JP2001101987A - Luminous device, method of luminescence, and method for fabricating gate electrode - Google Patents

Luminous device, method of luminescence, and method for fabricating gate electrode

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JP2001101987A
JP2001101987A JP2000242786A JP2000242786A JP2001101987A JP 2001101987 A JP2001101987 A JP 2001101987A JP 2000242786 A JP2000242786 A JP 2000242786A JP 2000242786 A JP2000242786 A JP 2000242786A JP 2001101987 A JP2001101987 A JP 2001101987A
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light emitting
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Lai-Cheng Chen
来 成 陳
Chun-Hui Tsai
君 徽 蔡
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Delta Optoelectronics Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a luminous device that saves power with high efficiency, using the characteristics of carbon nano tubes that can emit electron under low electric fields and which may be incorporated into a display panel for displaying static characters, picture of dynamic images, and moving pictures. SOLUTION: By using electric fields applied to the gate electrode 16 and carbon nano tube 18 so that the carbon nano tube 18 emits electrons which collide against the positive fluorescent powders 12 by means of positive high voltages and the light radiates. The semiconductor switch of the device is controlled by the potential formed under the carbon. High-resolution luminous device is achieved by a triode structure of mutually insulated and double-layer gate electrodes. One layer of the gate electrode provides the electric field that emits electrons, while the other layer of the gate electrode being the gate electrode perpendicular to the conductive layer so that it determines whether electrons are passed by or not. This structure realizes a power saving high efficiency and high-resolution luminous device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【技術分野】本発明は発光素子に関し、特にカーボンナ
ノチューブ電子放出源を備えた発光素子に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device having a carbon nanotube electron emission source.

【0002】[0002]

【背景技術】高輝度、省電気型の表示器は、例えば大型
運動場の計数板、公共場所の電子表示看板、高速道路上
の路標、路況表示等、情報を伝達するための機構に応用
され、用途が極めて広大である。この大型運動場に応用
されているディスプレイ・スクリーンは多数の小さい発
光素子を組み合わせてなるもので、現在これら小さい発
光素子により制作されたものとして、例えば白熱光電
球、小陰極線管(CRT)、高圧真空蛍光管(High Vol
tage Vacuum Fluorescent Display:HVVFD)、小
蛍光灯及び発光ダイオード等がある。
2. Description of the Related Art High-brightness, power-saving displays are applied to mechanisms for transmitting information, for example, counters for large sports fields, electronic display signs for public places, road signs on highways, road condition displays, and the like. The application is extremely vast. The display screen applied to this large playground is a combination of a number of small light-emitting elements, and currently produced with these small light-emitting elements, for example, incandescent lamps, small cathode ray tubes (CRT), high-pressure vacuum Fluorescent tube (High Vol
tage Vacuum Fluorescent Display (HVVFD), small fluorescent lamp, light emitting diode, and the like.

【0003】白熱光電球は電球中のランプワイヤを加熱
して発光させる原理を応用したものであるが、発光時に
電球におけるランプワイヤ(タングステン材)の温度を
900〜1500℃に保持しなければならないために、
白熱光電球により組み合わせられた表示看板は電気消耗
が極めて大きく、エネルギー効率が非常に低いと共に、
白熱光電球は黄色じみた白光しか放出できない。したが
って、カラー表示看板を組み立てることは極めて困難で
あるとされていた。
An incandescent light bulb is based on the principle of heating a lamp wire in a light bulb to emit light, and the temperature of the lamp wire (tungsten material) in the light bulb must be maintained at 900 to 1500 ° C. during light emission. for,
Display signs combined with incandescent light bulbs consume a great deal of electricity, have very low energy efficiency,
Incandescent light bulbs can only emit yellowish white light. Therefore, it has been considered that it is extremely difficult to assemble a color display signboard.

【0004】陰極線管系は電子ビームが蛍光粉末に衝突
して発光するのを利用したもので、この種の発光方式は
発光効率において非常に高いことから、理論的にはCR
Tのエネルギー効率も非常に高いはずであるが、CRT
における電子の出所は金属表面に電子が容易に放出され
る酸化物(酸化バリウム)を塗布して作製された熱陰極
を加熱して得られることから、熱陰極を加熱した時に、
これら酸化物は熱電子を放出できるものの、電子を生ず
るための電子銃は点電子源であるので、高い電子密度を
得ようとする場合は電子銃の温度を昇温、つまり電子銃
の電流を向上する必要があり、このために、高輝度を主
たる機能とする表示素子において、電子銃の電流を向上
すると電子銃自体、即ち電子銃の寿命が短縮されると共
に、エネルギーの消耗が増加してしまう。他方、CRT
自体は体積が大きく、かつ、厚く重いという欠点を有し
ているために大型の表示看板の組立に制限があり、精細
な画面を表示するディスプレイスクリーンを組み立てる
ことができない。また、小さいCRTで組み立てられた
ディスプレイスクリーンは電気の消耗が大であり、例え
ば現在の製品で小さいCRTにより組み立てられた25
m×40mの表示看板ではエネルギー消耗が2000k
wに上がり、白熱光電球の1/10しかないとは言え、
点電子光源の制限により蛍光粉末の高発光効率の特性を
発揮することができない。
The cathode ray tube system utilizes the fact that an electron beam collides with a fluorescent powder to emit light. This type of light emitting method has a very high luminous efficiency, and is theoretically a CR.
The energy efficiency of T should be very high, but CRT
The source of the electrons in is obtained by heating a hot cathode made by applying an oxide (barium oxide) that easily emits electrons to the metal surface, so when the hot cathode is heated,
Although these oxides can emit thermoelectrons, the electron gun for generating electrons is a point electron source, so when trying to obtain a high electron density, the temperature of the electron gun is raised, that is, the current of the electron gun is increased. For this reason, in a display element having a main function of high luminance, if the current of the electron gun is improved, the life of the electron gun itself, that is, the life of the electron gun is shortened, and the energy consumption increases. I will. On the other hand, CRT
Since it itself has the disadvantages of being large in volume, being thick and heavy, there is a limitation in assembling a large display signboard, and a display screen for displaying a fine screen cannot be assembled. In addition, a display screen assembled with a small CRT consumes a large amount of electricity.
Energy consumption of 2000k for mx 40m display signboard
w, and although it is only 1/10 of an incandescent light bulb,
Due to the limitation of the point electron light source, the high luminous efficiency characteristics of the fluorescent powder cannot be exhibited.

【0005】高圧真空蛍光管(HVVFD)は、CRT
における点電子源を線電子源に改良したものである。線
電子源は、容易に電子を放出する酸化物を細いタングス
テンワイヤに塗布したもので、線型の電子源が多数の熱
電子を放出し蛍光粉末に衝突して発光することから、大
幅にCRTのエネルギー消耗の欠点を改善することがで
きる。また、HVVFDは一つの発光素子に赤、青、緑
の三原色を塗布することが可能であるので、CRTより
も容易にHVVFDでカラーディスプレイスクリーンを
組み合わせることができ、解像度もCRTより高い。
A high-pressure vacuum fluorescent tube (HVVFD) is a CRT.
Is a point electron source improved to a line electron source. The linear electron source is a thin tungsten wire coated with an oxide that easily emits electrons. The linear electron source emits a large number of thermal electrons and collides with the fluorescent powder to emit light. The disadvantage of energy consumption can be improved. In addition, HVVFD can apply three primary colors of red, blue and green to one light emitting element, so that a color display screen can be combined with HVVFD more easily than CRT and resolution is higher than CRT.

【0006】ところが、HVVFDにより組み立てられ
たディスプレイスクリーンは特性及びエネルギー消耗に
おいて小CRTにより組み合わせられたスクリーンより
も優れているにもかかわらず、HVVFDの構造が複雑
なために製作が困難であることと、タングステンワイヤ
で加熱して熱電子を励起するためにやはり大量のエネル
ギーを消耗している。例えば、現在HVVFDにより組
み合わせられた25m×40mサイズのディスプレイス
クリーン等は1、000kwに上る電気エネルギーを消
耗している。
However, despite the fact that display screens assembled by HVVFD are superior in characteristics and energy consumption to screens combined by small CRTs, they are difficult to manufacture due to the complex structure of HVVFD. Also, a large amount of energy is consumed to excite thermoelectrons by heating with a tungsten wire. For example, a display screen of 25 m × 40 m size combined with HVVFD at present consumes up to 1,000 kW of electric energy.

