JP2001076999A - Electron drawing method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線描画方法に
関し、特にLSI製造プロセスにおける電子線リソグラ
フィを行う電子線描画方法に関する。The present invention relates to an electron beam lithography method, and more particularly to an electron beam lithography method for performing electron beam lithography in an LSI manufacturing process.
【0002】[0002]
【従来の技術】DRAM製造工程における容量コンタク
ト等のリソグラフィに用いられる電子線描画装置及びシ
ステムの全体構成図の例を図6に示す。図6に示される
ように、電子線描画装置本体100には、矩形の孔が設
けられた第1アパーチャ61と、矩形やLSIパターン
形状図形等の数種類の開口パターンが設けられた第2ア
パーチャ52とが備えられている。そして、電子銃62
から放射されした電子ビーム63は、第1アパーチャ6
1により矩形に成形され、成形レンズ64と成形偏向器
65により偏向され第2アパーチャ52における適当な
開口パターンに照射される。第2アパーチャ52を通過
した電子ビーム63は、縮小レンズ66、位置決め偏向
器67、対物レンズ68を介して試料14上の所望の位
置に縮小投影される。この場合に、第2アパーチャ52
の各パターンは一度の露光により描画される。2. Description of the Related Art FIG. 6 shows an example of an overall configuration diagram of an electron beam drawing apparatus and system used for lithography of a capacitor contact and the like in a DRAM manufacturing process. As shown in FIG. 6, the electron beam lithography apparatus main body 100 has a first aperture 61 provided with a rectangular hole and a second aperture 52 provided with several types of opening patterns such as rectangles and LSI pattern shapes. And are provided. And the electron gun 62
The electron beam 63 emitted from the first aperture 6
1 and is deflected by a forming lens 64 and a forming deflector 65 to irradiate an appropriate opening pattern in the second aperture 52. The electron beam 63 that has passed through the second aperture 52 is reduced and projected to a desired position on the sample 14 via a reduction lens 66, a positioning deflector 67, and an objective lens 68. In this case, the second aperture 52
Are drawn by one exposure.
【0003】上記電子線描画装置本体100の動作は、
電子線描画システム200により規定され、制御され
る。すなわち、電子線描画システム200において、C
ADシステム71によりLSIの設計がなされ、そのう
ちメモリセルアレイ中のコンタクトパターン等のデータ
がデータ処理計算機72に送られ設計データとして置か
れる。また、後に説明される補助パターンの設計データ
の作成もデータ処理計算機72にて行われる。その後、
それらの設計データは制御計算機73に送られ、EBデ
ータにフォーマット変換される。次に、データは制御イ
ンターフェース74に送られ、それに基づき電子線描画
装置本体100の加速電圧、ブランキング、偏向電極、
試料ステージ等の制御がなされる。尚、後に説明される
部分一括マスクは上記の設計データに基づき作製され第
2アパーチャに設置される。The operation of the electron beam lithography apparatus main body 100 is as follows.
It is defined and controlled by the electron beam drawing system 200. That is, in the electron beam writing system 200, C
The LSI is designed by the AD system 71, and the data such as the contact pattern in the memory cell array is sent to the data processing computer 72 and stored as design data. In addition, creation of design data of an auxiliary pattern described later is also performed by the data processing computer 72. afterwards,
The design data is sent to the control computer 73 and converted into EB data format. Next, the data is sent to the control interface 74, based on which the acceleration voltage, blanking, deflection electrode,
Control of the sample stage and the like is performed. Note that a partial collective mask described later is manufactured based on the above design data and installed in the second aperture.
【0004】このような装置及びシステムを用いる電子
線描画方法は、直接に計算機制御によりデータからパタ
ーンを発生し試料上に描画する方法である。これを利用
したリソグラフィ技術として、可変成形矩形描画方法や
一括描画方法等がある。可変成形矩形描画方法は、上述
の装置において第2アパーチャとして矩形孔を選択し、
矩形孔が設けられた第1アパーチャと組合わせることに
より任意の大きさの矩形パターンを試料に描画し、かつ
描画中にもその寸法を変えることが可能な方法である。
しかしながら、この方法においてはDRAMなどのメモ
リLSIセルのコンタクト等のように同一パターンの連
続が存在する際にも、個別に矩形に分けて対応していく
ため非常に多くの描画回数と描画時間がかかってしま
う。An electron beam writing method using such an apparatus and system is a method of directly generating a pattern from data under computer control and writing the pattern on a sample. As a lithography technique utilizing this, there are a variable-shaped rectangular drawing method, a batch drawing method, and the like. The variable shaped rectangle drawing method selects a rectangular hole as the second aperture in the above-described apparatus,
This is a method in which a rectangular pattern of an arbitrary size can be drawn on a sample by combining with a first aperture provided with a rectangular hole, and the size can be changed even during drawing.
