JP2001102320A - Heat treatment device and method for inspecting abnormality thereof - Google Patents

Heat treatment device and method for inspecting abnormality thereof

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JP2001102320A
JP2001102320A JP27974499A JP27974499A JP2001102320A JP 2001102320 A JP2001102320 A JP 2001102320A JP 27974499 A JP27974499 A JP 27974499A JP 27974499 A JP27974499 A JP 27974499A JP 2001102320 A JP2001102320 A JP 2001102320A
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Japan
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lamp
measured
heat treatment
current
heating
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Japanese (ja)
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Mitsuhiro Masuda
充弘 増田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To inspect lamp failure in a substrate treatment device for heating a substrate by using lamp lights in a simple constitution and method. SOLUTION: Plural heating blocks 200a and 200b, connected with a power supplying part 32a are respectively provided with 4 lamps 21a-21h each. Then, a current detector 210 is arranged across conductive wires 23a and 24a and conductive wires 23b and 24b, a current detector 220 is arranged across the conductive wires 23b and 24b and conductive wires 23c and 24c, and a current detector 230 is arranged across the conductive wires 23c and 24c and conductive wires 23d and 24d, and the two conductive wires of each lamp 21 in which currents are flowing in opposite directions can be set as a pair of objects to be measured. Thus, when lamp failure occurs, the state of magnetic flux is detected by the current detectors 210, 220, and 230 so that the lamps 21a-21d in which the lamp failure is generated can be specified.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ランプ光を照射し
て半導体ウエハや液晶表示用基板等の各種基板に加熱を
伴う処理を施す熱処理装置および熱処理装置の異常検査
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus for irradiating various substrates such as a semiconductor wafer and a liquid crystal display substrate with heating by irradiating a lamp light, and a method for inspecting an abnormality of the heat treatment apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体製造装置用の半導体基
板、各種表示器やフォトマスク製造用のガラス基板等の
精密パターン形成用の基板(以下、「基板」という。)
を所定雰囲気にて加熱して処理する際に、基板にランプ
からの光を照射して加熱する装置(いわゆる、ランプア
ニール装置)がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate for forming a precise pattern such as a semiconductor substrate for a semiconductor manufacturing apparatus, a glass substrate for manufacturing various displays and photomasks (hereinafter referred to as a "substrate").
There is an apparatus (a so-called lamp annealing apparatus) for irradiating the substrate with light from a lamp to heat the substrate in a predetermined atmosphere for processing.

【0003】この従来の熱処理装置では、チャンバ内に
ある基板載置台に基板を載置し、載置された基板の表面
に対向して設けられた複数のランプから基板の表面に光
を照射する。これにより、基板の表面にアニール処理等
の加熱処理が行われる。
In this conventional heat treatment apparatus, a substrate is mounted on a substrate mounting table in a chamber, and light is irradiated on the surface of the substrate from a plurality of lamps provided opposite to the surface of the mounted substrate. . Thus, heat treatment such as annealing is performed on the surface of the substrate.

【0004】この熱処理装置においては、チャンバ内に
複数のランプが設けられているので、チャンバ外部から
処理室内にあるランプを覗くことはできない。したがっ
て、加熱源となるランプが切れた場合に、ランプが切れ
た状態で加熱処理を続けてしまうと、基板の表面に加熱
処理にムラが生じてしまうので、何らかの手段によって
ランプが切れたことを検出しなければならない。
[0004] In this heat treatment apparatus, since a plurality of lamps are provided in the chamber, it is not possible to look into the lamps in the processing chamber from outside the chamber. Therefore, when the lamp serving as the heating source is cut off, if the heat treatment is continued while the lamp is cut off, the heat treatment will be uneven on the surface of the substrate. Must be detected.

【0005】そこで、従来の熱処理装置では、1個のラ
ンプにそれぞれ対応させて電流検出センサを設け、各電
流検出センサに規定の電流が流れているか否かを検出す
ることによってランプの状態を検出している。
Therefore, in the conventional heat treatment apparatus, a current detection sensor is provided for each lamp, and the state of the lamp is detected by detecting whether a specified current is flowing through each current detection sensor. are doing.

【0006】図5はこのような熱処理装置においてラン
プに電力を供給する複数のモジュールのうちの1つを示
す図である。すなわち、1つの熱処理装置には図4に示
す構成が複数設けられ、多数のランプの点灯制御が行な
われる。
FIG. 5 is a diagram showing one of a plurality of modules for supplying power to a lamp in such a heat treatment apparatus. That is, one heat treatment apparatus is provided with a plurality of configurations shown in FIG. 4, and controls the lighting of many lamps.

【0007】図5に示す例では、装置外部の交流電源2
50から電源モジュール260に電力が供給され、1つ
の電源モジュール260が2個のランプ270,270
に電力を供給する。電源モジュール260内には逆接続
された1対のサイリスタ261、2個のランプ270,
270へと流れる交流の電流値を検知する交流器(curr
ent transformer)を有する電流検知器262、およ
び、ランプ270,270に印加される交流の電圧値を
検知する変圧器(potential transformer)を有する電
圧検知器263が設けられる。
[0007] In the example shown in FIG.
Power is supplied from the power supply module 260 to the power supply module 260, and one power supply module 260 is connected to two lamps 270 and 270.
To supply power. In the power supply module 260, a pair of thyristors 261 reversely connected, two lamps 270,
AC device (curr) that detects the value of AC current flowing to 270
An electric current detector 262 having an ent transformer and a voltage detector 263 having a transformer (potential transformer) for detecting an AC voltage value applied to the lamps 270 and 270 are provided.

【0008】1対のサイリスタ261は交流の点弧位相
角を調整することにより2個のランプ270,270に
供給する電力(または、電流若しくは電圧)を制御す
る。なお、この電力制御は電流検知器262および電圧
検知器263により検知される電流値および電圧値に基
づいて行なわれる。
[0008] The pair of thyristors 261 controls the power (or current or voltage) supplied to the two lamps 270, 270 by adjusting the firing phase angle of the AC. This power control is performed based on the current value and the voltage value detected by the current detector 262 and the voltage detector 263.

【0009】または、2個のランプ270,270は1
対のサイリスタ261により制御される電力が並列にて
給電されており、各ランプ270,270に供給される
電流の値を検知するために各ランプ270,270に対
応して電流検知器271,271が電源モジュール26
0内に設けられる。
Alternatively, the two lamps 270, 270
The electric power controlled by the pair of thyristors 261 is supplied in parallel, and the current detectors 271 and 271 corresponding to the lamps 270 and 270 are used to detect the value of the current supplied to the lamps 270 and 270. Is the power module 26
0 is provided.

【0010】電流検知器271,271にて検知される
電流値はいわゆるランプ切れ(ランプ270内のフィラ
メント等の断線)が発生しているか否かを検出するため
に利用される。具体的には、電圧検知器263からの出
力波形とランプ切れ検出用の電流検知器271,271
の出力波形とを比較し、電圧値に対して電流値が極端に
減少している場合にランプ切れが発生していると判定す
る。
The current values detected by the current detectors 271 and 271 are used to detect whether or not a so-called lamp break (breakage of a filament or the like in the lamp 270) has occurred. Specifically, the output waveform from the voltage detector 263 and the current detectors 271 and 271 for detecting the lamp burnout are detected.
Is compared with the output waveform of FIG. 7, and when the current value is extremely reduced with respect to the voltage value, it is determined that the lamp burnout has occurred.

【0011】また、電源モジュール260にて1対のサ
イリスタ261が電流検知器262および電圧検知器2
63からの出力値に基づいて電力のフィードバック制御
が行われている場合、ランプ切れの発生により正常な1
つのランプ270に大電力が供給されるおそれがあるこ
とから、ランプ切れが検出されると1対のサイリスタ2
61のゲートが遮断され、ランプ切れが発生していない
方のランプ270が保護される。
In the power supply module 260, a pair of thyristors 261 are connected to the current detector 262 and the voltage detector 2.
When the power feedback control is performed based on the output value from 63, the normal 1
There is a possibility that a large amount of power may be supplied to the two lamps 270.
The gate 61 is shut off, and the lamp 270 on which the lamp has not run out is protected.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】ところで、図5に示す
構成で複数の電源モジュール260から多数のランプ2
70に電力を供給する場合にランプ切れを検出できるよ
うにするには、ランプ切れ検出用の電流検知器271も
ランプ270の数と同じだけ取り付ける必要があり、実
用性のある熱処理装置を構築することができない。
By the way, in the configuration shown in FIG.
In order to detect lamp burnout when supplying power to the lamp 70, it is necessary to mount as many current detectors 271 for lamp burnout detection as the number of lamps 270, and to construct a practical heat treatment apparatus. Can not do.

【0013】特に、上記の装置では、ランプ切れのラン
プを特定できるようにするがために、ランプ270の個
数の2倍の数のケーブルを電源モジュール260の配置
位置からランプ93の取付位置まで配線する必要があ
る。その結果、ケーブル全体の太さが増大するとともに
コネクタや端子の数が増大し、装置の製作工数の増大に
よるコストアップや信頼性の低下を招くおそれがある。
In particular, in the above-mentioned apparatus, in order to be able to identify a lamp that has run out of lamps, two times the number of cables of the number of lamps 270 are wired from the position where the power supply module 260 is disposed to the position where the lamp 93 is mounted. There is a need to. As a result, the thickness of the entire cable increases and the number of connectors and terminals increases, which may lead to an increase in cost and reliability due to an increase in man-hours for manufacturing the device.

【0014】もちろん、電流検知器271をランプ27
0側に寄せて配置することにより、電源モジュール26
0からランプ270側へと至る配線数を減少させること
も可能である。しかし、この場合においても各ランプ2
70の近傍にランプ切れを検出する回路を設けるスペー
スを確保する必要を生じる。したがって、このような設
計変更を行っても装置の製作工数の増大によるコストア
ップや信頼性の低下を招くおそれがある。
Of course, the current detector 271 is connected to the lamp 27
The power supply module 26
It is also possible to reduce the number of wires from 0 to the lamp 270 side. However, even in this case, each lamp 2
It becomes necessary to secure a space near 70 for providing a circuit for detecting a lamp burnout. Therefore, even if such a design change is made, there is a possibility that cost increases and reliability decreases due to an increase in man-hours for manufacturing the apparatus.

【0015】また、仮に電流検知器271を常設しない
装置に対して、作業者においてランプ切れのランプを特
定するには、全てのランプ270を順次判別していく処
理を行う必要がある。即ち、全てのランプ270を順次
判別していく作業が必要であり猥雑であることには変わ
りがない。
Further, in order to identify the lamp that has run out of lamps for a device in which the current detector 271 is not permanently installed, it is necessary to perform a process of sequentially determining all lamps 270. That is, it is necessary to perform a work of sequentially determining all the lamps 270, and it is still obscene.

