JP2001068901A - Phase shifter - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は電気信号、とくにマ
イクロ波帯あるいはミリ波帯において、その位相を変化
させるデバイス、すなわち移相器に関する。さらに詳し
くは、位相を変化させるための消費電力が小さく、か
つ、電気信号の損失を少なくすることができる電子式の
移相器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for changing the phase of an electric signal, particularly a microwave band or a millimeter wave band, that is, a phase shifter. More specifically, the present invention relates to an electronic phase shifter that can reduce power consumption for changing a phase and reduce loss of an electric signal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】たとえばフェーズドアレーアンテナなど
においては、各アンテナの励振位相を可変にするために
移相器が必要であり、マイクロ波帯やミリ波帯などの高
周波帯において位相を制御することは、重要な技術にな
る。電磁波の速度は、媒質の誘電率εと透磁率μの積の
平方根に逆比例するので、媒質の誘電率や透磁率を変化
させることにより、または電磁波の伝送路の長さを変え
ることにより位相を変えることができる。前者の例とし
て、伝送路に誘電体を挿入して挿入場所を機械的に変化
させることにより誘電率εを変化させるものや、フェラ
イト移相器のように、伝送路に挿入してフェライトに印
加するバイアス磁界を変化させることにより透磁率μを
変化させるものなどが利用されている。また、後者の例
として長さの異なる伝送路を２つ並列に設けておいて、
ピンダイオードやショットキーバリアダイオードなどの
半導体素子を用いて電磁波の通る経路を変えるものなど
が知られている。2. Description of the Related Art In a phased array antenna, for example, a phase shifter is required to make the excitation phase of each antenna variable, and it is not possible to control the phase in a high frequency band such as a microwave band or a millimeter band. , Become an important technology. Since the velocity of an electromagnetic wave is inversely proportional to the square root of the product of the dielectric constant ε and the magnetic permeability μ of the medium, the phase can be changed by changing the dielectric constant or the magnetic permeability of the medium or by changing the length of the transmission path of the electromagnetic wave. Can be changed. Examples of the former are those that insert a dielectric into the transmission line and mechanically change the insertion location to change the dielectric constant ε, and those that are inserted into the transmission line and applied to ferrite, such as a ferrite phase shifter. For example, one that changes the magnetic permeability μ by changing the bias magnetic field is used. As an example of the latter, two transmission lines having different lengths are provided in parallel,
A device that changes a path through which an electromagnetic wave passes using a semiconductor element such as a pin diode or a Schottky barrier diode is known.
【０００３】フェーズドアレーアンテナのように、きわ
めて短時間内に位相を変化させる必要のある場合には、
前述のフェライトを用いたものや半導体素子を用いた電
子式移相器が用いられる。すなわち、フェライトの場
合、外部磁界を印加してその磁化電流を急速に変化さ
せ、磁化の方向、大きさを制御することにより、半導体
素子の場合、たとえばピンダイオードに印加するバイア
ス電圧の極性が順方向では短絡に近く、逆方向では開放
に近いインピーダンスを示すため、ダイオードに印加す
るバイアス電源の電圧、電流を急速に変化させ、その呈
するインピーダンスを変化させることにより、それらに
応じてマイクロ波出力の位相を急速に変化させることが
できる。[0003] When the phase needs to be changed within a very short time, such as in a phased array antenna,
An electronic phase shifter using a ferrite or a semiconductor element described above is used. That is, in the case of ferrite, an external magnetic field is applied to rapidly change the magnetization current of the ferrite, and the direction and magnitude of the magnetization are controlled. In the direction, the impedance is close to a short circuit, and in the reverse direction, the impedance is close to an open state. The phase can be changed rapidly.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】前述のように、従来の
高周波帯における移相器としては、主としてフェライト
または半導体素子を使用した移相器が用いられている。
しかし、フェライトを用いた移相器は、伝送路内に挿入
したフェライト内を伝搬する高周波（電磁波）の速度の
変化により位相を変える特性を利用しているため、フェ
ライト内を伝搬する高周波の損失が大きいという問題が
ある。さらに、外部磁界を作るための保持電流が大き
く、消費電流が大きいという問題がある。As described above, as a conventional phase shifter in a high frequency band, a phase shifter mainly using a ferrite or a semiconductor element is used.
