JP2001112160A - Method of inputting output of current monitor terminal into microcomputer - Google Patents

Method of inputting output of current monitor terminal into microcomputer

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JP2001112160A
JP2001112160A JP28314399A JP28314399A JP2001112160A JP 2001112160 A JP2001112160 A JP 2001112160A JP 28314399 A JP28314399 A JP 28314399A JP 28314399 A JP28314399 A JP 28314399A JP 2001112160 A JP2001112160 A JP 2001112160A
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JP
Japan
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microcomputer
circuit
load
semiconductor relay
current monitor
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Application number
JP28314399A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Baba
晃 馬場
Masayuki Nakayama
雅之 中山
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Yazaki Corp
Original Assignee
Yazaki Corp
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Filing date
Publication date
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  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance usage efficiency of the A/D input terminal equipped with an A/D converting function, provided in a microcomputer to a current monitor terminal. SOLUTION: Resistors Rs1, Rs2, Rs3, and Rs4 for current detection are connected to the drain sides of semiconductor relays 2, 10, 16, and 22. A plurality of loads 3, 11, 17, and 23 are provided, respectively, with load current monitor circuits 6, 13, 19, and 25 for monitoring the values of the currents flowing to the loads 3, 11, 17, and 23. The analog output values of the load current monitor circuits 6, 13, 19, and 25, in the plural loads 3, 11, 17, and 23 optionally selected through analog multiplexers 28 are fetched in CPU through an A/D converter built in a microcomputer 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体リレーを用
いた半導体リレーシステムに係り、特にマイクロコンピ
ュータに内蔵される1個のA/D変換器を通してCPU
に取り込み、少ないA/D変換器で効率よくマイクロコ
ンピュータにデータの取り込みを行うことのできる電流
モニター端子のマイクロコンピュータへの入力方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor relay system using a semiconductor relay, and more particularly to a semiconductor relay system using a single A / D converter built in a microcomputer.
The present invention relates to a method of inputting to a microcomputer a current monitor terminal which can efficiently take in data to the microcomputer with a small number of A / D converters.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、車両において、車載バッテリか
らの電源はパワーMOSFET及び絶縁被膜により被わ
れた電源線を介して車両の各部に配されている負荷に供
給されている。この電源線は、常時振動しているエンジ
ンルーム内等において車体に沿って配索されるが、何等
かの原因で電源線にデッドショートやレアショートが起
こり、過電流が流れることがある。近年では、自動車用
半導体リレーとして、パワーMOSFETやIPS(I
ntelligent Power Switch)が使用されてきている。
このような半導体リレー、IPSにおいてはデバイスの
発熱を防ぐために、従来から負荷に流れる電流を制限す
るいろいろなカレントリミッタ方式が採られている。
2. Description of the Related Art Generally, in a vehicle, power from a vehicle-mounted battery is supplied to loads disposed in various parts of the vehicle via a power line covered with a power MOSFET and an insulating film. The power supply line is routed along the vehicle body in an engine room or the like that is constantly vibrating, but a dead short or a rare short occurs in the power supply line for some reason, and an overcurrent may flow. In recent years, power MOSFETs and IPS (I
ntelligent Power Switch) has been used.
In such semiconductor relays and IPSs, various current limiter methods for limiting a current flowing to a load have conventionally been adopted in order to prevent heat generation of the device.

【0003】マイクロコンピュータを用いて所定間隔で
電流値をサンプリングして負荷に流れる電流をモニター
して、この電流モニター値を読み、負荷に流れる電流を
常時チェックし、負荷に流れる電流が過電流状態か否か
を監視する必要がある。
A microcomputer monitors a current flowing through a load by sampling a current value at predetermined intervals, reads the current monitor value, constantly checks the current flowing through the load, and checks whether the current flowing through the load is in an overcurrent state. It is necessary to monitor whether or not.

【0004】そこで、従来は、図2に示す如く、車載バ
ッテリからの電源電圧VBは、負荷に供給される電流を
検出する電流検出用抵抗(シャント抵抗)Rs1と、半
導体リレー2のドレインD−ソースS間とを介してスト
ップランプ等の負荷3に供給される。この半導体リレー
2は、例えば、熱遮断回路内蔵型MOSFETが用いら
れ、この熱遮断回路内蔵型MOSFETは、ロジックレ
ベル(4V以上)駆動型パワーMOSFETで、熱遮断
回路を内蔵しており、過熱状態のパワーMOSFET保
護が可能となっており、過熱遮断方式はラッチ型で、過
熱遮断回路動作後は、ゲート電圧0バイアスで復帰する
ものである。
Conventionally, as shown in FIG. 2, a power supply voltage VB from a vehicle-mounted battery includes a current detecting resistor (shunt resistor) Rs1 for detecting a current supplied to a load, and a drain D- The power is supplied to a load 3 such as a stop lamp via the sources S. The semiconductor relay 2 is, for example, a MOSFET with a built-in heat cutoff circuit. The built-in MOSFET with a built-in heat cutoff circuit is a logic-level (4 V or more) drive type power MOSFET, which has a built-in heat cutoff circuit and is overheated. The overheat protection method is of a latch type, and is restored with a gate voltage of 0 bias after the operation of the overheat protection circuit.

【0005】駆動回路4は、例えば、チャージポンプ回
路5により電源電圧VBを昇圧したチャージポンプ出力
電圧VP(=VB+10[V])がコレクタに接続され
るNPN型スイッチング(SW)トランジスタと、該S
Wトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたNP
N型スイッチング(SW)トランジスタとを有し、チャ
ージポンプ回路5側に接続されるSWトランジスタのエ
ミッタとアース側に接続されるSWトランジスタのコレ
クタとの接点が半導体リレー2のゲートGに接続された
構成となっている。
The driving circuit 4 includes, for example, an NPN type switching (SW) transistor having a collector connected to a charge pump output voltage VP (= VB + 10 [V]) obtained by boosting the power supply voltage VB by the charge pump circuit 5, and
NP with collector connected to emitter of W transistor
A contact point between the emitter of the SW transistor connected to the charge pump circuit 5 and the collector of the SW transistor connected to the ground side is connected to the gate G of the semiconductor relay 2. It has a configuration.

【0006】そして、駆動回路4は、2つの直列に接続
されるSWトランジスタの内のチャージポンプ回路5側
に接続されるSWトランジスタをオンさせると共にSW
トランジスタをオフさせることにより、チャージポンプ
出力電圧VPを半導体リレー2のゲートGに印加して、
半導体リレー2をオンさせ、2つの直列に接続されるS
Wトランジスタの内のチャージポンプ回路5側に接続さ
れるSWトランジスタをオフさせると共にSWトランジ
スタをオンさせることにより、半導体リレー2のゲート
Gに対するチャージポンプ出力電圧VPの印加を停止し
て、半導体リレー2をオフさせる機能を有している。
The drive circuit 4 turns on the SW transistor connected to the charge pump circuit 5 side of the two serially connected SW transistors, and switches the SW transistor.
By turning off the transistor, the charge pump output voltage VP is applied to the gate G of the semiconductor relay 2,
The semiconductor relay 2 is turned on and two series-connected S
By turning off the SW transistor connected to the charge pump circuit 5 side of the W transistor and turning on the SW transistor, the application of the charge pump output voltage VP to the gate G of the semiconductor relay 2 is stopped. Has the function of turning off the power.

