JP2001110760A - Polishing assistant for silicon wafer - Google Patents
Polishing assistant for silicon waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造工程
でのシリコンウェハーの鏡面研磨に好適に使用されるシ
リコンウェハー用研磨助剤に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing aid for a silicon wafer which is suitably used for mirror polishing of a silicon wafer in a semiconductor manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体用シリコンウェハーの鏡面研磨工
程には、シリコンインゴットから切断によって、シリコ
ンをウェハー状に切り出した際に生じる切断歪層及び表
面うねりを除去するラッピング工程（粗研磨）と、ラッ
ピング工程を経たラップドシリコンウェハーを、目的と
する表面精度に仕上げるポリッシング工程（精密研磨工
程）がある。又、後者のポリッシング工程には、大体の
精度に仕上げる１次ポリッシング工程（１次研磨工程）
と、目的とする表面精度に仕上げるファイナルポリッシ
ング工程（最終研磨工程）に分別され、場合によっては
１次ポリッシング工程を２つに分け、１次、２次ポリッ
シング工程と称する場合もある。従来、シリコンウェハ
ーの研磨剤としてはコロイダルシリカや酸化セリウムが
一般的に使用されてきた。しかし、コロイダルシリカ研
磨液や酸化セリウム研磨液のみを用いて研磨を行うと、
研磨工程終了時にシリコンウェハーの表面にヘイズ（曇
り）が生じるという問題がある。又、パウダー状シリカ
を研磨剤として用いるとヘイズは発生しにくいが、パウ
ダー状シリカを水溶液に均一に分散させる工程が新たに
必要となり、更に、静置しておくとパウダー状シリカが
沈殿するために常に研磨液を攪拌している必要があっ
た。特開平２−１２５４１３号公報、特開昭６１−２０
９９０９号公報、特開昭６１−２０９９１０号公報等に
は、コロイダルシリカを用いたシリコンウェハー研磨剤
及び研磨方法の改良法が提案されているが、根本的な問
題の解決にはなっていないのが現状であった。2. Description of the Related Art A mirror polishing process of a silicon wafer for semiconductor includes a lapping process (rough polishing) for removing a cut strain layer and a surface undulation generated when silicon is cut into a wafer by cutting from a silicon ingot. There is a polishing step (precision polishing step) for finishing a wrapped silicon wafer that has undergone the steps to the desired surface accuracy. In the latter polishing step, a primary polishing step (primary polishing step) for finishing with approximately accuracy
And a final polishing step (final polishing step) for finishing to the desired surface accuracy. In some cases, the primary polishing step may be divided into two steps and referred to as primary and secondary polishing steps. Conventionally, colloidal silica and cerium oxide have been generally used as abrasives for silicon wafers. However, when polishing is performed using only a colloidal silica polishing liquid or a cerium oxide polishing liquid,
There is a problem that haze (fogging) occurs on the surface of the silicon wafer at the end of the polishing step. In addition, when powdery silica is used as an abrasive, haze is unlikely to occur, but a step of uniformly dispersing the powdery silica in an aqueous solution becomes necessary, and furthermore, if the powdery silica is left standing, the powdery silica precipitates. It was necessary to constantly stir the polishing liquid. JP-A-2-125413, JP-A-61-20
Japanese Patent Application Laid-Open No. 9909 and Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 61-209910 have proposed a polishing agent for silicon wafers using colloidal silica and an improved polishing method, but they have not solved the fundamental problem. Was the current situation.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】これらの問題を解決す
べく、従来から、コロイダルシリカ等のシリコン研磨液
に添加する研磨助剤が検討されてきた。例えば、特開平
４―２９１７２２号公報には、コロイダルシリカ及び特
定のＨＬＢ値を示す非イオン界面活性剤を含むシリコン
ウェハー用研磨剤が開示されている。特開平４―２９１
７２３号公報には、コロイダルシリカ及び特定のアニオ
ン界面活性剤を含むシリコンウェハー用研磨剤が開示さ
れている。これらの界面活性剤は、研磨液の表面張力を
調整して、研磨時に研磨されるシリコンウェハーの研磨
表面に研磨液を十分保持させるために使用されていた。
しかし、半導体産業の発展の結果、より高精度、高品質
のシリコンウェハーが求められるにつれ上述のような界
面活性剤ではヘイズの防止はできるが研磨表面の平坦さ
や研磨速度等の研磨助剤としての性能が不十分であるこ
とが指摘されはじめた。In order to solve these problems, conventionally, a polishing aid added to a silicon polishing liquid such as colloidal silica has been studied. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-291722 discloses a polishing agent for silicon wafers containing colloidal silica and a nonionic surfactant having a specific HLB value. JP-A-4-291
No. 723 discloses an abrasive for silicon wafers containing colloidal silica and a specific anionic surfactant. These surfactants have been used to adjust the surface tension of the polishing liquid so that the polishing liquid is sufficiently retained on the polishing surface of the silicon wafer to be polished during polishing.