【0007】紫外線により蛍光粉末を励起して発光する
ように製作された小蛍光灯もディスプレイスクリーンを
組み立てることができるが、現在使用されている蛍光灯
素子は顔色に制限されて多様化できないと共に、各蛍光
灯のサイズを1ライン/mm以下に縮小することが困難
であるために詳細な画面を形成することは至って困難で
ある。非蛍光性の発光ダイオード(LED)も広く大型
のディスプレイスクリーンに応用されている。現在では
既にそれぞれ赤、青、緑の三原色を発色する材料が開発
されているが、高輝度の緑色と青色との材料を製作する
ことが困難であると共に、蛍光粉末の発光効率が30
(lm/w)に達することに比べてLEDの発光効率は
10(1m/w)に至らず、この外に、LEDには厳し
い視角問題があり、大スクリーンに使用の欠陥をもたら
している。
[0007] A small fluorescent lamp manufactured to excite fluorescent powder by ultraviolet light to emit light can also assemble a display screen. However, the fluorescent lamp elements currently used cannot be diversified due to being restricted to a complexion color. Since it is difficult to reduce the size of each fluorescent lamp to 1 line / mm or less, it is very difficult to form a detailed screen. Non-fluorescent light emitting diodes (LEDs) are also widely applied to large display screens. At present, materials that respectively emit the three primary colors of red, blue, and green have been developed. However, it is difficult to manufacture high-luminance green and blue materials, and the luminous efficiency of the fluorescent powder is 30%.
Compared to (lm / w), the luminous efficiency of the LED does not reach 10 (1 m / w), and in addition, the LED has a severe viewing angle problem, causing a defect in use on a large screen.

【0008】すなわち、従来の発光素子には以下の欠点
が存在している。 (1)効率が高くない。発光効率が余り低いために大型
のスクリーンに使用できない。 (2)発光素子の発光特性により、エネルギーの消耗が
大きい。 (3)解像度が低く、発光素子の配列及び顔色に影響さ
れて詳細な画面を形成するのが困難である。
That is, the conventional light emitting device has the following disadvantages. (1) The efficiency is not high. It cannot be used for large screens because its luminous efficiency is too low. (2) Energy consumption is large due to the light emitting characteristics of the light emitting element. (3) The resolution is low, and it is difficult to form a detailed screen due to the arrangement of the light emitting elements and the complexion.

【0009】本発明は上記従来の欠点を解消するために
改良の発光素子を提供するもので、現有素子の利点及び
欠点について系統的な分析を行い、新材料及び新構造を
引き入れて、高輝度、高解像度を具備した表示素子を案
出し、これら素子を静態文字情報及び動態文字情報を伝
送できる大型の電子看板に組み合わせてなることを本発
明の要旨としている。
The present invention provides an improved light-emitting device for overcoming the above-mentioned conventional drawbacks. The present invention provides a systematic analysis of the advantages and disadvantages of existing devices and introduces new materials and new structures to achieve high brightness. The gist of the present invention is to devise a display device having high resolution and to combine these devices with a large electronic signboard capable of transmitting static character information and dynamic character information.

【0010】そして現行の発光素子を分析した結果、本
発明者らは電子を蛍光灯粉末に衝突させて発光させる効
率はその他の発光技術よりも高いことを見出した。した
がって、小CRT及びHVVFDは発光の効率が白熱電
球及び発光ダイオード等の発光素子よりも高いが、当該
小CRT及びHVVFD素子においての加熱方式により
熱電子を生ずる方法はエネルギー消耗の主因となり、こ
のエネルギー消耗を低下させるには、電子放出の冷陰極
が最も好ましく選択されることが明らかになった。
As a result of analyzing the current light emitting device, the present inventors have found that the efficiency of emitting light by colliding electrons with the fluorescent lamp powder is higher than other light emitting technologies. Therefore, the small CRT and HVVFD have higher luminous efficiency than light emitting elements such as incandescent lamps and light emitting diodes. However, the method of generating thermoelectrons by the heating method in the small CRT and HVVFD element is a main cause of energy consumption, and this energy is consumed. It has been found that electron emission cold cathodes are the most preferred choice for reducing wear.

【0011】1995年、リンズラーは“A simple and
robust electron beam source from carbon nonotub
e”by Philip G Collins and A zettl. Appl. Phys. Le
tt. 69(13)1996において、カーボン材により
組成されたカーボンナノチューブは電子を放射する特性
があることを発表した。続いて1997年、王らはさら
に“Field Emission from nanotubes bindle emitters
at low field”by Q.H.Wang,T.D.Corrigan,J.Y.Dai a
nd R.P.H. Chang,A.R.Krauss.Appl.Phys.Lett.70
(24),1997において、カーボンナノチューブ
は.0.8V/μmの低電界下であれば大量の電子を放
出することを発表した。したがって、カーボンナノチュ
ーブが低電界下であれば電子を放出する特性と、蛍光粉
末の高効率の発光特性とを結合することにより、高輝
度、省エネルギー及び高精密度の発光素子を製作するこ
とができ、このような発光素子により単色又はカラーを
表示することが可能なディスプレイスクリーンに組み合
わせて、静態文字情報及び動態文字情報を表示する電子
看板を製作することができる。
In 1995, Lindsler described "A simple and
robust electron beam source from carbon nonotub
e ”by Philip G Collins and A zettl. Appl. Phys. Le
tt. 69 (13) 1996, announced that carbon nanotubes composed of carbon materials have the property of emitting electrons. Subsequently, in 1997, the kings and others also added “Field Emission from nanotubes bindle emitters
at low field ”by QHWang, TDCorrigan, JYDai a
nd RPH Chang, ARKrauss. Appl. Phys. Lett. 70
(24), 1997, carbon nanotubes are. It has been announced that a large amount of electrons are emitted under a low electric field of 0.8 V / μm. Therefore, by combining the property of emitting electrons when the carbon nanotube is under a low electric field with the highly efficient light emitting property of the fluorescent powder, a light emitting device with high brightness, energy saving and high precision can be manufactured. An electronic signboard that displays static character information and dynamic character information can be manufactured in combination with a display screen capable of displaying a single color or a color using such a light emitting element.

【0012】本発明は上記知見に基づいて、カーボンナ
ノチューブの電子放出源を利用して電子を放出し、蛍光
粉末に衝突させて発光させる発光素子を提供することを
目的とする。
It is an object of the present invention to provide a light emitting device that emits electrons by using an electron emission source of carbon nanotubes and collides with a fluorescent powder to emit light, based on the above findings.

【0013】本発明はさらにこの発光素子の高輝度及び
省エネルギーの特性を利用して省電気、単色又は多色も
しくは全カラー、及び高解像度のディスプレイスクリー
ンを組成し、このスクリーンを静態文字情報又は動態映
像情報表示用の電子看板に応用させ得ることを目的とす
る。
According to the present invention, a display screen of electric power saving, single color, multicolor or full color, and high resolution is formed by utilizing the characteristics of high brightness and energy saving of the light emitting device. An object is to be applied to an electronic signboard for displaying video information.

【0014】[0014]

【発明の開示】上記目的を達成するための本発明の発光
素子は電子と発光物質との相互作用により光を生ずる発
光素子であって、カーボンナノチューブを有する電子放
出源と複数の発光点を限定するゲート電極とを備え、該
ゲート電極を制御することにより一特定発光点を定める
と共に、該電子放出源のカーボンナノチューブにより電
子を発生させる電子放出構造と、前記電子を受入れ、前
記発光物質との相互作用により光を生ずる発光構造と、
を備える。
DISCLOSURE OF THE INVENTION A light-emitting device according to the present invention for achieving the above object is a light-emitting device that generates light by the interaction between electrons and a light-emitting substance, and has an electron emission source having carbon nanotubes and a plurality of emission points. A gate electrode that controls the gate electrode to determine a specific light-emitting point, an electron-emitting structure that generates electrons by the carbon nanotubes of the electron-emitting source, and receives the electrons, and the light-emitting substance A light emitting structure that generates light by interaction;
Is provided.

