JP2001092098A - Method for processing heat developable photosensitive material - Google Patents

Method for processing heat developable photosensitive material

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JP2001092098A
JP2001092098A JP26709299A JP26709299A JP2001092098A JP 2001092098 A JP2001092098 A JP 2001092098A JP 26709299 A JP26709299 A JP 26709299A JP 26709299 A JP26709299 A JP 26709299A JP 2001092098 A JP2001092098 A JP 2001092098A
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JP
Japan
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group
processing
photothermographic material
section
temperature
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JP26709299A
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Japanese (ja)
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Ryoji Hattori
良司 服部
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Konica Minolta Inc
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Konica Minolta Inc
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Publication date
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  • Photographic Developing Apparatuses (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problems of uneven development, low image reproducibility and transport failure due to a change of heat transfer coefficient and the inflow of air when a heat developable photosensitive material is processed. SOLUTION: A heat developable photosensitive material containing photosensitive silver halide, an organic silver salt, a reducing agent for silver ions, a contrast enhancer and a binder is processed with a heat developing device in which the void ratio (the ratio of the internal void volume (cm3) of a heating part to the internal volume (cm3) of the heating part) is in the range of 0.002-0.3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、熱伝達率の変化や
空気の流れ込みに伴う、現像ムラ、画像再現性、搬送不
良の問題が改善された熱現像感光材料の処理方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for processing a photothermographic material in which the problems of uneven development, image reproducibility, and poor conveyance due to a change in heat transfer coefficient or air flow are improved.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来印刷製版や医療の分野では、画像形
成材料の湿式処理に伴う廃液が、作業性の上で問題とな
っており、近年では環境保全、省スペースの観点からも
処理廃液の減量が強く望まれている。そこで、レーザー
・イメージセッターやレーザー・イメージャーにより効
率的な露光が可能で、高解像度で鮮明な黒色画像を形成
することができる写真技術用途の光熱写真材料に関する
技術が必要とされている。この技術として、例えば、米
国特許第3,152,904号、同3,487,075
号及びD.モーガン(Morgan)による「ドライシ
ルバー写真材料(Dry Silver Photog
raphic Materials)」(Handbo
ok of Imaging Materials,M
arcelDekker,Inc.第48頁,199
1)等に記載されているように、支持体上に有機銀塩、
感光性ハロゲン化銀粒子、還元剤及びバインダーを含有
する熱現像材料が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the field of printing plate making and medical treatment, waste liquids caused by wet processing of image forming materials have become a problem in terms of workability. Weight loss is strongly desired. Therefore, there is a need for a technique relating to photothermographic materials for photographic technology, which enables efficient exposure with a laser imagesetter or laser imager and can form a high-resolution, clear black image. As this technique, for example, US Pat. Nos. 3,152,904 and 3,487,075
And D. "Dry Silver Photog" by Morgan
graphic Materials) "(Handbo
ok of Imaging Materials, M
arcelDekker, Inc. 48, 199
As described in 1) etc., an organic silver salt on a support,
Thermal developing materials containing photosensitive silver halide grains, a reducing agent and a binder are known.

【0003】これらの熱現像材料は常温で安定である
が、露光後高温(例えば、80℃〜140℃)に加熱す
ることで現像される。即ち、加熱することで有機銀塩
(酸化剤として機能する)と還元剤との間の酸化還元反
応を通じて銀を生成する。
[0003] These heat-developable materials are stable at room temperature, but are developed by heating to a high temperature (for example, 80 ° C to 140 ° C) after exposure. That is, heating produces silver through an oxidation-reduction reaction between an organic silver salt (functioning as an oxidizing agent) and a reducing agent.

【0004】熱現像する際の従来の自動熱現像機として
特開平08−211547号には、100〜150℃で
現像する熱現像画像形成方法が、特開平09−2926
95号には、医用画像を120±10℃の加熱温度、±
3℃の幅方向精度及び5〜30秒の現像時間で処理する
方法が、それぞれ開示されている。特開平09−297
386号、同09−297385号、同09−2973
84号にはヒータードラムの外周面温度を制御する方法
が開示されている。また特公表10−500496号に
はドラム加熱によって現像する方法が、同10−500
497号には複数のローラーで加熱し現像する方法が、
同10−500506号には電気的に加熱された回転可
能なドラムの温度制御装置及び円筒形ドラムの表面の温
度を検知し温度信号を出す装置が、それぞれ開示されて
いる。
As a conventional automatic thermal developing machine for thermal development, Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-211547 discloses a heat-developed image forming method for developing at 100 to 150 ° C.
No. 95 has a medical image with a heating temperature of 120 ± 10 ° C., ±
Methods of processing with a 3 ° C. width accuracy and a development time of 5 to 30 seconds, respectively, are disclosed. JP-A-09-297
Nos. 386, 09-297385 and 09-2973
No. 84 discloses a method for controlling the outer peripheral surface temperature of a heater drum. Japanese Patent Publication No. 10-500496 discloses a method of developing by heating a drum.
No. 497 describes a method of heating and developing with multiple rollers.
No. 10-500506 discloses a device for controlling the temperature of an electrically heated rotatable drum and a device for detecting the temperature of the surface of a cylindrical drum and outputting a temperature signal.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところでヒドラジン誘
導体や4級オニウム塩の様な硬調化剤を含有する熱現像
感光材料は、熱現像処理装置の熱現像部内で空気の微妙
な流れがあると感光材料自身の熱伝達率が変化し、現像
ムラが生じたり、画像再現性が大きく変化してしまう問
題がある。また熱現像処理装置の加熱部の空隙率が大き
いとそこに空気が流れ込みフィルムの先端等が暴れ搬送
不良を起こすこともしばしばある。
A photothermographic material containing a high contrast agent such as a hydrazine derivative or a quaternary onium salt is exposed to light when there is a delicate flow of air in the heat development section of a heat development processor. There is a problem in that the heat transfer coefficient of the material itself changes, causing uneven development and a large change in image reproducibility. If the porosity of the heating section of the heat development processing apparatus is large, air often flows into the heating section, and the leading end of the film or the like becomes violent, which often causes transport failure.

【0006】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、熱現像感光材料を処理するにあた
り、熱伝達率の変化や空気の流れ込みに伴う、現像ム
ラ、画像再現性、搬送不良の問題を解消することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object the object of processing a photothermographic material by developing unevenness, image reproducibility, and the like due to a change in heat transfer coefficient and air flow. An object of the present invention is to solve the problem of poor conveyance.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、 感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオン用還元
剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料
を処理するにあたり、加熱部内の空隙率(=加熱部内の
空隙体積(cm3)/加熱部内の体積(cm3))が0.
002〜0.3の範囲である熱現像処理装置を用いる熱
現像感光材料の処理方法、熱現像処理装置の加熱部の温
度が100℃〜150℃の範囲であること、 感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオン用還元
剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料
を処理するにあたり、110℃〜150℃の範囲である
現像部と、該現像部の温度より5℃以上低い温度範囲の
プレヒート部を有する熱現像処理装置を用いる熱現像感
光材料の処理方法、現像部とプレヒート部を有する加熱
部内の空隙率に対する現像部内の空隙率が0.006〜
1.8であること、 感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオン用還元
剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料
を処理するにあたり、現像部内の空隙率(=熱現像部内
の空隙体積(cm3)/熱現像部内の体積(cm3))が
0.002〜0.5の範囲である熱現像処理装置を用い
る熱現像感光材料の処理方法、熱現像処理装置の現像部
の温度が110℃〜150℃の範囲であること、熱現像
処理装置の現像部の前に現像部温度より5℃以上低い温
度のプレヒート部を有すること、 感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオン用還元
剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料
を処理するにあたり、加熱部内に搬送される熱現像感光
材料表面と対面する加熱部材との距離が0〜1.8cm
の範囲である熱現像処理装置を用いる熱現像感光材料の
処理方法、 感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオン用還元
剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料
を処理するにあたり、現像部内の搬送部材と加熱部材と
の距離が0〜1.8cmの範囲である熱現像処理装置を
用いる熱現像感光材料の処理方法、及び、、、、
、において、平面搬送する熱現像処理装置であるこ
と、熱現像感光材料の支持体厚みが110〜150μm
であること、によって達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide a photothermographic material containing a photosensitive silver halide, an organic silver salt, a reducing agent for silver ions, a contrasting agent and a binder. The porosity in the part (= void volume in heating part (cm 3 ) / volume in heating part (cm 3 )) is 0.
A method for processing a photothermographic material using a photothermographic processing apparatus having a range of 002 to 0.3, a temperature of a heating section of the photothermographic processing apparatus being in a range of 100 ° C to 150 ° C; In processing a photothermographic material containing an organic silver salt, a reducing agent for silver ions, a contrast agent, and a binder, a developing section having a temperature in the range of 110 ° C. to 150 ° C. and a temperature lower by 5 ° C. or more than the temperature of the developing section. A method for processing a photothermographic material using a thermal development processing apparatus having a preheating section in a temperature range, wherein the porosity in the developing section is 0.006 to less than the porosity in the heating section having the developing section and the preheating section.
1.8, when processing a photothermographic material containing a photosensitive silver halide, an organic silver salt, a reducing agent for silver ions, a contrast agent, and a binder, the porosity in the developing part (= development of the void volume (cm 3) / volume of the heat developing section (cm 3)) is processing method of a photothermographic material using the thermal development apparatus is in the range of 0.002 to 0.5, thermal development apparatus The temperature of the developing section is in the range of 110 ° C. to 150 ° C., the pre-heating section having a temperature lower than the developing section temperature by 5 ° C. or more before the developing section of the thermal development processing apparatus, photosensitive silver halide, organic silver salt In processing a photothermographic material containing a reducing agent for silver ions, a contrast agent and a binder, the distance between the surface of the photothermographic material conveyed into the heating section and the heating member facing the same is 0 to 1.8 cm.
A method for processing a photothermographic material using a photothermographic processing apparatus which is in the range of: In processing a photothermographic material containing a photosensitive silver halide, an organic silver salt, a reducing agent for silver ions, a contrast agent and a binder, A processing method of a photothermographic material using a photothermographic processing apparatus in which a distance between a conveying member and a heating member in the developing unit is in a range of 0 to 1.8 cm;
In the above, it is a thermal development processing apparatus that transports in a plane, and the thickness of the support of the thermal development photosensitive material is 110 to 150 μm.
Is achieved.

【0008】即ち、本発明者は熱伝達率の変化や空気の
流れ込みに伴う、現像ムラ、画像再現性、搬送不良の問
題を熱現像処理装置の加熱部の空隙率を設定して解消し
ようと考え、またプレヒートを経て現像すれば更に有効
であることを見出し本発明に至った。
That is, the inventor of the present invention intends to solve the problems of development unevenness, image reproducibility, and poor transport due to a change in heat transfer coefficient and air flow by setting the porosity of the heating section of the heat development processing apparatus. The present invention was found to be more effective if the development was carried out through preheating.

【0009】なお本発明において、加熱部とは加熱部材
により30℃以上の温度に加熱された部分を言い、プレ
ヒート部及び現像部を含む。また現像部とは、露光済感
光材料を挿入し、10秒処理した時に光学濃度計(コニ
カ(株)製、PDA−65)で測定した最大濃度(Dm
ax)が0.4以上となる加熱部を言い、中心部の温度
が加熱部材により100〜150℃の範囲の温度に加熱
された部分であることが好ましい。又、現像部とプレヒ
ート部の温度の差が有るため敷居、部材等で各部屋ごと
に分割されることが好ましい。更にプレヒート部とは、
露光済感光材料を挿入し、10秒処理した時に光学濃度
計(前出)で測定した最大濃度が0.39以下となる加
熱部を言う。
In the present invention, the heating section refers to a section heated to a temperature of 30 ° C. or higher by a heating member, and includes a preheating section and a developing section. The developing unit is the maximum density (Dm) measured with an optical densitometer (manufactured by Konica Corporation, PDA-65) when the exposed photosensitive material is inserted and processed for 10 seconds.
ax) is a heating part where the temperature is 0.4 or more, and it is preferable that the temperature of the central part is a part heated to a temperature in the range of 100 to 150 ° C. by the heating member. In addition, since there is a difference in temperature between the developing unit and the preheating unit, it is preferable that each room is divided by a sill, a member, or the like. In addition, the preheat section
A heating unit in which the maximum density measured by an optical densitometer (described above) is 0.39 or less when the exposed photosensitive material is inserted and processed for 10 seconds.

【0010】以下、本発明について項目毎に詳述する。Hereinafter, the present invention will be described in detail for each item.

【0011】《熱現像感光材料》ハロゲン化銀は光セン
サーとして機能するものである。平均粒子サイズは小さ
い方が好ましく、0.1μm以下、より好ましくは0.
01μm〜0.1μm、特に0.02μm〜0.08μ
mが好ましい。ここでいう粒子サイズとは、ハロゲン化
銀粒子が立方体或いは八面体のいわゆる正常晶である場
合には、ハロゲン化銀粒子の稜の長さをいう。又、正常
晶でない場合、例えば球状、棒状、或いは平板状の粒子
の場合には、ハロゲン化銀粒子の体積と同等な球を考え
たときの直径をいう。またハロゲン化銀は単分散である
ことが好ましい。ここでいう単分散とは、下記式で求め
られる単分散度が40以下をいう。更に好ましくは30
以下であり、特に好ましくは0.1以上20以下となる
粒子である。
<< Photothermographic Material >> Silver halide functions as an optical sensor. The smaller the average particle size is, the smaller the particle size is, preferably 0.1 μm or less, and more preferably 0.1 μm or less.
01 μm to 0.1 μm, especially 0.02 μm to 0.08 μ
m is preferred. The term "grain size" as used herein refers to the length of a ridge of a silver halide grain when the silver halide grain is a cubic or octahedral so-called normal crystal. In the case of non-normal crystals, for example, in the case of spherical, rod-shaped or tabular grains, it refers to the diameter of a sphere equivalent to the volume of silver halide grains. Further, the silver halide is preferably monodispersed. Here, the monodispersion means that the degree of monodispersion determined by the following equation is 40 or less. More preferably, 30
Or less, particularly preferably 0.1 to 20 particles.

【0012】単分散度=(粒径の標準偏差)/(粒径の
平均値)×100 ハロゲン化銀粒子の形状については、特に制限はない
が、ミラー指数〔100〕面の占める割合が高いことが
好ましく、この割合が50%以上、更には70%以上、
特に80%以上であることが好ましい。またもう一つの
好ましいハロゲン化銀の形状は、平板粒子である。ここ
でいう平板粒子とは、投影面積の平方根を粒径rμmと
して垂直方向の厚みhμmした場合のアスペクト比=r
/hが3以上のものをいう。その中でも好ましくはアス
ペクト比が3以上50以下である。また粒径は0.1μ
m以下であることが好ましく、さらに0.01μm〜
0.08μmが好ましい。
Monodispersity = (standard deviation of particle size) / (average value of particle size) × 100 The shape of silver halide grains is not particularly limited, but the proportion occupied by the Miller index [100] plane is high. It is preferable that this ratio is 50% or more, further 70% or more,
In particular, it is preferably at least 80%. Another preferred form of silver halide is tabular grains. As used herein, the term “tabular grain” refers to an aspect ratio = r where the square root of the projected area is a particle diameter of r μm and the thickness in the vertical direction is h μm.
/ H means 3 or more. Among them, the aspect ratio is preferably 3 or more and 50 or less. The particle size is 0.1μ
m, preferably 0.01 μm or less.
0.08 μm is preferred.

