JP2001085207A - Laser trimming method of chip resistor - Google Patents

Laser trimming method of chip resistor

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JP2001085207A
JP2001085207A JP25766699A JP25766699A JP2001085207A JP 2001085207 A JP2001085207 A JP 2001085207A JP 25766699 A JP25766699 A JP 25766699A JP 25766699 A JP25766699 A JP 25766699A JP 2001085207 A JP2001085207 A JP 2001085207A
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Japan
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trimming
resistive film
resistance
resistance value
value
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Takeshi Kaminoi
剛 上ノ井
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Rohm Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To set a trimming length of a trimming groove shorter than that just at a predetermined resistance value and keep it since then, by a method wherein the trimming rate of the resistive film is set in such a manner where it is made lower just before the resistive film reaches to a prescribed value than the other time. SOLUTION: It is controlled by a center control circuit that the trimming rate of a trimming groove 5 provided to a resistive film 2 is set lower at a time when the resistance of the film measured by a resistance measuring device gets slightly smaller than a prescribed value than at the preceding time. That is, a trimming rate at which a trimming groove 5 is cut in the resistive film 2 is kept high until the resistance of the resistive film 2 gets a certain value slightly smaller than a prescribed value and then set lower when the resistance gets a certain value.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型に構成し
た絶縁基板の表面に少なくとも一つの抵抗膜を形成して
成るチップ抵抗器において、その抵抗膜における全抵抗
値を、当該抵抗膜にレーザ光線の照射にてトリミング溝
を刻設することによって、所定抵抗値の許容範囲内に入
るように調整するためのレーザトリミング方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip resistor having at least one resistive film formed on the surface of a chip-shaped insulating substrate. The present invention relates to a laser trimming method for adjusting a predetermined resistance value within an allowable range by forming a trimming groove by irradiating a light beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、抵抗膜に、その抵抗値を調整す
るためのトリミング溝を、当該抵抗膜に対するレーザ光
線の照射にて刻設するに際しては、前記抵抗膜とこれに
照射するレーザ光線とを互いに相対的に適宜速度を移動
しながら、前記抵抗膜に対してレーザ光線の適宜時間の
間隔で間歇的に照射することによって行うようにしてい
ることは周知の通りである。
2. Description of the Related Art Generally, when a trimming groove for adjusting the resistance value is formed in a resistive film by irradiating the resistive film with a laser beam, the resistive film and a laser beam to be irradiated on the resistive film are formed. It is well known that the laser beam is intermittently applied to the resistive film at appropriate time intervals while moving at an appropriate speed relative to each other.

【0003】この場合において、従来は、前記抵抗膜と
これに照射するレーザ光線との相対的な移動速度、つま
り、トリミング速度、及びレーザ光線の間歇照射の間隔
を、トリミング溝の全長にわたって一定に設定してお
り、換言すると、トリミング溝の刻設を、当該トリミン
グ溝の全長にわたって、レーザ光線の照射間隔を一定に
したままで、一定のトリミング速度で行うようにしてい
るから、以下に述べるような問題があった。
In this case, conventionally, the relative moving speed of the resistive film and the laser beam irradiated to the resistive film, that is, the trimming speed, and the interval of the intermittent irradiation of the laser beam are kept constant over the entire length of the trimming groove. In other words, the trimming groove is engraved at a constant trimming speed over the entire length of the trimming groove with the laser beam irradiation interval kept constant. There was a problem.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】すなわち、前記従来の
レーザトリミング方法において、トリミング速度を早く
した場合は、一つの抵抗膜に対するレーザトリミングに
要する時間が短くなって作業能率を向上できるが、その
反面、レーザ光線の間歇照射一回当たりにおけるトリミ
ング溝の刻設長さが大きくなり、ひいては、抵抗値が変
化する率が大きくなるから、抵抗膜を所定の抵抗値に調
整することの精度が低くなる。また、前記トリミング速
度を遅くした場合には、レーザ光線の間歇照射一回照射
当たりにおけるトリミング溝の刻設長さが小さくなり、
ひいては、抵抗値が変化する率が小さくなるから、抵抗
膜を所定の抵抗値に調整することの精度を向上できる
が、その反面、一つの抵抗膜に対するレーザトリミング
に要する時間が長くなり、作業能率が低下するからコス
トのアップを招来するというように、従来のトリミング
方法では、トリミングの精度の向上と、作業能率の向上
との両方を同時に達成することができないのであった。
That is, in the conventional laser trimming method, when the trimming speed is increased, the time required for laser trimming for one resistive film is shortened, and the work efficiency can be improved. Since the engraved length of the trimming groove per one intermittent irradiation of the laser beam increases, and the rate of change in the resistance value increases, the accuracy of adjusting the resistance film to a predetermined resistance value decreases. . Further, when the trimming speed is reduced, the engraved length of the trimming groove per one intermittent irradiation of the laser beam is reduced,
As a result, the rate of change of the resistance value is reduced, so that the accuracy of adjusting the resistance film to a predetermined resistance value can be improved, but on the other hand, the time required for laser trimming for one resistance film becomes longer, and the work efficiency becomes longer. In the conventional trimming method, both the improvement of the trimming accuracy and the improvement of the work efficiency cannot be achieved at the same time.

