JP2001100693A - Method for driving image display device - Google Patents
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス状に配
置した電子放出素子と蛍光体とを用いて画像を表示する
画像表示装置の駆動方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for driving an image display device for displaying an image using electron-emitting devices and phosphors arranged in a matrix.
【0002】[0002]
【従来の技術】フィールドエミッション・ディスプレイ
(以下「FED」という)とは、互いに直交する電極群
の交点を画素とし、各画素に電子放出素子を設け、各電
子放出素子への印加電圧を調整することによって放出電
子量を調整し、その放出電子を真空中で加速した後、蛍
光体に照射し、照射した部分の蛍光体を発光させるもの
である。電子放出素子として、電界放射型陰極を用いる
もの、MIM(Metal-Insulator-Metal)型電子源を用いるも
の、カーボンナノチューブ陰極を用いるもの、ダイヤモ
ンド陰極を用いるものなどがある。2. Description of the Related Art A field emission display (hereinafter referred to as "FED") is a device in which the intersections of electrode groups orthogonal to each other are pixels, each pixel is provided with an electron-emitting device, and the voltage applied to each electron-emitting device is adjusted. This adjusts the amount of emitted electrons, accelerates the emitted electrons in a vacuum, irradiates the phosphor, and causes the phosphor in the irradiated portion to emit light. Examples of the electron-emitting device include a device using a field emission type cathode, a device using a MIM (Metal-Insulator-Metal) type electron source, a device using a carbon nanotube cathode, and a device using a diamond cathode.
【0003】カーボンナノチューブ陰極は、炭素を材料
とした直径数〜数10nmの線状材料に電界を印加するこ
とにより電子放出させるものであり、例えば Materials
Research Society Symposium Proceedings、 Vol. 509
(1998) pp.107〜112 に記載されている。外部印加電界
が0.7 V/μm程度の低い電界でも電子放出が起こるた
め、駆動電圧を低くできる可能性がある、明るい表示装
置が実現できるなど、画像表示装置用電子放出素子とし
て優れた特徴を有している。A carbon nanotube cathode emits electrons by applying an electric field to a linear material having a diameter of several to several tens of nm made of carbon.
Research Society Symposium Proceedings, Vol. 509
(1998) pp. 107-112. Electron emission occurs even when the externally applied electric field is as low as about 0.7 V / μm.Therefore, it has excellent features as an electron-emitting device for an image display device, such as the possibility of lowering the driving voltage and realizing a bright display device. are doing.
【0004】また、ダイヤモンド陰極は、ダイヤモンド
に外部電界を印加して電子放出を起こさせるもので、例
えば IEEE Transaction Electron Devices、 Vol.46、
No.4(1999) pp.787〜791 に記載されている。カーボン
ナノチューブ陰極同様、3 V/μm程度の低い外部電界で
も電子放出が起こることから、画像表示装置用電子放出
素子として優れた特徴を有している。[0004] A diamond cathode emits electrons by applying an external electric field to diamond. For example, a diamond cathode is described in IEEE Transaction Electron Devices, Vol.
No. 4 (1999), pp. 787 to 791. Like a carbon nanotube cathode, electron emission occurs even at an external electric field as low as about 3 V / μm, so that it has excellent characteristics as an electron-emitting device for an image display device.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】カーボンナノチューブ
陰極やダイヤモンド陰極は、低い外部電界でも電子放出
するという優れた特徴を有するが、逆に電子放出を完全
に押さえきれず、マトリクス型ディスプレイを製作した
場合、コントラストが低下する、という問題があった。
本発明は、この問題を解決する駆動方法を提供するもの
である。The carbon nanotube cathode and the diamond cathode have an excellent feature of emitting electrons even at a low external electric field. And the contrast is reduced.
The present invention provides a driving method that solves this problem.
【0006】われわれは、従来技術を詳細に検討した結
果、上述のコントラスト低下の原因が以下の通りである
と明らかにした。[0006] As a result of a detailed study of the prior art, the inventors have clarified that the causes of the above-mentioned decrease in contrast are as follows.
【0007】図2は、カーボンナノチューブ陰極の構造
を示したものである。基板14上に陰極導体10を形成し、
その上に陰極13が形成され、その周囲には厚さhの絶縁
層12を介してゲート11が形成される。ゲート孔、すなわ
ち陰極が形成されている部分の直径はDである。陰極面
から距離Lのところに陽極100がある。基板10−陽極100
間は真空である。陰極13の材料がカーボンナノチューブ
である。また、ダイヤモンド陰極は、図2において陰極
13の材料としてダイヤモンド薄膜を用いたものであり、
その他の構成はほぼ同じである。FIG. 2 shows the structure of a carbon nanotube cathode. Form a cathode conductor 10 on a substrate 14,
A cathode 13 is formed thereon, and a gate 11 is formed therearound via an insulating layer 12 having a thickness h. The diameter of the gate hole, that is, the portion where the cathode is formed is D. An anode 100 is located at a distance L from the cathode surface. Substrate 10-Anode 100
There is a vacuum between them. The material of the cathode 13 is a carbon nanotube. The diamond cathode is the cathode in FIG.
13 using a diamond thin film as the material,
Other configurations are almost the same.
【0008】代表的な値を示すと、絶縁層厚さh=1〜1
00μm、ゲート孔直径D=1〜100μm(ゲート孔半径R=
0.5〜50μm)、陰極−陽極間距離L=1〜3mm程度であ
る。[0008] Typical values are as follows: Insulating layer thickness h = 1 to 1
00 μm, gate hole diameter D = 1 to 100 μm (gate hole radius R =
0.5 to 50 μm), and the distance L between the cathode and the anode is about 1 to 3 mm.
【0009】今、陰極導体10の電位を0Vとする。ゲー
ト11に電圧Vg(>0V)を印加すると、陰極表面に電
界が印加されるため、陰極13から電子が放出される。放
出電子は陽極100に印加される加速電圧Vaにより加速さ
れ、陽極100に達する。後に実施例で詳細に述べるよう
に、陽極100に蛍光体を形成することにより、蛍光体が
発光する。Now, assume that the potential of the cathode conductor 10 is 0V. When a voltage Vg (> 0 V) is applied to the gate 11, an electric field is applied to the surface of the cathode, and electrons are emitted from the cathode 13. The emitted electrons are accelerated by the acceleration voltage Va applied to the anode 100 and reach the anode 100. As will be described later in detail in an embodiment, by forming a phosphor on the anode 100, the phosphor emits light.