However, since a phase shifter using ferrite uses the characteristic of changing the phase by changing the speed of the high frequency (electromagnetic wave) propagating in the ferrite inserted in the transmission line, the loss of the high frequency propagating in the ferrite is lost. There is a problem that is large. Further, there is a problem that a holding current for generating an external magnetic field is large and a consumption current is large.
【０００５】また、ピンダイオードなどの半導体素子を
用いるものも、その挿入損失が大きく、とくに１２ＧＨ
ｚ以上の高周波では損失が大きくなって適しない。ま
た、半導体素子の場合もバイアス電圧を印加し、順方向
では電流が流れるため、消費電力が大きくなるという問
題がある。Also, those using a semiconductor element such as a pin diode have a large insertion loss, and
If the frequency is higher than z, the loss increases, which is not suitable. Also, in the case of a semiconductor element, a bias voltage is applied, and a current flows in the forward direction, so that there is a problem that power consumption increases.
【０００６】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、電子的に位相を変化させることがで
き、かつ、挿入損失が小さいと共に消費電力の小さい移
相器を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and it is an object of the present invention to provide a phase shifter which can change the phase electronically, has a small insertion loss, and has a small power consumption. With the goal.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明による移相器は、
伝送線路と、該伝送線路の側壁側に設けられる圧電素子
と、該圧電素子の両面に設けられる２つの電極と、該２
つの電極に電圧を印加し得る電源と、前記伝送線路の内
部に挿入されるように前記圧電素子に設けられる金属体
または誘電体とからなっている。The phase shifter according to the present invention comprises:
A transmission line, a piezoelectric element provided on a side wall of the transmission line, two electrodes provided on both surfaces of the piezoelectric element,
It comprises a power supply capable of applying a voltage to the two electrodes, and a metal or dielectric provided on the piezoelectric element so as to be inserted into the transmission line.
【０００８】ここに伝送線路とは、矩形導波管、円形導
波管などの導波管、同軸線路などの電磁波を伝送し得る
線路を意味する。Here, the transmission line means a line that can transmit electromagnetic waves, such as a waveguide such as a rectangular waveguide and a circular waveguide, and a coaxial line.
【０００９】この構造にすることにより、圧電素子は電
界を印加すると電界に比例する歪みが生じるという、い
わゆる逆圧電効果を有しているため、圧電素子に印加す
る電界を制御することにより、その表面に設けられた金
属体や誘電体の伝送線路内への挿入長が変化する。伝送
線路内に金属体が挿入されると、たとえば矩形導波管の
Ｈ面から金属体が挿入されると、いわゆるリッジ導波管
のリッジの高さが変化することになり、導波管内の伝搬
定数が変化する。その結果、電磁波はその位相が変化し
て通過し、移相器として作用する。By adopting this structure, the piezoelectric element has a so-called inverse piezoelectric effect that when an electric field is applied, a distortion proportional to the electric field is generated. Therefore, by controlling the electric field applied to the piezoelectric element, The insertion length of the metal or dielectric provided on the surface into the transmission line changes. When a metal body is inserted into the transmission line, for example, when the metal body is inserted from the H plane of the rectangular waveguide, the height of the ridge of the so-called ridge waveguide changes, and the height of the ridge in the waveguide is changed. The propagation constant changes. As a result, the electromagnetic wave passes with its phase changed, and acts as a phase shifter.
【００１０】前記圧電素子が、圧電材料を積層した積層
構造に形成されたものであれば、電界の印加に対する変
位量が大きくなり、小さな電界の変化により大きな位相
の変化をもたらすことができる。If the piezoelectric element is formed in a laminated structure in which piezoelectric materials are laminated, the amount of displacement with respect to the application of an electric field becomes large, and a large change in phase can be brought about by a small change in electric field.