【0016】この発明は上記ランプ切れ等の加熱源の状
態に関する様々な課題に鑑みなされたものであり、ラン
プ数が増大したとしてもランプ切れ等の異常を簡単な構
成、簡単な方法で検出できる装置構成及び異常検査方法
を提供することを第1の目的としている。
The present invention has been made in view of the above-mentioned various problems relating to the state of a heating source such as a burned-out lamp. Even if the number of lamps increases, an abnormality such as a burned-out lamp can be detected by a simple configuration and a simple method. A first object is to provide an apparatus configuration and an abnormality inspection method.

【0017】また、加熱源の状態の検出を適切に行いつ
つ配線数を減少させ、これにより、装置製造コストを削
減して基板製造コストの削減を図るとともに基板処理の
信頼性の向した熱処理装置の提供を第2の目的としてい
る。
Further, the number of wirings is reduced while appropriately detecting the state of the heating source, thereby reducing the device manufacturing cost and the substrate manufacturing cost, and improving the reliability of the substrate processing. Is the second purpose.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】本
発明は、このような目的を達成するために、次のような
構成をとる。すわなち、請求項1に係る発明は、基板に
加熱を伴う処理を施す熱処理装置であって、電力の供給
を受けて基板を加熱する複数の加熱手段と、前記複数の
加熱手段のそれぞれに並列給電するのに接続された複数
の導電線と、前記導電線の前記加熱手段に供給される電
流の方向が対向する二本の導電線を被測定対象対として
磁束の状態を検出する検知手段とを備え、前記検知手段
は、二対の被測定対象対を同時に測定し、うち一対を異
なる検知手段と共通とすることを特徴とする。
Means for Solving the Problems and Their Functions and Effects The present invention has the following configuration in order to achieve such an object. In other words, the invention according to claim 1 is a heat treatment apparatus that performs a process involving heating on a substrate, wherein a plurality of heating units that receive electric power to heat the substrate, and each of the plurality of heating units Detecting means for detecting a state of a magnetic flux by using a plurality of conductive wires connected to supply power in parallel and two conductive wires whose directions of current supplied to the heating means of the conductive wires are opposed to each other as a pair to be measured. Wherein the detecting means simultaneously measures two pairs of the objects to be measured, and makes one of them common to different detecting means.

【0019】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
熱処理装置において、前記検知手段は、前記被測定対象
対の磁束を検出する時に異常を報知する報知手段を備え
ことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the first aspect, the detecting means includes a notifying means for notifying an abnormality when detecting the magnetic flux of the pair of objects to be measured. .

【0020】請求項3に係る発明は、基板に加熱を伴う
処理を施す熱処理装置の異常検査方法であって、前記熱
処理装置は、電力の供給を受けて基板を加熱する複数の
加熱手段と、前記複数の加熱手段のそれぞれに並列給電
するのに接続された複数の導電線とを備え、前記導電線
のうち供給される電流の方向が対向する二本の導電線を
被測定対象対として選択する工程と、前記被測定対象対
による磁束の状態を測定する工程と、より成ることを特
徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for inspecting an abnormality of a heat treatment apparatus for performing a treatment involving heating on a substrate, the heat treatment apparatus comprising: a plurality of heating means for heating the substrate by receiving power supply; A plurality of conductive wires connected to supply a parallel power to each of the plurality of heating means, and two conductive wires of which the direction of the supplied current is opposite among the conductive wires are selected as a pair to be measured. And measuring the state of the magnetic flux by the pair of objects to be measured.

【0021】請求項4に係る発明は、請求項3に記載の
異常検査方法において、前記測定工程は、二対の被測定
対象対を同時に測定し、測定工程の繰り返しにおいて測
定済みの一つの被測定対象対を含んで未測定のとを選択
して測定することを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the abnormality inspection method according to the third aspect, in the measuring step, two pairs of objects to be measured are measured at the same time, and one of the measured objects is repeatedly measured. The measurement is performed by selecting an unmeasured one including the measurement target pair.

【0022】請求項5に係る発明は、基板に加熱を伴う
処理を施す熱処理装置の異常検査方法であって、前記熱
処理装置は、電力の供給を受けて基板を加熱する複数の
加熱手段と、前記複数の加熱手段のそれぞれに並列給電
するのに接続された複数の導電線とを備え、前記導電線
のうち供給される電流の方向が対向する二本の導電線を
被測定対象対として選択する工程と、前記被測定対象対
を二対選択し夫々の磁束の状態を検出する検知手段を複
数装着する工程と、前記検知手段の装着工程において被
測定対象対のうち一方を他の検知手段の被測定対象対と
共通に装着することを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for inspecting an abnormality of a heat treatment apparatus for performing a treatment involving heating on a substrate, wherein the heat treatment apparatus comprises: a plurality of heating means for heating the substrate by receiving electric power; A plurality of conductive wires connected to supply a parallel power to each of the plurality of heating means, and two conductive wires of which the direction of the supplied current is opposite among the conductive wires are selected as a pair to be measured. Performing, selecting two pairs of the measured object pairs, and mounting a plurality of detecting means for detecting the state of each magnetic flux, and mounting one of the measured object pairs to another detecting means in the mounting step of the detecting means. Is mounted in common with the pair to be measured.

【0023】本発明の作用は次のとおりである。請求項
1に係る発明の熱処理装置においては、加熱手段に並列
給電される導電線がそのうち供給される電流の方向が対
向する二本を被測定対象対として検知手段により磁束の
状態が検出される。そして、検知手段には二対の被測定
対象対が同時に測定され、そのうちの一対を共通にして
異なる検知手段が配置される。ここで、二本の導電線の
電流の方向が対向していることにより互いに同格の電流
が流れる時は導電線の磁束が相殺され、また、一方の導
電線に電流が流れないような場合、磁束のバランスが崩
れている状態を検出する。
The operation of the present invention is as follows. In the heat treatment apparatus according to the first aspect of the present invention, the state of the magnetic flux is detected by the detecting means using two conductive wires, which are supplied in parallel to the heating means, of which the direction of the supplied current is opposite, as a pair to be measured. . Then, two pairs of objects to be measured are measured at the same time in the detecting means, and different detecting means are arranged so that one of the pairs is common. Here, when the current directions of the two conductive lines are opposite to each other, when the same current flows, the magnetic flux of the conductive lines is canceled out. Detects a state in which the magnetic flux is out of balance.

【0024】例えば、一つの検知手段により磁束が検出
されない状態で、その測定対象である二対の被測定対象
対のうち一対を測定対象とする異なる検知手段により磁
束が検出される場合、前者の検知手段の被測定対象対は
二本とも異常がない。しかしながら、後者の検知手段の
被測定対象対は一方に異常があると考えられる。そし
て、前者の検知手段の結果から異常があるのは両方の検
知手段に共通の被測定対象対でない、言い換えると後者
の検知手段に単独で測定対象となっている被測定対象対
であることが判る。
For example, when the magnetic flux is not detected by one detecting means and the magnetic flux is detected by a different detecting means of which one of the two pairs to be measured is the measuring object, the former is used. There are no abnormalities in the two measurement target pairs of the detection means. However, it is considered that one of the pairs to be measured by the latter detection means has an abnormality. And it is found that it is not the measured object pair common to both the detecting means that the abnormality is found from the result of the former detecting means, in other words, the measured object pair which is the measuring object independently by the latter detecting means. I understand.

【0025】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
熱処理装置において、検知手段が被測定対象対の磁束を
検出する時に報知手段が異常を報知する。よって、異常
である被測定対象対が容易に視認される。
According to a second aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus of the first aspect, when the detecting means detects the magnetic flux of the pair of the object to be measured, the notifying means notifies the abnormality. Therefore, the abnormal measurement target pair can be easily visually recognized.

【0026】請求項3に係る発明の熱処理装置の異常検
査方法においては、複数の導電線のうち供給される電流
の方向が対向する二本を選択して磁束の状態が測定す
る。この時、互いの導電線に同格の電流が流れていると
きは磁束が相殺され、一方に電流が流れない状態では磁
束のバランスが崩れ磁束が発生する。この磁束の状態を
測定することにより選択された導電線のどちらかの電流
の状態が異常であることが検査される。
According to the third aspect of the present invention, the state of the magnetic flux is measured by selecting two of the plurality of conductive wires which are opposite in the direction of the supplied current. At this time, when currents of the same level are flowing through the conductive wires, the magnetic fluxes cancel each other out, and when no current flows through one of the conductive wires, the balance of the magnetic flux is lost and a magnetic flux is generated. By measuring the state of this magnetic flux, it is checked that the state of the current of either of the selected conductive lines is abnormal.

【0027】請求項4に係る発明の熱処理装置の異常検
査方法においては、請求項3の測定工程において被測定
対象対を二対同時に測定する。そしてこの測定工程を繰
り返す時に測定済と未測定の被測定対象対を二対として
選択する。即ち、三対の被測定対象対を二回の測定工程
の繰り返しで検査する。そこで一回目の測定結果と二回
目の測定結果のどちらかで磁束が検出された時に、三対
の被測定対象対のどれであるかが特定される。例えば、
一回目のみ磁束を検出すると一回目に単独に測定された
被測定対象対に異常があり、二回目のみであれば二回目
に単独に測定された被測定対象対に異常があり、両方に
測定されたら共通の被測定対象対に異常がある。以上よ
り、異常箇所の特定が少ない作業で行える。
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, two pairs of the object to be measured are simultaneously measured in the measuring step. Then, when this measurement process is repeated, the measured object pair and the unmeasured object pair are selected as two pairs. That is, three pairs of objects to be measured are inspected by repeating the measurement process twice. Therefore, when the magnetic flux is detected in either the first measurement result or the second measurement result, it is specified which of the three pairs to be measured. For example,
When the magnetic flux is detected only the first time, there is an abnormality in the target pair measured independently in the first time, and in the second time only, there is an abnormality in the target pair measured independently in the second time, and both are measured. If so, there is an abnormality in the common target pair. As described above, it is possible to specify an abnormal portion with a small amount of work.

【0028】請求項5に係る発明の熱処理装置の異常検
査方法においては、加熱手段に並列給電される導電線の
うち供給される電流の方向が対向する二本の導電線を被
測定対象対として選択する。そして、検知手段を複数同
時に装着する際には被測定対象対のいずれか一方を含ん
で残りの未測定の被測定対象対とに亘って検知手段を装
着する。
In the method for inspecting an abnormality of a heat treatment apparatus according to a fifth aspect of the present invention, two of the conductive wires which are supplied in parallel to the heating means and whose current directions are opposite to each other are taken as a pair to be measured. select. When a plurality of detection means are simultaneously mounted, the detection means is mounted over the remaining unmeasured object pairs including one of the measured object pairs.

