JP2001060616A - Substrate treating apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造工程に用
いる基板に薄膜を形成するための枚葉式のCVD装置や
基板表面を薄く削る枚葉式のエッチャー装置等の枚葉式
の基板処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single-wafer type substrate processing apparatus such as a single-wafer type CVD apparatus for forming a thin film on a substrate used in a semiconductor manufacturing process and a single-wafer type etcher apparatus for thinning a substrate surface. It is about.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種の基板処理装置は、微細な
電子回路を基板上に形成するためのものであるから、塵
や人体や大気からのNaイオンやKイオンなどの少ない
空間で処理する必要がある。このNaイオンやKイオン
などの少ない空間を得るため、基板処理装置は、図1、
2、3に示すチャンバー群で構成されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus of this kind is for forming a fine electronic circuit on a substrate, and is used for processing in a space where there is little Na ion or K ion from a dust, a human body or the atmosphere. There is a need to. In order to obtain a space with a small amount of Na ions and K ions, the substrate processing apparatus is configured as shown in FIG.
It consists of chamber groups shown in 2 and 3.
【0003】図1は最も基本的な枚葉処理のための基板
処理装置の構成例を示す図である。この基板処理装置に
おいて、処理したい基板は、ゲートバルブ101を開い
てロード・アンロード室102に搬入する。搬入が終了
するとゲートバルブ101を閉め、ロード・アンロード
室102の室内を真空引きする。その際、ロボット室1
03は常に真空に維持された部屋であるから、ロード・
アンロード室102が所定の真空度に達した後、該ロー
ド・アンロード室102とロボット室103との間のゲ
ートバルブ104を開き、ロボット室103内に配置さ
れたロボットのハンドでロード・アンロード室102内
の基板を取り出し、ロボット室103に移動する。FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a substrate processing apparatus for the most basic single-wafer processing. In this substrate processing apparatus, a substrate to be processed is carried into the load / unload chamber 102 with the gate valve 101 opened. When loading is completed, the gate valve 101 is closed, and the load / unload chamber 102 is evacuated. At that time, robot room 1
03 is a room that is always kept in a vacuum.
After the unload chamber 102 reaches a predetermined degree of vacuum, the gate valve 104 between the load / unload chamber 102 and the robot chamber 103 is opened, and the load / unload operation is performed by the hand of the robot arranged in the robot chamber 103. The substrate in the load chamber 102 is taken out and moved to the robot chamber 103.
【0004】その後、該ロボット室103とロード・ア
ンロード室102の間にあるゲートバルブ104を閉め
る。次に処理室105とロボット室103の間にあるゲ
ートバルブ106を開き、そしてロボットのハンドを伸
ばして、処理室105に基板を搬入する。処理室105
に該搬入された基板107の下方には、反応エネルギー
源としての加熱器(例えばランプヒータ108)を透明
石英板109を挟んで配置している。勿論、抵抗加熱器
上に直接基板107を置く場合もよくある。上方には、
処理用の原料やキャリアガスGを供給する処理ガス供給
源112を配置している。また、処理室105内の圧力
を制御するための圧力制御用の排気系110を備えてい
る。なお、111はランプヒータ108に電力を供給す
るための電力供給部である。Thereafter, a gate valve 104 between the robot chamber 103 and the load / unload chamber 102 is closed. Next, the gate valve 106 between the processing chamber 105 and the robot chamber 103 is opened, and the hand of the robot is extended to carry the substrate into the processing chamber 105. Processing room 105
A heater (e.g., a lamp heater 108) as a reaction energy source is disposed below the substrate 107 carried in between the transparent quartz plate 109. Of course, the substrate 107 may be directly placed on the resistance heater. Above,
A processing gas supply source 112 that supplies a raw material for processing and a carrier gas G is arranged. Further, a pressure control exhaust system 110 for controlling the pressure in the processing chamber 105 is provided. Note that reference numeral 111 denotes a power supply unit for supplying power to the lamp heater 108.
【0005】図2は更に進んだ基板処理装置の構成例を
示す図である。処理ガス供給源112からの原料やキャ
リアガスGの流れをスムーズにするために考えられた処
理室105を備えた例である。基板107が処理位置に
くると、滑らかに丸みをおびた室壁とその中央部に処理
ガス供給源112によって処理空間が形成されている。
なお、図2において、113はベローズ、114は昇降
軸であり、該昇降軸114は図示しない昇降機構で昇降
することにより、該昇降軸114の上端に取り付けたラ
ンプヒータ108や透明石英板109が上下動する。な
お、ゲートバルブ等、ガス流れ設計上・室壁の温度制御
上の邪魔な部材は分けられる。FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of a further advanced substrate processing apparatus. This is an example in which a processing chamber 105 is conceived to make the flow of the raw material and the carrier gas G from the processing gas supply source 112 smooth. When the substrate 107 comes to the processing position, a processing space is formed by the processing gas supply source 112 in the center of the smoothly rounded chamber wall.
In FIG. 2, reference numeral 113 denotes a bellows, and 114 denotes an elevating shaft. The elevating shaft 114 is moved up and down by an elevating mechanism (not shown) so that the lamp heater 108 and the transparent quartz plate 109 attached to the upper end of the elevating shaft 114 are moved. Move up and down. In addition, members that are obstructive to gas flow design and temperature control of the chamber wall, such as a gate valve, are separated.
【0006】図3は更に進んで、基板107がホルダ1
15に載せられ、処理位置にくると、処理室105の内
部空間が処理空間(空間A)と加熱源・搬送機構等のあ
る空間(空間B)とに概略分離する例である。そのた
め、空間Aでは、プロセス優先でのガス流れが設計し易
くなる。空間Bでは、処理ガスから隔離できるため、透
明石英板109が曇らなくてすむので、ランプヒータ1
08による安定した加熱ができる。更に、複雑な機構が
あっても、機構面が処理ガスと接しないので、パーティ
クルの発生面積が少なくなる。FIG. 3 shows that the substrate 107 is mounted on the holder 1.