【００１１】前記圧電素子に設けられる金属体または誘
電体は、前記伝送線路の電磁波の進行方向に沿った端部
において、該進行方向にテーパ状の傾斜面が形成されて
いることにより、伝送線路内に金属体や誘電体が挿入さ
れても、伝送線路内の伝搬定数が急激に変化しないで徐
々に変化をするため、ＶＳＷＲ（電圧定在波比）が悪化
して伝送線路内での反射が大きくなることを防止するこ
とができる。The metal or dielectric material provided on the piezoelectric element has a tapered inclined surface formed at the end of the transmission line along the traveling direction of the electromagnetic wave, so that the transmission line has a tapered slope. Even if a metal or dielectric is inserted in the inside, the propagation constant in the transmission line changes gradually without abrupt change, so that the VSWR (voltage standing wave ratio) deteriorates and the reflection in the transmission line deteriorates. Can be prevented from increasing.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の移相器について説明をする。本発明の移相器は、図
１にその一実施形態の構成説明図が示されるように、伝
送線路（矩形導波管）１の側壁側に圧電素子２が設けら
れている。圧電素子２の両面には、２つの電極２１、２
２が設けられており、その２つの電極２１、２２に電圧
を印加し得る電源４が接続されている。そして、圧電素
子２の伝送線路（矩形導波管）１中心側に金属体３また
は誘電体が設けられている。Next, a phase shifter according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the phase shifter of the present invention, a piezoelectric element 2 is provided on a side wall of a transmission line (rectangular waveguide) 1 as shown in FIG. Two electrodes 21 and 2 are provided on both surfaces of the piezoelectric element 2.
2, a power supply 4 capable of applying a voltage to the two electrodes 21 and 22 is connected. Further, a metal body 3 or a dielectric is provided on the center side of the transmission line (rectangular waveguide) 1 of the piezoelectric element 2.
【００１３】伝送線路１は、図１に示される例では、矩
形導波管になっているが、矩形導波管に限らず、円形導
波管など他の導波管、または同軸線路などの側壁部に圧
電素子２を設けて、伝送路内に金属ブロック３などを挿
入し得る伝送線路であれば、他の伝送線路でもよい。そ
して、その伝送線路の一側壁１ａに圧電素子２が取り付
けられている。図１に示される例では、矩形導波管１の
Ｈ面１ａに圧電素子２が取り付けられているが、このよ
うなＨ面に取り付けらることにより挿入深さの僅かの変
化に対しても顕著に位相が変化するため好ましい。しか
し、Ｅ面に設けられてもよく、とくに後述する誘電体を
圧電素子２の一面に取り付ける場合には、Ｅ面と平行に
誘電体板を移動させることが好ましく、Ｅ面側に圧電素
子２を取り付けることが好ましい。Although the transmission line 1 is a rectangular waveguide in the example shown in FIG. 1, the transmission line 1 is not limited to a rectangular waveguide but may be another waveguide such as a circular waveguide or a coaxial line. Other transmission lines may be used as long as the piezoelectric element 2 is provided on the side wall and the metal block 3 or the like can be inserted into the transmission line. The piezoelectric element 2 is attached to one side wall 1a of the transmission line. In the example shown in FIG. 1, the piezoelectric element 2 is attached to the H-plane 1a of the rectangular waveguide 1, but by attaching to such an H-plane, even if the insertion depth changes slightly, This is preferable because the phase significantly changes. However, the dielectric plate may be provided on the E surface. In particular, when a later-described dielectric is attached to one surface of the piezoelectric element 2, it is preferable to move the dielectric plate in parallel with the E surface. Is preferably attached.
【００１４】圧電素子２は、図１（ｃ）に示されるよう
に、その両端の電極２１、２２に電源４が接続されて、
圧電素子２に電界が印加されることにより、図に示され
るような変位Δｆを生じる圧電性材料からなっている。
圧電性材料としては、たとえばＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ・Ｔ
ｉ）Ｏ3）、ＰｂＴｉＯ3などの圧電性セラミックス材料
や、水晶、ＬｉＮｂＯ3などの単結晶材料などを用いる
ことができる。この圧電性材料は、印加する電圧（電
界）に応じて、その歪みが比例して大きくなる。電磁波
が、ミリ波などの高周波になるとその伝送線路の断面形
状が小さくなり、僅かな変位でも位相の変化が大きく現
れる。この圧電性材料は、積層構造にすることにより変
位を大きくすることができ、大きな位相変化を得たい場
合や、周波数が低く伝送線路の寸法が大きい場合に有効
である。As shown in FIG. 1C, a power supply 4 is connected to electrodes 21 and 22 at both ends of the piezoelectric element 2.
The piezoelectric element 2 is made of a piezoelectric material that produces a displacement Δf as shown in the figure when an electric field is applied to the piezoelectric element 2.