【0010】電子放出素子と蛍光体とで構成する広義の
フィールドエミッションディスプレイでは、蛍光体と加
速電圧Vaの選択が重要である。この選択とは2つに大
別すれば、低速電子線励起型の蛍光体を用いてVa=400
〜800V程度とするか(「低加速電圧型」)、CRT用蛍
光体あるいはそれに類する蛍光体を用いてVa=4〜8K
V程度とするかである(「高加速電圧型」)。蛍光体の
寿命劣化は、注入電荷量により主に支配される(クーロ
ン劣化)ことなどから、高加速電圧型の方が望ましいこ
とが最近の研究により明らかになってきた。高加速電圧
型での典型的なパラメータは、Va=4〜8KV程度、
L=1〜3mm程度である。In a broad field emission display composed of an electron-emitting device and a phosphor, it is important to select the phosphor and the acceleration voltage Va. This selection can be roughly classified into two types. Va = 400 using a slow electron beam excitation type phosphor.
About 800 V ("low acceleration voltage type"), or Va = 4-8 K using a phosphor for CRT or a phosphor similar thereto.
V ("high acceleration voltage type"). Recent research has revealed that the high acceleration voltage type is more preferable because the life deterioration of the phosphor is mainly controlled by the injected charge amount (Coulomb deterioration). Typical parameters for the high acceleration voltage type are Va = about 4 to 8 KV,
L = 1 to 3 mm.
【0011】しかしながら、カーボンナノチューブ陰極
やダイヤモンド陰極など、低電界で電界放射を起こす陰
極では、高電圧加速型の構成を用いると、上述のような
コントラスト低下の問題を引き起こす。以下、このコン
トラスト低下の機構を述べる。However, in the case of a cathode that emits electric field in a low electric field, such as a carbon nanotube cathode or a diamond cathode, the use of a high-voltage acceleration type configuration causes the above-described problem of a decrease in contrast. Hereinafter, the mechanism of this contrast reduction will be described.
【0012】陰極13表面に印加される電界強度Ekがゲ
ート電圧Vgによりどのように変化するかをシミュレー
ションにより求めた。シミュレーションに用いたパラメ
ータは、L=1mm、Va=6KV、D=20μm(R=10μ
m)、h=5μmである。How the electric field intensity Ek applied to the surface of the cathode 13 changes with the gate voltage Vg was determined by simulation. The parameters used in the simulation were L = 1 mm, Va = 6 KV, D = 20 μm (R = 10 μm).
m), h = 5 μm.
【0013】図3は陰極面での電界強度Ek(V/μm)
の陰極面の位置依存性を求めたものである。横軸は、ゲ
ート孔中心を0とした位置r(図2参照)をゲート孔半
径Rで規格化した値r/Rである。Vg=50Vの場合、
Ek=7〜9V/μmであり、電子放出を起こすのに十分な
電界が陰極面全体に加わる。一方、Vg=0とした場
合、ゲート孔周辺部(r/R〜1)では、Ekは0に近
くなり電子放出が押さえられるが、ゲート孔中央部(r
/R=0)ではEk=2.5V/μmに達するため電子放出が
起こる。FIG. 3 shows the electric field intensity Ek (V / μm) on the cathode surface.
The position dependency of the cathode surface was determined. The horizontal axis is a value r / R obtained by normalizing the position r (see FIG. 2) with the gate hole center being 0 as the gate hole radius R. When Vg = 50V,
Ek = 7 to 9 V / μm, and an electric field sufficient to cause electron emission is applied to the entire cathode surface. On the other hand, when Vg = 0, Ek is close to 0 in the peripheral portion of the gate hole (r / R〜1) to suppress electron emission.
/ R = 0), electron emission occurs because Ek reaches 2.5 V / μm.
【0014】ゲート電極が無い場合を考える。この場合
陰極−陽極間の平均電界E0はVa/L=6V/μmであ
る。これはカーボンナノチューブなど低電界電子放出材
料の電子放出閾値を超えている。すなわち、低電界電子
放出材料を用いた場合は、この電界E0をゲート電極で
「シールド」し、陰極面に達しないようにしなければな
らない。Spindt型陰極を用いた場合は、電子放出閾値が
E0より高いため、このような問題は発生しない。図3
の結果は、ゲート孔中心部ではゲート電極によるシール
ド効果が十分でないことが原因である。Consider the case where there is no gate electrode. In this case, the average electric field E0 between the cathode and the anode is Va / L = 6V / μm. This exceeds the electron emission threshold of low field electron emission materials such as carbon nanotubes. That is, when a low-field electron emission material is used, the electric field E0 must be "shielded" by the gate electrode so as not to reach the cathode surface. When the Spindt type cathode is used, such a problem does not occur because the electron emission threshold is higher than E0. FIG.
The result is that the shielding effect by the gate electrode is not sufficient at the center of the gate hole.
【0015】図4は、低電界電子放出陰極をマトリクス
状に配置したフィールドエミッションディスプレイの従
来の駆動方法を示したものである。図示していないが、
陽極100には加速電圧Va=6KVが常時印加されてい
る。FIG. 4 shows a conventional driving method of a field emission display in which low field emission cathodes are arranged in a matrix. Although not shown,
An acceleration voltage Va = 6 KV is constantly applied to the anode 100.
【0016】走査信号として陰極13に走査信号501(電
圧−Vs)を順次印加する。表示したい画像に応じて、
データ信号としてゲート電極11にデータパルス502(電
圧+Vd)を印加する。走査パルスとデータパルスが同
時に印加された画素では、対応する電子源素子のゲート
11−陰極間13に(Vd+Vs)なる電圧が印加されるの
で、電子が放出され、蛍光体が発光する。A scanning signal 501 (voltage -Vs) is sequentially applied to the cathode 13 as a scanning signal. Depending on the image you want to display,
A data pulse 502 (voltage + V d ) is applied to the gate electrode 11 as a data signal. In a pixel to which a scan pulse and a data pulse are applied simultaneously, the gate of the corresponding electron source element
Since a voltage of ( Vd + Vs) is applied between 11 and the cathode 13, electrons are emitted and the phosphor emits light.
【0017】従来の駆動方法においては、走査信号で選
択されていない状態(−Vsが印加されていない状態)
でのゲート11−陰極13間電圧は、ゲート電極11にVdが
印加されない場合で0V、ゲート電極11にVdなる電圧が
印加された場合はVdとなる。したがって、図3の結果
から明らかなように、走査信号で選択されていない状態
でも電子放出が起こり、これがコントラスト低下の原因
になる。In the conventional driving method, a state in which the scanning signal is not selected (a state in which -Vs is not applied).
Gate 11 the cathode 13 between the voltage at becomes V d If the 0V, the V d becomes voltage to the gate electrode 11 is applied in the case where the gate electrode 11 V d is not applied. Therefore, as is apparent from the results of FIG. 3, electron emission occurs even in a state not selected by the scanning signal, which causes a decrease in contrast.
