JP2001085780A - Semiconductor laser module - Google Patents

Semiconductor laser module

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JP2001085780A
JP2001085780A JP2000229837A JP2000229837A JP2001085780A JP 2001085780 A JP2001085780 A JP 2001085780A JP 2000229837 A JP2000229837 A JP 2000229837A JP 2000229837 A JP2000229837 A JP 2000229837A JP 2001085780 A JP2001085780 A JP 2001085780A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a semiconductor laser module, where the overall height occupied by parts in a package is lowered by the arrangement of the parts. SOLUTION: An area near one side of an optical fiber 22 is fixed to one side sidewall of a semiconductor laser module 20. An electronic cooling element 23 is fixed to the inner bottom surface of a module package 21. An upper-stage part 24U of a substrate 24 made of a metal plate, composed in two stages by providing a step (h), is fixed onto the upper surface of the electronic cooling element 23. A semiconductor laser 25 is fixed to the end part of the upper-stage part 24U. A lens 26 is fixed to a lower-stage part 24D of the substrate, thus reducing the overall height occupied by each parts by the amount of the step (h).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光通信や光情報
処理に使用される半導体レーザモジュールに係わり、詳
細には冷却素子によって温度を調整された半導体レーザ
から射出する光ビームを、光ファイバに結合させた半導
体レーザモジュールに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser module used for, for example, optical communication and optical information processing. More specifically, the present invention relates to an optical fiber for emitting a light beam emitted from a semiconductor laser whose temperature is adjusted by a cooling element. The present invention relates to a semiconductor laser module coupled to

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体レーザモジュールは、光ファイバ
伝送装置等に使用される信号光源として広く使用されて
いる。光ファイバを使用した伝送装置の小型化が進んで
おり、回路基板の高集積化が要請されている。これと共
に、回路基板に組み込まれる各種部品が小型化し高さも
低くなっている。このような部品との関係で、半導体レ
ーザモジュールも特にその薄型化が求められている。
2. Description of the Related Art Semiconductor laser modules are widely used as signal light sources used in optical fiber transmission devices and the like. Transmission devices using optical fibers have been miniaturized, and high integration of circuit boards has been demanded. At the same time, various components incorporated in the circuit board have been reduced in size and height. In relation to such components, the semiconductor laser module is also required to be particularly thin.

【0003】図2は、従来の半導体レーザモジュールの
構造を示したものである。半導体レーザモジュール10
のモジュールパッケージ11の一側壁には、光信号を伝
達するための光ファイバ12の一端が収容されている。
モジュールパッケージ11の内部底面には電子冷却素子
13が配置されており、その上には基板14を介して半
導体レーザ15と、これから射出された光ビームを光フ
ァイバ12に光学的に結合させるためのレンズ16が配
置されている。
FIG. 2 shows the structure of a conventional semiconductor laser module. Semiconductor laser module 10
One end of an optical fiber 12 for transmitting an optical signal is accommodated in one side wall of the module package 11.
An electronic cooling element 13 is disposed on the inner bottom surface of the module package 11. A semiconductor laser 15 and a light beam emitted from the semiconductor laser 15 are optically coupled to the optical fiber 12 via a substrate 14. A lens 16 is provided.