【0015】又、上記発明の発光素子において、前記ゲ
ート電極は陰極のアドレッシングの能力を有し、これに
より前記特定発光点の明・暗を制御する金属網状構造で
あり、この金属網状構造は金属層及び絶縁層を有し、前
記電子は前記電子放出源と前記ゲート電極との間の電界
の励起により生じるか、又は、前記カーボンナノチュー
ブにより放出されるようにすることもできる。
Further, in the light emitting device according to the present invention, the gate electrode has a cathode addressing ability, and thereby has a metal network structure for controlling the brightness / darkness of the specific light emitting point, and the metal network structure is a metal network. A layer and an insulating layer, wherein the electrons are generated by excitation of an electric field between the electron emission source and the gate electrode, or may be emitted by the carbon nanotube.

【0016】又、上記発明の発光素子において、前記複
数の発光点はxyアレイに形成され、前記発光構造は前
記発光物質が全面的に塗布された基板であり、該発光物
質は蛍光粉末であり、又は、この発光物質の上にアルミ
層を被覆するように構成することができる。
In the light-emitting device according to the invention, the plurality of light-emitting points are formed in an xy array, the light-emitting structure is a substrate on which the light-emitting substance is entirely coated, and the light-emitting substance is a fluorescent powder. Alternatively, the light emitting substance may be covered with an aluminum layer.

【0017】さらに、上記目的を達成するための本発明
の発光素子の発光方法は電子と発光物質との相互作用に
より光を生ずる発光素子の発光方法であって、カーボン
ナノチューブ及び複数の発光点を限定したゲート電極を
提供しこのゲート電極を制御することにより一特定発光
点を定めるステップと、電界を前記カーボンナノチュー
ブ上に印加して、前記電子を生じるステップと、該電子
をして加速的に該ゲート電極を通過せしめ、前記発光物
質との相互作用を発生させて、該発光物質の特性により
光を生ずるステップと、を備える。
Further, a light emitting method for a light emitting device according to the present invention for achieving the above object is a light emitting method for a light emitting device which generates light by an interaction between an electron and a light emitting substance. Providing a limited gate electrode and controlling this gate electrode to determine a particular emission point; applying an electric field onto the carbon nanotubes to generate the electrons; and accelerating the electrons by accelerating the electrons. Passing through the gate electrode to generate an interaction with the luminescent material to generate light according to characteristics of the luminescent material.

【0018】上記発明の発光素子の発光方法において、
前記ゲート電極はxy軸のアドレッシングの能力を有
し、これにより前記特定発光点の明・暗を制御する金属
網状構造であり、前記電子は前記電界の励起により発生
し、前記発光物質は蛍光粉末であり、前記相互作用は該
電子が該発光物質に衝突して発生する作用である。
In the light emitting method of the light emitting device according to the invention,
The gate electrode has an xy-axis addressing capability, thereby having a metal network structure for controlling the brightness / darkness of the specific light emitting point, the electrons are generated by the excitation of the electric field, and the luminescent material is a fluorescent powder. Wherein the interaction is an action that occurs when the electrons collide with the luminescent material.

【0019】さらに、上記目的を達成するための本発明
の発光素子の製造方法は、電子と発光物質との相互作用
により光が生ずる発光素子の製造方法であって、前記電
子を生ずるためのカーボンナノチューブと、複数の発光
点を限定するゲート電極とを備えた電子放出構造を形成
し、該ゲート電極を制御することにより一特定発光点を
定めるステップと、前記電子放出構造上に間隔区域を形
成するステップと、この間隔区域に前記発光物質が塗布
された発光構造を形成し、前記電子が該発光物質に衝突
した時に発光するステップと、を備える。
Further, a method of manufacturing a light emitting device according to the present invention for achieving the above object is a method of manufacturing a light emitting device in which light is generated by an interaction between an electron and a light emitting substance. Forming an electron emission structure comprising a nanotube and a gate electrode defining a plurality of emission points, defining one specific emission point by controlling the gate electrode, and forming a spacing area on the electron emission structure And forming a light emitting structure in which the light emitting material is applied to the space, and emitting light when the electrons collide with the light emitting material.

【0020】又、上記発明の発光素子の製造方法におい
て、前記電子放出構造の形成は、(A1)基板を形成す
るステップと、(A2)電子放出源を前記基板上に形成
させるステップと、(A3)前記ゲート電極を該電子放
出源上に形成させるステップと、を備え、前記ステップ
(A1)における該基板はガラス基板又はセラミック基
板であり、前記ステップ(A2)における該電子放出源
は先ず前記ガラス基板上に成長される導線と、さらにこ
の導線上に成長されるカーボンナノチューブとを備え
る。
In the method of manufacturing a light emitting device according to the present invention, the step of forming the electron emission structure includes the steps of: (A1) forming a substrate; (A2) forming an electron emission source on the substrate; A3) forming the gate electrode on the electron emission source. The substrate in the step (A1) is a glass substrate or a ceramic substrate, and the electron emission source in the step (A2) is The semiconductor device includes a conductive wire grown on a glass substrate and a carbon nanotube grown on the conductive wire.

【0021】又、上記発明の発光素子の製造方法におい
て、前記間隔区域は前記電子放出構造と前記発光構造と
を隔離するための区域であってスペーサーにより形成さ
れ、この発光構造の形成は、(B1)発光層を形成する
ステップと、(B2)アルミ層を形成するステップと、
を備え、前記ステップ(B1)における該発光層は前記
発光物質を透明基板上に成長させ、この発光物質は好ま
しくは蛍光粉末であり、また、前記ステップ(B2)に
おける前記アルミ層は該発光物質上に成長する。
Further, in the method of manufacturing a light emitting device according to the present invention, the interval area is an area for separating the electron emitting structure and the light emitting structure and is formed by a spacer. (B1) forming a light emitting layer; (B2) forming an aluminum layer;
Wherein the luminescent layer in step (B1) grows the luminescent material on a transparent substrate, wherein the luminescent material is preferably a fluorescent powder, and the aluminum layer in step (B2) comprises the luminescent material. Grow on.

【0022】さらに本発明の他の態様である発光素子は
電子と発光物質との相互作用により光を生ずる発光素子
であって、前記電子を発生させるための電子放出源と、
この電子放出源に隣接し、第一の金属層及び第1の絶縁
層を具備すると共に、複数の発光点を限定し、一特定発
光点のアドレスが該電子を通過するように制御されたゲ
ート電極と、このゲート電極に隣接して前記電子を受け
入れると共に、該発光物質に光を生じさせる発光構造
と、を備える。
A light-emitting element according to another embodiment of the present invention is a light-emitting element that generates light by an interaction between an electron and a light-emitting substance, and includes an electron-emitting source for generating the electron;
A gate that is adjacent to the electron emission source, includes a first metal layer and a first insulating layer, defines a plurality of light emitting points, and is controlled such that an address of one specific light emitting point passes through the electron. An electrode, and a light emitting structure adjacent to the gate electrode for receiving the electrons and generating light in the light emitting material.

【0023】又、上記発明の発光素子において、前記ゲ
ート電極はxy軸アドレッシングの能力を有し、これに
より前記特定発光点の明・暗を制御する金属網状構造で
あり、この金属網状構造は第1の金属層及び第1の絶縁
層を有し、前記電子は前記電子放出源と前記ゲート電極
との間の電界の励起により生じ、該ゲート電極はさらに
前記絶縁層を前記第1の金属層との間に介在させる第2
の金属層を備え、このゲート電極は好ましくはさらに、
該第2の金属層に隣接する第2の絶縁層と、この第2の
絶縁層に隣接する第3の金属層とを備え、これにより該
第2の絶縁層を該第2の金属層と該第3の金属層との間
に介在させる。
Further, in the light emitting device according to the above invention, the gate electrode has a xy-axis addressing capability, and thereby has a metal network structure for controlling the brightness / darkness of the specific light emitting point. A first metal layer and a first insulating layer, wherein the electrons are generated by excitation of an electric field between the electron emission source and the gate electrode, and the gate electrode further connects the insulating layer to the first metal layer. Between the second
Wherein the gate electrode preferably further comprises:
A second insulating layer adjacent to the second metal layer, and a third metal layer adjacent to the second insulating layer, whereby the second insulating layer is connected to the second metal layer. It is interposed between the third metal layer.

【0024】さらに、本発明の他の態様である発光素子
は電子と発光物質との相互作用により光を生ずる発光素
子であって、前記電子を発生させるための電子放出源
と、この電子放出源に隣接してそれとにより複数の発光
点を限定し、一特定発光点のアドレスが該電子を通過す
るように制御されるゲート電極と、このゲート電極に隣
接して前記電子を受け入れると共に、該発光物質に光を
生じさせる発光構造と、備える。
Further, a light-emitting element according to another aspect of the present invention is a light-emitting element that generates light by interaction between electrons and a light-emitting substance, and includes an electron-emitting source for generating the electrons, and an electron-emitting source. A plurality of light emitting points adjacent thereto, and a gate electrode controlled so that an address of one specific light emitting point passes through the electron; A light-emitting structure for generating light in the substance.