As the piezoelectric material, for example, PZT (Pb (Zr.T
i) Piezoelectric ceramic materials such as O 3 ) and PbTiO 3, and single crystal materials such as quartz and LiNbO 3 can be used. The distortion of this piezoelectric material increases in proportion to the applied voltage (electric field). When the electromagnetic wave becomes a high frequency such as a millimeter wave, the cross-sectional shape of the transmission line becomes small, and even a small displacement causes a large change in phase. This piezoelectric material can increase displacement by having a laminated structure, and is effective when a large phase change is desired or when the frequency is low and the size of the transmission line is large.
【００１５】圧電素子２の導波管１内部側には金属ブロ
ック３が設けられている。この金属ブロック３は圧電素
子２の変位と共に変位するため、圧電素子２への印加電
圧に応じ、金属ブロック３の表面の導波管１内への挿入
長Ｌ1が変化する。その結果、導波管の伝搬定数が変化
し、位相の変化をきたす。この位相の変化は、図１
（ａ）および（ｂ）に示される構造では、金属ブロック
３の導波管１への挿入長さＬ1および金属ブロック３の
伝搬方向の長さＬ2と、圧電素子２の変位による金属ブ
ロック３の挿入深さの変位Δｆにより定まり、導波管１
への挿入長さＬ1が大きくなるほど位相の変化が大とな
り、伝搬方向の長さＬ2が大きくなるほど位相の変化が
大となる。A metal block 3 is provided inside the waveguide 1 of the piezoelectric element 2. Since the metal block 3 is displaced along with the displacement of the piezoelectric element 2, the insertion length L1 of the surface of the metal block 3 into the waveguide 1 changes according to the voltage applied to the piezoelectric element 2. As a result, the propagation constant of the waveguide changes, causing a phase change. This phase change is illustrated in FIG.
(A) and the structure (b), the propagation direction of the length L 2 of the insertion length L 1 and the metal block 3 to the waveguide 1 of the metal block 3, metal by displacement of the piezoelectric element 2 blocks 3 is determined by the displacement Δf of the insertion depth of the waveguide 1
Insertion length L 1 becomes large as the change in the phase becomes large, change in the propagation direction of the length L 2 is larger as the phase becomes larger to.
【００１６】図１（ｂ）に示されるように、この例で
は、金属ブロック３の導波管の軸方向（電磁波の伝搬方
向）に沿った両端部にテーパが形成されている。すなわ
ち、金属ブロック３の端面では挿入深さが小さく、中心
部の方にいくにしたがって、挿入深さが深くなるような
傾斜面３ａが形成されている。このようなテーパ状の傾
斜面３ａが形成されていることにより、端面では導波管
の側壁とあまり寸法的に変らず、挿入深さが徐々に変化
するため、挿入部による反射が少なくなり、ＶＳＷＲを
小さくすることができる。したがって、このような構造
にすることにより、反射損や吸収損を殆ど生じることな
く、位相のみを変化させることができる。As shown in FIG. 1B, in this example, both ends of the metal block 3 along the axial direction of the waveguide (the propagation direction of the electromagnetic wave) are tapered. That is, the inclined surface 3a is formed such that the insertion depth is small at the end face of the metal block 3 and the insertion depth becomes deeper toward the center. By forming such a tapered inclined surface 3a, the end face does not change much in dimension with the side wall of the waveguide, and the insertion depth changes gradually, so that the reflection by the insertion portion decreases, VSWR can be reduced. Therefore, by adopting such a structure, only the phase can be changed with almost no reflection loss or absorption loss.
【００１７】図１に示される例では、金属ブロック３が
直接圧電素子２の電極にくっつけて設けられているが、
他の媒体を介して設けられてもよい。また、図では、金
属ブロック３と導波管１とが接した状態で書かれている
が、圧電素子２の変位に伴って、動き得るように隙間が
設けられている。もちろんその隙間は、遮断波長以下で
電磁波の漏れは生じない。In the example shown in FIG. 1, the metal block 3 is provided directly on the electrode of the piezoelectric element 2,
It may be provided via another medium. Further, in the figure, the metal block 3 and the waveguide 1 are written in contact with each other, but a gap is provided so as to be able to move with the displacement of the piezoelectric element 2. Of course, the gap does not leak electromagnetic waves below the cutoff wavelength.