【0029】このことにより、例えば、磁束を検出する
検知手段の装着箇所により異常な被測定対象対が絞られ
る。2個の検知手段が同時に検出している場合は、共通
の被測定対象対に異常があると判断される。次に1個の
検出手段のみ検出している場合は、その2つの被測定対
象対をそれぞれ個別に検知手段で磁束を検出しているか
で判別される。以上より、加熱手段に対して一対一で検
知手段を装着しなくても異常のある導電線を絞り込むこ
とができる。
Thus, for example, abnormal measurement target pairs are narrowed down depending on the mounting position of the detecting means for detecting the magnetic flux. If the two detecting means detect at the same time, it is determined that there is an abnormality in the common measured object pair. Next, when only one detecting means is detected, it is determined whether or not the magnetic flux is detected by the detecting means for each of the two pairs of objects to be measured. As described above, an abnormal conductive wire can be narrowed down without mounting the detecting means on a one-to-one basis with respect to the heating means.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る熱処理装置の
実施の形態を実施例に基づき説明する。図1はこの発明
の一つの実施の形態である熱処理装置1の全体構成を示
す縦断面図である。熱処理装置1は多数のランプからの
光を照射して基板に所定の処理を施す、いわゆるランプ
アニール装置である。
Next, embodiments of a heat treatment apparatus according to the present invention will be described based on examples. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing the overall configuration of a heat treatment apparatus 1 according to one embodiment of the present invention. The heat treatment apparatus 1 is a so-called lamp annealing apparatus that irradiates light from a large number of lamps to perform predetermined processing on a substrate.

【0031】図1に示すように、熱処理装置1は、主に
チャンバ10、発光部20、透過カバー30、回転保持
部40、反射部50、透過キャップ60、温度計測部7
0、昇降駆動部80および制御部90を備える。
As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus 1 mainly includes a chamber 10, a light emitting section 20, a transmission cover 30, a rotation holding section 40, a reflection section 50, a transmission cap 60, and a temperature measurement section 7.
0, an elevation drive unit 80 and a control unit 90.

【0032】チャンバ10は、上部にリフレクタ11、
下部にハウジング12を有する円筒形状の炉体であり、
この炉体の内部壁面は石英で覆われているとともに、そ
の内部には基板の一種であるウェハWに熱処理を行うた
めの空間であって処理室となる処理空間PSを有してい
る。また、リフレクタ11の内部には冷媒を通して冷却
する多数の冷却管13(参照符号一部省略)が設けられ
ている。なお、リフレクタ11とハウジング12とは上
下に分離されており、両者はハウジング12の外周面外
側を覆う伸縮可能なベローズ14により連結されてい
る。
The chamber 10 has a reflector 11 on the upper part,
A cylindrical furnace body having a housing 12 in a lower part,
The inner wall surface of the furnace body is covered with quartz, and has a processing space PS which is a space for performing a heat treatment on the wafer W as a kind of substrate and is a processing chamber. Further, a number of cooling pipes 13 (partially omitted with reference numerals) for cooling through the refrigerant are provided inside the reflector 11. The reflector 11 and the housing 12 are vertically separated from each other, and both are connected by an extendable bellows 14 that covers the outer peripheral surface of the housing 12.

【0033】また、チャンバ10の側面には図示しない
外部の基板搬送機構との間でウェハWを受け渡してチャ
ンバ10内に搬出入するための搬出入口10aの他、上
側ガス供給路10b、上側ガス排出路10c、下側ガス
供給路10dが設けられている。そのうち、上側ガス供
給路10bには、化学反応により窒化膜や酸化膜等の成
膜のために一酸化窒素ガス(NO)や酸素ガス
(O)等の処理ガス供給するためにチャンバ10外に
設けられた処理ガス供給源15とチャンバ10内に充満
した処理ガスを置換して排出するための化学的反応性の
低い窒素ガス(N)等の置換ガスを供給する外部の置
換ガス供給源16に接続されている。また、上側ガス排
出路10cはチャンバ10内に供給された処理ガスおよ
び置換ガス(以下、両者を総称する場合には単に「ガ
ス」という)を外部に排出する。さらに、下側ガス供給
路10dは置換ガス供給源16にのみ接続されている。
Further, in addition to a loading / unloading port 10a for transferring wafers W to / from an external substrate transfer mechanism (not shown) on the side surface of the chamber 10 and loading / unloading the chamber 10, an upper gas supply path 10b and an upper gas supply path 10b. A discharge path 10c and a lower gas supply path 10d are provided. A chamber for supplying a processing gas such as nitric oxide gas (N 2 O) or oxygen gas (O 2 ) for forming a nitride film or an oxide film by a chemical reaction is provided in the upper gas supply passage 10b. External replacement for supplying a replacement gas such as a nitrogen gas (N 2 ) with low chemical reactivity for replacing and discharging a processing gas supply source 15 provided outside the processing gas and a processing gas filled in the chamber 10. It is connected to a gas supply 16. The upper gas discharge path 10c discharges the processing gas and the replacement gas supplied into the chamber 10 (hereinafter, simply referred to as "gas" when both are collectively referred to) to the outside. Further, the lower gas supply passage 10d is connected only to the replacement gas supply source 16.

【0034】また、搬出入口10aの側部外側にはシャ
ッタ17が設けられており、図示しない昇降機構の駆動
によりシャッタ17は搬出入口10aに対して上下方向
に開閉することができる。
A shutter 17 is provided outside the side of the loading / unloading port 10a. The shutter 17 can be opened and closed in the vertical direction with respect to the loading / unloading port 10a by driving a lifting mechanism (not shown).

【0035】発光部20は、リフレクタ11の内側に設
けられ、発光加熱手段としてランプ(例えば、タングス
テンハロゲンランプ)21を多数備えている。ランプ2
1は、ウェハWの表面に対向し、かつウェハWと平行な
面内において略均一に分布して設けられている。そのた
め、ランプ21が点灯すると、その光はウェハWへ照射
され、ウェハWは均一に加熱される。そして各ランプ2
1には後述する外部の交流電源から電力を受けてランプ
21点灯用の電力を発生する複数の電源モジュールに接
続され、各電源モジュールは複数のランプ21に電力を
供給してランプ21の点灯制御を行う。
The light emitting section 20 is provided inside the reflector 11 and has a large number of lamps (for example, tungsten halogen lamps) 21 as light emission heating means. Lamp 2
Numerals 1 are provided so as to face the surface of the wafer W and to be distributed substantially uniformly in a plane parallel to the wafer W. Therefore, when the lamp 21 is turned on, the light is applied to the wafer W, and the wafer W is uniformly heated. And each lamp 2
1 is connected to a plurality of power supply modules that generate power for lighting the lamp 21 by receiving power from an external AC power supply described later, and each power supply module supplies power to the plurality of lamps 21 to control the lighting of the lamp 21. I do.

【0036】透過カバー30は、発光部20の下方に設
けられた化学的反応性の低い石英製カバーであって、ラ
ンプ21による放射光を透過する。この透過カバー30
の上面内部には、上側ガス供給路10dに通じているガ
ス溜め30aに通じている。
The transmission cover 30 is a low-chemical-reactivity quartz cover provided below the light-emitting unit 20 and transmits the light emitted from the lamp 21. This transparent cover 30
Is connected to a gas reservoir 30a communicating with the upper gas supply passage 10d.

【0037】また、透過カバー30の下面には、ガス溜
め30aに通じる複数の細孔である上側ガス導入口30
bが設けられている。そして、ガス供給の際にはガスが
上側ガス導入口30bを通じてシャワー状に処理空間P
Sに供給される。このように、この熱処理装置1では上
側ガス導入口30bがウェハWの被処理面に平行な面内
において均一に設けられているので、ウェハWの被処理
面内におけるガス流が均一であり、ガス流によるウェハ
Wの温度低下の不均一も抑えられる。
The lower surface of the permeable cover 30 is provided with an upper gas inlet 30 which is a plurality of pores communicating with the gas reservoir 30a.
b is provided. When the gas is supplied, the gas flows into the processing space P like a shower through the upper gas inlet 30b.
S. As described above, in the heat treatment apparatus 1, the upper gas inlet 30b is provided uniformly in a plane parallel to the processing surface of the wafer W, so that the gas flow in the processing surface of the wafer W is uniform, The non-uniformity of the temperature drop of the wafer W due to the gas flow is also suppressed.

【0038】保持回転部40は、ウェハW端部を周縁部
分を全周にわたって保持するとともに、その周縁部から
熱の放出を補償するSiC製の均熱リング41が、その
直径より大きな内径を有する円筒の支持脚42により支
持されている。そして、支持脚42の外周面下端に回転
子43aが設けられ、それに対応する固定子43bが固
定部材52に取り付けられたリニアモータ43が設けら
れている。そのリニアモータ43が回転すると支持脚4
2がその円筒の中心を軸として回転し、それに伴い、均
熱リング41もその水平面内での中心を軸としてウェハ
Wの被処理面(上面)と平行な水平面内で回転可能とな
っている。なお、リニアモータに代えて歯車と電動モー
タを用いてもよい。
The holding and rotating unit 40 holds the edge of the wafer W at the entire periphery thereof, and has a heat equalizing ring 41 made of SiC for compensating for the release of heat from the periphery. It is supported by cylindrical support legs 42. A rotor 43a is provided at the lower end of the outer peripheral surface of the support leg 42, and a linear motor 43 in which a corresponding stator 43b is attached to the fixed member 52 is provided. When the linear motor 43 rotates, the support legs 4
2 rotates about the center of the cylinder, and accordingly, the heat equalizing ring 41 is also rotatable about a center in the horizontal plane in a horizontal plane parallel to the processing surface (upper surface) of the wafer W. . Note that a gear and an electric motor may be used instead of the linear motor.

【0039】反射部50は、均熱リング41に保持され
たウェハWと平行に、上面が反射率の高い鏡面である反
射板51を固定部材52を介してハウジング12に固定
したものであり、反射板51によりウェハWからの放射
光を反射する。そして、ウェハWの下面も反射光をさら
に反射することにより、ウェハWと反射板51との間で
放射光の反射が繰り返される多重反射の現象が生じる。
また、反射板51には複数の穴51aが設けられてい
る。
The reflecting section 50 is formed by fixing a reflecting plate 51 having a mirror surface having a high reflectance to the housing 12 via a fixing member 52 in parallel with the wafer W held by the heat equalizing ring 41. The light emitted from the wafer W is reflected by the reflection plate 51. Then, the lower surface of the wafer W further reflects the reflected light, so that a phenomenon of multiple reflection in which the reflected light is repeated between the wafer W and the reflection plate 51 occurs.
The reflector 51 has a plurality of holes 51a.

【0040】透過キャップ60は、光透過性が高く、上
端が平面で閉鎖された円筒状をなした化学的反応性の低
い石英製の部材であって、反射部50の上部を覆ってい
る。これにより、反射板51の表面が処理ガスと反応し
て「くもる」等して反射率が低下することを抑えてい
る。また、透過キャップ60の上面には、同心円上の3
本の石英製の支持ピン61が設けられており、基板保持
手段としてそれら支持ピン61の上端にウェハWを水平
に載置できるものとなっている。
The transmission cap 60 is a cylindrical member having a high light transmittance and a low chemical reactivity having a cylindrical shape and closed at the upper end, and covers the upper portion of the reflection portion 50. Thereby, the surface of the reflection plate 51 is prevented from reacting with the processing gas and becoming “cloudy” or the like, thereby preventing the reflectance from lowering. The upper surface of the transmission cap 60 has three concentric circles.
The support pins 61 made of quartz are provided, and the wafer W can be horizontally mounted on the upper ends of the support pins 61 as substrate holding means.