【0013】ハロゲン組成としては特に制限はなく、塩
化銀、塩臭化銀、塩沃臭化銀、臭化銀、沃臭化銀、沃化
銀のいずれであってもよい。写真乳剤は酸性法、中性
法、アンモニア法等のいずれの方法を用いて調製しても
よく、又可溶性銀塩と可溶性ハロゲン塩を反応させる形
成としては、片側混合法、同時混合法、それらの組合せ
等のいずれを用いてもよい。このハロゲン化銀はいかな
る方法で画像形成層に添加されてもよく、このときハロ
ゲン化銀は還元可能な銀源に近接するように配置する。
又、ハロゲン化銀は有機酸銀とハロゲンイオンとの反応
による有機酸銀中の銀の一部又は全部をハロゲン化銀に
変換することによって調製してもよいし、ハロゲン化銀
を予め調製しておき、これを有機銀塩を調製するための
溶液に添加してもよく、又はこれらの方法の組み合わせ
も可能であるが、後者が好ましい。一般にハロゲン化銀
は有機銀塩に対して0.75〜30重量%の量で含有す
ることが好ましい。
The halogen composition is not particularly limited, and may be any of silver chloride, silver chlorobromide, silver chloroiodobromide, silver bromide, silver iodobromide and silver iodide. The photographic emulsion may be prepared by any method such as an acid method, a neutral method, and an ammonia method, and the method of reacting a soluble silver salt and a soluble halide salt includes a one-side mixing method, a simultaneous mixing method, and the like. May be used. The silver halide may be added to the image forming layer by any method, in which case the silver halide is arranged close to the reducible silver source.
Further, the silver halide may be prepared by converting a part or all of the silver in the organic acid silver by the reaction of the organic acid silver and the halogen ion into silver halide, or may be prepared by preparing silver halide in advance. In advance, this may be added to a solution for preparing an organic silver salt, or a combination of these methods is possible, but the latter is preferred. Generally, the silver halide is preferably contained in an amount of 0.75 to 30% by weight based on the organic silver salt.

【0014】本発明に用いられるハロゲン化銀には、周
期表の6族から11族に属する金属イオンを含有するこ
とが好ましい。上記の金属としては、W、Fe、Co、
Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Re、Os、Ir、P
t、Auが好ましい。
The silver halide used in the present invention preferably contains metal ions belonging to groups 6 to 11 of the periodic table. As the above metals, W, Fe, Co,
Ni, Cu, Ru, Rh, Pd, Re, Os, Ir, P
t and Au are preferred.

【0015】感光性ハロゲン化銀粒子はヌードル法、フ
ロキュレーション法等、当業界で知られている方法の水
洗により脱塩することができる。また感光性ハロゲン化
銀粒子は化学増感されていることが好ましい。好ましい
化学増感法としては当業界でよく知られているように硫
黄増感法、セレン増感法、テルル増感法、金化合物や白
金、パラジウム、イリジウム化合物等の貴金属増感法や
還元増感法を用いることができる。
The photosensitive silver halide grains can be desalted by washing with water using a method known in the art such as a noodle method or flocculation method. The photosensitive silver halide grains are preferably chemically sensitized. Preferred chemical sensitization methods include sulfur sensitization, selenium sensitization, tellurium sensitization, noble metal sensitization such as gold compounds, platinum, palladium, and iridium compounds, and reduction sensitization, as is well known in the art. Sensitization can be used.

【0016】本発明において有機銀塩は還元可能な銀源
であり、還元可能な銀イオン源を含有する有機酸及びヘ
テロ有機酸の銀塩、特に長鎖(10〜30、好ましくは
15〜25の炭素原子数)の脂肪族カルボン酸及び含窒
素複素環が好ましい。配位子が、4.0〜10.0の銀
イオンに対する総安定定数を有する有機又は無機の銀塩
錯体も有用である。好適な銀塩の例は、Researc
h Disclosure第17029及び29963
に記載されている。好ましい銀源はベヘン酸銀、アラキ
ジン酸銀及びステアリン酸銀である。
In the present invention, the organic silver salt is a reducible silver source, and a silver salt of an organic acid or a heteroorganic acid containing a reducible silver ion source, especially a long chain (10 to 30, preferably 15 to 25) And the nitrogen-containing heterocycle is preferred. Organic or inorganic silver salt complexes wherein the ligand has a total stability constant for silver ions of 4.0 to 10.0 are also useful. Examples of suitable silver salts are Research
h Disclosure Nos. 17029 and 29963
It is described in. Preferred silver sources are silver behenate, silver arachidate and silver stearate.

【0017】有機銀塩化合物は、水溶性銀化合物と銀と
錯形成する化合物を混合することにより得られるが、正
混合法、逆混合法、同時混合法、特開平9−12764
3号に記載されている様なコントロールドダブルジェッ
ト法等が好ましく用いられる。
The organic silver salt compound can be obtained by mixing a water-soluble silver compound and a compound which forms a complex with silver, and includes a forward mixing method, a reverse mixing method, a simultaneous mixing method, and a method disclosed in JP-A-9-12764.
A controlled double jet method as described in No. 3 is preferably used.

【0018】有機銀粒子の平均粒径は0.2〜1.2μ
mであることが好ましく、さらに好ましくは0.35〜
1μmである。また有機銀粒子は単分散であることが好
ましく、好ましくは単分散度が1〜30である。
The average particle size of the organic silver particles is 0.2 to 1.2 μm.
m, more preferably 0.35 to
1 μm. The organic silver particles are preferably monodispersed, and preferably have a monodispersity of 1 to 30.

【0019】感光材料の失透を防ぐためには、ハロゲン
化銀及び有機銀塩の総量は、銀量に換算して1m2当た
り0.5g〜2.2gであることが好ましい。
In order to prevent devitrification of the light-sensitive material, the total amount of silver halide and organic silver salt is preferably 0.5 g to 2.2 g per m 2 in terms of silver.

【0020】好適な還元剤の例は、米国特許第3,77
0,448号、同第3,773,512号、同第3,5
93,863号、及びResearch Disclo
sure第17029及び29963に記載されてい
る。中でも特に好ましい還元剤はヒンダードフェノール
類である。ヒンダードフェノール類としては下記一般式
(A)で表される化合物が挙げられる。
Examples of suitable reducing agents are described in US Pat.
No. 0,448, No. 3,773,512, No. 3,5
No. 93,863 and Research Disclo
Sure Nos. 17029 and 29996. Among them, particularly preferred reducing agents are hindered phenols. Examples of the hindered phenols include compounds represented by the following general formula (A).

【0021】[0021]

【化1】 Embedded image

【0022】式中、Rは水素原子、又は炭素原子数1〜
10のアルキル基(例えば、−C49、2,4,4−ト
リメチルペンチル)を表し、R′及びR″は炭素原子数
1〜5のアルキル基(例えば、メチル、エチル、t−ブ
チル)を表す。
In the formula, R is a hydrogen atom or a group having 1 to 1 carbon atoms.
10 alkyl group (e.g., -C 4 H 9, 2,4,4-trimethyl pentyl) represents, R 'and R "is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (e.g., methyl, ethyl, t- butyl ).

【0023】一般式(A)で表される化合物の具体例を
以下に示す。ただし、本発明は、以下の化合物に限定さ
れるものではない。
Specific examples of the compound represented by formula (A) are shown below. However, the present invention is not limited to the following compounds.

【0024】[0024]

【化2】 Embedded image

【0025】[0025]

【化3】 Embedded image

【0026】前記一般式(A)で表される化合物を始め
とする還元剤の使用量は好ましくは銀1モル当り1×1
-2〜10モル、特に1×10-2〜1.5モルである。
The amount of the reducing agent including the compound represented by formula (A) is preferably 1 × 1 per mol of silver.
It is from 0 -2 to 10 mol, especially from 1 x 10 -2 to 1.5 mol.

【0027】本発明の熱現像感光材料は硬調化剤を含有
し、硬調化剤としては、以下に述べるヒドラジン誘導
体、四級オニウム塩及びビニル化合物から選ばれること
が好ましい。
The photothermographic material of the present invention contains a high contrast agent, and the high contrast agent is preferably selected from the following hydrazine derivatives, quaternary onium salts, and vinyl compounds.

【0028】ヒドラジン誘導体としては、下記一般式
〔H〕で表される化合物が好ましい。
As the hydrazine derivative, a compound represented by the following general formula [H] is preferable.

【0029】[0029]

【化4】 Embedded image

【0030】式中、A0はそれぞれ置換基を有してもよ
い脂肪族基、芳香族基、複素環基又は−G0−D0基を、
0はブロッキング基を表し、A1、A2はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基、スルホニル
基又はオキザリル基を表す。ここで、G0は−CO−
基、−COCO−基、−CS−基、−C(=NG11
−基、−SO−基、−SO2−基又は−P(O)(G1
1)−基を表し、G1は単なる結合手、−O−基、−S−
基又は−N(D1)−基を表し、D1は脂肪族基、芳香族
基、複素環基又は水素原子を表し、分子内に複数のD1
が存在する場合、それらは同じであっても異なってもよ
い。D0は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基、
アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基を表す。
In the formula, A 0 represents an aliphatic group, an aromatic group, a heterocyclic group or a -G 0 -D 0 group, each of which may have a substituent;
B 0 represents a blocking group, and A 1 and A 2 each represent a hydrogen atom, or one represents a hydrogen atom and the other represents an acyl group, a sulfonyl group, or an oxalyl group. Here, G 0 is -CO-
Group, -COCO- group, -CS- group, -C (= NG 1 D 1 )
— Group, —SO— group, —SO 2 — group or —P (O) (G 1 D
1 ) represents a group, G 1 represents a mere bond, an —O— group, —S—
Group or -N (D 1) - represents a group, D 1 is an aliphatic group, an aromatic group, a heterocyclic group or a hydrogen atom, a plurality of D 1 in the molecule
If they are present, they can be the same or different. D 0 is a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group, a heterocyclic group,
Represents an amino group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, or an arylthio group.

【0031】一般式〔H〕において、A0で表される脂
肪族基は好ましくは炭素数1〜30のものであり、特に
炭素数1〜20の直鎖、分岐又は環状のアルキル基が好
ましく、例えばメチル基、エチル基、t−ブチル基、オ
クチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基が挙げられ、
これらは更に適当な置換基(例えばアリール基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、スルファモ
イル基、アシルアミノ基、ウレイド基等)で置換されて
いてもよい。
In the general formula [H], the aliphatic group represented by A 0 preferably has 1 to 30 carbon atoms, and particularly preferably a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. For example, methyl group, ethyl group, t-butyl group, octyl group, cyclohexyl group, benzyl group,
These may be further substituted with a suitable substituent (for example, aryl group, alkoxy group, aryloxy group, alkylthio group, arylthio group, sulfoxy group, sulfonamide group, sulfamoyl group, acylamino group, ureido group, etc.).

【0032】一般式〔H〕において、A0で表される芳
香族基は、単環又は縮合環のアリール基が好ましく、例
えばベンゼン環又はナフタレン環が挙げられ、A0で表
される複素環基としては、単環又は縮合環で窒素、硫
黄、酸素原子から選ばれる少なくとも一つのヘテロ原子
を含む複素環が好ましく、例えばピロリジン環、イミダ
ゾール環、テトラヒドロフラン環、モルホリン環、ピリ
ジン環、ピリミジン環、キノリン環、チアゾール環、ベ
ンゾチアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げら
れ、A0で表される−G0−D0基において、G0は−CO
−基、−COCO−基、−CS−基、−C(=NG
11)−基、−SO−基、−SO2−基又は−P(O)
(G11)−基を表す。G1は単なる結合手、−O−
基、−S−基又は−N(D1)−基を表し、D1は脂肪族
基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表し、分子内に
複数のD1が存在する場合、それらは同じであっても異
なってもよい。D0は水素原子、脂肪族基、芳香族基、
複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表し、好ましい
0としては水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
ミノ基等が挙げられる。A0の芳香族基、複素環基及び
−G0−D0基は置換基を有していてもよい。
In the general formula [H], the aromatic group represented by A 0 is preferably a monocyclic or condensed ring aryl group, for example, a benzene ring or a naphthalene ring, and a heterocyclic group represented by A 0. The group is preferably a heterocyclic ring containing at least one heteroatom selected from nitrogen, sulfur, and oxygen atom in a single ring or a condensed ring, for example, a pyrrolidine ring, an imidazole ring, a tetrahydrofuran ring, a morpholine ring, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a quinoline ring, a thiazole ring, a benzothiazole ring, a thiophene ring, a furan ring, and, in -G 0 -D 0 group represented by A 0, G 0 is -CO
Group, -COCO- group, -CS- group, -C (= NG
1 D 1) - group, -SO- group, -SO 2 - group or -P (O)
(G 1 D 1 ) — represents a group. G 1 is a mere bond, -O-
A group, —S— group or —N (D 1 ) — group, wherein D 1 represents an aliphatic group, an aromatic group, a heterocyclic group or a hydrogen atom, and when a plurality of D 1 are present in the molecule, They can be the same or different. D 0 is a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group,
It represents a heterocyclic group, an amino group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, or an arylthio group, and preferable D 0 includes a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an amino group, and the like. Aromatic groups A 0, heterocyclic group or -G 0 -D 0 group may have a substituent.

【0033】A0として特に好ましいものはアリール基
及び−G0−D0基である。
Particularly preferred as A 0 are an aryl group and a -G 0 -D 0 group.

【0034】又、一般式〔H〕において、A0は耐拡散
基又はハロゲン化銀吸着基を少なくとも一つ含むことが
好ましい。耐拡散基としてはカプラー等の不動性写真用
添加剤にて常用されるバラスト基が好ましく、バラスト
基としては写真的に不活性であるアルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アルコキシ基、フェニル基、フェ
ノキシ基、アルキルフェノキシ基等が挙げられ、置換基
部分の炭素数の合計は8以上であることが好ましい。
In the general formula [H], A 0 preferably contains at least one diffusion-resistant group or silver halide-adsorbing group. As the diffusion-resistant group, a ballast group commonly used in immobile photographic additives such as couplers is preferable, and as the ballast group, a photographically inert alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, phenyl group, Examples thereof include a phenoxy group and an alkylphenoxy group, and the total number of carbon atoms in the substituent is preferably 8 or more.

【0035】一般式〔H〕において、ハロゲン化銀吸着
促進基としてはチオ尿素、チオウレタン基、メルカプト
基、チオエーテル基、チオン基、複素環基、チオアミド
複素環基、メルカプト複素環基、或いは特開昭64−9
0439号に記載の吸着基等が挙げられる。
In the general formula [H], examples of the silver halide adsorption promoting group include thiourea, thiourethane group, mercapto group, thioether group, thione group, heterocyclic group, thioamide heterocyclic group, mercapto heterocyclic group, and 64-9
No. 0439.