However, in this method, even when there is a continuation of the same pattern such as a contact of a memory LSI cell such as a DRAM, a very large number of drawing times and drawing times are required since the method is individually divided into rectangles and handled. It will take.
【0005】そのため、同一パターンの描画が連続して
存在する場合には、通常、同一パターンが複数設けられ
た部分一括マスクを第2アパーチャとして用い複数のパ
ターンを同時に試料に描画する部分一括描画方法が用い
られる。すなわち、電子ビームを矩形孔の設けられた第
1アパーチャと複数の同一パターン開口を持つ第2アパ
ーチャを通過させることにより、第2アパーチャに形成
されたパターンをウェハ上に描画する方法であり、周期
性を有するパターンの描画時間の大幅な短縮が可能であ
る。そのパターンの描画は部分一括ショットと呼ばれ
る。その際、部分一括ショットは部分一括マスクを用い
て一度に描画させる為、部分一括ショット領域内は全て
同一の電子ビーム照射量により描画されることとなる。Therefore, when the same pattern is continuously drawn, a partial batch writing method for simultaneously writing a plurality of patterns on a sample using a partial batch mask provided with a plurality of the same patterns as a second aperture is usually used. Is used. That is, a pattern formed in the second aperture is drawn on a wafer by passing an electron beam through a first aperture provided with a rectangular hole and a second aperture having a plurality of same pattern openings. It is possible to drastically reduce the writing time of a pattern having a characteristic. The drawing of the pattern is called a partial batch shot. At this time, since the partial batch shot is drawn at a time using the partial batch mask, the whole of the partial batch shot area is drawn with the same electron beam irradiation amount.
【0006】上記のように電子ビームによる露光法を用
いた場合、電子ビームの被照射体の前方あるいは後方に
おける散乱による露光量の変化によって近接するパター
ンの形状が歪む等の近接効果が生じることが知られてい
る。図7(ア)、(イ)は近接効果を説明する図であ
る。図7(ア)は、単独図形で形状歪みを生じる図形内
近接効果を示している。これは電子ビームの前方散乱の
広がりに起因し、図形内近接効果は図形の周囲において
露光量が不足することにより、例えば矩形状のパターン
(a)の端部が丸くなったり周囲がパターン細りする
(b)効果である。(c)に(b)のs線上の露光量を
示す。図7(イ)は、近接する図形のパターンが接触す
る図形間近接効果を示している。これは電子ビームの後
方散乱の広がりに起因し、図形間近接効果は近接する図
形(a)の露光パターンが近接している部分の一部また
は全部接触する(b)効果である。この場合にも、
(c)に(b)のs線上の露光量を示す。尚、上記図7
(イ)における近接の条件としては10μm程度以下の
範囲が想定されている。When the exposure method using an electron beam is used as described above, a proximity effect such as distortion of the shape of an adjacent pattern due to a change in an exposure amount due to scattering of the electron beam in front of or behind an object to be irradiated may occur. Are known. FIGS. 7A and 7B are diagrams for explaining the proximity effect. FIG. 7A shows a proximity effect in a figure that causes a shape distortion in a single figure. This is due to the spread of forward scattering of the electron beam. The proximity effect in the figure is caused by an insufficient amount of exposure around the figure. (B) The effect. (C) shows the exposure amount on the s-line in (b). FIG. 7A shows an inter-graphic proximity effect in which a pattern of an adjacent graphic contacts. This is due to the spread of the backscattering of the electron beam, and the inter-graphic proximity effect is an effect (b) in which a part or the whole of the portion where the exposure pattern of the adjacent graphic (a) is in close proximity. Again, in this case,
(C) shows the exposure amount on the s-line in (b). Note that FIG.
As the proximity condition in (a), a range of about 10 μm or less is assumed.
【0007】この近接効果に対しては、様々な補正方法
が提案され、実用化されている。中でも、通常の露光に
重ねて、露光領域と非露光領域を反転したパターンを、
レンズの焦点位置を基板から外したぼかし状態にして露
光するゴースト法が広く用いられている。この補正方法
を用いることにより、それらの露光量が互いに相補的な
特性を持っていることを利用して均一化でき、近接効果
の影響を実質的に相殺することができる。このゴースト
法を行うと全体の露光量レベルは上昇してしまうが、お
およその近接効果による露光パターンの変形は補正され
る。For this proximity effect, various correction methods have been proposed and put into practical use. Above all, a pattern in which the exposure area and the non-exposure area are inverted over the normal exposure,
A ghost method in which exposure is performed in a blurred state in which a focal position of a lens is removed from a substrate is widely used. By using this correction method, the exposure amounts can be made uniform using the fact that they have complementary characteristics, and the influence of the proximity effect can be substantially canceled. When this ghost method is performed, the overall exposure level increases, but the deformation of the exposure pattern due to the approximate proximity effect is corrected.