【0041】また、透過キャップ60の下部には透過キ
ャップ60全体を昇降されるエアシリンダ62が設けら
れている。このエアシリンダ62の伸縮により、ウェハ
Wを受け取る際には、透過キャップ60を上昇させて支
持ピン61上に載置し、その後に透過キャップ60を下
降させることによって保持回転部40の均熱リング41
上にウェハWを載置する。逆に、ウェハWを基板搬送機
構に受け渡す際には逆の手順を行う。
An air cylinder 62 is provided below the transmission cap 60 to move up and down the entire transmission cap 60. When the wafer W is received by the expansion and contraction of the air cylinder 62, the transmission cap 60 is raised and placed on the support pins 61, and then the transmission cap 60 is lowered, so that the heat equalizing ring 41
The wafer W is mounted thereon. Conversely, when transferring the wafer W to the substrate transfer mechanism, the reverse procedure is performed.

【0042】なお、透過カバー30、透過キャップ60
およびチャンバ10の内部壁部が石英製であり、均熱リ
ング41がSiC製であることにより、チャンバ10の
内部において金属部材が処理ガスに直接さらされること
は少ないので、ウェハWに金属汚染を及ぼすことはな
い。
The transmission cover 30 and the transmission cap 60
Further, since the inner wall of the chamber 10 is made of quartz and the heat equalizing ring 41 is made of SiC, the metal member is hardly directly exposed to the processing gas inside the chamber 10, so that the metal contamination on the wafer W can be prevented. Has no effect.

【0043】温度計測部70は、反射板51に設けられ
た円筒状の穴51aのそれぞれの下方に取り付けられ、
穴51aと通じて内部に多重反射後の光を取り入れるこ
とができるものとなっている。そして、温度計測部70
内部に設けられた図示しない放射温度計によりそれら光
に基づいてウェハWの温度を計測し、その温度信号を後
述する制御部90へ送信する。
The temperature measuring section 70 is attached below each of the cylindrical holes 51a provided in the reflection plate 51,
The light after multiple reflection can be taken into the inside through the hole 51a. Then, the temperature measuring unit 70
A temperature of the wafer W is measured based on the light by a radiation thermometer (not shown) provided therein, and the temperature signal is transmitted to a control unit 90 described later.

【0044】昇降駆動部80は、ボールねじ81とモー
タ82とを備えており、モータ82の回転によりハウジ
ング12およびそれに取り付けられた反射部50、保持
回転部40、温度計測部70を一体として昇降(リフレ
クタ11に対して相対的に、近接・隔離)させることが
できる。そして、それにより均熱リング41上に載置さ
れたウェハWを昇降されることができる。
The elevation drive unit 80 includes a ball screw 81 and a motor 82. The rotation of the motor 82 raises and lowers the housing 12, the reflection unit 50, the holding rotation unit 40, and the temperature measurement unit 70 attached thereto. (Relative to or closer to the reflector 11). Thus, the wafer W placed on the heat equalizing ring 41 can be moved up and down.

【0045】制御部90は、内部に図示しないCPUお
よびメモリ等を備えるとともに、各部との電気的接続は
図示しないが、シャッタ17、ランプ21、リニアモー
タ43、モータ82のそれぞれに電力を供給する図示し
ないドライバに接続され、それらドライバによる供給電
力の制御を通じて上記各部の動作を制御するとともに、
エアシリンダ62への図示しないエア供給源、処理ガス
供給源15、置換ガス供給源16に設けられた図示しな
い電磁弁の開閉により、エアやガスの供給量を制御す
る。
The control unit 90 includes a CPU and a memory (not shown) therein, and supplies electric power to each of the shutter 17, the lamp 21, the linear motor 43, and the motor 82 (not shown). Connected to drivers (not shown), and controls the operations of the above-described units through control of the power supplied by the drivers;
The supply amounts of air and gas are controlled by opening and closing electromagnetic valves (not shown) provided to an air supply source (not shown), the processing gas supply source 15, and the replacement gas supply source 16 to the air cylinder 62.

【0046】次に、熱処理装置1におけるランプ21の
点灯を制御する構成について図2を参照しながら説明す
る。図2は1つの電源モジュール100およびこれに接
続される8個のランプ21を示す図であり、熱処理装置
1では複数の電源モジュール100を設けて多数のラン
プ21の点灯制御を行う。
Next, a configuration for controlling the lighting of the lamp 21 in the heat treatment apparatus 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing one power supply module 100 and eight lamps 21 connected to the power supply module 100. In the heat treatment apparatus 1, a plurality of power supply modules 100 are provided to control the lighting of many lamps 21.

【0047】電源モジュール100は互いに逆接続され
た一対のサイリスタ110、電源モジュール100が出
力する交流の電流値を検知する電流検知器120、出力
される交流の電圧値を検知する電圧検知器130を有
し、これらが交流電源140からの電力を変換してラン
プ21へ供給する電力を発生する電力供給部100aを
構成する。
The power supply module 100 includes a pair of thyristors 110 connected in reverse to each other, a current detector 120 for detecting an AC current value output from the power supply module 100, and a voltage detector 130 for detecting an output AC voltage value. These components constitute a power supply unit 100a that converts power from the AC power supply 140 and generates power to be supplied to the lamp 21.

【0048】図2に示すように、熱処理装置1では1つ
の電源モジュール100が発光部20に配置される8個
のランプ21a〜hに電力を並列給電し、8個のランプ
21a〜hは4個ずつの2組(a〜dとe〜h)に分け
られる。すなわち、電力供給部100aには4個のラン
プ21a〜21dを有する加熱ブロック200aと、4
個のランプ21e〜21hを有する加熱ブロック200
bの2つが(並列に)接続され、加熱ブロック200a
にはランプ切れ検出用の電流検知器201aが設けら、
加熱ブロック200bにはランプ切れ検出用の電流検知
器201bが設けられる。
As shown in FIG. 2, in the heat treatment apparatus 1, one power supply module 100 supplies electric power to eight lamps 21a to 21h arranged in the light emitting section 20 in parallel. It is divided into two sets (a to d and e to h). That is, a heating block 200a having four lamps 21a to 21d is provided in the power supply unit 100a.
Heating block 200 having two lamps 21e to 21h
b are connected (in parallel) and the heating block 200a
Is provided with a current detector 201a for detecting lamp burnout,
The heating block 200b is provided with a current detector 201b for detecting burnout of the lamp.

【0049】2つの電流検知器201a,201bから
の出力はランプ群切れ検出回路25に入力され、後述す
る方法にてランプ切れの検出が行われる。また、ランプ
群切れ検出回路25は熱処理装置1の全体動向を司る制
御部90に接続され、ランプ切れが発生した場合には、
そのランプが接続される加熱ブロック200a,200
bが特定され、その旨が制御部90に通知される。
The outputs from the two current detectors 201a and 201b are input to a lamp group burnout detection circuit 25, and the lamp burnout is detected by a method described later. Further, the lamp burnout detection circuit 25 is connected to a control unit 90 that controls the overall trend of the heat treatment apparatus 1.
Heating blocks 200a, 200 to which the lamps are connected
b is specified, and the control unit 90 is notified to that effect.

【0050】一方、電力供給部100aの1対のサイリ
スタ110は電力制御回路150に接続されており、1
対のサイリスタ110に入力される交流の点弧位相角を
電力制御回路150が調整することにより電力供給部1
00aから出力される電力がウェハWの処理の進行状況
に応じて制御される。なお、電力制御回路150には電
流検知器120および電圧検知器130からの電流値お
よび電圧値が入力され、電力制御回路150から出力さ
れる電力がフィードバック制御される。
On the other hand, a pair of thyristors 110 of the power supply unit 100a are connected to the power control circuit 150,
The power control circuit 150 adjusts the firing phase angle of the alternating current input to the pair of thyristors 110 so that the power supply unit 1
The power output from 00a is controlled according to the progress of the processing of the wafer W. The current value and the voltage value from the current detector 120 and the voltage detector 130 are input to the power control circuit 150, and the power output from the power control circuit 150 is feedback-controlled.

【0051】また、電力制御回路150は制御部90に
接続され、ランプ群切れ検出回路25から制御部90に
ランプ切れの検出が通知されると、制御部90が必要に
応じて電力制御回路150へと信号を送り、電力制御回
路150が1対のサイリスタ110のゲートを遮断して
ランプ21a〜21hの全てを消灯する。
The power control circuit 150 is connected to the control unit 90, and when the lamp out detection circuit 25 notifies the control unit 90 of the detection of the lamp out, the control unit 90 controls the power control circuit 150 as necessary. The power control circuit 150 shuts off the gates of the pair of thyristors 110 and turns off all the lamps 21a to 21h.

【0052】図中、符号210,220,230はラン
プ切れ等の異常を起こしたランプ21を特定するための
電流検知器で、加熱ブロック200a,200bに対し
て共通に配置される。具体的には第一の電流検知器21
0は電力供給部100aからランプ21aへの導電線2
3aと電力供給部100aからランプ21eへの導電線
24aとを同時に被測定対象として配置してある。この
とき、導電線23aに流れる電流の向きは図2中におい
て上から下方に向かうが、導電線24aでは電流はその
方向が対向して下から上方に向かう方向となる。よっ
て、この導電線23aと導電線24aが本願発明の被測
定対象対に相当する。
In the drawing, reference numerals 210, 220, and 230 denote current detectors for specifying the lamp 21 in which an abnormality such as a lamp burnout has occurred, and is arranged commonly to the heating blocks 200a and 200b. Specifically, the first current detector 21
0 is a conductive line 2 from the power supply unit 100a to the lamp 21a.
3a and a conductive wire 24a from the power supply unit 100a to the lamp 21e are simultaneously arranged as objects to be measured. At this time, the direction of the current flowing through the conductive line 23a goes from the top to the bottom in FIG. 2, but in the conductive line 24a, the direction of the current is opposite to the direction from the bottom to the top. Therefore, the conductive line 23a and the conductive line 24a correspond to a pair to be measured in the present invention.

【0053】そして導電線23aと導電線24aによる
第一の被測定対象対と同様に、導電線23bと導電線2
4b、導電線23cと導電線24c、導電線23dと導
電線24dが電流の流れる方向が対向した状態で第二,
第三,第四の被測定対象対として設定されている。
Then, similarly to the first pair of the object to be measured by the conductive line 23a and the conductive line 24a, the conductive line 23b and the conductive line 2
4b, the conductive lines 23c and 24c, and the conductive lines 23d and 24d face each other in a state where the current flows in opposite directions.
The third and fourth pairs to be measured are set.