【0036】一般式〔H〕において、B0はブロッキン
グ基を表し、好ましくは−G0−D0基であり、G0は−
CO−基、−COCO−基、−CS−基、−C(=NG
11)−基、−SO−基、−SO2−基又は−P(O)
(G11)−基を表す、好ましいG0としては−CO−
基、−COCO−基が挙げられ、G1は単なる結合手、
−O−基、−S−基又は−N(D1)−基を表し、D1
脂肪族基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表し、分
子内に複数のD1が存在する場合、それらは同じであっ
ても異なってもよい。D0は水素原子、脂肪族基、芳香
族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表し、好ま
しいD0としては水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基等が挙げられる。A1、A2はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基(アセチル
基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基等)、スル
ホニル基(メタンスルホニル基、トルエンスルホニル基
等)、又はオキザリル基(エトキザリル基等)を表す。
In the general formula [H], B 0 represents a blocking group, preferably a -G 0 -D 0 group, and G 0 represents-
CO- group, -COCO- group, -CS- group, -C (= NG
1 D 1) - group, -SO- group, -SO 2 - group or -P (O)
A preferred G 0 representing a (G 1 D 1 ) — group is —CO—
Group, -COCO- group, G 1 is a mere bond,
—O—, —S— or —N (D 1 ) —, wherein D 1 represents an aliphatic group, an aromatic group, a heterocyclic group or a hydrogen atom, and a plurality of D 1 are present in the molecule If so, they may be the same or different. D 0 represents a hydrogen atom, an aliphatic group, an aromatic group, a heterocyclic group, an amino group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, or an arylthio group, and preferred D 0 is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, And an amino group. A 1 and A 2 are both hydrogen atoms, or one is a hydrogen atom and the other is an acyl group (acetyl group, trifluoroacetyl group, benzoyl group, etc.), a sulfonyl group (methanesulfonyl group, toluenesulfonyl group, etc.), or an oxalyl group (Such as an ethoxalyl group).

【0037】次に一般式〔H〕で表される化合物の具体
例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
Next, specific examples of the compound represented by the general formula [H] are shown below, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0038】[0038]

【化5】 Embedded image

【0039】[0039]

【化6】 Embedded image

【0040】[0040]

【化7】 Embedded image

【0041】[0041]

【化8】 Embedded image

【0042】[0042]

【化9】 Embedded image

【0043】[0043]

【化10】 Embedded image

【0044】更に好ましいヒドラジン誘導体は、下記一
般式(H−1)、(H−2)、(H−3)、(H−4)
又は(H−5)で表される化合物である。
More preferred hydrazine derivatives are represented by the following formulas (H-1), (H-2), (H-3) and (H-4)
Or a compound represented by (H-5).

【0045】[0045]

【化11】 Embedded image

【0046】式中、R11、R12及びR13はそれぞれ置換
又は無置換のアリール基又は、置換又は無置換のヘテロ
アリール基を表す。R14はヘテロ環オキシ基又はヘテロ
アリールチオ基を表す。A1、A2は共に水素原子又は一
方が水素原子で他方がアシル基、アルキルスルホニル基
又はオキザリル基を表す。
In the formula, R 11 , R 12 and R 13 each represent a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group. R 14 represents a heterocyclic oxy group or a heteroarylthio group. A 1 and A 2 both represent a hydrogen atom or one is a hydrogen atom and the other is an acyl group, an alkylsulfonyl group or an oxalyl group.

【0047】[0047]

【化12】 Embedded image

【0048】式中、R21は置換若しくは無置換のアルキ
ル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。R22
水素、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロア
リールアミノ基を表す。A1、A2は一般式(H−1)の
それと同義である。
In the formula, R 21 represents a substituted or unsubstituted alkyl group, aryl group or heteroaryl group. R 22 represents hydrogen, an alkylamino group, an arylamino group, or a heteroarylamino group. A 1 and A 2 have the same meanings as those in formula (H-1).

【0049】[0049]

【化13】 Embedded image

【0050】式中、G31、G32は−(CO)p−基、−
C(=S)−基、スルホニル基、スルホキシ基、−P
(=O)R33−基又はイミノメチレン基を表し、pは1
又は2の整数を表し、R33はアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基
又はアミノ基を表す。但し、G31がスルホニル基のとき
32はカルボニル基ではない。R31、R32は一価の置換
基を表す。A1、A2は一般式(H−1)のそれと同義で
ある。
In the formula, G 31 and G 32 each represent a — (CO) p- group,
C (= S)-group, sulfonyl group, sulfoxy group, -P
(= O) represents an R 33 — group or an iminomethylene group, and p is 1
Or an integer of 2, and R 33 represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an alkoxy group, an alkenyloxy group, an alkynyloxy group, an aryloxy group or an amino group. However, when G 31 is a sulfonyl group, G 32 is not a carbonyl group. R 31 and R 32 represent a monovalent substituent. A 1 and A 2 have the same meanings as those in formula (H-1).

【0051】[0051]

【化14】 Embedded image

【0052】式中、R41、R42及びR43はそれぞれ置換
又は無置換のアリール基又は、置換又は無置換のヘテロ
アリール基を表す。R44、R45は置換又は無置換のアル
キル基を表す。A1、A2は一般式(H−1)のそれと同
義である。
In the formula, R 41 , R 42 and R 43 each represent a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group. R 44 and R 45 represent a substituted or unsubstituted alkyl group. A 1 and A 2 have the same meanings as those in formula (H-1).

【0053】[0053]

【化15】 Embedded image

【0054】式中、R51は、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アラルキル基、ヘテロ環基、置換ア
ミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ
環アミノ基、ヒドラジノ基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、ヘテロ環チオ基、アルコキシカルボニル基、ア
リールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル
基、アルキルチオカルボニル基、アリールチオカルボニ
ル基、ヘテロ環チオカルボニル基、カルバモイル基、カ
ルバモイルオキシ基、カルバモイルチオ基、カルバゾイ
ル基、オキサリル基、オキサモイル基、アルコキシウレ
イド基、アリールオキシウレイド基又はヘテロ環オキシ
ウレイド基を表す。A1、A2は一般式(H−1)のそれ
と同義である。
In the formula, R 51 is an alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aralkyl group, heterocyclic group, substituted amino group, alkylamino group, arylamino group, heterocyclic amino group, hydrazino group, alkoxy group, aryl group Oxy group, heterocyclic oxy group, alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, heterocyclic oxycarbonyl group, alkylthiocarbonyl group, arylthiocarbonyl group, heterocyclic thiocarbonyl group, carbamoyl A carbamoyloxy group, a carbamoylthio group, a carbazoyl group, an oxalyl group, an oxamoyl group, an alkoxyureido group, an aryloxyureido group, or a heterocyclic oxyureido group. A 1 and A 2 have the same meanings as those in formula (H-1).

【0055】一般式(H−1)において、R11、R12
びR13で表されるアリール基としてはフェニル基、p−
メチルフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、ヘテロア
リール基としては、トリアゾール残基、イミダゾール残
基、ピリジン残基、フラン残基、チオフェン残基等が挙
げられる。またR11、R12及びR13はそれぞれ任意の連
結基を介して結合しても良い。R11、R12及びR13が有
してもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、複素環基、4級化され
た窒素原子を含むヘテロ環基(ピリジニオ基等)、ヒド
ロキシ基、アルコキシ基(エチレンオキシ基若しくはプ
ロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む)、アリ
ールオキシ基、アシルオキシ基、アシル基、アルコキシ
カルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモ
イル基、ウレタン基、カルボキシル基、イミド基、アミ
ノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド
基、チオウレイド基、スルファモイルアミノ基、セミカ
ルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、4
級アンモニオ基、(アルキル、アリール又はヘテロ環)
チオ基、メルカプト基、(アルキル又はアリール)スル
ホニル基、(アルキル又はアリール)スルフィニル基、
スルホ基、スルファモイル基、アシルスルファモイル
基、(アルキル又はアリール)スルホニルウレイド基、
(アルキル又はアリール)スルホニルカルバモイル基、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、リン酸アミド基等
が挙げられる。R11、R12及びR13として全てがフェニ
ル基であることが好ましく、更に全て無置換のフェニル
基であることが好ましい。
In the general formula (H-1), the aryl group represented by R 11 , R 12 and R 13 is a phenyl group,
Examples include a methylphenyl group and a naphthyl group, and examples of the heteroaryl group include a triazole residue, an imidazole residue, a pyridine residue, a furan residue, and a thiophene residue. Further, R 11 , R 12 and R 13 may be bonded via an arbitrary linking group. Examples of the substituent which R 11 , R 12 and R 13 may have include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, a heterocyclic group containing a quaternized nitrogen atom (a pyridinio group) Etc.), a hydroxy group, an alkoxy group (including a group repeatedly containing an ethyleneoxy group or a propyleneoxy group unit), an aryloxy group, an acyloxy group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, a carbamoyl group, a urethane group, Carboxyl group, imide group, amino group, carboxamide group, sulfonamide group, ureido group, thioureido group, sulfamoylamino group, semicarbazide group, thiosemicarbazide group, hydrazino group, 4
Primary ammonium group, (alkyl, aryl or heterocycle)
Thio, mercapto, (alkyl or aryl) sulfonyl, (alkyl or aryl) sulfinyl,
A sulfo group, a sulfamoyl group, an acylsulfamoyl group, an (alkyl or aryl) sulfonyluureido group,
(Alkyl or aryl) sulfonylcarbamoyl group,
Examples include a halogen atom, a cyano group, a nitro group, and a phosphoric amide group. All of R 11 , R 12 and R 13 are preferably phenyl groups, and more preferably all are unsubstituted phenyl groups.

【0056】R14で表されるヘテロアリールオキシ基と
しては、ピリジルオキシ基、インドリルオキシ基、ベン
ゾチアゾリルオキシ基、ベンズイミダゾリルオキシ基、
フリルオキシ基、チエニルオキシ基、ピラゾリルオキシ
基、イミダゾリルオキシ基等が挙げられ、ヘテロアリー
ルチオ基としては、ピリジルチオ基、ピリミジルチオ
基、インドリルチオ基、ベンゾチアゾリルチオ基、ベン
ズイミダゾリルチオ基、フリルチオ基、チエニルチオ
基、ピラゾリルチオ基、イミダゾリルチオ基等が挙げら
れる。R14として好ましくはピリジルオキシ基、チエニ
ルオキシ基である。
The heteroaryloxy group represented by R 14 includes a pyridyloxy group, an indolyloxy group, a benzothiazolyloxy group, a benzimidazolyloxy group,
A furyloxy group, a thienyloxy group, a pyrazolyloxy group, an imidazolyloxy group, and the like.Examples of the heteroarylthio group include a pyridylthio group, a pyrimidylthio group, an indolylthio group, a benzothiazolylthio group, a benzimidazolylthio group, a furylthio group, Examples include a thienylthio group, a pyrazolylthio group, and an imidazolylthio group. R 14 is preferably a pyridyloxy group or a thienyloxy group.

【0057】A1又はA2で表されるアシル基としては、
アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基等
が挙げられ、スルホニル基としてはメタンスルホニル
基、トルエンスルホニル基等が挙げられ、オキザリル基
としてはエトキザリル基が挙げられる。A1、A2とも水
素原子であることが好ましい。
As the acyl group represented by A 1 or A 2 ,
Examples include an acetyl group, a trifluoroacetyl group, and a benzoyl group. Examples of the sulfonyl group include a methanesulfonyl group and a toluenesulfonyl group. Examples of the oxalyl group include an ethoxalyl group. Both A 1 and A 2 are preferably hydrogen atoms.

【0058】一般式(H−2)において、R21で表され
るアルキル基としては、メチル基、エチル基、t−ブチ
ル基、2−オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル
基、ジフェニルメチル基等が挙げられ、アリール基及び
ヘテロアリール基及び有してもよい置換基としては、R
11、R12及びR13と同様である。R21として好ましくは
アリール基又はヘテロアリール基であり、特に好ましく
はフェニル基である。R22で表されるアルキルアミノ基
としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピル
アミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、エチルメチルアミノ基等が挙げられ、アリ
ールアミノ基としてはアニリノ基、ヘテロアリール基と
してはチアゾリルアミノ基、ベンズイミダゾリルアミノ
基、ベンズチアゾリルアミノ基等が挙げられる。R22
して好ましくはジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基
である。
In the general formula (H-2), examples of the alkyl group represented by R 21 include a methyl group, an ethyl group, a t-butyl group, a 2-octyl group, a cyclohexyl group, a benzyl group and a diphenylmethyl group. And an aryl group, a heteroaryl group, and a substituent which may be present include R
11 is the same as R 12 and R 13. R 21 is preferably an aryl group or a heteroaryl group, and particularly preferably a phenyl group. The alkylamino group represented by R 22, methylamino group, ethylamino group, propylamino group, butylamino group, dimethylamino group, diethylamino group, etc. ethylmethylamino group. Examples of the arylamino group anilino Examples of the group and heteroaryl group include a thiazolylamino group, a benzimidazolylamino group, and a benzthiazolylamino group. Preferably the R 22 is dimethylamino group or diethylamino group.

【0059】一般式(H−3)において、R31、R32
表される一価の置換基としては、一般式(H−1)で述
べたR11、R12及びR13が有してもよい置換基と同様で
あるが、好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロア
リール基、アルコキシ基、アミノ基であり、更にはアリ
ール基又はアルコキシ基であり、特に好ましくはR31
フェニル基であって、R32がtert−ブトキシカルボ
ニル基である。G31、G32として好ましくは、−CO−
基、−COCO−基、スルホニル基又は−CS−基であ
り、更に好ましくは、双方が−CO−基又はスルホニル
基の場合である。
In formula (H-3), monovalent substituents represented by R 31 and R 32 include R 11 , R 12 and R 13 described in formula (H-1). The substituents may be the same as those described above, but are preferably an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, or an amino group, more preferably an aryl group or an alkoxy group, and particularly preferably R 31 is a phenyl group. Wherein R32 is a tert-butoxycarbonyl group. G 31 and G 32 are preferably -CO-
Group, a -COCO- group, a sulfonyl group or a -CS- group, and more preferably, both are a -CO- group or a sulfonyl group.

【0060】一般式(H−4)において、R41、R42
びR43は一般式(H−1)におけるR11、R12及びR13
と同義である。好ましくは全てがフェニル基の場合であ
り、更には全て無置換のフェニル基である。R44、R45
で表される置換又は無置換のアルキル基としては、メチ
ル基、エチル基、t−ブチル基、2−オクチル基、シク
ロヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙
げられ、好ましくは双方エチル基の場合である。
In formula (H-4), R 41 , R 42 and R 43 are the same as R 11 , R 12 and R 13 in formula (H-1).
Is synonymous with Preferably, all are phenyl groups, and all are unsubstituted phenyl groups. R 44 , R 45
Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group represented by are a methyl group, an ethyl group, a t-butyl group, a 2-octyl group, a cyclohexyl group, a benzyl group, a diphenylmethyl group, and the like. Is the case.

