JP2001068956A - Amplifier for antenna - Google Patents

Amplifier for antenna

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JP2001068956A
JP2001068956A JP24181699A JP24181699A JP2001068956A JP 2001068956 A JP2001068956 A JP 2001068956A JP 24181699 A JP24181699 A JP 24181699A JP 24181699 A JP24181699 A JP 24181699A JP 2001068956 A JP2001068956 A JP 2001068956A
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JP
Japan
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antenna
input signal
circuit
output
receiving end
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Application number
JP24181699A
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Japanese (ja)
Inventor
Akemasa Yoshida
明正 吉田
Yuichi Murakami
裕一 村上
Eiji Koide
英詞 小出
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Aisin Corp
Original Assignee
Aisin Seiki Co Ltd
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Publication date
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  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suitably output a high frequency input signal to a tuner respectively in the case that an antenna reception terminal power is strong or weak. SOLUTION: A detection circuit 14 detects an RF input signal from an antenna and outputs a DC signal in response to an antenna receiving end power to a 1st changeover on/off circuit 15. When a voltage of the DC signal is higher than a prescribed threshold voltage, the 1st changeover on/off circuit 15 is closed and a 2nd changeover on/off circuit 16 is open. Thus, only a signal via an attenuator 12 or the like is outputted to a tuner. When the voltage of the DC signal is a prescribed threshold voltage or below, the 1st changeover on/off circuit 15 is open and the 2nd changeover on/off circuit 16 is closed. Thus, only a signal via an amplifier 13 or the like is outputted to the tuner.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アンテナからの高
周波信号をチューナに出力するアンテナ用増幅装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antenna amplifying device for outputting a high frequency signal from an antenna to a tuner.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、アンテナ用増幅装置としては、例
えば特開昭63−121323号公報や、特開平7−2
12118号公報に記載されたものが知られている。こ
れら従来のアンテナ用増幅装置においては、アンテナの
感度の向上のために、能動素子を用いた増幅回路を備え
ている。そして、弱中電界地域においては、アンテナ受
信端電力の弱い高周波信号をこの増幅回路にて好適に増
幅してチューナに出力し、良好な受信性能を確保するよ
うにしている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an amplifying device for an antenna, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No.
What is described in 12118 gazette is known. These conventional amplifying devices for antennas include an amplifying circuit using active elements in order to improve the sensitivity of the antenna. In the weak / medium electric field region, a high-frequency signal having a weak power at the antenna receiving end is suitably amplified by this amplifier circuit and output to the tuner to ensure good reception performance.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、例えば強電
界地域においては、極めて強力な高周波信号が多数存在
していることがある。このようにアンテナ受信端電力の
極めて強力な複数の高周波信号が上述の増幅回路に入力
されると、その回路内の能動素子が飽和して増幅特性が
非直線性を呈するようになる。そして、入力された高周
波信号相互間等で変調を起こし、上記増幅回路からチュ
ーナに出力される信号に歪みが発生してしまう。このよ
うな歪みの発生により、 (1)放送局の周波数以外の周波数でチューナのサーチ
が停止する (2)アンテナ受信端電力の弱い放送電波の音声が、同
強い放送電波の音声に乗っ取られる といった問題が生じている。
By the way, in an area with a strong electric field, for example, a large number of extremely strong high-frequency signals may exist. As described above, when a plurality of extremely high-frequency signals having extremely high power at the antenna receiving end are input to the above-described amplifier circuit, active elements in the circuit are saturated, and the amplification characteristics exhibit nonlinearity. Then, modulation occurs between the input high-frequency signals and the like, and the signal output from the amplifier circuit to the tuner causes distortion. Due to the occurrence of such distortion, (1) the tuner search is stopped at a frequency other than the frequency of the broadcast station. (2) the sound of the broadcast wave with weak power at the antenna receiving end is taken over by the sound of the strong broadcast wave. There is a problem.

【0004】なお、このような問題に対処するために、
例えば増幅回路のダイナミックレンジを拡大することが
考えられるが、これは技術的には可能であるものの実用
上は不適切となる。なぜならば、このようなアンテナ用
増幅装置に接続されるチューナには、同チューナを破損
させないために、上限の入力レベルが設定されているた
めである。
[0004] In order to deal with such a problem,
For example, it is conceivable to expand the dynamic range of the amplifier circuit, but this is technically possible but inappropriate in practical use. This is because an upper limit input level is set for a tuner connected to such an antenna amplifying device so as not to damage the tuner.

【0005】本発明の目的は、アンテナ受信端電力が強
い場合と弱い場合とでそれぞれ好適にアンテナからの高
周波入力信号をチューナに出力することができるアンテ
ナ用増幅装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an antenna amplifying apparatus that can output a high-frequency input signal from an antenna to a tuner appropriately when the power at the antenna receiving end is high and when the power is low.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、請求項1に記載の発明は、アンテナからの高周波
入力信号をチューナに出力するアンテナ用増幅装置にお
いて、アンテナ受信端電力を検出する検波手段と、前記
アンテナからの高周波入力信号を増幅する増幅手段と、
前記検出されたアンテナ受信端電力が弱い場合には、前
記アンテナからの高周波入力信号を前記増幅手段を介し
て前記チューナに出力し、該検出されたアンテナ受信端
電力が強い場合には、該アンテナからの高周波入力信号
を該増幅手段を介さずに該チューナに出力する切り替え
手段とを備えたことを要旨とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is an antenna amplifying apparatus for outputting a high-frequency input signal from an antenna to a tuner. Detecting means, and amplifying means for amplifying a high-frequency input signal from the antenna,
When the detected antenna receiving end power is weak, a high-frequency input signal from the antenna is output to the tuner via the amplifying means, and when the detected antenna receiving end power is strong, the antenna Switching means for outputting a high-frequency input signal from the tuner to the tuner without passing through the amplifying means.

【0007】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
のアンテナ用増幅装置において、前記検出されたアンテ
ナ受信端電力が強い場合には、前記アンテナからの高周
波入力信号を減衰手段を介して前記チューナに出力する
ことを要旨とする。
According to a second aspect of the present invention, in the antenna amplifying apparatus according to the first aspect, when the detected antenna receiving end power is strong, a high frequency input signal from the antenna is passed through an attenuating means. Output to the tuner.

