coil 146 ′ wound in a hexagonal shape in which a pair of opposed two sides is longer than the other side and the other four sides are equal in length is bent in a U-shape. It is formed through a process, and is configured so that the shape of the portion facing the permanent magnet groups 163 and 183 is the same as the outer shape of the armature coil 46 in the above-described first embodiment.
【0077】こうして構成されたモータ装置140Aで
は、永久磁石群163,183が、電機子ユニット14
5の対向部分の位置に前述の第1の実施形態と同様の磁
束密度を発生させる。このため、電機子コイル146に
供給する電流制御を第1の実施形態と同様に行なうこと
で可動子134Aを、XY平面内において任意の2次元
方向へ所望の推力で駆動することができる。なお、本実
施形態では、電機子ユニット145に発生するローレン
ツ力の合力の反力が推力となる。In the motor device 140A thus configured, the permanent magnet groups 163, 183
A magnetic flux density similar to that of the first embodiment is generated at the position of the opposing portion 5. Therefore, by controlling the current supplied to the armature coil 146 in the same manner as in the first embodiment, the mover 134A can be driven with a desired thrust in an arbitrary two-dimensional direction in the XY plane. In the present embodiment, the reaction force of the resultant Lorentz force generated in the armature unit 145 is the thrust.
【0078】本実施形態では、レチクルステージRST
を介してリニアモータ140Aと対向している不図示の
リニアモータ140Bもリニアモータ140Aと同様に
構成されており、供給する電流を制御することにより、
XY平面内において任意の2次元方向へ所望の推力で可
動子を駆動することができる。In the present embodiment, reticle stage RST
A linear motor 140B (not shown) facing the linear motor 140A is also configured in the same manner as the linear motor 140A, and by controlling the supplied current,
The mover can be driven with a desired thrust in an arbitrary two-dimensional direction in the XY plane.
【0079】本実施形態では、レチクルステージRST
を駆動する駆動装置として、上述のモータ装置140
A,140Bを採用し、レチクルステージRSTの非走
査方向(Y軸方向)及び回転方向(θz)の位置を微調
整しながら、走査方向(X軸方向)に駆動するので、第
1の実施形態と同様に、スループットを向上しつつ、レ
チクルRに形成されたパターンをウエハWに精度良く転
写することができる。In this embodiment, reticle stage RST
The above-mentioned motor device 140
A, 140B, and driven in the scanning direction (X-axis direction) while finely adjusting the positions of the reticle stage RST in the non-scanning direction (Y-axis direction) and the rotation direction (θz). Similarly to the above, the pattern formed on the reticle R can be accurately transferred onto the wafer W while improving the throughput.
【0080】なお、本実施形態では、各永久磁石のX軸
方向への配列において、隣接する永久磁石同士を密着さ
せているが、隣り合う磁石間の間隙を設けてよい。ま
た、永久磁石138L,138R間又は永久磁石136
L,138R間にZ軸方向に磁化された補間磁石を配置
することも可能である。In this embodiment, in the arrangement of the permanent magnets in the X-axis direction, the adjacent permanent magnets are brought into close contact with each other, but a gap between the adjacent magnets may be provided. Further, between the permanent magnets 138L and 138R or the permanent magnet 136
It is also possible to arrange an interpolating magnet magnetized in the Z-axis direction between L and 138R.
【0081】なお、上記各実施形態では、レチクルステ
ージRSTの駆動装置として本発明に係るモータ装置を
採用したが、ウエハステージWSTの駆動装置としても
本発明に係るモータ装置を採用することができる。In each of the above embodiments, the motor device according to the present invention is employed as a driving device for reticle stage RST. However, the motor device according to the present invention can be employed as a driving device for wafer stage WST.
【0082】また、上記各実施形態では、モータ装置を
ムービングマグネット型として構成したが、ムービング
コイル型として構成することも可能である。In each of the above embodiments, the motor device is configured as a moving magnet type, but may be configured as a moving coil type.
【0083】また、上記各実施形態においては、いわゆ
る3相モータとしてモータ装置を構成したが、2相以上
であれば任意の相数のモータ装置として構成することも
可能である。In each of the above embodiments, the motor device is configured as a so-called three-phase motor. However, the motor device may be configured as a motor device having an arbitrary number of phases as long as it has two or more phases.