【0061】以下に、一般式(H−1)〜(H−5)の
化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されない。
Specific examples of the compounds represented by formulas (H-1) to (H-5) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0062】[0062]

【化16】 Embedded image

【0063】[0063]

【化17】 Embedded image

【0064】[0064]

【化18】 Embedded image

【0065】[0065]

【化19】 Embedded image

【0066】[0066]

【化20】 Embedded image

【0067】[0067]

【化21】 Embedded image

【0068】[0068]

【化22】 Embedded image

【0069】[0069]

【化23】 Embedded image

【0070】[0070]

【化24】 Embedded image

【0071】[0071]

【化25】 Embedded image

【0072】[0072]

【化26】 Embedded image

【0073】[0073]

【化27】 Embedded image

【0074】[0074]

【化28】 Embedded image

【0075】[0075]

【化29】 Embedded image

【0076】その他に好ましく用いることのできるヒド
ラジン誘導体は、米国特許第5,545,505号カラ
ム11〜カラム20に記載の化合物H−1〜H−29、
米国特許第5,464,738号報カラム9〜カラム1
1に記載の化合物1〜12である。これらのヒドラジン
誘導体は公知の方法で合成することができる。
Other hydrazine derivatives that can be preferably used include compounds H-1 to H-29 described in columns 11 to 20 of US Pat. No. 5,545,505.
U.S. Pat. No. 5,464,738, column 9 to column 1
Compounds 1 to 12 described in 1. These hydrazine derivatives can be synthesized by a known method.

【0077】ヒドラジン誘導体及び後述するビニル化合
物の添加層は、ハロゲン化銀を含む感光層及び/又は感
光層に隣接した層である。またそれらの添加量はハロゲ
ン化銀粒子の粒径、ハロゲン組成、化学増感の程度、抑
制剤の種類等により最適量は一様ではないが、ハロゲン
化銀1モル当たり10-6モル〜10-1モル程度、特に1
-5モル〜10-2モルの範囲が好ましい。
The layer to which the hydrazine derivative and the vinyl compound described below are added is a photosensitive layer containing silver halide and / or a layer adjacent to the photosensitive layer. The optimum amount of these additives is not uniform depending on the grain size of the silver halide grains, the halogen composition, the degree of chemical sensitization, the type of the inhibitor, etc., but is preferably 10 −6 mol to 10 mol per mol of silver halide. -1 mol, especially 1
The range is preferably from 0 -5 mol to 10 -2 mol.

【0078】4級オニウム化合物としては、下記一般式
(P)で表される化合物が好ましく用いられる。
As the quaternary onium compound, a compound represented by the following formula (P) is preferably used.

【0079】[0079]

【化30】 Embedded image

【0080】式中、Qは窒素原子又は燐原子を表し、R
1、R2、R3及びR4は各々、水素原子又は置換基を表
し、X-はアニオンを表す。尚、R1〜R4は互いに連結
して環を形成してもよい。
In the formula, Q represents a nitrogen atom or a phosphorus atom;
1 , R 2 , R 3 and R 4 each represent a hydrogen atom or a substituent, and X represents an anion. Incidentally, R 1 to R 4 may be connected to each other to form a ring.

【0081】一般式(P)において、R1〜R4で表され
る置換基としては、アルキル基(メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基
等)、アルケニル基(アリル基、ブテニル基等)、アル
キニル基(プロパルギル基、ブチニル基等)、アリール
基(フェニル基、ナフチル基等)、複素環基(ピペリジ
ニル基、ピペラジニル基、モルホリニル基、ピリジル
基、フリル基、チエニル基、テトラヒドロフリル基、テ
トラヒドロチエニル基、スルホラニル基等)、アミノ基
等が挙げられる。
In the general formula (P), substituents represented by R 1 to R 4 include alkyl groups (methyl group, ethyl group,
Propyl group, butyl group, hexyl group, cyclohexyl group, etc., alkenyl group (allyl group, butenyl group, etc.), alkynyl group (propargyl group, butynyl group, etc.), aryl group (phenyl group, naphthyl group, etc.), heterocyclic group (Piperidinyl group, piperazinyl group, morpholinyl group, pyridyl group, furyl group, thienyl group, tetrahydrofuryl group, tetrahydrothienyl group, sulfolanyl group, etc.), amino group and the like.

【0082】R1〜R4が互いに連結して形成しうる環と
しては、ピペリジン環、モルホリン環、ピペラジン環、
キヌクリジン環、ピリジン環、ピロール環、イミダゾー
ル環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられ
る。
The ring which may be formed by connecting R 1 to R 4 to each other includes a piperidine ring, a morpholine ring, a piperazine ring,
Examples include a quinuclidine ring, a pyridine ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a triazole ring, and a tetrazole ring.

【0083】R1〜R4で表される基はヒドロキシル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基、ス
ルホ基、アルキル基、アリール基等の置換基を有しても
よい。
The groups represented by R 1 to R 4 are a hydroxyl group,
It may have a substituent such as an alkoxy group, an aryloxy group, a carboxyl group, a sulfo group, an alkyl group and an aryl group.

【0084】R1、R2、R3及びR4としては、水素原子
及びアルキル基が好ましい。
As R 1 , R 2 , R 3 and R 4 , a hydrogen atom and an alkyl group are preferred.

【0085】X-が表すアニオンとしては、ハロゲンイ
オン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、p−トル
エンスルホン酸イオン等の無機及び有機のアニオンが挙
げられる。
Examples of the anion represented by X include inorganic and organic anions such as a halogen ion, a sulfate ion, a nitrate ion, an acetate ion and a p-toluenesulfonic acid ion.

【0086】更に好ましくは下記一般式(Pa)、(P
b)又は(Pc)で表される化合物、及び下記一般式
〔T〕で表される化合物である。
More preferably, the following general formulas (Pa) and (P
b) or a compound represented by (Pc); and a compound represented by the following general formula [T].

【0087】[0087]

【化31】 Embedded image

【0088】式中、A1、A2、A3、A4及びA5は、含
窒素複素環を完成させるための非金属原子群を表し、酸
素原子、窒素原子、硫黄原子を含んでもよく、ベンゼン
環が縮合しても構わない。A1、A2、A3、A4及びA5
で構成される複素環は置換基を有してもよく、それぞれ
同一でも異なっていてもよい。置換基としては、アルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、ハロゲン原子、アシル基、アルコキシカルボ
ニル基、アリールオキシカルボニル基、スルホ基、カル
ボキシ基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、アミド基、スルファモイル基、カルバモイル
基、ウレイド基、アミノ基、スルホンアミド基、スルホ
ニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、アルキル
チオ基、アリールチオ基を表す。A1、A2、A3、A4
びA5の好ましい例としては、5〜6員環(ピリジン、
イミダゾール、チオゾール、オキサゾール、ピラジン、
ピリミジン等の各環)を挙げることができ、更に好まし
い例としてピリジン環が挙げられる。
In the formula, A 1 , A 2 , A 3 , A 4 and A 5 represent a group of nonmetal atoms for completing a nitrogen-containing heterocyclic ring, and may contain an oxygen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom. And the benzene ring may be condensed. A 1 , A 2 , A 3 , A 4 and A 5
May have a substituent and may be the same or different. Examples of the substituent include an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a halogen atom, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, a sulfo group, a carboxy group, a hydroxyl group, an alkoxy group, and an aryloxy group. Amide group, sulfamoyl group, carbamoyl group, ureido group, amino group, sulfonamide group, sulfonyl group, cyano group, nitro group, mercapto group, alkylthio group and arylthio group. Preferred examples of A 1 , A 2 , A 3 , A 4 and A 5 include a 5- to 6-membered ring (pyridine,
Imidazole, thiozole, oxazole, pyrazine,
Each ring such as pyrimidine), and a more preferred example is a pyridine ring.

【0089】BPは2価の連結基を表し、mは0又は1
を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、アリー
レン基、アルケニレン基、−SO2−、−SO−、−O
−、−S−、−CO−、−N(R6)−(R6はアルキル
基、アリール基、水素原子を表す)を単独又は組み合わ
せて構成されるものを表す。Bpとして好ましくは、ア
ルキレン基、アルケニレン基を挙げることができる。
B P represents a divalent linking group, m is 0 or 1
Represents Examples of the divalent linking group include an alkylene group, an arylene group, an alkenylene group, —SO 2 —, —SO—, and —O
—, —S—, —CO—, and —N (R 6 ) — (R 6 represents an alkyl group, an aryl group, or a hydrogen atom) alone or in combination. Preferred examples of B p include an alkylene group and an alkenylene group.

【0090】R1、R2及びR5は各々、炭素数1〜20
のアルキル基を表す。又、R1及びR2は同一でも異って
いてもよい。アルキル基とは、置換或いは無置換のアル
キル基を表し、置換基としては、A1、A2、A3、A4
びA5の置換基として挙げた置換基と同様である。
R 1 , R 2 and R 5 each have 1 to 20 carbon atoms
Represents an alkyl group. R 1 and R 2 may be the same or different. The alkyl group represents a substituted or unsubstituted alkyl group, and the substituent is the same as the substituents described as the substituents for A 1 , A 2 , A 3 , A 4 and A 5 .

【0091】R1、R2及びR5の好ましい例としては、
それぞれ炭素数4〜10のアルキル基である。更に好ま
しい例としては、置換或いは無置換のアリール置換アル
キル基が挙げられる。
Preferred examples of R 1 , R 2 and R 5 include:
Each is an alkyl group having 4 to 10 carbon atoms. More preferred examples include a substituted or unsubstituted aryl-substituted alkyl group.

【0092】Xp -は分子全体の電荷を均衡さすに必要な
対イオンを表し、例えば塩素イオン、臭素イオン、沃素
イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、p−トルエンスルホ
ナート、オキザラート等を表す。npは分子全体の電荷
を均衡さすに必要な対イオンの数を表し、分子内塩の場
合にはnpは0である。
[0092] X p - is a counter ion necessary to refer balancing the charge of the whole molecule, expressed as chlorine ion, bromine ion, iodine ion, nitrate ion, sulfate ion, p- toluenesulfonate, the oxalato or the like. n p represents the number of counter ions required to balance the charge of the whole molecule, and n p is 0 in the case of an internal salt.

【0093】[0093]

【化32】 Embedded image

【0094】上記一般式〔T〕で表されるトリフェニル
テトラゾリウム化合物のフェニル基の置換基R5、R6
7は水素原子もしくは電子吸引性度を示すハメットの
シグマ値(σP)が負のものが好ましい。
The substituents R 5 and R 6 of the phenyl group of the triphenyltetrazolium compound represented by the above general formula [T],
R 7 is preferably a hydrogen atom or a compound having a negative Hammett sigma value (σP) indicating the degree of electron withdrawing property.

【0095】フェニル基におけるハメットのシグマ値は
多くの文献、例えばジャーナル・オブ・メディカルケミ
ストリー(Journal of Medical C
hemistry)20巻、304頁、1977年記載
のC.ハンシュ(C.Hansch)等の報文等に見る
ことが出来、特に好ましい負のシグマ値を有する基とし
ては、例えばメチル基(σP=−0.17以下何れもσ
P値)、エチル基(−0.15)、シクロプロピル基
(−0.21)、n−プロピル基(−0.13)、is
o−プロピル基(−0.15)、シクロブチル基(−
0.15)、n−ブチル基(−0.16)、iso−ブ
チル基(−0.20)、n−ペンチル基(−0.1
5)、シクロヘキシル基(−0.22)、アミノ基(−
0.66)、アセチルアミノ基(−0.15)、ヒドロ
キシル基(−0.37)、メトキシ基(−0.27)、
エトキシ基(−0.24)、プロポキシ基(−0.2
5)、ブトキシ基(−0.32)、ペントキシ基(−
0.34)等が挙げられ、これらは何れも一般式〔T〕
の化合物の置換基として有用である。
The Hammett's sigma value at the phenyl group has been reported in many literatures, for example, Journal of Medical Chemistry.
Chemistry) 20, vol. 304, p. As a group having a particularly preferable negative sigma value, for example, a methyl group (σP = −0.17 or less, and
P value), ethyl group (-0.15), cyclopropyl group (-0.21), n-propyl group (-0.13), is
o-propyl group (-0.15), cyclobutyl group (-
0.15), n-butyl group (-0.16), iso-butyl group (-0.20), n-pentyl group (-0.1
5), cyclohexyl group (-0.22), amino group (-
0.66), acetylamino group (-0.15), hydroxyl group (-0.37), methoxy group (-0.27),
Ethoxy group (-0.24), propoxy group (-0.2
5), butoxy group (-0.32), pentoxy group (-
0.34), etc., each of which has the general formula [T]
Is useful as a substituent of the compound of

【0096】nは1或いは2を表し、XT n-で表される
アニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン等のハロゲンイオン、硝酸、硫酸、
過塩素酸等の無機酸の酸根、スルホン酸、カルボン酸等
の有機酸の酸根、アニオン系の活性剤、具体的にはp−
トルエンスルホン酸アニオン等の低級アルキルベンゼン
スルホン酸アニオン、p−ドデシルベンゼンスルホン酸
アニオン等の高級アルキルベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ラウリルスルフェートアニオン等の高級アルキル硫
酸エステルアニオン、テトラフェニルボロン等の硼酸系
アニオン、ジ−2−エチルヘキシルスルホサクシネート
アニオン等のジアルキルスルホサクシネートアニオン、
セチルポリエテノキシサルフェートアニオン等の高級脂
肪酸アニオン、ポリアクリル酸アニオン等のポリマーに
酸根のついたもの等を挙げることができる。
N represents 1 or 2, and examples of the anion represented by X T n- include halogen ions such as chloride ion, bromide ion and iodide ion, nitric acid, sulfuric acid, and the like.
Acid radicals of inorganic acids such as perchloric acid, acid radicals of organic acids such as sulfonic acid and carboxylic acid, anionic activators, specifically p-
Lower alkylbenzene sulfonic acid anions such as toluene sulfonic acid anion; higher alkyl benzene sulfonic acid anions such as p-dodecyl benzene sulfonic acid anion; higher alkyl sulfate anions such as lauryl sulfate anion; boric acid anions such as tetraphenyl boron; Dialkyl sulfosuccinate anions such as 2-ethylhexyl sulfosuccinate anion,
Examples thereof include higher fatty acid anions such as cetyl polyethenoxy sulfate anion, and polymers having an acid radical attached to a polymer such as polyacrylate anion.

【0097】以下、4級オニウム化合物の具体例を下記
に挙げるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples of the quaternary onium compound are shown below, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0098】[0098]

【化33】 Embedded image

【0099】[0099]

【化34】 Embedded image

【0100】[0100]

【化35】 Embedded image

【0101】[0101]

【化36】 Embedded image

【0102】[0102]

【化37】 Embedded image

【0103】[0103]

【化38】 Embedded image

【0104】[0104]

【化39】 Embedded image

【0105】[0105]

【化40】 Embedded image

【0106】[0106]

【化41】 Embedded image

【0107】[0107]

【化42】 Embedded image

【0108】上記4級オニウム化合物は公知の方法に従
って容易に合成でき、例えば上記テトラゾリウム化合物
はChemical Reviews vol.55
p.335〜483に記載の方法を参考にできる。
The above quaternary onium compound can be easily synthesized according to a known method. For example, the above tetrazolium compound is described in Chemical Reviews vol. 55
p. 335-483 can be referred to.

【0109】これら4級オニウム化合物の添加量は、ハ
ロゲン化銀1モル当たり1×10-8〜1モル程度、好ま
しくは1×10-7〜1×10-1モルである。これらはハ
ロゲン化銀粒子形成時から塗布までの任意の時期に感光
材料中に添加できる。
The addition amount of these quaternary onium compounds is about 1 × 10 -8 to 1 mol, preferably 1 × 10 -7 to 1 × 10 -1 mol per mol of silver halide. These can be added to the light-sensitive material at any time from the time of silver halide grain formation to the time of coating.