【0008】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
のアンテナ用増幅装置において、前記検出されたアンテ
ナ受信端電力が強い場合には、前記アンテナからの高周
波入力信号をインピーダンス整合手段を介して前記チュ
ーナに出力することを要旨とする。
According to a third aspect of the present invention, in the antenna amplifying apparatus according to the first aspect, when the detected power at the receiving end of the antenna is strong, the high frequency input signal from the antenna is subjected to impedance matching means. The gist is to output to the tuner via the interface.

【0009】(作用)請求項1に記載の発明の構成によ
れば、アンテナ受信端電力が弱い場合には、上記アンテ
ナからの高周波入力信号は増幅手段を介して好適に増幅
されてチューナに出力される。従って、チューナの受信
性能は好適に確保される。
According to the first aspect of the present invention, when the power at the receiving end of the antenna is weak, the high frequency input signal from the antenna is suitably amplified via the amplifying means and output to the tuner. Is done. Therefore, the reception performance of the tuner is suitably secured.

【0010】一方、アンテナ受信端電力が強い場合に
は、上記アンテナからの高周波入力信号は増幅手段を介
さずにチューナに出力される。従って、アンテナ受信端
電力の強い高周波入力信号が増幅手段に入力されるなど
して、同増幅手段内の能動素子が飽和し、その出力信号
に歪みが発生したりすることは回避される。
On the other hand, when the power at the receiving end of the antenna is strong, the high-frequency input signal from the antenna is output to the tuner without passing through the amplifying means. Therefore, it is possible to prevent the active element in the amplifying unit from being saturated due to the input of a high-frequency input signal having a high power at the antenna receiving end to the amplifying unit, thereby preventing the output signal from being distorted.

【0011】請求項2に記載の発明の構成によれば、ア
ンテナ受信端電力が強い場合には、上記アンテナからの
高周波入力信号は減衰手段を介して、例えば経路内の能
動素子が飽和しない程度に好適に減衰される。
According to the second aspect of the present invention, when the power at the antenna receiving end is high, the high-frequency input signal from the antenna is passed through the attenuating means, for example, to such an extent that the active element in the path is not saturated. Is suitably attenuated.

【0012】請求項3に記載の発明の構成によれば、ア
ンテナ受信端電力が強い場合には、上記アンテナからの
高周波入力信号はインピーダンス整合手段を介して効率
的にチューナに出力される。
According to the third aspect of the present invention, when the power at the receiving end of the antenna is high, the high-frequency input signal from the antenna is efficiently output to the tuner via the impedance matching means.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】(第1実施形態)以下、本発明を
具体化した第1実施形態について図1に従って説明す
る。
(First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0014】図1は、アンテナ用増幅装置を示す回路図
である。図1に示されるように、アンテナ用増幅装置
は、アンテナ線に接続されるRF(高周波)入力信号端
子10と、減衰手段としての減衰器12と、増幅手段と
しての増幅器13と、検波手段を構成する検波回路14
と、切り替え手段を構成する第1切替ON/OFF(オ
ン/オフ)回路15と、切り替え手段を構成する第2切
替ON/OFF(オン/オフ)回路16と、同軸ケーブ
ルを介してチューナに接続されるRF出力信号端子17
等を備えている。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an amplifying device for an antenna. As shown in FIG. 1, the antenna amplifying device includes an RF (high frequency) input signal terminal 10 connected to an antenna line, an attenuator 12 as an attenuating unit, an amplifier 13 as an amplifying unit, and a detecting unit. Constituting detection circuit 14
And a first switching ON / OFF (on / off) circuit 15 constituting the switching means, a second switching ON / OFF (on / off) circuit 16 constituting the switching means, and connected to the tuner via a coaxial cable. RF output signal terminal 17
Etc. are provided.

【0015】上記RF入力信号端子10は、前記減衰器
12に接続されている。この減衰器12は、上記RF入
力信号端子10に接続された抵抗23と、同抵抗23の
一側及び他側にそれぞれ接続された一端が接地された抵
抗24,25とにてπ形に配置されている。この減衰器
12は、RF入力信号の信号レベルを一定の比率だけ減
衰させる。
The RF input signal terminal 10 is connected to the attenuator 12. The attenuator 12 is arranged in a π-shape by a resistor 23 connected to the RF input signal terminal 10 and resistors 24 and 25 each having one end connected to one side and the other side of the resistor 23 and having one end grounded. Have been. The attenuator 12 attenuates the signal level of the RF input signal by a fixed ratio.

【0016】上記減衰器12は、バイアスカットコンデ
ンサ26、前記第1切替ON/OFF回路15及びバイ
アスカットコンデンサ27を介して上記RF出力信号端
子17に接続されている。そして、上記RF入力信号
は、上記第1切替ON/OFF回路15がオン状態のと
きには減衰器12等を介してRF出力信号端子17に出
力され、同第1切替ON/OFF回路15がオフ状態の
ときには遮断される。
The attenuator 12 is connected to the RF output signal terminal 17 via a bias cut capacitor 26, the first switching ON / OFF circuit 15, and a bias cut capacitor 27. The RF input signal is output to the RF output signal terminal 17 via the attenuator 12 and the like when the first switching ON / OFF circuit 15 is on, and the first switching ON / OFF circuit 15 is off. It is shut off at the time.

【0017】さらに、上記RF入力信号端子10は、バ
イアスカットコンデンサ31及び前記第2切替ON/O
FF回路16を介して前記増幅器13に接続されてい
る。この増幅器13は上記RF出力信号端子17に接続
されている。そして、上記RF入力信号は、上記第2切
替ON/OFF回路16がオン状態のときには増幅器1
3等を介してRF出力信号端子17に出力され、同第2
切替ON/OFF回路16がオフ状態のときには遮断さ
れる。
Further, the RF input signal terminal 10 is connected to a bias cut capacitor 31 and the second switching ON / O.
The FF circuit 16 is connected to the amplifier 13. This amplifier 13 is connected to the RF output signal terminal 17. The RF input signal is supplied to the amplifier 1 when the second switching ON / OFF circuit 16 is on.
3 to the RF output signal terminal 17 via the
When the switching ON / OFF circuit 16 is in the off state, it is shut off.