However, as a result of the development of the semiconductor industry, higher precision and higher quality silicon wafers are required.As the above-mentioned surfactant can prevent haze, it can be used as a polishing aid such as polishing surface flatness and polishing rate. It began to point out that performance was inadequate.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは鋭意
検討し、特定の構造を有するポリエーテルが従来の研磨
助剤より優れた性能を示すことを発見し本発明を完成さ
せた。即ち、本発明は、下記の一般式（１） ＨＯ−（ＰＯ）a−（ＥＯ）b−（ＰＯ）c−Ｈ （１） （式中、ＥＯはオキシエチレン基を表わし、ＰＯはオキ
シプロピレン基を表わし、ａ、ｂ及びｃは１以上の数を
表わす。）で表わされるブロック型ポリエーテルからな
るシリコンウェハー用研磨助剤である。The inventors of the present invention have conducted intensive studies and have found that a polyether having a specific structure exhibits better performance than conventional polishing aids, thus completing the present invention. That is, the present invention relates to the following general formula (1): HO- (PO) a- (EO) b- (PO) c -H (1) (wherein EO represents an oxyethylene group, and PO represents oxypropylene A, b and c each represent a number of 1 or more.) Is a polishing aid for silicon wafers comprising a block type polyether represented by the following formula:
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】一般式（１）において、ＥＯはオ
キシエチレン基を表わし、ＰＯはオキシプロピレン基を
表わす。ａ、ｂ及びｃは１以上の数を表わす。ａ、ｂ及
びｃの好ましい値の範囲は、一般式（１）で表わされる
ブロック型ポリエーテルの分子量及びＨＬＢ等によって
相関的に変化するので一概には言えないが、ａ＋ｃ及び
ｂはそれぞれ通常は２〜５００程度、更に好ましくは１
０〜１００程度である。一般式（１）で表わされるブロ
ック型ポリエーテルは、エチレンオキサイドをｂモル重
合させて得られたポリエチレングリコールに、プロピレ
ンオキサイドをａ＋ｃモル付加させることにより得るこ
とができる。この際、ベースとなるポリエチレングリコ
ールの分子量や、付加させるプロピレンオキサイドの量
等により、得られるブロック型ポリエーテルの物性、例
えば、表面張力、親水性等を制御することができるの
で、研磨されるシリコンウェハーや研磨する方法に適し
たブロック型ポリエーテルを選択して使用することが可
能である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the general formula (1), EO represents an oxyethylene group, and PO represents an oxypropylene group. a, b and c represent one or more numbers. The preferred ranges of a, b and c cannot be determined unconditionally because they vary depending on the molecular weight, HLB and the like of the block type polyether represented by the general formula (1), but a + c and b are usually About 2 to 500, more preferably 1
It is about 0 to 100. The block type polyether represented by the general formula (1) can be obtained by adding a + c moles of propylene oxide to polyethylene glycol obtained by polymerizing b moles of ethylene oxide. At this time, the physical properties of the obtained block-type polyether, for example, surface tension, hydrophilicity, etc. can be controlled by the molecular weight of polyethylene glycol serving as a base and the amount of propylene oxide to be added. It is possible to select and use a block type polyether suitable for a wafer or a polishing method.