【0110】4級オニウム化合物は、単独で用いても2
種以上を適宜併用して用いてもよい。また感光材料の構
成層中のいかなる層に添加してもよいが、好ましくは感
光層を有する側の構成層の少なくとも1層、更には感光
層及び/又はその隣接層に添加する。
The quaternary onium compound can be used alone or
More than one species may be used in combination. The compound may be added to any of the constituent layers of the photosensitive material, but is preferably added to at least one of the constituent layers on the side having the photosensitive layer, further to the photosensitive layer and / or an adjacent layer thereof.

【0111】ビニル化合物としては下記一般式(G)で
表されるものが好ましい。
As the vinyl compound, those represented by the following general formula (G) are preferred.

【0112】[0112]

【化43】 Embedded image

【0113】一般式(G)において、XとRはシスの形
で表示してあるが、XとRがトランスの形も一般式
(G)に含まれる。この事は具体的化合物の構造表示に
おいても同様である。
In the general formula (G), X and R are represented in the form of cis. However, the general formula (G) also includes a trans form of X and R. This is the same in the structural representation of a specific compound.

【0114】式中、Xは電子吸引性基を表し、Wは水素
原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ
ール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、アシル基、チオア
シル基、オキサリル基、オキシオキサリル基、チオオキ
サリル基、オキサモイル基、オキシカルボニル基、チオ
カルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、
スルホニル基、スルフィニル基、オキシスルフィニル
基、チオスルフィニル基、スルファモイル基、オキシス
ルフィニル基、スルフィナモイル基、ホスホリル基、ニ
トロ基、イミノ基、N−カルボニルイミノ基、N−スル
ホニルイミノ基、ジシアノエチレン基、アンモニウム
基、スルホニウム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、
インモニウム基を表す。
In the formula, X represents an electron-withdrawing group, and W is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heterocyclic group, a halogen atom, an acyl group, a thioacyl group, an oxalyl group, an oxyoxalyl group. Group, thiooxalyl group, oxamoyl group, oxycarbonyl group, thiocarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group,
Sulfonyl group, sulfinyl group, oxysulfinyl group, thiosulfinyl group, sulfamoyl group, oxysulfinyl group, sulfinamoyl group, phosphoryl group, nitro group, imino group, N-carbonylimino group, N-sulfonylimino group, dicyanoethylene group, ammonium Group, sulfonium group, phosphonium group, pyrylium group,
Represents an immonium group.

【0115】Rはハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル
オキシ基、アミノカルボニルオキシ基、メルカプト基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、ア
ルケニルチオ基、アシルチオ基、アルコキシカルボニル
チオ基、アミノカルボニルチオ基、ヒドロキシ基又はメ
ルカプト基の有機又は無機の塩(例えば、ナトリウム
塩、カリウム塩、銀塩等)、アミノ基、アルキルアミノ
基、環状アミノ基(例えば、ピロリジノ基)、アシルア
ミノ基、オキシカルボニルアミノ基、ヘテロ環基(5〜
6員の含窒素ヘテロ環、例えばベンツトリアゾリル基、
イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基
等)、ウレイド基、スルホンアミド基を表す。XとW、
XとRは、それぞれ互いに結合して環状構造を形成して
もよい。XとWが形成する環としては、例えばピラゾロ
ン、ピラゾリジノン、シクロペンタンジオン、β−ケト
ラクトン、β−ケトラクタム等が挙げられる。
R represents a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group, an aryloxy group, a heterocyclic oxy group, an alkenyloxy group, an acyloxy group, an alkoxycarbonyloxy group, an aminocarbonyloxy group, a mercapto group,
Organic or inorganic salts of an alkylthio group, an arylthio group, a heterocyclic thio group, an alkenylthio group, an acylthio group, an alkoxycarbonylthio group, an aminocarbonylthio group, a hydroxy group or a mercapto group (for example, sodium salt, potassium salt, silver salt) Etc.), an amino group, an alkylamino group, a cyclic amino group (for example, a pyrrolidino group), an acylamino group, an oxycarbonylamino group, a heterocyclic group (5-
A 6-membered nitrogen-containing heterocycle, for example, a benztriazolyl group,
Imidazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, etc.), ureido group, and sulfonamide group. X and W,
X and R may be bonded to each other to form a cyclic structure. Examples of the ring formed by X and W include pyrazolone, pyrazolidinone, cyclopentanedione, β-ketolactone, β-ketolactam and the like.

【0116】一般式(G)について更に説明すると、X
の表す電子吸引性基とは、ハメットの置換基定数σpが
正の値をとりうる置換基のことである。具体的には、置
換アルキル基(ハロゲン置換アルキル等)、置換アルケ
ニル基(シアノビニル等)、置換・無置換のアルキニル
基(トリフルオロメチルアセチレニル、シアノアセチレ
ニル等)、置換アリール基(シアノフェニル等)、置換
・無置換のヘテロ環基(ピリジル、トリアジニル、ベン
ゾオキサゾリル等)、ハロゲン原子、シアノ基、アシル
基(アセチル、トリフルオロアセチル、ホルミル等)、
チオアセチル基(チオアセチル、チオホルミル等)、オ
キサリル基(メチルオキサリル等)、オキシオキサリル
基(エトキサリル等)、チオオキサリル基(エチルチオ
オキサリル等)、オキサモイル基(メチルオキサモイル
等)、オキシカルボニル基(エトキシカルボニル等)、
カルボキシル基、チオカルボニル基(エチルチオカルボ
ニル等)、カルバモイル基、チオカルバモイル基、スル
ホニル基、スルフィニル基、オキシスルホニル基(エト
キシスルホニル等)、チオスルホニル基(エチルチオス
ルホニル等)、スルファモイル基、オキシスルフィニル
基(メトキシスルフィニル等)、チオスルフィニル基
(メチルチオスルフィニル等)、スルフィナモイル基、
スフィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ
基、N−カルボニルイミノ基(N−アセチルイミノ
等)、N−スルホニルイミノ基(N−メタンスルホニル
イミノ等)、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、ス
ルホニウム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、インモ
ニウム基が挙げられるが、アンモニウム基、スルホニウ
ム基、ホスホニウム基、インモニウム基等が環を形成し
たヘテロ環状のものも含まれる。σp値として0.30
以上の置換基が特に好ましい。
The general formula (G) will be further described.
Is a substituent whose Hammett's substituent constant σp can take a positive value. Specifically, a substituted alkyl group (eg, halogen-substituted alkyl), a substituted alkenyl group (eg, cyanovinyl), a substituted / unsubstituted alkynyl group (eg, trifluoromethylacetylenyl, cyanoacetylenyl), and a substituted aryl group (eg, cyanovinyl) Phenyl, etc.), substituted / unsubstituted heterocyclic groups (pyridyl, triazinyl, benzoxazolyl, etc.), halogen atoms, cyano groups, acyl groups (acetyl, trifluoroacetyl, formyl, etc.),
Thioacetyl group (thioacetyl, thioformyl, etc.), oxalyl group (methyloxalyl, etc.), oxyoxalyl group (ethoxalyl, etc.), thiooxalyl group (ethylthiooxalyl, etc.), oxamoyl group (methyloxamoyl, etc.), oxycarbonyl group (ethoxycarbonyl, etc.) etc),
Carboxyl group, thiocarbonyl group (such as ethylthiocarbonyl), carbamoyl group, thiocarbamoyl group, sulfonyl group, sulfinyl group, oxysulfonyl group (such as ethoxysulfonyl), thiosulfonyl group (such as ethylthiosulfonyl), sulfamoyl group, and oxysulfinyl Group (such as methoxysulfinyl), thiosulfinyl group (such as methylthiosulfinyl), sulfinamoyl group,
Sphinamoyl group, phosphoryl group, nitro group, imino group, N-carbonylimino group (N-acetylimino, etc.), N-sulfonylimino group (N-methanesulfonylimino, etc.), dicyanoethylene group, ammonium group, sulfonium group, phosphonium Groups, a pyrylium group, and an immonium group, and a heterocyclic group in which an ammonium group, a sulfonium group, a phosphonium group, an immonium group, and the like form a ring is also included. 0.30 as σp value
The above substituents are particularly preferred.

【0117】Wとして表されるアルキル基としてはメチ
ル、エチル、トリフルオロメチル等が、アルケニル基と
してはビニル、ハロゲン置換ビニル、シアノビニル等
が、アルキニル基としてはアセチレニル、シアノアセチ
レニル等が、アリール基としてはニトロフェニル、シア
ノフェニル、ペンタフルオロフェニル等が、ヘテロ環基
としてはピリジル、ピリミジル、トリアジニル、スクシ
ンイミド、テトラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリ
ル、ベンゾオキサゾリル等が挙げられる。Wとしてはσ
p値が正の電子吸引性基が好ましく、更にはその値が
0.30以上のものが好ましい。
The alkyl group represented by W is methyl, ethyl, trifluoromethyl and the like, the alkenyl group is vinyl, halogen-substituted vinyl and cyanovinyl, and the alkynyl group is acetylenyl and cyanoacetylenyl. Examples of the group include nitrophenyl, cyanophenyl, and pentafluorophenyl, and examples of the heterocyclic group include pyridyl, pyrimidyl, triazinyl, succinimide, tetrazolyl, triazolyl, imidazolyl, and benzoxazolyl. W is σ
A p-value is preferably a positive electron-withdrawing group, and more preferably, the value is 0.30 or more.

【0118】上記Rの置換基の内、好ましくはヒドロキ
シ基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、
ハロゲン原子、ヒドロキシ基又はメルカプト基の有機又
は無機の塩、ヘテロ環基が挙げられ、更に好ましくはヒ
ドロキシ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基又はメルカプ
ト基の有機又は無機の塩、ヘテロ環基が挙げられ、特に
好ましくはヒドロキシ基、ヒドロキシ基又はメルカプト
基の有機又は無機の塩が挙げられる。
Of the above substituents for R, preferably a hydroxy group, a mercapto group, an alkoxy group, an alkylthio group,
Halogen atom, an organic or inorganic salt of a hydroxy group or a mercapto group, and a heterocyclic group, more preferably a hydroxy group, an alkoxy group, an organic or inorganic salt of a hydroxy group or a mercapto group, a heterocyclic group, Particularly preferred is an organic or inorganic salt of a hydroxy group, a hydroxy group or a mercapto group.

【0119】また上記X及びWの置換基の内、置換基中
にチオエーテル結合を有するものが好ましい。
Among the substituents of X and W, those having a thioether bond in the substituent are preferable.

【0120】次に一般式(G)で表される化合物の具体
例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
Next, specific examples of the compound represented by formula (G) are shown below, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0121】[0121]

【化44】 Embedded image

【0122】[0122]

【化45】 Embedded image

【0123】[0123]

【化46】 Embedded image

【0124】[0124]

【化47】 Embedded image

【0125】[0125]

【化48】 Embedded image

【0126】[0126]

【化49】 Embedded image

【0127】[0127]

【化50】 Embedded image

【0128】[0128]

【化51】 Embedded image

【0129】[0129]

【化52】 Embedded image

【0130】[0130]

【化53】 Embedded image

【0131】[0131]

【化54】 Embedded image

【0132】[0132]

【化55】 Embedded image

【0133】[0133]

【化56】 Embedded image

【0134】[0134]

【化57】 Embedded image

【0135】[0135]

【化58】 Embedded image

【0136】[0136]

【化59】 Embedded image

【0137】[0137]

【化60】 Embedded image

【0138】[0138]

【化61】 Embedded image

【0139】[0139]

【化62】 Embedded image

【0140】[0140]

【化63】 Embedded image

【0141】[0141]

【化64】 Embedded image

【0142】[0142]

【化65】 Embedded image

【0143】[0143]

【化66】 Embedded image

【0144】[0144]

【化67】 Embedded image

【0145】本発明の熱現像感光材料に好適なバインダ
ーは透明又は半透明で、一般に無色であり、天然ポリマ
ー合成樹脂やポリマー及びコポリマー、その他フィルム
を形成する媒体、例えば:ゼラチン、アラビアゴム、ポ
リ(ビニルアルコール)、ヒドロキシエチルセルロー
ス、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチ
レート、ポリ(ビニルピロリドン)、カゼイン、デンプ
ン、ポリ(アクリル酸)、ポリ(メチルメタクリル
酸)、ポリ(塩化ビニル)、ポリ(メタクリル酸)、コ
ポリ(スチレン−無水マレイン酸)、コポリ(スチレン
−アクリロニトリル)、コポリ(スチレン−ブタジエ
ン)、ポリ(ビニルアセタール)類(例えば、ポリ(ビ
ニルホルマール)及びポリ(ビニルブチラール))、ポ
リ(エステル)類、ポリ(ウレタン)類、フェノキシ樹
脂、ポリ(塩化ビニリデン)、ポリ(エポキシド)類、
ポリ(カーボネート)類、ポリ(ビニルアセテート)、
セルロースエステル類、ポリ(アミド)類がある。親水
性でも疎水性でもよいが、本発明においては、熱現像後
のカブリを低減させるために、疎水性透明バインダーを
使用することが好ましい。好ましいバインダーとして
は、ポリビニルブチラール、セルロースアセテート、セ
ルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリアクリル酸、ポリウレタンなどがあげ
られる。その中でもポリビニルブチラール、セルロース
アセテート、セルロースアセテートブチレートは特に好
ましく用いられる。
The binder suitable for the photothermographic material of the present invention is transparent or translucent, generally colorless, and includes natural polymer synthetic resins, polymers and copolymers, and other film-forming media, for example: gelatin, gum arabic, (Vinyl alcohol), hydroxyethyl cellulose, cellulose acetate, cellulose acetate butyrate, poly (vinyl pyrrolidone), casein, starch, poly (acrylic acid), poly (methyl methacrylic acid), poly (vinyl chloride), poly (methacrylic acid) , Copoly (styrene-maleic anhydride), copoly (styrene-acrylonitrile), copoly (styrene-butadiene), poly (vinylacetal) s (eg, poly (vinylformal) and poly (vinylbutyral)), poly (ester) Kind, poly ( Urethane), phenoxy resin, poly (vinylidene chloride), poly (epoxides),
Poly (carbonate) s, poly (vinyl acetate),
There are cellulose esters and poly (amides). Although it may be hydrophilic or hydrophobic, in the present invention, it is preferable to use a hydrophobic transparent binder in order to reduce fog after thermal development. Preferred binders include polyvinyl butyral, cellulose acetate, cellulose acetate butyrate, polyester, polycarbonate, polyacrylic acid, polyurethane and the like. Among them, polyvinyl butyral, cellulose acetate, and cellulose acetate butyrate are particularly preferably used.