【0007】また、車載バッテリと半導体リレー2との
間に設けられたシャント抵抗Rs1は、車載バッテリと
負荷3との間の電源線に流れる電流を電圧に変換するた
めの低抵抗で、この両端電圧を検出することにより電源
線に流れる電流の検出を行っている。このシャント抵抗
Rs1の両端は、負荷電流モニター回路6に接続されて
おり、この負荷電流モニター回路6は、電流検出手段と
して働き、シャント抵抗Rs1の両端電圧に応じた電圧
を出力することにより負荷電流を検出している。そし
て、このシャント抵抗Rs1は、例えば、数十mΩの抵
抗を用い、ハード的な過電流判定値、例えば、数十Aを
決定するものである。
A shunt resistor Rs1 provided between the vehicle-mounted battery and the semiconductor relay 2 has a low resistance for converting a current flowing through a power supply line between the vehicle-mounted battery and the load 3 into a voltage. The current flowing through the power supply line is detected by detecting the voltage. Both ends of the shunt resistor Rs1 are connected to a load current monitor circuit 6. The load current monitor circuit 6 functions as current detection means, and outputs a voltage corresponding to the voltage across the shunt resistor Rs1 to load current. Has been detected. The shunt resistor Rs1 uses a resistor of, for example, several tens of mΩ, and determines a hard overcurrent determination value, for example, several tens of amps.

【0008】負荷電流モニター回路6の出力は、マイク
ロコンピュータ(マイコン)8に供給され、マイコン8
に内蔵されるA/D変換器9によりディジタル値に変換
された後、マイコン8のCPUに取り込まれる。このマ
イコン8は、予め設定されている制御プログラムに従っ
て動作するCPUと、このCPUの制御プログラムを予
め格納しているROMと、CPUの演算実行時に必要な
データを一時的に保存するRAMとによって構成されて
おり、マイコン8にスイッチSWのオン操作によって、
ゲート・ロジック回路7に対して駆動指示信号を出力す
る機能を有している。
The output of the load current monitor circuit 6 is supplied to a microcomputer (microcomputer) 8, and the microcomputer 8
After being converted into a digital value by an A / D converter 9 incorporated in the microcomputer 8, the digital value is taken into the CPU of the microcomputer 8. The microcomputer 8 includes a CPU that operates in accordance with a preset control program, a ROM that stores the control program of the CPU in advance, and a RAM that temporarily stores data necessary for the CPU to execute calculations. The microcomputer 8 is turned on by turning on the switch SW.
It has a function of outputting a drive instruction signal to the gate logic circuit 7.

【0009】また、車載バッテリからの電源電圧VB
は、負荷に供給される電流を検出する電流検出用抵抗
(シャント抵抗)Rs2と、半導体リレー10のドレイ
ンD−ソースS間とを介して、前記負荷3とは異なるテ
ールランプ等の負荷11に供給される。
The power supply voltage VB from the vehicle battery
Is supplied to a load 11 such as a tail lamp different from the load 3 via a current detection resistor (shunt resistor) Rs2 for detecting a current supplied to the load and a drain D-source S of the semiconductor relay 10. Is done.

【0010】この半導体リレー10は、半導体リレー2
と同様に構成され、駆動回路12は、駆動回路4と同様
に構成されている。更に、シャント抵抗Rs2は、車載
バッテリと負荷11との間の電源線に流れる電流を電圧
に変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出するこ
とにより電源線に流れる電流の検出を行っている。この
シャント抵抗Rs2の両端は、負荷電流モニター回路6
と同一の負荷電流モニター回路13が接続されている。
負荷電流モニター回路13の出力は、マイクロコンピュ
ータ(マイコン)8に供給され、マイコン8に内蔵され
るA/D変換器15によりディジタル値に変換された
後、マイコン8のCPUに取り込まれる。
The semiconductor relay 10 is a semiconductor relay 2
, And the drive circuit 12 is configured similarly to the drive circuit 4. Further, the shunt resistor Rs2 is a low resistor for converting a current flowing through the power supply line between the vehicle-mounted battery and the load 11 into a voltage. By detecting the voltage at both ends, the current flowing through the power supply line is detected. I have. Both ends of the shunt resistor Rs2 are connected to a load current monitor circuit 6
And the same load current monitor circuit 13 is connected.
The output of the load current monitor circuit 13 is supplied to a microcomputer (microcomputer) 8, converted into a digital value by an A / D converter 15 built in the microcomputer 8, and taken into the CPU of the microcomputer 8.

【0011】このマイコン8は、予め設定されている制
御プログラムに従って動作するCPUと、このCPUの
制御プログラムを予め格納しているROMと、CPUの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するRAMと
によって構成されており、マイコン8にスイッチSWの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路14に対して
駆動指示信号を出力する機能を有している。
The microcomputer 8 includes a CPU that operates according to a preset control program, a ROM that stores the control program of the CPU in advance, and a RAM that temporarily stores data necessary for the CPU to execute calculations. The microcomputer 8 has a function of outputting a drive instruction signal to the gate logic circuit 14 when the microcomputer 8 turns on the switch SW.

【0012】また、車載バッテリからの電源電圧VB
は、負荷に供給される電流を検出する電流検出用抵抗
(シャント抵抗)Rs3と、半導体リレー16のドレイ
ンD−ソースS間とを介して、前記負荷3、11とは異
なるバックランプ等の負荷17に供給される。この半導
体リレー16は、半導体リレー2と同様に構成され、駆
動回路18は、駆動回路4と同様に構成されている。更
に、シャント抵抗Rs3は、車載バッテリと負荷17と
の間の電源線に流れる電流を電圧に変換するための低抵
抗で、この両端電圧を検出することにより電源線に流れ
る電流の検出を行っている。このシャント抵抗Rs3の
両端は、負荷電流モニター回路6と同一の負荷電流モニ
ター回路19が接続されている。負荷電流モニター回路
19の出力は、マイクロコンピュータ(マイコン)8に
供給され、マイコン8に内蔵されるA/D変換器21に
よりディジタル値に変換された後、マイコン8のCPU
に取り込まれる。
Also, the power supply voltage VB from the vehicle battery
Is a load such as a back lamp different from the loads 3 and 11 via a current detection resistor (shunt resistor) Rs3 for detecting a current supplied to the load and a portion between the drain D and the source S of the semiconductor relay 16. 17 is supplied. The semiconductor relay 16 has the same configuration as the semiconductor relay 2, and the drive circuit 18 has the same configuration as the drive circuit 4. Further, the shunt resistor Rs3 is a low resistor for converting the current flowing through the power supply line between the vehicle-mounted battery and the load 17 into a voltage. By detecting the voltage at both ends, the current flowing through the power supply line is detected. I have. The same load current monitor circuit 19 as the load current monitor circuit 6 is connected to both ends of the shunt resistor Rs3. The output of the load current monitor circuit 19 is supplied to a microcomputer (microcomputer) 8 and is converted into a digital value by an A / D converter 21 built in the microcomputer 8.
It is taken in.