【0018】走査線の本数Nが増えるとともに、非選択
走査線(本数(N−1)本)の数が増えるため、そこか
らの不要電子放出の寄与が増え、コントラスト低下が顕
著になる。As the number N of scanning lines increases, and the number of non-selected scanning lines (number (N-1)) increases, the contribution of unnecessary electron emission therefrom increases, and the contrast is significantly reduced.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明は、非選択状態に
ある走査電極上にある電子放出素子に対し、そのゲート
印加電圧が陰極印加電圧よりも低い電位になるように設
定することにより、上記の問題を解決する。According to the present invention, an electron-emitting device on a scanning electrode in a non-selected state is set so that its gate applied voltage is lower than the cathode applied voltage. Solve the above problem.
【0020】本発明の第2は、走査電極から陰極に給電
する構成とし、かつ非選択状態にある走査電極を選択状
態にある走査電極より高インピーダンス状態に設定して
駆動することにより、上記の問題を解決する。In the second aspect of the present invention, the above-mentioned structure is provided in which the scanning electrode is supplied with power to the cathode, and the scanning electrode in the non-selected state is set to a higher impedance state than the scanning electrode in the selected state and driven. Solve a problem.
【0021】図5は、陰極面電界Ekのゲート電圧Vg依
存性をシミュレーションにより求めたものである。パラ
メータは図3と同一である。細線はゲート孔周辺部(r
/R〜0.8)でのEk値、太線はゲート孔中心部(r/R
〜0)でのEk値である。FIG. 5 shows the dependence of the cathode surface electric field Ek on the gate voltage Vg obtained by simulation. The parameters are the same as in FIG. The thin line indicates the periphery of the gate hole (r
/R~0.8), the thick line indicates the gate hole center (r / R).
00).
【0022】図5からわかるように、Vg=−25Vと
すると、ゲート孔中心部でもEk=0となる。すなわ
ち、非選択状態にある走査電極上の電子放出素子に対し
ては、そのゲート電圧を陰極印加電圧よりも低い電圧に
設定すればよい。これが第1の解決方法である。As can be seen from FIG. 5, when Vg = -25 V, Ek = 0 at the center of the gate hole. That is, the gate voltage of the electron-emitting device on the scanning electrode in the non-selected state may be set to a voltage lower than the voltage applied to the cathode. This is the first solution.
【0023】第2の解決方法は、走査電極から陰極に給
電する構成とし、かつ走査電極に給電する走査駆動回路
の出力状態を、非選択状態にある走査電極では高インピ
ーダンス状態にすることである。このようにすると、陰
極からの電子の流れが遮断されるため、電子放出を低減
できる。A second solution is to supply power from the scanning electrodes to the cathode, and to set the output state of the scanning drive circuit for supplying power to the scanning electrodes to a high impedance state in the non-selected scanning electrodes. . In this case, since the flow of electrons from the cathode is interrupted, electron emission can be reduced.
【0024】[0024]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る画像表示装置
を図面に示した幾つかの実施例による発明の実施の形態
を参照して更に詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an image display device according to the present invention will be described in more detail with reference to embodiments of the present invention according to some embodiments shown in the drawings.
【0025】実施例1 第1の実施例を図6、図7、図1を用いて述べる。表示
装置の表示パネルは、薄膜電子源マトリクスを形成した
基板と蛍光体などを形成した面板とから構成される。図
6は、表示パネルの断面図を示したものである。ガラス
やセラミックスなどの絶縁性材料の基板14上に、陰極導
体10を形成する。陰極導体10は表示装置の走査線の本数
だけ形成する。絶縁層12を介してゲート電極11を形成す
る。ゲート電極11は、陰極導体10と直交して形成され、
表示装置の列の数だけ形成する。ゲート電極11と陰極導
体10とが交差する領域には複数個のゲート孔が形成さ
れ、ゲート孔の底部には陰極13が形成される。陰極13は
カーボンナノチューブを用いる。Embodiment 1 A first embodiment will be described with reference to FIGS. 6, 7, and 1. FIG. A display panel of a display device includes a substrate on which a thin-film electron source matrix is formed and a face plate on which a phosphor and the like are formed. FIG. 6 is a cross-sectional view of the display panel. The cathode conductor 10 is formed on a substrate 14 made of an insulating material such as glass or ceramic. The cathode conductors 10 are formed by the number of scanning lines of the display device. The gate electrode 11 is formed via the insulating layer 12. The gate electrode 11 is formed orthogonal to the cathode conductor 10,
It is formed in the number of rows of the display device. A plurality of gate holes are formed in a region where the gate electrode 11 and the cathode conductor 10 intersect, and a cathode 13 is formed at the bottom of the gate hole. The cathode 13 uses a carbon nanotube.
【0026】ゲート電極−陰極導体交差部(図6中の点
線部)を拡大した図を図12に示した。図12(b)は
平面図であり、図12(a)は、A−B線での断面図で
ある。必要に応じて、陰極13と陰極導体10との間に抵抗
層を形成しても良い。この基板の形成方法は、例えば、
Materials Research Society Symposium Proceeding
s、 Vol. 509 (1998) pp.107〜112 に記載されている。
ゲート電極11と陰極導体10の交差領域に設ける各ゲート
孔の大きさ、絶縁層12の厚さなどのパラメータは、上述
の通りである。また、交差領域内に設けるゲート孔の
数、すなわち1画素当たりのゲート孔の数は通常数10
〜数1000個である。FIG. 12 is an enlarged view of the intersection between the gate electrode and the cathode conductor (the dotted line in FIG. 6). FIG. 12B is a plan view, and FIG. 12A is a cross-sectional view taken along line AB. If necessary, a resistance layer may be formed between the cathode 13 and the cathode conductor 10. The method of forming this substrate is, for example,
Materials Research Society Symposium Proceeding
s, Vol. 509 (1998) pp. 107-112.
Parameters such as the size of each gate hole provided in the intersection region between the gate electrode 11 and the cathode conductor 10 and the thickness of the insulating layer 12 are as described above. The number of gate holes provided in the intersection region, that is, the number of gate holes per pixel is usually several tens.
~ Several thousand.
【0027】ガラスなど透光性の材料の面板110上に
は、ブラックマトリクス120が形成され、赤色蛍光体114
A、緑色蛍光体114B、青色蛍光体114Cがパターン化して
形成される。蛍光体としては、例えば赤色にY2O2S:Eu
(P22-R)、緑色にZnS:Cu、Al(P22-G)、青色にZnS:Ag
(P22-B)を用いればよい。A black matrix 120 is formed on a face plate 110 made of a transparent material such as glass, and a red phosphor 114
A, green phosphor 114B and blue phosphor 114C are formed in a pattern. As the phosphor, for example, red Y 2 O 2 S: Eu
(P22-R), green: ZnS: Cu, Al (P22-G), blue: ZnS: Ag
(P22-B) may be used.