In this example, the inner space of the processing chamber 105 is roughly separated into a processing space (space A) and a space (space B) including a heating source and a transport mechanism when the processing chamber 105 comes to a processing position. Therefore, in the space A, it is easy to design a gas flow giving priority to the process. In the space B, since the transparent quartz plate 109 does not need to be fogged because it can be isolated from the processing gas, the lamp heater 1
08 for stable heating. Furthermore, even if there is a complicated mechanism, the surface of the mechanism does not come into contact with the processing gas, so that the particle generation area is reduced.
【0007】上記基板処理装置の例では、基板107に
対して、処理ガス供給源112が上側に配置され、ラン
プヒータ108の加熱源が下側に配置された構成である
が、この配置についての特徴を図4、図5を用いて説明
する。図4は処理ガス供給源112が上側、加熱源11
7が下側に配置された構成例である。この基板処理装置
の利点は、重力作用空間では基板107を置くだけでよ
く、基板107を固定するために特別の固定治具は必要
でないことである。欠点は、熱対流118が発生し、処
理ガス供給源112からの処理ガス(反応前駆体)11
9がスムーズに基板107の表面に到達し難いことであ
る。In the above example of the substrate processing apparatus, the processing gas supply source 112 is arranged on the upper side of the substrate 107, and the heating source of the lamp heater 108 is arranged on the lower side. The features will be described with reference to FIGS. FIG. 4 shows that the processing gas supply source 112 is on the upper side and the heating source 11 is on.
Reference numeral 7 denotes a configuration example arranged on the lower side. The advantage of this substrate processing apparatus is that only the substrate 107 needs to be placed in the gravitational action space, and no special fixing jig is required to fix the substrate 107. The disadvantage is that thermal convection 118 is generated and the processing gas (reaction precursor) 11 from the processing gas supply source 112 is generated.
9 is difficult to reach the surface of the substrate 107 smoothly.
【0008】図5は図4とは配置を逆にし、処理ガス供
給源112を下側に加熱源117を上側に配置した構成
例である。この基板処理装置の利点は、基板107の処
理面が下を向いているので、パーティクルの重力落下に
よる基板107の処理面が汚染される心配はないことで
ある。欠点は、基板107を裏返しにする機構と基板1
07を止める基板止め治具120を必要とすることであ
る。特に基板止め治具120は処理側に位置するため、
プロセスの性能上都合が悪い。FIG. 5 shows a configuration example in which the arrangement is reversed from that of FIG. 4 and the processing gas supply source 112 is arranged on the lower side and the heating source 117 is arranged on the upper side. An advantage of this substrate processing apparatus is that since the processing surface of the substrate 107 faces downward, there is no concern that the processing surface of the substrate 107 is contaminated by the gravitational drop of particles. The disadvantages are the mechanism for turning the substrate 107 upside down and the substrate 1
07 is required. In particular, since the substrate fixing jig 120 is located on the processing side,
Poor in terms of process performance.
【0009】上記対策として、処理室の構成を図6に示
すようにしたものがある。ここでは、基板107に対し
て処理ガス供給源112を上側に配置し、加熱源117
を下側に配置し、基板107はホルダ115に載せるだ
けで、熱対流による上記問題は、基板107を回転させ
ることによって解決できる。即ち、基板107を回転さ
せることにより、処理ガス供給源112から基板107
に向かう処理ガス流れ125が発生し、該処理ガス流れ
125は熱対流に勝り基板107の表面へ処理ガスをス
ムーズに供給でき、左右方向にスムーズに排出できる。As a countermeasure, there is an arrangement in which the processing chamber is configured as shown in FIG. Here, the processing gas supply source 112 is arranged above the substrate 107 and the heating source 117
Is disposed on the lower side, and the substrate 107 is simply placed on the holder 115. The above problem caused by the heat convection can be solved by rotating the substrate 107. That is, by rotating the substrate 107, the processing gas supply source 112
Is generated, and the processing gas flow 125 is superior to the heat convection, so that the processing gas can be smoothly supplied to the surface of the substrate 107 and can be smoothly discharged in the left-right direction.
【0010】なお、図6において、115は基板107
を保持するホルダであり、該ホルダ115は回転テーブ
ル121の上面に載置されるようになっている。回転テ
ーブル121は静止側126にベアリング122、12
2で回転自在に支持され、静止側126には回転駆動源
123が配置され、回転テーブル121の外周面には回
転ターゲット124が配置され、回転駆動源123から
回転ターゲット124に回転磁気力が伝達され、回転テ
ーブル121が回転するようになっている。In FIG. 6, reference numeral 115 denotes a substrate 107
And the holder 115 is mounted on the upper surface of the turntable 121. The rotating table 121 has bearings 122, 12 on the stationary side 126.
2, a rotary drive source 123 is disposed on the stationary side 126, a rotary target 124 is disposed on the outer peripheral surface of the rotary table 121, and a rotary magnetic force is transmitted from the rotary drive source 123 to the rotary target 124. Then, the turntable 121 rotates.
【0011】基板処理室を図6に示すように構成する
と、上記のような利点がある反面、ホルダ115を載せ
る回転部材である回転テーブル121を交換するには、
装置を停止・分解する作業が必要となる。そのため、回
転テーブルに長い寿命が要求され、堆積物を除去するた
めのクリーニングが必要となることから、クリーニング
ガスによる劣化が問題となる。When the substrate processing chamber is configured as shown in FIG. 6, the above-described advantages are obtained. On the other hand, in order to replace the rotary table 121 which is a rotary member on which the holder 115 is mounted,
Work to stop and disassemble the device is required. Therefore, a long life is required for the rotary table, and cleaning for removing the deposits is required.