【0146】感光性ハロゲン化銀を含有する層(以下、
感光層とも言う)の乾燥膜厚は2〜20μmが好まし
く、5〜20μmがより好ましい。2μm以下になると
塗布故障が発生し、ムラやピンホール上の故障が多発す
るため好ましくない。20μmを超えると現像性が劣化
する。感光層側の表面保護層の乾燥膜厚は0.1〜1
0.0μmが好ましく、より好ましくは0.1〜8.0
μmである。感光層側は保護層や感光層と支持体の間に
他の層を有しても良い。感光層側の感光層以外の層厚は
薄い方が良い。保護層が厚いと保護層側から感光層への
伝熱が悪く、また、支持体と感光層の間の層も支持体側
からの伝熱が劣化し、現像性が劣化する。バッキング層
側のトータル膜厚は2〜20μmが好ましい。バッキン
グ側からの熱伝達でも現像されるためバッキング層は薄
い方がより好ましいが、2μm未満だと塗布ムラが発生
してしまう。20μmより厚いと熱伝達が劣化する。
A layer containing a photosensitive silver halide (hereinafter, referred to as a layer)
The dried film thickness of the photosensitive layer is also preferably 2 to 20 μm, more preferably 5 to 20 μm. If the thickness is 2 μm or less, coating failure occurs, and unevenness and failure on pinholes occur frequently, which is not preferable. If it exceeds 20 μm, the developability will deteriorate. The dry thickness of the surface protective layer on the photosensitive layer side is 0.1 to 1
0.0 μm is preferred, and more preferably 0.1 to 8.0.
μm. The photosensitive layer side may have a protective layer or another layer between the photosensitive layer and the support. The layer thickness other than the photosensitive layer on the photosensitive layer side is preferably thin. If the protective layer is too thick, the heat transfer from the protective layer side to the photosensitive layer is poor, and the heat transfer from the support side to the layer between the support and the photosensitive layer also deteriorates, and the developability deteriorates. The total film thickness on the backing layer side is preferably 2 to 20 μm. It is more preferable that the backing layer is thin because heat is transmitted even from the backing side. However, if the thickness is less than 2 μm, coating unevenness occurs. If it is thicker than 20 μm, the heat transfer will deteriorate.

【0147】本発明の熱現像感光材料には、塗布助剤と
して各種の界面活性剤を用いることができる。その中で
もフッ素系界面活性剤が、帯電特性を改良したり、斑点
状の塗布故障を防ぐために好ましく用いられる。
In the photothermographic material of the present invention, various surfactants can be used as a coating aid. Among them, a fluorine-based surfactant is preferably used for improving charging characteristics and preventing spot-like coating failure.

【0148】本発明の熱現像感光材料は、必要に応じて
銀の色調を抑制する色調剤を含有できる。採用できる好
適な色調剤の例はResearch Disclosu
re第17029号に開示されている。また現像を抑制
あるいは促進させ現像を制御するため、分光増感効率を
向上させるため、現像前後の保存性を向上させるためな
どにメルカプト化合物、ジスルフィド化合物、チオン化
合物を含有させることができる。
The photothermographic material of the present invention can contain a color tone agent for suppressing the color tone of silver, if necessary. Examples of suitable toning agents that can be employed are Research Disclosure
re No. 17029. In addition, a mercapto compound, a disulfide compound, and a thione compound can be contained in order to suppress or promote development to control development, to improve spectral sensitization efficiency, to improve storage stability before and after development, and the like.

【0149】本発明の熱現像感光材料中にはかぶり防止
剤が含まれて良い。
The photothermographic material of the present invention may contain an antifoggant.

【0150】本発明の熱現像感光材料には増感色素が使
用できる。本発明に使用される有用な増感色素は例えば
Research Disclosure Item1
7643IV−A項(1978年12月p.23)、同I
tem1831X項(1978年8月p.437)に記
載もしくは引用された文献に記載されている。特に各種
スキャナー光源の分光特性に適した分光感度を有する増
感色素を有利に選択することができる。
A sensitizing dye can be used in the photothermographic material of the present invention. Useful sensitizing dyes for use in the present invention include, for example, Research Disclosure Item 1
Section 7643 IV-A (p.23, December 1978), I
tem1831X (August 1978, p. 437). In particular, a sensitizing dye having a spectral sensitivity suitable for the spectral characteristics of various scanner light sources can be advantageously selected.

【0151】各種の添加剤は感光層、非感光層、又はそ
の他の形成層のいずれに添加しても良い。本発明の熱現
像感光材料には例えば、酸化防止剤、安定化剤、可塑
剤、紫外線吸収剤、被覆助剤等を用いても良い。これら
の添加剤及び上述したその他の添加剤はResearc
h Disclosure Item17029(19
78年6月p.9〜15)に記載されている化合物を好
ましく用いることができる。
Various additives may be added to any of the photosensitive layer, the non-photosensitive layer, and other forming layers. The photothermographic material of the invention may contain, for example, an antioxidant, a stabilizer, a plasticizer, an ultraviolet absorber, a coating aid, and the like. These additives and the other additives mentioned above are
h Disclosure Item 17029 (19
June 1978 p. Compounds described in 9 to 15) can be preferably used.

【0152】本発明で用いられる支持体は、現像処理後
に所定の光学濃度を得るため、及び現像処理後の画像の
変形を防ぐためにプラスチックフィルム(例えば、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミ
ド、ナイロン、セルローストリアセテート、ポリエチレ
ンナフタレート)であることが好ましい。また熱処理し
たプラスチック支持体を用いることもできる。
The support used in the present invention may be a plastic film (for example, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyimide, nylon, cellulose triacetate) in order to obtain a predetermined optical density after development and to prevent image deformation after development. , Polyethylene naphthalate). A heat-treated plastic support can also be used.

【0153】その中でも好ましい支持体としては、ポリ
エチレンテレフタレート(以下PETと略す)及びシン
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含むプ
ラスチック(以下SPSと略す)の支持体が挙げられ
る。
Among them, a preferred support is a support made of polyethylene terephthalate (hereinafter abbreviated as PET) and a plastic (hereinafter abbreviated as SPS) containing a styrene polymer having a syndiotactic structure.

【0154】支持体の厚さは100〜150μmが良
い。好ましくは110〜130μmである。薄い方がバ
ッキング層側からの熱伝達が良いが、110μm未満で
あると急激に加熱されることになり現像ムラが劣化す
る。150μmより厚いと支持体の熱容量が高くなりす
ぎて所望の現像条件で充分現像されない。
The thickness of the support is preferably 100 to 150 μm. Preferably it is 110 to 130 μm. The thinner the layer, the better the heat transfer from the backing layer side. However, if the thickness is less than 110 μm, the layer is rapidly heated and the development unevenness is deteriorated. If the thickness is more than 150 μm, the heat capacity of the support becomes too high and the development is not sufficiently performed under the desired development conditions.

【0155】支持体は熱処理することが好ましく、熱処
理することによって予め収縮させることが目的である。
例えばポリエチレンフタレート(PET)は100℃〜
190℃が良い。ガラス転移点が80℃なので80℃未
満では意味がなく、80℃以上100℃未満では収縮が
充分ではない。190℃を超えると軟化が激しく溶融し
てしまう危険性がある。
The support is preferably heat-treated, and the purpose is to shrink it in advance by the heat treatment.
For example, polyethylene phthalate (PET)
190 ° C is good. Since the glass transition point is 80 ° C., there is no meaning below 80 ° C., and when it is 80 ° C. or more and less than 100 ° C., shrinkage is not sufficient. If the temperature exceeds 190 ° C., there is a risk that the softening will be severe and the melting will occur.

【0156】《熱現像処理》例えばレーザーを用いて露
光した感光材料を熱により現像する。加熱現像の加熱手
段としては導電性の発熱体層を有する形態、ハロゲンラ
ンプ、特開昭61−145544号記載の発熱体等を用
いることができる。
<< Heat Development >> For example, a photosensitive material exposed using a laser is developed by heat. As a heating means for heat development, a mode having a conductive heating element layer, a halogen lamp, a heating element described in JP-A-61-145544, and the like can be used.

【0157】具体的な形態としては、1)一定温度のオ
ーブンの中に所定時間入れておく方法、2)一定温度に
保たれたオーブン内を一定速度で搬送する方法、3)一
定温度に加熱した媒体(金属ローラー、シリコンゴム、
ウレタンゴム、紙、フッ素処理媒体等)に所定時間の接
触させる方法等であれば特に制限はない。また、この現
像部とは別に現像部前もしくは後にプレヒート部を有し
てもかまわない。この場合も前者同様に1)〜3)記載
の条件が不可欠である。
As a specific form, 1) a method of placing the film in an oven at a constant temperature for a predetermined time, 2) a method of conveying the inside of the oven maintained at a constant temperature at a constant speed, and 3) heating to a constant temperature Media (metal roller, silicone rubber,
There is no particular limitation as long as it is a method of contacting urethane rubber, paper, a fluorinated medium or the like for a predetermined time. In addition, a preheating section may be provided before or after the developing section separately from the developing section. In this case, the conditions described in 1) to 3) are indispensable as in the former case.

【0158】本発明においては現像部、プレヒート部の
温度を一定に制御する為に温度制御機構が必要である。
温度制御するには、サーモスタット等で温度管理し調整
することが好ましい。
In the present invention, a temperature control mechanism is required to control the temperatures of the developing section and the preheating section to be constant.
To control the temperature, it is preferable to control and adjust the temperature using a thermostat or the like.

【0159】また、温度フィードバックシステムがあっ
てもよい。このフィードバックは、随時若しくは時間ご
と、日間ごとに情報をフィードバックすることが好まし
いが、これらは使用するオペレーターによって自由に調
整すればよい。
Further, a temperature feedback system may be provided. It is preferable that the feedback be performed at any time, every hour, or every day, but these may be freely adjusted depending on the operator used.

【0160】加熱時の好ましい温度は、30℃〜150
℃の範囲であり、現像部の好ましい温度範囲は100〜
150℃で、より好ましくは100〜140℃である。
本発明においては、現像部の前に現像温度より5℃以上
低い温度で予め加熱処理することが好ましい。温度範囲
は100〜120℃がより好ましく、100〜115℃
が更に好ましい。加熱部の処理時間は1〜60秒が好ま
しく、5〜50秒がより好ましい。現像部の好ましい処
理時間範囲は3〜30秒で、5〜30秒が更に好まし
い。プレヒート部の好ましい処理時間範囲は3〜30秒
で、5〜25秒が更に好ましい。
The preferred temperature during heating is 30 ° C. to 150 ° C.
° C, and the preferred temperature range of the developing section is 100 to 100 ° C.
At 150 ° C, more preferably at 100 to 140 ° C.
In the present invention, it is preferable to perform a heat treatment before the developing section at a temperature lower than the developing temperature by 5 ° C. or more. The temperature range is more preferably 100 to 120 ° C, and 100 to 115 ° C.
Is more preferred. The processing time of the heating section is preferably 1 to 60 seconds, more preferably 5 to 50 seconds. The preferable processing time range of the developing section is 3 to 30 seconds, more preferably 5 to 30 seconds. A preferred processing time range of the preheating section is 3 to 30 seconds, more preferably 5 to 25 seconds.

【0161】本発明の処理方法は全処理時間が20〜8
0秒であることが好ましく、より好ましくは、30〜7
0秒である。
In the processing method of the present invention, the total processing time is 20 to 8
0 seconds, more preferably 30 to 7 seconds.
0 seconds.

【0162】この様な熱現像を行う上で感光材料に張力
を掛けないことが好ましいが、10kg/cm2以下で
あれば特に制限はない。張力を掛けすぎると感光材料の
寸法が変化して問題になってしまうので注意が必要であ
る。
In performing such thermal development, it is preferable not to apply tension to the photosensitive material, but there is no particular limitation as long as it is 10 kg / cm 2 or less. Care must be taken because applying too much tension may change the dimensions of the photosensitive material and cause problems.

【0163】本発明における、加熱部内、現像部内、プ
レヒート部内等の空隙率は、1)加熱部等の空隙体積
(cm3)、2)加熱部等の体積(cm3)を測定し求め
る。
In the present invention, the porosity in the heating section, the developing section, the preheating section and the like is determined by measuring 1) the void volume (cm 3 ) of the heating section and the like and 2) the volume (cm 3 ) of the heating section and the like.

【0164】1)加熱部等の空隙体積(cm3)の測定
方法は、加熱、現像、プレヒート部等を実際に使用する
形態で保ち、加熱、現像、プレヒート部等に水あるいは
ガスを入れ中の体積を算出する。
1) The method of measuring the void volume (cm 3 ) of the heating section, etc. is such that the heating, development, preheating section, etc. are maintained in the form of actual use, and the heating, development, preheating section, etc. are filled with water or gas. Calculate the volume of

【0165】2)加熱部等の体積(cm3)の測定方法
は、加熱、現像、プレヒート部等の中の搬送部、加熱手
段部、温度制御部、配線等の部品を全て排除し、加熱、
現像、プレヒート部等に水あるいはガスを入れ中の体積
を算出する。
2) The method of measuring the volume (cm 3 ) of the heating section and the like is such that all parts such as a transport section, a heating means section, a temperature control section, and wiring in a heating, developing, preheating section and the like are eliminated and heating is performed. ,
Calculate the volume of water or gas in the developing and preheating sections.

【0166】本発明においては、加熱部内の空隙率(=
加熱部内の空隙体積(cm3)/加熱部内の体積(c
3))が0.002〜0.3であるが、好ましくは
0.002〜0.28である。この空隙率が0.002
より小さいと熱現像感光材料の搬送性を劣化させ、0.
3より大きいと空気層により現像ムラ等の問題を発生さ
せてしまう。現像部内の空隙率(=熱現像部内の空隙体
積(cm3)/熱現像部内の体積(cm3))が0.00
2〜0.5の範囲が好ましく、より好ましくは0.00
2〜0.45の範囲である。この空隙率が0.002よ
り小さいと熱現像感光材料の搬送性を劣化させる等の問
題があり、0.5より大きいと空気層により現像ムラ等
の問題を発生させてしまう。
In the present invention, the porosity (=
Void volume in heating section (cm 3 ) / volume in heating section (c
m 3 )) is from 0.002 to 0.3, preferably from 0.002 to 0.28. This porosity is 0.002
If it is smaller, the transportability of the photothermographic material is deteriorated.
If it is larger than 3, problems such as uneven development may occur due to the air layer. Porosity in the developing unit (= void volume of the heat developing section (cm 3) / heat volume of the developing unit (cm 3)) is 0.00
The range of 2 to 0.5 is preferred, more preferably 0.00
It is in the range of 2 to 0.45. If the porosity is smaller than 0.002, there is a problem that the transportability of the photothermographic material is deteriorated. If the porosity is larger than 0.5, a problem such as uneven development occurs due to the air layer.

【0167】本発明では、熱現像処理装置において現像
部内の空隙率/加熱部内の空隙率=0.006〜1.8
の関係が成り立つことが好ましいが、より好ましくは
0.006〜1.6である。この関係で0.006より
小さいと現像搬送性を劣化させる等の問題があり、1.
8より大きいと空気層により現像ムラ等の問題を発生さ
せてしまう。
In the present invention, the porosity in the developing section / the porosity in the heating section = 0.006 to 1.8 in the thermal development processing apparatus.
Is preferably satisfied, but more preferably 0.006 to 1.6. In this connection, if it is smaller than 0.006, there are problems such as deterioration of the developing conveyance property.
If it is larger than 8, problems such as uneven development may occur due to the air layer.