【0025】さらに本発明の他の態様である発光素子
は、電子と発光物質との相互作用により光を生ずる発光
素子であって、 複数の発光点を限定し、その中の一特
定発光点のアドレスが電子を放出できるように制御され
る電子放出源と、一特定発光点のアドレスが前記電子を
通過できるように前記電子放出源に隣接するゲート電極
と、このゲート電極に隣接して前記電子を受け入れると
共に、該発光物質に光を生じさせる発光構造と、を備え
る。
A light-emitting element according to another embodiment of the present invention is a light-emitting element that generates light by an interaction between an electron and a light-emitting substance. An electron emission source whose address is controlled to emit electrons; a gate electrode adjacent to the electron emission source so that an address of a specific light emitting point can pass through the electrons; and an electron emission source adjacent to the gate electrode. And a light-emitting structure for generating light in the light-emitting substance.

【0026】又、上記発明の発光素子において、前記電
子放出源は制御回路によりxy軸アドレッシングの能力
を生じ、これにより前記特定発光点の明・暗を制御す
る。
In the light emitting device according to the present invention, the electron emission source generates xy-axis addressing capability by a control circuit, thereby controlling the brightness / darkness of the specific light emitting point.

【0027】また本発明の他の実施態様である、電子と
発光物質とを相互に作用させて光を発生する発光素子で
あって、カーボンナノチューブ層を有する電子放出源と
複数の発光点を限定するゲート電極とを備え、該ゲート
電極を制御することによりその中の一特定発光点を定め
ると共に、該電子放出源のカーボンナノチューブにより
前記電子を生じ、前記ゲート電極は絶縁層と導電層とに
より組成される電子放出構造と、前記電子を受入れ、前
記発光物質との相互作用により光を生ずる発光構造と、
を備えてなる。
According to another embodiment of the present invention, there is provided a light emitting device for generating light by interacting an electron and a light emitting substance, wherein an electron emitting source having a carbon nanotube layer and a plurality of light emitting points are limited. A gate electrode that controls the gate electrode to determine a specific light-emitting point therein, and the electrons are generated by the carbon nanotubes of the electron emission source, and the gate electrode is formed by an insulating layer and a conductive layer. An electron emission structure to be composed, a light emission structure that receives the electrons and generates light by interaction with the light emitting substance;
Is provided.

【0028】さらには、前記発光素子本体により生じた
電子と発光物質との相互作用により光を生ずる発光素子
の製造方法であって、カーボンナノチューブと絶縁層と
導電層とにより形成された電子放出構造を形成し、該カ
ーボンナノチューブにより前記電子が発生し、該絶縁層
及び該導電層により複数の発光点を限定するステップ
と、前記電子放出構造上に間隔区域を形成するステップ
と、前記間隔区間上に前記発光物質が塗装されている発
光構造を形成し、前記電子を該発光物質に衝突させて光
を発するステップと、を備えてなる。
Further, there is provided a method of manufacturing a light-emitting device in which light is generated by an interaction between an electron generated by the light-emitting device body and a light-emitting substance, wherein the electron-emitting structure comprises a carbon nanotube, an insulating layer and a conductive layer. Forming the electrons by the carbon nanotubes, defining a plurality of light emitting points by the insulating layer and the conductive layer; forming a space on the electron emission structure; Forming a light emitting structure coated with the light emitting substance, and causing the electrons to collide with the light emitting substance to emit light.

【0029】また、上記発光素子の製造方法において、
前記電子放出構造の形成は、基板を提供するステップ
と、前記カーボンナノチューブ層を前記基板上にネット
プリンティングするステップと、前記絶縁層を前記カー
ボンナノチューブ層上に形成するステップと、前記導電
層を前記絶縁層上に形成するステップと、前記導電層上
に保護層を形成し、該導電層を複数の外部の区域に露出
させるように限定されたパターンを前記保護層上に形成
するステップと、サンドブラストによりこれら区域によ
り限定された導電層及び絶縁層を除去し、これら区域に
より限定されたカーボンナノチューブ層を外部へ露出さ
せるステップと、前記保護層を除去して前記電子放出構
造を形成するステップと、を備えてなる。
In the above method for manufacturing a light emitting device,
Forming the electron emitting structure includes providing a substrate, net printing the carbon nanotube layer on the substrate, forming the insulating layer on the carbon nanotube layer, and forming the conductive layer on the carbon nanotube layer. Forming on the insulating layer, forming a protective layer on the conductive layer, and forming a limited pattern on the protective layer to expose the conductive layer to a plurality of external areas; Removing the conductive layer and the insulating layer defined by these areas, exposing the carbon nanotube layer defined by these areas to the outside, and forming the electron emission structure by removing the protective layer, Is provided.

【0030】上記電子放出構造の製造方法において、前
記パターンはネットプリンティング法又は露光現像法に
より形成される。
In the above method for manufacturing an electron emission structure, the pattern is formed by a net printing method or an exposure and development method.

【0031】また、電子放出構造の製造方法において、
前記導電層は銀ペースト、ニッケルペースト又は白金ペ
ースト等の材料である。
Also, in the method of manufacturing the electron emission structure,
The conductive layer is made of a material such as a silver paste, a nickel paste, or a platinum paste.

【0032】[0032]

【発明を実施するための最良の形態】以下、本発明によ
り設計された素子構造の好ましい形態を説明する。言う
までもなく、本発明の技術的手段はこれら実施の形態に
限定されるものでない。 (実施例1)二極赤、青、緑発光素子 本発明は図1に示されるように赤(R)、青(B)、緑
(G)三原色の発光素子を有する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of an element structure designed according to the present invention will be described below. Needless to say, the technical means of the present invention is not limited to these embodiments. (Example 1) Bipolar red, blue, and green light emitting devices The present invention has light emitting devices of three primary colors of red (R), blue (B), and green (G) as shown in FIG.

【0033】図1において、13は上パネル、11はコ
ントラストを増加したブラックマトリクス(BM)であ
り、12はそれぞれR(赤)、G(緑)、青(B)で示
した蛍光粉末である。上パネル13上には反射を向上す
るアルミ層14が設けられている。下パネルであるガラ
ス基板17には導電線層19が形成され、この導電線路
上にカーボンナノチューブが載置されている。このカー
ボンナノチューブ18上にはゲート電極16として多孔
導体により造られた網状構造が架設されている。上下パ
ネルはガラス製のスペーサー15により隔離されてい
る。全体のユニット構造はCRT、VFDのように通常
一つの真空環境中に密閉されている。
In FIG. 1, 13 is an upper panel, 11 is a black matrix (BM) with increased contrast, and 12 is a fluorescent powder represented by R (red), G (green), and blue (B), respectively. . An aluminum layer 14 for improving reflection is provided on the upper panel 13. A conductive line layer 19 is formed on a glass substrate 17 as a lower panel, and carbon nanotubes are mounted on the conductive lines. A net-like structure made of a porous conductor is provided as a gate electrode 16 on the carbon nanotube 18. The upper and lower panels are separated by a glass spacer 15. The whole unit structure is usually sealed in one vacuum environment like CRT and VFD.

【0034】この構造におけるゲート電極16とカーボ
ンナノチューブ18との間にカーボンナノチューブによ
り電子を放出させる電界(即ち 0.8V/μm)を印
加さえすれば、電子はカーボンナノチューブ中から放出
され、この時、陽極の蛍光板に高電圧(例えば 500
0V)を印加すると、カーボンナノチューブ18より放
出された電子は陽極の電界作用を受けて多孔性のゲート
電極16を透過し、蛍光粉末12に衝突して発光の目的
を達成する。カーボンナノチューブ18下層の導電線層
19は入力された電圧によりカーボンナノチューブ18
からの電子の放出を制御して制御スイッチの効果を達成
する。これら多数単位のカーボンナノチューブ18の発
光素子を組み合わせると、アドレスを駆動できる大型カ
ラーディスプレイスクリーンが達成される。
If an electric field (ie, 0.8 V / μm) for emitting electrons by the carbon nanotube is applied between the gate electrode 16 and the carbon nanotube 18 in this structure, the electrons are emitted from the carbon nanotube. , A high voltage (for example, 500
When a voltage of 0 V is applied, the electrons emitted from the carbon nanotube 18 are transmitted through the porous gate electrode 16 under the electric field of the anode, and collide with the fluorescent powder 12 to achieve the purpose of light emission. The conductive wire layer 19 under the carbon nanotube 18 is applied to the carbon nanotube 18 by the input voltage.
To control the emission of electrons from the device to achieve the effect of the control switch. Combining these multiple units of light emitting elements of carbon nanotubes 18 achieves a large color display screen that can drive addresses.