【0028】次いで、ニトロセルロースなどの膜でフィ
ルミングした後、面板110全体にAlを、膜厚50〜300n
m程度蒸着してメタルバック122とする。その後、面
板110を400℃程度に加熱してフィルミング膜やP
VAなどの有機物を加熱分解する。このようにして、面
板110が完成する。Next, after filming with a film such as nitrocellulose, Al is applied to the entire face plate 110 to a thickness of 50 to 300 nm.
A metal back 122 is formed by vapor deposition of about m. Then, the face plate 110 is heated to about 400 ° C.
Organic substances such as VA are thermally decomposed. Thus, the face plate 110 is completed.
【0029】このように製作した面板110と基板14
とを、スペーサ60(図示せず)を挟み込んでフリット
ガラスを用いて不活性ガス雰囲気中で封着する。面板1
10に形成された蛍光体114A、 114B、 11Cと基板14
との位置関係は図6に示したとおりである。電子放出素
子から放出される電子ビームは多少空間的に広がること
を考慮して、ゲート孔を形成する領域の幅(図中「W」
と記載)は蛍光体114の幅よりも狭く設計している。The face plate 110 and the substrate 14 thus manufactured are
Are sealed in an inert gas atmosphere using frit glass with a spacer 60 (not shown) interposed therebetween. Face plate 1
The phosphors 114A, 114B, 11C formed on the substrate 10 and the substrate 14
Is as shown in FIG. Considering that the electron beam emitted from the electron-emitting device spreads somewhat spatially, the width of the area where the gate hole is formed (“W” in the figure)
Is designed to be narrower than the width of the phosphor 114.
【0030】面板110−基板14間の距離は1〜3m
m程度とする。スペーサ60はパネル内部を真空にした
ときに、大気圧の外部からの力によるパネルの破損を防
ぐために挿入する。したがって、基板14、面板110
に厚さ3mmのガラスを用いて、幅4cm×長さ9cm
程度以下の表示面積の表示装置を製作する場合には、面
板110と基板14自体の機械強度で大気圧に耐え得る
ので、スペーサ60を挿入する必要はない。スペーサ6
0としては、ガラス製またはセラミクス製で、板状ある
いは柱状の支柱を並べて配置する。The distance between the face plate 110 and the substrate 14 is 1 to 3 m.
m. The spacer 60 is inserted to prevent the panel from being damaged by an external force of the atmospheric pressure when the inside of the panel is evacuated. Therefore, the substrate 14, the face plate 110
Using a glass with a thickness of 3 mm, width 4 cm × length 9 cm
In the case of manufacturing a display device having a display area smaller than that, it is not necessary to insert the spacer 60 because the mechanical strength of the face plate 110 and the substrate 14 can withstand atmospheric pressure. Spacer 6
As 0, plate-shaped or column-shaped columns made of glass or ceramics are arranged side by side.
【0031】封着したパネルは、1×10-6 〜1×10-7 To
rr程度の真空に排気して、封止する。パネル内の真空度
を高真空に維持するために、封止の直前あるいは直後
に、パネル内の所定の位置(図示せず)でゲッター膜の
形成またはゲッター材の活性化を行う。例えばBaを主
成分とするゲッター材の場合、高周波誘導加熱によりゲ
ッター膜を形成できる。このようにして表示パネルが完
成する。The sealed panel is 1 × 10 -6 to 1 × 10 -7 To
It is evacuated to a vacuum of about rr and sealed. Immediately before or immediately after sealing, a getter film is formed or a getter material is activated at a predetermined position (not shown) in the panel in order to maintain a high degree of vacuum in the panel. For example, in the case of a getter material containing Ba as a main component, a getter film can be formed by high-frequency induction heating. Thus, the display panel is completed.
【0032】図7は、このようにして製作した表示パネ
ルの駆動回路への結線図である。陰極導体10は行方向に
配置し、走査駆動回路41に結線する。ゲート電極11は列
方向に配置し、データ駆動回路42に結線する。メタルバ
ック122は加速電極駆動回路43へ結線する。行方向n番目
の電極10Rnと列方向m番目の電極15Cmの交点のドット
を(n、 m)で表すことにする。なお、図7では3×3
個の電子放出素子301しか記載していないが、実際の表
示パネルでは、陰極導体10が数100〜数千本、ゲート電
極が数100〜数千本形成される。FIG. 7 is a connection diagram of a display panel manufactured in this manner to a drive circuit. The cathode conductors 10 are arranged in the row direction and connected to the scanning drive circuit 41. The gate electrodes 11 are arranged in the column direction and are connected to the data drive circuit 42. The metal back 122 is connected to the acceleration electrode drive circuit 43. The dot at the intersection of the nth electrode 10Rn in the row direction and the mth electrode 15Cm in the column direction is represented by (n, m). In FIG. 7, 3 × 3
Although only the electron-emitting devices 301 are described, in an actual display panel, hundreds to thousands of cathode conductors 10 and hundreds to thousands of gate electrodes are formed.
【0033】図1は、各駆動回路の発生電圧の波形を示
す。図1には記されていないが、メタルバック122には
6KV程度の電圧を常時印加する。FIG. 1 shows the waveform of the voltage generated by each drive circuit. Although not shown in FIG. 1, a voltage of about 6 KV is constantly applied to the metal back 122.
【0034】図1において、走査パルス501が印加され
ている状態が「選択状態の走査線」、それ以外が「非選
択状態の走査線」である。選択状態の走査線には電圧−
Vsが印加され、非選択状態の走査線には、逆バイアス
電圧Vrが印加されている。本実施例では、Vr=25Vと
した。In FIG. 1, the state to which the scanning pulse 501 is applied is a “selected scanning line”, and the other is a “non-selected scanning line”. Voltage-is applied to the selected scanning line.
Vs is applied, and a reverse bias voltage Vr is applied to the non-selected scanning lines. In this embodiment, Vr = 25V.