【0018】さらにまた、上記RF入力信号端子10
は、バイアスカットコンデンサ32を介して前記検波回
路14に接続されている。この検波回路14は、検波回
路部33と遅延回路部34とを備えている。
Further, the RF input signal terminal 10
Are connected to the detection circuit 14 via a bias cut capacitor 32. The detection circuit 14 includes a detection circuit section 33 and a delay circuit section 34.

【0019】上記検波回路部33は、上記バイアスカッ
トコンデンサ32にそのアノードが接続されたダイオー
ド36と、同バイアスカットコンデンサ32にそのカソ
ードが接続されてアノードが接地されたダイオード37
とを備えている。この検波回路部33は、上記RF入力
信号を検波し、アンテナ受信端電力に相当するその信号
レベル(振幅)に応じた直流(DC)信号を出力する。
The detection circuit section 33 includes a diode 36 whose anode is connected to the bias cut capacitor 32 and a diode 37 whose cathode is connected to the bias cut capacitor 32 and whose anode is grounded.
And The detection circuit unit 33 detects the RF input signal and outputs a direct current (DC) signal corresponding to the signal level (amplitude) corresponding to the power at the antenna receiving end.

【0020】上記遅延回路部34は、上記ダイオード3
6のカソードに接続された抵抗38と、同抵抗38に接
続された互いに並列接続で接地された抵抗39及びコン
デンサ40からなる。この遅延回路部34(コンデンサ
40)は、上記第1切替ON/OFF回路15に接続さ
れており、上記コンデンサ40の充電電圧を上記第1切
替ON/OFF回路15に印加する。
The delay circuit section 34 includes the diode 3
6 comprises a resistor 38 connected to the cathode, a resistor 39 connected to the resistor 38 and a capacitor 40 connected in parallel to each other and grounded. The delay circuit section 34 (capacitor 40) is connected to the first switching ON / OFF circuit 15, and applies the charging voltage of the capacitor 40 to the first switching ON / OFF circuit 15.

【0021】前記第1切替ON/OFF回路15は、第
1ダイオード41とNチャネル電界効果トランジスタ
(NチャネルFET)42とを備えている。上記第1ダ
イオード41のアノードは、前記バイアスカットコンデ
ンサ26を介して減衰器12に接続されている。ちなみ
に、上記減衰器12の減衰率は、上記RF入力信号によ
って第1ダイオード41が飽和しない程度に設定されて
いる。この第1ダイオード41のカソードは、前記バイ
アスカットコンデンサ27を介して上記RF出力信号端
子17に接続されている。
The first switching ON / OFF circuit 15 includes a first diode 41 and an N-channel field effect transistor (N-channel FET) 42. The anode of the first diode 41 is connected to the attenuator 12 via the bias cut capacitor 26. Incidentally, the attenuation factor of the attenuator 12 is set so that the first diode 41 is not saturated by the RF input signal. The cathode of the first diode 41 is connected to the RF output signal terminal 17 via the bias cut capacitor 27.

【0022】上記第1ダイオード41のアノードは高周
波チョークコイル(以下、「RFC」という)43及び
抵抗44を介してバッテリー電源Vccに接続されてい
る。この抵抗44は、上記第1ダイオード41にRFC
43を介して適切な電流が流れるように調整されてい
る。
The anode of the first diode 41 is connected to a battery power supply Vcc via a high-frequency choke coil (hereinafter referred to as "RFC") 43 and a resistor 44. This resistor 44 is connected to the first diode 41 by RFC.
Adjustment is made so that an appropriate current flows through 43.

【0023】また、上記第1ダイオード41のカソード
はRFC45を介してNチャネルFET42のドレイン
に接続されている。このNチャネルFET42のドレイ
ンは、抵抗46を介してバッテリー電源Vccに接続さ
れている。なお、このNチャネルFET42のソ−スは
接地されており、ゲートは前記検波回路14(コンデン
サ40)に接続されている。
The cathode of the first diode 41 is connected to the drain of the N-channel FET 42 via the RFC 45. The drain of the N-channel FET 42 is connected to the battery power supply Vcc via the resistor 46. The source of the N-channel FET 42 is grounded, and the gate is connected to the detection circuit 14 (capacitor 40).

【0024】ここで、上記NチャネルFET42のゲー
トに印加される電圧(コンデンサ40の充電電圧)が所
定のしきい値電圧よりも大きいH(ハイ)レベルにある
ときには、同NチャネルFET42はオンし、上記バッ
テリー電源Vccから抵抗46及び同NチャネルFET
42を介して電流が流れる。なお、このしきい値電圧
は、上記RF入力信号の信号レベル(アンテナ受信端電
力)に応じて上記検波回路部33から出力されるDC信
号が、アンテナ受信端電力の強いレベルに相当するか弱
いレベルに相当するかを区分する好適な値に設定されて
いる。すなわち、上記NチャネルFET42のゲートに
印加される電圧が所定のしきい値電圧よりも大きいHレ
ベルにあるときには、アンテナ受信端電力の強いレベル
に相当するものとし、同電圧が所定のしきい値電圧以下
のL(ロー)レベルにあるときには、アンテナ受信端電
力の弱いレベルに相当するものとする。
When the voltage (charging voltage of the capacitor 40) applied to the gate of the N-channel FET 42 is at an H (high) level higher than a predetermined threshold voltage, the N-channel FET 42 is turned on. , A resistor 46 and an N-channel FET from the battery power supply Vcc.
A current flows through 42. The threshold voltage is set so that the DC signal output from the detection circuit unit 33 according to the signal level (antenna receiving end power) of the RF input signal corresponds to a strong level of the antenna receiving end power or a weak level. Is set to a suitable value for classifying whether or not it corresponds to That is, when the voltage applied to the gate of the N-channel FET 42 is at an H level higher than a predetermined threshold voltage, it is assumed that the voltage corresponds to a high level of the power at the antenna receiving end, and the voltage is equal to the predetermined threshold voltage. When it is at the L (low) level below the voltage, it is assumed that it corresponds to a weak level of the antenna receiving end power.