【0084】なお、上記各実施形態では、投影光学系P
Lとして縮小系を用いていたが、これに限らず,等倍系
および拡大系のいずれでも良い。In each of the above embodiments, the projection optical system P
Although a reduction system is used as L, the invention is not limited to this, and any of an equal magnification system and an enlargement system may be used.
【0085】なお、上記各実施形態では,本発明に係る
ステージ装置が走査型のDUV露光装置のレチクルステ
ージ又はウエハステージの駆動装置に適用された場合に
ついて説明したが、これに限らず、本発明に係るステー
ジ装置は,マスクと基板とを静止した状態でマスクのパ
ターンを基板に転写するとともに,基板を順次ステップ
移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置の
基板ステージにも適用することができる。また、本発明
は,投影光学系を用いることなくマスクと基板とを密着
させてマスクパターンを基板に転写するプロキシミティ
露光装置,電子線露光装置等の荷電粒子線露光装置、波
長5〜15nm程度の軟X線領域の光を露光光として用
いるいわゆるEUVL等の露光装置、露光装置以外の装
置,例えば検査装置や基板搬送装置等にも好適に適用で
きるものである。In each of the above embodiments, the case where the stage device according to the present invention is applied to the drive device of the reticle stage or the wafer stage of the scanning type DUV exposure apparatus has been described. Can be applied to a substrate stage of a step-and-repeat type exposure apparatus that transfers a pattern of a mask onto a substrate in a state where the mask and the substrate are stationary and sequentially moves the substrate in steps. . Also, the present invention provides a charged particle beam exposure apparatus such as a proximity exposure apparatus and an electron beam exposure apparatus for transferring a mask pattern onto a substrate by bringing a mask and a substrate into close contact without using a projection optical system, and a wavelength of about 5 to 15 nm. The present invention can be suitably applied to an exposure apparatus such as a so-called EUVL using light in the soft X-ray region as exposure light, and an apparatus other than the exposure apparatus, for example, an inspection apparatus and a substrate transfer apparatus.
【0086】なお、本発明は、半導体製造用の露光装置
に限らず、液晶表示素子などを含むディスプレイの製造
に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に
転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられる
デバイスパターンをセラミックウエハ上に転写する露光
装置、及び撮像素子(CCDなど)の製造に用いられる
露光装置などにも適用することができる。また、半導体
素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、
EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置な
どで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、
ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転
写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DU
V(遠紫外)光やVUV(真空紫外)光などを用いる露
光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチク
ル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英
ガラス、螢石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用
いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置、
又は電子線露光装置などでは透過型マスク(ステンシル
マスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板と
してはシリコンウエハなどが用いられる。The present invention is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor, but is also applicable to an exposure apparatus for transferring a device pattern onto a glass plate and a thin-film magnetic head used for manufacturing a display including a liquid crystal display element. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a device pattern to be used on a ceramic wafer, an exposure apparatus that is used for manufacturing an imaging device (such as a CCD), and the like. Also, not only micro devices such as semiconductor elements, but also light exposure devices,
To manufacture a reticle or mask used in an EUV exposure apparatus, an X-ray exposure apparatus, and an electron beam exposure apparatus,
The present invention is also applicable to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern onto a glass substrate or a silicon wafer. Where DU
In an exposure apparatus using V (far ultraviolet) light or VUV (vacuum ultraviolet) light, a transmission reticle is generally used, and a reticle substrate is made of quartz glass, fluorine-doped quartz glass, fluorite, magnesium fluoride. Or quartz or the like. A proximity type X-ray exposure apparatus;
Alternatively, a transmission type mask (stencil mask, membrane mask) is used in an electron beam exposure apparatus or the like, and a silicon wafer or the like is used as a mask substrate.
【0087】[0087]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のモータ装
置によれば、簡単な構成で2次元駆動が可能なモータ装
置及びその駆動方法を提供することができる。As described above, according to the motor device of the present invention, it is possible to provide a motor device capable of two-dimensional driving with a simple configuration and a driving method thereof.