【0004】この半導体レーザモジュール10では、モ
ジュールパッケージ11の高さをできるだけ低くするた
めに次のような工夫を行っている。電子冷却素子13は
所要の冷却能力を発揮するためにその厚さを最小限に抑
えている。この上に配置された基板14は、レンズ16
を載置する部分ができるだけ薄くなるように加工してい
る。半導体レーザ15を載置した部分は、レンズ16の
光軸とレーザビームが一致するように高さが設定される
ので、この部分はある程度の厚さ(高さ)が必要とな
る。レンズ16はその径が小さいほどモジュールパッケ
ージ11の高さを低くすることができるが、実際には所
定の開口角(NA)を確保する必要があり、この要請を
満たす最も小さな口径に設定されている。
[0004] In the semiconductor laser module 10, the following contrivance has been made to reduce the height of the module package 11 as much as possible. The electronic cooling element 13 is minimized in thickness in order to exhibit a required cooling capacity. The substrate 14 disposed thereon is provided with a lens 16
Is processed so that the portion on which is mounted is as thin as possible. Since the height of the portion on which the semiconductor laser 15 is mounted is set so that the optical axis of the lens 16 coincides with the laser beam, this portion needs a certain thickness (height). The smaller the diameter of the lens 16 is, the lower the height of the module package 11 can be. However, in practice, it is necessary to secure a predetermined aperture angle (NA). I have.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように従来の半導
体レーザモジュールの構造では、その内部部品全体の高
さを最大限に低くするためにレンズ16を載置した部分
の基板14の厚さをできるだけ薄くしている。しかしな
がら、電子冷却素子13とこの上に載置される基板1
4、半導体レーザ15等の各種の部品(チップオンキャ
リア)の全体が占める高さは、たとえ基板14の厚さを
加工上の限界値に設定したとしても、電子冷却素子13
の高さにレンズ16の直径を加えた値よりも低くするこ
とが論理的に不可能であった。
As described above, in the structure of the conventional semiconductor laser module, the thickness of the substrate 14 where the lens 16 is mounted is reduced in order to minimize the overall height of the internal components. It is as thin as possible. However, the electronic cooling element 13 and the substrate 1 placed thereon
4. The height occupied by the various components (chip-on-carrier) such as the semiconductor laser 15 as a whole, even if the thickness of the substrate 14 is set to the processing limit,
It was logically impossible to make the height lower than the sum of the height of the lens 16 and the diameter of the lens 16.

【0006】そこで本発明の目的は、部品の配置を工夫
することによりパッケージ内のこれら部品の占める全体
的な高さを低くすることのできる半導体レーザモジュー
ルを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor laser module which can reduce the overall height occupied by these components in a package by devising the arrangement of the components.

【0007】本発明の他の目的は、冷却素子の高さにレ
ンズの直径を加えた値よりもパッケージ内の部品全体の
高さを低くすることができる半導体レーザモジュールを
提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a semiconductor laser module capable of reducing the height of the whole components in a package as compared with the value obtained by adding the diameter of the lens to the height of the cooling element.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明で
は、(イ)モジュールパッケージと、(ロ)段差部分を
境として平面状の上段部と下段部とを有する熱伝導性の
基板と、(ハ)モジュールパッケージの内部底面にその
下面が固定されその上面が基板の上段部の下面に固定さ
れた温度調整用の温度調整素子と、(ニ)基板に配置さ
れた半導体レーザと、(ホ)光ファイバと、(へ)基板
の下段部に固定され、半導体レーザと光ファイバを光学
的に結合させるレンズとを半導体レーザモジュールに具
備させる。
According to the first aspect of the present invention, there are provided (a) a module package, and (b) a thermally conductive substrate having a planar upper and lower portion with a step portion as a boundary. (C) a temperature control element for temperature control, the lower surface of which is fixed to the inner bottom surface of the module package and the upper surface of which is fixed to the lower surface of the upper step of the substrate; (d) a semiconductor laser disposed on the substrate; The semiconductor laser module includes an optical fiber and a lens fixed to the lower portion of the substrate and optically coupling the semiconductor laser and the optical fiber.

【0009】すなわち請求項1記載の発明では、温度の
調整を行うペルチェ素子等の温度調整素子の上に配置さ
れる基板を上段部分と下段部分とこれらを接続する段差
部分からなる構造のものとし、その上段部分の下面を温
度調整素子の上面に固定する。これにより、下段部分は
段差部分によって上段部分より低い位置に配置されるこ
とになり、上段部分に半導体レーザを配置して下段部分
にレンズを固定すれば、モジュールパッケージの底面か
らレンズの上端までの高さを従来よりも低くすることが
可能になる。
That is, according to the first aspect of the present invention, the substrate disposed on the temperature adjusting element such as a Peltier element for adjusting the temperature has a structure including an upper part, a lower part, and a step connecting these parts. The lower surface of the upper portion is fixed to the upper surface of the temperature control element. As a result, the lower part is arranged at a position lower than the upper part by the step part. If the semiconductor laser is arranged in the upper part and the lens is fixed to the lower part, the distance from the bottom of the module package to the upper end of the lens is increased. The height can be made lower than before.