【0168】空隙率を特定の範囲にするために、熱現像
処理装置において、加熱部内に搬送される熱現像感光材
料と対向する加熱部材との距離が0〜1.8cmの範囲
であることが好ましく、より好ましくは0.015〜
1.6cmである。また、より好ましい形態として現像
部内の搬送部材と加熱部材との距離が0〜1.8cmの
範囲であることが好ましく、より好ましくは0.015
〜1.6cmである。
In order to keep the porosity in a specific range, in the thermal development processing apparatus, the distance between the photothermographic material conveyed in the heating section and the facing heating member may be in the range of 0 to 1.8 cm. Preferably, more preferably 0.015
1.6 cm. In a more preferred embodiment, the distance between the conveying member and the heating member in the developing section is preferably in the range of 0 to 1.8 cm, more preferably 0.015 cm.
11.6 cm.

【0169】熱現像処理装置は、露光システムと一体に
なっていても良くそのときはブリッジ等によって搬送系
が一体になっている。熱現像部のほかに上記記載のよう
に現像部の前にプレヒート部を有することも可能であ
る。現像部の後には熱現像感光材料の現像進行を抑制す
るため、または支持体のカールを制御するために冷却部
を有することも可能である。冷却部を有する場合その温
度は10〜80℃の範囲であることが好ましく、より好
ましくは20〜60℃の範囲である。
The heat development processing apparatus may be integrated with the exposure system, in which case the transport system is integrated with a bridge or the like. As described above, it is also possible to have a preheating section in front of the developing section in addition to the heat developing section. A cooling unit may be provided after the developing unit in order to suppress development progress of the photothermographic material or to control curling of the support. When it has a cooling part, its temperature is preferably in the range of 10 to 80C, more preferably in the range of 20 to 60C.

【0170】ラインスピードは1260mm/分〜30
00mm/分が好ましい。本発明では1260mm/分
以上でも現像ムラの問題は生じない。3000mm/分
を超えると感光材料が熱現像部で軟化していることによ
る搬送不良が多発してしまう。又、処理能力はアップす
るがライン長が長くなりすぎ、装置が大きくなり、製造
コストもアップするため好ましくない。
The line speed is from 1260 mm / min to 30
00 mm / min is preferred. In the present invention, the problem of development unevenness does not occur even at 1,260 mm / min or more. If the speed exceeds 3,000 mm / min, poor conveyance frequently occurs due to the softening of the photosensitive material in the heat developing section. Further, the processing capacity is increased, but the line length becomes too long, the apparatus becomes large, and the manufacturing cost is increased, which is not preferable.

【0171】[0171]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない。
EXAMPLES The present invention will be described below in detail with reference to examples, but embodiments of the present invention are not limited thereto.

【0172】実施例1 (下引済みPET支持体の作製)市販の2軸延伸熱固定
済みの厚さ120μmのPETフィルムの両面に8W/
2・分のコロナ放電処理を施し、一方の面に下記下引
塗布液a−1を乾燥膜厚0.8μmになるように塗設し
乾燥させて下引層A−1とし、また反対側の面に下記帯
電防止加工した下引塗布液b−1を乾燥膜厚0.8μm
になるように塗設し乾燥させて帯電防止加工下引層B−
1とした。
Example 1 (Preparation of Subbed PET Support) A commercially available biaxially-stretched heat-fixed PET film having a thickness of 120 μm was coated on both surfaces with 8 W /
m 2 · m of corona discharge treatment, the following undercoating coating liquid a-1 is applied to one side to a dry film thickness of 0.8 μm, and dried to form an undercoating layer A-1, and vice versa. On the side surface, the following antistatic coating solution b-1 was applied with a dry film thickness of 0.8 μm
And dried to form an antistatic subbing layer B-
It was set to 1.

【0173】 《下引塗布液a−1》 ブチルアクリレート(30重量%) t−ブチルアクリレート(20重量%) スチレン(25重量%) 2−ヒドロキシエチルアクリレート(25重量%) の共重合体ラテックス液(固形分30%) 270g (C−1) 0.6g ヘキサメチレン−1,6−ビス(エチレンウレア) 0.8g ポリスチレン微粒子(平均粒径3μm) 0.05g コロイダルシリカ(平均粒径90μm) 0.1g 水で1lに仕上げる 《下引塗布液b−1》 SnO2/Sb(9/1 重量比、平均粒径0.18μm) 200mg/m2になる量 ブチルアクリレート(30重量%) スチレン(20重量%) グリシジルアクリレート(40重量%) の共重合体ラテックス液(固形分30%) 270g (C−1) 0.6g ヘキサメチレン−1,6−ビス(エチレンウレア) 0.8g 水で1lに仕上げる 引き続き、下引層A−1及び下引層B−1の上表面に、
8W/m2・分のコロナ放電を施し、下引層A−1の上
には、下記下引上層塗布液a−2を乾燥膜厚0.1μm
になる様に下引層A−2として、下引層B−1の上には
下記下引上層塗布液b−2を乾燥膜厚0.8μmになる
様に帯電防止機能をもつ下引上層B−2として塗設し
た。
<< Undercoat Coating Solution a-1 >> Butyl acrylate (30% by weight) t-butyl acrylate (20% by weight) Styrene (25% by weight) 2-hydroxyethyl acrylate (25% by weight) copolymer latex liquid (Solid content 30%) 270 g (C-1) 0.6 g hexamethylene-1,6-bis (ethylene urea) 0.8 g polystyrene fine particles (average particle diameter 3 μm) 0.05 g colloidal silica (average particle diameter 90 μm) 0 .1 g with water 1 l << Undercoat coating solution b-1 >> SnO 2 / Sb (9/1 weight ratio, average particle size 0.18 μm) Amount to become 200 mg / m 2 Butyl acrylate (30% by weight) Styrene ( 20% by weight) Glycidyl acrylate (40% by weight) copolymer latex liquid (solid content 30%) 270 g (C-1) 0.6 g hexa Styrene-1,6-bis subsequently finish 1l in (ethyleneurea) 0.8 g Water, to the undercoat layer A-1 and the upper surface undercoat layer B-1,
A corona discharge of 8 W / m 2 · min. Was performed, and the following lower coating liquid a-2 was coated on the lower coating layer A-1 with a dry film thickness of 0.1 μm.
As the undercoat layer A-2, the undercoat layer B-1 is coated on the undercoat layer B-1 with the following undercoat layer coating solution b-2 so as to have a dry film thickness of 0.8 μm. Coated as B-2.

【0174】 《下引上層塗布液a−2》 ゼラチン 0.4g/m2になる重量 (C−1) 0.2g (C−2) 0.2g (C−3) 0.1g シリカ粒子(平均粒径3μm) 0.1g 水で1lに仕上げる 《下引上層塗布液b−2》 (C−4) 60g (C−5)を成分とするラテックス液(固形分20%) 80g 硫酸アンモニウム 0.5g (C−6) 12g ポリエチレングリコール(重量平均分子量600) 6g 水で1lに仕上げる<< Coating Solution a-2 for Undercoating >> Gelatin 0.4 g / m 2 Weight (C-1) 0.2 g (C-2) 0.2 g (C-3) 0.1 g Silica particles ( (Average particle size: 3 μm) 0.1 g Finished to 1 liter with water << Lower upper layer coating solution b-2 >> (C-4) 60 g Latex solution containing (C-5) as a component (solid content: 20%) 80 g Ammonium sulfate 5 g (C-6) 12 g Polyethylene glycol (weight average molecular weight 600) 6 g Finish to 1 liter with water

【0175】[0175]

【化68】 Embedded image

【0176】[0176]

【化69】 Embedded image

【0177】(支持体の熱処理)上記の下引済み支持体
の下引乾燥工程において、支持体を140℃で加熱し、
その後徐々に冷却した。
(Heat Treatment of Support) In the above-mentioned undercoat drying step of the undercoated support, the support was heated at 140 ° C.
Thereafter, it was gradually cooled.

【0178】(乳剤Aの調製)水900ml中にイナー
トゼラチン7.5g及び臭化カリウム10mgを溶解し
て温度35℃、pHを3.0に合わせた後、硝酸銀74
gを含む水溶液370mlと(60/38/2)のモル
比の塩化ナトリウムと臭化カリウムと沃化カリウムを含
む水溶液及び〔Ir(NO)Cl5〕塩を銀1モル当た
り1×10-6モル及び塩化ロジウム塩を銀1モル当たり
1×10-6モルを、pAg7.7に保ちながらコントロ
ールドダブルジェット法で添加した。その後4−ヒドロ
キシ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデ
ンを添加しNaOHでpHを8、pAg6.5に調整す
ることで還元増感を行い平均粒子サイズ0.06μm、
単分散度10%の投影直径面積の変動係数8%、〔10
0〕面比率87%の立方体沃臭化銀粒子を得た。この乳
剤にゼラチン凝集剤を用いて凝集沈降させ脱塩処理を行
った。
(Preparation of Emulsion A) In 900 ml of water, 7.5 g of inert gelatin and 10 mg of potassium bromide were dissolved and adjusted to a temperature of 35 ° C. and a pH of 3.0.
g of an aqueous solution containing sodium chloride, potassium bromide and potassium iodide in a molar ratio of (60/38/2) and [Ir (NO) Cl 5 ] salt in an amount of 1 × 10 −6 per mole of silver. The mol and rhodium chloride salt were added by the controlled double jet method at 1 × 10 −6 mol per mol of silver while keeping the pAg at 7.7. Thereafter, 4-hydroxy-6-methyl-1,3,3a, 7-tetrazaindene was added, the pH was adjusted to 8 with NaOH, and the pAg was adjusted to 6.5 to perform reduction sensitization to obtain an average particle size of 0.06 μm.
The coefficient of variation of the projected diameter area with a monodispersity of 10% is 8%, [10
0] Cubic silver iodobromide grains having an area ratio of 87% were obtained. This emulsion was subjected to coagulation sedimentation using a gelatin coagulant, and desalting treatment was performed.

【0179】(ベヘン酸Na溶液の調製)945mlの
純水にベヘン酸32.4g、アラキジン酸9.9g、ス
テアリン酸5.6gを90℃で溶解した。次に高速で撹
拌しながら1.5Mの水酸化ナトリウム水溶液98ml
を添加した。次に濃硝酸0.93mlを加えた後、55
℃に冷却して30分撹拌させてベヘン酸Na溶液を得
た。
(Preparation of Na Behenate Solution) In 945 ml of pure water, 32.4 g of behenic acid, 9.9 g of arachidic acid and 5.6 g of stearic acid were dissolved at 90 ° C. Next, while stirring at a high speed, 98 ml of a 1.5 M aqueous sodium hydroxide solution
Was added. Next, 0.93 ml of concentrated nitric acid was added.
C. and stirred for 30 minutes to obtain a sodium behenate solution.

【0180】(ベヘン酸銀とハロゲン化銀乳剤Aのプレ
フォーム乳剤の調製)上記のベヘン酸Na溶液に前記ハ
ロゲン化銀乳剤Aを15.1g添加し水酸化ナトリウム
溶液でpH8.1に調整した後に1Mの硝酸銀溶液14
7mlを7分間かけて加え、さらに20分撹拌し限外濾
過により水溶性塩類を除去した。できたベヘン酸銀は平
均粒子サイズ0.8μm、単分散度8%の粒子であっ
た。分散物のフロックを形成後、水を取り除き、更に6
回の水洗と水の除去を行った後乾燥させた。
(Preparation of Preform Emulsion of Silver Behenate and Silver Halide Emulsion A) 15.1 g of the above silver halide emulsion A was added to the above sodium behenate solution, and the pH was adjusted to 8.1 with a sodium hydroxide solution. Later, 1M silver nitrate solution 14
7 ml was added over 7 minutes, the mixture was further stirred for 20 minutes, and water-soluble salts were removed by ultrafiltration. The resulting silver behenate was grains having an average grain size of 0.8 μm and a monodispersity of 8%. After the floc of the dispersion has formed, the water is removed and an additional 6
After washing with water and removing water several times, it was dried.

【0181】(感光性乳剤の調製)できあがったプレフ
ォーム乳剤を分割し、それにポリビニルブチラール(数
平均分子量3000)のメチルエチルケトン溶液(17
wt%)544gとトルエン107gを徐々に添加して
混合した後に、0.5mmサイズZrO2のビーズミル
を用いたメディア分散機で4000psiで30℃、1
0分間の分散を行った。
(Preparation of Photosensitive Emulsion) The preform emulsion thus obtained was divided, and a solution of polyvinyl butyral (number average molecular weight 3000) in methyl ethyl ketone (17) was prepared.
544 g and toluene 107 g were gradually added and mixed, and then at 30 ° C., 1 ° C. and 4000 psi with a media disperser using a 0.5 mm-size ZrO 2 bead mill.
Dispersion was performed for 0 minutes.

【0182】前記支持体上に以下の各層を両面同時塗布
し、試料を作製した。尚、乾燥は60℃、15分間で行
った。
The following layers were simultaneously coated on both sides of the support to prepare a sample. The drying was performed at 60 ° C. for 15 minutes.

【0183】(バック面側塗布)バッキング層1:支持
体のB−2層の上に以下の組成の液を乾燥膜厚5μmに
なる様に塗布した。
(Back side coating) Backing layer 1: A solution having the following composition was coated on layer B-2 of the support so as to have a dry film thickness of 5 μm.

【0184】 セルロースアセテートブチレート 15ml/m2 (10%メチルエチルケトン溶液) 染料−A 7mg/m2 染料−B 7mg/m2 マット剤:単分散度15%平均粒子サイズ8μm単分散シリカ 90mg/m2817(CH2CH2O)12817 50mg/m2817−C64−SO3Na 10mg/m2 Cellulose acetate butyrate 15 ml / m 2 (10% methyl ethyl ketone solution) Dye-A 7 mg / m 2 Dye-B 7 mg / m 2 Matting agent: monodispersity 15% Average particle size 8 μm monodisperse silica 90 mg / m 2 C 8 F 17 (CH 2 CH 2 O) 12 C 8 F 17 50mg / m 2 C 8 F 17 -C 6 H 4 -SO 3 Na 10mg / m 2

【0185】[0185]

【化70】 Embedded image

【0186】(感光層面側塗布) 感光層1:支持体のA−2層の上に以下の組成の液を乾
燥膜厚15μmで塗布銀量が1.8g/m2になる様に
塗布した。
(Coating on Photosensitive Layer Surface Side) Photosensitive layer 1: A solution having the following composition was applied on layer A-2 of the support so that the coated silver amount was 1.8 g / m 2 at a dry film thickness of 15 μm. .