【0012】なお、基板を回転するものとしては、特開
平5−152207号公報に開示されたものや、特開平
7−58036号公報に開示されたものがあるが、いず
れも図6に示すものと同様な欠点がある。As a device for rotating the substrate, there is a device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-152207 and a device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-58036, both of which are shown in FIG. There are similar disadvantages.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、処理ガス供給源が上側に配置さ
れ、加熱源が下側に配置されることの利点を生かし、熱
対流により処理ガスが基板表面にスムーズに到達し難い
という問題点を除去し、処理ガスがスムーズに基板表面
に到達でき、且つ基板を保持するホルダや該ホルダを支
持する回転部材を基板処理室を分解することなく、交換
できる基板処理装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and takes advantage of the advantage that the processing gas supply source is disposed on the upper side and the heating source is disposed on the lower side. This eliminates the problem that the processing gas does not reach the substrate surface smoothly, and disassembles the substrate processing chamber so that the processing gas can reach the substrate surface smoothly, and the holder that holds the substrate and the rotating member that supports the holder are removed. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that can be replaced without performing the replacement.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項1に記載の発明は、基板処理室、基板搬入出用機
構、基板加熱源、基板を保持するホルダ、処理用原料供
給源を具備する基板処理装置において、基板の処理時に
ホルダを磁気力により定位置に浮上保持するための磁気
力源を備えたことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing chamber, a substrate loading / unloading mechanism, a substrate heating source, a holder for holding a substrate, and a processing raw material supply source. The substrate processing apparatus includes a magnetic force source for floatingly holding the holder at a fixed position by a magnetic force when processing the substrate.
【0015】また、請求項2に記載の発明は、基板処理
室、基板搬入出用機構、基板加熱源、処理用原料供給源
を備え、基板の処理時には該基板の処理面に対向する面
より処理用原料を供給し、基板と該基板を載せるホルダ
が、基板の処理のため処理室内の定位置に搬入される
と、処理室内の空間が基板を境に反応空間となる上空間
と加熱源等が配置される下空間とに概略区分される構成
の基板処理装置において、基板の処理時にホルダを磁気
力により定位置に浮上保持するための磁気力源を備えた
ことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing chamber, a substrate loading / unloading mechanism, a substrate heating source, and a processing raw material supply source. When the raw material for processing is supplied, and the substrate and the holder for mounting the substrate are carried into a fixed position in the processing chamber for processing the substrate, the space in the processing chamber becomes a reaction space with the substrate as a boundary and the heating source. And the like, in which a magnetic force source for holding and floating a holder at a fixed position by a magnetic force when processing a substrate is provided.
【0016】上記のように基板処理室のような特殊な雰
囲気(真空中、処理ガスが存在する反応空間)で、基板
処理時に基板を磁気力源で浮上処理することにより、パ
ーティクル発生等の問題もなく、磁気力源からの磁気の
あるなしにより、ホルダの保持・解放ができるから、ホ
ルダの保持・解放が容易になると共に、基板処理室への
搬入搬出も容易となる。従って、ホルダの交換、堆積物
等を除去するクリーニング等が容易になる。As described above, in a special atmosphere such as a substrate processing chamber (in a vacuum, a reaction space in which a processing gas is present), the substrate is subjected to a floating treatment with a magnetic force source during the processing of the substrate. In addition, since the holder can be held and released by the presence or absence of the magnetism from the magnetic force source, the holder can be easily held and released, and can be easily carried into and out of the substrate processing chamber. Therefore, replacement of the holder, cleaning for removing deposits and the like are facilitated.
【0017】また、請求項3に記載の発明は、請求項2
に記載の基板処理装置において、ホルダは磁気力源によ
って、回転するように構成されていることを特徴とす
る。The invention described in claim 3 is the same as the invention in claim 2
Wherein the holder is configured to be rotated by a magnetic force source.
【0018】上記のように、ホルダを磁気力源により浮
上し、回転させることにより、この回転によるポンピン
グ効果により、基板に向って下降する処理ガスの流れが
加熱により上昇する気流(熱対流)に打ち勝つことにな
り、処理ガスがスムーズに基板表面に到達する。As described above, the holder is levitated by the magnetic force source and rotated, whereby the flow of the processing gas descending toward the substrate is changed into an air flow (thermal convection) which rises by heating due to the pumping effect of the rotation. As a result, the processing gas reaches the substrate surface smoothly.
【0019】また、請求項4に記載の発明は、請求項2
又は3に記載の基板処理装置において、ホルダは環状に
形成された磁気浮上体に支持されており、該磁気浮上体
はホルダが基板の処理時の定位置に保持された時のみ、
磁気力源と磁気的に結合することを特徴とする。The invention described in claim 4 is the same as the invention described in claim 2.
Or in the substrate processing apparatus according to 3, the holder is supported by a magnetic levitation body formed in an annular shape, the magnetic levitation body only when the holder is held at a fixed position during processing of the substrate,
It is characterized by being magnetically coupled to a magnetic force source.
【0020】上記のように、ホルダを支持する磁気浮上
体が基板の処理時の定位置に保持された時のみ、磁気力
源と磁気的に結合されるので、処理時以外は自由に基板
処理室内又は基板処理室外に移動できることにより、基
板の搬入搬出やホルダ及び浮上体の交換やクリーニング
が容易となる。As described above, the magnetic levitation body supporting the holder is magnetically coupled to the magnetic force source only when it is held at a fixed position during processing of the substrate. Being able to move inside or outside the substrate processing chamber facilitates loading and unloading of substrates and replacement and cleaning of holders and floating bodies.
【0021】また、請求項5に記載の発明は、請求項4
に記載の基板処理装置において、磁気力源は、磁気軸受
と回転駆動源を具備し、磁気浮上体は磁気軸受により浮
上支持されると共に、回転駆動源からの磁気力で回転す
るように構成されていることを特徴とする。The invention described in claim 5 is the same as the invention in claim 4.
Wherein the magnetic force source includes a magnetic bearing and a rotary drive source, and the magnetic levitation body is levitated and supported by the magnetic bearing, and is configured to rotate with a magnetic force from the rotary drive source. It is characterized by having.