【0008】上記の補正方法を採用して、メモリセルア
レイのコンタクトパターンなどに対する部分一括描画方
法を行う場合は、先ず設計データから繰り返し単位のパ
ターン(1個または複数のコンタクトパターン)を抽出
する。その後、繰り返し単位のパターンを主パターンと
して、そのパターンの形を均一に拡大した開口が施され
た部分一括マスクを作製し、第2アパーチャとして設置
する。それとともに、設計データを部分一括描画用のE
Bデータにフォーマット変換しておく。また、ゴースト
法により近接効果に対する補助パターンを作成し、その
設計データを導出する。この設計データは部分一括ショ
ット領域やそれ以上のスケールの単位ごとに可変成形矩
形描画が施せるように、可変成形矩形描画用のEBデー
タにフォーマット変換する。その後、得られているEB
データに基づき電子ビーム装置本体が制御されメモリセ
ル全面を描画していく。尚、上記における通常の補助パ
ターンの描画は5μm角程度の部分一括ショット領域単
位の領域ごとに、各領域により電子ビーム照射量を変調
させながら可変成形矩形方法を用いる方法が施される。
よって、そのワンショット領域内には同一照射量にて補
助露光されることになる。また、補正のための露光は主
パターンの露光の前後いずれに行っても良いものであ
る。When a partial batch writing method for a contact pattern or the like of a memory cell array is performed by employing the above correction method, a pattern (one or a plurality of contact patterns) of a repeating unit is first extracted from design data. Thereafter, using the pattern of the repeating unit as a main pattern, a partial collective mask having an opening in which the shape of the pattern is uniformly enlarged is prepared and set as a second aperture. At the same time, the design data is
The format is converted to B data. Further, an auxiliary pattern for the proximity effect is created by the ghost method, and the design data is derived. This design data is format-converted into EB data for variable-shaped rectangle drawing so that variable-shaped rectangle drawing can be performed for each partial batch shot area or a unit of a larger scale. After that, the obtained EB
The main body of the electron beam device is controlled based on the data, and the whole surface of the memory cell is drawn. In the above-described drawing of the normal auxiliary pattern, a method of using a variable shaping rectangular method while modulating the electron beam irradiation amount by each area is performed for each area of a partial batch shot area of about 5 μm square.
Therefore, auxiliary exposure is performed in the one-shot area with the same irradiation amount. Exposure for correction may be performed before or after exposure of the main pattern.
【0009】しかしながら、上記のように補正を行った
後においても、例えば図8に示すように、試料上に形成
されているメモリセルアレイ10の例えば右上端部での
部分一括ショット領域に注目すると、あるコンタクトパ
ターン11の周囲に近接した他のコンタクトパターン1
1の存在がない方向が有る場合、そのコンタクトパター
ン11は図形内近接効果により露光量が不足してしまい
パターン細り81等の描画不良が引き起こされてしま
う。However, even after the correction as described above, attention is focused on, for example, a partial batch shot area at the upper right end of the memory cell array 10 formed on the sample, as shown in FIG. 8, for example. Another contact pattern 1 close to the periphery of a certain contact pattern 11
If there is a direction in which 1 does not exist, the exposure amount of the contact pattern 11 is insufficient due to the proximity effect in the figure, and a drawing failure such as the thinning of the pattern 81 is caused.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は上述した従来技術の問題点を解決することであって、
その目的は、従来通りの装置を用いたまま、部分一括描
画方法を用いて描画する際、各部分一括ショット領域を
独立に、微細箇所である部分一括ショット領域内におけ
る図形内近接効果による描画強度の勾配をより精度良く
効率的に補正する方法を提供することであり、これによ
り、部分一括描画方法においてアレイ面全体及び部分一
括ショット領域内における寸法精度を向上させうるよう
にしようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art.