【０００６】又、一般式（１）で表わされるブロック型
ポリエーテルの分子量は特に限定されないが、あまり小
さすぎると、研磨液の表面張力を調整する効果等が不十
分になり、あまり大きすぎると、一般式（１）で表わさ
れるブロック型ポリエーテルの粘度が上昇しすぎるた
め、１，０００〜１０，０００が好ましい。一般式
（１）で表わされるブロック型ポリエーテルは、１種を
単独で使用することは勿論、ａ、ｂ又はｃの値が異なる
２種以上のブロック型ポリエーテルを使用することがで
き、研磨液の表面張力や親水性等を微調整したい場合
は、２種以上を併用して使用することが好ましい。一般
式（１）で表わされるブロック型ポリエーテルの中で
も、シリコンウェハーを研磨する研磨液に特に好ましい
表面張力を与えるものは、ＥＯ及びＰＯの重量比がＥ
Ｏ：ＰＯ＝５：９５〜６０：４０であるブロック型ポリ
エーテルである。このようなブロック型ポリエーテルを
使用した場合は、研磨液にシリコンウェハーを研磨する
のに特に適した表面張力を与えることができるので、ヘ
イズが無く、研磨表面が平滑・平坦なシリコンウェハー
を得ることができ、その結果高性能の半導体素子が得ら
れる。The molecular weight of the block type polyether represented by the general formula (1) is not particularly limited, but if it is too small, the effect of adjusting the surface tension of the polishing liquid becomes insufficient, and if it is too large. Since the viscosity of the block type polyether represented by the general formula (1) is too high, 1,000 to 10,000 is preferable. As the block type polyether represented by the general formula (1), one type may be used alone, and two or more types of block type polyethers having different values of a, b or c may be used. When it is desired to finely adjust the surface tension or hydrophilicity of the liquid, it is preferable to use two or more kinds in combination. Among the block type polyethers represented by the general formula (1), those which give a particularly preferable surface tension to a polishing liquid for polishing a silicon wafer have a weight ratio of EO and PO of E.
It is a block type polyether in which O: PO = 5: 95 to 60:40. When such a block type polyether is used, a polishing liquid can be provided with a surface tension particularly suitable for polishing a silicon wafer, so that a silicon wafer having no haze and a smooth and flat polished surface is obtained. As a result, a high-performance semiconductor device can be obtained.
【０００７】更に、一般式（１）で表わされるブロック
型ポリエーテルは、次の一般式（２）で表わされるブロ
ック型ポリエーテルと併用することができる。 ＨＯ−（ＥＯ）d−（ＰＯ）e−（ＥＯ）f−Ｈ （２） 一般式（２）において、ｄ、ｅ及びｆは１以上の数を表
わす。ｄ、ｅ及びｆの好ましい値の範囲は、一般式
（２）で表わされるブロック型ポリエーテルの分子量及
びＨＬＢ等によって相関的に変化するので一概には言え
ないが、ｄ＋ｆ及びｅがそれぞれ通常は２〜５００程
度、更に好ましくは１０〜１００程度である。一般式
（２）で表わされるブロック型ポリエーテルは、プロピ
レンオキサイドをｅモル重合させて得られたポリプロピ
レングリコールに、エチレンオキサイドをｄ＋ｆモル付
加させることにより得ることができる。Furthermore, the block type polyether represented by the general formula (1) can be used in combination with the block type polyether represented by the following general formula (2). HO- (EO) d- (PO) e- (EO) f- H (2) In the general formula (2), d, e, and f represent one or more numbers. Desirable ranges of d, e and f cannot be determined unconditionally because they vary depending on the molecular weight, HLB and the like of the block type polyether represented by the general formula (2), but d + f and e are usually It is about 2 to 500, more preferably about 10 to 100. The block type polyether represented by the general formula (2) can be obtained by adding d + f ethylene oxide to polypropylene glycol obtained by e-mol polymerization of propylene oxide.
【０００８】又、一般式（１）で表わされるブロック型
ポリエーテルに、更に、例えば、プロピレングリコー
ル、エチレングリコール、ブタンジオール等のグリコー
ル系溶剤を添加すると、研磨液の粘度を下げ、又、コロ
イダルシリカ等の水分散シリカの分散性を向上させるの
で好ましい。ブロック型ポリエーテルとグリコール系溶
剤を併用する場合は、ブロック型ポリエーテルを、ブロ
ック型ポリエーテルとグリコール系溶剤からなる組成物
の全量に対して６０〜９９重量％、グリコール系溶剤を
組成物全量に対して１〜４０重量％とすることが好まし
い。Further, when a glycol-based solvent such as propylene glycol, ethylene glycol or butanediol is further added to the block type polyether represented by the general formula (1), the viscosity of the polishing liquid is reduced and the colloidal solvent is reduced. It is preferable because the dispersibility of water-dispersible silica such as silica is improved. When the block-type polyether and the glycol-based solvent are used in combination, the block-type polyether is 60 to 99% by weight based on the total amount of the composition comprising the block-type polyether and the glycol-based solvent, and the glycol-based solvent is the total amount of the composition. Is preferably 1 to 40% by weight.