【0054】さらに、第一の電流検知器210は電力供
給部100aからの第一と第二の被測定対象対に渡って
二対を同時に被測定対象として配置してあり、第二の電
流検知器220は電力供給部100aからの第二と第三
の被測定対象対に渡って同時に被測定対象として配置し
てあり、第三の電流検知器230は電力供給部100a
からの第三と第四の被測定対象対に渡って同時に被測定
対象として配置してある。この第一から第三の電流検知
器210,220,230が本発明の検知手段に相当す
る。
Further, two pairs of the first current detectors 210 are simultaneously arranged as the objects to be measured over the first and second pairs of the objects to be measured from the power supply unit 100a. The sensor 220 is arranged as an object to be measured simultaneously over the second and third pairs of objects to be measured from the power supply unit 100a, and the third current detector 230 is connected to the power supply unit 100a
From the third and fourth pairs of objects to be measured at the same time. The first to third current detectors 210, 220, 230 correspond to the detecting means of the present invention.

【0055】各電流検知器210,220,230の構
成は、図3に第一の電流検知器210のみを取り上げて
示す如く構成されている。詳細には、電流検知器210
は導電線23a,23b,24a,24bに流れる電流
の状態を、その電流により発生する磁束に基づいて検出
するもので、測定対象の導電線23a,23b,24
a,24b の外周には、導電線23a,23b,24
a,24b を囲んで円環状をした磁性体や方向性珪素
鋼板等からなるコア211が配設されている。コア21
1の環状軟質磁性材料は導電線23a,23b,24
a,24bの交流成分を検出するため、交流磁気特性が
良好な材料を選定することが望ましく、Mn−Zn系ソ
フトフェライト、Ni−Zn系ソフトフェライトを用い
ることができる。
The configuration of each of the current detectors 210, 220, 230 is such that only the first current detector 210 is shown in FIG. Specifically, the current detector 210
Is to detect the state of the current flowing through the conductive wires 23a, 23b, 24a, 24b based on the magnetic flux generated by the current, and to detect the conductive wires 23a, 23b, 24
The conductive wires 23a, 23b, 24
A core 211 made of an annular magnetic body, a directional silicon steel plate, or the like is provided so as to surround a, 24b. Core 21
One of the annular soft magnetic materials is made of conductive wires 23a, 23b, 24.
In order to detect the AC components a and 24b, it is desirable to select a material having good AC magnetic characteristics, and Mn-Zn soft ferrite or Ni-Zn soft ferrite can be used.

【0056】コア211にはコア211に発生した磁束
を電圧により検出する磁束変化検出巻線212が巻回さ
れており、磁束変化検出巻線212の両端子間には、磁
束変化検出巻線212の電流を検出する電流検出抵抗2
13が介装されている。電流検出抵抗213の各端子
は、電流検出端子214a,214bと各別に接続され
ている。
A magnetic flux change detecting winding 212 for detecting a magnetic flux generated in the core 211 by a voltage is wound around the core 211, and a magnetic flux change detecting winding 212 is provided between both terminals of the magnetic flux change detecting winding 212. Current detection resistor 2 for detecting the current of
13 are interposed. Each terminal of the current detection resistor 213 is separately connected to the current detection terminals 214a and 214b.

【0057】この電流検出端子214a,214bは図
2に示すようにランプ切れ検出回路26に接続されてお
り、ランプ切れ検出回路26は制御部90に接続され、
ランプ切れが発生した場合には検出対象である4つのラ
ンプ21が特定される。さらに各電流検知器210,2
20,230からの出力で後述する判断方法にて1つの
ランプ21が特定され、その旨が制御部90から通知さ
れる。
The current detection terminals 214a and 214b are connected to a lamp burnout detection circuit 26 as shown in FIG. 2, and the lamp burnout detection circuit 26 is connected to a control unit 90.
When the lamp burns out, the four lamps 21 to be detected are specified. Further, each current detector 210, 2
One of the lamps 21 is specified by the determination method described later based on the outputs from the output units 20 and 230, and the control unit 90 notifies the lamp 21 of that.

【0058】磁束変化検出巻線212の巻回された部位
より導出される配線部位には電流検出抵抗213と同様
にLED等の光源215が介装されている。光源215
は、磁束変化検出巻線212に電流が流れると発光し被
測定対象対における磁束の状態が視認できる。そして、
この光源215が本発明における報知手段に相当する。
A light source 215 such as an LED is interposed in a wiring portion derived from the wound portion of the magnetic flux change detection winding 212, similarly to the current detection resistor 213. Light source 215
When the current flows through the magnetic flux change detection winding 212, the light is emitted, and the state of the magnetic flux in the pair to be measured can be visually recognized. And
The light source 215 corresponds to a notification unit in the present invention.

【0059】この第一の電流検知器210の動作を説明
する。コア211内に非接触で2つの導電線23a,2
4a が配置挿通され電流が流れると、その電流によっ
てそれぞれに対応して磁束が発生する。しかしながら、
電流の流れる方向が対向するため磁束は相殺するので、
コア211に磁束が誘起されない。
The operation of the first current detector 210 will be described. Non-contact two conductive wires 23a, 2
When the current flows through the 4a, the magnetic flux is generated by the current. However,
Since the directions of current flow are opposite, the magnetic flux cancels out,
No magnetic flux is induced in the core 211.

【0060】一方、どちらかの導電線23a,24aの
電流値が変化して磁束に不均衡が生じると、コア211
に磁束が発生する。コア211に発生した磁束が磁束変
化検出巻線212と鎖交して、磁束変化検出巻線212
には磁束に応じた電圧が誘起され、それによって電流検
出抵抗213に電流が流れて電流検出抵抗213に電圧
降下が生じる。この電流検出抵抗213の端子214
a,214b間の電圧により導電線23a,24aの電
流状態を検出していることとなる。また、磁束変化検出
巻線212に誘起された電流により光源215が点灯さ
れることで導電線23a,24aどちらかの異常が報知
される。
On the other hand, when the current value of one of the conductive lines 23a, 24a changes and the magnetic flux becomes unbalanced, the core 211
Generates magnetic flux. The magnetic flux generated in the core 211 interlinks with the magnetic flux change detection winding 212, and the magnetic flux change detection winding 212
, A voltage corresponding to the magnetic flux is induced, whereby a current flows through the current detection resistor 213 and a voltage drop occurs in the current detection resistor 213. The terminal 214 of the current detection resistor 213
The current state of the conductive lines 23a and 24a is detected by the voltage between the terminals a and 214b. In addition, when the light source 215 is turned on by the current induced in the magnetic flux change detection winding 212, the abnormality of one of the conductive wires 23a and 24a is notified.

【0061】ここで、本発明の場合、第一の電流検知器
210は第一の被測定対象対(導電線23a,24a)
と第二の被測定対象対(導電線23b,24b)を同時
に被測定対象とする。即ち、上記の構成では、全ての導
電線に同格の交流電流が流れている時及び流れていない
時には磁束変化検出巻線212に交流電流が誘起され
ず、被測定対象対の電流の均衡が保たれない時に交流電
流が誘起されることになる。その結果、光源215が点
灯し、どちらかの被測定対象対に断線等の異常状態を検
出し報知することとなる。
Here, in the case of the present invention, the first current detector 210 is a first pair of the object to be measured (the conductive wires 23a and 24a).
And the second measured object pair (conductive wires 23b and 24b) are simultaneously measured. That is, in the above configuration, when the same AC current is flowing through all the conductive wires and when no AC current is flowing, no AC current is induced in the magnetic flux change detection winding 212, and the current balance of the pair to be measured is maintained. An AC current will be induced when the vehicle does not swing. As a result, the light source 215 is turned on, and an abnormal state such as a disconnection is detected and reported to one of the pair of objects to be measured.

【0062】同様に第二の電流検知器220は第二と第
三の被測定対象対に対して、第三の電流検知器230が
第三と第四の被測定対象対に対して配置してある。そし
て電流検知器210,220,230からの出力はラン
プ切れ検出回路26に入力され、後述するランプ群切れ
検出回路25の方法と同様にランプ切れの検出が行われ
る。即ち、電流検知器210,220,230で検出さ
れた電流は増幅器へ送られ、送られてきた電流値に基づ
いた信号が制御部90へ送られる。
Similarly, the second current detector 220 is arranged for the second and third pairs of objects to be measured, and the third current detector 230 is arranged for the third and fourth pairs of objects to be measured. It is. The outputs from the current detectors 210, 220, and 230 are input to the lamp burnout detection circuit 26, and the lamp burnout detection is performed in the same manner as in the lamp group burnout detection circuit 25 described below. That is, the current detected by the current detectors 210, 220, and 230 is sent to the amplifier, and a signal based on the sent current value is sent to the control unit 90.

【0063】次に、以上の構成の熱処理装置1における
ウェハWの処理途上においてランプ切れが検出された際
の熱処理装置1の動作について説明する。
Next, the operation of the heat treatment apparatus 1 when the lamp burnout is detected during the processing of the wafer W in the heat treatment apparatus 1 having the above configuration will be described.

【0064】既述のように、熱処理装置1の処理動作で
は、まず、未処理のウェハWがチャンバ10に搬入され
る。未処理のウェハWは、まず、外部の搬送ロボットの
ハンドに保持されてチャンバ10内部へと搬入される。
ハンドは昇降可能とされており、処理空間PS内へとウ
ェハWを搬入した後に下降する。
As described above, in the processing operation of the heat treatment apparatus 1, first, an unprocessed wafer W is loaded into the chamber 10. The unprocessed wafer W is first carried into the chamber 10 while being held by an external transfer robot hand.
The hand is capable of moving up and down, and moves down after carrying the wafer W into the processing space PS.

【0065】このとき、透過キャップ60全体が昇降さ
れ支持ピン61の上にハンドが保持するウェハWが載置
される。その後、ハンドはチャンバ10外へと退避し、
シャッタ17がチャンバ10の搬出入口10aを閉じ
る。
At this time, the entire transparent cap 60 is raised and lowered, and the wafer W held by the hand is placed on the support pins 61. After that, the hand retreats out of the chamber 10,
The shutter 17 closes the loading / unloading port 10a of the chamber 10.

【0066】ウェハWが支持ピン61上に載置される
と、昇降可能な透過キャップ60が下降し、ウェハWが
均熱リング41に載置される。また、処理ガス供給源1
5から処理空間PS内へと所定のガスが供給され、ウェ
ハWの周囲が処理に適した雰囲気とされる。
When the wafer W is placed on the support pins 61, the vertically movable transmission cap 60 is lowered, and the wafer W is placed on the soaking ring 41. In addition, processing gas supply source 1
A predetermined gas is supplied from 5 into the processing space PS, and the periphery of the wafer W is set to an atmosphere suitable for processing.

【0067】次に処理ガスの雰囲気下にてランプ21が
点灯されて処理が開始される。処理の準備が整えられる
と、電源モジュール100からランプ21へと電力が供
給され、ランプ21が点灯される。これにより、ウェハ
Wには多数のランプ21からランプ光が照射され、アニ
ールやCVD(Chemical Vapor Deposition)等の加
熱を伴う処理がウェハWに施される。また、ランプ21
へ供給される電力は処理の内容に応じて適切に変化する
よう制御され、さらにチャンバ10内部の雰囲気も適宜
調整される。
Next, the lamp 21 is turned on under the atmosphere of the processing gas to start the processing. When the preparation for the process is completed, power is supplied from the power supply module 100 to the lamp 21, and the lamp 21 is turned on. As a result, the wafer W is irradiated with lamp light from the large number of lamps 21, and a process involving heating such as annealing and CVD (Chemical Vapor Deposition) is performed on the wafer W. Also, the lamp 21
The electric power supplied to the chamber 10 is controlled so as to change appropriately in accordance with the content of the processing, and the atmosphere inside the chamber 10 is appropriately adjusted.