【0013】このマイコン8は、予め設定されている制
御プログラムに従って動作するCPUと、このCPUの
制御プログラムを予め格納しているROMと、CPUの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するRAMと
によって構成されており、マイコン8にスイッチSWの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路20に対して
駆動指示信号を出力する機能を有している。
The microcomputer 8 includes a CPU that operates in accordance with a preset control program, a ROM that stores the control program of the CPU in advance, and a RAM that temporarily stores data necessary for the CPU to execute calculations. The microcomputer 8 has a function of outputting a drive instruction signal to the gate logic circuit 20 by turning on the switch SW of the microcomputer 8.

【0014】また、車載バッテリからの電源電圧VB
は、負荷に供給される電流を検出する電流検出用抵抗
(シャント抵抗)Rs4と、半導体リレー22のドレイ
ンD−ソースS間とを介して、前記負荷3、11、17
とは異なるバックランプ等の負荷23に供給される。こ
の半導体リレー22は、半導体リレー2と同様に構成さ
れ、駆動回路24は、駆動回路4と同様に構成されてい
る。更に、シャント抵抗Rs4は、車載バッテリと負荷
23との間の電源線に流れる電流を電圧に変換するため
の低抵抗で、この両端電圧を検出することにより電源線
に流れる電流の検出を行っている。このシャント抵抗R
s4の両端は、負荷電流モニター回路6と同一の負荷電
流モニター回路25が接続されている。負荷電流モニタ
ー回路25の出力は、マイコン8に供給され、マイコン
8に内蔵されるA/D変換器27によりディジタル値に
変換された後、マイコン8のCPUに取り込まれる。
The power supply voltage VB from the vehicle battery
Are connected to the loads 3, 11, 17 via a current detection resistor (shunt resistor) Rs4 for detecting a current supplied to the load and between the drain D and the source S of the semiconductor relay 22.
Is supplied to a load 23 such as a back lamp different from the above. The semiconductor relay 22 has the same configuration as the semiconductor relay 2, and the drive circuit 24 has the same configuration as the drive circuit 4. Further, the shunt resistor Rs4 is a low resistor for converting the current flowing through the power supply line between the vehicle-mounted battery and the load 23 into a voltage. By detecting the voltage at both ends, the current flowing through the power supply line is detected. I have. This shunt resistor R
The same load current monitor circuit 25 as the load current monitor circuit 6 is connected to both ends of s4. The output of the load current monitor circuit 25 is supplied to the microcomputer 8, converted into a digital value by an A / D converter 27 built in the microcomputer 8, and then taken into the CPU of the microcomputer 8.

【0015】このマイコン8は、予め設定されている制
御プログラムに従って動作するCPUと、このCPUの
制御プログラムを予め格納しているROMと、CPUの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するRAMと
によって構成されており、マイコン8にスイッチSWの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路26に対して
駆動指示信号を出力する機能を有している。
The microcomputer 8 includes a CPU that operates according to a preset control program, a ROM that stores the control program of the CPU in advance, and a RAM that temporarily stores data necessary for the CPU to execute calculations. The microcomputer 8 has a function of outputting a drive instruction signal to the gate logic circuit 26 when the microcomputer 8 turns on the switch SW.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】このように従来の半導
体リレーシステムにおいては、負荷が複数(多チャンネ
ル)ある場合、各負荷に対し、それぞれ半導体リレーを
介して車載バッテリからの電源電圧VBを供給してお
り、それぞれの負荷に供給される電流値は個別に検出さ
れ、それぞれがマイコン8の内蔵されたA/D変換器
9,15,21,27によってディジタル値に変換さ
れ、CPUに取り込まれる構成となっている。
As described above, in the conventional semiconductor relay system, when there are a plurality of loads (multiple channels), the power supply voltage VB from the vehicle battery is supplied to each load via the semiconductor relay. The current value supplied to each load is individually detected, and each is converted into a digital value by A / D converters 9, 15, 21, and 27 built in the microcomputer 8 and taken into the CPU. It has a configuration.

【0017】したがって、負荷が多チャンネル(例え
ば、4チャンネル)ある場合、マイコンのA/D入力端
子の数も多チャンネル(例えば、4チャンネル)分を必
要となる。しかしながら、マイコン8に設けられている
I/Oの端子数は多いが、A/D変換機能を備えたA/
D入力端子の数は限られているため、A/D入力端子を
センサーからの検出値をマイコン8に取り込むのに用い
た方がA/D入力端子の利用法としては効率が良く、ラ
ンプ負荷のような単なるランプ負荷に流れる電流を検出
するだけの負荷電流モニター用として用いるのは、ラン
プ負荷のような頻繁に同時にモニターする必要がない負
荷電流モニター用として用いるのはA/D入力端子の利
用効率から適さないという問題を有している。また、マ
イコンに設けられているI/Oの端子数には、A/D変
換機能を備えたA/D入力端子の数は限られているた
め、マイコンのI/OにA/D変換器を外付けにする
と、A/D入力端子の利用数を抑えることはできるが、
実装面積が大きくなり小型化という点においては適さな
いものとなってしまうという問題を有している。
Therefore, when the load is multi-channel (for example, 4 channels), the number of A / D input terminals of the microcomputer also needs to be multi-channel (for example, 4 channels). However, although the number of I / O terminals provided in the microcomputer 8 is large, an A / D having an A / D conversion function is provided.
Since the number of D input terminals is limited, it is more efficient to use the A / D input terminal to take in the detected value from the sensor into the microcomputer 8 because the A / D input terminal is used more efficiently and the lamp load is increased. Is used for monitoring the load current which simply detects the current flowing through the lamp load, and for monitoring the load current which does not need to be monitored frequently, such as a lamp load, is used as the A / D input terminal. There is a problem that it is not suitable for use efficiency. Also, the number of I / O terminals provided in the microcomputer is limited to the number of A / D input terminals having an A / D conversion function. Can be used to reduce the number of A / D input terminals used,
There is a problem in that the mounting area becomes large and it is not suitable in terms of miniaturization.

