JP2001099788A - Automatic macro-appearance inspecting device - Google Patents

Automatic macro-appearance inspecting device

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JP2001099788A
JP2001099788A JP27417599A JP27417599A JP2001099788A JP 2001099788 A JP2001099788 A JP 2001099788A JP 27417599 A JP27417599 A JP 27417599A JP 27417599 A JP27417599 A JP 27417599A JP 2001099788 A JP2001099788 A JP 2001099788A
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JP
Japan
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wafer
image
area
stage
image detection
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JP27417599A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Fujiki
慎一 藤木
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Sharp Corp
Sharp Manufacturing Systems Corp
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Sharp Corp
Sharp Manufacturing Systems Corp
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Publication date
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an automatic macro-appearance inspecting device capable of performing macro appearance inspection of a wafer precisely in a short time, and can be manufactured at a low cost. SOLUTION: This inspecting device comprises a stage 12 for mounting a wafer 13, a plurality of image detecting units U11, U12,..., U44 arranged so as to cover the entire area of the wafer 13 and facing the stage 12. Each of the image detecting unit Uij (i=1-4, j=1-4) has a viewing angle corresponding to a section of the wafer 13 facing the detecting unit Uij and outputs a signal for displaying an image of the section. A processing means 2 performs appearance determination for each of the sections of the wafer 13 in parallel based on the image signal outputted from each of the image detecting unit Uij.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は自動マクロ外観検
査装置に関し、より詳しくは、半導体ウエハのマクロ外
観検査を自動的に行う装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an automatic macro appearance inspection apparatus, and more particularly, to an apparatus for automatically performing a macro appearance inspection of a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体製造工程のホトリソグラフィ工程やエッチング工程を
行った後には、ウエハのパターン状態、例えば色むらや
傷の有無等を、ウエハ内の比較的大きな領域を見ながら
検査するマクロ外観検査が行われる。マクロ外観検査に
よれば、金属顕微鏡を用いてパターンの細部を検査する
ミクロ検査に比して、不良品検出率を高めることがで
き、また、検査時間を短縮できる。
2. Description of the Related Art After a photolithography step or an etching step in a semiconductor manufacturing process, the pattern state of a wafer, for example, whether there is color unevenness or scratches, is relatively large in the wafer. A macro appearance inspection for inspecting while viewing the area is performed. According to the macro appearance inspection, the defective product detection rate can be increased and the inspection time can be reduced as compared with the micro inspection in which the details of the pattern are inspected using a metal microscope.

【0003】一般に、ウエハのマクロ外観検査は作業者
が目視で行うこととされているが、作業者の習熟度、体
調による検査基準のばらつきや、作業者不足によるスル
ープットの低下などが問題となっている。また、作業者
がウエハを扱うのでウエハが汚染され、歩留まりが低下
するという問題もある。
In general, a macro appearance inspection of a wafer is visually performed by an operator. However, variations in inspection standards due to the skill and physical condition of the operator, and a decrease in throughput due to a shortage of operators pose problems. ing. Further, since the operator handles the wafer, there is a problem that the wafer is contaminated and the yield is reduced.

【0004】そこで、マクロ外観検査を自動的に行う装
置として、1つのエリアセンサでウエハ全域を同時に観
察するものや、1つのエリアセンサでウエハの一部を視
野に入れ、ウエハ表面を走査してウエハ全域の検査を行
うようにしたものが提案されている。しかしながら、前
者では、解像度が低いため、検査精度が低くなるという
問題がある。また、画像データサイズの大きなものを一
括して処理するため画像処理量が多くなり、検査時間が
長くかかる。後者では、分解能が上がるので検査精度は
高まるが、走査時間を必要とするため、検査時間が長く
かかる。
[0004] Therefore, as an apparatus for automatically performing a macro appearance inspection, an apparatus for simultaneously observing the whole area of a wafer with one area sensor or a part of the wafer with a single area sensor for scanning the surface of the wafer. There has been proposed an apparatus for inspecting the entire wafer. However, in the former, there is a problem that the inspection accuracy is lowered because the resolution is low. In addition, since a large image data size is processed collectively, the amount of image processing increases, and the inspection time is long. In the latter, the inspection accuracy is improved because the resolution is increased, but the inspection time is long because the scanning time is required.

【0005】また、ラインセンサ(一方向に複数配列さ
れた固体撮像素子を有する)を用いてウエハ内の一方向
に延びる領域を視野に入れ、ウエハ表面をその方向に対
して垂直な方向に走査してウエハ全域の検査を行うよう
にした装置も提案されている。しかしながら、この場合
も走査時間を必要とするため、検査時間が長くかかると
いう問題がある。しかも、ウエハが載置されたXYステ
ージを高精度で移動させる機構等を必要とするため、装
置が高価になる。
Further, a line sensor (having a plurality of solid-state image sensors arranged in one direction) is used to view a region extending in one direction in the wafer, and scan the wafer surface in a direction perpendicular to the direction. There is also proposed an apparatus for inspecting the whole area of a wafer. However, also in this case, since the scanning time is required, there is a problem that the inspection time is long. In addition, since a mechanism for moving the XY stage on which the wafer is mounted with high accuracy is required, the apparatus becomes expensive.

【0006】これらの問題は、ウエハ径が300mmと
いうように大口径になると、より深刻になる。
[0006] These problems become more serious when the diameter of the wafer is as large as 300 mm.

【0007】そこで、この発明の目的は、ウエハのマク
ロ外観検査を精度良く、短時間に行うことができ、しか
も安価に構成できる自動マクロ外観検査装置を提供する
ことにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an automatic macro appearance inspection apparatus which can perform a macro appearance inspection of a wafer with high accuracy and in a short time and can be configured at a low cost.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の自動マクロ外観検査装置は、ウエハが載
置されるステージと、上記ステージに対向して、上記ウ
エハの全域を覆うように並べて配列された複数の画像検
出ユニットを備え、上記各画像検出ユニットは、それぞ
れ上記ウエハ内のその検出ユニットが対向する区域を視
野に入れて、その区域の画像を表す信号を出力するよう
になっており、上記各画像検出ユニットが出力した画像
信号に基づいて、上記ウエハの各区域毎の外観判定を並
列に実行する処理手段を備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, an automatic macro appearance inspection apparatus according to the present invention comprises a stage on which a wafer is mounted, and a stage opposed to the stage so as to cover the entire area of the wafer. A plurality of image detection units arranged side by side, wherein each of the image detection units outputs a signal representing an image of the area in the field of view of the area of the wafer facing the detection unit. And processing means for executing, in parallel, appearance determination for each area of the wafer based on the image signals output by the image detection units.