【０００９】上記の本発明のシリコンウェハー用研磨助
剤は、通常、研磨剤である水分散シリカに添加して使用
される。水分散シリカとしては、例えば、水分散パウダ
ーシリカ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、中でも
ｐＨ８〜１２に調整されたアルカリ性コロイダルシリカ
が好ましい。アルカリ性コロイダルシリカの中でも、平
均粒子径は７〜１００μｍのものが好ましく、アルカリ
性コロイダルシリカの濃度は２０〜６０重量％が好まし
い。The above-mentioned polishing aid for silicon wafers of the present invention is usually used by adding it to water-dispersed silica as a polishing agent. Examples of the water-dispersed silica include water-dispersed powder silica and colloidal silica. Among them, alkaline colloidal silica adjusted to pH 8 to 12 is preferable. Among the alkaline colloidal silicas, those having an average particle diameter of 7 to 100 μm are preferable, and the concentration of the alkaline colloidal silica is preferably 20 to 60% by weight.
【００１０】本発明のシリコンウェハー用研磨助剤の添
加量は特に限定されないが、水分散シリカの固形分に対
して０．００５〜５重量％添加することが好ましい。そ
の他、本発明のシリコンウェハー研磨助剤は、メタノー
ル、エタノール、２−プロパノール等の低級アルコー
ル；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロ
ソルブ、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブ
チルカルビトール等の低級アルコールのアルコキシレー
ト；高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物等の
界面活性剤と併用することができる。本発明のシリコン
ウェハー研磨助剤は、シリコンウェハーのラッピング工
程又はポリッシング工程の何れにも使用することがで
き、研磨液の表面張力を適切な値に調整することができ
るため、シリコンウェハー上にヘイズが無く、表面が平
滑・平坦なシリコンウェハーを得ることができ、その結
果高性能の半導体素子が得られる。The addition amount of the polishing aid for silicon wafers of the present invention is not particularly limited, but is preferably 0.005 to 5% by weight based on the solid content of the water-dispersed silica. In addition, the silicon wafer polishing aid of the present invention is a lower alcohol such as methanol, ethanol, or 2-propanol; or an alkoxylate of a lower alcohol such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl carbitol, ethyl carbitol, or butyl carbitol. It can be used in combination with a surfactant such as an alkylene oxide adduct of a higher alcohol. The silicon wafer polishing aid of the present invention can be used in any of a silicon wafer lapping step and a polishing step, and can adjust the surface tension of a polishing liquid to an appropriate value. And a silicon wafer having a smooth and flat surface can be obtained, and as a result, a high-performance semiconductor device can be obtained.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。尚、以下の実施例中、％は特に記載が無い限り
重量基準である。評価試験に用いた本発明の研磨助剤及
び比較品は以下のとおりである。The present invention will be described more specifically with reference to the following examples. In the following examples,% is based on weight unless otherwise specified. The polishing aid and the comparative product of the present invention used in the evaluation test are as follows.
【００１２】[0012]
【表１】 [Table 1]
【００１３】[0013]
【表２】 [Table 2]
【００１４】※：表１及び表２において、ポリエーテル
（Ａ）及び（Ｂ）は一般式（１）で表わされるブロック
型ポリエーテルであり、ポリエーテル（Ｃ）は一般式
（２）で表わされるブロック型ポリエーテルである。*: In Tables 1 and 2, polyethers (A) and (B) are block-type polyethers represented by general formula (1), and polyether (C) is represented by general formula (2). Block type polyether.
【００１５】 比較品１ アルミン酸ナトリウム 比較品２ ラウリルスルホン酸ナトリウム 比較品３ ノニルフェノールエチレンオキサイド１０モ
ル付加物 比較品４ （ブランク）Comparative product 1 Sodium aluminate Comparative product 2 Sodium lauryl sulfonate Comparative product 3 Nonylphenol ethylene oxide 10 mol adduct Comparative product 4 (blank)
【００１６】（実施例１）コロイダルシリカとしてアデ
ライトＡＴ−３０Ｓ（商品名、旭電化工業製、平均粒子
径７〜１０μｍ、シリカ固形分３０％）を用い、これを
水でシリカ固形分５．０％に希釈した。これに、前記本
発明の研磨助剤及び比較品をシリカ固形分に対して０．
１％（比較品１は１．０％）添加し、よく攪拌して均一
化して希釈研磨液とした。これらの希釈研磨液を使用し
て、スライシングした４インチのシリコンウェハー１０
０枚についてラッピング処理を行った。ラッピング処理
後、１００枚のシリコンウェハーについて、ウェハーの
擦り傷、ウェハーの割れ、ウェハーの微小表面クラック
の各不良項目に該当するものの枚数を数えた。その結果
を表３に示す。(Example 1) As colloidal silica, Adelite AT-30S (trade name, manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd., average particle diameter 7 to 10 μm, silica solid content 30%) was used, and the silica solid content was 5.0 with water. %. In addition, the polishing aid of the present invention and the comparative product were added in an amount of 0.1% based on the silica solid content.