【0025】上記NチャネルFET42がオンし、バッ
テリー電源Vccから抵抗46及びNチャネルFET4
2を介して電流が流れると、上記NチャネルFET42
のドレインはLレベルとなるため、前記RFC45を介
して同ドレインに接続された第1ダイオード41のカソ
ードもLレベルとなり、同第1ダイオード41はオンす
る。すなわち、上記第1切替ON/OFF回路15はオ
ン状態となり、上記RF入力信号は、上記減衰器12等
を介してRF出力信号端子17に出力される。
When the N-channel FET 42 is turned on, the resistor 46 and the N-channel FET 4
2 through the N-channel FET 42
Is at the L level, the cathode of the first diode 41 connected to the drain via the RFC 45 is also at the L level, and the first diode 41 is turned on. That is, the first switching ON / OFF circuit 15 is turned on, and the RF input signal is output to the RF output signal terminal 17 via the attenuator 12 and the like.

【0026】一方、上記NチャネルFET42のゲート
に印加される電圧が所定のしきい値電圧以下のLレベル
にあるときには、同NチャネルFET42はオフし、同
NチャネルFET42のドレインはHレベルとなる。こ
のため、上記RFC45を介して同ドレインに接続され
た第1ダイオード41のカソードもHレベルとなり、同
第1ダイオード41はオフする。すなわち、上記第1切
替ON/OFF回路15はオフ状態となり、上記RF入
力信号は遮断される。
On the other hand, when the voltage applied to the gate of the N-channel FET 42 is at the L level below a predetermined threshold voltage, the N-channel FET 42 turns off and the drain of the N-channel FET 42 goes to the H level. . Therefore, the cathode of the first diode 41 connected to the drain via the RFC 45 also becomes H level, and the first diode 41 is turned off. That is, the first switching ON / OFF circuit 15 is turned off, and the RF input signal is cut off.

【0027】上記NチャネルFET42のドレイン電圧
は前記第2切替ON/OFF回路16に出力される。こ
の第2切替ON/OFF回路16は、第2ダイオード5
1とNPNトランジスタ52とを備えている。
The drain voltage of the N-channel FET 42 is output to the second switching ON / OFF circuit 16. The second switching ON / OFF circuit 16 includes the second diode 5
1 and an NPN transistor 52.

【0028】上記第2ダイオード51のアノードは、前
記バイアスカットコンデンサ31を介して上記RF入力
信号端子10に接続されており、カソードは前記増幅器
13を介して上記RF出力信号端子17に接続されてい
る。
The anode of the second diode 51 is connected to the RF input signal terminal 10 via the bias cut capacitor 31, and the cathode is connected to the RF output signal terminal 17 via the amplifier 13. I have.

【0029】また、上記第2ダイオード51のアノード
はRFC53及び抵抗54を介してバッテリー電源Vc
cに接続されている。この抵抗54は、上記第2ダイオ
ード51にRFC53を介して適切な電流が流れるよう
に調整されている。
The anode of the second diode 51 is connected to a battery power supply Vc via an RFC 53 and a resistor 54.
c. The resistor 54 is adjusted so that an appropriate current flows through the second diode 51 via the RFC 53.

【0030】上記第2ダイオード51のカソードはRF
C55を介してNPNトランジスタ52のコレクタに接
続されている。このNPNトランジスタ52のコレクタ
は、抵抗56を介してバッテリー電源Vccに接続され
ている。なお、このNPNトランジスタ52のエミッタ
は接地されており、ベースは抵抗57を介して前記Nチ
ャネルFET42のドレインに接続されている。なお、
このNPNトランジスタ52のベース−エミッタ間に
は、同ベースのバイアス用の抵抗58が接続されてい
る。
The cathode of the second diode 51 is RF
It is connected to the collector of the NPN transistor 52 via C55. The collector of the NPN transistor 52 is connected to a battery power supply Vcc via a resistor 56. The emitter of the NPN transistor 52 is grounded, and the base is connected to the drain of the N-channel FET 42 via a resistor 57. In addition,
A bias resistor 58 having the same base is connected between the base and the emitter of the NPN transistor 52.

【0031】ここで、上記NPNトランジスタ52のベ
ース、すなわちNチャネルFET42のドレインがLレ
ベルにあるときには、同NPNトランジスタ52はオフ
し、同NPNトランジスタ52のコレクタはHレベルと
なる。このため、上記RFC55を介して同コレクタに
接続された第2ダイオード51のカソードもHレベルと
なり、同第2ダイオード51はオフする。すなわち、上
記第2切替ON/OFF回路16はオフ状態となり、上
記RF入力信号は遮断される。
Here, when the base of the NPN transistor 52, that is, the drain of the N-channel FET 42 is at L level, the NPN transistor 52 is turned off and the collector of the NPN transistor 52 becomes H level. Therefore, the cathode of the second diode 51 connected to the collector via the RFC 55 also becomes H level, and the second diode 51 is turned off. That is, the second switching ON / OFF circuit 16 is turned off, and the RF input signal is cut off.

【0032】一方、上記NPNトランジスタ52のベー
ス、すなわちNチャネルFET42のドレインがHレベ
ルにあるときには、上記バッテリー電源Vccから抵抗
56及び同NPNトランジスタ52を介して電流が流れ
る。このとき、上記NPNトランジスタ52のコレクタ
はLレベルとなるため、上記RFC55を介して同コレ
クタに接続された第2ダイオード51のカソードもLレ
ベルとなり、同第2ダイオード51はオンする。すなわ
ち、上記第2切替ON/OFF回路16はオン状態とな
り、上記RF入力信号は、上記増幅器13等を介してR
F出力信号端子17に出力される。
On the other hand, when the base of the NPN transistor 52, that is, the drain of the N-channel FET 42 is at the H level, a current flows from the battery power supply Vcc via the resistor 56 and the NPN transistor 52. At this time, since the collector of the NPN transistor 52 is at the L level, the cathode of the second diode 51 connected to the collector via the RFC 55 is also at the L level, and the second diode 51 is turned on. That is, the second switching ON / OFF circuit 16 is turned on, and the RF input signal is supplied to the R
The signal is output to the F output signal terminal 17.