【0022】上記のように磁気浮上体の浮上支持は磁気
軸受により、回転は回転駆動源で行うので、径が大き
く、周速の速い磁気浮上体の浮上支持制御や回転制御を
安定して行うことができる。As described above, the levitation support of the magnetic levitation body is performed by the magnetic bearing, and the rotation is performed by the rotation drive source. Therefore, the levitation support control and the rotation control of the magnetic levitation body having a large diameter and a high peripheral speed are stably performed. be able to.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図7は本発明に係る基板処理装
置の構成例を示す図であり、図8は該基板処理装置の平
面配置構成例を示す図である。図7において、1は基板
処理室であり、該基板処理室1の上部には原料、その他
のガスGを供給する処理ガス供給部2が配置され、下部
には昇降軸3の上端に取り付けられたランプヒータ4が
配置されている。該ランプヒータ4は図示しない昇降機
構で昇降軸3を昇降させることにより、上下動するよう
になっている。ランプヒータ4の上部には透明石英板5
が配置されている。また、透明石英板5の上面には、基
板6を搬入搬出する時、該基板6を支持するための複数
本のピン5aが設けられている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 8 is a diagram illustrating a planar arrangement configuration example of the substrate processing apparatus. In FIG. 7, reference numeral 1 denotes a substrate processing chamber, and a processing gas supply unit 2 for supplying a raw material and other gases G is disposed in an upper part of the substrate processing chamber 1, and a processing gas supply unit 2 is attached to an upper end of a lifting shaft 3 in a lower part. Lamp heater 4 is disposed. The lamp heater 4 is moved up and down by raising and lowering the lifting shaft 3 by a lifting mechanism (not shown). A transparent quartz plate 5 is provided above the lamp heater 4.
Is arranged. On the upper surface of the transparent quartz plate 5, a plurality of pins 5a for supporting the substrate 6 when the substrate 6 is carried in and out are provided.
【0024】7は基板を載せるホルダであり、該ホルダ
7の下面外周部には環状に形成された回転部材(ロータ
に相当)8が組み付けられている。10は基板処理室1
の外周部に配置された固定体10であり、該固定体10
には回転駆動源9(ステータに相当)が配置されてい
る。回転駆動源9で発生する静止磁気力による該回転駆
動源9と回転部材8のターゲット8aの磁気結合によ
り、ホルダ7及び基板6を所定位置(図では固定体10
の上面と基板6の処理面が一致する位置)に保持できる
ようになっている。また、回転駆動源9で発生する回転
磁気で回転部材8は回転できるようになっている。Reference numeral 7 denotes a holder on which a substrate is placed. A rotating member (corresponding to a rotor) 8 formed in an annular shape is attached to the outer peripheral portion of the lower surface of the holder 7. 10 is a substrate processing chamber 1
Fixed body 10 arranged on the outer periphery of the fixed body 10
Is provided with a rotary drive source 9 (corresponding to a stator). The holder 7 and the substrate 6 are positioned at predetermined positions (the fixed body 10 in the figure) by the magnetic coupling between the rotary drive source 9 and the target 8a of the rotary member 8 by the static magnetic force generated by the rotary drive source 9.
(The position where the upper surface of the substrate 6 and the processing surface of the substrate 6 coincide with each other). Further, the rotating member 8 can be rotated by the rotating magnetism generated by the rotating drive source 9.
【0025】11はホルダ7を昇降させるホルダ昇降機
構であり、該ホルダ昇降機構11は図では省略するが複
数設けられており、回転部材8を複数点で支持し、同期
して昇降できるようになっている。12はベローズであ
り、昇降軸3の外周部に配置され、昇降軸3の昇降に追
従して伸縮し、昇降軸3を基板処理室1の外部に位置さ
せる。また、基板処理室1には排気系13が接続されて
いる。なお、14はロード・アンロード室、15はロボ
ット室、16、17、18はゲートバルブである。Reference numeral 11 denotes a holder elevating mechanism for raising and lowering the holder 7. The holder elevating mechanism 11 is provided in a plurality, although not shown in the figure, so as to support the rotating member 8 at a plurality of points so that the rotating member 8 can be raised and lowered synchronously. Has become. Reference numeral 12 denotes a bellows, which is arranged on the outer peripheral portion of the elevating shaft 3, expands and contracts following the elevating shaft 3, and positions the elevating shaft 3 outside the substrate processing chamber 1. Further, an exhaust system 13 is connected to the substrate processing chamber 1. Reference numeral 14 denotes a load / unload chamber, 15 denotes a robot chamber, and 16, 17, and 18 denote gate valves.
【0026】基板6を基板処理室1に搬入するときは、
昇降軸3を下降させ、透明石英板5の上面を図のレベル
L以下になるまで下げる。続いてホルダ昇降機構11で
ホルダ7を下降させ、その上面(基板受面)がロボット
で搬入される基板6を受け入れるレベルL位置まで下降
させる。この時、透明石英板5の上面に設けたピン5a
の先端はレベルLより所定量上に位置する。処理したい
基板は、ゲートバルブ16を開いてロード・アンロード
室14に搬入する。搬入が終了するとゲートバルブ16
を閉め、ロード・アンロード室14の室内を真空引きす
る。その際、ロボット室15は常に真空に維持された部
屋である。When the substrate 6 is carried into the substrate processing chamber 1,
The elevating shaft 3 is lowered to lower the upper surface of the transparent quartz plate 5 to a level L or lower in the figure. Subsequently, the holder 7 is lowered by the holder raising / lowering mechanism 11, and its upper surface (substrate receiving surface) is lowered to the level L position for receiving the substrate 6 carried in by the robot. At this time, the pins 5a provided on the upper surface of the transparent quartz plate 5
Is located a predetermined amount above the level L. The substrate to be processed is carried into the load / unload chamber 14 by opening the gate valve 16. When the loading is completed, the gate valve 16
Is closed, and the load / unload chamber 14 is evacuated. At this time, the robot room 15 is a room that is always kept in a vacuum.
【0027】ロード・アンロード室14が所定の真空度
に達した後、該ロード・アンロード室14とロボット室
15の間のゲートバルブ17を開き、ロボット室15内
に配置されているロボットのハンドでロード・アンロー
ド室14内の基板6を取り出しロボット室15に移動さ
せる。その後、該ロボット室15とロード・アンロード
室14の間にあるゲートバルブ17を閉める。After the load / unload chamber 14 reaches a predetermined degree of vacuum, the gate valve 17 between the load / unload chamber 14 and the robot chamber 15 is opened, and the robot disposed in the robot chamber 15 is opened. The substrate 6 in the loading / unloading chamber 14 is taken out by hand and moved to the robot chamber 15. Thereafter, the gate valve 17 between the robot chamber 15 and the load / unload chamber 14 is closed.