【0009】この発明の自動マクロ外観検査装置では、
ステージにウエハが載置されたとき、各画像検出ユニッ
トがそれぞれ上記ウエハ内のその検出ユニットが対向す
る区域の画像を表す信号を出力する。そして、処理手段
が、各画像検出ユニットが出力した画像信号に基づい
て、上記ウエハの各区域毎の外観判定を並列に実行す
る。
In the automatic macro appearance inspection apparatus of the present invention,
When a wafer is placed on the stage, each image detection unit outputs a signal representing an image of the area of the wafer facing the detection unit. Then, the processing means executes the appearance determination for each section of the wafer in parallel based on the image signals output by the respective image detection units.

【0010】このように複数の画像検出ユニットがそれ
ぞれ上記ウエハ内のその検出ユニットが対向する区域の
画像を表す信号を出力するので、1つのエリアセンサで
ウエハ全域を同時に観察する場合に比して、分解能が上
がり、検査精度が高まる。
As described above, the plurality of image detection units each output a signal representing an image of an area of the wafer opposed to the detection unit. Therefore, compared with the case where the entire area of the wafer is simultaneously observed by one area sensor. , Resolution is increased, and inspection accuracy is increased.

【0011】また、各区域についての画像データサイズ
はウエハ全域の画像データサイズに比して小さいから、
処理手段が上記ウエハの各区域毎の外観判定を並列に実
行することによって、1つのエリアセンサでウエハ全域
を同時に観察する場合に比して、検査時間が短縮され
る。また、ウエハの全域を覆うように並べて配列された
複数の画像検出ユニットによってウエハ全域の画像が同
時に得られるので、走査を行う必要がない。したがっ
て、走査を行う場合に比して、検査時間が短縮される。
Further, since the image data size of each area is smaller than the image data size of the entire wafer,
By the processing means executing the appearance determination for each area of the wafer in parallel, the inspection time is shortened as compared with the case where one area sensor simultaneously observes the entire wafer. In addition, since a plurality of image detection units arranged side by side so as to cover the entire area of the wafer can simultaneously obtain an image of the entire area of the wafer, there is no need to perform scanning. Therefore, the inspection time is reduced as compared with the case where scanning is performed.

【0012】また、走査を行う必要がないので、ウエハ
が載置されたステージを高精度で移動させる機構等を設
ける必要がなく、この自動マクロ外観検査装置が簡素で
安価に構成される。
Also, since there is no need to perform scanning, there is no need to provide a mechanism for moving the stage on which the wafer is mounted with high accuracy, and the automatic macro appearance inspection apparatus is simple and inexpensive.

【0013】一実施形態の自動マクロ外観検査装置で
は、上記ステージは、このステージのウエハ載置面に垂
直な中心軸の周りに回転可能になっており、上記画像検
出ユニットの出力信号に基づいて、上記ウエハの方位を
表すオリフラまたはvノッチを検出して、上記画像検出
ユニットの配列方向に対して上記ウエハの方位を合わせ
るように上記ステージを上記中心軸の周りに回転させる
ウエハ方向調整手段を備えたことを特徴とする。
In one embodiment of the present invention, the stage is rotatable around a central axis perpendicular to a wafer mounting surface of the stage, and is based on an output signal of the image detection unit. Wafer orientation adjusting means for detecting an orientation flat or a v-notch indicating the orientation of the wafer and rotating the stage around the central axis so as to align the orientation of the wafer with the arrangement direction of the image detection unit. It is characterized by having.

【0014】ウエハがステージ上に搬入されたとき、画
像検出ユニットの配列方向に対してそのウエハの方位が
ランダムであると、そのウエハ表面に形成されたパター
ンの方向もランダムになるため、そのままではマクロ外
観検査が容易ではない。ここで着目すべきは、一般に半
導体製造工程では、ウエハ表面に形成されるパターン
は、ウエハ周辺部のオリフラ(オリエンテーションフラ
ット)またはvノッチを基準として互いに直交する一定
の方向に繰り返して配列されるという点である。この自
動マクロ外観検査装置では、ウエハ方向調整手段が、ウ
エハの方位を表すオリフラまたはvノッチを検出して、
画像検出ユニットの配列方向に対して上記ウエハの方位
を合わせるように、ステージをウエハ載置面に垂直な中
心軸の周り(θ方向)に回転させる。したがって、画像
検出ユニットの配列方向と上記ウエハのパターンの配列
方向とを対応させることができる。そのようにした場
合、マクロ外観検査が容易になる。しかも、ウエハ方向
調整手段は、そのようなウエハ方向の調整を、画像検出
ユニットの出力信号に基づいて行うので、ウエハの方位
を検出するための特別な機構等を別途設ける必要がな
い。したがって、この自動マクロ外観検査装置は、さら
に簡素で安価に構成される。
If the orientation of the wafer is random with respect to the arrangement direction of the image detection units when the wafer is carried on the stage, the direction of the pattern formed on the surface of the wafer is also random. Macro appearance inspection is not easy. It should be noted here that, in general, in a semiconductor manufacturing process, patterns formed on a wafer surface are repeatedly arranged in a fixed direction orthogonal to each other with reference to an orientation flat (orientation flat) or a v-notch in a peripheral portion of the wafer. Is a point. In this automatic macro visual inspection apparatus, the wafer direction adjusting means detects an orientation flat or a v-notch indicating the orientation of the wafer, and
The stage is rotated around the central axis perpendicular to the wafer mounting surface (θ direction) so that the orientation of the wafer is aligned with the arrangement direction of the image detection units. Therefore, the arrangement direction of the image detection units can correspond to the arrangement direction of the wafer pattern. In such a case, the macro appearance inspection becomes easy. Moreover, since the wafer direction adjusting means performs such wafer direction adjustment based on the output signal of the image detection unit, it is not necessary to separately provide a special mechanism for detecting the orientation of the wafer. Therefore, this automatic macro appearance inspection device is configured more simply and inexpensively.