【0033】以上により、上記NチャネルFET42の
ゲートに印加される電圧が所定のしきい値電圧よりも大
きいHレベルにあるときには、上記第1切替ON/OF
F回路15をオンし、一方、上記第2切替ON/OFF
回路16をオフする。従って、前記RF入力信号端子1
0に入力されたRF入力信号は、前記減衰器12等を介
して前記RF出力信号端子17に出力される。
As described above, when the voltage applied to the gate of the N-channel FET 42 is at the H level higher than the predetermined threshold voltage, the first switching ON / OF
F circuit 15 is turned on, while the second switching ON / OFF
The circuit 16 is turned off. Therefore, the RF input signal terminal 1
The RF input signal input to 0 is output to the RF output signal terminal 17 via the attenuator 12 and the like.

【0034】また、上記NチャネルFET42のゲート
に印加される電圧が所定のしきい値電圧以下のLレベル
にあるときには、上記第1切替ON/OFF回路15を
オフし、一方、上記第2切替ON/OFF回路16をオ
ンする。従って、前記RF入力信号端子10に入力され
たRF入力信号は、前記増幅器13等を介して前記RF
出力信号端子17に出力される。
When the voltage applied to the gate of the N-channel FET 42 is at an L level below a predetermined threshold voltage, the first switching ON / OFF circuit 15 is turned off, while the second switching ON / OFF circuit 15 is turned off. The ON / OFF circuit 16 is turned on. Accordingly, the RF input signal input to the RF input signal terminal 10 is transmitted to the RF input signal through the amplifier 13 and the like.
Output to the output signal terminal 17.

【0035】次に、このアンテナ用増幅装置の動作につ
いて説明する。アンテナよりRF入力信号端子10に入
力されたRF入力信号は、バイアスカットコンデンサ3
2を介して検波回路14に出力される。ここで、RF入
力信号は検波され、アンテナ受信端電力に相当する信号
レベル(振幅)に応じたDC信号(コンデンサ40の充
電電圧)が第1切替ON/OFF回路15のNチャネル
FET42に出力される。このとき、上記DC信号の電
圧が所定のしきい値電圧よりも大きいときには、アンテ
ナ受信端電力の強い信号レベルに相当するとして、上記
NチャネルFET42はオンされる。そして、第1ダイ
オード41がオンするため、RF入力信号は、減衰器1
2等を介して第1ダイオード41に出力される。このと
き、RF入力信号のレベル(振幅)は、上記減衰器12
によって、上記第1ダイオード41が飽和しない程度に
抑えられる。そして、上記第1ダイオード41には、D
C電流とRF入力信号に対応するRF電流とが重畳され
た電流が流れる。この電流は、バイアスカットコンデン
サ27においてDC成分がカットされた後、上記RF出
力信号端子17に出力される。
Next, the operation of the antenna amplifying device will be described. The RF input signal input to the RF input signal terminal 10 from the antenna is
2 to the detection circuit 14. Here, the RF input signal is detected, and a DC signal (charge voltage of the capacitor 40) corresponding to a signal level (amplitude) corresponding to the power at the antenna receiving end is output to the N-channel FET 42 of the first switching ON / OFF circuit 15. You. At this time, when the voltage of the DC signal is higher than a predetermined threshold voltage, the N-channel FET 42 is turned on on the assumption that the voltage corresponds to a strong signal level of the power at the antenna receiving end. Then, since the first diode 41 is turned on, the RF input signal is applied to the attenuator 1
The signal is output to the first diode 41 via 2 or the like. At this time, the level (amplitude) of the RF input signal is
Thereby, the first diode 41 is suppressed to the extent that it does not saturate. The first diode 41 has D
A current in which the C current and the RF current corresponding to the RF input signal are superimposed flows. This current is output to the RF output signal terminal 17 after the DC component is cut by the bias cut capacitor 27.

【0036】また、NチャネルFET42がオンしてい
るため、同NチャネルFET42のドレインがLレベル
となり、第2切替ON/OFF回路16のNPNトラン
ジスタ52はオフする。このため、第2ダイオード51
はオフする。従って、RF入力信号が上記増幅器13を
介してRF出力信号端子17に出力されることはない。
Further, since the N-channel FET 42 is on, the drain of the N-channel FET 42 goes low, and the NPN transistor 52 of the second switching ON / OFF circuit 16 turns off. Therefore, the second diode 51
Turns off. Therefore, the RF input signal is not output to the RF output signal terminal 17 via the amplifier 13.

【0037】以上により、アンテナ受信端電力の強い信
号レベルに相当するRF入力信号が入力された場合に
は、減衰器12等を介した信号のみが上記RF出力信号
端子17に出力される。そして、増幅器13には高周波
信号が入力されないため、同RF出力信号端子17(チ
ューナ)に出力される信号に歪みが発生することは回避
される。
As described above, when an RF input signal corresponding to a strong signal level of the power at the antenna receiving end is input, only the signal via the attenuator 12 and the like is output to the RF output signal terminal 17. Since a high-frequency signal is not input to the amplifier 13, the occurrence of distortion in the signal output to the RF output signal terminal 17 (tuner) is avoided.

【0038】反対に、アンテナ受信端電力に相当する信
号レベル(振幅)に応じたDC信号の電圧(コンデンサ
40の充電電圧)が所定のしきい値電圧以下のときに
は、アンテナ受信端電力の弱い信号レベルに相当すると
して、上記NチャネルFETはオフし、第1ダイオード
41はオフする。従って、RF入力信号が上記減衰器1
2を介してRF出力信号端子17に出力されることはな
い。
On the other hand, when the voltage of the DC signal (charging voltage of the capacitor 40) corresponding to the signal level (amplitude) corresponding to the power at the antenna receiving end is equal to or lower than a predetermined threshold voltage, the signal having the weak power at the antenna receiving end is output. Assuming that the level corresponds to the level, the N-channel FET turns off and the first diode 41 turns off. Therefore, the RF input signal is transmitted to the attenuator 1
2 is not output to the RF output signal terminal 17.