【0035】カーボンナノチューブ18は低電圧で電子
が放出されるので、大幅にCRT及びHVVFDにおい
ての熱電子によるエネルギー消耗の欠点を改善できる。
また、一つのユニットにおいて同時に赤、青、緑等の三
原色を具備できるので、省エネルギーの発光素子に組み
合わせることができ、フルカラーの電子看板を実現でき
る。 (実施例2)図2はxyの二次元制御によるカーボンナ
ノチューブ18を有する発光素子の別の構造を示す図で
ある。
Since the carbon nanotubes 18 emit electrons at a low voltage, the disadvantage of energy consumption due to thermal electrons in CRTs and HVVFDs can be greatly reduced.
Further, since one unit can have three primary colors such as red, blue, and green at the same time, it can be combined with an energy-saving light-emitting element, and a full-color electronic signboard can be realized. (Embodiment 2) FIG. 2 is a diagram showing another structure of a light emitting device having carbon nanotubes 18 by two-dimensional control of xy.

【0036】この構造において、ゲート電極16は左側
の拡大図22のように設計される。拡大図におけるゲー
ト電極16の構造には、上、下面にそれぞれ導電性材料
を例えばメッシュ印刷法により銀ゾルを塗布することに
より第1の金属層221及び第2の金属層222が形成
される。そして第1の金属層221と第2の金属層22
2との間は絶縁層223により隔離される。
In this structure, the gate electrode 16 is designed as shown in FIG. In the structure of the gate electrode 16 in the enlarged view, a first metal layer 221 and a second metal layer 222 are formed on the upper and lower surfaces by coating a conductive material with silver sol by, for example, a mesh printing method. Then, the first metal layer 221 and the second metal layer 22
2 is isolated by an insulating layer 223.

【0037】第1の金属層221の作用はカーボンナノ
チューブ18を励起して電子を放出させる電界例えば
0.8V/μmを提供することにあり、そして第2の金
属層222の作用は放出された電子の空洞(スルーホー
ル)224への通過を制御して制御スイッチの目的を達
成することにある。例えば第2の金属層222の導線3
1と導電線層19中のL導線21とが垂直であれば、x
yマトリクスアドレッシングの制御能力に達することが
できる。その制御を図3に示す。
The function of the first metal layer 221 is to provide an electric field for exciting the carbon nanotubes 18 to emit electrons, for example, 0.8 V / μm, and the function of the second metal layer 222 is to release. The purpose is to control the passage of electrons into the cavity (through hole) 224 to achieve the purpose of the control switch. For example, the conducting wire 3 of the second metal layer 222
1 is perpendicular to the L conducting wire 21 in the conductive wire layer 19, x
The control capability of y-matrix addressing can be reached. The control is shown in FIG.

【0038】導電線層19中のL導線21が正電圧を入
力すると対応する線全体が電子を放出するが、第2の金
属層222の導線31も同時に正電圧を入力した時の
み、放出された電子がゲート電極16を透過し、対応す
る蛍光粉末12に衝突して蛍光粉末12を発光させる。
When the L conductor 21 in the conductive layer 19 receives a positive voltage, the entire corresponding line emits electrons. However, the conductor 31 of the second metal layer 222 is also emitted only when a positive voltage is simultaneously input. The emitted electrons pass through the gate electrode 16 and collide with the corresponding fluorescent powder 12, causing the fluorescent powder 12 to emit light.

【0039】そして同時に一つのユニットにおいてxy
マトリクス式のアドレッシング駆動を行うことができる
ので、一つの発光素子上にて多くの赤、青、緑の画素を
製作することができる。したがって、この発光素子は容
易に1ライン/mmの解像度に達することができる。こ
のような高解像度で組み合わせられたディスプレイスク
リーンはフルカラー及び導体の情報を表示することがで
きる。
At the same time, xy in one unit
Since matrix-type addressing driving can be performed, many red, blue, and green pixels can be manufactured on one light-emitting element. Therefore, this light emitting element can easily reach a resolution of 1 line / mm. The display screens combined at such high resolutions can display full color and conductor information.

【0040】図4は各種ゲート電極の説明図である。図
4(a)はゲート電極の原形を示す金属網であり、この
ような設計は一番簡単な発光素子に応用され、一因のア
ドレッシングを要しない光を発することができ、又は、
陰極によりアドレッシングされた発光素子に応用され
る。図4(b)のゲート電極16は金属層41と絶縁層
42とにより構成され、このようにすれば金属層41を
制御して特定アドレスのバンドを発光させることができ
る。図4(c)は図4(b)の変更設計であって、金属
層41と絶縁層42の上下位置を置き換えたものであ
る。図4(d)は絶縁層42と第1の金属層411と第
2の金属層412とを備えた改良型ゲート電極を示し、
このような設計は第1の金属層411及び第2の金属層
412によりxyアレイを限定し、特定位置の発光点を
駆動して発光させることができる。図4(e)はより進
歩した改良型ゲート電極を示し、第1の絶縁層421
と、第2の絶縁層422と、第1の金属層411と、第
2の金属層412と、第3の金属層413とを備えてい
る。その中、第1の金属層411及び第2の金属層41
2はxyアドレスの発光点を定めることができ、そして
第3の金属層413は放出された電子が一光点上に集中
して発散しないように、フォーカスの作用を生ずる。
FIG. 4 is an explanatory diagram of various gate electrodes. FIG. 4 (a) is a metal mesh showing the original shape of the gate electrode, and such a design is applied to the simplest light emitting element and can emit light which does not require contributing addressing, or
It is applied to a light emitting element addressed by a cathode. The gate electrode 16 in FIG. 4B is composed of the metal layer 41 and the insulating layer 42. In this way, the metal layer 41 can be controlled to emit a specific address band. FIG. 4C is a modified design of FIG. 4B in which the upper and lower positions of the metal layer 41 and the insulating layer 42 are replaced. FIG. 4D shows an improved gate electrode including the insulating layer 42, the first metal layer 411, and the second metal layer 412,
In such a design, the xy array is limited by the first metal layer 411 and the second metal layer 412, and a light emitting point at a specific position can be driven to emit light. FIG. 4E shows a more advanced improved gate electrode, in which a first insulating layer 421 is formed.
, A second insulating layer 422, a first metal layer 411, a second metal layer 412, and a third metal layer 413. Among them, the first metal layer 411 and the second metal layer 41
2 can define the xy address light emitting point, and the third metal layer 413 provides a focus effect so that the emitted electrons do not diverge on one light spot.

【0041】上記の金属層はアルミ層又は銀層であって
もよく、生成の方法は蒸着法又は印刷法により形成する
ことができる。また、絶縁層材料はセラミック又はガラ
スを使用することができる。
The metal layer may be an aluminum layer or a silver layer, and can be formed by a vapor deposition method or a printing method. Further, ceramic or glass can be used as the insulating layer material.

【0042】図5及び図6は、各種のアドレッシングの
説明図である。各種のピクチュアを表示する場合はxy
アドレッシングにより達成しなければならない。図5
(a)はゲート電極駆動であり、アドレッシングの方式
はゲート電極により達成される。第1の金属層521は
x座標を制御し、第2の金属層523はy座標を制御
し、これら2金属層の間には絶縁層522が介在されて
いる。
FIGS. 5 and 6 are explanatory diagrams of various types of addressing. Xy to display various pictures
Must be achieved by addressing. FIG.
(A) shows the gate electrode drive, and the addressing method is achieved by the gate electrode. The first metal layer 521 controls the x-coordinate, the second metal layer 523 controls the y-coordinate, and an insulating layer 522 is interposed between these two metal layers.