【0028】次に基板処理室1とロボット室15の間に
あるゲートバルブ18を開き、ロボットのハンドを伸ば
して、基板処理室1に基板6を搬入し、透明石英板5の
上面に設けたピン5aの上に載置する。ロボットのハン
ドはロボット室15に戻り、ゲートバルブ18は閉じ
る。この状態でホルダ上昇機構11によりホルダ7を上
昇させると、基板6はホルダ7の上に載置され、更に基
板6をホルダ7ごと図示する位置まで上昇させる。ここ
で環状に形成された回転部材8は回転駆動源9の静止磁
気力で保持される。保持されるとホルダ昇降機構11は
所定量下降し、回転部材8から離間させる。また、ラン
プヒータ4を図示する位置まで上昇させると共に、ラン
プを点灯し基板6の加熱を行う。Next, the gate valve 18 between the substrate processing chamber 1 and the robot chamber 15 is opened, the hand of the robot is extended, and the substrate 6 is loaded into the substrate processing chamber 1 and provided on the upper surface of the transparent quartz plate 5. Place on the pin 5a. The robot hand returns to the robot room 15 and the gate valve 18 closes. When the holder 7 is raised by the holder raising mechanism 11 in this state, the substrate 6 is placed on the holder 7, and the substrate 6 is further raised together with the holder 7 to a position shown in the figure. Here, the rotary member 8 formed in an annular shape is held by the static magnetic force of the rotary drive source 9. When held, the holder elevating mechanism 11 is lowered by a predetermined amount, and is separated from the rotating member 8. Further, the lamp heater 4 is raised to the position shown in the figure, and the lamp is turned on to heat the substrate 6.
【0029】回転駆動源9で回転磁気力を発生し、回転
部材8を回転させることにより、基板6はホルダ7ごと
回転する。この状態で処理ガス供給部2から原料、その
他のガスGを供給する。加熱された基板6及びホルダ7
から上昇する熱対流が発生するが、基板6及びホルダ7
が回転していることから、処理ガス供給部2から基板6
に向かって下降する原料、その他の処理ガスGの流れが
勝り、基板6の表面に処理ガスをスムーズに供給でき、
左右方向から排気系13、13によりスムーズに排気さ
れる。The substrate 6 is rotated together with the holder 7 by generating a rotating magnetic force by the rotating drive source 9 and rotating the rotating member 8. In this state, a raw material and other gases G are supplied from the processing gas supply unit 2. Heated substrate 6 and holder 7
Convection rising from the substrate 6 and the holder 7
Are rotated, the processing gas supply unit 2 sends the substrate 6
The flow of the raw material and the other processing gas G descending toward the surface prevails, and the processing gas can be smoothly supplied to the surface of the substrate 6.
Exhaust is smoothly exhausted by the exhaust systems 13 from the left and right directions.
【0030】基板処理室1で予め決められた所定枚数の
基板6を処理したら、表面に処理ガスGの反応物が堆積
したホルダ7を取り換える。このホルダ取り換え動作を
図8を用いて説明する。真空状態にある基板処理室1と
ロボット室15にクリーンガス供給源(図示せず)から
クリーンガス(不活性ガス)を供給し、該基板処理室1
とロボット室15を同じ圧力のクリーンガスで満たす。
そしてゲートバルブ18を開き、基板処理室1内のホル
ダ7をロボット室15に備え付けられているロボットの
ハンドで取り上げ基板処理室1からロボット室15へ移
送し、その後ゲートバルブ18を閉じる。ここでホルダ
7は回転部材8に固着されず載置された状態である。When a predetermined number of substrates 6 are processed in the substrate processing chamber 1, the holder 7 on which the reactant of the processing gas G is deposited is replaced. This holder replacement operation will be described with reference to FIG. A clean gas (inert gas) is supplied from a clean gas supply source (not shown) to the substrate processing chamber 1 and the robot chamber 15 in a vacuum state.
And the robot chamber 15 are filled with clean gas of the same pressure.
Then, the gate valve 18 is opened, the holder 7 in the substrate processing chamber 1 is picked up by a robot hand provided in the robot chamber 15 and transferred from the substrate processing chamber 1 to the robot chamber 15, and then the gate valve 18 is closed. Here, the holder 7 is in a state of being mounted without being fixed to the rotating member 8.
【0031】その後、クリーンガス供給源からのクリー
ンガス(不活性ガス)をロボット室15と治具受取室2
5に供給し、両室をこのクリーンガスで満たす。そして
ゲートバルブ26を開いて、ロボット室15に備え付け
ているロボットのハンドでホルダ7をロボット室15か
ら治具受取室25に移し、代わりにロボットで新しいホ
ルダ7を治具受取室25から取出しロボット室15に移
送し、その後ゲートバルブ26を閉じる。Thereafter, clean gas (inert gas) from the clean gas supply source is supplied to the robot chamber 15 and the jig receiving chamber 2.
5 and both chambers are filled with this clean gas. Then, the gate valve 26 is opened, the holder 7 is moved from the robot chamber 15 to the jig receiving chamber 25 by the hand of the robot provided in the robot chamber 15, and a new holder 7 is removed from the jig receiving chamber 25 by the robot. After the transfer to the chamber 15, the gate valve 26 is closed.
【0032】次に、ロボット室15と基板処理室1にク
リーンガス供給源からクリーンガス(不活性ガス)を同
じ圧力になるように供給し、その後ゲートバルブ18を
開いて、新しいホルダ7をホルダ昇降機構11で支持
し、所定の位置にある回転部材8の所定の位置に載置す
る。該基板処理室1に搬入された基板6の処理は、基板
処理室1内を排気系13、13で所定の真空レベルまで
排気した後に行う。一方、治具受取室25内のホルダ7
は該治具受取室25からゲートバルブ17を通って外部
に取出され、再使用のために洗浄される。Next, a clean gas (inert gas) is supplied from the clean gas supply source to the robot chamber 15 and the substrate processing chamber 1 so as to have the same pressure. Thereafter, the gate valve 18 is opened, and the new holder 7 is placed in the holder. It is supported by the elevating mechanism 11 and is placed at a predetermined position of the rotating member 8 at a predetermined position. The processing of the substrate 6 carried into the substrate processing chamber 1 is performed after the interior of the substrate processing chamber 1 is evacuated to a predetermined vacuum level by the exhaust systems 13, 13. On the other hand, the holder 7 in the jig receiving chamber 25
Is taken out of the jig receiving chamber 25 through the gate valve 17 and washed for reuse.