【0005】本発明は、この問題を解消したレーザトリ
ミング方法を提供することを技術的課題とするものであ
る。
An object of the present invention is to provide a laser trimming method which solves this problem.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「絶縁基板の表面に形成した抵抗膜
に、レーザ光線の間歇照射によるトリミング溝を、当該
抵抗膜における抵抗値が所定値になるように刻設するに
おいて、前記トリミング溝を刻設するときのトリミング
速度のうち前記抵抗膜の抵抗値が所定値に至る直前より
以降におけるトリミング速度を、これより以前における
トリミング速度より遅くする。」ことを特徴とする。
In order to achieve this technical object, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: "a resistive film formed on a surface of an insulating substrate is provided with a trimming groove formed by intermittent irradiation of a laser beam; In engraving to a predetermined value, of the trimming speed at the time of engraving the trimming groove, the trimming speed from immediately before the resistance value of the resistive film reaches a predetermined value, and thereafter, from the trimming speed earlier than this. Slow down. "

【0007】[0007]

【発明の作用・効果】このように、トリミング速度のう
ち前記抵抗膜の抵抗値が所定値に至る直前より以降にお
けるトリミング速度を、これより以前におけるトリミン
グ速度より遅くすることにより、レーザ光線の間歇照射
一回当たりにおけるトリミング溝の刻設長さを、抵抗膜
の抵抗値が所定値に至る直前より以降においては小さ
く、これより以前においては大きくすることができるか
ら、抵抗膜に対するレーザトリミングを、その抵抗値が
所定値に至る直前より以降においては、抵抗値の変化率
が小さい状態で行うことができる一方、これより以前で
は、短い時間で行うことができる。
As described above, by making the trimming speed of the trimming speed before and after the resistance value of the resistive film reaches a predetermined value lower than the trimming speed before this, the laser beam intermittently becomes intermittent. Since the engraved length of the trimming groove per irradiation can be made smaller immediately before the resistance value of the resistive film reaches a predetermined value, and can be made larger before this, laser trimming for the resistive film can be performed by: Immediately before and after the resistance value reaches the predetermined value, the change can be performed in a state where the rate of change of the resistance value is small, but before that, the change can be performed in a short time.

【0008】従って、本発明によると、一つの抵抗膜に
対するレーザトリミングに要する時間を短縮すること
と、抵抗膜を所定の抵抗値に調整することの精度を向上
することを確実に達成できる効果を有する。
Therefore, according to the present invention, the effect of shortening the time required for laser trimming for one resistive film and improving the accuracy of adjusting the resistive film to a predetermined resistance value can be reliably achieved. Have.