The purpose is that, when drawing using the partial batch writing method while using the conventional apparatus, each partial batch shot area is independently drawn with the drawing intensity due to the intra-graphic proximity effect in the partial batch shot area that is a minute part. It is an object of the present invention to provide a method for more accurately and efficiently correcting the gradient of an object, thereby improving the dimensional accuracy in the entire array surface and in the partial collective shot area in the partial collective writing method. is there.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、(1)繰り返しパターンのあるア
レイ領域を主パターンの部分一括ショットにより露光す
る主露光過程と、(2)近接効果を補正する必要のある
部分一括ショット領域に対して、補正用の補助パターン
を用いて露光する補助露光過程と、を有する電子線描画
方法において、前記補正用補助パターンとその露光時間
は、主パターンの露光と補助パターンの露光とのシミュ
レーション結果に基づいて決定されることを特徴とする
電子線描画方法、が提供される。そして、好ましくは、
前記第(2)の過程の露光は、開口部に金属メッシュを
有するか若しくは有しない部分一括マスクまたは可変矩
形成形パターンを用いて行われる。また、好ましくは、
前記シミュレーションがEID関数を用いて行われ、そ
して、前記アレイ領域の最外周の部分一括ショット領域
についてのみ行われるが提供される。According to the present invention, there is provided, according to the present invention, (1) a main exposure step of exposing an array region having a repetitive pattern by a partial batch shot of a main pattern; An auxiliary exposure step of exposing a partial batch shot area that needs to correct the proximity effect using an auxiliary pattern for correction, comprising: an electron beam drawing method, wherein the auxiliary pattern for correction and its exposure time are: An electron beam writing method is provided, which is determined based on a simulation result of exposure of a main pattern and exposure of an auxiliary pattern. And, preferably,
The exposure in the step (2) is performed using a partial batch mask or a variable rectangular shaping pattern with or without a metal mesh in the opening. Also, preferably,
It is provided that the simulation is performed using an EID function, and is performed only on the outermost partial batch shot area of the array area.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。 [第1の実施の形態]本発明の第1の実施の形態をDR
AMの製造工程における容量コンタクトのリソグラフィ
を例に説明する。本実施の形態にて用いる電子線描装置
及びシステムの例の全体構成図は、図6に示した従来例
における装置及びシステムと同様であり、それらの機能
も従来例と同様である。ただし、第2アパーチャ52と
しては可変成形矩形描画用の矩形孔と、部分一括描画用
の部分一括マスクのいずれいずれをも設置できるように
構成されている。図1は、本発明の実施の形態に係る試
料上のメモリセルアレイ10の端部を示す平面図であ
る。11は繰り返しの単位のパターンとなっているコン
タクトパターン、12は補正用の補助パターン、13は
部分一括ショット領域である。図1に示すように、アレ
イ展開によりコンタクトパターン11は規則正しく配列
されている。なお、後述するように、本実施の形態にお
いては、補助パターン12は可変成形矩形によって実現
される。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. [First Embodiment] A first embodiment of the present invention will be described with reference to DR.
The lithography of the capacitance contact in the AM manufacturing process will be described as an example. An overall configuration diagram of an example of an electron beam drawing apparatus and system used in the present embodiment is the same as the apparatus and system in the conventional example shown in FIG. 6, and their functions are also the same as those in the conventional example. However, the second aperture 52 is configured so that any of a rectangular hole for variable-shaped rectangular drawing and a partial collective mask for partial collective drawing can be installed. FIG. 1 is a plan view showing an end of a memory cell array 10 on a sample according to an embodiment of the present invention. Reference numeral 11 denotes a contact pattern which is a pattern of a unit of repetition, 12 denotes an auxiliary pattern for correction, and 13 denotes a partial collective shot area. As shown in FIG. 1, the contact patterns 11 are regularly arranged by array development. As described later, in the present embodiment, the auxiliary pattern 12 is realized by a variable shaped rectangle.