【0033】なお、回転部材8も別途設けた図示しない
搬出入機構で搬出入できるようにし、基板処理室1の外
に搬出した回転部材8を洗浄することができる。また、
上記のように回転部材8を環状とし、その上に中央部が
中空のホルダ7を支持するので、回転部材8及びホルダ
7の中央部は中空となり、基板6の下方の回転部材8内
に加熱源となるランプヒータ4を該基板下面と平行に配
置できると共に、透明石英板5の上に基板搬送時に基板
6を載置するピン5aを配置することができる。The rotating member 8 can also be carried in and out by a separately provided carrying-in / out mechanism (not shown), so that the rotating member 8 carried out of the substrate processing chamber 1 can be washed. Also,
As described above, the rotating member 8 is formed in an annular shape, and the center of the rotating member 8 is supported on the holder 7, so that the center of the rotating member 8 and the holder 7 becomes hollow, and the rotating member 8 below the substrate 6 is heated. The lamp heater 4 serving as a source can be arranged in parallel with the lower surface of the substrate, and the pins 5a for placing the substrate 6 on the transparent quartz plate 5 at the time of transporting the substrate can be arranged.
【0034】図9は本発明に係る基板処理装置のホルダ
7を保持回転させる保持回転機構の他の構成例を示す図
である。本保持回転機構は磁性体からなる磁気浮上体1
9(図7の回転部材8に相当)を具備し、該磁気浮上体
19の上部にホルダ7が組み込まれている。該磁気浮上
体19は円筒状で下端に外側水平方向に伸びた鍔部19
aが形成されている。固定体10の磁気浮上体19の外
周に対向する位置には上下にラジアル磁気軸受21、2
2が配置され、その間に回転駆動源9が配置されてい
る。また、鍔部19aの上面に対向する位置にはアキシ
ャル磁気軸受20が配置されている。FIG. 9 is a view showing another configuration example of the holding and rotating mechanism for holding and rotating the holder 7 of the substrate processing apparatus according to the present invention. The holding and rotating mechanism is a magnetic levitation body 1 made of a magnetic material.
9 (corresponding to the rotating member 8 in FIG. 7), and the holder 7 is incorporated above the magnetic levitation body 19. The magnetic levitation body 19 is cylindrical and has a flange portion 19 extending horizontally outward at the lower end.
a is formed. Radial magnetic bearings 21, 2 are positioned vertically at positions facing the outer periphery of the magnetic levitation body 19 of the fixed body 10.
2 are arranged, and the rotary drive source 9 is arranged between them. An axial magnetic bearing 20 is disposed at a position facing the upper surface of the flange portion 19a.
【0035】ラジアル磁気軸受21、22はそれぞれ電
磁石21a、22a、変位センサ21b、22bで構成
され、アキシャル磁気軸受20は電磁石20a、変位セ
ンサ20bで構成される。また、ラジアル磁気軸受21
の電磁石21a、変位センサ21b、回転駆動源9、ラ
ジアル磁気軸受22の電磁石22a、変位センサ22b
及びアキシャル磁気軸受20の電磁石20a、変位セン
サ20bの表面は非磁性体材からなるキャン23で覆わ
れている。これにより、電磁石21a、22a、20
a、変位センサ21b、22b、20b、回転駆動源9
の表面は処理ガスに触れることなく、腐食することがな
い。また、固定体10の基板処理室1内に露出する面は
石英カバー24で覆われている。The radial magnetic bearings 21 and 22 are composed of electromagnets 21a and 22a and displacement sensors 21b and 22b, respectively, and the axial magnetic bearing 20 is composed of an electromagnet 20a and displacement sensor 20b. Also, the radial magnetic bearing 21
21a, displacement sensor 21b, rotary drive source 9, electromagnet 22a of radial magnetic bearing 22, displacement sensor 22b
The surfaces of the electromagnet 20a and the displacement sensor 20b of the axial magnetic bearing 20 are covered with a can 23 made of a non-magnetic material. Thereby, the electromagnets 21a, 22a, 20
a, displacement sensors 21b, 22b, 20b, rotation drive source 9
The surface does not come into contact with the processing gas and does not corrode. The surface of the fixed body 10 exposed inside the substrate processing chamber 1 is covered with a quartz cover 24.
【0036】上記構成の保持回転機構において、磁気浮
上体19及びホルダ7の組み立て体は図7の場合と同
様、図示しないホルダ昇降機構により昇降できるように
なっている。磁気浮上体19及びホルダ7の組み立て体
をホルダ昇降機構で図9に示す位置に上昇させると、ラ
ジアル磁気軸受21、22及びアキシャル磁気軸受20
が作動し磁気浮上体19を図示する位置に浮上支持す
る。In the holding and rotating mechanism having the above structure, the assembly of the magnetic levitation body 19 and the holder 7 can be moved up and down by a holder elevating mechanism (not shown) as in the case of FIG. When the assembly of the magnetic levitation body 19 and the holder 7 is raised to the position shown in FIG. 9 by the holder elevating mechanism, the radial magnetic bearings 21 and 22 and the axial magnetic bearing 20
Operates to levitate and support the magnetic levitation body 19 at the position shown.
【0037】通常のアキシャル磁気軸受では磁気浮上体
19の鍔部19aの上下に電磁石を配置するが、ここで
のアキシャル磁気軸受20は上側にのみ電磁石20aを
配置し、該電磁石20aの磁気力とホルダ7及び磁気浮
上体19の重力のバランスで浮上支持している。これに
より、ラジアル磁気軸受21、22の電磁石21a、2
2a、回転駆動源9及びアキシャル磁気軸受20の電磁
石20aの磁気力が無くなったとき、ホルダ昇降機構で
ホルダ7及び磁気浮上体19の組み立て体を下方に降下
させることができる。In a normal axial magnetic bearing, electromagnets are arranged above and below a flange portion 19a of a magnetic levitation body 19. In this axial magnetic bearing 20, an electromagnet 20a is arranged only on the upper side. The holder 7 and the magnetic levitation body 19 are levitation supported by the balance of gravity. Thus, the electromagnets 21a, 2a of the radial magnetic bearings 21, 22
2a, when the magnetic force of the rotary drive source 9 and the electromagnet 20a of the axial magnetic bearing 20 is lost, the assembly of the holder 7 and the magnetic levitation body 19 can be lowered by the holder lifting mechanism.