【0009】ところで、前記のレーザトリミングに際し
て使用するレーザ光線の間歇発射装置は、一般に、レー
ザ光線を発射する間に、次に発射するレーザ光線のパワ
ーを蓄積するという構成であり、ここに蓄積されるレー
ザ光線のパワーは、レーザ光線の間歇発射、つまり、レ
ーザ光線の間歇照射の間隔に比例するものであることに
より、このレーザ光線の間歇照射の間隔を一定に保持し
たままで、トリミング速度を、抵抗膜の抵抗値が所定値
に至る直前より以降において遅くすることは、抵抗膜の
うちトリミング溝の終端部に対して及ぼす熱的影響が大
きくなるから、トリミング溝の形状がその終端部におい
て幅広になるというように、レーザトリミングの安定性
が低下するのであった。
The intermittent emission device of the laser beam used for the laser trimming generally stores the power of the laser beam to be emitted next while emitting the laser beam. The power of the laser beam is intermittent emission of the laser beam, that is, the power of the laser beam is proportional to the interval of the intermittent irradiation of the laser beam. However, delaying the resistance value of the resistive film from immediately before reaching the predetermined value thereafter has a greater thermal effect on the terminal end portion of the trimming groove in the resistive film, so that the shape of the trimming groove at the terminal end portion is increased. As a result, the stability of the laser trimming is reduced.

【0010】これに対して、本発明は、請求項2に記載
したように、トリミング溝を刻設するときのトリミング
速度のうち抵抗膜の抵抗値が所定値に至る直前より以降
におけるトリミング速度を、これより以前におけるトリ
ミング速度より遅くすることに加えて、レーザ光線の間
歇照射の間隔のうち抵抗膜の抵抗値が所定値に至る直前
より以降における間隔を、これより以前における間隔よ
りも短くすることを提供するものである。
On the other hand, according to the present invention, among the trimming speeds at which a trimming groove is formed, the trimming speed after the time immediately before the resistance value of the resistive film reaches a predetermined value is set. In addition to making the trimming speed slower than before, the interval between the intermittent irradiation of the laser beam and the interval immediately before and after the resistance value of the resistive film reaches the predetermined value is made shorter than the interval before this. It is to provide that.

【0011】このように、レーザ光線の間歇照射の間隔
のうち抵抗膜の抵抗値が所定値に至る直前より以降にお
ける間隔を、これより以前における間隔よりも短くする
ことにより、レーザ光線におけるパワーを、抵抗膜の抵
抗値が所定値に至る直前より以降において低くすること
ができ、ひいては、抵抗膜のうちトリミング溝の終端部
に対して及ぼす熱的影響を小さくできるから、トリミン
グ速度を抵抗膜の抵抗値が所定値に至る直前より以降に
おいて遅くすることによる弊害、つまり、トリミング溝
の形状がその終端部において幅広になることを確実に解
消できて、レーザトリミングの安定性を向上できるので
ある。
As described above, the interval between the intermittent irradiation of the laser beam and the interval immediately before and after the resistance value of the resistive film reaches the predetermined value is made shorter than the interval before this, so that the power in the laser beam is reduced. Since the resistance value of the resistive film can be lowered from immediately before reaching a predetermined value and thereafter, and the thermal effect on the terminal end of the trimming groove in the resistive film can be reduced, the trimming speed of the resistive film can be reduced. The disadvantage of delaying the resistance value immediately before reaching the predetermined value or later, that is, the fact that the shape of the trimming groove becomes wider at the end thereof can be reliably eliminated, and the stability of laser trimming can be improved.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
1〜図5の図面について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0013】この図において符号Aは、チップ型の絶縁
基板1の多数個を縦及び横に並べて一体化した素材基板
であり、この素材基板Aの表面における各絶縁基板1の
箇所には、抵抗膜2と、その両端に対する主電極3と、
前記抵抗膜2を覆うガラスによるアンダーコート4とが
形成されている。
In FIG. 1, reference numeral A denotes a material substrate in which a large number of chip-type insulating substrates 1 are vertically and horizontally arranged and integrated, and a portion of each insulating substrate 1 on the surface of the material substrate A has a resistance. A membrane 2 and main electrodes 3 at both ends thereof;
An undercoat 4 made of glass covering the resistance film 2 is formed.