【0015】また、一実施形態の自動マクロ外観検査装
置では、上記画像検出ユニットの出力信号に基づいて、
上記ウエハの上記ウエハ載置面内での位置を求めるウエ
ハ位置認識手段を備えたことを特徴とする。
In one embodiment of the present invention, an automatic macro appearance inspection apparatus is provided based on an output signal of the image detection unit.
A wafer position recognizing means for obtaining a position of the wafer on the wafer mounting surface;

【0016】この自動マクロ外観検査装置では、ウエハ
位置認識手段は、上記画像検出ユニットの出力信号に基
づいて、上記ウエハの上記ウエハ載置面内での位置(X
Y座標)を求める。したがって、上記処理手段は、上記
ウエハの各区域毎の外観判定を、上記画像検出ユニット
の配列に対する上記ウエハ載置面に沿った方向の上記ウ
エハの位置ずれ量(XY方向のずれ量)を加味して行う
ことができる。このようにした場合、上記ウエハ載置面
に沿った方向(XY方向)に関して上記画像検出ユニッ
トの配列と上記ウエハとを位置合わせをする必要がな
い。したがって、上記ウエハ載置面に沿った方向(XY
方向)にウエハを位置合わせするための機構等を別途設
ける必要がなく、この自動マクロ外観検査装置は、さら
に簡素で安価に構成される。
In this automatic macro visual inspection apparatus, the wafer position recognizing means detects the position (X) of the wafer on the wafer mounting surface based on the output signal of the image detection unit.
(Y coordinate). Accordingly, the processing means determines the appearance of each area of the wafer by taking into account the amount of displacement of the wafer (the amount of displacement in the XY directions) in the direction along the wafer mounting surface with respect to the arrangement of the image detection units. You can do it. In this case, it is not necessary to align the arrangement of the image detection units and the wafer with respect to the direction (XY directions) along the wafer mounting surface. Therefore, the direction along the wafer mounting surface (XY
It is not necessary to separately provide a mechanism or the like for aligning the wafer in the direction (i.e., direction), and this automatic macro appearance inspection apparatus is configured more simply and inexpensively.

【0017】また、一実施形態の自動マクロ外観検査装
置では、上記処理手段は、複数の画像検出ユニットの出
力信号に基づいて上記ウエハの各区域内で共通の基準と
なるショット画像を作成し、このショット画像と各画像
検出ユニットが出力した各区域内の画像とをそれぞれ比
較することを特徴とする。
In one embodiment of the present invention, the processing means creates a shot image serving as a common reference in each area of the wafer based on output signals of a plurality of image detection units, The shot image is compared with the image in each area output by each image detection unit.

【0018】この自動マクロ外観検査装置では、上記処
理手段は、複数の画像検出ユニットの出力信号に基づい
て上記ウエハの各区域内で共通の基準となるショット画
像を作成する。このショット画像としては、例えば1つ
のチップに相当する矩形領域(チップ領域)の画像が採
用される。上記処理手段は、このショット画像と各画像
検出ユニットが出力した各区域内の画像とをそれぞれ比
較する。このようにした場合、複数のチップ領域にまた
がって比較的なだらかに変化するような色むらが容易に
検出される。したがって、検出精度がさらに高まる。
In this automatic macro appearance inspection apparatus, the processing means creates a shot image as a common reference in each area of the wafer based on output signals of a plurality of image detection units. As the shot image, for example, an image of a rectangular area (chip area) corresponding to one chip is adopted. The processing means compares the shot image with the image in each area output by each image detection unit. In such a case, color unevenness that changes relatively gently across a plurality of chip areas is easily detected. Therefore, the detection accuracy is further improved.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.

【0020】図1は一実施形態の自動マクロ外観検査装
置1の概略構成を模式的に示している。この自動マクロ
外観検査装置1は、ウエハ13が載置されるステージ1
2と、このステージ12に対向する画像検出ユニットの
配列4を備えている。
FIG. 1 schematically shows a schematic configuration of an automatic macro appearance inspection apparatus 1 according to one embodiment. The automatic macro visual inspection apparatus 1 includes a stage 1 on which a wafer 13 is placed.
2 and an array 4 of image detection units facing the stage 12.

【0021】検査対象となるウエハ13の表面には、図
5(a)に示すように、ウエハ周辺部のオリフラまたは
vノッチ22を基準として互いに直交する一定の方向に
繰り返して配列されたパターンが形成されているものと
する。なお、図5(a)中の各矩形領域31は、それぞ
れ1個のチップに相当する領域(チップ領域)を表して
いる。
On the surface of the wafer 13 to be inspected, as shown in FIG. 5A, a pattern repeatedly arranged in a certain direction orthogonal to each other with respect to the orientation flat or v-notch 22 at the periphery of the wafer. It shall be formed. Each rectangular area 31 in FIG. 5A represents an area (chip area) corresponding to one chip.

【0022】図1から分かるように、ステージ12は、
ウエハ13の径よりも若干大きい径を持つ円板状の部材
からなっている。このステージ12の上面がウエハ載置
面であり、水平に配置されている。ステージ12の下面
には、このステージ12の中心を通り、鉛直下方に延び
る回転軸8が取り付けられている。ステージ12は、ス
テージ駆動機構9(図3参照)がこの回転軸8を回転さ
せることによって、中心軸の周りに回転可能になってい
る。
As can be seen from FIG. 1, the stage 12
It is made of a disk-shaped member having a diameter slightly larger than the diameter of the wafer 13. The upper surface of the stage 12 is a wafer mounting surface, and is arranged horizontally. On the lower surface of the stage 12, a rotating shaft 8 that extends vertically downward through the center of the stage 12 is attached. The stage 12 is rotatable around a central axis by rotating the rotating shaft 8 by a stage driving mechanism 9 (see FIG. 3).

【0023】画像検出ユニットの配列4は、この例で
は、ウエハ13の全域を覆うように一定間隔で4行×4
列に並べられた複数の画像検出ユニットU11,U12
…,U44からなっている。各画像検出ユニットUij(i
=1〜4、j=1〜4)は、図5(e)に示すように、
それぞれウエハ13内のその検出ユニットが対向する区
域Aijを視野に入れて、その区域Aijの画像を表す信号
を出力するようになっている。この例では、各画像検出
ユニットUijが受け持つ区域Aijは、1個から数個のチ
ップ領域31を含む正方形領域となっている。このよう
に、画像検出ユニットU11,U12,…,U44を4行×4
列に配列して各画像検出ユニットUijが分割された区域
ijの画像を検出するようにしているので、1つのエリ
アセンサでウエハの全域の画像を検出する場合に比し
て、分解能を4倍(n行×n列ならばn倍)に上げるこ
とができ、検査精度を高めることができる。また、ウエ
ハ13の全域を覆うように並べて配列された複数の画像
検出ユニットU11,U12,…,U 44によってウエハ全域
の画像が得られるので、走査を行う必要がない。したが
って、走査を行う場合に比して、検査時間を短縮でき
る。
An array 4 of image detection units is used in this example.
Is 4 rows × 4 at regular intervals so as to cover the entire area of the wafer 13.
A plurality of image detection units U arranged in a row11, U12,
…, U44Consists of Each image detection unit Uij(I
= 1 to 4 and j = 1 to 4), as shown in FIG.
Areas in the wafer 13 where the detection units face each other
Area AijIn the field of view, the area AijSignal representing the image of
Is output. In this example, each image detection
Unit UijArea A served byijIs one to several
It is a square area including the gap area 31. like this
And the image detection unit U11, U12, ..., U444 rows x 4
Each image detection unit U is arranged in a row.ijArea divided
AijImage is detected, so one area
Compared to detecting the image of the whole area of the wafer with the
To increase the resolution four times (n times if n rows x n columns).
And the inspection accuracy can be improved. Also,
A plurality of images arranged side by side so as to cover the entire area of C13
Detection unit U11, U12, ..., U 44By whole wafer
No scanning need be performed because the image of (1) is obtained. But
As a result, the inspection time can be reduced as compared with the case where scanning is performed.
You.