【0013】図2は、本実施の形態を示すフローチャー
トである。コンタクトパターンの設計データより繰り返
しの単位のパターンを抽出し、主パターンとする。これ
に基づき複数のコンタクトパターンを同時に露光可能な
主パターン用の部分一括マスクが作製され、第2アパー
チャに設置される。そして、ある部分一括ショット領域
(通常はアレイ内の最端部の領域)が選択されその領域
内における全てのコンタクトパターンの全周囲に近接し
た他のコンタクトパターンが存在する場合は、そのまま
主パターンのみの設計データを出力する。しかし、その
部分一括ショット領域内において、その全周囲に近接し
て他のコンタクトパターンが存在してはいないコンタク
トパターンが存在している場合、主パターンに加え可変
成形矩形用の補助パターンを作成する。後に、この可変
成形矩形用の補助パターンに基づいた補助露光(可変矩
形補助パターン露光)をすることにより図形内近接効果
の補正がなされる。そして、主パターンと可変成形矩形
用の補助パターンの設計データを出力する。これを全て
の部分一括ショット領域について同様にして調べる。次
に、設計データを可変成形矩形描画用及び部分一括描画
用のEBデータにフォーマット変換した後、それらを用
いて主パターンの部分一括描画をアレイパターン全面に
ついて行い、その後その部分一括ショット領域に重ねて
可変成形矩形用の補助パターンを可変成形矩形描画す
る。最後に、従来通りにゴースト法等による近接効果の
補正を図形間近接効果回避の目的のために実施する。
尚、上記にて近接しているパターンとは試料上でのパタ
ーン間の距離が10μm以下であることを想定してい
る。FIG. 2 is a flowchart showing this embodiment. A pattern in a unit of repetition is extracted from the design data of the contact pattern and is set as a main pattern. Based on this, a partial collective mask for a main pattern capable of simultaneously exposing a plurality of contact patterns is manufactured and installed in the second aperture. Then, when a certain partial batch shot area (usually the endmost area in the array) is selected and there is another contact pattern close to the entire periphery of all the contact patterns in that area, only the main pattern is left as it is. Output the design data of However, when there is a contact pattern in which no other contact pattern exists close to the entire periphery in the partial batch shot area, an auxiliary pattern for a variable shaped rectangle is created in addition to the main pattern. . Thereafter, the proximity effect in the figure is corrected by performing auxiliary exposure (variable rectangular auxiliary pattern exposure) based on the auxiliary pattern for the variable shaped rectangle. Then, design data of the main pattern and the auxiliary pattern for the variable shaped rectangle is output. This is similarly examined for all partial batch shot areas. Next, after format conversion of the design data into EB data for variable-shaped rectangular drawing and partial collective drawing, partial collective drawing of the main pattern is performed on the entire array pattern by using them, and then the pattern is overlaid on the partial collective shot area. To draw a variable-shaped rectangular auxiliary pattern. Finally, the correction of the proximity effect by the ghost method or the like is carried out for the purpose of avoiding the inter-graphic proximity effect as in the past.
In addition, the pattern close to the above assumes that the distance between the patterns on the sample is 10 μm or less.
【0014】上記した補助パターンは以下のように作成
される。試料中における電子の吸収エネルギー密度の空
間分布はEID(Exposure Intensity Distribution)
と呼ばれ、その関数表示のEID関数は式のように2
つの異なる分散をもつGauss分布の組合せによって
適切に表現することができることが経験より知られてい
る。 fp(r)=(c1/βf 2)exp(−r2/βf 2) +(c2/βb 2)exp(−r2/βb 2) 尚、式において、βf、βbは、それぞれ試料への入射
電子の前方散乱、後方散乱の広がりを表す量、c1、c2
は常数、rは電子からの距離、fp(r)は距離rにお
けるエネルギー蓄積量を表す。The above-mentioned auxiliary pattern is created as follows. The spatial distribution of the electron absorption energy density in the sample is EID (Exposure Intensity Distribution)
And the EID function in the function display is 2
It is known from experience that it can be adequately represented by a combination of Gaussian distributions with two different variances. f p (r) = (c 1 / β f 2) exp (-r 2 / β f 2) + (c 2 / β b 2) exp (-r 2 / β b 2) In the equation, beta f , Β b are quantities representing the spread of forward scattering and back scattering of electrons incident on the sample, respectively, c 1 , c 2
Is a constant, r is the distance from the electron, and f p (r) represents the amount of energy stored at the distance r.