【0018】本発明の目的は、電流モニター端子に対す
るマイコンに設けられているA/D変換機能を備えたA
/D入力端子の使用効率を向上させることにある。
An object of the present invention is to provide an A / D converter having an A / D conversion function provided in a microcomputer for a current monitor terminal.
It is to improve the use efficiency of the / D input terminal.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1に記載の電流モニター端子のマイクロコ
ンピュータへの入力方法は、マイクロコンピュータでチ
ャージポンプ回路によって電源電圧を昇圧したチャージ
ポンプ出力電圧を、駆動回路を介して複数の負荷のそれ
ぞれに直列に接続される半導体リレーのゲートに印加す
ることにより、該半導体リレーをオン・オフ制御してそ
れぞれの負荷に電源を供給する半導体リレーシステムに
おいて,半導体リレーのドレン側に電流検出用抵抗を接
続して負荷に流れる電流値をモニターする負荷電流モニ
ター回路を複数の負荷のそれぞれに設け、複数の負荷の
それぞれに設けた負荷電流モニター回路の出力をアナロ
グマルチプレクサを介して任意に選定したアナログ出力
値をマイクロコンピュータに内蔵される1個のA/D変
換器を介してCPUに取り込むようにしたものである。
このように構成することにより、請求項1に記載の発明
によると、電流モニター端子に対するマイコンに設けら
れているA/D変換機能を備えたA/D入力端子の使用
効率を向上させることができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for inputting a current monitor terminal to a microcomputer, wherein the power supply voltage is boosted by a charge pump circuit by the microcomputer. By applying an output voltage to a gate of a semiconductor relay connected in series to each of a plurality of loads via a drive circuit, the semiconductor relay is turned on and off to supply power to each load. In a system, a load current monitor circuit is provided for each of a plurality of loads, and a load current monitor circuit is provided for each of the plurality of loads, and a current detection resistor is connected to a drain side of the semiconductor relay to monitor a current value flowing through the load. The analog output value is arbitrarily selected via the analog multiplexer. It is obtained by the capture to the CPU via one A / D converter built in the Yuta.
With this configuration, according to the first aspect of the invention, it is possible to improve the use efficiency of the A / D input terminal having the A / D conversion function provided in the microcomputer for the current monitor terminal. .

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態に
ついて説明する。図1には、本発明に係る電流モニター
端子のマイクロコンピュータへの入力方法の一実施の形
態を示す半導体モニターシステムの回路図が示されてい
る。
Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a circuit diagram of a semiconductor monitor system showing an embodiment of a method for inputting a current monitor terminal to a microcomputer according to the present invention.

【0021】図において、車載バッテリからの電源電圧
VBは、負荷3に供給される電流を検出する電流検出用
抵抗(シャント抵抗)Rs1と、半導体リレー2(例え
ば、半導体スイッチ素子としての熱遮断回路内蔵型MO
SFET)のドレインD−ソースS間とを介してストッ
プランプ等の負荷3に供給される。この半導体リレー2
は、例えば、熱遮断回路内蔵型MOSFETが用いら
れ、この熱遮断回路内蔵型MOSFETは、ロジックレ
ベル(4V以上)駆動型パワーMOSFETで、熱遮断
回路を内蔵しており、過熱状態のパワーMOSFET保
護が可能となっており、過熱遮断方式はラッチ型で、過
熱遮断回路動作後は、ゲート電圧0バイアスで復帰する
ものである。
In FIG. 1, a power supply voltage VB from a vehicle-mounted battery includes a current detecting resistor (shunt resistor) Rs1 for detecting a current supplied to a load 3, and a semiconductor relay 2 (for example, a thermal cutoff circuit as a semiconductor switch element). Built-in MO
SFET) is supplied to a load 3 such as a stop lamp via the drain D and the source S. This semiconductor relay 2
For example, a MOSFET with a built-in thermal cut-off circuit is used. The MOSFET with a built-in thermal cut-off circuit is a power MOSFET driven at a logic level (4 V or more). The overheat shut-off method is a latch type, and after the operation of the overheat cut-off circuit, the circuit is restored with a gate voltage of 0 bias.

【0022】駆動回路4は、例えば、チャージポンプ回
路5により電源電圧VBを昇圧したチャージポンプ出力
電圧VP(=VB+10[V])がコレクタに接続され
るNPN型スイッチング(SW)トランジスタと、該S
Wトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたNP
N型スイッチング(SW)トランジスタとを有し、チャ
ージポンプ回路5側に接続されるSWトランジスタのエ
ミッタとアース側に接続されるSWトランジスタのコレ
クタとの接点が半導体リレー2のゲートGに接続された
構成となっている。
The drive circuit 4 includes, for example, an NPN type switching (SW) transistor having a collector connected to a charge pump output voltage VP (= VB + 10 [V]) obtained by boosting the power supply voltage VB by the charge pump circuit 5, and the S
NP with collector connected to emitter of W transistor
A contact point between the emitter of the SW transistor connected to the charge pump circuit 5 and the collector of the SW transistor connected to the ground side is connected to the gate G of the semiconductor relay 2. It has a configuration.

【0023】そして、駆動回路4は、2つの直列に接続
されるSWトランジスタの内のチャージポンプ回路5側
に接続されるSWトランジスタをオンさせると共にSW
トランジスタをオフさせることにより、チャージポンプ
出力電圧VPを半導体リレー2のゲートGに印加して、
半導体リレー2をオンさせ、2つの直列に接続されるS
Wトランジスタの内のチャージポンプ回路5側に接続さ
れるSWトランジスタをオフさせると共にSWトランジ
スタをオンさせることにより、半導体リレー2のゲート
Gに対するチャージポンプ出力電圧VPの印加を停止し
て、半導体リレー2をオフさせる機能を有している。
The drive circuit 4 turns on the SW transistor connected to the charge pump circuit 5 side of the two serially connected SW transistors, and switches the SW transistor.
By turning off the transistor, the charge pump output voltage VP is applied to the gate G of the semiconductor relay 2,
The semiconductor relay 2 is turned on and two series-connected S
By turning off the SW transistor connected to the charge pump circuit 5 side of the W transistor and turning on the SW transistor, the application of the charge pump output voltage VP to the gate G of the semiconductor relay 2 is stopped, and the semiconductor relay 2 Has the function of turning off the power.

【0024】また、車載バッテリと半導体リレー2との
間に設けられたシャント抵抗Rs1は、車載バッテリと
負荷3との間の電源線に流れる電流を電圧に変換するた
めの低抵抗で、この両端電圧を検出することにより電源
線に流れる電流の検出を行っている。このシャント抵抗
Rs1の両端は、負荷電流モニター回路6に接続されて
おり、この負荷電流モニター回路6は、電流検出手段と
して働き、シャント抵抗Rs1の両端電圧に応じた電圧
を出力することにより負荷電流を検出している。そし
て、このシャント抵抗Rs1は、例えば、数十mΩの抵
抗を用い、ハード的な過電流判定値、例えば、数十Aを
決定するものである。負荷電流モニター回路6の出力
は、アナログマルチプレクサ28に入力される。このア
ナログマルチプレクサ28は、多数のアナログ信号(マ
ルチプレクサの最大容量まで)の内の1個を選択しA/
D変換器の入力に与えるものである。
A shunt resistor Rs1 provided between the vehicle battery and the semiconductor relay 2 is a low resistor for converting a current flowing through a power supply line between the vehicle battery and the load 3 into a voltage. The current flowing through the power supply line is detected by detecting the voltage. Both ends of the shunt resistor Rs1 are connected to a load current monitor circuit 6. The load current monitor circuit 6 functions as current detection means, and outputs a voltage corresponding to the voltage across the shunt resistor Rs1 to load current. Has been detected. The shunt resistor Rs1 uses a resistor of, for example, several tens of mΩ, and determines a hard overcurrent determination value, for example, several tens of amps. The output of the load current monitor circuit 6 is input to the analog multiplexer 28. The analog multiplexer 28 selects one of a number of analog signals (up to the maximum capacity of the multiplexer) and selects A /
This is given to the input of the D converter.