【0024】図1中の各画像検出ユニットUijが出力し
た画像信号は、処理手段としてのコントローラ2に入力
される。詳しくは後述するが、コントローラ2は、各画
像検出ユニットUijが出力した画像信号に基づいて、ウ
エハ13の各区域Aij毎の外観判定を並列に実行して、
その判定結果を表示部3に表示させる。
[0024] Each image detection unit image signals U ij is output in FIG. 1, is input to the controller 2 as a processing unit. As will be described in detail later, the controller 2 executes the appearance determination for each area A ij of the wafer 13 in parallel based on the image signal output by each image detection unit U ij ,
The result of the determination is displayed on the display unit 3.

【0025】コントローラ2は、図3に示すように、各
画像検出ユニットUijに対応して設けられた検出画像メ
モリMSijおよび基準画像メモリMRijと、検出画像メ
モリMSijと基準画像メモリMRijとの対にそれぞれ対
応して設けられ、それらに格納された画像同士を比較す
る比較部CMijと、各比較部CMijの比較結果に基づい
て外観の良否を判定する判定部41を備えている。ま
た、複数の画像検出ユニットU11,U12,…,U44の出
力信号に基づいてウエハ13の各区域Aij内で共通の基
準となる基準ショットイメージ(画像)を作成する基準
画像作成部42と、それらの画像検出ユニットU11,U
12,…,U44の出力信号に基づいてウエハ13の方向を
調整するためのウエハ方向制御部43と、この自動マク
ロ外観検査装置1全体の動作を制御する制御部40を備
えている。なお、ウエハ方向制御部43は、ステージ駆
動機構9とともにウエハ方向調整手段として働くだけで
なく、ウエハ載置面内でのウエハ13の位置(XY座
標)を求めるウエハ位置認識手段としても働く。
As shown in FIG. 3, the controller 2 includes a detected image memory MS ij and a reference image memory MR ij provided corresponding to each image detecting unit U ij , a detected image memory MS ij and a reference image memory MR A comparison unit CM ij is provided corresponding to each pair of ij and compares the images stored therein, and a determination unit 41 that determines the quality of the appearance based on the comparison result of each comparison unit CM ij. ing. Further, a plurality of image detection unit U 11, U 12, ..., the reference image creation unit that creates a reference shot image as a common reference in each region A ij of the wafer 13 (image) based on the output signal of the U 44 42 and their image detection units U 11 , U
12, ..., and a wafer direction control unit 43 for adjusting the direction of the wafer 13 based on the output signal of U 44, a control unit 40 for controlling the automatic macro inspection system 1 overall operation. The wafer direction control unit 43 functions not only as a wafer direction adjusting unit together with the stage driving mechanism 9 but also as a wafer position recognizing unit for obtaining the position (XY coordinates) of the wafer 13 on the wafer mounting surface.

【0026】この自動マクロ外観検査装置1によるマク
ロ外観検査の手順を、図4に示すフローに基づいて説明
する。なお、ステージ12の中心と各画像検出ユニット
ijとの位置関係は、取り込まれた画像に基づいて予め
計測されているものとする。
The procedure of the macro appearance inspection by the automatic macro appearance inspection apparatus 1 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. It is assumed that the positional relationship between the center of the stage 12 and each image detection unit Uij has been measured in advance based on the captured image.

【0027】i)まず図2(a)に示すように、図示し
ないウエハ搬送ロボット等によりウエハカセットからウ
エハ13が搬送されてステージ12上に載置される。こ
の時点で、ウエハ13のウエハ載置面内での位置(XY
座標)は或る程度の範囲内に収まっていると考えられる
が、ウエハ13の方向はウエハ載置面内であらゆる方向
を向いている可能性があり、そのままでは外観検査が容
易ではない。そこで、ウエハ方向制御部43が、ウエハ
13の周辺区域に対向する画像検出ユニットの出力信号
に基づいて、ウエハ13の方位を表すオリフラまたはv
ノッチ22を検出する(図4のS1)。続いて、ウエハ
方向制御部43は、回転補正のかけられるパターンマッ
チング技法によって、画像検出ユニットU11,U12
…,U44の配列方向に対してウエハ13の方位を合わせ
るように、ステージ駆動機構を制御してステージ12を
中心軸の周り(θ方向)に回転させる。そして、オリフ
ラまたはvノッチ22を0度、90度、180度もしく
は270度の角度位置(図2(b)に示す例では270
度の角度位置)に移動させて、外観検査が容易になるよ
うに、画像検出ユニットU11,U12,…,U44の配列方
向とウエハ13のパターンの配列方向とを対応させる
(S2)。これとともに、回転による移動後のウエハ中
心のXY座標を求める。
I) First, as shown in FIG. 2A, a wafer 13 is transferred from a wafer cassette by a wafer transfer robot or the like (not shown) and placed on the stage 12. At this point, the position (XY) of the wafer 13 on the wafer mounting surface
(Coordinates) are considered to be within a certain range, but the direction of the wafer 13 may be in any direction on the wafer mounting surface, and the appearance inspection is not easy as it is. Then, based on the output signal of the image detection unit facing the peripheral area of the wafer 13, the wafer direction controller 43 sets the orientation flat or v
The notch 22 is detected (S1 in FIG. 4). Subsequently, the wafer direction control unit 43 performs image detection units U 11 , U 12 ,
..., to match the orientation of the wafer 13 with respect to the arrangement direction of the U 44, it is rotated around the central axis stage 12 controls the stage driving mechanism (theta direction). Then, the orientation flat or the v-notch 22 is set at an angular position of 0 degree, 90 degrees, 180 degrees or 270 degrees (270 degrees in the example shown in FIG.
Is moved to the angular position) of the time, so that visual inspection is facilitated, image detection unit U 11, U 12, ..., to correspond to the arrangement direction of the pattern of the array direction of the wafer 13 of the U 44 (S2) . At the same time, the XY coordinates of the center of the wafer after the movement by rotation are obtained.