【0014】なお、これら抵抗膜2、主電極3及びアン
ダーコート4の形成に際しては、先ず、主電極3を、そ
の材料ペーストのスクリーン印刷及びその後における焼
成にて形成し、次いで、抵抗膜2を、その材料ペースト
のスクリーン印刷及びその後における焼成にて形成した
のち、アンダーコート4を、その材料ペーストのスクリ
ーン印刷及びその後における焼成にて形成するのである
が、前記抵抗膜2を形成したあとで、主電極3を形成す
るようにしても良い。
When forming the resistive film 2, the main electrode 3 and the undercoat 4, the main electrode 3 is first formed by screen printing of the material paste and baking thereafter, and then the resistive film 2 is formed. After the material paste is formed by screen printing and subsequent firing, the undercoat 4 is formed by screen printing of the material paste and subsequent firing. After the resistance film 2 is formed, The main electrode 3 may be formed.

【0015】そして、前記素材基板Aにおける各絶縁基
板1の上面の抵抗膜2に、レーザ光線発射装置11より
発射されるレーザ光線をガルバノミラー12の反射にて
前記カバーコート4の上から照射することにより、トリ
ミング溝5を、前記抵抗膜2の側面縁2aよりも外側に
位置する始端部5aから抵抗膜2に向かってL字状に延
びるように刻設する。
Then, the resistive film 2 on the upper surface of each insulating substrate 1 in the material substrate A is irradiated with a laser beam emitted from a laser beam emitting device 11 from above the cover coat 4 by reflection of a galvanometer mirror 12. Thus, the trimming groove 5 is formed so as to extend in an L-shape toward the resistance film 2 from the starting end 5a located outside the side edge 2a of the resistance film 2.

【0016】すなわち、中央制御回路13は、抵抗膜2
における全抵抗値をその両端の主電極3にプローブ15
を接触して検出する抵抗値測定装置14からの出力を入
力として、前記レーザ光線発射装置11及び前記ガルバ
ノミラー12を動かすアクチェータ16を適宜制御する
ことにより、L字状のトリミング溝5を、抵抗膜2にお
ける全抵抗値が所定抵抗値Vになるまで刻設するという
レーザトリミングを行うのである。
That is, the central control circuit 13 includes the resistance film 2
The total resistance value of the probe 15
The L-shaped trimming groove 5 is formed by controlling the actuator 16 for moving the laser beam emitting device 11 and the galvanomirror 12 as appropriate, using the output from the resistance value measuring device 14 for detecting the contact by detecting the L-shaped trimming groove 5. Laser trimming, in which the film 2 is engraved until the total resistance value reaches a predetermined resistance value V, is performed.

【0017】このレーザトリミングに際し、抵抗膜2の
全抵抗値は、トリミング溝5の刻設に応じて、図5に示
すように、初期の抵抗値V0から所定の抵抗値Vまで曲
線Bに沿って上昇する。
In this laser trimming, the total resistance value of the resistance film 2 is changed along the curve B from an initial resistance value V0 to a predetermined resistance value V as shown in FIG. Rise.

【0018】そこで、前記中央制御回路13は、前記ト
リミング溝5を刻設するときにおけるトリミング速度
を、前記抵抗値測定装置14にて検出した抵抗値が、所
定の抵抗値Vよりも僅かな値ΔVだけ低い抵抗値V1に
なったときを境として、これよりも以降は、トリミング
速度を、前記よりも以前における前記トリミング速度M
1よりも遅い速度M2にするというように、前記トリミ
ング溝5を刻設するときの速度、つまり、トリミング速
度を、抵抗膜2における抵抗値が所定の抵抗値Vよりも
僅かな値ΔVだけ低い抵抗値V1に達するまではM1に
速くし、これより以降ではM2に遅くするように制御す
る。
Therefore, the central control circuit 13 determines that the trimming speed when the trimming groove 5 is to be carved is such that the resistance value detected by the resistance value measuring device 14 is smaller than a predetermined resistance value V. After the time when the resistance value V1 becomes lower by ΔV, the trimming speed is set to the trimming speed M earlier than the above.
The speed at which the trimming groove 5 is cut, that is, the speed M2 lower than 1, that is, the trimming speed is lower than the predetermined resistance value V by a small value ΔV in the resistance film 2. Control is performed so that the speed is increased to M1 until the resistance value V1 is reached, and is decreased to M2 thereafter.