【0088】また、本発明のステージ装置によれば、本
発明のモータ装置を駆動装置として備えるので、可動部
の軽量化を図ることができ、ステージを高速かつ精度良
く移動させることができるステージ装置を提供すること
ができる。Further, according to the stage device of the present invention, since the motor device of the present invention is provided as a driving device, the weight of the movable portion can be reduced, and the stage device can move the stage at high speed and with high accuracy. Can be provided.
【0089】また、本発明の露光装置によれば、ステー
ジの小型化、及び軽量化により基板やレチクルを高精
度、高速度、高加速度で駆動することができるので、ス
ループットの向上を図りつつ、高精度露光を行うことが
できる露光装置を提供することができる。Further, according to the exposure apparatus of the present invention, the substrate and the reticle can be driven with high precision, high speed, and high acceleration by reducing the size and weight of the stage. An exposure apparatus capable of performing high-precision exposure can be provided.
【図1】第1の実施形態の露光装置の概略構成を示す図
である。FIG. 1 is a diagram illustrating a schematic configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment.
【図2】図1のレチクルステージとその近傍を示す斜視
図である。FIG. 2 is a perspective view showing the reticle stage of FIG. 1 and its vicinity.
【図3】図3(A)及び図3(B)は、図2のモータ装
置の構成を示す図である。FIGS. 3A and 3B are diagrams showing a configuration of the motor device of FIG. 2;
【図4】図4(A)〜図4(C)は、図3のモータ装置
における磁束密度を説明するための図である。FIGS. 4A to 4C are diagrams for explaining magnetic flux density in the motor device of FIG. 3;
【図5】図5(A)〜図5(D)は、図3のリニアモー
タの駆動原理を説明するための図である。FIGS. 5A to 5D are diagrams for explaining the driving principle of the linear motor in FIG. 3;
【図6】図6(A)及び図6(B)は、第2の実施形態
のモータ装置の構成を示す図である。FIGS. 6A and 6B are diagrams illustrating a configuration of a motor device according to a second embodiment.
10…露光装置、22…レチクルステージ装置(ステー
ジ装置)、40A,40B,140A,140B…モー
タ装置、45,145…電機子ユニット、46,146
…電機子コイル、63…第1の界磁磁石(第1磁極ユニ
ット)、83…第2の界磁磁石(第2磁極ユニット)、
163…第1の永久磁石群(第1磁極ユニット)、18
3…第2の永久磁石群(第2磁極ユニット)、RST…
レチクルステージ(ステージ)、W…ウエハ(基板)。10 Exposure device, 22 Reticle stage device (stage device), 40A, 40B, 140A, 140B Motor device, 45, 145 Armature unit, 46, 146
... armature coil, 63 ... first field magnet (first magnetic pole unit), 83 ... second field magnet (second magnetic pole unit),
163: first permanent magnet group (first magnetic pole unit), 18
3. Second permanent magnet group (second magnetic pole unit), RST
Reticle stage (stage), W: wafer (substrate).
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F078 CA02 CA08 CB05 CB13 CC11 5F031 CA02 CA05 CA07 KA06 LA04 LA08 MA27 5F046 BA05 CC01 CC02 CC09 CC10 CC16 CC17 DA06 DA07 DA08 5H641 BB06 BB15 BB18 BB19 GG02 GG03 GG05 GG07 GG12 GG26 GG29 HH02 HH03 HH05 HH06 JA06 JB05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F078 CA02 CA08 CB05 CB13 CC11 5F031 CA02 CA05 CA07 KA06 LA04 LA08 MA27 5F046 BA05 CC01 CC02 CC09 CC10 CC16 CC17 DA06 DA07 DA08 5H641 BB06 BB15 BB18 BB19 GG12 GG05 GG05 GG05 GG05 GG05 GG05 GG05 GG05 GG05 HH03 HH05 HH06 JA06 JB05
Claims (5)
第2方向とに沿った駆動力を発生するモータ装置であっ
て、 前記第1方向に沿って配設され、電機子コイルを含む電
機子ユニットと;前記第1方向に沿って配設され、前記
電機子コイルを流れる電流との相互作用により前記第1
方向に沿った駆動力を発生させる磁束密度を発生する第
1磁極ユニットと;前記第1方向に沿って配設され、前
記電機子コイルを流れる電流との相互作用により前記第
2方向に沿った駆動力を発生させる磁束密度を発生する
第2磁極ユニットと;前記電機子コイルを流れる電流を
制御して、前記第1方向と前記第2方向とに沿った駆動
力を制御する制御装置とを備えることを特徴とするモー
タ装置。1. A motor device for generating a driving force along a first direction and a second direction substantially orthogonal to the first direction, wherein the motor device is arranged along the first direction and includes an armature coil. And an armature unit disposed along the first direction and interacting with a current flowing through the armature coil.