【0039】また、NチャネルFET42がオフしてい
るため、同NチャネルFET42のドレインがHレベル
となり、第2切替ON/OFF回路16のNPNトラン
ジスタ52はオンする。このため、第2ダイオード51
はオンするため、RF入力信号は、第2ダイオード51
に出力される。そして、上記第2ダイオード51には、
DC電流とRF入力信号に対応するRF電流とが重畳さ
れた電流が流れる。この電流は、増幅器13を介して上
記RF出力信号端子17に出力される。
Since the N-channel FET 42 is off, the drain of the N-channel FET 42 goes to H level, and the NPN transistor 52 of the second switching ON / OFF circuit 16 turns on. Therefore, the second diode 51
Is turned on, the RF input signal is supplied to the second diode 51
Is output to The second diode 51 includes:
A current flows in which the DC current and the RF current corresponding to the RF input signal are superimposed. This current is output to the RF output signal terminal 17 via the amplifier 13.

【0040】以上により、アンテナ受信端電力の弱い信
号レベルに相当するRF入力信号が入力された場合に
は、増幅器13等を介した信号のみが上記RF出力信号
端子17に出力される。そして、RF出力信号端子17
(チューナ)に出力される信号は好適に増幅される。
As described above, when the RF input signal corresponding to the weak signal level of the antenna receiving end power is input, only the signal via the amplifier 13 and the like is output to the RF output signal terminal 17. Then, the RF output signal terminal 17
The signal output to the (tuner) is suitably amplified.

【0041】以上詳述したように、本実施形態によれ
ば、以下に示す効果が得られるようになる。 (1)本実施形態では、強電界地域におけるアンテナ受
信端電力の強いRF入力信号は、減衰器12等を介して
RF出力信号端子17(チューナ)に出力される。従っ
て、アンテナ受信端電力の強いRF入力信号が増幅器に
入力されるなどして、同増幅器内の能動素子が飽和し、
その出力信号に歪みが発生したりすることは回避され
る。このため、強電界地域において放送局の周波数以外
の周波数でチューナのサーチが停止したり、あるいはア
ンテナ受信端電力の弱い放送電波の音声が同強い放送電
波の音声に乗っ取られたりすることを防止することがで
きる。
As described in detail above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained. (1) In the present embodiment, an RF input signal having a high power at the antenna receiving end in a strong electric field area is output to the RF output signal terminal 17 (tuner) via the attenuator 12 and the like. Therefore, the active element in the amplifier saturates, for example, when an RF input signal with a strong antenna receiving end power is input to the amplifier, and the like.
The generation of distortion in the output signal is avoided. Therefore, it is possible to prevent the search of the tuner from being stopped at a frequency other than the frequency of the broadcasting station in the strong electric field area, or to prevent the sound of the broadcast wave with weak power at the antenna receiving end from being hijacked by the sound of the strong broadcast wave. be able to.

【0042】また、アンテナ受信端電力の弱いRF入力
信号は、増幅器13等を介して好適に増幅されてRF出
力信号端子17(チューナ)に出力される。従って、チ
ューナの受信性能を好適に確保することができる。
The RF input signal having a weak power at the antenna receiving end is suitably amplified through the amplifier 13 and the like and output to the RF output signal terminal 17 (tuner). Therefore, the reception performance of the tuner can be suitably secured.

【0043】(2)本実施形態では、強電界地域におけ
るアンテナ受信端電力の強いRF入力信号を、減衰器1
2を介して第1ダイオード41が飽和しない程度に減衰
することができる。
(2) In this embodiment, an RF input signal having a high power at the antenna receiving end in a strong electric field area is converted into an attenuator 1
2, the first diode 41 can be attenuated to such an extent that the first diode 41 is not saturated.

【0044】(3)本実施形態では、切り替え手段を構
成する第1及び第2切替ON/OFF回路15,16に
半導体式のスイッチであるNチャネルFET42及びN
PNトランジスタ52を採用した。
(3) In this embodiment, the first and second switching ON / OFF circuits 15 and 16 constituting the switching means are provided with N-channel FETs 42 and N, which are semiconductor switches, respectively.
A PN transistor 52 was employed.

【0045】(4)本実施形態では、π形に配置された
抵抗23〜25により極めて簡易に減衰器12を構成す
ることができる。 (第2実施形態)以下、本発明を具体化した第2実施形
態を図2に従って説明する。なお、第2実施形態は、第
1実施形態の減衰器12を取り除き、第1実施形態のバ
イアスカットコンデンサ27の前段にインピーダンス整
合回路を採用したものであるため、同様の部分について
はその説明を省略する。
(4) In the present embodiment, the attenuator 12 can be configured extremely easily by the resistors 23 to 25 arranged in a π shape. (Second Embodiment) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the attenuator 12 of the first embodiment is removed, and an impedance matching circuit is employed before the bias cut capacitor 27 of the first embodiment. Omitted.

【0046】図2に示されるように、インピーダンス整
合手段としてのインピーダンス整合回路61は、上記第
1切替ON/OFF回路15に一側が接続されたコンデ
ンサ62と、同コンデンサ62の他側に接続された一端
が接地されたコイル63とにて構成されている。このイ
ンピーダンス整合回路61は、アンテナを含むRF出力
信号端子17までのインピ−ダンスと同RF出力信号端
子17が接続される同軸ケーブルの特性インピーダン
ス、例えば75オームとを一致させている。このような
整合を図ることで、アンテナからのRF入力信号は効率
的に同軸ケーブルを介してチューナに出力される。
As shown in FIG. 2, an impedance matching circuit 61 as an impedance matching means is connected to the capacitor 62 having one side connected to the first switching ON / OFF circuit 15 and the other side of the capacitor 62. And a coil 63 whose one end is grounded. The impedance matching circuit 61 matches the impedance up to the RF output signal terminal 17 including the antenna with the characteristic impedance of the coaxial cable to which the RF output signal terminal 17 is connected, for example, 75 ohms. With such matching, the RF input signal from the antenna is efficiently output to the tuner via the coaxial cable.