【0035】走査線が選択状態にある時、ゲート電極11
に振幅Vdなるデータパルス502を印加すると、その交点
にある電子放出素子では、ゲート電極11−陰極13間に
(Vd+Vs)なる電圧が印加されるので、電子放出が起
こり、蛍光体を発光させる。データパルス502の波形
は、表示しようとする映像により変化し、図1の波形の
場合、図7の斜線部の画素が発光する。なお、カラーデ
ィスプレイの場合、赤、青、緑色に対応する「サブ画
素」の組合せで1「画素」を形成するが、本明細書で
は、サブ画素のことも画素と称する。When the scanning line is in the selected state, the gate electrode 11
In the application of a magnitude V d becomes data pulses 502, an electron-emitting device in the intersection, because between the gate electrode 11 cathode 13 (V d + Vs) becomes a voltage is applied, occurs electron emission, the phosphor Flash. The waveform of the data pulse 502 changes depending on the image to be displayed. In the case of the waveform of FIG. 1, the pixels in the hatched portions in FIG. 7 emit light. In the case of a color display, one “pixel” is formed by a combination of “sub-pixels” corresponding to red, blue, and green. In this specification, a sub-pixel is also referred to as a pixel.
【0036】図1ではR1、R2、R3の3本目までの波
形しか記載していないが、実際にはこの走査を走査線の
本数だけ続ける。走査線全体を走査し終わると再度R1
に戻り、走査を繰り返す。1画面の走査は、1フィール
ド期間(1/f)の間に行う。NTSCテレビ信号の場
合、1フィールド期間は16.7msである。Although FIG. 1 shows only the first three waveforms R1, R2 and R3, this scanning is actually continued for the number of scanning lines. After scanning the entire scanning line, R1
And the scanning is repeated. Scanning of one screen is performed during one field period (1 / f). In the case of an NTSC television signal, one field period is 16.7 ms.
【0037】階調のある映像を表示する場合には、デー
タパルス502の電圧振幅を映像信号に合わせて変化させ
るか、データパルス502のパルス幅を変化させるかすれ
ばよい。When displaying an image with gradation, the voltage amplitude of the data pulse 502 may be changed in accordance with the video signal, or the pulse width of the data pulse 502 may be changed.
【0038】図1の駆動波形では、データパルス502の
電圧の最大値を0Vとしている。そのため、非選択状態
の走査線に結線されている電子放出素子301のゲート電
極11電位Vgと陰極13電位Vkとの差(Vg−Vk)は、−
(Vd+Vr)〜−Vrの範囲になる。すなわち、ゲート
電極11−陰極13間電圧は高々−Vr=−25Vである。し
たがって、図5からわかるように、非選択状態の走査線
上の電子放出素子からは電子放出が発生せず、コントラ
ストの低下が起こらない。In the driving waveform of FIG. 1, the maximum value of the voltage of the data pulse 502 is 0V. Therefore, the difference (Vg−Vk) between the potential Vg of the gate electrode 11 and the potential Vk of the cathode 13 of the electron-emitting device 301 connected to the non-selected scanning line is −
The range is from ( Vd + Vr) to -Vr. That is, the voltage between the gate electrode 11 and the cathode 13 is at most -Vr = -25V. Therefore, as can be seen from FIG. 5, no electron emission occurs from the electron-emitting devices on the non-selected scanning lines, and the contrast does not decrease.
【0039】なお、本実施例では陰極13としてカーボン
ナノチューブを用いた例を示したが、ダイヤモンド陰極
を用いる場合には、陰極13としてダイヤモンド膜を用い
ればよい。この場合の基板の製法は、例えば IEEE Tran
saction Electron Devices、Vol.46、 No.4 (1999) pp.
787〜791 に記載されている。In this embodiment, an example in which carbon nanotubes are used as the cathode 13 has been described. However, when a diamond cathode is used, a diamond film may be used as the cathode 13. In this case, the method of manufacturing the substrate is, for example, IEEE Tran.
saction Electron Devices, Vol.46, No.4 (1999) pp.
787-791.
【0040】実施例2 本発明を用いた第2の実施例を図8、図9、図10を用
いて説明する。表示装置の表示パネルは、薄膜電子源マ
トリクスを形成した基板と蛍光体などを形成した面板と
から構成される。図8は、表示パネルの断面図を示した
ものである。本実施例で用いる表示パネルは、第1の実
施例で用いるものとほぼ同じ構成であるが、ゲート電極
11を行方向に配置し、陰極導体10を列方向に配置する。Embodiment 2 A second embodiment using the present invention will be described with reference to FIGS. 8, 9 and 10. FIG. A display panel of a display device includes a substrate on which a thin-film electron source matrix is formed and a face plate on which a phosphor and the like are formed. FIG. 8 is a cross-sectional view of the display panel. The display panel used in this embodiment has almost the same configuration as that used in the first embodiment,
11 are arranged in the row direction, and the cathode conductors 10 are arranged in the column direction.
【0041】ゲート電極−陰極導体交差部(図8中の点
線部)の構造は図12とほぼ同じである。図12におい
て陰極導体10および絶縁層12を列方向にし、ゲート電極
11を行方向に読みとればよい。図8に示した表示パネル
の製造方法は、第1の実施例の場合と同様である。The structure of the gate electrode-cathode conductor intersection (dotted line in FIG. 8) is almost the same as that of FIG. In FIG. 12, the cathode conductor 10 and the insulating layer 12 are arranged in the column direction, and the gate electrode
Read 11 in the row direction. The method of manufacturing the display panel shown in FIG. 8 is the same as that of the first embodiment.
【0042】図9は、表示パネルと駆動回路との結線方
法を示した図である。ゲート電極11は行方向に配置し、
走査駆動回路41に結線する。陰極導体10は列方向に配置
し、データ駆動回路42に結線する。メタルバック122は
加速電極駆動回路43へ結線する。行方向n番目の電極10
Rnと列方向m番目の電極15Cmの交点のドットを(n、
m)で表すことにする。なお、図9では3×3個の電子
放出素子301しか記載していないが、実際の表示パネル
では、陰極導体10が数100〜数千本、ゲート電極が数100
〜数千本形成される。FIG. 9 is a diagram showing a method of connecting the display panel and the drive circuit. The gate electrodes 11 are arranged in the row direction,
It is connected to the scan drive circuit 41. The cathode conductors 10 are arranged in the column direction and connected to the data drive circuit 42. The metal back 122 is connected to the acceleration electrode drive circuit 43. Nth electrode 10 in row direction
The dot at the intersection of Rn and the m-th electrode 15Cm in the column direction is (n,
m). Although only 3 × 3 electron-emitting devices 301 are shown in FIG. 9, in an actual display panel, several hundred to several thousand cathode conductors 10 and several hundreds of gate electrodes are provided.
~ Thousands are formed.
【0043】図10は、各駆動回路の発生電圧の波形を
示す。図10には記されていないが、メタルバック122
には6KV程度の電圧を常時印加する。FIG. 10 shows the waveform of the voltage generated by each drive circuit. Although not shown in FIG. 10, the metal back 122
, A voltage of about 6 KV is always applied.