A first magnetic pole unit that generates a magnetic flux density that generates a driving force along the direction; and a first magnetic pole unit that is disposed along the first direction and that is arranged along the second direction by interaction with a current flowing through the armature coil. A second magnetic pole unit that generates a magnetic flux density that generates a driving force; and a control device that controls a current flowing through the armature coil to control a driving force along the first direction and the second direction. A motor device comprising:
2方向に平行な第1部分と、電流経路が該第1部分から
前記第2方向と交差する方向に延びる第2部分とを有す
ることを特徴とする請求項1に記載のモータ装置。2. The armature coil has a first portion having a current path parallel to the second direction, and a second portion having a current path extending from the first portion in a direction intersecting the second direction. The motor device according to claim 1, wherein:
る駆動装置を具備するステージ装置において、 前記駆動装置は、請求項1又は2に記載のモータ装置を
備えることを特徴とするステージ装置。3. A stage device comprising a driving device for driving a stage along a predetermined moving surface, wherein the driving device comprises the motor device according to claim 1 or 2.
間に所定のパターンを基板に転写する露光装置におい
て、 前記ステージ装置として、請求項3に記載のステージ装
置を具備することを特徴とする露光装置。4. An exposure apparatus for transferring a predetermined pattern onto a substrate while a stage of a stage device is moving, comprising: the stage device according to claim 3 as said stage device. apparatus.
第2方向とに沿った駆動力を発生するモータ装置の駆動
制御方法であって、 前記第1方向に沿って配設され、電機子コイルを含む電
機子ユニットを提供する第1ステップと;前記第1方向
に沿って配設され、前記電機子コイルを流れる電流との
相互作用により前記第1方向に沿った駆動力を発生させ
る磁束密度を発生する第1磁極ユニットを提供する第2
ステップと;前記第1方向に沿って配設され、前記電機
子コイルを流れる電流との相互作用により前記第2方向
に沿った駆動力を発生させる磁束密度を発生する第2磁
極ユニットを提供する第3ステップと;前記電機子コイ
ルを流れる電流を制御して、前記第1方向と前記第2方
向とに沿った駆動力を制御する第4ステップとを含むこ
とを特徴とするモータ装置の駆動制御方法。5. A drive control method for a motor device for generating a driving force along a first direction and a second direction substantially orthogonal to the first direction, the method being provided along the first direction. Providing an armature unit including an armature coil; providing a driving force along the first direction by interaction with a current flowing through the armature coil, the driving force being arranged along the first direction; A second magnetic pole unit for providing a first magnetic pole unit for generating a magnetic flux density to be generated;
And providing a second magnetic pole unit disposed along the first direction and generating a magnetic flux density for generating a driving force along the second direction by interaction with a current flowing through the armature coil. Driving the motor device, comprising: a third step; and a fourth step of controlling a current flowing through the armature coil to control a driving force along the first direction and the second direction. Control method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28250099A JP2001112234A (en) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | Motor, stage, exposing apparatus, and drive control method for motor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28250099A JP2001112234A (en) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | Motor, stage, exposing apparatus, and drive control method for motor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001112234A true JP2001112234A (en) | 2001-04-20 |
Family
ID=17653257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28250099A Pending JP2001112234A (en) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | Motor, stage, exposing apparatus, and drive control method for motor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001112234A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009506747A (en) * | 2005-08-29 | 2009-02-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ironless magnetic linear motor with levitation and lateral force capability |
JP2010074976A (en) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Yaskawa Electric Corp | Xy-axes coreless linear motor and stage apparatus using the same |
WO2012176236A1 (en) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | 三菱電機株式会社 | Linear motor |
EP1850464A4 (en) * | 2005-01-21 | 2017-03-15 | Nikon Corporation | Linear motor, stage apparatus, and exposure apparatus |