【0010】請求項2記載の発明では、基板の下段部は
段差部分によって上段部よりもモジュールパッケージの
内部底面に近い側に配置されていることを特徴としてい
る。段差を比較的大きくすれば、基板の下段部の位置を
より低くすることができる。これにより、従来の半導体
レーザモジュールよりも高さを確実に低くすることがで
きる。もちろん、基板の下段部の上面は温度調整素子の
上面よりも必ずしも低くなる必要なない。
According to a second aspect of the present invention, the lower portion of the substrate is arranged closer to the inner bottom surface of the module package than the upper portion by the step portion. If the step is made relatively large, the position of the lower part of the substrate can be made lower. As a result, the height can be reliably reduced as compared with the conventional semiconductor laser module. Of course, the upper surface of the lower part of the substrate does not necessarily need to be lower than the upper surface of the temperature adjustment element.

【0011】請求項3記載の発明では、基板の下段部の
下面はモジュールパッケージの内部底面と所定の間隔を
置いて非接触状態で配置されていることを特徴としてい
る。これにより、基板とモジュールパッケージの間で直
接的に熱が伝導することがなく、熱エネルギの有効活用
を図ることができると共に、温度調整素子の小型化を図
ることが可能になる。
According to a third aspect of the present invention, the lower surface of the lower portion of the substrate is arranged in a non-contact state at a predetermined distance from the inner bottom surface of the module package. Accordingly, heat is not directly conducted between the substrate and the module package, so that heat energy can be effectively used, and the size of the temperature adjustment element can be reduced.

【0012】請求項4記載の発明では、(イ)所定の形
状からなるモジュールパッケージと、(ロ)レーザ光を
射出する半導体レーザと、(ハ)モジュールパッケージ
に固定された光ファイバと、(ニ)半導体レーザと光フ
ァイバとを光学的に結合するレンズと、(ホ)半導体レ
ーザを載置する部材であってその屈曲部分を境にしてモ
ジュールパッケージの底面を基準とした高さが互いに異
なる第1および第2の面を有する基板と、(へ)この基
板の第1の面に固定された温度調整用の温度調整素子と
を備え、半導体レーザおよびレンズは温度調整素子の直
上以外の領域に配置されていることを特徴としている。
According to the invention described in claim 4, (a) a module package having a predetermined shape, (b) a semiconductor laser for emitting laser light, (c) an optical fiber fixed to the module package, and (d) A) a lens for optically coupling the semiconductor laser and the optical fiber, and (e) a member for mounting the semiconductor laser, the heights of which are different from each other with respect to the bottom surface of the module package at the bent portion. A substrate having first and second surfaces, and a temperature adjusting element for temperature adjustment fixed to the first surface of the substrate, wherein the semiconductor laser and the lens are located in an area other than immediately above the temperature adjusting element. It is characterized by being arranged.

【0013】請求項5記載の発明では、半導体レーザモ
ジュールは(イ)所定の形状からなるモジュールパッケ
ージと、(ロ)レーザ光を射出する半導体レーザと、
(ハ)温度調整用の温度調整素子と、(ニ)その屈曲部
分を境にして第1および第2の面を有し、第1の面には
温度調整素子が固定されており、モジュールパッケージ
の底面を基準としたときに第1の面が第2の面よりも離
れた位置にあることを特徴としている。
According to the fifth aspect of the present invention, the semiconductor laser module comprises: (a) a module package having a predetermined shape; (b) a semiconductor laser for emitting laser light;
(C) a temperature control element for temperature control; and (d) a first and a second surface with the bent portion as a boundary, the temperature control element being fixed to the first surface, and a module package. Is characterized in that the first surface is located at a position farther from the second surface when the bottom surface is used as a reference.

【0014】請求項6記載の発明では、(イ)所定の形
状からなるモジュールパッケージと、(ロ)レーザ光を
射出する半導体レーザと、(ハ)モジュールパッケージ
に固定された光ファイバと、(ニ)半導体レーザと光フ
ァイバとを光学的に結合するレンズと、(ホ)半導体レ
ーザを載置する部材であってその屈曲部分を境にして上
段部と下段部を有し、上段部の上面がレンズの下面より
も高い位置にある基板と、(へ)上段部の下面に固定さ
れた温度調整用の温度調整素子とを半導体レーザモジュ
ールが具備している。
According to the present invention, (a) a module package having a predetermined shape, (b) a semiconductor laser for emitting laser light, (c) an optical fiber fixed to the module package, and (d) A) a lens that optically couples the semiconductor laser and the optical fiber; and (e) a member for mounting the semiconductor laser, which has an upper portion and a lower portion with the bent portion as a boundary. The semiconductor laser module includes a substrate at a position higher than the lower surface of the lens, and a temperature adjusting element for temperature adjustment fixed to the lower surface of the upper stage.