【0047】以上詳述したように、本実施形態によれ
ば、前記第1実施形態における(1)及び(3)と同様
の効果に加え、以下に示す効果が得られるようになる。 (1)本実施形態では、アンテナ受信端電力の強い信号
レベルに相当するアンテナからのRF入力信号を効率的
にチューナ(同軸ケーブル)に出力することができる。
As described in detail above, according to this embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects (1) and (3) in the first embodiment. (1) In the present embodiment, an RF input signal from the antenna corresponding to a strong signal level of the antenna receiving end power can be efficiently output to the tuner (coaxial cable).

【0048】なお、本発明の実施の形態は上記実施形態
に限定されるものではなく、次のように変更してもよ
い。 ・前記第1実施形態においては、抵抗23,24,25
がπ形に配置される減衰器12を採用した。これに対し
て、抵抗がT形に配置される減衰器を採用してもよい。
また、このような抵抗の組み合わせからなる減衰器に限
らず、その他の形状の減衰器を採用してもよい。
The embodiment of the present invention is not limited to the above embodiment, but may be modified as follows. In the first embodiment, the resistors 23, 24, 25
Employs an attenuator 12 arranged in a π-shape. On the other hand, an attenuator in which the resistors are arranged in a T-shape may be employed.
Further, the present invention is not limited to the attenuator having such a combination of resistors, and may employ an attenuator having another shape.

【0049】・前記第1実施形態においては、アンテナ
受信端電力が強い場合には、RF入力信号端子10に入
力されたRF入力信号を、減衰器12を介してRF出力
信号端子17(チューナ)に出力するようにした。これ
に対して、この減衰器12を割愛し、RF入力信号端子
10に入力されたRF入力信号を、減衰器を介すことな
くRF出力信号端子17(チューナ)に出力するように
してもよい。
In the first embodiment, when the power at the antenna receiving end is high, the RF input signal input to the RF input signal terminal 10 is converted to the RF output signal terminal 17 (tuner) via the attenuator 12. Output to On the other hand, the attenuator 12 may be omitted, and the RF input signal input to the RF input signal terminal 10 may be output to the RF output signal terminal 17 (tuner) without passing through the attenuator. .

【0050】また、RF入力信号端子10に入力された
RF入力信号を、減衰器12を介してRF出力信号端子
17に出力する回路と、減衰器を介すことなくRF出力
信号端子17に出力する回路とをそれぞれ構成してもよ
い。そして、例えばアンテナ受信端電圧が強い場合とや
や強い場合とで、RF入力信号端子10に入力されたR
F入力信号を、それぞれ減衰器12を介してRF出力信
号端子17(チューナ)に出力する場合と、減衰器を介
すことなくRF出力信号端子17(チューナ)に出力す
る場合とに別途、切り替えるような回路構成としてもよ
い。
A circuit for outputting the RF input signal input to the RF input signal terminal 10 to the RF output signal terminal 17 via the attenuator 12 and an output to the RF output signal terminal 17 without the attenuator And a circuit that performs the operations. Then, for example, when the antenna receiving end voltage is strong and slightly strong, the R
The F input signal is separately switched between output to the RF output signal terminal 17 (tuner) via the attenuator 12 and output to the RF output signal terminal 17 (tuner) without the attenuator. Such a circuit configuration may be adopted.

【0051】・前記第2実施形態におけるインピーダン
ス整合回路61は、例えばトランスを用いたものなど、
その他の形状のインピーダンス整合回路であってもよ
い。 ・前記各実施形態における増幅器13として、アンテナ
受信端電力に応じて段階的、若しくは連続的に増幅率を
変更制御しうるものを採用してもよい。このような増幅
器として、例えばアンテナ受信端電力に応じてバイアス
が変更され、同バイアスに応じて増幅率が制御される増
幅器がある。また、例えば、自動利得制御(AGC)回
路を備えた増幅器でもよい。
The impedance matching circuit 61 in the second embodiment uses, for example, a transformer.
Other forms of impedance matching circuits may be used. As the amplifier 13 in each of the above embodiments, an amplifier that can change and control the amplification factor stepwise or continuously according to the power at the antenna receiving end may be adopted. As such an amplifier, for example, there is an amplifier whose bias is changed according to the power at the antenna receiving end and whose amplification factor is controlled according to the bias. Further, for example, an amplifier having an automatic gain control (AGC) circuit may be used.

【0052】・前記各実施形態においては、アンテナ受
信端電力が強い場合と弱い場合とでの回路の切り替えを
NチャネルFET42やNPNトランジスタ52を用い
た半導体式のスイッチにより行った。これに対して、例
えばリレーを用いた機械式のスイッチにより行ってもよ
い。
In each of the above embodiments, the switching of the circuit between the case where the power at the antenna receiving end is high and the case where the power at the antenna receiving end is low is performed by the semiconductor type switch using the N-channel FET 42 and the NPN transistor 52. On the other hand, for example, a mechanical switch using a relay may be used.

【0053】・前記各実施形態において採用された検波
回路14は、その他の形状の検波回路であってもよい。 ・前記各実施形態において採用された回路構成は一例で
ある。要は、アンテナ受信端電力に応じてRF入力信号
が、増幅器を介してRF出力信号端子17に出力される
場合と、増幅器を介すことなくRF出力信号端子17に
出力される場合とに切り替えられる回路構成であればよ
い。
The detection circuit 14 employed in each of the above embodiments may be a detection circuit of another shape. The circuit configuration adopted in each of the above embodiments is an example. The point is that the RF input signal is switched between the case where the RF input signal is output to the RF output signal terminal 17 via the amplifier and the case where the RF input signal is output to the RF output signal terminal 17 without the amplifier according to the antenna receiving end power. Any circuit configuration may be used.