【0028】詳しくは、ウエハ方向制御部43は、まず
ウエハ13の周辺区域に対向する画像検出ユニットの出
力信号に基づいて、図2(a)中に示すウエハエッジ1
3a,13b,13c,13dを検出する。そして、ス
テージ12の中心OのXY座標を基準(0,0)とし
て、ウエハ中心21のXY座標を求める。すなわち、ウ
エハ左端13aのX座標をX1、ウエハ右端13bのX
座標をX2とし、ウエハ下端13cのY座標をY1、ウエ
ハ上端13dのY座標をY2とすると、ウエハ中心21
のXY座標(X3,Y3)は、 X3=(X1+X2)/2 Y3=(Y1+Y2)/2 …(1) と求められる。このとき、検出されたオリフラまたはv
ノッチ(の中心)22のXY座標を(X4,Y4)とする
と、ウエハ中心21からオリフラまたはvノッチ22に
至るベクトル23のXY成分は(X4−X3,Y4−Y3
で表される。
More specifically, the wafer direction control unit 43 first determines the wafer edge 1 shown in FIG. 2A based on the output signal of the image detection unit facing the peripheral area of the wafer 13.
3a, 13b, 13c and 13d are detected. Then, the XY coordinates of the center 21 of the wafer are determined using the XY coordinates of the center O of the stage 12 as a reference (0, 0). That is, the X coordinate of the left end 13a of the wafer is X 1 , and the X coordinate of the right end 13b of the wafer is X.
Assuming that the coordinate is X 2 , the Y coordinate of the lower end 13 c of the wafer is Y 1 , and the Y coordinate of the upper end 13 d of the wafer is Y 2 ,
XY coordinates (X 3 , Y 3 ) are obtained as follows: X 3 = (X 1 + X 2 ) / 2 Y 3 = (Y 1 + Y 2 ) / 2 (1) At this time, the detected orientation flat or v
Assuming that the XY coordinates of the notch (center) 22 are (X 4 , Y 4 ), the XY components of the vector 23 from the wafer center 21 to the orientation flat or the v notch 22 are (X 4 −X 3 , Y 4 −Y 3 ).
It is represented by

【0029】外観検査を容易にするための回転による移
動後(図2(b))において、ウエハ中心21′からオ
リフラまたはvノッチ22′に至るベクトル23′のX
Y成分を(X5,Y5)とする。回転前のベクトル23と
回転後のベクトル23′が単位ベクトル(1,0)とな
す角度をそれぞれθ4、θ5とすると、これらのθ4、θ5
は次式(2)、(3)で表される。
After the movement by rotation for facilitating the visual inspection (FIG. 2B), the X of the vector 23 'from the wafer center 21' to the orientation flat or the notch 22 'is obtained.
Let the Y component be (X 5 , Y 5 ). Assuming that the angles formed by the vector 23 before rotation and the vector 23 'after rotation with the unit vector (1, 0) are θ 4 and θ 5 , respectively, these θ 4 and θ 5
Is represented by the following equations (2) and (3).

【0030】 θ4=arctan(Y4−Y3)/(X4−X3) …(2) 但し、X4−X3=0かつ(Y4−Y3)>0のときはθ4
=90度、X4−X3=0かつ(Y4−Y3)<0のときは
θ4=270度とする。
Θ 4 = arctan (Y 4 −Y 3 ) / (X 4 −X 3 ) (2) However, when X 4 −X 3 = 0 and (Y 4 −Y 3 )> 0, θ 4 is satisfied.
= 90 degrees, when X 4 −X 3 = 0 and (Y 4 −Y 3 ) <0, θ 4 = 270 degrees.

【0031】 θ5=arctan(Y5/X5) …(3) 但し、X5=0かつY5>0のときはθ5=90度、X5
0かつY5<0のときはθ5=270度とする。
Θ 5 = arctan (Y 5 / X 5 ) (3) However, when X 5 = 0 and Y 5 > 0, θ 5 = 90 degrees and X 5 =
When 0 and Y 5 <0, θ 5 = 270 degrees.

【0032】したがって、式(2)、(3)から、ステ
ージ12を中心軸の周りに回転すべき角度θ6は、 θ6=θ5−θ4 …(4) と求められる。
Therefore, from the equations (2) and (3), the angle θ 6 at which the stage 12 should be rotated around the central axis is obtained as follows: θ 6 = θ 5 −θ 4 (4)

【0033】また、回転後のウエハ中心21′のXY座
標(X6,Y6)は、 X6=cosθ6−sinθ66=sinθ6+cosθ6 …(5) と求められる。
The XY coordinates (X 6 , Y 6 ) of the rotated wafer center 21 ′ are obtained as follows: X 6 = cos θ 6 −sin θ 6 Y 6 = sin θ 6 + cos θ 6 (5)

【0034】ii)次に、各画像検出ユニットUijが視野
に入れて受け持つ区域Aij内で、チップの画像同士を比
較して、ウエハ13の傷やチップの一部分に存在する局
所的な色むらの有無を検査する(図4のS3)。
Ii) Next, in the area A ij which each image detecting unit U ij covers in the field of view, the images of the chips are compared with each other, and the local color existing in the scratches on the wafer 13 or a part of the chips is compared. The presence or absence of unevenness is inspected (S3 in FIG. 4).

【0035】具体的には、各検出画像メモリMSijは、
対応する画像検出ユニットUijが出力した画像信号を受
けて、ウエハ13内でその検出ユニットUijが対向する
区域Aijの画像を記憶する。そして、判定部41が、各
検出画像メモリMSijに記憶された画像毎に画像データ
を受けて、並列に処理し、予め定められた判定基準(許
容される傷の大きさや個数などを定める)に基づいて良
否を判定する(S4)。この段階でウエハ13の外観が
不良「NG」であると判定したときは、その判定結果
「NG」を表示部3に表示して(S10)、外観検査を
終了する。
Specifically, each detected image memory MS ij is
Upon receiving the image signal output from the corresponding image detection unit U ij , the image of the area A ij facing the detection unit U ij in the wafer 13 is stored. Then, the determination unit 41 receives the image data for each image stored in each detected image memory MS ij , processes the image data in parallel, and determines a predetermined determination criterion (determines an allowable size and number of flaws). Pass / Fail is determined based on (S4). If it is determined at this stage that the appearance of the wafer 13 is defective "NG", the result of the determination is displayed on the display unit 3 (S10), and the appearance inspection ends.