【0025】また、車載バッテリからの電源電圧VB
は、負荷3とは別な負荷11に供給される電流を検出す
る電流検出用抵抗(シャント抵抗)Rs2と、半導体リ
レー10(例えば、半導体スイッチ素子としての熱遮断
回路内蔵型MOSFET)のドレインD−ソースS間と
を介してテールランプ等のランプ負荷11に供給され
る。この半導体リレー10は、例えば、熱遮断回路内蔵
型MOSFETが用いられ、この熱遮断回路内蔵型MO
SFETは、ロジックレベル(4V以上)駆動型パワー
MOSFETで、熱遮断回路を内蔵しており、過熱状態
のパワーMOSFET保護が可能となっており、過熱遮
断方式はラッチ型で、過熱遮断回路動作後は、ゲート電
圧0バイアスで復帰するものである。
The power supply voltage VB from the vehicle battery
Is a current detection resistor (shunt resistor) Rs2 for detecting a current supplied to a load 11 different from the load 3, and a drain D of a semiconductor relay 10 (for example, a MOSFET with a built-in heat cutoff circuit as a semiconductor switch element). -Is supplied to the lamp load 11 such as a tail lamp via the source S and the source S. The semiconductor relay 10 uses, for example, a MOSFET with a built-in heat shut-off circuit.
The SFET is a logic-level (4V or more) drive type power MOSFET with a built-in thermal cutoff circuit, which enables protection of the power MOSFET in the overheated state. The overheat cutoff method is a latch type, and after the overheat cutoff circuit operates Restores with a gate voltage of 0 bias.

【0026】駆動回路12は、例えば、チャージポンプ
回路5により電源電圧VBを昇圧したチャージポンプ出
力電圧VP(=VB+10[V])がコレクタに接続さ
れるNPN型スイッチング(SW)トランジスタと、該
SWトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたN
PN型スイッチング(SW)トランジスタとを有し、チ
ャージポンプ回路5側に接続されるSWトランジスタの
エミッタとアース側に接続されるSWトランジスタのコ
レクタとの接点が半導体リレー2のゲートGに接続され
た構成となっている。
The drive circuit 12 includes, for example, an NPN type switching (SW) transistor in which a charge pump output voltage VP (= VB + 10 [V]) obtained by boosting the power supply voltage VB by the charge pump circuit 5 is connected to a collector, and the SW N with collector connected to emitter of transistor
A contact point between the emitter of the SW transistor connected to the charge pump circuit 5 and the collector of the SW transistor connected to the ground is connected to the gate G of the semiconductor relay 2. It has a configuration.

【0027】そして、駆動回路12は、2つの直列に接
続されるSWトランジスタの内のチャージポンプ回路5
側に接続されるSWトランジスタをオンさせると共にS
Wトランジスタをオフさせることにより、チャージポン
プ出力電圧VPを半導体リレー10のゲートGに印加し
て、半導体リレー10をオンさせ、2つの直列に接続さ
れるSWトランジスタの内のチャージポンプ回路5側に
接続されるSWトランジスタをオフさせると共にSWト
ランジスタをオンさせることにより、半導体リレー10
のゲートGに対するチャージポンプ出力電圧VPの印加
を停止して、半導体リレー10をオフさせる機能を有し
ている。
The drive circuit 12 is a charge pump circuit 5 of the two serially connected SW transistors.
Turn on the SW transistor connected to the
By turning off the W transistor, the charge pump output voltage VP is applied to the gate G of the semiconductor relay 10 to turn on the semiconductor relay 10 and to the charge pump circuit 5 side of the two serially connected SW transistors. By turning off the connected SW transistor and turning on the SW transistor, the semiconductor relay 10
The function of stopping the application of the charge pump output voltage VP to the gate G of the semiconductor relay 10 and turning off the semiconductor relay 10 is provided.

【0028】また、車載バッテリと半導体リレー10と
の間に設けられたシャント抵抗Rs2は、車載バッテリ
とランプ負荷11との間の電源線に流れる電流を電圧に
変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出すること
により電源線に流れる電流の検出を行っている。このシ
ャント抵抗Rs2の両端は、負荷電流モニター回路13
に接続されており、この負荷電流モニター回路13は、
電流検出手段として働き、シャント抵抗Rs2の両端電
圧に応じた電圧を出力することにより負荷電流を検出し
ている。そして、このシャント抵抗Rs2は、例えば、
数十mΩの抵抗を用い、ハード的な過電流判定値、例え
ば、数十Aを決定するものである。負荷電流モニター回
路13の出力は、アナログマルチプレクサ28に入力さ
れる。このアナログマルチプレクサ28は、多数のアナ
ログ信号(マルチプレクサの最大容量まで)の内の1個
を選択しA/D変換器の入力に与えるものである。
A shunt resistor Rs2 provided between the vehicle battery and the semiconductor relay 10 is a low resistor for converting a current flowing through a power supply line between the vehicle battery and the lamp load 11 into a voltage. The current flowing in the power supply line is detected by detecting the voltage between both ends. Both ends of the shunt resistor Rs2 are connected to the load current monitor circuit 13
The load current monitoring circuit 13 is connected to
It functions as current detection means and detects a load current by outputting a voltage corresponding to the voltage across the shunt resistor Rs2. The shunt resistor Rs2 is, for example,
Using a resistor of several tens of mΩ, a hardware-based overcurrent determination value, for example, several tens of amperes is determined. The output of the load current monitor circuit 13 is input to the analog multiplexer 28. The analog multiplexer 28 selects one of a large number of analog signals (up to the maximum capacity of the multiplexer) and supplies it to the input of the A / D converter.