【0015】図1に示す電子線描画システムのデータ処
理計算機72にて、あらかじめ部分一括ショット領域ご
とに主パターン露光時の吸収エネルギー密度をモンテカ
ルロシミュレーション等の数値解析により得て、その結
果をEID関数により表し、実際の露光条件下における
総合的なシミュレーションを行う。そして経験に基づき
露光により各部分一括ショット領域内ごと独立の補正が
ある程度可能なような補助パターンの形と露光時間を最
初に仮定し、それを用いた描画の際の各部分一括ショッ
ト領域内における露光量分布をシミュレーションし、そ
の結果より経験に基づき補助パターンの形、および/ま
たは、露光時間を変化させ図形内近接効果の補正が適切
に施される形にしていく。この過程を繰り返し行い、図
形内近接効果を適切に各部分一括ショット領域ごとに補
正可能な補助パターンの形状を決定する(図2に示す
「補助パターンの作成」のステップは上述のシミュレー
ションと再作成の過程を含んでいる)。ここで、補助パ
ターンの開口領域は主パターンの開口領域内のみに限定
されずに対応する部分一括ショット領域内ならば任意に
設定できるものである。最後に、図3に示すように、可
変成形矩形方法にて露光可能なように補助パターンを矩
形ごとに分割した可変成形矩形用の補助パターンにす
る。図3は、補助露光後のメモリセルアレイ30の端部
の状態の説明図であって、同図において、31は補助露
光の可変矩形補助パターンを、32は部分一括ショット
領域を示す。なお、補助パターンの形状の決定に際し
て、最初から矩形補助パターンの形状を仮定して各矩形
補助パターンごとに露光時間を最適に設定するようにし
てもよい。In the data processing computer 72 of the electron beam lithography system shown in FIG. 1, the absorption energy density at the time of main pattern exposure is obtained in advance for each partial batch shot area by numerical analysis such as Monte Carlo simulation, and the result is obtained by the EID function. And perform a comprehensive simulation under actual exposure conditions. Based on experience, we first assume the shape and exposure time of the auxiliary pattern so that independent correction can be performed to some extent in each partial batch shot area by exposure, and in each partial batch shot area when drawing using it. The exposure amount distribution is simulated, and based on the result, the shape of the auxiliary pattern and / or the shape in which the exposure time is changed and the proximity effect in the figure is appropriately corrected based on experience. By repeating this process, the shape of the auxiliary pattern that can correct the proximity effect in the figure appropriately for each partial batch shot area is determined (the step of “creating the auxiliary pattern” shown in FIG. Process). Here, the opening area of the auxiliary pattern is not limited to the opening area of the main pattern, but can be set arbitrarily within the corresponding partial batch shot area. Finally, as shown in FIG. 3, the auxiliary pattern is divided into rectangles so as to be able to be exposed by the variable-shaped rectangle method, thereby forming auxiliary patterns for the variable-shaped rectangle. FIG. 3 is an explanatory view of the state of the end portion of the memory cell array 30 after the auxiliary exposure. In FIG. 3, reference numeral 31 denotes a variable rectangular auxiliary pattern of the auxiliary exposure, and 32 denotes a partial collective shot area. When determining the shape of the auxiliary pattern, the exposure time may be optimally set for each rectangular auxiliary pattern, assuming the shape of the rectangular auxiliary pattern from the beginning.
【0016】最初に仮定として与えられる補助パターン
12としては、例えば図1中にその例が示されているよ
うに部分一括ショット領域13内のコンタクトパターン
11のうち最端部に沿うようなカギ型や線型等の型が経
験により選択される。尚、この上記における全ての露光
の順序は入れ替えが可能である。The auxiliary pattern 12 initially given as a hypothesis is, for example, a key-shaped auxiliary pattern 12 along the outermost end of the contact pattern 11 in the partial batch shot area 13 as shown in FIG. And linear type are selected by experience. Note that the order of all the above exposures can be changed.
【0017】[第2の実施の形態]次に、本発明の第2
の実施の形態について説明する。本実施の形態もDRA
Mの製造工程における容量コンタクトのリソグラフィに
係るものである。本実施の形態にて用いる電子線描装置
及びシステムの例の全体構成図は、図6に示した装置及
びシステムと同様であり、それらの機能も従来例と同様
である。ただし、本実施の形態においては、補正は部分
一括ショットにより行われるため、電子線描画装置は、
第2アパーチャ52として部分一括描画用の部分一括マ
スクを複数設置できるように構成されている。本実施の
形態におけるコンタクトパターンの状況に関しても第1
の実施の形態と同様であり図1に示した通りである。ま
た、図4は、本実施の形態を示すフローチャートであ
る。本実施の形態のフローも「補助パターンの作成」の
ステップまでは第1の実施の形態と同様に行われる。補
助パターンの作成がなされた後、補助パターン用の部分
一括マスクの作製が行われ、第2アパーチャに設置され
る。それ以降のステップは第1の実施の形態の場合と同
様である。[Second Embodiment] Next, a second embodiment of the present invention will be described.
An embodiment will be described. This embodiment is also DRA
M relates to lithography of a capacity contact in a manufacturing process of M. The overall configuration of an example of the electron beam drawing apparatus and system used in the present embodiment is the same as the apparatus and system shown in FIG. 6, and their functions are also the same as those of the conventional example. However, in the present embodiment, since the correction is performed by a partial batch shot, the electron beam drawing apparatus
The second aperture 52 is configured so that a plurality of partial batch masks for partial batch writing can be provided. The condition of the contact pattern in the present embodiment is also the first.