【0036】iii)一方、判定部41がこの段階でウエ
ハ13の外観が良「OK」であると判定したときは(S
4)、複数のチップ領域31にまたがって比較的なだら
かに変化するような色むらの有無を判定するために、基
準画像作成部42が、全ての画像検出ユニットU11,U
12,…,U44の出力信号を合成して、ウエハ13の各区
域Aij内で共通の基準となる基準ショットイメージ(図
5(b)中に符号32で模式的に示す)を作成する(S
5)。この例では、基準ショットイメージ32として、
1つのチップ領域31の画像を作成する。このとき、基
準ショットイメージ32を精度良く作成するために、画
像検出ユニット間での倍率の調整を厳密に行う。
Iii) On the other hand, if the judgment section 41 judges that the appearance of the wafer 13 is good at this stage, it is determined (S)
4) In order to determine the presence or absence of color unevenness that changes comparatively gently across a plurality of chip areas 31, the reference image creation unit 42 uses all the image detection units U 11 and U 11
12, ..., and combining the output signal of U 44, to create a common reference becomes a reference shot images within each zone A ij of the wafer 13 (shown schematically by reference numeral 32 in FIG. 5 (b)) (S
5). In this example, as the reference shot image 32,
An image of one chip area 31 is created. At this time, in order to accurately create the reference shot image 32, the magnification between the image detection units is strictly adjusted.

【0037】iv)続いて、基準画像作成部42は、予め
計測されている各画像検出ユニットUijのXY座標とウ
エハ方向制御部43が求めたウエハ中心21′のXY座
標(X6,Y6)との相対的な位置関係に応じて、基準シ
ョットイメージ32の全部または一部を適宜コピーし
て、各画像検出ユニットUijの視野に映るべき仮想画像
IRij(図5(d)参照)をそれぞれ作成する(S
6)。分かりやすく言えば、この仮想画像IRijとは、
ウエハ13上のパターン配列に応じて基準ショットイメ
ージ32を仮想平面上に複数並べて配列し、その配列を
各画像検出ユニットU ijが受け持つ区画に応じて分割し
たようなものであると想定される。そして、図5(c)
に示すように、作成した各仮想画像IRijを、それぞれ
対応する基準画像メモリMRijに分配して記憶させる。
Iv) Subsequently, the reference image creating section 42
Each image detection unit U being measuredijXY coordinates and c
The XY coordinates of the wafer center 21 'obtained by the EHA direction control unit 43
Mark (X6, Y6), Depending on the relative position
Copy all or part of the jet image 32 as appropriate
And each image detection unit UijVirtual image to be reflected in the field of view
IRij(See FIG. 5D).
6). Put simply, this virtual image IRijIs
Reference shot image according to pattern arrangement on wafer 13
Pages 32 are arranged and arranged on a virtual plane, and the array is
Each image detection unit U ijDivided according to the division
It is assumed that Then, FIG.
As shown in FIG.ijAnd
Corresponding reference image memory MRijAnd store it.

【0038】これらの仮想画像IRijを作成して基準画
像メモリMRijに分配する処理は、各基準画像メモリM
ij毎に並列に実行することができる。
The process of creating these virtual images IR ij and distributing them to the reference image memory MR ij is performed in each reference image memory M
It can be executed in parallel for each R ij .

【0039】v)次に、各比較部CMijがそれぞれ、基
準画像メモリMRijに格納された仮想画像IRij(図5
(d)に示す)と、それに対応する検出画像メモリMS
ijに格納された実際に検出された画像ISij(図5
(e)に示す)とを比較する(S7)。これにより、複
数のチップ領域31にまたがって比較的なだらかに変化
するような色むらの有無を容易に検出できる。この比較
処理は、各比較部CMij毎に並列に実行することができ
る。
[0039] v) Then, the virtual image IR ij for each comparison unit CM ij are stored respectively in the reference image memory MR ij (Figure 5
(D), and the corresponding detected image memory MS
The actually detected image IS ij stored in ij (FIG. 5)
(E) is compared (S7). This makes it possible to easily detect the presence or absence of color unevenness that changes relatively gently across the plurality of chip regions 31. This comparison process can be executed in parallel for each comparison unit CM ij .

【0040】なお、この段階では色むらの有無のみを検
出することとし、画像検出ユニット間の倍率設定の誤差
により生じるエッジ部の疑似欠陥は検出しないようにす
る。
At this stage, only the presence or absence of color unevenness is detected, and a pseudo defect at an edge portion caused by an error in the magnification setting between image detection units is not detected.

【0041】vi)この後、判定部41が、各比較部CM
ijの比較結果を受けて、予め定められた判定基準(許容
される色相の差、濃淡の差などを定める)に基づいて、
判定部41が良否を判定する(図4のS8)。この段階
でウエハ13の外観が不良「NG」であると判定したと
きは、その判定結果「NG」を表示部3に表示して(S
10)、外観検査を終了する。一方、判定部41がこの
段階でウエハ13の外観が良「OK」であると判定した
ときは、その判定結果「OK」を表示部3に表示して
(S9)、外観検査を終了する。
Vi) Thereafter, the judgment unit 41 determines whether each of the comparison units CM
Based on the comparison result of ij , based on a predetermined criterion (determining allowable hue difference, shading difference, etc.)
The determination unit 41 determines the quality (S8 in FIG. 4). At this stage, when it is determined that the appearance of the wafer 13 is defective “NG”, the determination result “NG” is displayed on the display unit 3 (S
10) End the appearance inspection. On the other hand, if the determination unit 41 determines that the appearance of the wafer 13 is good at this stage, the result of the determination is displayed on the display unit 3 (S9), and the appearance inspection ends.

【0042】このように、ウエハ全域の画像を4行×4
列に並べて配列された画像検出ユニットU11,U12
…,U44によって区分して並列に取り込み、画像検出ユ
ニットU11,U12,…,U44に応じた数(4×4=16
個)の比較部CM11,CM12,…,CM44で並列に比較
処理を実行するので、1つのエリアセンサで検出したウ
エハ全域の画像データをそのまま処理する場合に比し
て、処理速度を16倍(比較部がn×n個のときはn2
倍)に高めることができ、その分だけ検査時間を短縮で
きる。
As described above, the image of the entire wafer is divided into 4 rows × 4
The image detection units U 11 , U 12 ,
..., parallel to the uptake divided by U 44, image detection unit U 11, U 12, ..., the number corresponding to U 44 (4 × 4 = 16
), The comparison processing is performed in parallel by the comparison units CM 11 , CM 12 ,..., CM 44 , so that the processing speed can be reduced as compared with the case where the image data of the entire wafer detected by one area sensor is directly processed. 16 times (when the number of comparison units is n × n, n 2
Times), and the inspection time can be shortened accordingly.