【0029】また、車載バッテリからの電源電圧VB
は、ランプ負荷11とは別な負荷17に供給される電流
を検出する電流検出用抵抗(シャント抵抗)Rs3と、
半導体リレー16(例えば、半導体スイッチ素子として
の熱遮断回路内蔵型MOSFET)のドレインD−ソー
スS間とを介してバックランプ等のランプ負荷17に供
給される。この半導体リレー16は、例えば、熱遮断回
路内蔵型MOSFETが用いられ、この熱遮断回路内蔵
型MOSFETは、ロジックレベル(4V以上)駆動型
パワーMOSFETで、熱遮断回路を内蔵しており、過
熱状態のパワーMOSFET保護が可能となっており、
過熱遮断方式はラッチ型で、過熱遮断回路動作後は、ゲ
ート電圧0バイアスで復帰するものである。
The power supply voltage VB from the vehicle battery
Is a current detection resistor (shunt resistor) Rs3 for detecting a current supplied to a load 17 different from the lamp load 11,
The power is supplied to a lamp load 17 such as a back lamp via a portion between a drain D and a source S of a semiconductor relay 16 (for example, a MOSFET with a built-in heat cutoff circuit as a semiconductor switching element). The semiconductor relay 16 is, for example, a MOSFET with a built-in heat cutoff circuit. The built-in MOSFET with a built-in heat cutoff circuit is a logic-level (4 V or more) drive type power MOSFET with a built-in heat cutoff circuit. Power MOSFET protection is possible,
The overheat shut-off method is a latch type, and is restored with a gate voltage of 0 bias after the operation of the overheat cut-off circuit.

【0030】駆動回路19は、例えば、チャージポンプ
回路5により電源電圧VBを昇圧したチャージポンプ出
力電圧VP(=VB+10[V])がコレクタに接続さ
れるNPN型スイッチング(SW)トランジスタと、該
SWトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたN
PN型スイッチング(SW)トランジスタとを有し、チ
ャージポンプ回路5側に接続されるSWトランジスタの
エミッタとアース側に接続されるSWトランジスタのコ
レクタとの接点が半導体リレー11のゲートGに接続さ
れた構成となっている。
The drive circuit 19 includes, for example, an NPN type switching (SW) transistor having a collector connected to a charge pump output voltage VP (= VB + 10 [V]) obtained by boosting the power supply voltage VB by the charge pump circuit 5, and the SW. N with collector connected to emitter of transistor
A contact point between the emitter of the SW transistor connected to the charge pump circuit 5 and the collector of the SW transistor connected to the ground is connected to the gate G of the semiconductor relay 11. It has a configuration.

【0031】そして、駆動回路19は、2つの直列に接
続されるSWトランジスタの内のチャージポンプ回路5
側に接続されるSWトランジスタをオンさせると共にS
Wトランジスタをオフさせることにより、チャージポン
プ出力電圧VPを半導体リレー16のゲートGに印加し
て、半導体リレー16をオンさせ、2つの直列に接続さ
れるSWトランジスタの内のチャージポンプ回路5側に
接続されるSWトランジスタをオフさせると共にSWト
ランジスタをオンさせることにより、半導体リレー16
のゲートGに対するチャージポンプ出力電圧VPの印加
を停止して、半導体リレー16をオフさせる機能を有し
ている。
Then, the drive circuit 19 includes the charge pump circuit 5 of the two series-connected SW transistors.
Turn on the SW transistor connected to the
By turning off the W transistor, the charge pump output voltage VP is applied to the gate G of the semiconductor relay 16 to turn on the semiconductor relay 16 and to the charge pump circuit 5 side of the two serially connected SW transistors. By turning off the connected SW transistor and turning on the SW transistor, the semiconductor relay 16
Has the function of stopping the application of the charge pump output voltage VP to the gate G of the semiconductor device and turning off the semiconductor relay 16.

【0032】また、車載バッテリと半導体リレー16と
の間に設けられたシャント抵抗Rs3は、車載バッテリ
とランプ負荷17との間の電源線に流れる電流を電圧に
変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出すること
により電源線に流れる電流の検出を行っている。このシ
ャント抵抗Rs3の両端は、負荷電流モニター回路19
に接続されており、この負荷電流モニター回路19は、
電流検出手段として働き、シャント抵抗Rs3の両端電
圧に応じた電圧を出力することにより負荷電流を検出し
ている。そして、このシャント抵抗Rs3は、例えば、
数十mΩの抵抗を用い、ハード的な過電流判定値、例え
ば、数十Aを決定するものである。負荷電流モニター回
路19の出力は、アナログマルチプレクサ28に入力さ
れる。このアナログマルチプレクサ28は、多数のアナ
ログ信号(マルチプレクサの最大容量まで)の内の1個
を選択しA/D変換器の入力に与えるものである。
A shunt resistor Rs3 provided between the vehicle battery and the semiconductor relay 16 is a low resistor for converting a current flowing in a power supply line between the vehicle battery and the lamp load 17 into a voltage. The current flowing in the power supply line is detected by detecting the voltage between both ends. Both ends of the shunt resistor Rs3 are connected to the load current monitor circuit 19.
This load current monitor circuit 19 is connected to
It functions as current detection means and detects a load current by outputting a voltage corresponding to the voltage across the shunt resistor Rs3. And this shunt resistor Rs3 is, for example,
Using a resistor of several tens of mΩ, a hardware-based overcurrent determination value, for example, several tens of amperes is determined. The output of the load current monitor circuit 19 is input to the analog multiplexer 28. The analog multiplexer 28 selects one of a large number of analog signals (up to the maximum capacity of the multiplexer) and supplies it to the input of the A / D converter.

【0033】また、車載バッテリからの電源電圧VB
は、ランプ負荷17とは別な負荷23に供給される電流
を検出する電流検出用抵抗(シャント抵抗)Rs4と、
半導体リレー22(例えば、半導体スイッチ素子として
の熱遮断回路内蔵型MOSFET)のドレインD−ソー
スS間とを介してパーキングランプ等のランプ負荷23
に供給される。この半導体リレー22は、例えば、熱遮
断回路内蔵型MOSFETが用いられ、この熱遮断回路
内蔵型MOSFETは、ロジックレベル(4V以上)駆
動型パワーMOSFETで、熱遮断回路を内蔵してお
り、過熱状態のパワーMOSFET保護が可能となって
おり、過熱遮断方式はラッチ型で、過熱遮断回路動作後
は、ゲート電圧0バイアスで復帰するものである。
The power supply voltage VB from the vehicle battery
Is a current detection resistor (shunt resistor) Rs4 for detecting a current supplied to a load 23 different from the lamp load 17,
A lamp load 23 such as a parking lamp via a drain D and a source S of a semiconductor relay 22 (for example, a MOSFET with a built-in heat cutoff circuit as a semiconductor switch element).
Supplied to The semiconductor relay 22 is, for example, a MOSFET with a built-in heat cutoff circuit. The built-in MOSFET with a built-in heat cutoff circuit is a logic-level (4 V or more) drive type power MOSFET, which has a built-in heat cutoff circuit and is overheated. The overheat protection method is of a latch type, and is restored with a gate voltage of 0 bias after the operation of the overheat protection circuit.