【0068】ウェハWへの処理が完了するとチャンバ1
0内部のガスが不活性ガスに置換され、その後、シャッ
タ17を空けて搬送ロボットによりウェハWが搬送され
る。なお、ウェハWの搬出は搬入の際の動作と逆の動作
により行われる。
When the processing on the wafer W is completed, the chamber 1
The gas inside 0 is replaced with an inert gas, and then the wafer W is transferred by the transfer robot with the shutter 17 opened. The unloading of the wafer W is performed by an operation reverse to the operation at the time of loading.

【0069】次に処理すべきウェハWが存在する場合に
は上記ステップが繰り返され、複数のウェハWに順次処
理が行われる。
When there is a wafer W to be processed next, the above steps are repeated, and the processing is sequentially performed on a plurality of wafers W.

【0070】ここで、熱処理装置1ではウェハWの処理
中にランプ切れが発生したか否かが確認される。もし、
ランプ切れが発生した場合には、図2に示したランプ群
切れ検出回路22とランプ切れ検出回路24が制御部9
0にランプ切れを通知すると共に、ディスプレイにエラ
ーを表示して作業者に通報する。
Here, in the heat treatment apparatus 1, it is confirmed whether or not the lamp has run out during the processing of the wafer W. if,
When the lamp burnout occurs, the lamp group burnout detection circuit 22 and the lamp burnout detection circuit 24 shown in FIG.
Notify 0 that the lamp has run out and display an error on the display to notify the operator.

【0071】熱処理装置1ではランプ切れが生じた場合
には熱処理装置1は次のウェハWに向けての処理動作を
停止し、次のウェハWをチャンバ10に搬入することは
ない。その後、作業者はエラー表示に従ってランプ切れ
したランプ21のグループから交換すべきランプ21を
探し出し、ランプ21の交換を行って基板処理を再開す
る。
In the heat treatment apparatus 1, when the lamp is cut off, the heat treatment apparatus 1 stops the processing operation for the next wafer W, and does not carry the next wafer W into the chamber 10. After that, the operator searches for a lamp 21 to be replaced from the group of lamps 21 that have run out according to the error display, replaces the lamp 21, and resumes substrate processing.

【0072】次に、熱処理装置1におけるランプ切れ検
出の方法について図4のフローチャートを参照して説明
する。図2に示す1つの電源モジュール100に関する
構成において8個のランプ21には全て同定格(ほぼ同
一の特性)のランプが使用される。また、2つの加熱ブ
ロック200a,200bは電力供給部100aから並
列に電力が供給され、常に同一の電圧(実効値)が印加
されているため、2つの加熱ブロック200a,200
bに流れ込む電流値(実効値)は(課回路のインピーダ
ンスが等しいと仮定すると)同一となる。
Next, a method of detecting a lamp explosion in the heat treatment apparatus 1 will be described with reference to a flowchart of FIG. In the configuration related to one power supply module 100 shown in FIG. 2, all eight lamps 21 have the same rating (substantially the same characteristics). In addition, since the two heating blocks 200a and 200b are supplied with power in parallel from the power supply unit 100a and always have the same voltage (effective value), the two heating blocks 200a and 200b
The current value (effective value) flowing into b becomes the same (assuming that the impedances of the section circuits are equal).

【0073】ここで、いずれかの加熱ブロック200
a,200bにおいて1つのランプ21が断線した場
合、ランプ切れが生じた加熱ブロック200a,200
bに流れる電流値はランプ切れが生じていない加熱ブロ
ック200a,200bに流れる電流値のおよそ3/4
となる。したがって、ランプ群切れ検出回路25では2
つの電流検知器201a,201bからの出力を比較す
ることでランプ切れの発生した加熱ブロックの検出を行
うことができる(ステップS1)。
Here, one of the heating blocks 200
a, 200b, when one lamp 21 is disconnected, the heating block 200a, 200 in which the lamp is cut off
The value of the current flowing through b is approximately 3/4 of the value of the current flowing through the heating blocks 200a and 200b where the lamp has not burned out.
Becomes Therefore, the lamp group outage detection circuit 25
By comparing the outputs from the two current detectors 201a and 201b, it is possible to detect the heating block in which the lamp has run out (step S1).

【0074】次に、加熱ブロック200a,200bの
特定に続いてランプ21の特定に関して説明する(ステ
ップS2)。なお、この以下の検出方法では2つの加熱
ブロック200a,200bにおいて同時に同数のラン
プ切れが発生する場合を想定していないが、通常の使用
状態においてこのような断線が発生する可能性は皆無に
等しく、実用上問題は生じない。
Next, the specification of the lamp 21 will be described following the specification of the heating blocks 200a and 200b (step S2). In the following detection method, it is not assumed that the same number of lamps are cut off simultaneously in the two heating blocks 200a and 200b, but there is almost no possibility that such a disconnection will occur in a normal use state. There is no practical problem.

【0075】まず、特定された加熱ブロック200a
(200b)が接続される電源モジュール100のみを
有効として電力を供給して全てのランプ21a〜hを点
灯させる。仮に電流検知器210,220,230で電
流の状態が検出され、全ての電流検知器210,22
0,230で電流が出力されていないと(ステップS
3,S4,S5,S6,S7,S8)、加熱ブロック2
00a,200bのランプ21には異常がないと判別で
きる(ステップS9)。
First, the specified heating block 200a
Only the power supply module 100 to which (200b) is connected is enabled and power is supplied to turn on all the lamps 21a to 21h. If the current detectors 210, 220, and 230 detect the state of the current, all the current detectors 210, 22
0, 230, if no current is output (step S
3, S4, S5, S6, S7, S8), heating block 2
It can be determined that there is no abnormality in the lamps 21 of 00a and 200b (step S9).

【0076】次に、第一の電流検知器210のみが電流
を出力し(ステップS3,S4)、第二、第三の電流検
知器220,230が出力していない場合(ステップS
10,S11,S12 )、ランプ21a,bのどちら
かにランプ切れ等の異常が発生しており導電線23a,
24a,のどちらかに電流が流れていない状態であ
る。これは第二の電流検知器220が電流を出力してい
ないため(ステップS10,S11)、第一と第二の電
流検知器210,220に共通な第二の被測定対象対に
は異常がないと判別できる。よって、上記の場合、第一
の被測定対象対の導電線23a,24aにおいてランプ
切れ等の異常が発生していると判断される(ステップS
13)。
Next, when only the first current detector 210 outputs a current (steps S3 and S4), and the second and third current detectors 220 and 230 do not output a current (step S3).
10, S11, S12), and any of the lamps 21a, b has an abnormality such as lamp burnout, and the conductive wires 23a,
24a, in which no current is flowing. This is because the second current detector 220 does not output a current (steps S10 and S11), so that the second pair of measurement targets common to the first and second current detectors 210 and 220 has an abnormality. It can be determined that there is not. Therefore, in the above case, it is determined that an abnormality such as a lamp burnout has occurred in the conductive wires 23a and 24a of the first pair of the measurement target (Step S).
13).

【0077】同じようにして、第三の電流検知器230
のみが電流を検出している場合、即ちステップS8でY
ESの場合は(ステップS3、S4,S5,S6,S
7,S8)、導電線23d,24dにおいてランプ21
dまたはランプ21hのどちらかにランプ切れ等の異常
が発生していると判断される(ステップS14)。
In the same manner, the third current detector 230
Only when only the current is detected, that is, in step S8, Y
In the case of ES (steps S3, S4, S5, S6, S
7, S8), the lamp 21 on the conductive lines 23d and 24d.
It is determined that an abnormality such as a lamp burnout has occurred in either d or the lamp 21h (step S14).

【0078】また、第一と第二の電流検知器210,2
20にて電流を検出している場合、即ちステップS11
でYESの場合は(ステップS3、S4,S10,S1
1,S15)、導電線23b,24bにおいてランプ2
1bまたはランプ21fのどちらかにランプ切れ等の異
常が発生していると判断される(ステップS16)。
The first and second current detectors 210, 2
If the current is detected in step 20, ie, step S11
In the case of YES, (Steps S3, S4, S10, S1
1, S15), the lamp 2 on the conductive wires 23b and 24b.
It is determined that an abnormality such as a lamp burnout has occurred in either the lamp 1b or the lamp 21f (step S16).

【0079】更に、第二と第三の電流検知器220,2
30にて電流を検出している場合、即ちステップS6で
YESの場合は(ステップS3、S4,S5,S6,S
17)、導電線23c,24cにおいてランプ21cま
たはランプ21gのどちらかにランプ切れ等の異常が発
生していると判断される(ステップS18)。
Further, the second and third current detectors 220 and 2
If the current is detected in step 30, that is, if YES in step S6 (steps S3, S4, S5, S6, S
17) It is determined that an abnormality such as lamp burnout has occurred in either the lamp 21c or the lamp 21g in the conductive wires 23c and 24c (step S18).

【0080】これらの判断は、各電流検出器210〜2
30からの出力がランプ切れ検出回路26に入力され、
ランプ切れ検出回路26にて行われる。
These determinations are made based on each of the current detectors 210-2.
The output from 30 is input to the lamp burnout detection circuit 26,
This is performed by the lamp burnout detection circuit 26.

【0081】そして、制御部90ではランプ群切れ検出
回路25からの信号とランプ切れ検出回路26からの信
号により、ステップS13,S14,S16,S18で
特定されたランプ21a,bとランプ21d,hとラン
プ21b,fとランプ21c,gのうちどちらの加熱ブ
ロック200a,200bに属しているランプが異常か
が判別され、1個のランプが特定されることとなる。
The control unit 90 uses the signal from the lamp burnout detection circuit 25 and the signal from the lamp burnout detection circuit 26 to determine the lamps 21a and b and the lamps 21d and h specified in steps S13, S14, S16 and S18. It is determined which one of the heating blocks 200a, 200b is abnormal among the lamps 21b, f and the lamps 21c, g, and one lamp is specified.

【0082】なお、ランプ点灯開始時の突入電流や過渡
的な状態における誤検知を防止するために、ランプ21
に定格電圧の50%程度以上で電圧が印加されている時
にのみランプ切れの検出が行われ、その他、様々なフィ
ルタ回路やソフトウェア処理を用いて誤検出の防止が適
宜施される。
In order to prevent rush current at the start of lamp lighting or erroneous detection in a transient state, the lamp 21
The lamp burnout detection is performed only when the voltage is applied at about 50% or more of the rated voltage, and erroneous detection is appropriately prevented using various filter circuits and software processing.