【0043】電子放出源より発した電子は2層の金属層
のアドレッシングにより選択的に特定のアドレスより通
過し、再度発光構造53上の蛍光粉末と衝突して光点を
発出する。
Electrons emitted from the electron emission source selectively pass from a specific address by addressing the two metal layers, and collide again with the fluorescent powder on the light emitting structure 53 to emit a light spot.

【0044】図5(b)は別種のゲート電極駆動であ
り、アドレッシングの方式はゲート電極52の金属層5
25によりx(又はy)座標を定めるほか、電子放出源
51のカーボンナノチューブ511によりy(又はx)
座標を定めることにより、特定発光点のアドレスを定め
る。カーボンナノチューブ511と金属層525との間
の電界を制御することにより、特定アドレスの電子を発
光構造53上に放出させて光点を発出する。
FIG. 5B shows another type of gate electrode driving, and the addressing method is such that the metal layer 5 of the gate electrode 52 is used.
25, the x (or y) coordinate is determined, and the carbon nanotube 511 of the electron emission source 51 determines the y (or x) coordinate.
By determining the coordinates, the address of the specific light emitting point is determined. By controlling the electric field between the carbon nanotube 511 and the metal layer 525, electrons at a specific address are emitted onto the light emitting structure 53 to emit a light spot.

【0045】図6は陰極駆動であり、電子放出源の構造
によりアドレッシングの目的を達成するものである。電
子放出源51のパネル上にはxyアレイの電子源材料5
11(本発明の実施例ではカーボンナノチューブであ
る)があり、xyアレイの電子源材料511を、制御回
路56により制御信号sに対してデコードすれば、特定
の電子源材料をして電子を放出せしめ、さらにゲート5
2の吸引により発光構造に放出して光点を発出する。 (実施例3)図7はゲート電極の好適な実施例を示す説
明図である。本発明実施例の精神はカーボンナノチュー
ブ層の上層に載置されたゲート電極構造により素子を駆
動して発光させることにある。このような構造はカーボ
ンナノチューブ層において別に独立的に作成されたゲー
ト電極を載置する必要がある。これについて引き続き研
究した結果、このような構造は比較的簡単な方法で作製
できることを見出した。この方法は加工が簡単であるほ
か、多層構造の位置合わせの課題を解決することができ
る。すなわち、 (1)先ず、ガラス又はセラミック基板61上にカーボ
ンナノチューブ層62をネットプリンティングする。 (2)次に、該カーボンナノチューブ層62上に一層の
誘電層又は絶縁層を粘着する。 (3)続いて、絶縁層63上に銀ペースト、ニッケルペ
ースト又は白金ペースト等の導電層64をプリンティン
グする。この時、ゲート電極の3層構造が形成される。 (4)続いて、保護層65として、導電層64に一層の
弾性的高分子材料を塗布できるように、ゲート電極上で
発光点を企画する。この保護層はネットプリンティング
方式でパターン651にプリンティングするか、又は露
光現像方式でパターン651を塗装上にプリンティング
し、発光点のパターン651を保護層上に移植する。こ
の場合、導電層64のパターンにより限定された区域は
外部へ露出している。 (5)続いて、サンドブラスト66の作業を行い、サン
ドブラストの微粒子66により保護層65のパターン6
51により限定された一部の導電層64及び絶縁層63
を除去し、カーボンナノチューブ層62を露出させる。 (6)最後に保護層65を除去すれば、ゲート電極を得
ることができる。
FIG. 6 shows a cathode drive, which achieves the purpose of addressing by the structure of the electron emission source. An xy array of electron source materials 5 is provided on the panel of the electron emission source 51.
11 (which is a carbon nanotube in the embodiment of the present invention). If the control circuit 56 decodes the xy array electron source material 511 with respect to the control signal s, the specific electron source material is used to emit electrons. At least gate 5
The light is emitted to the light emitting structure by the suction of 2 to emit a light spot. (Embodiment 3) FIG. 7 is an explanatory view showing a preferred embodiment of a gate electrode. The spirit of the embodiment of the present invention resides in that the device is driven to emit light by the gate electrode structure mounted on the carbon nanotube layer. Such a structure requires that a separately and independently formed gate electrode be mounted on the carbon nanotube layer. As a result of continued studies on this, it was found that such a structure can be manufactured by a relatively simple method. This method is simple in processing and can solve the problem of alignment of the multilayer structure. That is, (1) First, a carbon nanotube layer 62 is net-printed on a glass or ceramic substrate 61. (2) Next, one dielectric layer or insulating layer is adhered on the carbon nanotube layer 62. (3) Subsequently, a conductive layer 64 such as a silver paste, a nickel paste, or a platinum paste is printed on the insulating layer 63. At this time, a three-layer structure of the gate electrode is formed. (4) Subsequently, a light emitting point is planned on the gate electrode so that one layer of the elastic polymer material can be applied to the conductive layer 64 as the protective layer 65. This protective layer is printed on the pattern 651 by a net printing method, or the pattern 651 is printed on a coating by an exposure and development method, and the light emitting point pattern 651 is transferred onto the protective layer. In this case, the area defined by the pattern of the conductive layer 64 is exposed to the outside. (5) Subsequently, the operation of the sandblast 66 is performed, and the pattern 6 of the protective layer 65 is formed by the fine particles 66 of the sandblast.
A part of the conductive layer 64 and the insulating layer 63 defined by 51
Is removed, and the carbon nanotube layer 62 is exposed. (6) Finally, if the protective layer 65 is removed, a gate electrode can be obtained.

【0046】上記の図解及び説明から分かるように、本
発明に係る発光素子は、高効率であり、電能の消耗を低
下して省エネルギーの目的を達成するほか、高解像度の
効果を有する。
As can be seen from the above illustration and description, the light emitting device according to the present invention has high efficiency, reduces power consumption, achieves the purpose of energy saving, and has the effect of high resolution.

【0047】本発明は、添付図面を参照しながら好まし
い実施形態に関連して充分に記載されているが、この技
術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白で
ある。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲に
よる本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に
含まれると理解されるべきである。
Although the present invention has been fully described in connection with preferred embodiments thereof with reference to the accompanying drawings, various changes and modifications will be apparent to those skilled in the art. It is to be understood that such changes and modifications are intended to be included therein without departing from the scope of the invention as set forth in the appended claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る発光素子の構造を示す断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view showing a structure of a light emitting device according to the present invention.

【図2】本発明に係る発光素子の別の構造を示す断面図
である。
FIG. 2 is a sectional view showing another structure of the light emitting device according to the present invention.

【図3】本発明に係る発光素子の制御方法を示す案面図
である。
FIG. 3 is a plan view illustrating a method for controlling a light emitting device according to the present invention.

【図4】本発明に係る各種のゲート電極を示す説明図で
ある。
FIG. 4 is an explanatory view showing various gate electrodes according to the present invention.

【図5】本発明に係る各種のアドレッシングを示す説明
図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing various types of addressing according to the present invention.

【図6】本発明に係るアドレッシングを示す説明図であ
る。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing addressing according to the present invention.

【図7】ゲート電極の好適な実施例を示す工程図であ
る。
FIG. 7 is a process chart showing a preferred embodiment of a gate electrode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ブラックマトリックス 12 蛍光粉末 13 上パネル 14 アルミ層 15 スペーサ 16,52 ゲート電極 17 ガラス基板 18 カーボンナノチューブ 19 導電線層 21 L導線 221,411,521 第1の金属層 222,412,523 第2の金属層 223 絶縁層 224 空洞 31 導線 40 金属網 413 第3の金属層 421 第1の絶縁層 422 第2の絶縁層 51 電子放出源 511 電子源材料 522 絶縁層 525 金属層 53 発光構造 61 基板 62 カーボンナノチューブ層 63 絶縁層 64 導電層 65 保護層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Black matrix 12 Fluorescent powder 13 Upper panel 14 Aluminum layer 15 Spacer 16, 52 Gate electrode 17 Glass substrate 18 Carbon nanotube 19 Conductive wire layer 21 L conducting wire 221, 411, 521 First metal layer 222, 412, 523 Second Metal layer 223 Insulating layer 224 Cavity 31 Conductor 40 Metal net 413 Third metal layer 421 First insulating layer 422 Second insulating layer 51 Electron emission source 511 Electron source material 522 Insulating layer 525 Metal layer 53 Light emitting structure 61 Substrate 62 Carbon nanotube layer 63 insulating layer 64 conductive layer 65 protective layer