KR20210080212A (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-30 | 캐논 가부시끼가이샤 | Linear motor, stage apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article |
WO2024128069A1 (en) * | 2022-12-16 | 2024-06-20 | 株式会社ニコン | Object holding device, exposure device, object moving method, and object holding system |
-
1999
- 1999-10-04 JP JP28250099A patent/JP2001112234A/en active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1850464A4 (en) * | 2005-01-21 | 2017-03-15 | Nikon Corporation | Linear motor, stage apparatus, and exposure apparatus |
JP2009506747A (en) * | 2005-08-29 | 2009-02-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ironless magnetic linear motor with levitation and lateral force capability |
JP2010074976A (en) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Yaskawa Electric Corp | Xy-axes coreless linear motor and stage apparatus using the same |
TWI448050B (en) * | 2011-06-22 | 2014-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | Linear motor |
CN103650306A (en) * | 2011-06-22 | 2014-03-19 | 三菱电机株式会社 | Linear motor |
KR101370230B1 (en) | 2011-06-22 | 2014-03-25 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Linear motor |
JP5372298B2 (en) * | 2011-06-22 | 2013-12-18 | 三菱電機株式会社 | Linear motor |
CN103650306B (en) * | 2011-06-22 | 2015-09-30 | 三菱电机株式会社 | Linear motor |
WO2012176236A1 (en) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | 三菱電機株式会社 | Linear motor |
KR20210080212A (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-30 | 캐논 가부시끼가이샤 | Linear motor, stage apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article |
JP2021100315A (en) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | キヤノン株式会社 | Linear motor, stage device, lithographic apparatus, and manufacturing method of article |
JP7449085B2 (en) | 2019-12-20 | 2024-03-13 | キヤノン株式会社 | Linear motor, stage device, lithography device, and article manufacturing method |
KR102708009B1 (en) * | 2019-12-20 | 2024-09-23 | 캐논 가부시끼가이샤 | Linear motor, stage apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article |
WO2024128069A1 (en) * | 2022-12-16 | 2024-06-20 | 株式会社ニコン | Object holding device, exposure device, object moving method, and object holding system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6720680B1 (en) | Flat motor device and its driving method, stage device and its driving method, exposure apparatus and exposure method, and device and its manufacturing method | |
US7368838B2 (en) | High efficiency voice coil motor | |
JP4174815B2 (en) | Stage apparatus, exposure apparatus, linear motor, and driving method of linear motor | |
JP5140268B2 (en) | Magnet assembly, linear actuator, planar motor, and lithographic apparatus | |
KR100902644B1 (en) | Lithographic apparatus with planar motor driven support | |
US6835941B1 (en) | Stage unit and its making method, and exposure apparatus and its making method | |
TWI485957B (en) | Stage apparatus and lithographic apparatus | |
JP4194383B2 (en) | Linear motor | |
JP5192064B2 (en) | Displacement device, lithographic apparatus and positioning method | |
KR20010082053A (en) | Lithographic projection apparatus having a temperature controlled heat shield | |
TW531782B (en) | System and method for calibrating mirrors of a stage assembly | |
JP2008004647A (en) | Positioning apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
US20080285005A1 (en) | System and method for measuring and mapping a sideforce for a mover | |
JP2005079585A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2001267226A (en) | Drive device, exposure system, device, and method of manufacturing the same | |
US20040245861A1 (en) | Linear motor, stage device having this linear motor, exposure device, and device manufacturing method | |
JP4314555B2 (en) | Linear motor device, stage device, and exposure device | |
US7728462B2 (en) | Monolithic stage devices providing motion in six degrees of freedom | |
JP4528260B2 (en) | Lithographic apparatus and actuator | |
JP2001112234A (en) | Motor, stage, exposing apparatus, and drive control method for motor | |
JP2014204634A (en) | Motor, mobile device and exposure device | |
JP2001061269A (en) | Motor device, stage device, and aligner | |
JP2011115022A (en) | Shaft motor, stage device, and exposure apparatus | |
NL2018129A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JPH1169764A (en) | Positioning device and aligner provided with the device |