【0044】図10において、走査パルス501が印加さ
れている状態が「選択状態の走査線」、それ以外が「非
選択状態の走査線」である。選択状態の走査線には電圧
+Vsが印加され、非選択状態の走査線には、逆バイア
ス電圧−Vrが印加されている。本実施例では、−Vr=
−25Vとした。In FIG. 10, the state to which the scanning pulse 501 is applied is a “selected scanning line”, and the other is a “non-selected scanning line”. The voltage + Vs is applied to the selected scanning line, and the reverse bias voltage -Vr is applied to the non-selected scanning line. In this embodiment, -Vr =
-25V.
【0045】走査線が選択状態にある時、陰極導体10の
電圧を0Vとすると、その交点にある電子放出素子で
は、ゲート電極11−陰極13間にVsなる電圧が印加され
るので、電子放出が起こり、蛍光体を発光させる。ま
た、選択状態の走査線上の画素で発光させたくない場合
には、対応する陰極導体10にVdなる電圧を印加する。
すると、ゲート電極11−陰極13間電圧は(Vs−Vd)と
なり、放出電子は出ないか、あるいは十分に少ない量の
電子しか放出されない。すなわち、データパルス502の
波形は、表示しようとする映像により変化し、図10の
波形の場合、図9の斜線部の画素が発光する。なお、カ
ラーディスプレイの場合、赤、青、緑色に対応する「サ
ブ画素」の組合せで1「画素」を形成するが、本明細書
では、サブ画素のことも画素と称する。When the voltage of the cathode conductor 10 is set to 0 V when the scanning line is in the selected state, a voltage of Vs is applied between the gate electrode 11 and the cathode 13 in the electron emission element at the intersection, so that the electron emission is performed. Occurs, causing the phosphor to emit light. Also, if you do not want to emit light at a pixel on a scanning line in the selected state applies a corresponding V d becomes voltage to the cathode conductor 10.
Then, the voltage between the gate electrode 11 and the cathode 13 becomes (Vs- Vd ), and no emitted electrons are emitted or only a sufficiently small amount of electrons are emitted. That is, the waveform of the data pulse 502 changes depending on the video to be displayed, and in the case of the waveform of FIG. In the case of a color display, one “pixel” is formed by a combination of “sub-pixels” corresponding to red, blue, and green. In this specification, a sub-pixel is also referred to as a pixel.
【0046】図10ではR1、R2、R3の3本目までの
波形しか記載していないが、実際にはこの走査を走査線
の本数だけ続ける。走査線全体を走査し終わると再度R
1に戻り、走査を繰り返す。1画面の走査は、1フィー
ルド期間(1/f)の間に行う。NTSCテレビ信号の場
合、1フィールド期間は16.7msである。Although FIG. 10 shows only the first three waveforms R1, R2, and R3, this scanning is actually continued for the number of scanning lines. When scanning of the entire scanning line is completed, R
Return to 1 and repeat the scan. Scanning of one screen is performed during one field period (1 / f). In the case of an NTSC television signal, one field period is 16.7 ms.
【0047】階調のある映像を表示する場合には、デー
タパルス502の電圧振幅Vdを映像信号に合わせて変化さ
せるか、データパルス502のパルス幅を変化させるかす
ればよい。[0047] When displaying an image with gradation, or changes the voltage amplitude V d of the data pulses 502 in accordance with the video signal may be either by changing the pulse width of the data pulse 502.
【0048】図10の駆動波形では、データパルス502
の電圧の最小値を0Vとしている。そのため、非選択状
態の走査線に結線されている電子放出素子301のゲート
電極11電位Vgと陰極13電位Vkとの差(Vg−Vk)は、
−(Vd+Vr)〜−Vrの範囲になる。すなわち、ゲー
ト電極11−陰極13間電圧は高々−Vr=−25Vである。
したがって、図5からわかるように、非選択状態の走査
線上の電子放出素子からは電子放出が発生せず、コント
ラストの低下が起こらない。In the driving waveform shown in FIG.
Is set to 0V. Therefore, the difference (Vg−Vk) between the potential Vg of the gate electrode 11 and the potential Vk of the cathode 13 of the electron-emitting device 301 connected to the non-selected scanning line is
The range is from-( Vd + Vr) to -Vr. That is, the voltage between the gate electrode 11 and the cathode 13 is at most -Vr = -25V.
Therefore, as can be seen from FIG. 5, no electron emission occurs from the electron-emitting devices on the non-selected scanning lines, and the contrast does not decrease.
【0049】なお、本実施例では陰極13としてカーボン
ナノチューブを用いた例を示したが、ダイヤモンド陰極
を用いる場合には、陰極13としてダイヤモンド膜を用い
ればよい。この場合の基板の製法は、例えば IEEE Tran
saction Electron Devices、Vol.46、 No.4 (1999) pp.
787〜791 に記載されている。In this embodiment, an example in which carbon nanotubes are used as the cathode 13 is shown. However, when a diamond cathode is used, a diamond film may be used as the cathode 13. In this case, the method of manufacturing the substrate is, for example, IEEE Tran.
saction Electron Devices, Vol.46, No.4 (1999) pp.
787-791.
【0050】実施例3 次に、本発明を用いた第3の実施例を図6、図7、図1
1を用いて説明する。本実施例で用いる表示パネルは第
1の実施例と同じであり、図6に記したとおりである。
また、駆動回路への結線方法も第1の実施例と同じであ
り、図7に示したとおりである。Embodiment 3 Next, a third embodiment using the present invention will be described with reference to FIGS.
1 will be described. The display panel used in this embodiment is the same as that of the first embodiment, and is as shown in FIG.
Also, the method of connecting to the drive circuit is the same as in the first embodiment, and is as shown in FIG.
【0051】図11は、各駆動回路の発生電圧の波形を
示す。図11には記されていないが、メタルバック122
には6KV程度の電圧を常時印加する。FIG. 11 shows the waveform of the voltage generated by each drive circuit. Although not shown in FIG. 11, the metal back 122
, A voltage of about 6 KV is always applied.
【0052】図11において、走査パルス501が印加さ
れている状態が「選択状態の走査線」、それ以外が「非
選択状態の走査線」である。選択状態の走査線には電圧
+Vsが印加され、非選択状態の走査線は、高インピー
ダンス状態に保っている。図11で点線部分が高インピ
ーダンス状態を示す。本実施例では、高インピーダンス
状態として、駆動回路の出力インピーダンスを10MΩ
とした。In FIG. 11, the state to which the scanning pulse 501 is applied is a “selected scanning line”, and the other states are “non-selected scanning lines”. The voltage + Vs is applied to the selected scanning line, and the non-selected scanning line is kept in a high impedance state. In FIG. 11, a dotted line indicates a high impedance state. In this embodiment, the output impedance of the drive circuit is set to 10 MΩ in the high impedance state.