【0015】請求項7記載の発明では、請求項4〜請求
項6記載の半導体レーザモジュールで第1および第2の
面は底面に対して平行であることを特徴としている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor laser module according to the fourth to sixth aspects, the first and second surfaces are parallel to the bottom surface.

【0016】請求項8記載の発明では、請求項4〜請求
項6記載の半導体レーザモジュールで、第1および第2
の面は互いに平行であることを特徴としている。
According to an eighth aspect of the present invention, in the semiconductor laser module according to the fourth to sixth aspects, the first and second semiconductor laser modules are provided.
Are parallel to each other.

【0017】請求項9記載の発明では、請求項4〜請求
項6記載の半導体レーザモジュールで、屈曲部分を構成
する第3の面とこれと接続される第1および第2の面は
互いに垂直関係となっており、これら第1〜第3の面が
一体として基板を構成していることを特徴としている。
According to a ninth aspect of the present invention, in the semiconductor laser module of the fourth to sixth aspects, the third surface constituting the bent portion and the first and second surfaces connected thereto are perpendicular to each other. The first to third surfaces are integrated to form a substrate.

【0018】請求項10記載の発明では、請求項1、請
求項4〜請求項6記載の半導体レーザモジュールで温度
調整素子は半導体レーザを電子的に冷却するための電子
冷却素子であることを特徴としている。
According to a tenth aspect of the present invention, in the semiconductor laser module according to the first aspect, the temperature adjustment element is an electronic cooling element for electronically cooling the semiconductor laser. And

【0019】この請求項10記載の発明では、温度調整
素子が半導体レーザを電子的に冷却するための電子冷却
素子であることを特徴としている。もちろん、冷却素子
のみでなく必要に応じて加熱素子を併せて、あるいは単
独で配置することも自由である。
According to a tenth aspect of the present invention, the temperature adjusting element is an electronic cooling element for electronically cooling the semiconductor laser. Needless to say, not only the cooling element but also a heating element can be freely arranged as needed or alone.

【0020】[0020]

【実施例】以下実施例につき本発明を詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to embodiments.

【0021】図1は本発明の一実施例における半導体レ
ーザモジュールの構造を表わしたものである。本実施例
の半導体レーザモジュール20は、やや細長のモジュー
ルパッケージ21を使用している。その一側壁には、光
信号を伝達するための光ファイバ12の一端近傍がYA
G固定されている。モジュールパッケージ21の内部底
面には、ペルチェ素子からなる電子冷却素子23が半田
によって固定されている。電子冷却素子23の上面に
は、所定の段差hを設けて2段に構成した金属板からな
る基板24の上段部分24Uが半田によって固定されて
いる。上段部分24Uの光ファイバ22側に寄った端部
には半導体レーザ25が半田によって固定されている。
光ファイバ22の固定位置は、その光軸が半導体レーザ
25の射出部の高さと一致するように予め設定されてい
る。基板の下段部分(クランク部)24Dの上面には、
レンズ26がYAG固定されている。基板24の段差h
は、このレンズ26と光ファイバ22と光軸が一致する
ような値に設定されている。基板の下段部分24Dの下
面は、モジュールパッケージ21の内部底面と非接触の
状態となっている。
FIG. 1 shows the structure of a semiconductor laser module according to an embodiment of the present invention. The semiconductor laser module 20 of this embodiment uses a slightly elongated module package 21. On one side wall, the vicinity of one end of the optical fiber 12 for transmitting an optical signal is YA.
G is fixed. An electronic cooling element 23 made of a Peltier element is fixed to the inner bottom surface of the module package 21 by soldering. On the upper surface of the electronic cooling element 23, an upper portion 24U of a substrate 24 made of a metal plate having two steps with a predetermined step h is fixed by soldering. A semiconductor laser 25 is fixed to the end of the upper portion 24U near the optical fiber 22 by soldering.
The fixed position of the optical fiber 22 is set in advance so that the optical axis thereof coincides with the height of the emission portion of the semiconductor laser 25. On the upper surface of the lower portion (crank portion) 24D of the substrate,
The lens 26 is fixed by YAG. Step h of substrate 24
Is set to a value such that the optical axis of the lens 26 matches the optical axis of the optical fiber 22. The lower surface of the lower portion 24D of the substrate is not in contact with the inner bottom surface of the module package 21.