1% (Comparative product 1 was 1.0%) was added, and the mixture was thoroughly stirred and homogenized to obtain a diluted polishing liquid. Using these diluted polishing liquids, a 4-inch silicon wafer 10 sliced was used.
Wrapping processing was performed on 0 sheets. After the lapping process, the number of defective wafer scratches, broken wafers, and minute surface cracks on 100 silicon wafers was counted. Table 3 shows the results.
【００１７】[0017]
【表３】 [Table 3]
【００１８】（実施例２）コロイダルシリカとしてアデ
ライトＡＴ−３０Ｓ（商品名、旭電化工業製、平均粒子
径７〜１０μｍ、シリカ固形分３０％）を用い、これを
水でシリカ固形分５．０％に希釈した。これに本発明の
研磨助剤及び比較品をシリカ固形分に対して０．１％
（比較品１は１．０％）添加し、よく攪拌して均一化し
て希釈研磨液とした。この希釈研磨液を以下の条件でポ
リッシングマシーンに流し込み、１次ポリッシング工程
を経た１次ポリッシングシリコンウェハーを研磨した。(Example 2) Adelite AT-30S (trade name, manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd., average particle diameter 7-10 μm, silica solid content 30%) was used as colloidal silica, and this was mixed with water to obtain a silica solid content of 5.0. %. The polishing aid of the present invention and the comparative product were added to the silica solid content by 0.1%.
(Comparative product 1 was 1.0%), and the mixture was thoroughly stirred and homogenized to obtain a diluted polishing liquid. The diluted polishing liquid was poured into a polishing machine under the following conditions to polish a primary polishing silicon wafer having undergone a primary polishing step.
【００１９】＜条件＞ ポリッシングマシーン：ＬＰＨ−１５改良機（ラップマ
スター製） ポリッシング盤直径：１５インチ 加工圧力：１００ｇ／ｃｍ2 加工温度：３０℃ 加工液供給量：１０リットル／時間 加工時間：１時間 加工枚数：１枚 ポリッシャー：ＳＵＰＲＥＭＥ ＲＮ−Ｈ（ローデル・
ニッタ製） 上記条件下でファイナルポリッシングを行い、終了後、
ウェハー表面を乾燥させないように注意して過酸化水素
―アンモニア溶液で８０℃でＲＣＡ洗浄した。洗浄後、
クイックダンプ洗浄を行い、スピンドライヤーで乾燥さ
せた。乾燥後、以下の評価を行った。<Conditions> Polishing machine: LPH-15 improved machine (manufactured by Lapmaster) Polishing machine diameter: 15 inches Processing pressure: 100 g / cm 2 Processing temperature: 30 ° C. Supply amount of processing liquid: 10 liter / hour Processing time: 1 Time Processing number: 1 Polisher: SUPREME RN-H (Rodel
Final polishing is performed under the above conditions.
Care was taken not to dry the wafer surface, and RCA cleaning was carried out at 80 ° C. with a hydrogen peroxide-ammonia solution. After washing
A quick dump cleaning was performed, followed by drying with a spin dryer. After drying, the following evaluation was performed.
【００２０】評価１：ヘイズの有無 グリーンベンチ内でハロゲン平行光（超高輝度検査用照
明装置Ｕ１Ｈ−１Ｈ、インテック製）のウェハー表面か
らの反射を目視で観察し、ヘイズの発生を観察した。 評価２：表面粗さ 研磨ウェハーの表面粗さを光学干渉式粗さ計（ＷＹＫＯ
ＴＯＰＯ−３Ｄ、ＷＹＫＯ製、２５０μｍ）で平均２乗
粗さを測定した。 評価３：平坦度 研磨ウェハーの表面平坦度、即ち研磨ウェハーの最大厚
さと最小厚さの差（ＴＴＶ）を、ＴＴＶ測定装置（ＡＤ
Ｅマイクロスキャン８３００、ＡＤＥ製）により測定し
た。 評価４：研磨速度 研磨中のシリコンウェハーの研磨速度を研磨後のウェハ
ーの膜厚減を７×７点測定し算出した。これらの評価結
果を表４に示す。Evaluation 1: Presence or Absence of Haze In a green bench, reflection of a halogen parallel light (ultraluminous inspection illumination device U1H-1H, manufactured by INTEC) from the wafer surface was visually observed, and occurrence of haze was observed. Evaluation 2: Surface roughness The surface roughness of the polished wafer was measured using an optical interference roughness meter (WYKO).