【0083】なお、上記実施の形態ではランプ切れを自
動的に検出するようにしているが、磁束の変化の表示に
基づいて作業者がランプ切れを判断したり、処理の中止
または続行を決定してもよい。即ち、各電流検知器21
0〜230には電流の状態を報知する光源215が配置
されているため、この光源215が発光することで該当
する電流検知器210〜230に電流が発生しているこ
とが作業者にて視認することができる。ランプ群切れ検
出回路25により異常が制御部90を介して表示された
時に、該当する電源モジュール100にのみ通電し、光
源215の点灯状態をランプ切れ検出回路24と同様の
判断を行うことで異常の発生しているランプ及び異常の
ある導電線が特定される。
In the above embodiment, the lamp burnout is automatically detected. However, based on the display of the change in the magnetic flux, the operator judges the lamp burnout, and determines whether to stop or continue the process. You may. That is, each current detector 21
Since the light source 215 for notifying the current state is disposed at 0 to 230, the worker visually recognizes that a current is generated in the corresponding current detectors 210 to 230 when the light source 215 emits light. can do. When an abnormality is displayed by the lamp group burnout detection circuit 25 via the control unit 90, only the corresponding power supply module 100 is energized, and the lighting state of the light source 215 is determined in the same manner as in the lamp burnout detection circuit 24, thereby making the abnormality. The lamp and the conductive wire having an abnormality are identified.

【0084】即ち、電流検知器210のみが点灯すると
ランプ21a,bのどちらか、電流検知器230のみが
点灯するとランプ21d,hのどちらか、電流検知器2
10,220が点灯するとランプ21b,fのどちら
か、電流検知器220,230が点灯するとランプ21
c,gのどちらかが異常と判断できる。
That is, when only the current detector 210 is turned on, one of the lamps 21a and b is turned on. When only the current detector 230 is turned on, one of the lamps 21d and h is turned on.
When the lamps 10 and 220 are turned on, one of the lamps 21b and f is turned on. When the current detectors 220 and 230 are turned on, the lamp 21 is turned off.
One of c and g can be determined to be abnormal.

【0085】また、上記実施の装置のように電流検知器
210〜230を常設していない装置においても、以下
の方法によれば本発明装置と同等に異常検出を行える。
すなわち、ランプ切れ等の異常の発生をランプ群切れ検
出回路25より特定されたなら、その特定された加熱ブ
ロック200a,200bに対して図3の電流検知器を
作業者によって図2の配置と同等に装着していき、光源
215の発光状態で異常の発生箇所を特定する作業を行
う。
Further, even in a device in which the current detectors 210 to 230 are not permanently provided as in the above-described device, the following method can detect an abnormality similarly to the device of the present invention.
That is, when the occurrence of an abnormality such as a lamp burnout is specified by the lamp burnout detection circuit 25, the current detector shown in FIG. 3 for the specified heating blocks 200a and 200b is equivalent to the arrangement shown in FIG. To perform the operation of identifying the location where the abnormality has occurred in the light emitting state of the light source 215.

【0086】即ち、8本の導電線23a〜23d,24
a〜24dの内、第一と第二の被測定対象対を検査し、
次にこの測定済のうち一方を含んで未測定の第三の被測
定対象対と同時に検査を実施する。この検査を繰り返し
て行く上で光源215の発光状態で異常のあるランプ2
1を特定する。
That is, the eight conductive lines 23a to 23d, 24
a to 24d, the first and second pairs of objects to be measured are inspected,
Next, an inspection is performed simultaneously with an unmeasured third target object pair including one of the measured objects. In repeating this inspection, the lamp 2 having an abnormality in the light emitting state of the light source 215
1 is specified.

【0087】もしくは、二対の被測定対象対に対して検
査を繰り返す。この時、導電線は検査が重複しないよう
に、例えば、第一と第二、第三と第四の被測定対象対を
一対として検査を行う。この結果からまず異常のある被
測定対象対を二対に特定し、この二対に対してそれぞれ
他の異常の無い被測定対象対と一対として検査を行うこ
とで、どちらの被測定対象対に異常があるかを検出す
る。最後に被測定対象対が特定されたなら、ランプ群切
れ検出回路25による加熱ブロックの特定と併せてラン
プを1個特定する。
Alternatively, the inspection is repeated for the two pairs of objects to be measured. At this time, the inspection of the conductive wire is performed, for example, with the first and second pairs and the third and fourth pairs to be measured being paired so that the inspections do not overlap. From this result, first, two pairs of the measured objects having an abnormality are specified, and the two pairs are inspected as a pair with the other non-abnormal measured object pair, respectively. Detect if there is any abnormality. Finally, when the pair to be measured is specified, one lamp is specified together with the specification of the heating block by the lamp group break detection circuit 25.

【0088】以上説明したように、熱処理装置1では4
個のランプ21を1組とし、各ブロックに、この加熱ブ
ロックにおけるランプ切れを検出する回路25と4個の
ランプ21から1個のランプ切れを検出する回路26を
設けている。したがって、従来のように電源モジュール
と多数のランプとの間にランプの数の2倍のケーブルを
配線する必要はなく、更にランプ切れ検出のための電流
検知器はランプの数必要ではなく、8個のランプに対し
て3個を装着するだけで足りる。
As described above, the heat treatment apparatus 1
The lamps 21 constitute one set, and each block is provided with a circuit 25 for detecting a lamp outage in this heating block and a circuit 26 for detecting one lamp out of the four lamps 21. Therefore, it is not necessary to wire twice the number of lamps between the power supply module and the large number of lamps as in the prior art, and the current detector for detecting lamp burnout does not require the number of lamps. It is enough to mount three lamps for each lamp.

【0089】特に、図1に示すようにランプ21として
小型かつ球形のランプを多数用いる場合、直管型のラン
プを用いてウェハWを加熱する場合よりも多くのランプ
を設ける必要が生じる。このような場合においても複数
のランプ21を並列に接続してグループとすることによ
り、実用性のある基板処理装置を製作することができ
る。
In particular, when a large number of small and spherical lamps are used as the lamps 21 as shown in FIG. 1, it is necessary to provide more lamps than when heating the wafer W using a straight tube type lamp. Even in such a case, a practical substrate processing apparatus can be manufactured by connecting a plurality of lamps 21 in parallel to form a group.

【0090】また、ランプ切れのランプの特定における
その検査方法においても、まず対象となる加熱ブロック
が特定され、その後、全てのランプを個別に検査する必
要はなくランプの数よりも少ない工程で異常のランプを
検出することが可能となる。
Also, in the inspection method for identifying a lamp that is out of lamp, first, a target heating block is identified, and thereafter, it is not necessary to individually inspect all lamps. Can be detected.

【0091】以上、この発明の一の実施の形態である熱
処理装置1について説明してきたが、この発明は上記の
実施形態に限定されるものではなく様々な変形が可能で
ある。
Although the heat treatment apparatus 1 according to one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible.

【0092】例えば、上記実施の形態では、1つの電源
モジュール100に8個のランプ21を接続し、さら
に、これらのランプ21の4個ずつのランプ切れ検出用
の組(2組)に分けているが、1つの電源モジュール1
00に接続されるランプ21の組の数は3以上であって
もよい。すなわち、電力供給部100aに3以上の加熱
ブロック200a(200b)が接続されてもよい。ま
た、1つの加熱ブロック200a(200b)に3以上
のランプ21を設けるのであれば検査工数の削減という
効果を奏することができる。
For example, in the above-described embodiment, eight lamps 21 are connected to one power supply module 100, and these lamps 21 are further divided into four sets (two sets) for detecting lamp burnout. But one power supply module 1
The number of sets of lamps 21 connected to 00 may be three or more. That is, three or more heating blocks 200a (200b) may be connected to the power supply unit 100a. If three or more lamps 21 are provided in one heating block 200a (200b), the effect of reducing the number of inspection steps can be obtained.

【0093】また、基板処理装置1は4個のランプ21
を1組としているが、これは、作業者がランプ切れした
ランプ21の特定に煩雑さを感じない程度の数という観
点から好ましい数であり、また、ランプ切れを生じた際
に電流検知器210,220,230からの電流値の変
動等に基づいて容易にランプ切れを検出できる数でもあ
る。
The substrate processing apparatus 1 has four lamps 21.
This is a preferable number from the viewpoint that the operator does not feel troublesome in identifying the lamp 21 whose lamp has been cut off, and the current detector 210 when the lamp cuts out. , 220, 230, etc., can be easily detected based on the fluctuation of the current value from the lamp.

【0094】また、上記の実施の形態では2つの加熱ブ
ロック200a,200bに並列給電しているが、2つ
の加熱ブロック200a,200bのそれぞれに独立し
て電力が供給されてもよい。この場合には、正常な状態
で加熱ブロック200a,200bに供給される電流ま
たは電力の値を事前に記憶しておき、これらの値の変化
からランプ切れを検出するようにしてもよい。また、こ
のような方法でランプ切れを検出する場合には各加熱ブ
ロック200a,200bに設けられるランプ21の数
を異なった数とすることができる。
In the above embodiment, the two heating blocks 200a and 200b are supplied with power in parallel. However, power may be supplied to each of the two heating blocks 200a and 200b independently. In this case, the value of the current or the power supplied to the heating blocks 200a and 200b in a normal state may be stored in advance, and the burnout of the lamp may be detected from a change in these values. In addition, when the lamp burnout is detected by such a method, the number of lamps 21 provided in each of the heating blocks 200a and 200b can be different.

【0095】また、上記実施の形態では逆接続した1対
のサイリスタ110の点弧位相角を調整して供給電力の
制御を行うが、供給電力を制御する方法はどのようなも
のであってもよく、例えば、1対のサイリスタ110と
等価なトライアックを用いたり、トランジスタを用いて
等価な回路を構成してもよい。
In the above-described embodiment, the supply power is controlled by adjusting the firing phase angle of the pair of thyristors 110 connected in reverse. However, any method of controlling the supply power may be used. For example, a triac equivalent to the pair of thyristors 110 may be used, or an equivalent circuit may be formed using transistors.

【0096】また、上記実施の形態では被測定対象対の
磁束の状態を電流検知器のコア211に発生した磁束を
電圧により磁束変化検出巻線212で検出しているが、
磁束変化検出巻線212に代えてホール素子で電圧信号
に変換するようにしてよい。
In the above embodiment, the state of the magnetic flux of the pair to be measured is detected by the magnetic flux change detection winding 212 by the magnetic flux generated in the core 211 of the current detector.
Instead of the magnetic flux change detection winding 212, the voltage signal may be converted by a Hall element.

【0097】また、上記実施の形態では2つの加熱ブロ
ックの導電線に対して電流検知器を配置しているが、電
流検知器のコア内側の円環に非接触で導電線が被測定対
象対として挿通できるなら異なる2つの加熱ブロックに
対して共通に電流検知器を利用してもよい。すなわち、
一つの電流検知器に四対の被測定対象対(8本の導電
線)を挿通することでも本願は実施できる。この場合、
3個の電流検知器で4つの加熱ブロックの異常を検出で
きる。また、このようにしてコア内側に非接触で導電線
を対で挿通できる限り電流検知器は他の加熱ブロックに
対して共通使いしていっても良い。
Further, in the above embodiment, the current detectors are arranged on the conductive wires of the two heating blocks. However, the conductive wires are in contact with the ring inside the core of the current detector without contact. The current detector may be commonly used for two different heating blocks if they can be inserted. That is,
The present invention can also be implemented by inserting four pairs of the measured objects (eight conductive lines) into one current detector. in this case,
Abnormalities of four heating blocks can be detected by three current detectors. In addition, the current detector may be commonly used for other heating blocks as long as the conductive wires can be inserted into the core inside in a non-contact manner in a non-contact manner.