【0054】次に、以上の実施形態から把握することが
できる請求項以外の技術的思想を、その効果とともに以
下に記載する。 (イ)請求項1〜3のいずれか1に記載のアンテナ用増
幅装置において、前記切り替え手段は半導体スイッチに
より構成されたことを特徴とするアンテナ用増幅装置。
Next, technical ideas other than the claims that can be grasped from the above embodiments will be described below together with their effects. (A) The amplifying device for an antenna according to any one of claims 1 to 3, wherein the switching means is configured by a semiconductor switch.

【0055】同構成によれば、上記切り替え手段を半導
体スイッチにより構成することで、例えば機械的なスイ
ッチに比べて信頼性及び応答速度が向上する。 (ロ)請求項2に記載のアンテナ用増幅装置において、
前記減衰手段はπ形及びT形の少なくとも一方に配置さ
れた抵抗により構成されたことを特徴とするアンテナ用
増幅装置。
According to this configuration, since the switching means is constituted by a semiconductor switch, the reliability and the response speed are improved as compared with, for example, a mechanical switch. (B) In the antenna amplifying device according to claim 2,
An amplifying device for an antenna, wherein the attenuating means is constituted by a resistor arranged in at least one of a π shape and a T shape.

【0056】同構成によれば、上記減衰手段はπ形及び
T形の少なくとも一方に配置された抵抗により極めて簡
易に構成される。
According to this structure, the above-mentioned damping means is very simply constituted by the resistors arranged in at least one of the π type and the T type.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上詳述したように、請求項1に記載の
発明によれば、アンテナ受信端電力が強い場合と弱い場
合とでそれぞれ好適にアンテナからの高周波入力信号を
チューナに出力することができるアンテナ用増幅装置を
提供することができる。
As described in detail above, according to the first aspect of the present invention, a high-frequency input signal from an antenna is preferably output to a tuner when the power at the antenna receiving end is high and when the power is low. Can be provided.

【0058】請求項2に記載の発明によれば、アンテナ
受信端電力が強い場合には、アンテナからの高周波入力
信号を減衰手段を介して、経路内の能動素子が飽和しな
い程度に好適に減衰することができる。
According to the second aspect of the present invention, when the power at the receiving end of the antenna is high, the high-frequency input signal from the antenna is suitably attenuated via the attenuating means so that the active elements in the path are not saturated. can do.

【0059】請求項3に記載の発明によれば、アンテナ
受信端電力が強い場合には、アンテナからの高周波入力
信号をインピーダンス整合手段を介して効率的にチュー
ナに出力することができる。
According to the third aspect of the invention, when the power at the receiving end of the antenna is strong, the high frequency input signal from the antenna can be efficiently output to the tuner via the impedance matching means.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るアンテナ用増幅装置の第1実施形
態を示す回路図。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of an antenna amplifying device according to the present invention.

【図2】本発明に係るアンテナ用増幅装置の第2実施形
態を示す回路図。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the antenna amplifying device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12 減衰手段としての減衰器 13 増幅手段としての増幅器 14 検波手段を構成する検波回路 15 切り替え手段を構成する第1切替ON/OFF回
路 16 切り替え手段を構成する第2切替ON/OFF回
路 61 インピーダンス整合手段としてのインピーダンス
整合回路
Reference Signs List 12 Attenuator as attenuating means 13 Amplifier as amplifying means 14 Detection circuit constituting detecting means 15 First switching ON / OFF circuit constituting switching means 16 Second switching ON / OFF circuit constituting switching means 61 Impedance matching Impedance matching circuit as a means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小出 英詞 愛知県刈谷市朝日町2丁目1番地 アイシ ン精機 株式会社内 Fターム(参考) 5J100 JA01 KA05 LA00 LA10 QA01 QA02 SA02 5K062 AD03 AD07 AE02 AG01 BA02 BB09 BE09  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor, English word Koide 2-1-1 Asahi-cho, Kariya-shi, Aichi, Japan F-term (reference) 5J100 JA01 KA05 LA00 LA10 QA01 QA02 SA02 5K062 AD03 AD07 AE02 AG01 BA02 BB09 BE09

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アンテナからの高周波入力信号をチュ
ーナに出力するアンテナ用増幅装置において、 アンテナ受信端電力を検出する検波手段と、 前記アンテナからの高周波入力信号を増幅する増幅手段
と、 前記検出されたアンテナ受信端電力が弱い場合には、前
記アンテナからの高周波入力信号を前記増幅手段を介し
て前記チューナに出力し、該検出されたアンテナ受信端
電力が強い場合には、該アンテナからの高周波入力信号
を該増幅手段を介さずに該チューナに出力する切り替え
手段とを備えたことを特徴とするアンテナ用増幅装置。
1. An antenna amplifying device for outputting a high-frequency input signal from an antenna to a tuner, a detecting means for detecting an antenna receiving end power, an amplifying means for amplifying a high-frequency input signal from the antenna, When the power at the antenna receiving end is weak, a high-frequency input signal from the antenna is output to the tuner via the amplifying means, and when the detected power at the antenna receiving end is strong, the high-frequency signal from the antenna is output. A switching unit that outputs an input signal to the tuner without passing through the amplifying unit.
【請求項2】 請求項1に記載のアンテナ用増幅装置
において、 前記検出されたアンテナ受信端電力が強い場合には、前
記アンテナからの高周波入力信号を減衰手段を介して前
記チューナに出力することを特徴とするアンテナ用増幅
装置。
2. The antenna amplifying device according to claim 1, wherein when the detected antenna receiving end power is strong, a high-frequency input signal from the antenna is output to the tuner via an attenuation unit. An amplifier device for an antenna, comprising:
【請求項3】 請求項1に記載のアンテナ用増幅装置
において、 前記検出されたアンテナ受信端電力が強い場合には、前
記アンテナからの高周波入力信号をインピーダンス整合
手段を介して前記チューナに出力することを特徴とする
アンテナ用増幅装置。
3. The antenna amplifying device according to claim 1, wherein when the detected antenna receiving end power is strong, a high-frequency input signal from the antenna is output to the tuner via impedance matching means. An amplifier device for an antenna, comprising:
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