【0038】ラジアル磁気軸受21、22の変位センサ
21b、22b、アキシャル磁気軸受20の変位センサ
20bで固定体10と磁気浮上体19の間の間隔を検出
し、その出力で電磁石21a、22a、20aの励磁電
流を制御し、ホルダ7及び磁気浮上体19の組み立て体
を所定位置に浮上支持する点は、通常の磁気軸受と同様
である。また、磁気軸受で磁気浮上体19を支持し、回
転駆動源9から発する回転磁気力で該磁気浮上体19を
回転させることにより、ホルダ7は基板と共に回転す
る。基板の搬入搬出は図7の基板処理装置と同じである
からその説明は省略する。The distance between the fixed body 10 and the magnetic levitation body 19 is detected by the displacement sensors 21b and 22b of the radial magnetic bearings 21 and 22 and the displacement sensor 20b of the axial magnetic bearing 20, and the outputs of the magnets 21a, 22a and 20a are detected. This is similar to a normal magnetic bearing in that the exciting current is controlled and the assembly of the holder 7 and the magnetic levitation body 19 is levitated and supported at a predetermined position. The magnetic levitation body 19 is supported by a magnetic bearing, and the holder 7 rotates together with the substrate by rotating the magnetic levitation body 19 with the rotational magnetic force generated from the rotary drive source 9. Loading and unloading of the substrate are the same as in the substrate processing apparatus of FIG.
【0039】加熱源であるランプヒータ4による加熱で
発生する熱対流の程度は、温度、該分子量、圧力などプ
ロセスパラメータによって異なる。また基板6及びホル
ダ7を回転することによるポンピング効果によって基板
6の処理面の均一性や処理速度が異なる。また、処理速
度は反応前駆体の種類によっても異なる。従って、基板
6及びホルダ7を回転することによって上記効果を引き
出せる回転数も異なるが、半導体製造において、基板6
の面積と処理ガス流量の関係は比例関係にあり、基板6
及びホルダ7の回転によるポンピング効果と基板6の大
きさも比例関係にあることを考慮し、基板6の上面に発
生する上昇気流(熱対流)対策としては、概ね50〜1
50rpmで基板6を回転させれば良い。The degree of heat convection generated by heating by the lamp heater 4 as a heating source varies depending on process parameters such as temperature, molecular weight, and pressure. In addition, the uniformity and the processing speed of the processing surface of the substrate 6 are different due to the pumping effect by rotating the substrate 6 and the holder 7. Further, the processing speed varies depending on the type of the reaction precursor. Accordingly, the number of rotations at which the above-described effect can be obtained by rotating the substrate 6 and the holder 7 is different, but in the semiconductor manufacturing, the substrate 6
Is proportional to the processing gas flow rate.
In consideration of the fact that the pumping effect due to the rotation of the holder 7 and the size of the substrate 6 are also in a proportional relationship, the countermeasures against ascending airflow (thermal convection) generated on the upper surface of the substrate 6 are approximately 50 to 1
The substrate 6 may be rotated at 50 rpm.
【0040】また、図9において、磁気浮上体19の中
空部には加熱源としてランプヒータ(図示せず)を配置
するのでその径は大きくなり、回転させると外周部の周
速が速くなるので、該磁気浮上体19を磁気軸受(ラジ
アル磁気軸受21、22、アキシャル磁気軸受20)で
支持することは、パーティクル発生防止の点等から好都
合である。In FIG. 9, a lamp heater (not shown) is disposed as a heating source in the hollow portion of the magnetic levitation body 19, so that its diameter increases, and when it is rotated, the peripheral speed of the outer peripheral portion increases. Supporting the magnetic levitation body 19 with magnetic bearings (radial magnetic bearings 21, 22 and axial magnetic bearings 20) is advantageous from the viewpoint of preventing generation of particles.
【0041】[0041]
【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば下記のような優れた効果が得られる。As described above, according to the invention described in each claim, the following excellent effects can be obtained.
【0042】請求項1及び2に記載の発明によれば、基
板処理室のような特殊な雰囲気(真空中、処理ガスが存
在する反応空間)で、基板処理時に基板を磁気力源で浮
上処理することにより、パーティクル発生等の問題もな
く、磁気力源からの磁気のあるなしにより、ホルダの保
持・解放ができるから、ホルダの保持・解放が容易にな
ると共に、基板処理室への搬入搬出も容易となる。従っ
て、ホルダの交換、堆積物等を除去するクリーニング等
が容易になる。According to the first and second aspects of the present invention, the substrate is floated by a magnetic force source during the substrate processing in a special atmosphere (a vacuum, a reaction space in which a processing gas is present) such as a substrate processing chamber. By doing so, it is possible to hold and release the holder with and without the problem of particle generation and the presence or absence of magnetism from the magnetic force source, making it easier to hold and release the holder and carrying it into and out of the substrate processing chamber. Also becomes easier. Therefore, replacement of the holder, cleaning for removing deposits and the like are facilitated.
【0043】また、請求項3に記載の発明によれば、ホ
ルダを磁気力源により浮上し、回転させることにより、
この回転によるポンピング効果により、基板に向かって
下降する処理ガスの流れが加熱により上昇する気流(熱
対流)に打ち勝つことになり、処理ガスがスムーズに基
板表面に到達し、効率のよい基板処理が実現できる。According to the third aspect of the present invention, the holder is floated by the magnetic force source and rotated, whereby
Due to the pumping effect by this rotation, the flow of the processing gas descending toward the substrate overcomes the airflow (thermal convection) rising by heating, the processing gas reaches the substrate surface smoothly, and efficient substrate processing is achieved. realizable.
【0044】また、請求項4に記載の発明によれば、ホ
ルダを支持する磁気浮上体が基板の処理時の定位置に保
持された時のみ、磁気力源と磁気的に結合されるので、
処理時以外は自由に基板処理室内又は基板処理室外に移
動できることにより、基板の搬入搬出やホルダ及び浮上
体の交換やクリーニングが容易となる。According to the fourth aspect of the present invention, the magnetic levitation body supporting the holder is magnetically coupled to the magnetic force source only when the magnetic levitation body is held at a fixed position during processing of the substrate.