【0043】また、この自動マクロ外観検査装置1で
は、ウエハ全域の画像を4行×4列に並べて配列された
画像検出ユニットU11,U12,…,U44によって区分し
て並列に取り込むので、走査を行う必要がなく、ステー
ジ12を高精度で移動させる機構等を設ける必要がな
い。しかも、ウエハ方向制御部43が、ウエハ方向の調
整を画像検出ユニットの出力信号に基づいて行うので、
ウエハ13の方位を検出するための特別な機構等を別途
設ける必要がない。さらに、ウエハ方向制御部43が、
回転による移動後のウエハ中心のXY座標を画像検出ユ
ニットの出力信号に基づいて求めるので、XY方向にウ
エハ13を位置合わせするための機構等を別途設ける必
要がない。結局、ウエハ13を移動させるための機構と
しては、ステージ12を中心軸の周りに回転させるステ
ージ駆動機構9のみを設ければ良い。したがって、この
自動マクロ外観検査装置1を簡素で安価に構成できる。
Further, in the automatic macro visual inspection apparatus 1, the images of the entire wafer are divided and taken in parallel by the image detection units U 11 , U 12 ,..., U 44 arranged in 4 rows × 4 columns. It is not necessary to perform scanning, and it is not necessary to provide a mechanism for moving the stage 12 with high accuracy. Moreover, since the wafer direction controller 43 adjusts the wafer direction based on the output signal of the image detection unit,
There is no need to separately provide a special mechanism or the like for detecting the orientation of the wafer 13. Further, the wafer direction control unit 43
Since the XY coordinates of the center of the wafer after the movement by rotation are obtained based on the output signal of the image detection unit, there is no need to separately provide a mechanism or the like for aligning the wafer 13 in the XY directions. After all, as a mechanism for moving the wafer 13, only the stage driving mechanism 9 for rotating the stage 12 around the central axis may be provided. Therefore, the automatic macro appearance inspection apparatus 1 can be configured simply and inexpensively.

【0044】なお、画像検出ユニットを複数個備えるこ
とによる価格上昇が懸念されるが、その問題は、量産効
果のでやすい機能限定の画像検出ユニットを用いること
により解決する。これにより、ラインセンサを複数並列
で処理する装置や、解像度の高いラインセンサを使う装
置に比して、価格を数分の1に抑えることができる。
There is a concern that the price may increase due to the provision of a plurality of image detection units. This problem can be solved by using an image detection unit having a limited function, which is easy to produce. As a result, the price can be reduced to a fraction of that of a device that processes a plurality of line sensors in parallel or a device that uses a high-resolution line sensor.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の自
動マクロ外観検査装置では、複数の画像検出ユニットが
それぞれウエハ内のその検出ユニットが対向する区域の
画像を表す信号を出力するので、1つのエリアセンサで
ウエハ全域を同時に観察する場合に比して、分解能を上
げて、検査精度を高めることができる。
As is clear from the above, in the automatic macro appearance inspection apparatus of the present invention, a plurality of image detection units each output a signal representing an image of an area of the wafer facing the detection unit. Compared with the case where the entire area of the wafer is simultaneously observed with one area sensor, the resolution can be increased and the inspection accuracy can be increased.

【0046】また、各区域についての画像データサイズ
はウエハ全域の画像データサイズに比して小さいから、
処理手段が上記ウエハの各区域毎の外観判定を並列に実
行することによって、1つのエリアセンサでウエハ全域
を同時に観察する場合に比して、検査時間を短縮でき
る。また、ウエハの全域を覆うように並べて配列された
複数の画像検出ユニットによってウエハ全域の画像が同
時に得られるので、走査を行う必要がない。したがっ
て、走査を行う場合に比して、検査時間を短縮できる。
Further, since the image data size for each area is smaller than the image data size for the entire wafer,
Since the processing means executes the appearance determination for each area of the wafer in parallel, the inspection time can be reduced as compared with a case where the entire area of the wafer is simultaneously observed by one area sensor. In addition, since a plurality of image detection units arranged side by side so as to cover the entire area of the wafer can simultaneously obtain an image of the entire area of the wafer, there is no need to perform scanning. Therefore, the inspection time can be reduced as compared with the case where scanning is performed.

【0047】また、走査を行う必要がないので、ウエハ
が載置されたステージを高精度で移動させる機構等を設
ける必要がない。したがって、この自動マクロ外観検査
装置は、簡素で安価に構成できる。
Further, since there is no need to perform scanning, there is no need to provide a mechanism for moving the stage on which the wafer is mounted with high accuracy. Therefore, this automatic macro appearance inspection apparatus can be configured simply and inexpensively.

【0048】一実施形態の自動マクロ外観検査装置で
は、ウエハ方向調整手段が、ウエハの方位を表すオリフ
ラまたはvノッチを検出して、画像検出ユニットの配列
方向に対して上記ウエハの方位を合わせるように、ステ
ージをウエハ載置面に垂直な中心軸の周り(θ方向)に
回転させるので、画像検出ユニットの配列方向と上記ウ
エハのパターンの配列方向とを対応させることができ、
マクロ外観検査を容易に行うことができる。しかも、ウ
エハ方向調整手段は、そのようなウエハ方向の調整を、
画像検出ユニットの出力信号に基づいて行うので、ウエ
ハの方位を検出するための特別な機構等を別途設ける必
要がない。したがって、この自動マクロ外観検査装置
は、さらに簡素で安価に構成できる。
In one embodiment of the automatic macro visual inspection apparatus, the wafer direction adjusting means detects an orientation flat or a v-notch indicating the orientation of the wafer and adjusts the orientation of the wafer to the arrangement direction of the image detection units. In addition, since the stage is rotated around the central axis (θ direction) perpendicular to the wafer mounting surface, the arrangement direction of the image detection units can correspond to the arrangement direction of the wafer pattern.
Macro appearance inspection can be easily performed. Moreover, the wafer direction adjusting means performs such adjustment of the wafer direction.
Since the detection is performed based on the output signal of the image detection unit, it is not necessary to separately provide a special mechanism for detecting the orientation of the wafer. Therefore, this automatic macro appearance inspection apparatus can be configured more simply and at lower cost.