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電子と発光物質との相互作用により光を生
ずる発光素子であって、 カーボンナノチューブを有する電子放出源と複数の発光
点を限定するゲート電極とを備え、該ゲート電極を制御
することによりその中の一特定発光点を定めると共に、
該電子放出源のカーボンナノチューブにより前記電子を
生ずる電子放出構造と、 前記電子を受入れ、前記発光物質との相互作用により光
を生ずる発光構造と、を備えたことを特徴とする発光素
子。
1. A light-emitting element that generates light by interaction between electrons and a light-emitting substance, comprising: an electron emission source having carbon nanotubes; and a gate electrode defining a plurality of light-emitting points, and controlling the gate electrode. By defining one specific light emitting point in it,
A light emitting device comprising: an electron emission structure that generates the electrons by the carbon nanotubes of the electron emission source; and a light emission structure that receives the electrons and generates light by interaction with the light emitting substance.
【請求項2】前記ゲート電極は陰極のアドレッシングの
能力を有し、これにより前記特定発光点の明・暗を制御
する金属網状構造であり、 この金属網状構造は金属層及び絶縁層を有し、 前記電子は前記電子放出源と前記ゲート電極との間の電
界の励起により生じるか、又は前記カーボンナノチュー
ブにより放出されることを特徴とする請求項1記載の発
光素子。
2. The method according to claim 1, wherein the gate electrode has a capability of addressing a cathode, thereby controlling the brightness and darkness of the specific light emitting point. The metal network has a metal layer and an insulating layer. The light emitting device according to claim 1, wherein the electrons are generated by excitation of an electric field between the electron emission source and the gate electrode, or are emitted by the carbon nanotube.
【請求項3】前記複数の発光点はxyアレイに形成さ
れ、 前記発光構造は前記発光物質が全面的に塗布された基板
であり、 該発光物質は蛍光物質であり、又はこの発光物質の上に
アルミ層が被覆されるように構成されていることを特徴
とする請求項1記載の発光素子。
3. The light emitting structure according to claim 1, wherein the plurality of light emitting points are formed in an xy array, the light emitting structure is a substrate on which the light emitting material is entirely coated, and the light emitting material is a fluorescent material. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is configured to be coated with an aluminum layer.
【請求項4】前記発光素子本体により生じた電子と発光
物質との相互作用により光を生ずる発光方法であって、 カーボンナノチューブ及び複数の発光点を限定したゲー
ト電極を提供し、このゲート電極を制御することにより
一特定発光点を定めるステップと、 電界を前記カーボンナノチューブ上に印加して、前記電
子を生じるステップと、 該電子をして加速して該ゲート電極を通過せしめ、前記
発光物質との相互作用を発生させて、該発光物質の特性
により光を生ずるステップと、を備えることを特徴とす
る発光素子の発光方法。
4. A light-emitting method for generating light by an interaction between electrons generated by the light-emitting element body and a light-emitting substance, wherein a carbon nanotube and a gate electrode having a plurality of light-emitting points are provided. Determining one specific light emitting point by controlling; applying an electric field onto the carbon nanotubes to generate the electrons; accelerating the electrons to pass through the gate electrode; Generating the light by the characteristics of the luminescent material by generating the interaction of the luminescent material.
【請求項5】前記ゲート電極はxy軸アトレッシングの
能力を有し、これにより前記特定発光点の明・暗を制御
する金属網状構造であり、 前記電子は前記電界の励起により発生し、 前記発光物質は蛍光粉末であり、 前記相互作用は該電子が該発光物質に衝突して生ずる作
用であることを特徴とする請求項4記載の発光素子の発
光方法。
5. The gate electrode has an xy-axis athletic ability, thereby having a metal network structure for controlling the brightness / darkness of the specific light emitting point, wherein the electrons are generated by excitation of the electric field, 5. The method according to claim 4, wherein the light emitting substance is a fluorescent powder, and the interaction is an action caused by the collision of the electrons with the light emitting substance.
【請求項6】前記発光素子本体により生じた電子と発光
物質との相互作用により光を生ずる発光素子の製造方法
であって、 前記電子を生ずるためのカーボンナノチューブと、複数
の発光点を限定するゲート電極とを備えた電子放出構造
を形成し、該ゲート電極を制御することによりその中の
一特定発光点を定めるステップと、 前記電子放出構造上に間隔区域を形成するステップと、 この間隔区域に前記発光物質が塗布された発光構造を形
成し、前記電子が該発光物質に衝突した時に光を発出す
るステップとを、備えることを特徴とする発光素子の製
造方法。
6. A method of manufacturing a light-emitting element that generates light by an interaction between an electron generated by the light-emitting element body and a light-emitting substance, wherein a carbon nanotube for generating the electron and a plurality of light-emitting points are limited. Forming an electron emission structure having a gate electrode, and defining one specific light emitting point therein by controlling the gate electrode; forming an interval area on the electron emission structure; Forming a light emitting structure to which the light emitting substance is applied, and emitting light when the electrons collide with the light emitting substance.
【請求項7】前記電子放出構造の形成は(A1)基板を
形成するステップと、(A2)電子放出源を前記基板上
に形成させるステップと、(A3)前記ゲート電極を該
電子放出源上に形成させるステップと、を備え、その中
前記ステップ(A1)における該基板はガラス基板、又
はセラミック基板であり、 前記ステップ(A2)における該電子放出源は先ず前記
ガラス基板上に成長される導線と、さらにこの導線上に
成長されるカーボンナノチューブとを備えることを特徴
とする請求項6記載の発光素子の製造方法。
7. The step of forming the electron emission structure includes: (A1) forming a substrate; (A2) forming an electron emission source on the substrate; and (A3) placing the gate electrode on the electron emission source. Wherein the substrate in the step (A1) is a glass substrate or a ceramic substrate, and the electron emission source in the step (A2) is a conductive wire first grown on the glass substrate. 7. The method according to claim 6, further comprising: carbon nanotubes grown on the conductive wire.
【請求項8】前記間隔区域は前記電子放出構造と前記発
光構造とを隔離するための区域であってスペーサにより
形成され、この発光構造の形成は(B1)発光層を形成
するステップと、(B2)アルミ層を形成するステップ
と、を備え、 前記ステップ(B1)における該発光層は前記発光物質
を透明基板上に成長させ、この発光物質は好ましくは蛍
光粉末であり、また、 前記ステップ(B2)における前記アルミ層は該発光物
質上に成長する、ことを特徴とする請求項6記載の発光
素子の製造方法。
8. The light-emitting device according to claim 8, wherein the space area is an area for separating the electron-emitting structure from the light-emitting structure, and is formed by a spacer. B2) forming an aluminum layer. The light emitting layer in the step (B1) grows the light emitting substance on a transparent substrate, and the light emitting substance is preferably a fluorescent powder; The method according to claim 6, wherein the aluminum layer in B2) is grown on the luminescent material.
【請求項9】電子と発光物質との相互作用により光を生
ずる発光素子であって、 前記電子を発生させるための電子放出源と、 この電子放出源に隣接し、第一の金属層及び第1の絶縁
層を具備すると共に、複数の発光点を限定し、一特定発
光点のアドレスが該電子を通過するように制御されたゲ
ート電極と、 このゲート電極に隣接して前記電子を受け入れると共
に、該発光物質に光を生じさせる発光構造と、 を備えることを特徴とする発光素子。
9. A light-emitting element that generates light by an interaction between an electron and a light-emitting substance, comprising: an electron-emitting source for generating the electron; a first metal layer adjacent to the electron-emitting source; A gate electrode that includes one insulating layer, defines a plurality of light-emitting points, and controls the address of one specific light-emitting point to pass through the electrons; and receives the electrons adjacent to the gate electrode. And a light-emitting structure for generating light in the light-emitting substance.
【請求項10】前記ゲート電極はxy軸アドレッシング
の能力を有し、これにより前記特定発光点の明・暗を制
御する金属網状構造であり、 この金属網状構造は第1の金属層及び第1の絶縁層を有
し、 前記電子は前記電子放出源と前記ゲート電極との間の電
界の励起により生じ、 該ゲート電極はさらに前記絶縁層を前記第1の金属層と
の間に介在させる第2の金属層を備え、 このゲート電極は好ましくはさらに、該第2の金属層に
隣接する第2の絶縁層と、この第2の絶縁層に隣接する
第3の金属層とを備え、これにより該第2の絶縁層を該
第2の金属層と該第3の金属層との間に介在させる、 ことを特徴とする請求項9記載の発光素子。