【0034】駆動回路25は、例えば、チャージポンプ
回路5により電源電圧VBを昇圧したチャージポンプ出
力電圧VP(=VB+10[V])がコレクタに接続さ
れるNPN型スイッチング(SW)トランジスタと、該
SWトランジスタのエミッタにコレクタが接続されたN
PN型スイッチング(SW)トランジスタとを有し、チ
ャージポンプ回路5側に接続されるSWトランジスタの
エミッタとアース側に接続されるSWトランジスタのコ
レクタとの接点が半導体リレー22のゲートGに接続さ
れた構成となっている。
The drive circuit 25 includes, for example, an NPN type switching (SW) transistor having a collector connected to a charge pump output voltage VP (= VB + 10 [V]) obtained by boosting the power supply voltage VB by the charge pump circuit 5, and the SW. N with collector connected to emitter of transistor
A contact point between an emitter of the SW transistor connected to the charge pump circuit 5 and a collector of the SW transistor connected to the ground side is connected to the gate G of the semiconductor relay 22. It has a configuration.

【0035】そして、駆動回路25は、2つの直列に接
続されるSWトランジスタの内のチャージポンプ回路5
側に接続されるSWトランジスタをオンさせると共にS
Wトランジスタをオフさせることにより、チャージポン
プ出力電圧VPを半導体リレー22のゲートGに印加し
て、半導体リレー22をオンさせ、2つの直列に接続さ
れるSWトランジスタの内のチャージポンプ回路5側に
接続されるSWトランジスタをオフさせると共にSWト
ランジスタをオンさせることにより、半導体リレー22
のゲートGに対するチャージポンプ出力電圧VPの印加
を停止して、半導体リレー22をオフさせる機能を有し
ている。
The drive circuit 25 is a charge pump circuit 5 of the two serially connected SW transistors.
Turn on the SW transistor connected to the
By turning off the W transistor, the charge pump output voltage VP is applied to the gate G of the semiconductor relay 22 to turn on the semiconductor relay 22 and to the charge pump circuit 5 side of the two serially connected SW transistors. By turning off the connected SW transistor and turning on the SW transistor, the semiconductor relay 22
Has the function of stopping the application of the charge pump output voltage VP to the gate G of the semiconductor device and turning off the semiconductor relay 22.

【0036】また、車載バッテリと半導体リレー22と
の間に設けられたシャント抵抗Rs4は、車載バッテリ
とランプ負荷23との間の電源線に流れる電流を電圧に
変換するための低抵抗で、この両端電圧を検出すること
により電源線に流れる電流の検出を行っている。このシ
ャント抵抗Rs4の両端は、負荷電流モニター回路25
に接続されており、この負荷電流モニター回路25は、
電流検出手段として働き、シャント抵抗Rs4の両端電
圧に応じた電圧を出力することにより負荷電流を検出し
ている。そして、このシャント抵抗Rs4は、例えば、
数十mΩの抵抗を用い、ハード的な過電流判定値、例え
ば、数十Aを決定するものである。負荷電流モニター回
路25の出力は、アナログマルチプレクサ28に入力さ
れる。このアナログマルチプレクサ28は、多数のアナ
ログ信号(マルチプレクサの最大容量まで)の内の1個
を選択しA/D変換器の入力に与えるものである。
A shunt resistor Rs4 provided between the vehicle-mounted battery and the semiconductor relay 22 is a low resistance for converting a current flowing through a power supply line between the vehicle-mounted battery and the lamp load 23 into a voltage. The current flowing in the power supply line is detected by detecting the voltage between both ends. Both ends of the shunt resistor Rs4 are connected to a load current monitor circuit 25.
This load current monitor circuit 25 is connected to
It functions as current detection means, and detects a load current by outputting a voltage corresponding to the voltage across the shunt resistor Rs4. And this shunt resistor Rs4 is, for example,
Using a resistor of several tens of mΩ, a hardware-based overcurrent determination value, for example, several tens of amperes is determined. The output of the load current monitor circuit 25 is input to the analog multiplexer 28. The analog multiplexer 28 selects one of a large number of analog signals (up to the maximum capacity of the multiplexer) and supplies it to the input of the A / D converter.

【0037】アナログマルチプレクサ28の出力端子に
は、OR回路29が接続されている。このOR回路29
は、アナログマルチプレクサ28から出力される多数の
アナログ信号のいずれかが入力されたとき、その入力さ
れたアナログ信号を出力する機能を有するものである。
このようにアナログマルチプレクサ28は、負荷電流モ
ニター回路6、13、19、25からの出力アナログ信
号の内の1個を選択し出力するものであるから、このO
R回路29から出力されたアナログ信号(負荷電流モニ
ター回路6、13、19、25の出力アナログ信号の内
のいずれかの出力信号)は、増幅器30によって増幅さ
れてマイクロコンピュータ(マイコン)8に供給され、
マイコン8に内蔵されるA/D変換器31によりディジ
タル値に変換された後、マイコン8のCPUに取り込ま
れる。
An OR circuit 29 is connected to an output terminal of the analog multiplexer 28. This OR circuit 29
Has a function of outputting the input analog signal when any of a large number of analog signals output from the analog multiplexer 28 is input.
As described above, the analog multiplexer 28 selects and outputs one of the analog signals output from the load current monitoring circuits 6, 13, 19, and 25.
The analog signal output from the R circuit 29 (any one of the output analog signals of the load current monitoring circuits 6, 13, 19, and 25) is amplified by the amplifier 30 and supplied to the microcomputer (microcomputer) 8. And
After being converted into a digital value by an A / D converter 31 built in the microcomputer 8, the digital value is taken into the CPU of the microcomputer 8.

【0038】このマイコン8は、予め設定されている制
御プログラムに従って動作するCPUと、このCPUの
制御プログラムを予め格納しているROMと、CPUの
演算実行時に必要なデータを一時的に保存するRAMと
によって構成されており、マイコン8にスイッチSWの
オン操作によって、ゲート・ロジック回路7、14、2
0、26のそれぞれに対して駆動指示信号を出力する機
能を有している。
The microcomputer 8 includes a CPU that operates in accordance with a preset control program, a ROM that stores the control program of the CPU in advance, and a RAM that temporarily stores data necessary for the CPU to execute calculations. When the switch SW is turned on by the microcomputer 8, the gate logic circuits 7, 14, 2
It has a function of outputting a drive instruction signal to each of 0 and 26.

【0039】このように構成される電流モニター端子の
マイクロコンピュータへの入力方法を示す半導体モニタ
ーシステムの回路動作について説明する。まず、電源投
入時は、マイコン8から動作させようとするランプ負荷
回路のゲート・ロジック回路7、14、20,26に電
圧Vinが印加されると、この電圧は、ゲート・ロジッ
ク回路7、14、20、26を介して駆動回路4、1
2、18、24を通って半導体リレー(熱遮断回路内蔵
型MOSFET)2、10、16、22のゲートGに印
加される。すると、半導体リレー2、10、17、22
のゲートG−ソースS間の電圧VGSは、徐々に昇圧し
ていき、活性領域から飽和領域に移る期間で、半導体リ
レー2、10、17、22は完全にオン状態になる。
The circuit operation of the semiconductor monitor system showing the method of inputting the current monitor terminal thus configured to the microcomputer will be described. First, when the power is turned on, when a voltage Vin is applied from the microcomputer 8 to the gate logic circuits 7, 14, 20, 26 of the lamp load circuit to be operated, this voltage is applied to the gate logic circuits 7, 14 , 20, 26 via the driving circuits 4, 1,
The voltage is applied to the gates G of the semiconductor relays (MOSFETs with a built-in thermal cutoff circuit) 2, 10, 16, and 22 through 2, 18, and 24. Then, the semiconductor relays 2, 10, 17, 22
The voltage VGS between the gate G and the source S gradually increases, and the semiconductor relays 2, 10, 17, and 22 are completely turned on in a period in which the voltage shifts from the active region to the saturation region.