【0022】このような構成の半導体レーザモジュール
20では、半導体レーザ25と光ファイバ22がレンズ
26によって光学的に結合している。また、半導体レー
ザ25は基板24を介して電子冷却素子23によって放
熱され、所望の温度範囲に保たれるようになっている。
In the semiconductor laser module 20 having such a configuration, the semiconductor laser 25 and the optical fiber 22 are optically coupled by the lens 26. The semiconductor laser 25 is dissipated by the thermoelectric cooler 23 via the substrate 24, and is kept in a desired temperature range.

【0023】しかも本実施例の半導体レーザモジュール
20では、基板24に段差hが設けられており、下段部
分24Dの上面の高さを電子冷却素子23の上面の高さ
よりも低くすることができる。したがって、モジュール
パッケージ20内の部品全体による高さは、レンズ26
の高さに電子冷却素子23の高さと基板24の厚さを単
純に加算した値よりも小さくなることはもちろん、電子
冷却素子23の高さと段差hの設定値によっては全体的
な高さを、電子冷却素子23の高さとレンズ26の口径
を単純に加算した値よりも大幅に低めることができる。
したがって、電子冷却素子23等の各種部品の選択の自
由度が増し、また性能的にも部品の信頼性の点でも余裕
を持たせることができる。もちろん、各種部品の高さを
限界値に設定することで半導体レーザモジュールの高さ
を大幅に改善することができる。
Moreover, in the semiconductor laser module 20 of this embodiment, the step h is provided on the substrate 24, and the height of the upper surface of the lower portion 24D can be made lower than the height of the upper surface of the electronic cooling element 23. Therefore, the height of the entire components in the module package 20 is
Of the electronic cooling element 23 and the thickness of the substrate 24 are simply added to the height of the electronic cooling element 23, and of course, the overall height may be reduced depending on the height of the electronic cooling element 23 and the set value of the step h. In addition, it is possible to greatly reduce the value obtained by simply adding the height of the electronic cooling element 23 and the aperture of the lens 26.
Therefore, the degree of freedom in selecting various components such as the electronic cooling element 23 is increased, and a margin can be given in terms of performance and reliability of the components. Of course, the height of the semiconductor laser module can be significantly improved by setting the heights of the various components to the limit values.

【0024】なお、実施例では半導体レーザモジュール
内に1つの半導体レーザを配置したが、例えば特開平5
−281442号公報にも開示があるように2個または
これ以上の半導体レーザを配置した半導体レーザモジュ
ールにも本発明を適用することができる。
In the embodiment, one semiconductor laser is arranged in the semiconductor laser module.
The present invention can be applied to a semiconductor laser module in which two or more semiconductor lasers are arranged as disclosed in Japanese Patent Application No. -281442.

【0025】また、実施例では基板の下段部の一例を示
したが、温度調整素子上に配置される各種部品(チップ
オンキャリア)の形状やサイズに応じてその形状、配置
される位置および高さを各種変形することが可能であ
る。
In the embodiment, an example of the lower portion of the substrate is shown. However, the shape, the position, and the height of various components (chip-on-carriers) arranged on the temperature adjusting element are determined according to the shape and size of the components. It is possible to make various modifications.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の発明
によれば、温度調整素子の上に配置される基板を上段部
分と下段部分とこれらを接続する段差部分からなる構造
のものとし、その上段部分の下面を温度調整素子の上面
に固定するようにした。これにより、下段部分は段差の
分だけ上段部分より低い位置に配置されることになり、
上段部分に半導体レーザを配置して下段部分にレンズを
固定すれば、モジュールパッケージの底面からレンズの
上端までの高さを低めることが可能になる。したがっ
て、各構成部品の性能やサイズに多少の余裕を持たせな
がら半導体レーザモジュールの高さを低くし、経済性と
伝送装置の小型化に寄与することができる。また、個々
の構成部品の小型化を図ることにより、半導体レーザモ
ジュールの小型化を一層促進することができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the substrate disposed on the temperature adjusting element has a structure including an upper part, a lower part, and a step connecting these parts, The lower surface of the upper portion is fixed to the upper surface of the temperature control element. Thereby, the lower part will be arranged at a position lower than the upper part by the amount of the step,
If the semiconductor laser is arranged on the upper part and the lens is fixed on the lower part, the height from the bottom surface of the module package to the upper end of the lens can be reduced. Therefore, it is possible to reduce the height of the semiconductor laser module while giving some margin to the performance and size of each component, thereby contributing to economy and downsizing of the transmission device. In addition, miniaturization of individual components can further promote miniaturization of the semiconductor laser module.