10. The gate electrode has a xy-axis addressing capability, and thereby has a metal network structure for controlling the brightness and darkness of the specific light emitting point. The metal network structure includes a first metal layer and a first metal layer. Wherein the electrons are generated by excitation of an electric field between the electron emission source and the gate electrode, and the gate electrode further includes an insulating layer interposed between the first metal layer and the first metal layer. The gate electrode preferably further comprises a second insulating layer adjacent to the second metal layer, and a third metal layer adjacent to the second insulating layer. The light emitting device according to claim 9, wherein the second insulating layer is interposed between the second metal layer and the third metal layer.
【請求項11】電子と発光物質との相互作用により光を
生ずる発光素子であって、 前記電子を発生させるための電子放出源と、 この電子放出源に隣接してそれとにより複数の発光点を
限定し、一特定発光点のアドレスが該電子を通過するよ
うに制御されるゲート電極と、 このゲート電極に隣接して前記電子を受け入れると共
に、該発光物質に光を生じさせる発光構造と、 を備えることを特徴とする発光素子。
11. A light-emitting element that generates light by an interaction between an electron and a light-emitting substance, comprising: an electron-emitting source for generating the electron; and a plurality of light-emitting points adjacent to the electron-emitting source. A gate electrode controlled so that the address of one specific light emitting point passes through the electron; and a light emitting structure that receives the electron adjacent to the gate electrode and generates light in the light emitting material. A light-emitting element comprising:
【請求項12】電子と発光物質との相互作用により光を
生ずる発光素子であって、 複数の発光点を限定し、その中の一特定発光点のアドレ
スが電子を放出できるように制御される電子放出源と、 一特定発光点のアドレスが前記電子を通過できるように
前記電子放出源に隣接するゲート電極と、 このゲート電極に隣接して前記電子を受け入れると共
に、該発光物質に光を生じさせる発光構造と、 を備えることを特徴とする発光素子。
12. A light-emitting element that generates light by an interaction between an electron and a light-emitting substance, wherein a plurality of light-emitting points are limited, and an address of one specific light-emitting point is controlled so that electrons can be emitted. An electron emission source; a gate electrode adjacent to the electron emission source so that an address of a specific light emitting point can pass through the electrons; and receiving the electrons adjacent to the gate electrode and generating light in the luminescent material. A light emitting element comprising:
【請求項13】前記電子放出源は制御回路によりxy軸
アドレッシングの能力を生じ、これにより前記特定発光
点の明・暗を制御することを特徴とする請求項12記載
の発光素子。
13. The light emitting device according to claim 12, wherein said electron emission source controls the xy axis addressing by a control circuit, thereby controlling the brightness / darkness of said specific light emitting point.
【請求項14】前記電子放出源は前記電子を放出するた
めのカーボンナノチューブであり、 前記複数の発光点はxyアレイを形成することを特徴と
する請求項12記載の発光素子。
14. The light emitting device according to claim 12, wherein said electron emission source is a carbon nanotube for emitting said electrons, and said plurality of light emitting points form an xy array.
【請求項15】電子と発光物質とを相互作用させて光を
発生する発光素子であって、 カーボンナノチューブ層を有する電子放出源と複数の発
光点を限定するゲート電極とを備え、該ゲート電極を制
御することによりその中の一特定発光点を定めると共
に、該電子放出源のカーボンナノチューブにより前記電
子を生じ、前記ゲート電極は絶縁層と導電層とにより組
成される電子放出構造と、 前記電子を受入れ、前記発光物質との相互作用により光
を生ずる発光構造と、を備えてなることを特徴とする発
光素子。
15. A light-emitting element that generates light by causing electrons to interact with a light-emitting substance, comprising: an electron-emitting source having a carbon nanotube layer; and a gate electrode defining a plurality of light-emitting points. And a specific emission point is defined therein, and the electrons are generated by the carbon nanotubes of the electron emission source, and the gate electrode has an electron emission structure composed of an insulating layer and a conductive layer; And a light-emitting structure that receives light and generates light by interaction with the light-emitting substance.
【請求項16】前記発光素子本体により生じた電子と発
光物質との相互作用により光を生ずる発光素子の製造方
法であって、 カーボンナノチューブと絶縁層と導電層とにより形成さ
れた電子放出構造を形成し、該カーボンナノチューブに
より前記電子が発生し、該絶縁層及び該導電層により複
数の発光点を限定するステップと、 前記電子放出構造上に間隔区域を形成するステップと、 前記間隔区間上に前記発光物質が塗装されている発光構
造を形成し、前記電子を該発光物質に衝突させて光を発
するステップと、を備えてなることを特徴とする発光素
子の製造方法。
16. A method of manufacturing a light emitting device that generates light by an interaction between an electron generated by the light emitting device main body and a light emitting substance, wherein the electron emitting structure formed by the carbon nanotube, the insulating layer and the conductive layer is provided. Forming, generating the electrons by the carbon nanotubes, defining a plurality of light emitting points by the insulating layer and the conductive layer; forming an interval area on the electron emission structure; Forming a light emitting structure coated with the light emitting substance, and emitting light by colliding the electrons with the light emitting substance.
【請求項17】前記電子放出構造の形成は基板を提供す
るステップと、 前記カーボンナノチューブ層を前記基板上にネットプリ
ンティングするステップと、 前記絶縁層を前記カーボンナノチューブ層上に形成する
ステップと、 前記導電層を前記絶縁層上に形成するステップと、 前記導電層上に保護層を形成し、該導電層を複数の外部
の区域に露出させるように限定されたパターンを前記保
護層上に形成するステップと、 サンドブラストによりこれら区域により限定された導電
層及び絶縁層を除去し、これら区域により限定されたカ
ーボンナノチューブ層を外部へ露出させるステップと、 前記保護層を除去して前記電子放出構造を形成するステ
ップと、 を備えてなることを特徴とする請求項16記載の発光素
子の製造方法。
17. The method according to claim 17, wherein forming the electron emission structure includes providing a substrate, net printing the carbon nanotube layer on the substrate, forming the insulating layer on the carbon nanotube layer, Forming a conductive layer on the insulating layer; forming a protective layer on the conductive layer; forming a limited pattern on the protective layer to expose the conductive layer to a plurality of external areas. Removing the conductive layer and the insulating layer defined by these areas by sandblasting, and exposing the carbon nanotube layer defined by these areas to the outside; and forming the electron emission structure by removing the protective layer. 17. The method according to claim 16, further comprising the steps of:
【請求項18】前記導電層は銀ペースト、ニッケルペー
スト又は白金ペースト等の材料であることを特徴とする
請求項17記載の発光素子の製造方法。
18. The method according to claim 17, wherein the conductive layer is made of a material such as a silver paste, a nickel paste or a platinum paste.
【請求項19】前記パターンはネットプリンティング法
又は露光現像法により形成されることを特徴とする請求
項17記載の発光素子の製造方法。
19. The method according to claim 17, wherein the pattern is formed by a net printing method or an exposure and development method.
【請求項20】カーボンナノチューブ層が塗装されてい
る基板上において、絶縁層を前記カーボンナノチューブ
層上に形成するステップと、 導電層を前記絶縁層上に形成するステップと、 前記導電線上に保護層を形成し、該導電層を複数の外部
の区域に露出させるように限定されたパターンを前記保
護層に形成するステップと、 サンドブラストによりこれら区域により限定された導電
層及び絶縁層を除去し、これら区域により限定されたカ
ーボンナノチューブ層を外部へ露出させるステップと、 前記保護層を除去して前記ゲート電極を形成するステッ
プと、を備えてなることを特徴とする発光素子のゲート
電極の製造方法。
20. A step of forming an insulating layer on the carbon nanotube layer on a substrate coated with the carbon nanotube layer, a step of forming a conductive layer on the insulating layer, and a protective layer on the conductive line. Forming a pattern defined on the protective layer so as to expose the conductive layer to a plurality of external areas; removing the conductive layer and the insulating layer defined by the areas by sandblasting; A method for manufacturing a gate electrode of a light emitting device, comprising: exposing a carbon nanotube layer defined by an area to the outside; and removing the protective layer to form the gate electrode.
【請求項21】前記保護層はフォトレジスタンスである
請求項20記載の発光素子のゲート電極の製造方法。
21. The method according to claim 20, wherein the protective layer is a photoresistance.
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