【0040】また、マイコン8は、常時所定時間(例え
ば、数msec)毎に、A/D変換器31によりディジ
タル変換された、負荷電流モニター回路6、13、1
9、25の内の動作しているランプ負荷に流れる電流値
(シャント抵抗Rs1、Rs2、Rs3、Rs4の両端
の電位差によって検出)を、負荷電流モニター回路6、
13、19、25の内の選択されたいずれかの出力アナ
ログ信号をサンプリングし、このサンプリングした負荷
に流れる負荷電流によって過電流を検出する。この過電
流を検出すると、マイコン8は、ゲート・ロジック回路
14への駆動指示信号S2の出力を停止する。
Also, the microcomputer 8 always loads the load current monitoring circuits 6, 13, 1 which are digitally converted by the A / D converter 31 every predetermined time (for example, every several msec).
The current value (detected by the potential difference between both ends of the shunt resistors Rs1, Rs2, Rs3, and Rs4) flowing through the operating lamp load among the load lamps 9 and 25 is detected by the load current monitor circuit 6,
One of the output analog signals selected from 13, 19, and 25 is sampled, and an overcurrent is detected based on a load current flowing through the sampled load. When detecting this overcurrent, the microcomputer 8 stops outputting the drive instruction signal S2 to the gate logic circuit 14.

【0041】動作しているランプ負荷に流れる電流値
(シャント抵抗Rs1、Rs2、Rs3、Rs4の両端
の電位差によって検出)を負荷電流モニター回路6、1
3、19、25から出力されるアナログ信号のサンプリ
ングは、マイコン8からのアナログマルチプレクサ28
への選択指令信号によって選択された負荷電流モニター
回路6、13、19、25をアナログマルチプレクサ2
8によって選択して行うことになる。
The current value flowing through the operating lamp load (detected by the potential difference between both ends of the shunt resistors Rs1, Rs2, Rs3, Rs4) is detected by the load current monitor circuits 6, 1
The sampling of the analog signals output from 3, 19 and 25 is performed by the analog multiplexer 28 from the microcomputer 8.
Load current monitoring circuits 6, 13, 19, and 25 selected by the selection command signal to the analog multiplexer 2
8 to perform the selection.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、請求項1に記載の発明によれば、電流モニ
ター端子に対するマイコンに設けられているA/D変換
機能を備えたA/D入力端子の使用効率を向上すること
ができる。
As described above, according to the present invention, the A / D converter having the A / D conversion function provided to the microcomputer for the current monitor terminal is provided. The use efficiency of the / D input terminal can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る電流モニター端子のマイクロコン
ピュータへの入力方法の一実施の形態を示す半導体モニ
ターシステムの回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a semiconductor monitor system showing an embodiment of a method for inputting a current monitor terminal to a microcomputer according to the present invention.

【図2】従来の半導体モニターシステムの回路図であ
る。
FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional semiconductor monitor system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1………………………………………車載バッテリ 2、10,16,22………………半導体リレー 3、11,17,23………………負荷 4、12,18,24………………駆動回路 5………………………………………チャージポンプ回路 6、13,19,25………………負荷電流モニター回
路 7、14,20,26………………ゲート・ロジック回
路 8………………………………………マイクロコンピュー
タ 28……………………………………アナログマルチプレ
クサ 29……………………………………OR回路 30……………………………………増幅器 31……………………………………A/D変換器
1 ………………………………………………………………………………………………… Semiconductor relays 3, 11, 17, 23 , 18,24 ... Drive circuit 5 ... Charge pump circuit 6,13,19,25 ... Load current monitor circuit 7, 14, 20, 26… Gate logic circuit 8…… …… ………… Microcomputer 28 ………………………………… Analog multiplexer 29 …………………………………………………………………………………………………………………………………………… A / D converter

フロントページの続き Fターム(参考) 2G014 AA03 AA27 AB24 AB26 AB38 AC16 5G004 AA04 AB03 BA03 BA04 DA02 DC05 DC07 DC13 EA01 FA01 5J055 AX36 AX46 AX62 AX67 BX03 BX16 CX28 DX13 DX22 DX44 DX48 DX53 DX54 EX04 EX06 EX11 EY01 EY17 EZ09 EZ13 EZ24 EZ25 EZ29 EZ30 EZ39 EZ55 EZ57 FX04 FX32 GX01Continued on the front page F-term (reference) 2G014 AA03 AA27 AB24 AB26 AB38 AC16 5G004 AA04 AB03 BA03 BA04 DA02 DC05 DC07 DC13 EA01 FA01 5J055 AX36 AX46 AX62 AX67 BX03 BX16 CX28 DX13 DX22 DX44 DX48 DX53 DX54 EX09 EZ17 EZ EY EZ29 EZ30 EZ39 EZ55 EZ57 FX04 FX32 GX01

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マイクロコンピュータでチャージポンプ
回路によって電源電圧を昇圧したチャージポンプ出力電
圧を、駆動回路を介して複数の負荷のそれぞれに直列に
接続される半導体リレーのゲートに印加することによ
り、該半導体リレーをオン・オフ制御してそれぞれの負
荷に電源を供給する半導体リレーシステムにおいて,前
記半導体リレーのドレン側に電流検出用抵抗を接続して
負荷に流れる電流値をモニターする負荷電流モニター回
路を複数の負荷のそれぞれに設け、 前記複数の負荷のそれぞれに設けた負荷電流モニター回
路の出力をアナログマルチプレクサを介して任意に選定
したアナログ出力値をマイクロコンピュータに内蔵され
る1個のA/D変換器を介してCPUに取り込むように
したことを特徴とする電流モニター端子のマイクロコン
ピュータへの入力方法。
A microcomputer that applies a charge pump output voltage whose power supply voltage has been boosted by a charge pump circuit to a gate of a semiconductor relay connected in series to each of a plurality of loads via a drive circuit; In a semiconductor relay system for controlling a semiconductor relay on / off and supplying power to each load, a load current monitor circuit for monitoring a current value flowing through the load by connecting a current detection resistor to a drain side of the semiconductor relay. A single A / D converter built in the microcomputer, wherein an analog output value obtained by arbitrarily selecting an output of a load current monitor circuit provided for each of the plurality of loads via an analog multiplexer is provided for each of the plurality of loads; Current monitor terminal characterized in that it is taken in to the CPU via a heater Input method to the micro-computer.
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