【0027】また、請求項2記載の発明によれば、段差
を比較的大きくとることで基板の下段部の位置をより低
くなるようにすることができ、従来のように基板の厚さ
をレンズの固定された部分と半導体レーザの固定された
部分で違わせる必要がない。したがって、基板の加工が
例えば平板を単純に折り曲げるだけのものとなり、容易
になるという利点がある。
According to the second aspect of the present invention, the position of the lower part of the substrate can be made lower by making the step relatively large, and the thickness of the substrate can be reduced as in the prior art. It is not necessary to make the fixed portion of the semiconductor laser different from the fixed portion of the semiconductor laser. Therefore, there is an advantage that the processing of the substrate is simply performed by, for example, simply bending a flat plate, and is facilitated.

【0028】更に請求項3記載の発明によれば、基板の
下段部分の下面はモジュールパッケージの内部底面と所
定の間隔を置いて非接触状態になっている。このため、
基板とモジュールパッケージの間で直接的に熱が伝導す
ることがなく、熱エネルギの有効活用を図ることができ
ると共に、温度調整素子を小型にすることができる。
According to the third aspect of the present invention, the lower surface of the lower portion of the substrate is in a non-contact state at a predetermined distance from the inner bottom surface of the module package. For this reason,
Since heat is not directly conducted between the substrate and the module package, heat energy can be effectively used, and the size of the temperature adjustment element can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例における半導体レーザモジュ
ールの構造を表わした概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a structure of a semiconductor laser module according to one embodiment of the present invention.

【図2】従来の半導体レーザモジュールの構造を表わし
た概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a structure of a conventional semiconductor laser module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 半導体レーザモジュール 21 モジュールパッケージ 22 光ファイバ 23 電子冷却素子 24 基板 24U 上段部分 24D 下段部分 25 半導体レーザ 26 レンズ h 段差 Reference Signs List 20 semiconductor laser module 21 module package 22 optical fiber 23 thermoelectric cooler 24 substrate 24U upper part 24D lower part 25 semiconductor laser 26 lens h step