And
【0053】走査線が選択状態にある時、ゲート電極11
に振幅Vdなるデータパルス502を印加すると、その交点
にある電子放出素子では、ゲート電極11−陰極13間に
(Vd+Vs)なる電圧が印加されるので、電子放出が起
こり、蛍光体を発光させる。データパルス502の波形
は、表示しようとする映像により変化し、図11の波形
の場合、図7の斜線部の画素が発光する。なお、カラー
ディスプレイの場合、赤、青、緑色に対応する「サブ画
素」の組合せで1「画素」を形成するが、本明細書で
は、サブ画素のことも画素と称する。When the scanning line is in the selected state, the gate electrode 11
In the application of a magnitude V d becomes data pulses 502, an electron-emitting device in the intersection, because between the gate electrode 11 cathode 13 (V d + Vs) becomes a voltage is applied, occurs electron emission, the phosphor Flash. The waveform of the data pulse 502 changes depending on the image to be displayed. In the case of the waveform of FIG. 11, the pixels in the hatched portions in FIG. 7 emit light. In the case of a color display, one “pixel” is formed by a combination of “sub-pixels” corresponding to red, blue, and green. In this specification, a sub-pixel is also referred to as a pixel.
【0054】図11ではR1、R2、R3の3本目までの
波形しか記載していないが、実際にはこの走査を走査線
の本数だけ続ける。走査線全体を走査し終わると再度R
1に戻り、走査を繰り返す。1画面の走査は、1フィー
ルド期間(1/f)の間に行う。NTSCテレビ信号の場
合、1フィールド期間は16.7msである。In FIG. 11, only the first three waveforms R1, R2 and R3 are shown, but this scanning is actually continued for the number of scanning lines. When scanning of the entire scanning line is completed, R
Return to 1 and repeat the scan. Scanning of one screen is performed during one field period (1 / f). In the case of an NTSC television signal, one field period is 16.7 ms.
【0055】階調のある映像を表示する場合には、デー
タパルス502の電圧振幅を映像信号に合わせて変化させ
るか、データパルス502のパルス幅を変化させるかすれ
ばよい。When displaying an image with gradation, the voltage amplitude of the data pulse 502 may be changed according to the video signal, or the pulse width of the data pulse 502 may be changed.
【0056】非選択状態の走査線は高インピーダンス状
態にしてある。従って、走査駆動回路41からの電子の流
れ(電流)が制限されるため、対応する陰極13から真空
中への電子放出が制限され、コントラスト低下を引き起
こす、不要な電子放出を低減することが出来る。The non-selected scanning lines are in a high impedance state. Accordingly, since the flow (current) of electrons from the scan drive circuit 41 is limited, the emission of electrons from the corresponding cathode 13 into a vacuum is limited, and unnecessary electron emission that causes a decrease in contrast can be reduced. .
【0057】なお、本実施例では陰極13としてカーボン
ナノチューブを用いた例を示したが、ダイヤモンド陰極
を用いる場合には、陰極13としてダイヤモンド膜を用い
ればよい。この場合の基板の製法は、例えば IEEE Tran
saction Electron Devices、Vol.46、 No.4 (1999) pp.
787〜791 に記載されている。In this embodiment, an example in which carbon nanotubes are used as the cathode 13 is shown. However, when a diamond cathode is used, a diamond film may be used as the cathode 13. In this case, the method of manufacturing the substrate is, for example, IEEE Tran.
saction Electron Devices, Vol.46, No.4 (1999) pp.
787-791.
【0058】[0058]
【発明の効果】本発明によれば、カーボンナノチューブ
陰極やダイヤモンド陰極などを低電界電子放出素子を電
子放出素子として用いた画像表示装置において、コント
ラストの低下を防ぎ、良好な画像を表示することができ
る。According to the present invention, it is possible to prevent a decrease in contrast and display a good image in an image display device using a carbon nanotube cathode, a diamond cathode, or the like as a low-field electron-emitting device as an electron-emitting device. it can.
【図1】本発明に係る画像表示装置の駆動方法を説明す
るための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining a method of driving an image display device according to the present invention.
【図2】低電界電子放出素子の動作原理を説明するため
の図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the operation principle of a low-field electron emission element.
【図3】陰極面電界の場所依存性を示した図である。FIG. 3 is a diagram showing the location dependence of a cathode surface electric field.
【図4】従来の画像表示装置の駆動方法を説明するため
の図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a driving method of a conventional image display device.
【図5】陰極面電界のゲート電圧依存性を示した図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing a gate voltage dependence of a cathode surface electric field.
【図6】本発明に係る画像表示装置の第1の実施例の表
示パネルの構造を説明するための断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the structure of the display panel of the first embodiment of the image display device according to the present invention.
【図7】上記表示装置の駆動回路への結線を示した図で
ある。FIG. 7 is a diagram showing connection to a drive circuit of the display device.
【図8】本発明に係る画像表示装置の第2の実施例の表
示パネルの構造を説明するための断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a structure of a display panel of a second embodiment of the image display device according to the present invention.
【図9】上記表示装置の駆動回路への結線を示した図で
ある。FIG. 9 is a diagram showing connection to a drive circuit of the display device.
【図10】本発明に係る画像表示装置の第2の実施例の
駆動方法を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a driving method of a second embodiment of the image display device according to the present invention.
【図11】本発明に係る画像表示装置の第3の実施例の
駆動方法を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a driving method of a third embodiment of the image display device according to the present invention.
【図12】本発明に係る画像表示装置の第1、2の実施
例の表示パネルの電極交差領域の構造を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a structure of an electrode intersection region of the display panel of the first and second embodiments of the image display device according to the present invention.
10…空間部、11…ゲート電極、12…絶縁層、13
…陰極、14…基板、41…走査駆動回路、42…デー
タ駆動回路、43…加速電極駆動回路、100…陽極、
110…面板、114…蛍光体、120…ブラックマトリクス、1
22…加速電極(メタルバック)、301…電子放出素子、5
01…走査パルス、502…データパルス。10 space part, 11 gate electrode, 12 insulating layer, 13
... Cathode, 14 substrate, 41 scanning drive circuit, 42 data drive circuit, 43 acceleration electrode drive circuit, 100 anode
110: Face plate, 114: Phosphor, 120: Black matrix, 1
22 ... Acceleration electrode (metal back), 301 ... Emission device, 5
01: scanning pulse, 502: data pulse.