【0019】これにより、レーザ光線の間歇照射一回当
たりにおけるトリミング溝5の刻設長さを、抵抗膜2の
抵抗値が所定値Vに至る直前より以降においては小さ
く、これより以前においては大きくすることができるか
ら、抵抗膜2に対するレーザトリミングを、その抵抗値
が所定値Vに至る直前より以降においては、抵抗値の変
化率が小さい状態で行うことができる一方、これより以
前では、短い時間で行うことができる。
Thus, the engraved length of the trimming groove 5 per one intermittent irradiation of the laser beam is reduced immediately before the resistance value of the resistive film 2 reaches the predetermined value V, and increased before the resistance value reaches the predetermined value V. Therefore, the laser trimming of the resistive film 2 can be performed in a state where the rate of change of the resistance value is small immediately before the resistance value reaches the predetermined value V and thereafter, while shorter than before. Can be done in time.

【0020】また、前記中央制御回路13は、前記トリ
ミング溝5を刻設するときにおけるトリミング速度を、
前記抵抗値測定装置14にて検出した抵抗値が、所定の
抵抗値Vよりも僅かな値ΔVだけ低い抵抗値V1になっ
たときを境として、前記した制御を行うことに加えて、
これよりも以降は、レーザ光線の間歇照射の間隔を、前
記よりも以前における前記間隔よりも速くするというよ
うに制御する。
The central control circuit 13 controls the trimming speed when the trimming groove 5 is cut.
In addition to performing the above-described control when the resistance value detected by the resistance value measuring device 14 becomes a resistance value V1 lower than the predetermined resistance value V by a slight value ΔV,
Thereafter, the interval of the intermittent irradiation of the laser beam is controlled to be faster than the interval before the above.

【0021】これにより、レーザ光線におけるパワー
を、抵抗膜2の抵抗値が所定値Vに至る直前より以降に
おいて低くすることができ、ひいては、抵抗膜2のうち
トリミング溝5の終端部5bに対して及ぼす熱的影響を
小さくできるから、トリミング速度を抵抗膜2の抵抗値
が所定値Vに至る直前より以降において遅くすることに
よる弊害、つまり、トリミング溝5の形状がその終端部
5bにおいて幅広になることを確実に解消できるのであ
る。
This makes it possible to lower the power of the laser beam from immediately before the resistance value of the resistance film 2 reaches the predetermined value V and thereafter, so that the power of the resistance film 2 with respect to the terminal end portion 5b of the trimming groove 5 is reduced. The effect of reducing the trimming speed from immediately before the resistance value of the resistive film 2 reaches the predetermined value V to a later time, that is, the shape of the trimming groove 5 becomes wider at the terminal end 5b. Can be surely eliminated.

【0022】そして、このレーザトリミングを、素材基
板Aを、図示しないXYテーブルにて縦及び横方向に移
動しながら、当該素材基板Aにおける全ての絶縁基板1
について行う。
The laser trimming is performed by moving the material substrate A vertically and horizontally on an XY table (not shown) while moving all the insulating substrates 1 on the material substrate A.
Do about.

【0023】次いで、前記素材基板Aの表面のうち各絶
縁基板1の箇所に、ガラスによる一層のカバーコート6
を形成するか、或いは、ガラスによるミドルコートとガ
ラスによるオーバーコートとから成る二層のカバーコー
トを形成したのち、前記素材基板Aを、縦方向の分割線
A1及び横方向の分割線A2に沿って、各絶縁基板1ご
とに分割する。
Next, a portion of each insulating substrate 1 on the surface of the material substrate A is coated with a further cover coat 6 made of glass.
Or after forming a two-layer cover coat composed of a middle coat made of glass and an overcoat made of glass, the material substrate A is divided along a vertical dividing line A1 and a horizontal dividing line A2. Then, each of the insulating substrates 1 is divided.