The embodiment is the same as that shown in FIG. FIG. 4 is a flowchart illustrating the present embodiment. The flow of the present embodiment is performed in the same manner as in the first embodiment up to the step of “creating an auxiliary pattern”. After the creation of the auxiliary pattern, a partial collective mask for the auxiliary pattern is manufactured and set on the second aperture. Subsequent steps are the same as in the first embodiment.
【0018】図5は、上記のフローにおいて得られた補
助パターン用部分一括マスクの一部を示す平面図であっ
て、補助露光用の第2アパーチャ52には、補助パター
ン用開口53が設けられた部分一括マスク51が複数個
形成される。そして、電子線描画装置に搭載された補助
露光用の第2アパーチャを用い、補助パターンより求め
られたEBデータに基づいて、メモリセルアレイの最外
周の部分一括ショットに重ねて補助露光を行う。尚、こ
の補助パターン用開口53は金属メッシュを有する開口
であっても良い。FIG. 5 is a plan view showing a part of the auxiliary pattern partial collective mask obtained in the above-described flow. The auxiliary aperture 52 is provided in the second auxiliary exposure aperture 52. A plurality of partial batch masks 51 are formed. Then, based on the EB data obtained from the auxiliary pattern, the auxiliary exposure is performed by using the second aperture for auxiliary exposure mounted on the electron beam writing apparatus so as to overlap the partial outermost shot of the memory cell array. The auxiliary pattern opening 53 may be an opening having a metal mesh.
【0019】尚、通常は図形内近接効果によるパターン
細り等の描画不良部分の不足する露光量は大方均一であ
るため1回の補正によりほぼ解消されるが、描画強度の
勾配が任意の許容量より大きい場合にはそれが解消され
るまで、さらに別の補助パターンを追加作成し、それに
基づく部分一括マスクを作製のうえ多重露光を繰り返し
ていくことも可能である。Normally, the exposure amount in which a defective drawing portion such as a pattern thinning due to the proximity effect in a figure is insufficient is almost uniform, and is almost completely eliminated by a single correction. If it is larger, another auxiliary pattern may be additionally created until it is eliminated, a partial collective mask based on the auxiliary pattern may be created, and multiple exposure may be repeated.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子線描
画方法は、主パターンの部分一括描画の前後に、これに
重ねて、シミュレーション結果により得た図形内近接効
果を補正するため補助パターンを描画するものであるの
で、一般的に用いられている装置を用いて、部分一括シ
ョット領域の描画強度分布を独立に均一化することが可
能となる。したがって、本発明によれば、メモリセルア
レイなどの全ての部分一括ショット領域内での描画強度
を均一化することができ、全ての部分一括ショット領域
内での加工寸法を高精度に均一化することが可能にな
る。As described above, the electron beam lithography method of the present invention provides an auxiliary pattern for correcting the proximity effect in a figure obtained by a simulation result before and after partial batch writing of a main pattern. Therefore, the drawing intensity distribution in the partial batch shot area can be independently made uniform using a generally used apparatus. Therefore, according to the present invention, the drawing intensity can be made uniform in all the partial collective shot areas such as the memory cell array, and the processing dimensions in all the partial collective shot areas can be made uniform with high accuracy. Becomes possible.
【図1】 本発明の実施の形態を説明するためのメモリ
セルアレイの平面図。FIG. 1 is a plan view of a memory cell array for describing an embodiment of the present invention.
【図2】 本発明の第1の実施の形態を示すフローチャ
ート。FIG. 2 is a flowchart showing a first embodiment of the present invention.
【図3】 本発明の第1の実施の形態を説明するための
メモリセルアレイの平面図。FIG. 3 is a plan view of a memory cell array for explaining the first embodiment of the present invention.
【図4】 本発明の第2の実施の形態を示すフローチャ
ート。FIG. 4 is a flowchart showing a second embodiment of the present invention.
【図5】 本発明の第2の実施の形態を説明するための
第2アパーチャの平面図。FIG. 5 is a plan view of a second aperture for describing a second embodiment of the present invention.
【図6】 従来例および本発明において用いられる電子
線描画装置及び電子線描画システムの全体構成図。FIG. 6 is an overall configuration diagram of an electron beam drawing apparatus and an electron beam drawing system used in the conventional example and the present invention.
【図7】 従来における部分一括描画方法を説明するた
めの図(その1)。FIG. 7 is a diagram (part 1) for describing a conventional partial batch drawing method.
【図8】 従来における部分一括描画方法を説明するた
めの図(その2)。FIG. 8 is a view for explaining a conventional partial batch writing method (part 2).