The average square roughness was measured using TOPO-3D (manufactured by WYKO, 250 μm). Evaluation 3: Flatness The surface flatness of the polished wafer, that is, the difference (TTV) between the maximum thickness and the minimum thickness of the polished wafer, was measured using a TTV measuring device (AD
E microscan 8300, manufactured by ADE). Evaluation 4: Polishing Rate The polishing rate of the silicon wafer being polished was calculated by measuring the reduction in the film thickness of the polished wafer at 7 × 7 points. Table 4 shows the results of these evaluations.
【００２１】[0021]
【表４】 [Table 4]
【００２２】以上の実施例の各評価結果から、本発明の
研磨助剤を使用した研磨液は、アニオン界面活性剤（比
較品２）、非イオン界面活性剤（比較品３）を使用した
研磨液に比べて、シリコンウェハーの割れや擦り傷がな
く、表面粗さ、平坦度、研磨速度等に優れていることが
分かる。From the results of the evaluations in the above Examples, the polishing liquid using the polishing aid of the present invention was obtained by polishing using an anionic surfactant (Comparative Product 2) and a nonionic surfactant (Comparative Product 3). It can be seen that there is no cracking or abrasion of the silicon wafer, and the surface roughness, flatness, polishing rate, etc. are superior to the liquid.
【００２３】[0023]
【発明の効果】本発明の効果は、より研磨性能の優れた
研磨液を与える新規なシリコンウェハー研磨助剤を提供
したことにある。The effect of the present invention is to provide a novel silicon wafer polishing aid which gives a polishing liquid having more excellent polishing performance.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０ Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０Ｃ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C09K 3/14 550 C09K 3/14 550C
Claims (7)
シプロピレン基を表わし、ａ、ｂ及びｃは１以上の数を
表わす。）で表わされるブロック型ポリエーテルからな
るシリコンウェハー用研磨助剤。1. The following general formula (1): HO— (PO) a — (EO) b — (PO) c —H (1) (wherein EO represents an oxyethylene group, and PO represents an oxypropylene group. And a, b and c each represent a number of 1 or more.) A polishing aid for silicon wafers comprising a block type polyether represented by the formula:
リエーテルの分子量が、１，０００〜１０，０００であ
る請求項１に記載のシリコンウェハー用研磨助剤。2. The polishing aid for silicon wafers according to claim 1, wherein the molecular weight of the block type polyether represented by the general formula (1) is 1,000 to 10,000.
が、ＥＯ：ＰＯ＝５：９５〜６０：４０であるブロック
型ポリエーテルからなる請求項１又は２に記載のシリコ
ンウェハー用研磨助剤。3. The silicon wafer according to claim 1, wherein the weight ratio of EO and PO in the general formula (1) is a block type polyether in which EO: PO = 5: 95 to 60:40. Polishing aid.
シプロピレン基を表わし、ｄ、ｅ及びｆは１以上の数を
表わす。）で表わされるブロック型ポリエーテルを含有
する請求項１乃至３の何れか１項に記載のシリコンウェ
ハー用研磨助剤。4. A compound represented by the following general formula (2): HO- (EO) d- (PO) e- (EO) f -H (2) wherein EO represents an oxyethylene group, and PO represents an oxyethylene group. The polishing aid for silicon wafers according to any one of claims 1 to 3, which comprises a block type polyether represented by propylene group, and d, e and f each represent a number of 1 or more.
リコンウェハー用研磨助剤及びコロイダルシリカを含む
シリコンウェハー用研磨剤組成物。5. A polishing composition for silicon wafers comprising the polishing aid for silicon wafers according to claim 1 and colloidal silica.
磨剤組成物を用いるシリコンウェハーの研磨方法。6. A method for polishing a silicon wafer using the abrasive composition for a silicon wafer according to claim 5.
磨方法により研磨されたシリコンウェハー。7. A silicon wafer polished by the method for polishing a silicon wafer according to claim 6.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28289399A JP2001110760A (en) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | Polishing assistant for silicon wafer |
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