Since the substrate can be moved freely into or out of the substrate processing chamber except during processing, loading and unloading of the substrate, and replacement and cleaning of the holder and the floating body are facilitated.
【0045】また、請求項5に記載の発明によれば、磁
気浮上体の浮上支持は磁気軸受により、回転は回転駆動
源で行うので、径が大きく、周速の速い磁気浮上体の浮
上支持制御や回転制御を安定して行うことができる。According to the fifth aspect of the present invention, the levitation support of the magnetic levitation body is performed by a magnetic bearing, and rotation is performed by a rotary drive source. Therefore, the levitation support of the magnetic levitation body having a large diameter and a high peripheral speed is provided. Control and rotation control can be performed stably.
【図1】従来の基板処理装置の構成例を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a conventional substrate processing apparatus.
【図2】従来の基板処理装置の構成例を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of a conventional substrate processing apparatus.
【図3】従来の基板処理装置の構成例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a conventional substrate processing apparatus.
【図4】上側に処理ガス供給源、下側に加熱源が配置さ
れた基板処理室の動作を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining an operation of a substrate processing chamber in which a processing gas supply source is disposed on an upper side and a heating source is disposed on a lower side.
【図5】下側に処理ガス供給源、上側に加熱源が配置さ
れた基板処理室の動作を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining an operation of a substrate processing chamber in which a processing gas supply source is arranged on a lower side and a heating source is arranged on an upper side.
【図6】従来の基板処理装置の構成例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of a conventional substrate processing apparatus.
【図7】本発明に係る基板処理装置の構成例を示す図で
ある。FIG. 7 is a diagram showing a configuration example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
【図8】図7に示す基板処理装置の平面配置構成例を示
す図である。8 is a diagram showing an example of a planar arrangement configuration of the substrate processing apparatus shown in FIG.
【図9】本発明に係る基板処理装置のホルダを保持回転
させる保持回転機構の構成例を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration example of a holding and rotating mechanism that holds and rotates a holder of the substrate processing apparatus according to the present invention.
1 基板処理室 2 処理ガス供給部 3 昇降軸 4 ランプヒータ 5 透明石英板 6 基板 7 ホルダ 8 回転部材 9 回転駆動源 10 固定体 11 ホルダ昇降機構 12 ベローズ 13 排気系 14 ロード・アンロード室 15 ロボット室 16 ゲートバルブ 17 ゲートバルブ 18 ゲートバルブ 19 磁気浮上体 20 アキシャル磁気軸受 21 ラジアル磁気軸受 22 ラジアル磁気軸受 23 キャン 24 石英カバー 25 治具受取室 26 ゲートバルブ 27 ゲートバルブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing chamber 2 Processing gas supply part 3 Elevating shaft 4 Lamp heater 5 Transparent quartz plate 6 Substrate 7 Holder 8 Rotating member 9 Rotary drive source 10 Fixed body 11 Holder elevating mechanism 12 Bellows 13 Exhaust system 14 Load / unload chamber 15 Robot Chamber 16 Gate valve 17 Gate valve 18 Gate valve 19 Magnetic levitation body 20 Axial magnetic bearing 21 Radial magnetic bearing 22 Radial magnetic bearing 23 Can 24 Quartz cover 25 Jig receiving chamber 26 Gate valve 27 Gate valve
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C23C 16/458 H01L 21/302 B ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) C23C 16/458 H01L 21/302 B
Claims (5)
熱源、前記基板を保持するホルダ、処理用原料供給源を
具備する基板処理装置において、 前記基板の処理時に前記ホルダを磁気力により定位置に
浮上保持するための磁気力源を備えたことを特徴とする
基板処理装置。1. A substrate processing apparatus comprising: a substrate processing chamber; a substrate loading / unloading mechanism; a substrate heating source; a holder for holding the substrate; and a processing source supply source. A substrate processing apparatus comprising a magnetic force source for levitating and holding at a fixed position.
熱源、処理用原料供給源を備え、基板の処理時には該基
板の処理面に対向する面より前記処理用原料を供給し、
前記基板と該基板を載せるホルダが、該基板の処理のた
め処理室内の定位置に搬入されると、該処理室内の空間
が該基板を境に反応空間となる上空間と加熱源等が配置
される下空間とに概略区分される構成の基板処理装置に
おいて、 前記基板の処理時に前記ホルダを磁気力により定位置に
浮上保持するための磁気力源を備えたことを特徴とする
基板処理装置。2. A substrate processing chamber, a substrate loading / unloading mechanism, a substrate heating source, and a processing source supply source, wherein during processing of the substrate, the processing source is supplied from a surface facing the processing surface of the substrate;
When the substrate and the holder for mounting the substrate are carried into a fixed position in the processing chamber for processing the substrate, a space inside the processing chamber becomes a reaction space with the substrate as a boundary, and a heating source and the like are arranged. A substrate processing apparatus having a configuration roughly divided into a lower space and a magnetic force source for floatingly holding the holder at a fixed position by a magnetic force when processing the substrate. .
て、 前記ホルダは前記磁気力源によって、回転するように構
成されていることを特徴とする基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the holder is configured to rotate by the magnetic force source.
おいて、 前記ホルダは環状に形成された磁気浮上体に支持されて
おり、該磁気浮上体は前記ホルダが基板の処理時の定位
置に保持された時のみ、前記磁気力源と磁気的に結合す
ることを特徴とする基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the holder is supported by a magnetic levitation body formed in an annular shape, and the magnetic levitation body is in a fixed position when the holder processes a substrate. A substrate processing apparatus that is magnetically coupled to the magnetic force source only when the substrate is held.
て、 前記磁気力源は、磁気軸受と回転駆動源を具備し、 前記磁気浮上体は前記磁気軸受により浮上支持されると
共に、回転駆動源からの磁気力で回転するように構成さ
れていることを特徴とする基板処理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the magnetic force source includes a magnetic bearing and a rotary drive source, and the magnetic levitation body is levitated and supported by the magnetic bearing, and a rotary drive source. A substrate processing apparatus characterized in that it is configured to rotate with a magnetic force from the substrate.
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