【００１８】本発明の移相器によれば、圧電素子２を介
して金属ブロック３の導波管１内への挿入深さを変化さ
せているため、圧電素子２への印加電圧を変化させるこ
とにより、電子的に金属ブロック３の導波管１内への挿
入深さを変化させることができる。導波管１内への金属
ブロック３の挿入深さが変化すると、その部分では導波
管の側壁が導波管内へ移動した構造、たとえばリッジ導
波管のような構造になり、導波管の伝搬定数が変化し、
その位相が変化して伝搬される。この金属ブロック３の
挿入深さは、圧電素子２に印加する電圧を大きくすれば
するほど大きくなり、印加電圧を制御することにより導
波管１内を伝搬する電磁波の位相を制御することができ
る。According to the phase shifter of the present invention, since the insertion depth of the metal block 3 into the waveguide 1 via the piezoelectric element 2 is changed, the voltage applied to the piezoelectric element 2 is changed. Thereby, the insertion depth of the metal block 3 into the waveguide 1 can be electronically changed. When the insertion depth of the metal block 3 into the waveguide 1 changes, a structure in which the side wall of the waveguide is moved into the waveguide at that portion, for example, a structure like a ridge waveguide, is formed. Changes the propagation constant of
The phase is changed and propagated. The insertion depth of the metal block 3 increases as the voltage applied to the piezoelectric element 2 increases, and the phase of the electromagnetic wave propagating in the waveguide 1 can be controlled by controlling the applied voltage. .
【００１９】一方、この位相の変化は、導波管などの伝
送線路の電磁波の通過領域を制御することにより行って
いるもので、透磁率などの異なる媒体内における電磁波
の透過によるものではないため、損失の生じやすい媒体
内に電磁波を透過させる必要がなく、電磁波の損失を殆
ど生じさせることがない。また、圧電素子の制御は、両
端に電圧を印加させるだけで、圧電素子自体は比抵抗の
大きい絶縁体であるため、電流は殆ど流れず、圧電素子
を制御するための電力消費は殆ど生じない。On the other hand, this phase change is performed by controlling the electromagnetic wave passage area of a transmission line such as a waveguide, and is not due to the transmission of the electromagnetic wave in a medium having a different magnetic permeability or the like. In addition, there is no need to transmit electromagnetic waves through a medium in which loss is likely to occur, and there is almost no loss of electromagnetic waves. In addition, the control of the piezoelectric element only applies a voltage to both ends. Since the piezoelectric element itself is an insulator having a large specific resistance, almost no current flows, and almost no power is consumed for controlling the piezoelectric element. .
【００２０】前述の例は、矩形導波管のＨ面から圧電素
子を介して金属ブロックを挿入し、その挿入深さを制御
する例であったが、金属ブロックでなくても、電磁波の
損失の少ない低損失の誘電体、たとえばセラミックスな
どを圧電素子に貼着し、誘電体の挿入深さを変化させて
も誘電率εが変化し、位相を変化させることができる。
この場合、図２に示されるように、矩形導波管１のＥ面
側の側壁１ｂに圧電素子２を設け、その圧電素子２に取
り付けられた誘電体３１の導波管１内への挿入深さをＥ
面と平行な方向から変化させるようにした方が、より一
層位相を効率よく変化させることができる。これは、誘
電体３１による移相器は、電界との結合によるもので、
電界の強いところ（導波管の中心部）と弱いところ（一
番弱いのはＥ面の側壁）を移動することにより位相が変
化しやすいためである。なお、誘電体３１は、板状体の
ものを誘電体棒などにより圧電素子２に保持する構造の
ものでもよい。前述の金属ブロックの挿入に関しても、
変化量は小さくなるが、Ｅ面から挿入することもでき
る。In the above-described example, the metal block is inserted from the H plane of the rectangular waveguide through the piezoelectric element and the insertion depth is controlled. Even if a low-loss dielectric material such as ceramics, which has a small loss, is attached to the piezoelectric element and the insertion depth of the dielectric material is changed, the dielectric constant ε changes, and the phase can be changed.
In this case, as shown in FIG. 2, a piezoelectric element 2 is provided on a side wall 1b on the E-plane side of the rectangular waveguide 1, and a dielectric 31 attached to the piezoelectric element 2 is inserted into the waveguide 1. E depth
If the phase is changed from a direction parallel to the plane, the phase can be changed more efficiently. This is because the phase shifter using the dielectric 31 is due to coupling with an electric field.