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 モジュールパッケージと、 段差部分を境として平面状の上段部と下段部とを有する
熱伝導性の基板と、 前記モジュールパッケージの内部底面にその下面が固定
されその上面が前記基板の上段部の下面に固定された温
度調整用の温度調整素子と、 前記基板に配置された半導体レーザと、 光ファイバと、 前記基板の下段部に固定され、前記半導体レーザと前記
光ファイバを光学的に結合させるレンズとを具備するこ
とを特徴とする半導体レーザモジュール。
1. A module package, a thermally conductive substrate having an upper portion and a lower portion which are planar with a step portion as a boundary, a lower surface fixed to an inner bottom surface of the module package, and an upper surface of the module package A temperature adjustment element for temperature adjustment fixed to the lower surface of the upper portion, a semiconductor laser disposed on the substrate, an optical fiber, and an optical fiber fixed to the lower portion of the substrate and optically connecting the semiconductor laser and the optical fiber. And a lens coupled to the semiconductor laser module.
【請求項2】 前記基板の下段部は前記段差部分によっ
て前記上段部よりも前記モジュールパッケージの内部底
面に近い側に配置されていることを特徴とする請求項1
記載の半導体レーザモジュール。
2. The module according to claim 1, wherein a lower portion of the substrate is disposed closer to an inner bottom surface of the module package than the upper portion by the step portion.
The semiconductor laser module according to the above.
【請求項3】 前記基板の下段部の下面は前記モジュー
ルパッケージの内部底面と所定の間隔を置いて非接触状
態で配置されていることを特徴とする請求項1記載の半
導体レーザモジュール。
3. The semiconductor laser module according to claim 1, wherein a lower surface of the lower portion of the substrate is disposed in a non-contact state with a predetermined distance from an inner bottom surface of the module package.
【請求項4】 所定の形状からなるモジュールパッケー
ジと、 レーザ光を射出する半導体レーザと、 前記モジュールパッケージに固定された光ファイバと、 前記半導体レーザと光ファイバとを光学的に結合するレ
ンズと、 前記半導体レーザを載置する部材であってその屈曲部分
を境にして前記モジュールパッケージの底面を基準とし
た高さが互いに異なる第1および第2の面を有する基板
と、 この基板の第1の面に固定された温度調整用の温度調整
素子とを備え、 前記半導体レーザおよび前記レンズは前記温度調整素子
の直上以外の領域に配置されていることを特徴とする半
導体レーザモジュール。
4. A module package having a predetermined shape, a semiconductor laser for emitting laser light, an optical fiber fixed to the module package, a lens for optically coupling the semiconductor laser and the optical fiber, A substrate for mounting the semiconductor laser, the substrate having a first surface and a second surface having different heights with respect to a bottom surface of the module package at a bent portion thereof; A semiconductor laser module, comprising: a temperature adjustment element for temperature adjustment fixed to a surface, wherein the semiconductor laser and the lens are arranged in a region other than immediately above the temperature adjustment element.
【請求項5】 所定の形状からなるモジュールパッケー
ジと、 レーザ光を射出する半導体レーザと、 温度調整用の温度調整素子と、 その屈曲部分を境にして第1および第2の面を有し、第
1の面には温度調整素子が固定されており、前記モジュ
ールパッケージの底面を基準としたときに第1の面が第
2の面よりも離れた位置にあることを特徴とする半導体
レーザモジュール。
5. A module package having a predetermined shape, a semiconductor laser for emitting laser light, a temperature control element for temperature control, and first and second surfaces bordering the bent portion thereof, A semiconductor laser module, wherein a temperature adjustment element is fixed to a first surface, and the first surface is located at a position farther from the second surface with respect to a bottom surface of the module package. .
【請求項6】 所定の形状からなるモジュールパッケー
ジと、 レーザ光を射出する半導体レーザと、 前記モジュールパッケージに固定された光ファイバと、 前記半導体レーザと光ファイバとを光学的に結合するレ
ンズと、 前記半導体レーザを載置する部材であってその屈曲部分
を境にして上段部と下段部を有し、前記上段部の上面が
前記レンズの下面よりも高い位置にある基板と、 前記上段部の下面に固定された温度調整用の温度調整素
子とを具備することを特徴とする半導体レーザモジュー
ル。
6. A module package having a predetermined shape, a semiconductor laser for emitting laser light, an optical fiber fixed to the module package, a lens for optically coupling the semiconductor laser and the optical fiber, A substrate on which the semiconductor laser is mounted, having an upper portion and a lower portion bordering the bent portion, a substrate having an upper surface located at a position higher than a lower surface of the lens, A semiconductor laser module comprising: a temperature adjusting element fixed to a lower surface for temperature adjustment.
【請求項7】 前記第1および第2の面は前記底面に対
して平行であることを特徴とする請求項4〜請求項6記
載の半導体レーザモジュール。
7. The semiconductor laser module according to claim 4, wherein said first and second surfaces are parallel to said bottom surface.
【請求項8】 前記第1および第2の面は互いに平行で
あることを特徴とする請求項4〜請求項6記載の半導体
レーザモジュール。
8. The semiconductor laser module according to claim 4, wherein said first and second surfaces are parallel to each other.
【請求項9】 前記屈曲部分を構成する第3の面とこれ
と接続される第1および第2の面は互いに垂直関係とな
っており、これら第1〜第3の面が一体として前記基板
を構成していることを特徴とする請求項4〜請求項6記
載の半導体レーザモジュール。
9. A third surface constituting the bent portion and first and second surfaces connected to the third surface are in a vertical relationship to each other, and these first to third surfaces are integrally formed with the substrate. The semiconductor laser module according to claim 4, wherein:
【請求項10】 前記温度調整素子は前記半導体レーザ
を電子的に冷却するための電子冷却素子であることを特
徴とする請求項1、請求項4〜請求項6記載の半導体レ
ーザモジュール。
10. The semiconductor laser module according to claim 1, wherein said temperature adjusting element is an electronic cooling element for electronically cooling said semiconductor laser.
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