【0049】また、一実施形態の自動マクロ外観検査装
置では、ウエハ位置認識手段は、上記画像検出ユニット
の出力信号に基づいて、上記ウエハの上記ウエハ載置面
内での位置(XY座標)を求める。したがって、上記処
理手段は、上記ウエハの各区域毎の外観判定を、上記画
像検出ユニットの配列に対する上記ウエハ載置面に沿っ
た方向の上記ウエハの位置ずれ量(XY方向のずれ量)
を加味して行うことができる。このようにした場合、上
記ウエハ載置面に沿った方向(XY方向)に関して上記
画像検出ユニットの配列と上記ウエハとを位置合わせを
する必要がない。したがって、上記ウエハ載置面に沿っ
た方向(XY方向)にウエハを位置合わせするための機
構等を別途設ける必要がなく、この自動マクロ外観検査
装置は、さらに簡素で安価に構成される。
In one embodiment of the present invention, the wafer position recognizing means determines the position (XY coordinates) of the wafer on the wafer mounting surface based on the output signal of the image detection unit. Ask. Therefore, the processing means determines the appearance of each area of the wafer by determining the amount of displacement of the wafer in the direction along the wafer mounting surface with respect to the arrangement of the image detection units (the amount of displacement in the XY directions).
Can be performed in consideration of In this case, it is not necessary to align the arrangement of the image detection units and the wafer with respect to the direction (XY directions) along the wafer mounting surface. Therefore, there is no need to separately provide a mechanism or the like for aligning the wafer in the direction (XY directions) along the wafer mounting surface, and the automatic macro appearance inspection apparatus is configured more simply and at lower cost.

【0050】また、一実施形態の自動マクロ外観検査装
置では、上記処理手段は、複数の画像検出ユニットの出
力信号に基づいて上記ウエハの各区域内で共通の基準と
なるショット画像を作成し、このショット画像と各画像
検出ユニットが出力した各区域内の画像とをそれぞれ比
較するので、複数のチップ領域にまたがって比較的なだ
らかに変化するような色むらを容易に検出でき、検出精
度をさらに高めることができる。
In one embodiment of the present invention, the processing means creates a shot image serving as a common reference in each area of the wafer based on output signals of a plurality of image detection units. Since this shot image is compared with the image in each area output by each image detection unit, it is possible to easily detect color unevenness that changes relatively gently across a plurality of chip areas, further improving the detection accuracy. Can be enhanced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の一実施形態の自動マクロ外観検査
装置の外観構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an external configuration of an automatic macro visual inspection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】 ステージ上に搬送された時点のウエハと、回
転による移動後のウエハとを示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a wafer at the time of being transferred onto a stage and a wafer after being moved by rotation.

【図3】 上記自動マクロ外観検査装置のブロック構成
を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a block configuration of the automatic macro visual inspection device.

【図4】 上記自動マクロ外観検査装置によるマクロ外
観検査の処理フローを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a processing flow of macro appearance inspection by the automatic macro appearance inspection apparatus.

【図5】 合成された基準ショットイメージと、基準画
像メモリに格納された仮想画像IRijと、検出画像メモ
リに格納された実際に検出された画像ISijとを例示す
る図である。
FIG. 5 is a diagram exemplifying a synthesized reference shot image, a virtual image IR ij stored in a reference image memory, and an actually detected image IS ij stored in a detected image memory.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 コントローラ 3 表示部 12 ステージ 13 ウエハ U11,U12,…,U44 画像検出ユニット2 Controller 3 display unit 12 the stage 13 wafer U 11, U 12, ..., U 44 image detection unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G051 AA51 AB02 AB20 CA03 CA04 CA07 DA08 EA11 EA14 EA19 EB09 FA01 4M106 AA01 AA10 CA38 CA55 DB04 DB21 DJ06 DJ07 DJ17 DJ18 DJ20 DJ24 DJ32  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2G051 AA51 AB02 AB20 CA03 CA04 CA07 DA08 EA11 EA14 EA19 EB09 FA01 4M106 AA01 AA10 CA38 CA55 DB04 DB21 DJ06 DJ07 DJ17 DJ18 DJ20 DJ24 DJ32

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエハが載置されるステージと、 上記ステージに対向して、上記ウエハの全域を覆うよう
に並べて配列された複数の画像検出ユニットを備え、 上記各画像検出ユニットは、それぞれ上記ウエハ内のそ
の検出ユニットが対向する区域を視野に入れて、その区
域の画像を表す信号を出力するようになっており、 上記各画像検出ユニットが出力した画像信号に基づい
て、上記ウエハの各区域毎の外観判定を並列に実行する
処理手段を備えたことを特徴とする自動マクロ外観検査
装置。
A stage on which a wafer is mounted; and a plurality of image detection units arranged side by side to face the stage so as to cover the entire area of the wafer. A signal representing an image of the area is output in view of the area in the wafer that the detection unit faces, and based on the image signal output by each of the image detection units, An automatic macro visual inspection device comprising processing means for executing a visual determination for each area in parallel.
【請求項2】 請求項1に記載の自動マクロ外観検査装
置において、 上記ステージは、このステージのウエハ載置面に垂直な
中心軸の周りに回転可能になっており、 上記画像検出ユニットの出力信号に基づいて、上記ウエ
ハの方位を表すオリフラまたはvノッチを検出して、上
記画像検出ユニットの配列方向に対して上記ウエハの方
位を合わせるように上記ステージを上記中心軸の周りに
回転させるウエハ方向調整手段を備えたことを特徴とす
る自動マクロ外観検査装置。
2. The automatic macro visual inspection device according to claim 1, wherein the stage is rotatable around a central axis perpendicular to a wafer mounting surface of the stage. Based on the signal, an orientation flat or v-notch representing the orientation of the wafer is detected, and the stage is rotated around the central axis so that the orientation of the wafer is aligned with the arrangement direction of the image detection unit. An automatic macro visual inspection device comprising a direction adjusting means.
【請求項3】 請求項1または2に記載の自動マクロ外
観検査装置において、 上記画像検出ユニットの出力信号に基づいて、上記ウエ
ハの上記ウエハ載置面内での位置を求めるウエハ位置認
識手段を備えたことを特徴とする自動マクロ外観検査装
置。
3. The automatic macro appearance inspection apparatus according to claim 1, wherein a wafer position recognizing means for obtaining a position of the wafer on the wafer mounting surface based on an output signal of the image detection unit is provided. An automatic macro visual inspection device, comprising:
【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか一つに記載の
自動マクロ外観検査装置において、 上記処理手段は、複数の画像検出ユニットの出力信号に
基づいて上記ウエハの各区域内で共通の基準となるショ
ット画像を作成し、このショット画像と各画像検出ユニ
ットが出力した各区域内の画像とをそれぞれ比較するこ
とを特徴とする自動マクロ外観検査装置。
4. The automatic macro appearance inspection apparatus according to claim 1, wherein the processing unit is configured to generate a common macro image in each area of the wafer based on output signals of a plurality of image detection units. An automatic macro visual inspection apparatus, which creates a reference shot image and compares the shot image with the image in each area output by each image detection unit.
JP27417599A 1999-09-28 1999-09-28 Automatic macro-appearance inspecting device Pending JP2001099788A (en)

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