【0098】[0098]

【発明の効果】以上、本発明の請求項1に記載の発明で
は、基板に加熱を伴う処理を施す熱処理装置であって、
電力の供給を受けて基板を加熱する複数の加熱手段と、
前記複数の加熱手段のそれぞれに並列給電するのに接続
された複数の導電線と、前記導電線の前記加熱手段に供
給される電流の方向が対向する二本の導電線を被測定対
象対として磁束の状態を検出する検知手段とを備え、前
記検知手段は二対の被測定対象対を同時に測定し、うち
一対を異なる検知手段と共通とし磁束の状態が検出され
る。そして、導電線に流れる電流に異常があると被測定
対象対からの磁束が検出される。その測定対象である二
対の被測定対象対のうち一対を測定対象として異なる検
知手段により磁束が測定されることで異常である被測定
対象対が特定される。
As described above, according to the first aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for performing a process involving heating on a substrate,
A plurality of heating means for heating the substrate under the supply of electric power,
A plurality of conductive wires connected to supply power in parallel to each of the plurality of heating means, and two conductive wires in which the direction of the current supplied to the heating means of the conductive wires is opposed to each other as a pair to be measured. Detecting means for detecting the state of the magnetic flux, wherein the detecting means simultaneously measures two pairs of the measured objects, and detects the state of the magnetic flux by sharing one of the pairs with different detecting means. Then, when there is an abnormality in the current flowing through the conductive wire, the magnetic flux from the pair to be measured is detected. An abnormal measurement target pair is specified by measuring the magnetic flux by different detection means using one of the two measurement target pairs as the measurement target as the measurement target.

【0099】請求項3に係る発明は、基板に加熱を伴う
処理を施す熱処理装置の異常検査方法であって、前記熱
処理装置は、電力の供給を受けて基板を加熱する複数の
加熱手段と、前記複数の加熱手段のそれぞれに並列給電
するのに接続された複数の導電線とを備え、前記導電線
のうち供給される電流の方向が対向する二本の導電線を
被測定対象対として選択する工程と、前記被測定対象対
による磁束の状態を測定する工程とより成り、互いの導
電線に同格の電流が流れているときは磁束が相殺され、
一方に電流が流れない状態では磁束のバランスが崩れ磁
束が発生する。この磁束の状態を測定することで選択さ
れた被測定対象対が検査される。
The invention according to claim 3 is a method for inspecting an abnormality of a heat treatment apparatus for performing a treatment involving heating on a substrate, the heat treatment apparatus comprising: a plurality of heating means for heating the substrate by receiving power supply; A plurality of conductive wires connected to supply a parallel power to each of the plurality of heating means, and two conductive wires of which the direction of the supplied current is opposite among the conductive wires are selected as a pair to be measured. And the step of measuring the state of the magnetic flux by the pair of objects to be measured, the magnetic flux is canceled when currents of the same level are flowing through the conductive wires,
On the other hand, in a state where no current flows, the balance of the magnetic flux is lost and a magnetic flux is generated. By measuring the state of the magnetic flux, the selected target object pair is inspected.

【0100】請求項5に係る発明は、基板に加熱を伴う
処理を施す熱処理装置の異常検査方法であって、前記熱
処理装置は、電力の供給を受けて基板を加熱する複数の
加熱手段と、前記複数の加熱手段のそれぞれに並列給電
するのに接続された複数の導電線とを備え、前記導電線
のうち供給される電流の方向が対向する二本の導電線を
被測定対象対として選択する工程と、前記被測定対象対
を二対選択し夫々の磁束の状態を検出する検知手段を複
数装着する工程と、前記検知手段の装着工程において被
測定対象対のうち一方を他の検知手段の被測定対象対と
共通に装着し、磁束を検出する。2個の検知手段が同時
に検出している場合は共通の被測定対象対に異常がある
と判断され、1個の検出手段のみ検出している場合は、
その2つの被測定対象対をそれぞれ個別に磁束が検出さ
れるかで判別される。
The invention according to claim 5 is a method for inspecting an abnormality of a heat treatment apparatus for performing a treatment involving heating on a substrate, wherein the heat treatment apparatus comprises a plurality of heating means for heating the substrate by receiving power supply; A plurality of conductive wires connected to supply a parallel power to each of the plurality of heating means, and two conductive wires of which the direction of the supplied current is opposite among the conductive wires are selected as a pair to be measured. Performing, selecting two pairs of the measured object pairs, and mounting a plurality of detecting means for detecting the state of each magnetic flux, and mounting one of the measured object pairs to another detecting means in the mounting step of the detecting means. Is mounted in common with the pair to be measured, and detects magnetic flux. If the two detecting means are detecting at the same time, it is determined that there is an abnormality in the common pair of the measured object, and if only one detecting means is detecting,
It is determined whether the two magnetic flux pairs are individually detected for magnetic flux.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一の実施の形態である熱処理装置の
全体構成の概略を示す縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing an overall configuration of a heat treatment apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す熱処理装置における1つの電源モジ
ュールの構成およびこれに接続されるランプを示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of one power supply module and a lamp connected thereto in the heat treatment apparatus shown in FIG.

【図3】図1に示す電流検知器の構成を概略的に示す概
略構成図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram schematically showing a configuration of a current detector shown in FIG. 1;

【図4】異常検査の方法を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of abnormality inspection.

【図5】従来の熱処理装置における1つの電源モジュー
ルの構成およびこれに接続されるランプを示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of one power supply module in a conventional heat treatment apparatus and a lamp connected to the power supply module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 熱処理装置 W 基板 21a、21b、21c、21d、21e、21f、2
1g、21h、270ランプ 23a、23b、23c、23d、24a、24b、2
4c、24d 導電線 25 ランプ群切れ検出回路 26 ランプ切れ検出回路 90 制御部 100、260 電源モジュール 100a 電力供給部 120、201a、201b、210、210、22
0、262、271 電流検知器 140、250 交流電源 215 光源 200a、200b 加熱ブロック
Reference Signs List 1 heat treatment apparatus W substrate 21a, 21b, 21c, 21d, 21e, 21f, 2
1g, 21h, 270 lamps 23a, 23b, 23c, 23d, 24a, 24b, 2
4c, 24d Conductive line 25 Lamp burnout detection circuit 26 Lamp burnout detection circuit 90 Control unit 100, 260 Power supply module 100a Power supply unit 120, 201a, 201b, 210, 210, 22
0, 262, 271 Current detector 140, 250 AC power supply 215 Light source 200a, 200b Heating block

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に加熱を伴う処理を施す熱処理装置
であって、 電力の供給を受けて基板を加熱する複数の加熱手段と、 前記複数の加熱手段のそれぞれに並列給電するのに接続
された複数の導電線と、 前記導電線の前記加熱手段に供給される電流の方向が対
向する二本の導電線を被測定対象対として磁束の状態を
検出する検知手段と、を備え、 前記検知手段は、二対の被測定対象対を同時に測定し、
うち一対を異なる検知手段と共通とすることを特徴とす
る熱処理装置。
1. A heat treatment apparatus for performing a process involving heating on a substrate, comprising: a plurality of heating means for heating the substrate by receiving electric power; and a plurality of heating means connected to each of the plurality of heating means for supplying power in parallel. A plurality of conductive wires, and detecting means for detecting a state of a magnetic flux with two conductive wires facing each other in a direction of a current supplied to the heating means of the conductive wires as a pair to be measured. Means for simultaneously measuring two pairs of objects to be measured,
A heat treatment apparatus characterized in that a pair is shared with different detection means.
【請求項2】 請求項1に記載の熱処理装置において、 前記検知手段は、前記被測定対象対の磁束を検出する時
に異常を報知する報知手段を備えことを特徴とする熱処
理装置。
2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the detection unit includes a notification unit that reports an abnormality when detecting a magnetic flux of the pair of measurement targets.
【請求項3】 基板に加熱を伴う処理を施す熱処理装
置の異常検査方法であって、 前記熱処理装置は、電力の供給を受けて基板を加熱する
複数の加熱手段と、 前記複数の加熱手段のそれぞれに並列給電するのに接続
された複数の導電線と、 を備え、 前記導電線のうち供給される電流の方向が対向する二本
の導電線を被測定対象対として選択する工程と、 前記被測定対象対の磁束の状態を測定する工程と、より
成ることを特徴とする熱処理装置の異常検査方法。
3. A method for inspecting an abnormality of a heat treatment apparatus for performing a treatment involving heating on a substrate, wherein the heat treatment apparatus comprises: a plurality of heating means for heating the substrate by receiving power; A plurality of conductive lines connected to supply power in parallel to each other, and a step of selecting two conductive lines in which the direction of the supplied current is opposite among the conductive lines as a pair to be measured, and Measuring the state of the magnetic flux of the pair of objects to be measured.
【請求項4】 請求項3に記載の異常検査方法におい
て、 前記測定工程は、二対の被測定対象対を同時に測定し、
測定工程の繰り返しにおいて測定済みの一つの被測定対
象対を含んで未測定のとを選択して測定することを特徴
とする熱処理装置の異常検査方法。
4. The abnormality inspection method according to claim 3, wherein the measuring step simultaneously measures two pairs of the measured objects,
An abnormality inspection method for a heat treatment apparatus, comprising: selecting and measuring an unmeasured object including one measured object pair in a repeated measurement process.
【請求項5】 基板に加熱を伴う処理を施す熱処理装
置の異常検査方法であって、 前記熱処理装置は、電力の供給を受けて基板を加熱する
複数の加熱手段と、 前記複数の加熱手段のそれぞれに並列給電するのに接続
された複数の導電線と、 を備え、 前記導電線のうち供給される電流の方向が対向する二本
の導電線を被測定対象対として選択する工程と、 前記被測定対象対を二対選択しそれぞれの磁束の状態を
検出する検知手段を複数装着する工程と、 前記検知手段の装着工程において被測定対象対のうち一
方を他の検知手段の被測定対象対と共通に装着すること
を特徴とする熱処理装置の異常検査方法。
5. A method for inspecting an abnormality of a heat treatment apparatus for performing a treatment involving heating on a substrate, wherein the heat treatment apparatus comprises: a plurality of heating means for heating the substrate by receiving a supply of electric power; A plurality of conductive lines connected to supply power in parallel to each other, and a step of selecting two conductive lines in which the direction of the supplied current is opposite among the conductive lines as a pair to be measured, and A step of mounting a plurality of detecting means for selecting two pairs of the object to be measured and detecting the states of the respective magnetic fluxes; A method for inspecting an abnormality of a heat treatment apparatus, wherein the method is installed in common with the apparatus.
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