10 メモリセルアレイ 11 コンタクトパターン 12 補助パターン 13 部分一括ショット領域 14 試料 30 メモリセルアレイ 31 可変矩形補助パターン 32 部分一括ショット領域 51 部分一括マスク 52 第2アパーチャ 53 補助パターン用開口 61 第1アパーチャ 62 電子銃 63 電子ビーム 64 成形レンズ 65 成形偏向器 66 縮小レンズ 67 位置決め偏向器 68 対物レンズ 71 CADシステム 72 データ処理計算機 73 制御計算機 74 制御インターフェース 81 パターン細り 100 電子線描画装置本体 200 電子線描画システム Reference Signs List 10 memory cell array 11 contact pattern 12 auxiliary pattern 13 partial batch shot area 14 sample 30 memory cell array 31 variable rectangular auxiliary pattern 32 partial batch shot area 51 partial batch mask 52 second aperture 53 auxiliary pattern opening 61 first aperture 62 electron gun 63 Electron beam 64 Molding lens 65 Molding deflector 66 Reduction lens 67 Positioning deflector 68 Objective lens 71 CAD system 72 Data processing computer 73 Control computer 74 Control interface 81 Pattern thinning 100 Electron beam writing apparatus main body 200 Electron beam writing system
Claims (7)
域を主パターンの部分一括ショットを繰り返すことによ
り露光する過程と、 (2)近接効果を補正する必要のある部分一括ショット
領域に対して、補正用の補助パターンを用いて露光する
過程と、をこの順序でまたは順序を入れ替えて行う電子
線描画方法において、前記補正用補助パターンとその露
光時間は、主パターンの露光と補助パターンの露光との
シミュレーション結果に基づいて決定されることを特徴
とする電子線描画方法。1. A process of exposing an array region having a repeated pattern by repeating a partial batch shot of a main pattern; and (2) correcting a partial batch shot region in which a proximity effect needs to be corrected. In the electron beam lithography method in which the step of exposing using the auxiliary pattern for exposure is performed in this order or the order is changed, wherein the auxiliary pattern for correction and the exposure time thereof are different between the exposure of the main pattern and the exposure of the auxiliary pattern. An electron beam drawing method characterized by being determined based on a simulation result.
マスクまたは可変矩形成形パターンを用いて行われるこ
とを特徴とする請求項1記載の電子線描画方法。2. The electron beam lithography method according to claim 1, wherein the exposure in the step (2) is performed using a partial batch mask or a variable rectangular shaping pattern.
部分一括マスクの開口部には金属メッシュが備えられて
いることを特徴とする請求項2記載の電子線描画方法。3. The electron beam lithography method according to claim 2, wherein a metal mesh is provided in an opening of the partial batch mask used for the exposure in the step (2).
re Intensity Distribution)関数を用いて行われるこ
とを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の電子線描
画方法。4. The simulation according to claim 1, wherein the simulation is an EID (Exposu).
4. An electron beam drawing method according to claim 1, wherein the method is performed using a re-intensity distribution function.
イ領域の最外周の部分一括ショット領域についてのみ行
われることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の
電子線描画方法。5. The electron beam lithography according to claim 1, wherein the exposure in the step (2) is performed only on the outermost partial batch shot area of the array area. Method.
程の間に、または、それら2つの過程の内の何れか早い
方の過程の前に、または、それら2つの過程の内の何れ
か遅い方の過程の後に、図形間近接効果に対する補正を
別途行うことを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載
の電子線描画方法。6. The method according to claim 1, wherein the step (1) is performed between the step (1) and the step (2), before the earlier of the two steps, or between the two steps. 6. The electron beam drawing method according to claim 1, wherein a correction for the inter-graphic proximity effect is separately performed after any of the later processes.
スト法により行われることを特徴とする請求項6記載の
電子線描画方法。7. The electron beam drawing method according to claim 6, wherein the correction for the inter-graphic proximity effect is performed by a ghost method.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP24814199A JP2001076999A (en) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | Electron drawing method |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353124A (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacturing method of mask for charged beam projection exposure |
JP2011035273A (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Charged particle beam exposure method and method of manufacturing semiconductor device |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24814199A patent/JP2001076999A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353124A (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacturing method of mask for charged beam projection exposure |
JP4720021B2 (en) * | 2001-05-29 | 2011-07-13 | 凸版印刷株式会社 | Manufacturing method of charged beam projection exposure mask |
JP2011035273A (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Charged particle beam exposure method and method of manufacturing semiconductor device |
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