【0187】 プレフォーム乳剤 240g 増感色素(0.1%メタノール溶液) 1.7ml ピリジニウムプロミドペルブロミド(6%メタノール溶液) 3ml 臭化カルシウム(0.1%メタノール溶液) 1.7ml 酸化剤(10%メタノール溶液) 1.2ml 2−4−クロロベンゾイル安息香酸(12%メタノール溶液)9.2ml 2−メルカプトベンズイミダゾール(1%メタノール溶液) 11ml トリブロモメチルスルホキノリン(5%メタノール溶液) 17ml ヒドラジン誘導体 H−26 0.4g 硬調化剤 P−51 0.3g フタラジン 0.6g 4−メチルフタル酸 0.25g テトラクロロフタル酸 0.2g 平均粒径3μmの炭酸カルシウム 0.1g A−4(20%メタノール溶液) 20.5ml イソシアネート化合物 0.5g (モーベイ社製、Desmodur N3300)Preform emulsion 240 g Sensitizing dye (0.1% methanol solution) 1.7 ml Pyridinium bromide perbromide (6% methanol solution) 3 ml Calcium bromide (0.1% methanol solution) 1.7 ml Oxidizing agent ( 10 ml methanol solution) 1.2 ml 2-4-chlorobenzoylbenzoic acid (12% methanol solution) 9.2 ml 2-mercaptobenzimidazole (1% methanol solution) 11 ml tribromomethylsulfoquinoline (5% methanol solution) 17 ml hydrazine Derivative H-26 0.4 g Hardening agent P-51 0.3 g Phthalazine 0.6 g 4-Methylphthalic acid 0.25 g Tetrachlorophthalic acid 0.2 g Calcium carbonate with an average particle size of 3 μm 0.1 g A-4 (20% 20.5 ml isocyanate compound 0.5g (Desmodur N3300, manufactured by Mobay Corporation)

【0188】[0188]

【化71】 Embedded image

【0189】表面保護層:以下の組成の液を乾燥膜厚
2.6μmで感光層の上に同時塗布した。
Surface protective layer: A solution having the following composition was simultaneously coated on the photosensitive layer in a dry film thickness of 2.6 μm.

【0190】 アセトン 5ml/m2 メチルエチルケトン 21ml/m2 セルロースアセテートブチレート 2.3mg/m2 メタノール 7ml/m2 フタラジン 250mg/m2 A−4(20%メタノール溶液) 10ml/m2 マット剤:単分散度10%、平均粒子サイズ4μmの単分散シリカ 5mg/m2 CH2=CHSO2CH2CH2OCH2CH2SO2CH=CH2 35mg/m2 フッ素系界面活性剤 C1225(CH2CH2O)101225 10mg/m2817−C64−SO3Na 10mg/m2 《露光及び現像処理》その後、780nmの半導体レー
ザーを搭載したイメージセッター機であるサイテックス
社製Dolev 2dry(内面ドラム方式)を用いて
−logEのエネルギーでベタ露光した。
[0190] Acetone 5 ml / m 2 methyl ethyl ketone 21 ml / m 2 Cellulose acetate butyrate 2.3 mg / m 2 methanol 7 ml / m 2 phthalazine 250mg / m 2 A-4 ( 20% methanol solution) 10 ml / m 2 Matting agent: Single Monodisperse silica having a degree of dispersion of 10% and an average particle size of 4 μm 5 mg / m 2 CH 2 CHCHSO 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 SO 2 CH = CH 2 35 mg / m 2 Fluorine surfactant C 12 F 25 ( CH 2 CH 2 O) 10 C 12 F 25 10 mg / m 2 C 8 F 17 -C 6 H 4 —SO 3 Na 10 mg / m 2 << Exposure and development treatment >> Thereafter, an image setter equipped with a 780 nm semiconductor laser Solid exposure was performed using energy of -logE using Dolev 2dry (internal drum method) manufactured by Cytex Corporation.

【0191】《自動熱現像機》図1〜4に加熱部の断面
を示す自動熱現像機を用い、表に示す現像条件で現像を
行って評価した。尚、露光及び現像は23℃、50%R
Hに調湿した部屋で行った。
<< Automatic Thermal Developing Machine >> Evaluation was performed by using an automatic thermal developing machine showing the cross section of the heating section in FIGS. 1 to 4 under the developing conditions shown in the table. Exposure and development were performed at 23 ° C and 50% R.
We went in a room conditioned to H.

【0192】図1〜4は加熱部の例の断面図である。図
1(a)〜(c)は、搬送ローラーを用いる水平搬送型
のもので、→方向に搬送される感光材料と搬送ローラー
を取り囲む形で、熱媒体2が配置される。ここにおいて
搬送される熱現像感光材料表面と対面する熱媒体(加熱
部材)との距離を加熱部高さとすると、プレヒート部高
さがDp、現像部高さがDhである。図2(a)は、ベ
ルトコンベアー3を用いる水平搬送型のもので、感光材
料が搬送される領域のみ空隙が設定された熱媒体2が配
置される。図2(b)は同形式でプレヒート部を有する
ものである。図2(c)はプレヒート部をローラー搬
送、熱現像部をベルトコンベアー搬送とするものであ
る。図3(a)はヒートドラム対で加熱するもので、感
光材料はガイドローラ61、62に挟持されて搬送さ
れ、ヒートドラム対51、52に挟まれて両面から加熱
され、ガイドローラ71、72により一旦加熱現像部か
ら排出されたのち、逆方向に搬送され、再度の両面加熱
の後、上部ヒートドラム51に巻回され、ガイドローラ
4により案内されて、冷却部を経て搬出される。図3
(b)は更にプレヒートドラム81、82を組み合わせ
たものである。図4(a)は、ヒートドラム53周縁に
ローラ群91を配し、搬送される感光材料をヒートドラ
ムに押しつけて加熱すると共に、熱媒体2で全体を覆っ
て、裏面からの加熱も行うものである。図4(b)は、
更にプレヒートドラム83周縁に間欠ローラ群92を配
してプレヒートするものである。
FIGS. 1 to 4 are sectional views of examples of the heating unit. 1A to 1C show a horizontal transport type using a transport roller, in which a heat medium 2 is arranged so as to surround the photosensitive material transported in the direction → and the transport roller. Assuming that the distance between the conveyed photothermographic material surface and the heat medium (heating member) facing the surface is the height of the heating section, the height of the preheating section is Dp and the height of the developing section is Dh. FIG. 2A shows a horizontal transport type using a belt conveyor 3, in which a heat medium 2 in which a gap is set only in a region where a photosensitive material is transported is disposed. FIG. 2B shows the same type having a preheating portion. FIG. 2 (c) shows a case where the preheating section is carried by a roller and the heat developing section is carried by a belt conveyor. FIG. 3 (a) shows a case where the photosensitive material is heated by a pair of heat drums. The photosensitive material is conveyed while being sandwiched between guide rollers 61 and 62, and is heated from both sides by being sandwiched between a pair of heat drums 51 and 52. , Once discharged from the heating and developing unit, conveyed in the reverse direction, wound again on the upper heat drum 51 after the double-sided heating again, guided by the guide rollers 4, and discharged through the cooling unit. FIG.
(B) is a combination of preheat drums 81 and 82. FIG. 4A shows an arrangement in which a roller group 91 is arranged around the periphery of the heat drum 53, and the photosensitive material being conveyed is pressed against the heat drum and heated, and the entire surface is covered with the heat medium 2 and the back surface is also heated. It is. FIG. 4 (b)
Further, an intermittent roller group 92 is arranged around the periphery of the preheat drum 83 for preheating.

【0193】《現像ムラ評価》440mm×610mm
サイズの感光材料を作製し、露光機、現像機を用い1枚
通したときの感光材料の位置でのDmin、Dmaxの
変動率を評価した。即ち、図5に示す9箇所で測定し
て、最大Dmin値と最小Dminの差をDmin変動
率、最大Dmax値と最小Dmaxの差をDmax変動
率とした。なお現像先端が測定点1〜3側である。
<< Evaluation of development unevenness >> 440 mm × 610 mm
A photosensitive material having a size was prepared, and the variation rate of Dmin and Dmax at the position of the photosensitive material when one sheet was passed using an exposure machine and a developing machine was evaluated. That is, measurement was performed at nine locations shown in FIG. 5, and the difference between the maximum Dmin value and the minimum Dmin was defined as the Dmin variation rate, and the difference between the maximum Dmax value and the minimum Dmax was defined as the Dmax variation rate. Note that the development tip is on the side of measurement points 1 to 3.

【0194】《搬送性の評価》熱現像感光材料を100
枚処理した時の搬送不良の回数で評価した。
<< Evaluation of transportability >>
Evaluation was made based on the number of transport failures when processing one sheet.

【0195】《画像再現性の評価》熱現像感光材料を1
0枚露光し、現像して得たセンシトメトリー画像から濃
度1.0を与える露光量の逆数で感度を求め、その変化
率を百分率で表し評価した。
<< Evaluation of Image Reproducibility >>
From the sensitometric image obtained by exposing and developing 0 sheets, the sensitivity was determined by the reciprocal of the exposure amount giving a density of 1.0, and the rate of change was expressed as a percentage and evaluated.

【0196】以上の条件と結果を表1〜3に示す。The above conditions and results are shown in Tables 1 to 3.

【0197】[0197]

【表1】 [Table 1]

【0198】[0198]

【表2】 [Table 2]

【0199】[0199]

【表3】 [Table 3]

【0200】[0200]

【発明の効果】本発明の熱現像感光材料の処理方法によ
れば、熱伝達率の変化や空気の流れ込みに伴う、現像ム
ラ、画像再現性、搬送不良の問題を解消することができ
る。
According to the method for processing a photothermographic material of the present invention, it is possible to solve the problems of uneven development, image reproducibility, and poor transport due to a change in heat transfer coefficient or air flow.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】搬送ローラーを用いる水平搬送型加熱部の例の
断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an example of a horizontal transfer type heating unit using a transfer roller.

【図2】ベルトコンベアーを用いる水平搬送型加熱部の
例の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of an example of a horizontal transfer type heating unit using a belt conveyor.

【図3】ヒートドラム対で加熱する加熱部の例の断面図
である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of an example of a heating unit that heats with a pair of heat drums.

【図4】ヒートドラムと熱媒体を併用する加熱部の例の
断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of an example of a heating unit that uses both a heat drum and a heat medium.

【図5】現像ムラ評価の測定点を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing measurement points of development unevenness evaluation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 搬送ローラー 2 熱媒体 3 ベルトコンベアー 4 ガイドローラ 51、52、53 ヒートドラム 61、62、71、72 ガイドローラ 81、82、83 プレヒートドラム Dh 現像部高さ Dp プレヒート部高さ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conveyance roller 2 Heat medium 3 Belt conveyor 4 Guide roller 51, 52, 53 Heat drum 61, 62, 71, 72 Guide roller 81, 82, 83 Preheat drum Dh Developing part height Dp Preheating part height

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオ
ン用還元剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像
感光材料を処理するにあたり、加熱部内の空隙率(=加
熱部内の空隙体積(cm3)/加熱部内の体積(c
3))が0.002〜0.3の範囲である熱現像処理
装置を用いることを特徴とする熱現像感光材料の処理方
法。
1. A method for processing a photothermographic material containing a photosensitive silver halide, an organic silver salt, a reducing agent for silver ions, a contrasting agent and a binder, wherein a porosity in a heated portion (= a void volume in a heated portion) (Cm 3 ) / volume in heating section (c
m 3)) is processing method of a photothermographic material, which comprises using the thermal development apparatus is in the range of 0.002 to 0.3.
【請求項2】 熱現像処理装置の加熱部の温度が100
℃〜150℃の範囲であることを特徴とする請求項1に
記載の熱現像感光材料の処理方法。
2. The temperature of a heating section of a thermal development processing apparatus is 100.
The method for processing a photothermographic material according to claim 1, wherein the temperature is in the range of from 150C to 150C.
【請求項3】 感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオ
ン用還元剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像
感光材料を処理するにあたり、110℃〜150℃の範
囲である現像部と、該現像部の温度より5℃以上低い温
度範囲のプレヒート部を有する熱現像処理装置を用いる
ことを特徴とする熱現像感光材料の処理方法。
3. A processing section for processing a photothermographic material containing a photosensitive silver halide, an organic silver salt, a reducing agent for silver ions, a contrasting agent and a binder, wherein the developing section has a temperature in the range of 110 ° C. to 150 ° C. A method of processing a photothermographic material, comprising using a heat development processing apparatus having a preheating section in a temperature range lower than the temperature of the developing section by 5 ° C. or more.
【請求項4】 感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオ
ン用還元剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像
感光材料を処理するにあたり、現像部内の空隙率(=熱
現像部内の空隙体積(cm3)/熱現像部内の体積(c
3))が0.002〜0.5の範囲である熱現像処理
装置を用いることを特徴とする熱現像感光材料の処理方
法。
4. A process for processing a photothermographic material containing a photosensitive silver halide, an organic silver salt, a reducing agent for silver ions, a contrast agent and a binder, wherein a porosity in a developing section (= a void in a heat developing section) Volume (cm 3 ) / Volume (c
m 3 )) is a photothermographic material processing method using a photothermographic processing apparatus having a range of 0.002 to 0.5.
【請求項5】 熱現像処理装置の現像部の温度が110
℃〜150℃の範囲であることを特徴とする請求項4に
記載の熱現像感光材料の処理方法。
5. The temperature of the developing section of the thermal developing apparatus is 110.
5. The method for processing a photothermographic material according to claim 4, wherein the temperature is in the range of from 150C to 150C.
【請求項6】 熱現像処理装置の現像部の前に現像部温
度より5℃以上低い温度のプレヒート部を有することを
特徴とする請求項4又は5に記載の熱現像感光材料の処
理方法。
6. The method for processing a photothermographic material according to claim 4, further comprising a preheating section having a temperature lower by at least 5 ° C. than the temperature of the developing section before the developing section of the thermal developing apparatus.
【請求項7】 現像部とプレヒート部を有する加熱部内
の空隙率に対する現像部内の空隙率が0.006〜1.
8であることを特徴とする請求項3に記載の熱現像感光
材料の処理方法。
7. The porosity in the developing section is from 0.006 to 1.10 relative to the porosity in the heating section having the developing section and the preheating section.
The method for processing a photothermographic material according to claim 3, wherein
【請求項8】 感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオ
ン用還元剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像
感光材料を処理するにあたり、加熱部内に搬送される熱
現像感光材料表面と対面する加熱部材との距離が0〜
1.8cmの範囲である熱現像処理装置を用いることを
特徴とする熱現像感光材料の処理方法。
8. When a photothermographic material containing a photosensitive silver halide, an organic silver salt, a reducing agent for silver ions, a contrasting agent and a binder is processed, a surface of the photothermographic material conveyed into a heating unit is treated. The distance to the facing heating member is 0 to
A method for processing a photothermographic material, wherein a photothermographic processing apparatus having a range of 1.8 cm is used.
【請求項9】 感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオ
ン用還元剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像
感光材料を処理するにあたり、現像部内の搬送部材と加
熱部材との距離が0〜1.8cmの範囲である熱現像処
理装置を用いることを特徴とする熱現像感光材料の処理
方法。
9. In processing a photothermographic material containing a photosensitive silver halide, an organic silver salt, a reducing agent for silver ions, a contrasting agent and a binder, a distance between a conveying member and a heating member in a developing section is increased. A method for processing a photothermographic material, comprising using a photothermographic processing apparatus having a range of 0 to 1.8 cm.
【請求項10】 平面搬送する熱現像処理装置であるこ
とを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8
又は9に記載の熱現像感光材料の処理方法。
10. A thermal development processing apparatus for transporting a flat surface, wherein the thermal development processing apparatus is a plane development apparatus.
Or the method for processing a photothermographic material according to item 9.
【請求項11】 熱現像感光材料の支持体厚みが110
〜150μmであることを特徴とする請求項1、2、
3、4、5、6、7、8、9又は10に記載の熱現像感
光材料の処理方法。
11. The thickness of the support of the photothermographic material is 110.
3. The method according to claim 1, wherein
13. The method for processing a photothermographic material according to 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, or 10.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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