【0024】次いで、前記各絶縁基板1の左右両端面
に、側面電極を形成したのち、メッキ液に浸漬してメッ
キ処理を行うことにより、前記各主電極3及び各側面電
極の表面に、例えば、下地のニッケルメッキ層と上層の
半田又は錫メッキ層とから成る金属メッキ層を形成し
て、チップ抵抗器の完成品にするのである。
Next, after forming side electrodes on the left and right end surfaces of each of the insulating substrates 1, by immersing in a plating solution and performing a plating process, for example, the surface of each of the main electrodes 3 and each of the side electrodes is formed. Then, a metal plating layer composed of a base nickel plating layer and an upper solder or tin plating layer is formed to complete the chip resistor.

【0025】なお、前記トリミング溝5における始端部
5aを、アンダーコート4の側面縁4aより内側で、前
記抵抗膜2の側面縁2aに近接した部位に位置すること
により、トリミング溝5の長さが短くなるから、レーザ
トリミングに要する時間を更に短縮することができる。
The starting end 5a of the trimming groove 5 is located at a position inside the side edge 4a of the undercoat 4 and close to the side edge 2a of the resistive film 2, so that the length of the trimming groove 5 can be reduced. , The time required for laser trimming can be further reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】レーザトリミングを行っている状態を示す斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a state in which laser trimming is performed.

【図2】素材基板における一部の拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a part of a material substrate.

【図3】図2のIII −III 視拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view taken along line III-III of FIG. 2;

【図4】図2の要部拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view of a main part of FIG. 2;

【図5】抵抗値とトリミング時間との関係を示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram illustrating a relationship between a resistance value and a trimming time.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁基板 2 抵抗膜 2a 抵抗膜の側面縁 3 主電極 4 アンダーコート 5 トリミング溝 5a トリミング溝の始端部 5b トリミング溝の終端部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2 Resistive film 2a Side edge of resistive film 3 Main electrode 4 Undercoat 5 Trimming groove 5a Start end of trimming groove 5b End of trimming groove

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁基板の表面に形成した抵抗膜に、レー
ザ光線の間歇照射によるトリミング溝を、当該抵抗膜に
おける抵抗値が所定値になるように刻設するにおいて、 前記トリミング溝を刻設するときのトリミング速度のう
ち前記抵抗膜の抵抗値が所定値に至る直前より以降にお
けるトリミング速度を、これより以前におけるトリミン
グ速度より遅くすることを特徴とするチップ抵抗器にお
けるレーザトリミング方法。
2. The method according to claim 1, wherein the trimming groove formed by intermittent irradiation of a laser beam is formed in the resistance film formed on the surface of the insulating substrate so that the resistance value of the resistance film becomes a predetermined value. A laser trimming method for a chip resistor, wherein a trimming speed of the trimming speed before and after the resistance value of the resistive film reaches a predetermined value is made lower than a trimming speed before the resistance value.
【請求項2】絶縁基板の表面に形成した抵抗膜に、レー
ザ光線の間歇照射によるトリミング溝を、当該抵抗膜に
おける抵抗値が所定値になるように刻設するにおいて、 前記トリミング溝を刻設するときのトリミング速度のう
ち前記抵抗膜の抵抗値が所定値に至る直前より以降にお
けるトリミング速度を、これより以前におけるトリミン
グ速度より遅くする一方、レーザ光線の間歇照射の間隔
のうち抵抗膜の抵抗値が所定値に至る直前より以降にお
ける間隔を、これより以前における間隔よりも短くする
ことを特徴とするチップ抵抗器におけるレーザトリミン
グ方法。
2. A step of engraving a trimming groove by intermittent irradiation of a laser beam on a resistive film formed on a surface of an insulating substrate so that a resistance value of the resistive film becomes a predetermined value. During the trimming speed, the trimming speed after the time immediately before the resistance value of the resistive film reaches a predetermined value is made slower than the trimming speed before this, and the resistance of the resistive film during the intermittent irradiation of the laser beam is reduced. A laser trimming method for a chip resistor, characterized in that an interval immediately before the value reaches a predetermined value and thereafter is shorter than an interval before the value.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7423513B2 (en) 2003-06-13 2008-09-09 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Circuit board having resistor and method for manufacturing the circuit board
KR100858674B1 (en) * 2007-06-08 2008-09-16 주식회사 이오테크닉스 Method for trimming resistor using laser

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