This is because the phase is likely to change by moving between a place where the electric field is strong (the center of the waveguide) and a place where the electric field is weak (the weakest is the side wall of the E-plane). The dielectric 31 may have a structure in which a plate-like body is held on the piezoelectric element 2 by a dielectric rod or the like. Regarding the insertion of the aforementioned metal block,
Although the amount of change is small, it can be inserted from the E-plane.
【００２１】さらに、前述の各例は、矩形導波管の例で
あったが、円形導波管や同軸線路などでも同様に金属ブ
ロックまたは誘電体を、圧電素子を介して伝送路内に挿
入することにより、その位相を変化させることができ
る。この場合、金属ブロックや誘電体の伝送路中心側の
面を円形導波管や同軸線路の円弧と同様な円弧に形成す
ることもできる。Further, in each of the above-described examples, a rectangular waveguide is used, but a metal block or a dielectric is similarly inserted into a transmission line via a piezoelectric element in a circular waveguide or a coaxial line. By doing so, the phase can be changed. In this case, the surface of the metal block or the dielectric on the transmission path center side may be formed in an arc similar to the arc of the circular waveguide or the coaxial line.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明によれば、電磁波の損失を生じや
すい媒体内を通さず、しかも圧電素子には電圧を印加す
るだけで電流を殆ど流さないため、極めて低損失で、低
消費電力の電子式移相器を得ることができる。さらに、
圧電素子は外部電圧に対してアナログ動作をするため、
アナログ形の移相器を得ることができる。その結果、フ
ェーズドアレーアンテナなどに使用して、高性能なアン
テナ特性を得ることができる。According to the present invention, an electromagnetic wave does not pass through a medium which is apt to cause a loss, and a current is hardly flowed by applying a voltage to a piezoelectric element. Therefore, extremely low loss and low power consumption are achieved. An electronic phase shifter can be obtained. further,
Since the piezoelectric element performs analog operation for an external voltage,
An analog phase shifter can be obtained. As a result, high performance antenna characteristics can be obtained when used in a phased array antenna or the like.
【図１】本発明の移相器の一実施形態である矩形導波管
形移相器の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a rectangular waveguide type phase shifter which is an embodiment of the phase shifter of the present invention.
【図２】本発明の移相器における他の実施形態の説明図
である。FIG. 2 is an explanatory diagram of another embodiment of the phase shifter of the present invention.
１ 矩形導波管 ２ 圧電素子 ３ 金属ブロック ４ 電源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Rectangular waveguide 2 Piezoelectric element 3 Metal block 4 Power supply
Claims (3)
られる圧電素子と、該圧電素子の両面に設けられる２つ
の電極と、該２つの電極に電圧を印加し得る電源と、前
記伝送線路の内部に挿入されるように前記圧電素子に設
けられる金属体または誘電体とからなる移相器。1. A transmission line, a piezoelectric element provided on a side wall of the transmission line, two electrodes provided on both surfaces of the piezoelectric element, a power supply capable of applying a voltage to the two electrodes, A phase shifter comprising a metal or a dielectric provided on the piezoelectric element so as to be inserted into a line.
層構造に形成されたものである請求項１記載の移相器。2. The phase shifter according to claim 1, wherein the piezoelectric element has a laminated structure in which piezoelectric materials are laminated.
誘電体は、前記伝送線路の電磁波の進行方向に沿った端
部において、該進行方向にテーパ状の傾斜面が形成され
てなる請求項１または２記載の移相器。3. The transmission device according to claim 1, wherein the metal member or the dielectric member provided on the piezoelectric element has a tapered inclined surface formed at an end of the transmission line along the traveling direction of the electromagnetic wave. Or the phase shifter according to 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23778499A JP2001068901A (en) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | Phase shifter |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP23778499A JP2001068901A (en) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | Phase shifter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068901A true JP2001068901A (en) | 2001-03-16 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2001068901A (en) |
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| CN104078724A (en) * | 2014-07-04 | 2014-10-01 | 芜湖航飞科技股份有限公司 | Plasma digital phase shifter |
| CN111656263A (en) * | 2017-01-19 | 2020-09-11 | 莱恩尼克斯国际有限责任公司 | Stress optical phase modulator based on integrated optics and forming method |
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1999
- 1999-08-25 JP JP23778499A patent/JP2001068901A/en active Pending
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