Claims (9)
極に前記陰極に対して正極性の電圧を印加した際に、前
記陰極から電子を放出するマトリクス状に配置された複
数個の電子放出素子と、前記陰極に給電するために前記
マトリクスの一方向に配置された複数の第1の電極と、
前記ゲート電極に給電するために前記一方向に直交する
方向に配置された複数の第2の電極を有する第1の基板
と、蛍光体と陽極を有する第2の基板とを備えた表示素
子と、前記第1の電極に走査信号を供給する第1の駆動
手段と、 前記第2の電極にデータ信号を供給する第2
の駆動手段とを備える画像表示装置を、前記第1の電極
が非選択状態にある期間においては、その第1の電極に
接続されている前記電子放出素子に関して、前記第2の
電極の印加電圧が前記第1の電極の印加電圧に対して負
電圧になるように駆動することを特徴とする画像表示装
置の駆動方法。A plurality of electrons arranged in a matrix and having a gate electrode and a cathode, wherein when a positive voltage is applied to the gate electrode with respect to the cathode, electrons are emitted from the cathode. An emission element, and a plurality of first electrodes arranged in one direction of the matrix to supply power to the cathode;
A display element comprising: a first substrate having a plurality of second electrodes arranged in a direction orthogonal to the one direction to supply power to the gate electrode; and a second substrate having a phosphor and an anode. First driving means for supplying a scanning signal to the first electrode, and second driving means for supplying a data signal to the second electrode.
And a driving means for the electron-emitting device connected to the first electrode during a period in which the first electrode is in a non-selected state. Driving the image display device so that the voltage becomes negative with respect to the voltage applied to the first electrode.
電極の電位は、前記第2の電極に印加される電圧の最大
値よりも正電位であることを特徴とする請求項1に記載
の画像表示装置の駆動方法。2. The electric potential of the first electrode in a non-selected state among the first electrodes is a positive electric potential than the maximum value of the voltage applied to the second electrode. 2. The driving method of the image display device according to 1.
極に前記陰極に対して正極性の電圧を印加した際に、前
記陰極から電子を放出するマトリクス状に配置された複
数個の電子放出素子と、前記陰極に給電するために前記
マトリクスの一方向に配置された複数の第1の電極と、
前記ゲート電極に給電するために前記一方向に直交する
方向に配置された複数の第2の電極を有する第1の基板
と、蛍光体と陽極を有する第2の基板とを備えた表示素
子と、前記第2の電極に走査信号を供給する第1の駆動
手段と、 前記第1の電極にデータ信号を供給する第2
の駆動手段とを備える画像表示装置を、前記第2の電極
が非選択状態にある期間においては、その第2の電極に
接続されている前記電子放出素子に関して、前記第2の
電極の印加電圧が前記第1の電極の印加電圧に対して負
電圧になるように駆動することを特徴とする画像表示装
置の駆動方法。3. A plurality of electrons arranged in a matrix, comprising a gate electrode and a cathode, wherein when a positive voltage is applied to the gate electrode with respect to the cathode, electrons are emitted from the cathode. An emission element, and a plurality of first electrodes arranged in one direction of the matrix to supply power to the cathode;
A display element comprising: a first substrate having a plurality of second electrodes arranged in a direction orthogonal to the one direction to supply power to the gate electrode; and a second substrate having a phosphor and an anode. First driving means for supplying a scanning signal to the second electrode, and second driving means for supplying a data signal to the first electrode.
And a driving means for the electron emitting element connected to the second electrode during a period in which the second electrode is in a non-selected state. Driving the image display device so that the voltage becomes negative with respect to the voltage applied to the first electrode.
電極の電位は、前記第1の電極に印加される電圧の最小
値よりも負電位であることを特徴とする請求項3に記載
の画像表示装置の駆動方法。4. The electric potential of a second electrode in a non-selected state among the second electrodes is a negative electric potential which is lower than a minimum value of a voltage applied to the first electrode. 4. The driving method of the image display device according to 3.
極に前記陰極に対して正極性の電圧を印加した際に、前
記陰極から電子を放出するマトリクス状に配置された複
数個の電子放出素子と、前記陰極に給電するために前記
マトリクスの一方向に配置された複数の第1の電極と、
前記ゲート電極に給電するために前記一方向に直交する
方向に配置された複数の第2の電極を有する第1の基板
と、蛍光体と陽極を有する第2の基板とを備えた表示素
子と、前記第1の電極に走査信号を供給する第1の駆動
手段と、 前記第2の電極にデータ信号を供給する第2
の駆動手段とを備える画像表示装置を、前記第1の電極
のうち非選択状態にある第1の電極を選択状態にある第
1の電極より高インピーダンス状態に設定して駆動する
ことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。5. A plurality of electrons arranged in a matrix, comprising a gate electrode and a cathode, wherein when a positive voltage is applied to the gate electrode with respect to the cathode, electrons are emitted from the cathode. An emission element, and a plurality of first electrodes arranged in one direction of the matrix to supply power to the cathode;
A display element comprising: a first substrate having a plurality of second electrodes arranged in a direction orthogonal to the one direction to supply power to the gate electrode; and a second substrate having a phosphor and an anode. First driving means for supplying a scanning signal to the first electrode, and second driving means for supplying a data signal to the second electrode.
And driving the image display device comprising: a first electrode in a non-selected state among the first electrodes in a higher impedance state than a first electrode in a selected state. For driving an image display device.
動手段の出力インピーダンスを10MΩ以上とする事を
特徴とする請求項5に記載の画像表示装置の駆動方法。6. The method according to claim 5, wherein in the high impedance state, the output impedance of the first driving means is 10 MΩ or more.
と前記加速電極と前記陰極との間の距離とで規定される
電界強度において、電子を放出しうる陰極であることを
特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の画像
表示装置の駆動方法。7. The cathode according to claim 1, wherein the cathode is capable of emitting electrons at an electric field intensity defined by a voltage applied to the acceleration electrode and a distance between the acceleration electrode and the cathode. A method for driving the image display device according to claim 1.
る材料であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれ
か一項に記載の画像表示装置の駆動方法。8. The method according to claim 1, wherein the cathode is made of a material having carbon nanotubes.
あることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に
記載の画像表示装置の駆動方法。9. The method according to claim 1, wherein the cathode is made of a material containing diamond.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP27813099A JP3899741B2 (en) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | Driving method of image display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005113005A Division JP3870968B2 (en) | 2005-04-11 | 2005-04-11 | Image display device |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2001100693A true JP2001100693A (en) | 2001-04-13 |
JP3899741B2 JP3899741B2 (en) | 2007-03-28 |
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---|---|---|---|---|
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KR100577992B1 (en) * | 2001-07-19 | 2006-05-11 | 엘지전자 주식회사 | Apparatus and Method for Driving of Metal Insulator Metal Field Emission Display |
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Publication number | Publication date |
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JP3899741B2 (en) | 2007-03-28 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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